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JP2008228536A - Information equipment and direct current voltage supplying method - Google Patents

Information equipment and direct current voltage supplying method Download PDF

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JP2008228536A
JP2008228536A JP2007067297A JP2007067297A JP2008228536A JP 2008228536 A JP2008228536 A JP 2008228536A JP 2007067297 A JP2007067297 A JP 2007067297A JP 2007067297 A JP2007067297 A JP 2007067297A JP 2008228536 A JP2008228536 A JP 2008228536A
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JP
Japan
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power supply
voltage
power
supply circuit
supplied
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Application number
JP2007067297A
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Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Yaoyama
高広 八百山
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide information equipment capable of preventing malfunctions of devices due to slow start-up of DC voltage generated, at turning on of the power. <P>SOLUTION: A DC power supply output unit 1A supplies power with a plurality of devices 2, except an FeRAM2c by outputting +3.3V for control. A DC power supply output unit 1B, an electric power system power supply, outputs +12V, for example. A DC power supply output unit 1C supplies voltage, only with the FeRAM2c. The FeRAM2c, one of the devices 2, is controlled by the device 2d supplied voltage from the DC power supply output unit 1A. The device 2d performs control of writing and reading data by outputting address signals, data signals and read/write signals, or the like, to the FeRAM2c. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、情報機器および直流電圧供給方法に関し、特にデジタル複写機やプリンタなど不揮発性記憶素子を有する画像処理装置や情報機器への電力供給技術に関する。   The present invention relates to information equipment and a DC voltage supply method, and more particularly, to a power supply technique for an image processing apparatus and information equipment having a nonvolatile storage element such as a digital copying machine and a printer.

IC(集積回路)など各種デバイスが実装され、その各種デバイスに複数の異なる直流電圧が供給される情報機器の電装基板(以下、基板と略す)では、その電圧の立ち上がり方や投入順序に制約のあるものがある。複数の電源を使用する場合、電源投入時に電源電圧の立ち上がり波形のスルーレート(立ち上がり速度)やレベルなどに不揃いが発生するためである。その結果として、デバイスの誤動作が発生するおそれもある。
例えば、同一の供給電圧であっても、異なる直流電源回路から、それぞれ別々の基板に電力が供給されるような場合、基板上の負荷の大小により電流値が異なるので、デバイスや素子が安定して動作する規定電圧までに達する時間に差が出てしまう。この場合、電流値が大きい方の基板に供給される直流電圧の立ち上がり波形が、他方の基板のそれと較べ緩やかになる(立ち上がり波形のスルーレートが低下する)。従って、直流電圧の立ち上がり波形の緩やかな基板の方に、例えば、FeRAM(強誘電体メモリ:Ferroelectric Random Access Memory)などの不揮発性記憶素子が搭載されていると誤動作する場合がある。不揮発性記憶素子には、電源が切断されてもデータが残ることが期待されているため、情報機器の各種設定値や課金情報などの重要な情報が格納されている場合が多く、機器の動作に不具合が起るだけでなく、経済的損失を蒙る場合もでてくる。
しかし、電源の投入順序を配慮せねばならないということは利用者にとって煩わしいことである。また、同一基板に同一の直流電源回路から電力を供給する場合においても、デバイスや素子、例えば動作不安定なCPUや論理回路が不揮発性記憶素子をアクセスする場合などでは、電源の投入順序を制御しても解決しない。
電源投入制御の方法として、各電源に電力が入力されると、電源監視回路がそれぞれの電源が投入されたか否かをチェックし、すべての電源が投入された場合のみ平滑化回路を介して各電源の出力端に直結するそれぞれのスイッチング素子を同時にオン状態にする方法が提案されている(例えば特許文献1参照)。これにより、利用者が電源の投入順序を配慮する必要がなくなる。
特開2002−10488公報
Various types of devices such as ICs (integrated circuits) are mounted, and the electrical equipment boards (hereinafter abbreviated as "boards") of information equipment that are supplied with a plurality of different DC voltages are limited in how the voltage rises and in the order of input. There is something. This is because when a plurality of power supplies are used, irregularities occur in the slew rate (rise speed) and level of the rising waveform of the power supply voltage when the power is turned on. As a result, a malfunction of the device may occur.
For example, when power is supplied to different boards from different DC power supply circuits even with the same supply voltage, the current value varies depending on the load on the board, so the devices and elements are stable. There will be a difference in the time to reach the specified voltage that operates. In this case, the rising waveform of the DC voltage supplied to the substrate having the larger current value is gentler than that of the other substrate (the slew rate of the rising waveform is reduced). Therefore, a malfunction may occur if a non-volatile memory element such as a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is mounted on the substrate having a gentle DC voltage rising waveform. Non-volatile memory elements are expected to retain data even when the power is turned off, so they often store important information such as various setting values and billing information for information devices. Not only does this cause problems, but it also causes economic losses.
However, it is troublesome for the user to consider the power-on sequence. Even when power is supplied from the same DC power supply circuit to the same board, the power-on sequence is controlled when devices and elements, such as unstable CPUs or logic circuits, access nonvolatile memory elements. Even if it does not solve.
As a power-on control method, when power is input to each power source, the power monitoring circuit checks whether each power source is turned on, and only when all power sources are turned on, A method has been proposed in which the switching elements directly connected to the output terminal of the power supply are simultaneously turned on (see, for example, Patent Document 1). This eliminates the need for the user to consider the power-on sequence.
JP 2002-10488 A

