JP2009158637A - Light emitting device - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、例えば発光ダイオードなどの発光素子を有する発光装置に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device having a light emitting element such as a light emitting diode.
近年、照明分野などにおいて、発光ダイオードなどの発光素子を有する発光装置の開発が進められている。この発光装置は、発光素子によって発生された光の波長を変換する発光部材を有している。今後、発光装置において、発光むらの低減が求められている。
発光装置における発光むらを低減させるためには、発光素子によって発生された光の波長変換のむらを低減させる必要がある。発光部材における波長変換のむらを低減させるためには、発光素子から放射された光の偏りを低減させる必要がある。 In order to reduce unevenness in light emission in the light emitting device, it is necessary to reduce unevenness in wavelength conversion of light generated by the light emitting element. In order to reduce the unevenness of wavelength conversion in the light emitting member, it is necessary to reduce the bias of the light emitted from the light emitting element.
本発明の一つの態様によれば、発光装置は、発光素子および発光部材を有している。発光部材は、発光素子を覆っており、蛍光材料を含んでいる。発光部材は、第1の界面および第2の界面を有している。第1の界面は、第1の層および第2の層からなる。第2の層は、第1の層上に設けられており、第1の層より屈折率が大きい。第2の界面は、第2の層および第3の層からなる。第3の層は、第2の層上に設けられており、第2の層より屈折率が小さい。 According to one aspect of the present invention, a light emitting device includes a light emitting element and a light emitting member. The light emitting member covers the light emitting element and includes a fluorescent material. The light emitting member has a first interface and a second interface. The first interface is composed of a first layer and a second layer. The second layer is provided on the first layer and has a higher refractive index than the first layer. The second interface consists of a second layer and a third layer. The third layer is provided on the second layer and has a refractive index smaller than that of the second layer.
本発明の一つの態様によれば、発光装置は、第1の界面および第2の界面を有する発光部材を含んでいる。このような構成により、発光素子から放射された光の偏りが低減されている。従って、発光装置における発光むらが低減されている。 According to one aspect of the present invention, a light emitting device includes a light emitting member having a first interface and a second interface. With such a configuration, the bias of the light emitted from the light emitting element is reduced. Therefore, uneven light emission in the light emitting device is reduced.
以下、本発明の実施形態が、図面を参照して説明されている。本実施形態の概念が、図1を参照して説明されている。発光素子11から放射された光の一部L11−1は、第1の界面20−1および第2の界面20−2において全反射されて側方へ進む。第1の界面20−1および第2の界面20−2は、互いに屈折率の異なる材料からなる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The concept of this embodiment is described with reference to FIG. A part L11-1 of the light emitted from the
本実施形態の発光装置1が、図2を参照して説明されている。発光装置1は、基体11、発光素子12および封入材料13を有している。発光装置1は、発光部材14をさらに有している。基体11は、絶縁材料からなる。絶縁材料の例は、セラミックスである。
The light-
発光素子12は、基体11上に実装されている。発光素子12は、半導体材料からなる発光ダイオードである。発光素子12は、駆動電力によって第1の光を発生する光源である。第1の光は、青色光または紫外光である。発光素子12は、フリップチップ接続によって実装されている。発光素子12の実装構造の他の例は、ワイヤ接続による実装構造である。
The
封入材料13は、発光素子12に付着されている。封入材料13は、透光性を有するシリコーン樹脂からなる。透光性とは、発光素子12から放射された光の波長の少なくとも一部が透過することをいう。
The encapsulating
発光部材14は、発光素子11を覆っている。発光部材14は、第1の界面20−1および第2の界面20−2を有している。第1の界面20−1は、第1の層14−1および第2の層14−2からなる。第2の層14−2は、第1の層14−1上に設けられており、第1の層14−1より屈折率が大きい。第2の界面20−2は、第2の層14−2および第3の層14−3からなる。第3の層14−3は、第2の層14−2上に設けられており、第2の層14−2より屈折率が小さい。発光部材14の透光性とは、発光素子11から放射された光の波長の少なくとも一部が透過することをいう。発光部材14は、シリコーン樹脂からなる。
