JP2009111361A - リソグラフィ装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射のビームを条件付けるように構成されたイルミネーションシステムと、レチクルを保持するように構成された支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板テーブルの上にビームを投影するように構成された投影システムとを備えている。イルミネーションシステムの開口数は投影システムの開口数より大きい。リソグラフィ装置は、さらに、放射のビームのσ>1成分の方向を投影システムの開口数内に向けるように構成された放射リダイレクションデバイスを備えている。
【選択図】図3
Description
− 放射(たとえばUV放射)のビームPBを条件付けるためのイルミネーションシステム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(たとえばマスク)MAを支持するための、該パターニングデバイスをアイテムPLに対して正確に位置決めするための第1の位置決めデバイスPMに接続された支持構造(たとえばマスクテーブル)MTと、
− 基板(たとえばレジストコートウェーハ)Wを保持するための、該基板をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(たとえばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンの像を基板Wのターゲット部分C(たとえば1つまたは複数のダイを備えている)に形成するように構成された投影システム(たとえば屈折型投影レンズ)PLと
を備えている。
NAill=σout max・NAproj
で定義される。NAillはイルミネーションシステムの開口数であり、NAprojは投影システムの開口数である。しかしながら、投影システムは、若干の縮小率Magprojを含むことができる。たとえばMagproj=0.25の場合、パターニングデバイスレベルにおけるNAは、基板レベルにおけるNAの1/4である。
Claims (24)
- 放射のビームを条件付けるように構成されたイルミネーションシステムと、
ピンホールを有するレチクルを保持するように構成された支持構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板テーブルの上にビームを投影するように構成された投影システムであって、前記イルミネーションシステムの開口数が前記投影システムの開口数より大きい投影システムと、
放射の前記ビームのσ>1成分の方向を前記投影システムの前記開口数内に向けるように構成された放射リダイレクションデバイスと
を備えたリソグラフィ装置。 - 前記レチクルが、前記イルミネーションシステムと前記投影システムの間に配置された、請求項1に記載の装置。
- 前記放射リダイレクションデバイスが、前記ピンホールを覆うように配置された発散レンズを備えた、請求項2に記載の装置。
- 前記発散レンズが前記レチクルに取り付けられた、請求項2に記載の装置。
- 前記放射リダイレクションデバイスが、前記ピンホールの下方に位置するように配置された収斂レンズを備えた、請求項2に記載の装置。
- 前記レチクルが複数のピンホールを有し、前記放射リダイレクションデバイスが、放射の前記ビームのσ>1成分の方向を前記投影システムの前記開口数内に向けるための透過型くさびを備えた、請求項2に記載の装置。
- 前記透過型くさびが、関連するピンホールを覆うように配置された、請求項6に記載の装置。
- 前記透過型くさびが、関連するピンホールの下方に位置するように配置された、請求項7に記載の装置。
- 前記放射リダイレクションデバイスが回折格子を備えた、請求項2に記載の装置。
- 前記レチクルが、関連する回折格子を個々に有する複数のピンホールを備え、前記回折格子のうちの1つまたは複数が他の回折格子に対して異なる配向で配置された、請求項9に記載の装置。
- 前記回折格子が、前記ピンホールを覆うように配置された、請求項9に記載の装置。
- 放射の前記ビームの軸に対して前記回折格子を回転させることができる、請求項10に記載の装置。
- 前記レチクルが、関連する回折格子を個々に有する複数のピンホールを備え、前記回折格子のうちの1つまたは複数が他の回折格子に対して異なる配向で配置された、請求項11に記載の装置。
- 前記ピンホールを覆うように配置された拡大鏡を備えた、請求項2に記載の装置。
- 前記投影システムの後段に配置されたセンサと、プロセッサとをさらに備え、前記センサが、投影システム瞳を知覚し、かつ、前記投影システム瞳を前記プロセッサに伝送するようになされ、前記プロセッサがイルミネーションシステム瞳の描写を復元するようになされた、請求項1に記載の装置。
- イルミネーションシステムを使用して放射のビームを提供するステップと、
投影システムを介して放射の前記ビームを投影するステップであって、前記投影システムの開口数が前記イルミネーションシステムの開口数と同じであるかあるいはそれより小さいステップと、
ピンホールを有するレチクルを前記イルミネーションシステムと前記投影システムの間に配置するステップと、
放射の前記ビームのσ>1成分が前記投影システムの前記開口数内を通過することができるよう、放射の方向を変えるステップと
を含む方法。 - 前記ピンホールを覆っている発散レンズを使用して放射の方向を変えるステップを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記ピンホールの下方に位置している収斂レンズを使用して放射の方向を変えるステップを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記レチクルが複数のピンホールを有し、放射の前記ビームのσ>1成分の方向を前記投影システムの前記開口数内に向けるために適切に配置された透過型くさびを使用して放射の方向を変えるステップを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記透過型くさびが関連するピンホールを覆っている、請求項19に記載の方法。
- 放射の前記ビームのσ>1成分の方向を前記投影システムの前記開口数内に向けるために適切に配置された回折格子を使用して放射の方向を変えるステップを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記放射ビームの軸に対して前記回折格子を連続的に回転させるステップを含み、放射の前記ビームのσ>1成分が前記投影システムの前記開口数を通過することができるよう、前記放射ビームの回折次数が配向角毎に開口数境界内へ内側へとシフトする、請求項21に記載の方法。
- 放射の方向を変えるステップが拡大させるステップを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記放射ビームの瞳を知覚するためにセンサを使用するステップと、知覚した瞳をプロセッサに伝送するステップと、イルミネーションシステム瞳の描写を復元するために前記プロセッサを使用するステップとを含む、請求項16に記載の方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0567557A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Nec Corp | 円弧状暗視野照明装置 |
JPH10233361A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-09-02 | Toshiba Corp | 露光方法と露光用マスク |
WO2003088329A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle and optical characteristic measuring method |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2005268744A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP2006324664A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0567557A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Nec Corp | 円弧状暗視野照明装置 |
JPH10233361A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-09-02 | Toshiba Corp | 露光方法と露光用マスク |
WO2003088329A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle and optical characteristic measuring method |
JP2005268744A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2006324664A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129907A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Asml Holding Nv | リソグラフィ装置用改善偏光設計 |
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