JP2009036939A - Image display device - Google Patents
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Abstract
【課題】多階調化に伴う駆動回路の回路サイズの増加を抑制する。
【解決手段】VI0〜VIMは、非発光電圧VEOFFから最大発光電圧VEONの間の所定区間をM等分した変調回路用参照電圧である。上位分割抵抗40は変調回路用参照電圧VI0〜VIMの各区間を等分割し上位階調電圧v0からv8Mを発生する。上位デコーダ部41は、データラッチに保持された上位Jビットのデータに応じ上位階調電圧から隣接する2電圧を選択する。相補型MOSFET選択スイッチ47−1と47−2は上位デコーダ部41に入力される最下位ビットデータにより開閉する。下位分割抵抗43は選択された高電圧上位階調電圧vlと低電圧上位階調電圧vl+1の間を等分割し階調電圧vl0からvln−1を発生する。下位デコーダ部44はデータラッチに保持された下位Kビットのデータに応じ分割抵抗により発生した階調電圧から出力電圧を選択出力する。
【選択図】図4An object of the present invention is to suppress an increase in the circuit size of a drive circuit accompanying multi-gradation.
VI0 to VIM are modulation circuit reference voltages obtained by dividing a predetermined section between a non-light emission voltage VEOFF and a maximum light emission voltage VEON into M equal parts. The upper dividing resistor 40 equally divides each section of the modulation circuit reference voltages VI0 to VIM to generate upper gradation voltages v0 to v8M. The upper decoder unit 41 selects two adjacent voltages from the upper gradation voltage according to the upper J-bit data held in the data latch. The complementary MOSFET selection switches 47-1 and 47-2 are opened and closed by the least significant bit data input to the upper decoder unit 41. The lower division resistor 43 equally divides the selected high voltage upper gradation voltage vl and low voltage upper gradation voltage vl + 1 to generate gradation voltages vl0 to vln-1. The lower decoder unit 44 selectively outputs an output voltage from the gradation voltage generated by the dividing resistor in accordance with the lower K bits of data held in the data latch.
[Selection] Figure 4
Description
本発明は、画像表示装置に係り、特に多階調化に伴う駆動回路の回路サイズの増加を抑制した画像表示装置に関する。 The present invention relates to an image display device, and more particularly to an image display device that suppresses an increase in the circuit size of a drive circuit that accompanies multi-gradation.
フラット・パネル・ディスプレイ(FPD)と呼ばれる画像表示装置において、電圧振幅信号を変調して階調を表示する振幅変調型駆動回路の一種に、外部より入力された参照電圧を抵抗により分圧し、発生した階調電圧を選択回路により選択して表示パネルに出力し、画像を表示する抵抗分割方式が知られている。 In an image display device called a flat panel display (FPD), a reference voltage input from the outside is divided by a resistor into a type of amplitude modulation type drive circuit that modulates the voltage amplitude signal and displays gradation. There is known a resistance division method in which a selected gradation voltage is selected by a selection circuit and output to a display panel to display an image.
この抵抗分割方式は、薄膜トランジスタ(TFT)型(すなわち、アクティブマトリクス型)の液晶表示装置の駆動回路に広く用いられている。また、MIM(金属‐絶縁体−金属)等の電子放出素子を用いた画像表示装置の駆動回路への適用も検討されている。近年、この種の駆動回路には、色再現性の拡大、コントラスト比の向上といったパネル性能の向上に対応して10ビットを越える多階調化が望まれている。しかし、抵抗分割方式では、多階調化に伴って階調電圧の選択回路を構成するスイッチ数と抵抗から選択回路まで電圧を伝える配線が2のビット数乗で増加するため、駆動回路を構成する半導体集積回路のチップサイズが増大し、駆動回路のコストが上昇するという課題が生じる。 This resistance division method is widely used for a driving circuit of a thin film transistor (TFT) type (that is, active matrix type) liquid crystal display device. In addition, application to a drive circuit of an image display device using an electron-emitting device such as MIM (metal-insulator-metal) is also being studied. In recent years, this type of drive circuit has been desired to have multiple gradations exceeding 10 bits in response to an improvement in panel performance such as an increase in color reproducibility and an improvement in contrast ratio. However, in the resistance division method, as the number of gradations is increased, the number of switches constituting the gradation voltage selection circuit and the wiring for transmitting the voltage from the resistance to the selection circuit increase by a power of 2 to form a drive circuit. As a result, the chip size of the semiconductor integrated circuit increases, and the cost of the drive circuit increases.
この分野の従来技術を開示したものとして、特許文献1、特許文献2を挙げることができる。特許文献1では、画像情報を上位画像情報と下位画像情報に分け、上位画像情報のビット数に応じた複数の上位階調電圧から上位画像情報に応じた2つの隣接上位階調電圧を選択し、選択された2上位階調電圧間を下位画像情報のビット数に応じて抵抗を用い分圧し画像信号を生成出力することにより、多階調化に伴う駆動回路を構成する半導体集積回路のチップサイズの増大と駆動回路のコスト上昇を防いでいる。
また、特許文献2では、選択された2電圧間を下位画像情報のビット数に応じて下位デコーダ部とスイッチと多入力の差動対を持つ出力回路を用い分圧し画像信号を生成出力することにより、多階調化に伴う駆動回路を構成する半導体集積回路のチップサイズの増大と駆動回路のコスト上昇を防いでいる。
しかし、特許文献1、2のいずれでも、隣接する上位2階調を選択すたるために上位デコーダ部中に2系列の選択スイッチを用いているため、上位デコーダ部の占める面積が大きく、依然として多階調化に伴う駆動回路の回路規模が増大し、半導体集積回路により実現する場合では半導体集積回路のチップサイズの増大と駆動回路のコスト上昇を招いている。
However, in both
本発明の目的は、多階調化に伴う駆動回路の回路サイズの増加を抑制した画像表示装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an image display device in which an increase in the circuit size of a drive circuit accompanying the increase in the number of gradations is suppressed.
本発明の画像表示装置は、互いに平行な複数本の行配線と、該行配線に交差する複数本の列配線と、前記行配線と前記列配線の交点近傍に表示素子を配置して表示領域を形成した背面板と、該背面板の少なくとも前記表示領域を覆って重ね合わせた前面基板を有する表示パネルを備えている。 An image display device according to the present invention includes a plurality of row wirings parallel to each other, a plurality of column wirings intersecting the row wirings, and a display element disposed near an intersection of the row wirings and the column wirings. And a display panel having a front substrate overlaid on at least the display area of the back plate.
