JP2008235839A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体基板の極薄化に伴うチップクラックの発生を防止し、実装信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板５上に形成された配線パターン６に、所望の素子領域に形成された半導体基板７の接続用端子９をフリップチップ方式で接続した半導体装置１であって、前記配線パターンを担持した前記絶縁性基板が、前記接続用端子の突出部を前記配線パターン側で吸収しうる程度に、前記接続用端子との当接部における、表面の弾性定数が前記半導体基板より大きくなるように形成されたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法にかかり、特にフェースダウン方式を用いた、フィルムキャリア上への極薄の半導体基板（ＩＣチップ）の実装に関するものである。

近年、携帯電話、携帯情報端末、ＩＣカードを初めとして、電子機器関係の分野においては、小型化、薄型化の需要の増大に伴い、それらの機器に搭載される電子部品の高密度化、低背実装が進んできている。例えば、ＩＣカードを駆動するための素子領域の形成された半導体基板（以下ＩＣチップ）の多くは、絶縁性フィルム上に金属配線のパターンを形成した所謂ロール状態のアンテナパターンシートにＩＣチップをベアチップと称する裸状態のまま、フェースダウン方式で実装することで、薄型、低背実装を実現している。これらの実装方式は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）実装方式と呼ばれている。

この非接触型のＩＣカードは、一般的に次のような工程を経て作製される。
（１） 樹脂製のシートにアルミや銅等の金属箔を貼着したシート状の基板を出発材料とし、アンテナ回路を形成するための印刷を行い、前記金属箔をパターニング処理する。
（２） パターニング処理により形成されたアンテナ回路上に、直接、ＩＣチップをベアチップ実装したＩＣモジュールと、そのＩＣモジュールの両面に接着剤又は接着剤シートを積層し、更にその外側にプラスチック製の樹脂シートを積層する。
（３） この状態で、加熱プレス機を用いて熱融着によって一体化させる。
（４） 金型などを用いて所定サイズに打ち抜く。

代表的なＣＯＦ実装の一例を、図６に示す。まず図６（ａ）に示すように、接着シート１０５Ｓを介して絶縁性フィルム１０５上にアルミニウム箔などの金属箔を貼着し、アンテナ回路及び回路電極などの配線パターン１０６をパターニングし、アンテナパターンシートを形成する。
次いで、図６（ｂ）に示すように、このアンテナパターンシートを構成する絶縁性フィルム１０５上のＩＣチップ１０７が実装される領域に熱硬化性の樹脂１０８を塗布する。
次に、図６（ｃ）に示すように、ＩＣチップ１０７を加熱ヘッド２０００に吸着させ、このＩＣチップ１０７の配線パターン１０６の形成面が上記絶縁性フィルム面と向かい合うように配置し、ＩＣチップ上の電極部と、絶縁性フィルム１０５上の配線パターンとを位置合わせする。この状態で加熱ヘッドを押圧し、熱硬化性の樹脂をＩＣチップの配線パターン面と絶縁性フィルム面との間に充填する。その後、加熱ヘッドでＩＣチップを加熱し、充填させた接着剤を完全硬化させ、ＩＣチップとフィルムとを密着させる。そのことにより、ＩＣチップ上の電極部と、フィルム上の配線パターンとの接続状態が維持され、接続信頼性が確保される。

また、ＩＣチップの接続用端子であるバンプを、プリント基板上の配線パターンに押し付けることにより、凹部を形成し、接着剤塗布後、この凹部に対して位置決めを行うことにより、フェースダウン方式でＩＣチップをプリント基板上の配線パターンに接続するように実装する方法も提案されている（特許文献１）

