JP2008287134A - Pulse output circuit, shift register, scanning line driving circuit, data line driving circuit, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
【課題】同一導電型のトランジスタで構成されたパルス出力回路において、トランジスタのゲート電圧を制御する。
【解決手段】クロック入力端子Aと、スタートパルス入力端子Sと、出力端子Yとを備えたパルス出力回路であって、クロックCK1を出力端子Yに出力するスイッチとして機能するトランジスタM5と、トランジスタM5のゲート電極と出力端子Yとの間に設けられた容量素子C1と、出力端子Yに接地電位を供給するスイッチとして機能するトランジスタM6とを備えた出力部11Dと、スタートパルスに基づく電圧をトランジスタM5のゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部12Dと、出力端子Yから出力された出力パルスに基づく電圧をトランジスタM6のゲート電極に供給する第2ゲート信号生成部13Cとを備え、出力部11Dは、トランジスタM5のゲート電極と接地箇所との間に容量素子C2が設けられている。
【選択図】図6In a pulse output circuit composed of transistors of the same conductivity type, the gate voltage of the transistor is controlled.
A pulse output circuit having a clock input terminal A, a start pulse input terminal S, and an output terminal Y, a transistor M5 functioning as a switch for outputting a clock CK1 to the output terminal Y, and a transistor M5 An output unit 11D having a capacitive element C1 provided between the gate electrode and the output terminal Y, a transistor M6 functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal Y, and a voltage based on the start pulse as a transistor. A first gate signal generation unit 12D that supplies the gate electrode of M5, and a second gate signal generation unit 13C that supplies a voltage based on the output pulse output from the output terminal Y to the gate electrode of the transistor M6. In 11D, a capacitive element C2 is provided between the gate electrode of the transistor M5 and the ground.
[Selection] Figure 6
Description
本発明は、パルス出力回路、シフトレジスタ、走査線駆動回路、データ線駆動回路、電気光学装置及び電子機器に関する。 The present invention relates to a pulse output circuit, a shift register, a scanning line driving circuit, a data line driving circuit, an electro-optical device, and an electronic apparatus.
液晶や有機EL(エレクトロ・ルミネッセンス)などの電気光学物質の電気光学的な変化を利用して表示を行う電気光学装置は、情報処理機器やテレビジョンなどの表示装置として広く用いられている。電気光学装置には、画素スイッチにより画素を駆動するアクティブ・マトリクス型がある。即ち、アクティブ・マトリクス型の電気光学装置においては、行方向に延在する走査線と、列方向に延在するデータ線との交差に対応して画素電極が形成される。また、当該交差部分にあって画素電極とデータ線との間に、走査線に供給される走査信号にしたがってオン・オフする薄膜トランジスタなどの画素スイッチが介挿される。一方、電気光学物質を介して画素電極と対向するように対向電極が設けられる。 Electro-optical devices that perform display using electro-optical changes in electro-optical materials such as liquid crystal and organic EL (electroluminescence) are widely used as display devices for information processing equipment and televisions. Electro-optical devices include an active matrix type in which pixels are driven by pixel switches. That is, in the active matrix type electro-optical device, the pixel electrode is formed corresponding to the intersection of the scanning line extending in the row direction and the data line extending in the column direction. In addition, a pixel switch such as a thin film transistor that is turned on and off according to a scanning signal supplied to the scanning line is interposed between the pixel electrode and the data line at the intersection. On the other hand, a counter electrode is provided so as to face the pixel electrode through the electro-optic material.
このような電気光学装置において、走査線駆動回路は、シフトレジスタを備え、複数の走査線を順次選択する走査信号を生成する。このシフトレジスタには、同一導電型のトランジスタで構成され、2相のクロック信号で動作するものがある。例えば、特許文献1には、図18に示す構成が開示されており、そのタイミングチャートは図19に示すものとなる。
In such an electro-optical device, the scanning line driving circuit includes a shift register and generates a scanning signal for sequentially selecting a plurality of scanning lines. Some shift registers are composed of transistors of the same conductivity type and operate with a two-phase clock signal. For example,
図18(A)に示すように、このシフトレジスタはn段の単位回路(パルス出力回路)を備え、各単位回路は図18(B)に示すように構成される。シフトレジスタは、図19に示す2相のクロック信号CK1及びCK2に従って、スタートパルスSPを順次シフトして、出力信号OUT1〜OUTnを出力する。なお、クロック信号CK1及びCK2、並びにスタートパルスSPのハイレベルはVDD、ローレベルは接地電位GND(0V)である。 As shown in FIG. 18A, this shift register includes n-stage unit circuits (pulse output circuits), and each unit circuit is configured as shown in FIG. The shift register sequentially shifts the start pulse SP in accordance with the two-phase clock signals CK1 and CK2 shown in FIG. 19, and outputs output signals OUT1 to OUTn. Note that the high level of the clock signals CK1 and CK2 and the start pulse SP is VDD, and the low level is the ground potential GND (0 V).
スタートパルスSPがハイレベルになると、初段の単位回路においてトランジスタTr101がオン状態になるのと同時にトランジスタTr104がオン状態となり、ノードβがローレベルになる。すると、トランジスタTr102がオフするのでノードαがハイレベル(略VDD−Vth)になる。ここに、Vthはトランジスタの閾値電圧である。ノードαがハイレベルになるとトランジスタTr105がオン状態になるので、その後、クロック信号CK1がハイレベルになると出力信号OUT1がハイレベルになる。出力信号OUT1が立ち上がる時に容量107によりノードαは更に高電位に押し上げられ、トランジスタTr105が充分にオンして出力信号OUT1はVDDレベルとなる。
When the start pulse SP becomes high level, the transistor Tr101 is turned on simultaneously with the transistor Tr101 in the first stage unit circuit, and the node β becomes low level. Then, since the transistor Tr102 is turned off, the node α becomes high level (approximately VDD−Vth). Here, Vth is a threshold voltage of the transistor. Since the transistor Tr105 is turned on when the node α goes high, the output signal OUT1 goes high when the clock signal CK1 goes high thereafter. When the output signal OUT1 rises, the node α is further raised to a higher potential by the
次に、クロック信号CK1が立ち下がると出力信号OUT1も立ち下がりローレベルに戻る。続いて、クロック信号CK2がハイレベルになると、出力信号OUT2が立ち上がる。出力信号OUT2が立ち上がると初段のトランジスタTr103がオン状態となる。このとき、トランジスタTr104がオフ状態になっているので、初段の単位回路のノードβがハイレベルになる。ノードβがハイレベルを維持すればトランジスタTr102がオンして、ノードαがローレベルを維持し、トランジスタTr105がオフ状態を維持するので、以後のクロック信号CK1の変化は出力信号OUT1には影響しない。以上の動作を繰り返すことによって、スタートパルスSPが転送される。
ところで、同一導電型のトランジスタを用いて、いわゆる片チャネルで回路を構成する場合、その基本構成であるインバータにおいてVthによる振幅落ち、準定常的なリーク電流の発生を考慮する必要がある。例えば、図20(A)に示した回路はNチャネルのみで構成される基本的なインバータである。本回路においてトランジスタM2は、抵抗分が高く常時オンしている。入力AがローレベルのときはトランジスタM1がオフして出力Xはハイレベル側に引かれるが、トランジスタM2の閾値電圧(以下、Vthと称する)により、出力Xは高々VDD−Vth止まりとなる。入力AがハイレベルのときはトランジスタM1がオンして出力Xはローレベル側に引かれるが、トランジスタM2の抵抗分との競合で出力XはGNDレベルより少々浮くとともに、トランジスタM1、M2経由のリーク電流が準定常的に流れることになる。 By the way, when a circuit having a so-called single channel is configured using transistors of the same conductivity type, it is necessary to take into account the amplitude drop due to Vth and the generation of a quasi-stationary leakage current in the inverter which is the basic configuration. For example, the circuit shown in FIG. 20A is a basic inverter composed of only N channels. In this circuit, the transistor M2 has a high resistance and is always on. When the input A is at the low level, the transistor M1 is turned off and the output X is pulled to the high level side. However, the output X is at most stopped at VDD-Vth due to the threshold voltage (hereinafter referred to as Vth) of the transistor M2. When the input A is at the high level, the transistor M1 is turned on and the output X is pulled to the low level side. However, the output X floats slightly from the GND level due to the contention with the resistance of the transistor M2, and the output X passes through the transistors M1, M2. Leakage current flows quasi-steadyly.
図20(B)あるいは図20(C)に示すように、入力Aの逆位相の入力/Aを用いることによりローレベル出力時の浮き上がりとリーク電流は防ぐことができるが、ハイレベル出力時のVth落ちは改善されない。そこで、Vth落ちを防ぐためには、例えば、図20(D)に示すようにダイオードとして機能するトランジスタM3と容量Cとを用いてブートストラップ回路を構成し、トランジスタM2オン時のゲート電圧をVDD+Vth以上に高めることが必要となる。 As shown in FIG. 20 (B) or 20 (C), the use of the input A having the opposite phase to the input A can prevent floating and leakage current at the time of low level output, but it can be prevented at the time of high level output. Vth drop is not improved. Therefore, in order to prevent Vth drop, for example, as shown in FIG. 20D, a bootstrap circuit is configured using a transistor M3 functioning as a diode and a capacitor C, and the gate voltage when the transistor M2 is turned on is equal to or higher than VDD + Vth. It is necessary to increase it.
図18(B)に戻って、トランジスタTr105、トランジスタTr106、容量107で構成される出力段41はインバータとして捉えることができ、図19に示したようにノードαとノードβとは、逆位相の関係になる。このため、出力段41は、図20(D)に示した回路と同様のブートストラップ効果を利用した構成となっており、トランジスタTr105のオン時には、ゲート電圧となるノードαの電圧は、VDD+Vth以上に高められている。
18B, the
ここで、実際にノードαにかかる電圧は、トランジスタTr102がオフすることによる電圧(略VDD−Vth)に、CK1のハイレベル電圧(=VDD)を加算した2VDD−Vthとなる。Vth落ちを防ぐためにノードαとして必要な電圧はVDD+Vthであるから、実際の電圧と必要な電圧との差は、VDD−2Vthとなる。 Here, the voltage actually applied to the node α is 2VDD−Vth obtained by adding the high level voltage (= VDD) of CK1 to the voltage (approximately VDD−Vth) due to the transistor Tr102 being turned off. Since the voltage necessary for the node α to prevent the drop of Vth is VDD + Vth, the difference between the actual voltage and the necessary voltage is VDD-2Vth.
一般に、トランジスタにかかる電圧値が定格値を超えると、特性の劣化が加速され故障発生率が高くなることが知られている。このため必要以上のゲート電圧をトランジスタに印加することは好ましくない。さらに、ゲート電圧を簡易な構成で制御することができれば、信頼性の高い回路をコストアップを招くことなく構成することができる。 In general, it is known that when a voltage value applied to a transistor exceeds a rated value, deterioration of characteristics is accelerated and a failure occurrence rate is increased. For this reason, it is not preferable to apply an excessive gate voltage to the transistor. Furthermore, if the gate voltage can be controlled with a simple configuration, a highly reliable circuit can be configured without increasing the cost.
そこで、本発明は、同一導電型のトランジスタで構成されたパルス出力回路において、トランジスタのゲート電圧を簡易な構成で制御することを課題とする。 Accordingly, an object of the present invention is to control the gate voltage of a transistor with a simple configuration in a pulse output circuit configured with transistors of the same conductivity type.
上述した課題を解決するために、第1の発明に係るパルス出力回路(例えば、図2のUa)は、クロックを入力するクロック入力端子(例えば、図2のA)と、スタートパルスを入力するスタートパルス入力端子(例えば、図2のS)と、スタートパルスに基づく出力パルスをクロックに同期して出力する出力端子(例えば、図2のY)とを備えたパルス出力回路であって、クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタ(例えば、図2のM5)と、第1のトランジスタのゲート電極と出力端子との間に設けられた第1の容量素子(例えば、図2のC1)と、出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタ(例えば、図2のM6)とを備えた出力部(例えば、図2の11A)と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部(例えば、図2の12A)と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第2のトランジスタのゲート電極に、第1ゲート信号生成部とは逆相で供給する第2ゲート信号生成部(例えば、図2の13A)とを備え、第1ゲート信号生成部は、それぞれのゲート電極がスタートパルス入力端子に接続された第3のトランジスタ(例えば、図2のM1)および第4のトランジスタ(例えば、図2のM8)が直列に接続され、その接続箇所の電圧が第1のトランジスタに供給され、第4のトランジスタの一端の電極が接地している。 In order to solve the above-described problem, a pulse output circuit (for example, Ua in FIG. 2) according to the first invention inputs a clock input terminal (for example, A in FIG. 2) for inputting a clock and a start pulse. A pulse output circuit having a start pulse input terminal (for example, S in FIG. 2) and an output terminal (for example, Y in FIG. 2) for outputting an output pulse based on the start pulse in synchronization with the clock. A first transistor (for example, M5 in FIG. 2) that functions as a switch that outputs a voltage based on a clock input from the input terminal to the output terminal, and is provided between the gate electrode and the output terminal of the first transistor. And a second transistor of the same conductivity type as the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal. And a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor (eg, M6 in FIG. 2). 1 gate signal generator (for example, 12A in FIG. 2) and a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal are supplied to the gate electrode of the second transistor in a phase opposite to that of the first gate signal generator. A first gate signal generator (for example, 13A in FIG. 2), and the first gate signal generator has a third transistor (for example, in FIG. 2) with each gate electrode connected to the start pulse input terminal. M1) and a fourth transistor (for example, M8 in FIG. 2) are connected in series, and the voltage at the connection location is supplied to the first transistor, and one end of the fourth transistor Electrode is in contact with the ground.
