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JP2009176360A - Manufacturing method of magnetic recording medium - Google Patents

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JP2009176360A
JP2009176360A JP2008013453A JP2008013453A JP2009176360A JP 2009176360 A JP2009176360 A JP 2009176360A JP 2008013453 A JP2008013453 A JP 2008013453A JP 2008013453 A JP2008013453 A JP 2008013453A JP 2009176360 A JP2009176360 A JP 2009176360A
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filler
covering material
etching
recording element
convex pattern
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Application number
JP2008013453A
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Japanese (ja)
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Takahiro Suwa
孝裕 諏訪
Shigetoshi Fukuzawa
成敏 福澤
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium by which recessed parts of a recording layer of a recessed and projecting pattern are filled up with a filler, a surface can be satisfactorily flattened and satisfactory production efficiency is achieved. <P>SOLUTION: A first coating material 42 and a second coating material 43 are film-deposited on the filler 36 and the first coating material 42 is etched so that an upper part of a recording element 20A in the filler 36 is exposed and the first coating material 42 remains on each recessed part 34 while etching of the first coating material 42 on each recessed part 34 is prevented or suppressed by the second coating material 43 on each recessed part 34. The filler 36 is then removed until an upper surface of a partition film 21 on the recording element 20A (when the recording element has no partition film 21, an upper surface of the recording element 20A) is exposed by using a dry etching method by which an etching rate of the filler 36 is higher than an etching rate of the first coating material 42. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。   Conventionally, a magnetic recording medium such as a hard disk has been remarkably improved in surface recording density by improving the fineness of magnetic particles constituting the recording layer, changing the material, miniaturizing the head processing, and the like. Although the improvement in surface recording density is expected, the recording limit of the magnetic head, the recording of incorrect information on the track adjacent to the recording target track due to the expansion of the recording magnetic field of the magnetic head, the crosstalk during playback, etc. However, the improvement of the surface recording density by the conventional improvement method has reached the limit.

これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が凹凸パターンで形成され、凹凸パターンの凸部が記録要素を構成するディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアが提案されている。一方、ハードディスク等の磁気記録媒体ではヘッド浮上高さを安定させて良好な記録/再生特性を得るために表面の平坦性が重視される。従って、記録要素の間の凹部を充填材で充填し、記録層の上の余剰の充填材を除去して記録要素及び充填材の上面を平坦化することが好ましい。充填材としては非磁性で硬度が高いSiOやDLC(Diamond Like Carbon)を用いることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。尚、DLCは磁気記録媒体の保護膜の材料としても用いられている。 On the other hand, as a candidate for a magnetic recording medium capable of further improving the surface recording density, a discrete track medium in which a recording layer is formed in a concavo-convex pattern and a convex portion of the concavo-convex pattern constitutes a recording element, or a patterned Media has been proposed. On the other hand, in a magnetic recording medium such as a hard disk, the flatness of the surface is important in order to stabilize the flying height of the head and obtain good recording / reproducing characteristics. Therefore, it is preferable to fill the recesses between the recording elements with the filler, and to remove the excess filler on the recording layer to flatten the upper surfaces of the recording elements and the filler. As the filler, it has been proposed to use SiO 2 or DLC (Diamond Like Carbon) which is non-magnetic and has high hardness (see, for example, Patent Document 1). DLC is also used as a material for a protective film of a magnetic recording medium.

SiOの充填材を成膜して凹部を充填する手法としては、スパッタリング法等を利用できる。DLCの充填材を成膜して凹部を充填する手法としては、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等を利用できる。余剰の充填材を除去して表面を平坦化する手法としては、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法やドライエッチングを利用できる(例えば、特許文献2参照)。尚、DLCは硬度が高くCMPでDLCの充填材を除去することは困難であるので充填材としてDLCを用いる場合には、ドライエッチングで余剰の充填材を除去することが好ましい。充填材がSiO等のDLC以外の材料である場合もドライエッチングで余剰の充填材を除去することができる。充填材は記録層の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜されるが、ドライエッチングは一般的に凹部よりも凸部を選択的に速くエッチングする傾向がある。 A sputtering method or the like can be used as a method for forming a SiO 2 filler to fill the recesses. A CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like can be used as a method for forming a DLC filler and filling the recesses. CMP (Chemical Mechanical Polishing) or dry etching can be used as a method for planarizing the surface by removing excess filler (see, for example, Patent Document 2). Since DLC has high hardness and it is difficult to remove the DLC filler by CMP, when DLC is used as the filler, it is preferable to remove excess filler by dry etching. Even when the filler is a material other than DLC such as SiO 2 , the excess filler can be removed by dry etching. The filler is formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer, but dry etching generally tends to etch the convex portion selectively faster than the concave portion.

特開2003−109210号公報JP 2003-109210 A 特開2000−195042号公報JP 2000-195042 A

しかしながら、充填材の材料によっては(例えばDLCのような材料では)、ドライエッチングにより凹部よりも凸部が選択的に速くエッチングされる効果が低いものがあり、成膜された充填材の凹凸の段差が大きいと、ドライエッチングにより余剰の充填材を除去しても表面を充分に平坦化できないことがあった。   However, depending on the material of the filler (for example, a material such as DLC), the effect of selectively etching the convex portion faster than the concave portion by dry etching is low. If the level difference is large, the surface may not be sufficiently flattened even if excess filler is removed by dry etching.

尚、凹凸パターンの記録層の上に成膜される充填材は成膜される膜厚が厚くなるにつれて次第に表面の凹凸の段差が減少する傾向があり、充填材を厚く成膜することで成膜される充填材の凹凸の段差を小さく抑制することが可能であるが、充填材を厚く成膜することで充填材を成膜する工程や余剰の充填材を除去する工程に要する時間が長くなり生産効率が低下する。又、必要な充填材の量も増加する。これにより、磁気記録媒体のコストアップにつながるという問題がある。   Incidentally, the filler formed on the recording layer of the concavo-convex pattern has a tendency to gradually decrease the unevenness of the surface as the film thickness is increased. Although it is possible to reduce the unevenness of the filler filling film, it takes a long time to deposit the filler and remove the excess filler by depositing the filler thickly. Production efficiency decreases. Also, the amount of filler required is increased. As a result, there is a problem that the cost of the magnetic recording medium is increased.

又、例えばDLCのような材料を厚く成膜しようとすると、充填材が被加工体の表面から剥がれたり被加工体の表面に付着しにくくなるなど、被加工体の一部に充填材を成膜できないという問題がある。   In addition, if a material such as DLC is to be formed thickly, the filler may be formed on a part of the workpiece, for example, the filler may be peeled off from the surface of the workpiece or hardly adhere to the surface of the workpiece. There is a problem that the film cannot be formed.

又、充填材を厚く成膜することで、記録層の上に堆積する余剰の充填材の量が多くなり、被加工体から除去される充填材の処理や真空チャンバーに付着する充填材の除去等のメンテナンスの負担が増大するという問題がある。   Also, by forming a thick filler material, the amount of excess filler material deposited on the recording layer increases, so that the filler material removed from the workpiece and the filler material attached to the vacuum chamber can be removed. There is a problem that the burden of maintenance increases.

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンの記録層の凹部を充填材で充填し、表面を充分に平坦化できる生産効率が良い磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a method for producing a magnetic recording medium with high production efficiency, in which the concave portions of the recording layer of the concave-convex pattern are filled with a filler, and the surface can be sufficiently flattened. The purpose is to provide.

本発明は、基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有する被加工体の上に充填材を成膜して該充填材で凹凸パターンの凹部を充填し、充填材の上に第1被覆材を成膜し、第1被覆材の上に第2被覆材を成膜し、第1被覆材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第2被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第2被覆材をエッチングし、充填材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第1被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第1被覆材をエッチングし、充填材のエッチングレートが第1被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素の上面が露出するまで充填材をエッチングする磁気記録媒体の製造方法により上記目的を達成したものである。   In the present invention, a filler is formed on a substrate and a workpiece having a recording layer formed on the substrate in a predetermined concavo-convex pattern, and the convex portions of the concavo-convex pattern constitute recording elements. The concave portion of the concave / convex pattern is filled with, a first covering material is formed on the filling material, a second covering material is formed on the first covering material, and a portion of the first covering material above the recording element And the second coating material is etched so that the second coating material remains on the concave portions of the concavo-convex pattern, the portion of the filler above the recording element is exposed, and the first coating material is The first coating material is etched so that it remains on the concave portions of the concave-convex pattern, and the filler is removed until the upper surface of the recording element is exposed by a dry etching method in which the etching rate of the filler is higher than the etching rate of the first coating material. Depending on the method of manufacturing the magnetic recording medium to be etched It is those that have achieved the serial purpose.

又、本発明は、基板、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層及び該記録層における少なくとも記録要素の上面に形成された隔膜を有する被加工体の上に充填材を成膜して該充填材で凹凸パターンの凹部を充填し、充填材の上に第1被覆材を成膜し、第1被覆材の上に第2被覆材を成膜し、第1被覆材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第2被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第2被覆材をエッチングし、充填材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第1被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第1被覆材をエッチングし、充填材のエッチングレートが第1被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素の上の隔膜の上面が露出するまで充填材をエッチングする磁気記録媒体の製造方法により上記目的を達成したものである。   The present invention also provides a substrate, a recording layer formed on the substrate in a predetermined concavo-convex pattern, the convex portion of the concavo-convex pattern constituting the recording element, and a diaphragm formed on at least the upper surface of the recording element in the recording layer. A filler is formed on the workpiece, the concave portions of the concave / convex pattern are filled with the filler, a first coating material is formed on the filler, and a second coating is formed on the first coating material. Forming a film, etching the second coating material so that the upper part of the recording element in the first coating material is exposed, and the second coating material remains on the concave portion of the concave-convex pattern; The first coating material is etched such that the upper part of the recording element is exposed and the first coating material remains on the concave portion of the concave / convex pattern, and the etching rate of the filler is higher than the etching rate of the first coating material. The high dry etching method ensures that the gap above the recording element The method for producing a magnetic recording medium in which the upper surface of etching the filling material until exposing is obtained by achieving the above object.

このように、第1被覆材の上に第2被覆材を成膜し第2被覆材をエッチングすることで第2被覆材の表面の凹凸の段差を第1被覆材の表面の凹凸の段差よりも小さくすることができる。これにより凹凸パターンの凹部の上の第2被覆材で凹部の上の第1被覆材のエッチングを防止又は抑制しつつ、充填材における記録要素の上の部分が露出し、且つ、第1被覆材が凹凸パターンの凹部の上に残存するように第1被覆材をエッチングできる。次に充填材のエッチングレートが第1被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素の上面(又は記録要素の上の隔膜の上面)が露出するまで充填材を除去することにより、凹凸パターンの凹部の上の第1被覆材で凹部を充填する充填材のエッチングを防止又は抑制しつつ記録要素の上の余剰の充填材を除去できる。これにより、表面を充分に平坦化することができる。   In this way, by forming the second covering material on the first covering material and etching the second covering material, the unevenness level difference on the surface of the second covering material is made higher than the unevenness level difference on the surface of the first covering material. Can also be reduced. Accordingly, the second coating material on the concave portion of the concave / convex pattern prevents or suppresses the etching of the first coating material on the concave portion, and the portion of the filler on the recording element is exposed, and the first coating material The first covering material can be etched so that remains on the concave portions of the concave-convex pattern. Next, by removing the filler until the upper surface of the recording element (or the upper surface of the diaphragm above the recording element) is exposed by a dry etching method in which the etching rate of the filler is higher than the etching rate of the first covering material, Excess filler on the recording element can be removed while preventing or suppressing the etching of the filler filling the recess with the first coating material on the recess of the pattern. Thereby, the surface can be sufficiently planarized.

即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。   That is, the above-described object can be achieved by the following present invention.

(1)基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有する被加工体の上に充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に第1被覆材を成膜する第1被覆材成膜工程と、前記第1被覆材の上に第2被覆材を成膜する第2被覆材成膜工程と、前記第1被覆材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第2被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第2被覆材をエッチングする第2被覆材エッチング工程と、前記充填材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第1被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第1被覆材をエッチングする第1被覆材エッチング工程と、前記充填材のエッチングレートが前記第1被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録要素の上面が露出するまで前記充填材をエッチングする充填材エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (1) A filler is formed on a substrate and a workpiece having a recording layer in which a convex portion of the concave-convex pattern forms a recording element, and the convex portion of the concave-convex pattern forms a recording element. Filler film forming step for filling concave portions of the concavo-convex pattern, first coating material film forming step for forming a first coating material on the filler, and a second coating material on the first coating material A second covering material film forming step for forming a film; and a portion of the first covering material on the recording element is exposed, and the second covering material remains on the concave portion of the uneven pattern. A second covering material etching step for etching the second covering material, and a portion of the filler above the recording element is exposed, and the first covering material remains on the concave portion of the concavo-convex pattern. A first covering material etching step for etching the first covering material; And a filler etching step of etching the filler until the upper surface of the recording element is exposed by a dry etching method in which the etching rate of the filler is higher than the etching rate of the first covering material. A method for manufacturing a recording medium.

(2) (1)において、前記充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記記録要素の上面部を除去する記録要素上面部除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (2) The method of manufacturing a magnetic recording medium according to (1), wherein a recording element upper surface portion removing step is provided after the filler etching step to remove the upper surface portion of the recording element by a dry etching method.

(3)基板、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層及び該記録層における少なくとも前記記録要素の上面に形成された隔膜を有する被加工体の上に充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に第1被覆材を成膜する第1被覆材成膜工程と、前記第1被覆材の上に第2被覆材を成膜する第2被覆材成膜工程と、前記第1被覆材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第2被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第2被覆材をエッチングする第2被覆材エッチング工程と、前記充填材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第1被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第1被覆材をエッチングする第1被覆材エッチング工程と、前記充填材のエッチングレートが前記第1被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録要素の上の前記隔膜の上面が露出するまで前記充填材をエッチングする充填材エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (3) A substrate, a recording layer formed on the substrate in a predetermined concavo-convex pattern, and a convex portion of the concavo-convex pattern constituting a recording element, and a covering formed on at least the upper surface of the recording element in the recording layer Filler film forming step of forming a filler material on the workpiece and filling the concave portions of the concave / convex pattern with the filler; and first coating material film forming step of forming a first coating material on the filler A second covering material film forming step for forming a second covering material on the first covering material, a portion of the first covering material above the recording element is exposed, and the second covering material is exposed. A second covering material etching step for etching the second covering material so that the covering material remains on the concave portion of the uneven pattern; and a portion of the filler on the recording element is exposed; 1 so that the covering material remains on the concave portion of the concave-convex pattern A first covering material etching step for etching the first covering material, and an upper surface of the diaphragm on the recording element is exposed by a dry etching method in which an etching rate of the filler is higher than an etching rate of the first covering material. And a filler etching step of etching the filler until it is completed.

(4) (3)において、前記充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記記録要素の上面に形成された隔膜を除去する隔膜除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (4) A method of manufacturing a magnetic recording medium according to (3), wherein a film removing step for removing a film formed on the upper surface of the recording element by a dry etching method is provided after the filler etching step. .

(5) (1)乃至(4)のいずれかにおいて、前記充填材エッチング工程において前記第1被覆材における前記凹凸パターンの凹部の上に残存する部分を除去して前記被加工体の表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (5) In any one of (1) to (4), in the filler etching step, a portion remaining on the concave portion of the concave / convex pattern in the first covering material is removed to flatten the surface of the workpiece. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising:

(6) (1)乃至(4)のいずれかにおいて、前記充填材成膜工程において前記充填材で前記凹凸パターンの凹部を部分的に充填し、前記第1被覆材成膜工程において前記第1被覆材で前記凹凸パターンの凹部を更に充填し、前記充填材エッチング工程において前記第1被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記充填材をエッチングして前記被加工体の表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (6) In any one of (1) to (4), in the filler film forming step, the concave portion of the concave / convex pattern is partially filled with the filler, and the first covering material film forming step performs the first process. The concave portion of the concave / convex pattern is further filled with a coating material, and the filler is etched so that the first coating material remains on the concave portion of the concave / convex pattern in the filler etching step. A method for manufacturing a magnetic recording medium, characterized in that:

(7) (1)乃至(4)のいずれかにおいて、前記充填材エッチング工程において前記第1被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記充填材をエッチングし、該充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記第1被覆材における前記凹凸パターンの凹部の上に残存する部分を除去して前記被加工体の表面を平坦化する第1被覆材除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (7) In any one of (1) to (4), in the filler etching step, the filler is etched so that the first coating material remains on the concave portion of the concave / convex pattern, and the filler etching is performed. After the step, a first covering material removing step of flattening a surface of the workpiece by removing a portion remaining on the concave portion of the uneven pattern in the first covering material by a dry etching method is provided. A method of manufacturing a magnetic recording medium.

