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JP2009158623A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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JP2009158623A JP2007333377A JP2007333377A JP2009158623A JP 2009158623 A JP2009158623 A JP 2009158623A JP 2007333377 A JP2007333377 A JP 2007333377A JP 2007333377 A JP2007333377 A JP 2007333377A JP 2009158623 A JP2009158623 A JP 2009158623A
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resin dam
dam
semiconductor device
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Shinya Tsujimoto
晋也 辻本
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Panasonic Corp
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Panasonic Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus removing a resin dam for damming the outflow of an underfill resin without stress. <P>SOLUTION: After sticking the resin dam 8 for damming the outflow of the underfill resin 10 on a circuit board 2, the underfill resin 10 is filled in a gap between a semiconductor chip 1 and the circuit board 2. Then, after curing the filled underfill resin 10, by immersing the semiconductor apparatus 23 loaded with the resin dam 8 in a dissolution liquid 22 stored in a processing tank 21, the resin dam 8 is dissolved. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、フリップチップ実装工法などの３次元積層実装工法により半導体チップを回路基板に実装する半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a circuit board by a three-dimensional stacked mounting method such as a flip chip mounting method.

市場成長が見込める次世代携帯電話やデジタルカメラ、携帯型オーディオプレーヤー等の電子機器は、ユーザーから更なる高付加価値化が求められている。この高付加価値を実現するためには、電子機器に搭載する半導体装置の更なる高密度化、小型化、薄型化および軽量化が必須となる。   Electronic devices such as next-generation mobile phones, digital cameras, and portable audio players that are expected to grow in the market are demanded by users for higher added value. In order to realize this high added value, it is essential to further increase the density, size, thickness, and weight of the semiconductor device mounted on the electronic device.

この半導体装置の更なる高密度化、小型化、薄型化および軽量化を実現するために、半導体装置組立技術において、近年、フリップチップ実装工法などの３次元積層実装工法が採用されている。   In order to further increase the density, size, thickness and weight of the semiconductor device, in recent years, a three-dimensional stacked mounting method such as a flip chip mounting method has been adopted in the semiconductor device assembly technology.

図１４に、従来のフリップチップ実装工法を説明するための断面図を示す。フリップチップ実装工法とは、半導体チップ１０１の裏面側に形成されている電極１０１ａと回路基板１０２のチップ搭載エリア（半導体チップを搭載する領域）内に形成されている電極１０２ａとをバンプ１０３を介して電気的に接続する工法である。   FIG. 14 shows a cross-sectional view for explaining a conventional flip chip mounting method. In the flip chip mounting method, an electrode 101a formed on the back surface side of the semiconductor chip 101 and an electrode 102a formed in a chip mounting area (an area on which the semiconductor chip is mounted) of the circuit board 102 are interposed via bumps 103. This is an electrical connection method.

また，フリップチップ実装工法においては、半導体チップの電極１０１ａと回路基板の電極１０２ａとをバンプ１０３により接合するだけでは、熱や衝撃、湿度等の負荷に対する接合強度が不足して、電極間にオープンやショートが発生する可能性があるため、半導体チップ１０１と回路基板１０２との間の隙間にアンダーフィル樹脂１０４を充填して、負荷に耐え得る品質を確保している。アンダーフィル樹脂１０４はアンダーフィル樹脂充填ノズル１０５から半導体チップ１０１の周辺部に吐出され、半導体チップ１０１と回路基板１０２との間の３０μｍ程度の極めて小さな隙間に毛細管現象によって充填される。なお、フリップチップ実装工法においては、チップ搭載エリア周辺の配線パターンを保護するための保護レジスト層１０６が予め形成された回路基板１０２を用いるのが一般的である。   Further, in the flip chip mounting method, simply bonding the electrode 101a of the semiconductor chip and the electrode 102a of the circuit board with the bump 103 causes insufficient bonding strength against loads such as heat, impact, and humidity, and opens between the electrodes. Therefore, the underfill resin 104 is filled in the gap between the semiconductor chip 101 and the circuit board 102 to ensure the quality that can withstand the load. The underfill resin 104 is discharged from the underfill resin filling nozzle 105 to the periphery of the semiconductor chip 101, and is filled into a very small gap of about 30 μm between the semiconductor chip 101 and the circuit board 102 by capillary action. In the flip chip mounting method, it is common to use a circuit board 102 on which a protective resist layer 106 for protecting the wiring pattern around the chip mounting area is formed in advance.

このフリップチップ実装工法によれば、ワイヤボンド実装工法で半導体チップを回路基板に実装する場合に比べて実装面積を削減することができる。図１５に、ワイヤボンド実装工法で半導体チップを回路基板に実装した半導体装置の断面図を示す。図１５に示すように、ワイヤボンド実装工法は、半導体チップ２０１の表面側に形成されている電極２０１ａと回路基板２０２のチップ搭載エリアの周囲に形成されている電極２０２ａとをボンディングワイヤ２０３を介して電気的に接続する工法であり、図１４に示すフリップチップ実装工法における実装面積１０７と図１５に示すワイヤボンド実装工法における実装面積２０４とを比較すると、フリップチップ実装工法は、実装面積を半導体チップの外形面積とほぼ等しくできるので、ワイヤボンド実装工法に比べて実装面積を削減することができる。またフリップチップ実装工法によれば、半導体チップと回路基板とを最短距離で接続するため、高周波特性等の電気的特性に優れた半導体装置を提供することができる。   According to this flip chip mounting method, the mounting area can be reduced as compared with the case where the semiconductor chip is mounted on the circuit board by the wire bond mounting method. FIG. 15 shows a cross-sectional view of a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a circuit board by a wire bond mounting method. As shown in FIG. 15, the wire bond mounting method uses an electrode 201 a formed on the surface side of the semiconductor chip 201 and an electrode 202 a formed around the chip mounting area of the circuit board 202 via bonding wires 203. 14 is compared with the mounting area 107 in the flip chip mounting method shown in FIG. 14 and the mounting area 204 in the wire bond mounting method shown in FIG. Since the outer area of the chip can be made almost equal, the mounting area can be reduced as compared with the wire bond mounting method. Further, according to the flip chip mounting method, since the semiconductor chip and the circuit board are connected with the shortest distance, a semiconductor device having excellent electrical characteristics such as high frequency characteristics can be provided.

一方、フリップチップ実装工法では、上述したように、半導体チップと回路基板との間に毛細管現象を利用してアンダーフィル樹脂を充填するため、アンダーフィル樹脂に低粘度の樹脂を用いる。したがって、チップ搭載エリアよりも外方へ流れ出すアンダーフィル樹脂の量が増加すると実装面積が増加するという問題がある。   On the other hand, in the flip chip mounting method, as described above, the underfill resin is filled between the semiconductor chip and the circuit board by utilizing a capillary phenomenon, and therefore a low viscosity resin is used as the underfill resin. Therefore, there is a problem that the mounting area increases when the amount of the underfill resin that flows outward from the chip mounting area increases.

そこで、従来より、チップ搭載エリアからのアンダーフィル樹脂の余分な流れ出しを防ぐために、回路基板のチップ搭載エリアの周囲に樹脂ダムを設ける技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。   Therefore, conventionally, a technique of providing a resin dam around the chip mounting area of the circuit board has been proposed in order to prevent excessive flow of the underfill resin from the chip mounting area (see, for example, Patent Document 1).

図１６に、従来のアンダーフィル樹脂の充填工程を示す。図１６に示すように、従来は、半導体チップ１０１の外形寸法以上の寸法を有し、且つ、中央部に孔１０８ａが開いた樹脂ダムである薄片（プラスチップフィルム）１０８を、薄片１０８下部に設けた粘着部分を使用して、孔１０８ａの中に半導体チップ１０１が入るように回路基板１０２上に設置しておき、アンダーフィル樹脂充填ノズル１０５から薄片１０８上へアンダーフィル樹脂１０４を吐出して、半導体チップ１０１と回路基板１０２との間の隙間にアンダーフィル樹脂１０４を毛細管現象によって充填する。そして、アンダーフィル樹脂１０４を硬化させる前か、あるいは硬化させた後に薄片１０８を回路基板１０２から剥がして、余分なアンダーフィル樹脂１０４を薄片１０８と共に除去していた。   FIG. 16 shows a conventional underfill resin filling process. As shown in FIG. 16, conventionally, a thin piece (plus chip film) 108, which is a resin dam having a dimension larger than the outer dimension of the semiconductor chip 101 and having a hole 108 a at the center, is formed below the thin piece 108. Using the provided adhesive portion, the semiconductor chip 101 is placed on the circuit board 102 so that the semiconductor chip 101 enters the hole 108a, and the underfill resin 104 is discharged from the underfill resin filling nozzle 105 onto the thin piece 108. The underfill resin 104 is filled into the gap between the semiconductor chip 101 and the circuit board 102 by capillary action. Then, before or after the underfill resin 104 is cured, the thin piece 108 is peeled off from the circuit board 102 and the excess underfill resin 104 is removed together with the thin piece 108.

