JP2008165159A - 電気光学装置、その駆動方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】電気光学装置の完成後の測定を可能として測定の結果の有効性を向上させる。
【解決手段】第1モードにおいて入出力端子T2から供給される測定信号Fは、データ線14(G)を介して駆動トランジスタNH1のゲートに供給され、入出力端子T4から供給される測定信号Fは、データ線14(G)に隣接するデータ線14(B)を介して駆動トランジスタNH1のソースに供給される。一方、駆動トランジスタNH1のソース電圧が被測定信号として電位線17(G)を介して出力される。
【選択図】図9
【解決手段】第1モードにおいて入出力端子T2から供給される測定信号Fは、データ線14(G)を介して駆動トランジスタNH1のゲートに供給され、入出力端子T4から供給される測定信号Fは、データ線14(G)に隣接するデータ線14(B)を介して駆動トランジスタNH1のソースに供給される。一方、駆動トランジスタNH1のソース電圧が被測定信号として電位線17(G)を介して出力される。
【選択図】図9
Description
本発明は、OLED(Organic Light Emitting Diode)素子などの電気光学素子を備えた電気光学装置、この種の電気光学装置を駆動する方法及び電気光学装置を備えた電子機器に関する。
電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して基板上に配列された複数の画素を有し、各データ線に供給されるデータ信号に応じて画素の階調が制御される。画素には、各種の回路が考えられるが、電気光学素子としてのOLED素子とこれに駆動電流を供給するトランジスタを備えるものが知られている。このような画素においてトランジスタの特性(例えば、閾値電圧)やOLED素子の特性などのバラツキに起因して、各画素の輝度が不均一となる。
これを解消するため、特許文献1には、画素を構成するトランジスタの電気的特性を測定し、測定結果に応じた補正データとOLED素子の劣化を予測した劣化予測データを製品の出荷前に予め記憶しておき、補正データ及び劣化予測データを用いて補正する技術が開示されている。
特開2004−145257号公報(段落番号0024)
しかしながら、特許文献1に開示された技術においては、製品の出荷前に補正データを記憶するため、エンドユーザに製品が渡った後に、トランジスタの電気的特性が変化してもこれを補正することができなかった。また、OLED素子の劣化はあくまでも予測であるので、正確な補正は困難であった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電気光学装置の完成後の測定を可能として測定の結果の有効性を向上させることを解決課題とする。
以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、電気光学素子を各々が含む複数の画素が各データ線に接続された電気光学装置であって、各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号の出力によって前記各電気光学素子を駆動する信号生成部(例えば、実施形態のデータ線駆動回路24)と、閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択する測定対象選択部と、測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記測定対象選択部が選択した電気光学素子に対して実行する測定部とを具備する。
以上の構成においては、信号生成部による電気光学素子の駆動に使用される階調データに基づいて電気光学素子の特性を測定する測定処理が実行される。すなわち、電気光学装置の完成後(出荷後)における使用に際して電気光学素子の特性を随時に測定することが可能である。また、閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子について選択的に測定処理が実行されるから、例えば測定処理に際して電気光学素子の階調が変動する(例えば発光する)場合であっても、信号生成部による駆動時の電気光学素子の階調と測定処理時の電気光学素子の階調との相違を低減することが可能である。
本発明の好適な態様において、前記各電気光学素子について測定処理を実行したか否かを示す測定履歴データを記憶する記憶部(例えば測定履歴メモリ58)を具備し、前記測定部は、階調データの指定する階調が閾値を上回る電気光学素子が所定個を越える場合に、前記記憶部に記憶された測定履歴データに基づいて、未だ測定処理が実行されていない電気光学素子について測定処理を実行する。以上の態様によれば、測定処理が未だ実行されていない電気光学素子について優先的に測定処理が実行されるから、1回の測定処理の対象となる電気光学素子の個数を制限して測定処理の所要時間を短縮しながら、多くの電気光学素子について効率的に測定処理を実行することが可能となる。
さらに好適な態様において、前記測定部は、前記閾値を上回る第1階調が階調データによって指定された場合に、前記第1階調を上回る第2階調が階調データによって指定された場合と比較して、測定処理時の電気光学素子が低階調となるように、測定信号を生成する。以上の態様によれば、測定処理の対象となる電気光学素子において、信号生成部による駆動時の電気光学素子の階調と測定処理時の電気光学素子の階調との相違が一層低減される。
さらに好適な態様において、前記信号生成部は、前記測定対象選択部が選択する電気光学素子をデータ信号の供給によって駆動するときの階調が非選択時と比較して低階調となるように、データ信号を補正する。例えば、信号生成部による駆動時の電気光学素子の発光量が、階調データに応じた発光量から測定処理における発光量を減少させた発光量となるように、測定処理の有無に応じてデータ信号が生成される。以上の態様によれば、測定処理の対象として選択された電気光学素子の階調と非選択の電気光学素子の階調とが均一化されるから、測定処理の影響がさらに低減されるという利点がある。なお、測定処理時の電気光学素子の階調の影響は信号生成部による駆動時の電気光学素子の階調が低いほど顕著となる。したがって、階調データによって指定された階調が低い場合に限って、信号生成部による駆動時の階調が低下するようにデータ信号を補正してもよい。
本発明の好適な態様に係る電気光学装置は、閾値を可変に制御する閾値設定部を具備する。本態様によれば、測定対象選択部の選択する電気光学素子の個数を、閾値設定部が設定する閾値に応じて調整することが可能である。したがって、電気光学装置の使用される状況に応じて閾値を制御することで、駆動時と測定処理時とにおける電気光学素子の階調の相違が観察者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる電気光学素子の個数を効率的に確保することができる。
さらに具体的な態様においては、前記複数の画素が出力する画像の明度を特定する明度特定部が設けられ、前記閾値設定部は、前記明度特定部が特定した明度に応じて前記閾値を制御する。例えば、閾値設定部は、明度特定部が特定した明度が高いほど閾値を低下させる(すなわち測定処理の対象となる電気光学素子の個数を増加させる)。別の態様においては、電気光学装置の環境照度を測定する照度測定部が設けられ、前記閾値設定部は、前記照度測定部が測定した環境照度に応じて前記閾値を制御する。例えば、閾値設定部は、照度測定部が測定した環境照度が高いほど閾値を低下させる(すなわち測定処理の対象となる電気光学素子の個数を増加させる)。
さらに具体的な態様においては、前記複数の画素が出力する画像の明度を特定する明度特定部が設けられ、前記閾値設定部は、前記明度特定部が特定した明度に応じて前記閾値を制御する。例えば、閾値設定部は、明度特定部が特定した明度が高いほど閾値を低下させる(すなわち測定処理の対象となる電気光学素子の個数を増加させる)。別の態様においては、電気光学装置の環境照度を測定する照度測定部が設けられ、前記閾値設定部は、前記照度測定部が測定した環境照度に応じて前記閾値を制御する。例えば、閾値設定部は、照度測定部が測定した環境照度が高いほど閾値を低下させる(すなわち測定処理の対象となる電気光学素子の個数を増加させる)。
本発明の好適な態様に係る電気光学装置(以下「配線兼用型の電気光学装置」という場合がある)は、前記電気光学素子を各々が含む複数の画素が複数のデータ線の各々に接続された電気光学装置であって、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられた複数の入出力端子と、駆動モードにおいて、前記信号生成部が生成したデータ信号を、前記入出力端子を介して前記データ線に供給し、測定モードにおいて、前記測定対象選択部が選択した画素に対応するデータ線及び当該データ線に隣接するデータ線に対応した前記入出力端子を介して、電気光学素子を含む当該画素の構成要素(例えば、実施形態の駆動トランジスタNH1)の特性を測定するための前記測定信号及び前記被測定信号の入出力を行う入出力部(例えば、実施形態のトランジスタTr)とを具備し、前記画素は、前記駆動モードにおいて、前記データ線を介して供給されるデータ信号を取り込み、前記測定モードにおいて、前記データ線及び当該データ線に隣接するデータ線を介して前記測定信号を取り込むとともに前記被測定信号を出力する選択部(例えば、実施形態のトランジスタN2〜N4、NT1、NT2)とを含む。
