JP2008241801A - 電気光学装置用基板、この基板を用いた電気光学装置及びこの電気光学装置を搭載した電子機器。 - Google Patents
電気光学装置用基板、この基板を用いた電気光学装置及びこの電気光学装置を搭載した電子機器。 Download PDFInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 104
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000000414 obstructive effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】検査端子及び実装端子の配設場所のスペースを縮小すると共に、検査作業を容易
にした電気光学装置用基板を提供すること。
【解決手段】基板上に配線された複数本の配線の端部に電子部品を接続する実装端子と、
前記基板上の配線状態を検査するための検査端子とを有し、配線端部SW1〜SW5は、
所定の長さ延長されて、この延長された導電延長部の上に絶縁層を介して導電層が設けら
れて、この導電層は絶縁層を貫通させたコンタクトホールCH通して配線端部に電気的に
接続されて、導電層の一部分が検査端子T1〜T5及び他の部分が実装端子B1〜B5に
形成されている。
【選択図】図2
にした電気光学装置用基板を提供すること。
【解決手段】基板上に配線された複数本の配線の端部に電子部品を接続する実装端子と、
前記基板上の配線状態を検査するための検査端子とを有し、配線端部SW1〜SW5は、
所定の長さ延長されて、この延長された導電延長部の上に絶縁層を介して導電層が設けら
れて、この導電層は絶縁層を貫通させたコンタクトホールCH通して配線端部に電気的に
接続されて、導電層の一部分が検査端子T1〜T5及び他の部分が実装端子B1〜B5に
形成されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末などの電子機器に搭載
される電気光学装置及びこの電気光学装置に使用される電気光学装置用基板に関するもの
である。
される電気光学装置及びこの電気光学装置に使用される電気光学装置用基板に関するもの
である。
パーソナルコンピュータ、携帯電話機や携帯情報端末などの電子機器の表示装置として
、液晶パネルが多く使用されている。この液晶パネルは、パネルのアクティブエリア内に
発生した不具合、例えば配線の異常、断線及び短絡の有無などの検査を行なう検査工程が
設けられている。この検査を実施するために、液晶パネルには、通常、検査用の検査端子
が設けられている(例えば、下記特許文献1参照)。
、液晶パネルが多く使用されている。この液晶パネルは、パネルのアクティブエリア内に
発生した不具合、例えば配線の異常、断線及び短絡の有無などの検査を行なう検査工程が
設けられている。この検査を実施するために、液晶パネルには、通常、検査用の検査端子
が設けられている(例えば、下記特許文献1参照)。
図7は下記特許文献1に記載された液晶パネルの検査端子部を拡大したものである。こ
の液晶パネル10は、フロントガラス基板11と、このフロントガラス基板11より若干
大きい面積を有するリアガラス基板12とを有している。リアガラス基板12は、その張
り出し部分に液晶駆動用ICチップが実装されるチップ搭載領域MAが設けられ、このチ
ップ搭載領域MAに複数本の引出電極13の端部が引き込まれている。それぞれの引出電
極13a〜13iは、チップ搭載領域MA内に駆動ICチップのバンプが接続されるバン
プ接続部T、更にこの接続部の端部が延設されて検査端子となる延長部Bが形成されてい
る。
の液晶パネル10は、フロントガラス基板11と、このフロントガラス基板11より若干
大きい面積を有するリアガラス基板12とを有している。リアガラス基板12は、その張
り出し部分に液晶駆動用ICチップが実装されるチップ搭載領域MAが設けられ、このチ
ップ搭載領域MAに複数本の引出電極13の端部が引き込まれている。それぞれの引出電
極13a〜13iは、チップ搭載領域MA内に駆動ICチップのバンプが接続されるバン
プ接続部T、更にこの接続部の端部が延設されて検査端子となる延長部Bが形成されてい
る。
これらの延長部Bのうち、奇数番目の引出電極13a、13c、13e、13g、13
iは短く、偶数番目の引出電極13b、13d、13f、13hは長く延長されて、それ
ぞれの電極端部に幅広の拡幅ランドRが形成されている。基板上の配線の断線及び短絡検
査は、それぞれの引出電極13a〜13iの拡幅ランドRに検査用の接触ピンを接触させ
ることによって行われている。
特開2000−137239号公報(図3、段落[0017]〜[0022])
iは短く、偶数番目の引出電極13b、13d、13f、13hは長く延長されて、それ
ぞれの電極端部に幅広の拡幅ランドRが形成されている。基板上の配線の断線及び短絡検
査は、それぞれの引出電極13a〜13iの拡幅ランドRに検査用の接触ピンを接触させ
ることによって行われている。
上記特許文献1の液晶パネルは、チップ搭載領域内にICチップを実装するバンプ接続
部と検査用の検査端子部とが分離された配列となっている。その結果、断線などの検査は
、接触ピンを検査専用の検査端子に接触させて行い、バンプ接続部に接触させずに検査で
きるのでバンプ接続部を損傷させることがない。また、検査端子部を形成する拡幅ランド
は、電極より幅広になっているので、接触ピンの位置合わせ、すなわち拡幅ランドへの接
触が容易になり検査の作業効率の向上を図ることができる。
部と検査用の検査端子部とが分離された配列となっている。その結果、断線などの検査は
、接触ピンを検査専用の検査端子に接触させて行い、バンプ接続部に接触させずに検査で
きるのでバンプ接続部を損傷させることがない。また、検査端子部を形成する拡幅ランド
は、電極より幅広になっているので、接触ピンの位置合わせ、すなわち拡幅ランドへの接
触が容易になり検査の作業効率の向上を図ることができる。
しかしながら、近年の液晶パネルは、より小型化及び高精細化の傾向にある。このため
、電極間のピッチは、これまでの極狭の線間ピッチ、例えば50μm程度から更に狭く設
計されたものとなり、しかも、チップ搭載領域には、多数本の引出電極が集結されるので
