JP2009284372A - Constant temperature structure of crystal unit - Google Patents
Constant temperature structure of crystal unit Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009284372A JP2009284372A JP2008136207A JP2008136207A JP2009284372A JP 2009284372 A JP2009284372 A JP 2009284372A JP 2008136207 A JP2008136207 A JP 2008136207A JP 2008136207 A JP2008136207 A JP 2008136207A JP 2009284372 A JP2009284372 A JP 2009284372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- crystal resonator
- constant temperature
- substrate
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】発熱用のチップ抵抗からの伝熱効率を高め、第2に高さ寸法を小さくした水晶振動子の恒温構造及びこれを用いた恒温型発振器を提供する。
【解決手段】水晶片が密封封入されて外部端子を有する水晶振動子を回路基板4に配設し、前記水晶振動子の動作温度を少なくとも加熱用のチップ抵抗3aを有する温度制御素子によって一定にし、前記チップ抵抗3aはチップ母体の一主面に抵抗皮膜の形成されてなる水晶振動子の恒温構造において、前記チップ抵抗3aは前記水晶振動子の下面側となる前記回路基板4に設けた空所13に配置されるとともに、前記抵抗皮膜の形成された一主面は前記水晶振動子の下面に対面して配置され、前記水晶振動子は前記空所13を覆って前記回路基板4上に配置された構成とする。
【選択図】図1To provide a constant temperature structure of a crystal resonator with improved heat transfer efficiency from a chip resistor for heat generation and secondly to reduce a height dimension, and a constant temperature type oscillator using the same.
A crystal resonator having a crystal piece sealed and sealed and having an external terminal is disposed on a circuit board, and the operating temperature of the crystal resonator is made constant by at least a temperature control element having a chip resistor for heating. The chip resistor 3a is a constant temperature structure of a crystal resonator in which a resistance film is formed on one main surface of the chip base. The chip resistor 3a is an empty space provided on the circuit board 4 on the lower surface side of the crystal resonator. The main surface on which the resistive film is formed is disposed so as to face the lower surface of the crystal resonator, and the crystal resonator covers the space 13 on the circuit board 4. It is assumed that the arrangement is arranged.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は水晶振動子の恒温構造及びこれを用いた恒温型の水晶発振器(以下、恒温型発振器とする)を技術分野とし、特に、水晶振動子の動作温度を一定にする恒温構造に関する。 The present invention relates to a constant temperature structure of a crystal resonator and a constant temperature crystal oscillator (hereinafter referred to as a constant temperature oscillator) using the crystal resonator, and more particularly to a constant temperature structure that keeps the operating temperature of a crystal resonator constant.
(発明の背景)
恒温型発振器は一般には恒温槽が用いられ、水晶振動子の動作温度を一定に維持することから周波数安定度が高く(周波数偏差が概ね0.05ppm以下)、例えば光通信用とした基地局等の通信設備に使用される。近年では、これらの通信設備でも小型化が浸透し、その一貫として表面実装型の水晶振動子(以下、表面実装振動子とする)が適用される。このようなものの一つに本出願人によるものがある(特許文献1)。
(Background of the Invention)
The thermostatic oscillator generally uses a thermostatic bath, and since the operating temperature of the crystal unit is kept constant, the frequency stability is high (frequency deviation is approximately 0.05 ppm or less). For example, a base station for optical communication, etc. Used for communication equipment. In recent years, downsizing of these communication facilities has been permeated, and as a part of that, surface-mount type crystal resonators (hereinafter referred to as surface-mount resonators) are applied. One of these is the one by the present applicant (Patent Document 1).
(従来技術の一例、特許文献1、2)
第4図は一従来例を説明する図で、同図(a)は恒温型発振器の断面図、同図(b)は表面実装振動子の底面図、同図(c)は温度制御回路の図である。
(An example of conventional technology,
FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional example. FIG. 4 (a) is a cross-sectional view of a thermostatic oscillator, FIG. 4 (b) is a bottom view of a surface-mounted vibrator, and FIG. 4 (c) is a temperature control circuit. FIG.