特開平１１-１６９４５号公報

しかし近年半導体装置の薄型化への要求は進む一方であり、このようなフェースダウン方式を用いることによる、薄型実装だけでは対応しきれなくなり、プリント基板に代えて絶縁性フィルムが用いられるだけでなく、半導体基板としても５０μｍを越える薄いシリコン基板を用いたＩＣチップが用いられるようになってきている。半導体基板自体が薄型化しても、接続を確実にするためにはバンプの高さはある程度必要であり、小型化および微細化に伴いバンプのアスペクト比は高くなる一方である。
このような状況の中で、種々の試みがなされているが、シリコン基板は、硬く安定な材料である半面、脆性が高いため、上述のような極薄化に伴い、接続用端子として用いられるバンプ（突出部）に起因する応力によって接合時あるいは接合後に、バンプ１０９に起因する応力により、ＩＣチップ１０７に、われや欠けが生じ、製造歩留まりが極度に低下したり、寿命が低下したりすることがわかった。
さらにまたこの問題はガリウム砒素などの化合物半導体基板の場合さらに脆性が高く、ほとんど実用化レベルでは薄型化が困難であることがわかった。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、半導体基板の極薄化に伴うチップクラックの発生を防止し、実装信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明の半導体装置は、絶縁性基板上に形成された配線パターンに、所望の素子領域に形成された半導体基板の接続用端子をフリップチップ方式で接続した半導体装置であって、前記配線パターンを担持した前記絶縁性基板が、前記接続用端子の突出部を前記配線パターン側で吸収しうる程度に、前記接続用端子との当接部における表面の弾性定数が前記半導体基板より大きくなるように形成されたことを特徴とする。
この構成によれば、絶縁性基板が、半導体基板の接続用端子である突出部を吸収しうる程度に弾性定数が大きくなるように構成されており、半導体チップのクラックの発生を低減することができる。なお、ここで弾性定数の測定は困難であるが、当接させて、変形が生じる側をより弾性定数が大きいというものとする。

また本発明は、上記半導体装置において、前記絶縁性基板は、表面に接着性樹脂を有し、前記接着性樹脂を備えた表面として前記半導体基板よりも弾性定数が大きくなるように形成されたものを含む。
この構成によれば、絶縁性基板そのもので応力が吸収できなくても接着性樹脂を含めて表面として応力吸収が出来る程度の弾性定数をもつようにすればよい。

また本発明は、上記半導体装置において、前記絶縁性基板は、前記配線パターンの弾性定数に応じて、表面に接着性樹脂を有し、前記接着性樹脂を備えた表面として前記半導体基板よりも弾性定数が大きくなるように組成が選択されたものを含む。
この構成によれば、絶縁性基板そのもので応力が吸収できなくても、前記配線パターンの弾性定数に応じて、接着性樹脂を含めて表面として応力吸収が出来る程度の弾性定数をもつようにすればよい。

また本発明は、上記半導体装置において、前記絶縁性基板は、絶縁性フィルムであり、前記配線パターンは、前記絶縁性フィルム上に接着剤を介して貼着された金属箔のパターンであるものを含む。
この構成によれば、絶縁性基板そのもので応力が吸収できなくても接着性樹脂を含めて表面として応力吸収が出来る程度の弾性定数をもつようにすればよい。

また本発明は、上記半導体装置において、前記配線パターン内に、前記接続用端子が陥入したものを含む。

また本発明は、上記半導体装置において、前記半導体基板は前記接続用端子形成面に対向する面で平坦であるものを含む。

また本発明は、上記半導体装置において、前記絶縁性基板が前記半導体基板に比べて、大きく湾曲したものを含む。

また本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁性基板上に形成された配線パターンに、所望の素子領域に形成された半導体基板の接続用端子をフリップチップ方式で接続し、半導体装置を形成する方法であって、前記接続用端子の突出部（バンプ）を前記配線パターン側で吸収しうる程度に、前記接続用端子との当接部において、表面の弾性定数が前記半導体基板より大きくなるように、前記配線パターンを担持した前記絶縁性基板を用意する工程（ａ）と、前記絶縁性基板に前記半導体基板を位置あわせする工程（ｂ）と、前記絶縁性基板が前記半導体基板よりもより大きく湾曲するように固着する工程（ｃ）とを含む。
この構成によれば、固着する工程において、絶縁性基板が湾曲することで、バンプに起因する応力を緩和することができ、半導体基板の物理的破壊や特性変動を防止することが可能となる。

