JP2008218143A - Organic electroluminescence element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element.
液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)表示装置などのフラットパネルディスプレイ(FPD)は、薄型省スペースの表示装置として広く用いられている。また、情報端末機器のモバイル化により、プラスチックフィルムやシートを基材としてFPD需要が急速に拡大しつつある。 Flat panel displays (FPD) such as liquid crystal display devices and organic electroluminescence (organic EL) display devices are widely used as thin and space-saving display devices. In addition, with the mobile use of information terminal devices, demand for FPDs is rapidly expanding using plastic films and sheets as base materials.
しかしながら従来のガラス基板に代替して、アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子やカラーフィルター基板、或いは有機EL表示素子や有機ELバックライトなどにプラスチック基板を用いるためには、解決しなくてはならないいくつかの困難な課題がある。 However, in order to use a plastic substrate for an active matrix type liquid crystal display element, a color filter substrate, an organic EL display element, an organic EL backlight or the like instead of a conventional glass substrate, there are some problems that must be solved. There are difficult challenges.
すなわち、第一に寸法安定性、第二にガスバリア性、第三に透明性、第四に耐熱性、第五に透明電極の低抵抗性及び抵抗値の安定性である。さらにプロセス中の基板の反りが少ないこと、耐薬品性、透明電極のエッチング性などの特性も重要である。また、積層される個々の材料特性が優れていても、例えばプロセス中に剥離や破断などの不具合が起こる可能性があり、積層化される材料同士のマッチングも大きな課題である。 That is, the first is dimensional stability, the second is gas barrier property, the third is transparency, the fourth is heat resistance, and the fifth is low resistance and stability of resistance value of the transparent electrode. Furthermore, characteristics such as low warpage of the substrate during the process, chemical resistance, and etching properties of the transparent electrode are also important. In addition, even if the individual material properties to be laminated are excellent, there is a possibility that problems such as peeling and breakage may occur during the process, and matching of laminated materials is also a big issue.
従来の液晶用プラスチック基板としては、特許文献1(特開平6−337408号公報)や特許文献2(特開平7−120740号公報)に記載されるエポキシ樹脂系液晶用基板があり、また特許文献3(特開10−77321号公報)や特許文献4(特開平10−90667号公報)には(メタ)アクリレート系樹脂を用いた透明液晶基板などの記載がある。しかしながら、これら従来のガラス代替プラスチック材料は、ガラス板に比べ著しく線膨張係数が大きく、特にアクティブマトリックス表示基板に用いると製造工程における反りや配線の断線などの問題が生じる。また、フォトリソグラフ工程をプロセス中に有するカラーフィルター基板に用いられる場合も、高精細で色ずれなくRGB各色を所定の位置に形成するためには線膨張係数が小さくかつ、耐熱性の高い基板が要求される。さらに、プラスチック基板上に有機ELを形成する方法は、特許文献5(特開2002−175875号公報)や特許文献6(特開2002−190384号公報)などに開示されている。しかし、容易にはガラス基板がプラスチック基板に代替されない理由のひとつに、線膨張係数がガラスとプラスチックとでは大きく異なることが挙げられる。また、有機ELバックライトのように面上に均一発光させる場合であっても、プラスチック上のガスバリア層や電極層は金属酸化物であることがほとんどであり、基板であるプラスチックとの線膨張係数の差によるたわみ、変形および破断などが製造上の加熱プロセスで生じる。従ってプラスチック基板の線膨張係数の低下はこれらの用途には必要不可欠である。 Examples of conventional plastic substrates for liquid crystals include epoxy resin-based liquid crystal substrates described in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 6-337408) and Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 7-120740). 3 (Japanese Patent Laid-Open No. 10-77321) and Patent Document 4 (Japanese Patent Laid-Open No. 10-90667) describe a transparent liquid crystal substrate using a (meth) acrylate resin. However, these conventional glass substitute plastic materials have a remarkably large linear expansion coefficient as compared with a glass plate, and particularly, when used for an active matrix display substrate, problems such as warpage in the manufacturing process and disconnection of wiring occur. Also, when used in a color filter substrate having a photolithographic process in the process, a substrate having a low linear expansion coefficient and high heat resistance is required to form RGB colors at predetermined positions with high definition and no color shift. Required. Furthermore, methods for forming an organic EL on a plastic substrate are disclosed in Patent Document 5 (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-175875), Patent Document 6 (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-190384), and the like. However, one of the reasons why glass substrates are not easily replaced by plastic substrates is that the linear expansion coefficient differs greatly between glass and plastic. Also, even in the case of uniform light emission on the surface like an organic EL backlight, the gas barrier layer and electrode layer on the plastic are mostly metal oxides, and the linear expansion coefficient with the plastic as the substrate Deflection, deformation, breakage, and the like due to the difference occur in the manufacturing heating process. Therefore, a reduction in the linear expansion coefficient of the plastic substrate is indispensable for these applications.
最近、アクティブマトリックスを含む液晶表示基板、有機EL素子基板、カラーフィルター基板等に好適に用いることができる、特許文献7(国際公開第WO03/064530号パンフレット)記載の透明複合体組成物や特許文献8(国際公開第WO03/064535号パンフレット)記載の透明複合体組成物など、線膨張係数、透明性、耐熱性などの諸特性の優れたプラスチック基板が提案されている。しかしこれらは、この基板単独で、液晶基板や有機EL基板に用いるものではなく、バリア層や透明電極層を付与して初めてこれらの用途に用いられ得るものである。 Recently, a transparent composite composition described in Patent Document 7 (International Publication No. WO03 / 064530) or a patent document that can be suitably used for a liquid crystal display substrate, an organic EL element substrate, a color filter substrate, and the like containing an active matrix. No. 8 (International Publication No. WO03 / 064535 pamphlet), such as a transparent composite composition, has been proposed a plastic substrate having excellent characteristics such as linear expansion coefficient, transparency, and heat resistance. However, these are not used alone for a liquid crystal substrate or an organic EL substrate, but can be used for these applications only after providing a barrier layer or a transparent electrode layer.
液晶表示基板や有機EL素子などに適用可能なバリア性を付与した透明電極付きバリアフィルムに関しては特許文献9(特開2006−113322号公報)に記載がある。しかし、透明プラスチックフィルムの線膨張係数に関する記述が無く、さらには最外層の透明電極の直下に、水蒸気などのガスが拡散し易い樹脂層が存在する点など、有機EL素子基板に用いるには未解決な課題を残している。 Patent Document 9 (Japanese Patent Laid-Open No. 2006-113322) describes a barrier film with a transparent electrode to which a barrier property that can be applied to a liquid crystal display substrate, an organic EL element, or the like is provided. However, there is no description about the linear expansion coefficient of the transparent plastic film, and there is a resin layer in which gas such as water vapor easily diffuses directly under the outermost transparent electrode. There is a problem to be solved.
FPDに用いられる透明電極は、その高性能化に伴い、高品質化が要求されている。最も一般的に使用されている透明電極としてはITO(Indium Tin Oxide)があり、これはスパッタリングによる成膜性や塩酸−硝酸系の強酸によるエッチング加工性に優れた特性を備えている。しかしながら、液晶ディスプレイの高精細化に伴い、電極のエッチング加工性向上や優れた導電性とその安定性が、より材料に求められるようになり、新しい透明導電膜の開発が活発化している。特にIZO(Indium Zinc Oxide)は一般に非晶質膜であることから、エッチング性に優れ、内部応力が小さいなどの優れた性質を有している。これらIZOをプラスチックフィルム上に形成する方法としては、特許文献10(特開平7−235219号公報)や特許文献11(特開2000−243160号公報)がある。特許文献10は、IZO膜を透明導電膜として用いることにより、基板温度を室温に保ちながら、比較的抵抗の低い透明導電膜を形成しようとするものである。特許文献11は、透明導電膜の生産性を向上させるために導電膜の形成直後の抵抗値と、高分子基板のガラス転移温度を超えない範囲での熱処理の間で抵抗変化が少ない低抵抗な透明導電膜を形成しようというものである。
しかしながら、アクティブマトリックスを含む液晶表示基板、有機EL素子基板、カラーフィルター基板に好適に用いることができる透明電極付複合材料基板は、プラスチック基材、バリア層、透明電極の個々の材料のデザインはもとより、これらを複合化する際のプロセスにあった材料構成をデザインする必要がある。特に有機EL素子へ応用するためのプラスチック基板は、可撓性を付与しつつ、かつ水分子や酸素分子などの非常に高度な遮蔽性をもつことが要求される。従来のITOに代表される導電膜では、プラスチック基板の特性とこれに適合したバリア層構成の上に形成する場合に微細な破断点が散在する欠点を除くことが難しく、有機EL素子に応用した場合にダークスポットの成長が著しく、実用化が困難であった。すなわち、プラスチック基板の材料、バリア層の構成、導電膜の材料と形成法、有機EL素子を形成した後の適切な評価といった複雑な材料とプロセスの課題を一体として検討せねばならず、従来の公知の技術では到底、解決しきれていない。 However, the composite material substrate with a transparent electrode that can be suitably used for a liquid crystal display substrate including an active matrix, an organic EL element substrate, and a color filter substrate is not limited to the design of individual materials of a plastic substrate, a barrier layer, and a transparent electrode. Therefore, it is necessary to design a material configuration suitable for the process of compounding them. In particular, a plastic substrate for application to an organic EL element is required to have a very high shielding property such as water molecules and oxygen molecules while providing flexibility. In the case of a conductive film typified by conventional ITO, it is difficult to eliminate the disadvantage that fine break points are scattered when it is formed on the characteristics of a plastic substrate and a barrier layer structure suitable for this, and it was applied to an organic EL element. In some cases, the growth of dark spots was remarkable, making it difficult to put it to practical use. In other words, complicated materials and process issues such as plastic substrate material, barrier layer configuration, conductive film material and formation method, and appropriate evaluation after forming an organic EL element must be considered together. It cannot be solved with known techniques.
そこで本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、従来のガラス基板に代替して、アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子やカラーフィルター基板、或いは有機EL表示素子や有機ELバックライトなどにプラスチック基板を用いるための、寸法安定性、抵抗値の安定性および透明性に優れた透明電極付複合材料基板を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するものである。 Accordingly, the present invention has been made in view of such circumstances, and instead of a conventional glass substrate, a plastic is used for an active matrix type liquid crystal display element, a color filter substrate, an organic EL display element, an organic EL backlight, or the like. The present invention provides an organic electroluminescence device using a composite substrate with a transparent electrode, which is excellent in dimensional stability, resistance value stability, and transparency for using a substrate.
上記課題を解決する本発明によれば、透明電極付複合材料基板と発光層とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記透明電極付複合材料基板が、架橋樹脂とガラス繊維とを含むプラスチックフィルムと、前記プラスチックフィルムの両面に設けられた少なくとも1層のガスバリア層と、前記ガスバリア層の上に設けられ、In−Zn−Oを主成分として含む透明電極層と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。 According to the present invention for solving the above-mentioned problems, an organic electroluminescence element comprising a composite material substrate with a transparent electrode and a light emitting layer, wherein the composite material substrate with a transparent electrode comprises a crosslinked resin and glass fiber. And at least one gas barrier layer provided on both surfaces of the plastic film, and a transparent electrode layer provided on the gas barrier layer and containing In—Zn—O as a main component. An organic electroluminescent device is provided.
本発明によれば、架橋樹脂とガラス繊維とを含むプラスチックフィルムと、In−Zn−Oを主成分として含む透明電極とを含む透明電極付複合材料基板を用いることにより、プラスチックフィルムの膨張係数を低く抑制することができるとともに、処理前後の抵抗値の変化を抑制することができる。また、プラスチックフィルムの両面にガスバリア層を設けることにより、ガスバリア性を向上させることができ、それにより基板のダークスポットを低減することができる。したがって、優れた寸法安定性、抵抗値の安定性および透明性をバランス良く有する有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。 According to the present invention, by using a composite substrate with a transparent electrode including a plastic film including a crosslinked resin and glass fiber and a transparent electrode including In-Zn-O as a main component, the expansion coefficient of the plastic film is increased. While being able to suppress low, the change of the resistance value before and behind a process can be suppressed. Moreover, by providing a gas barrier layer on both surfaces of the plastic film, the gas barrier property can be improved, and thereby dark spots on the substrate can be reduced. Therefore, it is possible to realize an organic electroluminescence device having excellent dimensional stability, resistance value stability and transparency in a well-balanced manner.
上記有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層は、発光層ホストと燐光材料とを含み得る。 In the organic electroluminescence device, the light emitting layer may include a light emitting layer host and a phosphorescent material.
上記有機エレクトロルミネッセンス素子において、ガラス繊維は、前記プラスチックフィルムの全重量に対して、10〜90重量%配合され得る。 In the organic electroluminescence device, the glass fiber may be blended in an amount of 10 to 90% by weight based on the total weight of the plastic film.
上記有機エレクトロルミネッセンス素子において、プラスチックフィルムの、30℃から150℃における線膨張係数は、0ppm/℃以上、40ppm/℃以下であり得る。 In the organic electroluminescence device, the linear expansion coefficient of the plastic film at 30 ° C. to 150 ° C. may be 0 ppm / ° C. or more and 40 ppm / ° C. or less.
上記有機エレクトロルミネッセンス素子において、透明電極付複合材料基板の水蒸気透過率は、0.01g/(m2・24hr)以下(JIS K7129B法に基づき40℃90%RH時の測定値)であり得る。 In the organic electroluminescence element, the water vapor transmission rate of the composite material substrate with a transparent electrode may be 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less (measured value at 40 ° C. and 90% RH based on JIS K7129B method).
上記有機エレクトロルミネッセンス素子の透明電極付複合材料基板において、180℃で熱処理される前の透明電極のシート抵抗値をa、180℃で熱処理された後の透明電極のシート抵抗値をbとするとき、b/aの値は、0.8以上、1.5未満であり得る。
上記有機エレクトロルミネッセンス素子において、ガスバリア層は、ケイ素の酸化物、窒化物または酸化窒素化物を主成分として含み得る。
上記有機エレクトロルミネッセンス素子において、透明電極付複合材料基板は有機コート層をさらに含み得る。
When the sheet resistance value of the transparent electrode before the heat treatment at 180 ° C. is a and the sheet resistance value of the transparent electrode after the heat treatment at 180 ° C. is b in the composite substrate with a transparent electrode of the organic electroluminescence element. , B / a may be 0.8 or more and less than 1.5.
In the organic electroluminescence device, the gas barrier layer may contain silicon oxide, nitride, or nitride as a main component.
In the organic electroluminescence element, the composite substrate with a transparent electrode may further include an organic coat layer.
本発明によれば、寸法安定性、抵抗値の安定性および透明性に優れた透明電極付複合材料基板を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic electroluminescent element using the composite material board | substrate with a transparent electrode excellent in dimensional stability, stability of resistance value, and transparency is provided.
図面を参照しつつ、本発明による透明電極付複合材料基板の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。 A preferred embodiment of a composite substrate with a transparent electrode according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same reference numerals are assigned to the same elements, and duplicate descriptions are omitted.