前記背面板に、前記行配線に接続されて行選択を行う走査回路と、前記列配線に接続されて振幅変調電圧を出力する変調回路を有し、前記変調回路は、外部から入力される変調回路用参照電圧間を分割して上位階調電圧を生成する上位分割抵抗を有する上位階調電圧生成部と、表示データを保持するデータラッチと、該データラッチに保持された上位ビットのデータに応じて上位階調電圧から隣接する2電圧を選択する上位デコーダ部および選択された2上位階調電圧間を分割し階調電圧を発生して前記データラッチに保持された下位ビットのデータに応じて発生した階調電圧を出力する電圧分割手段の出力電圧を選択出力する下位デコーダ部とからなるデコーダを設けた。 The back plate has a scanning circuit connected to the row wiring for selecting a row, and a modulation circuit connected to the column wiring for outputting an amplitude modulation voltage. The modulation circuit is a modulation input from the outside. An upper gradation voltage generation unit having an upper division resistor that divides between circuit reference voltages to generate an upper gradation voltage, a data latch that holds display data, and upper bit data held in the data latch Accordingly, the upper decoder unit for selecting two adjacent voltages from the upper grayscale voltage and the selected two upper grayscale voltages are divided to generate a grayscale voltage and according to the lower bit data held in the data latch. A decoder comprising a lower decoder section for selectively outputting the output voltage of the voltage dividing means for outputting the generated gradation voltage is provided.
そして、前記上位デコーダ部は、該上位デコーダ部の奇数番もしくは偶数番の上位階調電圧より高いか低いか何れかの隣接偶数番もしくは隣接奇数番の上位階調電圧を選択するためのスイッチを有し、前記デコーダは、前記上位デコーダ部と前記電圧分割手段との間に、該電圧分割手段の出力電圧を選択する選択スイッチを設けた。 The upper decoder unit includes a switch for selecting an adjacent even-numbered or adjacent odd-numbered upper grayscale voltage that is higher or lower than the odd-numbered or even-numbered higher grayscale voltage of the upper decoder unit. The decoder includes a selection switch for selecting an output voltage of the voltage dividing unit between the upper decoder unit and the voltage dividing unit.
上位デコーダ部は、電圧の高い上位階調電圧の選択のためのpチャネルMOSFETと、電圧の低い上位階調電圧の選択のためのnチャネルMOSFETからなり、前記下位デコーダ部はpチャネルMOSFETとnチャネルMOSFETが並列接続された相補型MOSFETとから構成する。 The upper decoder unit includes a p-channel MOSFET for selecting a higher gray level voltage having a higher voltage and an n-channel MOSFET for selecting a higher gray level voltage having a lower voltage. The lower decoder unit includes a p-channel MOSFET and an n-channel MOSFET. The channel MOSFET is composed of complementary MOSFETs connected in parallel.
従来2系列必要であった上位デコーダ部中の選択スイッチを一系統とすることで、デコーダを構成するスイッチが半減する。また、バッファアンプの入力側の選択スイッチが不要となる。この結果、データ駆動回路の回路規模の増大が抑制され、半導体集積回路により実現する場合では半導体集積回路のチップサイズを小さくできる。また、入力される電圧の固定された上位デコーダ部のMOSFETの構成を簡略化するとともに、下位デコーダ部へ入力される上位階調電圧が変化しても選択時のオン抵抗の上昇を防ぐことができる。 The number of switches constituting the decoder is reduced by half by making the selection switches in the higher-order decoder unit, which conventionally required two systems, into one system. Further, the selection switch on the input side of the buffer amplifier is not necessary. As a result, an increase in the circuit scale of the data driving circuit is suppressed, and the chip size of the semiconductor integrated circuit can be reduced when it is realized by a semiconductor integrated circuit. In addition, the structure of the MOSFET of the higher-order decoder unit in which the input voltage is fixed is simplified, and an increase in on-resistance at the time of selection can be prevented even if the higher gray-scale voltage input to the lower-order decoder unit changes. it can.
以下、本発明の最良の実施形態につき、実施例を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, the best mode of the present invention will be described in detail with reference to examples.
図1は、本発明の画像表示装置の実施例1を説明する画像表示装置の全体回路構成を示すブロック図である。本実施例では、MIM型電子放出素子を用いた画像表示装置に本発明を適用したものである。内面に、列配線1、行配線2、列配線1と行配線2の交差部近傍に配置されたMIM型電子放出素子3を形成したガラスを好適とする背面板と、図示しない前面板を貼り合わせた表示パネル4を有する。背面板のMIM型電子放出素子3を配置した表示領域に対向する前面板の内面には蛍光膜10と、この蛍光膜10を覆って成膜したメタルバック(アノード)11が形成されている。
FIG. 1 is a block diagram showing an overall circuit configuration of an image display apparatus for explaining an
フルカラー表示の場合には、MIM型電子放出素子3から放出された電子で励起されて発光する蛍光膜10は赤、緑、青などの原色を発光する複数種の蛍光膜を所定のパターンで配置される。前面板は、少なくとも蛍光膜10とメタルバック(アノード)11が形成される表示領域を覆って背面板に重ね合わせて貼り合わされる。
In the case of full-color display, the fluorescent film 10 that emits light when excited by electrons emitted from the MIM type electron-
変調電圧により発光強度が変調するMIM型電子放出素子3には、その下部電極に接続された列配線1に変調電圧が印加される。なお、MIM型電子放出素子3の上部電極に接続された行配線2を備える背面板、背面板の対向面に蛍光膜10と蛍光膜10を覆う様に形成されたメタルバック11を備える前面板と共に、パネル内を真空にするためにパネル周辺に枠状の側壁(図示せず)が設けられる。蛍光膜10は、MIM型電子放出素子3の各列毎に赤、緑、青の3原色に塗分けられる。
A modulation voltage is applied to the
参照符号5は列配線に振幅変調電圧を出力する変調回路、同6は行選択を行う走査回路である。ドライバ電源7は、走査回路6に選択電圧VGON、非選択電圧VGOFF、論理回路用電圧Vccを供給し、変調回路5と表示コントローラ8に発光電圧VEON、非発光電圧VEOFF、論理回路用電圧Vccを供給する。表示コントローラ8は、走査回路6に垂直クロックVCLK、スタートパルスVIO、出力切り替え信号STBを、変調回路5に水平クロックHCLK、スタートパルスHIO、出力切り替え信号STB、変調回路用参照電圧VI0〜VIM、赤、緑、青に対応する3出力Iビットの表示データD0、D1、D2を出力する。これらの制御信号とデータ中変調回路用参照電圧VI0〜VIM以外の信号は全て論理回路用電圧Vccの振幅を持つ。また、アノード電源9はメタルバック11に蛍光体を発光させるためのアノード電圧VAを供給する。