この発明によれば、スタートパルスが入力された際に第1のトランジスタのゲートにかかる電圧は、第3のトランジスタと第4のトランジスタのオン抵抗の比に応じるため、従来より低い電圧とすることができる。このとき第4のトランジスタの能力を調整することにより、第1のトランジスタのゲートにかかる電圧を簡易な構成で制御することができる。 According to the present invention, when the start pulse is input, the voltage applied to the gate of the first transistor depends on the ratio of the on-resistance of the third transistor to the fourth transistor, so that the voltage is lower than the conventional voltage. Can do. At this time, the voltage applied to the gate of the first transistor can be controlled with a simple configuration by adjusting the capacity of the fourth transistor.
上述した課題を解決するために、第1の発明に係る別態様のパルス出力回路(例えば、図4のUb)は、クロックを入力するクロック入力端子と、スタートパルスを入力するスタートパルス入力端子と、スタートパルスに基づく出力パルスをクロックに同期して出力する出力端子とを備えたパルス出力回路であって、クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、第1のトランジスタのゲート電極と出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部(例えば、図4の11B)と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第2のトランジスタのゲート電極に、第1ゲート信号生成部とは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、出力部は、第1のトランジスタのゲート電極と接地箇所との間に第2の容量素子(例えば、図4のC2)が設けられている。 In order to solve the above-described problem, a pulse output circuit according to another aspect of the first invention (for example, Ub in FIG. 4) includes a clock input terminal for inputting a clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, A pulse output circuit having an output terminal that outputs an output pulse based on a start pulse in synchronization with a clock, and functions as a switch that outputs a voltage based on the clock input from the clock input terminal to the output terminal. 1 transistor, the first capacitor element provided between the gate electrode of the first transistor and the output terminal, and the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal. An output unit including a second transistor (for example, 11B in FIG. 4) and a start pulse input to the start pulse input terminal A first gate signal generator for supplying a voltage based on the first transistor to the gate electrode of the first transistor; a first gate signal generator for applying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the second transistor; A second gate signal generation unit that supplies the signal in the opposite phase, and the output unit includes a second capacitor element (for example, C2 in FIG. 4) provided between the gate electrode of the first transistor and the ground location. It has been.
この発明によれば、スタートパルスが入力された際に第1のトランジスタのゲートにかかる電圧は、第1の容量素子の容量と第2の容量素子の容量との比に応じるため、従来より低い電圧とすることができる。このとき第2の容量素子の容量を調整することにより、第1のトランジスタのゲートにかかる電圧を簡易な構成で制御することができる。 According to the present invention, the voltage applied to the gate of the first transistor when the start pulse is input depends on the ratio between the capacitance of the first capacitive element and the capacitance of the second capacitive element, and thus is lower than in the prior art. It can be a voltage. At this time, the voltage applied to the gate of the first transistor can be controlled with a simple configuration by adjusting the capacitance of the second capacitor.
上述した課題を解決するために、第2の発明に係るパルス出力回路(例えば、図5のUc)は、クロックを入力するクロック入力端子と、スタートパルスを入力するスタートパルス入力端子と、スタートパルスに基づく出力パルスをクロックに同期して出力する出力端子とを備えたパルス出力回路であって、クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、第1のトランジスタのゲート電極と出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部(例えば、図5の11C)と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部(例えば、図5の12C)と、出力端子から出力された出力パルスに基づく電圧を第2のトランジスタのゲート電極に、出力パルスとは逆相で供給する第2ゲート信号生成部(例えば、図5の13C)とを備え、第1ゲート信号生成部は、それぞれのゲート電極がスタートパルス入力端子に接続された第3のトランジスタおよび第4のトランジスタが直列に接続され、その接続箇所の電圧が第1のトランジスタに供給され、第4のトランジスタの一端の電極が接地している。 In order to solve the above-described problem, a pulse output circuit according to the second invention (for example, Uc in FIG. 5) includes a clock input terminal for inputting a clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and a start pulse. 1 is a pulse output circuit having an output terminal that outputs an output pulse based on the clock in synchronization with a clock, and functions as a switch that outputs a voltage based on the clock input from the clock input terminal to the output terminal And a first capacitor element provided between the gate electrode and the output terminal of the first transistor, and a second transistor of the same conductivity type as the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal Based on an output section (for example, 11C in FIG. 5) including a transistor and a start pulse input to a start pulse input terminal A first gate signal generator (for example, 12C in FIG. 5) that supplies a pressure to the gate electrode of the first transistor, and outputs a voltage based on the output pulse output from the output terminal to the gate electrode of the second transistor A second gate signal generation unit (for example, 13C in FIG. 5) that supplies a phase opposite to that of the pulse, and the first gate signal generation unit includes a third gate signal connected to the start pulse input terminal. The transistor and the fourth transistor are connected in series, the voltage at the connection point is supplied to the first transistor, and the electrode at one end of the fourth transistor is grounded.
この発明によれば、スタートパルスが入力された際に第1のトランジスタのゲートにかかる電圧は、第3のトランジスタと第4のトランジスタのオン抵抗の比に応じるため、従来より低い電圧とすることができる。このとき第4のトランジスタの能力を調整することにより、第1のトランジスタのゲートにかかる電圧を簡易な構成で制御することができる。 According to the present invention, when the start pulse is input, the voltage applied to the gate of the first transistor depends on the ratio of the on-resistance of the third transistor to the fourth transistor, so that the voltage is lower than the conventional voltage. Can do. At this time, the voltage applied to the gate of the first transistor can be controlled with a simple configuration by adjusting the capacity of the fourth transistor.
上述した課題を解決するために、第2の発明に係る別態様のパルス出力回路(例えば、図6のUd)は、クロックを入力するクロック入力端子と、スタートパルスを入力するスタートパルス入力端子と、スタートパルスに基づく出力パルスをクロックに同期して出力する出力端子とを備えたパルス出力回路であって、クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、第1のトランジスタのゲート電極と出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、出力端子から出力された出力パルスに基づく電圧を第2のトランジスタのゲート電極に、出力パルスとは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、出力部は、第1のトランジスタのゲート電極と接地箇所との間に第2の容量素子が設けられている。 In order to solve the above-described problem, another pulse output circuit according to the second invention (for example, Ud in FIG. 6) includes a clock input terminal for inputting a clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and A pulse output circuit having an output terminal that outputs an output pulse based on a start pulse in synchronization with a clock, and functions as a switch that outputs a voltage based on the clock input from the clock input terminal to the output terminal. 1 transistor, the first capacitor element provided between the gate electrode of the first transistor and the output terminal, and the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal. A voltage based on the start pulse input to the output section including the second transistor and the start pulse input terminal; A first gate signal generator for supplying to the gate electrode of the transistor, and a second gate signal generator for supplying a voltage based on the output pulse output from the output terminal to the gate electrode of the second transistor in a phase opposite to the output pulse. A second capacitor element is provided between the gate electrode of the first transistor and the ground location.
この発明によれば、スタートパルスが入力された際に第1のトランジスタのゲートにかかる電圧は、第1の容量素子の容量と第2の容量素子の容量との比に応じるため、従来より低い電圧とすることができる。このとき第2の容量素子の容量を調整することにより、第1のトランジスタのゲートにかかる電圧を簡易な構成で制御することができる。 According to the present invention, the voltage applied to the gate of the first transistor when the start pulse is input depends on the ratio between the capacitance of the first capacitive element and the capacitance of the second capacitive element, and thus is lower than in the prior art. It can be a voltage. At this time, the voltage applied to the gate of the first transistor can be controlled with a simple configuration by adjusting the capacitance of the second capacitor.
上述した課題を解決するために、第3の発明に係るパルス出力回路(例えば、図8のUe)は、第1クロックを入力する第1クロック入力端子(例えば、図8のA)と、第1クロックと逆相の第2クロックを入力する第2クロック入力端子(例えば、図8のUB)と、スタートパルスを入力するスタートパルス入力端子と、スタートパルスに基づく出力パルスを第1クロックに同期して出力する出力端子とを備えたパルス出力回路であって、第1クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、第1のトランジスタのゲート電極と出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部(例えば、図8の1C)と、第2クロック入力端子に入力された第2クロックに基づく電圧を出力端子から出力された出力パルスに基づいて第2のトランジスタのゲート電極に供給する第2ゲート信号生成部(例えば、図8のE)とを備え、第1ゲート信号生成部は、それぞれのゲート電極がスタートパルス入力端子に接続された第3のトランジスタおよび第4のトランジスタが直列に接続され、その接続箇所の電圧が第1のトランジスタに供給され、第4のトランジスタの一端の電極が接地している。 In order to solve the above-described problem, a pulse output circuit (for example, Ue in FIG. 8) according to the third invention includes a first clock input terminal (for example, A in FIG. 8) for inputting a first clock, A second clock input terminal (for example, UB in FIG. 8) for inputting a second clock having a phase opposite to that of one clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and an output pulse based on the start pulse are synchronized with the first clock. And a first transistor that functions as a switch that outputs a voltage based on a clock input from the first clock input terminal to the output terminal, and a first transistor. The same capacitance as the first capacitor element provided between the gate electrode and the output terminal of the first transistor and the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal. And a first gate signal generation unit (for example, in FIG. 8) that supplies a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor. 1C) and a second gate signal generator (for example, supplying a voltage based on the second clock input to the second clock input terminal to the gate electrode of the second transistor based on the output pulse output from the output terminal) E) of FIG. 8, and the first gate signal generation unit includes a third transistor and a fourth transistor, each having a gate electrode connected to the start pulse input terminal, connected in series, and a voltage at the connection portion. Is supplied to the first transistor, and the electrode at one end of the fourth transistor is grounded.
この発明によれば、スタートパルスが入力された際に第1のトランジスタのゲートにかかる電圧は、第3のトランジスタと第4のトランジスタのオン抵抗の比に応じるため、従来より低い電圧とすることができる。このとき第4のトランジスタの能力を調整することにより、第1のトランジスタのゲートにかかる電圧を簡易な構成で制御することができる。 According to the present invention, when the start pulse is input, the voltage applied to the gate of the first transistor depends on the ratio of the on-resistance of the third transistor to the fourth transistor, so that the voltage is lower than the conventional voltage. Can do. At this time, the voltage applied to the gate of the first transistor can be controlled with a simple configuration by adjusting the capacity of the fourth transistor.
上述した課題を解決するために、第3の発明に係る別態様のパルス出力回路(例えば、図9のUf)は、第1クロックを入力する第1クロック入力端子と、第1クロックと逆相の第2クロックを入力する第2クロック入力端子と、スタートパルスを入力するスタートパルス入力端子と、スタートパルスに基づく出力パルスを第1クロックに同期して出力する出力端子とを備えたパルス出力回路であって、第1クロック入力端子から入力された第1クロックに基づく電圧を出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、第1のトランジスタのゲート電極と出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、第2クロック入力端子に入力された第2クロックに基づく電圧を出力端子から出力された出力パルスに基づいて第2のトランジスタのゲート電極に供給する第2ゲート信号生成部とを備え、出力部は、第1のトランジスタのゲート電極と接地箇所との間に第2の容量素子が設けられている。 In order to solve the above-described problem, another aspect of the pulse output circuit according to the third aspect of the invention (for example, Uf in FIG. 9) includes a first clock input terminal for inputting a first clock, and a phase opposite to that of the first clock. A pulse output circuit comprising: a second clock input terminal for inputting the second clock; a start pulse input terminal for inputting a start pulse; and an output terminal for outputting an output pulse based on the start pulse in synchronization with the first clock. A first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on the first clock input from the first clock input terminal to the output terminal, and provided between the gate electrode and the output terminal of the first transistor. And a second transistor having the same conductivity type as the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal. An output section, a first gate signal generation section for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor, and a second clock input to the second clock input terminal. And a second gate signal generation unit that supplies a voltage based on the output pulse output from the output terminal to the gate electrode of the second transistor, and the output unit includes the gate electrode of the first transistor and the grounding location. A second capacitor element is provided therebetween.
