JP2009283807A - 窒化物半導体層を含む構造体、窒化物半導体層を含む複合基板、及びこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】貫通転位を低減された窒化物半導体層を含む構造体及び窒化物半導体層を含む複合基板と、それらの製造方法等を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を含む構造体であって、
少なくとも二つの窒化物半導体層による積層構造を備え、
前記積層構造における前記二つの窒化物半導体層の間に、該二つの窒化物半導体の下層側における窒化物半導体層上に形成された凹凸パターンの凹部の内壁を含む壁面によって囲まれた複数の空洞を有し、
前記空洞を形成する前記凹部の内壁の少なくとも一部に、前記窒化物半導体層の横方向成長を抑制する結晶性が乱れている部分が形成されている構成とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、窒化物半導体層を含む構造体、窒化物半導体層を含む複合基板、及びこれらの製造方法に関する。特に、横方向エピタキシャル成長による窒化物半導体層の製造方法に関する。

窒化物半導体、例えば、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の窒化ガリウム系化合物半導体は、比較的に大きいバンドギャップを持ち、かつ直接遷移の半導体材料である。
このため、紫外線から緑色に当たる短波長の光の発光が可能な半導体レーザーや、紫外線から赤色まで、および白色という広い発光波長範囲をカバーできる発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子を構成する材料として注目されている。
高品質な半導体発光素子を得るために、高品質な窒化物半導体膜、または基板が必要である。
特に、高品質な窒化物半導体膜を得るために、同種で高品質な窒化物半導体基板、または格子定数差と熱膨張係数差が比較的小さい異種基板を用いたエピタキシャル成長することが望ましい。
また、窒化物半導体の応用において、窒化物半導体膜または構造体を形成した後、台座基板を除去する必要がある場合がある。

しかしながら、従来、高品質な窒化物半導体膜、または基板の製造が困難であるという問題があった。その主な原因が以下である。
（１）窒化物半導体基板の製造が困難である。例えば、ＧａＮ基板の製造に当たって、高温高圧が必要で、欠陥密度が低くて、大口径の基板の製造が困難である。そのため、ＧａＮ基板は高価であり、量産に見合う定常供給ができていない。
（２）高品質な窒化物半導体膜のエピタキシャル成長に適する異種基板が少ない。
窒化物半導体膜の結晶成長は、約１０００℃の高温と強い腐食性を持つＶ族原料のアンモニア雰囲気下で行う必要がある。このように過酷な条件に耐えられる単結晶異種基板が限られている。
（３）窒化物半導体自身の結晶特性による。光学素子を実現するために、組成が異なる窒化物半導体を複数層積層する必要がある。
一方、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどの窒化物半導体は格子定数の異なる全歪み系であるため、窒化物半導体同士および基板との間にクラックや応力歪みが生じやすい。

以上のような理由により、窒化物半導体の台座基板としては総合的な判断でサファイア基板を使用する場合が多い。
しかし、サファイアのような異種基板を用いた場合、窒化物半導体膜と異種基板の間における格子定数差により、窒化物半導体膜内を伝搬する転位による問題が生じる。
このような転位は、窒化物半導体膜を貫通して窒化物半導体膜の最上層まで伝搬して貫通転位となってしまい、窒化物半導体膜の特性を劣化させる。
また、窒化物半導体膜と異種基板の間における熱膨張係数差により、窒化物半導体膜と異種基板に応力歪みが生じる問題がある。この応力歪みは、窒化物半導体膜と異種基板を変形させるだけではなく、窒化物半導体膜の劣化要因にもなる。

このような貫通転位密度の低減のために、非特許文献１では、横方向の成長を積極的に利用することでＧａＮをエピタキシャル成長させる方法を開示している。
ここでのＥＬＯＧ成長（ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｌａｔｅｒａｌ ｏｖｅｒ ｇｒｏｗｔｈ）法とも呼ばれる横方向成長法では、まず、異種基板の上に窒化物半導体が成長しやすい領域と成長しにくい領域を交互につくる。
そして、成長しやすい領域に選択的に窒化物半導体を成長させ、その窒化物半導体を成長しにくい領域に向かって横方向に伸長させる。
前記成長しにくい領域の上は、基板から窒化物半導体が成長しておらず、成長しやすい領域にある窒化物半導体から横方向に伸びた窒化物半導体によって覆われるようになる。
そのため、この基板と窒化物半導体の界面で発生した転位が殆ど表面に現れない。
その結果、横方向成長法によって形成された窒化物半導体層において、貫通転位密度の分布ができる。
つまり、異種基板の成長しやすい領域の上では貫通転位密度が高いままとなるが、成長しにくい領域の上では貫通転位密度が低減される。
この技術によれば、全体的に平坦で、かつ一部の領域において表面近傍の貫通転位密度が比較的に低い窒化物半導体膜を得ることが可能である。
この技術は、台座基板の上に形成したマスクパターンを利用して、窒化物半導体膜の選択的ＥＬＯＧ成長を実現する特徴がある。
マスクパターンの材料として、例えば、ＳｉＯ_２が用いられている。非特許文献２には、ＳｉＯ_２マスクパターン使用のＥＬＯＧ成長によって、厚膜窒化物半導体の２層構造を形成する技術を更に開示している。

また、特許文献１には、Ｍｇ化合物をマスクパターンの材料とした窒化物半導体膜の選択的成長技術を開示している。
この技術によれば、Ｍｇが窒化物半導体膜の横方向成長を促進するので、良好な窒化物半導体膜を効率良く製造することができる。
また、特許文献２には、マスクパターンを利用しない窒化物半導体膜の選択的ＥＬＯＧ成長技術を開示している。
この技術によれば、サファイアのような異種基板を台座基板として用いても、平坦でかつ低貫通転位密度の窒化物半導体膜を得ることが可能である。
この効果は、非特許文献３によっても実証されている。この技術は、基板の成長面に形成した凹凸パターンを利用して、窒化物半導体膜の選択的ＥＬＯＧ成長を実現するが、パターンの凹部において窒化物半導体膜と基板との間に空洞を有する特徴がある。この空洞の存在によって、窒化物半導体膜と基板間の応力歪みがある程度緩和できる。

また、貫通転位の低減のために、特許文献３には、第１の窒化物半導体に段差（凹凸パターン）を設けてから、段差の上段の上面及び側面を核として、第２の窒化物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる。
そして、段差部分を埋めつつ、上方にも成長させる技術を開示している。
この技術によれば、第２の窒化物半導体が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、第１の窒化物半導体が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。
特に、この段差形成と縦及び横方向エピタキシャル成長を繰り返すことによって、貫通転位の更なる低減が期待できる。この技術は、第２の窒化物半導体において空洞が形成される特徴がある。

一方、窒化物半導体の台座基板の除去においても、従来、作業時間が長いことや、窒化物半導体にダメージを与えてしまうことを代表とした問題があった。これらの問題は、硬いサファイアを台座基板とした場合、特に顕著である。
特許文献４には、サファイアなどの異種基板を良好に除去して窒化物半導体基板を得ることのできる窒化物半導体基板の作製方法を開示している。
この技術によれば、傷がなく転位の低減された結晶性及び面状態の良好な窒化物半導体基板を得ることができる。
この技術では、異種基板側からの電磁波照射によって窒化物半導体を分解させて異種基板を取り除くが、窒化物半導体と異種基板の間に空洞を形成させることにより、発生するＮ_２のガス圧による窒化物半導体へのダメージを低減できることが特徴である。
特開２００７−３１４３６０公号報 特開２０００−１０６４５５公号報 特開２００１−１８１０９６公号報 特開２００１−１７６８１３公号報 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．７２，Ｎｏ．１６，２０ Ａｐｒｉｌ １９９８，ｐｐ．２０１４−２０１６。 Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．４２，Ｐａｒｔ ２，Ｎｏ．７Ｂ，１５ Ｊｕｌｙ ２００３，ｐｐ．Ｌ８１８−Ｌ８２０。 Ｊ．Ｌｉｇｈｔ ＆ Ｖｉｓ．Ｅｎｖ．，Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．３（２００３），ｐｐ．１４０−１４５。

しかしながら、非特許文献１乃至２または特許文献１に開示された技術は、窒化物半導体と異質の材料を、窒化物半導体膜の選択的ＥＬＯＧ成長を実現させるためのマスクとして使用する必要がある。
そのため、約１０００℃の成長温度を必要とする窒化物半導体膜の結晶成長過程で、マスク材料が劣化し、窒化物半導体膜に悪影響をもたらす問題がある。
例えば、マスク材料がＳｉＯ_２の場合は、その構成要素であるＳｉまたはＯ_２、マスク材料がＭｇ化合物の場合は、その構成要素であるＭｇ等は、窒化物半導体膜へ拡散して窒化物半導体膜の品質やキャリア制御に悪影響をもたらすことがある。

一方、特許文献２または非特許文献３に開示された技術では、凹凸パターンの使用で異質材料マスク使用の課題を克服すると同時に、窒化物半導体膜と基板間の応力歪みの緩和が実現される。
しかし、これによる窒化物半導体膜と基板間に形成した１層だけの空洞構造では、貫通転位の低減および応力歪みの緩和が不十分である。
このような特許文献２または非特許文献３に開示された技術だけでは、２層以上の空洞を所望の形状で形成することが容易ではない。

また、特許文献３に開示された技術では、２層以上の空洞を形成できるが、縦と横の両方向の成長を同時に行うため、空洞の大きさを確保することが容易でない。その結果、空洞による応力歪みの緩和に対する効果が低い。
また、特許文献４に開示された技術では、下地層を分解して台座基板を除去するが、その衝撃は下地層の直上にある窒化物半導体へ伝わってしまう。
例えば、下地層で発生するマイクロクラックは、直結している窒化物半導体まで伝搬することがある。その結果、特許文献４に開示された技術だけでは、台座基板除去時における窒化物半導体へのダメージを避けられない。