しかしながら、アンダーフィル樹脂は粘性であるため、アンダーフィル樹脂が未硬化の状態で薄片（樹脂ダム）を除去した場合、図１７（ａ）に示すように、薄片１０８に付着した余分なアンダーフィル樹脂の糸引き１０９が発生して、所望のパッケージ形状を形成できなくなる可能性があった。また、図１７（ｂ）に示すように、薄片１０８により堰き止められていたアンダーフィル樹脂１０４が流れ出てしまう可能性もあった。   However, since the underfill resin is viscous, when the thin piece (resin dam) is removed while the underfill resin is in an uncured state, as shown in FIG. Therefore, there is a possibility that the desired package shape cannot be formed due to the occurrence of the stringing 109. Further, as shown in FIG. 17B, there is a possibility that the underfill resin 104 dammed up by the thin piece 108 flows out.

一方、アンダーフィル樹脂の硬化完了後に薄片（樹脂ダム）を剥がした場合、図１８に示すように、薄片１０８を除去する際にアンダーフィル樹脂１０４を引きちぎる動作となるため、アンダーフィル樹脂１０４と薄片１０８との接触面１１０にストレスがかかり、クラック１１１が発生する可能性があった。このようにクラック１１１が発生すると、アンダーフィル樹脂１０４と薄片１０８との接触面１１０は半導体チップ１０１と回路基板１０２とを接合するバンプ１０３に接近しているため、熱や衝撃、湿度等の負荷に対する半導体チップ１０１と回路基板１０２との接合強度が不足する可能性がある。また、クラック１１１の発生に際してバンプ１０３が破損する可能性もある。
特開平１０−７４８６８号公報 On the other hand, when the flakes (resin dams) are peeled off after the underfill resin is cured, the underfill resin 104 and the flakes are removed when the flakes 108 are removed as shown in FIG. There is a possibility that a stress is applied to the contact surface 110 with 108 and the crack 111 is generated. When the crack 111 is generated in this way, the contact surface 110 between the underfill resin 104 and the thin piece 108 is close to the bump 103 that joins the semiconductor chip 101 and the circuit board 102, so that a load such as heat, impact, and humidity is applied. There is a possibility that the bonding strength between the semiconductor chip 101 and the circuit board 102 is insufficient. Further, the bump 103 may be damaged when the crack 111 is generated.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-74868

本発明は、上記問題点に鑑み、アンダーフィル樹脂の流れ出しを溶解可能な樹脂ダムにより防止し、アンダーフィル樹脂の硬化完了後に前記樹脂ダムを溶解して除去することにより、アンダーフィル樹脂を堰き止める樹脂ダムをストレスレスに除去することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention prevents the underfill resin from flowing out by a dissolvable resin dam, and dissolves and removes the resin dam after the underfill resin is cured, thereby blocking the underfill resin. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of removing a resin dam without stress.

本発明の請求項１記載の半導体装置の製造方法は、回路基板とその回路基板に搭載された半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を充填する前に、回路基板の半導体チップを搭載する領域の周囲にアンダーフィル樹脂を堰き止める樹脂ダムを搭載しておき、アンダーフィル樹脂を充填および硬化した後、前記樹脂ダムを除去する半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを除去するに際し、処理槽に貯留された溶解液内に回路基板を浸漬させて前記樹脂ダムを溶解し、前記樹脂ダムを除去することを特徴とする。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: filling an underfill resin between a circuit board and a semiconductor chip mounted on the circuit board; A method of manufacturing a semiconductor device in which a resin dam that dams up an underfill resin is mounted on the periphery, and the resin dam is removed after the underfill resin is filled and cured. A circuit board is immersed in a solution stored in a tank to dissolve the resin dam, and the resin dam is removed.

また、本発明の請求項２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、前記処理槽外または前記処理槽内に設置した超音波振動子を振動させることを特徴とする。   Further, the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2 of the present invention is the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the resin dam is dissolved out of the processing tank or the processing when the resin dam is dissolved by the solution. It is characterized by vibrating an ultrasonic transducer installed in the tank.

また、本発明の請求項３記載の半導体装置の製造方法は、請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、前記超音波振動子を１０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの範囲で振動させることを特徴とする。   The semiconductor device manufacturing method according to claim 3 of the present invention is the semiconductor device manufacturing method according to claim 2, wherein the ultrasonic vibrator is moved to 10 kHz when the resin dam is dissolved by the solution. It is characterized by vibrating in a range of ˜500 kHz.

また、本発明の請求項４記載の半導体装置の製造方法は、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解する間、前記溶解液内に浸漬されている回路基板を昇降させることを特徴とする。   A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4 of the present invention is the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin dam is dissolved by the solution. The circuit board immersed in the solution is raised and lowered.

また、本発明の請求項５記載の半導体装置の製造方法は、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、予め設定された液温に調整した前記溶解液内に回路基板を浸漬させることを特徴とする。   A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5 of the present invention is the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin dam is dissolved in advance by the solution. The circuit board is immersed in the solution adjusted to a set liquid temperature.

また、本発明の請求項６記載の半導体装置の製造方法は、回路基板とその回路基板に搭載された半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を充填する前に、回路基板の半導体チップを搭載する領域の周囲にアンダーフィル樹脂を堰き止める樹脂ダムを搭載しておき、アンダーフィル樹脂を充填および硬化した後、前記樹脂ダムを除去する半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを除去するに際し、処理槽内に回路基板を配置し、その配置された回路基板上の前記樹脂ダムに溶解液を吹き付けて溶解し、前記樹脂ダムを除去することを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing method in which a semiconductor chip on a circuit board is mounted before filling an underfill resin between the circuit board and the semiconductor chip mounted on the circuit board. A method of manufacturing a semiconductor device in which a resin dam for blocking an underfill resin is mounted around a region, and the resin dam is removed after filling and curing the underfill resin. The circuit board is disposed in the treatment tank, and the resin dam on the circuit board on which the circuit board is disposed is melted by spraying the resin dam to remove the resin dam.

また、本発明の請求項７記載の半導体装置の製造方法は、請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、エアーを混入させた前記溶解液を噴射して前記樹脂ダムに吹き付けることを特徴とする。   Further, the semiconductor device manufacturing method according to claim 7 of the present invention is the semiconductor device manufacturing method according to claim 6, wherein the resin dam is dissolved by the dissolution liquid when air is mixed. A liquid is jetted and sprayed onto the resin dam.

また、本発明の請求項８記載の半導体装置の製造方法は、請求項６もしくは７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、予め設定された液温に調整した前記溶解液を噴射して前記樹脂ダムに吹き付けることを特徴とする。   A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8 of the present invention is the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 6 or 7, wherein the resin dam is dissolved in advance by the solution. The solution is adjusted to a set liquid temperature and sprayed onto the resin dam.

また、本発明の請求項９記載の半導体装置の製造方法は、請求項６ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解する間、前記溶解液の前記樹脂ダムへの吹き付け方向を変化させることを特徴とする。   A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 9 of the present invention is the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 6 to 8, wherein the resin dam is dissolved by the solution. The spraying direction of the solution to the resin dam is changed.

また、本発明の請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、請求項６ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、前記処理槽内に配置された回路基板の前記樹脂ダムが搭載されている面に沿って前記溶解液を噴射することを特徴とする。   A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 10 of the present invention is the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 6 to 8, wherein the resin dam is dissolved by the solution. The solution is sprayed along a surface on which the resin dam is mounted on a circuit board disposed in a treatment tank.

また、本発明の請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムは感光性樹脂、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂のうちのいずれかにより構成されていることを特徴とする。   A method for manufacturing a semiconductor device according to an eleventh aspect of the present invention is the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of the first to tenth aspects, wherein the resin dam is a photosensitive resin, a chlorinated polyethylene, an epoxy. It is characterized by comprising either resin or acrylic resin.

また、本発明の請求項１２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記溶解液はアルコール類、ケトン類もしくは炭化水素類のうちのいずれかに属する有機溶剤であることを特徴とする。   A semiconductor device manufacturing method according to claim 12 of the present invention is the semiconductor device manufacturing method according to any one of claims 1 to 11, wherein the solution is alcohols, ketones or hydrocarbons. It is an organic solvent belonging to any one of the above.

また、本発明の請求項１３記載の半導体装置の製造方法は、請求項１２記載の半導体装置の製造方法であって、前記溶解液はイソプロピルアルコール、エタノール、アセトンもしくはトルエンのうちのいずれかであることを特徴とする。   The semiconductor device manufacturing method according to claim 13 of the present invention is the semiconductor device manufacturing method according to claim 12, wherein the solution is any one of isopropyl alcohol, ethanol, acetone, or toluene. It is characterized by that.