以上の態様に係る電気光学装置によれば、測定の対象となる画素に対応するデータ線の他、隣接する画素のデータ線を用いて測定信号と被測定信号とを伝送する。すなわち、隣接するデータ線を測定に兼用するので、測定用に特別の配線を設ける必要がなくなるか、あるいは、測定用の配線の数を減らすことができる。さらに、測定信号及び被測定信号を、駆動モードにおいてデータ信号を入力するための入出力端子を介して、入出力するので新たに入出力端子を設ける必要がない。
以上の態様に係る電気光学装置によれば、測定の対象となる画素に対応するデータ線の他、隣接する画素のデータ線を用いて測定信号と被測定信号とを伝送する。すなわち、隣接するデータ線を測定に兼用するので、測定用に特別の配線を設ける必要がなくなるか、あるいは、測定用の配線の数を減らすことができる。さらに、測定信号及び被測定信号を、駆動モードにおいてデータ信号を入力するための入出力端子を介して、入出力するので新たに入出力端子を設ける必要がない。
以上に例示した配線兼用型の電気光学装置において、前記複数のデータ線の各々と対になる複数の電位線と、基準電位が供給される基準電位線と、前記駆動モードにおいて、前記複数のデータ線と前記複数の入出力端子とを接続すると共に、前記基準電位線と前記複数の電位線とを接続し、前記測定モードにおいて、前記複数のデータ線及び前記複数の電位線と前記複数の入出力端子とを選択的に接続する信号切替部とを備え、前記入出力部は、前記信号切替部によって、前記測定モードにおいて測定の対象となる画素に対応するデータ線及び電位線、並びに当該データ線に隣接するデータ線及び当該電位線に隣接する電位線と接続された前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号を入出力することが好ましい。この発明によれば、データ線と電位線の組とこれに隣接するデータ線と電位線の組みを用いて測定信号及び被測定信号を伝送することができるので、伝送する信号の数を増やすことができ、構成要素の特性を詳細に得ることが可能となる。
より具体的には、前記測定モードでは、N(Nは2以上の自然数)個の画素おきに前記構成要素の特性を測定し、測定の対象となる画素をずらして測定をN回繰り返し、前記入出力部は、測定の対象となる画素の変更に伴って前記測定信号及び前記被測定信号を入出力する前記入出力端子を変更することが好ましい。入出力端子の数は限られているので、測定信号及び被測定信号の数が多いと、測定用に入出力端子を増設することも考えられるが、この発明によれば、N回に分けて特性を測定するので、入出力端子を増設することなく構成要素の特性を測定することができる。なお、N回の測定のうち1回の測定で複数の画素の特性を測定してもよいことは勿論である。例えば、画素が複数の表示色に対応している場合、表示色ごとに測定を実行してもよい。この場合には、同一の表示色の画素については、同時に測定が実行される。したがって、1つの画素ごとに測定する場合と比較して測定時間を短縮することができる。
ここで、前記画素は、前記データ信号に応じた駆動電流を出力するトランジスタと、前記駆動電流に応じた輝度で発光する電気光学素子とを備え、測定の対象となる構成要素は前記トランジスタであり、前記測定信号は前記トランジスタのゲート電位を与え、前記被測定信号は前記トランジスタのソース電位及びドレイン電位の少なくとも一方であることが好ましい。この場合には、駆動トランジスタの電気的特性を測定することができる。
また、前記画素は、前記データ信号に応じた駆動電流を出力するトランジスタと、前記駆動電流に応じた輝度で発光する電気光学素子とを備え、測定の対象となる構成要素は前記電気光学素子であり、前記測定信号は前記電気光学素子に印加する電圧であり、前記被測定信号は前記電気光学素子に流れる電流であってもよい。この場合には電気光学素子の特性を測定することができる。
配線兼用型の電気光学装置において、前記測定モードで得られた前記被測定信号に基づいて前記画素間の輝度が均一に近づくように生成した補正データを記憶する記憶部と、前記記憶部から読み出した前記補正データを用いて前記画素の階調を示す階調データを補正して補正済階調データを生成する補正部とを備え、前記信号生成部は、前記補正済階調データに基づいて前記データ信号を生成することが好ましい。この発明によれば、測定結果に基づいて生成された補正データに基づいて階調データに補正を施すので、画素間の輝度のばらつきを低減することができる。
ここで、前記補正データは、前記トランジスタの閾値電圧に対応する第1の係数と前記トランジスタの電流増幅率に対応する第2の係数を示すものであり、前記補正部は、前記第1の係数に基づいて前記階調データに加算処理を行うと共に前記第2の係数に基づいて前記階調データに乗算処理を行って前記補正済階調データを生成することが好ましい。この発明によれば、加算と乗算によって補正を実行する。なお、加算処理は、正の値を加算する場合だけでなく、負の値を加算する場合を含むことは勿論である。この意味において、加算処理は減算処理としても実質的に機能する。
また、配線兼用型の電気光学装置は、前記駆動モードと前記測定モードを指定し、前記駆動モードを垂直走査期間の一部の期間に割り当て、前記測定モードを前記垂直走査期間のうち残りの期間に割り当てる制御部を備えることが好ましい。この発明によれば、画像を表示している期間中に画素の構成要素の状態を測定して補正を行うので、正確な輝度で画像を表示することが可能となる。電源投入した直後と、一定時間が経過した後では、画素の温度が相違するが、この発明によれば、短期的な温度変化に追随して補正を行うことができ、さらに、長期的な経時変化に追随した補正を行うこともできる。
次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えるものであって、例えば、発光装置や液晶装置などの表示装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなどが該当する。このほかにも例えば光書込み型の画像形成装置(例えばプリンタ)におけるラインヘッドとしても使用され得る。
次に、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数の電気光学素子を備えた電気光学装置の駆動方法であって、前記各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号の出力によって前記各電気光学素子を駆動する一方、閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択し、測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記選択した電気光学素子に対して実行する。以上の方法によっても、本発明に係る電気光学装置と同様の作用及び効果が奏される。
また、前記電気光学素子を各々が含む複数の画素が各データ線に接続され、前記各データ線に対応して設けられた複数の入出力端子を具備する電気光学装置(配線兼用型の電気光学装置)を駆動する方法においては、駆動モードにおいて、データ信号を、前記入出力端子を介して前記データ線に供給し、測定モードにおいて、選択した画素に対応するデータ線及び当該データ線に隣接するデータ線に対応した前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号を入出力し、前記駆動モードにおいて、前記データ線を介して供給されるデータ信号を前記画素に取り込み、前記測定モードにおいて、前記データ線及び当該データ線に隣接するデータ線を介して前記測定信号を前記画素に取り込むとともに前記被測定信号を出力することを特徴とする。
配線兼用型の電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学装置は、前記複数のデータ線の各々と対になる複数の電位線と、基準電位が供給される基準電位線とを備え、前記駆動モードにおいて、前記複数のデータ線と前記複数の入出力端子とを接続すると共に、前記基準電位線と前記複数の電位線とを接続し、前記測定モードにおいて、前記複数のデータ線及び前記複数の電位線と前記複数の入出力端子とを選択的に接続し、測定の対象となる画素に対応するデータ線及び電位線、並びに当該データ線に隣接するデータ線及び当該電位線に隣接する電位線と接続された前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号を入出力することが好ましい。この発明によれば、データ線と電位線の組とこれに隣接するデータ線と電位線の組みを用いて測定信号及び被測定信号を伝送することができるので、伝送する信号の数を増やすことができ、構成要素の特性を詳細に得ることが可能となる。
ここで、前記測定モードで得られた前記被測定信号に基づいて前記画素間の輝度が均一に近づくように生成した補正データを記憶し、記憶した前記補正データを用いて前記画素の階調を示す階調データを補正して補正済階調データを生成し、前記補正済階調データに基づいて前記データ信号を生成することが好ましい。この発明によれば、構成要素の特性を測定し、その測定結果に基づいて補正を行うので、画素間の輝度の相違を低減することができる。
上述した発明において電気光学素子は、電気的エネルギーによって光学特性が変化する素子であり、例えば、有機発光ダイオードや無機発光ダイオードなどの発光素子の他、液晶素子が含まれる。
