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JP2009053587A - Liquid crystal device manufacturing apparatus and liquid crystal device manufacturing method - Google Patents

Liquid crystal device manufacturing apparatus and liquid crystal device manufacturing method Download PDF

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JP2009053587A
JP2009053587A JP2007222226A JP2007222226A JP2009053587A JP 2009053587 A JP2009053587 A JP 2009053587A JP 2007222226 A JP2007222226 A JP 2007222226A JP 2007222226 A JP2007222226 A JP 2007222226A JP 2009053587 A JP2009053587 A JP 2009053587A
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JP
Japan
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liquid crystal
substrate
crystal device
substrates
vacuum chamber
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Withdrawn
Application number
JP2007222226A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshio Taniguchi
由雄 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2007222226A priority Critical patent/JP2009053587A/en
Publication of JP2009053587A publication Critical patent/JP2009053587A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide manufacturing equipment of liquid crystal device and a manufacturing method of liquid crystal device capable of improving the productivity by efficiently removing gas included in liquid crystal in a short time. <P>SOLUTION: The manufacturing equipment of liquid crystal device in which the liquid crystal is interposed between a pair of substrates attached to each other via a sealing material comprises: a stage part of retaining a substrate on which the liquid crystal is dropped down, of a pair of substrates; an ultra-sonic vibrator of irradiating ultrasonic waves onto the stage part; a vacuum chamber capable of making the inner part thereof into the vacuum state; and an attachment device of attaching the pair of substrates to each other via the sealing material in the vacuum chamber. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、一対の基板間に、液晶を挟持してなる液晶装置の製造装置及び液晶装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an apparatus for manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a method for manufacturing the liquid crystal device.

電気光学装置である液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる一対の基板間に液晶が挟持されて構成されている。   A liquid crystal device which is an electro-optical device is configured by sandwiching liquid crystal between a pair of substrates made of a glass substrate, a quartz substrate, or the like.

液晶装置は、例えば一方の基板に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以下、TFTと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両電極間に介在する液晶の配向を画像信号に応じて変化させることで、透過する光を変調し、画像表示を可能としている。   In a liquid crystal device, for example, a switching element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) and a pixel electrode are arranged in a matrix on one substrate, and a counter electrode is arranged on the other substrate so that the gap between the two electrodes By changing the orientation of the liquid crystal intervening in accordance with the image signal, the transmitted light is modulated to enable image display.

このような液晶装置において、一対の基板間に液晶を介装する方法として、少なくとも一方の基板上に液晶を滴下した後に、真空下でその液晶を挟持するように他方の基板を枠状のシール材を介して貼り合せる液晶滴下方式(ODF)が知られている。この液晶滴下方式は、例えば特開2004−272086号公報や特開2002−323694号公報に開示されている。   In such a liquid crystal device, as a method of interposing liquid crystal between a pair of substrates, after dropping the liquid crystal on at least one substrate, the other substrate is sealed in a frame shape so as to sandwich the liquid crystal under vacuum. A liquid crystal dropping method (ODF) in which materials are bonded together is known. This liquid crystal dropping method is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2004-272086 and 2002-323694.

ところで、液晶装置に封入されている液晶中には、空気、酸素、窒素等の気体が溶存している。この液晶中に溶存している気体に起因した気泡が液晶装置内に発生してしまうと液晶の配向不良等が生じ、液晶装置に表示不良が発生してしまう場合があった。   Incidentally, gases such as air, oxygen, and nitrogen are dissolved in the liquid crystal sealed in the liquid crystal device. If bubbles generated due to the gas dissolved in the liquid crystal are generated in the liquid crystal device, alignment failure of the liquid crystal and the like may occur, and display failure may occur in the liquid crystal device.

液晶のような粘性を有する材料に対して溶存している気体を取り除く脱気処理の方法として、例えば粘性材料を真空中に放置する方法や、特開2002−80005号公報に開示されているような遠心力により密度の異なる粘性材料と空気とを分離する方法が知られている。
特開2004−272086号公報 特開2002−323694号公報 特開2002−80005号公報
As a degassing method for removing a gas dissolved in a viscous material such as liquid crystal, for example, a method in which a viscous material is left in a vacuum, or as disclosed in JP-A-2002-80005 is disclosed. There is known a method of separating viscous materials having different densities and air by a centrifugal force.
JP 2004-272086 A JP 2002-323694 A Japanese Patent Laid-Open No. 2002-80005

しかしながら、液晶を真空中に放置して脱気処理を行う場合、短時間で十分に溶存する気体を除去することができず、製造にかかる時間を短縮しようとすれば、液晶内に気泡が発生してしまい液晶装置の歩留まりが悪化してしまうという問題がある。   However, when the liquid crystal is left in a vacuum for a deaeration process, the dissolved gas cannot be removed in a short time, and if an attempt is made to shorten the manufacturing time, bubbles are generated in the liquid crystal. As a result, there is a problem that the yield of the liquid crystal device is deteriorated.