本発明の好ましい形態によれば、アンダーフィル樹脂の流れ出しを樹脂ダムにより防止でき、且つアンダーフィル樹脂の硬化完了後に、アンダーフィル樹脂と樹脂ダムとの接触面にストレスを与えることなく樹脂ダムを除去することが可能であり、アンダーフィル樹脂表面にクラックが発生するのを防止できる。   According to a preferred embodiment of the present invention, the flow of the underfill resin can be prevented by the resin dam, and the resin dam is removed without applying stress to the contact surface between the underfill resin and the resin dam after the curing of the underfill resin is completed. It is possible to prevent cracks from occurring on the surface of the underfill resin.

本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態について、図面を交えて説明する。図１は本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図１（ａ）に示すように、半導体チップ１と回路基板２とを電気的に接続するために、半導体チップ１の裏面側に形成されている電極（図示せず）上に、半田または金等を材料とするバンプ３を形成する。   Embodiments of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a process sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device in an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 1 (a), in order to electrically connect the semiconductor chip 1 and the circuit board 2, a solder is formed on an electrode (not shown) formed on the back surface side of the semiconductor chip 1. Alternatively, bumps 3 made of gold or the like are formed.

代表的なバンプ形成方法は、半田ボール搭載方式、印刷方式、メッキ形成方式である。
半田ボール搭載方式は、図２に示すように、半導体チップの電極１ａ上にフラックス４を塗布し、その塗布したフラックス４上に半田ボール３ａを搭載した後、硬化炉により加熱５してバンプ３を形成する方法である。 Typical bump forming methods are a solder ball mounting method, a printing method, and a plating method.
In the solder ball mounting method, as shown in FIG. 2, a flux 4 is applied onto the electrode 1a of the semiconductor chip, and after mounting the solder ball 3a on the applied flux 4, the bump 3 is heated 5 by a curing furnace. It is a method of forming.

また、印刷方式は、図３に示すように、バンプ形状に合わせた貫通穴６ａを加工した、金属材料または樹脂材料により形成された板状の治具６を半導体チップ１上に重ね合わせ、半田または金等を材料とするペースト３ｂを、スキージ７により治具の貫通穴６ａに充填し、治具６を引き離すことにより、ペースト３ｂの所望の塗布を達成した後、硬化炉により加熱５してバンプ３を形成する方法である。   In addition, as shown in FIG. 3, the printing method is such that a plate-like jig 6 formed of a metal material or a resin material, which is obtained by processing through holes 6a in accordance with the bump shape, is superimposed on the semiconductor chip 1 and soldered. Alternatively, the paste 3b made of gold or the like is filled in the through hole 6a of the jig with the squeegee 7 and the jig 6 is pulled away to achieve the desired application of the paste 3b, and then heated 5 in a curing furnace. This is a method of forming the bump 3.

また、メッキ形成方式は、図４に示すように、半田成分または金成分を含有したメッキ液３ｃ内に半導体チップ１を浸漬して、メッキ作用によりバンプ３を形成する方法である。このメッキ形成方式によれば、ボール搭載方式や印刷方式と比較してバンプ精度を向上させることができ、現在は３０μｍバンプピッチまで対応が可能である。   In addition, the plating formation method is a method in which the bump 3 is formed by plating by immersing the semiconductor chip 1 in a plating solution 3c containing a solder component or a gold component as shown in FIG. According to this plating method, the bump accuracy can be improved as compared with the ball mounting method and the printing method, and at present, it is possible to cope with a bump pitch of 30 μm.

以上のような方法でバンプを形成した後、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１をバンプ形成面を下向きにして回路基板２上に搭載し、半導体チップの電極（図示せず）と回路基板２のチップ搭載エリア（半導体チップを搭載する領域）内に形成されている電極（図示せず）とをバンプ３により接合することで、半導体チップ１と回路基板２との電気的な接続を図る（フリップチップ実装工法）。   After the bumps are formed by the above method, as shown in FIG. 1B, the semiconductor chip 1 is mounted on the circuit board 2 with the bump forming surface facing downward, and the electrodes (not shown) of the semiconductor chip. And an electrode (not shown) formed in a chip mounting area (an area on which a semiconductor chip is mounted) of the circuit board 2 are joined by a bump 3 to electrically connect the semiconductor chip 1 and the circuit board 2 to each other. Connect (flip chip mounting method).

なお、図示しないが、回路基板２のチップ搭載エリア内には、半導体チップ１と電気的に接続するための電極が所要のパターンで露出している。また、回路基板２のチップ搭載エリア周辺には、配線パターンを保護するための保護レジスト層が形成されている。   Although not shown, an electrode for electrical connection with the semiconductor chip 1 is exposed in a required pattern in the chip mounting area of the circuit board 2. A protective resist layer for protecting the wiring pattern is formed around the chip mounting area of the circuit board 2.

次に、図１（ｃ）、図１（ｄ）に示すように、アンダーフィル樹脂を堰き止める樹脂ダム８を回路基板２上の所望の位置に搭載して、例えば接着剤により回路基板２上に貼り付ける。   Next, as shown in FIGS. 1C and 1D, a resin dam 8 that dams up the underfill resin is mounted at a desired position on the circuit board 2, and the circuit board 2 is coated with an adhesive, for example. Paste to.

図５（ａ）に示すように、樹脂ダム８には回路基板に搭載する半導体チップ１が入る孔８ａが形成されており、その孔８ａの内壁により回路基板のチップ搭載エリアを取り囲むことで、チップ搭載エリアからのアンダーフィル樹脂の余分な流れ出しを防止する。   As shown in FIG. 5A, the resin dam 8 has a hole 8a into which the semiconductor chip 1 to be mounted on the circuit board is inserted. By surrounding the chip mounting area of the circuit board by the inner wall of the hole 8a, Prevents excess flow of underfill resin from the chip mounting area.

この樹脂ダム８の貼り付け工程は大気中もしくは真空チャンバー内にて行い、気泡の混入が無いように、樹脂ダム８の任意のコーナー部、任意の辺もしくは任意の辺の中心部から貼り付ける。また、樹脂ダム８を構成する材料には、感光性樹脂、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂のうちのいずれかを用いる。   The step of attaching the resin dam 8 is performed in the atmosphere or in a vacuum chamber, and the resin dam 8 is attached from an arbitrary corner portion, an arbitrary side, or a central portion of an arbitrary side of the resin dam 8 so that bubbles are not mixed. Further, as a material constituting the resin dam 8, any one of photosensitive resin, chlorinated polyethylene, epoxy resin, and acrylic resin is used.

なお、半導体チップ１の各コーナー部に形成されるアンダーフィル樹脂のフィレットを強化するために、図５（ｂ）に示すように樹脂ダムの孔８ａの半導体チップ１の各コーナー部に対向する部分を外方へ拡大してもよい。また、樹脂ダム８は、一体形成した部材により構成してもよいし、アンダーフィル樹脂の充填時のエア抜き用の通路を確保するために、図５（ｃ）に示すように、複数に分割された部材（ここでは、２つの部材８ｂ、８ｃを例示している。）により構成してもよい。また、半導体チップ１の各辺から樹脂ダムの孔８ａの内壁までの距離を全て等しくする場合に限らず、図５（ｄ）に示すように、半導体チップと回路基板との実装時の熱反り対策として、樹脂ダムの孔８ａの形状および貼り付け位置を、半導体チップ１の各辺に形成されるアンダーフィル樹脂のフィレットが非対称となるように設定してもよい。また、樹脂ダム８の厚さは、アンダーフィル樹脂のフィレットが所望の厚さとなるように設定する。   In order to reinforce the fillet of the underfill resin formed at each corner portion of the semiconductor chip 1, a portion of the resin dam hole 8a facing the corner portion of the semiconductor chip 1 as shown in FIG. 5B. May be expanded outward. Further, the resin dam 8 may be constituted by an integrally formed member, or divided into a plurality of parts as shown in FIG. 5 (c) in order to secure a passage for air venting when the underfill resin is filled. You may comprise by the member made (here, the two members 8b and 8c are illustrated). Further, not only when the distances from the respective sides of the semiconductor chip 1 to the inner wall of the hole 8a of the resin dam are all equal, as shown in FIG. 5D, the thermal warpage when the semiconductor chip and the circuit board are mounted. As a countermeasure, the shape and affixing position of the hole 8a of the resin dam may be set so that the fillet of the underfill resin formed on each side of the semiconductor chip 1 is asymmetric. The thickness of the resin dam 8 is set so that the fillet of the underfill resin has a desired thickness.