<A:第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置1の構成を示すブロック図である。電気光学装置1は、画像を表示する駆動モードと画素回路Pの構成要素たる駆動トランジスタNH1及びOLED素子11(図2参照)の電気的特性を測定する測定モードとで動作する。図1に示されるように、電気光学装置1は、電気光学パネル10、走査線駆動回路22、データ線駆動回路24、電圧生成回路27、制御回路29、補正回路30、メモリ40、及び測定制御回路50を備える。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置1の構成を示すブロック図である。電気光学装置1は、画像を表示する駆動モードと画素回路Pの構成要素たる駆動トランジスタNH1及びOLED素子11(図2参照)の電気的特性を測定する測定モードとで動作する。図1に示されるように、電気光学装置1は、電気光学パネル10、走査線駆動回路22、データ線駆動回路24、電圧生成回路27、制御回路29、補正回路30、メモリ40、及び測定制御回路50を備える。
電気光学パネル10の画素領域Aには、X方向(行方向)に延在するm(mは自然数)本の走査線12が形成される。なお、図1では省略されているが、走査線12と平行に5本の制御線が形成されている。また、画素領域Aには、X方向と直交するY方向(列方向)に延在するn本のデータ線14とデータ線14と対になる電位線17とが形成される(nは自然数)。そして、走査線12とデータ線14との各交差に対応して画素回路Pが配置される。したがって、これらの画素回路Pは、画素領域A内においてX方向及びY方向にわたってマトリクス状に配列する。各画素回路Pは電流駆動型の自発光素子たるOLED素子11を含む。なお、図に示す「R」、「G」、「B」は、各画素回路Pの表示色を表している。この場合、OLED素子11の発光色が「R」、「G」、「B」に対応していてもよいし、OLED素子11の発光色が白色で色フィルタによって表示色を得てもよい。
また、電気光学パネル10の端部には、n本のデータ線14に各々対応するn個の入出力端子T1〜Tnが設けられている。さらに、複数の入出力端子T1〜Tnと複数のデータ線14及び複数の電位線17との間には切替回路25が形成されている。切替回路25は、R基準電位REF−R、G基準電位REF−G、及びB基準電位REF−Bを供給する基準電位線Lr、Lb、Lgを有する。切替回路25は、駆動モードにおいて、複数のデータ線14と複数の入出力端子T1〜Tnとを接続すると共に基準電位線Lr、Lb、Lgと複数の電位線17とを接続し、測定モードにおいて、複数のデータ線14及び複数の電位線17と複数の入出力端子T1〜Tnとを選択的に接続する。
走査線駆動回路22及びデータ線駆動回路24はICチップであり、電気光学パネル10の外部(例えば電気光学パネル10に実装された配線基板上)に実装されている。なお、COG(Chip On Glass)技術によって走査線駆動回路22及びデータ線駆動回路24の少なくとも一方を電気光学パネル10に実装してもよい。走査線駆動回路22は、駆動モードにおいて、m本の走査線12の各々を順次に選択する。より具体的には、走査線駆動回路22は、水平走査期間ごとに順番にアクティブレベル(Hレベル)となる走査信号EW−1、EW−2、…、EW−mを各走査線12に対して出力する。走査信号EW−i(iは1≦i≦mを満たす整数)がアクティブレベルになると第i行が選択されたことを意味する。また、走査線駆動回路22は、測定モードにおいて、制御回路29によって指定された1本の走査線12を選択してアクティブレベルの走査信号EW−iを供給する。
一方、データ線駆動回路24は、駆動モードにおいて、走査線駆動回路22が選択した走査線12に接続された各画素回路Pに対してデータ信号Dを供給する。データ信号Dj(jは1≦j≦nを満たす整数)は第j列目の画素回路Pの輝度(階調)を指定する電圧信号である。また、データ線駆動回路24は、測定モードにおいて画素回路Pへ測定信号Fを供給すると共に、画素回路Pから測定結果を示す被測定信号Mを取得する。なお、走査線駆動回路22やデータ線駆動回路24は、ICチップで構成するだけでなく、一部あるいはすべてをガラス基板内に形成することも可能である。
電圧生成回路27は、電気光学装置1で用いられる以下の電圧を生成する。まず、電源電圧VE−R、VE−G、及びVE−Bは、R色、G色、及びB色の画素回路Pに各々供給される電圧であって、制御回路29から供給される制御信号によって、出力するか否かが制御される。駆動モードにおいては常時出力されるが、測定モードでは後述するように測定の対象となる画素回路Pを色別に制御し、対応する電源電圧のみを出力する。次に、電圧生成回路27は、R基準電位REF−R、G基準電位REF−G、及びB基準電位REF−Bを出力する。R基準電位REF−R、G基準電位REF−G、及びB基準電位REF−Bは、駆動トランジスタのソース電位を規定する電圧である。
制御回路29は、走査線駆動回路22、データ線駆動回路24、切替回路25、電圧生成回路27、及び測定制御回路50に制御信号を供給して、これらの回路を制御する。また制御回路29は、駆動モードと測定モードの切り替えを実行する。本実施形態においては、垂直帰線期間の一部又は全部に測定モードが割り当てられる。このように駆動モードにおける画素回路Pの駆動に際して測定モードを実行することで、時々刻々と変化する駆動トランジスタやOLED素子の状態に追随して補正を行うことが可能となり、表示品質を向上することができる。
各画素回路Pの階調を指定する階調データdは測定制御回路50及び補正回路30に供給される。
測定制御回路50は、測定モードにおいて、画素回路Pの構成要素の特性を測定するための処理(以下「測定処理」という)を実行する。測定処理は、測定信号Fをデータ線駆動回路24を出力する処理と、被測定信号Mをデータ線駆動回路24から取得する処理とを含む。測定制御回路50が取得した被測定信号Mは補正回路30に出力される。補正回路30は、被測定信号Mに基づいて補正データDhを生成し、生成した補正データDhをメモリ40に記憶する。一方、駆動モードにおいて、補正回路30は、補正データDhをメモリ40から読み出し、補正データDhに基づいて階調データdを補正して得た補正済階調データdhをデータ線駆動回路24に供給する。例えば、補正データDhは、駆動トランジスタの閾値電圧に対応する第1のデータH1と、駆動トランジスタの電流増幅率に対応する第2のデータH2を有する。補正回路30は、リニアドライバで構成されており、以下に示す式に従って線形の演算を実行して補正済階調データdhを生成する。
Dh=(H1,H2)
dh=H1+H2*Dh
測定制御回路50は、測定モードにおいて、画素回路Pの構成要素の特性を測定するための処理(以下「測定処理」という)を実行する。測定処理は、測定信号Fをデータ線駆動回路24を出力する処理と、被測定信号Mをデータ線駆動回路24から取得する処理とを含む。測定制御回路50が取得した被測定信号Mは補正回路30に出力される。補正回路30は、被測定信号Mに基づいて補正データDhを生成し、生成した補正データDhをメモリ40に記憶する。一方、駆動モードにおいて、補正回路30は、補正データDhをメモリ40から読み出し、補正データDhに基づいて階調データdを補正して得た補正済階調データdhをデータ線駆動回路24に供給する。例えば、補正データDhは、駆動トランジスタの閾値電圧に対応する第1のデータH1と、駆動トランジスタの電流増幅率に対応する第2のデータH2を有する。補正回路30は、リニアドライバで構成されており、以下に示す式に従って線形の演算を実行して補正済階調データdhを生成する。
Dh=(H1,H2)
dh=H1+H2*Dh
第1のデータH1と第2のデータH2は、駆動トランジスタの電流−電圧特性を測定することによって得られ、画素間の輝度が均一に近づくように設定される。なお、この例のメモリ40は揮発性であるが、不揮発性であってもよい。また、駆動電流と発光輝度の測定を製品の出荷時や、電源投入直後に実行し、そこで得られた補正データとリアルタイムで測定して得た補正データを組み合わせて階調データdを補正してもよい。なお、補正回路30及び測定制御回路50は、各々が別個のICチップとして配置されてもよいしひとつのICチップに搭載されてもよい。
次に、図2を参照して画素回路Pの構成を説明する。同図においては、第i行目に属するR色に対応する画素回路Pのみが図示されているが、その他の画素回路Pも同様の構成である。本実施形態における画素回路Pは、データ信号Dの電圧値に応じてOLED素子11の輝度(階調)が制御される電圧駆動型(いわゆる電圧プログラミング方式)の回路であるが、電流駆動型(いわゆる電流プログラミング方式)を採用してもよい。
図2に示されるように、画素回路Pは、OLED素子11、容量素子CH1、pチャネル型のトランジスタP1、nチャネル型のトランジスタN1〜N4、NT1及びNT2、並びに駆動トランジスタNH1を備える。OLED素子11に流れ込む駆動電流は、駆動トランジスタNH1のゲート・ソース間電圧によって定まる。駆動トランジスタNH1のゲートとソースとの間には容量素子CH1が設けられている。容量素子CH1は、駆動モードの書込期間において書き込まれた電圧を保持する手段である。また、第1制御線L1を介して制御信号XEP−iが、第2制御線L2を介して制御信号ETB−iが、第3制御線L3を介して制御信号ETG−iが、第4制御線L4を介して制御信号ETR−iが、第5制御線L5を介して制御信号EN−iが、走査線駆動回路22から供給される。
