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JP2008218930A - Energy ray hardening type chip protecting film - Google Patents

Energy ray hardening type chip protecting film Download PDF

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JP2008218930A
JP2008218930A JP2007057897A JP2007057897A JP2008218930A JP 2008218930 A JP2008218930 A JP 2008218930A JP 2007057897 A JP2007057897 A JP 2007057897A JP 2007057897 A JP2007057897 A JP 2007057897A JP 2008218930 A JP2008218930 A JP 2008218930A
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JP
Japan
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energy ray
curable
film
protective film
chip
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Application number
JP2007057897A
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Japanese (ja)
Inventor
Takanori Yamakawa
貴紀 山川
Yasumasa Morishima
泰正 盛島
Shinichi Ishiwatari
伸一 石渡
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an energy ray hardening type chip protecting film which provides laser mark recognition function, high hardness, and mounting reliability even when cured with an energy ray in a system containing dye and pigment. <P>SOLUTION: A release sheet 1 is overlaid with an energy ray hardening type protective film forming layer 2 containing (A) polymer component consisting of acrylic copolymer which has polymerizable double bond and weight-average molecular weight of 50,000 or more, (B) an energy ray hardening component, (C) dye and/or pigment, and (D) silica. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体チップの裏面に効率良く保護膜を形成でき、かつチップの製造効率の向上が可能なチップ保護用フィルムに関するものであり、特に、いわゆるフェースダウン(face down)方式で実装される半導体チップの製造に用いられるチップ保護用フィルムに関するものである。   The present invention relates to a film for chip protection that can efficiently form a protective film on the back surface of a semiconductor chip and that can improve the manufacturing efficiency of the chip, and in particular, is mounted by a so-called face-down method. The present invention relates to a film for protecting a chip used for manufacturing a semiconductor chip.

近年、いわゆるフェースダウン(face down)方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式では、チップの回路面側に導通を確保するためのバンプと呼ばれる凸部が形成されてなるチップを用い、回路面側の凸部が基台に接続する構造となる。   In recent years, semiconductor devices have been manufactured using a so-called face-down mounting method. In the face-down method, a chip in which convex portions called bumps are formed on the circuit surface side of the chip is used, and the convex portions on the circuit surface side are connected to the base.

このような半導体装置は、一般に、次のような工程を経て製造されている。
(イ)半導体ウエハの表面にエッチング法等により回路を形成し、回路面の所定位置にバンプを形成する。
(ロ)半導体ウエハ裏面を所定の厚さまで研削する。
(ハ)リングフレームに張設されたダイシングシートに半導体ウエハ裏面を固定し、ダイシングソーにより回路毎に切断分離し、半導体チップを得る。
(ニ)半導体チップをピックアップし、フェースダウン方式で所定の基台上に実装し、必要に応じチップを保護するために樹脂封止またはチップ裏面に樹脂コーティングを施し、半導体装置を得る。
Such a semiconductor device is generally manufactured through the following steps.
(A) A circuit is formed on the surface of the semiconductor wafer by an etching method or the like, and bumps are formed at predetermined positions on the circuit surface.
(B) The back surface of the semiconductor wafer is ground to a predetermined thickness.
(C) The back surface of the semiconductor wafer is fixed to a dicing sheet stretched on a ring frame, and a semiconductor chip is obtained by cutting and separating each circuit with a dicing saw.
(D) A semiconductor chip is picked up and mounted on a predetermined base by a face-down method, and if necessary, resin sealing or resin coating is applied to the back surface of the chip to obtain a semiconductor device.

上記の樹脂封止は、適量の樹脂をチップ上に滴下・硬化するポッティング(potting)法や、金型を用いたモールド法などにより行われる。しかし、ポッティング法では適量の樹脂を滴下することが難しい。またモールド法では金型の洗浄等が必要になり、設備費、運転が高価になる。さらに、上記の樹脂コーティングは、適量の樹脂を均一に塗布することが難しいため、品質にばらつきがでることがある。
したがって、均一性の高い保護膜を、チップ裏面に簡便に形成できる技術の開発が要望されている。
The resin sealing is performed by a potting method in which an appropriate amount of resin is dropped and cured on a chip, a molding method using a mold, or the like. However, it is difficult to drop an appropriate amount of resin by the potting method. In the mold method, it is necessary to clean the mold, and the equipment cost and operation become expensive. Furthermore, since it is difficult for the above resin coating to uniformly apply an appropriate amount of resin, quality may vary.
Therefore, there is a demand for the development of a technique that can easily form a highly uniform protective film on the back surface of the chip.