(8) (1)乃至(7)のいずれかにおいて、前記第1被覆材エッチング工程において、前記第1被覆材のエッチングレートが前記第2被覆材のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (8) In any one of (1) to (7), in the first coating material etching step, the etching rate of the first coating material is equal to or higher than the etching rate of the second coating material. A method of manufacturing a magnetic recording medium, characterized by using a method.

(9) (1)乃至(8)のいずれかにおいて、前記第1被覆材エッチング工程において、前記第2被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第1被覆材をエッチングすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (9) In any one of (1) to (8), in the first coating material etching step, the first coating material is etched so that the second coating material remains on the concave portion of the concave / convex pattern. A method of manufacturing a magnetic recording medium.

(10) (1)乃至(9)のいずれかにおいて、前記充填材はDLCであり、前記充填材エッチング工程において酸素及び窒素のいずれかを含む加工用ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (10) In any one of (1) to (9), the filler is DLC, and a processing gas containing either oxygen or nitrogen is used in the filler etching step. Manufacturing method.

(11) (1)乃至(10)のいずれかにおいて、前記第2被覆材はDLCであり、前記第1被覆材エッチング工程において希ガスを含む加工用ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (11) The magnetic recording medium according to any one of (1) to (10), wherein the second coating material is DLC, and a processing gas containing a rare gas is used in the first coating material etching step. Manufacturing method.

(12) (1)乃至(11)のいずれかにおいて、前記第1被覆材エッチング工程が前記第2被覆材エッチング工程を兼ねていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (12) The method for manufacturing a magnetic recording medium according to any one of (1) to (11), wherein the first coating material etching step also serves as the second coating material etching step.

尚、本出願において「凹凸パターンで形成された記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで分割され記録要素を構成する凸部が相互に完全に分離した記録層の他、データ領域では相互に分離した凸部同士がデータ領域とサーボ領域との境界付近等では連続している記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように、基板上の一部に連続して形成される記録層、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離して形成され、凸部の上面に形成された部分が記録要素を構成する記録層、凹部が厚さ方向の途中まで形成されて底部において連続した記録層、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の記録層も含む意義で用いることとする。   In the present application, the “recording layer formed in the concavo-convex pattern” means a recording layer in which the continuous recording layer is divided into a predetermined pattern and the convex portions constituting the recording element are completely separated from each other, and in the data region. A recording layer in which convex portions separated from each other are continuous in the vicinity of the boundary between the data area and the servo area, or continuously on a part of the substrate, for example, a spiral spiral recording layer. The recording layer to be formed, formed separately on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the layer under the concave / convex pattern, and the portion formed on the top surface of the convex portion constitutes the recording element, the concave portion is thick A recording layer formed halfway in the vertical direction and continuous at the bottom, and a continuous recording layer formed in a concavo-convex pattern following the layer below the concavo-convex pattern are also used to include the recording layer.

又、本出願において「充填材で凹凸パターンの凹部を充填する」とは、充填材で記録層の凹凸パターンの凹部を完全に充填する場合の他、充填材で凹凸パターンの凹部を部分的に充填する場合も含む意義で用いることとする。   Further, in this application, “filling the concave / convex pattern with the filler” means that the concave / convex pattern of the recording layer is completely filled with the filler, and the concave / convex pattern with the filler is partially filled. It shall be used with the meaning including filling.

又、本出願において「DLC」という用語は、炭素を主成分としSP混成軌道の炭素結合を有する材料という意義で用いることとする。「炭素を主成分とする材料」とは、材料を構成する総ての原子の原子数に対する炭素の原子数の比率が50%以上である材料であることを意味する。 In this application, the term “DLC” is used to mean a material having carbon as a main component and having a carbon bond of SP 3 hybrid orbital. The “carbon-based material” means a material in which the ratio of the number of carbon atoms to the total number of atoms constituting the material is 50% or more.

又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー(登録商標)ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するMO(Magneto Optical)等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。   In addition, the term “magnetic recording medium” in the present application is not limited to a hard disk, a floppy (registered trademark) disk, a magnetic tape, or the like that uses only magnetism for recording and reading information, and MO (Magneto) using both magnetism and light. It is used in the meaning including a magneto-optical recording medium such as Optical) and a heat-assisted recording medium using both magnetism and heat.

本発明によれば、凹凸パターンの記録層の凹部を充填材で充填し、表面を充分に平坦化できる生産効率が良い磁気記録媒体の製造方法を実現できる。   According to the present invention, it is possible to realize a method for manufacturing a magnetic recording medium with high production efficiency, in which the concave portion of the recording layer of the concavo-convex pattern is filled with the filler, and the surface can be sufficiently flattened.

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

本発明の第1実施形態は、図1に示される被加工体10の出発体にドライエッチング等の加工を施し、図2及び3に示されるような所定のラインアンドスペースパターン(データトラックパターン)及びサーボパターン(図示省略)の形状に連続膜の記録層を加工する磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、凹凸パターンの記録層の凹部を充填材で成膜して表面を平坦化する技術に特徴を有している。他の技術については本第1実施形態の理解に特に重要とは思われないため説明を適宜省略する。   In the first embodiment of the present invention, the starting body of the workpiece 10 shown in FIG. 1 is subjected to processing such as dry etching, and a predetermined line and space pattern (data track pattern) as shown in FIGS. And a method of manufacturing a magnetic recording medium in which a continuous recording layer is processed into a servo pattern (not shown), and a technique for flattening a surface by forming a concave portion of a concave-convex pattern recording layer with a filler. It has the characteristics. Other technologies will not be described as appropriate because they are not considered particularly important for understanding the first embodiment.

被加工体10の出発体は、図1に示されるように、基板12、軟磁性層16、配向層18、連続膜の記録層20、隔膜21、第1マスク層22、第2マスク層24を有し、これらの層がこの順で基板12の上に形成された構成である。   As shown in FIG. 1, the starting body of the workpiece 10 is a substrate 12, a soft magnetic layer 16, an alignment layer 18, a continuous recording layer 20, a diaphragm 21, a first mask layer 22, and a second mask layer 24. And these layers are formed on the substrate 12 in this order.

基板12は、略円板形状である。基板12の材料としてはガラス、Al、Al等を用いることができる。 The substrate 12 has a substantially disk shape. As a material of the substrate 12, glass, Al, Al 2 O 3 or the like can be used.

軟磁性層16は、厚さが50〜300nmである。軟磁性層16の材料としてはFe合金、Co合金等を用いることができる。   The soft magnetic layer 16 has a thickness of 50 to 300 nm. As the material of the soft magnetic layer 16, an Fe alloy, a Co alloy, or the like can be used.

配向層18は、厚さが2〜40nmである。配向層18の材料としては非磁性のCoCr合金、Ti、Ru、RuとTaの積層体、MgO等を用いることができる。   The alignment layer 18 has a thickness of 2 to 40 nm. As the material of the alignment layer 18, a nonmagnetic CoCr alloy, Ti, Ru, a laminate of Ru and Ta, MgO, or the like can be used.

記録層20は、厚さが5〜30nmである。記録層20の材料としてはCoCrPt合金等のCoCr系合金、FePt系合金、これらの積層体、SiO等の酸化物系材料の中にCoPt等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等を用いることができる。 The recording layer 20 has a thickness of 5 to 30 nm. As a material of the recording layer 20, a CoCr alloy such as a CoCrPt alloy, an FePt alloy, a laminate thereof, a material in which ferromagnetic particles such as CoPt are included in a matrix in an oxide material such as SiO 2 , etc. Can be used.

隔膜21は、厚さが1〜5nmである。隔膜21の材料としてはSiO、MgO、ITO(スズドープ酸化インジウム)、TaSi、Ti、TiN、TiO、SiC、DLC等を用いることができる。又、隔膜21の材料としてSi、Ge、C(炭素)、Mn、Ta、Nb、Mo、Zr、W、Al、Ni、Cu、Cr、Co等やこれらの化合物を用いてもよい。 The diaphragm 21 has a thickness of 1 to 5 nm. SiO 2 as the material of the diaphragm 21, MgO, ITO (indium tin oxide), can be used TaSi, Ti, TiN, TiO 2 , SiC, a DLC or the like. Moreover, Si, Ge, C (carbon), Mn, Ta, Nb, Mo, Zr, W, Al, Ni, Cu, Cr, Co, or the like or a compound thereof may be used as the material of the diaphragm 21.

第1マスク層22は、厚さが例えば3〜50nmである。第1マスク層22の材料としては例えばDLC等のC(炭素)を用いることができる。   The first mask layer 22 has a thickness of 3 to 50 nm, for example. As a material of the first mask layer 22, for example, C (carbon) such as DLC can be used.

第2マスク層24は、例えば厚さが2〜30nmである。第2マスク層24の材料としては例えばNi、Cu、Cr、Al、Al、Ta等を用いることができる。 The second mask layer 24 has a thickness of 2 to 30 nm, for example. As the material of the second mask layer 24, for example, Ni, Cu, Cr, Al, Al 2 O 3 , Ta, or the like can be used.

磁気記録媒体30は、ディスク形状の垂直記録型のディスクリートトラックメディアである。記録層20は、前記連続膜の記録層20がデータ領域において径方向に微細な間隔で多数の同心円弧状の記録要素20Aに分割された凹凸パターン形状であり、図2及び図3はこれを示している。尚、記録層20はサーボ領域において、所定のサーボパターンで多数の記録要素に分割されている(図示省略)。記録要素20Aの間の凹部34には充填材36が充填され、記録要素20A及び充填材36の上には保護層38、潤滑層40がこの順で形成されている。   The magnetic recording medium 30 is a disk-shaped perpendicular recording type discrete track medium. The recording layer 20 has a concavo-convex pattern shape in which the continuous recording layer 20 is divided into a number of concentric arc-shaped recording elements 20A at fine intervals in the radial direction in the data region, and FIGS. 2 and 3 show this. ing. The recording layer 20 is divided into a large number of recording elements in a servo area with a predetermined servo pattern (not shown). The recesses 34 between the recording elements 20A are filled with a filler 36, and a protective layer 38 and a lubricating layer 40 are formed on the recording elements 20A and the filler 36 in this order.

充填材36としては、DLC等のC(炭素)、Si、SiO、SiC、TaSi、TiN、TiOやTa、Ti、Al、Ge、Nb、Mo、Zr、Wのような金属又はこのような金属の合金等を用いることができる。DLCには、例えば、水素を含有しないテトラヘドラルアモルファスカーボン、水素を含むアモルファスカーボンやこれらが混在したもの、更に部分的又は局所的にポリエチレンやポリアセチレンのような構造をもつものなどが存在する。尚、充填材36は隔膜21の材料と異なる。 Examples of the filler 36 include C (carbon) such as DLC, Si, SiO 2 , SiC, TaSi, TiN, TiO 2 , metals such as Ta, Ti, Al, Ge, Nb, Mo, Zr, and W, or the like A metal alloy or the like can be used. DLC includes, for example, tetrahedral amorphous carbon that does not contain hydrogen, amorphous carbon that contains hydrogen, a mixture of these, and those that have a structure such as polyethylene or polyacetylene partially or locally. The filler 36 is different from the material of the diaphragm 21.

保護層38は、厚さが1〜5nmである。保護層38の材料としてはDLCを用いることができる。尚、充填材36がDLCである場合、保護層38を構成するDLCと充填材36を構成するDLCは同じ種類でもよく、異なる種類でもよい。例えば、SP混成軌道の炭素結合の割合が相互に異なるDLCでもよい。 The protective layer 38 has a thickness of 1 to 5 nm. As a material of the protective layer 38, DLC can be used. When the filler 36 is DLC, the DLC constituting the protective layer 38 and the DLC constituting the filler 36 may be the same type or different types. For example, DLCs having different carbon bond ratios in the SP 3 hybrid orbital may be used.

潤滑層40は、厚さが1〜2nmである。潤滑層40の材料としてはPFPE(パーフロロポリエーテル)を用いることができる。   The lubricating layer 40 has a thickness of 1 to 2 nm. As the material of the lubricating layer 40, PFPE (perfluoropolyether) can be used.

次に、図4に示されるフローチャート等を参照して磁気記録媒体30の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the magnetic recording medium 30 will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

まず、前記図1に示される被加工体10の加工出発体を用意する(S102)。被加工体10の加工出発体は基板12の上に、軟磁性層16、配向層18、(凹凸パターンに加工される前の連続膜の)記録層20、隔膜21、第1マスク層22、第2マスク層24をこの順でスパッタリング法等により成膜することにより得られる。   First, a processing starting body of the workpiece 10 shown in FIG. 1 is prepared (S102). A processing starting body of the workpiece 10 is a soft magnetic layer 16, an orientation layer 18, a recording layer 20 (a continuous film before being processed into a concavo-convex pattern), a diaphragm 21, a first mask layer 22, on a substrate 12. The second mask layer 24 is obtained by forming the second mask layer 24 in this order by a sputtering method or the like.

次に、被加工体10の第2マスク層24の上にスピンコート法により樹脂材料を塗布し、更に図示しないスタンパを用いてインプリント法により図5に示されるように樹脂材料に記録層20の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを転写し、凹凸パターンの樹脂層26を形成する(S104)。尚、凹部底部の樹脂層26はアッシングにより除去する。インプリント法としては、紫外線等による光インプリント、熱インプリント等を用いることができる。光インプリントの場合、樹脂層26の材料としては紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。又、熱インプリントの場合、樹脂層26の材料としては熱可塑性樹脂等を用いることができる。樹脂層26の厚さ(凸部の厚さ)は、例えば、30〜300nmである。尚、樹脂材料として感光性レジスト又は電子線レジストを用い、光リソグラフィ又は電子線リソグラフィの手法で記録層20の凹凸パターンに相当する凹凸パターンの樹脂層26を形成してもよい。   Next, a resin material is applied on the second mask layer 24 of the workpiece 10 by a spin coating method, and a recording layer 20 is formed on the resin material by an imprint method using a stamper (not shown) as shown in FIG. The concavo-convex pattern corresponding to the concavo-convex pattern is transferred to form the resin layer 26 having the concavo-convex pattern (S104). The resin layer 26 at the bottom of the recess is removed by ashing. As the imprinting method, optical imprinting using ultraviolet rays, thermal imprinting, or the like can be used. In the case of optical imprinting, an ultraviolet curable resin or the like can be used as the material of the resin layer 26. In the case of thermal imprinting, a thermoplastic resin or the like can be used as the material of the resin layer 26. The thickness of the resin layer 26 (thickness of the convex portion) is, for example, 30 to 300 nm. Note that a photosensitive resist or electron beam resist may be used as the resin material, and the concavo-convex pattern resin layer 26 corresponding to the concavo-convex pattern of the recording layer 20 may be formed by a photolithography or electron beam lithography technique.

次に、Ar等の希ガスを用いたIBE(Ion Beam Etching)又はRIE(Reactive Ion Etching)等により、凹部底部の第2マスク層24を除去し、更に、Oガス、Nガス又はNHガスを用いたIBE又はRIE等により、凹部底部の第1マスク層22を除去し、Ar等の希ガスを用いたIBE又はRIE等により、凹部底部の隔膜21及び記録層20を除去する(S106)。尚、本出願では、希ガスのように被エッチング物と化学的に反応しないガスを用いる場合でも、RIE装置を用いてエッチングを行う場合にはRIEという用語を用いることとする。これにより、図6に示されるように多数の記録要素20Aに分割された前記凹凸パターンの記録層20が形成される。隔膜21は、記録要素20Aの上に残存する。即ち、記録要素20Aの上面に形成された隔膜21を有する被加工体10が得られる。尚、第1マスク層22が隔膜21の上に残存することがあるので、Oガス、Nガス又はNHガスを用いたIBE又はRIE等により、隔膜21の上に残存する第1マスク層22を完全に除去する。 Next, the rare gas using IBE (Ion Beam Etching) or RIE (Reactive Ion Etching) or the like, such as Ar, removing the second mask layer 24 of the concave bottom, further, O 2 gas, N 2 gas or NH The first mask layer 22 at the bottom of the recess is removed by IBE or RIE using three gases, and the diaphragm 21 and the recording layer 20 at the bottom of the recess are removed by IBE or RIE using a rare gas such as Ar ( S106). In this application, even when a gas that does not chemically react with an object to be etched such as a rare gas is used, the term RIE is used when etching is performed using an RIE apparatus. Thereby, as shown in FIG. 6, the recording layer 20 having the concavo-convex pattern divided into a large number of recording elements 20A is formed. The diaphragm 21 remains on the recording element 20A. That is, the workpiece 10 having the diaphragm 21 formed on the upper surface of the recording element 20A is obtained. Since the first mask layer 22 may remain on the diaphragm 21, the first mask remaining on the diaphragm 21 by IBE or RIE using O 2 gas, N 2 gas, or NH 3 gas. Layer 22 is completely removed.