The
発光部材14は、透光性のベース材料および蛍光材料を含んでいる。ベース材料の透光性とは、発光素子12から放射された光の波長の少なくとも一部が透過することをいう。ベース材料の例は、シリコーン樹脂である。蛍光材料は、ベース材料内に分散されている。発光部材14は、第1の光に応じて第2の光を放射する。発光部材14は、例えば、赤色光、緑色光および青色光を放射する。発光素子11は、第1の層14−1より屈折率の小さい樹脂接着剤によって発光部材14に固定されている。
The
以下、発光装置1における発光構造が説明されている。図3に示されているように、発光素子12から放射された光の一部L12−1は、第1の界面20−1および第2の界面20−2において全反射されて側方へ進む。光L12−1は、臨界角以上の角度で第1の界面20−1および第2の界面20−2に入射されたときに全反射される。第1の界面20−1における臨界角θ1は、第1の層14−1の屈折率をn1として、第2の層14−2の屈折率をn2とした場合、次の式を満たす。
Hereinafter, the light emitting structure in the
sinθ1=n1/n2 (但し、n1<n2)
第2の界面20−2における臨界角θ2は、第2の層14−2の屈折率をn2として、第3の層14−3の屈折率をn3とした場合、次の式を満たす。
sin θ1 = n1 / n2 (where n1 <n2)
The critical angle θ2 at the second interface 20-2 satisfies the following expression when the refractive index of the second layer 14-2 is n2 and the refractive index of the third layer 14-3 is n3.
sinθ2=n3/n2 (但し、n2>n3)
発光装置1は、第1の界面20−1および第2の界面20−2を有する発光部材14を含んでいることにより、発光むらが低減されている。
sin θ2 = n3 / n2 (where n2> n3)
Since the
本発明の他の実施形態が、図4を参照して説明されている。発光部材14は、発光素子12の上方に設けられた光反射面21を有している。光反射面21は、第1の層14−1に設けられている。光反射面21は、発光部材14のベース材料とそれより屈折率の小さい媒質22との界面である。媒質22は空気である。光反射面21は傾斜している。発光素子12から放射された光の一部L12−2は、光反射面21において全反射される。光L12−2は、臨界角以上の角度で光反射面21に入射されたときに全反射される。光反射面21における臨界角θ21は、第1の層14−1の屈折率をn1として、媒質22の屈折率をn22とした場合、次の式を満たす。
Another embodiment of the invention is described with reference to FIG. The
sinθ1=n22/n1 (但し、n22<n1)
発光装置1は、光反射面21を有していることにより発光むらが低減されている。
sin θ1 = n22 / n1 (where n22 <n1)
The
1 発光装置
11 基体
12 発光素子
13 封入材料
14 発光部材
14−1 第1の層
14−2 第2の層
14−3 第3の層
20−1 第1の界面
20−2 第2の界面
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記発光素子を覆っており、第1の層および前記第1の層上に位置しており前記第1の層より屈折率の大きい第2の層の間に設けられている第1の界面と、前記第2の層および前記第2の層上に位置しており前記第2の層より屈折率の小さい第3の層の間に設けられている第2の界面とを有しており、蛍光材料を含んでいる発光部材と、
を備えた発光装置。 A light emitting element;
A first interface that covers the light emitting element and is provided between the first layer and the second layer that is located on the first layer and has a higher refractive index than the first layer; A second interface disposed between the second layer and a third layer located on the second layer and having a lower refractive index than the second layer, A light emitting member containing a fluorescent material;
A light emitting device comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007333617A JP2009158637A (en) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007333617A JP2009158637A (en) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | Light emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009158637A true JP2009158637A (en) | 2009-07-16 |
Family
ID=40962352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007333617A Pending JP2009158637A (en) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | Light emitting device |
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WO2015072120A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Light emitting device, light emitting module, lighting device and lamp |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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