また、上記(ロ)工程の裏面研削では、機械研削によってチップ裏面に微小な筋状の傷が形成される。この微小な傷は、(ハ)のダイシング工程やパッケージングの後に、クラック発生の原因となることがある。このため、従来は、機械研削後に、微小な傷を除くためのケミカルエッチングが必要になる場合があった。しかし、ケミカルエッチングには、もとより設備費、運転費が必要になり、コスト増の原因となる。
したがって、機械研削によってチップ裏面に微小な傷が形成されたとしても、かかる傷に起因する悪影響を解消する技術の開発が要望されている。
Further, in the back grinding in the step (b), minute streak is formed on the back surface of the chip by mechanical grinding. This minute scratch may cause cracks after the (c) dicing step or packaging. For this reason, conventionally, chemical etching for removing minute scratches may be necessary after mechanical grinding. However, chemical etching necessitates equipment and operation costs as well as the cost increase.
Therefore, even if a minute scratch is formed on the back surface of the chip by mechanical grinding, there is a demand for the development of a technique that eliminates the adverse effects caused by the scratch.

この問題を解決するため、均一性の高い保護膜をチップ裏面に簡便に形成でき、しかも機械研削によってチップ裏面に微小な傷が形成されたとしても、かかる傷に起因する悪影響を解消できるプロセス、ならびに該プロセスに用いられるチップ保護用フィルムが提案されている(特許文献1〜3)。
特開2004−214288号公報 特開2004−260190号公報 特開2004−331728号公報
In order to solve this problem, a process that can easily form a protective film with high uniformity on the back surface of the chip, and even if minute scratches are formed on the back surface of the chip by mechanical grinding, Moreover, the film for chip protection used for this process is proposed (patent documents 1-3).
JP 2004-214288 A JP 2004-260190 A JP 2004-331728 A

従来より、高硬度の保護膜をチップ裏面に形成する際には、熱硬化性成分を使用した熱硬化が一般的であり、そのために、100〜200℃で1〜3時間程度の加熱処理工程が必要であった。この加熱処理工程を簡略化するため、エネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを使用することで、例えば紫外線等によって10〜300秒程度で瞬時に硬化させることが可能となる。
特許文献2では、熱硬化型ではなくエネルギー線(紫外線)硬化型のチップ保護用フィルムも例示されているが、この場合、レーザーマーク認識性向上、外観向上等を目的として染料及び顔料を添加すると、フィルムの透過率が低くなり、熱硬化型の場合と比較してフィルム全体を十分に硬化させることが困難であった。
Conventionally, when a protective film having a high hardness is formed on the back surface of a chip, thermosetting using a thermosetting component is generally used. Therefore, a heat treatment process at 100 to 200 ° C. for about 1 to 3 hours. Was necessary. In order to simplify this heat treatment step, by using an energy ray curable chip protecting film, it can be instantaneously cured in about 10 to 300 seconds by, for example, ultraviolet rays.
Patent Document 2 also exemplifies an energy ray (ultraviolet ray) curable chip protection film instead of a thermosetting type. In this case, when dyes and pigments are added for the purpose of improving laser mark recognition, improving appearance, etc. The transmittance of the film was low, and it was difficult to sufficiently cure the entire film as compared with the thermosetting type.

このような理由で、エネルギー線(紫外線)硬化型チップ保護用フィルムに関しては、レーザーマーク認識性、実装信頼性および硬度のすべての面を満足させうる十分な性能が得られない等の問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に鑑み、染料及び顔料を含有した系でエネルギー線により硬化させた場合でもレーザーマーク認識性、高硬度、実装信頼性を実現できるエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを提供することを課題とする。
For this reason, the energy ray (ultraviolet ray) curable chip protection film has problems such as failure to obtain sufficient performance to satisfy all aspects of laser mark recognition, mounting reliability, and hardness. It was.
In view of such conventional circumstances, the present invention provides an energy ray curable chip protection film capable of realizing laser mark recognizability, high hardness, and mounting reliability even when cured with an energy ray in a system containing a dye and a pigment. The issue is to provide.

本発明者らは、上記の課題に対して、鋭意検討した結果、特定のポリマー成分と、エネルギー線硬化性成分と、染料および/または顔料と、さらにシリカを必須成分としたエネルギー線硬化型保護膜形成層を有する構成とすると、エネルギー線により硬化させた後もレーザーマーク認識性、高硬度、実装信頼性を実現できるエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムが得られることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies on the above problems, the inventors of the present invention have found that a specific polymer component, an energy ray curable component, a dye and / or pigment, and an energy ray curable protection comprising silica as essential components. As a configuration having a film forming layer, it was found that an energy ray curable chip protection film capable of realizing laser mark recognizability, high hardness and mounting reliability even after being cured by energy rays was obtained, and the present invention was completed. did.

