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JP2009081035A - Display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP2009081035A
JP2009081035A JP2007249142A JP2007249142A JP2009081035A JP 2009081035 A JP2009081035 A JP 2009081035A JP 2007249142 A JP2007249142 A JP 2007249142A JP 2007249142 A JP2007249142 A JP 2007249142A JP 2009081035 A JP2009081035 A JP 2009081035A
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Japan
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insulating film
layer
display device
liquid repellent
repellent layer
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JP2007249142A
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Minoru Kumagai
稔 熊谷
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Casio Computer Co Ltd
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

【課題】電荷輸送層の膜厚が均一な表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極が設けられた基板の面上に形成された絶縁膜上に撥液層を形成する撥液層形成工程と、前記撥液層上に形成されたレジストをマスクとして前記撥液層及び前記絶縁膜をエッチングして前記電極の少なくとも一部を露出するとともに前記絶縁膜の側壁を露出させる絶縁膜側壁形成工程と、前記レジストを除去して、前記撥液層を露出させる撥液層露出工程と、前記絶縁膜の側壁に囲まれた領域に電荷輸送層となる材料を含有する電荷輸送材料含有液を滴下する電荷輸送材料含有液滴下工程と、を備える。
【選択図】図3
A display device with a uniform thickness of a charge transport layer and a method for manufacturing the same are provided.
A liquid repellent layer forming step of forming a liquid repellent layer on an insulating film formed on a surface of a substrate provided with an electrode; and the liquid repellent layer using a resist formed on the liquid repellent layer as a mask. Etching the layer and the insulating film to expose at least a part of the electrode and exposing the sidewall of the insulating film; and forming the insulating film sidewall to expose the liquid repellent layer by removing the resist A layer exposing step, and a charge transporting material-containing droplet lowering step of dropping a charge transporting material-containing solution containing a material that becomes a charge transporting layer in a region surrounded by the sidewall of the insulating film.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、発光素子を有する表示装置及びその製造方法に関し、特に有機EL(Electro Luminescence)素子を有する表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a display device having a light emitting element and a manufacturing method thereof, and more particularly to a display device having an organic EL (Electro Luminescence) element and a manufacturing method thereof.

有機EL表示装置の発光層を形成する方法として、基板上に配置された表示画素に各色の発光材料を含有する含有液を塗布する湿式法が知られている。湿式法は、隔壁により表示画素を仕切り、各表示画素を隔壁で囲むことにより、囲まれた領域に発光材料を含有する含有液を滴下して各種有機EL層を堆積させている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−75640号公報
As a method of forming a light emitting layer of an organic EL display device, a wet method is known in which a liquid containing a light emitting material of each color is applied to display pixels arranged on a substrate. In the wet method, display pixels are partitioned by partition walls, and each display pixel is surrounded by partition walls, whereby a liquid containing a light emitting material is dropped into the surrounded region to deposit various organic EL layers (for example, patents). Reference 1).
JP 2002-75640 A

しかし、このような構成では、滴下する発光材料を含有する含有液の液面の高さに対して十分な高さに隔壁を形成しないと、含有液が隔壁を越えて隣の表示画素にこぼれてしまい、表示画素ごとに形成される電荷輸送層の膜厚に不均一さが生じてしまう虞があった。特に発光材料を含有する含有液は基板上の滴下位置より高い所から落とされるため、隔壁で囲まれた領域から外にはじかれてしまいやすいといった問題を生じていた。   However, in such a configuration, if the partition is not formed sufficiently high with respect to the liquid level of the liquid containing the light-emitting material to be dropped, the liquid will spill over the adjacent display pixels beyond the partition. As a result, the film thickness of the charge transport layer formed for each display pixel may be non-uniform. In particular, since the containing liquid containing the light emitting material is dropped from a position higher than the dropping position on the substrate, there has been a problem that it is likely to be repelled outside from the region surrounded by the partition walls.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電荷輸送層の膜厚が均一な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a display device having a uniform charge transport layer thickness and a method for manufacturing the same.

上記の目的を達成するため、本発明の第1の観点に係る表示装置の製造方法は、
電極が設けられた基板の面上に形成された絶縁膜上に撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記撥液層上に形成されたレジストをマスクとして前記撥液層及び前記絶縁膜をエッチングして前記電極の少なくとも一部を露出するとともに前記絶縁膜の側壁を露出させる絶縁膜側壁形成工程と、
前記レジストを除去して、前記撥液層を露出させる撥液層露出工程と、
前記絶縁膜の側壁に囲まれた領域に電荷輸送層となる材料を含有する電荷輸送材料含有液を滴下する電荷輸送材料含有液滴下工程と、
を備える。
In order to achieve the above object, a manufacturing method of a display device according to the first aspect of the present invention includes:
A liquid repellent layer forming step of forming a liquid repellent layer on an insulating film formed on a surface of a substrate provided with an electrode;
Etching the liquid repellent layer and the insulating film using a resist formed on the liquid repellent layer as a mask to expose at least a part of the electrode and to expose a side wall of the insulating film;
Removing the resist to expose the liquid repellent layer;
A charge transport material-containing droplet lowering step of dropping a charge transport material-containing liquid containing a material to be a charge transport layer in a region surrounded by the sidewall of the insulating film;
Is provided.

前記レジストは、ドライフィルムレジストである、ことも可能である。   The resist may be a dry film resist.

前記皮膜は、少なくとも1つのフッ素を含む官能基を有する化合物を含む、ことも可能である。   The film may include a compound having a functional group including at least one fluorine.

前記電荷輸送材料含有液滴下工程の処理前に、露出された前記電極及び前記絶縁膜の側壁に親液化処理を施す親液化処理工程を備える、ことも可能である。   It is also possible to provide a lyophilic process step of performing a lyophilic process on the exposed electrode and the sidewall of the insulating film before the process of the charge transport material-containing droplet lowering process.

前記親液化処理工程は、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとする酸素プラズマ処理、又は、紫外線を照射する紫外線照射処理を施す、ことも可能である。   In the lyophilic treatment step, oxygen plasma treatment using oxygen as a processing gas or an ultraviolet irradiation treatment for irradiating ultraviolet rays can be performed in an air atmosphere.