図2は、図1に示す変調回路の構成を説明するブロック図である。変調回路5は、半導体集積回路からなるデータドライバの直列接続で構成される。参照符号25は表示データを取り込むためのラッチ信号を生成するシフトレジスタである。参照符号24は表示コントローラ8から同時に入力される赤、緑、青に対応するD00〜D0I−1、D10〜D1I−1、D20〜D2I−1の3出力Iビットの表示データを順次取り込むデータレジスタである。参照符号23はデータレジスタの表示データを出力切り替え信号STBに同期して取り込み保持するデータラッチである。
FIG. 2 is a block diagram illustrating the configuration of the modulation circuit shown in FIG. The
参照符号26は表示コントローラ8の出力する変調回路用参照電圧VI0〜VIMから抵抗分割により2J+1個の上位階調電圧を発生させる上位階調電圧生成部である。参照符号22はデータラッチの出力するIビットの表示データに応じ2J+1個の上位階調電圧を用い2I(I>J)通りの電圧を生成出力するデコーダである。参照符号21はデコーダ出力電圧を出力電圧Y1〜Ymとして表示パネル4の列配線1の各々に出力するためのボルテージフォロワーカラーなる出力回路である。HR/Lはシフトレジスタのシフト方向を決めるための信号で、論理回路用電圧Vccまたは接地電圧GNDに固定されている。
一水平走査期間が開始されると、スタートパルスHIOが第1のデータドライバのHIO1(あるいはHIO2)信号として入力されシフトレジスタ25内を水平クロックHCLKに同期してシフトし、ラッチ信号が出力されると、3出力同時にIビットの表示データが順次データレジスタ24に取り込まれる。第1のデータドライバのデータレジスタ24への表示データ取り込みが終了するとHIO2(あるいはHIO1)の電圧が論理回路用電圧Vccとなり第2のデータドライバのHIO1(あるいはHIO2)に入力され、第2のデータドライバへの表示データ取り込みが開始される。この様にして全表示データのデータレジスタ24への取り込みが終了すると、一水平走査期間の直前に、出力切り替え信号STBの立ち上がりに同期して全表示データがデータレジスタ24からデータラッチ23に取り込まれる。取り込まれた表示データはそれぞれデコーダ22により階調電圧に変換され、階調電圧は出力回路21により各列配線に出力される。
When one horizontal scanning period is started, a start pulse HIO is input as the HIO1 (or HIO2) signal of the first data driver, the
図3は、図1に示す走査回路の構成を説明するブロック図である。図1の走査回路6は図3に示す半導体集積回路からなるスキャンドライバの直列接続で構成される。参照符号33は一水平走査期間ごとに選択行を順次切り替えるための選択信号を生成するシフトレジスタである。参照符号32はシフトレジスタ出力を論理回路用電圧Vcc−GNDのレベルから選択電圧VGON−非選択電圧VGOFFのレベルに変換するレベルシフタである。参照符号31はレベルシフトされたシフトレジスタ出力に応じ選択電圧VGONもしくは非選択電圧VGOFFを出力電圧G1〜Gnとして表示パネル4の行配線2の各々に出力するための出力回路である。VR/Lはシフトレジスタのシフト方向を決めるための信号で、論理回路用電圧Vccまたは接地電圧GNDに固定されている。
FIG. 3 is a block diagram illustrating the configuration of the scanning circuit shown in FIG. The
一垂直走査期間が開始されると、スタートパルスVIOが第1のスキャンドライバのVIO1(あるいはVIO2)信号として入力され、一水平走査期間毎にシフトレジスタ33内を垂直クロックVCLKに同期してシフトし、選択信号が順次出力される。出力された選択信号と出力切り替え信号STBの反転信号との論理積がレベルシフタ32により選択電圧VGON−非選択電圧VGOFFのレベルにレベルシフトされ、表示パネル4の選択行配線に選択電圧VGONとして出力される。他方、表示パネル4の非選択行配線には非選択電圧VGOFFが出力される。第1のスキャンドライバ内のシフトが終了するとVIO2(あるいは、VIO1)の電圧が論理回路用電圧Vccとなり第2のスキャンドライバのVIO1(あるいは、VIO2)に入力され、第2のスキャンドライバ内のシフトが開始される。この様にして全行が順次選択される。
When one vertical scanning period is started, the start pulse VIO is input as the VIO1 (or VIO2) signal of the first scan driver, and the
図4は、図2に示すデータドライバ内の上位階調電圧生成部とデコーダの各列毎のユニットの詳細構成の説明図である。VI0〜VIMは、非発光電圧VEOFFから最大発光電圧VEONの間の所定区間をM等分した変調回路用参照電圧である。図4において、参照符号40は変調回路用参照電圧VI0〜VIM(VI0>VI1・・・>VIM−1>VIM)の各区間を等分割し2J+1個の上位階調電圧v0からv8M(8Mは2Jに等しい)を発生する上位分割抵抗である。参照符号45,46はデータラッチ出力を論理回路用電圧Vcc−GNDのレベルから非発光電圧VEOFFから最大発光電圧VEONのレベルに変換するレベルシフタである。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a detailed configuration of a unit for each column of the upper gradation voltage generation unit and decoder in the data driver shown in FIG. VI0 to VIM are modulation circuit reference voltages obtained by dividing a predetermined interval between the non-light emission voltage VEOFF and the maximum light emission voltage VEON into M equal parts. In FIG. 4,
参照符号41はデータラッチに保持された上位Jビットのデータに応じ上位階調電圧から隣接する2電圧を選択する上位デコーダ部である。参照符号42−1と42−2はボルテージフォロワーからなるバッファアンプである。参照符号47−1と47−2は上位デコーダ部41に入力される最下位ビットデータにより開閉する相補型MOSFET選択スイッチである。参照符号43は選択された高電圧上位階調電圧vlと低電圧上位階調電圧vl+1の間を等分割し2K個の階調電圧vl0からvln−1(nは2Kに等しい)を発生する下位分割抵抗である。参照符号44はデータラッチに保持された下位Kビットのデータに応じ分割抵抗により発生した階調電圧から出力電圧を選択出力する下位デコーダ部である。
図5は、図4における上位デコーダ部の詳細を示す回路図である。図5において、符号の上部に横線を付して示すものは、当該符号で示される信号の反転信号である。しかし、以下の明細書中では〔・・・〕のように〔〕で括った表記とする。すなわち、d0、d1、・・、dJ−3、dJ−2、dJ−1と〔d0〕、〔d1〕、・・、〔dJ−3〕、〔dJ−2〕、〔dJ−1〕はそれぞれ上位Jビットのデータラッチ出力をレベルシフトした信号とその反転信号を示す。 FIG. 5 is a circuit diagram showing details of the upper decoder unit in FIG. In FIG. 5, what is indicated by a horizontal line above the reference sign is an inverted signal of the signal indicated by the reference sign. However, in the following specification, it is set as the notation enclosed in [] like [...]. That is, d0, d1, ..., dJ-3, dJ-2, dJ-1 and [d0], [d1], ..., [dJ-3], [dJ-2], [dJ-1] are Each shows a signal obtained by level-shifting the data latch output of the upper J bits and its inverted signal.
また、図5中、配線の交差部の□はpMOSFETを、△はnMOSFETを示す(図5では、単にpMOS、nMOSと表記)。なお、d0が最上位ビットに、dJ−1が最下位ビットに対応している。また、v0からv8Mは上位階調電圧である。参照符号51、52はpチャネルMOSFET選択スイッチ、nチャネルMOSFET選択スイッチ、参照符号53、54は上位デコーダ部41に入力される最下位ビットデータに応じ奇数番の上位階調電圧より高いか低いか何れかの隣接偶数番の上位階調電圧を選択するpチャネルMOSFET選択スイッチ、nチャネルMOSFET選択スイッチである。
In FIG. 5, □ at the intersection of wirings indicates a pMOSFET, and Δ indicates an nMOSFET (in FIG. 5, simply expressed as pMOS and nMOS). Note that d0 corresponds to the most significant bit and dJ-1 corresponds to the least significant bit. Further, v0 to v8M are upper gradation voltages.