この樹脂ダム８の貼り付け工程は、半導体チップを回路基板に実装する前であっても後であってもよく、アンダーフィル樹脂を半導体チップと回路基板との間に充填する前に樹脂ダム８を貼り付けておけば、その樹脂ダム８により、アンダーフィル樹脂が所望の領域から流れ出すのを防止することができる。   The step of attaching the resin dam 8 may be before or after mounting the semiconductor chip on the circuit board, and before filling the underfill resin between the semiconductor chip and the circuit board, the resin dam 8. Can be prevented from flowing out of the desired region by the resin dam 8.

以上のような方法で樹脂ダム８を貼り付けた後、図１（ｅ）に示すように、アンダーフィル樹脂充填ノズル９から半導体チップ１と樹脂ダム８との間の隙間へアンダーフィル樹脂１０を吐出して、半導体チップ１と回路基板２との間の隙間に毛細管現象によってアンダーフィル樹脂１０を充填する。   After the resin dam 8 is pasted by the above method, the underfill resin 10 is applied from the underfill resin filling nozzle 9 to the gap between the semiconductor chip 1 and the resin dam 8 as shown in FIG. By discharging, the gap between the semiconductor chip 1 and the circuit board 2 is filled with the underfill resin 10 by capillary action.

ここで、アンダーフィル樹脂１０を充填することを可能とするために、半導体チップ１と樹脂ダム８の間隔１１を、アンダーフィル樹脂充填ノズル９が安定して移動できる大きさにする。つまり、アンダーフィル樹脂充填ノズル９の径をφＡｍｍ、半導体チップ１と樹脂ダム８の間隔１１をＢｍｍとすると、Ｂ＞Ａの関係が成り立つようにする。   Here, in order to allow the underfill resin 10 to be filled, the interval 11 between the semiconductor chip 1 and the resin dam 8 is set to a size that allows the underfill resin filling nozzle 9 to move stably. That is, if the diameter of the underfill resin filling nozzle 9 is φA mm and the distance 11 between the semiconductor chip 1 and the resin dam 8 is B mm, the relationship of B> A is established.

次に、図１（ｆ）に示すように、アンダーフィル樹脂１０を充填した半導体装置を硬化炉へ投入して加熱１２し、アンダーフィル樹脂１０を硬化する。これにより、半導体チップ１と回路基板２との接合強度が向上し、外的要因の負荷に対して耐久性を確保できる。   Next, as shown in FIG. 1F, the semiconductor device filled with the underfill resin 10 is put into a curing furnace and heated 12 to cure the underfill resin 10. As a result, the bonding strength between the semiconductor chip 1 and the circuit board 2 is improved, and durability against a load of an external factor can be ensured.

次に、図１（ｇ）に示すように、処理槽２１に貯留された溶解液２２内に、樹脂ダム８が搭載された半導体装置２３を浸漬するか、あるいは樹脂ダム８が搭載された半導体装置２３へ溶解液２２を噴射することで、前工程にて回路基板２に貼り付けた樹脂ダム８を溶解して、図１（ｈ）に示すように、所望の半導体装置を完成する。   Next, as shown in FIG. 1 (g), the semiconductor device 23 on which the resin dam 8 is mounted is immersed in the solution 22 stored in the processing tank 21, or the semiconductor on which the resin dam 8 is mounted. By spraying the solution 22 onto the device 23, the resin dam 8 attached to the circuit board 2 in the previous step is dissolved, and a desired semiconductor device is completed as shown in FIG.

以下、樹脂ダムの除去方法について詳細に説明する。
まず、樹脂ダム除去方法の一例である浸漬方式について説明する。図６は本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である浸漬方式を説明するための模式図である。 Hereinafter, a method for removing the resin dam will be described in detail.
First, an immersion method that is an example of a resin dam removing method will be described. FIG. 6 is a schematic diagram for explaining an immersion method which is an example of a resin dam removing method in the embodiment of the present invention.

図６に示すように、浸漬方式は、浸漬式樹脂ダム溶解装置の処理槽２１ａに貯留された溶解液２２内に、樹脂ダム８が回路基板２上に搭載された半導体装置２３を浸漬することで、樹脂ダム８を溶解除去する方法である。ここで、溶解液２２には、アルコール類、ケトン類もしくは炭化水素類のうちのいずれかに属する有機溶剤を用いる。具体的には、例えばイソプロピルアルコール、エタノール、アセトンもしくはトルエン等のうちのいずれかを用いる。   As shown in FIG. 6, in the immersion method, the semiconductor device 23 in which the resin dam 8 is mounted on the circuit board 2 is immersed in the solution 22 stored in the treatment tank 21 a of the immersion type resin dam dissolving device. In this method, the resin dam 8 is dissolved and removed. Here, an organic solvent belonging to any of alcohols, ketones or hydrocarbons is used for the solution 22. Specifically, for example, any one of isopropyl alcohol, ethanol, acetone, toluene, or the like is used.

処理槽２１ａはステンレス鋼等からなり、被処理物である樹脂ダム８が搭載された半導体装置２３を複数個保持する処理治具２４を完全に収容し得る大きさの、上面が開口した浴槽形状に形成されている。   The processing tank 21a is made of stainless steel or the like, and has a bathtub shape whose upper surface is open and has a size that can completely accommodate a processing jig 24 that holds a plurality of semiconductor devices 23 on which a resin dam 8 that is an object to be processed is mounted. Is formed.

また、処理槽２１ａには、処理槽２１ａから溢れ出てくる溶解液２２を一時的に溜めるためのオーバーフロー槽２５が連結している。また、処理槽２１ａには溶解液２２を循環させるための循環路２６が流体的に接続されている。   The processing tank 21a is connected to an overflow tank 25 for temporarily storing the solution 22 overflowing from the processing tank 21a. A circulation path 26 for circulating the solution 22 is fluidly connected to the treatment tank 21a.

循環路２６は、処理槽２１ａおよびオーバーフロー槽２５の底部に接続される廃液管と、処理槽２１ａの側面に接続される給液管とからなり、廃液管と給液管の間には、廃液管からの溶解液２２を揚水するためのポンプ２７が介設されている。また、ポンプ２７の下流側には濾過装置２８が介設されており、濾過装置２８の下流側には、溶解液２２を予め設定された液温に加熱制御（調節）するヒータ２９が介設されている。濾過装置２８は溶解液中に浮遊する塵等の比較的大きな異物を微細な網目等により捕捉するように構成されている。また、溶解液の液温は２０〜８０℃の範囲で制御するのが好適である。   The circulation path 26 includes a waste liquid pipe connected to the bottoms of the processing tank 21a and the overflow tank 25, and a liquid supply pipe connected to the side surface of the processing tank 21a. Between the waste liquid pipe and the liquid supply pipe, A pump 27 is provided for pumping the solution 22 from the pipe. A filtration device 28 is provided downstream of the pump 27, and a heater 29 is provided on the downstream side of the filtration device 28 for heating control (adjustment) of the solution 22 to a preset liquid temperature. Has been. The filtering device 28 is configured to capture relatively large foreign matters such as dust floating in the solution by a fine mesh or the like. The solution temperature is preferably controlled in the range of 20 to 80 ° C.

また、処理槽２１ａの底側の外部には超音波振動子３０が敷設されている。この超音波振動子３０は、溶解液２２内に浸漬されている回路基板２上の樹脂ダム８に超音波を付勢するためのものであり、このように樹脂ダム８に超音波を付勢することで、樹脂ダム８の除去に係る時間を短縮することができる。また超音波によるキャビテーション作用を活用するために、周波数を１０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの範囲で設定するのが好適である。つまり、超音波によりキャビテーションを発生させることで、樹脂ダム８の除去に係る時間をより短縮することができる。なお、ここでは処理槽２１ａの外部に超音波振動子を設置しているが、処理槽２１ａ内に設置してもよい。   Moreover, the ultrasonic transducer | vibrator 30 is laid by the exterior of the bottom side of the processing tank 21a. The ultrasonic transducer 30 is for energizing ultrasonic waves to the resin dam 8 on the circuit board 2 immersed in the solution 22, and thus energizes ultrasonic waves to the resin dam 8. By doing so, the time concerning the removal of the resin dam 8 can be shortened. In order to utilize the cavitation action by ultrasonic waves, it is preferable to set the frequency in the range of 10 kHz to 500 kHz. That is, by generating cavitation using ultrasonic waves, the time required for removing the resin dam 8 can be further shortened. In addition, although the ultrasonic transducer | vibrator is installed in the exterior of the processing tank 21a here, you may install in the processing tank 21a.