本発明は、上記課題に鑑み、貫通転位の低減された窒化物半導体層を含む構造体及び窒化物半導体層を含む複合基板と、それらの製造方法を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、窒化物半導体層へのダメージの低減された台座基板の除去が可能となる窒化物半導体層を含む構造体の製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明は、つぎのように構成した窒化物半導体層を含む構造体、窒化物半導体層を含む複合基板、及びこれらの製造方法を提供するものである。
本発明の窒化物半導体層を含む構造体は、
少なくとも二つの窒化物半導体層による積層構造を備え、
前記積層構造における前記二つの窒化物半導体層の間に、該二つの窒化物半導体層の下層側における窒化物半導体層上に形成された凹凸パターンの凹部の内壁を含む壁面によって囲まれた複数の空洞を有し、
前記空洞を形成する前記凹部の内壁の少なくとも一部に、前記窒化物半導体層の横方向成長を抑制する結晶性が乱れている部分が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の窒化物半導体層を含む複合基板は、上記窒化物半導体層を含む構造体が、台座基板上に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の窒化物半導体層を含む複合基板の製造方法は、
台座基板上に、第１の窒化物半導体層を形成する第１の工程と、
前記第１の窒化物半導体層上に、凹凸パターンを形成する第２の工程と、
前記第１の窒化物半導体層上の凹凸パターンにおける凹部の内壁の少なくとも一部に、単結晶状態から変質した状態による結晶性が乱れている部分を形成する第３の工程と、
前記第１の窒化物半導体層上に形成された前記結晶性が乱れている部分を含む凹凸パターン上に、第２の窒化物半導体層を形成する第４の工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明の窒化物半導体層を含む構造体の製造方法は、
上記したいずれかに記載の複合基板の製造方法を用いて複合基板を製造する工程と、
前記製造方法によって製造された複合基板から台座基板を除去する工程と、を有することを特徴とする。

本発明によれば、貫通転位の低減された窒化物半導体層を含む構造体及び窒化物半導体層を含む複合基板と、それらの製造方法を実現することができる。
また、窒化物半導体層へのダメージの低減された台座基板の除去が可能となる窒化物半導体層を含む構造体の製造方法を実現することができる。

本発明によれば、窒化物半導体層を含む構造体として、上記した構造体を実現することができる。
本発明の実施形態においては、上記した構造体をつぎのように構成することができる。
本実施形態においては、窒化物半導体層を含む構造体は少なくとも二つの窒化物半導体層による積層構造を備えている。
そして、積層構造における前記二つの窒化物半導体層の間に、該二つの窒化物半導体層の下層側における窒化物半導体層上に形成された凹凸パターンの凹部の内壁を含む壁面によって囲まれた複数の空洞を有している。
この空洞を形成する前記凹部の内壁の少なくとも一部に、前記窒化物半導体層のエピタキシャル横方向成長を抑制する結晶性が乱れている部分が形成される。
ここで、上記空洞によって、窒化物半導体層の横方向成長に際し、上記窒化物半導体層の膜歪みと、上記二つの窒化物半導体層間の応力を緩和し、貫通転位密度の低減化が図られる。
また、上記結晶性が乱れている部分によって、上記凹部における窒化物半導体層のエピタキシャル横方向成長を抑制し、空洞の大きさを確保することが可能となる。また、ここでの結晶性が乱れているとは、単結晶状態から変質した状態、例えば、アモルファス状態や、ポラス状態や、多結晶状態になっていることを意味する。
また、ここでの窒化物半導体とは、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０ ≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ ｘ＋ｙ ≦１）で表すような窒化ガリウム系化合物半導体を意味している。
以上の本実施形態による窒化物半導体層を含む構造体によれば、貫通転位密度が低減された窒化物半導体層を含む構造体が実現可能である。その結果、より高品質な窒化物半導体光学素子が実現可能となる。

また、本発明の実施形態においては、窒化物半導体層を含む複合基板をつぎのように構成することができる。
本実施形態においては、上記した窒化物半導体層を含む構造体が、台座基板上に形成することにより窒化物半導体層を含む複合基板を構成することができる。
その際、この窒化物半導体層を含む複合基板は、
前記台座基板と、前記二つの窒化物半導体層の下層側における窒化物半導体層との間に、該下層側における窒化物半導体層上に形成された凹凸パターンの凹部の内壁を含む壁面によって囲まれた複数の空洞を有する構成とすることができる。
また、上記窒化物半導体層を含む複合基板は、前記台座基板を、単結晶基板で構成することができる。
また、上記窒化物半導体層を含む複合基板は、前記台座基板を、単結晶基板上に更に前記単結晶基板と同質、または異質な中間膜が形成されている台座基板で構成することができる。
また、上記窒化物半導体層を含む複合基板は、前記単結晶基板の材質を、窒化物半導体、またはサファイア、またはシリコン（Ｓｉ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）、のいずれかで形成することができる。
以上の本実施形態による窒化物半導体層を含む構造体によれば、貫通転位密度が低減された窒化物半導体層を含む複合基板を構成することができ、これにより高良質な窒化物半導体エピタキシャル成長用基板の実現が可能となる。
また、本発明の実施形態においては、窒化物半導体層を含む複合基板の製造方法をつぎのように構成することができる。
本実施形態の窒化物半導体層を含む複合基板の製造方法おいては、
台座基板上に、窒化物半導体層を横方向エピタキシャル成長させて第１の窒化物半導体層を形成する第１の工程と、
前記第１の窒化物半導体層上に、凹凸パターンを形成する第２の工程と、
前記第１の窒化物半導体層上の凹凸パターンにおける凹部の内壁の少なくとも一部に、単結晶状態から変質した状態による結晶性が乱れている部分を形成する第３の工程と、
前記第１の窒化物半導体層上に形成された前記結晶性が乱れている部分を含む凹凸パターン上に、窒化物半導体層を横方向エピタキシャル成長させて第２の窒化物半導体層を形成する第４の工程と、を有している。
ここで、上記第３の工程において、結晶性が乱れている状態とするに際し、
例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、イオン照射、中性ビーム照射等による表面処理を用いることができる。
これらにより、該当部分を単結晶状態から変質させて、例えば、アモルファス状態や、ポラス状態や、多結晶状態にすることができる。
また、本発明の実施形態においては、上記第１の工程が、台座基板上に凹凸パターンを形成し、該凹凸パターン上に窒化物半導体層を横方向エピタキシャル成長させて前記第１の窒化物半導体の連続層を形成する工程とすることができる。
また、上記前記第４の工程が、窒化物半導体層を横方向エピタキシャル成長させて前記第２の窒化物半導体の連続層を形成する工程とすることができる。
また、前記第４の工程を１回実施した後、更に前記第２の工程と前記第４の工程をＮ（Ｎ≧０）回ずつ、前記第３の工程をＭ（Ｍ≦Ｎ）回繰り返すように構成することができる。
以上の本実施形態による窒化物半導体層を含む複合基板の製造方法によれば、従来の窒化物半導体基板よりも安価に製造することがで、基板の大口径化も容易になる。
また、このような基板を用いて高品質な窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることが可能となり、より高品質な光学素子を実現することができる。
また、この窒化物半導体層を含む構造体は、窒化物半導体のエピタキシャル成長基板としても使用可能である。

また、本発明の実施形態においては、上記製造方法による複合基板から台座基板を除去し、窒化物半導体層を含む構造体の製造方法をつぎのように構成することができる。
本実施形態の窒化物半導体層を含む構造体の製造方法においては、上記した本発明の実施形態における複合基板の製造方法を用いて複合基板を製造する工程と、
前記製造方法によって製造された複合基板から台座基板を除去する工程と、
を有している。
また、本発明の実施形態においては、上記台座基板を除去する工程において、
前記台座基板として単結晶基板上に更に前記単結晶基板と同質、または異質な中間膜が形成されている台座基板を用い、前記選択エッチングによって前記中間膜を除去するように構成することができる。
また、前記台座基板を除去する工程において、前記台座基板にサファイアを用い、前記台座基板側からレーザー照射し、
前記サファイア基板と前記窒化物半導体層を含む構造体との界面で前記第１の窒化物半導体層を分解させるように構成することができる。
また、前記台座基板を除去する工程において、前記台座基板として単結晶基板上に更に前記単結晶基板と同質、または異質な中間膜が形成されている台座基板を用い、
光電気化学エッチングによって前記台座基板の中間膜を選択的に除去するように構成することができる。
ここでの光電気化学エッチングとは、基板を電解液に浸して、外部から紫外線を被エッチング対象に照射しながら行うものである。この方法では、紫外線照射により電流狭窄層表面に発生した正孔により、電流狭窄層の溶解反応が生じることによってエッチングが進行する。
ＰＥＣエッチング（ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｔｃｈｉｎｇ）とも言う。
また、本発明の実施形態においては、上記台座基板を除去する工程において、前記窒化物半導体層を含む構造体を第２の基板に貼り付けてから、前記台座基板を除去するように構成することができる。
以上の本実施形態による窒化物半導体層を含む複合基板の製造方法によれば、窒化物半導体の台座基板の除去がより容易になる。
また、台座基板の除去時に発生する窒化物半導体層へのダメージも低減できる。
これにより、生産コストの低減ができ、歩留まりの向上を図ることが可能となる。

以下に、本実施形態について図を用いて、更に説明する。尚、各図の図中には、同一要素に関して同符号が用いられているので、重複する部分の説明は省略されている。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態として、窒化物半導体を含む構造体の一例について説明する。
図１に、本実施形態における窒化物半導体を含む構造体の一例を説明するための断面模式図を示す。
図１において、２０は窒化物半導体を含む構造体、４０は第１の窒化物半導体層、４２は第１の窒化物半導体層の凸部、４５は第１の窒化物半導体層における結晶性が乱れている部分である。
５０は第２の窒化物半導体層、５１は第１の窒化物半導体層の凹部に形成された窒化物半導体、６２は窒化物半導体構造体内の空洞である。