電圧の高い上位階調電圧v0からv8M/2−1の8M/2個の電圧はpチャネルMOSFET51と53により、電圧の低い上位階調電圧v8M/2からv8Mの8M/2+1個の電圧はnチャネルMOSFET52と54により選択がなされる。レベルシフトした信号またはその反転信号はそれぞれ各MOSFETのゲ−トに入力され、上位階調電圧v0からv8Mの中カラー隣接する2電圧が選択される。
The 8M / 2 voltages from the higher grayscale voltage v0 to v8M / 2-1 having the higher voltage are supplied by the p-
図6は、図4における下位デコーダ部44の詳細を示す回路図である。図6において、dJ、dJ+1、・・、dJ+K−3、dJ+K−2、dJ+K−1と〔dJ〕、〔dJ+1〔〕、・・、〔dJ+K−3〕、〔dJ+K−2〕、〔dJ+K−1〕はそれぞれ下位Kビットのデータラッチ出力をレベルシフトした信号とその反転信号を示す。dJが最上位ビットに、dJ+K−1が最下位ビットに対応している。参照符号61はpチャネルMOSFETとnチャネルMOSFETが並列接続された相補型MOSFET選択スイッチである。レベルシフトした信号またはその反転信号はそれぞれ各MOSFETのゲートに入力され、階調電圧vl0からvln−1の中から出力電圧を選択出力する。
FIG. 6 is a circuit diagram showing details of the
各変調回路用参照電圧VI0〜VIM間が上位分圧抵抗40により等分割され上位階調電圧v0からv8Mが生成される。生成された上位階調電圧からデータラッチに保持された上位Jビットデータに応じ上位デコーダ部41により隣接する2上位階調電圧vlとvl+1が選択される。最下位ビットが0(lが偶数2L)の時は、レベルシフトした信号dJ−1が低レベルとなり、高電圧上位階調電圧v2Lがバッファアンプ42−1に入力され選択スイッチ47−1を介して下位分割抵抗43の高電圧側に印加される。また、低電圧上位階調電圧v2L+1はバッファアンプ42−2に入力され選択スイッチ47−1を介して下位分割抵抗43の低電圧側に印加される。
The modulation circuit reference voltages VI0 to VIM are equally divided by the upper
他方、最下位ビットが1(lが奇数2L+1)の時は、反転信号dJ−1が低レベルとなり高電圧上位階調電圧v2L+1は最下位ビットが0の時と同様にバッファアンプ42−2に入力された後、選択スイッチ47−2を介して下位分割抵抗43の高電圧入力端子に印加される。また、低電圧上位階調電圧v2L+2はバッファアンプ42−1に入力され選択スイッチ47−2を介して下位分割抵抗43の低電圧側入力端子に印加される。
On the other hand, when the least significant bit is 1 (l is an odd number 2L + 1), the inverted signal dJ-1 is at a low level, and the high voltage upper gradation voltage v2L + 1 is applied to the buffer amplifier 42-2 in the same manner as when the least significant bit is 0. After the input, it is applied to the high voltage input terminal of the
本実施例では、上位デコーダ部41が上位デコーダ部の奇数番の上位階調電圧より高いか低いかいずれかの隣接偶数番の上位階調電圧を選択するためのスイッチ52、54を、デコーダが上位デコーダ部と選択された隣接上位階調電圧間を分割出力するための下位分割抵抗43と下位デコーダ部44と出力回路との間に選択スイッチを備える。そして、両スイッチを上位デコーダ部に入力される最下位ビットデータに応じ切り替え、隣接する上位2階調を選択した。この結果、従来2系列必要であった上位デコーダ部中の選択スイッチを一系統としデコーダを構成するスイッチを半減し、データドライバのチップサイズを小さくできる。
In this embodiment, the decoder includes
さらに、下位分割抵抗43の高電圧端子に入力される場合と低電圧端子に入力される場合のいずれの場合にも、偶数番の上位階調電圧はバッファアンプ42−1を介して、奇数番の上位階調電圧はバッファアンプ42−2を介して、下位分割抵抗43に入力する。この結果、特定の上位階調電圧が高電圧上位階調電圧として選ばれた時の下位デコーダ部の出力する最大電圧vl0とその1階調前の特定階調電圧が低電圧上位階調電圧として選ばれた時の下位デコーダ部の出力する最低電圧vl−1n−1は同一のバッファアンプ42−1または42−2の出力電圧偏差の影響をうける。このため、バッファアンプ出力電圧偏差が大きくとも、両電圧間電圧ばらつきが他の階調間より大きくなり、画質が悪くなるということがない。
Further, in both cases of inputting to the high voltage terminal and the low voltage terminal of the
また、上位デコーダ部は、電圧の高い上位階調電圧の選択のためのpチャネルMOSFETと、電圧の低い上位階調電圧の選択のためのnチャネルMOSFETからなり、下位デコーダ部は全てpチャネルMOSFETとnチャネルMOSFETが並列接続された相補型MOSFETで構成されている。 The upper decoder unit includes a p-channel MOSFET for selecting a higher grayscale voltage having a high voltage and an n-channel MOSFET for selecting a higher grayscale voltage having a low voltage, and the lower decoder units are all p-channel MOSFETs. And a n-channel MOSFET connected in parallel.
実施例1の構成により、入力される電圧の固定された上位デコーダ部のMOSFETの構成が簡略化できるとともに、下位デコーダ部へ入力される上位階調電圧が変化しても選択時のオン抵抗の上昇を防ぐことができ、多階調化に伴う駆動回路の回路サイズの増加を抑制することが可能となる。 According to the configuration of the first embodiment, the configuration of the MOSFET of the higher decoder unit in which the input voltage is fixed can be simplified, and the on-resistance at the time of selection can be changed even if the upper grayscale voltage input to the lower decoder unit changes. An increase can be prevented, and an increase in the circuit size of the drive circuit accompanying the increase in the number of gradations can be suppressed.
実施例2は、実施例1における上位デコーダ部を他の構成としたものである。図7は、本発明の画像表示装置の実施例2を説明する画像表示装置の上位デコーダ部の回路構成図である。実施例2の全体構成は図4と同じである。図7中、配線の交差部の□はpMMOSFETを、△はpMMOSFETを示す(図7では、単にpMOS、nMOSと表記)。図7の上位デコーダ部41において、d0、d1、・・、dJ−3、dJ−2、dJ−1と〔d0〕、〔d1〕、・・、〔dJ−3〕、〔dJ−2〕、〔dJ−1〕、v0カラーv8M、51、52、53、54の機能は図5と同様である。 In the second embodiment, the higher-order decoder unit in the first embodiment has another configuration. FIG. 7 is a circuit configuration diagram of the upper decoder section of the image display device for explaining the second embodiment of the image display device of the present invention. The overall configuration of the second embodiment is the same as FIG. In FIG. 7, □ at the intersection of wirings indicates pMMOSFET, and Δ indicates pMMOSFET (in FIG. 7, they are simply expressed as pMOS and nMOS). 7, d0, d1,..., DJ-3, dJ-2, dJ-1 and [d0], [d1],..., [DJ-3], [dJ-2] , [DJ-1], v0 color v8M, 51, 52, 53, 54 are the same as those in FIG.