すなわち、本発明は、下記(1)〜(6)のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを提供するものである。
(1)(A)重合性二重結合を有する重量平均分子量5万以上のアクリル系共重合体からなるポリマー成分、(B)エネルギー線硬化性成分、(C)染料および/または顔料及び(D)シリカを含有してなるエネルギー線硬化型保護膜形成層を有することを特徴とするエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
(2)エネルギー線硬化性成分(B)が、エポキシ変性アクリレートであることを特徴とする(1)に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
(3)エネルギー線硬化型保護膜形成層が、(A)ポリマー成分および(B)エネルギー線硬化性成分の合計100質量部に対し、(C)染料および/または顔料を1〜50質量部、(D)シリカを100〜700質量部含有することを特徴とする(1)または(2)に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
(4)エネルギー線硬化型保護膜形成層が、(A)〜(D)成分のほかに、(E)光重合開始剤を含有することを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
(5)(E)光重合開始剤が、アシルホスフィンオキシドであることを特徴とする(4)に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
(6)剥離シートをエネルギー線硬化型保護膜形成層の片面又は両面に仮着したことを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。
That is, this invention provides the energy ray hardening-type chip | tip protective film of following (1)-(6).
(1) (A) a polymer component comprising an acrylic copolymer having a polymerizable double bond and a weight average molecular weight of 50,000 or more, (B) an energy ray curable component, (C) a dye and / or pigment, and (D ) An energy ray curable chip protecting film comprising an energy ray curable protective film forming layer containing silica.
(2) The energy ray-curable chip protecting film according to (1), wherein the energy ray-curable component (B) is an epoxy-modified acrylate.
(3) The energy ray curable protective film forming layer is 1 to 50 parts by mass of (C) a dye and / or a pigment with respect to 100 parts by mass of the total of (A) the polymer component and (B) the energy ray curable component. (D) The energy ray-curable chip protecting film according to (1) or (2), comprising 100 to 700 parts by mass of silica.
(4) The energy ray curable protective film-forming layer contains (E) a photopolymerization initiator in addition to the components (A) to (D), and any one of (1) to (3) The energy ray-curable chip protecting film as described in 1.
(5) The film for protecting an energy ray-curable chip according to (4), wherein the photopolymerization initiator (E) is an acylphosphine oxide.
(6) The energy ray curable chip protecting film according to any one of (1) to (5), wherein the release sheet is temporarily attached to one or both sides of the energy ray curable protective film forming layer.

本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムによれば、エネルギー線によってレーザーマーク認識性、硬度、実装信頼性に優れた保護膜をチップに形成できるので、従来の加熱工程を簡略化することができる。   According to the energy ray curable chip protecting film of the present invention, a protective film excellent in laser mark recognizability, hardness, and mounting reliability can be formed on the chip by energy rays, so that the conventional heating process can be simplified. it can.

つぎに、本発明の好ましい実施態様としてのエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムについて、図面を参照してさらに詳細に説明する。
図1および図2は、剥離シート上にエネルギー線硬化型保護膜形成層を有する本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの二つの例であり、図1はエネルギー線硬化型保護膜形成層の両面に剥離シートを仮着させた構成、図2はエネルギー線硬化型保護膜形成層の片面に剥離シートを仮着させた構成である。
以下に、この剥離シートおよびエネルギー線硬化型保護膜形成層の構成に関して、順に説明する。また、このようなエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの製造方法および使用方法についても、以下に説明する。
Next, the energy ray curable chip protecting film as a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
1 and 2 are two examples of the energy ray curable protective film-forming layer of the present invention having an energy ray curable protective film-forming layer on a release sheet, and FIG. 1 is an energy ray curable protective film-forming layer. FIG. 2 shows a configuration in which the release sheet is temporarily attached to one side of the energy ray curable protective film forming layer.
Below, it demonstrates in order regarding the structure of this peeling sheet and an energy-beam curable protective film formation layer. Moreover, the manufacturing method and usage method of such an energy ray hardening-type chip | tip protective film are also demonstrated below.

<剥離シート>
剥離シートは、エネルギー線硬化型保護膜形成層を保護する目的で用いられる。
剥離シートの表面張力としては、好ましくは40mN/m以下であるのがよく、特に好ましくは35mN/m以下であるのがよい。このような表面張力の低い剥離シートは、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、またシートの表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。
剥離シートの膜厚は、通常は5〜300μm、好ましくは10〜200μm、特に好ましくは20〜150μm程度である。
<Peeling sheet>
The release sheet is used for the purpose of protecting the energy ray curable protective film forming layer.
The surface tension of the release sheet is preferably 40 mN / m or less, and particularly preferably 35 mN / m or less. Such a release sheet having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by applying a silicone resin or the like to the surface of the sheet and performing a release treatment.
The thickness of the release sheet is usually about 5 to 300 μm, preferably about 10 to 200 μm, and particularly preferably about 20 to 150 μm.

剥離シートの材質としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ピニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。   Examples of release sheet materials include polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyphenyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, and polybutylene terephthalate film. , Polyurethane film, ethylene / vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film A fluororesin film or the like is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient.

<エネルギー線硬化型保護膜形成層>
エネルギー線硬化型保護膜形成層は、本発明の最も特徴とする層であり、(A)重合性二重結合を有する重量平均分子量5万以上のアクリル系共重合体からなるポリマー成分、(B)エネルギー線硬化性成分、(C)染料および/または顔料及び(D)シリカを含有している。また、この層には、上記(A)〜(D)成分のほかに、(E)光重合開始剤を含んでいるのが望ましい。さらに、必要により、(F)その他の成分を含ませることもできる。これらの成分について、以下に順次説明する。
<Energy ray curable protective film forming layer>
The energy ray curable protective film forming layer is the most characteristic layer of the present invention, and (A) a polymer component composed of an acrylic copolymer having a polymerizable double bond and a weight average molecular weight of 50,000 or more, (B It contains an energy ray curable component, (C) a dye and / or pigment, and (D) silica. In addition to the above components (A) to (D), this layer preferably contains (E) a photopolymerization initiator. Further, if necessary, (F) other components may be included. These components will be sequentially described below.