前記撥液層露出工程は、前記基板を有機アルカリ系の剥離剤に浸漬することにより、前記レジストを剥離する、ことも可能である。   In the liquid repellent layer exposing step, the resist can be stripped by immersing the substrate in an organic alkaline stripper.

上記の目的を達成するため、本発明の第2の観点に係る表示装置は、
前記表示装置の製造方法によって製造される。
In order to achieve the above object, a display device according to the second aspect of the present invention provides:
The display device is manufactured by the manufacturing method.

本発明によれば、表示画素の電荷輸送層の膜厚を均一にすることができる。   According to the present invention, the film thickness of the charge transport layer of the display pixel can be made uniform.

以下、本発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法と該製造方法により製造される表示装置について図面を参照して説明する。   A display device manufacturing method and a display device manufactured by the manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

(表示装置)
まず、本実施の形態に係る表示装置の製造方法により製造される表示装置100について説明する。表示装置100の発光方式は、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと称す。)層を備えたアクティブマトリクス駆動によるボトムエミッション型である。有機EL層は、発光素子として有機材料を塗布して形成される発光層やキャリアを輸送する性質を持った材料を塗布して形成される正孔輸送層・電子輸送層等から構成される。本実施の形態に係る表示装置100の有機EL層は、一例として正孔輸送層と発光層との二層構造からなる。
(Display device)
First, display device 100 manufactured by the method for manufacturing a display device according to the present embodiment will be described. The light emitting method of the display device 100 is a bottom emission type by an active matrix driving provided with an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) layer. The organic EL layer includes a light emitting layer formed by applying an organic material as a light emitting element, a hole transport layer / electron transport layer formed by applying a material having a property of transporting carriers, and the like. As an example, the organic EL layer of the display device 100 according to the present embodiment has a two-layer structure of a hole transport layer and a light emitting layer.

表示装置100は、図1に平面で及び図2に図1のA−A線断面で示すように、パネル基板110と、画素電極120と、層間絶縁膜130と、撥液層140と、電荷輸送層である正孔輸送層150と、電荷輸送層である発光層160と、対向電極170と、封止樹脂層180と、封止基板190と、を備える。なお、図1に示す平面図においては、各表示画素(色画素)上に設けられる封止樹脂層180等の表示を省略して、画素電極120と、各表示画素の形成領域を画定する層間絶縁膜130と、のみを示す。また、画素電極120と層間絶縁膜130との配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示す。   The display device 100 includes a panel substrate 110, a pixel electrode 120, an interlayer insulating film 130, a liquid repellent layer 140, a charge, as shown in a plan view in FIG. 1 and a cross section taken along line AA in FIG. A hole transport layer 150 that is a transport layer, a light emitting layer 160 that is a charge transport layer, a counter electrode 170, a sealing resin layer 180, and a sealing substrate 190 are provided. In the plan view shown in FIG. 1, the display of the sealing resin layer 180 and the like provided on each display pixel (color pixel) is omitted, and the pixel electrode 120 and an interlayer that defines the formation area of each display pixel are omitted. Only the insulating film 130 is shown. In addition, in order to clarify the arrangement of the pixel electrode 120 and the interlayer insulating film 130, hatching is shown for convenience.

これらの構成により、パネル基板110の一面に、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色からなる色画素が形成される。色画素は、図1に示すように、図面縦方向に順次繰り返し複数配列されるとともに、図面横方向に同一色の色画素が複数配列される。ここでは、隣接するRGBの3色の色画素を一組として一の表示画素が構成される。各表示画素は、柵状又は格子状の平面パターンを有して連続的に配設された層間絶縁膜130により画定される。パネル基板110の端部上等には、図示しない複数のトランジスタから構成された画素駆動回路が形成されており、画素駆動回路は、層間絶縁膜130に覆われているとともに画素電極120に接続されている。各色画素は、画素駆動回路と共に、該画素駆動回路により制御される発光駆動電流が供給されることにより発光する有機EL素子を構成する。   With these configurations, color pixels including three colors of red (R), green (G), and blue (B) are formed on one surface of the panel substrate 110. As shown in FIG. 1, a plurality of color pixels are sequentially arranged in the vertical direction of the drawing, and a plurality of color pixels of the same color are arranged in the horizontal direction of the drawing. Here, one display pixel is formed by combining adjacent three color pixels of RGB. Each display pixel is defined by an interlayer insulating film 130 continuously arranged with a planar pattern of a fence shape or a lattice shape. A pixel driving circuit composed of a plurality of transistors (not shown) is formed on the edge of the panel substrate 110, and the pixel driving circuit is covered with the interlayer insulating film 130 and connected to the pixel electrode 120. ing. Each color pixel constitutes, together with the pixel drive circuit, an organic EL element that emits light when supplied with a light emission drive current controlled by the pixel drive circuit.

