JP2009194092A - 高圧二酸化炭素による被処理体の処理方法及び処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理体を保持、収納する高圧容器11に、フィルタ13を有する供給ライン20から、高圧二酸化炭素を供給する工程(1)と、前記高圧二酸化炭素により被処理体を処理する工程(2)と、高圧容器11内の高圧二酸化炭素を排出ライン30から排出する工程(3)とを含み、前記工程(1)及び/又は前記工程(3)のにおける高圧二酸化炭素の流量を特定の条件に調整する、高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。また、高圧容器11と供給ライン20と排出ライン30とを備え、供給ライン20及び/又は排出ライン30に、高圧二酸化炭素の流量を調整する流量調整手段40、50を有する処理装置1。
【選択図】図1
Description
また、被洗浄物を洗浄する洗浄室と、前記洗浄室から供給される超臨界状態の洗浄媒質を気化する気化室と、前記気化室で気化された洗浄媒質を濾過するフィルタと、前記フィルタによる濾過後の洗浄媒質を冷却して液体状態とする冷却室と、前記液体状態の洗浄媒質を超臨界状態にして前記洗浄室に供給する供給手段とを備えた洗浄装置が示されている(特許文献2)。
また、被洗浄物を設置する洗浄槽の外側に、フィルタを有する循環手段を設け、前記洗浄槽の超臨界二酸化炭素を前記循環手段によりそのままの状態で循環させて濾過しながら洗浄を行う洗浄装置が示されている(特許文献3)。
そのため、簡易な方法で、洗浄等の処理工程後の被処理体の表面を高い清浄度に維持することのできる、高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法が望まれている。
また、前記高圧二酸化炭素の前記流量が質量流量であることが好ましい。
また、前記工程(1)において、高圧二酸化炭素の流量の調整を前記供給ラインに設けた流量調整手段により行うことが好ましい。
また、前記工程(1)において、前記供給ラインの流量調整手段による高圧二酸化炭素の流量の調整を前記フィルタの一次側で行うことが好ましい。
また、前記工程(1)において、前記フィルタ本体、又は前記フィルタの一次側を加熱することが好ましい。
また、前記工程(3)において、高圧二酸化炭素の流量の調整を前記排出ラインに設けた流量調整手段により行うことが好ましい。
また、前記工程(2)の少なくとも一部の過程において高圧二酸化炭素を定常的に流しながら被処理体を処理し、前記工程(1)及び/又は前記工程(3)における高圧二酸化炭素の最大流量を、前記工程(2)における前記流量以下とすることが好ましい。
また、本発明の装置は、前記供給ラインの流量調整手段が前記フィルタの一次側に設けられていることが好ましい。
また、前記フィルタ本体、又は前記フィルタの一次側を加熱する加熱手段を備えていることが好ましい。
また、本発明の処理装置によれば、高圧二酸化炭素を用いた洗浄等の処理工程後、被処理体の表面が高い清浄度に維持される。
本発明の処理方法は、被処理体を保持、収納する高圧容器に高圧二酸化炭素を供給する工程(1)(昇圧過程)と、前記高圧二酸化炭素により被処理体を処理する工程(2)と、前記高圧容器から高圧二酸化炭素を排出する工程(3)(減圧過程)とを含む方法であり、前記工程(1)の高圧二酸化炭素の供給及び/又は前記工程(3)の高圧二酸化炭素の排出における高圧二酸化炭素の流量を、前記高圧容器の内圧が所定の圧力になるまでの少なくとも一部の過程で、徐々に変化させる、又は流量が増加する方向に段階的に変化させることを特徴とする方法である。
また、本発明の処理装置は、被処理体を保持、収納する高圧容器と、高圧二酸化炭素を濾過するフィルタを有し、前記高圧容器に前記高圧二酸化炭素を供給する供給ラインと、前記高圧容器内の高圧二酸化炭素を排出する排出ラインとを備え、前記供給ライン及び/又は前記排出ラインに、前記高圧容器の内圧が所定の圧力になるまでの少なくとも一部の過程で、前記高圧二酸化炭素の流量が徐々に変化するか、又は流量が増加する方向に段階的に変化するように調整する流量調整手段を有する装置である。
高圧二酸化炭素中には、洗浄対象や用途に合わせて溶剤等を含有させていてもよい。通常、半導体デバイス等の製造工程では、ウエハや基盤等の処理体表面の汚染物を除去するために、溶剤等を添加した高圧二酸化炭素を使用することがある。
溶剤としては、例えば、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類が挙げられる。また、界面活性剤やエッチング剤、水素等のガスを含有させてもよい。
被処理体は、高圧二酸化炭素を用いて洗浄等の処理を行う対象のものであれば特に限定されず、例えば、半導体ウエハ等の基板等が挙げられる。
本発明の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理装置の一実施形態例を、図1に基づいて説明する。
(処理装置)