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明電極付複合材料基板と発光層とを含む。この透明電極付複合材料基板は、架橋樹脂とガラス繊維とを含むプラスチックフィルムと、プラスチックフィルムの両面に設けられたガスバリア層と、ガスバリア層の上に設けられ、In−Zn−Oを主成分として含む透明電極層とを含む。
図1は、本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子の例を示す。図1において、有機エレクトロルミネッセンス素子10は、プラスチックフィルム1と、プラスチックフィルム1の両面に設けられたガスバリア層2および4と、ガスバリア層2の表面に設けられた有機コート層3と、ガスバリア層4の表面に設けられたIZO電極5とを含む、透明電極付複合材料基板を含む。この有機EL素子10は、透明電極付複合材料基板のIZO電極5の表面に設けられた有機層6と、有機層6の表面に設けられた対向電極7と、接着剤9を介して設けられたステンレス製封止缶8を含む。
The organic electroluminescence device of the present invention includes a composite material substrate with a transparent electrode and a light emitting layer. This composite material substrate with a transparent electrode is provided with a plastic film containing a crosslinked resin and glass fiber, a gas barrier layer provided on both surfaces of the plastic film, and provided on the gas barrier layer, with In—Zn—O as a main component. A transparent electrode layer.
FIG. 1 shows an example of an organic electroluminescence device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an
以下、各構成毎に詳細に説明する。 Hereinafter, each configuration will be described in detail.
(プラスチックフィルム)
本発明で用いられるプラスチックフィルムは、架橋樹脂とガラス繊維とを含む。
プラスチックフィルムは、ガラス繊維に架橋樹脂を含浸させて、この架橋樹脂を硬化させることにより得られる。
本発明のプラスチックフィルムを製造するために用いられる架橋樹脂としては、(A)アクリレートなどの反応性モノマーを活性エネルギー線および/または熱によって架橋した樹脂又は(B)エポキシ樹脂が挙げられる。
(Plastic film)
The plastic film used in the present invention contains a crosslinked resin and glass fiber.
The plastic film is obtained by impregnating a glass fiber with a crosslinked resin and curing the crosslinked resin.
Examples of the crosslinked resin used for producing the plastic film of the present invention include (A) a resin obtained by crosslinking a reactive monomer such as acrylate with active energy rays and / or heat, or (B) an epoxy resin.
本発明において、架橋させるのは後述のガラス繊維を含有せしめた後に行なうのが好ましい。 In the present invention, the crosslinking is preferably performed after glass fibers described later are contained.
前記(A)の好ましい架橋樹脂は、脂環式構造を有するアクリレート(a1)と、含イオウアクリレート及びフルオレン骨格を有するアクリレートから選ばれた少なくとも1種のアクリレート(a2)との架橋により得られる透明樹脂が挙げられる。(a1)はガラス繊維よりも屈折率の低い低屈折率モノマーであり、(a2)はガラス繊維よりも屈折率の高いモノマーである。以下にその両者について詳述する。 A preferable cross-linked resin (A) is a transparent resin obtained by cross-linking of an acrylate (a1) having an alicyclic structure and at least one acrylate (a2) selected from a sulfur-containing acrylate and an acrylate having a fluorene skeleton. Resin. (A1) is a low refractive index monomer having a lower refractive index than glass fiber, and (a2) is a monomer having a higher refractive index than glass fiber. Both are described in detail below.
(a1)低屈折率モノマー
ガラス繊維よりも屈折率の低い反応性モノマーとしては、脂環式構造や脂肪族鎖を含む各種の(メタ)アクリレートを用いることができ、特に透明性や耐熱性の面から脂環式構造を有する(メタ)アクリレートが好ましい。
(A1) Low refractive index monomer As the reactive monomer having a refractive index lower than that of the glass fiber, various (meth) acrylates containing an alicyclic structure or an aliphatic chain can be used. A (meth) acrylate having an alicyclic structure is preferred from the surface.
脂環式構造を有する(メタ)アクリレートとしては、脂環式構造を含み2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレートであればよく、反応性、耐熱性や透明性の点から下式(1)及び(2)から選ばれた少なくとも1種の(メタ)アクリレートが好ましい。 As the (meth) acrylate having an alicyclic structure, any (meth) acrylate having an alicyclic structure and having two or more functional groups may be used, and the following formula ( At least one (meth) acrylate selected from 1) and (2) is preferred.
(式中、R1及びR2は各々独立に水素原子又はメチル基を示す。aは1又は2を示し、bは0又は1を示す。) (In the formula, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group. A represents 1 or 2, and b represents 0 or 1.)
(式中、Xは水素原子、−CH3、−CH2OH、NH2、 (In the formula, X is a hydrogen atom, —CH 3 , —CH 2 OH, NH 2 ,
式(1)においては、特に、R1、R2が水素で、aが1、bが0である構造を持つジシクロペンタジエニルジアクリレートが粘度などの物性から好ましい。 In formula (1), dicyclopentadienyl diacrylate having a structure in which R 1 and R 2 are hydrogen, a is 1 and b is 0 is particularly preferred from the viewpoint of physical properties such as viscosity.
また、式(2)において、特に、Xが−CH2OCOCH=CH2であり、R3、R4が水素であり、pが1である構造を持つパーヒドロ−1,4,5,8−ジメタノナフタレン−2,3,7−(オキシメチル)トリアクリレート、X、R3、R4がすべて水素であり、pが0または1である構造を持つアクリレートより選ばれた少なくとも1種のアクリレートが好ましい。特に、粘度等の点を考慮すると、X、R3、R4がすべて水素であり、pが0である構造を持つノルボルナンジメチロールジアクリレートが最も好ましい。式(2)の(メタ)アクリレートは、特開平5−70523に開示の方法にて得られる。 In the formula (2), in particular, perhydro-1,4,5,8- having a structure in which X is —CH 2 OCOCH═CH 2 , R 3 and R 4 are hydrogen, and p is 1. Dimethanonaphthalene-2,3,7- (oxymethyl) triacrylate, at least one acrylate selected from acrylates having a structure in which X, R 3 and R 4 are all hydrogen and p is 0 or 1 Is preferred. In particular, considering the viscosity and the like, norbornane dimethylol diacrylate having a structure in which X, R 3 , and R 4 are all hydrogen and p is 0 is most preferable. The (meth) acrylate of the formula (2) can be obtained by the method disclosed in JP-A-5-70523.
ガラス繊維よりも屈折率の低い反応性モノマーとしては、下式(6)の環状エーテル(メタ)アクリレートも透明性や耐熱性が高いことから望ましい。 As the reactive monomer having a refractive index lower than that of the glass fiber, the cyclic ether (meth) acrylate represented by the following formula (6) is also desirable because of its high transparency and heat resistance.
(式中、R18及びR19は各々独立に水素原子又はメチル基を示す。) (In the formula, R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.)
(a2)高屈折率モノマー
ガラス繊維よりも屈折率の高い反応性モノマーとしては、イオウや芳香族環を含む各種の(メタ)アクリレートを用いることができ、特に屈折率が高いことから含イオウ(メタ)アクリレートやフルオレン骨格を有する(メタ)アクリレートが好ましい。
(A2) High Refractive Index Monomer As the reactive monomer having a higher refractive index than glass fiber, various (meth) acrylates containing sulfur and aromatic rings can be used. A (meth) acrylate or a (meth) acrylate having a fluorene skeleton is preferred.
本発明で用いられる含イオウ(メタ)アクリレートとしては、イオウを含む2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレートであればよく、耐熱性や透明性の点から下式(3)に示す(メタ)アクリレートが好ましい。 The sulfur-containing (meth) acrylate used in the present invention may be a (meth) acrylate having two or more functional groups containing sulfur, and is represented by the following formula (3) from the viewpoint of heat resistance and transparency ( (Meth) acrylate is preferred.
(式中、Xはイオウ又はSO2を示し、Yは酸素又はイオウを示す。R5〜R10は各々独立に水素原子又はメチル基を示す。nおよびmは0〜2である。)
(Wherein, X represents a sulfur or SO 2, Y is .n and
式(3)で示される(メタ)アクリレートの中でも、反応性、耐熱性や取り扱い易さからXがイオウ、Yが酸素、R5〜R10がすべて水素、n及びmがともに1であるビス[4−(アクリロイロキシエトキシ)フェニル]スルフィドが最も好ましい。 Among the (meth) acrylates represented by formula (3), X is sulfur, Y is oxygen, R 5 to R 10 are all hydrogen, and n and m are both 1 because of reactivity, heat resistance and ease of handling. [4- (acryloyloxyethoxy) phenyl] sulfide is most preferred.
本発明で用いられるフルオレン骨格を有する(メタ)アクリレートとしては、フルオレン骨格を含み2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレートであれば特に限定されないが、耐熱性や透明性の点から下記の式(4)および(5)より選ばれた少なくとも1種の(メタ)アクリレートが好ましい。 The (meth) acrylate having a fluorene skeleton used in the present invention is not particularly limited as long as it is a (meth) acrylate having a fluorene skeleton and having two or more functional groups, but the following from the viewpoint of heat resistance and transparency. At least one (meth) acrylate selected from the formulas (4) and (5) is preferred.
(式中、R11〜R14は各々独立に水素原子又はメチル基を示す。rおよびsは0〜2である。) (In the formula, R 11 to R 14 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group. R and s are 0 to 2.)
(式中、R15〜R17は各々独立に水素原子又はメチル基を示す。) (In the formula, R 15 to R 17 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.)
これらの中でも式(4)においてR11〜R14がすべて水素で、r及びsが1であるビス[4−(アクリロイロキシエトキシ)フェニル]フルオレンが最も好ましい。 Among these, bis [4- (acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene in which R 11 to R 14 are all hydrogen and r and s are 1 in the formula (4) is most preferable.
これら低屈折率モノマーと高屈折率モノマーは、目的とする屈折率に応じて適宜の配合割合で混合して架橋を行うことができ、透明樹脂の屈折率を、これと組み合わせるガラス繊維の屈折率に合わせることができる。 These low-refractive index monomer and high-refractive index monomer can be mixed and crosslinked at an appropriate blending ratio according to the target refractive index, and the refractive index of the transparent resin is combined with the refractive index of the glass fiber. Can be adapted to
本発明で用いられる2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレートには柔軟性付与などのため、所望の特性を損なうことのない範囲で、単官能(メタ)アクリレートを併用してもよい。この場合、樹脂成分全体の屈折率がガラス繊維の屈折率に適合するよう配合量を調整する。 In order to impart flexibility to the (meth) acrylate having two or more functional groups used in the present invention, a monofunctional (meth) acrylate may be used in combination as long as desired properties are not impaired. In this case, the blending amount is adjusted so that the refractive index of the entire resin component matches the refractive index of the glass fiber.
(重合開始剤)
反応性モノマーを紫外線等の活性エネルギー線により架橋、硬化させるには、樹脂組成物中にラジカルを発生する光重合開始剤を加えるのが好ましい。かかる光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ジエトキシアセトフェノン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン、2,6−ジメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドなどが挙げられる。これらの光重合開始剤は2種以上を併用してもよい。
(Polymerization initiator)
In order to crosslink and cure the reactive monomer with active energy rays such as ultraviolet rays, it is preferable to add a photopolymerization initiator that generates radicals in the resin composition. Examples of such photopolymerization initiators include benzophenone, benzoin methyl ether, benzoin propyl ether, diethoxyacetophenone, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl ketone, 2,6-dimethylbenzoyl diphenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl. Examples thereof include diphenylphosphine oxide. Two or more of these photopolymerization initiators may be used in combination.
光重合開始剤の樹脂組成物中における含有量は、適度に硬化させる量であればよく、2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレート(a−1)および(a−2)の合計100重量部に対し、0.01〜2重量部が好ましく、さらに好ましくは、0.02〜1重量部であり、最も好ましくは、0.1〜0.5重量部である。光重合開始剤の添加量が多すぎると、重合が急激に進行し、複屈折の増大、着色、硬化時の割れ等の問題が発生する。また、少なすぎると組成物を充分に硬化させることができず、架橋後に型に付着して取り外せないなどの問題が発生する恐れがある。 The content of the photopolymerization initiator in the resin composition may be an appropriate amount to be cured, and a total of 100 (meth) acrylates (a-1) and (a-2) having two or more functional groups. The amount is preferably 0.01 to 2 parts by weight, more preferably 0.02 to 1 part by weight, and most preferably 0.1 to 0.5 part by weight with respect to parts by weight. When the amount of the photopolymerization initiator added is too large, the polymerization proceeds rapidly, and problems such as increased birefringence, coloring, and cracks during curing occur. On the other hand, if the amount is too small, the composition cannot be sufficiently cured, and there is a possibility that problems such as adhesion to the mold after crosslinking and removal cannot occur.
活性エネルギー線による硬化及び/又は熱重合による架橋後に高温で熱処理する場合は、その熱処理工程の中に、線膨張係数を低減する等の目的で、窒素雰囲気下又は真空状態で、250〜300℃、1〜24時間の熱処理工程を加えるのが好ましい。 When heat treatment is performed at a high temperature after curing by active energy rays and / or crosslinking by thermal polymerization, 250 to 300 ° C. in a nitrogen atmosphere or in a vacuum state for the purpose of reducing the linear expansion coefficient during the heat treatment step. It is preferable to add a heat treatment step for 1 to 24 hours.
(B)のエポキシ樹脂は、使用した硬化剤によって硬化後のエポキシ樹脂の屈折率が異なるが、本発明においては、各々、硬化後の屈折率が、用いられるガラス繊維の屈折率よりも低いか、或いは高くなるものであれば特に限定されない。 The epoxy resin (B) has a different refractive index after curing depending on the curing agent used. In the present invention, the refractive index after curing is lower than the refractive index of the glass fiber used. Or it will not be specifically limited if it becomes high.
ガラス繊維として、EガラスやSガラスなど屈折率が1.52以上のガラス繊維を用いる場合、屈折率の低いエポキシ樹脂、或いは高いエポキシ樹脂としては、酸無水物を硬化剤として、(i)比較的屈折率の低い脂環式エポキシ樹脂(下式(7)〜(12)など)、及び屈折率が中程度であるトリグリシジルイソシアヌレート(下式(13))から選ばれた少なくとも1種のエポキシ樹脂と、(ii)比較的屈折率の高いイオウ含有エポキシ樹脂(下式(14))及びフルオレン骨格含有エポキシ樹脂(下式(15))から選ばれた少なくとも1種のエポキシ樹脂の組み合わせなどが好ましい。 When glass fibers having a refractive index of 1.52 or more such as E glass or S glass are used as glass fibers, an epoxy resin having a low refractive index or an epoxy resin having a high refractive index can be prepared by using an acid anhydride as a curing agent. At least one selected from alicyclic epoxy resins having a low refractive index (e.g., the following formulas (7) to (12)) and triglycidyl isocyanurate having a moderate refractive index (the following formula (13)) A combination of an epoxy resin and (ii) a sulfur-containing epoxy resin having a relatively high refractive index (the following formula (14)) and at least one epoxy resin selected from a fluorene skeleton-containing epoxy resin (the following formula (15)) Is preferred.
前記成分(i)としては、それらのうち、トリグリシジルイソシアヌレートが耐熱性の点からより好ましい。 Among them, triglycidyl isocyanurate is more preferable as the component (i) from the viewpoint of heat resistance.