(A)ポリマー成分
本発明では、フィルムとしての可とう性や操作性を向上させるために、ポリマー成分を使用するが、このポリマー成分として特に重合性二重結合を有するアクリル系共重合体を使用する。このようなアクリル系共重合体を使用することにより、エネルギー線硬化後の硬度や耐熱性を向上させることができる。
このアクリル系共重合体の重量平均分子量は、5万以上、特に20万〜100万の範囲にあるのが好ましい。分子量が低すぎるとシート形成が不十分となり、高すぎると他の成分との相溶性が悪くなり、結果としてフィルム形成が妨げられる。
(A) Polymer component In the present invention, in order to improve the flexibility and operability as a film, a polymer component is used, and an acrylic copolymer having a polymerizable double bond is used as this polymer component. To do. By using such an acrylic copolymer, the hardness and heat resistance after energy beam curing can be improved.
The weight average molecular weight of the acrylic copolymer is preferably 50,000 or more, particularly preferably in the range of 200,000 to 1,000,000. If the molecular weight is too low, sheet formation will be insufficient, and if it is too high, compatibility with other components will deteriorate, resulting in hindering film formation.

(B)エネルギー線硬化性成分
エネルギー線硬化性成分は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物からなるものである。このような化合物は、分子内に少なくとも1つの重合性二重結合を有し、通常は重量平均分子量が100〜30,000の範囲、特に好ましくは300〜10,000の範囲にあるものが用いられる。
(B) Energy beam curable component The energy beam curable component is composed of a compound that polymerizes and cures when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule and usually has a weight average molecular weight in the range of 100 to 30,000, particularly preferably in the range of 300 to 10,000. It is done.

このようなエネルギー線硬化性成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ポリエステル型またはポリエーテル型のウレタンアクリレートオリゴマー、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシ変性アクリレート等が挙げられる。
これらの中でも、紫外線硬化型樹脂が特に好ましい。具体的には、エポキシ変性アクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー等が好ましく、硬度、耐熱性、接着性等の面からエポキシ変性アクリレートが最も好ましい。
Examples of such energy ray-curable components include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, or 1,4-butylene glycol. Examples include diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, polyester-type or polyether-type urethane acrylate oligomer, polyester acrylate, polyether acrylate, and epoxy-modified acrylate.
Among these, ultraviolet curable resins are particularly preferable. Specifically, epoxy-modified acrylates, oligoester acrylates, urethane acrylate oligomers and the like are preferable, and epoxy-modified acrylates are most preferable in terms of hardness, heat resistance, adhesiveness, and the like.

(C)染料および顔料
顔料、染料は、主として硬化被膜(保護膜)に形成されるレーザーマーキングの印字の認識性を向上させるために添加される。このような顔料としては、カーボンブラックや、各種の無機顔料が例示できる。またアゾ系、インダスレン系、インドフェノール系、フタロシアニン系、インジゴイド系、ニトロソ系、ザンセン系、オキシケトン系などの各種有機顔料があげられる。
これらの添加量は、その種類により様々であるが、一般に、(A)ポリマー成分および(B)エネルギー線硬化性成分の合計100質量部に対して、(C)染料および/または顔料が1〜50質量部、好ましくは3〜25質量部が適当である。
(C) Dye and Pigment The pigment and the dye are added mainly for improving the recognizability of the laser marking formed on the cured film (protective film). Examples of such pigments include carbon black and various inorganic pigments. Also, various organic pigments such as azo, indanthrene, indophenol, phthalocyanine, indigoid, nitroso, xanthene, oxyketone and the like can be mentioned.
These addition amounts vary depending on the type, but generally, (C) the dye and / or pigment is 1 to 1 parts per 100 parts by mass of the total of (A) the polymer component and (B) the energy ray curable component. 50 parts by weight, preferably 3 to 25 parts by weight are suitable.

(D)シリカ
シリカは、硬化後の層の熱膨張係数をウエハの熱膨張係数に近づける機能を有し、これにより加工途中のウエハの反りを低減することができる。
このようなシリカは、特に限定されるものではないが、平均粒径が0.1〜10μmの球状合成シリカが好ましく、特に半導体装置の誤作動の要因となるα線の線源を極力除去したタイプの合成シリカが最適である。
シリカの添加量は、一般に、(A)ポリマー成分および(B)エネルギー線硬化性成分の合計100質量部に対して、(D)シリカは好ましくは100〜700質量部、より好ましくは200〜600質量部が適当である。このようにシリカを全体量の50質量%以上添加することで硬度、耐熱性を向上させることができる。
(D) Silica Silica has a function of bringing the thermal expansion coefficient of the cured layer closer to the thermal expansion coefficient of the wafer, thereby reducing the warpage of the wafer during processing.
Such silica is not particularly limited, but spherical synthetic silica having an average particle diameter of 0.1 to 10 μm is preferable, and in particular, the α-ray source that causes malfunction of the semiconductor device is removed as much as possible. The type of synthetic silica is optimal.
In general, the addition amount of silica is preferably 100 to 700 parts by mass, more preferably 200 to 600, with respect to (D) silica, with respect to 100 parts by mass in total of (A) the polymer component and (B) the energy ray curable component. Part by mass is appropriate. Thus, hardness and heat resistance can be improved by adding 50 mass% or more of the total amount of silica.