また、遠心力により液晶と気体とを分離する方法を行う場合、脱気するための装置と基板の貼り合せを行う装置との間で液晶を移送しなければならず、この移送工程において、再び液晶中に期待が溶存してしまうという問題がある。   In addition, when performing a method of separating liquid crystal and gas by centrifugal force, the liquid crystal must be transferred between a device for degassing and a device for bonding the substrates. There is a problem that expectations are dissolved in the liquid crystal.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、液晶中に含まれる気体を短時間で効率よく除去することにより生産性を向上させることが可能な液晶装置の製造装置及び液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and a liquid crystal device manufacturing apparatus and a liquid crystal device capable of improving productivity by efficiently removing gas contained in liquid crystals in a short time. An object is to provide a manufacturing method.

本発明に係る液晶装置の製造装置は、シール材を介して貼り合わされた一対の基板間に、液晶を挟持してなる液晶装置の製造装置であって、前記一対の基板のうちの前記液晶が滴下された基板を保持するステージ部と、該ステージ部に超音波を照射する超音波振動子と、内部を減圧状態とすることが可能な真空チャンバと、該真空チャンバ内において、前記一対の基板を前記シール材を介して貼り合せる貼り合せ手段と、を具備することを特徴とする。   An apparatus for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention is an apparatus for manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates bonded via a sealing material, and the liquid crystal of the pair of substrates is A stage unit for holding the dropped substrate, an ultrasonic transducer for irradiating the stage unit with ultrasonic waves, a vacuum chamber capable of reducing the inside thereof, and the pair of substrates in the vacuum chamber And a bonding means for bonding together through the sealing material.

また、本発明に係る液晶装置の製造方法は、シール材を介して貼り合わされた一対の基板間に、液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板に液晶を滴下する液晶滴下工程と、前記液晶が滴下された基板に超音波を照射する超音波照射工程と、前記一対の基板を真空下においてシール材を介して貼り合せる貼り合せ工程と、を具備することを特徴とする。   In addition, a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates bonded via a sealing material, and includes at least one of the pair of substrates. A liquid crystal dropping step of dropping liquid crystal on one substrate, an ultrasonic irradiation step of irradiating the substrate on which the liquid crystal has been dropped with an ultrasonic wave, and a bonding step of bonding the pair of substrates through a sealing material under vacuum It is characterized by comprising.

本発明のこのような構成によれば、基板上に滴下された液晶は、超音波を照射されることにより流動性が高くなりさらに液晶は振動により攪拌されるため、液晶内に溶存している気体は短時間で効率よく除去され、液晶装置の生産性を向上させることが可能となる。 また、本発明は、前記ステージ部は、前記真空チャンバ内に配設され、前記貼り合せ装置は、前記ステージ部に保持された前記液晶が滴下された基板に、前記シール材を介して他方の基板を貼り合せることが好ましい。   According to such a configuration of the present invention, the liquid crystal dropped on the substrate becomes highly fluid when irradiated with ultrasonic waves, and further, the liquid crystal is stirred by vibration, so that it is dissolved in the liquid crystal. The gas is efficiently removed in a short time, and the productivity of the liquid crystal device can be improved. Further, according to the present invention, the stage unit is disposed in the vacuum chamber, and the bonding apparatus is configured so that the liquid crystal held by the stage unit is dropped on the other substrate via the sealing material. It is preferable to bond the substrates.

また、本発明は、前記超音波照射工程は真空下において行われることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the ultrasonic irradiation step is performed under vacuum.

このような構成によれば、液晶が一対の基板間に挟持される直前に該液晶に対する脱気処理を実行することが可能であり、さらに真空の状態のまま一対の基板を貼り合せることが可能である。したがって、超音波照射による脱気処理後に液晶に気体が再度溶存してしまうことがない。   According to such a configuration, it is possible to perform a deaeration process on the liquid crystal immediately before the liquid crystal is sandwiched between the pair of substrates, and it is possible to bond the pair of substrates in a vacuum state. It is. Therefore, the gas does not dissolve again in the liquid crystal after the deaeration process by ultrasonic irradiation.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。本実施形態に係る液晶装置は、負の誘電率異方性を有する液晶を、電圧無印加時に略垂直に配向するように制御する傾斜垂直配向型の液晶表示装置、いわゆるVAモードの液晶表示装置である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The liquid crystal device according to the present embodiment is a tilted vertical alignment type liquid crystal display device that controls liquid crystal having negative dielectric anisotropy so as to be aligned substantially vertically when no voltage is applied, so-called VA mode liquid crystal display device. It is. In each drawing used for the following description, the scale is different for each member in order to make each member a size that can be recognized on the drawing.

まず、本実施形態の液晶装置100の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここで、図1はTFTアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。図2は、図1のH−H’断面図である。本実施形態では、液晶装置の一例として、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。   First, the overall configuration of the liquid crystal device 100 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Here, FIG. 1 is a plan view of the liquid crystal device when the TFT array substrate is viewed from the side of the counter substrate together with each component configured thereon. 2 is a cross-sectional view taken along the line H-H ′ of FIG. 1. In the present embodiment, as an example of the liquid crystal device, a transmissive liquid crystal display device of a TFT active matrix driving method with a built-in driving circuit is taken as an example.