次に、具体的な構成について図2を参照して説明する。パネル基板110はガラス等の絶縁性基板から構成される。パネル基板110の各画素形成領域上には、錫ドープ酸化インジウム(ITO;Indium Tin Oxide)、や亜鉛ドープ酸化インジウム(Indium Zinc Oxide)、タングステンドープ酸化インジウム(Indium Tungsten Oxide)、タングステン−亜鉛ドープ酸化インジウム(Indium Tungsten Zinc Oxide)等の透明導電材料からなる画素電極120が設けられる。また、画素電極120の周辺には、画素電極120に接続された画素駆動回路が設けられる。さらに、パネル基板110の画素形成領域間には、画素駆動回路及び画素電極120の周縁を覆うとともに、画素電極120の中央部を露出するように開口されている層間絶縁膜130が設けられる。層間絶縁膜130は、窒化珪素または酸化珪素等の硅素化合物等の絶縁材料から形成された50nm〜200nmの膜厚の絶縁膜であって、隣り合う画素電極120同士を電気的に絶縁する。層間絶縁膜130の上には撥液性を備える撥液層140が設けられる。なお層間絶縁膜130の開口された側壁には、撥液層140が被膜されていない。層間絶縁膜130により囲まれた開口内の画素電極120の上に正孔輸送層150、発光層160、対向電極170がこの順に積層される。さらに、対向電極170の上には、封止樹脂層180を介して封止基板190が接合される。   Next, a specific configuration will be described with reference to FIG. The panel substrate 110 is made of an insulating substrate such as glass. On each pixel formation region of the panel substrate 110, tin-doped indium oxide (ITO), zinc-doped indium oxide (Indium Zinc Oxide), tungsten-doped indium oxide (Indium Tungsten Oxide), tungsten-zinc-doped oxide. A pixel electrode 120 made of a transparent conductive material such as indium (Indium Tungsten Zinc Oxide) is provided. In addition, a pixel driving circuit connected to the pixel electrode 120 is provided around the pixel electrode 120. Further, an interlayer insulating film 130 is provided between the pixel formation regions of the panel substrate 110 so as to cover the periphery of the pixel driving circuit and the pixel electrode 120 and to open the central portion of the pixel electrode 120. The interlayer insulating film 130 is an insulating film having a thickness of 50 nm to 200 nm formed from an insulating material such as a silicon compound such as silicon nitride or silicon oxide, and electrically insulates adjacent pixel electrodes 120 from each other. A liquid repellent layer 140 having liquid repellency is provided on the interlayer insulating film 130. Note that the liquid repellent layer 140 is not coated on the opened side wall of the interlayer insulating film 130. On the pixel electrode 120 in the opening surrounded by the interlayer insulating film 130, the hole transport layer 150, the light emitting layer 160, and the counter electrode 170 are stacked in this order. Further, a sealing substrate 190 is bonded on the counter electrode 170 via a sealing resin layer 180.

撥液層140は、層間絶縁膜130の上に形成され、撥液性を備える一般的なフッ素コーティング剤(例えば、化学式1に示すようなフッ化アルキル鎖をもつシラザンオリゴマ、フッ化アルキルシランカップリング剤、フッ化アルキルシラン化合物)を含有する。なお、化学式1に示されたシラザンオリゴマは、モノマーが二量体以上の構造であればかまわない。   The liquid repellent layer 140 is formed on the interlayer insulating film 130 and is a general fluorine coating agent having liquid repellency (for example, a silazane oligomer having a fluoroalkyl chain as shown in Chemical Formula 1, a fluoroalkylsilane cup). Ring agent, fluorinated alkylsilane compound). Note that the silazane oligomer represented by Chemical Formula 1 may be a monomer having a dimer or higher structure.

Figure 2009081035
Figure 2009081035

正孔輸送層150及び発光層160は、連続する液体を所定位置に流し込むノズルプリント法又は個々に分離した液滴を所定位置に滴下するインクジェット法により画素電極120上に有機EL材料(有機EL材料には、発光材料の他に、キャリアを輸送する性質を持っている材料(正孔注入材料、電子注入材料等)が含まれる。)を含有した含有液を塗布し、加熱乾燥することにより、形成される。正孔輸送材料は、例えば、化学式2に示すように、導電性高分子であるポリエチレンジオキシチオフェンと、ポリスチレンスルホン酸を水系溶媒に分散させた水を主成分とするインク等から構成される。発光材料は、例えば、ポリフェニレンビニレン等の共役二重結合ポリマーから構成される。含有液は、例えば、水溶性又は親油性の溶剤(水、エタノール、エチレングリコール、トルエン、キシレン等)から構成される。また、発光層160には、発光光を着色する蛍光体や顔料が添加されている。   The hole transport layer 150 and the light emitting layer 160 are formed on the pixel electrode 120 by an organic EL material (organic EL material) by a nozzle printing method in which a continuous liquid is poured into a predetermined position or an ink jet method in which individually separated droplets are dropped at a predetermined position. In addition to the light emitting material, a material containing a property of transporting carriers (a hole injection material, an electron injection material, etc.) is included. It is formed. For example, as shown in Chemical Formula 2, the hole transport material is composed of polyethylene dioxythiophene, which is a conductive polymer, and ink containing water in which polystyrene sulfonic acid is dispersed in an aqueous solvent as a main component. The light emitting material is composed of a conjugated double bond polymer such as polyphenylene vinylene. The contained liquid is composed of, for example, a water-soluble or lipophilic solvent (water, ethanol, ethylene glycol, toluene, xylene, etc.). In addition, the light emitting layer 160 is added with a phosphor or a pigment that colors emitted light.

Figure 2009081035
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対向電極170は、図2に示すように、パネル基板110に配列される各画素電極120に対向する単一の電極層として形成される。対向電極170は、1nm〜10nm厚のマグネシウム、カルシウム、バリウム、リチウム、インジウム等の仕事関数の低い薄膜と、100nm以上の厚さのアルミニウム、クロム、銀、パラジウム銀系の合金等からなる高仕事関数の薄膜との積層構造からなる光反射性の電極である。   As shown in FIG. 2, the counter electrode 170 is formed as a single electrode layer facing each pixel electrode 120 arranged on the panel substrate 110. The counter electrode 170 is a thin film having a low work function such as magnesium, calcium, barium, lithium, or indium having a thickness of 1 nm to 10 nm, and a high work including an aluminum, chromium, silver, palladium silver-based alloy having a thickness of 100 nm or more. It is a light reflective electrode having a laminated structure with a thin film of function.

各画素形成領域において、画素電極120と正孔輸送層150と発光層160と対向電極170とが積層されている部分が各色画素を形成する。各色画素は、発光層160に含まれる蛍光剤等により定まる発光色により、RGBの何れかに分類される。なお、正孔輸送層150と発光層160の層厚は80nm〜170nmであるので、発光層160の上面は、層間絶縁膜130の上面より低い。   In each pixel formation region, a portion where the pixel electrode 120, the hole transport layer 150, the light emitting layer 160, and the counter electrode 170 are stacked forms each color pixel. Each color pixel is classified into one of RGB depending on the emission color determined by the fluorescent agent or the like included in the light emitting layer 160. Since the hole transport layer 150 and the light emitting layer 160 have a thickness of 80 nm to 170 nm, the upper surface of the light emitting layer 160 is lower than the upper surface of the interlayer insulating film 130.