しかしながら、特許文献1に示されたように、電源の投入を同時に行うように制御しただけでは、素子の破壊は防止できても、前述したように、直流電圧立ち上がり時の規定電圧に達するまでの時間の不揃いという問題は残り、不揮発性記憶素子等の動作不安定による機器誤動作の問題は解決しない。
本発明は、このような従来技術の問題を解決しようとするものであり、電源投入時に発生する出力電圧の緩やかな立ち上がりによる機器の誤動作を防止できる電力供給技術を提供することを目的とする。
However, as described in Patent Document 1, even if the control is performed so that the power is turned on at the same time, the element can be prevented from being destroyed. The problem of unevenness of time remains, and the problem of device malfunction due to unstable operation of the nonvolatile memory element or the like cannot be solved.
An object of the present invention is to solve such a problem of the conventional technique, and an object of the present invention is to provide a power supply technique capable of preventing malfunction of a device due to a gradual rise of an output voltage generated when power is turned on.

上記課題を解決するため、請求項1記載の情報機器は、不揮発性記憶素子を備えた情報機器において、直流電圧を用いて動作するデバイスに直流電圧を供給する第1の直流電源回路と、第2の直流電源回路と、を備え、前記不揮発性記憶素子に供給する直流電圧を前記第2の直流電源回路から供給することを特徴とする。
また、請求項2記載の情報機器は、請求項1記載の情報機器において、前記デバイスの少なくとも1つは、前記不揮発性記憶素子へのデータアクセスを制御することを特徴とする。
また、請求項3記載の情報機器は、請求項1または2記載の情報機器において、前記不揮発性記憶素子はFeRAMであることを特徴とする情報機器。
また、請求項4記載の情報機器は、請求項1、2または3記載の情報機器において、前記第1の直流電源回路の立ち上がり電圧を監視する電圧監視手段と、前記第2の直流電源回路から前記不揮発性記憶素子に供給する直流電圧供給をオン/オフするスイッチング手段とを設け、前記スイッチング手段は、前記第1の直流電源回路の直流電圧が所定の電圧値まで立ち上がったことを前記電圧監視手段が検出したのに伴って前記直流電圧供給をオンすることを特徴とする。
また、請求項5記載の直流電圧供給方法は、デバイスに直流電圧を供給する直流電圧供給方法において、第1の直流電源回路がデバイスに制御用の直流電圧を供給し、第2の直流電源回路が不揮発性記憶素子に直流電圧を供給し、前記第1の直流電源回路および第2の直流電源回路の立ち上がり時、前記第1の直流電源回路が出力する直流電圧を監視し、該直流電圧が所定の電圧値まで立ち上がった後に前記第2の直流電源回路からの直流電圧供給を開始することを特徴とする。
また、請求項6記載の直流電圧供給方法は、請求項5記載の直流電圧供給方法において、前記デバイスの少なくとも1つは、前記不揮発性記憶素子へのデータアクセスを制御することを特徴とする。
In order to solve the above problem, an information device according to claim 1 is an information device including a nonvolatile memory element, wherein a first DC power supply circuit that supplies a DC voltage to a device that operates using a DC voltage; And a DC voltage supplied to the nonvolatile memory element is supplied from the second DC power supply circuit.
The information device according to claim 2 is the information device according to claim 1, wherein at least one of the devices controls data access to the nonvolatile memory element.
The information device according to claim 3 is the information device according to claim 1 or 2, wherein the nonvolatile memory element is FeRAM.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the information device according to the first, second, or third aspect, comprising: a voltage monitoring unit that monitors a rising voltage of the first DC power supply circuit; and the second DC power supply circuit. Switching means for turning on / off a DC voltage supply to be supplied to the nonvolatile memory element, the switching means monitoring that the DC voltage of the first DC power supply circuit has risen to a predetermined voltage value. The DC voltage supply is turned on as the means detects.
The DC voltage supply method according to claim 5 is a DC voltage supply method for supplying a DC voltage to a device, wherein the first DC power supply circuit supplies a DC voltage for control to the device, and the second DC power supply circuit. Supplies a DC voltage to the non-volatile memory element, and monitors the DC voltage output from the first DC power supply circuit when the first DC power supply circuit and the second DC power supply circuit rise, and the DC voltage is The DC voltage supply from the second DC power supply circuit is started after rising to a predetermined voltage value.
The DC voltage supply method according to claim 6 is the DC voltage supply method according to claim 5, wherein at least one of the devices controls data access to the nonvolatile memory element.