また、図示しないが、処理槽２１ａの脇には、第１水洗槽、第２水洗槽、およびスピン乾燥装置またはベーク乾燥装置が並べられている。また、複数個の半導体装置２３を収容した処理治具２４を処理槽２１ａ、第１水洗槽、第２水洗槽および乾燥装置へ移送可能で、且つ処理治具２４を処理槽２１ａ、第１水洗槽および第２水洗槽にて昇降可能な搬送ロボットも設けられている。   Moreover, although not shown in figure, the 1st water washing tank, the 2nd water washing tank, and the spin-drying apparatus or the bake-drying apparatus are located in the side of the process tank 21a. Further, the processing jig 24 containing a plurality of semiconductor devices 23 can be transferred to the processing tank 21a, the first water washing tank, the second water washing tank and the drying apparatus, and the processing jig 24 can be transferred to the processing tank 21a and the first water washing. A transfer robot that can move up and down in the tank and the second washing tank is also provided.

続いて浸漬方式による樹脂ダムの除去処理について、図７に示すフロー図を用いて説明する。浸漬方式では、まず、ステップＳ１０１において、被処理物である樹脂ダム８が搭載されている半導体装置２３を複数個、整列して保持する処理治具２４を、図６に示すように浸漬式樹脂ダム溶解装置の処理槽２１ａに貯留された溶解液２２内に浸漬する。   Next, the resin dam removal process by the dipping method will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In the dipping method, first, in step S101, a processing jig 24 that holds a plurality of semiconductor devices 23 on which the resin dams 8 to be processed are mounted is arranged as shown in FIG. It is immersed in the solution 22 stored in the treatment tank 21a of the dam dissolving device.

次に、ステップＳ１０２において、超音波振動子３０を所定周波数で振動させるとともに、処理治具２４を昇降させ、所定時間経過後、搬送ロボットによって処理治具２４を溶解液２２から引き上げる。回路基板２上に搭載した樹脂ダム８は、溶解液２２内に浸漬されている間に、溶解液２２との反応によって溶解され、ストレスレスで樹脂ダム８を除去することができる。なお、処理治具２４を昇降させることで、溶解した樹脂ダム８の塵の溶解液２２中への遊離を促進させることができる。   Next, in step S102, the ultrasonic transducer 30 is vibrated at a predetermined frequency and the processing jig 24 is moved up and down. After a predetermined time has elapsed, the processing jig 24 is pulled up from the solution 22 by the transfer robot. The resin dam 8 mounted on the circuit board 2 is dissolved by the reaction with the solution 22 while being immersed in the solution 22, and the resin dam 8 can be removed without stress. In addition, by raising / lowering the processing jig 24, it is possible to promote the release of the dissolved resin dam 8 into the dissolved liquid 22.

次に、ステップＳ１０３、ステップＳ１０４において、搬送ロボットによって処理治具２４を第１水洗槽、第２水洗槽へ順次移送して溶解液を水洗いした後、ステップＳ１０５において、搬送ロボットによって処理治具２４を乾燥装置へ移送して、樹脂ダムが除去された半導体装置を乾燥させる。   Next, in step S103 and step S104, the processing jig 24 is sequentially transferred to the first washing tank and the second washing tank by the transfer robot to wash the solution, and in step S105, the processing jig 24 is set by the transfer robot. The semiconductor device from which the resin dam has been removed is dried.

続いて、噴射方式について説明する。図８は本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である噴射方式を説明するための模式図である。但し、図６に基づいて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して、適宜説明を省略する。   Next, the injection method will be described. FIG. 8 is a schematic diagram for explaining an injection method which is an example of a resin dam removing method in the embodiment of the present invention. However, members corresponding to those described based on FIG. 6 are assigned the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

図８に示すように、噴射方式は、噴射式樹脂ダム溶解装置の処理槽２１ｂ内に配置された半導体装置２３へ、溶解液噴射ノズル３１から溶解液２２を噴射して樹脂ダム８へ吹き付けることで、樹脂ダム８を溶解除去する方法である。   As shown in FIG. 8, in the injection method, the solution 22 is injected from the solution injection nozzle 31 onto the semiconductor device 23 disposed in the treatment tank 21 b of the injection type resin dam dissolution device and sprayed onto the resin dam 8. In this method, the resin dam 8 is dissolved and removed.

処理槽２１ｂはステンレス鋼等からなり、被処理物である樹脂ダム８が搭載された半導体装置２３を複数個保持する処理治具２４を完全に収容し得る大きさの密閉形状に形成されている。   The processing tank 21b is made of stainless steel or the like, and is formed in a sealed shape having a size capable of completely accommodating a processing jig 24 that holds a plurality of semiconductor devices 23 on which a resin dam 8 that is an object to be processed is mounted. .

また、処理槽２１ｂ内の天井側には、溶解液噴射ノズル３１が設置されている。この溶解液噴射ノズル３１は、半導体装置２３へ斜め上方から溶解液２２を噴射して回路基板２上の樹脂ダム８へ吹き付ける。なお、噴射式ノズル３１から噴射する溶解液２２にエアー３２を混入させてもよい。噴射する溶解液２２にエアー３２を混入させることで、より強く溶解液２２を噴射することができ、溶解液２２の噴射量を削減しても同等の効果を確保できる。よって、エアーを混入させることで、使用する溶解液の量を削減して資源の浪費を抑え、コストダウンを図ることができる。   Moreover, the solution injection nozzle 31 is installed on the ceiling side in the processing tank 21b. The dissolved liquid injection nozzle 31 sprays the dissolved liquid 22 to the semiconductor device 23 obliquely from above and sprays it onto the resin dam 8 on the circuit board 2. Note that air 32 may be mixed into the solution 22 sprayed from the spray nozzle 31. By mixing the air 32 into the solution 22 to be injected, the solution 22 can be injected more strongly, and the same effect can be secured even if the amount of the solution 22 injected is reduced. Therefore, by mixing air, the amount of the solution to be used can be reduced, the waste of resources can be suppressed, and the cost can be reduced.

また、処理槽２１ｂには、噴射された溶解液２２を一時的に溜めるための液受け槽３３が形成されている。また、処理槽２１ｂには、図６に示す浸漬式樹脂ダム溶解装置と同様に、溶解液２２を循環させるための循環路２６が流体的に接続されている。循環路２６は、液受け槽３３の側面に接続される廃液管と、溶解液噴射ノズル３１に接続される給液管とからなる。また、図６に示す浸漬式樹脂ダム溶解装置と同様に、循環路２６にはポンプ２７、濾過装置２８、およびヒータ２９が介設されている。   The treatment tank 21b is formed with a liquid receiving tank 33 for temporarily storing the sprayed solution 22. Further, similarly to the immersion type resin dam dissolving apparatus shown in FIG. 6, a circulation path 26 for circulating the solution 22 is fluidly connected to the treatment tank 21b. The circulation path 26 includes a waste liquid pipe connected to the side surface of the liquid receiving tank 33 and a liquid supply pipe connected to the solution injection nozzle 31. Further, similarly to the immersion type resin dam melting device shown in FIG. 6, a pump 27, a filtering device 28, and a heater 29 are interposed in the circulation path 26.

また、図示しないが、処理槽２１ｂの脇には、第１水洗槽、第２水洗槽、およびスピン乾燥装置またはベーク乾燥装置が並べられている。また、複数個の半導体装置２３を収容した処理治具２４を処理槽２１ｂ、第１水洗槽、第２水洗槽および乾燥装置へ移送可能で、且つ処理治具２４を第１水洗槽および第２水洗槽にて昇降可能な搬送ロボットも設けられている。   Moreover, although not shown in figure, the 1st water washing tank, the 2nd water washing tank, and the spin-drying apparatus or the bake drying apparatus are located in the side of the process tank 21b. Further, the processing jig 24 containing a plurality of semiconductor devices 23 can be transferred to the processing tank 21b, the first water washing tank, the second water washing tank, and the drying device, and the processing jig 24 can be transferred to the first water washing tank and the second water washing tank. A transfer robot that can be moved up and down in the washing tank is also provided.

続いて噴射方式による樹脂ダムの除去処理について、図９に示すフロー図を用いて説明する。噴射方式では、まず、ステップＳ２０１において、被処理物である樹脂ダム８が搭載されている半導体装置２３を複数個、整列して保持する処理治具２４を、図８に示すように噴射式樹脂ダム溶解装置の処理槽２１ｂ内に配置し、その配置された半導体装置２３へ、所定時間、エアー３２を混入した溶解液２２を噴射圧が２ＭＰａ以下、噴射量が５０ｌ／ｍｉｎ以下で噴射して回路基板２上の樹脂ダム８へ吹き付ける。   Next, the resin dam removal process by the injection method will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In the injection method, first, in step S201, the processing jig 24 for holding a plurality of semiconductor devices 23 on which the resin dams 8 to be processed are mounted is arranged as shown in FIG. It is arranged in the treatment tank 21b of the dam melting device, and the solution 22 mixed with air 32 is sprayed to the arranged semiconductor device 23 for a predetermined time at an injection pressure of 2 MPa or less and an injection amount of 50 l / min or less. The resin dam 8 on the circuit board 2 is sprayed.