本実施形態の窒化物半導体を含む構造体２０は、第１の窒化物半導体層４０と、第２の窒化物半導体層５０と、これら４０と５０の間に形成された窒化物半導体構造体内の空洞６２によって構成されている。
ここで、窒化物半導体構造体内の空洞６２を囲む壁の少なくとも一部は結晶性が乱れていることが特徴である。
この結晶性が乱れている部分は、例えば、第１の窒化物半導体層における結晶性が乱れている部分４５で示している第１の窒化物半導体層４０の凹部の内壁の表面である。

つぎに、結晶性が乱れている部分４５について、更に説明する。
説明の便宜上、図１の窒化物半導体を含む構造体２０から、第１の窒化物半導体層４０だけを分解して図２に示す。図２では、結晶性が乱れている部分４５も省略している。図２において、４２は第１の窒化物半導体層の凸部、４３は第１の窒化物半導体層の凹部、４４は第１の窒化物半導体層の凹部の底面である。
ここで、結晶性が乱れている状態とは、結晶性が乱れている部分４５の部分において、その結晶状態が第１の窒化物半導体層４０の内部（例えば４２の部分）の単結晶状態から変質した状態を意味する。
例えば、結晶性が乱れている部分４５は、アモルファス状態や、ポラス状態や、多結晶状態になっている。
図１では、結晶性が乱れている部分４５は第１の窒化物半導体層４０の凹部の内壁の全表面となっているが、その一部だけ、例えば、図２に示す底面４４、或は側壁４６だけでもよい。
結晶性が乱れている部分４５の厚みは、１原子層から数百ナノメーターの範囲で効果があり、１原子層から数十ナノメーターであることが望ましい。
また、結晶性が乱れている部分４５の膜厚は、均一でもよいが、不均一であってもよい。
特に、側壁４６と底面４４において結晶性が乱れている部分４５の厚みが等しくなくてもよい。
結晶性が乱れている部分４５の役割は、その表面における窒化物半導体の形成速度を低減することである。
その結果、空洞６２の大きさが確保できる。

つぎに、第１の窒化物半導体層の凹部に形成した窒化物半導体５１について説明する。
結晶性が乱れている部分４５の形成具合や成膜条件によって、第１の窒化物半導体層の凹部に形成した窒化物半導体５１の膜厚が不均一なことがある。
特に、側壁４６と底面４４において第１の窒化物半導体層の凹部に形成された窒化物半導体５１の膜厚が等しくないことがある。
また、第１の窒化物半導体層の凹部に形成された窒化物半導体５１の膜厚は、全面または部分的に１原子層以下或は無視できる程度薄いことがある。結晶性が乱れている部分４５のあるところにおいて、第１の窒化物半導体層の凹部に形成された窒化物半導体５１の膜厚が特に薄い。
本実施形態では、空洞６２の大きさを確保したいので、第１の窒化物半導体層の凹部に形成された窒化物半導体５１の膜厚が薄いほど望ましい。

つぎに、空洞６２について説明する。
空洞６２は、第１の窒化物半導体層４０の凹部４３と第２の窒化物半導体層５０の間に形成される。
空洞６２は複数なもので、凹部４３の数に等しいかそれ以下である。
図１と図２から分かるように、結晶性が乱れている部分４５と第１の窒化物半導体層の凹部に形成された窒化物半導体５１の厚みがともに十分薄い場合、空洞６２の大きさは、ほぼ凹部４３の大きさによって決まる。
第２の窒化物半導体層５０の膜質を確保するため、第１の窒化物半導体層の凹部４３はおおよそ周期的に分布することが望ましい。
また、第１の窒化物半導体層の凹部４３の各凹部の大きさがおおよそ同一なことが望ましい。
成膜面の上部から見た第１の窒化物半導体層の凹部４３のパターンは、例えば、周期的に配置している平行な溝、または周期的に配置している独立な穴である。第１の窒化物半導体層の凹部４３の内壁（側壁４６と底面４４を含む）は、平滑な必要もない。
また、第１の窒化物半導体層の凹部４３の側壁４６は、垂直な必要がない。第１の窒化物半導体層の凹部４３の寸法は、第１の窒化物半導体層の凹部４３のパターン形状、第１の窒化物半導体層４０の膜厚ｔ_１及び第２の窒化物半導体層５０の膜厚ｔ_２に依存して最適化すればよい。
第１の窒化物半導体層の凹部４３の寸法を、パターンが周期的に配置している平行な線状溝である場合を例にして説明する。
溝の長さは、成長したいエリアを横断するようにする。例えば、成長したいエリアは２インチΦであれば、溝の長さも最長で２インチとする。
図２のように、溝の周期をｐ_１、溝の幅をｗ_１、溝の深さをｄ_１とする。
ｔ_１＞５０ｎｍの場合、２０ｎｍ＜ｐ_１＜１０ｔ_１、１０ｎｍ＜ｗ_１＜ｐ_１、０．２ｗ_１＜ｄ_１＜ｔ_１、ｔ_２＞ｗ_１とすることが必要である。
例えば、ｔ_１＝８μｍの場合、１μｍ＜ｐ_１＜２０μｍ、１００ｎｍ＜ｗ_１＜ｐ_１、２０ｎｍ＜ｄ_１＜８μｍ、ｔ_２＞２００ｎｍとすることが必要である。
より具体的な例として、ｔ_１＝８μｍ、ｐ_１＝１０μｍ、ｗ_１＝７μｍ、ｄ_１＝６μｍ、ｔ_２＝１０μｍとすることが必要である。
このとき、得られる空洞６２は、幅が約７μｍで、深さが３μｍ以上となる。

空洞６２は、第１の窒化物半導体層４０と第２の窒化物半導体層５０の間の歪み応力を緩和できる。
特に、これら４０と５０の材質が異なるとき、その作用が顕著である。その結果、窒化物半導体を含む構造体２０において、第２の窒化物半導体層５０、特にこの５０の表面では歪み応力による変形や欠陥が低減できる。

図１に示した窒化物半導体を含む構造体２０において、第１の窒化物半導体層４０と、第２の窒化物半導体層５０とは、同質なものであっても良く、全く異質なものでもよい。
また、それぞれ窒化物半導体膜の多層膜で構成されても良い。
前記窒化物半導体とは、例えば、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表す窒化ガリウム系化合物半導体である。
その代表的な例は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮがある。

また、図１に示した窒化物半導体を含む構造体２０は、第１の窒化物半導体層４０と第２の窒化物半導体層５０とだけで構成されているが、このような構造が複数回に積層してもよい。その場合、上層部において、空洞を囲む壁に結晶性が乱れている部分がなくてもよい。
窒化物半導体を含む構造体２０は、単独して光学素子の素材として使用可能である。
また、窒化物半導体を含む構造体２０は、窒化物半導体膜のエピタキシャル成長の基板としても使用可能である。
更に、窒化物半導体を含む構造体２０は、他の基板上に貼り付けて使用することも可能である。
本実施形態の窒化物半導体を含む構造体２０は、第４の実施形態で記述する作製方法で作製可能である。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態として、窒化物半導体を含む複合基板の一例について説明する。
図３に、本実施形態における窒化物半導体を含む複合基板の一例を説明するための断面模式図を示す。
図３において、１０は台座基板、１２は台座基板の凸部、３０は窒化物半導体を含む複合基板、４１は台座基板の凹部に形成された窒化物半導体、６１は台座基板と窒化物半導体間の空洞である。

本実施形態における窒化物半導体を含む複合基板３０は、台座基板１０と窒化物半導体を含む構造体２０から構成される。
台座基板１０と上記構造体２０とは、隙間なく連結しても良い。台座基板１０の上に結晶成長によって上記構造体２０を形成する場合、上記構造体２０の品質を確保するために、台座基板１０と上記構造体２０の間に空洞が形成されていることが望ましい。一例として、図３に示している３０は、台座基板１０と上記構造体２０の間に空洞６１が形成されている。

つぎに、２０の窒化物半導体を含む構造体は、第１の実施形態と同様なものなので、以下では、図３と図４を用いて、台座基板１０と空洞６１だけについて説明する。
図４は、図３の窒化物半導体を含む複合基板３０から、台座基板１０だけを分解して示した図である。
図４において、１２は台座基板の凸部、１３は台座基板の凹部、１４台座基板の凹部の底面、１６は台座基板の凹部の側壁である。

まず、台座基板１０について説明する。
前記台座基板１０は、単純な単結晶基板であってもよい。
その材質が、例えば、ＧａＮを代表とする窒化物半導体、またはサファイア、またはシリコン（Ｓｉ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）のいずれかである。
また、台座基板１０は、目的に応じて、単純な単結晶基板上に更に前記単結晶基板と同質、または異質な中間膜を形成されてもよい。
前記中間膜は多層膜であってもよい。一例として、前記中間膜は、少なくともＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮのいずれかを含む単層膜、または多層膜である。

更に、図４のように、台座基板１０の成膜面に、凹凸パターンが形成されてもよい。
前記中間膜が形成された場合、前記凹凸パターンは、前記中間膜の途中まで形成されてもよく、前記中間膜を貫通して単結晶基板の内部まで形成されてもよい。また、前記中間膜は、前記凹凸パターンが形成された後に形成されてもよい。
台座基板の凹部１３の内壁（側壁１６と底面１４を含む）は、平滑な必要もない。
また、側壁１６は垂直な必要がなく、テーパーがついてもよい。また、１６の両側の側壁の傾斜角度が同じである必要もない。

つぎに、空洞６１について説明する。
空洞６１は、台座基板１０の凹部１３と第１の窒化物半導体層４０の間に形成される。
空洞６１は複数なもので、凹部１３の数に等しいかそれ以下である。台座基板１０と第１の窒化物半導体層４０と接合で結合している場合、空洞６１の大きさは凹部１３によってほぼ決まる。
台座基板１０上の凹凸パターンを用いた横方向成長によって窒化物半導体層４０を形成する場合、
図３と図４から分かるように、空洞６１の大きさは、凹部１３の大きさ、４１の厚みと台座基板の凹部の側壁１６に形成される窒化物半導体（図示なし）の厚みによって決まる。
台座基板１０は窒化物半導体以外の基板である場合、台座基板の凹部の側壁１６に形成される窒化物半導体の膜厚がほぼ無視できる。
台座基板の凹部に形成された窒化物半導体４１の厚みは、台座基板１０の材質及び第１の窒化物半導体層４０の成長条件で決まるが、第１の窒化物半導体層４０の厚みｔ_１の半分以下の場合が多い。