この発明によれば、スタートパルスが入力された際に第1のトランジスタのゲートにかかる電圧は、第1の容量素子の容量と第2の容量素子の容量との比に応じるため、従来より低い電圧とすることができる。このとき第2の容量素子の容量を調整することにより、第1のトランジスタのゲートにかかる電圧を簡易な構成で制御することができる。 According to the present invention, the voltage applied to the gate of the first transistor when the start pulse is input depends on the ratio between the capacitance of the first capacitive element and the capacitance of the second capacitive element, and thus is lower than in the prior art. It can be a voltage. At this time, the voltage applied to the gate of the first transistor can be controlled with a simple configuration by adjusting the capacitance of the second capacitor.
上述した課題を解決するために、第4の発明に係るパルス出力回路(例えば、図11のUg)は、第1クロックを入力する第1クロック入力端子(例えば、図11のA)と、第1クロックと同相でマスク可能な第3クロックを入力する第3クロック入力端子(例えば、図11のP)と、スタートパルスを入力するスタートパルス入力端子と、スタートパルスに基づく出力パルスを第1クロックに同期して出力する転送端子(例えば、図11のY)と、スタートパルスに基づく出力パルスを第3クロックに同期して出力する出力端子(例えば、図11のO)とを備えたパルス出力回路であって、第1クロック入力端子から入力された第1クロックに基づく電圧を転送端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、第3クロック入力端子から入力された第3クロックに基づく電圧を出力端子に出力するスイッチとして機能する第5のトランジスタ(例えば、図11のM11)と、第1のトランジスタのゲート電極および第5のトランジスタのゲート電極と転送端子との間に設けられた第1の容量素子と、転送端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタと、出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第5のトランジスタと同一導電型の第6のトランジスタ(例えば、図11のM12)とを備えた出力部(例えば、図11の11G)と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第1のトランジスタのゲート電極および第5のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第2のトランジスタのゲート電極および第6のトランジスタのゲート電極に、第1ゲート信号生成部とは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、第1ゲート信号生成部は、それぞれのゲート電極がスタートパルス入力端子に接続された第3のトランジスタおよび第4のトランジスタが直列に接続され、その接続箇所の電圧が第1のトランジスタに供給され、第4のトランジスタの一端の電極が接地している。 In order to solve the above-described problem, a pulse output circuit (for example, Ug in FIG. 11) according to a fourth invention includes a first clock input terminal (for example, A in FIG. 11) for inputting a first clock, A third clock input terminal for inputting a third clock that can be masked in phase with one clock (for example, P in FIG. 11), a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and an output pulse based on the start pulse as the first clock A pulse output provided with a transfer terminal (for example, Y in FIG. 11) that outputs in synchronization with the output terminal and an output terminal (for example, O in FIG. 11) that outputs an output pulse based on the start pulse in synchronization with the third clock. A first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on the first clock input from the first clock input terminal to the transfer terminal; and a third clock A fifth transistor (for example, M11 in FIG. 11) that functions as a switch that outputs a voltage based on the third clock input from the power terminal to the output terminal, the gate electrode of the first transistor, and the gate of the fifth transistor A first capacitive element provided between the electrode and the transfer terminal; a second transistor of the same conductivity type as the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the transfer terminal; and a ground potential at the output terminal And an output section (for example, 11G in FIG. 11) having a sixth transistor (for example, M12 in FIG. 11) having the same conductivity type as the fifth transistor that functions as a switch for supplying the voltage to the start pulse input terminal A first voltage is supplied to the gate electrode of the first transistor and the gate electrode of the fifth transistor based on the generated start pulse. And a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal is supplied to the gate electrode of the second transistor and the gate electrode of the sixth transistor in a phase opposite to that of the first gate signal generation unit. A first gate signal generation unit including a third transistor and a fourth transistor, each having a gate electrode connected to a start pulse input terminal, connected in series. Is supplied to the first transistor, and the electrode at one end of the fourth transistor is grounded.
この発明によれば、スタートパルスが入力された際に第1のトランジスタおよび第5のトランジスタのゲートにかかる電圧は、第3のトランジスタと第4のトランジスタのオン抵抗の比に応じるため、従来より低い電圧とすることができる。このとき第4のトランジスタの能力を調整することにより、第1のトランジスタおよび第5のトランジスタのゲートにかかる電圧を簡易な構成で制御することができる。 According to the present invention, when the start pulse is input, the voltage applied to the gates of the first transistor and the fifth transistor depends on the on-resistance ratio of the third transistor and the fourth transistor. It can be a low voltage. At this time, the voltage applied to the gates of the first transistor and the fifth transistor can be controlled with a simple configuration by adjusting the capability of the fourth transistor.
上述した課題を解決するために、第4の発明に係る別態様のパルス出力回路(例えば、図13のUh)は、第1クロックを入力する第1クロック入力端子と、第1クロックと同相でマスク可能な第3クロックを入力する第3クロック入力端子と、スタートパルスを入力するスタートパルス入力端子と、スタートパルスに基づく出力パルスを第1クロックに同期して出力する転送端子と、スタートパルスに基づく出力パルスを第3クロックに同期して出力する出力端子とを備えたパルス出力回路であって、第1クロック入力端子から入力された第1クロックに基づく電圧を転送端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、第3クロック入力端子から入力された第3クロックに基づく電圧を出力端子に出力するスイッチとして機能する第5のトランジスタと、第1のトランジスタのゲート電極および第5のトランジスタのゲート電極と転送端子との間に設けられた第1の容量素子と、転送端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタと、出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する第5のトランジスタと同一導電型の第6のトランジスタとを備えた出力部と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第1のトランジスタのゲート電極および第5のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を第2のトランジスタのゲート電極および第6のトランジスタのゲート電極に、第1ゲート信号生成部とは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、出力部は、第1のトランジスタのゲート電極および第5のトランジスタのゲート電極と接地箇所との間に第2の容量素子が設けられている。 In order to solve the above-described problem, a pulse output circuit according to another aspect of the fourth invention (for example, Uh in FIG. 13) has a first clock input terminal for inputting a first clock and an in-phase with the first clock. A third clock input terminal for inputting a maskable third clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, a transfer terminal for outputting an output pulse based on the start pulse in synchronization with the first clock, and a start pulse A pulse output circuit having an output terminal for outputting an output pulse based on the first clock in synchronization with the third clock, and functioning as a switch for outputting a voltage based on the first clock input from the first clock input terminal to the transfer terminal As a switch for outputting to the output terminal a voltage based on the first transistor and the third clock input from the third clock input terminal As a switch for supplying the ground potential to the transfer terminal, the first transistor provided between the gate electrode of the first transistor, the gate electrode of the fifth transistor and the transfer terminal, and the transfer terminal An output unit comprising: a second transistor having the same conductivity type as the first transistor that functions; and a sixth transistor having the same conductivity type as the fifth transistor that functions as a switch for supplying a ground potential to the output terminal; A first gate signal generator for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor and the gate electrode of the fifth transistor; and the start pulse input to the start pulse input terminal Is applied to the gate electrode of the second transistor and the gate electrode of the sixth transistor. And a second gate signal generation unit that supplies the second signal signal in a phase opposite to that of the first signal generation unit. The output unit includes a second gate signal generation unit between the gate electrode of the first transistor and the gate electrode of the fifth transistor and the ground point. A capacitive element is provided.
この発明によれば、スタートパルスが入力された際に第1のトランジスタおよび第5のトランジスタのゲートにかかる電圧は、第1の容量素子の容量と第2の容量素子の容量との比に応じるため、従来より低い電圧とすることができる。このとき第2の容量素子の容量を調整することにより、第1のトランジスタおよび第5のトランジスタのゲートにかかる電圧を簡易な構成で制御することができる。 According to the present invention, when the start pulse is input, the voltage applied to the gates of the first transistor and the fifth transistor depends on the ratio between the capacitance of the first capacitive element and the capacitance of the second capacitive element. Therefore, the voltage can be made lower than before. At this time, the voltage applied to the gates of the first transistor and the fifth transistor can be controlled with a simple configuration by adjusting the capacitance of the second capacitor.
次に、本発明に係るシフトレジスタは、上述のパルス出力回路を、前段の出力端子が次段のスタートパルス入力端子に接続するように多段に接続したものである。 Next, the shift register according to the present invention is obtained by connecting the above-described pulse output circuit in multiple stages so that the output terminal of the previous stage is connected to the start pulse input terminal of the next stage.
次に、本発明に係る走査線駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線とデータ線との交差に対応して設けられた電気光学素子とを備えた電気光学装置に用いられるものであって、上述したシフトレジスタを備え、シフトレジスタを用いて入力信号を転送して生成した複数の出力信号に基づいて、複数の走査線を排他的に順次選択する複数の走査信号を生成する。 Next, a scanning line driving circuit according to the present invention includes an electro-optical device including a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and an electro-optical element provided corresponding to the intersection of the scanning lines and the data lines. A plurality of scans that include the above-described shift register and that sequentially select a plurality of scan lines based on a plurality of output signals generated by transferring an input signal using the shift register. Generate a signal.
次に、本発明に係るデータ線駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線とデータ線との交差に対応して設けられた電気光学素子とを備えた電気光学装置に用いられるものであって、上述したシフトレジスタを備え、シフトレジスタを用いて入力信号を転送して生成した複数の出力信号に基づいて、複数のデータ線を排他的に順次選択する複数のデータ線選択信号を生成する。 Next, a data line driving circuit according to the present invention includes an electro-optical device including a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and an electro-optical element provided corresponding to the intersection of the scanning lines and the data lines. A plurality of pieces of data that include the above-described shift register and that exclusively sequentially select a plurality of data lines based on a plurality of output signals generated by transferring an input signal using the shift register. A line selection signal is generated.
次に、本発明に係る電気光学装置によれば、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線とデータ線との交差に対応して設けられた電気光学素子と、上述した走査線駆動回路又は上述したデータ線駆動回路とを備える。 Next, according to the electro-optical device according to the invention, a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, an electro-optical element provided corresponding to the intersection of the scanning lines and the data lines, and the above-described scanning lines A driving circuit or the data line driving circuit described above.
次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備える。このような電子機器としては、例えば、携帯情報端末、携帯電話機、ノート型コンピュータ、ビデオカメラ、及びプロジェクタなどが該当する。 Next, an electronic apparatus according to the invention includes the above-described electro-optical device. Examples of such electronic devices include a portable information terminal, a mobile phone, a notebook computer, a video camera, and a projector.