液晶装置100は、ガラスや石英等からなるTFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶50を挟持してなり、液晶50の配向状態を変化させることにより、画像表示領域10aに対向基板20側から入射する光を変調しTFTアレイ基板10側から出射することで、画像表示領域10aにおいて画像を表示するものである。   In the liquid crystal device 100, the liquid crystal 50 is sandwiched between the TFT array substrate 10 made of glass, quartz, or the like and the counter substrate 20, and the alignment state of the liquid crystal 50 is changed, whereby the counter substrate 20 is placed in the image display region 10a. The light incident from the side is modulated and emitted from the TFT array substrate 10 side, whereby an image is displayed in the image display region 10a.

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられた枠状のシール材52により相互に接着されており、TFTアレイ基板10と対向基板20との間には液晶50が挟持されている。また、シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔を所定値とするためのグラスファイバやガラスビーズ等のギャップ材が散らばって配設されている。   1 and 2, in the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are arranged to face each other. The TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded to each other by a frame-shaped sealing material 52 provided in a seal region located around the image display region 10a. A liquid crystal 50 is sandwiched between them. Further, in the sealing material 52, gap materials such as glass fibers and glass beads for setting the distance between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 to a predetermined value are scattered.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. A part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

また、本実施形態においては、前記の画像表示領域10aの周辺に位置する非表示領域が存在する。非表示領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び実装端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。図示しないが、TFTアレイ基板10の表面に露出して設けられた実装端子102にフレキシブルプリント基板等を接続することにより、液晶装置100と例えば電子機器の制御装置等の外部との電気的接続が行われる。   In the present embodiment, there is a non-display area located around the image display area 10a. In the non-display area, the data line driving circuit 101 and the mounting terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in an area located outside the seal area where the seal material 52 is disposed. Although not shown, by connecting a flexible printed circuit board or the like to the mounting terminals 102 exposed on the surface of the TFT array substrate 10, electrical connection between the liquid crystal device 100 and the outside such as a control device of an electronic device can be achieved. Done.

また、走査線駆動回路104は、データ線駆動回路101及び実装端子102が設けられたTFTアレイ基板10の一辺に隣接する2辺に沿い、かつ額縁遮光膜53に覆われるように設けられている。また、TFTアレイ基板10の残る一辺、すなわちデータ線駆動回路101及び実装端子102が設けられたTFTアレイ基板10の一辺に対向する辺に沿って設けられ、額縁遮光膜53に覆われるように設けられた複数の配線105によって、二つの走査線駆動回路104は互いに電気的に接続されている。   The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to one side of the TFT array substrate 10 on which the data line driving circuit 101 and the mounting terminals 102 are provided, and is covered with the frame light shielding film 53. . Further, the TFT array substrate 10 is provided along the remaining side, that is, the side facing the one side of the TFT array substrate 10 on which the data line driving circuit 101 and the mounting terminal 102 are provided, and is provided so as to be covered with the frame light shielding film 53. The two scanning line driving circuits 104 are electrically connected to each other by the plurality of wirings 105.

また、対向基板20のコーナー部の少なくとも一箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、TFTアレイ基板10にはこれらの上下導通材106に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材106と上下導通端子を介して、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な接続が行われる。   Further, at least one corner of the counter substrate 20 is provided with a vertical conductive material 106 that functions as a vertical conductive terminal for electrical connection between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. On the other hand, the TFT array substrate 10 is provided with vertical conduction terminals in a region corresponding to these vertical conduction members 106. Electrical connection is made between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 via the vertical conductive member 106 and the vertical conductive terminal.

図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、無機配向膜16が形成されている。他方、対向基板20上には、対向電極21の他、格子状又はストライプ状の遮光膜23、更には最上層部分に無機配向膜22が形成されている。TFTアレイ基板10及び対向基板20のそれぞれ液晶50と接する面に形成された無機配向膜16及び22は、詳しくは後述するが、SiO2等の透光性を有する無機材料によって構成された薄膜である。無機配向膜16及び22は、液晶50の配向を規制するための膜であり、液晶50は一対の無機配向膜16及び22の間で、所定の配向状態をとる。   In FIG. 2, an inorganic alignment film 16 is formed on the TFT array substrate 10 on the pixel electrode 9a after the formation of pixel switching TFTs, scanning lines, data lines, and the like. On the other hand, on the counter substrate 20, in addition to the counter electrode 21, a lattice-shaped or striped light-shielding film 23 and an inorganic alignment film 22 are formed on the uppermost layer. As will be described in detail later, the inorganic alignment films 16 and 22 formed on the surfaces of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 that are in contact with the liquid crystal 50 are thin films made of a light-transmitting inorganic material such as SiO 2. . The inorganic alignment films 16 and 22 are films for regulating the alignment of the liquid crystal 50, and the liquid crystal 50 takes a predetermined alignment state between the pair of inorganic alignment films 16 and 22.