第１の窒化物半導体層４０の膜質を確保するため、凹部１３はおおよそ周期的に分布することが望ましい。
また、凹部１３の各凹部の大きさがおおよそ同一なことが望ましい。成膜面の上部から見た凹部１３のパターンは、例えば、周期的に配置している平行な溝、または周期的に配置している独立な穴である。
凹部１３の寸法は、凹部１３のパターン形状、台座基板１０の厚みｔ_０及び第１の窒化物半導体層４０の膜厚ｔ_１に依存して最適化すればよい。
凹部１３の寸法を、パターンが周期的に配置している平行な線状溝である場合を例にして説明する。
溝の長さは、成長したいエリアを横断するようにする。例えば、成長したいエリアは２インチΦであれば、溝の長さも最長で２インチとする。
図４のように、溝の周期をｐ_０、溝の幅をｗ_０、溝の深さをｄ_０とする。
ｔ_０＞１００μｍの場合、２０ｎｍ＜ｐ_０＜２０μｍ、１０ｎｍ＜ｗ_０＜ｐ_０、０．２ｗ_０＜ｄ_０＜ｔ_０、ｔ_１＞ｗ_０とすることが必要である。
より具体的な例として、ｔ_０＝４２０μｍ、ｐ_０＝１０μｍ、ｗ_０＝７μｍ、ｄ_０＝６μｍ、ｔ_１＝１０μｍとすることが必要である。
このとき、得られる空洞６１は、幅が約７μｍ、深さが約３μｍ以上となる。

空洞６１の存在により、窒化物半導体２０と台座基板１０間の歪み応力が緩和できる。
また、１０の上の凹凸パターンを用いた横方向成長によって４０を形成する場合、平坦な台座基板上に直接成長によって４０を形成する場合よりも、４０の貫通転位密度が低減できる。
本実施形態の窒化物半導体を含む複合基板３０は、第３の実施形態で記述する作製方法で作成可能である。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態として、窒化物半導体を含む複合基板の作製方法の一例を説明する。
図５に、本実施形態における窒化物半導体を含む複合基板の作製方法の一例を説明するための断面模式図を示す。
複合基板の作製に際し、まず、台座基板１０を準備する（図５（ａ））。
前記台座基板１０は、単純な単結晶基板であってもよい。その材質が、例えば、ＧａＮを代表とする窒化物半導体、またはサファイア、またはシリコン（Ｓｉ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）のいずれかである。
また、台座基板１０は、目的に応じて、単純な単結晶基板上に更に前記単結晶基板と同質、または異質な中間膜（図示なし）を形成されてもよい。
前記中間膜は多層膜であってもよい。一例として、前記中間膜は、少なくともＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮのいずれかを含む単層膜、または多層膜である。

次に、図５（ｂ）に示すように、台座基板１０の成膜面に、凹凸パターンを形成する。
前記中間膜が形成された場合、前記凹凸パターンは、前記中間膜の途中まで形成されてもよく、前記中間膜を貫通して単結晶基板の内部まで形成されてもよい。また、前記中間膜は、前記凹凸パターンが形成された後に形成されてもよい。
凹凸パターンの凹部１３の内壁（側壁１６と底面１４を含む）は、平滑な必要がない。
また、側壁１６は垂直な必要がなく、テーパーがついてもよい。また、１６の両側の側壁の傾斜角度が同じである必要もない。
凹凸パターンは、周知のリソグラフィー技術とエッチング技術で形成する。リソグラフィー技術は、例えば、フォトリソグラフィー技術や電子ビーム露光技術によるレジストパターンの形成技術である。
必要に応じて、前記レジストパターンを金属膜やＳｉＯ_２などいわゆるハードマスクへ転写する。
エッチング技術は、前記レジストパターンまたはハードマスクパターンをマスク（図示なし）にして、ドライまたはウェットエッチングによって、台座基板１０を加工する技術である。

このようにして形成した台座基板１０の凹部１３は、おおよそ周期的に分布することが望ましい。
また、凹部１３の各凹部の大きさがおおよそ同一なことが望ましい。成膜面の上部から見た１３のパターンは、例えば、周期的に配置している平行な溝、または周期的に配置している独立な穴である。
凹部１３の寸法は、凹部１３のパターン形状、台座基板１０の厚みｔ_０及び第１の窒化物半導体層４０の膜厚ｔ_１に依存して最適化すればよい。
ここで、凹部１３の寸法を、パターンが周期的に配置している平行な線状溝である場合を例にして説明する。
溝の長さは、成長したいエリアを横断するようにする。例えば、成長したいエリアは２インチΦであれば、溝の長さも最長で２インチとする。
図５（ｂ）のように、溝の周期をｐ_０、溝の幅をｗ_０、溝の深さをｄ_０とする。
ｔ_０＞１００μｍの場合、２０ｎｍ＜ｐ_０＜２０μｍ、１０ｎｍ＜ｗ_０＜ｐ_０、０．２ｗ_０＜ｄ_０＜ｔ_０、ｔ_１＞ｗ_０とすることが必要である。
より具体的な例として、ｔ_０＝４２０μｍ、ｐ_０＝１０μｍ、ｗ_０＝７μｍ、ｄ_０＝６μｍ、ｔ_１＝１０μｍとすることが必要である。
凹凸パターンの配置方向は、必要に応じて、台座基板１０の結晶方位に合わせる。

次に、図５（ｃ）に示す第１の窒化物半導体層４０の連続層を形成する第１の工程を行う。
このとき、台座基板１０と第１の窒化物半導体層４０の間に、空洞６１ができる。第１の窒化物半導体層４０の材料は、例えば、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表す窒化ガリウム系化合物半導体である。
その代表的な例は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮがある。第１の窒化物半導体層４０は、基板接合で台座基板１０と結合してもよい。
ここで、基板接合とは、例えば、表面活性化と加熱加圧工程を含む接合である。加熱温度は、室温から１０００℃である。

第１の窒化物半導体層４０は、結晶成長で台座基板１０の上に形成してもよい。結晶成長方法は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）、または分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）がある。第１の窒化物半導体層４０の貫通転位密度の低減と空洞６１の形成のため、第１の窒化物半導体層４０の横方向成長が優先的に行う結晶成長条件が望ましい。
横方向成長が優先的に行うため、台座基板１０の凹凸パターンの配置方向を予め所望の結晶方位に合わせる。
また、結晶成長の場合、台座基板１０の凹部１３の底面１４にも、台座基板の凹部に形成された窒化物半導体４１で示す第１窒化物半導体の膜が形成される。

結晶成長条件は、例えば、下記の公知のＭＯＣＶＤ成長条件である。即ち、ＭＯＣＶＤ装置内において、まず、数十ｎｍの窒化物半導体バッファ層を３００〜７００℃の基板温度で成長する。
例えば、ＧａＮの場合、ＩＩＩ族原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を、Ｖ族原料としてアンモニア（ＮＨ_３）を利用する。
次に、基板温度を１０００℃程度に昇温して、窒化物半導体の横方向成長を行う。
例えば、ＧａＮを１０μｍ成膜する。この場合、ＴＭＧとＮＨ_３を原料とする。不純物を導入したい場合、適当なガスを成膜装置内に導入する。例えば、ＧａＮのドナーガスとして、シラン（ＳｉＨ_４）が適切である。

前記の横方向成長によって、全体的に平坦で、かつ台座基板の凹部１３の上部領域において表面近傍の貫通転位密度が低減された第１の窒化物半導体層４０の連続層を得る。
前記貫通転位密度が低減された第１の窒化物半導体層４０の領域において、貫通転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下となる。
この値は、１２の台座基板の凸部上に形成された窒化物半導体膜の貫通転位密度より、１桁以上低い。
上記結晶成長条件では、ｐ_０＝１０μｍ、ｗ_０＝７μｍ、ｄ_０＝６μｍ、ｔ_１＝１０μｍのとき、得られる空洞６１は、幅が約７μｍ、深さが約３μｍ以上となる。

次に、図５（ｄ）に示すように、第１の窒化物半導体層４０の連続層上に凹凸パターンを形成する第２の工程を行う。
上記連続層上の凹凸パターンは、公知のリソグラフィー技術とエッチング技術で形成する。
リソグラフィー技術は、例えば、フォトリソグラフィー技術や電子ビーム露光技術によるレジストパターンの形成技術である。
必要に応じて、前記レジストパターンを金属膜やＳｉＯ_２などいわゆるハードマスクへ転写する。
ハードマスクの利用は、特に深い凹凸パターンを形成するときに必要である。
エッチング技術は、前記レジストパターンまたはハードマスクパターンをエッチングマスク（図示なし）にして、ドライまたはウェットエッチングによって、４０を加工する技術である。ドライエッチングは、例えば、反応性ガスのプラズマを利用したドライエッチングである。
前記反応性ガスは、単一ガスまたは２種類以上のガスの混合ガスであり、４０の組成に応じて最適化すればよい。
例えば、第１の窒化物半導体層４０はＧａＮの場合、主な反応性ガスとして塩素を含むガス（例えば、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４）、またはＣＨ_４を含むガスを用いる。

前記凹凸パターンの凹部４３を形成する際、できるだけ第１の窒化物半導体層４０の貫通欠陥密度が比較的に高い部分を除去するようにすると好適である。
そうすることによって、後継の窒化物半導体の成膜で、より欠陥密度が低減された膜を得ることができる。
前記貫通欠陥密度の高い部分は、例えば、台座基板１０の凸部１２の上に位置する。第１の窒化物半導体層４０のエッチングマスクを形成する際、マスク形状の設計とフォトリソグラフィー時の位置合せを適切に行なえば、凹凸パターンの凹部４３の前記形成が可能である。