表示画素が配列されたパネル基板110は、封止樹脂層180を介して封止基板190が接合される。封止樹脂層180は、例えば、エポキシ系の紫外線硬化樹脂等から構成され、封止基板190は、例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等から構成される。   The panel substrate 110 on which the display pixels are arranged is bonded to the sealing substrate 190 via the sealing resin layer 180. The sealing resin layer 180 is made of, for example, an epoxy-based ultraviolet curable resin, and the sealing substrate 190 is made of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film.

(表示装置の製造方法)
次に、上述した表示装置100の製造方法について図3を参照して説明する。なお、以下の説明においては、表示装置100の表示部分、即ち、パネル基板110に表示画素が形成された領域の形成方法を主に説明する。正孔輸送層150及び発光層160に駆動電流を供給する駆動制御素子(薄膜トランジスタ)の製造方法は、従来と同様である。また、画素駆動回路を構成するトランジスタや配線層は、パネル基板110の一面に設定された画素ごとに形成される。
(Manufacturing method of display device)
Next, a method for manufacturing the display device 100 described above will be described with reference to FIG. In the following description, a method for forming a display portion of the display device 100, that is, a region where display pixels are formed on the panel substrate 110 will be mainly described. The manufacturing method of the drive control element (thin film transistor) for supplying the drive current to the hole transport layer 150 and the light emitting layer 160 is the same as the conventional method. In addition, the transistors and the wiring layers constituting the pixel driving circuit are formed for each pixel set on one surface of the panel substrate 110.

まず、絶縁性のパネル基板110が用意される。続いて、パネル基板110の一面に、例えば、スパッタリング又は蒸着法により、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)等を堆積することにより、透明導電層を形成する。次に、透明導電層を、エッチング処理(ウエットエッチング処理若しくはドライエッチング処理)等によりパターニングすることにより、図3(a)に示すように、マトリクス状に配置された画素形成領域ごとに、画素電極120を形成する。   First, an insulating panel substrate 110 is prepared. Subsequently, a transparent conductive layer is formed on one surface of the panel substrate 110 by depositing tin-doped indium oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), or the like by sputtering or vapor deposition, for example. Next, by patterning the transparent conductive layer by an etching process (wet etching process or dry etching process) or the like, as shown in FIG. 3A, a pixel electrode is formed for each pixel formation region arranged in a matrix. 120 is formed.

次に、画素電極120が形成されたパネル基板110の上に絶縁性材料を塗布することにより、図3(b)に示すように、画素電極120を覆うように窒化珪素または酸化珪素等の層間絶縁膜130を形成する。層間絶縁膜130の上面と画素電極120の上面との間の距離は200nm〜400nmに設定されている。層間絶縁膜130は、各画素電極120を隔離する領域にも形成され、画素電極120の周縁部を覆うことにより、隣接する画素電極120同士の短絡を防止する。   Next, by applying an insulating material on the panel substrate 110 on which the pixel electrode 120 is formed, an interlayer such as silicon nitride or silicon oxide is provided so as to cover the pixel electrode 120 as shown in FIG. An insulating film 130 is formed. The distance between the upper surface of the interlayer insulating film 130 and the upper surface of the pixel electrode 120 is set to 200 nm to 400 nm. The interlayer insulating film 130 is also formed in a region that isolates each pixel electrode 120 and covers the peripheral edge of the pixel electrode 120 to prevent a short circuit between adjacent pixel electrodes 120.

次に、層間絶縁膜130が形成されたパネル基板110を減圧酸素プラズマ処理又はUVオゾン処理により清浄化する。パネル基板110を純水で洗浄した後、エアブロにて乾燥する。パネル基板110上の層間絶縁膜130を、フッ化アルキル鎖をもつシラザンオリゴマ(信越化学工業製:KP−801M)のm−キシレンヘキサフロライド3%溶液に浸す。パネル基板110を取りだし、10分〜30分間程度、適度な湿度の大気中に放置する。この間に、化学式3に示すように、シラザンオリゴマと層間絶縁膜130との加水分解・縮合反応が進行し、膜層が形成される。最後に、溶剤(m−キシレンヘキサフロライド)でパネル基板110をすすぐことにより、この段階で化学結合していない余分な分子を層間絶縁膜130から洗い流すことにより、図3(c)に示すように、層間絶縁膜130の上面にフッ素を含む官能基を備える撥液層140を形成する。撥液層140は撥液性を有するため、塗布される正孔輸送層材料となるポリエチレンジオキシチオフェン及びポリスチレンスルホン酸を含む電荷輸送材料含有液151や、発光層となるポリフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、水やキシレン等の有機溶媒に溶解した電荷輸送材料含有液161等の流動性を抑えることができる。なお、所定の溶液に浸したパネル基板110を大気中に放置する時間は10分以下とすることもできる。   Next, the panel substrate 110 on which the interlayer insulating film 130 is formed is cleaned by reduced-pressure oxygen plasma treatment or UV ozone treatment. The panel substrate 110 is washed with pure water and then dried with an air blower. The interlayer insulating film 130 on the panel substrate 110 is immersed in a 3% solution of silazane oligomer having a fluoroalkyl chain (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: KP-801M) in m-xylene hexafluoride. The panel substrate 110 is taken out and left in an atmosphere of moderate humidity for about 10 to 30 minutes. During this time, as shown in Chemical Formula 3, the hydrolysis / condensation reaction between the silazane oligomer and the interlayer insulating film 130 proceeds to form a film layer. Finally, by rinsing the panel substrate 110 with a solvent (m-xylene hexafluoride), excess molecules that are not chemically bonded at this stage are washed away from the interlayer insulating film 130, as shown in FIG. Then, a liquid repellent layer 140 having a functional group containing fluorine is formed on the upper surface of the interlayer insulating film 130. Since the liquid repellent layer 140 has liquid repellency, the charge transport material containing liquid 151 containing polyethylenedioxythiophene and polystyrene sulfonic acid to be applied as a hole transport layer material to be applied, and polyphenylene vinylene-based or polyfluorene to be used as a light emitting layer. The fluidity of the charge transport material-containing liquid 161 or the like in which a light emitting material containing a conjugated double bond polymer such as a system is dissolved in an organic solvent such as water or xylene can be suppressed. Note that the time for which the panel substrate 110 immersed in a predetermined solution is left in the atmosphere may be 10 minutes or less.