本実施形態の液晶装置100は、負の誘電率異方性を有する液晶を用いた傾斜垂直配向モード、いわゆるVAモードを採用している。また、対向基板20の入射光が入射する側及びTFTアレイ基板10の出射光が出射する側には各々、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。   The liquid crystal device 100 according to the present embodiment employs a tilted vertical alignment mode using a liquid crystal having negative dielectric anisotropy, a so-called VA mode. In addition, a polarizing film, a retardation film, and a polarizing film are respectively provided on the side on which the incident light of the counter substrate 20 enters and on the side on which the outgoing light of the TFT array substrate 10 is emitted, depending on the normally white mode / normally black mode. A plate or the like is arranged in a predetermined direction.

SiO2等の無機材料によって構成される無機配向膜は、例えばポリイミド等の有機材料によって構成される配向膜に対して耐光性や耐熱性に優れるため、経年劣化がなく表示品位が低下することのない液晶装置を実現できる。   An inorganic alignment film composed of an inorganic material such as SiO2 is superior in light resistance and heat resistance to an alignment film composed of an organic material such as polyimide, so that there is no deterioration over time and display quality does not deteriorate. A liquid crystal device can be realized.

次に、図3から図5を参照して、上述した液晶装置の製造方法について、具体的には、液晶装置100におけるTFTアレイ基板10と対向基板20との貼り合せ工程について主に説明する。図3は、本実施の形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。なお、貼り合せ工程以外の液晶装置の製造方法については、周知であるため、その説明は省略するか、簡単に説明する。   Next, with reference to FIG. 3 to FIG. 5, the manufacturing method of the liquid crystal device described above, specifically, the bonding process between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 in the liquid crystal device 100 will be mainly described. FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the liquid crystal device of the present embodiment. Since the manufacturing method of the liquid crystal device other than the bonding step is well known, the description thereof will be omitted or briefly described.

まず、TFTアレイ基板10上に積層構造を形成する(ステップS1)。積層構造は上述したように、データ線、走査線、TFT、画素電極9a、無機配向膜16等からなり、例えばCVD法やスパッタリング等による成膜、フォトグラフィ等によるパターニング、熱処理などによって形成される。   First, a laminated structure is formed on the TFT array substrate 10 (step S1). As described above, the laminated structure includes data lines, scanning lines, TFTs, pixel electrodes 9a, inorganic alignment films 16, and the like, and is formed by, for example, film formation by CVD or sputtering, patterning by photolithography, heat treatment, or the like. .

一方、対向基板20上にも、積層構造を形成する(ステップS2)。積層構造は、共通電極、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、無機配向膜22等からなり、例えばCVD法やスパッタリング等による成膜、フォトグラフィ等によるパターニング、熱処理などによって形成される。   On the other hand, a laminated structure is also formed on the counter substrate 20 (step S2). The laminated structure includes a common electrode, a color filter, a black matrix, an inorganic alignment film 22, and the like, and is formed by, for example, film formation by CVD or sputtering, patterning by photolithography, heat treatment, or the like.

次に、TFTアレイ基板10上に、画像表示領域10aを囲う枠状のシール材52を形成する(ステップS3)。シール材52は、ディスペンス法や印刷法等により形成される。   Next, a frame-shaped sealing material 52 surrounding the image display region 10a is formed on the TFT array substrate 10 (step S3). The sealing material 52 is formed by a dispensing method, a printing method, or the like.

次に、TFTアレイ基板10上のシール材52により囲まれた領域内に、所定量の液晶50を滴下し供給する(ステップS4)。   Next, a predetermined amount of liquid crystal 50 is dropped and supplied into the region surrounded by the sealing material 52 on the TFT array substrate 10 (step S4).

そして、詳しくは後述する液晶装置の製造装置である貼り合せ手段を具備した貼り合せ装置200により、液晶50が滴下された状態のTFTアレイ基板10と、対向基板20とを所定に位置決めして貼り合せる(ステップS5)。以上により、液晶装置100が完成する。   The TFT array substrate 10 in a state in which the liquid crystal 50 is dropped and the counter substrate 20 are positioned and bonded to each other by a bonding apparatus 200 having a bonding means, which is a liquid crystal device manufacturing apparatus, which will be described in detail later. (Step S5). Thus, the liquid crystal device 100 is completed.

以下に、上述したステップS5における、TFTアレイ基板10と対向基板20との貼り合せ工程について詳細に説明する。   Hereinafter, the bonding process between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 in step S5 described above will be described in detail.

本実施形態の貼り合せ工程においては、図4に示す貼り合せ装置200により、TFTアレイ基板10と対向基板20とが貼り合せられる。なお、図4において、紙面に正対して上方向を上方と称することとする。貼り合せ装置200は、真空中においてTFTアレイ基板10と対向基板20とを貼り合せる機構である貼り合せ手段を有するものである。   In the bonding step of the present embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded by the bonding apparatus 200 shown in FIG. In FIG. 4, the upward direction is referred to as “upward” as opposed to the paper surface. The bonding apparatus 200 includes bonding means that is a mechanism for bonding the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 in a vacuum.

