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JP2008209859A - Liquid crystal device and electronic device - Google Patents

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JP2008209859A
JP2008209859A JP2007048916A JP2007048916A JP2008209859A JP 2008209859 A JP2008209859 A JP 2008209859A JP 2007048916 A JP2007048916 A JP 2007048916A JP 2007048916 A JP2007048916 A JP 2007048916A JP 2008209859 A JP2008209859 A JP 2008209859A
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JP
Japan
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liquid crystal
transition
electrode
crystal device
resistance heating
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Withdrawn
Application number
JP2007048916A
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Japanese (ja)
Inventor
Sae Sawatari
彩映 沢渡
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】低電圧、かつ短時間でOCBモードの初期配向転移を行うことができる、液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】対向配置された第一基板10と第二基板20との間に液晶層50が挟持され、液晶層50の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置100である。第一基板10には、画素電極15と、画素電極15に電位差を生じる転移電極61と、その一端側が転移電極61に接続される抵抗加熱部と、が設けられる。
【選択図】図5
Provided are a liquid crystal device and an electronic device that can perform initial alignment transition in an OCB mode in a low voltage and in a short time.
A liquid crystal device in which a liquid crystal layer 50 is sandwiched between a first substrate 10 and a second substrate 20 arranged to face each other and display is performed by changing the alignment state of the liquid crystal layer 50 from a splay alignment to a bend alignment. 100. The first substrate 10 is provided with a pixel electrode 15, a transition electrode 61 that generates a potential difference in the pixel electrode 15, and a resistance heating unit whose one end is connected to the transition electrode 61.
[Selection] Figure 5

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.

特に液晶テレビジョン等に代表される液晶表示装置の分野においては、近年、動画の画質向上を目的として応答速度の速いOCB(Optical Compensated Bend)モードの液晶表示装置が脚光を浴びている。OCBモードにおいて、初期状態では液晶が2枚の基板間でスプレイ状に開いたスプレイ配向となっており、表示動作時には液晶が弓なりに曲がった状態(ベンド配向)になっている必要がある。すなわち、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することで高速応答性を実現している。   In particular, in the field of liquid crystal display devices represented by liquid crystal televisions and the like, in recent years, an OCB (Optical Compensated Bend) mode liquid crystal display device with a high response speed has been spotlighted for the purpose of improving the quality of moving images. In the OCB mode, in the initial state, the liquid crystal is in a splay alignment that is opened in a splay shape between two substrates, and the liquid crystal needs to be bent in a bow shape (bend alignment) during display operation. That is, high-speed response is realized by modulating the transmittance with the degree of bending of the bend orientation during the display operation.

このようにOCBモードの液晶表示装置の場合、電源遮断時に液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって初期のスプレイ配向から表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。そこで特許文献1には、液晶分子に局所的にツイスト配向させ、このツイスト配向部を転移核として、初期配向転移を促進する技術が開示されている。また、特許文献2には、液晶パネル中の液晶層をバックライト等の加熱手段を用いて加熱することで液晶の粘度を調整し、特に低温時における初期配向転移の促進を図った技術が開示されている。
特開2000−295756号公報 特開2002−250909号公報
Thus, in the case of the OCB mode liquid crystal display device, since the liquid crystal is in the splay alignment when the power is turned off, the bend alignment in the display operation is changed from the initial splay alignment by applying a voltage higher than a certain threshold voltage to the liquid crystal when the power is turned on. In other words, a so-called initial transition operation for transferring the alignment state of the liquid crystal is required. Thus, Patent Document 1 discloses a technique for locally aligning liquid crystal molecules and promoting initial alignment transition using the twist alignment portion as a transition nucleus. Patent Document 2 discloses a technique for adjusting the viscosity of the liquid crystal by heating the liquid crystal layer in the liquid crystal panel using a heating means such as a backlight, and promoting the initial alignment transition particularly at low temperatures. Has been.
JP 2000-295756 A JP 2002-250909 A

しかしながら、特許文献1に記載された技術では、転移核の形成に時間を要するため、初期配向転移を完了するまでに時間を要するといった問題がある。また、特許文献2に記載された技術では、例えばパネル外部から加熱手段によって加熱されるため、パネル内部の液晶層を十分に加熱するためには消費電流が大きくなるといった問題がある。   However, since the technique described in Patent Document 1 requires time to form transition nuclei, there is a problem that it takes time to complete the initial alignment transition. Further, the technique described in Patent Document 2 has a problem that, for example, the heating current is heated from the outside of the panel, so that the current consumption increases in order to sufficiently heat the liquid crystal layer inside the panel.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、低電圧、かつ短時間でOCBモードの初期配向転移を行うことができる、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal device and an electronic apparatus that can perform initial alignment transition in the OCB mode in a low voltage and in a short time. .

本発明の液晶装置は、対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、前記第一基板には、画素電極と、該画素電極に対して電位差を生じる転移電極と、その一端側が前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする。   The liquid crystal device according to the present invention has a liquid crystal layer sandwiched between a first substrate and a second substrate which are arranged to face each other, and performs display by changing the alignment state of the liquid crystal layer from splay alignment to bend alignment. The first substrate is provided with a pixel electrode, a transition electrode that generates a potential difference with respect to the pixel electrode, and a resistance heating unit having one end connected to the transition electrode. To do.

本発明の液晶装置によれば、画素電極と転移電極との間に電界が生じ、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。このとき、例えば抵抗加熱部の他端側に接続される部材が転移電極に対して電位差があると、前記抵抗加熱部によりジュール熱が発生し、これに伴って液晶層が加熱されることでその粘度が低下する。
したがって、転移核の形成時に液晶層の粘度を低下させることで液晶層中にディスクリネーションが容易に発生し、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、OCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
According to the liquid crystal device of the present invention, an electric field is generated between the pixel electrode and the transition electrode, and a transition nucleus serving as a starting point of the initial transition can be formed. At this time, for example, when a member connected to the other end of the resistance heating unit has a potential difference with respect to the transition electrode, Joule heat is generated by the resistance heating unit, and the liquid crystal layer is heated accordingly. Its viscosity decreases.
Therefore, the disclination easily occurs in the liquid crystal layer by reducing the viscosity of the liquid crystal layer when forming the transition nucleus, and the initial transition easily propagates to the surroundings using this disclination as the transition nucleus. It is possible to quickly perform the initial alignment transition at a low voltage.

また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の他端側に、前記転移電極に対して電位差を有する他の転移電極が接続されるのが好ましい。
このようにすれば、転移電極及び他の転移電極の電位差により、抵抗加熱部に電流が流れ、ジュール熱を確実に発生させることができる。
このとき、前記転移電極及び前記他の転移電極はそれぞれ略櫛歯形状からなり、前記転移電極と前記他の転移電極の櫛歯部が、互いに噛み合わされ且つ該櫛歯部間に前記画素電極を挟むように配置されており、前記画素電極を挟む前記櫛歯部間が前記抵抗加熱部により接続されるのが望ましい。
このようにすれば、転移電極と他の転移電極との間に異なる電圧を印加することで画素電極を挟む櫛歯電極に電位差を生じさせることができる。よって、抵抗加熱部にジュール熱を確実に発生させ、前記電極に挟まれた領域に対応する液晶層の粘度を低下させることができる。したがって、画素領域の広範囲に亘って初期配向転移を促進させることができる。
In the liquid crystal device, it is preferable that another transition electrode having a potential difference with respect to the transition electrode is connected to the other end side of the resistance heating unit.
If it does in this way, an electric current will flow into a resistance heating part by the potential difference of a transition electrode and another transition electrode, and it can generate | occur | produce Joule heat reliably.
At this time, each of the transition electrode and the other transition electrode has a substantially comb-tooth shape, the comb-tooth portions of the transition electrode and the other transition electrode are meshed with each other, and the pixel electrode is interposed between the comb-tooth portions. It is desirable that the comb teeth portions sandwiching the pixel electrodes are connected by the resistance heating portion.
In this way, by applying different voltages between the transition electrode and the other transition electrode, a potential difference can be generated in the comb electrode sandwiching the pixel electrode. Therefore, Joule heat can be reliably generated in the resistance heating portion, and the viscosity of the liquid crystal layer corresponding to the region sandwiched between the electrodes can be reduced. Therefore, the initial alignment transition can be promoted over a wide area of the pixel region.

また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記他の転移電極の抵抗値よりも高いのが好ましい。
このようにすれば、抵抗加熱部にてジュール熱が良好に発生し、上述したOCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。
In the liquid crystal device, it is preferable that a resistance value of the resistance heating unit is higher than resistance values of the transition electrode and the other transition electrode.
In this way, Joule heat is generated satisfactorily in the resistance heating section, and the above-described initial alignment transition in the OCB mode can be quickly performed at a low voltage.