一方、NEガラスなど屈折率が1.52未満のガラス繊維を用いる場合、酸無水物を硬化剤として、(i)比較的屈折率の低い脂環式エポキシ樹脂(下式(7)〜(12)など)から選ばれた少なくとも1種のエポキシ樹脂と、(ii)屈折率が中程度であるトリグリシジルイソシアヌレート(下式(13))、並びに比較的屈折率の高いイオウ含有エポキシ樹脂(下式(14))及びフルオレン骨格含有エポキシ樹脂(下式(15))から選ばれた少なくとも1種のエポキシ樹脂の組み合わせなどが好ましい。 On the other hand, when glass fibers having a refractive index of less than 1.52, such as NE glass, are used, (i) an alicyclic epoxy resin having a relatively low refractive index (the following formulas (7) to (12) )) And at least one epoxy resin selected from (ii) triglycidyl isocyanurate having a medium refractive index (the following formula (13)), and a sulfur-containing epoxy resin having a relatively high refractive index (below) A combination of at least one epoxy resin selected from the formula (14)) and a fluorene skeleton-containing epoxy resin (the following formula (15)) is preferable.
上記の比較的屈折率の低いエポキシ樹脂としては、下式(7)〜(12)で示される脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。 Examples of the epoxy resin having a relatively low refractive index include alicyclic epoxy resins represented by the following formulas (7) to (12).
(式中、R6はアルキル基またはトリメチロールプロパン残基を示し、qは1〜20である。) (In the formula, R 6 represents an alkyl group or a trimethylolpropane residue, and q is 1 to 20.)
(式中、R7及びR8は各々独立して水素原子又はメチル基を示し、rは0〜2である。) (Wherein R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and r is 0 to 2).
(式中、sは0〜2である。) (In the formula, s is 0 to 2.)
また、上記の屈折率が中程度であるトリグリシジルイソシアヌレートは下式(13)にて示される。 Further, triglycidyl isocyanurate having a medium refractive index is represented by the following formula (13).
上記の比較的屈折率の高いイオウ含有エポキシ樹脂としては、イオウを含有し、2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されず、耐熱性や透明性の点から下式(14)に示すエポキシ樹脂が好ましい。 The sulfur-containing epoxy resin having a relatively high refractive index is not particularly limited as long as it contains sulfur and has two or more epoxy groups. From the viewpoint of heat resistance and transparency, the following formula (14 The epoxy resin shown in FIG.
(式中、XはSまたはSO2を示し、YはOまたはSを示す。R1〜R4は各々独立に水素原子又はメチル基を示し、nは0〜2である。) (In the formula, X represents S or SO 2 , Y represents O or S. R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and n is 0 to 2.)
式(14)で示されるエポキシ樹脂の中でも、反応性、耐熱性や取り扱い易さから、XがSO2、Yが酸素、R5〜R10がすべて水素、nが0〜1であるビスフェノールSが最も好ましい。 Among the epoxy resins represented by formula (14), bisphenol S in which X is SO 2 , Y is oxygen, R 5 to R 10 are all hydrogen, and n is 0 to 1 because of reactivity, heat resistance, and ease of handling. Is most preferred.
前記の比較的屈折率の高いフルオレン骨格含有エポキシ樹脂としては、フルオレン骨格を含有し、2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されないが、耐熱性や透明性の点から下式(15)で示されるエポキシ樹脂が好ましい。 The fluorene skeleton-containing epoxy resin having a relatively high refractive index is not particularly limited as long as it contains an fluorene skeleton and has two or more epoxy groups, but the following formula is used from the viewpoint of heat resistance and transparency. The epoxy resin represented by (15) is preferred.
(式中、R5は水素又はメチル基を示し、mは0〜2である。) (In the formula, R 5 represents hydrogen or a methyl group, and m is 0 to 2.)
硬化後の屈折率の異なるエポキシ樹脂は、目的とする屈折率に応じて適宜の配合割合で混合し硬化することができ、エポキシ樹脂の屈折率をガラス繊維の屈折率に調整することができる。 Epoxy resins having different refractive indexes after curing can be mixed and cured at an appropriate blending ratio according to the target refractive index, and the refractive index of the epoxy resin can be adjusted to the refractive index of the glass fiber.
本発明で用いられるエポキシ樹脂には、柔軟性付与などのため、所望の特性を損なうことのない範囲で、単官能のエポキシ化合物を併用してもよい。この場合、樹脂全体の屈折率をガラス繊維の屈折率に合うように配合量を調整する。 The epoxy resin used in the present invention may be used in combination with a monofunctional epoxy compound within a range that does not impair the desired characteristics for imparting flexibility. In this case, the blending amount is adjusted so that the refractive index of the entire resin matches the refractive index of the glass fiber.
本発明に用いるエポキシ樹脂は、硬化剤もしくは重合開始剤存在下、加熱又は活性エネルギー線を照射し、硬化して用いる。硬化剤は、特に限定されないが、優れた透明性の硬化物が得られやすいことから、酸無水物系の硬化剤やカチオン系触媒が好ましい。 The epoxy resin used in the present invention is used after being cured by heating or irradiation with active energy rays in the presence of a curing agent or a polymerization initiator. The curing agent is not particularly limited, but an acid anhydride-based curing agent or a cationic catalyst is preferable because an excellent transparent cured product can be easily obtained.
酸無水物の硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチル無水ナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチル水添無水ナジック酸、水添無水ナジック酸などが挙げられ、中でも透明性が優れることからメチルヘキサヒドロ無水フタル酸およびメチル水添無水ナジック酸が好ましい。 Examples of acid anhydride curing agents include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, nadic anhydride, glutaric anhydride, Examples include methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methyl hydrogenated nadic anhydride, hydrogenated nadic anhydride, etc. Among them, methyl hexahydrophthalic anhydride and methyl hydrogenated nadic anhydride are excellent because of their excellent transparency. Is preferred.
酸無水物系硬化剤を使用する場合は、硬化促進剤を併用することが好ましい。この硬化促進剤としては、1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエチレンジアミン等の三級アミン類、2−エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等のリン化合物、四級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体等があげられ、これらの中でもリン化合物が好ましい。これら硬化促進剤は、単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。 When using an acid anhydride curing agent, it is preferable to use a curing accelerator in combination. Examples of the curing accelerator include 1,8-diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7, tertiary amines such as triethylenediamine, imidazoles such as 2-ethyl-4-methylimidazole, and triphenylphosphine. And phosphorus compounds such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, quaternary ammonium salts, organometallic salts, and derivatives thereof, among which phosphorus compounds are preferred. These curing accelerators may be used alone or in combination of two or more.
酸無水物系硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、酸無水物系硬化剤における酸無水物基を0.5〜1.5当量に設定することが好ましく、0.7〜1.2当量がより好ましい。 The amount of the acid anhydride curing agent used is preferably set to 0.5 to 1.5 equivalents of the acid anhydride group in the acid anhydride curing agent with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. 0.7-1.2 equivalent is more preferable.
また、カチオン系触媒としては、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、三フッ化ホウ素アミン錯体、三フッ化ホウ素のアンモニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨウドニウム塩、アルミニウム錯体を含有するカチオン系触媒等をあげることができ、これらの中でもアルミニウム錯体を含有するカチオン系触媒が好ましい。 Cationic catalysts include acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, p-toluenesulfonic acid and other organic acids, boron trifluoride amine complexes, boron trifluoride ammonium salts, aromatic diazonium salts, aromatic sulfonium salts, aromatic Examples thereof include cationic catalysts containing a group iodonium salt and an aluminum complex, and among these, a cationic catalyst containing an aluminum complex is preferred.
本発明のプラスチックフィルムに配合されるガラス繊維の屈折率は特に限定されるものではないが、組み合わせる樹脂の屈折率の調整が容易なように1.50〜1.57の範囲にあるのが好ましい。特にガラス繊維の屈折率が1.50〜1.54である場合は、ガラスのアッベ数に近い樹脂が選択できるため好ましい。樹脂とガラスとのアッベ数が近いと広い波長領域において両者の屈折率が一致し、広い波長領域で高い光線透過率が得られる。 Although the refractive index of the glass fiber mix | blended with the plastic film of this invention is not specifically limited, It is preferable to exist in the range of 1.50-1.57 so that adjustment of the refractive index of resin to combine is easy. . In particular, when the refractive index of the glass fiber is 1.50 to 1.54, a resin close to the Abbe number of the glass can be selected, which is preferable. When the Abbe numbers of the resin and glass are close, the refractive indexes of the two coincide in a wide wavelength region, and a high light transmittance is obtained in a wide wavelength region.
本発明に用いるガラス繊維は、ガラス繊維フィラメント(短繊維又は長繊維)、ガラス繊維織布、ガラス繊維不織布などのいずれでもよいが、中でもガラス繊維織布が好ましい。なお、本発明でガラス繊維という場合には、ガラスパウダー、ガラスビーズ、1mm以下のガラス繊維(短繊維)は含まない。 The glass fibers used in the present invention may be any of glass fiber filaments (short fibers or long fibers), glass fiber woven fabrics, glass fiber nonwoven fabrics, etc., among which glass fiber woven fabrics are preferred. In the present invention, glass fiber does not include glass powder, glass beads, or 1 mm or less glass fiber (short fiber).
ガラスの種類としては、Eガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、クォーツ、低誘導率ガラス、高誘導率ガラスなどが挙げられ、中でもアルカリ金属などのイオン性不純物が少なく、入手が容易なEガラス、Sガラス、Tガラス、NEガラスが好ましい。 Examples of the glass include E glass, C glass, A glass, S glass, D glass, NE glass, T glass, quartz, low-inductivity glass, and high-inductivity glass. E glass, S glass, T glass, and NE glass, which have few impurities and are easily available, are preferred.
ガラス繊維としてガラス繊維織布を用いる場合、フィラメントの織り方に限定はなく、平織り、ななこ織り、朱子織り、綾織りなどが適用でき、中でも平織りが好ましい。 When a glass fiber woven fabric is used as the glass fiber, the method of weaving the filament is not limited, and plain weave, Nanako weave, satin weave, twill weave, etc. can be applied, and plain weave is preferred.
ガラス繊維織布の厚みは、通常、30〜200μmであるのが好ましく、より好ましくは40〜150μmである。 In general, the thickness of the glass fiber woven fabric is preferably 30 to 200 μm, and more preferably 40 to 150 μm.
ガラス繊維織布やガラス不織布などのガラス繊維布は1枚だけでもよく、複数枚を重ねて用いてもよい。 Only one glass fiber cloth such as a glass fiber woven cloth or a glass non-woven cloth may be used, or a plurality of glass fiber cloths may be used.
プラスチックフィルム組成物におけるガラス繊維の配合量は、10〜90重量%が好ましく、より好ましくは20〜80重量%、さらに好ましくは30〜70重量%である。ガラス繊維の配合量がこれより少ないと、線膨張係数が大きくなり本発明の範囲に入らなくなる傾向があり、一方、これより多いと成形外観が低下する傾向にある。 As for the compounding quantity of the glass fiber in a plastic film composition, 10 to 90 weight% is preferable, More preferably, it is 20 to 80 weight%, More preferably, it is 30 to 70 weight%. When the blending amount of the glass fiber is less than this, the linear expansion coefficient tends to be large and the range does not fall within the scope of the present invention. On the other hand, when the blending amount is larger than this, the molded appearance tends to be lowered.
以上のようにして得られたプラスチックフィルム基板は、30℃から150℃における線膨張係数が、0ppm/℃以上、40ppm/℃以下であり、好ましくは0ppm/℃以上、30ppm/℃以下の範囲である。膨張係数が上記範囲内であると、処理中のプラスチック基板の反りを抑制することができる。本発明において、線膨張係数の測定方法は、以下の方法による。 The plastic film substrate thus obtained has a linear expansion coefficient at 30 ° C. to 150 ° C. of 0 ppm / ° C. or more and 40 ppm / ° C. or less, preferably 0 ppm / ° C. or more and 30 ppm / ° C. or less. is there. When the expansion coefficient is within the above range, warping of the plastic substrate during processing can be suppressed. In the present invention, the linear expansion coefficient is measured by the following method.
JIS K7197に準じて、セイコー電子(株)製TMA/SS120C型熱応力歪測定装置を用いて測定した。 According to JIS K7197, it measured using the TMA / SS120C type | mold thermal stress strain measuring apparatus by Seiko Electronics Co., Ltd.
(ガスバリア層)
透明電極付複合材料基板は、プラスチックフィルムの両面に少なくとも1層のガスバリア層を有する。
(Gas barrier layer)
The composite substrate with a transparent electrode has at least one gas barrier layer on both sides of the plastic film.
ガスバリア層を有すると、プラスチックフィルムのガス透過性が大幅に低下するので、外気に含まれる水蒸気、酸素の透過を抑制することができる。例えば有機EL基板においては、ガスバリア層によりガス透過を抑制することで、有機EL素子へのダメージを低減することができ、発光寿命を延ばすことができる。また、発光中に時間とともに増加する非点灯領域の拡大を抑制することができる。 When the gas barrier layer is provided, the gas permeability of the plastic film is greatly reduced, so that the permeation of water vapor and oxygen contained in the outside air can be suppressed. For example, in an organic EL substrate, by suppressing gas permeation by the gas barrier layer, damage to the organic EL element can be reduced and the light emission life can be extended. In addition, expansion of the non-lighting area that increases with time during light emission can be suppressed.
液晶基板に用いる場合においても、ガスバリア層が無いと素子内への水蒸気や酸素などのガス混入により、表示品質を劣化させ寿命を短くする原因となる。 Even in the case of using it for a liquid crystal substrate, if there is no gas barrier layer, gas such as water vapor or oxygen is mixed into the element, which causes the display quality to deteriorate and shorten the life.
本発明の一実施形態において、プラスチックフィルムの両面にそれぞれガスバリア層が少なくとも1層設けられる。ガスバリア層を両面に有することで、ガス透過を抑制するだけでなく、プロセス中、洗浄などの液体に接触する工程においても、寸法変化を抑えることができる。 In one embodiment of the present invention, at least one gas barrier layer is provided on each side of the plastic film. By having the gas barrier layer on both sides, not only gas permeation can be suppressed, but also dimensional change can be suppressed in the process of contacting the liquid such as cleaning during the process.
ガスバリア層としては、透明性を有する無機膜を設けることが好ましい。特にこれに限定されるわけではないが、透明性、ガスバリア性の観点から酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化窒化珪素、酸化窒化アルミニウム、SiAlONなどが使用できる。さらに耐酸性、耐アルカリ性の観点から、ケイ素の酸化物、窒化物または酸化窒素化物を主成分とすることが好ましい。 As the gas barrier layer, it is preferable to provide an inorganic film having transparency. Although not particularly limited thereto, silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, silicon oxynitride, aluminum oxynitride, SiAlON, and the like can be used from the viewpoints of transparency and gas barrier properties. Further, from the viewpoint of acid resistance and alkali resistance, it is preferable that the main component is silicon oxide, nitride or oxynitride.