実施例2でも、実施例1と同様に、デコーダを構成するスイッチが半減し、データドライバのチップサイズを小さくでき、多階調化に伴う駆動回路の回路サイズの増加を抑制することが可能となる。 In the second embodiment, as in the first embodiment, the number of switches constituting the decoder can be halved, the chip size of the data driver can be reduced, and the increase in the circuit size of the drive circuit due to the multi-gradation can be suppressed. Become.
本発明は、振幅変調により駆動されるものならば、どのような表示パネルを用いた画像表示装置にも実施できる。実施例3は、ドット反転駆動TFT液晶表示装置に本発明を適用した例である。ドット反転駆動はコモン一定駆動の一種で、各列毎各行毎に画素電極に印加される電圧の極性が反転する。 The present invention can be implemented in an image display apparatus using any display panel as long as it is driven by amplitude modulation. Example 3 is an example in which the present invention is applied to a dot inversion driving TFT liquid crystal display device. The dot inversion drive is a kind of common constant drive, and the polarity of the voltage applied to the pixel electrode is inverted every column and every row.
図8は、本発明の画像表示装置の実施例3を説明する画像表示装置の全体回路構成を示すブロック図である。表示パネル84は、TFT83、TFT83に接続された列配線81、TFT83のゲート電極に接続された行配線82、列配線に印加された変調電圧を保持する画素電極812を備える背面板、背面板の対向面にコモン電極811を備える前面板と、背面板と前面板間に封じされ画素電極に保持された変調電圧により光透過率の変化する液晶810からなる。
FIG. 8 is a block diagram showing an overall circuit configuration of an image display device for explaining an
参照符号85は、列配線に振幅変調電圧を出力する変調回路、同86は行選択を行う走査回路である。ドライバ電源87は、走査回路86に選択電圧VGON、非選択電圧VGOFFと論理回路用電圧Vccを供給し、変調回路85と表示コントローラ88に正負の発光電圧±VEON、論理回路用電圧Vccを供給する。表示コントローラ88は、走査回路86に垂直クロックVCLKとスタートパルスVIOを供給し、変調回路85に水平クロックHCLK、スタートパルスHIO、出力切り替え信号STB、出力正負切り替え信号POLE、正負変調回路用参照電圧±VI0〜VIM、表示データD0を出力する。
これらの制御信号とデータのうち、変調回路用参照電圧±VI0〜VIM以外の信号は全て論理回路用電圧Vccの振幅を持つ。また、コモン電源89はコモン電極811に液晶810に印加される電圧の基準となるコモン電圧VCOMを供給する。
Of these control signals and data, all signals other than the modulation circuit reference voltages ± VI0 to VIM have the amplitude of the logic circuit voltage Vcc. The common power supply 89 supplies a common voltage VCOM serving as a reference for the voltage applied to the
図9は、図8の変調回路を構成するデータドライバの構成図である。変調回路85は、半導体集積回路からなるデータドライバの直列接続で構成される。参照符号25、24、23は図2と同様である。+VI0〜+VIM(+VI0>+VI1・・・>+VIM−1>+VIM)は正の最大発光電圧VEONからコモン電圧間の間の所定区間を分割した正の変調回路用参照電圧である。−VI0〜−VIM(−VI0<−VI1・・・<−VIM−1<−VIM)は負の最大発光電圧−VEONからコモン電圧間の間の所定区間を分割した負の変調回路用参照電圧である。
FIG. 9 is a configuration diagram of a data driver constituting the modulation circuit of FIG. The
参照符号96−1と96−2は、それぞれ正の変調回路用参照電圧+VI0〜VIMまたは負の変調回路用参照電圧−VI0〜VIMから抵抗分割により2J+1個の正または負の上位階調電圧を発生させる正極側または負極側上位階調電圧生成部である。参照符号92−1と92−2は、それぞれデータラッチの出力するIビットの表示データに応じ2J+1個の正または負の上位階調電圧を用い2I(I>J)通りの電圧を生成出力する正極側または負極側デコーダ部である。参照符号91−1と91−2は、それぞれデコーダ出力電圧を出力電圧Y1〜Ymとして表示パネル84の列配線81の各々に出力するためのボルテージフォロワーからなる正極側または負極側出力回路である。正極側デコーダおよび出力回路と負極側デコーダおよび出力回路は列毎に交互に配置されている。HR/Lはシフトレジスタのシフト方向を決めるための信号で、論理回路用電圧Vccまたは接地電圧GNDに固定されている。
Reference numerals 96-1 and 96-2
一水平走査期間が開始されると、スタートパルスHIOが第1のデータドライバのHIO1(あるいはHIO2)信号として入力されシフトレジスタ25内を水平クロックHCLKに同期してシフトし、ラッチ信号が出力されると、Iビットの表示データが順次データレジスタ24に取り込まれる。第1のデータドライバのデータレジスタ24への表示データ取り込みが終了すると、HIO2(あるいはHIO1)の電圧が論理回路用電圧Vccとなり第2のデータドライバのHIO1(あるいはHIO2)に入力され、第2のデータドライバへの表示データ取り込みが開始される。
When one horizontal scanning period is started, a start pulse HIO is input as the HIO1 (or HIO2) signal of the first data driver, the
この様にして、全表示データのデータレジスタ24への取り込みが終了すると、一水平走査期間の直前に、出力切り替え信号STBの立ち上がりに同期して全表示データがデータレジスタ24からデータラッチ23に取り込まれる。データラッチ23に取り込まれた表示データは、正極側デコーダ92−1または負極側デコーダ92−2により階調電圧に変換され、変換された階調電圧はそれぞれ正極側出力回路91−1または負極側出力回路91−2により各列配線に出力される。以上の結果、各列配線には交互にコモン電圧VCOMに対して正または負の電圧が出力される。 In this way, when all the display data is taken into the data register 24, all the display data is taken into the data latch 23 from the data register 24 in synchronization with the rise of the output switching signal STB immediately before one horizontal scanning period. It is. The display data fetched into the data latch 23 is converted into a gradation voltage by the positive side decoder 92-1 or the negative side decoder 92-2, and the converted gradation voltage is converted into the positive side output circuit 91-1 or the negative side, respectively. Output to each column wiring by the output circuit 91-2. As a result, a positive or negative voltage with respect to the common voltage VCOM is alternately output to each column wiring.