また、上記液晶装置においては、前記転移電極、及び前記他の転移電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、屈曲部によって転移電極と他の転移電極との間において電界が様々な方向に生じ、これに伴って液晶層中にディスクリネーションが生じさせやすくなり、初期転移の高速性をさらに高めることができる。
In the liquid crystal device, it is preferable that a bent portion is formed in at least one of the transition electrode and the other transition electrode.
In this way, electric fields are generated in various directions between the transition electrode and other transition electrodes due to the bent portion, and accordingly, disclination is easily generated in the liquid crystal layer, and the high speed of the initial transition is achieved. Can be further enhanced.

あるいは、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の他端には、前記画素電極が接続されていてもよい。
この構成によれば、画素電極及び転移電極との間における電位差により、抵抗加熱部に電流が流れ、画素領域毎にジュール熱を確実に発生させることができる。したがって、画素領域の全域に亘って液晶層を初期配向転移させることができる。
Alternatively, in the liquid crystal device, the pixel electrode may be connected to the other end of the resistance heating unit.
According to this configuration, a current flows through the resistance heating portion due to a potential difference between the pixel electrode and the transition electrode, and Joule heat can be reliably generated for each pixel region. Therefore, the initial alignment of the liquid crystal layer can be changed over the entire pixel region.

また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記画素電極の抵抗値よりも高いのが望ましい。
このようにすれば、抵抗加熱部にてジュール熱が良好に発生し、上述したOCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができるといった効果を得ることができる。
In the liquid crystal device, the resistance value of the resistance heating unit is preferably higher than the resistance values of the transition electrode and the pixel electrode.
In this way, it is possible to obtain an effect that Joule heat is generated satisfactorily in the resistance heating portion, and the above-described initial alignment transition in the OCB mode can be quickly performed at a low voltage.

また、上記液晶装置においては、前記転移電極、及び前記画素電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、屈曲部によって転移電極と画素電極との間において電界が様々な方向に生じ、これに伴って液晶層中にディスクリネーションが生じさせやすくなり、初期転移の高速性をさらに高めることができる。
In the liquid crystal device, it is preferable that a bent portion is formed on at least one of the transition electrode and the pixel electrode.
In this way, the electric field is generated in various directions between the transition electrode and the pixel electrode due to the bent portion, and accordingly, disclination is easily generated in the liquid crystal layer, and the initial transition speed is further increased. Can be increased.

また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部と前記液晶層の間には、該液晶層の初期配向方向を規制する配向膜のみが介在しているのが好ましい。
このようにすれば、前記抵抗加熱部と液晶層との間には、配向膜のみが介在した状態となっているので、前記抵抗加熱部に発生した熱によって液晶層を効率的に加熱することができる。
In the liquid crystal device, it is preferable that only an alignment film for regulating an initial alignment direction of the liquid crystal layer is interposed between the resistance heating unit and the liquid crystal layer.
In this way, since only the alignment film is interposed between the resistance heating unit and the liquid crystal layer, the liquid crystal layer is efficiently heated by the heat generated in the resistance heating unit. Can do.

本発明の液晶装置は、対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、前記第二基板に形成された共通電極上には、誘電体層を介し、前記共通電極との間に電位差を生じる転移電極と、前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする。   The liquid crystal device according to the present invention has a liquid crystal layer sandwiched between a first substrate and a second substrate which are arranged to face each other, and performs display by changing the alignment state of the liquid crystal layer from splay alignment to bend alignment. And on the common electrode formed on the second substrate, via a dielectric layer, a transition electrode that generates a potential difference between the common electrode, a resistance heating unit connected to the transition electrode, Is provided.

本発明の液晶装置によれば、共通電極と転移電極との間に電界を生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。このとき、抵抗加熱部は、転移電極及び共通電極に対して電位差があるため、前記転移核の形成時に前記抵抗加熱部によりジュール熱が発生し、これによって液晶層が加熱されて粘度が低下する。したがって、粘度の低下した液晶層中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、OCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。   According to the liquid crystal device of the present invention, by generating an electric field between the common electrode and the transition electrode, it is possible to form a transition nucleus serving as a starting point of the initial transition. At this time, since the resistance heating unit has a potential difference with respect to the transition electrode and the common electrode, Joule heat is generated by the resistance heating unit during the formation of the transition nucleus, thereby heating the liquid crystal layer and reducing the viscosity. . Therefore, the disclination can be easily generated in the liquid crystal layer having a reduced viscosity, and the initial transition easily propagates to the surroundings using this disclination as a transition nucleus. Can be done quickly.

また、上記液晶装置においては、前記抵抗加熱部は、前記転移電極、及び前記共通電極に比べ、その抵抗値が高いのが好ましい。
このようにすれば、抵抗加熱部にてジュール熱が良好に発生し、上述したOCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができるといった効果を得ることができる。
In the liquid crystal device, the resistance heating unit preferably has a higher resistance value than the transition electrode and the common electrode.
In this way, it is possible to obtain an effect that Joule heat is generated satisfactorily in the resistance heating portion, and the above-described initial alignment transition in the OCB mode can be quickly performed at a low voltage.

本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。   An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described liquid crystal device.

本発明の電子機器によれば、低電圧、かつ短時間でOCBモードの初期配向転移を行うことのできる液晶装置を備えているので、表示品位に優れた電子機器を提供することができる。   According to the electronic device of the present invention, since the liquid crystal device capable of performing the initial alignment transition in the OCB mode in a short time with a low voltage is provided, an electronic device with excellent display quality can be provided.

(第1の実施形態)
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。さらに本明細書では、画像表示の最小単位を「サブ画素」と呼び、各色カラーフィルタを備えた複数のサブ画素の集合を「画素」と呼ぶこととする。
(First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each drawing used in the following description, the scale is appropriately changed to make each member a recognizable size. Furthermore, in this specification, the minimum unit of image display is referred to as “sub-pixel”, and a set of a plurality of sub-pixels each having a color filter is referred to as “pixel”.

図1(a)は本実施形態の液晶装置を示す平面図、図1(b)は図1(a)のH−H´線に沿う断面図である。図2は液晶装置を示す等価回路図、図3はサブ画素領域の平面構成図、図4は複数のサブ画素領域に対応する平面構成図であり、図5(a)は図3のA−A’線に沿う断面図であり、図5(b)は図3のB−B’線に沿う断面図である。図6は液晶分子の配向状態を示す概略図である。   FIG. 1A is a plan view showing the liquid crystal device of the present embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing the liquid crystal device, FIG. 3 is a plan configuration diagram of the sub-pixel region, FIG. 4 is a plan configuration diagram corresponding to a plurality of sub-pixel regions, and FIG. FIG. 5B is a sectional view taken along line A ′, and FIG. 5B is a sectional view taken along line BB ′ in FIG. FIG. 6 is a schematic view showing the alignment state of liquid crystal molecules.

本実施形態に係る液晶装置は、TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)を画素スイッチング素子として用いたTFT方式アクティブマトリクス型の液晶装置である。   The liquid crystal device according to this embodiment is a TFT-type active matrix liquid crystal device using TFTs (Thin Film Transistors) as pixel switching elements.

液晶装置100は、図1に示すように、素子基板(第一基板)10と、素子基板10に対向配置された対向基板(第二基板)20と、素子基板10及び対向基板20に挟持された液晶層50とを備えている。液晶層50としては、誘電率異方性が正の液晶材料を用いた。   As shown in FIG. 1, the liquid crystal device 100 is sandwiched between an element substrate (first substrate) 10, a counter substrate (second substrate) 20 disposed to face the element substrate 10, and the element substrate 10 and the counter substrate 20. And a liquid crystal layer 50. As the liquid crystal layer 50, a liquid crystal material having positive dielectric anisotropy was used.

また、液晶装置100は、素子基板10及び対向基板20をシール材52によって貼り合わせており、液晶層50をシール材52で区画された領域内に封止している。シール材52の内周に沿って周辺見切53が形成されており、周辺見切53で囲まれた平面視(対向基板20側から素子基板10を見た状態)で矩形状の領域を画像表示領域10aとしている。   In the liquid crystal device 100, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together with a sealing material 52, and the liquid crystal layer 50 is sealed in an area partitioned by the sealing material 52. A peripheral parting line 53 is formed along the inner periphery of the sealing material 52, and a rectangular area is displayed as an image display area in a plan view surrounded by the peripheral parting part 53 (when the element substrate 10 is viewed from the counter substrate 20 side). 10a.

また、液晶装置100は、シール材52の外側領域に設けられたデータ線駆動回路101及び走査線駆動回路104と、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路104と導通する接続端子102と、走査線駆動回路104を接続する配線105とを備えている。   In addition, the liquid crystal device 100 includes a data line driving circuit 101 and a scanning line driving circuit 104 provided in an outer region of the sealant 52, a connection terminal 102 that is electrically connected to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, and scanning. Wiring 105 for connecting the line driving circuit 104 is provided.