凹凸パターンの凹部４３の寸法は、この４３のパターン形状、第１の窒化物半導体層４０の膜厚ｔ_１及び後程形成する第２の窒化物半導体層５０の膜厚ｔ_２に依存して最適化すればよい。
凹凸パターンの凹部４３の寸法を、パターンが周期的に配置している平行な線状溝である場合を例にして説明する。
溝の長さは、成長したいエリアを横断するようにする。例えば、成長したいエリアは２インチΦであれば、溝の長さも最長で２インチとする。
図５（ｄ）のように、溝の周期をｐ_１、溝の幅をｗ_１、溝の深さをｄ_１とする。ｔ_１＞５０ｎｍの場合、２０ｎｍ＜ｐ_１＜１０ｔ_１、１０ｎｍ＜ｗ_１＜ｐ_１、０．２ｗ_１＜ｄ_１＜ｔ_１、ｔ_２＞ｗ_１とすることが必要である。
例えば、ｔ_１＝１０μｍの場合、１μｍ＜ｐ_１＜２０μｍ、１００ｎｍ＜ｗ_１＜ｐ_１、１００ｎｍ＜ｄ_１＜８μｍ、ｔ_２＞２００ｎｍとすることが必要である。より具体的な例として、ｔ_１＝１０μｍ、ｐ_１＝１０μｍ、ｗ_１＝７μｍ、ｄ_１＝６μｍ、ｔ_２＝１０μｍとすることが必要である。

次に、図５（ｅ）に示すように、第１の窒化物半導体層４０の連続層に結晶性が乱れている状態を形成する第３の工程を行う。
前記結晶性が乱れている状態の部分４５は、凹凸パターンの凹部４３の内壁の少なくとも一部分に形成される。
図５（ｅ）では、結晶性が乱れている状態の部分４５は凹凸パターンの凹部４３の内壁の全表面に形成されているが、凹凸パターンの凹部４３の一部だけ、例えば、図５（ｄ）に示す底面４４、或は側壁４６だけでもよい。
前記結晶性が乱れている状態の部分４５の厚みは、均一でもよいが、不均一であってもよい。
特に、側壁４６と底面４４において前記結晶性が乱れている状態の部分４５の厚みが等しくなくてもよい。
前記結晶性が乱れている状態の部分４５の役割は、その表面における窒化物半導体の形成速度を低減することである。

前記結晶性が乱れている状態の部分４５の形成方法として、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、イオン照射、中性ビーム照射等による表面処理によって、該当部分を単結晶状態から変質させる。
変質後の状態は、例えば、アモルファス状態や、ポラス状態や、多結晶状態である。
前記表面処理のとき、変質させたくない部分をマスク（図示なし）で保護しておく。
前記マスクは、前記第２の工程で述べたエッチングマスクの形成方法を用いて新たに形成してもよいが、単に前記エッチングマスクをそのまま流用してもよい。４５の厚みは、前記表面処理の条件と時間で制御可能であり、１原子層から数百ナノメーターの範囲である。

次に、図５（ｆ）に示す第２の窒化物半導体層５０の連続層を形成する第４の工程を行う。
このとき、第２の窒化物半導体層５０と第１の窒化物半導体層４０の間に、空洞６２ができる。
第２の窒化物半導体層の材料は、例えば、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表す窒化ガリウム系化合物半導体である。
その代表的な例は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮがある。第２の窒化物半導体層５０と第１の窒化物半導体層４０とは、同質なものであっても良く、全く異質なものでもよい。また、第２の窒化物半導体層５０は多層膜で構成されても良い。

第２の窒化物半導体層５０の形成方法は、前記第１の工程で述べた第１の窒化物半導体層４０の結晶成長方法と類似して、主に周知のＭＯＣＶＤを用いた横方向成長である。
５０の横方向成長と同時に、第１の窒化物半導体層の凹部４３の内部にも窒化物半導体５１が形成されることがある。
結晶性が乱れている部分４５の形成具合や成膜条件によって、窒化物半導体５１の膜厚が不均一なことがある。
特に、図５（ｄ）に示す側壁４６と底面４４において窒化物半導体５１の膜厚が等しくないことがある。
結晶性が乱れている部分４５の存在により、４３の内壁、特に側壁４６において、窒化物半導体の形成速度が低減され、窒化物半導体５１の膜厚が無視できる程度薄いことがある。その結果、空洞６２の大きさが確保できる。得られる空洞６２は、一例として、第２の窒化物半導体層５０の膜厚ｔ_２＝１０μｍのとき、幅が約７μｍ、深さが３μｍ以上となる。
このような横方向成長で形成する第２窒化物半導体層５０の膜の貫通転位密度は、３×１０^７ｃｍ^−２以下となる。この値は、凹凸パターンを形成しない第１の窒化物半導体層４０上への直接結晶成長による窒化物半導体膜の貫通転位密度よりも低い。
第２窒化物半導体層５０を結晶成長する過程で、結晶性が乱れている部分４５の一部は再結晶化によって多結晶となるが、４２と一体化する単結晶まではならない。
空洞６２は、第１の窒化物半導体層４０と第２の窒化物半導体層５０の間の歪み応力を緩和できる。特に、第１の窒化物半導体層４０と第２の窒化物半導体層５０の材質が異なるとき、その作用が顕著である。
よって、空洞６２の存在により、第２の窒化物半導体層５０が受ける台座基板１０からの影響は、第１の窒化物半導体層４０が受ける台座基板１０からの影響より大幅に低減される。
その結果、第２の窒化物半導体層５０において、歪み応力による変形や欠陥が低減できる。
本実施形態によって、本発明における窒化物半導体を含む複合基板の作製が可能となる。

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態として、窒化物半導体を含む構造体の作製方法の一例を説明する。
本実施形態における窒化物半導体を含む構造体２０の作製方法は、窒化物半導体を含む複合基板３０を作製する工程と、この複合基板３０の台座基板１０を除去する工程を含むことを特徴とする。
上記複合基板３０の作製方法は、第３の実施形態に説明したので、ここでは省略する。以下では、台座基板１０を除去する工程等について説明する。
台座基板１０は、材料のエッチング耐性の差を利用して、選択エッチングで除去可能である。
例えば、台座基板１０の材料がＳｉの場合、ＫＯＨでＳｉだけを溶かして除去することが可能である。
また、台座基板１０は、比較的に研磨しやすい材料で形成されている場合、研磨で除去してもよい。
また、台座基板１０に選択エッチングで除去可能な中間膜を含む場合、選択エッチングで中間膜を除去して、台座基板１０を除去することができる。
また、台座基板１０は透明な基板、例えば、ＧａＮ、サファイアである場合、公知のレーザーリフトオフ（Ｌａｓｅｒ ｌｉｆｔ−ｏｆｆ：ＬＬＯとも呼ぶ）法によって、台座基板１０を除去することも可能である。

また、台座基板１０は透明な基板である場合、公知の光電気化学エッチング（ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｔｃｈｉｎｇ）によって、前記台座基板の中間膜を選択的に除去することで１０を除去することも可能である。例えば、台座基板１０はＧａＮ、またはサファイアであるとき、中間膜として、ＩｎＧａＮを利用する。
光源として、台座基板１０でほぼ吸収しない光を出すランプやレーザー、例えば、Ｘｅ−Ｈｇランプを使用する。エッチング液として、例えばＫＯＨの水溶液を使用する。
また、３０を適切な第２の基板に貼り付けてから、台座基板１０を除去してもよい。貼り付けの方法として、例えば、ワックス類、樹脂を使った接合方法や、または表面活性化と加圧加熱工程を含む直接接合方法がある。

以下では、図６を用いて、ＬＬＯ法による台座基板１０の除去について、詳しく説明する。
第２の実施形態で説明した窒化物半導体を含む複合基板３０を例にして、説明をする。
図６（ａ）に、処理する前の窒化物半導体を含む複合基板３０を示す。
図６（ｂ）に、電磁波の照射工程を示している。前記電磁波は、台座基板１０でほぼ吸収せず、第１の窒化物半導体層４０の第１の窒化物半導体層に吸収されるものであって、例えば、レーザー光である。
例えば、台座基板１０はサファイア、第１の窒化物半導体層４０はＧａＮの場合、発振波長が約３７０ｎｍ以下のレーザー光が好ましい。使用可能なレーザーは、例えば、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８．５ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）などのエキシマレーザーが挙げられる。

電磁波の照射時間としては、第１の窒化物半導体層４０が分解して、台座基板１０を除去できる程度に照射すればよく、電磁波の種類により適宜調整して行われる。
照射方法としては、図６（ｂ）のように台座基板１０の裏面から全面にレーザー光を照射させてもよい。
また、基板を載せているｘｙステージを走査させ、最終的に台座基板１０の裏面から全面にレーザー光を照射させてもよい。
前記電磁波照射によって、図６（ｂ）に示したように、台座基板１０の凹部の底面との界面、および台座基板１０の凸部の頂面との界面において、窒化物半導体が分解した部分７１および７２ができる。
例えば、第１の窒化物半導体層４０がＧａＮの場合、ＧａＮがＧａとＮ_２に分解するので、窒化物半導体が分解した部７１と７２の部分は主にＧａとなる。
Ｎ_２ガスは爆発的に空洞６１に拡散する。空洞６１が存在しない場合、Ｎ_２ガスの爆発的な拡散により、第１の窒化物半導体層４０に多数のマイクロクラックを発生する。
空洞６１の存在により、Ｎ_２ガスの逃げ道ができて、マイクロクラックの発生が大幅に低減できる。
これにより、基板除去による窒化物半導体を含む構造体２０へのダメージが低減できる。
前記電磁波照射によって、窒化物半導体を含む構造体２０と台座基板１０の接触界面は、主にＧａで繋がっている。
わずかな力を加えるだけでも、台座基板１０の除去が可能であり、図６（ｃ）に示しているような構造体が得られる。このままの状態でも、窒化物半導体を含む構造体２０は使用可能である。必要に応じて、以下の追加加工１から３を行う。