ガスバリア層は、蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなどの物理蒸着法(PVD)法、プラズマCVD(chemical vapor deposition)などの化学蒸着法、またはゾルゲル法などで作製することができる。中でもスパッタリング法で作製すると、密着力が高く、緻密でガスバリア性の高い膜が得られ易く好ましい。ガスバリア層の成膜工程は、枚葉方式あるいはロール・トゥ・ロール方式のいずれも適用できるが、プラスチックフィルム上に成膜を行なうため、ロール・トゥ・ロール方式で行なうと生産性が向上する。ケイ素の酸化物、窒化物または酸化窒素化物のスパッタリング成膜は、DC(直流)スパッタリング法、RF(高周波)スパッタリング法、これにマグネトロンスパッタリングを組み合わせた方法、さらに中間的な周波数領域を用いたデュアルマグネトロン(DMS)スパッタリング法などの従来技術を、単独でまたは組み合わせて用いることができる。スパッタリング雰囲気中には、He、Ne、Ar、Kr、Xe等の不活性ガス、酸素、窒素のうち少なくとも1種のプロセスガスを用いることができる。DCスパッタリングやDMSスパッタリングでケイ素の酸化物、窒化物または酸化窒素化物のスパッタリングを行なう際には、そのターゲットにSiを用いることができる。プロセスガス中に酸素や窒素を導入することで、ケイ素の酸化物、窒化物または酸化窒素化物の薄膜を作ることができる。RF(高周波)スパッタリング法でこれらを成膜する場合は、SiO2やSi3N4などのセラミックターゲットを用いることもできる。生産性の観点から、Siターゲットを用い、DCスパッタリングやDMSスパッタリング等で、酸素や窒素を導入しながら成膜することが好ましい。 The gas barrier layer can be produced by a physical vapor deposition (PVD) method such as vapor deposition, ion plating or sputtering, a chemical vapor deposition method such as plasma CVD (chemical vapor deposition), or a sol-gel method. Among these, the sputtering method is preferable because a film having high adhesion, a dense and high gas barrier property is easily obtained. The gas barrier layer can be formed by either a single wafer method or a roll-to-roll method. However, since the film is formed on a plastic film, productivity is improved by the roll-to-roll method. Sputtering deposition of silicon oxide, nitride, or oxynitride includes DC (direct current) sputtering, RF (radio frequency) sputtering, a combination of magnetron sputtering, and dual using an intermediate frequency range. Conventional techniques such as magnetron (DMS) sputtering can be used alone or in combination. In the sputtering atmosphere, an inert gas such as He, Ne, Ar, Kr, and Xe, at least one process gas among oxygen and nitrogen can be used. When sputtering silicon oxide, nitride, or oxynitride by DC sputtering or DMS sputtering, Si can be used as the target. By introducing oxygen or nitrogen into the process gas, a thin film of silicon oxide, nitride or oxynitride can be formed. When these are formed by RF (high frequency) sputtering, a ceramic target such as SiO 2 or Si 3 N 4 can also be used. From the viewpoint of productivity, it is preferable to form a film using Si target and introducing oxygen or nitrogen by DC sputtering or DMS sputtering.
ガスバリア層は2層以上設けても良く、その場合、ガスバリア層の間に有機コート層が設けられていることが好ましい。この有機コート層を中間層に設けることは、バリア層を連続して2層設けた場合に比較して、ガス透過率が低下することから好ましい。これは、有機コート層が、先に設けられたバリア層の欠点を覆い隠して平滑化することで、次に設けるバリア層が前のバリア層の欠点をきっかけとした、ピンホールなどの欠点を作りにくくするためと考えられている。また、この有機コート層はプラスチックフィルムとガスバリア層の間にも設けられて良い。各有機コート層は、それぞれが同じ材料でも異なる材料でもよい。 Two or more gas barrier layers may be provided. In that case, an organic coat layer is preferably provided between the gas barrier layers. Providing this organic coating layer in the intermediate layer is preferable because the gas permeability is reduced as compared with the case where two barrier layers are provided in succession. This is because the organic coating layer covers and smoothes the defects of the barrier layer provided earlier, and the barrier layer provided next is triggered by the defects of the previous barrier layer. It is thought to make it difficult to make. This organic coating layer may also be provided between the plastic film and the gas barrier layer. Each organic coat layer may be the same material or a different material.
特に、この透明電極付複合材料基板をカラーフィルター用の基板として供する場合には、有機コート層の一つとして、フォトリソグラフ法などで形成したB(黒色)R(赤色)G(緑色)B(青色)の着色パターンを挿入することもできる。 In particular, when this composite material substrate with a transparent electrode is used as a substrate for a color filter, B (black) R (red) G (green) B (formed by a photolithographic method or the like as one of the organic coating layers. A blue colored pattern can also be inserted.
有機コート層は、通常、透明性、密着性および耐熱性を有する化合物が良く、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、アクリル系架橋樹脂などの紫外線・電子線架橋樹脂などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。有機コート層は原料化合物を溶液、ラテックスあるいは無溶媒のまま、ワイヤーバー、イクストルージョン、マイクログラビア、リバースロールなどの方法で形成することができる。かかる有機コート層の厚さは、0.5μmから5μmの範囲が、欠点の被覆性と密着性や透明性のバランスから好適である。 The organic coating layer is usually a compound having transparency, adhesion and heat resistance, and examples thereof include thermosetting resins such as thermoplastic resins and epoxy resins, and ultraviolet / electron beam crosslinking resins such as acrylic crosslinking resins. However, it is not limited to these. The organic coat layer can be formed by a method such as wire bar, extrusion, microgravure, reverse roll, etc. while keeping the raw material compound in solution, latex or no solvent. The thickness of the organic coating layer is preferably in the range of 0.5 μm to 5 μm from the balance of defect coverage, adhesion, and transparency.
(透明電極層) (Transparent electrode layer)
本発明の透明電極付複合材料基板は、In−Zn−Oを主成分として含む透明電極層を含む。
本発明の一実施形態において、透明電極層は、ガスバリア層の上に成膜される。好ましくは、この透明電極層は、ガスバリア層上に直接成膜される。ガスバリア層と透明電極層の間に有機層が存在すると、この層起因の(層に内包されていたり、エッジから侵入する物質)成分が液晶素子や有機EL素子内部に侵入することがある。この透明電極層は操作性、コスト、エッチング性などを総合的に考慮すると、スパッタリング法を用いたITO、IZOが実用的である。さらに、熱処理を加えたときの抵抗値の安定性やエッチング特性の安定性、および膜応力などの観点からIZOが好適である。透明電極層の成膜は、枚葉方式あるいはロール・トゥ・ロール方式のいずれも適用できるが、プラスチックフィルム上に成膜を行なうため、ロール・トゥ・ロール方式で行なうと生産性が向上する。
The composite material substrate with a transparent electrode of the present invention includes a transparent electrode layer containing In—Zn—O as a main component.
In one embodiment of the present invention, the transparent electrode layer is deposited on the gas barrier layer. Preferably, the transparent electrode layer is formed directly on the gas barrier layer. When an organic layer exists between the gas barrier layer and the transparent electrode layer, a component (a substance contained in the layer or entering from the edge) due to this layer may enter the liquid crystal element or the organic EL element. In consideration of operability, cost, etching property, etc., ITO and IZO using a sputtering method are practical for this transparent electrode layer. Furthermore, IZO is preferable from the viewpoint of stability of resistance value when subjected to heat treatment, stability of etching characteristics, film stress, and the like. The transparent electrode layer can be formed by either a single wafer method or a roll-to-roll method. However, since the film is formed on a plastic film, the productivity is improved when the roll-to-roll method is used.
スパッタリングによるIZO層の成膜は、DC(直流)スパッタリング法、RF(高周波)スパッタリング法、これにマグネトロンスパッタリングを組み合わせた方法、さらに中間的な周波数領域を用いたデュアルマグネトロンスパッタリング法などの従来技術を、単独でまたは組み合わせて用いることができる。かかる成膜はターゲットにIZOを用いると良い。IZOターゲットはIn2O3にZnOを5〜20wt%程度添加した材料である。このターゲットはバルク比抵抗が小さいため、DCスパッタリングに適している。IZO膜を成膜する際のスパッタリング雰囲気中には、He、Ne、Ar、Kr、Xe等の不活性ガス、酸素、窒素のうち少なくとも1種のプロセスガスを用いることができる。形成されるIZO膜中の酸素は、化学量論比に対して若干不足するため、酸素を微量導入し、光線透過率と比抵抗のバランスをとるようにするのが良い。このとき用いられる不活性ガスは経済性の観点からArが好ましい。プロセスガスは、マスフローコントローラーで流量を調整しながら導入すると良い。光線透過率と比抵抗はインラインでその値を測定しながら、導入ガス流量により調整してもよい。 The IZO layer is formed by sputtering using conventional techniques such as a DC (direct current) sputtering method, an RF (radio frequency) sputtering method, a method combining this with magnetron sputtering, and a dual magnetron sputtering method using an intermediate frequency region. Can be used alone or in combination. For such film formation, IZO may be used as a target. The IZO target is a material obtained by adding about 5 to 20 wt% of ZnO to In 2 O 3 . Since this target has a small bulk resistivity, it is suitable for DC sputtering. In the sputtering atmosphere when forming the IZO film, an inert gas such as He, Ne, Ar, Kr, or Xe, oxygen, or nitrogen can be used. Since oxygen in the formed IZO film is slightly insufficient with respect to the stoichiometric ratio, it is preferable to introduce a small amount of oxygen so as to balance the light transmittance and the specific resistance. The inert gas used at this time is preferably Ar from the viewpoint of economy. Process gas may be introduced while adjusting the flow rate with a mass flow controller. The light transmittance and specific resistance may be adjusted by the introduced gas flow rate while measuring the values in-line.
本発明の透明電極付複合材料基板に好ましい層構成の一例としては、(1)有機コート層/(2)ガスバリア層/(3)プラスチックフィルム基板/(4)ガスバリア層/(5)有機コート層/(6)ガスバリア層/(7)IZO電極、となるような態様が挙げられる。 As an example of a preferred layer structure for the composite substrate with a transparent electrode of the present invention, (1) organic coating layer / (2) gas barrier layer / (3) plastic film substrate / (4) gas barrier layer / (5) organic coating layer Examples include: / (6) gas barrier layer / (7) IZO electrode.
本発明の透明電極付複合材料基板の水蒸気透過率は、0.01g/(m2・24hr)以下(JISK7129B法に基づき40℃90%RH時の測定値)であることが好ましい。例えば、有機EL素子の発光寿命を実用的な時間で確保でき、また非発光領域(ダークスポット)の成長が目立たないレベルに抑制するためには、水蒸気透過率を0.01g/(m2・24hr)以下にする必要がある。 The water vapor permeability of the composite electrode substrate with a transparent electrode of the present invention is preferably 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less (measured value at 40 ° C. and 90% RH based on the JISK7129B method). For example, in order to ensure the light emission lifetime of the organic EL element in a practical time, and to suppress the growth of the non-light-emitting region (dark spot) to an inconspicuous level, the water vapor transmission rate is 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less.
さらに、本発明の透明電極付複合材料基板の抵抗値は、180℃で熱処理される前の透明電極のシート抵抗値をa、180℃で熱処理された後のシート抵抗値をbとするとき、b/aの値が0.8以上1.5未満であることが好ましい。 Furthermore, the resistance value of the composite material substrate with a transparent electrode of the present invention is as follows: a is the sheet resistance value of the transparent electrode before being heat-treated at 180 ° C., and b is the sheet resistance value after being heat-treated at 180 ° C. It is preferable that the value of b / a is 0.8 or more and less than 1.5.
例えば、かかる透明電極付複合材料基板を液晶表示用基板に用いるときには透明電極上に液晶配向剤を塗布した後、通常180℃以上で加熱乾燥処理される。さらに、本発明の透明電極付複合材料基板を有機EL基板に用いる場合、発光層を含む有機層を形成する前に通常有機溶媒や純水による洗浄工程がある。そのため洗浄後に基板内部に浸透した液体を加熱真空下で十分に乾燥する必要があり、この際、排気時間を短くするため通常150℃以上の高温で乾燥する。このような加熱プロセスで抵抗値が変化しないことは、液晶素子、有機EL素子の特性や歩留まりの点から要求される。 For example, when such a composite substrate with a transparent electrode is used as a substrate for a liquid crystal display, a liquid crystal aligning agent is applied on the transparent electrode, and then usually heat-dried at 180 ° C. or higher. Furthermore, when the composite material substrate with a transparent electrode of the present invention is used for an organic EL substrate, there is usually a washing step with an organic solvent or pure water before forming an organic layer including a light emitting layer. Therefore, it is necessary to sufficiently dry the liquid that has penetrated into the substrate after the cleaning under a heating vacuum. At this time, in order to shorten the exhaust time, the liquid is usually dried at a high temperature of 150 ° C. or higher. That the resistance value does not change in such a heating process is required in terms of the characteristics and yield of the liquid crystal element and the organic EL element.
加えて、IZOは加熱プロセスの如何に関わらず非晶質であるため、膜応力が小さく、結晶性のITO等と比較して基板の反りが少ないばかりか、膜応力によって破断するなどの不具合が、ITOに比較して起こりにくい。 In addition, since IZO is amorphous regardless of the heating process, the film stress is small, and there are not only warping of the substrate compared to crystalline ITO etc., but also failure such as fracture due to film stress. Less likely to occur than ITO.
(発光層を含む有機層)
本発明では、透明電極層を設けて透明電極付複合材料基板を形成した後に、透明電極層上に平坦化層を形成する工程を有し、次いで有機層を形成することが好ましい。
(Organic layer including light emitting layer)
In this invention, after providing a transparent electrode layer and forming a composite material substrate with a transparent electrode, it has a process of forming a planarization layer on a transparent electrode layer, and it is preferable to form an organic layer next.
平坦化層を形成すると、基板表面に存在する場合がある急峻な凹凸がなだらかになり、素子形成後に陽極と陰極との間で電界が集中することによるリーク電流が抑制される。有機EL素子に電圧を印加し次第に上昇させた場合、最初にショートする箇所は電界の集中する箇所であるため、平坦化層を形成した場合は、面積を拡大しても素子が焼損しにくくなり、発光の歩留まりが向上する。 When the planarization layer is formed, steep unevenness that may exist on the substrate surface becomes gentle, and leakage current due to concentration of the electric field between the anode and the cathode after the element formation is suppressed. When a voltage is applied to the organic EL element and gradually raised, the first short-circuited part is the part where the electric field concentrates. Therefore, when the planarization layer is formed, the element is not easily burned even if the area is increased. The yield of light emission is improved.
平坦化層としては、導電性材料が広く使えるが、電極から電荷を注入されやすい材料であって、分子が扁平な板状で、積み重なりやすい材料が好ましい。フタロシアニン系の材料が好ましく、特に銅フタロシアニン類(CuPC)が好ましい。平坦化層の形成は、真空中で蒸着法、スパッタ法、ケミカルベーパデポジション(CVD)法などの方法で形成することができる。 As the planarization layer, a conductive material can be widely used. However, a material in which charges are easily injected from an electrode and a molecule having a flat plate shape and easy to stack is preferable. Phthalocyanine-based materials are preferable, and copper phthalocyanines (CuPC) are particularly preferable. The planarization layer can be formed by a method such as vapor deposition, sputtering, or chemical vapor deposition (CVD) in vacuum.
平坦化層の厚みは1nmから50nmが好ましい。50nmより厚いと発光電圧が高くなり、電力効率が低下する。また1nm未満では基板の表面の凹凸を十分に隠すことが出来ず、出来上がった素子に電圧を掛けた場合にリーク電流の増加と電流集中による破損の可能性が大きくなる。 The thickness of the planarizing layer is preferably 1 nm to 50 nm. If it is thicker than 50 nm, the light emission voltage increases and the power efficiency decreases. If the thickness is less than 1 nm, the unevenness of the surface of the substrate cannot be sufficiently hidden, and when a voltage is applied to the completed device, the leakage current increases and the possibility of damage due to current concentration increases.
なお、本発明における有機層については、後で詳しく説明するので、ここでは省略する。 In addition, since it demonstrates in detail later about the organic layer in this invention, it abbreviate | omits here.