Figure 2009081035
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次に、撥液層140上にドライフィルムを貼り付け、露光現像を行なうことにより、図3(d)に示すように、所定形状に形成されたレジスト(マスク)141を形成する。レジスト141は、例えば、アクリル樹脂等から構成される。パネル基板110上の画素電極120が設けられた以外の領域、つまり、画素電極120の周縁領域に残ったレジスト141をマスクとして、後述するエッチング処理によって画素電極120の中央部が露出する。本工程で液状のレジストを使用すると、撥液性を有する撥液層140の表面は液状のレジストをはじくため、レジストパターンの不良が発生する可能性がある。このため、ドライフィルムを用いることにより、パターンの不良無くレジスト141を形成することができる。   Next, a resist film (mask) 141 formed in a predetermined shape is formed as shown in FIG. 3D by attaching a dry film on the liquid repellent layer 140 and performing exposure and development. The resist 141 is made of, for example, an acrylic resin. Using the resist 141 remaining in the region other than the pixel electrode 120 on the panel substrate 110, that is, the peripheral region of the pixel electrode 120 as a mask, the central portion of the pixel electrode 120 is exposed by an etching process described later. When a liquid resist is used in this step, the surface of the liquid repellent layer 140 having liquid repellency repels the liquid resist, which may cause a defective resist pattern. Therefore, by using a dry film, the resist 141 can be formed without a pattern defect.

次に、画素電極120を露出させるために、レジスト141をマスクとして層間絶縁膜130及び撥液層140をエッチング処理する。層間絶縁膜130にSiNやSiOを用いる場合には、フッ化炭素ガスによるドライエッチング処理又はフッ化水素酸系のエッチャントによるウエットエッチング処理により、図1及び図3(e)に示すように、画素電極120上に層間絶縁膜130で囲まれた開口部を設け、マトリクス状の層間絶縁膜130を形成する。このときエッチングにより露出された層間絶縁膜130の側面には撥液層140が形成されていない。 Next, in order to expose the pixel electrode 120, the interlayer insulating film 130 and the liquid repellent layer 140 are etched using the resist 141 as a mask. When SiN or SiO 2 is used for the interlayer insulating film 130, as shown in FIG. 1 and FIG. 3 (e), by dry etching using a fluorocarbon gas or wet etching using a hydrofluoric acid-based etchant, An opening surrounded by the interlayer insulating film 130 is provided on the pixel electrode 120 to form a matrix-like interlayer insulating film 130. At this time, the liquid repellent layer 140 is not formed on the side surface of the interlayer insulating film 130 exposed by etching.

エッチング処理により画素電極120が露出した後、酸素プラズマ処理又はUVオゾン処理等により、開口部である画素電極120の表面及び層間絶縁膜130の側面を親液化する処理を行なう。親液化処理することにより、後述する所定の含有液を塗布する工程において、含有液が均一に広がり、発光層160等の膜厚が均一になる。なお、親液化処理によりレジスト141が完全に除去されないよう処理する。このように親液化処理中にレジスト141が撥液層140を覆っているので、撥液層140は親液化処理によって撥液性を著しく損なうといったことは生じない。   After the pixel electrode 120 is exposed by the etching process, a process of making the surface of the pixel electrode 120 that is the opening and the side surface of the interlayer insulating film 130 lyophilic is performed by an oxygen plasma process or a UV ozone process. By performing the lyophilic treatment, in the step of applying a predetermined contained liquid described later, the contained liquid spreads uniformly and the film thickness of the light emitting layer 160 and the like becomes uniform. Note that the resist 141 is processed so as not to be completely removed by the lyophilic process. Thus, since the resist 141 covers the lyophobic layer 140 during the lyophilic treatment, the lyophobic layer 140 does not significantly impair the lyophobic property due to the lyophilic treatment.

次に、露出した画素電極120の表面を親液化処理した後、例えば、有機アルカリ系の剥離液を用いてレジスト141を剥離する。パネル基板110を剥離液に浸漬し、レジスト141を除去し、図3(f)に示すように、層間絶縁膜130の上面にある撥液層140を露出させる。一般のフッ素コーティングはアルカリ系の溶剤に侵されることは少ない。このため、有機アルカリ系の剥離液を用いることにより、撥液層140が備えるフッ素を含む官能基は変化することがないため、撥液層140は撥液性を維持できる。   Next, after the exposed surface of the pixel electrode 120 is lyophilic, the resist 141 is stripped using, for example, an organic alkaline stripper. The panel substrate 110 is immersed in a stripping solution, the resist 141 is removed, and the liquid repellent layer 140 on the upper surface of the interlayer insulating film 130 is exposed as shown in FIG. A general fluorine coating is hardly affected by an alkaline solvent. For this reason, since the functional group containing fluorine included in the liquid repellent layer 140 does not change by using the organic alkaline stripping solution, the liquid repellent layer 140 can maintain liquid repellency.