<1.第1実施形態>
<1−1:シフトレジスタおよび単位回路の第1の態様>
まず、本発明に係るシフトレジスタ1について説明する。このシフトレジスタ1は、同一導電型のトランジスタで構成され、2相のクロック信号CK1及びCK2に従ってスタートパルスSTVを順次転送する。
<1. First Embodiment>
<1-1: First Mode of Shift Register and Unit Circuit>
First, the
図1にシフトレジスタ1のブロック図を示し、図2に単位回路Ua(Ua1〜Uan)の回路図を示す。図1に示すようにシフトレジスタ1は、n個の単位回路Ua1、Ua2、…、Uanを備える。単位回路Uaは、クロック入力端子A、セット端子S、リセット端子R、および出力端子Yを備える。そして、第1クロック信号CK1及び第2クロック信号CK2がn個の単位回路Ua1〜Uanに交互に供給される。
FIG. 1 shows a block diagram of the
図2に示すように単位回路Uaは、出力部11A、第1ゲート信号生成部12A、及び第2ゲート信号生成部13Aを備える。出力部11Aは、クロック入力端子Aと接地電位GNDとの間に出力端子Yを挟んで直列に接続されたトランジスタM5及びトランジスタM6を有し、さらに出力端子YとトランジスタM5のゲートとの間に設けられた容量素子C1を備える。トランジスタM5はクロック入力端子Aに供給されるクロック信号を出力端子Yに出力するスイッチング素子として機能する一方、トランジスタM6は出力端子Yに接地電位GNDを供給するスイッチング素子として機能する。図中のノードαの電位は、トランジスタM5のゲート電圧となり、ノードβの電位は、トランジスタM6のゲート電圧となる。
As shown in FIG. 2, the unit circuit Ua includes an
第1ゲート信号生成部12Aは、セット端子Sに供給される信号に基づいてトランジスタM5のゲートに供給する第1ゲート信号を生成する。詳細には、第1ゲート信号生成部12Aは、従来と同様に、ドレイン、ゲートがそれぞれ電源電位VDD、セット端子Sに電気的に接続され、ソースがノードαに電気的に接続されたトランジスタM1と、ドレインがノードαに電気的に接続され、ソースが接地され、ゲートがノードβに電気的に接続されたトランジスタM2とを備える。さらに本態様では、第1ゲート信号生成部12Aは、トランジスタM2と並列に接続され、ゲートがセット端子Sに電気的に接続されたトランジスタM8を備えている。
Based on the signal supplied to the set terminal S, the first
第2ゲート信号生成部13Aは、セット端子Sに供給される信号とリセット端子Rに供給される信号とに基づいてトランジスタM6のゲートに供給する第2ゲート信号を生成する。詳細には、第2ゲート信号生成部13Aは、電源電位VDDと接地電位GNDとの間にノードβを挟んで直列に接続されたトランジスタM3及びトランジスタM4を備えている。トランジスタM3のゲートはリセット端子Rと電気的に接続され、トランジスタM4のゲートはセット端子Sと電気的に接続され、トランジスタM3とトランジスタM4との接続ノードβがトランジスタM6のゲートと電気的に接続される。
The second
以上の構成において、セット端子SがハイレベルとなるとトランジスタM1、トランジスタM4とともにトランジスタM8もオンとなる。トランジスタM4がオンになったことによりノードβがローレベルになり、トランジスタM2がオフになると、ノードαの電位は、電源電圧VDDと、トランジスタM1とトランジスタM8のオン抵抗比とで決定される。このためノードαの電位は、電源電圧VDDとVthとで決定されていた従来の電圧より低いレベルにすることができる。 In the above configuration, when the set terminal S goes high, the transistor M8 is turned on together with the transistors M1 and M4. When the transistor M4 is turned on and the node β becomes low level and the transistor M2 is turned off, the potential of the node α is determined by the power supply voltage VDD and the on-resistance ratio of the transistors M1 and M8. Therefore, the potential of the node α can be made lower than the conventional voltage determined by the power supply voltages VDD and Vth.
ノードαがハイレベルとなり、トランジスタM5がオンとなった状態で、入力端子Aのクロック信号CK1がハイレベルになると、容量素子C1によりノードαの電位はさらに高電位に押し上げられ、トランジスタM5は十分にオンして、出力信号YはVDDとなる。 When the node α becomes high level and the transistor M5 is turned on and the clock signal CK1 of the input terminal A becomes high level, the potential of the node α is further increased to the high potential by the capacitor C1, and the transistor M5 is sufficiently The output signal Y becomes VDD.
このとき実際にノードαにかかる電圧は、トランジスタM8を追加したことによる電圧降下分をVct1とすると、ノードαがハイレベルになったことによる(略VDD−Vth−Vct1)と、CK1のハイレベル電圧(=VDD)を加算した2VDD−Vth−Vct1となる。Vct1は、トランジスタM1とトランジスタM8のオン抵抗比で決定されるため、トランジスタM1とトランジスタM8、特に新たに追加したトランジスタM8の能力を調整することで、必要電圧VDD+Vthを確保した状態(つまり、Vct<VDD−2Vth)で、ノードαの電圧、すなわち、トランジスタM5のゲート電圧を制御することができる。 At this time, the voltage actually applied to the node α is the high level of CK1 when the voltage drop due to the addition of the transistor M8 is Vct1 and the node α is at the high level (approximately VDD−Vth−Vct1). 2VDD-Vth-Vct1 obtained by adding the voltage (= VDD). Since Vct1 is determined by the on-resistance ratio between the transistor M1 and the transistor M8, the necessary voltage VDD + Vth is secured by adjusting the capabilities of the transistor M1 and the transistor M8, particularly the newly added transistor M8 (that is, Vct <VDD−2Vth), the voltage of the node α, that is, the gate voltage of the transistor M5 can be controlled.
図3に示すシフトレジスタ1のタイミングチャートを参照して、動作を説明する。スタートパルスSTVがハイレベルになると、トランジスタM1とトランジスタM4とがオン状態になるのと同時にトランジスタM8がオンとなる。トランジスタM4がオンしたことにより、ノードβがローレベルになる。すると、トランジスタM2がオフするのでノードαがハイレベルになる。このときの電圧は、トランジスタM8がオンとなっているため、上述のように(略VDD−Vth−Vct1)である。ノードαがハイレベルになるとトランジスタM5がオンするので、その後、クロック信号CK1がハイレベルになると出力信号Y1がハイレベルになる。出力信号Y1が立ち上がる時に容量素子C1によりノードαは更に高電位に押し上げられ、トランジスタM5が十分にオンして出力信号Y1はVDDレベルとなる。このときのノードαの電圧は、上述のように(略2VDD−Vth−Vct1)である。
The operation will be described with reference to the timing chart of the
次に、クロック信号CK1が立ち下がると出力信号Y1も立ち下がりローレベルに戻る。続いて、クロック信号CK2がハイレベルになると、出力信号Y2が立ち上がる。出力信号Y2が立ち上がると、リセット端子Rを介して初段のトランジスタM3がオン状態となる。このとき、トランジスタM4がオフ状態になっているので、初段の単位回路のノードβがハイレベルになる。ノードβがハイレベルを維持すればトランジスタM2がオン状態を保ち、ノードαがローレベルを維持し、トランジスタM5がオフ状態を維持するので、以後のクロック信号CK1の変化は出力信号Yには影響しない。以上の動作を繰り返すことによって、スタートパルスSTVが転送される。 Next, when the clock signal CK1 falls, the output signal Y1 also falls and returns to the low level. Subsequently, when the clock signal CK2 becomes high level, the output signal Y2 rises. When the output signal Y2 rises, the first-stage transistor M3 is turned on via the reset terminal R. At this time, since the transistor M4 is in an off state, the node β of the unit circuit in the first stage becomes a high level. If the node β is kept at the high level, the transistor M2 is kept on, the node α is kept at the low level, and the transistor M5 is kept off, so that the subsequent change in the clock signal CK1 affects the output signal Y. do not do. By repeating the above operation, the start pulse STV is transferred.
なお、トランジスタM1〜M6、M8がNチャネル型である場合、第1クロック信号CK1及びCK2は、図3に示すように、ハイレベルの期間が重ならない2相の信号であることが好ましい。即ち、第1クロック信号CK1のハイレベル期間は第2クロック信号CK2のローレベル期間に含まれ、第2クロック信号CK2のハイレベル期間は第1クロック信号CK1のローレベル期間に含まれる。
<1−2:単位回路の第2の態様>
上述した実施形態の単位回路Uaの替わりに図4に示す単位回路Ubを採用してもよい。単位回路Ubは、出力部11Bにおいて、トランジスタM5のゲートと接地電位GNDとの間に容量素子C2を備える。一方、第1ゲート信号生成部12Bにおいて、トランジスタM8を用いずに、従来と同様の構成となっている。また、第2ゲート信号生成部13Aも従来と同様の構成となっている。
Note that in the case where the transistors M1 to M6 and M8 are N-channel type, the first clock signals CK1 and CK2 are preferably two-phase signals in which high-level periods do not overlap as shown in FIG. That is, the high level period of the first clock signal CK1 is included in the low level period of the second clock signal CK2, and the high level period of the second clock signal CK2 is included in the low level period of the first clock signal CK1.
<1-2: Second Mode of Unit Circuit>
A unit circuit Ub shown in FIG. 4 may be employed instead of the unit circuit Ua of the above-described embodiment. The unit circuit Ub includes a capacitive element C2 between the gate of the transistor M5 and the ground potential GND in the
以上の構成において、セット端子SがハイレベルとなるとトランジスタM1とともにトランジスタM4がオンとなる。トランジスタM4がオンになったことによりノードβがローレベルになり、トランジスタM2がオフになると、ノードαがハイレベルとなる。このときの電位は、従来と同様に(略VDD−Vth)である。ノードαがハイレベルとなり、トランジスタM5がオンとなった状態で、入力端子Aのクロック信号CK1がハイレベルになると、ノードαの電位は、容量素子C1により、さらに高電位に押し上げられ、トランジスタM5は十分にオンして、出力信号YはVDDとなる。 In the above configuration, when the set terminal S becomes high level, the transistor M4 is turned on together with the transistor M1. When the transistor M4 is turned on, the node β becomes low level, and when the transistor M2 is turned off, the node α becomes high level. The potential at this time is (approximately VDD-Vth) as in the prior art. When the node α is at a high level and the clock signal CK1 of the input terminal A is at a high level with the transistor M5 turned on, the potential of the node α is further increased to a higher potential by the capacitor C1, and the transistor M5 Is sufficiently turned on, and the output signal Y becomes VDD.
このときのノードαの電圧は、容量素子C1の容量と容量素子C2の容量との比により決定される。すなわち、電荷が容量素子C1と容量素子C2との間で再分配されるため、従来よりも低い電圧値となる。これにより、容量素子C1と容量素子C2、特に新たに追加した容量素子C2の容量を調整することでトランジスタM5のゲート電圧を制御することができる。
なお、この例では、容量素子C2の一端には接地電位GNDを供給したが、容量素子C2は電荷の再分配によって、ノードαの電圧を低下させるため用いられるので、容量素子C2の一端に供給される電位は、電源電圧VDDより低い固定電位であればよい。
The voltage of the node α at this time is determined by the ratio of the capacitance of the capacitive element C1 and the capacitance of the capacitive element C2. That is, since the charge is redistributed between the capacitive element C1 and the capacitive element C2, the voltage value is lower than that in the conventional case. Thus, the gate voltage of the transistor M5 can be controlled by adjusting the capacitances of the capacitive element C1 and the capacitive element C2, particularly the newly added capacitive element C2.
In this example, the ground potential GND is supplied to one end of the capacitive element C2. However, since the capacitive element C2 is used to reduce the voltage of the node α by redistribution of charges, it is supplied to one end of the capacitive element C2. The potential to be applied may be a fixed potential lower than the power supply voltage VDD.
<2.第2実施形態>
<2−1:単位回路の第1の態様>
第2実施形態のシフトレジスタは、図1に示した第1実施形態のシフトレジスタと同様の構成とすることができる。図5に、第2実施形態の単位回路Uc(Uc1〜Ucn)の回路図を示す。本図に示すように単位回路Ucは、出力部11C、第1ゲート信号生成部12C、及び第2ゲート信号生成部13Cを備える。出力部11Cは、クロック入力端子Aと接地電位GNDとの間に出力端子Yを挟んで直列に接続されたトランジスタM5及びトランジスタM6を有し、さらに出力端子YとトランジスタM5のゲートとの間に設けられた容量素子C1を備える。トランジスタM5はクロック入力端子Aに供給されるクロック信号を出力端子Yに出力するスイッチング素子として機能する一方、トランジスタM6は出力端子Yに接地電位GNDを供給するスイッチング素子として機能する。図中のノードαの電位は、トランジスタM5のゲート電圧となり、ノードβの電位は、トランジスタM6のゲート電圧となる。
<2. Second Embodiment>
<2-1: First Mode of Unit Circuit>
The shift register of the second embodiment can have the same configuration as the shift register of the first embodiment shown in FIG. FIG. 5 shows a circuit diagram of the unit circuit Uc (Uc1 to Ucn) of the second embodiment. As shown in the figure, the unit circuit Uc includes an
第1ゲート信号生成部12Cは、セット端子Sに供給される信号とリセット端子Rに供給される信号とに基づいてトランジスタM5のゲートに供給する第1ゲート信号を生成する。詳細には、第1ゲート信号生成部12Cは、セット端子Sにダイオード接続され、ソースがノードαに電気的に接続されたトランジスタM1と、ドレインがノードαに電気的に接続され、ソースが接地され、ゲートがリセット端子Rに電気的に接続されたトランジスタM2と、トランジスタM2と並列に接続され、ゲートがセット端子Sに電気的に接続されたトランジスタM8とを備えている。
The first gate
第2ゲート信号生成部13Cは、出力端子Yに供給される信号に基づいてトランジスタM6のゲートに供給する第2ゲート信号を生成する。詳細には、第2ゲート信号生成部13Cは、電源電位VDDにダイオード接続されたトランジスタM3と、ノードβを挟んでトランジスタM3直列に接続され、ゲートが出力端子Yと電気的に接続され、ソースが接地されたトランジスタM4とを備えている。ノードβは、ダイオード接続されたトランジスタM3により、通常はハイレベル(略VDD−Vth)になっている。このため、通常時において、トランジスタM6はオンとなり、出力端子Yはローレベル出力となっている。ここで、トランジスタM3のオン抵抗をM4より十分高く設定することにより、自段の出力信号Yがハイレベルの間のみ、ノードβはローレベルになる。
The second gate
以上の構成において、セット端子Sがハイレベルとなると、トランジスタM8がオンになり、ダイオード接続されたトランジスタM1を経由して、ノードαがハイレベルとなり、トランジスタM1とトランジスタM8の抵抗の比で決定される電位(略VDD−Vth−Vct1)になる。このとき、次段の出力信号Y(自段のリセット端子R)はローレベルであるから、トランジスタM2はオフしている。ノードαがハイレベルになると、トランジスタM5がオンするので、その後、入力端子Aのクロック信号CK1がハイレベルになると、出力信号Yはハイレベルになる。すると、容量素子C1によりノードαの電位はさらに高電位(2VDD−Vth−Vct1)に押し上げられ、トランジスタM5は十分にオンして、出力信号YはVDDとなる。 In the above configuration, when the set terminal S becomes high level, the transistor M8 is turned on, the node α becomes high level via the diode-connected transistor M1, and is determined by the resistance ratio of the transistor M1 and the transistor M8. Potential (approximately VDD−Vth−Vct1). At this time, since the output signal Y of the next stage (the reset terminal R of the own stage) is at a low level, the transistor M2 is turned off. Since the transistor M5 is turned on when the node α goes high, the output signal Y goes high when the clock signal CK1 of the input terminal A goes high thereafter. Then, the potential of the node α is further increased to the higher potential (2VDD−Vth−Vct1) by the capacitive element C1, the transistor M5 is sufficiently turned on, and the output signal Y becomes VDD.