(対向電極)
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光層を含む有機層上に、対向電極を備える。
対向電極は、通常、陰極として機能し、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウムーカリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(A1203)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げられる。
(Counter electrode)
The organic electroluminescence device of the present invention includes a counter electrode on an organic layer including a light emitting layer.
The counter electrode normally functions as a cathode. As the cathode, a material having a small work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is used. Preferably used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (A1 2 0 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(A1203)混合物、リチウム/アルミニウム混合物などが好適である。 Among these, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this from the viewpoint of durability against electron injecting and oxidation, for example, a magnesium / silver mixture, magnesium An aluminum / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide (A1 2 0 3 ) mixture, a lithium / aluminum mixture and the like are suitable.
上記陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。または、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極の何れか一方が、透明または半透明であれば発光効率が向上するので好都合である。 The cathode can be produced by forming a thin film from these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. Alternatively, the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission efficiency is improved, which is convenient.
(封止缶)
本発明においては、このようにして透光性の基板上に形成された、前記有機EL素子を構成する各層の上(対向電極の上)に、別の封止部材を用いて封止する。
(Sealing can)
In this invention, it seals on each layer (on a counter electrode) which comprises the said organic EL element formed on the translucent board | substrate in this way using another sealing member.
封止部材としては、ガラス、樹脂、セラミック、金属、金属化合物、またはこれらの複合体等で形成してもよく、JIS Z−0208に準拠した試験において、その厚さが1μm以上で水蒸気透過率が1g/(m2・24hr)(1.013×10−1MPa、25℃)以下であることが望ましい。 The sealing member may be formed of glass, resin, ceramic, metal, metal compound, or a composite thereof. In a test based on JIS Z-0208, the thickness is 1 μm or more and the water vapor transmission rate. Is preferably 1 g / (m 2 · 24 hr) (1.013 × 10 −1 MPa, 25 ° C.) or less.
また、本発明に係わる透光性のプラスチックフィルム基板を用いることも好ましく、両方の基板を透湿性の低い、可撓性の高い基板とすることで、衝撃に強い有機EL素子が形成出来、また、発光面が曲面である面光源にも適用可能である。 Moreover, it is also preferable to use the light-transmitting plastic film substrate according to the present invention. By making both the substrates low in moisture permeability and highly flexible, an organic EL element resistant to impact can be formed. The present invention can also be applied to a surface light source whose light emitting surface is a curved surface.
また、対向電極側(陰極、例えばAl、Mg電極側)の封止部材(ガラス、フィルム等)においても、電界発光が吸収されたり、背面側に光が拡散するのを抑制するため、封止部材の陰極(Al、Mgなど)側に向き合う表面には白色酸化チタンを充填した顔料層を形成することが好ましい。 In addition, the sealing member (glass, film, etc.) on the counter electrode side (cathode, eg, Al, Mg electrode side) is sealed in order to prevent electroluminescence from being absorbed or light from diffusing to the back side. It is preferable to form a pigment layer filled with white titanium oxide on the surface of the member facing the cathode (Al, Mg, etc.) side.
封止は、封止部材の、例えば、対向陰極(上部電極)側と向き合う面の周辺部に塗布法や転写法等によって設けられたほぼ枠状の接着剤層(又はシール材)を介して、対向する前記有機EL素子各層が形成された透光性の基板とが互いに貼り合わされることで行われる。 Sealing is performed through a substantially frame-shaped adhesive layer (or sealing material) provided by a coating method, a transfer method, or the like on the periphery of the surface of the sealing member facing, for example, the counter cathode (upper electrode) side. This is performed by pasting together the transparent substrates on which the respective layers of the organic EL elements facing each other are formed.
接着剤層は、熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂、または反応開始剤をマイクロカプセル化して加圧することにより反応が開始する常温硬化型エポキシ系樹脂等を用いることができる。この場合、接着剤層の所定の箇所には空気逃げ用開口部等を設け(図省略)封止を完全にする。空気逃げ用開口部は、真空装置内において減圧雰囲気(真空度1.33×10−2MPa以下が好ましい)或いは窒素ガスまたは不活性ガス雰囲気中において、上記硬化型エポキシ系樹脂のいずれか、或いは紫外線硬化型樹脂等で封止される。 For the adhesive layer, a thermosetting epoxy resin, an ultraviolet curable epoxy resin, or a room temperature curable epoxy resin in which a reaction starts by microencapsulating and pressurizing a reaction initiator can be used. In this case, an air escape opening or the like is provided at a predetermined portion of the adhesive layer (not shown) to complete the sealing. The air escape opening is one of the above curable epoxy resins in a reduced pressure atmosphere (preferably a degree of vacuum of 1.33 × 10 −2 MPa or less) in a vacuum apparatus, or in a nitrogen gas or inert gas atmosphere, or Sealed with an ultraviolet curable resin or the like.
エポキシ系樹脂の例としては、ビスフェノールA形、ビスフェノールF形、ビスフェノールAD形、ビスフェノールS形、キシレノール形、フェノールノボラック形、クレゾールノボラック形、多官能形、テトラフェニロールメタン形、ポリエチレングリコール形、ポリプロピレングリコール形、ヘキサンジオール形、トリメチロールプロパン形、プロピレンオキサイドビスフェノールA形、水添ビスフェノールA形、またはこれらの混合物を主剤としたものである。 Examples of epoxy resins include bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, xylenol, phenol novolac, cresol novolac, polyfunctional, tetraphenylolmethane, polyethylene glycol, polypropylene A glycol type, hexanediol type, trimethylolpropane type, propylene oxide bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, or a mixture thereof is mainly used.
また、素子内に水分を吸収する、或いは水分と反応する材料(例えば酸化バリウム等)を上記基板に層形成して封入することもできる。 In addition, a material that absorbs moisture or reacts with moisture (for example, barium oxide or the like) can be formed in a layer on the substrate and sealed.
(有機EL素子の構成層とドーパント)
本発明において、有機層は発光層を有していればよく、ここで、発光層は、広義の意味では、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光する層のことであり、具体的には、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光する化合物を含有する層のことをさす。
(Constitution layers and dopants of organic EL elements)
In the present invention, the organic layer only needs to have a light emitting layer, and the light emitting layer in a broad sense is a layer that emits light when a current is passed through an electrode composed of a cathode and an anode, Specifically, it refers to a layer containing a compound that emits light when an electric current is passed through an electrode composed of a cathode and an anode.
本発明において、発光層は、発光層の主材料となる発光層ホスト(以下、ホスト化合物ともいう)に燐光材料(以下、燐光性化合物ともいう)をドーパントとして含有させたものである。
本発明において好ましい有機層は、正孔輸送性と電子輸送性等、異なる機能を有する第1の層および第2の層の間に発光層を設けたものがよい。
In the present invention, the light emitting layer is obtained by adding a phosphorescent material (hereinafter also referred to as a phosphorescent compound) as a dopant to a light emitting layer host (hereinafter also referred to as a host compound) which is a main material of the light emitting layer.
In the present invention, a preferable organic layer is one in which a light emitting layer is provided between the first layer and the second layer having different functions such as hole transport property and electron transport property.
一般に、発光層を構成する材料が2種以上であるとき、主成分をホスト化合物、その他の成分をドーパントといい、本発明においては、上記のような燐光性ドーパントが用いられる。
その場合、主成分であるホスト化合物に対するドーパントの混合比は好ましくは質量で0.1質量%〜15質量%未満である。
In general, when there are two or more materials constituting the light emitting layer, the main component is called a host compound, and the other components are called dopants. In the present invention, the above phosphorescent dopant is used.
In that case, the mixing ratio of the dopant to the host compound as the main component is preferably 0.1% by mass to less than 15% by mass.
(ホスト化合物)
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、ホスト化合物としては、有機EL素子に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いてもよい。また前記の正孔輸送材料や電子輸送材料の殆どが発光層ホスト化合物としても使用できる。
ホスト化合物としては、有機化合物または錯体であることが好ましい。例えば高分子材料でもよく、さらに前記ホスト化合物を高分子鎖に導入した、または前記ホスト化合物を高分子の主鎖とした高分子材料を使用してもよい。
発光ホスト(ホスト化合物)の例としては、カルバゾール誘導体、ビフェニル誘導体、スチリル誘導体、ベンゾフラン誘導体、チオフェン誘導体、アリールシラン誘導体等の部分構造を単位として含む材料が挙げられる。なかでもカルバゾール誘導体とビフェニル誘導体は高い発光効率を示す好ましい発光材料である。
ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
(Host compound)
In the organic electroluminescent device of the present invention, as the host compound, any known compound used for the organic EL device may be selected and used. Most of the above hole transport materials and electron transport materials can also be used as the light emitting layer host compound.
The host compound is preferably an organic compound or a complex. For example, a polymer material may be used, and a polymer material in which the host compound is introduced into a polymer chain or the host compound is a polymer main chain may be used.
Examples of the light-emitting host (host compound) include materials including a partial structure such as a carbazole derivative, a biphenyl derivative, a styryl derivative, a benzofuran derivative, a thiophene derivative, and an arylsilane derivative as a unit. Of these, a carbazole derivative and a biphenyl derivative are preferable light emitting materials exhibiting high light emission efficiency.
As the host compound, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
(ドーパント)
近年、プリンストン大から励起三重項からの燐光発光を用いる有機EL素子の報告がなされ(M.A.Baldo et al.,nature、395巻、151〜154頁(1998年))、励起一重項からの蛍光発光を用いる有機EL素子に比べて、原理的に発光効率が最大4倍となり注目されている。本発明においても、燐光性化合物(ドーパント)を含有することが発光効率の点で好ましい。
(Dopant)
In recent years, Princeton University has reported an organic EL device using phosphorescence emission from an excited triplet (MA Baldo et al., Nature, 395, 151-154 (1998)), from an excited singlet. Compared with organic EL devices using fluorescent light emission, the luminous efficiency is four times as much in principle and has been attracting attention. Also in the present invention, it is preferable in terms of luminous efficiency that a phosphorescent compound (dopant) is contained.
本発明における燐光性化合物とは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、燐光量子収率が、25℃において0.001以上の化合物である。燐光量子収率は好ましくは0.01以上、更に好ましくは0.1以上である。 The phosphorescent compound in the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, and is a compound having a phosphorescence quantum yield of 0.001 or more at 25 ° C. The phosphorescent quantum yield is preferably 0.01 or more, more preferably 0.1 or more.
上記燐光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられる燐光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記燐光量子収率が達成されれば良い。 The phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 version, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence quantum yield used in the present invention is only required to achieve the above phosphorescence quantum yield in any solvent.
ドーパントの原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをドーパントに移動させることでドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはドーパントがキャリアトラップとなり、ドーパント化合物上でキャリアの再結合が起こりドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、ドーパント化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。 There are two types of principle of the dopant. One is the recombination of the carrier on the host where the carrier is transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the dopant to emit light from the dopant. The other is a carrier trap type in which the dopant becomes a carrier trap, and carrier recombination occurs on the dopant compound, and light emission from the dopant is obtained. The condition is that the excited state energy of is lower than the excited state energy of the host compound.
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、ドーパントとして用いられる燐光性化合物としては、好ましくは元素の周期律表でVIII属の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物(白金錯体系化合物)であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。 In the organic electroluminescence device of the present invention, the phosphorescent compound used as a dopant is preferably a complex compound containing a Group VIII metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, Or it is a platinum compound (platinum complex compound), and an iridium compound is the most preferable among them.
以下に、本発明で用いられる燐光性化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。なお含有する燐光性化合物は、重合性官能基または反応性官能基を有していてもいなくてもよい。 Specific examples of the phosphorescent compound used in the present invention are shown below, but are not limited thereto. These compounds are described, for example, in Inorg. Chem. 40, 1704-1711, and the like. Note that the phosphorescent compound contained may or may not have a polymerizable functional group or a reactive functional group.
本発明の有機層は、発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、陽極バッファー層及び陰極バッファー層等を有し、陰極と陽極で挟持されていることが好ましい。 The organic layer of the present invention preferably has a hole transport layer, an electron transport layer, an anode buffer layer, a cathode buffer layer, and the like in addition to the light emitting layer, and is sandwiched between the cathode and the anode.
有機層の具体的な層構成としては以下に示される構造が挙げられる。 Specific structures of the organic layer include the structures shown below.
(i)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(ii)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(I) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode (ii) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(Iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iv) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode
(発光層)
本発明の有機EL素子に係る発光層について説明する。
(Light emitting layer)
The light emitting layer according to the organic EL device of the present invention will be described.
発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であっても良い。 The light-emitting layer is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer. It may be an interface with an adjacent layer.
その形成方法としては、例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法により薄膜を形成することが出来るが、本発明では、特に蒸着法が好ましい。 As the formation method, for example, a thin film can be formed by a known method such as a vapor deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. In the present invention, the vapor deposition method is particularly preferable.
一般的に発光層は正孔輸送層よりも陰極側に配置する方が素子の性能上好ましく、従って正孔輸送材料に比べれば発光層に用いられる材料は全て相対的には(本発明の定義では)電子輸送材料になる。 In general, it is preferable that the light emitting layer is disposed on the cathode side of the hole transport layer from the viewpoint of the performance of the device. Therefore, compared with the hole transport material, all the materials used for the light emitting layer are relatively (definition of the present invention). So it becomes an electron transport material.
尚、本発明において、正孔輸送材料および電子輸送材料と言う場合には、該2つの材料のうち、より最高被占分子軌道(HOMO)レベルの高い(真空順位から近い)ものが正孔輸送材料、もう一方が電子輸送材料と定義する。 In the present invention, when referring to a hole transport material and an electron transport material, a material having a higher highest occupied molecular orbital (HOMO) level (close to the vacuum order) is the hole transport. The material is defined as the electron transport material.
(発光層の膜厚)
このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、5nm〜5μmの範囲に膜厚調整することが好ましい。
(Film thickness of the light emitting layer)
There is no restriction | limiting in particular about the film thickness of the light emitting layer formed in this way, Although it can select suitably according to a condition, It is preferable to adjust film thickness in the range of 5 nm-5 micrometers.
次に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等、発光層と組み合わせて有機EL素子を構成するその他の層について説明する。 Next, other layers constituting the organic EL element in combination with the light emitting layer, such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer, will be described.
(正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層)
本発明に用いられる、正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、その上、発光層に陰極、電子注入層、または電子輸送層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の優れた素子となる。
(Hole injection layer, hole transport layer, electron injection layer, electron transport layer)
The hole injection layer and hole transport layer used in the present invention have a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer, and the hole injection layer and hole transport layer serve as the anode and the light emitting layer. Therefore, many holes are injected into the light emitting layer with a lower electric field, and electrons injected from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer into the light emitting layer are positively connected to the light emitting layer. Due to an electron barrier existing at the interface of the hole injection layer or the hole transport layer, it is accumulated at the interface in the light emitting layer, and the light emitting efficiency is improved.
(正孔注入材料、正孔輸送材料)
この正孔注入層、正孔輸送層の材料(以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という)については、前記の陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有する性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝性材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
(Hole injection material, hole transport material)
The material of the hole injection layer and hole transport layer (hereinafter referred to as hole injection material and hole transport material) has the property of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer. If it is a thing, there will be no restriction | limiting in particular, In a photoconductive material, what is conventionally used as a charge injection transport material of a hole, and the well-known thing used for the hole injection layer of a EL element, a hole transport layer are used. Any one can be selected and used.