本発明によれば、電源投入時、不揮発性記憶素子へ供給される直流電圧の立ち上がりが急峻となり、不揮発性記憶素子の誤動作が防止でき、電源投入時の動作が安定した情報機器を提供することができる。   According to the present invention, when the power is turned on, the rising of the DC voltage supplied to the nonvolatile memory element becomes steep, so that the nonvolatile memory element can be prevented from malfunctioning, and an information device having a stable operation when the power is turned on is provided. Can do.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
図1は、第1の実施形態に係るデジタル複写機の電源供給部の要部を示す概略ブロック図である。図示するように、このデジタル複写機(以下、単に複写機と称する)の電源供給は、電源部1、その電源部1から供給される複数種類の直流電圧を用いて動作する複数のデバイス2、それらデバイスが実装された電装基板(プリント基板)3などにより行われる。この例では、電源部1は、商用AC電源を入力とし、3つの直流電源出力部を備えている。
直流電源出力部1Aは制御用の+3.3Vを出力し、前述の複数のデバイス2のうち、FeRAM2cを除くデバイスに電力を供給する。
また、直流電源出力部1Bは電力系の電源であり、例えば+12Vを出力し、デバイス2のひとつであるデバイス2bを経由して電力を供給している。デバイス2bは、例えばモータなど負荷4に供給される大きな直流電流を出力するパワートランジスタであり、デバイス2のひとつで+3.3Vが供給されているデバイス2aは、例えば比較的大きな電流が流れるバッファ回路である。なお、この例ではデバイス2aがデバイス2bを駆動している。
また、直流電源出力部1Cは、デバイス2のひとつとして示したFeRAM2cへのみ電圧を供給している。FeRAM2cは、デバイス2のひとつで直流電源出力部1Aから電圧を供給されているデバイス2dにより制御される。つまり、デバイス2dは、FeRAM2cにアドレス信号、データ信号、読み書き信号などを出力してデータを書いたり読んだりする制御を行なっている。なお、各直流電源出力部のグラウンド(GRD)は互いに接続されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic block diagram showing a main part of a power supply unit of the digital copying machine according to the first embodiment. As shown in the figure, the power supply of this digital copying machine (hereinafter simply referred to as a copying machine) is a power supply unit 1, a plurality of devices 2 that operate using a plurality of types of DC voltages supplied from the power supply unit 1, This is performed by an electrical board (printed board) 3 on which these devices are mounted. In this example, the power supply unit 1 has a commercial AC power supply as an input and includes three DC power supply output units.
The DC power supply output unit 1A outputs + 3.3V for control, and supplies power to devices other than the FeRAM 2c among the plurality of devices 2 described above.
The DC power supply output unit 1B is a power system power supply, for example, outputs + 12V and supplies power via a device 2b which is one of the devices 2. The device 2b is a power transistor that outputs a large direct current supplied to the load 4 such as a motor, and the device 2a that is supplied with + 3.3V in one of the devices 2 is, for example, a buffer circuit through which a relatively large current flows. It is. In this example, the device 2a drives the device 2b.
Further, the DC power supply output unit 1 </ b> C supplies a voltage only to the FeRAM 2 c shown as one of the devices 2. The FeRAM 2c is controlled by a device 2d which is one of the devices 2 and is supplied with a voltage from the DC power supply output unit 1A. That is, the device 2d performs control to write or read data by outputting an address signal, a data signal, a read / write signal, or the like to the FeRAM 2c. In addition, the ground (GRD) of each DC power supply output part is mutually connected.