出力信号Yがハイレベルになると、トランジスタM4がオンになり、ノードβはローレベルに落ち、トランジスタM6がオフする。その後、入力端子Aのクロック信号CK1がローレベルに下がると出力信号Yもローレベルに落ちる。続いて次段に入力されるクロック信号CK2がハイレベルになると、次段の出力信号Y(自段のリセット信号R)が立ち上がり、自段のトランジスタM2がオンになる。このときセット端子Sはローレベルに落ちているため、ノードαはローレベルに戻る。ノードαには電源電圧からのリーク経路がないため、以降は0Vを保ち、トランジスタM5がオフを維持するので、その後のクロック信号CK1の変化は出力信号Yに影響しない。このようにしてスタートパルスSTVが順次転送される。 When the output signal Y becomes high level, the transistor M4 is turned on, the node β falls to low level, and the transistor M6 is turned off. Thereafter, when the clock signal CK1 at the input terminal A falls to the low level, the output signal Y also falls to the low level. Subsequently, when the clock signal CK2 input to the next stage becomes a high level, the output signal Y (the reset signal R of the own stage) rises and the transistor M2 of the own stage is turned on. At this time, since the set terminal S has fallen to the low level, the node α returns to the low level. Since the node α does not have a leakage path from the power supply voltage, it keeps 0V thereafter, and the transistor M5 is kept off, so that the subsequent change of the clock signal CK1 does not affect the output signal Y. In this way, the start pulse STV is sequentially transferred.
このように、本実施形態においてもVct1は、トランジスタM1とトランジスタM8のオン抵抗比で決定されるため、トランジスタM1とトランジスタM8、特に新たに追加したトランジスタM8の能力を調整することで、必要電圧VDD+Vthを確保した状態(つまり、Vct<VDD−2Vth)で、ノードαの電圧、すなわち、トランジスタM5のゲート電圧を制御することができる。 Thus, in this embodiment, Vct1 is determined by the on-resistance ratio of the transistor M1 and the transistor M8. Therefore, the necessary voltage can be adjusted by adjusting the capabilities of the transistor M1 and the transistor M8, particularly the newly added transistor M8. In a state where VDD + Vth is secured (that is, Vct <VDD−2Vth), the voltage of the node α, that is, the gate voltage of the transistor M5 can be controlled.
また、本回路は、トランジスタM3が常時オンしているので、出力信号Yがアクティブになった時だけノードβがローレベルとなるが、それ以外の期間はノードβは安定してハイレベルになる。したがって、閾値電圧Vthが大幅に下がった場合でも誤動作しないという長所がある。なお、出力信号Yがハイレベルになった時に電源VDDからトランジスタM3及びトランジスタM4を経由して接地電位GNDに貫通電流が流れるが、トランジスタM3の駆動能力を極力小さくすることで実用上の問題は無い。 Further, in this circuit, since the transistor M3 is always on, the node β is low level only when the output signal Y becomes active, but the node β is stably high level during other periods. . Therefore, there is an advantage that no malfunction occurs even when the threshold voltage Vth is significantly lowered. When the output signal Y becomes high level, a through current flows from the power supply VDD to the ground potential GND via the transistors M3 and M4. However, there is a practical problem by reducing the driving capability of the transistor M3 as much as possible. No.
<2−2:単位回路の第2の態様>
上述した実施形態の単位回路Ucの替わりに図6に示す単位回路Udを採用してもよい。単位回路Udは、出力部11Dにおいて、トランジスタM5のゲートと接地電位GNDとの間に容量素子C2を備える。一方、第1ゲート信号生成部12Dにおいて、トランジスタM8を備えない構成となっている。また、第2ゲート信号生成部13Cは第1の態様と同様の構成となっている。
<2-2: Second Mode of Unit Circuit>
A unit circuit Ud shown in FIG. 6 may be employed instead of the unit circuit Uc of the above-described embodiment. The unit circuit Ud includes a capacitive element C2 in the
以上の構成において、セット端子Sがハイレベルになると、ダイオード接続されたM1を経由してノードαがハイレベル(略VDD−Vth)になる。このとき、次段の出力信号Y(自段のリセット端子R)はローレベルであるから、トランジスタM2はオフしている。ノードαがハイレベルになると、トランジスタM5がオンするので、その後、入力端子Aのクロック信号CK1がハイレベルになると、ノードαの電位は、容量素子C1により、さらに高電位に押し上げられ、トランジスタM5は十分にオンして、出力信号YはVDDとなる。 In the above configuration, when the set terminal S becomes high level, the node α becomes high level (approximately VDD−Vth) via the diode-connected M1. At this time, since the output signal Y of the next stage (the reset terminal R of the own stage) is at a low level, the transistor M2 is turned off. Since the transistor M5 is turned on when the node α becomes high level, when the clock signal CK1 of the input terminal A thereafter becomes high level, the potential of the node α is further increased to a higher potential by the capacitor C1, and the transistor M5 Is sufficiently turned on, and the output signal Y becomes VDD.
このときのノードαの電圧は、容量素子C1の容量と容量素子C2の容量との比により決定される。すなわち、電荷が容量素子C1と容量素子C2との間で再分配されるため、従来よりも低い電圧値となる。これにより、容量素子C1と容量素子C2、特に容量素子C2の容量を調整することでトランジスタM5のゲート電圧を制御することができる。
なお、この例では、容量素子C2の一端には接地電位GNDを供給したが、容量素子C2は電荷の再分配によって、ノードαの電圧を低下させるため用いられるので、容量素子C2の一端に供給される電位は、電源電圧VDDより低い固定電位であればよい。
The voltage of the node α at this time is determined by the ratio of the capacitance of the capacitive element C1 and the capacitance of the capacitive element C2. That is, since the charge is redistributed between the capacitive element C1 and the capacitive element C2, the voltage value is lower than that in the conventional case. Thus, the gate voltage of the transistor M5 can be controlled by adjusting the capacitances of the capacitive element C1 and the capacitive element C2, particularly the capacitive element C2.
In this example, the ground potential GND is supplied to one end of the capacitive element C2. However, since the capacitive element C2 is used to reduce the voltage of the node α by redistribution of charges, it is supplied to one end of the capacitive element C2. The potential to be applied may be a fixed potential lower than the power supply voltage VDD.
<3.第3実施形態>
<3−1:シフトレジスタと単位回路の第1の態様>
第3実施形態に係るシフトレジスタ2について説明する。このシフトレジスタ2は、同一導電型のトランジスタで構成され、2相のクロック信号CK1及びCK1とは逆相のCK2に従ってスタートパルスSTVを順次転送する。
<3. Third Embodiment>
<3-1: First Mode of Shift Register and Unit Circuit>
A
図7にシフトレジスタ2のブロック図を示し、図8に単位回路Ue(Ue1〜Uen)の回路図を示す。図7に示すようにシフトレジスタ2は、n個の単位回路Ue1、Ue2、…、Uenを備える。単位回路Ueは、第1クロック信号CK1と第2クロック信号CK2とのうち一方が供給されるクロック入力端子A、第1クロック信号CK1と第2クハイレベルロック信号CK2とのうち他方が供給されるクロック入力端子B、セット端子S、リセット端子R、および出力端子Yを備える。セット端子Sの論理レベルがハイレベル(この例ではVDD)になると、クロック入力端子Aに供給されている信号がハイレベルとなった時に、出力信号Yの論理レベルはハイレベルとなり、リセット端子Sの論理レベルがハイレベルになると、出力信号Yの論理レベルはローレベルになる。
FIG. 7 shows a block diagram of the
図8に示すように単位回路Ueは、出力部11C、第1ゲート信号生成部12C、及び第2ゲート信号生成部13Eを備える。出力部11Cは、クロック入力端子Aと接地電位GNDとの間に出力端子Yを挟んで直列に接続されたトランジスタM5及びトランジスタM6を有し、さらに出力端子YとトランジスタM5のゲートとの間に設けられた容量素子C1を備える。トランジスタM5はクロック入力端子Aに供給されるクロック信号を出力端子Yに出力するスイッチング素子として機能する一方、トランジスタM6は出力端子Yに接地電位GNDを供給するスイッチング素子として機能する。図中のノードαの電位は、トランジスタM5のゲート電圧となり、ノードβの電位は、トランジスタM6のゲート電圧となる。
As shown in FIG. 8, the unit circuit Ue includes an
第1ゲート信号生成部12Cは、セット端子Sに供給される信号とリセット端子Rに供給される信号とに基づいてトランジスタM5のゲートに供給する第1ゲート信号を生成する。詳細には、第1ゲート信号生成部12Cは、セット端子Sにダイオード接続され、ソースがノードαに電気的に接続されたトランジスタM1と、ドレインがノードαに電気的に接続され、ソースが接地され、ゲートがリセット端子Rに電気的に接続されたトランジスタM2と、トランジスタM2と並列に接続され、ゲートがセット端子Sに電気的に接続されたトランジスタM8とを備えている。
The first gate
第2ゲート信号生成部13Eは、クロック入力端子Bに供給されるクロック信号と出力端子Yに供給される信号とに基づいてトランジスタM6のゲートに供給する第2ゲート信号を生成する。詳細には、第2ゲート信号生成部13Eは、ドレインが電源電位VDDに電気的に接続され、ゲートがクロック入力端子Bに電気的に接続されたトランジスタM3と、ノードβを挟んでトランジスタM3直列に接続され、ゲートが出力端子Yと電気的に接続され、ソースが接地されたトランジスタM4とを備えている。
The second
ノードβは、クロック入力端子Bに入力されるクロック信号CK2によりトランジスタM3が繰り返しオンになるため、通常はハイレベル(略VDD−Vth)になっている。このため、通常時において、トランジスタM6はオンとなり、出力端子Yはローレベル出力となっている。ここで、トランジスタM3のオン抵抗をM4より十分高く設定することにより、自段の出力信号Yがハイレベルの間のみ、ノードβはローレベルになる。 The node β is normally at a high level (approximately VDD−Vth) because the transistor M3 is repeatedly turned on by the clock signal CK2 input to the clock input terminal B. For this reason, in a normal state, the transistor M6 is turned on, and the output terminal Y is at a low level output. Here, by setting the on-resistance of the transistor M3 to be sufficiently higher than M4, the node β becomes low level only while the output signal Y of its own stage is high level.
以上の構成において、セット端子Sがハイレベルとなると、トランジスタM8がオンになり、ダイオード接続されたトランジスタM1を経由して、ノードαがハイレベルになり、トランジスタM1とトランジスタM8の抵抗の比で決定される電位(略VDD−Vth−Vct1)になる。このとき、次段の出力信号Y(自段のリセット端子R)はローレベルであるから、トランジスタM2はオフしている。ノードαがハイレベルになると、トランジスタM5がオンするので、その後、入力端子Aのクロック信号CK1がハイレベルになると、出力信号Yはハイレベルになる。すると、容量素子C1によりノードαの電位はさらに高電位(2VDD−Vth−Vct1)に押し上げられ、トランジスタM5は十分にオンして、出力信号YはVDDとなる。 In the above configuration, when the set terminal S becomes high level, the transistor M8 is turned on, the node α becomes high level via the diode-connected transistor M1, and the ratio of the resistances of the transistors M1 and M8 is determined. The potential is determined (approximately VDD−Vth−Vct1). At this time, since the output signal Y of the next stage (the reset terminal R of the own stage) is at a low level, the transistor M2 is turned off. Since the transistor M5 is turned on when the node α goes high, the output signal Y goes high when the clock signal CK1 of the input terminal A goes high thereafter. Then, the potential of the node α is further increased to the higher potential (2VDD−Vth−Vct1) by the capacitive element C1, the transistor M5 is sufficiently turned on, and the output signal Y becomes VDD.