上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ビラゾリン誘導体及びビラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニ燐系共重合体、または、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフイリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。 The hole injection material and the hole transport material have any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. Examples of the hole injection material and hole transport material include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, virazoline derivatives and virazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazoles. Derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, or conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers. As the hole injecting material and the hole transporting material, those described above can be used, and porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds, particularly aromatic tertiary amine compounds can be used. preferable.
上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N',N'一テトラフェニル−4,4'−ジアミノフェニル;N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−P−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−P−トリルアミノフェニル)シクロへキサン;N,N,N',N'−テトラ−P−トリルー4,4'−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−P−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロへキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−P−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N'−ジフェニル−N,N'−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4'−ジアミノビフェニル;N,N,N',N'−テトラフェニル−4,4'−ジアミノジフェニルエーテル;4,4'−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−P−トリルアミノ)−4'−〔4−(ジ−P−トリルアミノ)スチリル〕スチルペン;4−N,N−ジフェニルアミノー(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシー4'−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更に、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4'−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(α−NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターパースト型に連結された4,4',4"−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)などが挙げられる。 Representative examples of the aromatic tertiary amine compound and styrylamine compound include N, N, N ′, N ′ monotetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N ′. -Bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-P-tolylaminophenyl) propane; Bis (4-di-P-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-P-tolyl 4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-P -Tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-P-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl- N, N'-di (4-meth Cyphenyl) -4,4′-diaminobiphenyl; N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminodiphenyl ether; 4,4′-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-P-tolylamino) -4 ′-[4- (di-P-tolylamino) styryl] stilpene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenyl) Vinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and two fused aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569. What is contained in the molecule, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD), described in JP-A-4-308688 4,4 triphenylamine units there are connected to three star Perth preparative ', 4 "- tris [N- (3- methylphenyl) -N- phenylamino] triphenylamine (MTDATA) and the like.
更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、または、これらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
または、P型−Si、P型−SiCなどの無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。 Alternatively, inorganic compounds such as P-type-Si and P-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material. The hole injection layer and the hole transport layer are formed by thinning the hole injection material and the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. Can be formed.
(正孔注入層の膜厚、正孔輸送層の膜厚)
正孔注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、5nm〜5μm程度での範囲に調整することが好ましい。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
(Hole injection layer thickness, hole transport layer thickness)
Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole injection layer and a positive hole transport layer, It is preferable to adjust to the range about 5 nm-5 micrometers. The hole injection layer and hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
(電子輸送層、電子輸送材料)
本発明に係る電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
(Electron transport layer, electron transport material)
The electron transport layer according to the present invention is only required to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and as the material thereof, any one of conventionally known compounds can be selected and used. Can do.
この電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオビランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルポン酸無水物、カルポジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、有機金属錯体などが挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。 Examples of materials used for this electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport materials) include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiobilane dioxide derivatives, heterocyclic tetracarponic anhydrides such as naphthalene perylene, carposimide, fluoreni Examples include redenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, and organometallic complexes. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.
更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
または、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロー8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。 Or metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, tris (2-Methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu, Metal complexes replaced with Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as the electron transport material.
その他、メタルフリーまたはメタルフタロシアニン、更には、それらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。または、発光層の材料として例示したジスチリルビラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。 In addition, metal-free or metal phthalocyanine, and those having the terminal substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transport material. Alternatively, the distyrylvirazine derivative exemplified as the material for the light-emitting layer can also be used as an electron transport material, and like the hole injection layer and the hole transport layer, n-type-Si, n-type-SiC, and the like can be used. Inorganic semiconductors can also be used as electron transport materials.
この電子輸送層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の薄膜形成法により製膜して形成することができる。 The electron transport layer can be formed by forming the above compound by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.
(電子輸送層の膜厚)
電子輸送層の膜厚は特に制限はないが、5nm〜5μmの範囲に調整することが好ましい。この電子輸送層は、これらの電子輸送材料一種または二種以上からなる一層構造であってもよいし、或いは、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
(Film thickness of electron transport layer)
Although the film thickness of an electron carrying layer does not have a restriction | limiting in particular, It is preferable to adjust to the range of 5 nm-5 micrometers. This electron transport layer may have a single layer structure composed of one or two or more of these electron transport materials, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
また、本発明においては、蛍光性化合物は発光層のみに限定することはなく、発光層に隣接した正孔輸送層、または電子輸送層に前記燐光性化合物のホスト化合物となる蛍光性化合物と同じ領域に蛍光極大波長を有する蛍光性化合物を少なくとも1種含有させてもよく、それにより更にEL素子の発光効率を高めることができる。これらの正孔輸送層や電子輸送層に含有される蛍光性化合物としては、発光層に含有されるものと同様に蛍光極大波長が350nm〜440nm、更に好ましくは390nm〜410nmの範囲にある蛍光性化合物が用いられる。 Further, in the present invention, the fluorescent compound is not limited to the light emitting layer, but is the same as the fluorescent compound that becomes the host compound of the phosphorescent compound in the hole transport layer adjacent to the light emitting layer or the electron transport layer. At least one fluorescent compound having a fluorescent maximum wavelength in the region may be contained, whereby the luminous efficiency of the EL element can be further increased. As the fluorescent compound contained in these hole transport layer and electron transport layer, the fluorescent compound having a fluorescence maximum wavelength in the range of 350 nm to 440 nm, more preferably 390 nm to 410 nm, as in the light emitting layer. A compound is used.
次に、有機層を有する有機EL素子を作製する好適な例を説明する。例として、前記の陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなるEL素子の作製法について説明する。 Next, a suitable example for producing an organic EL element having an organic layer will be described. As an example, a method for manufacturing an EL element composed of the anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described.
まず適当な基板上に、所望の電極用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層からなる薄膜を形成させる。 First, a thin film made of a desired electrode material, for example, an anode material is formed on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm. An anode is produced. Next, a thin film comprising a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer, which is a device material, is formed thereon.
更に、陽極と発光層または正孔注入層の間、及び、陰極と発光層または電子注入層との間にはバッファー層(電極界面層)を存在させてもよい。 Further, a buffer layer (electrode interface layer) may be present between the anode and the light emitting layer or hole injection layer and between the cathode and the light emitting layer or electron injection layer.
バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効率向上のために電極と有機層問に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発)」の第2編第2章「電極材料」(第123頁〜第166頁)に詳細に記載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層とがある。 The buffer layer is a layer provided on the electrode and the organic layer for lowering the driving voltage and improving the luminous efficiency. “The organic EL element and its forefront of industrialization (November 30, 1998, NTS Corporation) The details are described in Chapter 2 “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of the 2nd volume of “Summary”), and there are an anode buffer layer and a cathode buffer layer.
陽極バッファー層は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルフアスカーボンバッファー層、ポリアニリン(ェメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。 The details of the anode buffer layer are also described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, a phthalocyanine buffer layer represented by copper phthalocyanine And an oxide buffer layer typified by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.
陰極バッファー層は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウム、酸化リチウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。 The details of the cathode buffer layer are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like, specifically, metals represented by strontium, aluminum and the like. Examples include a buffer layer, an alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, an oxide buffer layer typified by aluminum oxide and lithium oxide, and the like.
上記バッファー層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1〜100nmの範囲が好ましい。 The buffer layer is preferably a very thin film, and depending on the material, the film thickness is preferably in the range of 0.1 to 100 nm.
更に上記基本構成層の他に必要に応じてその他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開平11−204258号公報、同11−204259号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層などのような機能層を有していても良い。 Further, in addition to the above basic constituent layers, layers having other functions may be laminated as required. For example, JP-A-11-204258, JP-A-11-204259, and “Organic EL elements and their industrialization It may have a functional layer such as a hole blocking layer described on page 237 of the front line (published on November 30, 1998 by NTT).
本発明に係る有機EL素子の製法ついては、前述したが、以下に補足説明する。 The method for producing the organic EL device according to the present invention has been described above, but a supplementary explanation will be given below.
薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真空蒸着法が好ましい。薄膜化に真空蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10−6〜10−3Pa、蒸着速度0.01nm/秒〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。 As the thinning method, there are a spin coating method, a casting method, a vapor deposition method and the like as described above, but a vacuum vapor deposition method is preferable because a homogeneous film can be easily obtained and pinholes are hardly generated. When the vacuum deposition method is adopted for thinning, the deposition conditions vary depending on the type of compound used, the target crystal structure of the molecular deposition film, the association structure, etc., but generally the boat heating temperature is 50 to 450 ° C., the degree of vacuum It is desirable to select appropriately within a range of 10 −6 to 10 −3 Pa, a deposition rate of 0.01 nm / second to 50 nm / second, a substrate temperature of −50 ° C. to 300 ° C., and a film thickness of 5 nm to 5 μm.
前記の様に、プラスチックフィルム基板上に所望の電極用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作製した後、該陽極上に前記の通り正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層からなる各層薄膜を形成させた後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させて陰極を設け、所望の有機EL素子が得られる。 As described above, a desired electrode material, for example, a thin film made of an anode material is formed on the plastic film substrate by a method such as vapor deposition or sputtering, and then an anode is prepared. Then, holes are injected onto the anode as described above. After forming each layer thin film composed of a layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer / electron injection layer, a thin film composed of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering, for example. A desired organic EL element can be obtained.
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例において、複数の層を区別するため、層の後ろに符号を付する。同一の実施例において、同一の符号は同一の層を表す。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. In the following embodiments, a reference numeral is appended to the layer in order to distinguish the plurality of layers. In the same embodiment, the same reference numerals represent the same layer.
(実施例1)
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックフィルムの作製)
下記多官能アクリレート樹脂組成物(架橋後の屈折率1.531)を下記ガラス繊維に含浸した後に紫外線硬化装置により連続的に硬化し、樹脂50重量%、ガラス繊維50重量%、幅30cm、長さ100m、厚さ100μmのプラスチックフィルム(1)を得た。
(Example 1)
(Production of glass fiber-containing crosslinked resin-containing plastic film)
The following glass fiber is impregnated with the following polyfunctional acrylate resin composition (refractive index after cross-linking: 1.531), and then continuously cured by an ultraviolet curing device, resin 50% by weight, glass fiber 50% by weight, width 30 cm, long A plastic film (1) having a thickness of 100 m and a thickness of 100 μm was obtained.
<多官能アクリレート樹脂組成物>
ジシクロペンタジエニルジアクリレート(式1)
(東亞合成(株)製M−203、架橋後の屈折率1.527) 96重量部
ビス[4−(アクリロイロキシエトキシ)フェニル]フルオレン(式4)
(東亞合成(株)試作品TO−2065、架橋後の屈折率1.624) 4重量部
光重合開始剤 1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
(チバスペシャリティケミカル製、イルガキュア184) 0.5重量部
<Polyfunctional acrylate resin composition>
Dicyclopentadienyl diacrylate (Formula 1)
(M-203 manufactured by Toagosei Co., Ltd., refractive index 1.527 after crosslinking) 96 parts by weight Bis [4- (acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene (Formula 4)
(Toagosei Co., Ltd. prototype TO-2065, refractive index after crosslinking 1.624) 4 parts by weight Photopolymerization initiator 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 184) 0.5 weight Part
<ガラス繊維>
Sガラス系のガラスクロス(厚さ50μm、屈折率1.530、ユニチカクロス製(#2117))
<Glass fiber>
S glass-based glass cloth (thickness 50 μm, refractive index 1.530, manufactured by Unitika cloth (# 2117))
得られたプラスチックフィルム(1)の30℃から150℃における線膨張係数は、10ppmであった。 The obtained plastic film (1) had a linear expansion coefficient of 10 ppm at 30 ° C. to 150 ° C.
またこのプラスチックフィルム(1)のガラス転移温度は、tanδmaxで評価したところ250℃以上であった。このプラスチックフィルム(1)の全光線透過率は90.9%であった。 Further, the glass transition temperature of the plastic film (1) was 250 ° C. or higher as evaluated by tan δmax. The total light transmittance of this plastic film (1) was 90.9%.
(ガスバリア層の作製)
このプラスチックフィルム(1)を、スパッタロールコート装置に装填し、DCマグネトロンスパッタにより、Siをターゲットとして用いて、到達真空度1.0×10−4Pa以下、成膜温度180℃でプロセスガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを導入し反応性スパッタでプラスチックフィルム(1)上に膜厚70nmのSiOx(x=1.8,XPSによる)の成膜を行って、ガスバリア層(2)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
This plastic film (1) is loaded into a sputter roll coater, and by DC magnetron sputtering, using Si as a target, the ultimate vacuum is 1.0 × 10 −4 Pa or less, and the film forming temperature is 180 ° C. Argon gas and oxygen gas were introduced, and a 70 nm-thick SiOx film (x = 1.8, using XPS) was formed on the plastic film (1) by reactive sputtering to form a gas barrier layer (2).
次にガスバリア層(2)の上に、ロール巻き出し装置、マイクログラビアコーター、乾燥炉、UV照射装置、ロール巻取り装置を備える連続塗工機にて、エポキシアクリレートプレポリマー100重量部、ジエチレングリコール200重量部、酢酸エチル100重量部、ベンゼンエチルエーテル2重量部、シランカップリング剤1重量部の均一混合溶液を、連続塗工機のマイクログラビアコーターで塗布し、120℃の乾燥ゾーンを通過させた後、紫外線を照射して、3μmの厚さの有機コート層(3)を形成した。 Next, 100 parts by weight of an epoxy acrylate prepolymer, 200 diethylene glycol are used on a continuous coating machine equipped with a roll unwinding device, a micro gravure coater, a drying furnace, a UV irradiation device, and a roll winding device on the gas barrier layer (2). A homogeneous mixed solution of parts by weight, 100 parts by weight of ethyl acetate, 2 parts by weight of benzene ethyl ether, and 1 part by weight of a silane coupling agent was applied with a micro gravure coater of a continuous coating machine and passed through a drying zone at 120 ° C. Thereafter, ultraviolet rays were irradiated to form an organic coat layer (3) having a thickness of 3 μm.
次にこの有機コート層(3)を形成したプラスチックフィルム(1)をこの有機コート層(3)と反対面にガスバリア層(4)を成膜するために、スパッタロールコート装置に装填し、DCマグネトロンスパッタにより、Siをターゲットとして用いて、到達真空度1.0×10−4Pa以下、成膜温度180℃でプロセスガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを導入し反応性スパッタで膜厚70nmのSiOx(x=1.8,XPSによる)の成膜を行って、ガスバリア層(4)を形成した。 Next, in order to form a gas barrier layer (4) on the surface opposite to the organic coat layer (3), the plastic film (1) on which the organic coat layer (3) is formed is loaded into a sputter roll coater, and DC Using magnetron sputtering, Si is used as a target, an ultimate vacuum of 1.0 × 10 −4 Pa or less, a film formation temperature of 180 ° C., argon gas and oxygen gas are introduced as process gases, and SiOx having a film thickness of 70 nm is formed by reactive sputtering. A gas barrier layer (4) was formed by forming a film (x = 1.8, by XPS).