次に、図7に示されるように、被加工体10の上に充填材36を成膜し充填材36で凹部34を充填する(S108)。充填材36がDLCである場合、被加工体10にバイアス電圧を印加しつつCVD法により被加工体10の上に充填材36を成膜する。CVDの原料のガスとしては、メタン、エチレン、トルエン等を用いることができる。充填材36がSiO等のDLC以外の材料である場合、スパッタリング法又はバイアススパッタリング法等の他の成膜法により被加工体10の上に充填材36を成膜してもよい。充填材36は、記録層20の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜される。尚、この工程(S108)では、充填材36で凹部34を完全に充填してもよく、又、充填材36で凹部34を部分的に充填してもよい。凹部34を充填する充填材36の上面の高さは、記録要素20Aの上の隔膜21の上面の高さに対して−4〜+10nmであることが好ましく、凹部34を充填する充填材36の上面の高さが記録要素20Aの上の隔膜21の上面の高さとほぼ一致していることが更に好ましい。「充填材36の上面の高さ」とは、充填材36の上面の基板12の厚さ方向における位置である。「記録要素20Aの上の隔膜21の上面の高さ」についても同様である。又、「−」は凹部34を充填する充填材36の上面が記録要素20Aの上の隔膜21の上面よりも基板12に近いことを意味する。又、「+」は凹部34を充填する充填材36の上面が記録要素20Aの上の隔膜21の上面よりも基板12から離れていることを意味する。又、「充填材36の上面の高さが記録要素20Aの上の隔膜21の上面の高さとほぼ一致している」とは、両者の上面の高さの差が±4nmの範囲内であることを意味する。 Next, as shown in FIG. 7, a filler 36 is formed on the workpiece 10 and the recess 34 is filled with the filler 36 (S <b> 108). When the filler 36 is DLC, the filler 36 is formed on the workpiece 10 by the CVD method while applying a bias voltage to the workpiece 10. As a raw material gas for CVD, methane, ethylene, toluene or the like can be used. When the filler 36 is a material other than DLC such as SiO 2, the filler 36 may be formed on the workpiece 10 by another film forming method such as a sputtering method or a bias sputtering method. The filler 36 is formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer 20. In this step (S108), the recess 34 may be completely filled with the filler 36, or the recess 34 may be partially filled with the filler 36. The height of the upper surface of the filling material 36 filling the recess 34 is preferably −4 to +10 nm with respect to the height of the upper surface of the diaphragm 21 above the recording element 20A. More preferably, the height of the upper surface substantially coincides with the height of the upper surface of the diaphragm 21 above the recording element 20A. The “height of the upper surface of the filler 36” is the position of the upper surface of the filler 36 in the thickness direction of the substrate 12. The same applies to “the height of the upper surface of the diaphragm 21 above the recording element 20A”. Further, “-” means that the upper surface of the filler 36 filling the recess 34 is closer to the substrate 12 than the upper surface of the diaphragm 21 on the recording element 20A. Further, “+” means that the upper surface of the filler 36 filling the concave portion 34 is farther from the substrate 12 than the upper surface of the diaphragm 21 on the recording element 20A. Further, “the height of the upper surface of the filler 36 is substantially the same as the height of the upper surface of the diaphragm 21 above the recording element 20A” means that the difference in height between the upper surfaces of the both is within a range of ± 4 nm. Means that.

次に、図8に示されるようにスパッタリング法等により、被加工体10の充填材36の上に第1被覆材42を成膜する(S110)。第1被覆材42は、記録層20の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された充填材36の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜される。尚、充填材成膜工程(S108)において充填材36で凹部34を部分的に充填した場合、この工程(S110)において第1被覆材42で凹部34を更に充填する。成膜される第1被覆材42の厚さは0.1〜10nmである。第1被覆材42としては、Si、SiO、SiC、Ta、TaSi、Ti、TiN、TiO、Nb、Mo、Zr、W、Al、Mn、Ni、Cu、Cr、Co、C(炭素)等を用いることができる。尚、第1被覆材42は、充填材36と異なる。 Next, as shown in FIG. 8, the first covering material 42 is formed on the filler 36 of the workpiece 10 by sputtering or the like (S110). The first covering material 42 is formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the filler 36 formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer 20. When the concave portion 34 is partially filled with the filler 36 in the filler film forming step (S108), the concave portion 34 is further filled with the first covering material 42 in this step (S110). The thickness of the first covering material 42 to be formed is 0.1 to 10 nm. The first coating material 42, Si, SiO 2, SiC , Ta, TaSi, Ti, TiN, TiO 2, Nb, Mo, Zr, W, Al, Mn, Ni, Cu, Cr, Co, C ( carbon) Etc. can be used. The first covering material 42 is different from the filler 36.

次に、図9に示されるように、被加工体10の第1被覆材42の上に第2被覆材43を成膜する(S112)。第2被覆材43は、記録層20の凹凸パターン、充填材36の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された第1被覆材42の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜される。尚、本出願において「第2被覆材43が記録層20の凹凸パターンに倣って成膜される」とは、記録層20の凹凸パターンの輪郭と同じ輪郭の凹凸パターンで第2被覆材43が成膜される場合に限定されず、記録層の凹凸パターンの輪郭に対して凸部又は凹部の幅や凹凸の段差が縮小又は拡大された輪郭の凹凸パターンで第2被覆材43が成膜される場合も含む意義で用いることとする。「充填材36が記録層20の凹凸パターンに倣って成膜される」、「第1被覆材42が記録層20の凹凸パターンに倣って成膜される」についても同様である。成膜される第2被覆材43の厚さは20〜130nmである。第2被覆材43としては充填材36と同様の材料を用いることができる。具体的には、DLC等のC(炭素)、Si、SiO、SiC、TaSi、TiN、TiOやTa、Ti、Ge、Nb、Mo、Zr、Wのような金属又はこのような金属の合金等の材料を用いることができる。又、第2被覆材43としてAl、Mn、Ni、Cu、Cr、Co等の材料を用いてもよいが、第1被覆材42とは異なる材料を選択する。第2被覆材43がDLCである場合、CVD法により被加工体10の上に第2被覆材43を成膜する。又、第2被覆材43がSiO等のDLC以外の材料である場合、スパッタリング法又はバイアススパッタリング法等の他の成膜法により被加工体10の上に第2被覆材43を成膜してもよい。尚、充填材36も第2被覆材43もDLCである場合、第2被覆材43と充填材36は同じ種類のDLCでもよく、異なる種類のDLCでもよい。第2被覆材43も記録層20の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜されるが、第2被覆材43が厚く成膜される程、第2被覆材43の上面の凹凸の段差は小さくなり、第1被覆材42の上面の凹凸の段差よりも小さくなる。第2被覆材43の上面の凹凸の段差を小さく抑制するためには、被加工体10にバイアス電圧を印加しつつ第2被覆材43を成膜することが好ましく、第2被覆材43を充填材36よりも厚く成膜することが好ましい。 Next, as shown in FIG. 9, a second covering material 43 is formed on the first covering material 42 of the workpiece 10 (S112). The second covering material 43 is formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the first covering material 42 formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer 20 and the concavo-convex pattern of the filler 36. In the present application, “the second covering material 43 is formed following the uneven pattern of the recording layer 20” means that the second covering material 43 has an uneven pattern with the same contour as the contour of the uneven pattern of the recording layer 20. It is not limited to the case where the film is formed, and the second covering material 43 is formed in a contoured concave / convex pattern in which the width of the convex or concave portion or the level difference of the concave / convex is reduced or enlarged with respect to the contour of the concave / convex pattern of the recording layer. It will be used for the purpose of including The same applies to “the filler 36 is formed following the uneven pattern of the recording layer 20” and “the first covering material 42 is formed following the uneven pattern of the recording layer 20”. The thickness of the second covering material 43 to be formed is 20 to 130 nm. As the second covering material 43, the same material as the filler 36 can be used. Specifically, C (carbon) such as DLC, Si, SiO 2 , SiC, TaSi, TiN, TiO 2 , metals such as Ta, Ti, Ge, Nb, Mo, Zr, W, or such metals A material such as an alloy can be used. Further, a material such as Al, Mn, Ni, Cu, Cr, or Co may be used as the second covering material 43, but a material different from the first covering material 42 is selected. When the second covering material 43 is DLC, the second covering material 43 is formed on the workpiece 10 by the CVD method. When the second covering material 43 is a material other than DLC such as SiO 2 , the second covering material 43 is formed on the workpiece 10 by another film forming method such as a sputtering method or a bias sputtering method. May be. When both the filler 36 and the second covering material 43 are DLC, the second covering material 43 and the filling material 36 may be the same type of DLC or different types of DLC. The second covering material 43 is also formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer 20. Thus, it becomes smaller than the uneven step on the upper surface of the first covering material 42. In order to suppress the uneven step on the upper surface of the second covering material 43 to be small, it is preferable to form the second covering material 43 while applying a bias voltage to the workpiece 10, and to fill the second covering material 43. It is preferable to form a film thicker than the material 36.

次に、第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第2被覆材43が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第2被覆材43をエッチングし(第2被覆材エッチング工程)、更に第1被覆材42のエッチングレートが第2被覆材43のエッチングレートと同じ又はこれらよりも高いドライエッチング法により、図10に示されるように充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第1被覆材42が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第1被覆材42をエッチングする(第1被覆材エッチング工程)(S114)。尚、「第1被覆材42が凹凸パターンの凹部34の上に残存する」とは、第1被覆材42の一部又は全部が凹部34の中(凹部34における記録要素20Aの上面のレベルよりも基板12に近い側の部分)に残存する場合も含む。この工程では、記録要素20Aの上の充填材36が実質的に完全に露出するまで第2被覆材43及び第1被覆材42をエッチングすることが好ましい。第2被覆材成膜工程(S112)の終了時において第2被覆材43の上面の凹凸の段差が、第1被覆材42の上面の凹凸の段差よりも小さくなっているので、凹部34の上の第2被覆材43で凹部34の上の第1被覆材42のエッチングを防止又は抑制しつつ、第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第2被覆材43が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第2被覆材43をエッチングし、更に充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第1被覆材42が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第1被覆材42をエッチングすることができる。このようにすることで、第1被覆材42が薄くても第1被覆材42が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分を除去できる。凹部34の上の第1被覆材42のエッチングを防止又は抑制するためには、図10に示されるように、この工程の終了時(第1被覆材エッチング工程の終了時)において第2被覆材43が記録層20の凹凸パターンの凹部34の上に残存することが好ましい。ドライエッチング法としては、例えば加工用ガスとしてAr、Kr、Xe等の希ガス、Oガス、Nガス又はNHガスと希ガスとの混合ガス、CH、C、C、SF、CHF等のF(フッ素)系ガス、希ガスとF系ガスとの混合ガス、Oガス、Nガス又はNHガスとF系ガスとの混合ガスを用いたIBE又はRIEを用いることができる。DLC等のC(炭素)はOガス、Nガス又はNHガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが著しく高く、希ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートは低い。一方、Si、W、Ta、Mo、Nb、Zr等は、Oガス、Nガス又はNHガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが著しく低く、希ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートはDLCよりも高い。従って、第2被覆材43がDLC等のC(炭素)であり、第1被覆材42がSi、W、Ta、Mo、Nb、Zr等である場合、加工用ガスとしてOガス、Nガス又はNHガスと希ガスとの混合ガスを用い、これらの混合比を調整することで、第1被覆材42、第2被覆材43に対するエッチングレートを調整することができる。又、まずOガス、Nガス又はNHガスのみで第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第2被覆材43をエッチングし、次に希ガスのみで充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第1被覆材42をエッチングしてもよい。加工用ガスの入射角は例えば被加工体10の表面に対して90°に設定する。尚、本出願において「加工用ガスの入射角」とは、加工用ガスの主たる進行方向と被加工体の表面とがなす角という意味で用いる。例えば、加工用ガスの主たる進行方向が被加工体の表面と平行である場合、入射角は0°である。図10中の矢印は、加工用ガスの入射方向を模式的に示したものである。このように加工用ガスの入射角を大きく設定することでエッチングレートが高くなり、生産効率の向上に寄与する。又、RIEはIBEよりも加工用ガスの直進性が低く、加工用ガスの入射角を被加工体10の表面に対して垂直な90°に設定しても、一部の粒子は被加工体10の表面に対して傾斜した方向で被加工体10に照射される。これにより、凸部が凹部よりも速くエッチングされやすくなり、記録要素20A上の充填材36が第1被覆材42及び第2被覆材43から露出しやすくなる。又、IBEの場合も加工用ガスの発散角が5°以上になるように条件を設定することで、同様に凸部が凹部よりも速くエッチングされやすくなり、記録要素20A上の充填材36が第1被覆材42及び第2被覆材43から露出しやすくなる。尚、第2被覆材43や第1被覆材42の表面の凹凸の段差はエッチングの進行とともに減少する。 Next, the second covering material 43 is etched so that a portion of the first covering material 42 above the recording element 20A is exposed and the second covering material 43 remains on the concave portion 34 of the uneven pattern (the first covering material 42). 2 covering material etching step), and a dry etching method in which the etching rate of the first covering material 42 is the same as or higher than the etching rate of the second covering material 43, as shown in FIG. The first covering material 42 is etched so that the upper portion of 20A is exposed and the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the uneven pattern (first covering material etching step) (S114). Note that “the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the concavo-convex pattern” means that part or all of the first covering material 42 is in the concave portion 34 (from the level of the upper surface of the recording element 20A in the concave portion 34). Also includes a case where it remains in the portion near the substrate 12). In this step, it is preferable to etch the second covering material 43 and the first covering material 42 until the filler 36 on the recording element 20A is substantially completely exposed. Since the uneven step on the top surface of the second covering material 43 is smaller than the uneven step on the top surface of the first covering material 42 at the end of the second covering material film forming step (S112), While the second coating material 43 prevents or suppresses the etching of the first coating material 42 on the concave portion 34, a portion of the first coating material 42 above the recording element 20 </ b> A is exposed, and the second coating material 43. The second covering material 43 is etched such that the second covering material 43 remains on the concave / convex pattern 34, the portion of the filler 36 above the recording element 20 </ b> A is exposed, and the first covering material 42 has the concave / convex pattern. The first covering material 42 can be etched so as to remain on the surface 34. In this way, even if the first covering material 42 is thin, the portion of the first covering material 42 above the recording element 20A can be removed so that the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the uneven pattern. . In order to prevent or suppress the etching of the first covering material 42 on the concave portion 34, as shown in FIG. 10, the second covering material at the end of this step (at the end of the first covering material etching step). 43 preferably remains on the concave portion 34 of the concave-convex pattern of the recording layer 20. As the dry etching method, for example, as a processing gas, a rare gas such as Ar, Kr, or Xe, a mixed gas of O 2 gas, N 2 gas, or NH 3 gas and a rare gas, CH 4 , C 2 F 6 , C 4 is used. F (fluorine) -based gas such as F 8 , SF 6 , CHF 3 , mixed gas of rare gas and F-based gas, mixed gas of O 2 gas, N 2 gas or NH 3 gas and F-based gas was used. IBE or RIE can be used. C (carbon) such as DLC has a remarkably high etching rate for dry etching using O 2 gas, N 2 gas or NH 3 gas, and a low etching rate for dry etching using rare gas. On the other hand, Si, W, Ta, Mo, Nb, Zr, etc. have a remarkably low etching rate for dry etching using O 2 gas, N 2 gas or NH 3 gas, and the etching rate for dry etching using rare gas is Higher than DLC. Therefore, when the second coating material 43 is C (carbon) such as DLC and the first coating material 42 is Si, W, Ta, Mo, Nb, Zr, or the like, O 2 gas, N 2 is used as a processing gas. The etching rate with respect to the first coating material 42 and the second coating material 43 can be adjusted by using a gas or a mixed gas of NH 3 gas and a rare gas and adjusting the mixing ratio thereof. In addition, the second coating material 43 is first etched with only O 2 gas, N 2 gas, or NH 3 gas until the portion of the first coating material 42 above the recording element 20A is exposed, and then the filling material with only the rare gas. The first covering material 42 may be etched until a portion of the recording element 20A at 36 is exposed. The incident angle of the processing gas is set to 90 ° with respect to the surface of the workpiece 10, for example. In the present application, the “incident angle of the processing gas” is used to mean an angle formed between the main traveling direction of the processing gas and the surface of the workpiece. For example, when the main traveling direction of the processing gas is parallel to the surface of the workpiece, the incident angle is 0 °. The arrows in FIG. 10 schematically show the incident direction of the processing gas. Thus, by setting the angle of incidence of the processing gas to be large, the etching rate is increased, which contributes to the improvement of production efficiency. In addition, RIE has lower straightness of the processing gas than IBE, and even if the incident angle of the processing gas is set to 90 ° perpendicular to the surface of the workpiece 10, some of the particles are processed. The workpiece 10 is irradiated in a direction inclined with respect to the surface 10. As a result, the convex portion is easily etched faster than the concave portion, and the filler 36 on the recording element 20 </ b> A is easily exposed from the first covering material 42 and the second covering material 43. Also, in the case of IBE, by setting the conditions so that the divergence angle of the processing gas is 5 ° or more, similarly, the convex portions are easily etched faster than the concave portions, and the filler 36 on the recording element 20A is formed. The first covering material 42 and the second covering material 43 are easily exposed. In addition, the uneven | corrugated level | step difference of the surface of the 2nd coating | covering material 43 or the 1st coating | covering material 42 reduces with progress of an etching.