追加加工１においては、窒化物半導体を含む構造体２０の面に付いているＧａ等を除去する。そのため、希塩酸による洗浄を行う。
また、追加加工２においては、図６（ｃ）に示すように、第１の窒化物半導体層４０と台座基板１０と接していた面において、第１の窒化物半導体層４０側に凹み４７ができる。
この時点で、第１の窒化物半導体層の凹み４７の部分において、前記電磁波照射によるダメージがまだ残留している。
断面透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）やラザフォード後方散乱（ＲＢＳ）法による分析では、電磁波照射条件によって、ダメージを界面から５００ｎｍ以内の深さまで抑えていることがわかる。
このダメージ層を除去すれば、基板除去による窒化物半導体を含む構造体２０へのダメージがほぼなくなる。
第１の窒化物半導体層の凹み４７を除去する方法としては、例えば、機械研磨、化学機械研磨（ＣＭＰ）、イオンミーリング、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）エッチング等が挙げられる。
また、追加加工３においては、図６（ｄ）に示すように、第１の窒化物半導体層４０の表面を平坦にしたい場合や、第１の窒化物半導体層４０の膜厚を調整したい場合、
第１の窒化物半導体層の凹み４７の除去と同様な方法によって、第１の窒化物半導体層４０の表面を平坦化する。
そうすることによって、底面が平坦な窒化物半導体を含む構造体２０が得られる。
本実施形態によって、本発明における窒化物半導体を含む構造体の作製が可能となる。

以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１においては、上記第１の実施形態で説明した窒化物半導体を含む構造体の具体的例について、図１と図２を用いて説明する。
上記第１の実施形態で説明した部分と、重複する部分の説明は省略する。
本実施例において、第１の窒化物半導体層４０と第２の窒化物半導体層５０は共に単結晶ＧａＮである。
また、第１の窒化物半導体層４０の厚みｔ_１＝８μｍ、第２の窒化物半導体層５０の厚みｔ_２＝１０μｍとされている。ＧａＮを含む構造体２０は、これら４０、５０、４０と５０の間に形成された空洞６２から構成されるが、空洞６２を囲む壁の少なくとも一部は結晶性が乱れていることが特徴である。

結晶性が乱れている部分４５において、その結晶状態が４０の内部（例えば４２の部分）の単結晶状態から変質している。
結晶性が乱れている部分４５の結晶状態は、少なくとも多結晶状態を含む。
結晶性が乱れている部分４５の面積は、４０の凹部４３の内壁のほぼ全表面である。
結晶性が乱れている部分４５の厚みは、１原子層から数十ナノメーターであり、原子層レベルでは不均一である。
結晶性が乱れている部分４５の役割は、その表面におけるＧａＮの形成速度を低減することである。その結果、空洞６２の大きさが確保できる。

第１の窒化物半導体層の凹み４３の内壁に形成する窒化物半導体５１は、結晶性が乱れている部分４５の形成具合や成膜条件によって、膜厚が不均一なことがある。
例えば、側壁４６において、窒化物半導体５１の膜厚が数原子層以下で無視できる程度薄い底面４４において、窒化物半導体５１の膜厚が２μｍ以下である。

空洞６２は、第１の窒化物半導体層の凹み４３と第２の窒化物半導体層５０の間に形成される。
空洞６２は複数なもので、第１の窒化物半導体層の凹み４３の数に等しい。
図１と図２から分かるように、空洞６２の大きさは、ほぼ４３の大きさと窒化物半導体５１の厚みによって決まる。
第２の窒化物半導体層５０の膜質を確保するため、第１の窒化物半導体層の凹み４３はおおよそ周期的に分布している。また、第１の窒化物半導体層の凹み４３の各凹部の大きさがほぼ同一である。
成膜面の上部から見た第１の窒化物半導体層の凹み４３のパターンは、ほぼ周期的に配置している平行な溝である。
第１の窒化物半導体層の凹み４３の内壁（側壁４６と底面４４を含む）は、原子レベルでは平滑ではない。
また、第１の窒化物半導体層の凹み４３の側壁４６は、約８５°である。

第１の窒化物半導体層の凹み４３の寸法は下記のとおりである。
溝の長さは、２インチΦ基板を横断して、最長で２インチである。
図２のように、溝の周期ｐ_１＝１０μｍ、溝の幅ｗ_１＝７μｍ、溝の深さｄ_１＝６μｍとしたとき、得られる空洞６２は、幅が約７μｍ、深さが４μｍ以上となる。
空洞６２は、４０と５０の間の歪み応力を緩和できる。その結果、窒化物半導体を含む構造体２０において、歪み応力による変形や欠陥が低減できる。
本実施例のＧａＮを含む構造体２０は、実施例４で記述する作製方法で作製可能である。

［実施例２］
実施例２においては、上記第２の実施形態で説明した窒化物半導体を含む複合基板の具体的例について、図３と４を用いて説明する。
上記第２の実施形態で説明した部分と、重複する部分の説明は省略する。
本実施例において、窒化物半導体を含む複合基板３０は、サファイアからなる台座基板１０と実施例１記載の窒化物半導体を含む構造体２０から構成される。
台座基板１０と上記構造体２０の間に空洞６１、第１の窒化物半導体層４０と第２の窒化物半導体層５０の間に空洞６２がそれぞれ形成されている。

窒化物半導体を含む構造体２０は、実施例１と同様なものなので、以下では、図３と図４を用いて、台座基板１０と空洞６１だけについて説明する。
まず、台座基板１０について説明する。
前記台座基板１０は、２インチΦのサファイア単結晶基板であって、厚みｔ_０＝４２０μｍである。
図４のように、１０の成膜面はＣ面であって、台座基板１０の「１１−２０」方向にほぼ並行する周期的な線状溝が形成されている。
溝の長さは、１０の全体を横断するようになって、最長で２インチである。
また、溝の周期ｐ_０＝１０μｍ、溝の幅ｗ_０＝７μｍ、溝の深さｄ_０＝６μｍとされている。

次に、空洞６１について説明する。
空洞６１は、台座基板１０の凹部１３と第１の窒化物半導体層４０の間に形成される。
空洞６１は凹部１３の数に等しい。空洞６１の大きさは、凹部１３と凹部１３の底面１４上に形成された窒化物半導体４１よってほぼ決まる。
凹部１３の側壁１６部に形成される窒化物半導体の膜厚がほぼ無視できる。
窒化物半導体４１の厚みは３μｍ以下である。即ち、空洞６１は、長さが台座基板１０を横断して最長で２インチ、幅が約７μｍ、深さが約３μｍ以上となる。

空洞６１の存在により、異質である窒化物半導体２０とサファイア台座基板１０との間の歪み応力が緩和できる。
また、台座基板１０の上の凹凸パターンを用いた横方向成長によって第１の窒化物半導体層４０を形成する場合、平坦な台座基板上に直接成長によって第１の窒化物半導体層４０を形成する場合よりも、第１の窒化物半導体層４０の貫通転位密度が低減できる。
本実施形態の窒化物半導体を含む複合基板３０は、実施例３で記述する作製方法で作成可能である。

［実施例３］
実施例３においては、上記第３の実施形態で説明し窒化物半導体を含む複合基板を作製する具体的例について、図５を用いて説明する。
上記第３の実施形態で説明した部分と、重複する部分の説明は省略する。
まず、台座基板１０を準備する。
図５（ａ）に、サファイア台座基板１０を示している。台座基板１０のサイズは２インチΦ、厚みｔ_０＝４２０μｍである。また、台座基板１０の成膜面はＣ面である。

更に、図５（ｂ）のように、台座基板１０の成膜面に、台座基板１０の「１１−２０」方向にほぼ並行する周期的な線状溝を形成する。
形成方法として、周知のリソグラフィー技術とエッチング技術を用いる（図示なし）。
最初に、台座基板１０の成膜面に、３００ｎｍ程度のＣｒ膜をスパッタで堆積する。
そして、フォトリソグラフィー技術によって、Ｃｒ膜の上に所望のレジストパターンを形成する。
このとき、線状溝が台座基板１０の「１１−２０」方向にほぼ並行するようにマスクと基板の位置合せをする。
そして、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、塩素（Ｃｌ_２）、Ｏ_２、とＡｒの混合ガスによるＲＩＥでＣｒ膜へパターン転写して、Ｃｒからなるハードマスクを形成する。
そして、酸素プラズマによって、前記レジストを剥離する。そして、前記Ｃｒハードマスクを用いて、塩素を含むガスによるＲＩＥでサファイア基板を所望の深さまでエッチングする。
最後に、市販のＣｒエッチャントでＣｒハードマスクを完全に除去する。得られた線状溝パターンは、長さが、台座基板１０の全体を横断して、最長で２インチであり、周期ｐ_０＝１０μｍ、幅ｗ_０＝７μｍ、深さｄ_０＝６μｍとなる。
また、側壁１６の傾斜角度が約８５°である。