出力信号Yがハイレベルになると、トランジスタM4がオンになり、ノードβはローレベルに落ち、トランジスタM6がオフする。その後、入力端子Aのクロック信号CK1がローレベルに下がると出力信号Yもローレベルに落ちる。続いて次段に入力されるクロック信号CK2がハイレベルになると、次段の出力信号Y(自段のリセット信号R)が立ち上がり、自段のトランジスタM2がオンになる。このときセット端子Sはローレベルに落ちているため、ノードαはローレベルに戻る。ノードαには電源電圧からのリーク経路がないため、以降は0Vを保ち、トランジスタM5がオフを維持するので、その後のクロック信号CK1の変化は出力信号Yに影響しない。このようにしてスタートパルスSTVが順次転送される。 When the output signal Y becomes high level, the transistor M4 is turned on, the node β falls to low level, and the transistor M6 is turned off. Thereafter, when the clock signal CK1 at the input terminal A falls to the low level, the output signal Y also falls to the low level. Subsequently, when the clock signal CK2 input to the next stage becomes a high level, the output signal Y (the reset signal R of the own stage) rises and the transistor M2 of the own stage is turned on. At this time, since the set terminal S has fallen to the low level, the node α returns to the low level. Since the node α does not have a leakage path from the power supply voltage, it keeps 0V thereafter, and the transistor M5 is kept off, so that the subsequent change of the clock signal CK1 does not affect the output signal Y. In this way, the start pulse STV is sequentially transferred.
このように、本実施形態においてもVct1は、トランジスタM1とトランジスタM8のオン抵抗比で決定されるため、トランジスタM1とトランジスタM8、特にトランジスタM8の能力の調整することで、必要電圧VDD+Vthを確保した状態(つまり、Vct<VDD−2Vth)で、ノードαの電圧、すなわち、トランジスタM5のゲート電圧を制御することができる。本回路は、第2実施形態で示した回路に比べて低いVthに対する安定性はやや劣るが、第2実施形態で生じるトランジスタM4のオン時のトランジスタM3、トランジスタM4経由のリーク電流が発生しないという長所を有している。 Thus, in this embodiment, Vct1 is determined by the on-resistance ratio of the transistor M1 and the transistor M8. Therefore, the necessary voltage VDD + Vth is secured by adjusting the capabilities of the transistors M1 and M8, particularly the transistor M8. In the state (that is, Vct <VDD−2Vth), the voltage of the node α, that is, the gate voltage of the transistor M5 can be controlled. Although this circuit is somewhat inferior in stability to a low Vth as compared with the circuit shown in the second embodiment, it does not generate leakage current via the transistor M3 and the transistor M4 when the transistor M4 is turned on, which occurs in the second embodiment. Has advantages.
<3−2:単位回路の第2の態様>
上述した実施形態の単位回路Ueの替わりに図9に示す単位回路Ufを採用してもよい。単位回路Ufは、出力部11Dにおいて、トランジスタM5のゲートと接地電位GNDとの間に容量素子C2を備える。一方、第1ゲート信号生成部12Dにおいて、トランジスタM8は備えない構成となっている。また、第2ゲート信号生成部13Eは第1の態様と同様の構成となっている。
<3-2: Second Mode of Unit Circuit>
A unit circuit Uf shown in FIG. 9 may be employed instead of the unit circuit Ue of the above-described embodiment. In the
以上の構成において、セット端子Sがハイレベルとなるとダイオード接続されたM1を経由してノードαがハイレベル(略VDD−Vth)になる。このとき、次段の出力信号Y(自段のリセット端子R)はローレベルであるから、トランジスタM2はオフしている。ノードαがハイレベルになると、トランジスタM5がオンするので、その後、入力端子Aのクロック信号CK1がハイレベルになると、ノードαの電位は、容量素子C1により、さらに高電位に押し上げられ、トランジスタM5は十分にオンして、出力信号YはVDDとなる。 In the above configuration, when the set terminal S becomes high level, the node α becomes high level (approximately VDD−Vth) via the diode-connected M1. At this time, since the output signal Y of the next stage (the reset terminal R of the own stage) is at a low level, the transistor M2 is turned off. Since the transistor M5 is turned on when the node α becomes high level, when the clock signal CK1 of the input terminal A thereafter becomes high level, the potential of the node α is further increased to a higher potential by the capacitor C1, and the transistor M5 Is sufficiently turned on, and the output signal Y becomes VDD.
このときのノードαの電圧は、容量素子C1の容量と容量素子C2の容量との比により決定される。すなわち、電荷が容量素子C1と容量素子C2との間で再分配されるため、従来よりも低い電圧値となる。これにより、容量素子C1と容量素子C2、特に容量素子C2の容量を調整することでトランジスタM5のゲート電圧を制御することができる。
なお、この例では、容量素子C2の一端には接地電位GNDを供給したが、容量素子C2は電荷の再分配によって、ノードαの電圧を低下させるため用いられるので、容量素子C2の一端に供給される電位は、電源電圧VDDより低い固定電位であればよい。
The voltage of the node α at this time is determined by the ratio of the capacitance of the capacitive element C1 and the capacitance of the capacitive element C2. That is, since the charge is redistributed between the capacitive element C1 and the capacitive element C2, the voltage value is lower than that in the conventional case. Thus, the gate voltage of the transistor M5 can be controlled by adjusting the capacitances of the capacitive element C1 and the capacitive element C2, particularly the capacitive element C2.
In this example, the ground potential GND is supplied to one end of the capacitive element C2. However, since the capacitive element C2 is used to reduce the voltage of the node α by redistribution of charges, it is supplied to one end of the capacitive element C2. The potential to be applied may be a fixed potential lower than the power supply voltage VDD.
<4.第4実施形態>
<4−1:シフトレジスタと単位回路の第1の態様>
第4実施形態に係るシフトレジスタ3について説明する。このシフトレジスタ3は、同一導電型のトランジスタで構成され、2相のクロック信号CK1及びCK2に従ってスタートパルスSTVを順次転送する。本実施形態は、部分表示クロック信号を用いて、シフトパルスの一部をマスクする例である。
<4. Fourth Embodiment>
<4-1: First Mode of Shift Register and Unit Circuit>
A
図10にシフトレジスタ3のブロック図を示し、図11に単位回路Ug(Ug1〜Ugn)の回路図を示す。図10に示すようにシフトレジスタ3は、n個の単位回路Ug1、Ug2、…、Ugnを備える。単位回路Ugは、第1クロック信号CK1と第2クロック信号CK2とのうち一方が供給されるクロック入力端子A、第1部分表示クロック信号P1と第2部分表示クロック信号P2とのうち一方が供給されるクロック入力端子P、セット端子S、リセット端子R、転送信号端子Y、出力端子Oを備える。本実施形態では端子Yからの出力は転送動作に関与するようにし、シフトパルス出力用の出力端子Oを別途設けている。
FIG. 10 shows a block diagram of the
単位回路Ugは、出力部11G、第1ゲート信号生成部12A、第2ゲート信号生成部13Aを備える。出力部11Gは、前述の出力部11Aに加え、部分表示クロックの入力端子Pと接地電位GNDとの間に直列に接続されたトランジスタM11及びトランジスタM12を有する。トランジスタM11およびトランジスタM12のゲートには、それぞれトランジスタM5、トランジスタM6のゲートと同じ信号が入力される。トランジスタM11のドレインはクロック入力端子Pに、ソースは、出力端子Oを挟んでトランジスタM12のドレインに電気的に接続され、トランジスタM12のソースは接地される。また、トランジスタM5のソース電位が転送信号Yの出力となる。
The unit circuit Ug includes an output unit 11G, a first gate
本図の回路において、出力段11Gの転送信号Yの駆動回路と、出力信号Oの駆動回路とは、トランジスタM5とトランジスタM11、トランジスタM6とトランジスタM12がそれぞれ同じ役割を担っていると考えられるため、入力されるクロック信号のみが異なることになる。このため、入力端子Aから入力されるクロック信号CK1に基づく転送信号Yは、第1の実施形態における出力信号Yと同様に部分表示クロック信号Pとは無関係に出力される。一方、本回路の出力信号Oは、部分表示クロック信号Pが入力されている場合に限り、第1の実施形態における出力信号Yと同様に出力される。このため、部分表示クロック信号Pを所望のタイミングでマスクすることにより、出力信号Yを部分的にマスクすることができるようになる。 In the circuit of this figure, since the drive circuit for the transfer signal Y of the output stage 11G and the drive circuit for the output signal O are considered to have the same role, the transistor M5 and the transistor M11, and the transistor M6 and the transistor M12, respectively. Only the input clock signal is different. Therefore, the transfer signal Y based on the clock signal CK1 input from the input terminal A is output regardless of the partial display clock signal P, similarly to the output signal Y in the first embodiment. On the other hand, the output signal O of this circuit is output similarly to the output signal Y in the first embodiment only when the partial display clock signal P is input. Therefore, the output signal Y can be partially masked by masking the partial display clock signal P at a desired timing.
すなわち、図12のタイミングチャートに示すように、シフトレジスタ3は、部分表示クロック信号Pが入力されている期間のみシフトパルスを発生する。なお、部分クロック信号Pは、クロック信号CKと同じクロックを基に生成するようにしている。具体的には、クロック信号CK1と部分表示クロック信号P1とが同位相となり、クロック信号CK2と部分表示クロック信号P2とが同位相となる。このような部分表示クロックを用いたシフトレジスタ3は、走査信号生成装置に適用した場合、表示領域に対応する行だけに部分表示クロックを与えることで、非連続の任意の行を非表示領域とすることができるようになる。
That is, as shown in the timing chart of FIG. 12, the
本実施形態においても、ノードαにかかる電圧は、トランジスタM8を追加したことによる電圧降下分をVct1とすると、ノードαがハイレベルになったことによる(略VDD−Vth−Vct1)と、CK1のハイレベル電圧(=VDD)を加算した2VDD−Vth−Vct1となる。Vct1は、トランジスタM1とトランジスタM8のオン抵抗比で決定されるため、トランジスタM1とトランジスタM8、特にトランジスタM8の能力の調整することで、必要電圧VDD+Vthを確保した状態(つまり、Vct<VDD−2Vth)で、ノードαの電圧、すなわち、トランジスタM5およびトランジスタM11のゲート電圧を制御することができる。 Also in this embodiment, the voltage applied to the node α is equal to Vct1 when the voltage drop due to the addition of the transistor M8 is Vct1, and the voltage of the CK1 is approximately equal to VDD−Vth−Vct1. 2VDD-Vth-Vct1 is obtained by adding the high level voltage (= VDD). Since Vct1 is determined by the on-resistance ratio of the transistors M1 and M8, the necessary voltage VDD + Vth is secured by adjusting the capabilities of the transistors M1 and M8, particularly the transistor M8 (that is, Vct <VDD−2Vth). ), The voltage of the node α, that is, the gate voltages of the transistors M5 and M11 can be controlled.
<4−2:単位回路の第2の態様>
上述した実施形態の単位回路Ugの替わりに図13に示す単位回路Uhを採用してもよい。単位回路Uhは、出力部11Hにおいて、トランジスタM5のゲートと接地電位GNDとの間に容量素子C2を備える。一方、第1ゲート信号生成部12Bにおいて、トランジスタM8を備えない構成となっている。また、第2ゲート信号生成部13Aは、第1の態様と同様の構成となっている。
<4-2: Second Mode of Unit Circuit>
A unit circuit Uh shown in FIG. 13 may be employed instead of the unit circuit Ug of the above-described embodiment. The unit circuit Uh includes a capacitive element C2 between the gate of the transistor M5 and the ground potential GND in the
本態様においても、第1の態様と同様に、部分表示クロックPにより、出力信号Oのマスクができるようになっている。また、他の実施形態と同様に、ノードαの電圧は、容量素子C1の容量と容量素子C2の容量との比により決定される。すなわち、電荷が容量素子C1と容量素子C2との間で再分配されるため、従来よりも低い電圧値となる。これにより、容量素子C1と容量素子C2、特に容量素子C2の容量を調整することでトランジスタM5およびトランジスタM11のゲート電圧を制御することができる。 Also in this aspect, the output signal O can be masked by the partial display clock P as in the first aspect. Similarly to the other embodiments, the voltage at the node α is determined by the ratio between the capacitance of the capacitive element C1 and the capacitance of the capacitive element C2. That is, since the charge is redistributed between the capacitive element C1 and the capacitive element C2, the voltage value is lower than that in the conventional case. Thus, the gate voltages of the transistors M5 and M11 can be controlled by adjusting the capacitances of the capacitive elements C1 and C2, particularly the capacitive element C2.