出力正負切り替え信号POLEは各水平走査期間ごとに交互に0と1となり、各列配線への出力電圧を各水平走査線ごとに正または負とする。出力正負切り替え信号POLEが0の時は、奇数番列配線への出力に対応する表示データは、データレジスタ24の奇数番地に取り込まれ、正極側デコーダ部92−1と正極側出力回路91−1により正電圧として各奇数番列配線Y1、Y3、・・に出力される。また、偶数番列配線への出力に対応する表示データは、データレジスタ24の偶数番地に取り込まれ、負極側デコーダ部92−2と負極側出力回路91−2により負電圧に変換され負電圧として各偶数番列配線Y2、・・に出力される。 The output positive / negative switching signal POLE alternately becomes 0 and 1 for each horizontal scanning period, and the output voltage to each column wiring is positive or negative for each horizontal scanning line. When the output positive / negative switching signal POLE is 0, the display data corresponding to the output to the odd-numbered column wiring is taken into the odd-numbered address of the data register 24, and the positive-side decoder unit 92-1 and the positive-side output circuit 91-1. Is output as a positive voltage to each odd-numbered line wiring Y1, Y3,. The display data corresponding to the output to the even-numbered wiring is taken into the even-numbered address of the data register 24 and converted into a negative voltage by the negative-side decoder unit 92-2 and the negative-side output circuit 91-2 as a negative voltage. It is output to each even-numbered wiring Y2,.
他方、出力正負切り替え信号POLEが1の時は、奇数番列配線への出力に対応する表示データは、データレジスタ24の偶数番地に取り込まれ、負極側デコーダ92−2と負極側出力回路91−2により負電圧として各奇数番列配線Y1、Y3、・・に出力される。また、偶数番列配線への出力に対応する表示データは、データレジスタ24の奇数番地に取り込まれ、正極側デコーダ部92−1と正極側出力回路91−1により負電圧に変換され負電圧として各偶数番列配線Y2、・・に出力される。以上の結果、出力正負切り替え信号POLEの切り替えにより、各列配線への出力電圧を各水平走査線ごとに正または負となる。 On the other hand, when the output positive / negative switching signal POLE is 1, the display data corresponding to the output to the odd-numbered column wiring is taken into the even-numbered address of the data register 24, and the negative-side decoder 92-2 and the negative-side output circuit 91- 2 is output as a negative voltage to each odd-numbered line wiring Y1, Y3,. The display data corresponding to the output to the even-numbered line wiring is taken into the odd-numbered address of the data register 24 and converted into a negative voltage by the positive-side decoder unit 92-1 and the positive-side output circuit 91-1 as a negative voltage. It is output to each even-numbered wiring Y2,. As a result, by switching the output positive / negative switching signal POLE, the output voltage to each column wiring becomes positive or negative for each horizontal scanning line.
図9に示すデータドライバ内の正極側または負極側上位階調電圧生成部96−1と96−2は図4の26と同様、正極側または負極側デコーダ部92−1と92−2の各列毎のユニットの全体構成は図4の22−1と同様である。 The positive-side or negative-side upper gradation voltage generation units 96-1 and 96-2 in the data driver shown in FIG. 9 are the same as the positive-side or negative-side decoder units 92-1 and 92-2, respectively, like 26 in FIG. The overall configuration of the units for each column is the same as 22-1 in FIG.
図10は、本発明の画像表示装置の実施例3の上位デコーダ部91の構成図である。正極側デコーダにおいては、選択スイッチ47−1、47−2はPチャネルMOSFETにより構成されている。また、上位デコーダ部91は、d0、d1、・・、dJ−3、dJ−2、dJ−1と〔d0〕、〔d1〕、・・、〔dJ−3〕、〔dJ−2〕、〔dJ−1〕はそれぞれ上位Jビットのデータラッチ出力を論理回路用電圧Vcc−GNDのレベルから正の最大発光電圧+VEON、および負の最大発光電圧−VEONのレベルに変換した信号とその反転信号を示す。d0が最上位ビットに、dJ−1が最下位ビットに対応している。また、+v0から+v8Mは正の上位階調電圧である。
FIG. 10 is a configuration diagram of the
参照符号51、53は図5と同様のpチャネルMOSFET選択スイッチである。レベルシフトした信号またはその反転信号は、それぞれ各pチャネルMOSFETのゲートに入力され、図5と同様に正の上位階調電圧+v0から+v8Mの中から隣接する2電圧v2L+1とv2Lまたはv2L+2が選択される。
図11は、本発明の画像表示装置の実施例3の正極側デコーダにおける図4に示す下位デコーダ部44の詳細を示す回路図である。dJ、dJ+1、・・、dJ+K−3、dJ+K−2、dJ+K−1と〔dJ〕、〔dJ+1〕、・・、〔dJ+K−3〕、〔dJ+K−2〕、〔dJ+K−1〕はそれぞれ下位Kビットのデータラッチ出力をレベルシフトした信号とその反転信号を示す。dJが最上位ビットに、dJ+K−1が最下位ビットに対応している。
FIG. 11 is a circuit diagram showing details of the
参照符号111はpチャネルMOSFET選択スイッチである。レベルシフトした信号またはその反転信号は、それぞれ各MOSFETのゲートに入力され、上位デコーダ部により選択された隣接する2上位階調電圧vlとvl+1の間を等分割し生成した階調電圧vl0からvln−1の中カラー出力電圧を選択出力する。
他方、負極側デコーダにおいては、図4の選択スイッチ47−1、47−2、図10に示す上位デコーダ部の選択スイッチ51、53、図11に示す下位デコーダ部の選択スイッチ111が全てNチャネルMOSFETで構成されている。また、上位デコーダ部と下位デコーダ部にはデータラッチ出力を論理回路用電圧Vcc−GNDのレベルカラー正の最大発光電圧+VEONカラー負の最大発光電圧−VEONのレベルに変換したレベルシフト信号とその反転信号の極性を反転した信号が入力される。
On the other hand, in the negative side decoder, the selection switches 47-1 and 47-2 in FIG. 4, the selection switches 51 and 53 in the upper decoder unit shown in FIG. 10, and the
本実施例では、正極側デコーダの上位デコーダ部と下位デコーダ部をpチャネルMOSFETにより、負極側デコーダの上位デコーダ部と下位デコーダ部をNチャネルMOSFETにより構成することで、デコーダの構成を簡略化し、データドライバのチップサイズを縮小できる。 In the present embodiment, the configuration of the decoder is simplified by configuring the upper decoder section and the lower decoder section of the positive side decoder with p-channel MOSFETs, and configuring the upper decoder section and the lower decoder section of the negative side decoder with N channel MOSFETs, The chip size of the data driver can be reduced.
本発明は、選択された隣接2上位電圧間を分割して出力する方法に限定されない。実施例4は、実施例1で選択された隣接2上位間を下位デコーダ部と多入力の差動対を持つ出力回路とにより分割したものである。 The present invention is not limited to the method of dividing and outputting the selected two adjacent upper voltages. In the fourth embodiment, adjacent two higher ranks selected in the first embodiment are divided by a lower decoder section and an output circuit having a multi-input differential pair.