このような構成で、+3.3V直流電圧の立ち上がり時、デバイス2aの論理状態は2つの状態のどちらになるか不定であるが、そのうちの一方の論理状態では直流電源出力部1Aから供給される電流がデバイス2aを介してGRDへ流れる。また、他方の論理状態の場合、+12Vが先に立ち上がっていると、直流電源出力部1Aから供給される電流がデバイス2aおよびデバイス2bを介してGRDへ流れる。つまり、直流電源出力部1Aの立ち上がり時の負荷インピーダンスは小さくなっており、そのため、比較的大きな電流が流れ、その結果、図2に点線で示すように+3.3Vへの立ち上がりがゆっくりとなる。
もし、FeRAM2cが他のデバイス2と同様に直流電源出力部1Aから電力を供給されていたとするならば、緩やかに立ち上がる際の規格外の直流電圧を供給され、記憶しているデータが書き換えられるというような誤動作を起こすおそれがある。しかし、第1の実施形態では前述したようにFeRAM2cが直流電源出力部1Cから個別に電圧を供給され、この直流電源出力部1Cの負荷はインピーダンスの大きいFeRAM2cだけであるので、負荷への電流はわずかしか流れず、その結果、図2に実線で示すように+3.3Vへの立ち上がりが急峻になる。
With such a configuration, when the + 3.3V DC voltage rises, the logic state of the device 2a is indeterminate which of the two states, but one of the logic states is supplied from the DC power supply output unit 1A. Current flows to GRD via device 2a. In the case of the other logic state, when + 12V rises first, the current supplied from the DC power supply output unit 1A flows to the GRD via the device 2a and the device 2b. That is, the load impedance at the time of rising of the DC power supply output unit 1A is small, so that a relatively large current flows, and as a result, the rising to + 3.3V is slow as shown by the dotted line in FIG.
If the FeRAM 2c is supplied with power from the DC power supply output unit 1A in the same manner as the other devices 2, it is supplied with a non-standard DC voltage at the time of slowly rising, and the stored data is rewritten. Such a malfunction may occur. However, in the first embodiment, as described above, the FeRAM 2c is individually supplied with a voltage from the DC power supply output unit 1C, and the load of the DC power supply output unit 1C is only the FeRAM 2c having a large impedance. As a result, the rise to +3.3 V becomes steep as shown by the solid line in FIG.