恒温型発振器は表面実装振動子1及び発振回路を形成する発振用素子2と、表面実装振動子1の動作温度を一定にする温度制御素子3とを回路基板4に配設し、これらを金属容器5内に密閉封入してなる。表面実装振動子1はセラミックからなる凹状の容器本体6に水晶片1Aを固着し、金属カバー7を被せて密閉封入する。
The constant temperature oscillator includes a surface-mounted
容器本体5における外底面(裏面)の4角部には、実装端子としての水晶端子8a及びダミー端子8bを有する。水晶端子8a(2個)は一組の対角部に設けられ、図示しない水晶片の励振電極に接続する。ダミー端子8(2個は)他組の対角部に設けられ、通常では、図示しないビアホール等によって金属カバー7に接続し、例えばアース端子となる。
At the four corners of the outer bottom surface (back surface) of the
温度制御素子3は表面実装振動子1の動作温度を一定にし、少なくともチップ抵抗3a(例えば2個)、表面実装振動子1Aの動作温度を検出する温度感応素子3b、及びパワートランジスタ3cとを有する。チップ抵抗3aはセラミックからなるチップ母体の一主面に抵抗皮膜3xを有し、両端側に図示しない電極を有する。温度感応素子3bは例えば温度上昇とともに抵抗値が低下するサーミスタとする。また、パワートランジスタ3cは温度感応素子3bの温度に基づく抵抗値によって制御された電力を発熱用のチップ抵抗3aに供給する。
The
具体的には、例えば第6図(a)に示したように、オペアンプ12の一方の入力端には温度感応素子3bと抵抗Raによる温度感応電圧を、他方の入力端には抵抗Rb、Rcによる基準電圧を印加する。そして、基準電圧との基準温度差電圧をパワートランジスタ3cのベースに印加し、チップ抵抗3aへ直流電圧DCから電力を供給する。これにより、温度感応素子3cの温度に依存した抵抗値によってチップ抵抗3aへの電力を制御し、表面実装振動子1の動作温度を一定にする。
Specifically, for example, as shown in FIG. 6 (a), one input terminal of the
なお、この例では、温度感応素子3bは表面実装振動子1のダミー端子8(ab)の一方あるいは両方に接続する。そして、ダミー端子8bはアースには接地せず、浮き電極とする。これにより、温度感応素子3bは表面実装振動子1と配線路によって熱的に結合するので、表面実装動子1の動作温度を直接的(リアルタイム)に検出して温度変化に対する応答性を良好にする。
In this example, the temperature
回路基板4は第1基板4aと第2基板4bの二段構造とし、第1基板4aは金属ピン9によって第2基板4bを保持する。第1基板3aはガラスエポキシとして、表面実装振動子1及びチップ抵抗3a、温度感応素子3b、パワートランジスタ3cを除く、発振用素子2及び温度制御素子3が下面に配設される。
The
第2基板4bはセラミックとして、上面には表面実装振動子1及び背丈の高いパワートランジスタ3cが配設され、下面には発熱用のチップ抵抗3a及び温度感応素子3bが配設される。そして、第1基板4aと第2基板4bとの間にはチップ抵抗3aと温度感応素子3bを覆うシリコン系の熱伝導性樹脂10が塗布される。金属容器5は金属ベース5aとカバー4bとからなる。金属ベース5aの気密端子11bは第1基板4aを保持し、カバー5は抵抗溶接によって気密封止する。
The
通常では、金属ベース5aに金属カバー4bを接合する前に、表面実装振動子1の3次曲線となる周波数温度特性を個々に測定する。そして、表面実装振動子1の動作温度とする高温側の極小値の温度が80℃の場合には、例えば温度制御回路の抵抗Raを調整して表面実装振動子1の動作温度を80℃に設定する。さらに、発振回路の図示しない調整コンデンサによって発振周波数fを公称周波数に一致させる。このことから、抵抗Ra及び調整コンデンサ等の交換を要する調整素子2Aは、例えば第2基板4aの外周上に配設される。
Usually, before joining the
このようなものでは、第2基板4bは熱伝導性を良好とするセラミックとし、表面実装振動子1を上面に、発熱用のチップ抵抗3aを下面に配置する。また、第2基板4bには、基本的には、チップ抵抗3a、温度感応素子3b及びパワートランジスタ3cのみを配置するので、第2基板4bの平面外形を小さくする。
In such a case, the
さらに、第1基板4aをセラミックよりも熱伝導性に劣るガラスエポキシとするので、金属ピン9を経て熱的に結合した第2基板4bからの放熱を少なくする。特に、熱的に結合したリード線11からの放熱を少なくする。これらから、表面実装振動子1に対するチップ抵抗3aからの伝熱効率を高める。
(従来技術の問題点)
しかしながら、上記構成の恒温型発振器では、第2基板4bを熱伝導性の良好なセラミックとするものの、表面実装振動子1と発熱用のチップ抵抗3aとは第2基板の反対面に配置される。したがって、チップ抵抗3aによる熱が第2基板4bに吸熱にされる。そして、チップ抵抗3aの直接の熱源となる抵抗皮膜3xの設けられた一主面は第1基板4a側となる。これらから、したがって、チップ抵抗3a(抵抗皮膜3x)からの水晶振動子1の底面に対する伝熱効率の低下する問題があった。
(Problems of conventional technology)
However, in the constant temperature oscillator configured as described above, although the
また、第2基板4bからの放熱を少なくするため、第2基板4bを小さくして基本的にチップ抵抗3a、温度感応素子3b及びパワートランジスタ3cのみとし、これら以外の発振用素子2や温度制御素子3は第1基板1(ガラスエポキシ)に配設する。したがって、第1基板4aと第2基板4bとの2段構造となるので、高さ寸法が大きくならざるを得ない問題もあった。
Further, in order to reduce the heat radiation from the
(発明の目的)
本発明は第1に発熱用のチップ抵抗からの伝熱効率を高め、第2に高さ寸法を小さくした水晶振動子の恒温構造及びこれを用いた恒温型発振器を提供することを目的とする。
(Object of invention)