(IZO層の作製)
最後にIZO層(5)を形成するために、ガスバリア層(4)を形成したプラスチックフィルム(1)をスパッタロールコート装置に装填し、DCマグネトロンスパッタにより、IZO(In2O3にZnOを10wt%添加)をターゲットとして用いて、成膜温度100℃でプロセスガスとしてアルゴンガスと微量の酸素ガスを導入し反応性スパッタで膜厚150nmのIZOの成膜を行ってIZO層(5)を形成した(評価基板1−1)。
(Preparation of IZO layer)
Finally, in order to form the IZO layer (5), the plastic film (1) on which the gas barrier layer (4) is formed is loaded into a sputter roll coater, and DC magnetron sputtering is performed to obtain 10 wt. Of ZnO in IZO (In 2 O 3). %) Was used as a target, and an argon gas and a small amount of oxygen gas were introduced as a process gas at a film forming temperature of 100 ° C., and an IZO film having a film thickness of 150 nm was formed by reactive sputtering to form an IZO layer (5). (Evaluation board 1-1).
評価基板1−1をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured for the evaluation substrate 1-1 based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less.
(有機EL素子評価基板の作製)
この透明電極付複合材料基板のダークスポット(DS)発生率(%)を評価するために有機EL素子を作製した。この場合、上述のIZO層(5)を形成するのと同条件で、IZO層(5)がスパッタされない部分をシャドーマスクを用いて同時に形成し、通電時の電極の形状を基板上に作成した。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
In order to evaluate the dark spot (DS) generation rate (%) of the composite substrate with a transparent electrode, an organic EL device was produced. In this case, under the same conditions as the formation of the IZO layer (5) described above, a portion where the IZO layer (5) was not sputtered was simultaneously formed using a shadow mask, and the shape of the electrode when energized was created on the substrate. .
このパターン形成をした透明電極付複合材料基板をレーザーカッター(炭酸ガスレーザー:エネルギー30W)を用いて、30mm角の個片に切断した。 The pattern-formed composite material substrate with a transparent electrode was cut into 30 mm square pieces using a laser cutter (carbon dioxide laser: energy 30 W).
このIZOパターン付きのプラスチック基板を純水、5%界面活性剤水溶液、アンモニア性過酸化水素水、イソプロピルアルコール(IPA)で逐次洗浄し、清浄な窒素雰囲気下180℃で5時間乾燥させた(評価基板1−2)。 This plastic substrate with an IZO pattern was sequentially washed with pure water, 5% surfactant aqueous solution, aqueous ammonia hydrogen peroxide, and isopropyl alcohol (IPA), and dried at 180 ° C. for 5 hours in a clean nitrogen atmosphere (evaluation). Substrate 1-2).
(緑色燐光有機EL素子の作製)
次に図1に示すように、Appl.Phys.Lett.,Vol.81,No.16,14 October 2002,p2929に準拠し緑色燐光有機EL素子を作製した。蒸着前の到達真空度は3×10−5Paとした。本発明の評価基板1−2上に、銅フタロシアニン類(CuPC)を平坦化層(図示せず)として10nm蒸着し、その上に有機層(6)を形成した。
(Production of green phosphorescent organic EL device)
Next, as shown in FIG. Phys. Lett. , Vol. 81, no. A green phosphorescent organic EL device was produced according to 16, 14 October 2002, p2929. The ultimate vacuum before vapor deposition was 3 × 10 −5 Pa. On the evaluation board | substrate 1-2 of this invention, copper phthalocyanine (CuPC) was vapor-deposited 10 nm as a planarization layer (not shown), and the organic layer (6) was formed on it.
平坦化層の上に、正孔輸送材料α−NPDを30nm真空蒸着後、発光層ホストCBPと発光層ドーパントIr(ppy)3を(例示Ir−1)を30nm共蒸着で成膜した(Ir−1はCBPに対し6wt%)。次いで正孔阻止材料としてBAlq、電子輸送材料Alq3を各10nm、40nmの厚さになるように成膜して、有機層を作製した。 On the planarizing layer, a hole transport material α-NPD was vacuum-deposited by 30 nm, and a light-emitting layer host CBP and a light-emitting layer dopant Ir (ppy) 3 were formed by co-evaporation of 30 nm (Ex. Ir-1) (Ir -1 is 6 wt% with respect to CBP). Then BAlq as the hole blocking material, was deposited to the electron transporting material Alq 3 to a thickness of each 10 nm, 40 nm, to manufacture an organic layer.
その上に対向電極(7)として、LiFを1nm、およびアルミニウムを100nm蒸着して積層型素子を形成した。 On top of that, LiF was deposited to 1 nm and aluminum was deposited to 100 nm as a counter electrode (7) to form a multilayer element.
この素子を窒素雰囲気下でステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。 This element was bonded using a stainless steel sealing can (8) and an ultraviolet curable adhesive (9) in a nitrogen atmosphere.
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にIZO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED1とする。 Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to the device with the IZO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED1.
正孔輸送材料 Hole transport material
発光層ホスト Light emitting layer host
発光層ドーパント Ir(ppy)3 Light emitting layer dopant Ir (ppy) 3
正孔阻止材料 BAlq Hole blocking material BAlq
電子輸送材料 Electron transport material
(実施例2)
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックフィルムの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
(Example 2)
(Production of glass fiber-containing crosslinked resin-containing plastic film)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
この有機コート層(3)の反対面に、実施例1と同様にガスバリア層(4)を形成した。
このガスバリア層(4)の上に実施例1と同様の方法で有機コート層(10)を形成した。
有機コート層(10)の上に実施例1と同様の方法でガスバリア層(11)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (4) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (3) in the same manner as in Example 1.
On this gas barrier layer (4), an organic coat layer (10) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (11) was formed on the organic coat layer (10) in the same manner as in Example 1.
(IZO層の作製)
このガスバリア層(11)の上に実施例1と同様の方法でIZO層(5)を形成した(評価基板2−1)。
(Preparation of IZO layer)
An IZO layer (5) was formed on the gas barrier layer (11) in the same manner as in Example 1 (evaluation substrate 2-1).
上記のようにIZO層(5)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured for the composite substrate with a transparent electrode formed up to the IZO layer (5) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less. there were.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板2−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The board | substrate used for organic EL element preparation performed pattern formation, a cutting | disconnection, washing | cleaning, and drying similarly to Example 1, and obtained evaluation board 2-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板2−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarizing layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 2-2 of the present invention, and a stainless steel sealing can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にIZO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED2とする。 Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to the device with the IZO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED2.
(実施例3)
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックフィルムの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
(Example 3)
(Production of glass fiber-containing crosslinked resin-containing plastic film)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
実施例1と同様にガスバリア層(4)を形成した。
このガスバリア層(4)の上に実施例1と同様の方法で有機コート層(10)を形成した。
有機コート層(3)と反対面に、実施例1と同様の方法でガスバリア層(11)を形成した。
このガスバリア層(11)の上に実施例1と同様の方法で有機コート層(12)を形成した。
この有機コート層(12)の上に実施例1と同様にガスバリア層(13)を形成した。(IZO層の作製)
このガスバリア層(13)の上に実施例1と同様の方法でIZO層(5)を形成した(評価基板3−1)。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (4) was formed in the same manner as in Example 1.
On this gas barrier layer (4), an organic coat layer (10) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (11) was formed on the surface opposite to the organic coat layer (3) by the same method as in Example 1.
An organic coat layer (12) was formed on the gas barrier layer (11) in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (13) was formed on the organic coat layer (12) in the same manner as in Example 1. (Preparation of IZO layer)
An IZO layer (5) was formed on the gas barrier layer (13) in the same manner as in Example 1 (evaluation substrate 3-1).
上記のようにIZO層(5)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured for the composite substrate with a transparent electrode formed up to the IZO layer (5) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less. there were.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板3−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The board | substrate used for organic EL element preparation performed pattern formation, a cutting | disconnection, washing | cleaning, and drying similarly to Example 1, and obtained the evaluation board | substrate 3-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板3−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarizing layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 3-2 of the present invention, and a stainless steel sealing can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にIZO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED3とする。 Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to the device with the IZO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED3.
(実施例4)
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックフィルムの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
Example 4
(Production of glass fiber-containing crosslinked resin-containing plastic film)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
このプラスチックフィルム(1)上に実施例1と同様に有機コート層(14)を形成した。
有機コート層(14)の反対面も実施例1と同様に有機コート層(15)を形成した。
有機コート層(15)上に実施例1と同様にガスバリア層(16)を形成した。
ガスバリア層(16)上に実施例1と同様に有機コート層(17)を形成した。
有機コート層(17)の反対面に実施例1と同様の方法でガスバリア層(18)を形成した。
このガスバリア層(18)の上に実施例1と同様の方法で有機コート層(19)を形成した。
この有機コート層(19)の上に実施例1と同様にガスバリア層(20)を形成した。
(IZO層の作製)
このガスバリア層(20)の上に実施例1と同様の方法でIZO層(5)を形成した(評価基板4−1)。
(Production of gas barrier layer)
An organic coat layer (14) was formed on the plastic film (1) in the same manner as in Example 1.
The organic coating layer (15) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (14) in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (16) was formed on the organic coat layer (15) in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (17) was formed on the gas barrier layer (16) in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (18) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (17) by the same method as in Example 1.
An organic coat layer (19) was formed on the gas barrier layer (18) in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (20) was formed on the organic coat layer (19) in the same manner as in Example 1.
(Preparation of IZO layer)
An IZO layer (5) was formed on the gas barrier layer (20) in the same manner as in Example 1 (evaluation substrate 4-1).
上記のようにIZO層(5)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured for the composite substrate with a transparent electrode formed up to the IZO layer (5) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less. there were.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板4−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The board | substrate used for organic EL element preparation performed pattern formation, a cutting | disconnection, washing | cleaning, and drying similarly to Example 1, and obtained the evaluation board | substrate 4-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板4−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarizing layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 4-2 of the present invention, and a stainless steel sealing can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にIZO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED4とする。 Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to the device with the IZO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED4.
(実施例5)
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックフィルムの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
(Example 5)
(Production of glass fiber-containing crosslinked resin-containing plastic film)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
この有機コート層(3)の反対面に、実施例1と同様にガスバリア層(4)を形成した。
このガスバリア層(4)の上に実施例1と同様の方法で有機コート層(10)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (4) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (3) in the same manner as in Example 1.
On this gas barrier layer (4), an organic coat layer (10) was formed in the same manner as in Example 1.
(IZO層の作製)
この有機コート層(10)の上に実施例1と同様の方法でIZO層(5)を形成した(評価基板9−1)。
(Preparation of IZO layer)
An IZO layer (5) was formed on the organic coat layer (10) in the same manner as in Example 1 (evaluation substrate 9-1).
上記のようにIZO層(5)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured for the composite substrate with a transparent electrode formed up to the IZO layer (5) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less. there were.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板9−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The substrate used for producing the organic EL element was subjected to pattern formation, cutting, washing and drying in the same manner as in Example 1 to obtain an evaluation substrate 9-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板9−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarizing layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 9-2 of the present invention, and a stainless steel can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にIZO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED9とする。 Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to the device with the IZO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED9.
(比較例1(透明電極無し1))
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックフィルムの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
(Comparative example 1 (no transparent electrode 1))
(Production of glass fiber-containing crosslinked resin-containing plastic film)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
この有機コート層(3)の反対面に、実施例1と同様にガスバリア層(4)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (4) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (3) in the same manner as in Example 1.
上記のようにガスバリア層(4)まで形成した複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured for the composite material substrate formed up to the gas barrier layer (4) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less.
(比較例2(透明電極無し2))
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックフィルムの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
(Comparative example 2 (no transparent electrode 2))
(Production of glass fiber-containing crosslinked resin-containing plastic film)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
この有機コート層(3)の反対面に、実施例1と同様にガスバリア層(4)を形成した。
このガスバリア層(4)の上に実施例1と同様の方法で有機コート層(10)を形成した。
有機コート層(10)の上に実施例1と同様の方法でガスバリア層(11)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (4) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (3) in the same manner as in Example 1.
On this gas barrier layer (4), an organic coat layer (10) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (11) was formed on the organic coat layer (10) in the same manner as in Example 1.
上記のようにガスバリア層(11)まで形成した複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor permeability at 40 ° C. and 90% RH was measured on the composite material substrate formed up to the gas barrier layer (11) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less.
(比較例3(ITO))
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックフィルムの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
(Comparative Example 3 (ITO))
(Production of glass fiber-containing crosslinked resin-containing plastic film)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
この有機コート層(3)の反対面に、実施例1と同様にガスバリア層(4)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (4) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (3) in the same manner as in Example 1.
(ITO層の作製)
最後にITO層(21)を形成するために、ガスバリア層(4)を形成したプラスチックフィルム(1)をスパッタロールコート装置に装填し、DCマグネトロンスパッタにより、ITO(In2O3にSnO2を10wt%添加)をターゲットとして用いて、成膜温度100℃でアルゴンガスと微量の酸素ガスを導入し反応性スパッタで膜厚150nmのITOの成膜を行ってITO層(21)を形成した(評価基板5−1)。
(Preparation of ITO layer)
Finally, in order to form the ITO layer (21), the plastic film (1) on which the gas barrier layer (4) is formed is loaded into a sputtering roll coater, and ITO (added 10 wt% of SnO2 to In2O3) by DC magnetron sputtering. As a target, an argon gas and a small amount of oxygen gas were introduced at a film forming temperature of 100 ° C., and an ITO film having a film thickness of 150 nm was formed by reactive sputtering to form an ITO layer (21) (Evaluation substrate 5- 1).
上記のようにITO層(21)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured on the composite substrate with a transparent electrode formed up to the ITO layer (21) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less. there were.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板5−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The board | substrate used for organic EL element preparation performed pattern formation, a cutting | disconnection, washing | cleaning, and drying similarly to Example 1, and obtained the evaluation board | substrate 5-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板5−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarizing layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 5-2 of the present invention, and a stainless steel sealing can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にITO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED5とする。 Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to this device with the ITO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED5.
(比較例4(ITO))
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックシートの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
(Comparative Example 4 (ITO))
(Production of glass sheet containing glass fiber-containing crosslinked resin)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
この有機コート層(3)の反対面に、実施例1と同様にガスバリア層(4)を形成した。
このガスバリア層(4)の上に実施例1と同様の方法で有機コート層(10)を形成した。
有機コート層(10)の上に実施例1と同様の方法でガスバリア層(11)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (4) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (3) in the same manner as in Example 1.
On this gas barrier layer (4), an organic coat layer (10) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (11) was formed on the organic coat layer (10) in the same manner as in Example 1.
(ITO層の作製)
ガスバリア層(11)上に比較例3と同様にITO層(21)を形成した(評価基板6−1)。
(Preparation of ITO layer)
An ITO layer (21) was formed on the gas barrier layer (11) in the same manner as in Comparative Example 3 (evaluation substrate 6-1).
上記のようにITO層(21)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured on the composite substrate with a transparent electrode formed up to the ITO layer (21) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less. there were.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板6−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The board | substrate used for organic EL element preparation performed pattern formation, a cutting | disconnection, washing | cleaning, and drying similarly to Example 1, and obtained the evaluation board | substrate 6-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板6−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarization layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 6-2 of the present invention, and a stainless steel can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にITO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED6とする。 Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to this device with the ITO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED6.
(比較例5(PES基板))
(プラスチックフィルムの準備)
プラスチックフィルムとして、幅30cm、長さ100m、厚さ200μmのポリエーテルスルホン(PES)フィルムFST−U1340(住友ベークライト社製)を用いた。このフィルムをプラスチックフィルム(2)とした。
(Comparative Example 5 (PES substrate))
(Preparation of plastic film)
As the plastic film, a polyethersulfone (PES) film FST-U1340 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) having a width of 30 cm, a length of 100 m, and a thickness of 200 μm was used. This film was designated as a plastic film (2).
