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JP2008274324A - 組成物及び銅膜の形成方法 - Google Patents

組成物及び銅膜の形成方法 Download PDF

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JP2008274324A
JP2008274324A JP2007116563A JP2007116563A JP2008274324A JP 2008274324 A JP2008274324 A JP 2008274324A JP 2007116563 A JP2007116563 A JP 2007116563A JP 2007116563 A JP2007116563 A JP 2007116563A JP 2008274324 A JP2008274324 A JP 2008274324A
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JP
Japan
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composition
copper
film
copper film
firing
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JP2007116563A
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English (en)
Inventor
Toshio Inao
俊雄 稲生
Yoshiharu Toida
良晴 戸井田
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Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】エッチング工程がなくても、所定のパターンを有する銅膜を形成することを可能とした銅膜の形成方法、およびそのために使用することができる組成物を提供する。
【解決手段】窒化銅粉末、有機バインダー及び有機溶剤からなる組成物を、スクリーン印刷法やインクジェット法等の印刷法、スピンコート法、ディスペンサーを用いるパターン形成方法、噴霧法などにより基板上に適用し、その後、300℃以上で真空中又は不活性ガス中で焼成することにより、銅膜を形成させる。
【選択図】 なし

Description

本発明は電子回路やフラットパネルディスプレイ、各種センサー等の配線や電極、あるいは、帯電防止膜や電磁波防止・吸収膜として使用される銅膜の形成方法及びそれに使用される組成物に関するものである。
現在、各種電子回路やフラットパネルディスプレイ等の配線や電極あるいは、帯電防止膜や電磁波防止・吸収膜において低抵抗率を有するアルミニウム、銀、銅やそれらを主成分とする合金が広く使用されている。膜の形成方法としては、スパッタリングや真空蒸着などの真空成膜法が幅広く用いられており、フォトマスクを使用したフォトリソグラフ法によって種々の回路パターンや電極を形成している。
近年、パターンの形成に必要な工程数の低減が可能であり、大量生産、低コスト化に適した配線・電極膜の形成方法として、スクリーン印刷やインクジェット法を応用した膜形成が盛んに検討されている。この方法は、導電性微粒子などを有機バインダーや有機溶剤等に混合しペースト、あるいは、インク状にしたものをスクリーン印刷やインクジェット法による方法で基板上に直接パターン形成した後、焼成することにより配線、電極を形成するもので、従来のフォトリソグラフ法に比べてプロセスが簡易となり、大量生産、低コストの配線・電極形成が可能となるだけでなく、エッチング工程における排水処理等が不要となるため、環境負荷が小さいという特徴を有する。
導電性微粒子としては、安定性の高い貴金属の金や銀が幅広く使用されている。特に銀は、金に比べて価格が安く、大気中の焼成でも酸化せず低抵抗の膜が得られることから、研究開発が盛んに行なわれている。これに対して、銅は酸化しやすいため、有機バインダーを使用したペーストあるいはインク材料では、バインダーを除去するための酸化性雰囲気焼成と、酸化層を取り除く還元性雰囲気焼成の2段焼成が必要不可欠であり、低抵抗率の膜を形成しにくいという課題がある。
これらの課題を解決する方法として、窒化銅膜を形成し、アニールのためのレーザーでパターニングを行ない、この後でエッチングすることにより回路パターンを形成したり(例えば、非特許文献1参照)、表面を窒化したナノ銅金属粒子を塗布した後、還元雰囲気で焼成して回路パターンを得る(例えば、特許文献1参照)ことが試みられている。しかし、レーザーによるアニール法でのパターン形成法では、エッチング工程が必要不可欠であり、プロセス簡素化による生産性向上、あるいは、排水処理による環境負荷の点から望ましくない。また、ナノ銅金属粒子を原料として表面に窒化保護層を形成する特許文献1による方法では、表面を窒化したナノ銅金属粒子を得るために特殊な装置を使用しなくてはならず大量生産が難しく、生産コストが非常に高くなるという問題がある。また、出発原料である純銅を粉砕してナノサイズの微細化を行なうことが困難であり、粒径の制御が難しい。