図12は、本発明の画像表示装置の実施例4における図2に示すデータドライバ内の上位階調電圧生成部26とデコーダ22の各列毎のユニット22−1の詳細を示す構成図である。VI0〜VIM、v0からv8M、40、41、45、46、47−1と47−2は図4と同じ、参照符号114はデータラッチに保持された下位Kビットのデータに応じ各ビット毎に選択された高電圧上位階調電圧vlと低電圧上位階調電圧vl+1のいずれかの電圧と高電圧上位階調電圧vlのK+1個の電圧を出力回路に出力する下位デコーダ部である。
FIG. 12 is a block diagram showing details of the unit 22-1 for each column of the upper gradation
各変調回路用参照電圧VI0〜VIM間が上位分圧抵抗40により等分割され上位階調電圧v0からv8Mが生成される。生成された上位階調電圧からデータラッチに保持された上位Jビットデータに応じ上位デコーダ部41により隣接する2上位階調電圧vlとvl+1が選択される。最下位ビットが0(lが偶数2L)の時は、レベルシフトした信号dJ−1が低レベルとなり、高電圧上位階調電圧v2Lは選択スイッチ47−1を介して下位デコーダ部114の高電圧側入力に印加される。また、低電圧上位階調電圧v2L+1は選択スイッチ47−1を介して下位デコーダ部114の低電圧側入力に印加される。他方、最下位ビットが1(lが奇数2L+1)の時は、反転信号dJ−1が低レベルとなり高電圧上位階調電圧v2L+1は選択スイッチ47−2を介して下位デコーダ部114の高電圧入力端子に印加される。また、低電圧上位階調電圧v2L+2は選択スイッチ47−2を介して下位デコーダ部114の低電圧側入力端子に印加される。
The modulation circuit reference voltages VI0 to VIM are equally divided by the upper
図13は、図12の下位デコーダ部114の詳細を示す回路図である。図13におけるdJ、dJ+1、・・、dJ+K−3、dJ+K−2、dJ+K−1とその反転信号、および参照符号61は図6と同じである。INJ、 ・・、INJ+K−3、INJ+K−2、INJ+K−1は、下位Kビットのデータに応じ各ビット毎に選択された高電圧上位階調電圧vlもしくは低電圧上位階調電圧vl+1のいずれかの電圧である。
FIG. 13 is a circuit diagram showing details of the lower-
図14は、本発明の画像表示装置の実施例4における図2に示すデータドライバ内の出力回路21の各列毎のユニットの詳細を示す回路図である。VEON、VEOFFは図1と同じ、vlは図4と同じ、INJ、 ・・、INJ+K−3、INJ+K−2、INJ+K−1は図13と同じである。参照符号141は差動対入力側MOSFET、参照符号142は差動対出力側MOSFET、参照符号143は負荷MOSFET、参照符号144は定電流源MOSFET、参照符号145は出力バッファアンプである。
FIG. 14 is a circuit diagram showing details of a unit for each column of the
出力電圧の均一性をよくするため差動対を構成するMOSFETのサイズはすべて同一となっている。高電圧上位階調電圧vlは入力側MOSFET141−0に入力され、最下位ビットのデータに応じた入力電圧INJ+K−1は入力側MOSFET141−1に入力され、第2ビットのデータに応じた入力電圧INJ+K−2は2個の入力側MOSFET141−2に入力される。以下同様に、第Kビットのデータに応じた入力電圧INJは2K=1個の入力側MOSFET141−Kに入力されている。他方、差動対入力側と同じ総数2K個からなる出力側MOSFETのゲートは出力バッファ145の出力に接続されている。
In order to improve the uniformity of the output voltage, the sizes of the MOSFETs constituting the differential pair are all the same. The high voltage upper gradation voltage vl is input to the input-side MOSFET 141-0, the input voltage INJ + K-1 corresponding to the least significant bit data is input to the input-side MOSFET 141-1, and the input voltage corresponding to the second bit data. INJ + K-2 is input to the two input side MOSFETs 141-2. Similarly, the input voltage INJ corresponding to the Kth bit data is input to 2 K = 1 input side MOSFETs 141 -K. On the other hand, the gate of the output side MOSFET having the same total number of 2 K as the differential pair input side is connected to the output of the
下位デコーダ部が出力するデータに応じ各ビット毎に高電圧上位階調電圧vlもしくは低電圧上位階調電圧vl+1のいずれかの電圧を持つINJ、 ・・、INJ+K−3、INJ+K−2、INJ+K−1、vlは、それぞれ、2K=1、・・、22、2、1、1個の差動対入力側MOSFETのゲ−トに入力される。 INJ having either a high voltage upper gradation voltage vl or a low voltage upper gradation voltage vl + 1 for each bit according to the data output from the lower decoder unit,..., INJ + K-3, INJ + K-2, INJ + K− 1 and 1 are input to the gates of 2 K = 1 ,..., 2 2 , 2 , 1, 1 differential pair input side MOSFETs, respectively.
この結果、出力回路の出力電圧は高電圧上位階調電圧vlと低電圧上位階調電圧vl+1の間を下位Kビットのデータに応じ分割したvl+X/2K(Xは下位Kビットの10進数表示値)となる。 As a result, the output voltage of the output circuit is vl + X / 2 K (X is a decimal number representation of the lower K bits) divided between the high voltage upper gradation voltage vl and the low voltage upper gradation voltage vl + 1 according to the lower K bits data. Value).
本実施例では、上位デコーダ部41が上位デコーダ部の奇数番の上位階調電圧より高いか低いかいずれかの隣接偶数番の上位階調電圧を選択するためのスイッチ52、54を備え、デコーダが上位デコーダ部と選択された隣接上位階調電圧間を分割出力するための下位デコーダ部114と図14に示す出力回路との間に選択スイッチを有し、両スイッチを上位デコーダ部に入力される最下位ビットデータに応じ切り替え、隣接する上位2階調を選択した。この結果、実施例1と同様に、従来2系列必要であった上位デコーダ部中の選択スイッチを一系統としデコーダを構成するスイッチを半減し、データドライバのチップサイズを小さくできる。
In this embodiment, the
また、下位デコーダ部よりデータに応じ各ビット毎に高電圧上位階調電圧vlもしくは低電圧上位階調電圧vl+1のいずれかの電圧を出力し、それぞれを出力回路内の2K=1、・・、22、2、1、1個の差動対入力側MOSFETのゲートに入力することにより、上位階調電圧間の電圧分割と出力電圧の選択を行った。この結果、下位デコーダ部の回路構成を簡略化でき、データドライバのチップサイズを縮小できる。 Further, either the high voltage upper gradation voltage vl or the low voltage upper gradation voltage vl + 1 is output for each bit from the lower decoder unit according to the data, and 2 k = 1 in the output circuit, respectively. By inputting to the gates of 2 2 , 2 , 1, 1 differential pair input side MOSFETs, voltage division between upper gradation voltages and selection of output voltage were performed. As a result, the circuit configuration of the lower decoder unit can be simplified, and the chip size of the data driver can be reduced.