また本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）は、表面に接着性樹脂を有し、前記接着性樹脂を備えた表面として前記半導体基板よりも弾性定数が大きくなるように絶縁性基板を形成する工程を含む。

また本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）は、前記配線パターンの弾性定数に応じて、表面に接着性樹脂を有し、前記接着性樹脂を備えた表面として前記半導体基板よりも弾性定数が大きくなるように、前記絶縁性基板の組成を選択する工程を含む。

また本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）は、前記絶縁性基板としての絶縁性フィルム上に接着剤を介して貼着された金属箔を貼着する工程と、前記金属箔をパターニングし回路パターンを形成する工程とを含む。

また本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記固着する工程（ｃ）は、前記配線パターン内に、前記接続用端子が陥入するように固着する工程を含む。

また本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記固着する工程（ｃ）は、前記半導体基板は前記接続用端子形成面に対向する面で平坦であるように固着する工程を含む。

また本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記固着する工程（ｃ）は、前記絶縁性基板が前記半導体基板に比べて、大きく湾曲するように固着する工程を含む。

以上詳述したように、本発明は、バンプに起因する応力を吸収しうるように絶縁性基板側を調整することにより、極薄基板を用いた場合にも、絶縁性基板側が湾曲することで、チップクラックを生じることなく、極薄基板の物理的破壊やＶｔなどの特性変動などを生じることなく高信頼性を維持することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置を示す図、図２(a)〜(c)は、本発明による半導体装置の製造工程前半を説明するための図、図３(ａ)〜(ｄ)は、本発明による半導体装置の製造工程後半を説明するための図である。
本発明の半導体装置は、アルミニウムの配線パターン６を担持した絶縁性基板としての絶縁性フィルム５を、厚さ38μm のポリイミド樹脂で構成し、アンテナ駆動用の駆動回路を備えたＩＣチップ７を構成する厚さ５０μｍのシリコン基板表面に形成された高さ２５μｍの金バンプ（接続用端子）９の突出形状を配線パターン６側で吸収しうる程度に、接続用端子９との当接部において、表面の弾性定数が前記半導体基板より大きくなるように形成され、図１に示すように、絶縁性フィルム５が湾曲し、ＩＣチップ７は平坦な状態を維持している。

ここでバンプ９は厚さ１μｍのアルミニウムパッド９ｎ上に形成されている。このバンプは、金ワイヤをアルミニウムパッド９ｎ上に丸くして落とすことで形成されるいわゆるスタッドバンプと証するものである。

次に本発明の半導体装置の製造方法について説明する。この方法は、絶縁性フィルム５上に形成された配線パターン６に、所望の素子領域に形成された半導体基板７の接続用端子としてのバンプ９をフリップチップ方式で接続し、半導体装置を形成する方法である。ここで用いられる半導体基板は上述したように所望の素子領域が形成された厚さ５０μｍの極薄のシリコンチップである。

この方法では、接続用端子の突出部９を配線パターン６側で吸収しうる程度に、前記接続用端子９との当接部において、表面の弾性定数がＩＣチップを構成する半導体基板より大きくなるように、配線パターンを担持した絶縁性基板を用意し、前記絶縁性基板に前記半導体基板を位置あわせして、前記絶縁性基板が前記半導体基板よりもより大きく湾曲するように固着するようにしたことを特徴とする。

以下本発明の半導体装置の製造方法について図面を参照しつつ詳細に説明する。
この方法は、接着剤の濡れ性を向上し信頼性の高い固着を実現するために、上記構成に加えて、接着剤を粘性の異なる２種で構成している。すなわち、接着剤を第１および第２の接着剤で構成し、ここで第２の接着剤よりも第１の接着剤の方が、流動化されたときの粘度が低くなるように材料を選択する。