トランジスタP1のソースには電源電圧VEL−Rが供給され、そのゲートには制御信号XEP−iが供給され、そのドレインが駆動トランジスタNH1のドレインと接続される。制御信号XEP−iがローレベル(アクティブ)になると、トランジスタP1がオン状態となり、電源電圧VEL−Rが駆動トランジスタNH1に供給される。
駆動トランジスタNH1のゲートとデータ線14との間にはトランジスタN2が設けられている。トランジスタN2のゲートには走査線12を介して走査信号EW−iが供給される。走査信号EW−iがハイレベルになると、データ線14を介して供給されるデータ信号Djが容量素子CH1の一方の端子に印加される。また、駆動トランジスタNH1のソースと電位線17との間には、トランジスタN3及びN4が設けられている。トランジスタN4のゲートには電源電圧VEL−Rが供給される。電源電圧VEL−Rは駆動モードにおいて常時ハイレベルであるから、トランジスタN4は駆動モードにおいて常時オン状態となる。一方、トランジスタN3のゲートには走査信号EW−iが供給される。したがって、i行目の走査線12が選択されると、トランジスタN3がオン状態となり、R基準電位REF−Rが容量素子CH1の他方の端子に供給される。その後、走査信号EW−iがローレベルに変化しても容量素子CH1の端子間には表示すべき階調に応じた電圧が保持される。
駆動トランジスタNH1のソースとOLED素子11の陽極との間にはトランジスタN1が設けられており、そのゲートには制御信号EN−iが供給される。制御信号EN−iは、駆動モードの発光期間にハイレベルとなり、当該期間に駆動電流がOLED素子11に供給される。
また、駆動トランジスタNH1のソースと当該画素回路Pに隣接する画素回路Pのデータ線14との間にはトランジスタNT1が設けられており、OLED素子11の陽極と当該画素回路Pに隣接する画素回路Pの電位線17との間にはトランジスタNT2が設けられている。トランジスタNT1及びNT2のゲートは第4制御線L4と接続される。なお、G色の画素回路Pにあってはそれらのゲートが第3制御線L3に接続され、B色の画素回路Pにあってはそれらのゲートが第2制御線L2に接続される。
図3は、駆動モードにおける画素回路Pの動作を説明するためのタイミングチャートである。また、図4は、書込期間における画素回路Pの状態を示し、図5は、発光期間における画素回路Pの状態を示す。図3に示すように、走査信号EW−1、EW−2、…は、1水平走査期間1Hごとに順次ハイレベルとなる。各走査信号EWがハイレベルとなる期間が書込期間Twrtである。図4に示すように、書込期間Twrtにおいて、制御信号XEP−1はハイレベルとなるからトランジスタP1はオフ状態、走査信号EW-1はハイレベルとなるからトランジスタN2及びN3はオン状態、制御信号EN−1はローレベルとなるからトランジスタN1はオフ状態、制御信号ETR−1はローレベルとなるからトランジスタNT1及びNT2はオフ状態、となる。この結果、駆動トランジスタNH1のゲートにデータ信号D1が供給される一方、駆動トランジスタNH1のソースにR基準電位REF−Rが供給され、容量素子CH1によって電位差が保持される。
また、図5に示すように、発光期間Telにおいて、制御信号XEP−1はローレベルとなるからトランジスタP1はオン状態、走査信号EW-1はローレベルとなるからトランジスタN2及びN3はオフ状態、制御信号EN−1はハイレベルとなるからトランジスタN1はオン状態、制御信号ETR−1はローレベルとなるからトランジスタNT1及びNT2はオフ状態となる。この結果、駆動トランジスタNH1のゲート及びソースはデータ線14及び電位線17から分離される。このとき、トランジスタP1を介して電源電圧VEL−Rが駆動トランジスタNH1のドレインに印加され、駆動電流IelがトランジスタN1を介してOLED素子11に流れ込む。駆動電流Ielの大きさは駆動トランジスタNH1のゲート・ソース間電圧に応じて定まり、データ信号D1は補正済階調データdhに基づいて生成したものであり、R基準電位REF−Rは固定である。したがって、駆動電流Ielは表示すべき階調に応じたものとなる。これにより、OLED素子11を所望の輝度で発光させることが可能となる。
次に、図6を参照して、測定制御回路50の具体的な構成を説明する。同図に示すように、測定制御回路50は、階調検出部52、測定対象選択部54、測定部56及び測定履歴メモリ58を含む。図6に図示された測定制御回路50の各部は、ひとつのICチップに搭載されてもよいし各々が別個のICチップに搭載されてもよい。
階調検出部52は、外部から順次に供給される階調データdから画素回路Pごとの階調値GRを検出する手段である。測定対象選択部54は、階調検出部52が検出した各画素回路Pの階調値GRに基づいて、画素領域Aに属する複数(m×n個)の画素回路Pのなかから測定処理の対象となる所定個の画素回路Pを選択する。本実施形態の測定対象選択部54は、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを測定処理の対象として選択する。階調値GR(階調データdの数値)が大きいほど電気光学素子11の発光量は増加するから、測定対象選択部54は、駆動モードにおける駆動時の発光量が所定の閾値を上回る電気光学素子11を選択する手段としても把握される。
測定部56は、画素領域Aに属する複数の画素回路Pのうち測定対象選択部54が選択した画素回路Pを対象として選択的に測定処理(測定信号Fの出力及び被測定信号Mの取得)を実行する手段である。測定部56は、第1に、測定処理の対象となる各画素回路Pを制御回路29に対して指定するとともに測定信号Fをデータ線駆動回路24に出力することで、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを選択的に駆動し、第2に、測定信号Fを使用した駆動時における当該画素回路Pの構成要素の特性を示す被測定信号Mをデータ線駆動回路24を介して取得して補正回路30に出力する。換言すると、測定部56は、測定対象選択部54が選択していない画素回路Pに対する測定処理を禁止(停止)する手段である。
測定履歴メモリ58には画素回路Pごとに測定履歴データDLが格納される。ひとつの画素回路Pに対応した測定履歴データDLは、当該画素回路Pについて過去に測定処理が実行されたか否かを示すデータ(例えば1ビットのフラグ)である。RAM(Random Access Memory)やEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)など各種の記憶回路が測定履歴メモリ58として好適に採用される。
1垂直帰線期間内にて測定処理が完了すると、測定部56は、今回の測定処理の対象となった画素回路Pの測定履歴データDLを、測定処理の実行が完了していることを示す数値“1”にセットする。なお、電気光学装置1の電源が投入された直後や総ての画素回路Pの測定履歴データDLに数値“1”が設定された場合(すなわち総ての画素回路Pについて測定処理が完了した場合)には、総ての測定履歴データDLが、測定処理の未完了を示す数値“0”に初期化される。また、何れかの画素回路Pについて最後に測定処理を実行してから所定の時間が経過した場合に総ての測定履歴データDLが数値“0”に初期化される構成としてもよい。
ところで、測定処理の対象となる画素回路Pの個数が多過ぎると、1垂直帰線期間内に総ての画素回路Pについて測定処理が完了しない場合がある。また、多数の画素回路Pについて測定処理を実行するのに充分な時間を測定モードのために確保するとすれば、駆動モードにおいて実際に各画素回路Pの駆動に利用できる時間が制限されるという問題がある。そこで、本実施形態においては、測定処理の対象とされ得る画素回路Pが所定個に制限される。すなわち、測定部56は、測定対象選択部54の選択した画素回路Pの個数が所定値を上回る場合に、測定履歴メモリ58に格納された測定履歴データDLに基づいて、未だ測定処理が実行されていない画素回路Pについて優先的に測定処理を実行する。以上の構成によれば、ひとつの画素回路Pに対する測定処理の重複的な実行が回避されるから、1垂直帰線期間内に測定処理の対象とされる画素回路Pの個数を制限しながらも、複数の垂直帰線期間についてみれば多数の画素回路Pについて効率的に測定処理を実行することが可能となる。
次に、図7を参照して、切替回路25の詳細とその周辺回路の構成を説明する。切替回路25は、R色用のスイッチ群SWR、G色用のスイッチ群SWG、及びB色用のスイッチ群SWBを含む。各スイッチ群は5個のスイッチSr1〜Sr5、Sg1〜Sg5、Sb1〜Sb5を各々含む。これらのスイッチは、制御端子に供給される制御信号がハイレベルのときオン状態となり、ローレベルのときオフ状態となる。また、切替回路25は、R基準電位REF−Rが供給される基準電位線Lr、G基準電位REF−Gが供給される基準電位線Lg、及びB基準電位REF−Bが供給される基準電位線Lbを含んでおり、基準電位線Lr、Lg、及びLbはスイッチSr3、Sg3、及びSb3と各々接続されている。
上述した駆動モードにおいては、制御信号VG−R、VG−G、及びVG−B、並びにVRE−R、VRE−G、及びVRE−Bがハイレベルとなり、他の制御信号はローレベルとなる。したがって、スイッチSr1、Sg1、及びSb1、並びにSr3、Sg3、及びSb3がオン状態となり、他のスイッチはオフ状態となる。すなわち、切替回路25は、駆動モードにおいて、複数のデータ線14と複数の入出力端子T1〜Tnとを接続すると共に、基準電位線Lr、Lg、及びLbと複数の電位線17とを各々接続する手段として機能する。