実施例1、実施例2、実施例4では、変調回路用参照電圧VI0〜VIMを非発光電圧VEOFFカラー最大発光電圧VEONの間の所定区間をM等分した電圧としたが、電子放出素子の電圧対前面板への放出電流特性と必要な表示画質に応じ不均等としてもよい。また、上位分割抵抗40により変調回路用参照電圧VI0〜VIMの各区間を等分割し上位階調電圧v0からv8Mを発生したが、同様に、電子放出素子の電圧対前面板への放出電流特性と必要な表示画質に応じ不均等分割としてもよい。
In the first embodiment, the second embodiment, and the fourth embodiment, the modulation circuit reference voltages VI0 to VIM are voltages obtained by dividing the predetermined interval between the non-light emission voltage VEOFF color maximum light emission voltage VEON into M equal parts. It may be non-uniform depending on the characteristics of the voltage versus the emission current to the front plate and the required display image quality. Further, each section of the modulation circuit reference voltages VI0 to VIM is equally divided by the
実施例3では、単色表示に対応して表示コントローラ8が表示データDOを出力する場合について述べたが、カラー表示に対応する3出力の表示データD0、D1、D2を出力する場合についても本発明は同様に実施できる。
In the third embodiment, the case where the
また、実施例3では、コモン電極1211を前面板に設けたが、横電界方式液晶のようにコモン電極が前面板にある場合でも本発明は同様に実施できる。 In the third embodiment, the common electrode 1211 is provided on the front plate. However, the present invention can be similarly implemented even when the common electrode is provided on the front plate such as a horizontal electric field type liquid crystal.
さらに、実施例1乃至実施例4では、信号経路切り替え手段として、上位デコーダ部に上位デコーダ部の奇数番の上位階調電圧より高いか低いかいずれかの隣接偶数番の上位階調電圧を選択するためのスイッチを設けたが、上位デコーダ部の偶数番の上位階調電圧より高いか低いかいずれかの隣接奇数番の上位階調電圧を選択するためのスイッチを設けてもよいことは言うまでもない。 Further, in the first to fourth embodiments, as the signal path switching unit, the higher-order decoder unit selects an even-numbered higher-order gradation voltage that is either higher or lower than the odd-numbered higher-order gradation voltage of the higher-order decoder unit. However, it goes without saying that a switch for selecting an adjacent odd-numbered upper gradation voltage which is either higher or lower than the even-numbered upper gradation voltage of the upper decoder section may be provided. Yes.
1・・・列配線2・・・行配線、3・・・MIM型電子放出素子、4・・・表示パネル、5・・・変調回路、6・・・走査回路、7・・・ドライバ電源、8・・・表示コントローラ、9・・・アノード電源、10・・・蛍光膜、11・・・メタルバック(アノード)。
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記背面板に、前記行配線に接続されて行選択を行う走査回路と、前記列配線に接続されて振幅変調電圧を出力する変調回路を有し、
前記変調回路は、外部から入力される変調回路用参照電圧間を分割して上位階調電圧を生成する上位分割抵抗を有する上位階調電圧生成部と、表示データを保持するデータラッチと、該データラッチに保持された上位ビットのデータに応じて上位階調電圧から隣接する2電圧を選択する上位デコーダ部および選択された2上位階調電圧間を分割し階調電圧を発生して前記データラッチに保持された下位ビットのデータに応じて発生した階調電圧を出力する電圧分割手段の出力電圧を選択出力する下位デコーダ部とからなるデコーダを有し、
前記上位デコーダ部は、該上位デコーダ部の奇数番もしくは偶数番の上位階調電圧より高いか低いか何れかの隣接偶数番もしくは隣接奇数番の上位階調電圧を選択するためのスイッチを有し、
前記デコーダは、前記上位デコーダ部と前記電圧分割手段との間に、該電圧分割手段の出力電圧を選択する選択スイッチを有することを特徴とする画像表示装置。 A plurality of row wirings parallel to each other, a plurality of column wirings intersecting the row wirings, a back plate in which a display element is arranged in the vicinity of an intersection of the row wirings and the column wirings, A display panel having a front substrate overlaid on at least the display area of a back plate;
The back plate has a scanning circuit for selecting a row connected to the row wiring, and a modulation circuit for outputting an amplitude modulation voltage connected to the column wiring,
The modulation circuit includes an upper gradation voltage generation unit having an upper division resistor for generating an upper gradation voltage by dividing between modulation circuit reference voltages input from the outside, a data latch for holding display data, The upper decoder unit that selects two adjacent voltages from the upper gradation voltage according to the upper bit data held in the data latch and the selected two upper gradation voltages are divided to generate a gradation voltage to generate the data A decoder comprising a lower decoder unit for selectively outputting the output voltage of the voltage dividing means for outputting the gradation voltage generated according to the lower bit data held in the latch;
The upper decoder section has a switch for selecting an adjacent even number or adjacent odd number upper gradation voltage which is higher or lower than the odd number or even number upper gradation voltage of the upper decoder section. ,
The image display apparatus according to claim 1, wherein the decoder includes a selection switch for selecting an output voltage of the voltage dividing unit between the upper decoder unit and the voltage dividing unit.
前記上位デコーダ部は、電圧の高い上位階調電圧の選択のためのpチャネルMOSFETと、電圧の低い上位階調電圧の選択のためのnチャネルMOSFETからなり、前記下位デコーダ部はpチャネルMOSFETとnチャネルMOSFETが並列接続された相補型MOSFETとからなることを特徴とする画像表示装置。 In claim 1,
The upper decoder unit includes a p-channel MOSFET for selecting a higher grayscale voltage having a high voltage and an n-channel MOSFET for selecting a higher grayscale voltage having a low voltage, and the lower decoder unit includes a p-channel MOSFET and An image display device comprising: a complementary MOSFET having n-channel MOSFETs connected in parallel.
前記背面板に有する前記表示素子は、前記列配線に接続して前記行配線の上に絶縁膜を介して積層する薄膜電極で構成された薄膜型電子源であり、
前記前面板に、前記薄膜型電子源から放出される電子を加速する電圧を印加する対向電極を有することを特徴とする画像表示装置。 In claim 1 or 2,
The display element on the back plate is a thin film type electron source composed of a thin film electrode connected to the column wiring and laminated on the row wiring via an insulating film,
An image display device comprising a counter electrode for applying a voltage for accelerating electrons emitted from the thin film type electron source to the front plate.
前記前面板に、前記薄膜型電子源から放出される電子で励起されて発光する蛍光体を有することを特徴とする画像表示装置。 In claim 3,
An image display device comprising: a phosphor that emits light when excited by electrons emitted from the thin film electron source on the front plate.
前記背面板に有する前記表示素子は、前記列配線で選択されて前記行配線を通して表示データが供給される薄膜トランジスタで駆動される画素電極と前記前面板との間に封入された液晶を有し、前記画素電極と共通電極との間に形成される電界で前記液晶の配向を制御する光シャッタ素子であることを特徴とする画像表示装置。 In claim 1 or 2,
The display element on the back plate has a liquid crystal sealed between a pixel electrode driven by a thin film transistor selected by the column wiring and supplied with display data through the row wiring and the front plate, An image display device comprising: an optical shutter element that controls the orientation of the liquid crystal by an electric field formed between the pixel electrode and a common electrode.
前記共通電極は、前記背面板に前記画素電極と隣接して形成されていることを特徴とする画像表示装置。 In claim 6,
The image display apparatus, wherein the common electrode is formed on the back plate adjacent to the pixel electrode.
前記共通電極は、前記前面板に形成されていることを特徴とする画像表示装置。 In claim 6,
The image display apparatus, wherein the common electrode is formed on the front plate.
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