なお、上述の各実施形態では、Nチャネル型のトランジスタを用いていたが、Pチャネル型のトランジスタを用いるようにしてもよい。また、双方向機能、リセット機能を追加したり、リーク耐性を高めるために回路の一部をデュアルゲート化する等の変形を行なうことができる。 In each of the above-described embodiments, an N-channel transistor is used. However, a P-channel transistor may be used. Further, it is possible to make modifications such as adding a bidirectional function and a reset function, or making part of the circuit dual gated in order to increase leakage resistance.
<5.電気光学装置>
次に、上述したシフトレジスタ1〜3を駆動回路に用いた電気光学装置について説明する。図14は、本発明に係る電気光学装置500の電気的構成を示すブロック図である。この電気光学装置500は電気光学材料として液晶を用いる。電気光学装置500は、主要部として液晶パネルAAを備える。液晶パネルAAは、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、「TFT」と称する)を形成した素子基板と対向基板とを互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶が挟持されている。
<5. Electro-optical device>
Next, an electro-optical device using the above-described
また、電気光学装置500は、液晶パネルAA、タイミング発生回路300および画像処理回路400を備える。液晶パネルAAは、その素子基板上に画像表示領域A、走査線駆動回路100、データ線駆動回路200、サンプリング回路240および画像信号供給線Lを備える。この電気光学装置500に供給される入力画像データDは、例えば、パラレルの形式で与えられるRGB各6ビットのデータである。タイミング発生回路300は、入力画像データDに同期して第1Yクロック信号YCK1、第2Yクロック信号YCK2、第1Xクロック信号XCK1、第2Xクロック信号XCK2、Y転送開始パルスDY、及びX転送開始パルスDXを生成して、走査線駆動回路100およびデータ線駆動回路200に供給する。また、タイミング発生回路300は、画像処理回路400を制御する各種のタイミング信号を生成し、これを出力する。Y転送開始パルスDYは走査線52の選択開始を指示するパルスであり、一方、X転送開始パルスDXはデータ線53の選択開始を指示するパルスである。
The electro-
次に、画像処理回路400は、入力画像データDに、液晶パネルの光透過特性を考慮したガンマ補正等を施した後、RGB各色の画像データをD/A変換して、画像信号VIDを生成して液晶パネルAAに供給する。
Next, the
次に、画像表示領域Aには、図14に示されるように、m(mは2以上の自然数)本の走査線52が、X方向に沿って平行に配列して形成される一方、n(nは2以上の自然数)本のデータ線53が、Y方向に沿って平行に配列して形成されている。そして、走査線52とデータ線53との交差付近においては、TFT50のゲートが走査線52に接続される一方、TFT50のソースがデータ線53に接続されるとともに、TFT50のドレインが画素電極56に接続される。そして、各画素は、画素電極56と、対向基板に形成される対向電極と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成される。この結果、走査線52とデータ線53との各交差に対応して、画素はマトリクス状に配列されることとなる。
Next, in the image display area A, as shown in FIG. 14, m (m is a natural number of 2 or more) scanning
また、TFT50のゲートが接続される各走査線52には、走査信号G1、G2、…、Gmが、パルス的に線順次で印加されるようになっている。このため、ある走査線52に走査信号が供給されると、当該走査線に接続されるTFT50がオンするので、データ線53から所定のタイミングで供給される画像信号X1、X2、…、Xnは、対応する画素に順番に書き込まれた後、所定の期間保持されることとなる。
Further, scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to each
以上の構成において、走査線駆動回路100及びデータ線駆動回路200に上述した第1〜4実施形態で説明したシフトレジスタ1〜3を用いることができる。走査線駆動回路100に適用する場合には、第1Yクロック信号YCK1及び第2Yクロック信号YCK2を第1クロック信号CK1及び第2クロック信号CK2として用い、Y転送開始パルスDYをスタートパルスSTVとして用いればよい。また、データ線駆動回路200に適用する場合には、第1Xクロック信号XCK1及び第2Xクロック信号XCK2を第1クロック信号CK1及び第2クロック信号CK2として用い、X転送開始パルスDXをスタートパルスSTVとして用いればよい。
In the above configuration, the
なお、上述した電気光学装置500は、電気光学物質に液晶を用いた液晶表示装置であり、この液晶表示装置は、透過型、反射型または半透過半反射型のいずれにも適用可能である。また、アクティブ・マトリクス方式のみならす、パッシブ・マトリクス方式にても適用可能である。さらには、電気光学装置としては、有機EL装置や、蛍光表示管、プラズマ・ディスプレイ・パネル、ディジタルミラーデバイスなど種々のものに適用可能である。
<6.電子機器>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器のいくつかについて説明する。
Note that the above-described electro-
<6. Electronic equipment>
Next, some electronic apparatuses using the electro-optical device according to the above-described embodiment will be described.
図15に、電気光学装置500を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ1000は、表示ユニットとしての電気光学装置500と本体部1010を備える。本体部1010には、電源スイッチ1001及びキーボード1002が設けられている。
FIG. 15 shows a configuration of a mobile personal computer to which the electro-
図16に電子光学装置500を用いたプロジェクタの構成を示す。この図に示されるように、プロジェクタ2000内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット2002が設けられている。このランプユニット2002から射出された投射光は、内部に配置された3枚のミラー2006および2枚のダイクロイックミラー2008によってR(赤)、G(緑)、B(青)の3原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ100R、100Gおよび100Bにそれぞれ導かれる。ここで、ライトバルブ100R、100G及び100Bは、上述した実施形態に係る電気光学装置500、即ち、透過型の液晶表示装置と基本的には同様である。即ち、ライトバルブ100R、100G、100Bは、それぞれRGBの各原色画像を生成する光変調器として機能するものである。また、Bの光は、他のRやGの光と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ2022、リレーレンズ2023および出射レンズ2024からなるリレーレンズ系2021を介して導かれる。ライトバルブ100R、100G、100Bによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム2012に3方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム2012において、R及びBの光は90度に屈折する一方、Gの光は直進する。これにより、各原色画像の合成したカラー画像が、投射レンズ2014を介して、スクリーン2020に投射されることになる。
FIG. 16 shows a configuration of a projector using the electro-
図17に電気光学装置500を用いたビデオカメラの構成を示す。この図に示されるように、ビデオカメラ3000の本体には、モニタ510として用いられる電気光学装置500のほか、光学系3012などが設けられる。ここで、電気光学装置500は、軸3024を中心にして、ヒンジ3016に対し回動自在に取り付けられ、さらに、ヒンジ3016は、軸3022を中心にして、本体3010に対し開閉する構造となっている。
FIG. 17 shows a configuration of a video camera using the electro-
なお、電気光学装置500が適用される電子機器としては、図15から図17に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
Note that electronic devices to which the electro-
1,2,3…シフトレジスタ、CK1…第1クロック信号、CK2…第2クロック信号、Ua〜Uh…単位回路、Y1〜Yn…出力信号、STV…スタートパルス、11…出力部、12…第1ゲート信号生成部、13…第2ゲート信号生成部、M1〜M6,M8…トランジスタ、C1,C2…容量素子、100…走査線駆動回路、200…データ線駆動回路、500…電気光学装置。
1, 2, 3... Shift register, CK1... First clock signal, CK2... Second clock signal, Ua to Uh... Unit circuit, Y1 to Yn ... output signal, STV ... start pulse, 11. DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を前記出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、前記出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第2のトランジスタのゲート電極に、前記第1ゲート信号生成部とは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、
前記第1ゲート信号生成部は、
それぞれのゲート電極が前記スタートパルス入力端子に接続された第3のトランジスタおよび第4のトランジスタが直列に接続され、その接続箇所の電圧が前記第1のトランジスタに供給され、前記第4のトランジスタの一端の電極が接地していることを特徴とするパルス出力回路。 A pulse output circuit comprising a clock input terminal for inputting a clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and an output terminal for outputting an output pulse based on the start pulse in synchronization with the clock,
A first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on a clock input from the clock input terminal to the output terminal; and a first transistor provided between the gate electrode of the first transistor and the output terminal. And an output section including a second transistor having the same conductivity type as the first transistor, which functions as a switch for supplying a ground potential to the output terminal,
A first gate signal generator for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor;
A second gate signal generation unit that supplies a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the second transistor in a phase opposite to that of the first gate signal generation unit;
The first gate signal generator is
A third transistor and a fourth transistor, each having a gate electrode connected to the start pulse input terminal, are connected in series, and the voltage at the connection location is supplied to the first transistor. A pulse output circuit characterized in that an electrode at one end is grounded.
前記クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を前記出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、前記出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第2のトランジスタのゲート電極に、前記第1ゲート信号生成部とは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、
前記出力部は、前記第1のトランジスタのゲート電極と接地箇所との間に第2の容量素子が設けられていることを特徴とするパルス出力回路。 A pulse output circuit comprising a clock input terminal for inputting a clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and an output terminal for outputting an output pulse based on the start pulse in synchronization with the clock,
A first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on a clock input from the clock input terminal to the output terminal; and a first transistor provided between the gate electrode of the first transistor and the output terminal. And an output section including a second transistor having the same conductivity type as the first transistor, which functions as a switch for supplying a ground potential to the output terminal,
A first gate signal generator for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor;
A second gate signal generation unit that supplies a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the second transistor in a phase opposite to that of the first gate signal generation unit;
The pulse output circuit, wherein the output section includes a second capacitor element between a gate electrode of the first transistor and a grounded portion.
前記クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を前記出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、前記出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、
前記出力端子から出力された出力パルスに基づく電圧を前記第2のトランジスタのゲート電極に、前記出力パルスとは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、
前記第1ゲート信号生成部は、
それぞれのゲート電極が前記スタートパルス入力端子に接続された第3のトランジスタおよび第4のトランジスタが直列に接続され、その接続箇所の電圧が前記第1のトランジスタに供給され、前記第4のトランジスタの一端の電極が接地していることを特徴とするパルス出力回路。 A pulse output circuit comprising a clock input terminal for inputting a clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and an output terminal for outputting an output pulse based on the start pulse in synchronization with the clock,
A first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on a clock input from the clock input terminal to the output terminal; and a first transistor provided between the gate electrode of the first transistor and the output terminal. And an output section including a second transistor having the same conductivity type as the first transistor, which functions as a switch for supplying a ground potential to the output terminal,
A first gate signal generator for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor;
A second gate signal generator that supplies a voltage based on the output pulse output from the output terminal to the gate electrode of the second transistor in a phase opposite to that of the output pulse;
The first gate signal generator is
A third transistor and a fourth transistor, each having a gate electrode connected to the start pulse input terminal, are connected in series, and the voltage at the connection location is supplied to the first transistor. A pulse output circuit characterized in that an electrode at one end is grounded.
前記クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を前記出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、前記出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、
前記出力端子から出力された出力パルスに基づく電圧を前記第2のトランジスタのゲート電極に、前記出力パルスとは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、
前記出力部は、前記第1のトランジスタのゲート電極と接地箇所との間に第2の容量素子が設けられていることを特徴とするパルス出力回路。 A pulse output circuit comprising a clock input terminal for inputting a clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and an output terminal for outputting an output pulse based on the start pulse in synchronization with the clock,
A first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on a clock input from the clock input terminal to the output terminal; and a first transistor provided between the gate electrode of the first transistor and the output terminal. And an output section including a second transistor having the same conductivity type as the first transistor, which functions as a switch for supplying a ground potential to the output terminal,
A first gate signal generator for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor;
A second gate signal generator that supplies a voltage based on the output pulse output from the output terminal to the gate electrode of the second transistor in a phase opposite to that of the output pulse;
The pulse output circuit, wherein the output section includes a second capacitor element between a gate electrode of the first transistor and a grounded portion.