液晶装置100の画像表示領域10aには、図2に示すように、複数のサブ画素領域が平面視マトリクス状に配列されている。各々のサブ画素領域に対応して、画素電極15と、画素電極15をスイッチング制御するTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)30とが設けられている。画像表示領域10aにはまた、複数のデータ線6aと走査線3aとが格子状に延びて形成されている。   In the image display area 10a of the liquid crystal device 100, as shown in FIG. 2, a plurality of sub-pixel areas are arranged in a matrix in plan view. Corresponding to each sub-pixel region, a pixel electrode 15 and a TFT (Thin Film Transistor) 30 that controls switching of the pixel electrode 15 are provided. In the image display area 10a, a plurality of data lines 6a and scanning lines 3a are formed extending in a grid pattern.

TFT30のソースにデータ線6aが電気的に接続されており、ゲートには走査線3aが電気的に接続されている。TFT30のドレインは画素電極15と電気的に接続されている。データ線6aはデータ線駆動回路101に接続されており、データ線駆動回路101から供給される画像信号S1、S2、…、Snを各サブ画素領域に供給する。走査線3aは走査線駆動回路104に接続されており、走査線駆動回路104から供給される走査信号G1、G2、…、Gmを各サブ画素領域に供給する。データ線駆動回路101からデータ線6aに供給される画像信号S1〜Snは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路104は、走査線3aに対して、走査信号G1〜Gmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。   The data line 6a is electrically connected to the source of the TFT 30, and the scanning line 3a is electrically connected to the gate. The drain of the TFT 30 is electrically connected to the pixel electrode 15. The data line 6a is connected to the data line driving circuit 101, and supplies image signals S1, S2,..., Sn supplied from the data line driving circuit 101 to each sub-pixel region. The scanning line 3a is connected to the scanning line driving circuit 104, and supplies scanning signals G1, G2,..., Gm supplied from the scanning line driving circuit 104 to each sub-pixel region. The image signals S1 to Sn supplied from the data line driving circuit 101 to the data line 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each of a plurality of adjacent data lines 6a for each group. Good. The scanning line driving circuit 104 supplies the scanning signals G1 to Gm to the scanning line 3a in a pulse-sequential manner at a predetermined timing.

液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号G1〜Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号S1〜Snが所定のタイミングで画素電極15に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極15を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1〜Snは、画素電極15と液晶層50を介して対向配置された後述する共通電極との間で一定期間保持される。
ここで、保持された画像信号S1〜Snがリークするのを防止するため、画素電極15と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量17が接続されている。蓄積容量17は、TFT30のドレインと容量線3bとの間に設けられている。
In the liquid crystal device 100, the TFT 30 serving as a switching element is turned on for a certain period by the input of the scanning signals G1 to Gm, so that the image signals S1 to Sn supplied from the data line 6a are at the pixel electrode 15 at a predetermined timing. It is the structure written in. A predetermined level of the image signals S1 to Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 15 is held for a certain period between the pixel electrode 15 and a common electrode (described later) disposed opposite to each other via the liquid crystal layer 50. .
Here, in order to prevent the retained image signals S1 to Sn from leaking, a storage capacitor 17 is connected in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 15 and the common electrode. The storage capacitor 17 is provided between the drain of the TFT 30 and the capacitor line 3b.

次に、液晶装置100の詳細な構成について、図3及び図4を参照して説明する。なお図3において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向、画素電極15の長軸方向、並びにデータ線6aの延在方向をY軸方向、サブ画素領域の短軸方向や画素電極15の短軸方向、走査線3a及び容量線3bの延在方向をX軸方向と規定している。   Next, a detailed configuration of the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. In FIG. 3, the major axis direction of the substantially rectangular sub-pixel region in plan view, the major axis direction of the pixel electrode 15, and the extending direction of the data line 6a are the Y-axis direction, the minor axis direction of the sub-pixel region, and the pixel. The minor axis direction of the electrode 15 and the extending direction of the scanning line 3a and the capacitor line 3b are defined as the X-axis direction.

図3に示すように、各々のサブ画素領域には平面視矩形状の画素電極15が形成されている。画素電極15の辺端のうちY軸方向に延びる長辺に沿ってデータ線6aが延在しており、画素電極15の短辺(X軸方向)に沿って走査線3aが延在している。走査線3aの画素電極15側に、走査線3aと平行に延びる容量線3bが形成されている。また、サブ画素領域の一隅部には、素子基板10と対向基板20との間隔を規制する柱状スペーサ59が立設されている。   As shown in FIG. 3, a pixel electrode 15 having a rectangular shape in plan view is formed in each sub-pixel region. The data line 6a extends along the long side extending in the Y-axis direction among the side edges of the pixel electrode 15, and the scanning line 3a extends along the short side (X-axis direction) of the pixel electrode 15. Yes. On the pixel electrode 15 side of the scanning line 3a, a capacitor line 3b extending in parallel with the scanning line 3a is formed. In addition, a columnar spacer 59 that restricts the distance between the element substrate 10 and the counter substrate 20 is provided upright at one corner of the sub-pixel region.

走査線3a上に、スイッチング素子であるTFT30が形成されている。TFT30は、島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層35と、半導体層35と一部平面的に重なるように配置されたソース電極6b及びドレイン電極32とを備えている。走査線3aは半導体層35と平面的に重なる位置でTFT30のゲート電極として機能する。   A TFT 30 as a switching element is formed on the scanning line 3a. The TFT 30 includes a semiconductor layer 35 made of an island-shaped amorphous silicon film, and a source electrode 6b and a drain electrode 32 disposed so as to partially overlap the semiconductor layer 35 in a planar manner. The scanning line 3 a functions as a gate electrode of the TFT 30 at a position overlapping the semiconductor layer 35 in plan view.

ソース電極6bは、半導体層35と反対側の端部でデータ線6aと接続されている。ドレイン電極32は半導体層35と反対側の端部で平面視略矩形状の容量電極31と接続されている。容量電極31は容量線3bの平面領域内に配置されており、容量電極31と容量線3bとを電極とする蓄積容量17を構成している。容量電極31の平面領域内に形成された画素コンタクトホール25を介して画素電極15と容量電極31とが電気的に接続されることで、TFT30のドレインと画素電極15とが導通している。   The source electrode 6 b is connected to the data line 6 a at the end opposite to the semiconductor layer 35. The drain electrode 32 is connected to the capacitor electrode 31 having a substantially rectangular shape in plan view at the end opposite to the semiconductor layer 35. The capacitor electrode 31 is disposed in the plane region of the capacitor line 3b, and constitutes a storage capacitor 17 having the capacitor electrode 31 and the capacitor line 3b as electrodes. The pixel electrode 15 and the capacitor electrode 31 are electrically connected via the pixel contact hole 25 formed in the planar region of the capacitor electrode 31 so that the drain of the TFT 30 and the pixel electrode 15 are electrically connected.

また、画素電極15間に第一転移電極(転移電極)60及び第二転移電極(他の転移電極)61が設けられている。これら第一、第二転移電極60,61は、後述するような液晶装置100の初期転移操作時に前記画素電極15との間に電位差を生じ、画素電極15との間に生じた電界により液晶分子にディスクリネーションを発生させ、これによって液晶層50内における初期配向転移を促進させるものである。また、これら第一、第二転移電極60,61の形成材料としては、Al等の金属材料を例示できる。   A first transition electrode (transition electrode) 60 and a second transition electrode (other transition electrode) 61 are provided between the pixel electrodes 15. These first and second transition electrodes 60 and 61 generate a potential difference with the pixel electrode 15 during the initial transition operation of the liquid crystal device 100 as will be described later, and the liquid crystal molecules are generated by the electric field generated between the first and second transition electrodes 60 and 61. Disclination is generated, thereby promoting the initial alignment transition in the liquid crystal layer 50. Moreover, as a forming material of these 1st, 2nd transition electrodes 60 and 61, metal materials, such as Al, can be illustrated.

具体的には、第一、第二転移電極60,61は、図4に示すように互いが略櫛歯形状から構成されており、互いの櫛歯部60a,61aを噛み合わせるとともに、この櫛歯部60a,61a間に前記画素電極15を挟むように配置される。なお、各櫛歯部60a、61aの延在方向は、画素電極15の長辺方向(ソース線6aの延在方向)に一致している。   Specifically, as shown in FIG. 4, the first and second transition electrodes 60 and 61 are configured in a substantially comb-tooth shape, and the comb-tooth portions 60 a and 61 a are engaged with each other. The pixel electrode 15 is disposed between the tooth portions 60a and 61a. In addition, the extending direction of each comb-tooth part 60a, 61a corresponds to the long side direction (extending direction of the source line 6a) of the pixel electrode 15.

そして、前記櫛歯部60a,61aを跨ぎ、かつ走査線3aの延在方向に沿うように抵抗加熱部40が形成されており、この抵抗加熱部40は前記櫛歯部60a,61aを接続している。なお、前記抵抗加熱部40は、平面視した状態で画素電極15の形成領域に重ならない位置に形成されるのが望ましい。これによれば、抵抗加熱部40が開口率を低下させるのを防止できる。   And the resistance heating part 40 is formed so that the said comb-tooth parts 60a and 61a may be straddled, and the extending direction of the scanning line 3a may be formed, and this resistance heating part 40 connects the said comb-tooth parts 60a and 61a. ing. The resistance heating unit 40 is preferably formed at a position that does not overlap the formation region of the pixel electrode 15 in a plan view. According to this, it can prevent that the resistance heating part 40 reduces an aperture ratio.