図3は、本発明の電源部に係る要部概略回路図である。同図において、図1と同一の部分には、同一の符号を付してある。また、動力系の電源である直流電源出力部1Bについては省略してある。
図示するように、電源部1は、商用交流電力が入力される各直流電源出力部に共通な1次側回路11、各直流電源出力部に共通な1次側巻線を持ち、2次側には各直流電源出力部に固有の巻線を持ったトランス12、直流電源出力部1A、直流電源出力部1Cなどを備える。
また、直流電源出力部1Aは整流回路13a、およびコイルLとコンデンサCから成る平滑化回路14aを備える。同様に、直流電源出力部1Cは整流回路13c、およびコイルLとコンデンサCから成る平滑化回路14cを備える。
このような構成で、商用交流電力が1次側回路11に投入されると、トランス12の2次側巻線のそれぞれの両端に降圧された交流電圧が出力され、その交流電圧が整流、平滑化され、出力端子15a、15cより出力される。
それぞれの出力は、出力端子15aの出力は図1に示した直流電源出力部1Aのデバイスに、また出力端子15cの出力は図1に示した直流電源出力部1CのFeRAM2cに、前述したような立ち上がり特性で供給される。即ち、FeRAM2cへは急峻な立ち上がりで供給される。
このようにして、この第1の実施形態によれば、電源投入時に発生する緩やかな直流電圧の立ち上がりにより、デバイスの誤動作、例えばFeRAMのような不揮発性記憶素子では、記憶されているデータの誤読み出しや誤書き込みなどを防止できる。
FIG. 3 is a main part schematic circuit diagram relating to the power supply unit of the present invention. In the figure, the same parts as those in FIG. Further, the DC power output unit 1B that is a power source of the power system is omitted.
As shown in the figure, the power supply unit 1 has a primary side circuit 11 common to each DC power supply output unit to which commercial AC power is input, and a primary side winding common to each DC power supply output unit. Includes a transformer 12, a DC power supply output unit 1A, a DC power supply output unit 1C, etc. each having a unique winding.
The DC power supply output unit 1A includes a rectifier circuit 13a and a smoothing circuit 14a including a coil L and a capacitor C. Similarly, the DC power supply output unit 1C includes a rectifier circuit 13c and a smoothing circuit 14c including a coil L and a capacitor C.
With such a configuration, when commercial AC power is input to the primary side circuit 11, a stepped-down AC voltage is output to both ends of the secondary side winding of the transformer 12, and the AC voltage is rectified and smoothed. And output from the output terminals 15a and 15c.
As described above, the output of the output terminal 15a is supplied to the device of the DC power supply output unit 1A shown in FIG. 1, and the output of the output terminal 15c is supplied to the FeRAM 2c of the DC power supply output unit 1C shown in FIG. Supplied with rising characteristics. That is, it is supplied to the FeRAM 2c with a steep rise.
As described above, according to the first embodiment, a device malfunction, for example, in a nonvolatile memory element such as FeRAM, due to a gradual rise of a DC voltage generated at power-on, an error of stored data is caused. Reading and writing errors can be prevented.

次に本発明の第2の実施形態について説明する。
第2の実施形態では、図1において、FeRAM2cを制御しているデバイス2dなどに供給する電源の供給を、FeRAM2cに供給する電源に較べて同時か早くなるように制御する方法の例を説明する。
図4は、第2の実施形態に係る直流電源供給部の概略ブロック図である。図示するように、この直流電源供給部は、図3の構成に加えて、電圧比較回路(例えば差動増幅器)21、およびその比較回路21に基準電圧を与える2次電池22を備えるとともに、直流電源出力部1Cの平滑化回路14cと出力端子15cとの間にスイッチング素子23を設けている。そのため、直流電源1A(出力端子15a)の出力電圧が、基準電圧にならないうちは、直流電源出力部1Cからの電力がFeRAM2cへ供給されないようになっている。
なお、第2の実施形態では、比較回路21および2次電池22などにより、直流電源出力部1Aの出力電圧の監視を行っている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the second embodiment, an example of a method for controlling the supply of power to be supplied to the device 2d or the like that controls the FeRAM 2c in FIG. 1 to be simultaneous or faster than the power supplied to the FeRAM 2c will be described. .
FIG. 4 is a schematic block diagram of a DC power supply unit according to the second embodiment. As shown in the figure, the DC power supply unit includes a voltage comparison circuit (for example, a differential amplifier) 21 and a secondary battery 22 for supplying a reference voltage to the comparison circuit 21 in addition to the configuration of FIG. A switching element 23 is provided between the smoothing circuit 14c and the output terminal 15c of the power output unit 1C. Therefore, power from the DC power supply output unit 1C is not supplied to the FeRAM 2c until the output voltage of the DC power supply 1A (output terminal 15a) becomes the reference voltage.
In the second embodiment, the output voltage of the DC power supply output unit 1A is monitored by the comparison circuit 21, the secondary battery 22, and the like.