チップ搭載領域を広くし且つ個々の引出電極に拡幅ランドを設けることが難しくなってい
る。また、小型化に伴って、チップ搭載領域のスペースが更に縮小化され、この縮小化に
よって、狭いスペースでの検査が強いられその検査作業が面倒になると共に、個々の検査
端子部に接触ピンを接触させようとするとその作業効率が大幅に低下してしまうことにな
る。
、電極間のピッチは、これまでの極狭の線間ピッチ、例えば50μm程度から更に狭く設
計されたものとなり、しかも、チップ搭載領域には、多数本の引出電極が集結されるので
チップ搭載領域を広くし且つ個々の引出電極に拡幅ランドを設けることが難しくなってい
る。また、小型化に伴って、チップ搭載領域のスペースが更に縮小化され、この縮小化に
よって、狭いスペースでの検査が強いられその検査作業が面倒になると共に、個々の検査
端子部に接触ピンを接触させようとするとその作業効率が大幅に低下してしまうことにな
る。
本発明はこのような従来技術が抱える課題を解決するためになされたものである。すな
わち、本発明の目的は、検査端子及び実装端子の配設場所のスペースを縮小化すると共に
、検査作業を容易にした電気光学装置用基板、この基板を用いた電気光学装置及びこの電
気光学装置を搭載した電子機器を提供することにある。
わち、本発明の目的は、検査端子及び実装端子の配設場所のスペースを縮小化すると共に
、検査作業を容易にした電気光学装置用基板、この基板を用いた電気光学装置及びこの電
気光学装置を搭載した電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の電気光学装置用基板は、基板上に配線された複数本
の配線端部に、電子部品を接続する実装端子と、前記配線端部に接続された検査端子とを
有する電気光学装置用基板において、
前記配線端部は、その配線端部を被覆する絶縁層上に導電層が形成され、該導電層は前
記絶縁層を貫通するコンタクトホールを通して前記配線端部に電気的に接続され、前記導
電層領域内に前記検査端子及び実装端子が形成されていることを特徴とする。
の配線端部に、電子部品を接続する実装端子と、前記配線端部に接続された検査端子とを
有する電気光学装置用基板において、
前記配線端部は、その配線端部を被覆する絶縁層上に導電層が形成され、該導電層は前
記絶縁層を貫通するコンタクトホールを通して前記配線端部に電気的に接続され、前記導
電層領域内に前記検査端子及び実装端子が形成されていることを特徴とする。
上記態様によれば、検査端子及び実装端子は、配線端部に接続された同じ導電層上に形
成されるので、両端子間の隙間を無くし或いは極めて縮小できる。したがって、検査端子
及び実装端子を配設するスペースが縮小化されて、基板の小型化及び配線の高密集化に対
応することが可能になる。
成されるので、両端子間の隙間を無くし或いは極めて縮小できる。したがって、検査端子
及び実装端子を配設するスペースが縮小化されて、基板の小型化及び配線の高密集化に対
応することが可能になる。
また、本発明は、前記電気光学装置用基板において、前記複数本の配線端部は、隣接す
る配線端部同士が互い違いに位置するように配置され、一方側の配線端部の実装端子と他
方側の配線端部の実装端子が互いに対向するように配置され、それぞれの側の検査端子及
び実装端子はそれぞれ同一直線上に整列配設されていることを特徴とする。
る配線端部同士が互い違いに位置するように配置され、一方側の配線端部の実装端子と他
方側の配線端部の実装端子が互いに対向するように配置され、それぞれの側の検査端子及
び実装端子はそれぞれ同一直線上に整列配設されていることを特徴とする。
上記態様によれば、記複数本の配線端部は隣接する配線端部同士が互い違いに位置する
ように配置されているため、検査端子及び実装端子を配設するスペースを縮小化できる。
しかも、一方側の配線端部の実装端子と他方側の配線端部の実装端子が互いに対向するよ
うに配置されているため、実装部品を載置する際にはそれぞれの側の検査端子が邪魔にな
ることがなく、容易に載置することができるようになる。しかも、それぞれの側の検査端
子と実装端子がそれぞれ同一直線上に整列配設されているため、検査端子への検査プロー
ブの接触が容易になり、検査作業の効率化を図ることができる。
ように配置されているため、検査端子及び実装端子を配設するスペースを縮小化できる。
しかも、一方側の配線端部の実装端子と他方側の配線端部の実装端子が互いに対向するよ
うに配置されているため、実装部品を載置する際にはそれぞれの側の検査端子が邪魔にな
ることがなく、容易に載置することができるようになる。しかも、それぞれの側の検査端
子と実装端子がそれぞれ同一直線上に整列配設されているため、検査端子への検査プロー
ブの接触が容易になり、検査作業の効率化を図ることができる。
また、本発明は、前記電気光学装置用基板において、前記絶縁層は、前記検査端子とな
る個所の高さが前記実装端子となる個所より高く形成されていることを特徴とする。
る個所の高さが前記実装端子となる個所より高く形成されていることを特徴とする。
上記態様によれば、検査端子はその高さが実装端子より高くなっているので、検査プロ
ーブの接触が簡単になり検査作業が容易になる。特に、複数個の検査端子が一直線上に整
列し、高い位置にあるため、検査プローブとして帯状導電体からなるプローブを使用する
ことが可能になり、検査作業が簡単になる。また、検査端子部の位置を実装端子部より肉
厚にし、高さを保つ事により、パネル検査時に検査プローブで導電性の配線に傷がついて
、実装端子部と導通する配線の断線を防ぐことができる。
ーブの接触が簡単になり検査作業が容易になる。特に、複数個の検査端子が一直線上に整
列し、高い位置にあるため、検査プローブとして帯状導電体からなるプローブを使用する
ことが可能になり、検査作業が簡単になる。また、検査端子部の位置を実装端子部より肉
厚にし、高さを保つ事により、パネル検査時に検査プローブで導電性の配線に傷がついて
、実装端子部と導通する配線の断線を防ぐことができる。
また、本発明は、前記電気光学装置用基板において、前記コンタクトホールは、前記実
装端子となる個所の前記絶縁層に形成されていることを特徴とする。
装端子となる個所の前記絶縁層に形成されていることを特徴とする。