It is an object of the present invention to provide a constant temperature structure of a crystal resonator and a constant temperature type oscillator using the same, firstly increasing the heat transfer efficiency from the chip resistor for heat generation and secondly reducing the height dimension.
(水晶振動子の恒温構造)
本発明は、特許請求の範囲(請求項1)に示したように、水晶片が密封封入されて外部端子を有する水晶振動子を回路基板に配設し、前記水晶振動子の動作温度を少なくとも加熱用のチップ抵抗を有する温度制御素子によって一定にし、前記チップ抵抗はチップ母体の一主面に抵抗皮膜の形成されてなる水晶振動子の恒温構造において、前記チップ抵抗は前記水晶振動子の下面側となる前記回路基板に設けた空所に配置されるとともに、前記抵抗皮膜の形成された一主面は前記水晶振動子の下面に対面して配置され、前記水晶振動子は前記空所を覆って前記回路基板上に配置された構成とする。
(Constant temperature structure of crystal unit)
According to the present invention, as shown in the claims (Claim 1), a crystal unit having a crystal piece sealed and sealed and having an external terminal is disposed on a circuit board, and the operating temperature of the crystal unit is set at least. In a constant temperature structure of a crystal resonator in which a resistance film is formed on one main surface of a chip base, the chip resistance is a lower surface of the crystal resonator. The main surface on which the resistive film is formed is disposed to face the lower surface of the crystal resonator, and the crystal resonator is disposed in the space provided in the circuit board on the side. It is set as the structure covered and arrange | positioned on the said circuit board.
(恒温型発振器)
本発明の請求項5に示したように、請求項1の前記回路基板を有する水晶振動子の保持構造として、温度制御回路を形成する温度制御素子と、前記水晶振動子とともに発振回路を形成する発振用素子とを、実装端子を有する発振器用容器内に収容して恒温型発振器を構成する。
(Constant temperature oscillator)
According to a fifth aspect of the present invention, as the crystal resonator holding structure having the circuit board according to the first aspect, a temperature control element forming a temperature control circuit and an oscillation circuit are formed together with the crystal resonator. The constant temperature oscillator is configured by housing the oscillation element in an oscillator container having a mounting terminal.
このような請求項1の構成であれば、発熱用のチップ抵抗は回路基板の空所内に配置されるので、チップ抵抗による熱は空所内に蓄熱される。そして、チップ抵抗の熱源となる抵抗皮膜を有する一主面は水晶振動子の下面と対面するので、水晶振動子の下面への直接的な伝熱量が最も多くなって伝熱効率を高める。したがって、例えば温度感応素子に基づいた応答性を良好にして水晶振動子の動作温度を一定にする。 With such a configuration according to the first aspect, since the heat generating chip resistor is disposed in the space of the circuit board, the heat generated by the chip resistor is stored in the space. And since one main surface which has a resistance film used as a heat source of chip resistance faces the lower surface of a crystal oscillator, the amount of direct heat transfer to the lower surface of a crystal oscillator is maximized, and heat transfer efficiency is raised. Therefore, for example, the responsiveness based on the temperature sensitive element is improved and the operating temperature of the crystal resonator is made constant.
