JP2008159276A - Vacuum equipment and its manufacturing method - Google Patents
Vacuum equipment and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008159276A JP2008159276A JP2006343222A JP2006343222A JP2008159276A JP 2008159276 A JP2008159276 A JP 2008159276A JP 2006343222 A JP2006343222 A JP 2006343222A JP 2006343222 A JP2006343222 A JP 2006343222A JP 2008159276 A JP2008159276 A JP 2008159276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- inner diameter
- exhaust pipe
- diameter portion
- vacuum envelope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 24
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明は、所定の高真空に保たれた真空外囲器内に少なくとも1つの電極を備えた真空装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a vacuum apparatus including at least one electrode in a vacuum envelope maintained at a predetermined high vacuum, and a method for manufacturing the same.
所定の高真空に保たれた真空外囲器内に少なくとも1つの電極と電子放出手段とを配置し、真空外囲器を貫通する導電体を介して真空外囲器外から電極に所定の電圧を印加することで、電子放出手段から放出される電子の量を制御して、所望の動作を行わせる真空装置が知られている。 At least one electrode and electron emission means are arranged in a vacuum envelope maintained at a predetermined high vacuum, and a predetermined voltage is applied to the electrode from the outside of the vacuum envelope via a conductor passing through the vacuum envelope. There is known a vacuum apparatus that controls the amount of electrons emitted from the electron emission means by applying a voltage to perform a desired operation.
このような真空装置の動作としては、例えば入力された小さな電気信号を大きな電気信号に変換して出力するいわゆる増幅や、入射した光の明るさに応じた電気信号を出力したり、この逆に、入力された電気信号に応じて発光したりする光電変換などがある。一般に良く知られている陰極線管は、入力された電気信号を光に変換する動作を行う真空装置の代表例である。 As an operation of such a vacuum apparatus, for example, so-called amplification that converts a small electric signal inputted into a large electric signal and outputs it, an electric signal according to the brightness of incident light, and vice versa. And photoelectric conversion that emits light in response to an input electrical signal. A generally well-known cathode ray tube is a typical example of a vacuum apparatus that performs an operation of converting an inputted electric signal into light.
上記の真空装置の動作は、電子放出手段(以下「陰極」と称す)から真空外囲器内の空間に放出された電子によって行われる。陰極は電界により、または熱及び電界により電子を放出する。真空外囲器内の空間の真空度が低いと、真空外囲器内のガスの分子が陰極からの電子の放出を邪魔することにより、真空装置が所望の動作を行うことを妨げる場合がある。また、真空外囲器内のガスがイオンとなり、陰極周辺に形成された電界によって陰極に向かって加速され、陰極に衝突し、陰極の電子放出面を破壊してしまう場合もある。従って、真空装置の真空外囲器内の空間は残留ガスが極めて少ない高真空状態に保持されていることが望まれる。 The operation of the vacuum apparatus is performed by electrons emitted from the electron emission means (hereinafter referred to as “cathode”) to the space in the vacuum envelope. The cathode emits electrons by an electric field or by heat and electric field. If the degree of vacuum in the space within the vacuum envelope is low, gas molecules in the vacuum envelope may interfere with the emission of electrons from the cathode, thereby preventing the vacuum device from performing the desired operation. . In addition, the gas in the vacuum envelope becomes ions and is accelerated toward the cathode by an electric field formed around the cathode, and may collide with the cathode to destroy the electron emission surface of the cathode. Therefore, it is desired that the space in the vacuum envelope of the vacuum apparatus is maintained in a high vacuum state with very little residual gas.
撮像管として動作する真空装置の真空外囲器内の空間を真空にして封止する従来の方法を図6を用いて説明する。 A conventional method for sealing the space inside the vacuum envelope of the vacuum apparatus operating as an image pickup tube in a vacuum will be described with reference to FIG.