本実施形態では、複数のサブ画素領域を跨いだ状態に前記抵抗加熱部40を形成しているが、各サブ画素領域にそれぞれ対応させて形成するようにしてもよい。前記抵抗加熱部40の形成材料としては、前記画素電極15の構成材料と同様にITOを用いた。また、前記抵抗加熱部40は、前記画素電極40に比べて線幅及び膜厚が薄いものから構成されている。すなわち、前記抵抗加熱部40の抵抗は、前記転移電極60,61の抵抗より高いものとなっている。   In the present embodiment, the resistance heating unit 40 is formed so as to straddle a plurality of subpixel regions, but may be formed corresponding to each subpixel region. As a material for forming the resistance heating unit 40, ITO was used in the same manner as the constituent material of the pixel electrode 15. In addition, the resistance heating unit 40 is configured to have a smaller line width and film thickness than the pixel electrode 40. That is, the resistance of the resistance heating unit 40 is higher than the resistance of the transition electrodes 60 and 61.

また、液晶装置100の断面構成は、図5(a),(b)に示すように液晶層50を挟持して対向する素子基板10及び対向基板20と、素子基板10の外側(液晶層50と反対側)に配置された位相差板33及び偏光板36と、対向基板20の外側(液晶層50と反対側)に配置された位相差板34及び偏光板37と、偏光板36の外側に設けられて素子基板10の外面側から照明光を照射する照明装置62とを備えて構成されている。前記液晶層50は、OCBモードで動作する構成となっており、液晶装置100の動作時に図6(a)に示すように液晶分子51が概略弓形に配向したベンド配向を呈する。   5A and 5B, the cross-sectional configuration of the liquid crystal device 100 includes the element substrate 10 and the counter substrate 20 that face each other with the liquid crystal layer 50 interposed therebetween, and the outside of the element substrate 10 (the liquid crystal layer 50). The retardation plate 33 and the polarizing plate 36 disposed on the opposite side of the liquid crystal layer 50, the retardation plate 34 and the polarizing plate 37 disposed on the outer side of the counter substrate 20 (opposite the liquid crystal layer 50), and the outer side of the polarizing plate 36. And an illumination device 62 that irradiates illumination light from the outer surface side of the element substrate 10. The liquid crystal layer 50 is configured to operate in the OCB mode. When the liquid crystal device 100 is operated, the liquid crystal layer 50 exhibits a bend alignment in which the liquid crystal molecules 51 are aligned in a generally arcuate shape as shown in FIG.

前記素子基板10は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体11を基体として備える。基板本体11の内側(液晶層50側)には、前記走査線3a及び容量線3bと、前記走査線3a及び容量線3bを覆うゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12を介して走査線3aと対向する半導体層35と、半導体層35と接続されたソース電極6b(データ線6a)、及びドレイン電極32と、ドレイン電極32と接続されるとともにゲート絶縁膜12を介して容量線3bと対向する容量電極31とが形成されている。すなわち、TFT30とこれに接続された蓄積容量17とが形成されている(図5(a)、(b)参照)。   The element substrate 10 includes a substrate body 11 made of a translucent material such as glass, quartz, or plastic as a base. Inside the substrate body 11 (on the liquid crystal layer 50 side), the scanning lines 3a and the capacitor lines 3b, a gate insulating film 12 covering the scanning lines 3a and the capacitor lines 3b, and the scanning lines 3a through the gate insulating film 12 are provided. The semiconductor layer 35 facing the semiconductor layer 35, the source electrode 6b (data line 6a) connected to the semiconductor layer 35, the drain electrode 32, and the drain electrode 32 are connected to the capacitor line 3b via the gate insulating film 12. Capacitance electrode 31 is formed. That is, the TFT 30 and the storage capacitor 17 connected to the TFT 30 are formed (see FIGS. 5A and 5B).

TFT30を覆って、TFT30等に起因する基板上の凹凸を平坦化する平坦化膜13が形成されている。この平坦化膜13は、シリコン酸化物膜やシリコン窒化物膜等からなる透明絶縁膜である。平坦化膜13上に前記画素電極15、及び第一、第二転移電極60,61が設けられている。   A flattening film 13 is formed to cover the TFT 30 and flatten unevenness on the substrate caused by the TFT 30 or the like. The planarizing film 13 is a transparent insulating film made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like. The pixel electrode 15 and the first and second transition electrodes 60 and 61 are provided on the planarizing film 13.

また、前記平坦化膜13を貫通して容量電極31に達する画素コンタクトホール25を介して、平坦化膜13上に形成された画素電極15と容量電極31とが電気的に接続されている。画素電極15、及び前記第一、第二転移電極60,61を覆って配向膜18が形成されている。この配向膜18、例えばポリイミドからなるものであり、サブ画素領域の長軸方向(図3に示す矢印R方向)にラビング処理が施されている。   Further, the pixel electrode 15 formed on the planarizing film 13 and the capacitor electrode 31 are electrically connected through the pixel contact hole 25 that penetrates the planarizing film 13 and reaches the capacitor electrode 31. An alignment film 18 is formed to cover the pixel electrode 15 and the first and second transition electrodes 60 and 61. This alignment film 18 is made of polyimide, for example, and is rubbed in the major axis direction of the sub-pixel region (the direction of arrow R shown in FIG. 3).

対向基板20は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成され基板本体21を基体として備える。基板本体21の内側(液晶層50側)には、各々のサブ画素領域に対応する色種の色材層からなるカラーフィルタ22と、共通電極23と、配向膜29とが積層形成されている。   The counter substrate 20 is made of a translucent material such as glass, quartz, or plastic, and includes a substrate body 21 as a base. On the inner side of the substrate body 21 (on the liquid crystal layer 50 side), a color filter 22 composed of a color material layer corresponding to each sub-pixel region, a common electrode 23, and an alignment film 29 are stacked. .

共通電極23は、ITO等の透明導電材料からなり、複数のサブ画素領域を覆う平面ベタ状に形成されたものである。   The common electrode 23 is made of a transparent conductive material such as ITO, and is formed in a flat solid shape covering a plurality of subpixel regions.

配向膜29は、例えばポリイミドからなるものであり、共通電極23を覆って形成されている。配向膜29の表面には、配向膜18の配向方向R1と平行な方向(図3に示す矢印R2方向)のラビング処理が施されている。   The alignment film 29 is made of polyimide, for example, and is formed so as to cover the common electrode 23. The surface of the alignment film 29 is subjected to a rubbing process in a direction parallel to the alignment direction R1 of the alignment film 18 (the arrow R2 direction shown in FIG. 3).

(初期転移操作)
次に、OCBモードの液晶装置100の初期転移操作を図面に基づいて説明する。ここで、図6は、OCBモードの液晶分子の配向状態を示す説明図である。
OCBモードの液晶装置では、表示動作時には、図6(a)に示すように液晶分子51が弓なりに曲がった配向状態(ベンド配向)になっている。そして、液晶装置100は、表示動作時にベンド配向の曲がり度合いで透過率を変調することで、表示動作の高速応答性を実現する構成となっている。一方、その初期状態(非動作時)においては、図6(b)に示すように液晶分子51がスプレイ状に開いた配向状態(スプレイ配向)になっている。
(Initial transfer operation)
Next, an initial transition operation of the OCB mode liquid crystal device 100 will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 6 is an explanatory diagram showing the alignment state of the liquid crystal molecules in the OCB mode.
In the OCB mode liquid crystal device, at the time of display operation, the liquid crystal molecules 51 are in an alignment state (bend alignment) bent in a bow as shown in FIG. The liquid crystal device 100 is configured to realize high-speed response of the display operation by modulating the transmittance with the degree of bending of the bend alignment during the display operation. On the other hand, in the initial state (during non-operation), as shown in FIG. 6B, the liquid crystal molecules 51 are in an alignment state (splay alignment) in which the liquid crystal molecules 51 are opened in a splay shape.

OCBモードの液晶装置100の場合、電源遮断時における液晶分子の配向状態が図6(b)に示すスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値以上の電圧を液晶分子51に印加することで、図6(b)に示す初期のスプレイ配向から、図6(a)に示す表示動作時のベンド配向に液晶分子の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分に行われないことで、表示不良や所望の高速応答性が得られないことが発生する。   In the case of the liquid crystal device 100 in the OCB mode, since the alignment state of the liquid crystal molecules at the time of power-off is the splay alignment shown in FIG. A so-called initial transition operation is required in which the alignment state of the liquid crystal molecules is transferred from the initial splay alignment shown in FIG. 6B to the bend alignment during the display operation shown in FIG. Here, when the initial transition is not sufficiently performed, display failure and desired high-speed response may not be obtained.