(恒温型発振器)
また、請求項5の構成であれば、請求項1における水晶振動子の恒温構造とした恒温型発振器なので、水晶振動子の動作温度を一定にして周波数安定度の高い恒温型発振器を得られる。
(Constant temperature oscillator)
According to the fifth aspect of the present invention, the constant temperature oscillator having the constant temperature structure of the crystal resonator according to the first aspect can provide a constant temperature oscillator having a high frequency stability while keeping the operation temperature of the crystal resonator constant.
(実施態様項)
本発明の請求項2では、請求項1において、前記回路基板は下側から順に積層したガラスエポキシからなる少なくとも第1及び第2基板からなり、前記空所は前記第1基板に設けた開口部による凹部とする。これにより、チップ抵抗を熱伝導性に劣るガラスエポキシとした第2基板の空所に配置され、チップ抵抗の熱源となる抵抗皮膜の設けられた一主面が水晶振動子の底面と直接的に対面して熱的に結合するので、伝熱効率を高められる。
(Embodiment section)
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the circuit board comprises at least first and second boards made of glass epoxy laminated in order from the lower side, and the space is an opening provided in the first board. The recess is As a result, the chip resistor is disposed in a void of the second substrate made of glass epoxy having inferior thermal conductivity, and one main surface provided with a resistance film serving as a heat source for the chip resistor is directly connected to the bottom surface of the crystal resonator. Heat transfer efficiency can be increased because they are facing and thermally coupled.
同請求項3では、請求項1において、前記回路基板は下側から順に積層した少なくとも第1、第2及び第3基板からなり、前記第1及び第3基板はガラスエポキシとして前記第2基板をプリプレグ又は樹脂とし、前記チップ抵抗の下面側であって前記チップ抵抗の上面側となる前記第3基板には金属が充填したビアホール有する。これにより、チップ抵抗は熱伝導性に劣るガラスエポキシとした第1及び第3基板に遮断され、ビアホールを経て表面実装振動子の底面に集中して放熱される。したがって、伝熱効果を高められる。
In
同請求項4では、請求項1において、前記回路基板は下側から順に積層した少なくとも第1及び第2基板からなり、前記第1基板はガラスエポキシとして前記第2基板をプリプレグ又は樹脂とする。これにより、第2基板をプリプレグとするので、表面実装振動子からの厚みを小さくできて、チップ抵抗からの熱を表面実装振動子の底面に集中的に放熱できる。したがって、この場合でも、伝熱効果を高められる。 In the fourth aspect of the invention, in the first aspect, the circuit board is composed of at least a first and a second board laminated in order from the lower side, and the first board is made of glass epoxy and the second board is made of a prepreg or a resin. Thereby, since the second substrate is a prepreg, the thickness from the surface-mounted vibrator can be reduced, and the heat from the chip resistor can be radiated intensively to the bottom surface of the surface-mounted vibrator. Therefore, even in this case, the heat transfer effect can be enhanced.
同請求項6では、請求項5において、前記回路基板には前記温度制御素子と前記発振用素子とが配設される。これにより、積層板とした単一の回路基板して、温度制御素子と発振用素子とが配設されるので、高さ寸法を小さくできる。 In the sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect, the temperature control element and the oscillation element are disposed on the circuit board. Thereby, since the temperature control element and the oscillation element are disposed as a single circuit board as a laminated board, the height dimension can be reduced.
(第1実施形態)
第1図は本発明の第1実施形態を説明する図で、同図(a)は水晶振動子の恒温構造に基づいた恒温型発振器の断面図、同図(b)は回路基板の平面図である。なお、前従来例と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram for explaining a first embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a sectional view of a thermostatic oscillator based on a constant temperature structure of a crystal resonator, and FIG. 1 (b) is a plan view of a circuit board. It is. In addition, the same number is attached | subjected to the same part as a prior art example, and the description is simplified or abbreviate | omitted.