次に、充填材36のエッチングレートが第1被覆材42のエッチングレートよりも高く、且つ、隔膜21のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により、図11に示されるように、記録要素20Aの上の隔膜21の上面が露出するように充填材36をエッチングする(S116)。ドライエッチング法としては、例えば加工用ガスとしてOガス等の酸素を含むガス、Nガス又はNHガス等の窒素を含むガス、CH、C、C、SF、CHF等のF系ガス、O等の酸素を含むガス又はNガス又はNHガス等の窒素を含むガスとF系ガスとの混合ガス、Ar、Kr、Xe等の希ガスを用いたIBE又はRIEを用いることができる。充填材36がDLC等のC(炭素)であり、第1被覆材42がSiである場合、加工用ガスとしてOガス等の酸素を含むガス、Nガス又はNHガス等の窒素を含むガスと希ガスとの混合ガスを用い、これらの混合比を調整することで、充填材36、第1被覆材42、第2被覆材43に対するエッチングレートを調整することができる。加工用ガスの入射角は例えば被加工体10の表面に対して垂直な90°に設定する。図11中の矢印は、加工用ガスの入射方向を模式的に示したものである。 Next, as shown in FIG. 11, the top of the recording element 20A is formed by a dry etching method in which the etching rate of the filler 36 is higher than the etching rate of the first covering material 42 and higher than the etching rate of the diaphragm 21. The filler 36 is etched so that the upper surface of the diaphragm 21 is exposed (S116). Examples of the dry etching method include a gas containing oxygen such as O 2 gas as a processing gas, a gas containing nitrogen such as N 2 gas or NH 3 gas, CH 4 , C 2 F 6 , C 4 F 8 , SF 6. F-type gas such as CHF 3 , oxygen-containing gas such as O 2 , N 2 gas or mixed gas of nitrogen-containing gas such as NH 3 gas and F-type gas, and rare gas such as Ar, Kr, and Xe The IBE or RIE used can be used. When the filler 36 is C (carbon) such as DLC and the first coating material 42 is Si, a gas containing oxygen such as O 2 gas, nitrogen such as N 2 gas or NH 3 gas is used as a processing gas. The etching rate with respect to the filler 36, the first covering material 42, and the second covering material 43 can be adjusted by using a mixed gas of the gas and the rare gas and adjusting the mixing ratio thereof. The incident angle of the processing gas is set to 90 ° perpendicular to the surface of the workpiece 10, for example. The arrows in FIG. 11 schematically indicate the incident direction of the processing gas.

尚、被覆材エッチング工程(S114)の終了時において第2被覆材43が凹凸パターンの凹部34の上に残存している場合、凹部34の上の第2被覆材43はこの工程(S116)において完全に除去される。又、凹部34の上の第1被覆材42は、図11に示されるように記録要素20Aの上の充填材36と共に完全に除去されてもよいし、凹部34の上に第1被覆材42が残存してもよい。尚、「第1被覆材42が記録層20の凹凸パターンの凹部34の上に残存する」とは、第1被覆材42の一部又は全部が凹部34の中(凹部34における記録要素20Aの上面のレベルよりも基板12に近い側の部分)に残存する場合も含む。   In addition, when the 2nd coating material 43 remains on the recessed part 34 of an uneven | corrugated pattern at the completion | finish of a covering material etching process (S114), the 2nd coating material 43 on the recessed part 34 is in this process (S116). Completely removed. Further, the first covering material 42 on the recess 34 may be completely removed together with the filler 36 on the recording element 20A as shown in FIG. 11, or the first covering material 42 on the recess 34 may be removed. May remain. Note that “the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the concave / convex pattern of the recording layer 20” means that a part or all of the first covering material 42 is in the concave portion 34 (the recording element 20 </ b> A in the concave portion 34. It also includes the case where it remains in the portion closer to the substrate 12 than the level of the upper surface.

この工程(S116)において凹部34の上の第1被覆材42が完全に除去される場合、凹部34の上の第1被覆材42が完全に除去された時点でエッチングを直ちに停止することが好ましい。又、この工程(S116)における充填材36のエッチングレートは第1被覆材42のエッチングレートの10倍以下であることが好ましい。   When the first covering material 42 on the recess 34 is completely removed in this step (S116), it is preferable to immediately stop the etching when the first covering material 42 on the recess 34 is completely removed. . The etching rate of the filler 36 in this step (S116) is preferably 10 times or less than the etching rate of the first covering material 42.

又、充填材成膜工程(S108)において隔膜21の上面のレベル又はこれよりも上まで凹部34の上に充填材36を成膜した場合、この工程(S116)の終了時において凹部34の上の充填材36の上面の高さと記録要素20Aの上の隔膜21の上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。尚、「充填材36の上面の高さが隔膜21の上面の高さとほぼ一致する」とは、両者の上面の高さの差が±4nmの範囲内であることを意味する。   In the filler film forming step (S108), when the filler material 36 is formed on the concave portion 34 up to the level of the upper surface of the diaphragm 21 or above, the upper portion of the concave portion 34 at the end of this step (S116). It is preferable that the height of the upper surface of the filler 36 substantially coincides with the height of the upper surface of the diaphragm 21 above the recording element 20A. Note that “the height of the upper surface of the filler 36 is substantially equal to the height of the upper surface of the diaphragm 21” means that the difference in height between the upper surfaces of the fillers is within a range of ± 4 nm.

一方、充填材成膜工程(S108)において隔膜21の上面のレベルよりも下までしか凹部34の上に充填材36を成膜しなかった場合、この工程(S116)では第1被覆材42が凹部34の上に残存するように充填材36をエッチングし、この工程(S116)の終了時において凹部34の上の第1被覆材42の上面の高さと記録要素20Aの上の隔膜21の上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。尚、「第1被覆材42の上面の高さが隔膜21の上面の高さとほぼ一致する」とは、両者の上面の高さの差が±4nmの範囲内であることを意味する。上述のように充填材36、第1被覆材42、第2被覆材43に対するエッチングレートを調整することで、凹部34の上の充填材36の上面又は凹部34の上の第1被覆材42の上面の高さと記録要素20Aの上の隔膜21の上面の高さとをほぼ一致させることができる。   On the other hand, when the filler 36 is deposited on the recess 34 only below the level of the upper surface of the diaphragm 21 in the filler deposition step (S108), the first covering material 42 is formed in this step (S116). The filler 36 is etched so as to remain on the recess 34, and at the end of this step (S116), the height of the upper surface of the first covering material 42 on the recess 34 and the upper surface of the diaphragm 21 on the recording element 20A. It is preferable that the heights of these are substantially the same. Note that “the height of the upper surface of the first covering material 42 substantially coincides with the height of the upper surface of the diaphragm 21” means that the difference in height between the upper surfaces of the first covering material 42 is within a range of ± 4 nm. By adjusting the etching rate for the filler 36, the first covering material 42, and the second covering material 43 as described above, the upper surface of the filling material 36 on the recessed portion 34 or the first covering material 42 on the recessed portion 34 is adjusted. The height of the upper surface and the height of the upper surface of the diaphragm 21 above the recording element 20A can be made substantially coincident.

第1被覆材42が記録層20の凹凸パターンの凹部34の上に残存する場合、凹部34内の充填材36をエッチングすることなく、記録要素20Aの上の余剰の充填材36を除去できる。第1被覆材42は凹部34の上部を完全に覆うように残存してもよく、凹部34の上部を部分的に覆うように残存してもよい。   When the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the concave / convex pattern of the recording layer 20, the excess filler 36 on the recording element 20 </ b> A can be removed without etching the filler 36 in the concave portion 34. The first covering material 42 may remain so as to completely cover the upper portion of the concave portion 34, or may remain so as to partially cover the upper portion of the concave portion 34.

次に、図12に示されるように、ドライエッチング法により記録要素20Aの上の隔膜21と凹部34の上の充填材36をエッチングして記録要素20Aの上の隔膜21を除去する(S118)。尚、充填材エッチング工程(S116)の終了時において凹部34の上部に第1被覆材42が残存する場合、ドライエッチング法により記録要素20Aの上の隔膜21と凹部34の上の第1被覆材42をエッチングする。即ち、充填材エッチング工程(S116)の終了時において凹部34の上部に第1被覆材42が残存する場合、この工程(S118)は記録要素20Aの上の隔膜21を除去すると共に第1被覆材42における凹部34の上に残存する部分を除去して被加工体10の表面を平坦化する第1被覆材除去工程を兼ねる。充填材エッチング工程(S116)の終了時において、被加工体10の表面が充分に平坦化されている場合、充填材36又は第1被覆材42のエッチングレートと隔膜21のエッチングレートとがほぼ等しいドライエッチング法を用いるとよい。一方、充填材エッチング工程(S114)の終了時において、記録層20の凹凸パターンの凹部34の充填材36又は第1被覆材42の上面の高さと記録要素20Aの上の隔膜21の上面の高さとの間に段差が生じている場合は、充填材36又は第1被覆材42のエッチングレートと隔膜21のエッチングレートとに該段差が消滅又は充分に減少するような差があるドライエッチング法を用いるとよい。ドライエッチング法としては、例えば加工用ガスとしてAr、Kr、Xe等の希ガスや希ガスと反応性ガスとを混合した混合ガスを用いたIBE又はRIEを用いることができる。尚、加工用ガスの入射角は例えば被加工体10の表面に対して垂直な90°に設定する。図12中の矢印は、加工用ガスの入射方向を模式的に示したものである。これにより、記録要素20Aの上面と凹部34を充填する充填材36の上面が露出し、更にこれらの高さがほぼ等しくなる。即ち、被加工体10の表面が充分に平坦化される。   Next, as shown in FIG. 12, the diaphragm 21 on the recording element 20A and the filler 36 on the recess 34 are etched by dry etching to remove the diaphragm 21 on the recording element 20A (S118). . When the first covering material 42 remains on the upper portion of the recess 34 at the end of the filler etching step (S116), the first covering material 21 on the recording element 20A and the first covering material on the recess 34 are formed by dry etching. 42 is etched. That is, when the first covering material 42 remains on the upper portion of the recess 34 at the end of the filling material etching step (S116), this step (S118) removes the diaphragm 21 on the recording element 20A and the first covering material. It also serves as a first covering material removing step of removing the portion remaining on the concave portion 34 in 42 to flatten the surface of the workpiece 10. When the surface of the workpiece 10 is sufficiently flattened at the end of the filler etching step (S116), the etching rate of the filler 36 or the first covering material 42 and the etching rate of the diaphragm 21 are substantially equal. A dry etching method may be used. On the other hand, at the end of the filler etching step (S114), the height of the upper surface of the filler 36 or the first covering material 42 of the concave portion 34 of the concave-convex pattern of the recording layer 20 and the height of the upper surface of the diaphragm 21 above the recording element 20A. If there is a step between the etching rate of the filler 36 or the first covering material 42 and the etching rate of the diaphragm 21, a dry etching method in which the step is eliminated or sufficiently reduced is used. Use it. As the dry etching method, for example, IBE or RIE using a rare gas such as Ar, Kr, or Xe or a mixed gas in which a rare gas and a reactive gas are mixed as a processing gas can be used. In addition, the incident angle of the processing gas is set to 90 ° perpendicular to the surface of the workpiece 10, for example. The arrows in FIG. 12 schematically show the incident direction of the processing gas. As a result, the upper surface of the recording element 20A and the upper surface of the filler 36 filling the concave portion 34 are exposed, and their heights are substantially equal. That is, the surface of the workpiece 10 is sufficiently flattened.

次に、CVD法により記録要素20A及び充填材36の上に保護層38を形成する(S120)。更に、ディッピング法により保護層38の上に潤滑層40を塗布する(S122)。これにより、前記図2及び3に示される磁気記録媒体30が完成する。   Next, the protective layer 38 is formed on the recording element 20A and the filler 36 by the CVD method (S120). Further, the lubricating layer 40 is applied on the protective layer 38 by dipping (S122). As a result, the magnetic recording medium 30 shown in FIGS. 2 and 3 is completed.

このように、第1被覆材42の上に第2被覆材43を成膜し、又、第2被覆材43をエッチングすることで第2被覆材43の表面の凹凸の段差を第1被覆材42の表面の凹凸の段差よりも小さくすることができる。これにより凹凸パターンの凹部34の上の第2被覆材43で凹部34の上の第1被覆材42のエッチングを防止又は抑制しつつ、充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第1被覆材42が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第1被覆材42をエッチングできる(S114)。更に充填材36のエッチングレートが第1被覆材42のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素20Aの上の隔膜21の上面が露出するまで充填材36を除去することにより、凹凸パターンの凹部34の上の第1被覆材42で凹部34を充填する充填材36のエッチングを防止又は抑制しつつ記録要素20Aの上の余剰の充填材36を除去できる。これにより、表面を充分に平坦化することができる。   In this way, the second coating material 43 is formed on the first coating material 42, and the second coating material 43 is etched to reduce the unevenness on the surface of the second coating material 43. It can be made smaller than the uneven step on the surface of 42. Thereby, while preventing or suppressing the etching of the first coating material 42 on the concave portion 34 by the second coating material 43 on the concave portion 34 of the concave / convex pattern, the portion of the filler 36 above the recording element 20A is exposed, In addition, the first covering material 42 can be etched so that the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the uneven pattern (S114). Further, the filling material 36 is removed by a dry etching method in which the etching rate of the filling material 36 is higher than the etching rate of the first covering material 42 until the upper surface of the diaphragm 21 on the recording element 20A is exposed. The excess filler 36 on the recording element 20 </ b> A can be removed while preventing or suppressing the etching of the filler 36 that fills the recess 34 with the first covering material 42 on 34. Thereby, the surface can be sufficiently planarized.