本実施形態の液晶装置100では、素子基板10側に、画素電極15との間にそれぞれ電位差を生じる第一、第二転移電極60、61を備えているので、これら電極15,60,61間に電圧を印加することで、液晶層50の初期転移操作を実施することができる。   In the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the first and second transition electrodes 60 and 61 that generate a potential difference between the pixel electrode 15 and the pixel electrode 15 are provided on the element substrate 10 side. By applying a voltage to the liquid crystal layer 50, the initial transition operation of the liquid crystal layer 50 can be performed.

液晶装置100は液晶パネルの駆動制御を行う制御部を備えており、この制御部は対向基板20側に設けられた共通電極23の電位を制御する共通電極用制御部と、TFT30を介して画素電極15の電位を制御する画素電極用制御部とを含んで構成される。また、前記制御部は、前記第一、第二転移電極60,61の電位を制御する転移電極用制御部を含んでもよく、これによれば転移電極60,61と画素電極15とを互いに独立に電位制御することができるので、初期転移操作時及び画像表示時の双方で詳細な電位制御が可能になる。   The liquid crystal device 100 includes a control unit that performs drive control of the liquid crystal panel. This control unit is configured to control the pixel electrode through the TFT 30 and a common electrode control unit that controls the potential of the common electrode 23 provided on the counter substrate 20 side. And a pixel electrode control unit that controls the potential of the electrode 15. The control unit may include a transfer electrode control unit that controls the potentials of the first and second transfer electrodes 60 and 61. According to this, the transfer electrodes 60 and 61 and the pixel electrode 15 are independent of each other. Therefore, detailed potential control can be performed both during the initial transition operation and during image display.

具体的には、前記制御部から前記第一、第二転移電極60、61には異なる直流電圧が印加され、各転移電極60,61はそれぞれ前記画素電極15に対して電位差を生じる。具体的には、初期状態において、画素電極15の電位が0Vの場合に、前記第一転移電極60の電位を5V、前記第二転移電極61の電位を−5Vとするような電圧をそれぞれ印加する。このとき、各転移電極60,61と前記画素電極15との間に生じる電位差は5Vになるので、各転移電極60,61と画素電極15との間には略同じ強度の電界Eを発生させることができる。この電界は、液晶層50中にディスクリネーションを発生させ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播するようになる。本実施形態では、図3に示したように、第一、第二転移電極60、61の櫛歯部60a,61bが画素電極15の長辺方向に沿って形成されているので、上記電界Eによって、画素電極15の長辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。   Specifically, different DC voltages are applied from the control unit to the first and second transition electrodes 60 and 61, and each transition electrode 60 and 61 generates a potential difference with respect to the pixel electrode 15. Specifically, in the initial state, when the potential of the pixel electrode 15 is 0V, a voltage is applied so that the potential of the first transition electrode 60 is 5V and the potential of the second transition electrode 61 is −5V. To do. At this time, the potential difference generated between the transition electrodes 60 and 61 and the pixel electrode 15 is 5 V, so that an electric field E having substantially the same strength is generated between the transition electrodes 60 and 61 and the pixel electrode 15. be able to. This electric field generates disclination in the liquid crystal layer 50, and the initial transition propagates to the surroundings using the disclination as a transition nucleus. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the comb-tooth portions 60 a and 61 b of the first and second transition electrodes 60 and 61 are formed along the long side direction of the pixel electrode 15. Thus, the initial transition can be propagated in a band shape from the end on the long side of the pixel electrode 15.

このとき、第一、第二転移電極60、61間に電位差が生じる。すると、前記第一、第二転移電極60,61間を接続する抵抗加熱部40に電流が流れ、これに伴って、ジュール熱が生じることとなる。   At this time, a potential difference is generated between the first and second transition electrodes 60 and 61. Then, a current flows through the resistance heating unit 40 connecting the first and second transition electrodes 60 and 61, and along with this, Joule heat is generated.

ところで、液晶装置100において、ディスクリネーション(転移核)の形成時間並びに初期転移の伝播速度(転移核の伝播速度)は、素子基板10及び対向基板20間に保持される液晶層50の粘度に依存する。   By the way, in the liquid crystal device 100, the disclination (transition nucleus) formation time and the initial transition propagation speed (transition nucleus propagation speed) are set to the viscosity of the liquid crystal layer 50 held between the element substrate 10 and the counter substrate 20. Dependent.

そこで、本実施形態に係る液晶装置100よれば、画素電極15を挟む櫛歯電極60a,61aを接続する抵抗加熱部40からジュール熱が発生することで、この櫛歯部60a,61aに挟まれた領域に対応する液晶層の粘度を低下させることができる。このように粘度が低下することで、液晶層50中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、これによって初期転移の周囲への伝播速度を増加させることができる。   Therefore, according to the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, Joule heat is generated from the resistance heating unit 40 connecting the comb electrodes 60a and 61a sandwiching the pixel electrode 15, and thus sandwiched between the comb teeth 60a and 61a. The viscosity of the liquid crystal layer corresponding to the region can be reduced. As the viscosity decreases in this way, disclination can be easily generated in the liquid crystal layer 50, thereby increasing the propagation speed around the initial transition.

また、上述したように、抵抗加熱部40の抵抗は、第一、第二転移電極60,61、及び画素電極15の抵抗よりも高くなっているので、抵抗加熱部40にてジュール熱を良好に発生させることができ、上述したOCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。   Further, as described above, since the resistance of the resistance heating unit 40 is higher than the resistances of the first and second transition electrodes 60 and 61 and the pixel electrode 15, Joule heat is improved in the resistance heating unit 40. The initial alignment transition in the OCB mode described above can be quickly performed at a low voltage.

ところで、前記第一、第二転移電極60,61は、初期配向操作時にのみ駆動されるようになっている。これにより、初期配向転移後は前記抵抗加熱部40間に電流が流れることがないので、液晶分子の配向を乱すことで表示品位を低下させることがない。   By the way, the first and second transition electrodes 60 and 61 are driven only during the initial alignment operation. Accordingly, since no current flows between the resistance heating portions 40 after the initial alignment transition, the display quality is not deteriorated by disturbing the alignment of the liquid crystal molecules.

また、前記抵抗加熱部40と前記液晶層50の間には、配向膜18のみが介在している。これにより、前記抵抗加熱部40に発生した熱によって液晶層50を効率的に加熱することができるようになっている。   Further, only the alignment film 18 is interposed between the resistance heating unit 40 and the liquid crystal layer 50. Thereby, the liquid crystal layer 50 can be efficiently heated by the heat generated in the resistance heating unit 40.

また、上記電界Eは走査線3aの延在方向に一致しており(図3参照)、電界印加時には液晶分子の初期配向方向(同図中R)と異なる方向に配向できる。   The electric field E coincides with the extending direction of the scanning line 3a (see FIG. 3), and can be aligned in a direction different from the initial alignment direction of liquid crystal molecules (R in the figure) when an electric field is applied.

なお、本実施形態では、配向膜18,29のラビング方向を画素電極15の長辺方向(データ線6aの延在方向)としたが、かかるラビング方向(液晶の初期配向方向)については、図3に示した方向Rに限定されるものではない。   In the present embodiment, the rubbing direction of the alignment films 18 and 29 is the long side direction (the extending direction of the data line 6a) of the pixel electrode 15, but the rubbing direction (the initial alignment direction of the liquid crystal) is illustrated in FIG. It is not limited to the direction R shown in FIG.

具体的には、初期転移操作時に素子基板10側の転移電極60に電圧を印加する場合、画素電極15と転移電極60との間に生じる電界の向きがラビング方向(初期配向方向)と交差する方向となるように、上記ラビング方向を選択すればよい。したがって、上記関係を満たすのであれば、例えばデータ線6a及び走査線3aの延在方向に対して斜め方向になる方向に設定してもよい。   Specifically, when a voltage is applied to the transition electrode 60 on the element substrate 10 side during the initial transition operation, the direction of the electric field generated between the pixel electrode 15 and the transition electrode 60 intersects the rubbing direction (initial alignment direction). The rubbing direction may be selected so as to be in the direction. Therefore, as long as the above relationship is satisfied, for example, the direction may be set in a direction oblique to the extending direction of the data line 6a and the scanning line 3a.

上述したように、本実施形態に係る液晶装置100によれば、画素電極15と第一、第二転移電極60,61との間に電界Eを生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。さらに、前記転移核の形成時に前記抵抗加熱部40で発生したジュール熱により液晶層50が加熱されて、その粘度が低下する。したがって、上記電界Eにより液晶層50中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、OCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。   As described above, according to the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, by generating the electric field E between the pixel electrode 15 and the first and second transition electrodes 60 and 61, the transition that is the starting point of the initial transition. Nuclei can be formed. Further, the liquid crystal layer 50 is heated by the Joule heat generated in the resistance heating unit 40 when the transition nucleus is formed, and the viscosity thereof is lowered. Therefore, disclination can be easily generated in the liquid crystal layer 50 by the electric field E, and the initial transition easily propagates to the surroundings using the disclination as a transition nucleus, so that the initial alignment transition in the OCB mode is reduced. It becomes possible to carry out quickly with voltage.