(水晶振動子の恒温構造)
本実施形態での水晶振動子の恒温構造は、回路基板4を例えばガラスエポキシからなる下側から順に第1及び第2基板4(ab)とした積層板とし、例えば上面を開口した凹部13aからなる空所13を有する。凹部13aの開口面は表面実装動子1の底面内とし、表面実装動子1の底面が開口面を覆って回路基板4上に配置される。
(Constant temperature structure of crystal unit)
The constant temperature structure of the crystal unit according to the present embodiment is a laminated board in which the
そして、発熱用のチップ抵抗3aが図示しない両端側の電極が空所13(凹部13a)の内底面に固着される。この場合、チップ抵抗3aの一主面に形成された熱源としての抵抗被膜3xが表面実装動子1の底面に対面する。チップ抵抗3aは例えば2個として、直列あるいは並列に接続する。そして、例えば図示しない熱伝導性の接着剤が凹部13a内に充填される。
Then, electrodes on both ends (not shown) of the
ここでは、温度感応素子3bはチップ抵抗3aと同様に空所13の内底面に固着され、前述のように表面実装動子1の金属カバー7に接続したダミー端子8bに接続する。また、パワートランジスタ3cは凹部13a内ではなく、回路基板4の表面に固着される。さらに、チップ抵抗3a、温度感応素子3b及びパワートランジスタ3cを除く、これら以外の温度感応素子3を回路基板4の表面又は及び裏面に配設する。
Here, the temperature
このような水晶振動子の恒温構造であれば、発熱用のチップ抵抗3aは凹部13aとした空所13に配置され、抵抗被膜の形成された一主面が表面実装動子1の底面に対面する。したがって、チップ抵抗3aによる熱は凹部内に蓄熱されるとともに、表面実装動子1の底面に直接的に伝熱される。したがって、表面実装動子1の底面に対する伝熱効率を高める。そして、凹部13a内に熱伝導性の接着剤を充填するので、さらに伝熱効果を高める。
With such a constant temperature structure of the crystal resonator, the
また、この例では、凹部13aの形成される回路基板4を熱伝導性に劣るガラスエポキシとするので、凹部13a内に熱が蓄熱されやすい。そして、ガラスエポキシよりも熱伝導性に優れたセラミックからなる表面実装動子1の底面への伝熱効果がさらに高まる。そして、温度変化に依存して発熱量の異なるパワートランジスタは凹部13a外として、凹部13a内の温度はチップ抵抗3aのみに依存するので、温度制御を容易にできる。
Moreover, in this example, since the
(恒温型発振器)
恒温型発振器は、このような恒温構造とした回路基板4の表裏面に、表面実装動子1とともに発振回路を形成する発振用素子2を配設する。そして、前述した金属ベース5aの実装端子としてのリード線11に回路基板4を保持し、金属カバー5bを被せて密閉封入した発振器用容器に収容する。なお、回路基板4は必ずしも密閉封入ではなく、実装端子を有する発振器用容器内に収容されればよい。
(Constant temperature oscillator)
In the constant temperature oscillator, an
したがって、この場合には、表面実装動子の動作温度を周囲温度の変化に拘わらず一定に維持するので、発振周波数を高精度にした高安定の恒温型発振器を得られる。そして、回路基板4を単一として温度感応素子3及び発振用素子2を配設するので、恒温型発振器の高さを小さくできる。
Therefore, in this case, since the operating temperature of the surface-mounted moving element is kept constant regardless of the change in the ambient temperature, it is possible to obtain a highly stable constant temperature oscillator with a highly accurate oscillation frequency. Further, since the temperature
(第2実施形態)
第2図は本発明の第2実施形態を説明する水晶振動子の恒温構造に基づいた恒温型発振器(但し、発振器用容器は除く)の断面図である。なお、前実施形態と同一部分の説明は簡略又は省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a cross-sectional view of a constant temperature oscillator (excluding an oscillator container) based on a constant temperature structure of a crystal resonator, illustrating a second embodiment of the present invention. In addition, description of the same part as previous embodiment is simplified or abbreviate | omitted.