(E)光重合開始剤
エネルギー線硬化型保護膜形成層は、これに光重合開始剤を混入することにより、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
このような目的で使用される光重合開始剤の使用量は、(B)エネルギー線硬化性成分100質量部に対して、通常1.5〜4.5質量部、特に好ましくは2.4〜3.8質量部程度の割合とするのがよい。
(E) Photopolymerization initiator The energy ray curable protective film-forming layer can reduce the polymerization and curing time and the amount of light irradiation by mixing a photopolymerization initiator therein.
The usage-amount of the photoinitiator used for such a purpose is 1.5-4.5 mass parts normally with respect to 100 mass parts of (B) energy-beam curable components, Most preferably, it is 2.4- The ratio is preferably about 3.8 parts by mass.

このような光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4−ジエチルチオキサンソン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、アシルホスフィンオキシドなどが挙げられる。
これらの中でも、長波長域の光も吸収し、染料及び顔料を添加した系でも硬化可能なアシルホスフィンオキシドが特に好ましい。
Such photopolymerization initiators include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, benzoin dimethyl ketal, 2,4-diethyl Examples include thioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone, acylphosphine oxide and the like.
Among these, an acylphosphine oxide that absorbs light in a long wavelength region and can be cured even in a system to which a dye and a pigment are added is particularly preferable.

(F)その他の成分
エネルギー線硬化型保護膜形成層には、上記成分のほかに、必要により、架橋剤、カップリング剤、酸化防止剤、難燃剤、応力緩和剤としてブタジエン系ゴムやシリコーンゴム等を含有させることができる。また、エポキシ樹脂やその熱硬化のためのフェノール樹脂及び潜在性硬化剤を含有させてもよい。
架橋剤は、硬化前の凝集力を調節するためのものであり、有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物、有機金属キレート化合物等が挙げられる。
カップリング剤は、硬化被膜の耐熱性を損なわずに、接着性や密着性を向上させ、また耐水性(耐湿熱性)も向上させる。カップリング剤には、その汎用性とコスト面等から、シラン系(シランカップリング剤)が好ましい。
(F) Other components In addition to the above components, the energy ray curable protective film forming layer, if necessary, butadiene rubber or silicone rubber as a crosslinking agent, coupling agent, antioxidant, flame retardant, or stress relaxation agent Etc. can be contained. Moreover, you may contain the epoxy resin and the phenol resin for the thermosetting, and a latent hardener.
A crosslinking agent is for adjusting the cohesive force before hardening, and an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, an organometallic chelate compound, etc. are mentioned.
The coupling agent improves adhesion and adhesion without impairing the heat resistance of the cured film, and also improves water resistance (moisture heat resistance). The coupling agent is preferably a silane (silane coupling agent) from the viewpoint of versatility and cost.

<製造方法>
本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムは、剥離シートの剥離面上に上記のエネルギー線硬化型保護膜形成層を構成させる各成分を含む組成物をロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなどの一般に公知の方法に準じて直接または転写によって塗工し、乾燥させて得ることができる。上記の組成物は、必要により、溶剤に溶解しまたは分散させて塗布してもよい。
エネルギー線硬化型保護膜形成層の厚さとしては、好ましくは3〜300μm、より好ましくは10〜60μmとするのがよい。この層が薄すぎると、保護、補強効果が得られにくく、また色むら等の問題が発生しやすくなる。また、この層が厚すぎると、エネルギー線照射のみでフィルム全体を硬化させることが難しくなる。
<Manufacturing method>
The energy ray curable chip protecting film of the present invention is a roll knife coater, a gravure coater, a die coater, and a composition containing each component that constitutes the energy ray curable protective film forming layer on the release surface of the release sheet. According to a generally known method such as a reverse coater, it can be applied directly or by transfer and dried. The above composition may be applied after being dissolved or dispersed in a solvent, if necessary.
The thickness of the energy ray curable protective film forming layer is preferably 3 to 300 μm, more preferably 10 to 60 μm. If this layer is too thin, it is difficult to obtain a protective and reinforcing effect, and problems such as uneven color are likely to occur. Moreover, when this layer is too thick, it will become difficult to harden the whole film only by energy ray irradiation.