第2の実施形態の動作を図5に示す動作フローに従って説明する。
図5は、第2の実施形態2に係る直流電源供給部の動作を示すフローチャートである。
第2の実施形態では、比較回路21が直流電源1A(出力端子15a)の出力電圧を監視しており(ステップ1)、その電圧が2次電池22により与えられる基準電圧値以上に上がらない間は(ステップ2でNo)、比較回路21の出力はLowレベルであり、そのため、スイッチング素子23はオフ状態になっている。したがって、直流電源出力部1Cの出力する+3.3V電圧がたとえ立ち上がっていても出力端子15cの電圧は0V付近である。そして、直流電源1Aの出力電圧が2次電池22により与えられる基準電圧値以上になると(ステップ2でYes)、比較回路21の出力がHighレベルとなり、それによりスイッチング素子23がオン状態になる。こうして、立ち上がっている直流電源出力部1Cの+3.3Vが出力端子15cからFeRAM2c(図示せず)へ供給される(ステップ3)。
FeRAM2cなどの不揮発性素子は、直流電圧が与えられていなければ、デバイス2d側からたとえ制御信号を受けても動作しない。そのため、第2の実施形態によれば、直流電源1Aから+3.3Vを供給されているデバイス2群の、緩やかに+3.3Vが立ち上がる期間における不定な論理状態の結果として、デバイス2dがFeRAM2cにたとえ誤った制御信号を出しても、電源の供給を受けていないFeRAM2cのデータが書き換えられる事態を回避できる。
The operation of the second embodiment will be described according to the operation flow shown in FIG.
FIG. 5 is a flowchart showing the operation of the DC power supply unit according to the second embodiment.
In the second embodiment, the comparison circuit 21 monitors the output voltage of the DC power supply 1A (output terminal 15a) (step 1), and the voltage does not rise above the reference voltage value given by the secondary battery 22. (No in step 2), the output of the comparison circuit 21 is at the low level, and therefore the switching element 23 is in the OFF state. Therefore, even if the + 3.3V voltage output from the DC power supply output unit 1C rises, the voltage at the output terminal 15c is around 0V. When the output voltage of the DC power source 1A becomes equal to or higher than the reference voltage value provided by the secondary battery 22 (Yes in step 2), the output of the comparison circuit 21 becomes high level, thereby turning on the switching element 23. In this way, + 3.3V of the rising DC power supply output unit 1C is supplied from the output terminal 15c to the FeRAM 2c (not shown) (step 3).
Non-volatile elements such as FeRAM 2c do not operate even when a control signal is received from the device 2d side unless a DC voltage is applied. Therefore, according to the second embodiment, as a result of an indefinite logic state in the period in which + 3.3V gradually rises in the group of devices 2 to which + 3.3V is supplied from the DC power supply 1A, the device 2d is brought into the FeRAM 2c. Even if an erroneous control signal is output, it is possible to avoid a situation in which the data in the FeRAM 2c not receiving power supply is rewritten.

以上、不揮発性記憶素子がFeRAMの場合で説明したが、不揮発性記憶素子はFeRAMに限定されない。また、+3.3Vを供給している制御系デバイス2dの一部またはすべてに+3.3Vの代わりに例えば定格+5Vといった異なる直流電圧を供給することも可能である。
なお、FeRAMなど不揮発性記憶素子へ供給する直流電源の電圧の立ち上がりを急峻にするか、不揮発性記憶素子をアクセスするデバイスが規格の動作電圧の電力が供給されるまで、不揮発性記憶素子への電源供給を停止しておけばよい。
As described above, the case where the nonvolatile memory element is FeRAM has been described. However, the nonvolatile memory element is not limited to FeRAM. It is also possible to supply a different DC voltage such as a rated + 5V instead of + 3.3V to a part or all of the control system device 2d that is supplying + 3.3V.
Note that until the rising of the voltage of the DC power supply supplied to the nonvolatile memory element such as FeRAM is steep or until the device that accesses the nonvolatile memory element is supplied with the power of the standard operating voltage, The power supply should be stopped.