貼り合せ装置200は、天蓋部201と底面部202とに分割されて構成される気密構造の真空チャンバ210と、該真空チャンバ210内から排出口205を介して気体を排出する真空ポンプ207と、該排出口205を開閉するバルブ206を具備して構成されている。   The laminating apparatus 200 includes an airtight vacuum chamber 210 configured by being divided into a canopy portion 201 and a bottom surface portion 202, a vacuum pump 207 that discharges gas from the vacuum chamber 210 through a discharge port 205, A valve 206 for opening and closing the discharge port 205 is provided.

真空チャンバ210は、固定された円板状の金属製の底面部202と、該底面部に対して真空チャンバ開閉機構部203により相対的に鉛直上下方向に移動されるドーム状の天蓋部201とを具備して構成される。   The vacuum chamber 210 includes a fixed disk-shaped metal bottom part 202, and a dome-shaped canopy part 201 that is moved vertically relative to the bottom part by a vacuum chamber opening / closing mechanism part 203. It is comprised and comprises.

真空チャンバ開閉機構部203により天蓋部201が下方に移動され、天蓋部201の底面が底面部202の上面と密接した状態において、真空チャンバ210内に気密な空間が形成される。なお、天蓋部201と底面部202とが接触する領域には、真空チャンバ210内を気密に保つための樹脂製のOリング204が配設されている。   When the canopy 201 is moved downward by the vacuum chamber opening / closing mechanism 203 and the bottom surface of the canopy 201 is in close contact with the top surface of the bottom 202, an airtight space is formed in the vacuum chamber 210. A resin O-ring 204 for keeping the inside of the vacuum chamber 210 airtight is disposed in a region where the canopy 201 and the bottom 202 are in contact with each other.

真空チャンバ210内が気密に保たれた状態において、バルブ206を開くことにより、真空ポンプ207により真空チャンバ210内の気体が排出口205から排出され、真空チャンバ210内が貼り合せ装置200の周囲の気圧に対して減圧状態とされる。   When the inside of the vacuum chamber 210 is kept airtight, by opening the valve 206, the gas in the vacuum chamber 210 is discharged from the discharge port 205 by the vacuum pump 207, and the inside of the vacuum chamber 210 is around the bonding apparatus 200. The pressure is reduced with respect to the atmospheric pressure.

一方、真空チャンバ開閉機構部203により天蓋部201が上方に移動され、天蓋部201が底面部202とはなれた状態においては、図示しない搬送装置により基板を真空チャンバ210に対して搬入及び搬出することが可能である。   On the other hand, when the canopy 201 is moved upward by the vacuum chamber opening / closing mechanism 203 and the canopy 201 is separated from the bottom 202, the substrate is carried into and out of the vacuum chamber 210 by a transfer device (not shown). Is possible.

真空チャンバ210内には、TFTアレイ基板10及び対向基板20をそれぞれ貼り合せ面を対向させて位置決めして保持するステージ部である下方基板保持ステージ211及び上方基板保持ステージ212が配設されている。下方基板保持ステージ211及び上方基板保持ステージ212は、金属やセラミック等の硬質の材料により構成されており、真空チャック、メカチャック、静電チャック等の基板を保持する機構を有する。   In the vacuum chamber 210, there are disposed a lower substrate holding stage 211 and an upper substrate holding stage 212, which are stage portions for positioning and holding the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 with their bonding surfaces facing each other. . The lower substrate holding stage 211 and the upper substrate holding stage 212 are made of a hard material such as metal or ceramic, and have a mechanism for holding a substrate such as a vacuum chuck, a mechanical chuck, or an electrostatic chuck.

下方基板ステージ211は、例えばボルト締結により真空チャンバ210の底面部202上に密接して固定されている。   The lower substrate stage 211 is closely fixed on the bottom surface portion 202 of the vacuum chamber 210 by, for example, bolt fastening.

一方、上方基板ステージ212は、ステージ移動機構部214により、天蓋部201とは独立して鉛直上下方向に移動可能に構成されている。本実施形態では、上方基板ステージ212は、天蓋部201の中心部を鉛直方向に貫通するスライド軸部213により支持されている。   On the other hand, the upper substrate stage 212 is configured to be movable in the vertical and vertical directions independently of the canopy unit 201 by the stage moving mechanism unit 214. In the present embodiment, the upper substrate stage 212 is supported by a slide shaft portion 213 that penetrates the central portion of the canopy portion 201 in the vertical direction.

スライド軸部213は、ステージ移動機構部214により鉛直上下方向に駆動される円筒軸であって、天蓋部201を貫通する部位に設けられた真空シール215により、真空チャンバ210内を気密に保ったまま天蓋部201に対して相対的に上下方向に移動可能である。   The slide shaft portion 213 is a cylindrical shaft that is driven in the vertical vertical direction by the stage moving mechanism portion 214, and the inside of the vacuum chamber 210 is kept airtight by a vacuum seal 215 provided at a portion that penetrates the canopy portion 201. It can be moved in the vertical direction relative to the canopy 201.

すなわち、上方基板ステージ212は、真空チャンバ210内が真空の状態においても鉛直上下方向に移動可能である。   That is, the upper substrate stage 212 can be moved vertically in the vertical direction even when the vacuum chamber 210 is in a vacuum state.