本実施形態の処理装置1は、高圧容器11と、高圧容器11に高圧二酸化炭素を供給する供給ライン20と、高圧容器11内の高圧二酸化炭素を排出する排出ライン30とを備えている。
本実施形態の流量調整手段40a(流量調整手段40)は、流量計41と流量調整弁42と制御装置43とを有する。
処理装置1の供給ライン20では、高圧CO2源12と流量計41とが配管21で連結され、流量計41と流量調整弁42とが配管22で連結され、流量調整弁42とフィルタ13とが配管23で連結され、フィルタ13と高圧容器11とが配管24で連結されている。そして、フィルタ13に加熱手段14が設置されている。また、流量計41には制御装置43が設置されており、流量調整弁42を制御できるようになっている。
本実施形態の流量調整手段50a(流量調整手段50)は、流量計51と流量調整弁52と制御装置53とを有する。
処理装置1の排出ライン30は、高圧容器11と流量調整弁52とが配管31で連結され、流量調整弁52と保圧弁15とが配管32で連結され、保圧弁15と流量計51とが配管33で連結されている。また、流量計51には配管34が接続されている。また、流量計51には制御装置53が設置されており、流量調整弁52を制御できるようになっている。
また、高圧CO2源12の代わりに高圧二酸化炭素の供給装置が連結されていてもよい。高圧二酸化炭素の供給装置としては、例えば、流体を臨界圧力以上にする加圧手段と臨界温度以上にする加熱手段とを備えた常時循環系を備え、該常時循環系から超臨界状態の高圧二酸化炭素をフィルタにより濾過した後に供給する装置等が挙げられる。
フィルタ13は、フィルタ13を通過する高圧二酸化炭素の温度調整を容易にする点、エネルギー消費を低減する点から、保温手段が設けられていてもよい。
フィルタ13により、用いる高圧二酸化炭素に含まれる微粒子や、高圧容器11に供給する際に供給ライン20のフィルタ13の一次側で発生した微粒子を除去し、処理後の被処理体の清浄度を高度に保つことができる。
流量調整手段40aを設けることにより、高圧容器11に供給する高圧二酸化炭素の流量を精密に調整することが容易になる。
流量調整手段40aにより、高圧容器11に高圧二酸化炭素を供給する際、処理装置1内において微粒子が発生することを抑えることができ、処理後の被処理体を高い清浄度に維持できる。
流量調整手段50aにより、高圧容器11から高圧二酸化炭素を排出する際、処理装置1内において微粒子が発生することを抑えることができ、処理後の被処理体を高い清浄度に維持できる。
また、流量調整手段40aがフィルタ13の二次側に設けられていてもよく、フィルタ13の一次側と二次側の両方に設けられていてもよい。ただし、流量調整手段40aから発生する微粒子を除去するために、フィルタ13の一次側に流量調整手段40aが設けられていることが好ましい。
また、流量調整手段40aは、流量計41及び制御装置43を用いずに、流量調整弁42のみで構成されていてもよい。
以下、本実施形態の処理装置1を用いた処理方法について説明する。
工程(1)(昇圧過程)では、ポンプによる昇圧等により高圧CO2源12から高圧二酸化炭素が供給ライン20に供給され、フィルタ13で濾過された後に高圧容器11に供給される。このとき、流量調整手段40aにより、流量計41の測定値に応じて流量調整弁42の開度を調整し、高圧容器11の内圧が所定の圧力となるまでの少なくとも一部の過程で、高圧二酸化炭素の流量を徐々に変化させるか、又は、流量が増加する方向に段階的に変化させる(図4(a)〜(d)の工程(1))。流量調整手段40aを用いることにより、高圧容器11に供給する高圧二酸化炭素の流量を精密に調整しやすい。
フィルタ13を加熱し、フィルタ13を通過する高圧二酸化炭素の温度を上げることにより、フィルタ13を通過する高圧二酸化炭素に含まれる微粒子の除去性能が向上し、処理後の被処理体の清浄度を高度に維持しやすくなる。また、フィルタ13の温度が高すぎると、フィルタ13やその近傍の配管等が耐熱性を向上させるために肉厚になりすぎ、処理装置1が大型になりすぎる点や、気密シール性の点から、フィルタ13の温度は200℃以下にすることが好ましい。
尚、保圧弁15は、連続的又は段階的に開いてもよく、一段階で開いてもよい。ただし、保圧弁15を開く際には、流量調整手段50aの流量調整弁52の開度が予め開きすぎないようして、流量が瞬間的にでも大きくならないようにしておく。
工程(3)において高圧容器11の内圧が所定の圧力となるまでの少なくとも一部の過程で、高圧二酸化炭素の流量を段階的に変化させる場合(図4(a)、(c)の工程(3))は、工程(3)に要する時間も考慮して行うことが好ましい。また、時間当たりに処理する被処理体の数を増加させるためには、フィルタ13等において微粒子が発生しない範囲内で流量は多い方が好ましい。
以下、本発明の供給方法及び供給装置の他の実施形態例を図2に基づいて説明する。ただし、図2に例示する処理装置2において処理装置1と同じものについては、同符号を付して説明を省略する。
(処理装置)