次に、本発明の第2実施形態について説明する。前記第1実施形態では被加工体10の出発体を作製する際に(凹凸パターンに加工される前の連続膜の)記録層20と第1マスク層22との間に隔膜21が形成され、隔膜21は磁気記録媒体30に残存していないのに対し、図13に示されるように本第2実施形態に係る被加工体50の出発体は記録層20と第1マスク層22との間に隔膜は形成されていない。又、図14及び図15に示されるように、本第2実施形態に係る磁気記録媒体60は、記録層20の凹凸パターンの凹部34の底面及び側面に隔膜62が形成されている。   Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment, when the starting body of the workpiece 10 is manufactured, the diaphragm 21 is formed between the recording layer 20 (the continuous film before being processed into the concavo-convex pattern) and the first mask layer 22, The diaphragm 21 does not remain in the magnetic recording medium 30, whereas the starting body of the workpiece 50 according to the second embodiment is between the recording layer 20 and the first mask layer 22 as shown in FIG. No diaphragm is formed. As shown in FIGS. 14 and 15, the magnetic recording medium 60 according to the second embodiment has a diaphragm 62 formed on the bottom and side surfaces of the concave portion 34 of the concave / convex pattern of the recording layer 20.

磁気記録媒体60の製造方法について、図16のフローチャートに沿って説明する。尚、磁気記録媒体60の製造方法は前記第1実施形態に係る磁気記録媒体30の製造方法と多くの点が共通であるので共通の点については図1〜12と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。   A method for manufacturing the magnetic recording medium 60 will be described with reference to the flowchart of FIG. Since the manufacturing method of the magnetic recording medium 60 has many points in common with the manufacturing method of the magnetic recording medium 30 according to the first embodiment, common points will be described using the same reference numerals as those in FIGS. Is omitted as appropriate.

被加工体50の加工出発体に、前記第1実施形態と同様に樹脂層形成工程(S104)、記録層加工工程(S106)を実行することにより、図17に示されるような、多数の記録要素20Aに分割された凹凸パターンの記録層20を有し記録要素20Aの上に隔膜が存在しない被加工体50が得られる。   By performing the resin layer forming step (S104) and the recording layer processing step (S106) on the processing starting body of the workpiece 50 as in the first embodiment, a large number of recordings as shown in FIG. 17 are performed. A workpiece 50 having a recording layer 20 with a concavo-convex pattern divided into elements 20A and having no diaphragm on the recording element 20A is obtained.

次に、スパッタリング法等により、図18に示されるように、凹凸パターンの記録層20の上に隔膜62を成膜する(S202)。尚、隔膜62の厚さ及び材料は、隔膜21と同じでよい。隔膜62は記録層20の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成される。これにより、記録要素20Aの上面に形成された隔膜62を有する被加工体50が得られる。尚、隔膜62は、記録層20の凹凸パターンの凹部34の底面及び側面にも形成される。   Next, as shown in FIG. 18, a separation film 62 is formed on the recording layer 20 having a concavo-convex pattern by sputtering or the like (S202). The thickness and material of the diaphragm 62 may be the same as those of the diaphragm 21. The diaphragm 62 is formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer 20. Thereby, the to-be-processed body 50 which has the diaphragm 62 formed in the upper surface of 20 A of recording elements is obtained. The diaphragm 62 is also formed on the bottom and side surfaces of the concave portion 34 of the concave / convex pattern of the recording layer 20.

この被加工体50に、図19に示されるように充填材成膜工程(S108)を実行し、図20に示されるように第1被覆材成膜工程(S110)を実行し、更に、図21に示されるように第2被覆材成膜工程(S112)を実行する。   A filler film forming step (S108) is performed on the workpiece 50 as shown in FIG. 19, a first coating material film forming step (S110) is performed as shown in FIG. As shown in FIG. 21, the second covering material film forming step (S112) is performed.

次に、図22に示されるように被覆材エッチング工程(第2被覆材エッチング工程及び第1被覆材エッチング工程)(S114)を実行し、更に図23に示されるように充填材エッチング工程(S116)を実行する。これにより、記録要素20Aの上の隔膜62が露出する。尚、充填材エッチング工程(S116)の終了時において凹部34の上部の充填材36又は第1被覆材42の上面の高さと記録要素20Aの上の隔膜62の上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。   Next, a covering material etching step (second covering material etching step and first covering material etching step) (S114) is performed as shown in FIG. 22, and further a filling material etching step (S116) as shown in FIG. ). Thereby, the diaphragm 62 on the recording element 20A is exposed. At the end of the filler etching step (S116), the height of the upper surface of the filler 36 or the first covering material 42 above the recess 34 and the height of the upper surface of the diaphragm 62 above the recording element 20A substantially coincide with each other. Preferably it is.

次に、図24に示されるように、凹部34の上の充填材36又は第1被覆材42と記録要素20Aの上の隔膜62をエッチングして記録要素20Aの上の隔膜62を除去する(S118)。これにより、記録要素20Aの上面が露出し、更に記録要素20Aの上面と凹部34を充填する充填材36の上面の高さがほぼ等しくなる。即ち、被加工体50の表面が充分に平坦化される。   Next, as shown in FIG. 24, the filler 36 or the first covering material 42 on the recess 34 and the diaphragm 62 on the recording element 20A are etched to remove the diaphragm 62 on the recording element 20A (see FIG. 24). S118). Thereby, the upper surface of the recording element 20A is exposed, and the height of the upper surface of the recording element 20A and the upper surface of the filler 36 filling the concave portion 34 are substantially equal. That is, the surface of the workpiece 50 is sufficiently flattened.

更に、保護層成膜工程(S120)、潤滑層成膜工程(S122)を実行することにより、前記図14及び図15に示される磁気記録媒体60が得られる。   Further, the magnetic recording medium 60 shown in FIGS. 14 and 15 is obtained by executing the protective layer film forming step (S120) and the lubricating layer film forming step (S122).

次に、本発明の第3実施形態について説明する。前記第1及び第2実施形態では記録層20の上に隔膜21、62を形成して磁気記録媒体30、60を製造していたのに対し、本第3実施形態では記録層20の上に隔膜を形成しないで前記第1実施形態と同じ構成の磁気記録媒体10を製造する。尚、本第3実施形態の製造方法は前記第1及び第2実施形態の製造方法と多くの点が共通であるので共通の点については図1〜24と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。   Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the first and second embodiments, the diaphragms 21 and 62 are formed on the recording layer 20 to manufacture the magnetic recording media 30 and 60, whereas in the third embodiment, the recording layer 20 is formed on the recording layer 20. The magnetic recording medium 10 having the same configuration as that of the first embodiment is manufactured without forming a diaphragm. Since the manufacturing method of the third embodiment has many points in common with the manufacturing methods of the first and second embodiments, the same reference numerals as those in FIGS. Omitted.

まず、前記第2実施形態と同様に被加工体50の加工出発体に、前記第1実施形態と同様に樹脂層形成工程(S104)、記録層加工工程(S106)を実行することにより、前記図17に示されるような、多数の記録要素20Aに分割された凹凸パターンの記録層20を有し記録要素20Aの上に隔膜が存在しない被加工体50が得られる。   First, by performing the resin layer forming step (S104) and the recording layer processing step (S106) on the processing starting body of the workpiece 50 as in the second embodiment, the recording layer processing step (S106) is performed as in the first embodiment. As shown in FIG. 17, a workpiece 50 having a recording layer 20 with a concavo-convex pattern divided into a large number of recording elements 20A and having no diaphragm on the recording elements 20A is obtained.

この被加工体50に、図25に示されるように充填材成膜工程(S108)を実行する。この工程(S108)では、充填材36で凹部34を完全に充填してもよく、又、充填材36で凹部34を部分的に充填してもよい。記録層20の凹凸パターンの凹部34を充填する充填材36の上面の高さは、記録要素20Aの上面の高さに対して−4〜+10nmであることが好ましく、記録層20の凹凸パターンの凹部34を充填する充填材36の上面が、記録要素20Aの上面と一致していることが更に好ましい。次に、図26に示されるように第1被覆材成膜工程(S110)を実行し、更に図27に示されるように第2被覆材成膜工程(S112)を実行する。尚、充填材成膜工程(S108)において充填材36で凹部34を部分的に充填した場合、第1被覆材成膜工程(S110)において、第1被覆材42で凹部34を更に充填する。   A filler film forming step (S108) is performed on the workpiece 50 as shown in FIG. In this step (S <b> 108), the recess 34 may be completely filled with the filler 36, or the recess 34 may be partially filled with the filler 36. The height of the upper surface of the filler 36 filling the concave portion 34 of the concave / convex pattern of the recording layer 20 is preferably −4 to +10 nm with respect to the height of the upper surface of the recording element 20A. More preferably, the upper surface of the filler 36 filling the recess 34 is coincident with the upper surface of the recording element 20A. Next, a first covering material film forming step (S110) is performed as shown in FIG. 26, and a second covering material film forming step (S112) is further executed as shown in FIG. In addition, when the recessed part 34 is partially filled with the filler 36 in the filler film forming process (S108), the recessed part 34 is further filled with the first covering material 42 in the first covering material film forming process (S110).

次に、図28に示されるように被覆材エッチング工程(第1被覆材エッチング工程及び第2被覆材エッチング工程)(S114)を実行する。図28に示されるように、この工程の終了時において第2被覆材43が記録層20の凹凸パターンの凹部34の上に残存することが好ましい。   Next, as shown in FIG. 28, a covering material etching step (first covering material etching step and second covering material etching step) (S114) is performed. As shown in FIG. 28, it is preferable that the second covering material 43 remains on the concave portion 34 of the concave-convex pattern of the recording layer 20 at the end of this step.

次に、図29に示されるように充填材エッチング工程(S116)を実行する。被覆材エッチング工程(S114)の終了時において第2被覆材43が凹部34の上に残存している場合、凹部34の上の第2被覆材43はこの工程(S116)で完全に除去される。又、凹部34の上の第1被覆材42は、図29に示されるように記録要素20Aの上の充填材36と共に完全に除去されてもよいし、記録層20の凹凸パターンの凹部34の上に第1被覆材42が残存してもよい。   Next, as shown in FIG. 29, a filler etching step (S116) is performed. If the second coating material 43 remains on the recess 34 at the end of the coating material etching step (S114), the second coating material 43 on the recess 34 is completely removed in this step (S116). . Further, the first covering material 42 on the concave portion 34 may be completely removed together with the filler 36 on the recording element 20A as shown in FIG. 29, or the concave portion 34 of the concave / convex pattern of the recording layer 20 may be removed. The first covering material 42 may remain on the top.

この工程(S116)において凹部34の上の第1被覆材42が完全に除去される場合、凹部34の上の第1被覆材42が完全に除去された時点でエッチングを直ちに停止することが好ましい。又、この工程(S116)における充填材36のエッチングレートは第1被覆材42のエッチングレートの10倍以下であることが好ましい。   When the first covering material 42 on the recess 34 is completely removed in this step (S116), it is preferable to immediately stop the etching when the first covering material 42 on the recess 34 is completely removed. . The etching rate of the filler 36 in this step (S116) is preferably 10 times or less than the etching rate of the first covering material 42.

充填材成膜工程(S108)において記録要素20Aの上面のレベル又はこれよりも上まで凹部34の上に充填材36を成膜した場合、この工程(S116)において凹部34の上の第1被覆材42を完全に除去し、この工程(S116)の終了時において凹部34を充填する充填材36の上面の高さと記録要素20Aの上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。「充填材36の上面の高さが記録要素20Aの上面の高さとほぼ一致する」とは、両者の上面の高さの差が±4nmの範囲内であることを意味する。   In the filler film forming step (S108), when the filler 36 is formed on the concave portion 34 up to the level of the upper surface of the recording element 20A or above, the first coating on the concave portion 34 in this step (S116). The material 42 is completely removed, and it is preferable that the height of the upper surface of the filler 36 filling the concave portion 34 and the height of the upper surface of the recording element 20A substantially coincide with each other at the end of this step (S116). “The height of the upper surface of the filler 36 substantially coincides with the height of the upper surface of the recording element 20 </ b> A” means that the difference in height between the upper surfaces of the both is within a range of ± 4 nm.

この工程(S116)において、凹部34の上の第1被覆材42を完全に除去する場合、更に、保護層成膜工程(S120)、潤滑層成膜工程(S122)を実行することにより、前記図2及び図3に示される磁気記録媒体30が得られる。尚、充填材エッチング工程(S116)と保護層成膜工程(S120)との間で希ガス等の加工用ガスを用いたドライエッチングにより記録要素20Aの上面部を除去してもよい(記録要素上面部除去工程)。この場合、凹部34を充填する充填材36の上面部も除去される。本第3実施形態では記録層20の上に隔膜が形成されないため、記録層20の上の第1マスク層22を除去する加工等で記録要素20Aの上面近傍が変質する可能性があるが、仮にこのような変質が生じても、記録要素20Aの上面近傍の変質した部分を除去することで磁気特性の劣化を防止できる。又、充填材エッチング工程(S116)の終了時に記録要素20Aの上面と凹部34を充填する充填材36の上面とに段差がある場合、この段差を低減するように両者のエッチングレートに差があるドライエッチングを用いて記録要素20Aの上面部及び充填材36の上面部を除去することで、平坦化を促進することができる。   In this step (S116), when the first covering material 42 on the concave portion 34 is completely removed, the protective layer film forming step (S120) and the lubricating layer film forming step (S122) are further performed, thereby The magnetic recording medium 30 shown in FIGS. 2 and 3 is obtained. Note that the upper surface portion of the recording element 20A may be removed by dry etching using a processing gas such as a rare gas between the filler etching step (S116) and the protective layer deposition step (S120) (recording element). Top surface removal step). In this case, the upper surface portion of the filler 36 filling the recess 34 is also removed. In the third embodiment, since no diaphragm is formed on the recording layer 20, there is a possibility that the vicinity of the upper surface of the recording element 20 </ b> A may be altered by processing for removing the first mask layer 22 on the recording layer 20. Even if such alteration occurs, deterioration of the magnetic characteristics can be prevented by removing the altered portion near the upper surface of the recording element 20A. Further, when there is a step between the upper surface of the recording element 20A and the upper surface of the filler 36 filling the recess 34 at the end of the filler etching step (S116), there is a difference between the etching rates of the two so as to reduce this step. By removing the upper surface portion of the recording element 20A and the upper surface portion of the filler 36 using dry etching, planarization can be promoted.

一方、充填材成膜工程(S108)において記録要素20Aの上面のレベルよりも下までしか凹部34の上に充填材36を成膜しなかった場合、この工程(S116)では第1被覆材42が凹部34の上に残存するように充填材36をエッチングする。このように第1被覆材42が記録層20の凹凸パターンの凹部34の上に残存する場合、凹部34内の充填材36をエッチングから保護しつつ、記録要素20Aの上の余剰の充填材36を除去できる。第1被覆材42は凹部34の上部を完全に覆うように残存してもよく、凹部34の上部を部分的に覆うように残存してもよい。凹部34の上部に第1被覆材42が残存する場合、この工程(S116)の終了時において凹部34の上部の第1被覆材42の上面の高さと記録要素20Aの上面の高さとがほぼ一致していることが好ましい。「第1被覆材42の上面の高さが記録要素20Aの上面の高さとほぼ一致する」とは、両者の上面の高さの差が±4nmの範囲内であることを意味する。上述のように充填材36、第1被覆材42、第2被覆材43に対するエッチングレートを調整することで、凹部34を充填する充填材36の上面又は凹部34の上の第1被覆材42の上面の高さと記録要素20Aの上面の高さとをほぼ一致させることができる。   On the other hand, in the filler film forming step (S108), when the filler material 36 is deposited on the recess 34 only below the level of the upper surface of the recording element 20A, in this step (S116), the first covering material 42 is formed. The filler 36 is etched so as to remain on the recess 34. As described above, when the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the concave-convex pattern of the recording layer 20, the excessive filler 36 on the recording element 20A is protected while protecting the filler 36 in the concave portion 34 from etching. Can be removed. The first covering material 42 may remain so as to completely cover the upper portion of the concave portion 34, or may remain so as to partially cover the upper portion of the concave portion 34. When the first covering material 42 remains above the recess 34, the height of the upper surface of the first covering material 42 above the recess 34 and the height of the upper surface of the recording element 20A are substantially equal at the end of this step (S116). It is preferable to do it. “The height of the upper surface of the first covering material 42 substantially coincides with the height of the upper surface of the recording element 20 </ b> A” means that the difference in height between the upper surfaces of the first covering material 42 is within a range of ± 4 nm. As described above, by adjusting the etching rate for the filler 36, the first covering material 42, and the second covering material 43, the upper surface of the filling material 36 that fills the recess 34 or the first covering material 42 on the recess 34. It is possible to make the height of the upper surface substantially coincide with the height of the upper surface of the recording element 20A.