(第2の実施形態)
次に、本発明の液晶装置の第2の実施形態について図面を参照して説明する。図7は本実施形態に係る液晶装置200の概略構成を示す図であり、図7は液晶装置200の平面図であり、この図は上記実施形態における図3に対応するものである。なお、本実施形態の液晶装置200は、第1の実施形態の液晶装置100と同様、TFTアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であり、その特徴とするところは、前記抵抗加熱部の他端に画素電極が接続されることにある。また、本実施形態の液晶装置の基本構成は第1実施形態の液晶装置と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the liquid crystal device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of the liquid crystal device 200 according to the present embodiment, and FIG. 7 is a plan view of the liquid crystal device 200, which corresponds to FIG. 3 in the above embodiment. The liquid crystal device 200 according to the present embodiment is a TFT active matrix type transmissive liquid crystal device, similar to the liquid crystal device 100 according to the first embodiment. The pixel electrode is connected. In addition, since the basic configuration of the liquid crystal device of the present embodiment is the same as that of the liquid crystal device of the first embodiment, common components are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted or simplified.

図7に示すように、本実施形態の液晶装置200は、抵抗加熱部140が画素電極15と転移電極160との間を接続した構成となっている。本実施形態に係る抵抗加熱部140は、平面視、略L字形状から構成され、その短辺側が画素電極15に接続され、その長辺側が前記転移電極160に接続されたものとなっている。すなわち、本実施形態では、前記転移電極160は、各画素電極15にそれぞれ形成されている。   As shown in FIG. 7, the liquid crystal device 200 of the present embodiment has a configuration in which the resistance heating unit 140 connects between the pixel electrode 15 and the transition electrode 160. The resistance heating unit 140 according to the present embodiment has a substantially L shape in plan view, and has a short side connected to the pixel electrode 15 and a long side connected to the transition electrode 160. . That is, in the present embodiment, the transition electrode 160 is formed on each pixel electrode 15.

転移電極160としては、上記実施形態と同様に櫛歯形状のものを組み合わせて形成してもよいし、各ソース線6a上にストライプ状に形成してもよい。本実施形態では、転移電極160をストライプ状に形成した。   The transition electrode 160 may be formed by combining comb-like ones as in the above embodiment, or may be formed in stripes on each source line 6a. In this embodiment, the transition electrode 160 is formed in a stripe shape.

次に、本実施形態に係る液晶装置200の初期転移操作について説明する。
本実施形態に係る液晶装置200では、素子基板10側に、画素電極15との間にそれぞれ電位差を生じる転移電極160を備えているので、これら電極15,160間に電界を生じさせることで、液晶層50の初期転移操作を実施することができる。
Next, an initial transition operation of the liquid crystal device 200 according to the present embodiment will be described.
In the liquid crystal device 200 according to the present embodiment, the transition electrode 160 that generates a potential difference between the pixel electrode 15 and the pixel electrode 15 is provided on the element substrate 10 side. Therefore, by generating an electric field between the electrodes 15 and 160, An initial transition operation of the liquid crystal layer 50 can be performed.

前記転移電極160に直流電圧を印加すると、この転移電極160と前記画素電極15との間に電界が生じる(図3参照)。この電界Eは液晶層50中にディスクリネーションを発生させ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播するようになる。本実施形態では、図7に示したように、転移電極160が画素電極15の長辺方向に沿って形成されているので、上記電界によって、画素電極15の長辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。   When a DC voltage is applied to the transition electrode 160, an electric field is generated between the transition electrode 160 and the pixel electrode 15 (see FIG. 3). The electric field E generates disclination in the liquid crystal layer 50, and the initial transition propagates to the surroundings using the disclination as a transition nucleus. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, since the transition electrode 160 is formed along the long side direction of the pixel electrode 15, it is initially stripped from the long side end of the pixel electrode 15 by the electric field. Metastasis can be propagated.

このとき、転移電極160と画素電極15との間には電位差が生じる。すると、前記転移電極160及び画素電極15間を接続する抵抗加熱部140には電流が流れ、これに伴ってジュール熱が生じることとなる。また、本実施形態では、各画素電極15に抵抗加熱部140が設けられているので、各画素電極15が配置されるサブ画素領域に対応する液晶層50を加熱することができる。よって、液晶層50の全域に亘り、その粘度を低下させることができる。   At this time, a potential difference is generated between the transition electrode 160 and the pixel electrode 15. Then, a current flows through the resistance heating unit 140 that connects the transition electrode 160 and the pixel electrode 15, and Joule heat is generated accordingly. In the present embodiment, since the resistance heating unit 140 is provided in each pixel electrode 15, the liquid crystal layer 50 corresponding to the sub-pixel region in which each pixel electrode 15 is disposed can be heated. Therefore, the viscosity of the entire liquid crystal layer 50 can be reduced.

なお、前記転移電極160は、初期配向操作時に画素電極15に対して電位差を生じ、かつ初期配向転移後は画素電極15と同電位をなすように制御される。これにより、画像表示時に抵抗加熱部140の両端部(画素電極15及び転移電極160)に電位差が生じないので、前記抵抗加熱部140内に電流が流れることがなく、この電流により液晶分子の配向を乱すことがなくなる。   The transition electrode 160 is controlled to generate a potential difference with respect to the pixel electrode 15 during the initial alignment operation, and to have the same potential as the pixel electrode 15 after the initial alignment transition. As a result, no potential difference occurs between both ends (pixel electrode 15 and transition electrode 160) of the resistance heating unit 140 during image display, so that no current flows in the resistance heating unit 140. Will not be disturbed.

また、本実施形態においても、前記抵抗加熱部140の抵抗は、転移電極160、及び画素電極15の抵抗よりも高くなっている。そのため、抵抗加熱部140にてジュール熱を良好に発生させることができ、上述したOCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。さらには、上記実施形態と同様に前記抵抗加熱部140と前記液晶層50の間に配向膜18のみが介在した状態とすることで、前記抵抗加熱部140に発生したジュール熱により液晶層50を効率的に加熱し、確実に粘度を低下することができる。   Also in this embodiment, the resistance of the resistance heating unit 140 is higher than the resistance of the transition electrode 160 and the pixel electrode 15. Therefore, Joule heat can be generated satisfactorily by the resistance heating unit 140, and the above-described initial alignment transition in the OCB mode can be quickly performed at a low voltage. Further, as in the above embodiment, only the alignment film 18 is interposed between the resistance heating unit 140 and the liquid crystal layer 50, so that the liquid crystal layer 50 is caused by Joule heat generated in the resistance heating unit 140. It is possible to efficiently heat and reliably reduce the viscosity.

すなわち、本実施形態に係る液晶装置200によれば、抵抗加熱部140にてジュール熱が発生することで、サブ画素領域に対応する液晶層50の粘度を低下させることができる。このように粘度が低下することで、液晶層50中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、これによって初期転移の周囲への伝播速度を増加させることができる。   That is, according to the liquid crystal device 200 according to the present embodiment, Joule heat is generated in the resistance heating unit 140, so that the viscosity of the liquid crystal layer 50 corresponding to the sub-pixel region can be reduced. As the viscosity decreases in this way, disclination can be easily generated in the liquid crystal layer 50, thereby increasing the propagation speed around the initial transition.

(第三実施形態)
次に、本発明の液晶装置の第三実施形態について図面を参照して説明する。図8は本実施形態に係る液晶装置300の概略構成を示す図であり、同図中では簡単のため、素子基板に対して対向基板を同図中左下方向にずらした状態を示している。また、図9は液晶装置300の側断面図である。なお、本実施形態の液晶装置300は、第1、第2の実施形態の液晶装置100,200と同様、TFTアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であり、その特徴とするところは、迅速かつ低電圧にて初期配向転移を実現する初期配向転移構造が、転移電極及び抵抗加熱部が素子基板20側に形成されている点である。それ以外の基本構成は上記実施形態の液晶装置と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the liquid crystal device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a diagram illustrating a schematic configuration of the liquid crystal device 300 according to the present embodiment. In FIG. 8, for the sake of simplicity, the counter substrate is illustrated as being shifted in the lower left direction in FIG. FIG. 9 is a side sectional view of the liquid crystal device 300. Note that the liquid crystal device 300 of this embodiment is a TFT active matrix type transmissive liquid crystal device, similar to the liquid crystal devices 100 and 200 of the first and second embodiments. The initial alignment transition structure that realizes the initial alignment transition by voltage is that the transition electrode and the resistance heating portion are formed on the element substrate 20 side. Since the other basic configuration is the same as that of the liquid crystal device of the above-described embodiment, common components are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted or simplified.