次に、レジスト141を除去した後、図3(g)に示すように、正孔輸送層材料となるポリエチレンジオキシチオフェン及びポリスチレンスルホン酸を含む電荷輸送材料含有液151をインクジェット等の印刷方法で画素電極120上の層間絶縁膜130の側面に囲まれた領域に塗布する。このとき、電荷輸送材料の溶媒に対する溶解度が低いため、電荷輸送材料含有液151の容積は正孔輸送層150の容積より数十倍〜百倍程度になるので、画素電極120の露出幅を50μmと設定すると、電荷輸送材料含有液151の頭頂部は、層間絶縁膜130の上面より16μm〜23μm程度上方に位置している。画素電極120の表面及び層間絶縁膜130の側面は親液性を有するため、塗布された電荷輸送材料含有液151は、画素電極120上に均一に広がり、層間絶縁膜130の側面に接触した電荷輸送材料含有液151は、毛細管現象により吸上げられる。このため、電荷輸送材料含有液151が乾燥して正孔輸送層150が堆積する過程において、電荷輸送材料含有液151が層間絶縁膜130の側面に付着し続けようとするので電荷輸送材料含有液151が画素電極120の中央に凝集することはない。従って、層間絶縁膜130の開口部側面に電荷輸送材料含有液151が引っ張られる形で乾燥が進み、正孔輸送層150の膜厚は均一になる。また、撥液層140が形成されている層間絶縁膜130の上面は撥液性を有する。従って、電荷輸送材料含有液151が撥液層140に付着した場合であっても、電荷輸送材料含有液151の流動性が抑えられ、隣接する画素電極120への電荷輸送材料含有液151の溢れを防止することができる。電荷輸送材料含有液151の塗布後、100℃以上の温度にて加熱乾燥等することにより、図3(h)に示すように、膜厚が比較的均一な正孔輸送層150が形成される。   Next, after removing the resist 141, as shown in FIG. 3G, a charge transport material-containing liquid 151 containing polyethylene dioxythiophene and polystyrene sulfonic acid, which becomes a hole transport layer material, is printed by a printing method such as inkjet. It is applied to a region surrounded by the side surface of the interlayer insulating film 130 on the pixel electrode 120. At this time, since the solubility of the charge transport material in the solvent is low, the volume of the charge transport material-containing liquid 151 is several tens to one hundred times larger than the volume of the hole transport layer 150, and thus the exposed width of the pixel electrode 120 is 50 μm. When set, the top of the charge transport material-containing liquid 151 is positioned about 16 μm to 23 μm above the upper surface of the interlayer insulating film 130. Since the surface of the pixel electrode 120 and the side surface of the interlayer insulating film 130 are lyophilic, the applied charge transport material-containing liquid 151 spreads uniformly on the pixel electrode 120 and is in contact with the side surface of the interlayer insulating film 130. The transport material-containing liquid 151 is sucked up by capillary action. For this reason, in the process in which the charge transport material-containing liquid 151 is dried and the hole transport layer 150 is deposited, the charge transport material-containing liquid 151 continues to adhere to the side surface of the interlayer insulating film 130. 151 does not aggregate at the center of the pixel electrode 120. Accordingly, drying proceeds in such a manner that the charge transport material-containing liquid 151 is pulled on the side surface of the opening of the interlayer insulating film 130, and the film thickness of the hole transport layer 150 becomes uniform. The upper surface of the interlayer insulating film 130 on which the liquid repellent layer 140 is formed has liquid repellency. Therefore, even when the charge transport material-containing liquid 151 adheres to the liquid repellent layer 140, the fluidity of the charge transport material-containing liquid 151 is suppressed, and the charge transport material-containing liquid 151 overflows to the adjacent pixel electrode 120. Can be prevented. After application of the charge transport material-containing liquid 151, a hole transport layer 150 having a relatively uniform film thickness is formed by heating and drying at a temperature of 100 ° C. or higher as shown in FIG. .

次に、図3(i)に示すように、正孔輸送層150を形成した後、赤・緑・青色を発光する発光層となるポリフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を、水やキシレン等の有機溶媒に溶解した電荷輸送材料含有液161を、インクジェット等の印刷方法を用いて、正孔輸送層150上にそれぞれ成膜する。このとき、電荷輸送材料含有液161の頭頂部は、層間絶縁膜130の上面より16μm〜23μm程度上方に位置している。画素電極120の間に形成された層間絶縁膜130の上面には、撥液層140が形成されているため撥液性を有するため、各画素電極120に塗布された発光材料が、隣接する画素電極120に混入することによる混色が防止され、赤・緑・青色の塗り分けが可能となる。発光材料を成膜した後、窒素雰囲気中での加熱乾燥又は真空中での乾燥を行ない、残留溶媒を除去することにより、図3(j)に示すように、発光層160が形成される。ここで、層間絶縁膜130の側面は親液性を有するため、電荷輸送材料含有液161は、層間絶縁膜130の側面に引っ張られながら乾燥するので、発光層160も正孔輸送層150と同様に、平坦に形成される。なお、発光材料は酸素や水蒸気等に接触すると特性が変化することがあるため、塗布は窒素ガス雰囲気中で行うことが望ましい。   Next, as shown in FIG. 3 (i), after forming the hole transport layer 150, a conjugated double bond polymer such as polyphenylene vinylene or polyfluorene that becomes a light emitting layer emitting red, green, and blue is used. A charge transport material-containing liquid 161 in which the light emitting material is dissolved in an organic solvent such as water or xylene is formed on the hole transport layer 150 by a printing method such as inkjet. At this time, the top of the charge transport material-containing liquid 161 is positioned about 16 μm to 23 μm above the upper surface of the interlayer insulating film 130. Since the liquid repellent layer 140 is formed on the upper surface of the interlayer insulating film 130 formed between the pixel electrodes 120 and has liquid repellency, the luminescent material applied to each pixel electrode 120 is adjacent to the adjacent pixel. Color mixing due to mixing into the electrode 120 is prevented, and red, green, and blue can be separately applied. After the light emitting material is formed, the light emitting layer 160 is formed as shown in FIG. 3J by performing heat drying in a nitrogen atmosphere or drying in a vacuum to remove the residual solvent. Here, since the side surface of the interlayer insulating film 130 is lyophilic, the charge transport material-containing liquid 161 is dried while being pulled by the side surface of the interlayer insulating film 130, so that the light emitting layer 160 is the same as the hole transport layer 150. In addition, it is formed flat. Note that the characteristics of the luminescent material may change when it comes into contact with oxygen, water vapor, or the like. Therefore, the application is preferably performed in a nitrogen gas atmosphere.

その後、対向電極170は、画素電極120に対向する領域のみならず、層間絶縁膜130や撥液層140の上まで延在する単一の導電層として形成される。対向電極170は、1nm〜10nm厚のマグネシウム、カルシウム、バリウム、リチウム、インジウム等の仕事関数の低い薄膜と、100nm以上の厚さのアルミニウム、クロム、銀、パラジウム銀系の合金等からなる高仕事関数の薄膜との積層構造を有する。対向電極170は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等を用いて形成される。   Thereafter, the counter electrode 170 is formed not only as a region facing the pixel electrode 120 but also as a single conductive layer extending over the interlayer insulating film 130 and the liquid repellent layer 140. The counter electrode 170 is a thin film having a low work function such as magnesium, calcium, barium, lithium, or indium having a thickness of 1 nm to 10 nm, and a high work including an aluminum, chromium, silver, palladium silver-based alloy having a thickness of 100 nm or more. It has a laminated structure with a thin film of function. The counter electrode 170 is formed using, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like.