このように充填材エッチング工程(S116)の終了時において、凹部34の上部に第1被覆材42が残存する場合、充填材エッチング工程(S116)の後にドライエッチング法により第1被覆材42及び記録要素20Aをエッチングして記録層20の凹凸パターンの凹部34の上に残存する第1被覆材42及び記録要素20Aの上面近傍の部分を除去する(第1被覆材除去工程)。上述のように、本第3実施形態では記録層20の上に隔膜が形成されないため、記録層20の上の第1マスク層22を除去する加工等で記録要素20Aの上面近傍が変質する可能性があるが、仮にこのような変質が生じても、この工程で記録要素20Aの上面近傍の変質した部分は除去されるので磁気特性の劣化を防止できる。又、充填材エッチング工程(S116)の終了時に記録要素20Aの上面と凹部34の上の第1被覆材42の上面とに段差がある場合、この段差を低減するように両者のエッチングレートに差があるドライエッチングを用いて記録要素20Aの上面部及び第1被覆材42を除去することで、平坦化を促進することができる。更に、保護層成膜工程(S118)、潤滑層成膜工程(S120)を実行することにより、前記図2及び図3に示される磁気記録媒体30が得られる。   As described above, when the first covering material 42 remains on the upper portion of the recess 34 at the end of the filling material etching step (S116), the first covering material 42 and the recording are recorded by the dry etching method after the filling material etching step (S116). The element 20A is etched to remove the first covering material 42 remaining on the concave portion 34 of the uneven pattern of the recording layer 20 and the portion near the upper surface of the recording element 20A (first covering material removing step). As described above, since the diaphragm is not formed on the recording layer 20 in the third embodiment, the vicinity of the upper surface of the recording element 20A can be altered by processing for removing the first mask layer 22 on the recording layer 20 or the like. However, even if such a change occurs, the deteriorated portion in the vicinity of the upper surface of the recording element 20A is removed in this step, so that the deterioration of the magnetic characteristics can be prevented. Further, if there is a step between the upper surface of the recording element 20A and the upper surface of the first covering material 42 above the recess 34 at the end of the filler etching step (S116), the difference between the etching rates of the two is reduced so as to reduce this step. The planarization can be promoted by removing the upper surface portion of the recording element 20 </ b> A and the first covering material 42 using some dry etching. Further, the magnetic recording medium 30 shown in FIGS. 2 and 3 is obtained by executing the protective layer film forming step (S118) and the lubricating layer film forming step (S120).

尚、前記第1〜第3実施形態において、1段階の被覆材エッチング工程(S114)で、第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第2被覆材43をエッチングし、更に、充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第1被覆材42をエッチングしているが、図30のフローチャートに示される本発明の第4実施形態のように、まず第2被覆材エッチング工程(S114A)で第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第2被覆材43をエッチングし、次に、第1被覆材エッチング工程(S114B)で充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第1被覆材42をエッチングしてもよい。尚、本第4実施形態の製造方法は前記第1〜第3実施形態の製造方法と多くの点が共通であるので共通の点については図1〜29と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。第2被覆材エッチング工程(S114A)では第1被覆材エッチング工程(S114B)のドライエッチング法と同じドライエッチング法を用いてもよく、第1被覆材エッチング工程(S114B)のドライエッチング法と異なるドライエッチング法を用いてもよいが、第2被覆材エッチング工程(S114A)では、第1被覆材エッチング工程(S114B)におけるよりも、第2被覆材43のエッチングレートが高いドライエッチング法を用いることが好ましい。又、第1被覆材エッチング工程(S114B)では、第1被覆材42のエッチングレートが第2被覆材43のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法を用いることが好ましい。   In the first to third embodiments, in the one-step covering material etching step (S114), the second covering material 43 is etched until a portion of the first covering material 42 above the recording element 20A is exposed, Further, the first covering material 42 is etched until the portion of the filler 36 above the recording element 20A is exposed. First, as in the fourth embodiment of the present invention shown in the flowchart of FIG. In the covering material etching step (S114A), the second covering material 43 is etched until a portion of the first covering material 42 above the recording element 20A is exposed. Next, in the first covering material etching step (S114B), the filler 36 is etched. The first covering material 42 may be etched until the portion above the recording element 20A is exposed. Since the manufacturing method of the fourth embodiment has many points in common with the manufacturing methods of the first to third embodiments, the same reference numerals as those in FIGS. Omitted. In the second coating material etching step (S114A), the same dry etching method as the dry etching method in the first coating material etching step (S114B) may be used, or a dry etching method different from the dry etching method in the first coating material etching step (S114B). Although an etching method may be used, in the second coating material etching step (S114A), a dry etching method in which the etching rate of the second coating material 43 is higher than that in the first coating material etching step (S114B) is used. preferable. In the first covering material etching step (S114B), it is preferable to use a dry etching method in which the etching rate of the first covering material 42 is the same as or higher than the etching rate of the second covering material 43.

又、前記第1〜第4実施形態において、被覆材エッチング工程(S114)、第2被覆材エッチング工程(S114A)、第1被覆材エッチング工程(S114B)で用いるドライエッチング法の例として、加工用ガスとしてAr、Kr、Xe等の希ガス、Oガス、Nガス又はNHガスと希ガスとの混合ガス、CH、C、C、SF、CHF等のF(フッ素)系ガス、希ガスとF系ガスとの混合ガス、Oガス、Nガス又はNHガスとF系ガスとの混合ガスを用いたIBE又はRIEが示されているが、凹部34の上の第2被覆材43で凹部34の上の第1被覆材42のエッチングを防止又は抑制しつつ、充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第1被覆材42が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第1被覆材42をエッチングできるドライエッチング法であれば他のドライエッチング法を用いてもよい。 In the first to fourth embodiments, as an example of the dry etching method used in the coating material etching step (S114), the second coating material etching step (S114A), and the first coating material etching step (S114B) As gas, rare gas such as Ar, Kr, Xe, etc., mixed gas of O 2 gas, N 2 gas or NH 3 gas and rare gas, CH 4 , C 2 F 6 , C 4 F 8 , SF 6 , CHF 3, etc. IBE or RIE using F (fluorine) gas, mixed gas of rare gas and F gas, O 2 gas, N 2 gas, or mixed gas of NH 3 gas and F gas is shown. While the second coating material 43 above the recess 34 prevents or suppresses the etching of the first coating material 42 above the recess 34, the portion of the filler 36 above the recording element 20A is exposed, and the first Covering material 42 is uneven pattern Any other dry etching method may be used as long as it is a dry etching method capable of etching the first covering material 42 so as to remain on the concave portion 34 of the metal.

第2被覆材エッチング工程(S114A)、第1被覆材エッチング工程(S114B)における、充填材36、第1被覆材42、第2被覆材43の材料、ドライエッチングの加工用ガスの好ましい組合せを表1に示す。尚、前記第1〜第3実施形態のように1段階の被覆材エッチング工程(S114)で、第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第2被覆材43をエッチングし、更に、充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第1被覆材42をエッチングする場合、表1において第1被覆材エッチング工程(S114B)用のガスとして示される加工用ガスを用いればよい   A preferable combination of the filler 36, the first covering material 42, the material of the second covering material 43, and the dry etching processing gas in the second covering material etching step (S114A) and the first covering material etching step (S114B) is shown. It is shown in 1. In the first coating material etching step (S114) as in the first to third embodiments, the second coating material 43 is etched until a portion of the first coating material 42 above the recording element 20A is exposed. Further, when the first covering material 42 is etched until the portion of the filler 36 above the recording element 20A is exposed, the processing gas shown in Table 1 as the gas for the first covering material etching step (S114B) is used. Use

Figure 2009176360
Figure 2009176360

又、前記第1〜第3実施形態において、第1被覆材エッチング工程を含む被覆材エッチング工程(S114)で第1被覆材42のエッチングレートが第2被覆材43のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法を用いているが、充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第1被覆材42が凹凸パターンの凹部34の上に残存するようにエッチングできれば、第1被覆材42のエッチングレートが第2被覆材43のエッチングレートよりも低いドライエッチング法を用いてもよい。   In the first to third embodiments, the etching rate of the first coating material 42 is the same as or higher than the etching rate of the second coating material 43 in the coating material etching step (S114) including the first coating material etching step. However, if etching can be performed so that the portion of the filler 36 above the recording element 20A is exposed and the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the concavo-convex pattern, A dry etching method in which the etching rate of the first covering material 42 is lower than the etching rate of the second covering material 43 may be used.

又、前記第1〜第3実施形態において、充填材エッチング工程(S116)で用いるドライエッチング法の例として、加工用ガスとしてOガス等の酸素を含むガス、Nガス、NHガス等の窒素を含むガス、CH、C、C、SF、CHF等のF系ガス、Oガス等の酸素を含むガスとF系ガスとの混合ガス、Ar、Kr、Xe等の希ガスを用いたIBE又はRIEが示されているが、充填材36のエッチングレートが第1被覆材42のエッチングレートよりも高いドライエッチング法であれば他のドライエッチング法を用いてもよい。前記第4実施形態についても同様である。充填材エッチング工程(S116)における、充填材36、第1被覆材42、隔膜21(62)、ドライエッチングの加工用ガスの好ましい組合せを表2に示す。 In the first to third embodiments, as an example of the dry etching method used in the filler etching step (S116), a gas containing oxygen such as O 2 gas, N 2 gas, NH 3 gas, etc. as a processing gas Nitrogen-containing gas, CH 4 , C 2 F 6 , C 4 F 8 , SF 6 , CHF 3 and other F-based gas, O 2 gas and other oxygen-containing gas and F-based gas, Ar, Although IBE or RIE using a rare gas such as Kr or Xe is shown, other dry etching methods can be used as long as the etching rate of the filler 36 is higher than the etching rate of the first covering material 42. It may be used. The same applies to the fourth embodiment. Table 2 shows preferable combinations of the filler 36, the first covering material 42, the diaphragm 21 (62), and the dry etching processing gas in the filler etching step (S116).

Figure 2009176360
Figure 2009176360

又、前記第1〜第3実施形態において、被覆材エッチング工程(S114)、充填材エッチング工程(S116)、隔膜除去工程(S118)における加工用ガスの入射角として被加工体10の表面に対して垂直な90°が例示されているが、加工用ガスの入射角は例えば被加工体10の表面に対して2°程度の小さな角度に設定してもよい。このように加工用ガスの入射角を小さく設定することで凸部が凹部よりも速くエッチングされる傾向が高くなる。前記第4実施形態についても同様である。   In the first to third embodiments, the incident angle of the processing gas in the covering material etching step (S114), the filler etching step (S116), and the diaphragm removing step (S118) is the surface of the workpiece 10. However, the angle of incidence of the processing gas may be set to a small angle of about 2 ° with respect to the surface of the workpiece 10, for example. Thus, the tendency for a convex part to be etched faster than a recessed part becomes high by setting the incident angle of processing gas small. The same applies to the fourth embodiment.

又、前記第1〜第3実施形態において、隔膜除去工程(S118)や第1被覆材除去工程で記録要素20Aの上の隔膜21(62)や凹部34の上に残存する第1被覆材42を除去する例が示されているが、記録要素20Aの上の隔膜21(62)や凹部34の上の第1被覆材42が最終製品に残存しても実用上問題がなければ、隔膜除去工程(S118)や第1被覆材除去工程を省略してもよい。又、隔膜除去工程(S118)や第1被覆材除去工程を実行し、隔膜除去工程(S118)や第1被覆材除去工程の終了時において最終製品に残存しても実用上問題がない程度に記録要素20Aの上の隔膜21(62)や凹部34の上の第1被覆材42を残存させてもよい。前記第4実施形態についても同様である。   In the first to third embodiments, the first covering material 42 remaining on the diaphragm 21 (62) and the recess 34 on the recording element 20A in the diaphragm removing step (S118) and the first covering material removing step. However, if there is no practical problem even if the diaphragm 21 (62) on the recording element 20A and the first covering material 42 on the recess 34 remain in the final product, the diaphragm is removed. The step (S118) and the first covering material removal step may be omitted. In addition, the diaphragm removing step (S118) and the first covering material removing step are executed, and there is no practical problem even if they remain in the final product at the end of the diaphragm removing step (S118) and the first covering material removing step. The diaphragm 21 (62) on the recording element 20A and the first covering material 42 on the recess 34 may remain. The same applies to the fourth embodiment.

又、前記第1〜第3実施形態において、第2被覆材成膜工程(S112)の終了時において第2被覆材43の上面の凹凸の段差が第1被覆材42の上面の凹凸の段差よりも小さくなっており、このことが、凹部34の上の第2被覆材43で凹部34の上の第1被覆材42のエッチングを防止又は抑制しつつ、第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第2被覆材43が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第2被覆材43をエッチングし、更に、充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第1被覆材42が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第1被覆材42をエッチングすることに寄与しているが、第2被覆材成膜工程(S112)の終了時において第2被覆材43の上面の凹凸の段差が第1被覆材42の上面の凹凸の段差よりも小さくなっていなくても、凸部を凹部よりも速くエッチングするドライエッチングの作用により、第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第2被覆材43が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第2被覆材43をエッチングし、更に、充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出し、且つ、第1被覆材42が凹凸パターンの凹部34の上に残存するように第1被覆材42をエッチングすることは可能である。前記第4実施形態についても同様である。   In the first to third embodiments, the uneven step on the upper surface of the second covering material 43 is more uneven than the uneven step on the upper surface of the first covering material 42 at the end of the second covering material film forming step (S112). This is because the second covering material 43 on the concave portion 34 prevents or suppresses the etching of the first covering material 42 on the concave portion 34, while the recording element 20 </ b> A in the first covering material 42 is The second covering material 43 is etched so that the upper portion is exposed and the second covering material 43 remains on the concave portion 34 of the concavo-convex pattern, and the portion of the filler 36 above the recording element 20A is further etched. It contributes to etching the first covering material 42 so that it is exposed and the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the concavo-convex pattern, but in the second covering material film forming step (S112). The top surface of the second covering material 43 at the end Even if the uneven step is not smaller than the uneven step on the upper surface of the first covering material 42, the top surface of the recording element 20 </ b> A in the first covering member 42 is obtained by the action of dry etching that etches the protruding portion faster than the recessed portion. And the second covering material 43 is etched so that the second covering material 43 remains on the concave portion 34 of the uneven pattern, and further, the portion of the filler 36 above the recording element 20A is exposed. In addition, it is possible to etch the first covering material 42 so that the first covering material 42 remains on the concave portion 34 of the uneven pattern. The same applies to the fourth embodiment.

又、前記第1〜第3実施形態において、第1マスク層22、第2マスク層24、樹脂層26を連続膜の記録層20の上に形成し、3段階のドライエッチングで記録層20を凹凸パターンに分割しているが、記録層20を高精度で所望の凹凸パターンに加工できれば、マスク層、樹脂層の材料、積層数、厚さ、ドライエッチングの種類等は特に限定されない。前記第4実施形態についても同様である。   In the first to third embodiments, the first mask layer 22, the second mask layer 24, and the resin layer 26 are formed on the continuous recording layer 20, and the recording layer 20 is formed by dry etching in three stages. Although it is divided into the concavo-convex pattern, the material of the mask layer, the resin layer, the number of layers, the thickness, the type of dry etching, and the like are not particularly limited as long as the recording layer 20 can be processed into a desired concavo-convex pattern with high accuracy. The same applies to the fourth embodiment.

又、前記第1〜第3実施形態において、記録要素20Aの上に残存する第1マスク層22を完全に除去してから充填材36を成膜しているが、第1マスク層22の材料と充填材36とが同じ材料又は類似の材料である場合には、記録要素20Aの上に第1マスク層22が残存した状態で充填材36を成膜してもよい。類似の材料としては例えば、SP混成軌道の炭素結合の割合が相互に異なるDLCや、DLCとDLCではないC(炭素)を挙げることができる。前記第4実施形態についても同様である。 In the first to third embodiments, the filler 36 is formed after the first mask layer 22 remaining on the recording element 20A is completely removed. And the filler 36 may be the same material or a similar material, the filler 36 may be formed with the first mask layer 22 remaining on the recording element 20A. Examples of similar materials include DLC having different carbon bond ratios in the SP 3 hybrid orbital and C (carbon) that is not DLC and DLC. The same applies to the fourth embodiment.