次に、図５（ｃ）に示す第１の窒化物半導体層４０の連続層を形成する第１の工程を行う。
このとき、台座基板１０と第１の窒化物半導体層４０の間に、空洞６１ができる。第１の窒化物半導体層４０の材料は、ＧａＮである。
第１の窒化物半導体層４０は、ＭＯＣＶＤによる結晶成長で台座基板１０の上に形成する。第１の窒化物半導体層４０の貫通転位密度の低減と空洞６１の形成のため、横方向成長が優先的に行う結晶成長条件で第１の窒化物半導体層４０を形成する。
結晶成長によって、第１の窒化物半導体層４０の形成と同時に、台座基板１０の凹部１３の底面１４にも、窒化物半導体４１で示すＧａＮの膜が形成される。
結晶成長条件は、例えば、下記の公知のＭＯＣＶＤ成長条件である。即ち、ＭＯＣＶＤ装置内において、まず、数十ｎｍのＧａＮバッファ層を５００℃の基板温度で成長する。そして、基板温度を１０００℃程度に昇温して、ＧａＮの横方向成長を行い、約１０μｍ厚のＧａＮの第１の窒化物半導体層４０の連続層を形成する。
このＧａＮの連続層を形成するとき、ＩＩＩ族原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を、Ｖ族原料としてアンモニア（ＮＨ_３）を利用する。
上記結晶成長条件では、窒化物半導体４１の厚みは３μｍ以下であり、台座基板の凹部の側壁１６にＧａＮがほとんど形成されない。
即ち、空洞６１は、長さが台座基板１０を横断して最長で２インチ、幅が約７μｍ、深さが約３μｍ以上となる。
このような横方向成長で形成する第１の窒化物半導体層４０の貫通転位密度は、凹凸パターンを形成しない基板上への結晶成長によるＧａＮ膜の貫通転位密度よりも低い。
特に、主に横方向成長で形成される第１の窒化物半導体層４０の部分（例えば、台座基板の凹部１３の直上に位置する部分）において、貫通転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下である。
貫通転位密度の評価は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等によって行う。

次に、図５（ｄ）に示す第１の窒化物半導体層４０のＧａＮ連続層上に凹凸パターンを形成する第２の工程を行う。
上記凹凸パターンは、図５（ｂ）に示すサファイア基板１０上のパターンとほぼ並行する周期的な線状溝であり、周期も同じである。
つまり、ｐ_１＝ｐ_０＝１０μｍ。但し、前記凹凸パターンの凹部４３を形成する際、できるだけ４０の貫通欠陥密度が比較的に高い部分を除去するようにする。そうすることによって、後継の窒化物半導体の成膜で、より欠陥密度が低減された膜を得ることができる。
つまり、台座基板１０の凸部１２の直上に、凹部４３の底面４４が形成されるようにする。
これは、第１の窒化物半導体層４０のエッチングマスクを形成する際、マスク形状の設計とフォトリソグラフィー時の位置合せを適切に行えば簡単に実現できる。
第１の窒化物半導体層４０上に凹凸パターンを形成する方法として、周知のリソグラフィー技術とエッチング技術を用いる（図示なし）。
例えば、最初に、リフトオフ法で第１の窒化物半導体層４０の上面に、５００ｎｍ程度厚のＮｉパターンを形成する。
そして、前記Ｎｉパターンをハードマスクとして、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３等の混合ガスによるＲＩＥで第１の窒化物半導体層４０を所望の深さまでエッチングする。最後に、３．５％のＦｅＣｌ_３溶液をエッチャントとして、５０℃程度の加熱でＮｉハードマスクを完全に除去する。
得られた線状溝パターンは、長さが、台座基板１０の全体を横断して、最長で２インチであり、周期ｐ_１＝１０μｍ、幅ｗ_１＝７μｍ、深さｄ_１＝６μｍでなる。
また、側壁１６の傾斜角度が約８５°である。

次に、図５（ｅ）に示す第１の窒化物半導体層４０に結晶性が乱れている状態を形成する第３の工程を行う。
前記結晶性が乱れている状態の部分４５の形成方法として、例えば、Ａｒイオン照射によって、第１の窒化物半導体層の凹部４３の内壁の全表面をアモルファス状態にする。
結晶性が乱れている部分４５の厚みは、Ａｒイオンの加速エネルギーと照射時間によって制御可能で、１原子層から数百ナノメーターの範囲であり、均一である必要がない。

次に、図５（ｆ）に示す第２の窒化物半導体層５０の連続層を形成する第４の工程を行う。このとき、第２の窒化物半導体層５０と第１の窒化物半導体層４０の間に、空洞６２ができる。
第２の窒化物半導体層５０の材料は、例えば、単結晶ＧａＮである。
第２の窒化物半導体層５０の形成方法は、前記第１の工程で述べた第１の窒化物半導体層４０の結晶成長方法と類似して、主に周知のＭＯＣＶＤを用いた横方向成長である。
ただし、ここでは低温バッファ層の形成が不要になる。
第２の窒化物半導体層５０の横方向成長と同時に、第１の窒化物半導体層の凹部４３の内部にも窒化物半導体５１が形成されることがある。
結晶性が乱れている部分４５の形成具合や成膜条件によって、窒化物半導体５１の膜厚が不均一なことがある。
前記結晶性が乱れている部分４５の存在により、第１の窒化物半導体層の凹部４３の内壁、特に側壁４６において、ＧａＮの形成速度が低減される。
その結果、空洞６２の大きさが確保できる。
第２の窒化物半導体層５０の膜厚ｔ_２＝１０μｍのとき、得られる空洞６２は、幅が約６μｍ、深さが３μｍ以上となる。
このような横方向成長で形成する第２窒化物半導体層５０の膜の貫通転位密度は、１×１０^７ｃｍ^−２以下である。
この値は、凹凸パターンを形成しない４０上への直接結晶成長によるＧａＮ膜の貫通転位密度よりも低い。

空洞６２は、第１の窒化物半導体層４０と第２の窒化物半導体層５０の間の歪み応力を緩和できる。
これにより、第２の窒化物半導体層５０が受ける台座基板１０からの影響は、第１の窒化物半導体層４０が受ける台座基板１０からの影響より大幅に低減される。
その結果、第２の窒化物半導体層５０において、歪み応力による変形や欠陥を低減することができた。
本実施例によって、本発明における窒化物半導体を含む複合基板の作製が可能となる。

［実施例４］
実施例４においては、上記第４の実施形態で説明し窒化物半導体を含む構造体２０を作製する具体的例について、図６を用いて説明する。
上記第４の実施形態で説明した部分と、重複する部分の説明は省略する。
窒化物半導体を含む構造体２０の作製方法は、窒化物半導体を含む複合基板３０を作製する工程と、複合基板３０の台座基板１０を除去する工程を含むことを特徴とする。
複合基板３０の作製方法は、実施例３に説明したので、ここで省略する。以下では、サファイア台座基板１０を除去する工程等について説明する。

台座基板１０の除去は、図６に示す公知のＬＬＯ法によって行う。
図６（ａ）に、ＬＬＯ処理する前のＧａＮを含む複合基板３０を示す。
図６（ｂ）に、電磁波の照射工程を示している。
前記電磁波は、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー光であり、波長が２４８．５ｎｍで、エネルギー密度が約６００ｍＪ／ｃｍ^２、レーザーパルス幅が約２０ｎｓである。レーザー照射をサファイア基板側から行う。
また、複合基板３０をｘｙステージに載せ、台座基板１０の外周側から内部側へ台座基板１０をムラなく照射するようにステージを走査する。走査速度は、台座基板１０の剥離具合によって最適化する。

前記電磁波照射によって、図６（ｂ）に示したように、台座基板１０の凹部の底面との界面、および台座基板１０の凸部の頂面との界面において、窒化物半導体のＧａＮが分解した部分７１および７２ができる。
ここで、ＧａＮがＧａとＮ_２に分解するので、上記分解した部分７１と７２の部分は主にＧａとなる。
Ｎ_２ガスは爆発的に空洞６１に拡散する。上記空洞６１が存在しない場合、Ｎ_２ガスの爆発的な拡散により、第１窒化物半導体層４０に多数のマイクロクラックを発生する。
上記空洞６１の存在により、Ｎ_２ガスの逃げ道ができて、マイクロクラックの発生が大幅に低減できる。よって、上記空洞６１の存在により、基板除去によるＧａＮを含む構造体２０へのダメージが低減できる。
ＬＬＯ後、上記構造体２０と台座基板１０の接触界面は、主にＧａで繋がっている。わずかな力を加えるだけでも、台座基板１０の除去が可能であり、図６（ｃ）に示すような構造体が得られる。
次に、上記構造体２０の面に付いているＧａ等を除去する。そのため、希塩酸による洗浄を行う。

次に、図６（ｃ）に示す第１窒化物半導体層の凹み４７の部分を除去する。この凹み４７の部分において、前記ＬＬＯによるダメージがまだ残留している。
このダメージ層の深さは、約５００ｎｍである。４７を除去する方法としては、Ａｒイオンミーリングを用いる。

次に、図６（ｄ）に示すように、第１窒化物半導体層４０の表面を平坦化すると同時に、第１窒化物半導体層４０の膜厚を調整する。
このとき、ＡｒイオンミーリングとＧＣＩＢエッチングを併用する。
特に、ＧＣＩＢは平坦化に効果的である。最後に、希塩酸で第１窒化物半導体層４０の表面を洗浄する。
こうすることによって、底面が平坦な窒化物半導体を含む構造体２０が得られる。
本実施例の方法によって、本発明における窒化物半導体を含む構造体の作製が可能となる。

［実施例５］
実施例５においては、上記本発明の実施形態及び実施例で説明した窒化物半導体を含む複合基板の応用例について説明する。
図７に、本発明の実施形態及び実施例で説明した窒化物半導体を含む複合基板の応用例を説明する模式断面図を示す。
まず、第２の実施形態及び実施例２で説明した窒化物半導体を含む複合基板３０を作製する。この複合基板３０作製方法は、既に第３の実施形態及び実施例３で説明したので、省略する。

次に、図７（ａ）に示すように、複合基板３０を基板として、窒化物半導体を含むデバイス構造層８０を形成する。
デバイス構造層８０の形成方法は、公知のＭＯＣＶＤ法である。形成条件は、公知の条件を参考にすればよい。ここでは重複に説明しない。
デバイス構造層８０は、例えば、第１層めの窒化物半導体層８１、第２層めの窒化物半導体層８２と第３層めの窒化物半導体層８３から構成される。
前記各層の構成は、例えば、下記のとおりである。
８１：１６０ｎｍのｎ型Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎ。
８２：不純物を導入しないＩｎＧａＮのマルチ量子井戸であり、３ｎｍのＩｎ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎ／１５ｎｍのＩｎ_０．０１Ｇａ_０．９９Ｎ／３ｎｍのＩｎ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎから構成される。
８３：１６０ｎｍのｐ型Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎ。