まず図２（ａ）に示すように、接着シート５Ｓを介して絶縁性フィルム５上にアルミニウム箔を貼着し、アンテナ回路及び回路電極などの配線パターン１０６をパターニングし、アンテナパターンシートを形成する。この状態で、図示しない加熱ヘッドを装着し６０から２００℃５秒以上の熱処理を行うことにより、接着シート５Ｓおよび絶縁性フィルム上の水分を蒸発させる。
次いで、図２（ｂ）に示すように、このアンテナパターンシートを構成する絶縁性フィルム５上のＩＣチップが実装される領域にディスペンサ法により、第１の接着剤として熱硬化性の樹脂８ａを塗布する。

こののち、図２（ｃ）に示すように、バックアップ加熱ヒータ１００をＯＮとし、第１接着剤が流動化しかつ、硬化開始温度よりも低い温度、例えば、５０〜８０℃で３０秒〜５分程度で加熱し、第１の接着剤８ａを流動化し、表面張力により、端面でフィレット状となるように拡げる。第１の接着剤８ａは、粘度を低く設定しているために、塗布量が安定して塗布される。さらに、バックアップ加熱ヒータ１００をＯＮすることにより、更に粘度が下がり、濡れ広がり性が向上し、アンテナ回路と接着シートとの段差には、フィレット形状が形成され、かつ、接着シート５Ｓの表面にも、第１の接着剤８ａの薄膜が形成される。

次に、図３（ａ）に示すように、第１の接着剤として熱硬化性の樹脂８ａを塗布した上に、ディスペンサ法により第２の接着剤として熱硬化性の樹脂８ｂを塗布する。このときも、前工程同様に、第２の接着剤の塗布に先立ちバックアップ加熱ヒータ１００によりアンテナシートを加熱し、アンテナシートの水分の吸湿を防止する。

こののち、図３（ｂ）に示すように、バックアップ加熱ヒータ１００をＯＮとし、第２接着剤が流動化しかつ、硬化開始温度よりも低い温度、例えば、５０〜８０℃で３０秒〜５分程度加熱し、把持部としての吸着ヘッド３００でＩＣチップ７を吸着し位置あわせを行い、アンテナパターンシートを構成する絶縁性フィルム５上のＩＣチップが実装される領域にこのＩＣチップ７を載置する。このとき、推力をかけて加圧するが、吸着ヘッド３００は、常温保持状態で、図３（ｃ）の最終硬化工程のように１５０〜２００まで加熱を行わないため、ＩＣチップ７からの熱伝導による絶縁性フィルム５への加熱が無いため、絶縁性フィルム５が軟化せず、ＩＣチップ７の接続端子であるバンプ９が配線パターン６にくさび上に食い込まない。つまり、ＩＣチップ７と配線パターン６間の距離は、バンプ９の高さを保持しており、バックアップ加熱ヒータ１００により加熱され流動化した第２の接着剤８ｂは、ＩＣチップ７下に保持されたままである。その為、ＩＣチップ７の上面部まで第２の接着剤８ｂは、這い上がらず、仮圧着ヘッド３００に第２の接着剤８ｂは付着しない。

そして最後に、図３（ｃ）に示すように、バッファ材５００としてテフロン製の板状体を加熱ヘッド４００とＩＣチップ７との間に介在させた状態で、加熱ヘッド４００を１５０〜２００℃、バックアップ加熱ヒータを５０〜１００℃で５〜２０秒両面から加熱し、流動化した第１および第２の接着剤を硬化させる。

このようにして、図１に示したように、熱硬化性の樹脂８ａ，８ｂを、ＩＣチップ７のバンプ９と配線パターン６の形成された絶縁性フィルム面との間に充填し、充填した接着剤を完全硬化させ、ＩＣチップと絶縁性フィルムとを密着させる。このとき、絶縁性フィルム５が湾曲することでＩＣチップ７への応力を低減し、チップクラックの発生を防止する。このことにより、ＩＣチップ上の電極部であるバンプと、絶縁性フィルム上の配線パターンとの接続状態が維持され、接続信頼性が確保される。