そして、本実施形態の液晶装置の製造装置である貼り合せ装置200には、超音波振動子ユニット220が、底面部220の下方側にボルト締結により固定されている。超音波振動子ユニット220は、図示しない発振器に電気的に接続されており、所定の周波数及び出力の超音波を送出する装置である。   And in the bonding apparatus 200 which is the manufacturing apparatus of the liquid crystal device of this embodiment, the ultrasonic transducer unit 220 is fixed to the lower side of the bottom surface part 220 by bolt fastening. The ultrasonic transducer unit 220 is an apparatus that is electrically connected to an oscillator (not shown) and transmits ultrasonic waves having a predetermined frequency and output.

超音波振動子ユニット220は、送出する超音波が底面部202及び底面部上に固定された下方基板ステージ211に照射されるように、配設されている。   The ultrasonic transducer unit 220 is disposed so that the ultrasonic wave to be transmitted is irradiated to the bottom surface portion 202 and the lower substrate stage 211 fixed on the bottom surface portion.

なお、貼り合せ装置200には、TFTアレイ基板10及び対向基板20を相対的に移動させて位置決めする機構も配設されるものであるが、これは液晶装置の製造工程で用いられる公知の貼り合せ装置と同様であるので、本実施形態ではその説明は省略するものとする。   The bonding apparatus 200 is also provided with a mechanism for relatively moving and positioning the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, which is a known bonding process used in the manufacturing process of the liquid crystal device. Since it is the same as that of the aligning apparatus, the description thereof will be omitted in this embodiment.

以上に説明した構成を有する貼り合せ装置200において実施される貼り合せ工程の詳細を、図5のフローチャートを参照して説明する。   Details of the bonding process performed in the bonding apparatus 200 having the above-described configuration will be described with reference to the flowchart of FIG.

貼り合せ工程では、まずステップS11において、TFTアレイ基板10及び対向基板20が搬送装置により貼り合せ装置200の真空チャンバ210内に搬入する。   In the bonding process, first, in step S11, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are carried into the vacuum chamber 210 of the bonding apparatus 200 by the transfer device.

具体的には、天蓋部201が上方に持ち上げられ開放状態とされた真空チャンバ210内の下方基板ステージ211上に、シール材52が塗布され液晶50が滴下された状態のTFTアレイ基板10が搬入されて固定される。また、対向基板20も搬送装置によりTFTアレイ基板10に対向して上方基板ステージ212に固定される。   Specifically, the TFT array substrate 10 in a state where the sealing material 52 is applied and the liquid crystal 50 is dropped onto the lower substrate stage 211 in the vacuum chamber 210 where the canopy 201 is lifted upward and opened is carried in. To be fixed. The counter substrate 20 is also fixed to the upper substrate stage 212 so as to oppose the TFT array substrate 10 by the transfer device.

次に、ステップS12において、図示しない超音波発振器を作動させ、超音波振動子ユニット220から所定の周波数及び出力の超音波を送出させる。ここで、超音波振動子ユニット220から送出された超音波は、金属等の硬質な材料で形成された底面部202及び下方基板ステージ211を伝わり、TFTアレイ基板10に照射される。   Next, in step S <b> 12, an ultrasonic oscillator (not shown) is operated, and ultrasonic waves having a predetermined frequency and output are transmitted from the ultrasonic transducer unit 220. Here, the ultrasonic wave sent out from the ultrasonic transducer unit 220 travels through the bottom surface part 202 and the lower substrate stage 211 made of a hard material such as metal and is irradiated onto the TFT array substrate 10.

次に、ステップS13において、天蓋部201を下降させて真空チャンバ210を気密状態とし、バルブ206を開状態として真空チャンバ210内が所定の真空度に到達するまで真空引きを行う。   Next, in step S13, the canopy 201 is lowered to bring the vacuum chamber 210 into an airtight state, the valve 206 is opened, and vacuuming is performed until the inside of the vacuum chamber 210 reaches a predetermined degree of vacuum.

真空チャンバ210内が所定の真空度に到達したら、超音波振動子ユニット220による超音波の送出を停止し、次に、ステップS14において、上方基板ステージ212を下降させて、TFTアレイ基板10と対向基板20とを貼り合せる。   When the inside of the vacuum chamber 210 reaches a predetermined degree of vacuum, transmission of ultrasonic waves by the ultrasonic transducer unit 220 is stopped, and then the upper substrate stage 212 is lowered to face the TFT array substrate 10 in step S14. The substrate 20 is bonded.

次に、ステップS15において真空チャンバ210内を大気開放し、ステップS16において天蓋部201及び上方基板ステージ212を上昇させて、搬送装置により、貼り合わされた状態のTFTアレイ基板10及び対向基板20を搬出する。
以上で、本実施形態の貼り合せ処理が終了する。
Next, in step S15, the inside of the vacuum chamber 210 is opened to the atmosphere. In step S16, the canopy 201 and the upper substrate stage 212 are raised, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 in a bonded state are carried out by the transfer device. To do.
This is the end of the bonding process of the present embodiment.