処理装置2は処理装置1と同じく、図2に示すように、高圧容器11と、高圧容器11に高圧二酸化炭素を供給する供給ライン20と、高圧容器11内の高圧二酸化炭素を排出する排出ライン30とを備えている。
供給ライン20は、高圧CO2源12に連結されており、フィルタ13、及びフィルタ13を加熱する加熱手段14を備えている。また、フィルタ13の一次側に流量調整手段40として流量調整手段40bが設置されている。
流量調整手段40bとしては、キャピラリ、オリフィスが挙げられる。
また、流量調整手段40bがフィルタ13の二次側に設けられていてもよく、フィルタ13の一次側と二次側の両方に設けられていてもよい。
本実施形態の流量調整手段50bとしては、キャピラリ、オリフィスが挙げられる。
処理装置2の排出ライン30は、高圧容器11と保圧弁15とが配管35で連結されており、配管35に弁64が設置されている。また、配管35は、弁64の両側で配管37、38にそれぞれ分岐しており、配管37、38にそれぞれ弁65、66が設置されている。
また、高圧二酸化炭素の供給、排出における終期では、前記差圧が小さくなり、高圧二酸化炭素の流量が著しく小さくなる。このような状態となった場合、弁61、62、63(工程(1)の場合)、又は弁64、65、66(工程(3)の場合)を調整することにより、流量調整手段40b、50bを通過させないように迂回させてもよい。この切り替えの際には、高圧二酸化炭素の流量は段階的な変化を示すが、その圧力の変化は小さい。そのため、高圧二酸化炭素の流量は大きく変化しないので、微粒子の発生は抑えられる。
以下、本実施形態の処理装置2を用いた処理方法について説明する。
工程(1)(昇圧過程)では、ポンプによる昇圧等により高圧CO2源12から高圧二酸化炭素が供給ライン20に供給され、フィルタ13で濾過された後に高圧容器11に供給される。このとき、流量調整手段40bにより、高圧容器11の内圧が工程(2)に用いる高圧二酸化炭素の圧力と同じ、又はその付近の圧力になるまで、高圧二酸化炭素の流量が徐々に変化するように調整される。
また、工程(2)も、処理装置1の場合と同様に行うことができる。
工程(3)の高圧二酸化炭素の排出における、高圧二酸化炭素の流量は、フィルタ13や高圧容器11等に大きな衝撃が加わらないように、処理装置1を用いる場合と同様に調整することが好ましく、特に工程初期において、流量の変化量(増加量)が小さくなるように調整することが好ましい。
以上のように、流量調整手段40、50としてキャピラリやオリフィスを用いても、第1実施形態における流量調整手段40a、50aを用いて高圧二酸化炭素の流量を段階的に変化させる場合と同様の効果が得られるため、処理後の被処理体の清浄度を高く維持できる。
従来では、高清浄度の二酸化炭素を用いて被処理体を処理しても、処理後の被処理体(主に表面)に多くの微粒子汚染が生じることがあった。これは、高圧二酸化炭素を供給する昇圧過程、高圧二酸化炭素を排出する減圧過程において、急激に高圧二酸化炭素が流れると、高密度の流体が急速・急激に流れることになるため、処理装置内の各箇所(弁、フィルタ、高圧容器等)において微粒子が発生していたことが要因であると考えられる。これらの微粒子の発生としては、装置内の各箇所に付着していた微粒子(フィルタにおいては補足していた微粒子も含む)の剥離・移送や、エロージョンによる新たな微粒子発生等が考えられる。
また、前記処理装置のような流量調整手段を用いずに行う方法であっても構わない。
本実施例で用いた処理装置3を図3に示す。
処理装置3の供給ライン20は、一次側から流量計41と流量調整弁42と制御装置43とを有する流量調整手段40a、及びフィルタ13(商品名:UCS−MB−02VR−30HKフィルタ、ガス中除粒子性能0.01μm、(株)ピュアロンジャパン製)がこの順に備えられている。また、フィルタ13の外周には加熱手段14(電気ヒーター)と熱伝対(温度測定器)が設置され、断熱材が巻かれており、フィルタ13を加熱できるようにした。
また、排出ライン30には保圧弁15が備えられている。
また、高圧容器11(内容積1L)には、内温を調整するための、恒温水槽71、恒温水循環ライン72、恒温水循環ポンプ73からなる恒温水循環装置70が設けられている。
供給装置100は、凝縮器102、二酸化炭素貯蔵室103、ポンプ104、加熱器105、フィルタ106(商品名:UCS−MB−02VR−30HKフィルタ、ガス中除粒子性能0.01μm、(株)ピュアロンジャパン製)、保圧弁107がこの順に環状に連結され、凝縮器102に接続されている二酸化炭素源101を有する循環ラインを有している。また、フィルタ106と保圧弁107との間から配管が分岐し、供給ライン20に向かってフィルタ108(商品名:RGF−EB−02VR−01フィルタ、ガス中除粒子性能0.1μm、(株)ピュアロンジャパン製)、微粒子測定手段109(第68回応用物理学会予稿集、No.2、6p-ZF-15、p.759に記載の光散乱式パーティクルカウンタ)がこの順に設置されている。供給装置100から供給される高圧二酸化炭素は、微粒子測定手段109により純水中PSL(単一粒径ポリスチレンラテックス)粒子相当径0.5μm以上の微粒子が存在しないことを確認した(10MPa、20℃、5g−CO2/minの測定条件で、0.5μm以上の微粒子=0個/minを確認)。