加えて、この工程においては、粘度調整された第２の接着剤でも、這い上がりを生じてしまう場合もあるが、ＩＣチップ７と加熱ヘッド４００との間には、接着性が悪く、かつ、耐薬品性、耐熱性の高い材料である、テフロン製のバッファ材５００を配置しているために、仮に、第２の接着剤８ｂが這い上がってきたとしても、本加熱ヘッド４００には、第２の接着剤８ｂは付着することがない。

また、バッファ材５００が剛性を持つ材料で構成されていれば、加熱ヘッド４００に付着物が付着していたとしても、ＩＣチップに局所的な力がかかることなく加圧できるため、クラックの発生は抑制される。
このようにして、ＩＣチップの極薄化に際してもボイドの発生を抑制し、かつ、加熱ヘッドに接着剤付着することがなく、安定した半導体モジュールを製造することが可能となる。

また、本実施の形態のＩＣカード１を、図４に示す。ＩＣモジュールは図４（ａ）および（ｂ）に平面図および断面図を示すように、ＩＣモジュール２と、ＩＣモジュール２を挟むように両面配置される中間接着層３と、表層ラミネート層４とを備えて構成することができる。ＩＣカード１の基材となる絶縁性フィルム５には、耐熱性の高い、ＰＩ（ポリイミド製のシート）からなる樹脂製のシートが用いられる。この絶縁性フィルムでは薄くかつフレキシブルであるため、ＩＣチップ７のクラックを防止することができる。
なお前記実施の形態では、絶縁性フィルムとしてポリイミドを用いたがこのほか例えばＰＥＴ（ポリエステルテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などを用いてもよい。基体の材料、厚さや、接着性樹脂、配線パターンの膜厚、材料などを調整することで、弾性定数を調整し、ＩＣチップに対してより弾性定数が大きくなるようにすればよい。

次にＩＣモジュール２について説明する。
中間接着層３は、ＩＣモジュール２と表層ラミネート層４とを接合させる機能を持つものであり、加熱により溶解し流動性を帯びる接着シート材料、例えばホットメルト接着剤により形成されたシートからなる。表層ラミネート層４にはＰＥＴ、ＰＴＥ−Ｇ、塩化ビニルなどの材料の樹脂シートが用いられる。

また回路パターン６は、ＩＣモジュール２を構成する絶縁性フィルム５の片面（もしくは両面）に貼着された、アルミニウムもしくは銅等の金属箔をコイル状にパターニングして形成されている。なお、上記の中間接着層３及び表層ラミネート層４が、本明細書で云うＩＣモジュール２を保護する保護部材である。

回路パターン６は、カードリーダ等の外部機器との間で信号の送受信を行うためのアンテナとして使用される以外に、カードリーダ等の外部機器からＩＣチップ７が動作するための電力を受ける受電手段として使用される。すなわち、カードリーダ等の外部機器から送信される電磁波によってアンテナ回路に電力が誘起され、この電力を回路パターン６に実装したＩＣチップ７の駆動電源として使用する。

ＩＣチップ７は、チップ接合用接着剤８にてバンプ９を介して回路パターン６に接合される。チップ接合用接着剤８ａ，８ｂは、上述したように２工程で、ペースト状態でディスペンサ（図示略）によりＩＣモジュール２の絶縁性フィルム５上に塗布されるか、印刷法により塗布される。あるいは、シート状のチップ接合用接着剤８が、ＩＣモジュール２の絶縁性フィルム５に取り付けられて、ＩＣチップ７を取り付ける場合もある。

また、ＩＣチップ７は、その略全域が、衝撃吸収用とした封止樹脂１０で覆われている。この封止樹脂１０は、完全硬化時において低硬度値をとる物性を有し、弾性定数が１ＧＰａ以下の接着剤である。