次に、図７（ｂ）に示すように、第３層めの窒化物半導体層８３で示すｐ型ＡｌＧａＮに８４で示す第１の凹凸構造を形成する。
前記第１の凹凸構造は、例えば、直径が１００ｎｍ、深さ７０ｎｍ、周期が１６０ｎｍの円形穴で構成している三角格子構造である。前記第１の凹凸構造の作製方法は、公知の技術で行う。
例えば、電子ビーム露光法でレジストパターンを形成して、前記レジストパターンをマスクとして、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３等の混合ガスによるＲＩＥ法で第３層めの窒化物半導体層８３の露出部分をエッチングし、第１の凹凸構造８４を形成する。第１の凹凸構造８４は、いわゆる２次元フォトニック結晶である。

次に、図７（ｃ）に示すように、第１の凹凸構造８４を形成した第３層めの窒化物半導体層８３を貼り合わせ基板９０と貼り合わせる。ここでは、基板の表面活性化及び加熱加圧工程を含む基板接合方法で貼り合せを行う。
前記基板接合の一条件は、例えば、荷重が４００℃程度、荷重が約０．５ＭＰａである。

次に、図７（ｄ）に示すように、第４の実施形態及び実施例４で説明したＬＬＯ法で台座基板１０を除去する。
台座基板１０を除去した後の状態を図７（ｅ）に示している。
次に、ＡｒイオンミーリングとＧＣＩＢエッチングを併用することにより、平坦化しながら、図７（ｅ）に示すように、窒化物半導体を含む構造体２０の部分を除去する。この構造体２０の部分が除去されると、図７（ｆ）に示すように、第１層めの窒化物半導体層８１が露出され、図７（ｆ）に示す構造体が得られる。視覚の便宜上、図７（ｆ）において、上記構造体２０の部分が除去された後の構造体を上下反転して表示している。

次に、図７（ｇ）に示すように、第１層めの窒化物半導体層８１のｎ型ＡｌＧａＮに８５で示す第２の凹凸構造を形成して、窒化物半導体を含むデバイス構造体８６を得る。
第２の凹凸構造８５は、周期的な凹凸パターンである場合、いわゆる２次元フォトニック結晶である。
第２の凹凸構造８５のパターン形状は、目的に応じて適宜に構造設計すればよい。
第２の凹凸構造８５は、第１の凹凸構造８４とは全く同じ構造であってもよい。また、図７（ｇ）に示すように、第１層めの窒化物半導体層８１の上面に垂直な方向から見て、第２の凹凸構造８５の穴は、第１の凹凸構造８４の穴と位置的にほぼ重なってもよい。
上記の方法で作製した窒化物半導体を含むデバイス構造体８６は、例えば、レーザーに応用できる。
その場合、第２層めの窒化物半導体層８２は活性層となる。第１層めの窒化物半導体層８１と第３層めの窒化物半導体層８３にそれぞれ形成された２次元フォトニック結晶の第２の凹凸構造８５と第１の凹凸構造８４によって、レーザー発振が可能である。

図７（ｇ）のように電極が形成していない場合、光励起で８６をレーザー発振させることが可能である。
電流注入で８６をレーザー発振させる場合、更に電極を形成すればよい。例えば、貼り合わせ基板９０として、ｐ型の低抵抗Ｓｉ基板を使用する。
そうすると、ｐ電極はＳｉ側で形成可能である。一方、ｎ電極は、第１の窒化物半導体層層８１の上部、例えば２次元フォトニック結晶の第２の凹凸構造８５がない部分で形成すればよい。

この実施例では、限定した構造の作製方法を示した。
しかし、窒化物半導体を含むデバイス構造層８０の膜構成（材料の種類、各層の厚さ等）および第１の凹凸構造８４と第２の凹凸構造８５の構造（凹凸パターンの種類、周期、穴の形状、大きさ及び深さ）等を変化させたものでも、
上記方法または上記方法から容易に想定できる方法を用いて作製することが可能である。

本発明における第１の実施形態における窒化物半導体を含む構造体の一例を説明するための断面模式図。 本発明における第１の実施形態における窒化物半導体を含む構造体における第１の窒化物半導体層だけを分解して示した図。 本発明における第２の実施形態における窒化物半導体を含む複合基板の一例を説明するための断面模式図。 本発明における第２の実施形態における窒化物半導体を含む複合基板から、台座基板だけを分解して示した図。 本発明における第３の実施形態における窒化物半導体を含む複合基板の作製方法の一例を説明するための断面模式図。 本発明における第４の実施形態における窒化物半導体を含む構造体の作製方法の一例を説明するための断面模式図。 本発明の実施形態及び実施例で説明した窒化物半導体を含む複合基板の応用例を説明する模式断面図。

符号の説明

１０：台座基板
１２：台座基板の凸部
１３：台座基板の凹部
１４：台座基板の凹部の底面
１６：台座基板の凹部の側壁
２０：窒化物半導体を含む構造体
３０：窒化物半導体を含む複合基板
４０：第１の窒化物半導体層
４１：台座基板の凹部に形成された窒化物半導体
４２：第１の窒化物半導体層の凸部
４３：第１の窒化物半導体層の凹部
４４：第１の窒化物半導体層の凹部の底面
４５：第１の窒化物半導体層における結晶性が乱れている部分
４６：第１の窒化物半導体層の凹部の側壁
４７：第１の窒化物半導体層の凹み
５０：第２の窒化物半導体層
５１：第１の窒化物半導体層の凹部に形成された窒化物半導体
６１：台座基板と窒化物半導体間の空洞
６２：窒化物半導体構造体内の空洞
７０：電磁波
７１、７２：窒化物半導体が分解した部分
８０：窒化物半導体を含むデバイス構造体層
８１：第１層めの窒化物半導体層
８２：第２層めの窒化物半導体層
８３：第３層めの窒化物半導体層
８４：第１の凹凸構造
８５：第２の凹凸構造
８６：窒化物半導体を含むデバイス構造体
９０：貼り合わせ基板

Claims (16)

1. 窒化物半導体層を含む構造体であって、
   少なくとも二つの窒化物半導体層による積層構造を備え、
   前記積層構造における前記二つの窒化物半導体層の間に、該二つの窒化物半導体層の下層側における窒化物半導体層上に形成された凹凸パターンの凹部の内壁を含む壁面によって囲まれた複数の空洞を有し、
   前記空洞を形成する前記凹部の内壁の少なくとも一部に、前記窒化物半導体層の横方向成長を抑制する結晶性が乱れている部分が形成されていることを特徴とする構造体。
2. 窒化物半導体層を含む複合基板であって、
   請求項１に記載の窒化物半導体層を含む構造体が、台座基板上に形成されていることを特徴とする複合基板。
3. 前記台座基板と、前記二つの窒化物半導体層の下層側における窒化物半導体層との間に、該下層側における窒化物半導体層上に形成された凹凸パターンの凹部の内壁を含む壁面によって囲まれた複数の空洞を有することを特徴とする請求項２に記載の複合基板。
4. 前記台座基板が、単結晶基板であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の複合基板。
5. 前記台座基板が、単結晶基板上に更に前記単結晶基板と同質、または異質な中間膜が形成されている台座基板であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の複合基板。
6. 前記単結晶基板の材質が、窒化物半導体、またはサファイア、またはシリコン（Ｓｉ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）、のいずれかであることを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の複合基板。
7. 窒化物半導体層を含む複合基板の製造方法であって、
   台座基板上に、第１の窒化物半導体層を形成する第１の工程と、
   前記第１の窒化物半導体層上に、凹凸パターンを形成する第２の工程と、
   前記第１の窒化物半導体層上の凹凸パターンにおける凹部の内壁の少なくとも一部に、単結晶状態から変質した状態による結晶性が乱れている部分を形成する第３の工程と、
   前記第１の窒化物半導体層上に形成された前記結晶性が乱れている部分を含む凹凸パターン上に、第２の窒化物半導体層を形成する第４の工程と、
   を有することを特徴とする複合基板の製造方法。
8. 前記第１の工程が、台座基板上に凹凸パターンを形成し、該凹凸パターン上に窒化物半導体層を横方向エピタキシャル成長させて前記第１の窒化物半導体の連続層を形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載の複合基板の製造方法。
9. 前記第４の工程が、窒化物半導体層を横方向エピタキシャル成長させて前記第２の窒化物半導体の連続層を形成する工程であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の複合基板の製造方法。
10. 前記第４の工程を１回実施した後、更に前記第２の工程と前記第４の工程をＮ（Ｎ≧０）回ずつ、前記第３の工程をＭ（Ｍ≦Ｎ）回繰り返すことを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。
11. 窒化物半導体層を含む構造体の製造方法であって、
    請求項７から１０のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法を用いて複合基板を製造する工程と、
    前記製造方法によって製造された複合基板から台座基板を除去する工程と、
    を有することを特徴とする構造体の製造方法。
12. 前記台座基板を除去する工程は、台座基板を選択エッチングまたは研磨で除去する工程を含むことを特徴とする請求項１１記載の構造体の製造方法。
13. 前記台座基板を除去する工程は、前記台座基板に請求項５に記載の台座基板を用い、前記選択エッチングによって前記中間膜を除去する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の構造体の製造方法。
14. 前記台座基板を除去する工程は、前記台座基板にサファイアを用い、前記台座基板側からレーザー照射し、
    前記サファイア基板と前記窒化物半導体層を含む構造体との界面で前記第１の窒化物半導体層を分解させる工程であることを特徴とする請求項１１に記載の構造体の製造方法。
15. 前記台座基板を除去する工程は、前記台座基板に請求項５に記載の台座基板を用い、光電気化学エッチングによって前記台座基板の中間膜を選択的に除去する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の構造体の製造方法。
16. 前記台座基板を除去する工程は、前記窒化物半導体層を含む構造体を第２の基板に貼り付けてから、前記台座基板を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１１から１５のいずれか１項に記載の構造体の製造方法。

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