図8,9に示すように、本実施形態の液晶装置300は、前記素子基板20に形成された共通電極23上には、誘電体層41を介し、前記共通電極23との間に電位差を生じる転移電極260と、前記転移電極260に両端部が接続される抵抗加熱部240と、が設けられている。前記転移電極260は、平面視した状態で、ソース線6aに重なるように形成されており、隣接する転移電極260間を跨ぐように抵抗加熱部240が形成されており、これによって転移電極260間は抵抗加熱部240によって接続されている。すなわち、サブ画素領域は、転移電極260、及び抵抗加熱部240によって区画された領域に対応している。   As shown in FIGS. 8 and 9, the liquid crystal device 300 according to the present embodiment generates a potential difference between the common electrode 23 and the common electrode 23 via the dielectric layer 41 on the common electrode 23 formed on the element substrate 20. A transition electrode 260 is provided, and a resistance heating unit 240 having both ends connected to the transition electrode 260 is provided. The transition electrode 260 is formed so as to overlap the source line 6a in a plan view, and a resistance heating part 240 is formed so as to straddle between the adjacent transition electrodes 260. Are connected by a resistance heating unit 240. That is, the sub-pixel region corresponds to a region partitioned by the transition electrode 260 and the resistance heating unit 240.

この転移電極160は、上記実施形態と同様に櫛歯形状のものを組み合わせて形成してもよいし、各ソース線6a上にストライプ状に形成してもよい。本実施形態では、転移電極160をストライプ状に形成した。   The transition electrode 160 may be formed by combining comb-like ones as in the above embodiment, or may be formed in stripes on each source line 6a. In this embodiment, the transition electrode 160 is formed in a stripe shape.

次に、本実施形態に係る液晶装置300の初期転移操作について説明する。
本実施形態に係る液晶装置300では、対向基板20側に、共通電極23との間に電位差を生じる転移電極260を備えているので、これら電極23,260間に電界を生じさせることで、液晶層50の初期転移操作を実施することができる。
Next, an initial transition operation of the liquid crystal device 300 according to the present embodiment will be described.
In the liquid crystal device 300 according to the present embodiment, the transition electrode 260 that generates a potential difference with the common electrode 23 is provided on the counter substrate 20 side. Therefore, by generating an electric field between these electrodes 23 and 260, the liquid crystal An initial transition operation of layer 50 can be performed.

前記転移電極260に直流電圧を印加すると、この転移電極260と前記共通電極23との間に電界が生じる。この電界は液晶層50中にディスクリネーションを発生させ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播するようになる。本実施形態では、図7に示したように、転移電極260が画素電極15の長辺方向に沿って形成されているので、上記電界によって、画素電極15の長辺側端部から帯状に初期転移を伝播させることができる。   When a DC voltage is applied to the transition electrode 260, an electric field is generated between the transition electrode 260 and the common electrode 23. This electric field generates disclination in the liquid crystal layer 50, and the initial transition propagates to the surroundings using the disclination as a transition nucleus. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, since the transition electrode 260 is formed along the long side direction of the pixel electrode 15, it is initially stripped from the long side end of the pixel electrode 15 by the electric field. Metastasis can be propagated.

本実施形態では、前記画素電極15間に配置されるストライプ状の転移電極260は、それぞれ交互に異なる電位が生じている。これにより、前記転移電極260間を接続する抵抗加熱部240には電流が流れ、これに伴ってジュール熱が生じることとなる。よって、液晶層50の全域に亘り、その粘度を低下させることができる。なお、上記第2の実施形態と同様に、前記抵抗加熱部240の他端側を共通電極23に接続するようにしてもよい。   In this embodiment, stripe-like transition electrodes 260 arranged between the pixel electrodes 15 have different potentials alternately. As a result, a current flows through the resistance heating unit 240 connecting the transition electrodes 260, and Joule heat is generated accordingly. Therefore, the viscosity of the entire liquid crystal layer 50 can be reduced. As in the second embodiment, the other end side of the resistance heating unit 240 may be connected to the common electrode 23.

前記転移電極260は、初期配向操作時にのみ駆動されるようになっている。これにより、初期配向転移後は前記抵抗加熱部240間に電流が流れることがないので、液晶分子の配向を乱すことで表示品位を低下させることがない。   The transition electrode 260 is driven only during the initial alignment operation. Accordingly, since no current flows between the resistance heating parts 240 after the initial alignment transition, the display quality is not deteriorated by disturbing the alignment of the liquid crystal molecules.

また、本実施形態においても、前記抵抗加熱部240の抵抗は、転移電極260、及び共通電極23の抵抗よりも高くなっている。そのため、抵抗加熱部240にてジュール熱を良好に発生させることができ、上述したOCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。さらには、上記実施形態と同様に前記抵抗加熱部240と前記液晶層50の間に配向膜18のみが介在した状態とすることで、前記抵抗加熱部240に発生したジュール熱により液晶層50を効率的に加熱し、確実に粘度を低下することができる。   Also in this embodiment, the resistance of the resistance heating unit 240 is higher than the resistances of the transition electrode 260 and the common electrode 23. Therefore, Joule heat can be generated satisfactorily in the resistance heating unit 240, and the above-described initial alignment transition in the OCB mode can be quickly performed at a low voltage. Further, as in the above embodiment, only the alignment film 18 is interposed between the resistance heating unit 240 and the liquid crystal layer 50, so that the liquid crystal layer 50 is caused by Joule heat generated in the resistance heating unit 240. It is possible to efficiently heat and reliably reduce the viscosity.

以上述べたように、本実施形態に係る液晶装置300によれば、共通電極23と転移電極260との間に電界を生じさせることで、初期転移の起点となる転移核を形成することができる。このとき、抵抗加熱部240は、転移電極260及び共通電極23に対して電位差があるため、前記抵抗加熱部240に電流が流れてジュール熱が発生し、これによって液晶層50が加熱されて粘度が低下する。したがって、粘度の低下した液晶層50中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、OCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。   As described above, according to the liquid crystal device 300 according to the present embodiment, by generating an electric field between the common electrode 23 and the transition electrode 260, it is possible to form a transition nucleus serving as a starting point of the initial transition. . At this time, since the resistance heating unit 240 has a potential difference with respect to the transition electrode 260 and the common electrode 23, a current flows through the resistance heating unit 240 and Joule heat is generated, whereby the liquid crystal layer 50 is heated and viscosity is increased. Decreases. Accordingly, the disclination can be easily generated in the liquid crystal layer 50 having a reduced viscosity, and the initial transition easily propagates to the surroundings using this disclination as a transition nucleus, so that the initial alignment transition in the OCB mode is reduced. It becomes possible to carry out quickly with voltage.

(液晶装置の変形例)
本発明の液晶装置は上記実施形態に限定されず、以下に示すような変形例を採用することができる。例えば、前記画素電極、及び前記転移電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されていてもよい。本変形例は、第1の実施形態に係る液晶装置100の変形例を例示しているが、第2、第3の実施形態に係る液晶装置についても同様の変形を適用することができるのはもちろんである。
(Modified example of liquid crystal device)
The liquid crystal device of the present invention is not limited to the above embodiment, and the following modifications can be adopted. For example, a bent portion may be formed on at least one of the pixel electrode and the transition electrode. This modification illustrates a modification of the liquid crystal device 100 according to the first embodiment. However, the same modification can be applied to the liquid crystal devices according to the second and third embodiments. Of course.

図10に示すように、各画素電極15の長辺方向における辺端の略中央部は、部分的に屈曲した形状をなして形成されている。各画素電極15の長辺方向における辺端の略中央部は、部分的に屈曲した形状をなして形成されている。すなわち、画素電極15の短辺方向における幅方向外側に突出する平面視三角形状の凸部(屈曲部)71aと、幅方向内側に凹んだ形状の凹部(屈曲部)71bと、が形成されている。   As shown in FIG. 10, the substantially central portion of the side edge in the long side direction of each pixel electrode 15 is formed in a partially bent shape. The substantially central portion of the side edge in the long side direction of each pixel electrode 15 is formed in a partially bent shape. That is, a convex part (bent part) 71a having a triangular shape in plan view protruding outward in the width direction in the short side direction of the pixel electrode 15 and a concave part (bent part) 71b having a shape recessed inward in the width direction are formed. Yes.

一方、転移電極260は画素電極15の外形に倣って形成されている。すなわち、本変形例に係る液晶装置では、前記画素電極15の凸部71aと重なる部分は内側に凹んだ平面視三角形状の屈曲部をなす凹部72bが形成される。また、前記画素電極15の凹部71bと重なる部分は外側に突出する平面視三角形状の屈曲部をなす凸部72aが形成されている。   On the other hand, the transition electrode 260 is formed following the outer shape of the pixel electrode 15. That is, in the liquid crystal device according to the present modification, a portion that overlaps the convex portion 71a of the pixel electrode 15 is formed with a concave portion 72b that forms a bent portion having a triangular shape in plan view that is recessed inward. Further, a convex portion 72a that forms a bent portion having a triangular shape in a plan view projecting outward is formed at a portion overlapping the concave portion 71b of the pixel electrode 15.