封止樹脂１０は、ＩＣチップ７への衝撃を吸収する衝撃吸収用として用いられる以外にＩＣチップ７の直上位置に配置される補強板１１をＩＣチップ７に接合させるためにも作用する。封止樹脂１０の使用量、即ちＩＣチップ７への充填量は、補強板１１の投影面積よりも増大するように設定され、且つ、ＩＣチップ７と補強板１１との間の封止樹脂厚が５μｍ以上となるように設定されている。なお、ＩＣチップ７は、外部ストレスによる影響を最小限に抑えるため（即ちチップ表面及びダイシングカット面におけるマイクロクラックを防止するため）に、エッチング処理を施した物の使用が好適である。

封止樹脂１０の形成はたとえば、ＩＣチップ７が実装された状態のＩＣモジュール２の上方を含む略全域に、封止樹脂１０を塗布する面積、塗布厚さに調整された形状の穴が穿たれた接着剤用塗布マスク用意し、このマスクを介してディスペンサにより必要量の封止樹脂を塗布する。

そして接着剤用スキージを引いて封止樹脂１０をＩＣチップ７の周囲に充填し、封止樹脂１０を所定の硬化温度、硬化時間を経て硬化させる。

また、このＩＣチップの裏面側に必要に応じて反り防止用の切り欠き穴１２を有する補強板１１を装着してもよい。

そして、まず補強板１１を配置して完成したＩＣモジュール２をその両面側から中間接着層３で挟み込み、更にその外側に表層ラミネート層４を挟み込んで、合計５層構造を確立する。その後、図示しない熱プレス装置により、中間接着層３を流動化させ、厚さが均一になるように真空、加圧、加熱を行い、各層を接着させる。その後、冷却し接着剤の固化後、所定サイズに金型で打ち抜く。これによりＩＣカード１が完成する。

このようにして形成された、本実施の形態のＩＣカード１によれば、ＩＣチップと基体である絶縁性フィルムとの接続を確実かつ強固に行うことができることから、常に安定して通信を行うことが可能となる。

なお、上記実施の形態に限定されることなく、絶縁性基板そのもので応力が吸収できなくても接着性樹脂を含めて表面として応力吸収が出来る程度の弾性定数をもつようにすればよい。
また、絶縁性基板そのもので応力が吸収できなくても、前記配線パターンの弾性定数に応じて、接着性樹脂を含めて表面として応力吸収が出来る程度の弾性定数をもつようにすればよい。
さらにまた本発明は、絶縁性基板そのもので応力が吸収できなくても配線パターンを構成する金属箔を接着するための接着性樹脂をも含めて表面として応力吸収が出来る程度の弾性定数をもつようにすればよい。

（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態２としてバンプの構造の変形例について説明する。
前記実施の形態１では、シリコン基板７の表面にアルミニウムパッド９ｎを介してスタッドバンプ９を形成した物について説明したが、図５（ａ）に示すようにシリコン基板表面に形成されたアルミニウムパッド９ｎ上に膜厚２μ〜３０μのニッケルめっき層９ｏ、膜厚１μ〜５μの金めっき層９ｐを積層してＩＣチップ７を構成したものも適用可能である。
また、このようにして形成されたＩＣチップ７を絶縁性フィルム上に形成した配線パターンに固着するに際し、図５（ｂ）に示すように、配線パターン６のみがくぼむようにしてもよい。
この構成によっても、配線パターン６によってバンプに起因する応力が吸収されチップクラックは防止される。

なお前記実施の形態では、厚さ５０μｍのシリコン基板を用いたが、５０μｍ以下さらに望ましくは３５μｍ以下の極薄チップを用いた場合に特に有効である。

以上のように、本発明に係る半導体装置では、バンプに起因する応力を吸収しうるように配線パターンを備えた絶縁性基板側の素材あるいは厚さを調整しているため、５０μｍ以下の極薄チップを用いる場合に特に有効であり、次世代の携帯電話、携帯情報端末、ＩＣカード等の半導体製品生産時の不良率削減、連続生産性の向上に有用である。