図8に測定モードにおける各種の制御信号の真理値表を示す。1垂直帰線期間内の測定モードは、駆動トランジスタNH1の特性を測定する第1モードと、OLED素子11の特性を測定する第2モードとを含む。すなわち、1垂直帰線期間内に実行される測定処理は、測定対象選択部54が選択した各画素回路Pにおける駆動トランジスタNH1の特性の測定と、当該画素回路PにおけるOLED素子11の特性の測定とを含む。
図9は、G色の画素回路Pが測定処理の対象として選択された場合の第1モードにおける動作を示す。図8の太枠で示すように制御信号XEP−iはローレベル、制御信号ETG−iはハイレベル、走査信号EW−iはハイレベルとなるから、図9に示すようにトランジスタP1、N2、N3はオン状態となり、トランジスタN1はオフ状態となる。さらに、電源電圧VEL−Gはオン(ハイレベル)、VEL−R及びVEL−Bはオフ(ローレベル)となるから、G色の画素回路PのトランジスタN4はオン状態となる一方、R色及びB色の画素回路PのトランジスタN4はオフ状態となる。くわえて、制御信号ETG−iがハイレベルとなるので、G色の画素回路PのトランジスタNT1及びNT2がオン状態となる。一方、制御信号ETR−i及びETB−iがローレベルとなるので、R色及びB色の画素回路PのトランジスタNT1及びNT2がオフ状態となる。
次に、切替回路25に供給される制御信号VG-G、VM−G、及びVFIM−Gはハイレベルとなり、他の制御信号はローレベルとなる。したがって、図9に示すようにスイッチ群SWGのスイッチSg1及びSg4がオン状態になると共に、スイッチ群SWBのスイッチSb5がオン状態となる。
このとき、ゲート電圧VGINが、測定信号Fとして、入出力端子T2→スイッチSg1→G色の画素回路に対応するデータ線14(G)→トランジスタN2→駆動トランジスタNH1のゲートの経路で印加される。また、ソース電圧VSINが、測定信号Fとして、入出力端子T4→スイッチSb5→B色の画素回路に対応するデータ線14(B)→トランジスタNT1→駆動トランジスタNH1のソースの経路で印加される。さらに、駆動トランジスタNH1のソース電圧VSが被測定信号Mとして、駆動トランジスタNH1のソース→トランジスタN4→トランジスタN3→G色の画素回路に対応する電位線17(G)→スイッチSg4→入出力端子T3の経路で取り出される。
このとき、ゲート電圧VGINが、測定信号Fとして、入出力端子T2→スイッチSg1→G色の画素回路に対応するデータ線14(G)→トランジスタN2→駆動トランジスタNH1のゲートの経路で印加される。また、ソース電圧VSINが、測定信号Fとして、入出力端子T4→スイッチSb5→B色の画素回路に対応するデータ線14(B)→トランジスタNT1→駆動トランジスタNH1のソースの経路で印加される。さらに、駆動トランジスタNH1のソース電圧VSが被測定信号Mとして、駆動トランジスタNH1のソース→トランジスタN4→トランジスタN3→G色の画素回路に対応する電位線17(G)→スイッチSg4→入出力端子T3の経路で取り出される。
図11(A)に駆動トランジスタNH1の特性測定の回路を簡略化して示す。この図に示すように入出力端子T2及びT4を介して測定信号F(VGIN、VSIN)が供給され、入出力端子T3を介して被測定信号M(VS)が出力される。また、入出力端子T4の経路には電流計が設けられており、電流が測定される。これによって、駆動トランジスタNH1の電圧−電流特性が測定される。
駆動モードにおいては、図9に示す入出力端子T2からG色のデータ信号をデータ線14(G)に向けて出力すると共に、電位線17(G)に向けてG基準電位REF−Gを出力した。これに対して第1モードでは、G色の画素回路Pの駆動トランジスタNH1の特性を測定するに際して、データ線14(G)及び電位線17(G)の他に、データ線14(G)と隣接するデータ線14(B)を用いて、測定信号F及び被測定信号Mが入出力される。以上のように測定用の配線と駆動用の配線を兼用することにより、配線数を削減することができる。
図10は、G色の画素回路Pが測定処理の対象として選択された場合の第2モードにおける動作を示す。図8の太枠で示すように制御信号EN−iはハイレベルとなるから、図9に示すようにトランジスタN1はオン状態となり、トランジスタP1、N2、N3はオフ状態となる。さらに、電源電圧VEL−Gはオン(ハイレベル)、VEL−R及びVEL−Bはオフ(ローレベル)となるから、G色の画素回路PのトランジスタN4はオン状態となる一方、R色及びB色の画素回路PのトランジスタN4はオフ状態となる。くわえて、制御信号ETG−iがハイレベルとなるので、G色の画素回路PのトランジスタNT1及びNT2がオン状態となる。一方、制御信号ETR−i及びETB−iがローレベルとなるので、R色及びB色の画素回路PのトランジスタNT1及びNT2がオフ状態となる。
次に、切替回路25に供給される制御信号VMOL-G及びVFIM−Gはハイレベルとなり、他の制御信号はローレベルとなる。したがって、図10に示すようにスイッチ群SWBのスイッチSb2及びSb5がオン状態になる。
このとき、印加電圧VFが、測定信号Fとして、入出力端子T4→スイッチSb5→B色の画素回路に対応するデータ線14(B)→トランジスタNT1→トランジスタN1→OLED素子11の陽極の経路で印加される。また、OLED素子11の陽極の電圧VMが、被測定信号Mとして、OLED素子11の陽極→トランジスタNT2→B色の画素回路に対応する電位線17(B)→スイッチSb2→入出力端子T3の経路で取り出される。
このとき、印加電圧VFが、測定信号Fとして、入出力端子T4→スイッチSb5→B色の画素回路に対応するデータ線14(B)→トランジスタNT1→トランジスタN1→OLED素子11の陽極の経路で印加される。また、OLED素子11の陽極の電圧VMが、被測定信号Mとして、OLED素子11の陽極→トランジスタNT2→B色の画素回路に対応する電位線17(B)→スイッチSb2→入出力端子T3の経路で取り出される。
図11(B)にOLED素子11の特性測定の回路を簡略化して示す。この図に示すように入出力端子T4を介して測定信号F(VF)が供給され、入出力端子T3を介して被測定信号M(VM)が出力される。また、入出力端子T4の経路には電流計が設けられており、電流が測定される。これによって、OLED素子11の電圧−電流特性が測定される。
第2モードは、G色の画素回路のOLED素子11の特性を測定するに際して、データ線14(B)及び電位線17(B)を用いて測定信号F及び被測定信号Mを入出力したので、測定用の配線と駆動用の配線を兼用して、配線数を削減することができる。また、2個の入出力端子T3及びT4を用いて、測定信号F及び被測定信号Mを入出力した。この結果、駆動用とは別に測定用の入出力端子を設ける必要がなくなる。
以上のように本実施形態においては、相隣接する各画素回路Pのデータ線14や電位線17を用いることによって、入出力端子T1〜Tnを増設することなく、測定信号(F)及び被測定信号(M)が伝送される。したがって、測定用の入出力端子に測定装置を接続して信号の送受信を実行する必要がなくなり、駆動モードで使用する入出力端子T1〜Tnを用いて特性の測定を実行することができる。この構成によれば、電気光学装置1の完成後であっても駆動トランジスタNH1やOLED素子11の特性を測定し、その測定結果に基づいて輝度が均一になるように補正を行うことができる。
さらに、総ての画素回路Pのうち測定対象選択部54の選択した画素回路Pについて選択的に測定処理が実行されるから、画素領域Aの全部の画素回路Pについて一律に測定処理が実行される構成と比較して、測定処理に必要な時間が短縮されるという利点がある。測定処理の時間が短縮されるということは、駆動モードにおいてOLED素子11の本来の駆動(階調データdに応じた駆動)に利用できる時間が充分に確保できることを意味する。したがって、本実施形態によれば、OLED素子11を充分な発光量で発光させることができる。
ところで、測定モードの第2モードにおいて、OLED素子11は、図10や図11(B)に示すように測定処理時に電流が供給されることで発光する。したがって、例えば階調データdに拘わらず総ての画素回路Pが測定処理の対象とされる構成においては、駆動モードで消灯していたOLED素子11が垂直帰線期間における測定処理に際して発光するといった具合に、駆動モードと測定モードとでOLED素子11の階調の相違が顕著となる。これに対し、本実施形態においては、階調値GRが小さい画素回路P(すなわち発光量が少ない画素回路P)については測定処理が実行されず、階調値GRが大きい画素回路P(すなわち発光量が多い画素回路P)について選択的に測定処理が実行される。すなわち、駆動モードにて所定値を上回る発光量で発光していたOLED素子11が測定処理に際して追加的に発光するに過ぎないから、測定処理におけるOLED素子11の発光が利用者に知覚されにくいという利点がある。
<B:第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第1実施形態においては、測定対象選択部54による選択の基準となる閾値THが固定値とされた構成を例示した。これに対して本実施形態においては閾値THが可変に制御される。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第1実施形態においては、測定対象選択部54による選択の基準となる閾値THが固定値とされた構成を例示した。これに対して本実施形態においては閾値THが可変に制御される。