<使用方法>
本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの使用用途としては、チップ保護用途であれば特に限定されないが、例えば、ウエハレベルパッケージ用のチップ裏面保護用途に用いることができる。
この場合、まずウエハの裏面にチップ保護用フィルムを40℃以上に加熱して0.05〜0.5MPaの圧力をかけてラミネートさせ、フィルムをウエハサイズに切断する。ウエハにラミネートしたフィルムに100〜2000mJ/cm2 の紫外線を照射することでフィルムを硬化させてウエハ全面を保護する。得られたフィルム付ウエハをダイシングにより個片化し、保護用フィルムで保護したチップとすることができる。
<How to use>
The use application of the energy ray curable chip protection film of the present invention is not particularly limited as long as it is a chip protection application. For example, it can be used for a chip back surface protection application for a wafer level package.
In this case, first, the chip protection film is heated to 40 ° C. or higher on the back surface of the wafer and laminated by applying a pressure of 0.05 to 0.5 MPa, and the film is cut into a wafer size. The film laminated on the wafer is irradiated with ultraviolet rays of 100 to 2000 mJ / cm 2 to cure the film and protect the entire surface of the wafer. The obtained wafer with a film can be separated into pieces by dicing and used as a chip protected with a protective film.

エネルギー線により硬化させた後のフィルムの鉛筆硬度はH以上、230℃でのプローブタックのピーク値は150mN/mm2 以下であるのがよい。
上記フィルムの鉛筆硬度がH未満となるとは、ウエハ搬送やチップ吸着、圧着等の際に保護フィルムに傷が入りやすい。
上記フィルムの230℃でのプローブタックのピーク値が150mN/mm2 を越えると、200℃以上に加熱されるリフロー工程等でフィルム剥がれ、フィルム表面の軟化に伴うフィルムの横洩れ、他の部材等への転写等の問題が発生する。
The pencil hardness of the film after being cured with energy rays is preferably H or more and the peak value of probe tack at 230 ° C. is 150 mN / mm 2 or less.
When the pencil hardness of the film is less than H, the protective film is likely to be damaged during wafer conveyance, chip adsorption, pressure bonding, and the like.
When the peak value of the probe tack at 230 ° C. of the above film exceeds 150 mN / mm 2 , the film is peeled off in a reflow process heated to 200 ° C. or more, the film leaks along with the softening of the film surface, other members, etc. Problems such as transfer to the ink occur.

なお、プローブタックのピーク値は、一般に、金属などで作製された円柱(直径が3〜5mmのプローブ)断面を粘着面に一定の圧力、時間、温度などで押しつけ、一定の速度で引き剥がしたときの最大強度として測定される値をいうが、本発明では、直径3mmの円柱型プローブを用い、接触速さ30mm/分、接触荷重100gf、接触時間3秒、引き剥がし速さ600mm/分、230℃加熱下で測定された値をいうものとする。   The peak value of the probe tack is generally a cylinder (probe with a diameter of 3 to 5 mm) made of metal or the like, pressed against the adhesive surface with a constant pressure, time, temperature, etc., and peeled off at a constant speed. In the present invention, a cylindrical probe having a diameter of 3 mm is used, the contact speed is 30 mm / min, the contact load is 100 gf, the contact time is 3 seconds, the peeling speed is 600 mm / min, It shall mean the value measured under heating at 230 ° C.

つぎに、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   Next, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to the following examples.

実施例1〜6および比較例1〜4
表1(実施例1〜6)および表2(比較例1〜4)に示した各成分の配合により、硬化性保護膜形成層用の塗布液を調製した。
なお、表1および表2における数値の単位はいずれも質量部である。また、表1および表2における各成分の符号は下記のとおりである。
Examples 1-6 and Comparative Examples 1-4
A coating solution for a curable protective film-forming layer was prepared by blending each component shown in Table 1 (Examples 1 to 6) and Table 2 (Comparative Examples 1 to 4).
In addition, as for the unit of the numerical value in Table 1 and Table 2, all are a mass part. Moreover, the code | symbol of each component in Table 1 and Table 2 is as follows.

A1:ポリマー成分1(重量平均分子量80万、ガラス転移温度−33℃のアクリル系共重合体、重合性二重結合なし)
A2:ポリマー成分2(重量平均分子量80万、ガラス転移温度−65℃のアクリル系共重合体、重合性二重結合あり)
B1:エネルギー線硬化性成分1(トリメチロールプロパントトリアクリレート)
B2:エネルギー線硬化性成分2(エポキシアクリレート系樹脂)
C:染料及び顔料〔黒色顔料(アゾ系)〕
D:シリカ〔球状合成シリカ(平均粒径3μm)〕
E1:光重合開始剤1(α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン)
E2:光重合開始剤2(アシルホスフィンオキシド)
F:架橋剤(有機多価イソシアネート系架橋剤)
A1: Polymer component 1 (Acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of −33 ° C., no polymerizable double bond)
A2: Polymer component 2 (acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of −65 ° C., with a polymerizable double bond)
B1: Energy ray curable component 1 (trimethylol propantotriacrylate)
B2: Energy ray curable component 2 (epoxy acrylate resin)
C: Dye and pigment [Black pigment (azo)]
D: Silica [spherical synthetic silica (average particle size 3 μm)]
E1: Photopolymerization initiator 1 (α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone)
E2: Photopolymerization initiator 2 (acylphosphine oxide)
F: Crosslinking agent (organic polyvalent isocyanate crosslinking agent)