回路基板２上に搭載した樹脂ダム８は、溶解液噴射ノズル３１から溶解液２２が噴射されている間に、溶解液２２との反応によって溶解され、ストレスレスで樹脂ダム８を除去することができる。   The resin dam 8 mounted on the circuit board 2 is dissolved by the reaction with the solution 22 while the solution 22 is being jetted from the solution jet nozzle 31, and the resin dam 8 can be removed without stress. it can.

次に、ステップＳ２０２、ステップＳ２０３において、搬送ロボットによって処理治具２４を処理槽２１ｂから引き上げ、第１水洗槽、第２水洗槽へ順次移送して溶解液を水洗いした後、ステップＳ２０４において、搬送ロボットによって処理治具２４を乾燥装置へ移送して、樹脂ダムが除去された半導体装置（回路基板）を乾燥させる。   Next, in step S202 and step S203, the processing jig 24 is pulled up from the processing tank 21b by the transfer robot and sequentially transferred to the first water washing tank and the second water washing tank to wash the solution, and in step S204, the transfer is performed. The processing jig 24 is transferred to the drying device by the robot, and the semiconductor device (circuit board) from which the resin dam has been removed is dried.

続いて、噴射方式の他例（第２の噴射方式）について説明する。図１０は本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である第２の噴射方式を説明するための模式図である。但し、図６、図８に基づいて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して、適宜説明を省略する。   Next, another example of the injection method (second injection method) will be described. FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a second injection method that is an example of a resin dam removing method according to the embodiment of the present invention. However, members corresponding to those described based on FIGS. 6 and 8 are given the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

図１０に示すように、この第２の噴射方式は、噴射式樹脂ダム溶解装置の処理槽２１ｃ内に配置した半導体装置２３を水平面内で回転させ、その回転している半導体装置２３へ溶解液噴射ノズル３１から溶解液２２を噴射して樹脂ダム８へ吹き付けることで、樹脂ダム８を溶解除去する点が、図８に基づいて説明した噴射方式（第１の噴射方式）と異なる。   As shown in FIG. 10, in this second injection method, the semiconductor device 23 disposed in the treatment tank 21c of the injection type resin dam dissolving device is rotated in a horizontal plane, and the solution is supplied to the rotating semiconductor device 23. The point that the resin dam 8 is dissolved and removed by spraying the solution 22 from the spray nozzle 31 and spraying it on the resin dam 8 is different from the spray method described with reference to FIG. 8 (first spray method).

処理槽２１ｃはステンレス鋼等からなり、被処理物である樹脂ダム８が搭載された半導体装置２３を複数個保持する処理治具２４を完全に収容し得る大きさの密封形状に形成されている。   The processing tank 21c is made of stainless steel or the like, and is formed in a sealed shape having a size that can completely accommodate the processing jig 24 that holds a plurality of semiconductor devices 23 on which the resin dam 8 that is an object to be processed is mounted. .

また、処理槽２１ｃ内の底側には、処理治具２４が載置されるターンテーブル３４が設置されており、処理槽２１ｃの底側の外部には、ターンテーブル３４を回転させるモータ３５が設置されている。   A turntable 34 on which the processing jig 24 is placed is installed on the bottom side in the processing tank 21c, and a motor 35 that rotates the turntable 34 is provided outside the processing tank 21c. is set up.

また、処理槽２１ｃ内の天井側には、溶解液噴射ノズル３１が設置されている。この溶解液噴射ノズル３１は、半導体装置２３へ上方から溶解液２２を噴射して回路基板２上の樹脂ダム８へ吹き付ける。なお、噴射式ノズル３１から噴射する溶解液２２にエアー３２を混入させてもよい。   Moreover, the solution injection nozzle 31 is installed on the ceiling side in the treatment tank 21c. The solution injection nozzle 31 sprays the solution 22 from above onto the semiconductor device 23 and sprays it onto the resin dam 8 on the circuit board 2. Note that air 32 may be mixed into the solution 22 sprayed from the spray nozzle 31.

また、図８に示す噴射式樹脂ダム溶解装置と同様に、処理槽２１ｃには液受け槽３３が形成されている。また、処理槽２１ｃには、図８に示す噴射式樹脂ダム溶解装置と同様に、溶解液２２を循環させるための循環路２６が流体的に接続されている。また、図８に示す噴射式樹脂ダム溶解装置と同様に、循環路２６にはポンプ２７、濾過装置２８、およびヒータ２９が介設されている。   Similarly to the injection type resin dam melting device shown in FIG. 8, a liquid receiving tank 33 is formed in the processing tank 21c. In addition, a circulation path 26 for circulating the solution 22 is fluidly connected to the treatment tank 21c in the same manner as the injection type resin dam dissolving apparatus shown in FIG. Further, similarly to the injection type resin dam melting apparatus shown in FIG. 8, the circulation path 26 is provided with a pump 27, a filtering device 28, and a heater 29.

また、図示しないが、処理槽２１ｃの脇には、第１水洗槽、第２水洗槽、およびスピン乾燥装置またはベーク乾燥装置が並べられている。また、複数個の半導体装置２３を収容した処理治具２４を処理槽２１ｃ、第１水洗槽、第２水洗槽および乾燥装置へ移送可能で、且つ処理治具２４を第１水洗槽および第２水洗槽にて昇降可能な搬送ロボットも設けられている。   Moreover, although not shown in figure, the 1st washing tank, the 2nd washing tank, and the spin-drying apparatus or the bake-drying apparatus are located in the side of the process tank 21c. Further, the processing jig 24 containing a plurality of semiconductor devices 23 can be transferred to the processing tank 21c, the first water washing tank, the second water washing tank, and the drying apparatus, and the processing jig 24 can be transferred to the first water washing tank and the second water washing tank. A transfer robot that can be moved up and down in the washing tank is also provided.

続いて、この第２の噴射方式による樹脂ダムの除去処理について、図１１に示すフロー図を用いて説明する。この第２の噴射方式では、まず、ステップＳ３０１において、被処理物である樹脂ダム８が搭載されている半導体装置２３を複数個、整列して保持する処理治具２４を、図１０に示すように噴射式樹脂ダム溶解装置の処理槽２１ｃ内に配置し、その配置された半導体装置２３をモータ３５により水平面内で回転させながら、所定時間、エアー３２を混入した溶解液２２を噴射圧が２ＭＰａ以下、噴射量が５０ｌ／ｍｉｎ以下で噴射して回路基板２上の樹脂ダム８へ吹き付ける。   Next, the resin dam removal process by the second injection method will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In this second injection method, first, in step S301, a processing jig 24 that holds and holds a plurality of semiconductor devices 23 on which the resin dam 8 that is the object to be processed is mounted is shown in FIG. Is disposed in the treatment tank 21c of the injection type resin dam melting device, and the semiconductor device 23 is rotated in the horizontal plane by the motor 35 while the solution 22 mixed with the air 32 is sprayed at a pressure of 2 MPa for a predetermined time. Thereafter, the jet amount is jetted at 50 l / min or less and sprayed onto the resin dam 8 on the circuit board 2.

このように半導体装置２３を水平面内で回転させることにより、回路基板２上の樹脂ダム８へ多方向から溶解液２２を吹き付けることができ、樹脂ダム８を効率的に溶解することができる。   Thus, by rotating the semiconductor device 23 in a horizontal plane, the dissolving liquid 22 can be sprayed from multiple directions to the resin dam 8 on the circuit board 2, and the resin dam 8 can be efficiently dissolved.

なお、本実施の形態では半導体装置を水平面内で回転させたが、これに限らず、例えば溶解液噴射ノズルを水平面内で回転させてもよく、溶解液を噴射する間、溶解液の樹脂ダムへの吹き付け方向を変化させることができる構成であればよい。   In this embodiment, the semiconductor device is rotated in the horizontal plane. However, the present invention is not limited to this. For example, the solution injection nozzle may be rotated in the horizontal plane. Any configuration can be used as long as the spraying direction can be changed.

次に、ステップＳ３０２、ステップＳ３０３において、搬送ロボットによって処理治具２４を処理槽２１ｃから引き上げ、第１水洗槽、第２水洗槽へ順次移送して溶解液を水洗いした後、ステップＳ３０４において、搬送ロボットによって処理治具２４を乾燥装置へ移送して、樹脂ダムが除去された半導体装置（回路基板）を乾燥させる。   Next, in step S302 and step S303, the processing jig 24 is pulled up from the processing tank 21c by the transfer robot and sequentially transferred to the first water washing tank and the second water washing tank to wash the solution with water, and in step S304, the transfer is performed. The processing jig 24 is transferred to the drying device by the robot, and the semiconductor device (circuit board) from which the resin dam has been removed is dried.