測定処理に伴なうOLED素子11の発光が利用者に知覚され易いか否かは、電気光学装置1が使用される環境の照度(以下「環境照度」という)や電気光学装置1が表示する画像の明度(以下「画像明度」という)に依存する。すなわち、測定モードにおける発光は、環境照度や画像明度が低い場合(暗い場合)には利用者に明確に知覚されるが、環境照度や画像明度が高い場合(明るい場合)には目立ちにくいといった具合である。そこで、以下の各態様に例示するように、環境照度や画像明度を検知した結果に基づいて閾値THを可変に制御する構成が採用される。
<B−1:第1の態様>
図12は、第1の態様に係る電気光学装置1の測定対象選択部54の構成を示すブロック図である。同図に示すように、測定対象選択部54は、明度特定部541と閾値設定部544Aと比較部546とを含む。
図12は、第1の態様に係る電気光学装置1の測定対象選択部54の構成を示すブロック図である。同図に示すように、測定対象選択部54は、明度特定部541と閾値設定部544Aと比較部546とを含む。
明度特定部541は、画像明度L1を特定する手段である。複数の画素回路Pの階調値GRの平均値を画像明度L1として算定する回路が明度特定部541として好適に採用される。例えば、明度特定部541は、画素領域Aに属する総ての画素回路Pの階調値GRの平均値や画素領域Aの特定の部分に属する画素回路Pの階調値GRの平均値を画像明度L1として特定する。なお、明度特定部541は、ひとつの垂直走査期間(フレーム期間)について階調値GRの平均値を算定してもよいし、複数の垂直走査期間にわたる階調値GRの平均値を算定してもよい。また、例えば、基準値を上回る階調値GRの個数を画像明度L1として特定する手段を明度特定部541として採用してもよい。
閾値設定部544Aは、明度特定部541が特定した画像明度L1に基づいて閾値THを設定する手段である。さらに詳述すると、閾値設定部544Aは、画像明度L1が低いほど閾値THが増加する(画像明度L1が高いほど閾値THが減少する)ように閾値THを設定する。閾値設定部544Aは、例えば、画像明度L1と閾値THとが対応づけられたテーブルから、明度特定部541が特定した画像明度L1に対応する閾値THを検索して出力する。なお、画像明度L1を引数とする所定の演算式に基づいて閾値THを算定する回路を閾値設定部544Aとして採用してもよい。
比較部546は、階調検出部52から順次に供給される階調値GRと閾値設定部544Aが設定した閾値THとを比較し、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを測定処理の対象として選択する。画像明度L1が低いほど閾値THは増加するから、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は減少する。換言すると、画像明度L1が高いほど、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は増加する。したがって、測定処理に伴なう発光が利用者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる画素回路Pの個数を効率的に確保することで各OLED素子11の階調のムラを有効に抑制できる。
<B−2:第2の態様>
図13は、第2の態様に係る測定対象選択部54の構成を示すブロック図である。同図に示すように、測定対象選択部54は、照度測定部542と閾値設定部544Bと比較部546とを含む。
図13は、第2の態様に係る測定対象選択部54の構成を示すブロック図である。同図に示すように、測定対象選択部54は、照度測定部542と閾値設定部544Bと比較部546とを含む。
照度測定部542は、電気光学装置1の環境照度L2を測定する。電気光学装置1の周囲の照度や電気光学パネル10の表示面の照度を環境照度L2として測定する照度センサが照度測定部542として好適に採用される。照度測定部542は、例えば、電気光学パネル10の表示面の近傍や電気光学パネル10の周辺部(枠状の筐体)に設置される。また、電気光学装置1が設置される室空間の壁面や電気光学装置1の表示画像を視認する観察者の近傍など、電気光学装置1から離間した位置に照度測定部542を設置してもよい。
閾値設定部544Bは、照度測定部542が測定した環境照度L2に基づいて閾値THを設定する手段である。例えば、閾値設定部544Bは、環境照度L2が低いほど閾値THが増加する(環境照度L2が高いほど閾値THが減少する)ように閾値THを設定する。閾値設定部544Bは、図12の閾値設定部544Aと同様に、環境照度L2に対応する閾値THをテーブルから特定する手段であってもよいし、環境照度L2を引数とする所定の演算式に基づいて閾値THを算定する手段であってもよい。
比較部546は、各画素回路Pの階調値GRと閾値設定部544Bが設定した閾値THとを比較し、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを測定処理の対象として選択する。環境照度L2が低いほど閾値THは増加するから、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は減少する。換言すると、環境照度L2が高いほど、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は増加する。したがって、第1の態様と同様に、測定処理に伴なう発光が利用者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる画素回路Pの個数を効率的に確保することが可能である。
<B−3:第3の態様>
図14は、第1の態様と第2の態様とを組み合わせた第3の態様である。同図に示すように、測定対象選択部54は、明度特定部541と照度測定部542と閾値設定部544Cと比較部546とを具備する。明度特定部541および照度測定部542の構成や機能は第1の態様や第2の態様と同様である。
図14は、第1の態様と第2の態様とを組み合わせた第3の態様である。同図に示すように、測定対象選択部54は、明度特定部541と照度測定部542と閾値設定部544Cと比較部546とを具備する。明度特定部541および照度測定部542の構成や機能は第1の態様や第2の態様と同様である。
閾値設定部544Cは、明度特定部541が特定した画像明度L1と照度測定部542が測定した環境照度L2とに基づいて閾値THを制御する。例えば、閾値設定部544Cは、画像明度L1または環境照度L2が低いほど閾値THを増加させる。比較部546は、第1の態様や第2の態様と同様に、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを測定処理の対象として選択する。
図14の構成においても、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は、画像明度L1や環境照度L2が低いほど減少する。したがって、測定処理に伴なう発光が利用者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる画素回路Pの個数を効率的に確保することが可能である。
<C:変形例>
以上の各形態に対しては種々の変形が加えられる。具体的な変形の態様を挙げれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせた構成も採用される。
以上の各形態に対しては種々の変形が加えられる。具体的な変形の態様を挙げれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせた構成も採用される。
(1)実施形態においては、階調データdに応じて選択的に測定処理を実行することで駆動モードと測定モードとにおけるOLED素子11の階調の相違を抑制する構成を例示した。一方、駆動トランジスタNH1の特性を測定する第1モードにおいては、図9に示したようにトランジスタN1がオフ状態とされることで電流の供給が遮断されるから、OLED素子11は発光しない。したがって、駆動モードと測定モードとでOLED素子11の階調の相違を抑制するという観点のみからすると、測定処理の対象を階調データdに応じて制限する動作は第2モードのみ充分である。すなわち、第1モードにおいては総ての画素回路Pについて順次に測定処理を実行してもよい。例えば、第1モードにおいては、第1行、第2行、…、第m行を順番に測定処理の対象とする一方、各行の測定処理においては、当該行に属する全ての画素回路Pを同時に測定するのではなく、R色の画素回路P、G色の画素回路P、B色の画素回路Pの順で測定を行うといった構成が採用される。換言すれば、各行の画素回路Pを3個ずつ選択して測定処理の対象としながら、測定の対象となる画素回路をずらして測定を3回繰り返す。なお、この例では、3回の測定であるが、より一般的には、N(Nは2以上の自然数)個の画素回路Pおきに測定し、測定の対象となる画素回路Pをずらして測定をN回繰り返してもよい。もっとも、測定モードに必要な時間を短縮するという観点からすれば、実施形態のように第1モード及び第2モードの双方において、階調データdに応じて選択的に測定処理を実行する構成が好適である。