上記態様によれば、層厚の薄い個所にコンタクトホールを形成することになるので、ホ
ールの形成が簡単になる。
ールの形成が簡単になる。
また、本発明の電気光学装置は、一対の対向する第1、第2基板間に電気光学材料が挟
持されて、一方の基板に配線された複数本の配線の端部に電子部品を接続する実装端子及
び検査端子が設けられた電気光学装置において、前記配線端部は、その配線端部の上に絶
縁層を介して導電層を設けて、該導電層は前記絶縁層を貫通したコンタクトホール通して
前記配線端部に電気的に接続して、前記導電層領域内に前記検査端子及び実装端子が形成
されていることを特徴とする。
持されて、一方の基板に配線された複数本の配線の端部に電子部品を接続する実装端子及
び検査端子が設けられた電気光学装置において、前記配線端部は、その配線端部の上に絶
縁層を介して導電層を設けて、該導電層は前記絶縁層を貫通したコンタクトホール通して
前記配線端部に電気的に接続して、前記導電層領域内に前記検査端子及び実装端子が形成
されていることを特徴とする。
上記態様によれば、電気光学装置、例えば液晶パネルなどに設ける検査端子及び実装端
子スペースを縮小できるため、パネルの小型化及び配線の高密集化、さらには電気光学装
置の小型化を図ることが可能になる。
子スペースを縮小できるため、パネルの小型化及び配線の高密集化、さらには電気光学装
置の小型化を図ることが可能になる。
また、本発明は、前記電気光学装置において、前記複数本の配線端部は、隣接する配線
端部同士が互い違いに位置するように配置され、一方側の配線端部の実装端子と他方側の
配線端部の実装端子が互いに対向するように配置され、それぞれの側の検査端子及び実装
端子はそれぞれ同一直線上に整列配設されていることを特徴とする。
端部同士が互い違いに位置するように配置され、一方側の配線端部の実装端子と他方側の
配線端部の実装端子が互いに対向するように配置され、それぞれの側の検査端子及び実装
端子はそれぞれ同一直線上に整列配設されていることを特徴とする。
上記態様によれば、前記複数本の配線端部は隣接する配線端部同士が互い違いに位置する
ように配置されているため、検査端子及び実装端子を配設するスペースを縮小化できる。
しかも、一方側の配線端部の実装端子と他方側の配線端部の実装端子が互いに対向するよ
うに配置されているため、実装部品を載置する際にはそれぞれの側の検査端子が邪魔にな
ることがなく、容易に載置することができるようになる。しかも、それぞれの側の検査端
子と実装端子がそれぞれ同一直線上に整列配設されているため、検査端子への検査プロー
ブの接触が容易になり、検査作業の効率化を図ることができる。
ように配置されているため、検査端子及び実装端子を配設するスペースを縮小化できる。
しかも、一方側の配線端部の実装端子と他方側の配線端部の実装端子が互いに対向するよ
うに配置されているため、実装部品を載置する際にはそれぞれの側の検査端子が邪魔にな
ることがなく、容易に載置することができるようになる。しかも、それぞれの側の検査端
子と実装端子がそれぞれ同一直線上に整列配設されているため、検査端子への検査プロー
ブの接触が容易になり、検査作業の効率化を図ることができる。
また、本発明の電気光学装置において、前記絶縁層は、前記検査端子となる個所の高さ
が前記実装端子となる個所より高く形成されていることを特徴とする。
が前記実装端子となる個所より高く形成されていることを特徴とする。
上記態様によれば、検査端子はその高さが実装端子より高くなっているので、検査プロ
ーブの接触が簡単になり検査作業が容易になる。特に、複数個の検査端子が一直線上に整
列し、高い位置にあるため、検査プローブとして帯状導電体からなるプローブを使用する
ことが可能になり、検査作業が簡単になる。また、検査端子部の位置を実装端子部より肉
厚にし、高さを保つ事により、パネル検査時に検査プローブで導電性の配線に傷がついて
、実装端子部と導通する配線の断線を防ぐことができる。
ーブの接触が簡単になり検査作業が容易になる。特に、複数個の検査端子が一直線上に整
列し、高い位置にあるため、検査プローブとして帯状導電体からなるプローブを使用する
ことが可能になり、検査作業が簡単になる。また、検査端子部の位置を実装端子部より肉
厚にし、高さを保つ事により、パネル検査時に検査プローブで導電性の配線に傷がついて
、実装端子部と導通する配線の断線を防ぐことができる。
また、本発明の電気光学装置において、前記コンタクトホールは、前記実装端子となる
個所の前記絶縁層に形成されていることを特徴とする。
個所の前記絶縁層に形成されていることを特徴とする。
上記態様によれば、層厚の薄い個所にコンタクトホールを形成することになるので、ホ
ールの形成が簡単になる。
ールの形成が簡単になる。
また、本発明の電気光学装置が搭載された電子機器の発明は、前述した検査端子及び実
装端子の構成を有した電子機器であることを特徴とする。
装端子の構成を有した電子機器であることを特徴とする。
上記態様によれば、検査端子及び実装端子スペースが縮小された電子機器を得ることが
できる。
できる。
以下、図を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は
、本発明の技術思想を具体化するための電気光学装置として液晶パネルを例示するもので
あって、本発明をこの液晶パネルに特定することを意図するものではなく、特許請求の範
囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
、本発明の技術思想を具体化するための電気光学装置として液晶パネルを例示するもので
あって、本発明をこの液晶パネルに特定することを意図するものではなく、特許請求の範
囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
図1は液晶パネルを構成するTFTアレイ基板をカラーフィルタ基板を透視して示した
平面図である。先ず、図1を参照して本発明の実施例に係る液晶パネルを説明する。
液晶パネル1は、互いに対向配置される矩形状の板材からなるTFTアレイ基板(以下
、TFT基板という)2と、この基板に貼り合わされる透明材料、例えばガラス板からな