又、前記第1〜第3実施形態において、記録層20の下に軟磁性層16、配向層18が形成されているが、記録層20の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、軟磁性層16と基板12との間に下地層や反強磁性層を形成してもよい。又、軟磁性層16、配向層18の一方又は両方を省略してもよい。又、基板上に記録層を直接形成してもよい。前記第4実施形態についても同様である。   In the first to third embodiments, the soft magnetic layer 16 and the orientation layer 18 are formed under the recording layer 20, but the configuration of the layers under the recording layer 20 depends on the type of magnetic recording medium. What is necessary is just to change suitably according to it. For example, an underlayer or an antiferromagnetic layer may be formed between the soft magnetic layer 16 and the substrate 12. One or both of the soft magnetic layer 16 and the alignment layer 18 may be omitted. Further, the recording layer may be directly formed on the substrate. The same applies to the fourth embodiment.

又、前記第1〜第3実施形態において、磁気記録媒体30(又は60)は記録層20がトラックの径方向に微細な間隔で分割された垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で分割されたパターンドメディア、渦巻き形状の記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離して形成され凸部の上面に形成された部分が記録要素である記録層を有する磁気ディスク、凹部が厚さ方向の途中まで形成されて底部において連続した記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の凹凸パターンの記録層を有する磁気ディスクにも本発明は当然適用可能である。又、MO等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体にも本発明を適用可能である。前記第4実施形態についても同様である。   In the first to third embodiments, the magnetic recording medium 30 (or 60) is a perpendicular recording type discrete track medium in which the recording layer 20 is divided at fine intervals in the track radial direction. Patterned media divided at fine intervals in both the radial and circumferential directions, a magnetic disk having a spiral recording layer, and formed separately on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion under the concave and convex pattern The magnetic disk having a recording layer in which the portion formed on the upper surface of the convex portion is a recording element, the magnetic disk having the concave portion formed halfway in the thickness direction and having a continuous recording layer at the bottom, and the layer under the concave-convex pattern Of course, the present invention can also be applied to a magnetic disk having a recording layer with a concavo-convex pattern of a continuous film formed in accordance with the concavo-convex pattern. The present invention can also be applied to magneto-optical disks such as MO, heat-assisted magnetic disks that use both magnetism and heat, and magnetic recording media having a recording layer with other concavo-convex patterns other than the disk shape, such as magnetic tapes. It is. The same applies to the fourth embodiment.

前記第1実施形態のとおり、10枚の磁気記録媒体30のサンプルを作製した。具体的には、まず、記録層20を次の凹凸パターンに加工した(S106)。   As in the first embodiment, ten samples of the magnetic recording medium 30 were produced. Specifically, first, the recording layer 20 was processed into the next uneven pattern (S106).

記録要素20Aの径方向のピッチ:200nm
記録要素20Aの上面の径方向の幅:100nm
凹部の深さ(隔膜の上面から凹部の底面までの深さ):26nm
Pitch in the radial direction of the recording element 20A: 200 nm
Width in the radial direction of the upper surface of the recording element 20A: 100 nm
Recess depth (depth from the top surface of the diaphragm to the bottom surface of the recess): 26 nm

尚、記録層20の厚さは20nmだった。記録層20の材料はCoCr合金だった。又、隔膜21の厚さは2nmだった。隔膜21の材料はTaだった。   The recording layer 20 had a thickness of 20 nm. The material of the recording layer 20 was a CoCr alloy. Moreover, the thickness of the diaphragm 21 was 2 nm. The material of the diaphragm 21 was Ta.

次に、ECRプラズマCVD法により凹凸パターンの上に充填材36を次の成膜条件で成膜し、凹部34を充填材36で充填した(S108)。   Next, the filler 36 was formed on the concavo-convex pattern by the ECR plasma CVD method under the following film formation conditions, and the recess 34 was filled with the filler 36 (S108).

充填材36の材料:DLC
充填材36の成膜厚さ:28nm
原料ガス:CH(メタン)
原料ガスの流量:200sccm
チャンバー内圧力:1.33Pa
マイクロ波パワー:200W
RF電力:300W
Vdc(被加工体に実効的に印加される直流電圧):−460V
Filler material 36: DLC
Film thickness of filler 36: 28 nm
Source gas: CH 4 (methane)
Source gas flow rate: 200 sccm
Chamber pressure: 1.33Pa
Microwave power: 200W
RF power: 300W
Vdc (DC voltage effectively applied to the workpiece): -460V

充填材36も記録層20の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された。充填材36の表面の凹凸の段差は、充填材36の成膜前の被加工体10の表面の凹凸の段差と同じ26nmだった。又、凹部34の上の充填材36の上面の高さは記録要素20Aの上の隔膜21の上面の高さよりも高かった。   The filler 36 was also formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer 20. The uneven step on the surface of the filler 36 was 26 nm, the same as the uneven step on the surface of the workpiece 10 before the film formation of the filler 36. Further, the height of the upper surface of the filler 36 above the concave portion 34 was higher than the height of the upper surface of the diaphragm 21 above the recording element 20A.

次に、スパッタリング法により充填材36の上に第1被覆材42を次の成膜条件で成膜した(S110)。   Next, the first coating material 42 was deposited on the filler 36 under the following deposition conditions by sputtering (S110).

第1被覆材42の材料:Si
第1被覆材42の成膜厚さ:1nm
ソースパワー(ターゲットに印加された電力):500W
チャンバー内圧力:0.3Pa
ターゲットと被加工体10との距離:300mm
Material of the first covering material 42: Si
Deposition thickness of the first covering material 42: 1 nm
Source power (power applied to the target): 500W
Chamber pressure: 0.3Pa
Distance between target and workpiece 10: 300 mm

第1被覆材42も記録層20の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された。   The first covering material 42 was also formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer 20.

次に、ECRプラズマCVD法により第1被覆材42の上に第2被覆材43を次の成膜条件で成膜した(S112)。   Next, the second coating material 43 was formed on the first coating material 42 by the ECR plasma CVD method under the following film formation conditions (S112).

第2被覆材43の材料:DLC
第2被覆材43の成膜厚さ:98nm
原料ガス:CH(メタン)
原料ガスの流量:200sccm
チャンバー内圧力:1.33Pa
マイクロ波パワー:200W
RF電力:300W
Vdc(被加工体に実効的に印加される直流電圧):−460V
Material of second covering material 43: DLC
Deposition thickness of second covering material 43: 98 nm
Source gas: CH 4 (methane)
Source gas flow rate: 200 sccm
Chamber pressure: 1.33Pa
Microwave power: 200W
RF power: 300W
Vdc (DC voltage effectively applied to the workpiece): -460V

第2被覆材43も記録層20の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜されたが、第2被覆材43の表面の凹凸の段差は、充填材36の上面の凹凸の段差よりも減少した。具体的には、第2被覆材43の表面の凹凸の段差は8nmだった。尚、上記の成膜厚さ(98nm)は凹部の上における厚さである。   The second covering material 43 was also formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer 20, but the uneven step on the surface of the second covering material 43 was smaller than the uneven step on the top surface of the filler 36. . Specifically, the uneven step on the surface of the second covering material 43 was 8 nm. The film thickness (98 nm) is the thickness above the recess.

次に、IBEにより加工用ガスとしてArガス及びOガスの混合ガスを用いて、次の条件で第1被覆材42における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第2被覆材43をエッチングし、更に充填材36における記録要素20Aの上の部分が露出するまで第1被覆材42をエッチングした(S114)。 Next, the second coating material 43 is etched by IBE using a mixed gas of Ar gas and O 2 gas as a processing gas until the portion above the recording element 20A in the first coating material 42 is exposed under the following conditions. Further, the first covering material 42 was etched until a portion of the filler 36 above the recording element 20A was exposed (S114).

Arガスの流量:8sccm
ガスの流量:30sccm
チャンバー内圧力:0.08Pa
加工用ガスの入射角:90°
ビーム電圧:500V
ビーム電流:400mA
サプレッサー電圧:−400V
Ar gas flow rate: 8 sccm
O 2 gas flow rate: 30 sccm
Chamber pressure: 0.08Pa
Processing gas incident angle: 90 °
Beam voltage: 500V
Beam current: 400mA
Suppressor voltage: -400V

エッチングを1分50秒間行った時点でエッチングを停止した。記録要素20Aの上の第1被覆材42は完全に除去された。一方、凹部34の上には、第2被覆材43及び第1被覆材42が残存した。この時点で被加工体10の表面の凹凸の段差は5nmだった。尚、この条件における第2被覆材43、第1被覆材42、充填材36のエッチングレートは以下のとおりである。   The etching was stopped when the etching was performed for 1 minute 50 seconds. The first dressing 42 on the recording element 20A was completely removed. On the other hand, the second coating material 43 and the first coating material 42 remained on the recess 34. At this time, the uneven step on the surface of the workpiece 10 was 5 nm. Note that the etching rates of the second covering material 43, the first covering material 42, and the filler 36 under these conditions are as follows.

第2被覆材43(DLC):0.87nm/sec
第1被覆材42(Si):0.90nm/sec
充填材36(DLC):0.87nm/sec
Second covering material 43 (DLC): 0.87 nm / sec
First covering material 42 (Si): 0.90 nm / sec
Filler 36 (DLC): 0.87 nm / sec

尚、これらのエッチングレートは平坦な膜をエッチングした場合のエッチングレートであり、凹部におけるエッチングレートとほぼ等しい。又、凸部におけるエッチングレートはこれらのエッチングレートよりも高い。後述する他のエッチングレートについても同様である。   These etching rates are etching rates when a flat film is etched, and are substantially equal to the etching rates in the recesses. Further, the etching rate at the convex portion is higher than these etching rates. The same applies to other etching rates described later.

次に、IBEにより加工用ガスとしてArガス及びOガスの混合ガス用いて、次の条件で記録要素20Aの上の余剰の充填材36を除去した(S116)。 Next, excess filler 36 on the recording element 20 </ b > A was removed under the following conditions by using a mixed gas of Ar gas and O 2 gas as a processing gas by IBE (S 116).

Arガスの流量:3sccm
ガスの流量:50sccm
チャンバー内圧力:0.08Pa
加工用ガスの入射角:90°
ビーム電圧:500V
ビーム電流:400mA
サプレッサー電圧:−400V
Ar gas flow rate: 3 sccm
O 2 gas flow rate: 50 sccm
Chamber pressure: 0.08Pa
Processing gas incident angle: 90 °
Beam voltage: 500V
Beam current: 400mA
Suppressor voltage: -400V

エッチングを15秒間行った時点でエッチングを停止した。記録要素20Aの上の充填材36は完全に除去された。又、凹部34の上の第2被覆材43及び第1被覆材42も完全に除去された。この時点で被加工体10の表面の凹凸の段差は1.4nmだった。尚、この条件における第2被覆材43、第1被覆材42、充填材36、隔膜21のエッチングレートは以下のとおりである。   The etching was stopped when the etching was performed for 15 seconds. The filler material 36 above the recording element 20A was completely removed. Further, the second covering material 43 and the first covering material 42 on the concave portion 34 were also completely removed. At this time, the unevenness on the surface of the workpiece 10 was 1.4 nm. Note that the etching rates of the second covering material 43, the first covering material 42, the filler 36, and the diaphragm 21 under these conditions are as follows.

第2被覆材43(DLC):1.26nm/sec
第1被覆材42(Si):0.10nm/sec
充填材36(DLC):1.26nm/sec
隔膜21(Ta):0.10nm/sec
Second covering material 43 (DLC): 1.26 nm / sec
First covering material 42 (Si): 0.10 nm / sec
Filler 36 (DLC): 1.26 nm / sec
Diaphragm 21 (Ta): 0.10 nm / sec

次に、IBEにより加工用ガスとしてArガスを用いて、次の条件で記録要素20Aの上の隔膜21及び凹部34の上の充填材36をエッチングし記録要素20Aの上の隔膜21を除去した(S118)。   Next, by using Ar gas as a processing gas by IBE, the diaphragm 21 on the recording element 20A and the filler 36 on the recess 34 are etched under the following conditions to remove the diaphragm 21 on the recording element 20A. (S118).

Arガスの流量:16sccm
チャンバー内圧力:0.04Pa
加工用ガスの入射角:90°
ビーム電圧:500V
ビーム電流:500mA
サプレッサー電圧:400V
Ar gas flow rate: 16 sccm
Chamber pressure: 0.04 Pa
Processing gas incident angle: 90 °
Beam voltage: 500V
Beam current: 500 mA
Suppressor voltage: 400V

エッチングを4秒間行った時点でエッチングを停止した。記録要素20Aの上の隔膜21は完全に除去された。尚、この条件における隔膜21、充填材36のエッチングレートは以下のとおりである。   The etching was stopped when the etching was performed for 4 seconds. The diaphragm 21 above the recording element 20A was completely removed. Note that the etching rates of the diaphragm 21 and the filler 36 under these conditions are as follows.

隔膜21(Ta):0.35nm/sec
充填材36(DLC):0.08nm/sec
Diaphragm 21 (Ta): 0.35 nm / sec
Filler 36 (DLC): 0.08 nm / sec

このようにして得られた各サンプルの4箇所の部位において、被加工体10の表面における記録要素20Aの上の径方向の中央の上の部分とこれに隣接する凹部34の径方向の中央の上の部分との段差をAFM(原子間力顕微鏡)を用いて測定した。10枚のサンプルの段差の相加平均値は0.3nmであった。即ち、表面が充分に平坦化されていることが確認された。   In the four portions of each sample thus obtained, the upper portion of the radial center of the recording element 20A on the surface of the workpiece 10 and the radial center of the concave portion 34 adjacent thereto are provided. The level difference from the upper part was measured using an AFM (Atomic Force Microscope). The arithmetic average value of the steps of the 10 samples was 0.3 nm. That is, it was confirmed that the surface was sufficiently flattened.

[比較例]
上記実施例に対し、製造条件を変更して10枚の磁気記録媒体のサンプルを作製した。具体的には、第1被覆材42及び第2被覆材43を成膜しなかった。又、充填材成膜工程(S108)において、充填材36を127nmの厚さで成膜した。尚、この厚さ(127nm)は、凹部における厚さであり、前記実施例の充填材36、第1被覆材42及び第2被覆材43の合計の厚さと等しい。充填材36は記録層20の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜されたが、充填材36の表面の凹凸の段差は、充填材36を成膜する前の被加工体10の表面の凹凸の段差よりも減少した。具体的には、充填材36の表面の凹凸の段差は8nmだった。
[Comparative example]
10 magnetic recording medium samples were manufactured by changing the manufacturing conditions with respect to the above example. Specifically, the first coating material 42 and the second coating material 43 were not formed. In the filler film forming step (S108), the filler 36 was formed to a thickness of 127 nm. This thickness (127 nm) is the thickness in the recess, and is equal to the total thickness of the filler 36, the first covering material 42, and the second covering material 43 of the above-described embodiment. The filler 36 was formed in a concavo-convex pattern following the concavo-convex pattern of the recording layer 20, but the uneven step on the surface of the filler 36 was uneven on the surface of the workpiece 10 before the filler 36 was formed. Decreased than the level difference. Specifically, the uneven step on the surface of the filler 36 was 8 nm.

次に、IBEにより加工用ガスとしてArガス及びOガスの混合ガス用いて、次の条件で記録要素20Aの上の余剰の充填材36を除去した。 Next, the excess filler 36 on the recording element 20A was removed under the following conditions using a mixed gas of Ar gas and O 2 gas as processing gas by IBE.

Arガスの流量:8sccm
ガスの流量:30sccm
チャンバー内圧力:0.08Pa
加工用ガスの入射角:90°
ビーム電圧:500V
ビーム電流:400mA
サプレッサー電圧:400V
Ar gas flow rate: 8 sccm
O 2 gas flow rate: 30 sccm
Chamber pressure: 0.08Pa
Processing gas incident angle: 90 °
Beam voltage: 500V
Beam current: 400mA
Suppressor voltage: 400V

エッチングを2分2秒間行った時点でエッチングを停止した。隔膜21の上面は露出した。又、充填材36における記録層20の凹凸パターンの凹部34の上の部分の上面の高さは隔膜21の上面の高さよりも低かった。即ち、充填材36における凹部34の上の部分の上面は記録要素20Aの上の隔膜21の上面よりも基板12側に凹んでいた。この時点で被加工体10の表面の凹凸の段差は4.5nmだった。尚、この条件における充填材36、隔膜21のエッチングレートは以下のとおりである。   The etching was stopped when the etching was performed for 2 minutes and 2 seconds. The upper surface of the diaphragm 21 was exposed. Further, the height of the upper surface of the portion of the filler 36 on the concave / convex pattern of the recording layer 20 above the concave portion 34 was lower than the height of the upper surface of the diaphragm 21. That is, the upper surface of the portion of the filler 36 above the recess 34 is recessed closer to the substrate 12 than the upper surface of the diaphragm 21 above the recording element 20A. At this time, the uneven step on the surface of the workpiece 10 was 4.5 nm. Note that the etching rates of the filler 36 and the diaphragm 21 under these conditions are as follows.