上述した本実施形態においては、下方基板ステージ211上に固定されたTFTアレイ基板10に対して、真空チャンバ210内が所定の真空度となるまでの期間、超音波が照射される。ここで、TFTアレイ基板10は硬質なガラスや石英等により構成されているため、照射された超音波はTFTアレイ基板10上に滴下された液晶50にも照射される。   In the present embodiment described above, ultrasonic waves are applied to the TFT array substrate 10 fixed on the lower substrate stage 211 for a period until the inside of the vacuum chamber 210 reaches a predetermined degree of vacuum. Here, since the TFT array substrate 10 is made of hard glass, quartz, or the like, the irradiated ultrasonic waves are also applied to the liquid crystal 50 dropped on the TFT array substrate 10.

そして、液晶50は、超音波が照射されることにより流動性が高くなりさらに液晶50は振動により攪拌されるため、液晶50内に溶存している気体は真空内に放置する場合に比してより短時間で効率よく除去される(脱気される)。すなわち、液晶装置100の歩留まりを向上させることができる。   The liquid crystal 50 becomes more fluid when irradiated with ultrasonic waves, and the liquid crystal 50 is agitated by vibration. Therefore, the gas dissolved in the liquid crystal 50 is compared with the case where the gas is left in a vacuum. It is efficiently removed (degassed) in a shorter time. That is, the yield of the liquid crystal device 100 can be improved.

また、この液晶50を脱気するために超音波を照射する期間は、真空チャンバ210内が所定の真空度となるまでの待ち時間において行われるものであり、従来の製造工程の処理時間を延ばすことなく液晶50の脱気処理を行うことができるのである。   Further, the period of irradiating the ultrasonic waves for degassing the liquid crystal 50 is performed during a waiting time until the inside of the vacuum chamber 210 reaches a predetermined degree of vacuum, thereby extending the processing time of the conventional manufacturing process. The deaeration process of the liquid crystal 50 can be performed without this.

また、液晶50の脱気処理は、液晶50がTFTアレイ基板10及び対向基板20の間に封止される直前に行われるものであり、さらに脱気処理の終了時は所定の真空度であるため、脱気処理後に液晶50に気体が再度溶存してしまうことがない。   In addition, the deaeration process of the liquid crystal 50 is performed immediately before the liquid crystal 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and at the end of the deaeration process, a predetermined degree of vacuum is obtained. Therefore, the gas does not dissolve again in the liquid crystal 50 after the deaeration process.

したがって、本実施形態によれば、液晶中に含まれる気体を短時間で効率よく除去し、生産性を向上させることが可能となる。   Therefore, according to the present embodiment, it is possible to efficiently remove the gas contained in the liquid crystal in a short time and improve productivity.

なお、上述した実施形態においては、液晶50はTFTアレイ基板10上に滴下されるものとして説明しているが、液晶は対向基板20上に滴下される形態であってもよい。また、図4においては、液晶50が滴下された面を上方に向けてTFTアレイ基板10を支持しているが、TFTアレイ基板10と対向基板20の位置を入れ替えて、液晶50が滴下された面が下方を向くようにした構成であってもよい。この場合、振動子ユニット220は、上方基板ステージ212に超音波を照射することが可能に配設されることは言うまでもない。   In the above-described embodiment, the liquid crystal 50 is described as being dropped on the TFT array substrate 10, but the liquid crystal may be dropped on the counter substrate 20. In FIG. 4, the TFT array substrate 10 is supported with the surface on which the liquid crystal 50 is dropped facing upward, but the position of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 is switched to drop the liquid crystal 50. The structure may be such that the surface faces downward. In this case, it goes without saying that the vibrator unit 220 is disposed so as to be able to irradiate the upper substrate stage 212 with ultrasonic waves.

また、超音波振動子ユニット220は、本実施形態では真空チャンバ220の外側に配設されているが、例えば、振動子ユニット220は直接下方基板ステージ211に接触するように真空チャンバ210内に配設されるものであってもよい。   In addition, the ultrasonic transducer unit 220 is disposed outside the vacuum chamber 220 in the present embodiment. For example, the transducer unit 220 is arranged in the vacuum chamber 210 so as to directly contact the lower substrate stage 211. It may be provided.

また、本実施形態では、液晶50への超音波の照射を、真空引きを行う期間でのみ実行しているが、例えば基板の貼り合せが完了するまで超音波を照射する形態であってもよいし、また超音波の照射を開始する時期も、基板の貼り合せが行われる前であれば本実施形態に限られるものではない。   Further, in the present embodiment, the ultrasonic wave irradiation to the liquid crystal 50 is performed only during the vacuuming period. However, for example, the ultrasonic wave irradiation may be performed until the bonding of the substrates is completed. In addition, the timing of starting the irradiation with ultrasonic waves is not limited to the present embodiment as long as the substrates are not bonded to each other.

なお、上述の実施形態では、TFTを用いたVAモードのアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを液晶装置として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の形式の液晶装置の製造装置及び製造方法にも本発明を適用可能である。   In the above-described embodiment, the VA mode active matrix driving type transmissive liquid crystal panel using TFTs has been described as a liquid crystal device. However, the present invention is not limited to this, and other types of liquid crystal devices are used. The present invention can also be applied to the manufacturing apparatus and the manufacturing method.