前記第1クロック入力端子から入力されたクロックに基づく電圧を前記出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、前記出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、
前記第2クロック入力端子に入力された前記第2クロックに基づく電圧を前記出力端子から出力された出力パルスに基づいて前記第2のトランジスタのゲート電極に供給する第2ゲート信号生成部とを備え、
前記第1ゲート信号生成部は、
それぞれのゲート電極が前記スタートパルス入力端子に接続された第3のトランジスタおよび第4のトランジスタが直列に接続され、その接続箇所の電圧が前記第1のトランジスタに供給され、前記第4のトランジスタの一端の電極が接地していることを特徴とするパルス出力回路。 A first clock input terminal for inputting a first clock, a second clock input terminal for inputting a second clock having a phase opposite to that of the first clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and an output based on the start pulse A pulse output circuit comprising an output terminal for outputting a pulse in synchronization with the first clock,
Provided between the first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on the clock input from the first clock input terminal to the output terminal, and between the gate electrode of the first transistor and the output terminal An output unit including a first capacitor, and a second transistor having the same conductivity type as the first transistor, which functions as a switch for supplying a ground potential to the output terminal;
A first gate signal generator for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor;
A second gate signal generation unit configured to supply a voltage based on the second clock input to the second clock input terminal to the gate electrode of the second transistor based on an output pulse output from the output terminal; ,
The first gate signal generator is
A third transistor and a fourth transistor, each having a gate electrode connected to the start pulse input terminal, are connected in series, and the voltage at the connection location is supplied to the first transistor. A pulse output circuit characterized in that an electrode at one end is grounded.
前記第1クロック入力端子から入力された第1クロックに基づく電圧を前記出力端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記出力端子との間に設けられた第1の容量素子と、前記出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタとを備えた出力部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第1のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、
前記第2クロック入力端子に入力された前記第2クロックに基づく電圧を前記出力端子から出力された出力パルスに基づいて前記第2のトランジスタのゲート電極に供給する第2ゲート信号生成部とを備え、
前記出力部は、前記第1のトランジスタのゲート電極と接地箇所との間に第2の容量素子が設けられていることを特徴とするパルス出力回路。 A first clock input terminal for inputting a first clock, a second clock input terminal for inputting a second clock having a phase opposite to that of the first clock, a start pulse input terminal for inputting a start pulse, and an output based on the start pulse A pulse output circuit comprising an output terminal for outputting a pulse in synchronization with the first clock,
Provided between the first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on the first clock input from the first clock input terminal to the output terminal, and between the gate electrode of the first transistor and the output terminal An output unit including the first capacitor element and a second transistor having the same conductivity type as the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal;
A first gate signal generator for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor;
A second gate signal generation unit configured to supply a voltage based on the second clock input to the second clock input terminal to the gate electrode of the second transistor based on an output pulse output from the output terminal; ,
The pulse output circuit, wherein the output section includes a second capacitor element between a gate electrode of the first transistor and a grounded portion.
前記第1クロック入力端子から入力された第1クロックに基づく電圧を前記転送端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、前記第3クロック入力端子から入力された第3クロックに基づく電圧を前記出力端子に出力するスイッチとして機能する第5のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極および前記第5のトランジスタのゲート電極と前記転送端子との間に設けられた第1の容量素子と、前記転送端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタと、前記出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第5のトランジスタと同一導電型の第6のトランジスタとを備えた出力部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第1のトランジスタのゲート電極および前記第5のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第2のトランジスタのゲート電極および前記第6のトランジスタのゲート電極に、前記第1ゲート信号生成部とは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、
前記第1ゲート信号生成部は、
それぞれのゲート電極が前記スタートパルス入力端子に接続された第3のトランジスタおよび第4のトランジスタが直列に接続され、その接続箇所の電圧が前記第1のトランジスタに供給され、前記第4のトランジスタの一端の電極が接地していることを特徴とするパルス出力回路。 A first clock input terminal for inputting a first clock; a third clock input terminal for inputting a third clock maskable in phase with the first clock; a start pulse input terminal for inputting a start pulse; A pulse output circuit including a transfer terminal that outputs an output pulse based on the first clock in synchronization with an output terminal that outputs an output pulse based on a start pulse in synchronization with the third clock,
A first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on the first clock input from the first clock input terminal to the transfer terminal; and a voltage based on the third clock input from the third clock input terminal. A fifth transistor that functions as a switch that outputs to the output terminal; a gate electrode of the first transistor; a first capacitor element provided between the gate electrode of the fifth transistor and the transfer terminal; The second transistor having the same conductivity type as the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the transfer terminal, and the same as the fifth transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal. An output unit comprising a sixth transistor of conductive type;
A first gate signal generator for supplying a voltage based on a start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor and the gate electrode of the fifth transistor;
A second voltage for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the second transistor and the gate electrode of the sixth transistor in a phase opposite to that of the first gate signal generator; A gate signal generator,
The first gate signal generator is
A third transistor and a fourth transistor, each having a gate electrode connected to the start pulse input terminal, are connected in series, and the voltage at the connection location is supplied to the first transistor. A pulse output circuit characterized in that an electrode at one end is grounded.
前記第1クロック入力端子から入力された第1クロックに基づく電圧を前記転送端子に出力するスイッチとして機能する第1のトランジスタと、前記第3クロック入力端子から入力された第3クロックに基づく電圧を前記出力端子に出力するスイッチとして機能する第5のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極および前記第5のトランジスタのゲート電極と前記転送端子との間に設けられた第1の容量素子と、前記転送端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタと、前記出力端子に接地電位を供給するスイッチとして機能する前記第5のトランジスタと同一導電型の第6のトランジスタとを備えた出力部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第1のトランジスタのゲート電極および前記第5のトランジスタのゲート電極に供給する第1ゲート信号生成部と、
前記スタートパルス入力端子に入力されたスタートパルスに基づく電圧を前記第2のトランジスタのゲート電極および前記第6のトランジスタのゲート電極に、前記第1ゲート信号生成部とは逆相で供給する第2ゲート信号生成部とを備え、
前記出力部は、前記第1のトランジスタのゲート電極および前記第5のトランジスタのゲート電極と接地箇所との間に第2の容量素子が設けられていることを特徴とするパルス出力回路。 A first clock input terminal for inputting a first clock; a third clock input terminal for inputting a third clock maskable in phase with the first clock; a start pulse input terminal for inputting a start pulse; A pulse output circuit including a transfer terminal that outputs an output pulse based on the first clock in synchronization with an output terminal that outputs an output pulse based on a start pulse in synchronization with the third clock,
A first transistor functioning as a switch for outputting a voltage based on the first clock input from the first clock input terminal to the transfer terminal; and a voltage based on the third clock input from the third clock input terminal. A fifth transistor that functions as a switch that outputs to the output terminal; a gate electrode of the first transistor; a first capacitor element provided between the gate electrode of the fifth transistor and the transfer terminal; The second transistor having the same conductivity type as the first transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the transfer terminal, and the same as the fifth transistor functioning as a switch for supplying a ground potential to the output terminal. An output unit comprising a sixth transistor of conductive type;
A first gate signal generator for supplying a voltage based on a start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the first transistor and the gate electrode of the fifth transistor;
A second voltage for supplying a voltage based on the start pulse input to the start pulse input terminal to the gate electrode of the second transistor and the gate electrode of the sixth transistor in a phase opposite to that of the first gate signal generator; A gate signal generator,
The pulse output circuit, wherein the output section includes a second capacitor element between a gate electrode of the first transistor and a gate electrode of the fifth transistor and a grounded portion.
請求項9に記載のシフトレジスタを備え、
前記シフトレジスタを用いて入力信号を転送して生成した複数の出力信号に基づいて、前記複数の走査線を排他的に順次選択する複数の走査信号を生成する、
走査線駆動回路。 A scanning line driving circuit used in an electro-optical device including a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and an electro-optical element provided corresponding to the intersection of the scanning lines and the data lines,
A shift register according to claim 9,
Based on a plurality of output signals generated by transferring an input signal using the shift register, a plurality of scanning signals for exclusively sequentially selecting the plurality of scanning lines are generated.
Scan line driving circuit.
請求項9に記載のシフトレジスタを備え、
前記シフトレジスタを用いて入力信号を転送して生成した複数の出力信号に基づいて、前記複数のデータ線を排他的に順次選択する複数のデータ線選択信号を生成する、
データ線駆動回路。 A data line driving circuit used in an electro-optical device including a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and an electro-optical element provided corresponding to the intersection of the scanning lines and the data lines,
A shift register according to claim 9,
Based on a plurality of output signals generated by transferring an input signal using the shift register, a plurality of data line selection signals for exclusively sequentially selecting the plurality of data lines are generated.
Data line drive circuit.
複数のデータ線と、
前記走査線と前記データ線との交差に対応して設けられた電気光学素子と、
請求項10に記載の走査線駆動回路又は請求項11に記載のデータ線駆動回路と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。 A plurality of scan lines;
Multiple data lines,
An electro-optic element provided corresponding to the intersection of the scanning line and the data line;
A scanning line driving circuit according to claim 10 or a data line driving circuit according to claim 11,
An electro-optical device comprising:
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 12.
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010146738A1 (en) * | 2009-06-15 | 2010-12-23 | シャープ株式会社 | Shift register and display device |
WO2010146743A1 (en) * | 2009-06-15 | 2010-12-23 | シャープ株式会社 | Shift register and display device |
WO2011010546A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011111531A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2013080845A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US8749468B2 (en) | 2009-03-06 | 2014-06-10 | Japan Display West Inc. | Scanner, electro-optical panel, electro-optical display device and electronic apparatus |
JP2016085782A (en) * | 2010-02-05 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device and electronic apparatus |
CN112669753A (en) * | 2020-12-28 | 2021-04-16 | 厦门天马微电子有限公司 | Display panel, driving method thereof and display device |
JP2024055904A (en) * | 2009-09-16 | 2024-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor Device |
JP2024084124A (en) * | 2022-12-12 | 2024-06-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Gate driver and display device using the same |
-
2007
- 2007-05-21 JP JP2007133802A patent/JP2008287134A/en not_active Withdrawn
Cited By (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9024860B2 (en) | 2009-03-06 | 2015-05-05 | Japan Display Inc. | Scanner, electro-optical panel, electro-optical display device and electronic apparatus |
US8749468B2 (en) | 2009-03-06 | 2014-06-10 | Japan Display West Inc. | Scanner, electro-optical panel, electro-optical display device and electronic apparatus |
WO2010146738A1 (en) * | 2009-06-15 | 2010-12-23 | シャープ株式会社 | Shift register and display device |
US8422622B2 (en) | 2009-06-15 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register and display device |
WO2010146743A1 (en) * | 2009-06-15 | 2010-12-23 | シャープ株式会社 | Shift register and display device |
US8384461B2 (en) | 2009-06-15 | 2013-02-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register and display device |
US11663989B2 (en) | 2009-07-24 | 2023-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10810961B2 (en) | 2009-07-24 | 2020-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US12183302B2 (en) | 2009-07-24 | 2024-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011010546A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI622975B (en) * | 2009-07-24 | 2018-05-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Semiconductor device |
KR101904811B1 (en) | 2009-07-24 | 2018-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Semiconductor device |
TWI489429B (en) * | 2009-07-24 | 2015-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Semiconductor device |
US9875713B2 (en) | 2009-07-24 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9779679B2 (en) | 2009-07-24 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11373615B2 (en) | 2009-07-24 | 2022-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI570697B (en) * | 2009-07-24 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Semiconductor device |
KR101785992B1 (en) * | 2009-07-24 | 2017-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Semiconductor device |
JP2024055904A (en) * | 2009-09-16 | 2024-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor Device |
JP2024138343A (en) * | 2010-02-05 | 2024-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device and display device |
JP2017168179A (en) * | 2010-02-05 | 2017-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
JP7203073B2 (en) | 2010-02-05 | 2023-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
JP2023056521A (en) * | 2010-02-05 | 2023-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
JP2016085782A (en) * | 2010-02-05 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device and electronic apparatus |
JP7516497B2 (en) | 2010-02-05 | 2024-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
JP7628213B2 (en) | 2010-02-05 | 2025-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device and display device |
JP2018189971A (en) * | 2010-02-05 | 2018-11-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
JP2021043459A (en) * | 2010-02-05 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
US8836686B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2024037759A (en) * | 2010-03-12 | 2024-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | semiconductor equipment |
WO2011111531A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101798260B1 (en) * | 2010-03-12 | 2017-11-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display device |
JP2019144561A (en) * | 2010-03-12 | 2019-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
JP2011209714A (en) * | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
JP2016136447A (en) * | 2010-03-12 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
TWI570682B (en) * | 2011-11-30 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Display device |
US8847933B2 (en) | 2011-11-30 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN103959364A (en) * | 2011-11-30 | 2014-07-30 | 株式会社半导体能源研究所 | Display device |
WO2013080845A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN103959364B (en) * | 2011-11-30 | 2017-01-18 | 株式会社半导体能源研究所 | Display device |
CN112669753B (en) * | 2020-12-28 | 2024-04-12 | 厦门天马微电子有限公司 | Display panel, driving method thereof and display device |
CN112669753A (en) * | 2020-12-28 | 2021-04-16 | 厦门天马微电子有限公司 | Display panel, driving method thereof and display device |
JP2024084124A (en) * | 2022-12-12 | 2024-06-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Gate driver and display device using the same |
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