Figure 2008218930
Figure 2008218930

Figure 2008218930
Figure 2008218930

つぎに、上記の各塗布液を、厚さが38μmのポリエチレンテレフタレー(PET)フィルムからなる剥離シートの上に、乾燥膜厚が30μmとなるように130℃/3分で塗布乾燥したのち、その上に上記同様の別の剥離シートを貼り合わせ、剥離シート/エネルギー線硬化型保護膜形成層/剥離シートからなる3層構成のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムを作製した。
このエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムについて、下記の方法により、エネルギー線硬化型保護膜形成層の鉛筆硬度、タック力(プローブタックのピーク値)を測定し、また、下記の方法により、レーザーマーク認識性および実装信頼性を調べた、これらの結果は、表3に示されるとおりであった。
Next, after coating and drying each of the above coating solutions on a release sheet made of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 38 μm at 130 ° C./3 minutes so that the dry film thickness becomes 30 μm, Another release sheet similar to the above was laminated thereon to produce a three-layer energy ray curable chip protecting film comprising release sheet / energy ray curable protective film forming layer / release sheet.
With respect to this energy ray curable chip protecting film, the pencil hardness and tack force (probe tack peak value) of the energy ray curable protective film forming layer are measured by the following method, and the laser mark is measured by the following method. The results of examining the recognition and mounting reliability were as shown in Table 3.

<鉛筆硬度>
エネルギー線硬化型保護膜形成層をシリコンウエハに80℃で貼り合わせ、紫外線照射機を用いて紫外線を1,000mJ/cm2照射(照度40mW/cmを25秒)した。その後、JIS規格:K5600−5−4に基づき室温(25℃)での鉛筆硬度を測定した。
<Pencil hardness>
The energy ray curable protective film forming layer was bonded to a silicon wafer at 80 ° C., and ultraviolet rays were irradiated at 1,000 mJ / cm 2 using an ultraviolet irradiator (illuminance of 40 mW / cm 2 for 25 seconds). Thereafter, the pencil hardness at room temperature (25 ° C.) was measured based on JIS standard: K5600-5-4.

<プローブタックのピーク値>
被着体側のエネルギー線硬化型保護膜形成層の紫外線照射後(1,000mJ/cm)でのプローブタックのピーク値(タック力)を、(株)レスカ社製、タッキング試験機、TAC−型を用いて測定した。測定条件と下記のとおりである。結果は、n=5の平均値とした。
プローブ :3mmφの円柱型
プローブの接触速さ :30mm/分
接触荷重 :100gf
接触時間 :3秒
引き剥がし速さ :600mm/分
測定温度 :230℃
<Peak tack peak value>
The peak value (tack force) of the probe tack after the ultraviolet irradiation (1,000 mJ / cm 2 ) of the energy ray curable protective film forming layer on the adherend side is measured by a tacking tester manufactured by Resuka Co., Ltd., TAC- Measurement was performed using a mold. The measurement conditions are as follows. The result was an average value of n = 5.
Probe: 3 mmφ cylindrical probe Contact speed of probe: 30 mm / min Contact load: 100 gf
Contact time: 3 seconds Peeling speed: 600 mm / min Measurement temperature: 230 ° C.

<レーザーマーク認識性>
エネルギー線硬化型保護膜形成層をシリコンウエハに80℃で貼り合わせ、紫外線照射機を用いて紫外線を1,000mJ/cm2照射(照度40mW/cmを25秒)した。その後、レーザーマーキングを行った(キーエンス製:ML−G9320使用、文字高さ0.75mm、文字幅0.5mm)後、レーザーマーキングの印字の認識性を顕微鏡により観察した。
認識性の評価は、顕微鏡搭載のCCDカメラを用いて行った。CCDカメラによるコントラスト値が85%を超えるものを◎、85%以下70%以上のものを○、70%未満30%以上のものを△、30%未満のものを×とした。
<Laser mark recognition>
The energy ray curable protective film forming layer was bonded to a silicon wafer at 80 ° C., and ultraviolet rays were irradiated at 1,000 mJ / cm 2 using an ultraviolet irradiator (illuminance of 40 mW / cm 2 for 25 seconds). Thereafter, laser marking was performed (manufactured by Keyence: using ML-G9320, character height 0.75 mm, character width 0.5 mm), and the recognizability of laser marking printing was observed with a microscope.
Recognition evaluation was performed using a CCD camera mounted on a microscope. The case where the contrast value by the CCD camera exceeds 85% is marked as ◎, the case where it is 85% or less 70% or more, ◯, the case where it is less than 70%, 30% or more, Δ, and the case where less than 30% is ×