第2実施形態(特許文献4参照)では、回路基板4は第1〜第3基板4(abc)を有する積層板とし、第1及び第3基板4(ac)はガラスエポキシとし、第2基板4bはガラスや炭素繊維等に樹脂を含浸したプリプレグ又は樹脂とする。この例では、第1基板4aの積層面に図示しない回路パターンを形成して半溶融状のプリプレグを固着して硬化させる。第2基板4b(プリプレグ)の表面実装振動子1を覆う厚みは皮膜程度の最小とする。
In the second embodiment (see Patent Document 4), the
そして、プリプレグの表面に回路パターンやプリプレグにビアホールを設けて、第3基板4cを接合する。第3基板4cの積層面にはプリプレグの回路パターンに接合する回路パターンを有し、図示しないビアホールによって第3基板3cの表面に延出する。ここでは、第3基板3cの表面実装振動子1の下面となる第3基板にはビアホール14が形成される。なお、第3基板4cの厚みは第1及び第2基板4(ab)よりも小さくする。
Then, a circuit pattern or a via hole is provided in the surface of the prepreg, and the
そして、第3基板4cの表面上には表面実装動子1が配置され、抵抗皮膜3xが形成されたチップ抵抗3aの一主面と対向(対面)する。この例では、温度感応素子3とパワートランジスタは第3基板の表面上として、温度感応素子3は表面実装動子1に接近してダミー端子に接続する。
Then, the surface-mounted moving
このような水晶振動子の恒温構造であれば、チップ抵抗3aはプリプレグとした第2基板4bに埋設され、表面実装振動子1の底面までの距離を最小とする。この場合、表面実装振動子の体積分が空所13となる。そして、ここでは、表面実装振動子1の底面下となる第3基板4cにビアホール(金属)14を設ける。したがって、第2基板に埋設されたチップ抵抗3a(抵抗皮膜3x)からの熱は、熱伝導性に優れたビアホール14を経て表面実装振動子1の底面に集中的に放熱される。
With such a constant temperature structure of the crystal resonator, the
したがって、従来例に比較して伝熱効率に優れて一定な温度に維持する水晶振動子の恒温構造となる。そして、温度制御回路を形成する温度制御素子3と、表面実装動子とともに発振回路を形成する発振用素子3とを、図示しない実装端子を有する発振器用容器内に収容して恒温型発振器を構成することにより、発振周波数を高精度にして高さを小さくできる。
Therefore, it becomes a constant temperature structure of the crystal unit which is excellent in heat transfer efficiency and maintains a constant temperature as compared with the conventional example. Then, the
なお、この例においては、第1基板4aの積層面側にはチップ抵抗3aのみを配設したが、例えば他の発振用素子2や温度制御素子3を配設して高さ寸法を小さくすることもできる。さらに、第3基板4cの積層面側にもこれらの素子を配置することもできる。
In this example, only the
(第3実施形態)
第3図は本発明の第3実施形態を説明する水晶振動子の恒温構造に基づいた恒温型発振器((但し、発振器用容器は除く)の断面図である。なお、前実施形態と同一部分の説明は簡略又は省略する。
(Third embodiment)
3 is a cross-sectional view of a constant temperature oscillator (excluding the oscillator container) based on the constant temperature structure of the crystal resonator, illustrating the third embodiment of the present invention. The description will be simplified or omitted.
第3実施形態では、回路基板4は第1基板4aと第2基板4bとからなり、第1基板4aはガラスエポキシとして、第2基板4bは前述のプリプレグとする。ここでも、プリプレグは半溶融状とし、チップ抵抗3aを覆って固着された後、硬化される。そして、第2基板4bの積層面及び第2基板4bの表面には前述したように図示しない回路パターンが形成され、第2基板4bのビアホールによって電気的に接続する。
In the third embodiment, the
要するに、第2実施形態での第3基板4cを排除した構成とする。但し、ここでは表面実装振動子1の底面下にはビアホール14は形成しない。勿論、水晶振動子の下面となる第2基板4bにビアホールを設けてもよい。なお、この例においても、プリプレグに代えて樹脂であってもよい。
In short, the
この場合でも、表面実装振動子1を覆う第2基板4bの厚みは被膜程度の最小とするので、チップ抵抗3a(抵抗被膜3x)からの熱は、表面実装振動子の底面に集中する。したがって、第2実施形態に比較して高さ寸法をさらに小さくできて、伝熱効果を高められる。なお、第3実施形態においても第2実施形態と同様に第1基板4cの積層面側に発振用素子2や温度制御素子3を配置してさらに小型化できる。
Even in this case, the thickness of the
(他の事項)
上記実施形態では表面実装動子を対象とした恒温構造としたが、図示しないリード線の導出した金属ベース上に水晶片を保持して金属カバーを被せた水晶振動子の場合であっても基本的に適用できる。この場合、リード線は折曲されて水晶振動子(金属カバー)の主面が回路基板に対面して固着される。
(Other matters)
In the above embodiment, the constant temperature structure is intended for the surface mount moving element. However, even in the case of a crystal resonator in which a crystal piece is held on a metal base with a lead wire (not shown) and a metal cover is covered. Applicable. In this case, the lead wire is bent so that the main surface of the crystal resonator (metal cover) faces and is fixed to the circuit board.