(ガスバリア層の作製)
このプラスチックフィルム(2)上に実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
この有機コート層(3)の反対面に、実施例1と同様にガスバリア層(4)を形成した。
このガスバリア層(4)の上に実施例1と同様の方法で有機コート層(10)を形成した。
有機コート層(10)の上に実施例1と同様の方法でガスバリア層(11)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed on the plastic film (2) in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (4) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (3) in the same manner as in Example 1.
On this gas barrier layer (4), an organic coat layer (10) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (11) was formed on the organic coat layer (10) in the same manner as in Example 1.
(IZO層の作製)
このガスバリア層(11)の上に実施例1と同様の方法でIZO層(5)を形成した(評価基板7−1)。
(Preparation of IZO layer)
An IZO layer (5) was formed on the gas barrier layer (11) in the same manner as in Example 1 (evaluation substrate 7-1).
上記のようにIZO層(5)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured for the composite substrate with a transparent electrode formed up to the IZO layer (5) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less. there were.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板7−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The board | substrate used for organic EL element preparation performed pattern formation, a cutting | disconnection, washing | cleaning, and drying similarly to Example 1, and obtained the evaluation board | substrate 7-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板7−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarizing layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 7-2 of the present invention, and a stainless steel sealing can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にIZO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED7とする。
Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to the device with the IZO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as
(比較例6(PES基板、ITO))
(プラスチックフィルムの準備)
比較例5と同じプラスチックフィルム(2)を用いた。
(Comparative Example 6 (PES substrate, ITO))
(Preparation of plastic film)
The same plastic film (2) as in Comparative Example 5 was used.
(ガスバリア層の作製)
このプラスチックフィルム(2)上に実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
この有機コート層(3)の反対面に、実施例1と同様にガスバリア層(4)を形成した。
このガスバリア層(4)の上に実施例1と同様の方法で有機コート層(10)を形成した。
有機コート層(10)の上に実施例1と同様の方法でガスバリア層(11)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed on the plastic film (2) in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (4) was formed on the opposite surface of the organic coating layer (3) in the same manner as in Example 1.
On this gas barrier layer (4), an organic coat layer (10) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (11) was formed on the organic coat layer (10) in the same manner as in Example 1.
(ITO層の作製)
ガスバリア層(11)上に比較例3と同様にITO層(21)を形成した(評価基板8−1)。
(Preparation of ITO layer)
An ITO layer (21) was formed on the gas barrier layer (11) in the same manner as in Comparative Example 3 (evaluation substrate 8-1).
上記のようにITO層(21)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured on the composite substrate with a transparent electrode formed up to the ITO layer (21) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less. there were.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板8−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The board | substrate used for organic EL element preparation performed pattern formation, a cutting | disconnection, washing | cleaning, and drying similarly to Example 1, and obtained the evaluation board | substrate 8-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板8−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarizing layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 8-2 of the present invention, and a stainless steel sealing can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にITO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED8とする。 Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to this device with the ITO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED8.
(比較例7(片面バリア))
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックフィルムの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
(Comparative Example 7 (single-sided barrier))
(Production of glass fiber-containing crosslinked resin-containing plastic film)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed in the same manner as in Example 1.
(IZO層の作製)
このガスバリア層(2)の上に実施例1と同様の方法でIZO層(5)を形成した(評価基板10−1)。
(Preparation of IZO layer)
An IZO layer (5) was formed on the gas barrier layer (2) in the same manner as in Example 1 (evaluation substrate 10-1).
上記のようにIZO層(5)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.02g/(m2・24hr)であった。 When the water vapor permeability at 40 ° C. and 90% RH was measured for the composite substrate with a transparent electrode formed up to the IZO layer (5) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.02 g / (m 2 · 24 hr). It was.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板10−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The board | substrate used for organic EL element preparation performed pattern formation, a cutting | disconnection, washing | cleaning, and drying similarly to Example 1, and obtained the evaluation board | substrate 10-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板10−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarizing layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 10-2 of the present invention, and a stainless steel can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にIZO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED10とする。
Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to the device with the IZO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as
(比較例8(片面バリア))
(ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックシートの作製)
実施例1のプラスチックフィルム(1)を用いた。
(Comparative Example 8 (single-sided barrier))
(Production of glass sheet containing glass fiber-containing crosslinked resin)
The plastic film (1) of Example 1 was used.
(ガスバリア層の作製)
実施例1と同様にガスバリア層(2)を形成した。
実施例1と同様に有機コート層(3)を形成した。
この有機コート層(3)上に実施例1と同様の方法でガスバリア層(22)を形成した。
(Production of gas barrier layer)
A gas barrier layer (2) was formed in the same manner as in Example 1.
An organic coat layer (3) was formed in the same manner as in Example 1.
A gas barrier layer (22) was formed on the organic coat layer (3) in the same manner as in Example 1.
(IZO層の作製)
このガスバリア層(22)の上に実施例1と同様の方法でIZO層(5)を形成した(評価基板11−1)。
(Preparation of IZO layer)
An IZO layer (5) was formed on the gas barrier layer (22) in the same manner as in Example 1 (evaluation substrate 11-1).
上記のようにIZO層(5)まで形成した透明電極付複合材料基板をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m2・24hr)以下であった。 When the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured for the composite substrate with a transparent electrode formed up to the IZO layer (5) as described above based on the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr) or less. there were.
(有機EL素子評価基板の作製)
有機EL素子作製に用いる基板は、実施例1と同様にパターン形成、切断、洗浄および乾燥を行い、評価基板11−2を得た。
(Preparation of organic EL element evaluation substrate)
The board | substrate used for organic EL element preparation performed pattern formation, a cutting | disconnection, washing | cleaning, and drying similarly to Example 1, and obtained the evaluation board | substrate 11-2.
(緑色燐光EL素子の作製)
実施例1と同様に本発明の評価基板11−2上に平坦化層、有機層(6)および対向電極(7)を形成し、ステンレス製封止缶(8)と紫外線硬化性接着剤(9)を用いてはりあわせた。
(Production of green phosphorescent EL element)
As in Example 1, a planarization layer, an organic layer (6) and a counter electrode (7) are formed on the evaluation substrate 11-2 of the present invention, and a stainless steel sealing can (8) and an ultraviolet curable adhesive ( 9).
なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にIZO側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED11とする。 Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to the device with the IZO side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED 11.
(透明電極付複合材料基板の評価)
以下方法で得られた透明電極付複合材料基板の評価を行った。結果を表1に示す。
(Evaluation of composite material substrate with transparent electrode)
The composite material substrate with a transparent electrode obtained by the following method was evaluated. The results are shown in Table 1.
(水蒸気透過率(WVTR))
JISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定した。
(Water vapor transmission rate (WVTR))
Based on the JISK7129B method, the water vapor transmission rate at 40 ° C. and 90% RH was measured.
(耐久性・ダークスポット成長)
OLED1〜11を、25℃50%RHの条件下で、10mA/cm2の一定電流で500時間駆動させた後に、6mm×15mm四方の範囲で確認できる非発光点(ダークスポット)の面積を測定した。
(Durability / Dark spot growth)
After driving OLEDs 1 to 11 at a constant current of 10 mA / cm 2 for 500 hours under conditions of 25 ° C. and 50% RH, the area of the non-light emitting point (dark spot) that can be confirmed in the range of 6 mm × 15 mm square is measured. did.
(発光歩留まり)
各実施例、比較例の素子を10個同様に作製し、試作直後の最初の通電時に電流が流れ全面発光するものを良品とし、全面発光しないものを不良品とした。10個中の良品の個数を示す。
(Luminescence yield)
Ten elements of each of the examples and comparative examples were produced in the same manner, and those in which current flowed at the first energization immediately after the trial production and emitting light entirely were regarded as non-defective products, and those that did not emit light entirely were regarded as defective products. The number of non-defective products out of 10 is shown.
(抵抗値・抵抗値変化)
JISK7194法に基づき各サンプルにつき5点測定を行ない、表面抵抗率(Ω/□)を求めた。各透明電極層の厚さは150nmである。評価サンプルは、実施例、比較例の−1の評価基板を用い(例えば実施例1ならば評価基板1−1を用いた)、電極成膜後熱処理無しと、180℃5時間の熱処理品について測定した。
(Resistance value / resistance value change)
Based on the JISK7194 method, five points were measured for each sample to determine the surface resistivity (Ω / □). The thickness of each transparent electrode layer is 150 nm. For the evaluation sample, the evaluation substrate of -1 of the example and the comparative example is used (for example, the evaluation substrate 1-1 is used in the case of the example 1). It was measured.
(線膨張係数)
JIS K7197に準じて、セイコー電子(株)製TMA/SS120C型熱応力歪測定装置を用いて、プラスチックフィルムの線膨張係数を測定した。
(Linear expansion coefficient)
According to JIS K7197, the linear expansion coefficient of the plastic film was measured using a TMA / SS120C type thermal stress strain measuring device manufactured by Seiko Denshi Co., Ltd.
(光線透過率)
JISK7361法に基づき全光線透過率測定を行なった。評価サンプルは、実施例、比較例の−1の評価基板を用いた(例えば実施例1ならば評価基板1−1を用いた)。
(Light transmittance)
The total light transmittance was measured based on the JIS K 7361 method. As an evaluation sample, the evaluation substrate of -1 of Examples and Comparative Examples was used (for example, in the case of Example 1, the evaluation substrate 1-1 was used).
(基板の反り)
評価基板−2(例えば実施例1ならば評価基板1−2を用いた)を乾燥工程直後に目視で観察し、反りが少なければ(およそ3mm以下)○、それを超えるようなら×とした。
(Board warpage)
Evaluation substrate-2 (e.g., evaluation substrate 1-2 was used in Example 1) was visually observed immediately after the drying step. If there was little warpage (approximately 3 mm or less), it was marked as ◯.
表1から明らかなように、本発明の透明電極付複合材料基板は、寸法安定性、ガスバリア性、透明性、耐熱性に優れ、抵抗値の安定性、さらに基板の反りが少なく取扱が容易なことから、有機EL素子にしたときの歩留まりも高く、ダークスポットを抑えることができる。 As is apparent from Table 1, the composite substrate with a transparent electrode of the present invention is excellent in dimensional stability, gas barrier properties, transparency and heat resistance, stable in resistance, and easy to handle with little warping of the substrate. Therefore, the yield when the organic EL element is made is high, and dark spots can be suppressed.
実施例1、2と比較例1、2から本発明の基板はIZOを成膜する前後でいずれも高いガスバリア性を有している。次に実施例1、2と比較例3、4のダークスポット面積率を比較することにより、IZOの方がITOよりもこの特性が優れることが分る。さらに実施例3、4に示されるようにバリア層や平滑化コート層数を多くすれば、ダークスポットをより抑えることが可能となる。 From Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the substrate of the present invention has a high gas barrier property before and after IZO film formation. Next, comparing the dark spot area ratios of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 3 and 4, it can be seen that IZO is superior to ITO in this characteristic. Furthermore, if the number of barrier layers and smoothing coat layers is increased as shown in Examples 3 and 4, dark spots can be further suppressed.
実施例2と比較例5を比較すると、発光歩留まりと基板の反りが、実施例2の方が優れる。これは基板の線膨張係数の違いによると考えられる。プロセス中、基板の動きが少ないプラスチックフィルム(1)が優れるためと考えられる。プロセス中での基板の動きが小さいことは、本実施例の内容に留まらず、アクティブマトリックス表示基板に用いるときにも有利である。また詳細は不明であるが、ダークスポット面積率でも実施例2が優れた結果となった。 When Example 2 and Comparative Example 5 are compared, Example 2 is superior in light emission yield and substrate warpage. This is considered to be due to the difference in the coefficient of linear expansion of the substrate. It is considered that the plastic film (1) with less movement of the substrate during the process is excellent. The small movement of the substrate during the process is not limited to the contents of this embodiment, but is also advantageous when used for an active matrix display substrate. Further, although details are unknown, Example 2 gave excellent results even in the dark spot area ratio.
実施例2と比較例6を比較すると、発光歩留まりと基板の反りだけでなく、ダークスポット面積率に顕著な差が出た。比較例6のダークスポット面積率が予想されるよりも非常に大きいため、ダークスポットの中心部をFIB切断し、TEM観察を実施した。その結果、ITOと直下のSiOx層が連続して破断している形態が、複数箇所観察された。これは、ITO成膜以降のプロセスで、基板の伸縮とITOの内部応力の相互作用で破断を引き起こしたと推測される。 When Example 2 was compared with Comparative Example 6, not only the light emission yield and the warpage of the substrate, but also a significant difference in the dark spot area ratio was found. Since the dark spot area ratio of Comparative Example 6 was much larger than expected, the central portion of the dark spot was FIB cut, and TEM observation was performed. As a result, a plurality of forms in which the ITO and the SiOx layer immediately below were continuously broken were observed. It is presumed that this was caused by the interaction between the expansion and contraction of the substrate and the internal stress of ITO in the processes after the ITO film formation.
バリア層を片面に1層のみに設けた比較例7では、バリア性が不足する。また片面にバリア層を2層設けた比較例8においては、基板の反りが大きくなり、有機EL素子にした場合歩留まりが悪くなる。 In Comparative Example 7 in which the barrier layer is provided on only one layer on one side, the barrier property is insufficient. Further, in Comparative Example 8 in which two barrier layers are provided on one side, the warpage of the substrate is large, and the yield is poor when an organic EL element is used.
最後に、実施例1〜5、比較例5、7、8のIZO電極と、比較例3、4、6のITO電極を比較した場合、IZOは180℃の温度で処理しても抵抗値変化がほとんど無いのに対し、ITOは熱処理後に抵抗値が大小にばらつく。これは、IZOが処理前後ともアモルファスであるのに対し、ITOでは結晶化が進むことが一因と推定される。いずれにしても、これらプラスチックフィルム上におけるプロセスの安定性を考えたときには、IZOが有利であることが示された。 Finally, when the IZO electrodes of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 5, 7, and 8 and the ITO electrodes of Comparative Examples 3, 4, and 6 were compared, the resistance value changed even when IZO was processed at a temperature of 180 ° C. In contrast, the resistance value of ITO varies greatly after heat treatment. This is presumably due to the fact that IZO is amorphous before and after the treatment, whereas ITO is crystallized. In any case, IZO has been shown to be advantageous when considering process stability on these plastic films.
1 プラスチックフィルム
2 ガスバリア層
3 有機コート層
4 ガスバリア層
5 IZO電極
6 有機層
7 対向電極
8 ステンレス製封止缶
9 接着剤
10 有機EL素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plastic film 2 Gas barrier layer 3 Organic coat layer 4
Claims (8)
前記透明電極付複合材料基板が、
架橋樹脂とガラス繊維とを含むプラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの両面に設けられた少なくとも1層のガスバリア層と、
前記ガスバリア層の上に設けられ、In−Zn−Oを主成分として含む透明電極層と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 An organic electroluminescence device comprising a composite material substrate with a transparent electrode and a light emitting layer,
The composite substrate with a transparent electrode is
A plastic film containing a crosslinked resin and glass fiber;
At least one gas barrier layer provided on both sides of the plastic film;
A transparent electrode layer provided on the gas barrier layer and containing In-Zn-O as a main component;
An organic electroluminescence device comprising:
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