るカラーフィルタ基板(以下、CF基板という)とを有している。これらのTFT基板2
及びCF基板は、一方の基板の外周囲にシール剤を塗布して、両基板を貼り合せて内部に
空間を形成し、この空間内に液晶を封入することによって液晶パネル1を構成している。
平面図である。先ず、図1を参照して本発明の実施例に係る液晶パネルを説明する。
液晶パネル1は、互いに対向配置される矩形状の板材からなるTFTアレイ基板(以下
、TFT基板という)2と、この基板に貼り合わされる透明材料、例えばガラス板からな
るカラーフィルタ基板(以下、CF基板という)とを有している。これらのTFT基板2
及びCF基板は、一方の基板の外周囲にシール剤を塗布して、両基板を貼り合せて内部に
空間を形成し、この空間内に液晶を封入することによって液晶パネル1を構成している。
TFT基板2及びCF基板上の対向面側には、種々の配線等が形成されている。このう
ち、CF基板には、TFT基板2の画素領域に合わせてマトリクス状に設けられたブラッ
クマトリクスと、このブラックマトリクスで囲まれた領域に設けた例えば赤、緑、青等の
カラーフィルタと、このカラーフィルタを覆うように設けた共通(コモン)電極とが設け
られている。
ち、CF基板には、TFT基板2の画素領域に合わせてマトリクス状に設けられたブラッ
クマトリクスと、このブラックマトリクスで囲まれた領域に設けた例えば赤、緑、青等の
カラーフィルタと、このカラーフィルタを覆うように設けた共通(コモン)電極とが設け
られている。
TFT基板2は、CF基板よりサイズが大きいものが使用され、CF基板と対向配置さ
せたときに所定スペースの張出し部2aが形成される。TFT基板2の張出し部2aには
、ソースドライバ及びゲートドライバ用半導体チップが実装されるチップ搭載領域Aが設
けられている。このTFT基板2は、その表面、すなわち液晶と接触する面に、図1の行
方向(横方向)に所定間隔をあけて配列された複数本のゲート線GW1〜GWMと、これ
らのゲート線GW1〜GWMと絶縁されて列方向(縦方向)に配列された複数本のソース
線SW1〜SWNとを有している。これらのソース線ゲート線GW1〜GWMとSW1〜
SWNとは、マトリクス状に配線されている。そして、互いに交差するゲート線GW1〜
GWMとソース線SW1〜SWNとで囲まれる各領域には、ゲート線GW1〜GWMから
の走査信号によってオンするスイッチング素子(図示省略)及びソース線SW1〜SWN
からの映像信号がスイッチング素子を介して供給される画素電極(図示省略)が形成され
ている。
せたときに所定スペースの張出し部2aが形成される。TFT基板2の張出し部2aには
、ソースドライバ及びゲートドライバ用半導体チップが実装されるチップ搭載領域Aが設
けられている。このTFT基板2は、その表面、すなわち液晶と接触する面に、図1の行
方向(横方向)に所定間隔をあけて配列された複数本のゲート線GW1〜GWMと、これ
らのゲート線GW1〜GWMと絶縁されて列方向(縦方向)に配列された複数本のソース
線SW1〜SWNとを有している。これらのソース線ゲート線GW1〜GWMとSW1〜
SWNとは、マトリクス状に配線されている。そして、互いに交差するゲート線GW1〜
GWMとソース線SW1〜SWNとで囲まれる各領域には、ゲート線GW1〜GWMから
の走査信号によってオンするスイッチング素子(図示省略)及びソース線SW1〜SWN
からの映像信号がスイッチング素子を介して供給される画素電極(図示省略)が形成され
ている。
これらのゲート線GW1〜GWMとソース線SW1〜SWNとで囲まれるそれぞれの領
域は、いわゆる個々の画素を構成し、これらの画素が形成されたエリアが表示領域DA、
すなわち画像表示部となっている。スイッチング素子には例えば薄膜トランジスタ(TF
T;Thin Film Transistor)が使用されている。各ゲート線GW1〜GWM及び各ソース
線SW1〜SWNは、表示領域DAの外へ延出されて表示領域外の周辺に引回されてソー
スドライバ及びゲートドライバ用半導体チップが搭載されるチップ搭載領域Aに導入され
て、不図示のICチップに接続されるようになっている。
域は、いわゆる個々の画素を構成し、これらの画素が形成されたエリアが表示領域DA、
すなわち画像表示部となっている。スイッチング素子には例えば薄膜トランジスタ(TF
T;Thin Film Transistor)が使用されている。各ゲート線GW1〜GWM及び各ソース
線SW1〜SWNは、表示領域DAの外へ延出されて表示領域外の周辺に引回されてソー
スドライバ及びゲートドライバ用半導体チップが搭載されるチップ搭載領域Aに導入され
て、不図示のICチップに接続されるようになっている。
図2は図1のII部分の拡大平面図である。図3Aは図2のIIIA−IIIA線の断面図、図
3BはIIIB−IIIB線の断面図であり、前者の図3Aは第1端子列、後者の図3Bは第2
端子列の断面構造を示している。
3BはIIIB−IIIB線の断面図であり、前者の図3Aは第1端子列、後者の図3Bは第2
端子列の断面構造を示している。
ここで、図2及び図3を参照してチップ搭載領域内における検査端子及び実装端子の配
列を説明する。チップ搭載領域Aには、それぞれのゲート線GW1〜GWM及び各ソース
線SW1〜SWNが導入されて、それぞれの配線端部に実装端子及び検査端子が形成され
る。図2はこれらのゲート線GW1〜GWM及びソース線SW1〜SWNのうち、ソース
線SW1〜SWNの端部に設けた実装端子及び検査端子の配列状態を示している。
列を説明する。チップ搭載領域Aには、それぞれのゲート線GW1〜GWM及び各ソース
線SW1〜SWNが導入されて、それぞれの配線端部に実装端子及び検査端子が形成され
る。図2はこれらのゲート線GW1〜GWM及びソース線SW1〜SWNのうち、ソース
線SW1〜SWNの端部に設けた実装端子及び検査端子の配列状態を示している。
それぞれのソース線SW1〜SWNは、TFT基板2上のゲート絶縁層上に配設されて
いるが、チップ搭載領域A内に導入される前に、このゲート絶縁層に設けられたコンタク
トホールを介してゲート線材料によって形成されたソース線の配線端部に接続されている
。
いるが、チップ搭載領域A内に導入される前に、このゲート絶縁層に設けられたコンタク