(2)以上の形態においては、各画素回路Pに共通の測定信号Fが供給される構成(すなわち測定処理の対象となる画素回路Pが第2モードにおいて階調データdに拘わらず同じ階調となる構成)を例示したが、階調データdに応じて測定信号Fを相違させる構成も採用される。例えば、階調データdによって低階調が指定された場合ほど測定信号Fの電圧値が低くなるように測定部56が測定信号Fを制御する構成が採用される。すなわち、階調データdによって低階調が指定された場合ほど、測定モードにおいてOLED素子11は低階調(暗い階調)に制御される。例えば、閾値THを上回る階調値GR1が階調データdによって指定された場合に、階調値GR1を上回る(したがって閾値THを上回る)階調値GR2が指定された場合と比較して、測定処理時のOLED素子11の階調が低階調となるように、測定信号Fが生成される。以上の構成によれば、駆動モードにおけるOLED素子11の階調と測定モード(第2モード)におけるOLED素子11の階調との相違をさらに低減することが可能である。
(3)測定モードにおける測定処理の有無に応じてデータ信号Dを補正する構成としてもよい。例えば、測定処理の対象として選択される画素回路PのOLED素子11を駆動モードにて駆動するときの階調が、当該画素回路Pの非選択の場合にOLED素子11を駆動モードにて駆動するときの階調と比較して低階調となるように、データ信号Dを調整する構成が採用される。例えば、測定処理の対象となるOLED素子11の駆動モードにおける発光量が、階調データd(補正済階調データdh)に対応した発光量から測定モードにおける発光量分を減算した発光量となるように、測定処理の有無に応じてデータ信号Dが調整される。データ信号Dの調整は、データ線駆動回路24が実行してもよいし、補正回路30が階調データdを補正することで実現してもよい。
以上の構成によれば、駆動モードにおける発光量と測定モードにおける発光量との総和が階調データdに応じた本来の発光量に調整される。したがって、測定モードにおけるOLED素子11の発光を利用者に知覚されにくくすることが可能である。なお、駆動モードにてOLED素子11が低階調(暗い階調)に駆動される場合には、測定モードにおけるOLED素子11の発光が利用者に特に顕著に知覚される。したがって、階調データd(または補正済階調データdh)の指定する階調が所定の閾値(可変または固定)と比較して小さい場合に限って駆動モードにおけるOLED素子11の発光量を減少させる構成も採用される。
(4)データ信号Dの伝送と測定信号F及び被測定信号Mの伝送とにデータ線14が兼用される構成は本発明において必須の要件ではない。すなわち、測定信号Fや被測定信号Mを各画素回路Pに伝送するための配線がデータ線14とは別個に形成された構成も採用される。
(5)トランジスタNT1及びNT2のオン・オフを電源電圧VEL−R、VEL−G、VEL−Bによって制御してもよい。例えば、図15に示す画素回路Pを採用することができる。この場合、トランジスタNT1及びNT2のゲートには電源電圧VEL−Rが供給されるので、電源電圧VEL−Rを有効にするか否かによってトランジスタNT1及びNT2のオン・オフを制御することができる。
(6)実施形態の第1モードでは、駆動トランジスタNH1のソース電圧VSを被測定信号Mとして出力したが、これに加えてドレイン電圧を測定してもよい。例えば、図16に示す画素回路Pを採用することができる。この場合には、電位線17に沿って測定用配線18が形成されおり、配線18と駆動トランジスタNH1のドレインとの間にPチャネル型のトランジスタP2が設けられる。トランジスタP2のゲートには制御線L6を介して制御信号XETP−1が供給される。制御信号XETP−1をローレベルに設定することによって、駆動トランジスタNH1のドレイン電圧を被測定信号Mとして、配線18を介して取り出すことができる。図17に、第1モードにおける画素回路Pを簡略化した模式図を示す。この例では、測定信号F及び被測定信号Mが4つになるので、4個の入出力端子を用いる。
ここで、測定処理の対象となる行については、制御信号XEP及びXETPをローレベル、制御信号EWをハイレベルにしてトランジスタP1、P2、及びN2〜N4をオン状態にするが、それ以外の非選択行については、トランジスタP2はOFF状態にすることは必要であるものの、他のトランジスタについても制御信号の論理レベルを反転させて、トランジスタP1、及びN2〜N4をオフ状態にしてもよい。この場合、非選択行のトランジスタP2にリーク電流が配線18を介して流れると、測定の対象となる駆動トランジスタNH1のドレイン電圧の測定精度が低くなる。この非選択行のトランジスタP2のゲートがハイレベル(オフ状態)でのリーク電流がドレイン−ソース間電圧が大きくなると増大する傾向が強ければ、ドレイン−ソース電圧を小さくすることによりリーク電流を減少させることが可能である。トランジスタP2のソース及びドレインは一方が画素内のトランジスタP1に接続され、他方が被測定線18に接続されている。被測定線18がハイレベルに近い電圧となる場合には、トランジスタP2のソース−ドレイン間電圧を小さくするために、トランジスタP2のドレインをハイレベルに設定してリーク電流を低減してもよい。この場合には、非選択行に供給する制御信号XEPをローレベルにしてトランジスタP1をオン状態にすればよい。もっとも、駆動トランジスタNH1のゲート・ソース間電圧の測定精度を優先させる場合には、非選択行における駆動トランジスタNH1のリーク電流を低減するために、制御信号XEPをハイレベルにすることが好ましい。非選択行における制御信号XEPの論理レベルは、測定精度の要求に応じて適宜定めればよい。また各トランジスタのリーク電流を減少させるには、各トランジスタをゲート共通の直列トランジスタで構成する方法、いわゆるデュアルゲートトランジスタで構成することも有効である。
要は、トランジスタP2に限らず、測定線、被測定線に接続される非選択行のトランジスタP2、NT1、NT2、N3、及びN4については、ゲートをオフ状態にするだけでなく、ソース−ドレイン間の電圧を小さくすることによってリーク電流を減少させ、結果的に測定精度を上げることができる。そのため、非選択行の他の制御信号を適時制御することが好ましい。つまり、どの測定値の精度をあげるかで非選択行の制御方法を変更してもよい。なお、トランジスタN2については一方が駆動トランジスタNH1のゲートにのみ接続されている状態のため、ソース−ドレイン間の電圧に依存するリークは発生しない。
ここで、測定処理の対象となる行については、制御信号XEP及びXETPをローレベル、制御信号EWをハイレベルにしてトランジスタP1、P2、及びN2〜N4をオン状態にするが、それ以外の非選択行については、トランジスタP2はOFF状態にすることは必要であるものの、他のトランジスタについても制御信号の論理レベルを反転させて、トランジスタP1、及びN2〜N4をオフ状態にしてもよい。この場合、非選択行のトランジスタP2にリーク電流が配線18を介して流れると、測定の対象となる駆動トランジスタNH1のドレイン電圧の測定精度が低くなる。この非選択行のトランジスタP2のゲートがハイレベル(オフ状態)でのリーク電流がドレイン−ソース間電圧が大きくなると増大する傾向が強ければ、ドレイン−ソース電圧を小さくすることによりリーク電流を減少させることが可能である。トランジスタP2のソース及びドレインは一方が画素内のトランジスタP1に接続され、他方が被測定線18に接続されている。被測定線18がハイレベルに近い電圧となる場合には、トランジスタP2のソース−ドレイン間電圧を小さくするために、トランジスタP2のドレインをハイレベルに設定してリーク電流を低減してもよい。この場合には、非選択行に供給する制御信号XEPをローレベルにしてトランジスタP1をオン状態にすればよい。もっとも、駆動トランジスタNH1のゲート・ソース間電圧の測定精度を優先させる場合には、非選択行における駆動トランジスタNH1のリーク電流を低減するために、制御信号XEPをハイレベルにすることが好ましい。非選択行における制御信号XEPの論理レベルは、測定精度の要求に応じて適宜定めればよい。また各トランジスタのリーク電流を減少させるには、各トランジスタをゲート共通の直列トランジスタで構成する方法、いわゆるデュアルゲートトランジスタで構成することも有効である。
要は、トランジスタP2に限らず、測定線、被測定線に接続される非選択行のトランジスタP2、NT1、NT2、N3、及びN4については、ゲートをオフ状態にするだけでなく、ソース−ドレイン間の電圧を小さくすることによってリーク電流を減少させ、結果的に測定精度を上げることができる。そのため、非選択行の他の制御信号を適時制御することが好ましい。つまり、どの測定値の精度をあげるかで非選択行の制御方法を変更してもよい。なお、トランジスタN2については一方が駆動トランジスタNH1のゲートにのみ接続されている状態のため、ソース−ドレイン間の電圧に依存するリークは発生しない。
(7)実施形態では、駆動トランジスタNH1とOLED素子11の特性を個別に測定したが、これらを同時に測定してもよい。図18に同時測定における画素回路Pを簡略化した模式図を示す。この場合、トランジスタN1をオン状態として駆動トランジスタNH1からOLED素子11に駆動電流を供給する。同時測定では測定時間を短縮することができる。なお、同時測定と個別測定を混在させてもよい。
(8)実施形態では切替回路25に基準電位線Lr、Lb、Lgを設けたが、これをデータ線駆動回路24に設け、データ線14と電位線17に各々対応する入出力端子を設けてもよい。例えば、図19に示すように入出力端子Ta、Tbからデータ信号DとR基準電位REF−Rを出力してもよい。データ線14と電位線17は隣接して形成されており、駆動トランジスタNH1のゲート・ソース間電圧はデータ線14の電位と電位線17の電位の差分で定まるので、同相ノイズがこれらに重畳しても差分としてはノイズ成分を打ち消すことができる。したがって、ノイズに強い電気光学装置1を提供できる。