第1の実施形態に係るデジタル複写機の電源供給部の要部を示す概略ブロック図である。1 is a schematic block diagram illustrating a main part of a power supply unit of a digital copying machine according to a first embodiment. 第1の実施形態に係るデジタル複写機電源の立ち上がり特性を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining rising characteristics of a digital copying machine power supply according to the first embodiment. 本発明の電源部に係る要部概略回路図である。It is a principal part schematic circuit diagram which concerns on the power supply part of this invention. 第2の実施形態に係る直流電源供給部の概略ブロック図である。It is a schematic block diagram of the direct-current power supply part which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る直流電源供給部の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the DC power supply part which concerns on 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1 電源部、1A 直流電源出力部、1C 直流電源出力部、2 デバイス、2c FeRAM、3 電装基板、4 負荷、12 トランス、13 整流回路、14 平滑化回路、15 出力端子、21 比較回路、22 2次電池、23 スイッチング素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power supply part, 1A DC power supply output part, 1C DC power supply output part, 2 device, 2c FeRAM, 3 Electrical component board, 4 Load, 12 Transformer, 13 Rectifier circuit, 14 Smoothing circuit, 15 Output terminal, 21 Comparison circuit, 22 Secondary battery, 23 switching element

Claims (6)

不揮発性記憶素子を備えた情報機器において、直流電圧を用いて動作するデバイスに直流電圧を供給する第1の直流電源回路と、第2の直流電源回路と、を備え、前記不揮発性記憶素子に供給する直流電圧を前記第2の直流電源回路から供給することを特徴とする情報機器。   An information device including a nonvolatile memory element includes: a first DC power supply circuit that supplies a DC voltage to a device that operates using a DC voltage; and a second DC power supply circuit. An information device, wherein a DC voltage to be supplied is supplied from the second DC power supply circuit. 請求項1記載の情報機器において、前記デバイスの少なくとも1つは、前記不揮発性記憶素子へのデータアクセスを制御することを特徴とする情報機器。   The information device according to claim 1, wherein at least one of the devices controls data access to the nonvolatile memory element. 請求項1または2記載の情報機器において、前記不揮発性記憶素子はFeRAMであることを特徴とする情報機器。   3. The information device according to claim 1, wherein the nonvolatile memory element is FeRAM. 請求項1、2または3記載の情報機器において、前記第1の直流電源回路の立ち上がり電圧を監視する電圧監視手段と、前記第2の直流電源回路から前記不揮発性記憶素子に供給する直流電圧供給をオン/オフするスイッチング手段と、を設け、前記スイッチング手段は、前記第1の直流電源回路の直流電圧が所定の電圧値まで立ち上がったことを前記電圧監視手段が検出したのに伴って前記直流電圧供給をオンすることを特徴とする情報機器。   4. The information device according to claim 1, 2, or 3, wherein voltage monitoring means for monitoring a rising voltage of the first DC power supply circuit, and DC voltage supply supplied from the second DC power supply circuit to the nonvolatile memory element. Switching means for turning on / off the switching circuit, and the switching means detects the DC voltage as the voltage monitoring means detects that the DC voltage of the first DC power supply circuit has risen to a predetermined voltage value. Information equipment characterized by turning on voltage supply. デバイスに直流電圧を供給する直流電圧供給方法において、第1の直流電源回路がデバイスに制御用の直流電圧を供給し、第2の直流電源回路が不揮発性記憶素子に直流電圧を供給し、前記第1の直流電源回路および第2の直流電源回路の立ち上がり時、前記第1の直流電源回路が出力する直流電圧を監視し、該直流電圧が所定の電圧値まで立ち上がった後に前記第2の直流電源回路からの直流電圧供給を開始することを特徴とする直流電圧供給方法。   In a DC voltage supply method for supplying a DC voltage to a device, a first DC power supply circuit supplies a control DC voltage to the device, a second DC power supply circuit supplies a DC voltage to a nonvolatile memory element, and When the first DC power supply circuit and the second DC power supply circuit start up, the DC voltage output from the first DC power supply circuit is monitored, and after the DC voltage rises to a predetermined voltage value, the second DC power supply is monitored. A DC voltage supply method, comprising: starting DC voltage supply from a power supply circuit. 請求項5記載の直流電圧供給方法において、前記デバイスの少なくとも1つは、前記不揮発性記憶素子へのデータアクセスを制御することを特徴とする直流電圧供給方法。   6. The DC voltage supply method according to claim 5, wherein at least one of the devices controls data access to the nonvolatile memory element.
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