トホールを介してゲート線材料によって形成されたソース線の配線端部に接続されている
。
以下においては、各ソース先端部の構成をソース線SW1及びSW2の場合に代表させ
て説明する。これらのソース線端部のうち、ソース線SW1の端部は、チップ搭載領域A
の境界線A1から内側へ向かって所定の長さ延長されて、この延長部分には外側に検査端
子T1が設けられ、内側に実装端子B1が配設される。また、このソース線SW1に隣接
するソース線SW2の端部も、チップ搭載領域Aの境界線A1から内側へ向かって所定の
長さ延長されて、この延長部分にはソース線SW1とは逆に、外側に実装端子B2が設け
られ、内側に検査端子T2が配設されている。以下、前者の端子配列を「第1端子列TL
1」、後者の端子配列を「第2端子列TL2」という。他のソース線SW3〜SWNも同
様にして、これらの第1、第2端子列TL1、TL2が交互に配列されたものとなってい
る。
て説明する。これらのソース線端部のうち、ソース線SW1の端部は、チップ搭載領域A
の境界線A1から内側へ向かって所定の長さ延長されて、この延長部分には外側に検査端
子T1が設けられ、内側に実装端子B1が配設される。また、このソース線SW1に隣接
するソース線SW2の端部も、チップ搭載領域Aの境界線A1から内側へ向かって所定の
長さ延長されて、この延長部分にはソース線SW1とは逆に、外側に実装端子B2が設け
られ、内側に検査端子T2が配設されている。以下、前者の端子配列を「第1端子列TL
1」、後者の端子配列を「第2端子列TL2」という。他のソース線SW3〜SWNも同
様にして、これらの第1、第2端子列TL1、TL2が交互に配列されたものとなってい
る。
ソース線SW1の端部は、TFT基板2上において、実装端子B1が形成される位置ま
で延長して形成されており、このソース線SW1はゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4によ
って覆われている。そして、検査端子T1が形成される位置のゲート絶縁膜3及び保護絶
縁膜4の間にはソース配線材料で形成されたダミー端子STが形成されている。ここでは
、このダミー端子STは電気的には何処にも接続されておらず、フローティング状態とさ
れている。
で延長して形成されており、このソース線SW1はゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4によ
って覆われている。そして、検査端子T1が形成される位置のゲート絶縁膜3及び保護絶
縁膜4の間にはソース配線材料で形成されたダミー端子STが形成されている。ここでは
、このダミー端子STは電気的には何処にも接続されておらず、フローティング状態とさ
れている。
また、実装端子B1が形成される位置のゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4にはコンタク
トホールCHが形成されている。更に、この保護絶縁膜4上には導電層5が形成され、こ
の導電性層5はコンタクトホールCHを介してソース線SW1に電気的に接続されている
。そして、この導電層5によって第1端子列TL1の検査端子T1及び実装端子B1が形
成される。
トホールCHが形成されている。更に、この保護絶縁膜4上には導電層5が形成され、こ
の導電性層5はコンタクトホールCHを介してソース線SW1に電気的に接続されている
。そして、この導電層5によって第1端子列TL1の検査端子T1及び実装端子B1が形
成される。
また、第2端子列TL2の検査端子T2及び実装端子B2も、実装端子B1とは対称配
置された構成であるが、実装端子B1の場合と同様の構成を備えている。すなわち、ソー
ス線SW2の端部は、TFT基板2上において、検査端子T2が形成される位置まで延長
して形成されており、このソース線SW2はゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4によって覆
われている。そして、検査端子T2が形成される位置のゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4
の間にはソース配線材料で形成されたダミー端子STが形成されている。
置された構成であるが、実装端子B1の場合と同様の構成を備えている。すなわち、ソー
ス線SW2の端部は、TFT基板2上において、検査端子T2が形成される位置まで延長
して形成されており、このソース線SW2はゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4によって覆
われている。そして、検査端子T2が形成される位置のゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4
の間にはソース配線材料で形成されたダミー端子STが形成されている。
また、実装端子B2が形成される位置のゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4にはコンタク
トホールCHが形成されている。更に、この保護絶縁膜4上には導電層5が形成され、こ
の導電性層5はコンタクトホールCHを介してソース線SW2に電気的に接続されている
。そして、この導電層5によって第2端子列TL2の検査端子T2及び実装端子B2が形
成される。
トホールCHが形成されている。更に、この保護絶縁膜4上には導電層5が形成され、こ
の導電性層5はコンタクトホールCHを介してソース線SW2に電気的に接続されている
。そして、この導電層5によって第2端子列TL2の検査端子T2及び実装端子B2が形
成される。
このような構成にすると、検査端子と実装端子とは同一導電層により構成され、同一の
場所、いわゆる同一アイランド(島)内に配設されるので、両端子間に隙間をあけること
なく接近させることができる。その結果、これらの端子を設けるスペースを縮小すること
が可能になる。
場所、いわゆる同一アイランド(島)内に配設されるので、両端子間に隙間をあけること
なく接近させることができる。その結果、これらの端子を設けるスペースを縮小すること
が可能になる。
また、複数個の検査端子T1〜TM及び実装端子B1〜BMは、それぞれのソース線端
部と直交する方向において同一直線上に配列されている。この構造によって、例えば帯状