恒温水循環装置70の恒温水温度を60℃に設定することにより高圧容器11の温調をして(高圧容器11の内温は50〜55℃)、被処理体である6インチシリコンダミーウエハ(以下、単にウエハという)を高圧容器11内にセットして密閉した。その後、流量調整弁42を開き、高圧容器11内の内圧が10MPaに達するまで、高圧容器11に高圧二酸化炭素(供給装置100の保圧弁107における圧力は20MPa)を供給した。高圧二酸化炭素の流量条件は、5g−CO2/minとした。
流量調整弁42を全閉状態から開きはじめるときは、流量が設定値(5g−CO2/min)を大きく超えないように注意して十分にゆっくりと行った(開度を少しずつ上げた)。流量が設定値となったら、設定流量が保たれるように流量調整弁42の開度調整を適宜行った。高圧容器11内の内圧が10MPaに至達後、直ちに減圧してウエハを取り出し、クリーンなウエハケースに保管し、数日後にゴミ検査装置((株)トプコン製、WM−3)によりウエハ上の0.5μm以上の微粒子数を測定した(エッジカット10mm)。減圧は、流量調整弁42を全閉した後、保圧弁15をゆっくりと開くことにより行った。
高圧二酸化炭素を高圧容器11に供給する際の流量を20、40g−CO2/minに変更した以外は、実施例1と同様にしてウエハの処理を行い、処理後のウエハ上の微粒子数の測定を行った。
高圧二酸化炭素を高圧容器11に供給する際の流量を最大流量(流量計41の最大測定流量である300g−CO2/minを超えていた。流量計41が測定できる流量範囲は2〜300g−CO2/minである。)とし、流量調整手段40aの調整を行わずに瞬時に大流量を流した以外は、実施例1と同様にしてウエハの処理を行い、処理後のウエハ上の微粒子数の測定を行った。
実施例1〜3及び比較例1において、高圧二酸化炭素による処理後のウエハにおける微粒子数の測定結果を表1に示す。
一方、供給時の高圧二酸化炭素の流量を調整していない比較例1では、供給ライン20上にフィルタ13を設けているにもかかわらず、ウエハ上に検出された微粒子数が多く、清浄度が実施例1〜3に比べて著しく劣っていた。
以上より、高圧二酸化炭素の流量を徐々に変化させることで処理後のウエハ上の微粒子数を大きく低減することができ、清浄度を高く維持できることがわかった。
Claims (11)
- 被処理体を保持、収納する高圧容器に、フィルタを有する供給ラインから、高圧二酸化炭素を前記フィルタにより濾過した後に供給する工程(1)と、
前記高圧容器内で、前記工程(1)で供給した高圧二酸化炭素を用いて被処理体を処理する工程(2)と、
前記工程(2)の後、前記高圧容器の前記高圧二酸化炭素を、前記高圧容器に設けられた排出ラインから排出する工程(3)とを含む被処理体の処理方法において、
前記工程(1)の高圧二酸化炭素の供給及び/又は前記工程(3)の高圧二酸化炭素の排出における高圧二酸化炭素の流量を、前記高圧容器の内圧が所定の圧力になるまでの少なくとも一部の過程で、徐々に変化させる、又は、流量が増加する方向に段階的に変化させることを特徴とする、高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。 - 前記高圧二酸化炭素が液体又は超臨界状態である、請求項1に記載の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。
- 前記高圧二酸化炭素の前記流量が質量流量である、請求項1又は2に記載の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。
- 前記工程(1)において、高圧二酸化炭素の流量の調整を前記供給ラインに設けた流量調整手段により行う、請求項1〜3のいずれかに記載の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。
- 前記工程(1)において、前記供給ラインの流量調整手段による高圧二酸化炭素の流量の調整を前記フィルタの一次側で行う、請求項4に記載の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。
- 前記工程(1)において、前記フィルタ本体、又は前記フィルタの一次側を加熱する、請求項1〜5のいずれかに記載の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。
- 前記工程(3)において、高圧二酸化炭素の流量の調整を前記排出ラインに設けた流量調整手段により行う、請求項1〜6のいずれかに記載の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。