続いて、噴射方式の他例（第３の噴射方式）について説明する。図１２は本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である第３の噴射方式（ダイレクトパス方式）を説明するための模式図である。但し、図６、図８、図１０に基づいて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して、適宜説明を省略する。   Subsequently, another example of the injection method (third injection method) will be described. FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a third injection method (direct path method) which is an example of a resin dam removing method in the embodiment of the present invention. However, members corresponding to those described based on FIG. 6, FIG. 8, and FIG.

図１２に示すように、このダイレクトパス方式は、ダイレクトパス式樹脂ダム溶解装置の処理槽２１ｄ内に配置した半導体装置２３の回路基板２の、樹脂ダム８が形成されている面に沿って、溶解液２２を噴射することで、樹脂ダム８を溶解除去する点が、他の噴射方式と異なる。   As shown in FIG. 12, this direct path method is performed along the surface on which the resin dam 8 is formed on the circuit board 2 of the semiconductor device 23 arranged in the treatment tank 21d of the direct path type resin dam melting apparatus. The point which dissolves and removes the resin dam 8 by injecting the solution 22 is different from other injection methods.

処理槽２１ｄはステンレス鋼等からなり、被処理物である樹脂ダム８が搭載された半導体装置２３を複数個保持する処理治具２４を完全に収容し得る大きさの密閉形状に形成されている。   The processing tank 21d is made of stainless steel or the like, and is formed in a sealed shape having a size that can completely accommodate the processing jig 24 that holds a plurality of semiconductor devices 23 on which the resin dam 8 that is an object to be processed is mounted. .

また、処理槽２１ｄ内の天井側には、前述した第１、第２の噴射方式の溶解液噴射ノズル３１と比較するとノズル径が大型で、処理槽２１ｄの断面積と同等の面積の噴出し口を有する溶解液大型噴射ノズル３６が配置されている。   Further, on the ceiling side in the processing tank 21d, the nozzle diameter is larger than that of the above-described first and second injection type solution injection nozzles 31, and the jet has an area equivalent to the cross-sectional area of the processing tank 21d. Dissolved liquid large spray nozzle 36 having a mouth is arranged.

ダイレクトパス方式では、回路基板２の樹脂ダム８が形成されている面が溶解液２２の通過方向（噴射方向）と平行になるように半導体装置２３を処理槽２１ｄ内に配置し、溶解液大型噴射ノズル３６から溶解液２２を、前述した第１、第２の噴射方式と比較すると大量に噴射して、回路基板２上を通過させる。なお、溶解液大型噴射ノズル３６の噴射量は、１００〜５００ｌ／ｍｍの範囲に設定するのが好適である。   In the direct path method, the semiconductor device 23 is arranged in the treatment tank 21d so that the surface of the circuit board 2 on which the resin dam 8 is formed is parallel to the passing direction (spraying direction) of the dissolving liquid 22, and the large size of the dissolving liquid is obtained. Compared with the first and second spray methods described above, the solution 22 is sprayed in a large amount from the spray nozzle 36 and passes over the circuit board 2. In addition, it is suitable to set the injection amount of the solution large-sized injection nozzle 36 in the range of 100 to 500 l / mm.

また、処理槽２１ｄ内の底側には、噴射された溶解液２２を一時的に溜めるための液受け槽３３が形成されている。また、処理槽２１ｄには、他の樹脂ダム溶解装置と同様に、溶解液２２を循環させるための循環路２６が流体的に接続されている。循環路２６は、液受け槽３３の底部に接続される廃液管と、溶解液大型噴射ノズル３６に接続される給液管とからなる。また、他の樹脂ダム溶解装置と同様に、循環路２６にはポンプ２７、濾過装置２８、およびヒータ２９が介設されている。   Further, a liquid receiving tank 33 for temporarily storing the sprayed solution 22 is formed on the bottom side in the processing tank 21d. In addition, like the other resin dam dissolving apparatus, a circulation path 26 for circulating the solution 22 is fluidly connected to the treatment tank 21d. The circulation path 26 includes a waste liquid pipe connected to the bottom of the liquid receiving tank 33 and a liquid supply pipe connected to the large solution injection nozzle 36. As with other resin dam melting devices, a pump 27, a filtering device 28, and a heater 29 are interposed in the circulation path 26.

また、図示しないが、処理槽２１ｄの脇には、第１水洗槽、第２水洗槽、およびスピン乾燥装置またはベーク乾燥装置が並べられている。また、複数個の半導体装置２３を収容した処理治具２４を処理槽２１ｄ、第１水洗槽、第２水洗槽および乾燥装置へ移送可能で、且つ処理治具２４を第１水洗槽および第２水洗槽にて昇降可能な搬送ロボットも設けられている。   Moreover, although not shown in figure, the 1st water washing tank, the 2nd water washing tank, and the spin drying apparatus or the bake drying apparatus are located in the side of the process tank 21d. Further, the processing jig 24 containing a plurality of semiconductor devices 23 can be transferred to the processing tank 21d, the first water washing tank, the second water washing tank, and the drying apparatus, and the processing jig 24 can be transferred to the first water washing tank and the second water washing tank. A transfer robot that can be moved up and down in the washing tank is also provided.

続いて、このダイレクトパス方式による樹脂ダムの除去処理について、図１３に示すフロー図を用いて説明する。このダイレクトパス方式では、まず、ステップＳ４０１において、被処理物である樹脂ダム８が搭載されている半導体装置２３を複数個、整列して保持する処理治具２４を、図１２に示すようにダイレクトパス式樹脂ダム溶解装置の処理槽２１ｄ内に配置し、その配置された半導体装置２３へ、所定時間、溶解液２２を噴射量が１００〜５００ｌ／ｍｍ、噴射圧が０．１ＭＰａ以下で噴射して回路基板２上を通過させる。このようにすれば、回路基板２上の樹脂ダム８へ大量の溶解液２２を衝突させることができ、樹脂ダム８を効率的に溶解することができる。   Next, the resin dam removal process by the direct path method will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In this direct pass method, first, in step S401, a processing jig 24 that holds a plurality of semiconductor devices 23 on which a resin dam 8 that is an object to be processed is arranged and held directly as shown in FIG. It arrange | positions in the processing tank 21d of a pass-type resin dam melt | dissolution apparatus, and injects the melt | dissolution liquid 22 with the injection amount of 100-500 l / mm and the injection pressure to 0.1 Mpa or less to the semiconductor device 23 arrange | positioned for the predetermined time. To pass over the circuit board 2. If it does in this way, a large amount of solution 22 can be made to collide with resin dam 8 on circuit board 2, and resin dam 8 can be dissolved efficiently.

次に、ステップＳ４０２、ステップＳ４０３において、搬送ロボットによって処理治具２４を処理槽２１ｄから引き上げ、第１水洗槽、第２水洗槽へ順次移送して溶解液を水洗いした後、ステップＳ４０４において、搬送ロボットによって処理治具２４を乾燥装置へ移送して、樹脂ダムが除去された半導体装置を乾燥させる。   Next, in step S402 and step S403, the processing jig 24 is pulled up from the processing tank 21d by the transfer robot and sequentially transferred to the first water washing tank and the second water washing tank, and the solution is washed with water. The robot transfers the processing jig 24 to the drying device, and dries the semiconductor device from which the resin dam has been removed.

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、アンダーフィル樹脂を堰き止める樹脂ダムをストレスレスに除去することができ、フリップチップ実装工法などの３次元積層実装工法により半導体チップが回路基板上に搭載される半導体装置に有用である。   The semiconductor device manufacturing method according to the present invention can remove the resin dam that blocks the underfill resin without stress, and the semiconductor chip is mounted on the circuit board by a three-dimensional stacked mounting method such as a flip chip mounting method. This is useful for semiconductor devices.