導電体からなる検査プローブを用い、この検査プローブを同一直線上の検査端子T1〜T
M列に接触させることにより一括して検査を行うことが可能になり、検査の作業時間を短
縮することができる。
部と直交する方向において同一直線上に配列されている。この構造によって、例えば帯状
導電体からなる検査プローブを用い、この検査プローブを同一直線上の検査端子T1〜T
M列に接触させることにより一括して検査を行うことが可能になり、検査の作業時間を短
縮することができる。
勿論、実装端子B1〜BMも同一直線上にあるので、半導体チップの実装には何ら支障
にならない。また、各検査端子T1〜TMは、ゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4の間には
ソース配線材料で形成されたダミー端子STが形成されているので、各実装端子B1〜B
Mより背高に形成するができるので、検査プローブとの接触が容易になり、検査作業がよ
り簡単になる。
にならない。また、各検査端子T1〜TMは、ゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4の間には
ソース配線材料で形成されたダミー端子STが形成されているので、各実装端子B1〜B
Mより背高に形成するができるので、検査プローブとの接触が容易になり、検査作業がよ
り簡単になる。
次に、第1、第2端子列TL1、TL2の形成方法をソース線SW1及びSW2の場合
に代表させて説明する。まず、TFT基板2上にアルミニウムやモリブデン等の金属材か
らなるゲート配線材料で作製されたソース線SW1、SW2の端部が実装端子B1、B2
の位置まで延長されるように形成され、この延長された部分及びその周辺が所定厚さのゲ
ート絶縁膜3で覆われる。このゲート絶縁膜3は、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形
成される。次いで、検査端子T1が形成される箇所のゲート絶縁膜上にはソース配線材料
で形成されたダミー端子STが配設される。
に代表させて説明する。まず、TFT基板2上にアルミニウムやモリブデン等の金属材か
らなるゲート配線材料で作製されたソース線SW1、SW2の端部が実装端子B1、B2
の位置まで延長されるように形成され、この延長された部分及びその周辺が所定厚さのゲ
ート絶縁膜3で覆われる。このゲート絶縁膜3は、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形
成される。次いで、検査端子T1が形成される箇所のゲート絶縁膜上にはソース配線材料
で形成されたダミー端子STが配設される。
このダミー端子STは、アルミニウムやモリブデン等の金属材で形成される。このダミ
ー端子STは、基板上のいずれの配線にも接続されない。このソース線を設けることによ
り、検査端子T1、T2を実装端子B1、B2より一段背高に形成できる。続いて、この
ダミー端子ST及びゲート絶縁膜3の全体が所定厚の保護絶縁膜4で覆われる。この保護
絶縁膜4は、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成される。
ー端子STは、基板上のいずれの配線にも接続されない。このソース線を設けることによ
り、検査端子T1、T2を実装端子B1、B2より一段背高に形成できる。続いて、この
ダミー端子ST及びゲート絶縁膜3の全体が所定厚の保護絶縁膜4で覆われる。この保護
絶縁膜4は、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成される。
その後、実装端子B1、B2が形成される位置のゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4にコ
ンタクトホールCHが形成される。最後に、検査端子T1、T2上の保護絶縁膜4、実装
端子B1、B2が形成される部位に設けられたコンタクトホールCHの表面に所定の厚さ
の導電層5が形成される。この導電層5はITO(Indium Tin Oxide)ないしIZO(In
dium Zinc Oxide)から形成される。
ンタクトホールCHが形成される。最後に、検査端子T1、T2上の保護絶縁膜4、実装
端子B1、B2が形成される部位に設けられたコンタクトホールCHの表面に所定の厚さ
の導電層5が形成される。この導電層5はITO(Indium Tin Oxide)ないしIZO(In
dium Zinc Oxide)から形成される。
このITO等の導電膜からなる導電層5は、コンタクトホールCHを介して基板2上の
ソース線SW1及びSW2の端部に電気的に接続される。導電層5は、コンタクトホール
CHが形成された箇所が実装端子B1、B2となり、ダミー端子STが配線された箇所が
検査端子T1、T2となる。このようにして、ゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4の積層体
からなる絶縁層は、検査端子T1、T2となる個所の層厚が実装端子B1、B2となる個
所より肉厚に形成されることになる。
ソース線SW1及びSW2の端部に電気的に接続される。導電層5は、コンタクトホール
CHが形成された箇所が実装端子B1、B2となり、ダミー端子STが配線された箇所が
検査端子T1、T2となる。このようにして、ゲート絶縁膜3及び保護絶縁膜4の積層体
からなる絶縁層は、検査端子T1、T2となる個所の層厚が実装端子B1、B2となる個
所より肉厚に形成されることになる。
このような構成によると、第1、第2端子列は、いずれも液晶パネルの製造時にこのパ
ネルに使用される材料を用いて各配線工程で同時に形成することができる。したがって、
特別な材料を使用することなく、また特別な工程を追加することなく簡単に形成できる。
ネルに使用される材料を用いて各配線工程で同時に形成することができる。したがって、
特別な材料を使用することなく、また特別な工程を追加することなく簡単に形成できる。
上記の実施例の液晶パネル1では、第1、第2端子列における検査端子と実装端子とを
同一場所、いわゆる同一アイランド(island:島)内に形成したが、両端子間を若干離し