- 前記工程(2)の少なくとも一部の過程において高圧二酸化炭素を定常的に流しながら被処理体を処理し、前記工程(1)及び/又は前記工程(3)における高圧二酸化炭素の最大流量を、前記工程(2)における前記流量以下とする、請求項1〜7のいずれかに記載の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。
- 被処理体を保持、収納する高圧容器と、高圧二酸化炭素を濾過するフィルタを有し、前記高圧容器に前記高圧二酸化炭素を供給する供給ラインと、前記高圧容器内の高圧二酸化炭素を排出する排出ラインとを備え、
前記供給ライン及び/又は前記排出ラインに、前記高圧容器の内圧が所定の圧力になるまでの少なくとも一部の過程で、前記高圧二酸化炭素の流量が徐々に変化するか、又は流量が増加する方向に段階的に変化するように調整する流量調整手段を有する、高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理装置。 - 前記供給ラインの流量調整手段が前記フィルタの一次側に設けられている、請求項9に記載の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理装置。
- 前記フィルタ本体、又は前記フィルタの一次側を加熱する加熱手段を備えた、請求項9又は10に記載の高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理装置。
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---|---|
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012111139A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | オルガノ株式会社 | フィルターの清浄化方法、及び被処理体の洗浄または乾燥方法 |
JP2013012538A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP2013251550A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Semes Co Ltd | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 |
CN103456665A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 细美事有限公司 | 一种基板处理装置及基板处理方法 |
KR101363265B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2014-02-13 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 초임계유체 배출방법 |
US9691638B2 (en) | 2011-06-30 | 2017-06-27 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate and method for discharging supercritical fluid |
JP2018081966A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
KR20180136927A (ko) * | 2018-12-17 | 2018-12-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2022051531A (ja) * | 2020-09-18 | 2022-03-31 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005064269A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Kobe Steel Ltd | 高圧処理方法 |
JP2006326429A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Japan Organo Co Ltd | 流体供給システム |
JP2007330841A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Dai-Dan Co Ltd | 洗浄システムおよび流体密度制御方法 |
-
2008
- 2008-02-13 JP JP2008032083A patent/JP2009194092A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005064269A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Kobe Steel Ltd | 高圧処理方法 |
JP2006326429A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Japan Organo Co Ltd | 流体供給システム |
