JP2009252913A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims description 22
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 14
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical group O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RSZXXBTXZJGELH-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-tri(propan-2-yl)naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(C)C)C(C(C)C)=C(C(C)C)C(S(O)(=O)=O)=C21 RSZXXBTXZJGELH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 3
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 36
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 10
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- WHRAZOIDGKIQEA-UHFFFAOYSA-L iron(2+);4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Fe+2].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 WHRAZOIDGKIQEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K iron(3+);4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Fe+3].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000462 iron(III) oxide hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
【解決手段】表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成し(S1〜S4)、コンデンサ素子に冷却雰囲気中で酸化剤およびモノマーを順に含浸し(S5、6)、酸化剤とモノマーとを化学重合させることにより、陽極酸化皮膜上に導電性高分子からなる固体電解質を形成する(S7)。
【選択図】図3
Description
ここで、この真の陰極としての電解質は、電解コンデンサの電気特性に大きな影響を及ぼすことから、従来から、様々な種類の電解質が採用された電解コンデンサが提案されている。
本実施の形態における製造方法により製造した固体電解コンデンサ1について、図1を用いて説明する。図1は、固体電解コンデンサ1が有するコンデンサ素子6の分解斜視図である。コンデンサ素子6は、陽極箔2と陰極箔3とセパレータ4とにより構成されている。また、陽極箔2と陰極箔3からは、図示しないリードタブが接続され、リードタブを介して陽極箔2および陰極箔3からリード線5がそれぞれ引き出されている。
次に、固体電解コンデンサ1の製造方法について、図3を用いて説明する。図3は、固体電解コンデンサ1の製造方法を示す工程フロー図である。先ず、電極の実効表面積を大きくするために、陽極箔2および陰極箔3にエッチング処理を施して表面を粗面化する(S1)。さらに、粗面化された陽極箔2の表面に化成処理を施して陽極酸化皮膜2aを形成し、粗面化された陰極箔3の表面には、自然酸化皮膜3aを形成する(S2)。
なお、陰極箔3の表面には、チタン、窒化チタン、炭化チタン、カーボン等を蒸着や塗布にて形成してもよい。
次に、陽極酸化皮膜2aが形成された陽極箔2および自然酸化皮膜3aが形成された陰極箔3を所定の寸法に裁断し、それぞれにリードタブを介してリード線5を接続するとともに、これら陽極箔2と陰極箔3とをセパレータ4を介して巻回する(S3)。その後、アジピン酸アンモニウム水溶液中で、電圧を印加して素子化成(切り口化成)を行い、セパレータ4の炭化処理を施して、円筒形のコンデンサ素子6を作製する(S4)。
実施例1は、含浸工程において、コンデンサ素子6に酸化剤としてp−トルエンスルホン酸第二鉄塩を溶媒で溶解させた溶液を含浸した後引き上げ、−60℃の冷却雰囲気中でモノマー溶液を滴下した。さらに、コンデンサ素子6を60℃で60分間加熱し、化学重合により導電性高分子であるPEDOTを生成し、固体電解質7を形成した。(以下、実施例1の製造方法によって製造された固体電解コンデンサ1を単に、実施例1による固体電解コンデンサ1と呼称する。)
次に、比較例は、実施例1と同様に含浸工程において、コンデンサ素子6に酸化剤としてp−トルエンスルホン酸第二鉄塩を溶媒で溶解させた溶液を含浸した。その後、比較例では、室温中の常温(25℃)でモノマー溶液を滴下した。次に、実施例1と同様にコンデンサ素子6を60℃で60分間加熱し、化学重合により導電性高分子であるPEDOTを生成し、固体電解質7を形成した。(以下、比較例の製造方法によって製造された固体電解コンデンサ1を単に、比較例による固体電解コンデンサ1と呼称する。)
従って等価直列抵抗(ESR)は、値が小さい程優れている。漏れ電流(LC)とは、絶縁物に電圧を印加したときに流れる電流を言い、絶縁されている部分に電流が流れてしまうと、消費電力が大きくなり、発熱量も増えてコンデンサが焼損したり、回路を傷めやすくなってしまう。そのため、コンデンサの理想の漏れ電流(LC)は0Aであり、この値が小さい程優れている。なお、本実施の形態の固体電解コンデンサ1の漏れ電流(LC)の規格値は、上限値を960μAとしている。
これにより、実施例1による固体電解コンデンサ1のように、含浸工程において−60℃の冷却雰囲気中でモノマー溶液を滴下した方が、静電容量(Cap)を大きく、等価直列抵抗(ESR)を小さくすることができ、より電気的特性が良い固体電解コンデンサを製造することができることが分かる。なお、漏れ電流(LC)は、実施例1および比較例による固体電解コンデンサ1の双方とも、規格の上限値960μAよりも遥かに小さい値となるため、問題はない。
次に、含浸工程における冷却雰囲気を上下限に振ってモノマー溶液を滴下した際の電気的特性(静電容量、等価直列抵抗および漏れ電流)を測定した結果を比較した一覧表を表2に示す。ここで、実施例2〜7においては、モノマー滴下温度をそれぞれ−85℃、−80℃、−40℃、−20℃、0℃、5℃とし、その他の条件は上述した実施例1と同様である。
一方、含浸工程(図3のS6)において、比較例のように常温(25℃)でモノマーを滴下すると、その後の加熱する工程(図3のS7)において、酸化剤とコンデンサ素子内に滴下されて保持された全てのモノマーを一度に重合させることになり、各部の重合速度が制御できなくなるため、例えば一部の重合反応がコンデンサ素子内の箔の表面、即ちエッチングピットの入り口付近で急速に進行してしまった場合、エッチングピットの細部にまで十分な固体電解質層を形成することができなくなる。その結果、実施例1および実施例3〜6の製造方法によって製造された固体電解コンデンサ1ほど電気的特性が良い固体電解コンデンサ1は得られにくいと考えられる。
以上の結果より、含浸工程におけるモノマーの滴下温度は、−80〜0℃の冷却雰囲気で実施することが好適であり、特に、−60〜−20℃の冷却雰囲気で実施することがより好適であることが確認できた。
即ち、酸化剤およびモノマーの一方を先に、他方を後にして、順に冷却雰囲気中で含浸することにより、酸化剤またはモノマーを滴下したと同時に、酸化剤とモノマーとを重合させることができ、重合速度を制御することが可能となる。
2 陽極箔
2a 陽極酸化皮膜
3 陰極箔
3a 自然酸化皮膜
4 セパレータ
5 リード線
6 コンデンサ素子
7 固体電解質
Claims (5)
- 表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子に、酸化剤を含浸した後、冷却雰囲気中でモノマーを滴下により含浸させ、化学重合させることにより、前記陽極酸化皮膜上に導電性高分子からなる固体電解質を形成することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記含浸工程の冷却雰囲気は、−80〜0℃であることを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記酸化剤は、p−トルエンスルホン酸第二鉄塩、ナフタレンスルホン酸第二鉄塩、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸第二鉄塩およびドデシルベンゼンスルホン酸第二鉄塩の何れか1種または2種以上の混合物であることを特徴とする請求項1または2に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記モノマーは、アニリン、ピロール、チオフェンおよびこれらの誘導体の何れか1種であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記チオフェンの誘導体が、エチレンジオキシチオフェンであることを特徴とする請求項4に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008097776A JP2009252913A (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008097776A JP2009252913A (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009252913A true JP2009252913A (ja) | 2009-10-29 |
Family
ID=41313347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008097776A Pending JP2009252913A (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
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A621 | Written request for application examination |
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