L.MAYA:Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.282.p.203(1993) 特開2006−210872号公報
本発明は、これら従来技術の問題点を解決するためのものであり、エッチング工程がなくても所定のパターンを有する銅膜を形成することを可能とした銅膜の形成方法及びそのために使用される組成物を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意検討を行なった結果、窒化銅粉末を含む組成物を基板上に適用し焼成することにより、低抵抗率の銅膜が得られることを見出し本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、窒化銅粉末、有機バインダー及び有機溶剤からなることを特徴とする組成物である。また本発明は、窒化銅粉末、有機バインダー及び有機溶剤からなる組成物を基板上に適用し、その後、焼成することを特徴とする、銅膜の形成方法である。以下に、本発明について詳細に説明する。
本発明の組成物は、窒化銅粉末、有機バインダー及び有機溶剤からなるものである。本発明の組成物は、銅膜の形成に用いることができる。
本発明に用いられる窒化銅粉末の純度には特に限定はないが、銅膜形成に用いる場合は、形成される銅膜の抵抗率特性の観点から、95重量%以上が好ましく、より好ましくは99重量%以上である。また、窒化銅粉末の粒径が小さいほど微細なパターンを形成することができる。このことから、窒化銅粉末の平均粒径は50μm以下が好ましく、より好ましくは10μm以下である。また、低抵抗率を得るための粉末充填率向上の観点から、種々の粒径の窒化銅粉末を混合して使用することもできる。
本発明に用いられる窒化銅粉末は、安価に微細粒子を調製することができる。例えば窒化銅粉末は、酸化銅やフッ化銅をアンモニア中で焼成するなどの方法により通常の管状炉を使用して製造することが可能である。また市販の窒化銅粉末を用いることもできる。
また窒化銅粉末として、銅に添加元素を加えた銅合金を窒化させた粉末を使用することもでき、それにより、形成された膜の耐食性等を向上させることもできる。
有機バインダーは、本発明の組成物を基板上へ適用する場合に形状保持等の目的で使用され、400℃以下で分解するものが好ましく、300℃以下で分解するものがより好ましい。バインダーとしては、例えば以下のものが挙げられる。即ち、ポリスチレン、ブチルメタアクリレート、メチルスチレン、メチルポリスチレン、ポリメチルスチレン、ポリメチルポリスチレン、メチルメタアクリレート、ポリメチルメタアクリレート、ポリスチレンポリブチルメタアクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリエチレンエチルアクリレート、ポリエチレンビニルアセテート、ステアリン酸、ステアリルアルコール、フタル酸ジオクチル、ブチルメタアクリレート−スチレン共重合体、ポリアクリル酸エチル、ポリメタクリル酸シクロヘキシル、ポリアクリル酸ブチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸エチルヘキシル、ポリメタクリル酸ルウリルなどである。また、有機バインダーは2種以上混合して使用することもできる。
有機溶剤は、粘度調整などの目的に使用され、本発明の組成物を基板上に適用した後に容易に揮発してしまうものが好ましく、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、トルエン、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、イソプロピルアルコール、テルピネオール、メチルセルソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジオキサン、アセトン、シクロペンタノン、イソブチルアルコ−ル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトンなどを利用することができる。また、有機溶剤は2種以上混合して使用することもできる。
本発明の組成物において窒化銅の含有量には特に制限はないが、組成物の総量に対して、好ましくは5重量%以上98重量%以下、より好ましくは15重量%以上96重量%以下である。
本発明の組成物において、粘度については特に限定はないが、銅膜の形成に用いる場合は、膜の形成方法に応じて適宜選択すればよい。例えばスクリーン印刷法による方法では比較的高粘度のペーストが適しており、好ましい粘度は10〜200Pas、より好ましくは50〜150Pasである。また、インクジェット法による方法では粘度を低くしたほうが適しており、好ましくは1〜50mPas、より好ましくは5〜30mPasである。
本発明の組成物は、基板上に適用した場合に膜と基板との密着性を向上させる目的で、エポキシ系、アクリル系等の接着剤を含んでも良い。また、ガラスフリットを含んでもよく、これによってもガラス基板などとの密着性を向上させることができる。
また、本発明の組成物は、良好なパターニング特性を得るために分散剤、レベリング剤、消泡剤、増粘剤、チクソトロピック剤等の各種添加剤を混ぜて使用することができる。