て、異なるアイランド内に形成しても、ほぼ同じ作用効果が得られる。
同一場所、いわゆる同一アイランド(island:島)内に形成したが、両端子間を若干離し
て、異なるアイランド内に形成しても、ほぼ同じ作用効果が得られる。
なお、上記実施例の液晶パネルでは、第1、第2端子列における検査端子をソース線S
W1〜SWN用のものとして説明したが、ゲート線GW1〜GWM用のものも同様の構成
のものとすることができる。さらに、ダミー端子STを電気的に何処にも接続せずにフロ
ーティング状態とした例を示したが、このダミー端子STは、ダミー端子ST上の保護絶
縁膜4にコンタクトホールを形成して導電層5に接続してもよい。更に、検査端子T1、
T2の高さが低くなってもよければ、ダミー端子STを省略してもかまわない。
W1〜SWN用のものとして説明したが、ゲート線GW1〜GWM用のものも同様の構成
のものとすることができる。さらに、ダミー端子STを電気的に何処にも接続せずにフロ
ーティング状態とした例を示したが、このダミー端子STは、ダミー端子ST上の保護絶
縁膜4にコンタクトホールを形成して導電層5に接続してもよい。更に、検査端子T1、
T2の高さが低くなってもよければ、ダミー端子STを省略してもかまわない。
次に、図4、図5を参照して実施例2を説明する。
図4は実施例2の端子列を示した平面図、図5Aは図4のVA−VA線の断面図、図5
Bは図4のVB−VB線の断面図である。これらの図4、図5は実施例の図2及び図3に
対応している。
Bは図4のVB−VB線の断面図である。これらの図4、図5は実施例の図2及び図3に
対応している。
この実施例2の端子列は、それぞれ第1、第2端子列TL1'、TL2'において、各検
査端子T1〜TMと各実装端子B1〜BMとの間に隙間Lが形成された構成を有している
。他の構成は、上記の第1、第2端子列TL1、TL2の場合と同じになっている。すな
わち、第1、第2端子列TL1'、TL2'の各検査端子T1〜TMと各実装端子B1〜B
Mとは、隙間Lで分離されているが、同一の導電層で繋がっており、この導電層上に実装
端子B1〜BM及び検査端子T1〜TMが形成されている。
査端子T1〜TMと各実装端子B1〜BMとの間に隙間Lが形成された構成を有している
。他の構成は、上記の第1、第2端子列TL1、TL2の場合と同じになっている。すな
わち、第1、第2端子列TL1'、TL2'の各検査端子T1〜TMと各実装端子B1〜B
Mとは、隙間Lで分離されているが、同一の導電層で繋がっており、この導電層上に実装
端子B1〜BM及び検査端子T1〜TMが形成されている。
なお、本発明における基板上の検査とは、電気光学装置用基板における不具合、例えば
配線状態、ドット不良、断線、パターン繋がり、表示不良等の様々な不具合を、前述した
検査端子で検査する事を目的としたものである。
配線状態、ドット不良、断線、パターン繋がり、表示不良等の様々な不具合を、前述した
検査端子で検査する事を目的としたものである。
以上、本発明の実施例として液晶パネルの例を説明したが、本発明はこれに限定される
ものでなく、他の表示パネル、例えば無機あるいは有機EL素子を用いた表示装置、プラ
ズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置などの表
示パネルにも適用できるものである。また、これらの装置、例えば液晶パネルを搭載した
液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末などの電子機器に
使用される。
ものでなく、他の表示パネル、例えば無機あるいは有機EL素子を用いた表示装置、プラ
ズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置などの表
示パネルにも適用できるものである。また、これらの装置、例えば液晶パネルを搭載した
液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末などの電子機器に
使用される。
図6Aは液晶表記パネル21を搭載したパーソナルコンピュータ20を示す図であり、
図6Bは液晶表記パネル31を搭載した携帯電話機30を示す図である。これらのパーソ
ナルコンピュータ20及び携帯電話機30の基本的構成は当業者に周知であるので、詳細
な説明は省略する。
図6Bは液晶表記パネル31を搭載した携帯電話機30を示す図である。これらのパーソ
ナルコンピュータ20及び携帯電話機30の基本的構成は当業者に周知であるので、詳細
な説明は省略する。
1…液晶パネル 2…TFTアレイ基板(TFT基板) 3…ゲート絶縁膜 4…保護絶
縁膜 5…導電層 A…半導体チップ搭載領域 B1〜BM…実装端子 CH…コンタク
トホール T1〜TM…検査端子 TL1、TL1' …第1端子列 TL2、TL2' …
第2端子列
縁膜 5…導電層 A…半導体チップ搭載領域 B1〜BM…実装端子 CH…コンタク
トホール T1〜TM…検査端子 TL1、TL1' …第1端子列 TL2、TL2' …
第2端子列
Claims (9)
- 基板上に配線された複数本の配線端部に、電子部品を接続する実装端子と、前記配線端
部に接続された検査端子とを有する電気光学装置用基板において、
前記配線端部は、その配線端部を被覆する絶縁層上に導電層が形成され、該導電層は前
記絶縁層を貫通するコンタクトホールを通して前記配線端部に電気的に接続され、前記導
電層領域内に前記検査端子及び実装端子が形成されていることを特徴とする電気光学装置
用基板。 - 前記複数本の配線端部は、隣接する配線端部同士が互い違いに位置するように配置され
、一方側の配線端部の実装端子と他方側の配線端部の実装端子が互いに対向するように配
置され、それぞれの側の検査端子及び実装端子はそれぞれ同一直線上に整列配設されてい
ることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置用基板。 - 前記絶縁層は、前記検査端子となる個所の高さが前記実装端子となる個所より高く形成
されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置用基板。 - 前記コンタクトホールは、前記実装端子となる個所の前記絶縁層に形成されていること