本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device in embodiment of this invention 本発明の実施の形態における半田ボール搭載方式によるバンプ形成方法を説明するための断面図Sectional drawing for demonstrating the bump formation method by the solder ball mounting system in embodiment of this invention 本発明の実施の形態における印刷方式によるバンプ形成方法を説明するための断面図Sectional drawing for demonstrating the bump formation method by the printing system in embodiment of this invention 本発明の実施の形態におけるメッキ形成方式によるバンプ形成方法を説明するための断面図Sectional drawing for demonstrating the bump formation method by the plating formation system in embodiment of this invention 本発明の実施の形態における樹脂ダムを説明するための図The figure for demonstrating the resin dam in embodiment of this invention 本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である浸漬方式を説明するための模式図The schematic diagram for demonstrating the immersion system which is an example of the resin dam removal method in embodiment of this invention 本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である浸漬方式のフローチャートを示す図The figure which shows the flowchart of the immersion system which is an example of the resin dam removal method in embodiment of this invention 本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である第１の噴射方式を説明するための模式図The schematic diagram for demonstrating the 1st injection system which is an example of the resin dam removal method in embodiment of this invention 本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である第１の噴射方式のフローチャートを示す図The figure which shows the flowchart of the 1st injection system which is an example of the resin dam removal method in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である第２の噴射方式を説明するための模式図The schematic diagram for demonstrating the 2nd injection system which is an example of the resin dam removal method in embodiment of this invention 本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である第２の噴射方式のフローチャートを示す図The figure which shows the flowchart of the 2nd injection system which is an example of the resin dam removal method in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である第３の噴射方式（ダイレクトパス方式）を説明するための模式図The schematic diagram for demonstrating the 3rd injection system (direct path system) which is an example of the resin dam removal method in embodiment of this invention 本発明の実施の形態における樹脂ダム除去方法の一例である第３の噴射方式（ダイレクトパス方式）のフローチャートを示す図The figure which shows the flowchart of the 3rd injection system (direct path system) which is an example of the resin dam removal method in embodiment of this invention. 従来のフリップチップ実装工法を説明するための断面図Sectional drawing for demonstrating the conventional flip chip mounting method 従来のワイヤボンド実装工法で半導体チップを回路基板に実装した半導体装置の断面図Sectional view of a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a circuit board by a conventional wire bond mounting method 従来のアンダーフィル樹脂の充填工程を説明するための平面図および断面図Plan view and sectional view for explaining a conventional filling process of underfill resin 従来の樹脂ダム取り外し方法を説明するための断面図Sectional drawing for demonstrating the conventional resin dam removal method 従来の樹脂ダム取り外し方法の他例を説明するための拡大断面図Expanded sectional view for explaining another example of a conventional resin dam removing method

符号の説明Explanation of symbols

１ 半導体チップ
１ａ 電極
２ 回路基板
３ バンプ
３ａ 半田ボール
３ｂ ペースト
３ｃ メッキ液
４ フラックス
５ 加熱
６ 治具
６ａ 貫通穴
７ スキージ
８ 樹脂ダム
８ａ 孔
８ｂ、８ｃ 部材
９ アンダーフィル樹脂充填ノズル
１０ アンダーフィル樹脂
１１ 間隔
１２ 加熱
２１、２１ａ〜２１ｄ 処理槽
２２ 溶解液
２３ 半導体装置
２４ 処理治具
２５ オーバーフロー槽
２６ 循環路
２７ ポンプ
２８ 濾過装置
２９ ヒータ
３０ 超音波振動子
３１ 溶解液噴射ノズル
３２ エアー
３３ 液受け槽
３４ ターンテーブル
３５ モータ
３６ 溶解液大型噴射ノズル
１０１ 半導体チップ
１０１ａ 電極
１０２ 回路基板
１０２ａ 電極
１０３ バンプ
１０４ アンダーフィル樹脂
１０５ アンダーフィル樹脂充填ノズル
１０６ 保護レジスト層
１０７ 実装面積
１０８ 薄片
１０８ａ 孔
１０９ 糸引き
１１０ 接触面
１１１ クラック
２０１ 半導体チップ
２０１ａ 電極
２０２ 回路基板
２０２ａ 電極
２０３ ボンディングワイヤ
２０４ 実装面積 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 1a Electrode 2 Circuit board 3 Bump 3a Solder ball 3b Paste 3c Plating liquid 4 Flux 5 Heating 6 Jig 6a Through hole 7 Squeegee 8 Resin dam 8a Hole 8b, 8c Member 9 Underfill resin filling nozzle 10 Underfill resin 11 Interval 12 Heating 21, 21 a to 21 d Processing tank 22 Dissolving liquid 23 Semiconductor device 24 Processing jig 25 Overflow tank 26 Circulating path 27 Pump 28 Filtration apparatus 29 Heater 30 Ultrasonic vibrator 31 Dissolving liquid injection nozzle 32 Air 33 Liquid receiving tank 34 Turntable 35 Motor 36 Dissolved liquid large spray nozzle 101 Semiconductor chip 101a Electrode 102 Circuit board 102a Electrode 103 Bump 104 Underfill resin 105 Underfill resin filling nozzle 106 Protective resist layer 107 Actual Area 108 slices 108a hole 109 stringiness 110 contact surface 111 cracking 201 semiconductor chips 201a electrode 202 circuit board 202a electrode 203 bonding wires 204 mounting area

Claims (13)

回路基板とその回路基板に搭載された半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を充填する前に、回路基板の半導体チップを搭載する領域の周囲にアンダーフィル樹脂を堰き止める樹脂ダムを搭載しておき、アンダーフィル樹脂を充填および硬化した後、前記樹脂ダムを除去する半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを除去するに際し、処理槽に貯留された溶解液内に回路基板を浸漬させて前記樹脂ダムを溶解し、前記樹脂ダムを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。   Before filling the underfill resin between the circuit board and the semiconductor chip mounted on the circuit board, install a resin dam to dam the underfill resin around the area where the semiconductor chip is mounted on the circuit board. The semiconductor device manufacturing method of removing the resin dam after filling and curing with an underfill resin, wherein the circuit board is immersed in a solution stored in a processing tank when the resin dam is removed. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising melting the resin dam and removing the resin dam. 前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、前記処理槽外または前記処理槽内に設置した超音波振動子を振動させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。   2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein when the resin dam is dissolved by the solution, an ultrasonic vibrator installed outside or inside the processing bath is vibrated. 前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、前記超音波振動子を１０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの範囲で振動させることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。   3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the ultrasonic vibrator is vibrated in a range of 10 kHz to 500 kHz when the resin dam is dissolved by the solution. 前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解する間、前記溶解液内に浸漬されている回路基板を昇降させることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the circuit board immersed in the solution is moved up and down while the resin dam is dissolved by the solution. 前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、予め設定された液温に調整した前記溶解液内に回路基板を浸漬させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   5. The semiconductor device according to claim 1, wherein when the resin dam is dissolved by the solution, a circuit board is immersed in the solution adjusted to a preset solution temperature. 6. Production method. 回路基板とその回路基板に搭載された半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を充填する前に、回路基板の半導体チップを搭載する領域の周囲にアンダーフィル樹脂を堰き止める樹脂ダムを搭載しておき、アンダーフィル樹脂を充填および硬化した後、前記樹脂ダムを除去する半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ダムを除去するに際し、処理槽内に回路基板を配置し、その配置された回路基板上の前記樹脂ダムに溶解液を吹き付けて溶解し、前記樹脂ダムを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。   Before filling the underfill resin between the circuit board and the semiconductor chip mounted on the circuit board, install a resin dam to dam the underfill resin around the area where the semiconductor chip is mounted on the circuit board. A method of manufacturing a semiconductor device in which the resin dam is removed after filling and curing with an underfill resin, wherein the circuit dam is disposed in a processing tank when the resin dam is removed. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: dissolving the resin dam by spraying a solution on the resin dam, and removing the resin dam. 前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、エアーを混入させた前記溶解液を噴射して前記樹脂ダムに吹き付けることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。   7. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein when the resin dam is melted by the solution, the solution mixed with air is sprayed and sprayed onto the resin dam. 前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、予め設定された液温に調整した前記溶解液を噴射して前記樹脂ダムに吹き付けることを特徴とする請求項６もしくは７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   8. The semiconductor according to claim 6, wherein, when the resin dam is dissolved by the solution, the solution adjusted to a preset liquid temperature is sprayed and sprayed onto the resin dam. 9. Device manufacturing method. 前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解する間、前記溶解液の前記樹脂ダムへの吹き付け方向を変化させることを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein a direction in which the solution is sprayed onto the resin dam is changed while the resin dam is dissolved by the solution. 前記樹脂ダムを前記溶解液により溶解するに際し、前記処理槽内に配置された回路基板の前記樹脂ダムが搭載されている面に沿って前記溶解液を噴射することを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   7. When dissolving the resin dam with the solution, the solution is sprayed along a surface on which the resin dam is mounted on a circuit board disposed in the processing tank. 9. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8. 前記樹脂ダムは感光性樹脂、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂のうちのいずれかにより構成されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   11. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the resin dam is made of any one of photosensitive resin, chlorinated polyethylene, epoxy resin, and acrylic resin. 前記溶解液はアルコール類、ケトン類もしくは炭化水素類のうちのいずれかに属する有機溶剤であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。   12. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the solution is an organic solvent belonging to any one of alcohols, ketones, and hydrocarbons. 前記溶解液はイソプロピルアルコール、エタノール、アセトンもしくはトルエンのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。   13. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the solution is any one of isopropyl alcohol, ethanol, acetone, and toluene.
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