本発明の組成物を基板上に適用し、その後、焼成することにより、銅膜を形成することができる。基板上に適用する方法としては特に限定はなく、本発明の組成物により最終的に膜が形成できればいずれの方法でもよい。例えばスクリーン印刷法もしくはインクジェット法等の印刷法またはディスペンサーを用いるパターン膜形成方法が挙げられる。またスピンコート法、噴霧法、塗布法なども挙げられる。特にスクリーン印刷法もしくはインクジェット法等の印刷法またはディスペンサーを用いるパターン膜形成方法や、スピンコート法が好ましい。なお、基板上への適用方法によっては、得られた銅膜の幅が狭く線状となる場合もあるが、それらを含めて本発明では銅膜と記載する。
焼成温度は、窒化銅の分解温度及び使用した有機バインダーの分解温度より高い温度であれば良く、300℃以上が好ましく、より好ましくは400℃以上である。300℃未満では、窒化銅以外の成分の残留が大きくなる恐れがあり、また窒化銅の分解度が小さいため低電気抵抗が得にくくなる恐れがある。
また、焼成時間は10分以上が好ましく、より好ましくは15分以上である。10分未満では、窒化銅以外の成分の残留が大きくなる恐れがあり、また窒化銅の分解度が小さいため低電気抵抗が得にくくなる恐れがある。
焼成は真空中または不活性ガス中で行うことが好ましく、不活性ガスとしては例えば窒素、アルゴン、キセノン、ネオン、クリプトン、ヘリウム等が用いられる。
本発明の組成物は銅膜の形成に用いることができ、それにより、エッチング工程がなくても所定のパターンを有する銅膜を得ることが可能である。また、窒化銅粉末を使用することにより安価に粉末粒径の調整が容易となる。さらに、本発明の膜形成方法によれば、低抵抗の銅膜を容易に、安定して形成することが可能となる。
以下に実施例を示して本発明の特徴をさらに具体的に説明する。しかし、本発明は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものでない。
(実施例1)
有機バインダー(ブチルメタアクリレート)0.8gを有機溶剤(テルピネオール)10.6gに溶かした溶液(溶液A)を作製した。また、エポキシ系接着剤(セメダイン(登録商標):EP160)2.1gをアセトン3gに溶かした溶液(溶液B)を作製した。溶液A、溶液B、および窒化銅粉末(純度:99重量%、平均粒径:5μm)18.6gを混合した組成物Aを作製した。組成物Aを使用し、スクリーン印刷法でガラス基板(コーニング#1737)上に40mm×40mmの大きさの膜を形成した。以上のようにして形成した膜を自然乾燥(19時間)の後、オーブンを使用して50℃の条件で24時間乾燥を行なった。乾燥後、窒素ガス雰囲気中で焼成を行なった。この際、焼成温度、焼成時間を変化させた。焼成後に四探針法にて抵抗率の測定を行なった。
各サンプルの焼成条件および抵抗率測定結果を表1に示す(膜厚:30μm)。なお、各サンプルは焼成前は絶縁膜であった。
Figure 2008274324
(比較例1)
有機バインダー(ブチルメタアクリレート)0.8gを有機溶剤(テルピネオール)10.6gに溶かした溶液(溶液A)を作製した。また、エポキシ系接着剤(セメダイン(登録商標):EP160)2.1gをアセトン3gに溶かした溶液(溶液B)を作製した。溶液A、溶液B、および純銅粉末(純度:99重量%以上、平均粒径:4μm)18.6gを混合した組成物Bを作製した。組成物Bを使用し、スクリーン印刷法でガラス基板(コーニング#1737)上に40mm×40mmの大きさの膜を形成した。以上のようにして形成した膜を自然乾燥(19時間)の後、オーブンを使用して50℃の条件で24時間乾燥を行なった。乾燥後、窒素ガス雰囲気中で焼成を行なった。この際、焼成温度を変化させた。焼成後に四探針法にて抵抗率の測定を行なった。
各サンプルの焼成条件および抵抗率測定結果を表2に示す(膜厚:30μm)。なお、各サンプルは焼成前は絶縁膜であった。
Figure 2008274324

Claims (6)

  1. 窒化銅粉末、有機バインダー及び有機溶剤からなることを特徴とする組成物。
  2. 銅膜形成用であることを特徴とする、請求項1に記載の組成物。
  3. 窒化銅粉末、有機バインダー及び有機溶剤からなる組成物を基板上に適用し、その後、焼成することを特徴とする、銅膜の形成方法。
  4. 焼成を真空中又は不活性ガス中で行なうことを特徴とする、請求項3に記載の方法。
  5. 印刷法により基板上へ適用することを特徴とする、請求項3又は4に記載の方法。
  6. 焼成温度を300℃以上とすることを特徴とする、請求項3乃至5のいずれか1項に記載の方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012079933A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Fujifilm Corp 配線材料、配線の製造方法、及びナノ粒子分散液
JP2016009829A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 昭和電工株式会社 導電パターン形成用組成物および導電パターン形成方法
CN114267472A (zh) * 2021-12-06 2022-04-01 电子科技大学长三角研究院(湖州) 氮化铜浆料、制备方法及应用
CN114300175A (zh) * 2021-12-06 2022-04-08 电子科技大学长三角研究院(湖州) 氮化铜基印刷电极及其制造方法

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