を特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電気光学装置用基板。 - 一対の対向する第1、第2基板間に電気光学材料が挟持されて、一方の基板に配線され
た複数本の配線の端部に電子部品を接続する実装端子及び検査端子が設けられた電気光学
装置において、
複数本の配線の端部は、その配線端部を被覆する絶縁層上に導電層が形成され、該導電
層は前記絶縁層を貫通するコンタクトホールを通して前記配線端部に電気的に接続され、
前記導電層領域内に前記検査端子及び実装端子が形成されていることを特徴とする電気光
学装置。 - 前記複数本の配線端部は、隣接する配線端部同士が互い違いに位置するように配置され
、一方側の配線端部の実装端子と他方側の配線端部の実装端子が互いに対向するように配
置され、それぞれの側の検査端子及び実装端子はそれぞれ同一直線上に整列配設されてい
ることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。 - 前記絶縁層は、前記検査端子となる個所の高さが前記実装端子となる個所より高く形成
されていることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。 - 前記コンタクトホールは、前記実装端子となる個所の前記絶縁層に形成されていること
を特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載の電気光学装置。 - 請求項5〜8のいずれかに記載の電気光学装置が搭載されたことを特徴とする電子機器
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007078386A JP2008241801A (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 電気光学装置用基板、この基板を用いた電気光学装置及びこの電気光学装置を搭載した電子機器。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007078386A JP2008241801A (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 電気光学装置用基板、この基板を用いた電気光学装置及びこの電気光学装置を搭載した電子機器。 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008241801A true JP2008241801A (ja) | 2008-10-09 |
Family
ID=39913284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007078386A Withdrawn JP2008241801A (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 電気光学装置用基板、この基板を用いた電気光学装置及びこの電気光学装置を搭載した電子機器。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008241801A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010243722A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Ips Alpha Technology Ltd | 表示装置 |
KR20130024391A (ko) * | 2011-08-31 | 2013-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
JP2014041349A (ja) * | 2013-07-29 | 2014-03-06 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 表示装置 |
JP2016045371A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007078386A patent/JP2008241801A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010243722A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Ips Alpha Technology Ltd | 表示装置 |
US8760611B2 (en) | 2009-04-03 | 2014-06-24 | Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. | Display device comprising a plurality of upper-layer lines with exposed upper surfaces which are not covered, a plurality of lower-layer lines, and a plurality of adjustment layers |
KR20130024391A (ko) * | 2011-08-31 | 2013-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
KR101879410B1 (ko) | 2011-08-31 | 2018-08-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
JP2014041349A (ja) * | 2013-07-29 | 2014-03-06 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 表示装置 |
JP2016045371A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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