(9)垂直帰線期間以外の期間に測定処理を実行してもよい。例えば、駆動モードを垂直走査期間の一部の期間に割り当て、測定モードを垂直走査期間のうち残りの期間に割り当ててもよい。また、測定処理の頻度も任意である。例えば、ひとつ又は複数の垂直帰線期間ごとに測定処理を実行する構成のほか、電気光学装置1の電源が投入された直後や所定の時間ごとに測定処理を実行する構成も採用される。
(10)各実施形態においては、OLED素子11を駆動するためのトランジスタを備えたアクティブマトリクス方式の電気光学装置を例示したが、画素回路Pがこれらのスイッチング素子を持たないパッシブマトリクス方式の電気光学装置にも本発明は適用される。
(11)各実施形態においては電流駆動型の自発光素子たるOLED素子11を利用した電気光学装置1を例示したが、これ以外の電流駆動型の電気光学素子や電圧駆動型の電気光学素子を利用した電気光学装置にも本発明は適用される。例えば、液晶表示装置、無機EL素子を利用した表示装置、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、表面導電型電子放出ディスプレイ(SED:Surface-conduction Electron-emitter Display)、弾道電子放出ディスプレイ(BSD:Ballistic electron Surface emitting Display)、発光ダイオードを利用した表示装置、あるいは光書込み型のプリンタや電子複写機の書き込みヘッドといった各種の電気光学装置にも本発明は適用される。
<D:応用例>
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器について説明する。図20は、以上の各形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての電気光学装置1と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。この電気光学装置1はOLED素子11を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器について説明する。図20は、以上の各形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての電気光学装置1と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。この電気光学装置1はOLED素子11を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
図21に、以上の各形態に係る電気光学装置1を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、ならびに表示装置としての電気光学装置1を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールされる。
図22に、以上の各形態に係る電気光学装置1を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての電気光学装置1を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置1に表示される。
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図20から図22に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
1…電気光学装置、11…OLED素子、14…データ線、17…電位線、24…データ線駆動回路、25…切替回路、50…測定制御回路、52…階調検出部、54…測定対象選択部、56…測定部、58…測定履歴メモリ、P…画素回路、D…データ信号、F…測定信号、M…被測定信号、Lr,Lg,Lb…基準電位線、T1〜Tn…入出力端子、NH1…駆動トランジスタ、d…階調データ、Dh…補正データ、dh…補正済階調データ。
Claims (13)
- 電気光学素子を各々が含む複数の画素が各データ線に接続された電気光学装置であって、
前記各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号を生成して前記データ線に出力する信号生成部と、
閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択する測定対象選択部と、
測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記測定対象選択部が選択した電気光学素子に対して実行する測定部と
を具備することを特徴とする電気光学装置。 - 前記各電気光学素子について測定処理を実行したか否かを示す測定履歴データを記憶する記憶部を具備し、
前記測定部は、階調データの指定する階調が閾値を上回る電気光学素子が所定個を越える場合に、前記記憶部に記憶された測定履歴データに基づいて、未だ測定処理が実行されていない電気光学素子について測定処理を実行する
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記測定部は、前記閾値を上回る第1階調が階調データによって指定された場合に、前記第1階調を上回る第2階調が階調データによって指定された場合と比較して、測定処理時の電気光学素子が低階調となるように、測定信号を生成する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。 - 前記信号生成部は、前記測定対象選択部が選択する電気光学素子をデータ信号の供給によって駆動するときの階調が非選択時と比較して低階調となるように、データ信号を補正する
請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の電気光学装置。 - 前記閾値を可変に制御する閾値設定部
を具備する請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の電気光学装置。 - 前記複数の画素が出力する画像の明度を特定する明度特定部を具備し、
前記閾値設定部は、前記明度特定部が特定した明度に応じて前記閾値を制御する
請求項5に記載の電気光学装置。 - 電気光学装置の環境照度を測定する照度測定部を具備し、
前記閾値設定部は、前記照度測定部が測定した環境照度に応じて前記閾値を制御する
請求項5に記載の電気光学装置。 - 前記各データ線に対応して設けられた複数の入出力端子と、
駆動モードにおいて、前記信号生成部が生成したデータ信号を、前記入出力端子を介して前記データ線に供給し、測定モードにおいて、前記測定対象選択部が選択した画素に対応するデータ線及び当該データ線に隣接するデータ線に対応した前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号の入出力を行う入出力部とを具備し、
前記画素は、前記駆動モードにおいて、前記データ線を介して供給されるデータ信号を取り込み、前記測定モードにおいて、前記データ線及び当該データ線に隣接するデータ線を介して前記測定信号を取り込むとともに前記被測定信号を出力する選択部とを含む
ことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の電気光学装置。 - 請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載した電気光学装置を備えた電子機器。
- 複数の電気光学素子を備えた電気光学装置の駆動方法であって、
前記各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号の出力によって前記各電気光学素子を駆動する一方、
閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択し、
測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記選択した電気光学素子に対して実行する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 - 前記各電気光学素子について測定処理を実行したか否かを示す測定履歴データを記憶部に記憶し、
階調データの指定する階調が閾値を上回る電気光学素子が所定個を越える場合に、前記記憶部に記憶された測定履歴データに基づいて、未だ測定処理が実行されていない電気光学素子について測定処理を実行する
ことを特徴とする請求項10に記載の電気光学装置の駆動方法。 - 前記測定処理においては、前記閾値を上回る第1階調が階調データによって指定された場合に、前記第1階調を上回る第2階調が階調データによって指定された場合と比較して、測定処理時の電気光学素子が低階調となるように、測定信号を生成する
ことを特徴とする請求項10又は11に記載の電気光学装置の駆動方法。 - 前記測定対象選択部が選択する電気光学素子をデータ信号の供給によって駆動したときの階調が非選択時と比較して低階調となるように、データ信号を補正する
ことを特徴とする請求項10乃至12の何れか1項に記載の電気光学装置の駆動方法。
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