<実装信頼性>
エネルギー線硬化型保護膜形成層をシリコンウエハに80℃で貼り合わせ、紫外線照射機を用いて紫外線を1,000mJ/cm2照射(照度40mW/cmを25秒)した。保護膜層側にダイシングテープを貼り合わせ、5mm×5mmにダイシングした。分割された個々のシリコンチップを85℃/85%RHの恒温恒湿槽で168時間処理した後、IRリフロー炉で250℃/120秒加熱した。その後、得られたシリコンチップと保護膜層との剥離の有無をSAT(超音波映像装置:日立建機ファインテック株式会社製)で観察した。20個のサンプルのうち、剥離が発生したものをカウントした。
<Mounting reliability>
The energy ray curable protective film forming layer was bonded to a silicon wafer at 80 ° C., and ultraviolet rays were irradiated at 1,000 mJ / cm 2 using an ultraviolet irradiator (illuminance of 40 mW / cm 2 for 25 seconds). A dicing tape was bonded to the protective film layer side and diced to 5 mm × 5 mm. Each divided silicon chip was treated in a constant temperature and humidity chamber of 85 ° C./85% RH for 168 hours, and then heated in an IR reflow furnace at 250 ° C./120 seconds. Thereafter, the presence or absence of peeling between the obtained silicon chip and the protective film layer was observed with SAT (ultrasonic imaging device: manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd.). Of the 20 samples, those in which peeling occurred were counted.

Figure 2008218930
Figure 2008218930

本発明の実施例1〜6は、エネルギー線硬化型保護膜形成層中に顔料およびシリカを含み、その鉛筆硬度およびタック力で本発明の要件を満たしており、レーザーマーク認識性および実装信頼性のいずれにも問題はなかった。
これに対し、比較例1は十分に硬化しており、鉛筆硬度、タック力で問題ないものの、顔料を含まないため、レーザーマーク認識性が不十分である。比較例2は顔料を含んでいるために硬化が不十分であり紫外線硬化後のタック力が高く、耐熱性がないため実装信頼性の面で問題がある。比較例3でも硬化が不十分であるために鉛筆硬度が低くウエハ搬送時等に傷が入りやすく、また実装信頼性の面でも問題がある。
Examples 1 to 6 of the present invention include pigments and silica in the energy ray-curable protective film forming layer, satisfy the requirements of the present invention with their pencil hardness and tack force, and have laser mark recognition and mounting reliability. There was no problem with either.
On the other hand, Comparative Example 1 is sufficiently cured and has no problem with pencil hardness and tack force, but does not contain a pigment, so that the laser mark recognizability is insufficient. Since Comparative Example 2 contains a pigment, the curing is insufficient, the tack force after ultraviolet curing is high, and there is no heat resistance, so there is a problem in terms of mounting reliability. Also in Comparative Example 3, since the curing is insufficient, the pencil hardness is low, and the wafer is easily damaged when transporting the wafer, and there is a problem in terms of mounting reliability.

本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the energy ray hardening-type chip | tip protective film of this invention. 本発明のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルムの他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the energy ray hardening-type chip | tip protective film of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 剥離シート
2 エネルギー線硬化型保護膜形成層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Release sheet 2 Energy-beam curable protective film formation layer

Claims (6)

(A)重合性二重結合を有する重量平均分子量5万以上のアクリル系共重合体からなるポリマー成分、(B)エネルギー線硬化性成分、(C)染料および/または顔料及び(D)シリカを含有してなるエネルギー線硬化型保護膜形成層を有することを特徴とするエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   (A) a polymer component comprising an acrylic copolymer having a polymerizable double bond and a weight average molecular weight of 50,000 or more, (B) an energy ray-curable component, (C) a dye and / or pigment, and (D) silica. An energy beam-curable chip protecting film comprising an energy beam-curable protective film-forming layer. エネルギー線硬化性成分(B)が、エポキシ変性アクリレートであることを特徴とする請求項1に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   The energy ray-curable chip protecting film according to claim 1, wherein the energy ray-curable component (B) is an epoxy-modified acrylate. エネルギー線硬化型保護膜形成層が、(A)ポリマー成分および(B)エネルギー線硬化性成分の合計100質量部に対し、(C)染料および/または顔料を1〜50質量部、(D)シリカを100〜700質量部含有することを特徴とする請求項1または2に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   The energy ray-curable protective film-forming layer is composed of 1 to 50 parts by mass of (C) a dye and / or pigment with respect to 100 parts by mass of the total of (A) the polymer component and (B) the energy ray-curable component, (D) The energy ray-curable chip protecting film according to claim 1, comprising 100 to 700 parts by mass of silica. エネルギー線硬化型保護膜形成層が、(A)〜(D)成分のほかに、(E)光重合開始剤を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   The energy ray-curable protective film forming layer contains (E) a photopolymerization initiator in addition to the components (A) to (D). Curing type chip protection film. (E)光重合開始剤が、アシルホスフィンオキシドであることを特徴とする請求項4に記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。   (E) The photopolymerization initiator is acylphosphine oxide, The energy ray-curable chip protecting film according to claim 4. 剥離シートをエネルギー線硬化型保護膜形成層の片面又は両面に仮着したことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム。

6. The energy ray curable chip protecting film according to claim 1, wherein the release sheet is temporarily attached to one side or both sides of the energy ray curable protective film forming layer.

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