初期転移操作時には、画素電極15の凸部71aと、転移電極60の凹部72bとの間で電界E2が生じる。この電界E2は、三角形状の両辺にそれぞれ生じ、異なる2方向の電界を含んだものとなっている。さらに、凸部71a,凹部72bが形成されていない領域では、転移電極60の延在方向に直交する方向に電界E1が生じることとなる。本変形例に係る液晶装置によれば、上記初期配向転移時に3方向の電界が生じており、これら電界がそれぞれ交わる領域(三角形の頂点に対応する3ヶ所)にて、液晶分子の配向が乱されることとなる。よって初期転移の起点となる転移核を良好に発生させることができる。   During the initial transition operation, an electric field E2 is generated between the convex portion 71a of the pixel electrode 15 and the concave portion 72b of the transition electrode 60. The electric field E2 is generated on both sides of the triangle and includes electric fields in two different directions. Furthermore, an electric field E1 is generated in a direction orthogonal to the extending direction of the transition electrode 60 in a region where the convex portion 71a and the concave portion 72b are not formed. In the liquid crystal device according to this modification, electric fields in three directions are generated at the time of the initial alignment transition, and the alignment of the liquid crystal molecules is disturbed in the regions where these electric fields intersect (three points corresponding to the vertices of the triangle). Will be. Therefore, it is possible to satisfactorily generate transition nuclei that serve as starting points for the initial transition.

また、図示を省略しているものの、前記転移電極60間は抵抗加熱部によって接続されている。したがって、上述したように抵抗加熱部にはジュール熱が生じることで液晶層50中にディスクリネーションを容易に発生させることができ、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、OCBモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。   Although not shown, the transition electrodes 60 are connected by a resistance heating unit. Therefore, as described above, Joule heat is generated in the resistance heating portion, so that disclination can be easily generated in the liquid crystal layer 50, and the initial transition easily propagates to the surroundings using this disclination as a transition nucleus. As a result, the initial alignment transition in the OCB mode can be quickly performed at a low voltage.

なお、本発明の液晶装置は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT30)を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置を例示したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード(Thin Film Diode)を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置に適用してもよい。   Note that the liquid crystal device of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes those in which various modifications are made to the above-described embodiments without departing from the spirit of the present invention. That is, the specific materials and configurations described in the embodiments are merely examples, and can be changed as appropriate. For example, in the above embodiment, an active matrix type liquid crystal device that employs a thin film transistor (TFT 30) as a switching element is illustrated, but the present invention is applied to an active matrix type liquid crystal device that employs a thin film diode as a switching element. May be.

(電子機器)
図11は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図11に示す携帯電話1100は、上記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部1101として備え、複数の操作ボタン1102、受話口1103、及び送話口1104を備えて構成されている。
上記実施形態の液晶装置は、低電圧、かつ短時間でOCBモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた液晶表示部を備えた携帯電話1100を提供することができる。
(Electronics)
FIG. 11 is a perspective view showing an example of an electronic apparatus according to the invention. A cellular phone 1100 illustrated in FIG. 11 includes the liquid crystal device according to the above-described embodiment as a small-sized display unit 1101 and includes a plurality of operation buttons 1102, an earpiece 1103, and a mouthpiece 1104.
Since the liquid crystal device of the above embodiment can smoothly perform the initial transition operation in the OCB mode in a short time with a low voltage, it is possible to provide a mobile phone 1100 including a liquid crystal display unit with excellent display quality. .

上記各実施形態の液晶装置は、上記した電子機器に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても明るく、高コントラストの優れた表示品質を得ることが可能になっている。   The liquid crystal device of each of the above embodiments is not limited to the electronic device described above, but an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, pager, electronic notebook, calculator, word processor It can be suitably used as an image display means for devices such as workstations, videophones, POS terminals, touch panels, etc., and it is possible to obtain bright and high contrast display quality in any electronic device. ing.

(a)、(b)は第1実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。(A), (b) is a figure which shows schematic structure of the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment. 液晶装置の等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit of a liquid crystal device. サブ画素領域の平面構成図である。It is a plane block diagram of a sub pixel area. 複数のサブ画素領域に対応する平面構成図である。It is a plane block diagram corresponding to a plurality of sub-pixel regions. (a),(b)は液晶装置の側断面構造を示す図である。(A), (b) is a figure which shows the side cross-section of a liquid crystal device. OCBモードにおける液晶層の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the liquid-crystal layer in OCB mode. 第2実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the liquid crystal device which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the liquid crystal device which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態に係る液晶装置の側断面図である。It is a sectional side view of the liquid crystal device which concerns on 3rd Embodiment. 液晶装置の変形例に係る構成を示す図である。It is a figure which shows the structure which concerns on the modification of a liquid crystal device. 本発明の電子機器の一実施形態としての携帯電話の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the mobile telephone as one Embodiment of the electronic device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…素子基板(第一基板)、15…画素電極、20…対向基板(第二基板)、40…抵抗加熱部、41…誘電体層、140…抵抗加熱部、240…抵抗加熱部、50…液晶層、60…第一転移電極(転移電極)、61…第二転移電極(他の転移電極)、160…転移電極、260…転移電極、71a,71b,72a,72b…屈曲部、100…液晶装置、1100…携帯電話(電子機器) DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Element board | substrate (1st board | substrate), 15 ... Pixel electrode, 20 ... Opposite board | substrate (2nd board | substrate), 40 ... Resistance heating part, 41 ... Dielectric layer, 140 ... Resistance heating part, 240 ... Resistance heating part, 50 ... liquid crystal layer, 60 ... first transition electrode (transition electrode), 61 ... second transition electrode (other transition electrode), 160 ... transition electrode, 260 ... transition electrode, 71a, 71b, 72a, 72b ... bent portion, 100 ... Liquid crystal device, 1100 ... Mobile phone (electronic equipment)

Claims (12)

対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、
前記第一基板には、画素電極と、該画素電極に対して電位差を生じる転移電極と、その一端側が前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする液晶装置。
A liquid crystal device in which a liquid crystal layer is sandwiched between a first substrate and a second substrate arranged to face each other, and the alignment state of the liquid crystal layer is changed from a splay alignment to a bend alignment, and displays.
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the first substrate is provided with a pixel electrode, a transition electrode that generates a potential difference with respect to the pixel electrode, and a resistance heating unit having one end connected to the transition electrode.
前記抵抗加熱部の他端側に、前記転移電極に対して電位差を有する他の転移電極が接続されることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein another transition electrode having a potential difference with respect to the transition electrode is connected to the other end side of the resistance heating unit. 前記転移電極及び前記他の転移電極はそれぞれ略櫛歯形状からなり、
前記転移電極と前記他の転移電極の櫛歯部が、互いに噛み合わされ且つ該櫛歯部間に前記画素電極を挟むように配置されており、前記画素電極を挟む前記櫛歯部間が前記抵抗加熱部により接続されることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。
Each of the transition electrode and the other transition electrode has a substantially comb shape,
Comb teeth of the transition electrode and the other transition electrode are arranged so as to mesh with each other and sandwich the pixel electrode between the comb teeth, and the resistance between the comb teeth sandwiching the pixel electrode The liquid crystal device according to claim 2, wherein the liquid crystal device is connected by a heating unit.
前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記他の転移電極の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項2又は3に記載の液晶装置。   4. The liquid crystal device according to claim 2, wherein a resistance value of the resistance heating unit is higher than a resistance value of the transition electrode and the other transition electrode. 前記転移電極、及び前記他の転移電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 2, wherein a bent portion is formed in at least one of the transition electrode and the other transition electrode. 前記抵抗加熱部の他端には、前記画素電極が接続されることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein the pixel electrode is connected to the other end of the resistance heating unit. 前記抵抗加熱部の抵抗値は、前記転移電極、及び前記画素電極の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項6に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 6, wherein a resistance value of the resistance heating unit is higher than a resistance value of the transition electrode and the pixel electrode. 前記転移電極、及び前記画素電極の少なくとも一方に屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項6又は7に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 6, wherein a bent portion is formed in at least one of the transition electrode and the pixel electrode. 前記抵抗加熱部と前記液晶層の間には、該液晶層の初期配向方向を規制する配向膜のみが介在していることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の液晶装置。   The liquid crystal according to any one of claims 1 to 8, wherein only an alignment film that regulates an initial alignment direction of the liquid crystal layer is interposed between the resistance heating unit and the liquid crystal layer. apparatus. 対向配置された第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、
前記第二基板に形成された共通電極上には、誘電体層を介し、前記共通電極との間に電位差を生じる転移電極と、前記転移電極に接続される抵抗加熱部と、が設けられることを特徴とする液晶装置。
A liquid crystal device in which a liquid crystal layer is sandwiched between a first substrate and a second substrate arranged to face each other, and the alignment state of the liquid crystal layer is changed from a splay alignment to a bend alignment, and displays.
On the common electrode formed on the second substrate, a transition electrode that generates a potential difference with the common electrode via a dielectric layer and a resistance heating unit connected to the transition electrode are provided. A liquid crystal device characterized by the above.
前記抵抗加熱部は、前記転移電極、及び前記共通電極に比べ、その抵抗値が高いことを特徴とする請求項10に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 10, wherein the resistance heating unit has a higher resistance value than the transition electrode and the common electrode. 請求項1〜11のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
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