また、液晶装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばLCOS(Liquid Crystal On Silicon)等であっても構わない。LCOSでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。   The liquid crystal device may be a display device for forming an element on a semiconductor substrate, for example, LCOS (Liquid Crystal On Silicon). In LCOS, a single crystal silicon substrate is used as an element substrate, and a transistor is formed on a single crystal silicon substrate as a switching element used for a pixel or a peripheral circuit. In addition, a reflective pixel electrode is used for the pixel, and each element of the pixel is formed below the pixel electrode.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の製造装置及び製造方法も本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. A manufacturing apparatus and a manufacturing method are also included in the technical scope of the present invention.

TFTアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the electro-optical device when the TFT array substrate is viewed from the counter substrate side together with the components configured thereon. 図1のH−H’断面図である。It is H-H 'sectional drawing of FIG. 液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of a liquid crystal device. 貼り合せ装置の概略構成を説明する図である。It is a figure explaining schematic structure of a bonding apparatus. 貼り合せ工程のフローチャートである。It is a flowchart of a bonding process.

符号の説明Explanation of symbols

10 TFTアレイ基板、 20 対向基板、 50 液晶、 52 シール材、 200 貼り合せ装置、 201 天蓋部、 202 底面部、 203 真空チャンバ開閉機構部、 204 Oリング、 205 排出口、 206 バルブ、 207 真空ポンプ、 210 真空チャンバ、 211 下方基板ステージ、 212 上方基板ステージ、 213 スライド軸部、 214 ステージ移動機構部、 215 真空シール、 220 超音波振動子ユニット 10 TFT array substrate, 20 counter substrate, 50 liquid crystal, 52 sealing material, 200 bonding apparatus, 201 canopy section, 202 bottom surface section, 203 vacuum chamber opening / closing mechanism section, 204 O-ring, 205 discharge port, 206 valve, 207 vacuum pump , 210 vacuum chamber, 211 lower substrate stage, 212 upper substrate stage, 213 slide shaft, 214 stage moving mechanism, 215 vacuum seal, 220 ultrasonic transducer unit

Claims (4)

シール材を介して貼り合わされた一対の基板間に、液晶を挟持してなる液晶装置の製造装置であって、
前記一対の基板のうちの前記液晶が滴下された基板を保持するステージ部と、
該ステージ部に超音波を照射する超音波振動子と、
内部を減圧状態とすることが可能な真空チャンバと、
該真空チャンバ内において、前記一対の基板を前記シール材を介して貼り合せる貼り合せ手段と、を具備することを特徴とする液晶装置の製造装置。
An apparatus for manufacturing a liquid crystal device, wherein a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates bonded via a sealing material,
A stage unit for holding a substrate on which the liquid crystal is dropped from the pair of substrates;
An ultrasonic transducer for irradiating the stage part with ultrasonic waves;
A vacuum chamber capable of depressurizing the inside;
An apparatus for manufacturing a liquid crystal device, comprising: a bonding unit that bonds the pair of substrates through the sealant in the vacuum chamber.
前記ステージ部は、前記真空チャンバ内に配設され、
前記貼り合せ手段は、前記ステージ部に保持された前記液晶が滴下された基板に、前記シール材を介して他方の基板を貼り合せることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置の製造装置。
The stage portion is disposed in the vacuum chamber,
The apparatus for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the bonding unit bonds the other substrate to the substrate on which the liquid crystal held by the stage unit is dropped via the sealing material. .
シール材を介して貼り合わされた一対の基板間に、液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板に液晶を滴下する液晶滴下工程と、
前記液晶が滴下された基板に超音波を照射する超音波照射工程と、
前記一対の基板を真空下においてシール材を介して貼り合せる貼り合せ工程と、を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
A method for manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates bonded via a sealing material,
A liquid crystal dropping step of dropping liquid crystal on at least one of the pair of substrates;
An ultrasonic irradiation step of irradiating the substrate on which the liquid crystal is dropped with an ultrasonic wave;
And a bonding step of bonding the pair of substrates through a sealing material under vacuum.
前記超音波照射工程は、真空下において行われることを特徴とする請求項3に記載の液晶装置の製造方法。   The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 3, wherein the ultrasonic wave irradiation step is performed under vacuum.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN107102459A (en) * 2017-06-30 2017-08-29 武汉华星光电技术有限公司 Liquid crystal bubbles analytical equipment and analysis method
JP2020104258A (en) * 2020-02-05 2020-07-09 Aiメカテック株式会社 Substrate assembling device, substrate assembling system using the device, and substrate assembling method using the system

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010101189A1 (en) 2009-03-06 2010-09-10 日本電気株式会社 Information processing system and method
CN107102459A (en) * 2017-06-30 2017-08-29 武汉华星光电技术有限公司 Liquid crystal bubbles analytical equipment and analysis method
CN107102459B (en) * 2017-06-30 2020-05-19 武汉华星光电技术有限公司 Liquid crystal bubble analysis device and analysis method
JP2020104258A (en) * 2020-02-05 2020-07-09 Aiメカテック株式会社 Substrate assembling device, substrate assembling system using the device, and substrate assembling method using the system

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