最後に、対向電極170の上に封止樹脂層180を設け、さらに封止樹脂層180の上に封止基板190を形成する。封止基板190の一面側に紫外線照射により硬化する封止樹脂を塗布する。そして、封止基板190の封止樹脂が塗布された面と対向電極170が配置された面とを貼り合わせ、紫外線を照射して封止樹脂を硬化させる。これにより封止樹脂は封止樹脂層160となり、図2に示す表示装置100が形成される。   Finally, a sealing resin layer 180 is provided on the counter electrode 170, and a sealing substrate 190 is formed on the sealing resin layer 180. A sealing resin that is cured by ultraviolet irradiation is applied to one surface side of the sealing substrate 190. Then, the surface of the sealing substrate 190 to which the sealing resin is applied is bonded to the surface on which the counter electrode 170 is disposed, and the sealing resin is cured by irradiating ultraviolet rays. Thereby, the sealing resin becomes the sealing resin layer 160, and the display device 100 shown in FIG. 2 is formed.

以上説明したように、本実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、画素電極120の露出面及び層間絶縁膜130の側面を親液化処理し、さらに、撥液性を有する撥液層140を層間絶縁膜130の上面に選択的に形成することにより、正孔輸送層150及び発光層160のような有機EL層の膜厚が均一に形成される。また、所定の含有液が混色することを防ぐことができる。したがって、本実施形態に係る表示装置100は、発光層160等の厚みの均一性が高く、発光ムラが少なく発色に優れる。   As described above, according to the method for manufacturing the display device according to the present embodiment, the exposed surface of the pixel electrode 120 and the side surface of the interlayer insulating film 130 are lyophilic, and further, the liquid repellent layer 140 having liquid repellency. Is selectively formed on the upper surface of the interlayer insulating film 130, so that the organic EL layers such as the hole transport layer 150 and the light emitting layer 160 are uniformly formed. Moreover, it can prevent that a predetermined containing liquid mixes colors. Therefore, the display device 100 according to the present embodiment has high uniformity in the thickness of the light emitting layer 160 and the like, has less unevenness in light emission, and is excellent in color development.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation and application are possible.

表示装置100は、図4に示すように、層間絶縁膜130の上に隔壁200を設けることもできる。絶縁性を備える隔壁200を形成することにより、画素駆動回路からの漏れ電流が減少し、発光駆動の信頼性を向上させる。隔壁200を形成する手法は、インクジェット印刷、ノズルプリント印刷、ディスペンサ印刷、フレキソ印刷等いずれを用いてもよい。隔壁200を形成する工程は、正孔輸送層150及び発光層160を形成する工程の前後いずれでも可能である。層間絶縁膜130の上に撥液性を備える撥液層140が形成され、さらに、画素電極120の表面は親液性を備えるため、隔壁200の高さを低く形成することができる。   In the display device 100, as shown in FIG. 4, a partition wall 200 can be provided on the interlayer insulating film 130. By forming the partition wall 200 having insulating properties, leakage current from the pixel driving circuit is reduced, and the reliability of light emission driving is improved. As a method for forming the partition wall 200, any of ink jet printing, nozzle print printing, dispenser printing, flexographic printing, and the like may be used. The step of forming the partition wall 200 can be performed either before or after the step of forming the hole transport layer 150 and the light emitting layer 160. Since the liquid repellent layer 140 having liquid repellency is formed on the interlayer insulating film 130 and the surface of the pixel electrode 120 has lyophilicity, the height of the partition wall 200 can be reduced.

撥液層140は、一般的なフッ素コーティング剤だけでなく、少なくとも1つのフッ素を含む官能基を有する化合物から形成することができる。また、撥液性及び塗布可能性を備えれば、撥液層140を形成するためにいかなる材料も用いることができる。   The liquid repellent layer 140 can be formed from not only a general fluorine coating agent but also a compound having a functional group containing at least one fluorine. Further, any material can be used for forming the liquid repellent layer 140 as long as it has liquid repellency and applicability.

正孔輸送層150及び発光層160を形成する含有液の塗布方法は、ノズルプリント印刷に限定されず、インクジェット印刷、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、フレキソ印刷等いずれの手法を用いてもよい。   The application method of the containing liquid which forms the positive hole transport layer 150 and the light emitting layer 160 is not limited to nozzle print printing, You may use any methods, such as inkjet printing, screen printing, dispenser printing, and flexographic printing.

レジスト141は、ドライレジストに限定されず、撥液性の少ない液状のレジストを用いて形成することもできる。   The resist 141 is not limited to a dry resist, and can be formed using a liquid resist with little liquid repellency.

画素電極120の上に形成される有機EL層は、正孔輸送層150、発光層160及び電子輸送層の三層構造であっても良いし、また発光層160及び電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、発光層160からなる一層構造であっても良い。電荷輸送層である正孔輸送層150及び電子輸送層と発光層160との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において他の電荷輸送層の電荷輸送を制限する中間層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。   The organic EL layer formed on the pixel electrode 120 may have a three-layer structure including a hole transport layer 150, a light emitting layer 160, and an electron transport layer, or a two-layer structure including the light emitting layer 160 and the electron transport layer. A structure may be sufficient, and the single layer structure which consists of the light emitting layer 160 may be sufficient. The hole transport layer 150 as the charge transport layer, and the combination of the electron transport layer and the light emitting layer 160 can be arbitrarily set. Further, in these layer structures, a laminated structure in which an intermediate layer that restricts charge transport of other charge transport layers is interposed may be used, or another laminated structure may be used.