本発明の実施の形態の半導体装置を示す図 本発明による半導体装置の製造工程を示す図 本発明による半導体装置の製造工程を示す図 この半導体装置を用いて形成したＩＣカードを示す平面図および断面図 本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工程を示す説明図 従来法による半導体装置の製造工程を説明するための図

符号の説明

１ ＩＣカード
２ ＩＣモジュール
３ 中間接着層
４ 表層ラミネート層
５ 絶縁性フィルム
６ 回路パターン
７ ＩＣチップ
８ チップ接合用接着剤
９ バンプ
１０ 封止樹脂
１１ 補強板
１２ 切り欠き部

Claims (14)

1. 絶縁性基板上に形成された配線パターンに、所望の素子領域に形成された半導体基板の接続用端子をフリップチップ方式で接続した半導体装置であって、
   前記配線パターンを担持した前記絶縁性基板が、前記接続用端子の突出部を前記配線パターン側で吸収しうる程度に、前記接続用端子との当接部における表面の弾性定数が前記半導体基板より大きくなるように形成された半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置であって、
   前記絶縁性基板は、表面に接着性樹脂を有し、前記接着性樹脂を備えた表面として前記半導体基板よりも弾性定数が大きくなるように形成された半導体装置。
3. 請求項１または２に記載の半導体装置であって、
   前記絶縁性基板は、前記配線パターンの弾性定数に応じて、表面に接着性樹脂を有し、前記接着性樹脂を備えた表面として前記半導体基板よりも弾性定数が大きくなるように組成が選択された半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記絶縁性基板は、絶縁性フィルムであり、
   前記配線パターンは、前記絶縁性フィルム上に接着剤を介して貼着された金属箔のパターンである半導体装置。
5. 請求項４に記載の半導体装置であって、
   前記配線パターン内に、前記接続用端子が陥入した半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記半導体基板は、前記接続用端子形成面に対向する面で平坦である半導体装置。
7. 請求項６のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記絶縁性基板が前記半導体基板に比べて、大きく湾曲した半導体装置。
8. 絶縁性基板上に形成された配線パターンに、所望の素子領域に形成された半導体基板の接続用端子をフリップチップ方式で接続し、半導体装置を形成する方法であって、
   前記接続用端子の突出部を前記配線パターン側で吸収しうる程度に、前記接続用端子との当接部において、表面の弾性定数が前記半導体基板より大きくなるように、前記配線パターンを担持した前記絶縁性基板を用意する工程（ａ）と、
   前記絶縁性基板に前記半導体基板を位置あわせする工程（ｂ）と、
   前記絶縁性基板が前記半導体基板よりもより大きく湾曲するように固着する工程（ｃ）とを含む半導体装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記工程（ａ）は、表面に接着性樹脂を有し、前記接着性樹脂を備えた表面として前記半導体基板よりも弾性定数が大きくなるように絶縁性基板を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
10. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記工程（ａ）は、前記配線パターンの弾性定数に応じて、表面に接着性樹脂を有し、前記接着性樹脂を備えた表面として前記半導体基板よりも弾性定数が大きくなるように 前記絶縁性基板の組成を選択する工程を含む半導体装置の製造方法。
11. 請求項７乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記工程（ａ）は、前記絶縁性基板としての絶縁性フィルム上に接着剤を介して貼着された金属箔を貼着する工程と、前記金属箔をパターニングし回路パターンを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
12. 請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記固着する工程（ｃ）は、前記配線パターン内に、前記接続用端子が陥入するように固着する工程を含む半導体装置の製造方法。
13. 請求項７乃至１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記固着する工程（ｃ）は、前記半導体基板は前記接続用端子形成面に対向する面で平坦であるように固着する工程を含む半導体装置の製造方法。
14. 請求項１３に記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記固着する工程（ｃ）は、前記絶縁性基板が前記半導体基板に比べて、大きく湾曲するように固着する工程を含む半導体装置の製造方法。

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