JP2007330841A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Dai-Dan Co Ltd | 洗浄システムおよび流体密度制御方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8974603B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-03-10 | Organo Corporation | Method of purifying filter, and method of cleaning or drying object to be treated |
CN103167903A (zh) * | 2011-02-18 | 2013-06-19 | 奥加诺株式会社 | 过滤器的清洁化方法、及被处理体的洗涤或干燥方法 |
WO2012111139A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | オルガノ株式会社 | フィルターの清浄化方法、及び被処理体の洗浄または乾燥方法 |
CN103167903B (zh) * | 2011-02-18 | 2016-02-24 | 奥加诺株式会社 | 过滤器的清洁化方法、及被处理体的洗涤或干燥方法 |
JP2013012538A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
US9691638B2 (en) | 2011-06-30 | 2017-06-27 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate and method for discharging supercritical fluid |
KR101363265B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2014-02-13 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 초임계유체 배출방법 |
CN103456664A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 细美事有限公司 | 用于干燥基板的装置和方法 |
CN103456665A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 细美事有限公司 | 一种基板处理装置及基板处理方法 |
US9275852B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-03-01 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
US9587880B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-03-07 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for drying substrate |
JP2013251550A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Semes Co Ltd | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 |
JP2018081966A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
KR20180136927A (ko) * | 2018-12-17 | 2018-12-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102075683B1 (ko) | 2018-12-17 | 2020-03-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2022051531A (ja) * | 2020-09-18 | 2022-03-31 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び方法 |
JP7288017B2 (ja) | 2020-09-18 | 2023-06-06 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び方法 |
US12222159B2 (en) | 2020-09-18 | 2025-02-11 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
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