レジスト141を剥離する剥離剤については、撥液層140の撥液性を損なわないのであれば、有機アルカリ系の剥離液に限定されず、水系剥離液、無機系剥離液等いずれの剥離剤を用いてもよい。また、酸素プラズマ処理により、レジスト141を灰化して除去することも可能である。   The release agent for removing the resist 141 is not limited to the organic alkaline release solution as long as the liquid repellency of the liquid repellent layer 140 is not impaired, and any release agent such as an aqueous release solution or an inorganic release solution may be used. It may be used. Further, the resist 141 can be ashed and removed by oxygen plasma treatment.

親液化処理工程においては、酸素プラズマ処理等に限定されず、レーザー光照射処理等いずれの処理を用いてもよい。   The lyophilic treatment step is not limited to oxygen plasma treatment or the like, and any treatment such as laser light irradiation treatment may be used.

上記表示装置100はボトムエミッション型であったが、トップエミッション型であってもよい。この場合、画素電極120は、銀(Ag)やアルミニウム(Al)等の金属材料、あるいは、それらのいずれかを含む合金材料からなる光反射特性を有する反射層と、反射層上に形成され且つ錫ドープ酸化インジウム、亜鉛ドープ酸化インジウム、タングステンドープ酸化インジウム、又はタングステン−亜鉛ドープ酸化インジウム等の透明導電層との積層構造のような光反射性電極となる。また、対向電極170は、マグネシウムやバリウムといった低仕事関数からなる1nm程度の極薄い膜厚の光透過性のある電子注入金属層と、電子注入金属層上に形成され、錫ドープ酸化インジウム、亜鉛ドープ酸化インジウム、タングステンドープ酸化インジウム、又はタングステン−亜鉛ドープ酸化インジウム等の透明導電層との積層構造のような光透過性電極となる。   The display device 100 is a bottom emission type, but may be a top emission type. In this case, the pixel electrode 120 is formed on the reflective layer having a light reflection characteristic made of a metal material such as silver (Ag) or aluminum (Al), or an alloy material containing any of them, and It becomes a light reflective electrode such as a laminated structure with a transparent conductive layer such as tin-doped indium oxide, zinc-doped indium oxide, tungsten-doped indium oxide, or tungsten-zinc-doped indium oxide. The counter electrode 170 is formed on a light-transmitting electron injection metal layer having a very thin film thickness of about 1 nm made of a low work function such as magnesium or barium, and tin-doped indium oxide or zinc. It becomes a light-transmitting electrode such as a laminated structure with a transparent conductive layer such as doped indium oxide, tungsten-doped indium oxide, or tungsten-zinc-doped indium oxide.

本発明の実施形態に係る表示装置の画素配列状態の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the pixel arrangement state of the display apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図1のA−A線での断面図である。It is sectional drawing in the AA of FIG. 表示装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of a display apparatus. 表示装置の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of a display apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

100…表示装置、110…パネル基板、120…画素電極、130…層間絶縁膜、140…撥液層、141…レジスト、150…正孔輸送層、151…電荷輸送材料含有液、160…発光層、161…電荷輸送材料含有液、170…対向電極、180…封止樹脂層、190…封止基板、200…隔壁 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Display apparatus, 110 ... Panel substrate, 120 ... Pixel electrode, 130 ... Interlayer insulation film, 140 ... Liquid repellent layer, 141 ... Resist, 150 ... Hole transport layer, 151 ... Charge transport material containing liquid, 160 ... Light emitting layer 161 ... Liquid containing charge transport material, 170 ... Counter electrode, 180 ... Sealing resin layer, 190 ... Sealing substrate, 200 ... Partition wall

Claims (7)

電極が設けられた基板の面上に形成された絶縁膜上に撥液層を形成する撥液層形成工程と、
前記撥液層上に形成されたレジストをマスクとして前記撥液層及び前記絶縁膜をエッチングして前記電極の少なくとも一部を露出するとともに前記絶縁膜の側壁を露出させる絶縁膜側壁形成工程と、
前記レジストを除去して、前記撥液層を露出させる撥液層露出工程と、
前記絶縁膜の側壁に囲まれた領域に電荷輸送層となる材料を含有する電荷輸送材料含有液を滴下する電荷輸送材料含有液滴下工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
A liquid repellent layer forming step of forming a liquid repellent layer on an insulating film formed on a surface of a substrate provided with an electrode;
Etching the liquid repellent layer and the insulating film using a resist formed on the liquid repellent layer as a mask to expose at least a part of the electrode and to expose a side wall of the insulating film;
Removing the resist to expose the liquid repellent layer;
A charge transport material-containing droplet lowering step of dropping a charge transport material-containing liquid containing a material to be a charge transport layer in a region surrounded by the sidewall of the insulating film;
A method for manufacturing a display device, comprising:
前記レジストは、ドライフィルムレジストであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the resist is a dry film resist. 前記撥液層は、少なくとも1つのフッ素を含む官能基を有する化合物を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the liquid repellent layer includes a compound having a functional group including at least one fluorine. 前記電荷輸送材料含有液滴下工程の処理前に、露出された前記電極及び前記絶縁膜の側壁に親液化処理を施す親液化処理工程と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の表示装置の製造方法。
A lyophilic treatment step of performing a lyophilic treatment on the exposed electrode and the side wall of the insulating film before the treatment of the charge transport material-containing droplet lowering step;
The method for manufacturing a display device according to claim 1, further comprising:
前記親液化処理工程は、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとする酸素プラズマ処理、又は、紫外線を照射する紫外線照射処理を施すことを特徴とする請求項4に記載の表示装置の製造方法。   5. The method for manufacturing a display device according to claim 4, wherein the lyophilic treatment step performs an oxygen plasma treatment using oxygen as a treatment gas or an ultraviolet irradiation treatment for irradiating ultraviolet rays in an air atmosphere. 前記撥液層露出工程は、前記基板を有機アルカリ系の剥離剤に浸漬することにより、前記レジストを剥離することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の表示装置の製造方法。   6. The display device manufacturing method according to claim 1, wherein in the liquid repellent layer exposing step, the resist is removed by immersing the substrate in an organic alkaline release agent. Method. 請求項1乃至6の何れか1項に記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする表示装置。   A display device manufactured by the method for manufacturing a display device according to claim 1.
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