また、第1〜第3実施形態では積層基板の少なくともいずれかにガラスエポキシを適用したが、例えばセラミック等の他の材料であっても、基本的には、表面実装振動子の下面となる空所に表面実装振動子を配置して伝熱効果を高められ、これを本発明から除外するものではない。 In the first to third embodiments, glass epoxy is applied to at least one of the multilayer substrates. However, even if other materials such as ceramics are used, basically, an empty space that becomes the lower surface of the surface mount vibrator is used. A surface-mounted vibrator can be arranged at the location to enhance the heat transfer effect, and this is not excluded from the present invention.
1 表面実装振動子、2 発振用素子、3 温度制御素子、4 回路基板4、5 金属容器、6 容器本体、7 金属カバー、8 実装端子、9 金属ピン、10 熱伝導性樹脂、11 気密端子、12 オペアンプ、13 空所、14 貫通孔(ビアホール)。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008136207A JP2009284372A (en) | 2008-05-26 | 2008-05-26 | Constant temperature structure of crystal unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008136207A JP2009284372A (en) | 2008-05-26 | 2008-05-26 | Constant temperature structure of crystal unit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009284372A true JP2009284372A (en) | 2009-12-03 |
Family
ID=41454323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008136207A Pending JP2009284372A (en) | 2008-05-26 | 2008-05-26 | Constant temperature structure of crystal unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009284372A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013150253A (en) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Crystal oscillator with constant temperature bath |
US8547182B2 (en) | 2010-10-08 | 2013-10-01 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Oven controlled crystal oscillator |
JP2014030128A (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Kyocera Crystal Device Corp | Piezoelectric device |
JP2014090391A (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Oven controlled crystal oscillator |
JP2014143360A (en) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Kyocera Corp | Electronic component mounting board |
JP2016012802A (en) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Piezoelectric device with thermostatic chamber |
-
2008
- 2008-05-26 JP JP2008136207A patent/JP2009284372A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8547182B2 (en) | 2010-10-08 | 2013-10-01 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Oven controlled crystal oscillator |
JP2013150253A (en) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Crystal oscillator with constant temperature bath |
JP2014030128A (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Kyocera Crystal Device Corp | Piezoelectric device |
JP2014090391A (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Oven controlled crystal oscillator |
JP2014143360A (en) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Kyocera Corp | Electronic component mounting board |
JP2016012802A (en) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Piezoelectric device with thermostatic chamber |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4629744B2 (en) | Constant temperature crystal oscillator | |
JP4855087B2 (en) | Constant temperature crystal oscillator | |
JP4804813B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
JP4629760B2 (en) | Constant temperature crystal oscillator | |
JP5351082B2 (en) | Oscillator device including a thermally controlled piezoelectric resonator | |
CN101741314B (en) | Oven Crystal Oscillator | |
JP5020340B2 (en) | Constant temperature crystal oscillator for surface mounting | |
CN101783649B (en) | Oven controlled multistage crystal oscillator | |
JP6662057B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
JP2009302701A (en) | Constant temperature type crystal device | |
CN101686038B (en) | Constant-temperature type crystal oscillator | |
JP5218372B2 (en) | Piezoelectric oscillator and frequency control method of piezoelectric oscillator | |
JP2010213102A (en) | Piezoelectric oscillator and ambient temperature measuring method for the same | |
JP2009284372A (en) | Constant temperature structure of crystal unit | |
JP2015033065A (en) | Crystal resonator and crystal oscillator | |
JP2010098418A (en) | Crystal oscillator | |
JP4499478B2 (en) | Constant temperature crystal oscillator using crystal resonator for surface mounting | |
JP5057693B2 (en) | Temperature-compensated crystal oscillator for surface mounting | |
JP2002314339A (en) | Structure of highly stabilized piezo-oscillator | |
JP2009027451A (en) | Crystal oscillator for surface mounting | |
JP2015177413A (en) | piezoelectric oscillator | |
JP2010187060A (en) | Constant temperature piezoelectric oscillator | |
JP2010183228A (en) | Constant-temperature piezoelectric oscillator | |
JP5205822B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
US20220037579A1 (en) | Oscillator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110328 |
|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110520 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A072 | Dismissal of procedure |
Effective date: 20121030 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 |