充填材36(DLC):0.87nm/sec
隔膜21(Ta):0.86nm/sec
Filler 36 (DLC): 0.87 nm / sec
Diaphragm 21 (Ta): 0.86 nm / sec

次に、IBEにより加工用ガスとしてArガスを用いて、次の条件で記録要素20Aの上の隔膜21及び凹部34の上の充填材36をエッチングし記録要素20Aの上の隔膜21を除去した。   Next, by using Ar gas as a processing gas by IBE, the diaphragm 21 on the recording element 20A and the filler 36 on the recess 34 are etched under the following conditions to remove the diaphragm 21 on the recording element 20A. .

Arガスの流量:16sccm
チャンバー内圧力:0.04Pa
加工用ガスの入射角:90°
ビーム電圧:500V
ビーム電流:500mA
サプレッサー電圧:400V
Ar gas flow rate: 16 sccm
Chamber pressure: 0.04 Pa
Processing gas incident angle: 90 °
Beam voltage: 500V
Beam current: 500 mA
Suppressor voltage: 400V

エッチングを4秒間行った時点でエッチングを停止した。記録要素20Aの上の隔膜21は完全に除去された。尚、この条件における隔膜21、充填材36のエッチングレートは以下のとおりである。   The etching was stopped when the etching was performed for 4 seconds. The diaphragm 21 above the recording element 20A was completely removed. Note that the etching rates of the diaphragm 21 and the filler 36 under these conditions are as follows.

隔膜21(Ta):0.35nm/sec
充填材36(DLC):0.08nm/sec
Diaphragm 21 (Ta): 0.35 nm / sec
Filler 36 (DLC): 0.08 nm / sec

このようにして得られた各サンプルの4箇所の部位において、前記実施例と同様に被加工体10の表面における記録要素20Aの上の径方向の中央の上の部分とこれに隣接する凹部34の径方向の中央の上の部分との段差をAFM(原子間力顕微鏡)を用いて測定した。10枚のサンプルの段差の相加平均値は3.4nmであった。   In the four portions of each sample obtained in this way, the upper portion of the center in the radial direction above the recording element 20A on the surface of the workpiece 10 and the concave portion 34 adjacent to the same in the same manner as in the previous embodiment. The step with respect to the upper part in the center in the radial direction was measured using an AFM (atomic force microscope). The arithmetic average value of the steps of the 10 samples was 3.4 nm.

ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアのような面記録密度が高い磁気記録媒体では、数nm〜十数nmのヘッド浮上高さが想定されている。上記のように、第1被覆材42、第2被覆材43を成膜しないで充填材36をエッチングした比較例では、想定されるヘッド浮上高さと表面の段差とが同程度であったのに対し、充填材36の上に第1被覆材42及び第2被覆材43を成膜してから所定のエッチング条件で第2被覆材43、第1被覆材42、充填材36を順次エッチングした実施例では、想定されるヘッド浮上高さよりも表面の段差が著しく小さく抑制されていた。即ち、充填材の上に第1被覆材及び第2被覆材を成膜してから前記各実施形態で示されるエッチング条件で第2被覆材、第1被覆材、充填材を順次エッチングすることで、表面を充分に平坦化できることが確認された。   In a magnetic recording medium having a high surface recording density such as a discrete track medium or a patterned medium, a head flying height of several nanometers to several tens of nanometers is assumed. As described above, in the comparative example in which the filler 36 was etched without forming the first covering material 42 and the second covering material 43, the estimated head flying height and the surface step were similar. On the other hand, the first covering material 42 and the second covering material 43 are formed on the filling material 36 and then the second covering material 43, the first covering material 42, and the filling material 36 are sequentially etched under predetermined etching conditions. In the example, the step on the surface was suppressed to be significantly smaller than the assumed head flying height. That is, the first coating material and the second coating material are formed on the filler, and then the second coating material, the first coating material, and the filler are sequentially etched under the etching conditions described in the above embodiments. It was confirmed that the surface can be sufficiently flattened.

本発明は、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアのような凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造に利用できる。   The present invention can be used for manufacturing a magnetic recording medium having a recording layer with a concavo-convex pattern such as a discrete track medium and a patterned medium.

本発明の第1実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す断面図Sectional drawing which shows typically the structure of the starting body of the to-be-processed body in the manufacturing process of the magnetic-recording medium which concerns on 1st Embodiment of this invention. 同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction schematically showing the structure of a magnetic recording medium obtained by processing the workpiece 同磁気記録媒体の記録層の周辺の構造を拡大して示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which expands and shows the structure around the recording layer of the magnetic recording medium 同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャートFlow chart showing an outline of the manufacturing process of the magnetic recording medium 凹凸パターンの樹脂層が形成された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body in which the resin layer of the uneven | corrugated pattern was formed 記録層及び隔膜が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing which follows the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body by which the recording layer and the diaphragm were processed into the uneven | corrugated pattern 同記録層及び隔膜の上に充填材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body by which the filler was formed on the recording layer and the diaphragm 同充填材の上に第1被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body by which the 1st coating material was formed into a film on the filler 同第1被覆材の上に第2被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body by which the 2nd coating material was formed into a film on the 1st coating material 同第2被覆材及び第1被覆材がエッチングされて記録要素の上の充填材が露出した同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body which the 2nd coating material and the 1st coating material were etched, and the filler on the recording element was exposed 同記録要素の上の充填材がエッチングされた同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body in which the filler on the same recording element was etched 記録要素の上の隔膜が除去された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing which follows the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body from which the diaphragm on the recording element was removed 本発明の第2実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す断面図Sectional drawing which shows typically the structure of the starting body of the to-be-processed object in the manufacturing process of the magnetic-recording medium based on 2nd Embodiment of this invention. 同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction schematically showing the structure of a magnetic recording medium obtained by processing the workpiece 同磁気記録媒体の記録層の周辺の構造を拡大して示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which expands and shows the structure around the recording layer of the magnetic recording medium 同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャートFlow chart showing an outline of the manufacturing process of the magnetic recording medium 記録層が凹凸パターンに加工された前記被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the said to-be-processed body by which the recording layer was processed into the uneven | corrugated pattern 同記録層の上に隔膜が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction schematically showing the shape of the workpiece in which a diaphragm is formed on the recording layer 同隔膜の上に充填材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed object in which the filler was formed on the diaphragm 同充填材の上に第1被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body by which the 1st coating material was formed into a film on the filler 同第1被覆材の上に第2被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body by which the 2nd coating material was formed into a film on the 1st coating material 同第2被覆材及び第1被覆材がエッチングされて記録要素の上の充填材が露出した同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body which the 2nd coating material and the 1st coating material were etched, and the filler on the recording element was exposed 同記録要素の上の充填材がエッチングされた同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body in which the filler on the same recording element was etched 記録要素の上の隔膜が除去された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing which follows the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body from which the diaphragm on the recording element was removed 本発明の第3実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程において記録層の上に充填材が成膜された被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body in which the filler was formed into a film on the recording layer in the manufacturing process of the magnetic-recording medium based on 3rd Embodiment of this invention. 同充填材の上に第1被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body by which the 1st coating material was formed into a film on the filler 同第1被覆材の上に第2被覆材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body by which the 2nd coating material was formed into a film on the 1st coating material 同第2被覆材及び第1被覆材がエッチングされて記録要素の上の充填材が露出した同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body which the 2nd coating material and the 1st coating material were etched, and the filler on the recording element was exposed 同記録要素の上の充填材がエッチングされた同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図Sectional drawing along the radial direction which shows typically the shape of the to-be-processed body in which the filler on the same recording element was etched 本発明の第4実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャートThe flowchart which shows the outline | summary of the manufacturing process of the magnetic-recording medium based on 4th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10、50…被加工体
12…基板
16…軟磁性層
18…配向層
20…記録層
20A…記録要素
21、62…隔膜
22…第1マスク層
24…第2マスク層
26…樹脂層
30、60…磁気記録媒体
34…凹部
36…充填材
38…保護層
40…潤滑層
42…第1被覆材
43…第2被覆材
S102…被加工体の加工出発体用意工程
S104…樹脂層形成工程
S106…記録層加工工程
S108…充填材成膜工程
S110…第1被覆材成膜工程
S112…第2被覆材成膜工程
S114…被覆材エッチング工程
S114A…第2被覆材エッチング工程
S114B…第1被覆材エッチング工程
S116…充填材エッチング工程
S118…隔膜除去工程
S120…保護層成膜工程
S122…潤滑層成膜工程
S202…隔膜成膜工程
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 50 ... Workpiece | work 12 ... Substrate 16 ... Soft magnetic layer 18 ... Orientation layer 20 ... Recording layer 20A ... Recording element 21, 62 ... Separator 22 ... 1st mask layer 24 ... 2nd mask layer 26 ... Resin layer 30, DESCRIPTION OF SYMBOLS 60 ... Magnetic recording medium 34 ... Concave 36 ... Filler 38 ... Protective layer 40 ... Lubricating layer 42 ... 1st coating | covering material 43 ... 2nd coating | covering material S102 ... Process starting body preparation process of a to-be-processed body S104 ... Resin layer formation process S106 ... Recording layer processing step S108 ... Filler film forming step S110 ... First covering material film forming step S112 ... Second covering material film forming step S114 ... Covering material etching step S114A ... Second covering material etching step S114B ... First covering material Etching process S116 ... Filler etching process S118 ... Separator removal process S120 ... Protective layer film forming process S122 ... Lubricating layer film forming process S202 ... Diaphragm film forming process

Claims (12)

基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有する被加工体の上に充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に第1被覆材を成膜する第1被覆材成膜工程と、前記第1被覆材の上に第2被覆材を成膜する第2被覆材成膜工程と、前記第1被覆材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第2被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第2被覆材をエッチングする第2被覆材エッチング工程と、前記充填材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第1被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第1被覆材をエッチングする第1被覆材エッチング工程と、前記充填材のエッチングレートが前記第1被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録要素の上面が露出するまで前記充填材をエッチングする充填材エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。   A filler is formed on a substrate and a workpiece having a recording layer in which the projection of the projection / depression pattern forms a recording element, and the projection / depression pattern of the projection / depression pattern is formed on the substrate. Filler film forming step for filling the recess, first covering material film forming step for forming the first covering material on the filling material, and forming a second covering material on the first covering material The second coating material film forming step, and the second coating material so that a portion of the first coating material on the recording element is exposed and the second coating material remains on the concave portion of the concavo-convex pattern. A second covering material etching step for etching the material, and a portion of the filler on the recording element is exposed, and the first covering material remains on the concave portion of the concavo-convex pattern. A first covering material etching step for etching the covering material, and the filling And a filler etching step of etching the filler until the upper surface of the recording element is exposed by a dry etching method in which the etching rate of the first coating material is higher than the etching rate of the first coating material. Manufacturing method. 請求項1において、
前記充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記記録要素の上面部を除去する記録要素上面部除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In claim 1,
A method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising: a recording element upper surface portion removing step of removing the upper surface portion of the recording element by a dry etching method after the filler etching step.
基板、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層及び該記録層における少なくとも前記記録要素の上面に形成された隔膜を有する被加工体の上に充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に第1被覆材を成膜する第1被覆材成膜工程と、前記第1被覆材の上に第2被覆材を成膜する第2被覆材成膜工程と、前記第1被覆材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第2被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第2被覆材をエッチングする第2被覆材エッチング工程と、前記充填材における前記記録要素の上の部分が露出し、且つ、前記第1被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第1被覆材をエッチングする第1被覆材エッチング工程と、前記充填材のエッチングレートが前記第1被覆材のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により前記記録要素の上の前記隔膜の上面が露出するまで前記充填材をエッチングする充填材エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。   A substrate, a recording layer formed on the substrate in a predetermined concavo-convex pattern, and a convex portion of the concavo-convex pattern constituting a recording element, and a workpiece having a diaphragm formed on at least the upper surface of the recording element in the recording layer Forming a filler on the filler and filling the concave portion of the concavo-convex pattern with the filler; and a first coating film forming step of forming a first coating on the filler; A second covering material film forming step of forming a second covering material on the first covering material; a portion of the first covering material on the recording element is exposed; and the second covering material is A second coating material etching step of etching the second coating material so as to remain on the concave portion of the concave-convex pattern; and a portion of the filler on the recording element is exposed; and the first coating material To remain on the concave portion of the concave-convex pattern A first covering material etching step for etching one covering material, and a dry etching method in which an etching rate of the filler is higher than an etching rate of the first covering material until the upper surface of the diaphragm on the recording element is exposed. A method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising: a filler etching step of etching the filler. 請求項3において、
前記充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記記録要素の上面に形成された隔膜を除去する隔膜除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In claim 3,
A method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising a film removing step of removing a film formed on the upper surface of the recording element by a dry etching method after the filler etching step.
請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記充填材エッチング工程において前記第1被覆材における前記凹凸パターンの凹部の上に残存する部分を除去して前記被加工体の表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 4,
A method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein a portion of the first covering material remaining on the concave portion of the concave / convex pattern is removed in the filler etching step to flatten the surface of the workpiece.
請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記充填材成膜工程において前記充填材で前記凹凸パターンの凹部を部分的に充填し、前記第1被覆材成膜工程において前記第1被覆材で前記凹凸パターンの凹部を更に充填し、前記充填材エッチング工程において前記第1被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記充填材をエッチングして前記被加工体の表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 4,
In the filler film forming step, the concave portion of the concave / convex pattern is partially filled with the filler, and in the first coating material film forming step, the concave portion of the concave / convex pattern is further filled with the first coating material. A method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising: etching the filler so that the first covering material remains on the concave portion of the concavo-convex pattern in the material etching step to flatten the surface of the workpiece .
請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記充填材エッチング工程において前記第1被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記充填材をエッチングし、該充填材エッチング工程の後にドライエッチング法により前記第1被覆材における前記凹凸パターンの凹部の上に残存する部分を除去して前記被加工体の表面を平坦化する第1被覆材除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 4,
In the filler etching step, the filler is etched so that the first coating material remains on the concave portions of the concave / convex pattern, and the concave / convex portions in the first coating material are dry-etched after the filler etching step. A method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising: a first covering material removing step of removing a portion remaining on a concave portion of a pattern to flatten a surface of the workpiece.
請求項1乃至7のいずれかにおいて、
前記第1被覆材エッチング工程において、前記第1被覆材のエッチングレートが前記第2被覆材のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 7,
In the first covering material etching step, a dry etching method in which an etching rate of the first covering material is the same as or higher than an etching rate of the second covering material is used.
請求項1乃至8のいずれかにおいて、
前記第1被覆材エッチング工程において、前記第2被覆材が前記凹凸パターンの凹部の上に残存するように前記第1被覆材をエッチングすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 8.
In the first covering material etching step, the first covering material is etched so that the second covering material remains on the concave portion of the concavo-convex pattern.
請求項1乃至9のいずれかにおいて、
前記充填材はDLCであり、前記充填材エッチング工程において酸素及び窒素のいずれかを含む加工用ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 9,
The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the filler is DLC, and a processing gas containing either oxygen or nitrogen is used in the filler etching step.
請求項1乃至10のいずれかにおいて、
前記第2被覆材はDLCであり、前記第1被覆材エッチング工程において希ガスを含む加工用ガスを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 10.
The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the second covering material is DLC, and a processing gas containing a rare gas is used in the first covering material etching step.
請求項1乃至11のいずれかにおいて、
前記第1被覆材エッチング工程が前記第2被覆材エッチング工程を兼ねていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 11,
The method for manufacturing a magnetic recording medium, wherein the first covering material etching step also serves as the second covering material etching step.
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