低融点金属40を介して透光性基板3が封着された外囲器本体4内に、一対のサポートロッド11により一体化された陰極5及び複数の電極群10を挿入し、外囲器本体4とステム部8とを溶着して真空外囲器2を作成する。次いで、ステム部8に接続された排気管160を所定の容積を有するチャンバー71に接続する。チャンバー71は真空ポンプ70に接続されている。真空ポンプ70を駆動し、チャンバー71及び真空外囲器2内を真空に吸引(以下「真空引き」という)する。高真空度を得るために、一般的には真空ポンプ70としては粗引き用のロータリーポンプ(図示せず)と高真空用の拡散ポンプ等(図示せず)とが併用される。
A
真空外囲器2内が目標とする真空度に達した後、排気管160を封止して真空外囲器2を密封するとともに、排気管160をチャンバー71から切り離す。これを行う方法として、排気管160の一部をバーナー175(又は電熱器等)で加熱し溶融させて、外界の空気が真空外囲器2内に入らないように切断して、真空外囲器2内を高真空状態に保持したまま排気管160を封止するとともにチャンバー71から分離す方法が知られている(特許文献1,2)。
After the inside of the
ところが、この方法は、排気管160を加熱し溶融する際に排気管160からガスが発生し、このガスが真空外囲器2内に拡散し、真空外囲器2内の真空度を劣化させてしまうという問題がある。
However, in this method, when the
この問題を解決する手段として、真空外囲器内にガスを吸着するガス吸着物質(ゲッター)設けることが一般的に行われている。ゲッターは真空外囲器内が真空引きされる前の大気圧の状態では不活性で、目標とする真空度に達した後、ある温度に加熱することにより活性化され、ガス吸着できる状態となる。即ち、ゲッター26を真空外囲器2内の適当な空いた空間に予め設けておき、所望の真空度に達した後にゲッター26を加熱して、真空外囲器2の内壁面に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜27を形成する。この蒸着膜27が排気管160を加熱して封止した際に発生したガスを吸着する。
As a means for solving this problem, a gas adsorbing substance (getter) that adsorbs gas in a vacuum envelope is generally provided. The getter is inactive in the atmospheric pressure state before the vacuum envelope is evacuated, and after reaching the target vacuum level, it is activated by heating to a certain temperature and becomes capable of gas adsorption. . That is, the
活性化されたゲッター物質を真空外囲器2の内壁面に蒸着膜27の形態で形成することにより、ゲッター物質の表面積が拡大するので、真空外囲器2内のガスを効率よく吸着することができる。
By forming the activated getter material on the inner wall surface of the
ゲッター物質は、ジルコニウム、アルミニウム、バナジウム、鉄及び/又はチタンを含み、例えば、バナジウム、鉄、及びジルコニウムの合金として形成される場合もある。
しかしながら、上記の従来の真空装置は以下の問題を有していた。一般に真空外囲器2の容積の大小に関わらず、排気管160の径は概略同じであるので、排気管160を加熱し溶融する際に発生するガスの絶対量も概略同じである。真空外囲器2の容積が小さい場合、真空外囲器2の容積に対するガスの発生量の割合が相対的に大きくなるので、ガス発生による真空外囲器2内の真空度の低下は顕著となる。更に、真空外囲器2の容積が小さい場合、真空外囲器2の内壁面において蒸着膜27を形成できる面積が制限されるので、蒸着膜27によるガス吸着量は少なくなる。従って、真空外囲器2の容積が小さいほど、真空外囲器2内を高真空状態に保持することが困難になるという問題がある。真空外囲器2内の真空度が低下すると、陰極からの電子の放出が妨げられたり、イオン衝突により陰極の電子放出面が破壊されたりして、真空装置に所望の動作を行わせることが困難になる。
However, the above conventional vacuum apparatus has the following problems. In general, regardless of the volume of the
本発明は、真空外囲器内を高真空状態に保持することができる真空装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the vacuum apparatus which can hold | maintain the inside of a vacuum envelope in a high vacuum state, and its manufacturing method.
本発明の真空管装置は、気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも1つの電極と、前記少なくとも1つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも1つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備える。 The vacuum tube apparatus according to the present invention includes a hermetically sealed vacuum envelope, at least one electrode disposed in the vacuum envelope, and electricity between the at least one electrode and the outside of the vacuum envelope. At least one conductor penetrating through the vacuum envelope to ensure electrical continuity, and an exhaust pipe communicated with the inside of the vacuum envelope for sucking a vacuum inside the vacuum envelope. .
前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて、前記排気管が金属材料により封止されていることを特徴とする。 The exhaust pipe includes a small inner diameter portion, and a large inner diameter portion disposed on a side farther from the vacuum envelope than the small inner diameter portion and having an inner diameter larger than the small inner diameter portion, The exhaust pipe is sealed with a metal material at a position adjacent to the large inner diameter portion.
本発明の真空装置の製造方法は、気密に封止された真空外囲器と、前記真空外囲器内に配置された少なくとも1つの電極と、前記少なくとも1つの電極と前記真空外囲器外との電気的導通を確保するために前記真空外囲器を貫通する少なくとも1つの導電体と、前記真空外囲器内を真空に吸引するために前記真空外囲器内と連通された排気管とを備えた真空装置であって、前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、前記排気管が金属材料により封止されている真空装置の製造方法であって、前記排気管を介して前記真空外囲器内を真空に吸引する工程と、前記真空外囲器内を真空に維持したまま、前記排気管内に前記大内径部側から前記小内径部側に向かって金属材料を挿入して、前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて前記排気管を前記金属材料により封止する工程とを備えることを特徴とする。 The vacuum device manufacturing method of the present invention includes a hermetically sealed vacuum envelope, at least one electrode disposed in the vacuum envelope, the at least one electrode, and the outside of the vacuum envelope. At least one conductor that penetrates the vacuum envelope to ensure electrical continuity with the vacuum envelope, and an exhaust pipe that communicates with the interior of the vacuum envelope to suck the vacuum envelope into a vacuum The exhaust pipe has a small inner diameter portion and a large inner diameter that is disposed on a side farther from the vacuum envelope than the small inner diameter portion and has a larger inner diameter than the small inner diameter portion. A vacuum device in which the exhaust pipe is sealed with a metal material, wherein the vacuum envelope is sucked into the vacuum through the exhaust pipe, and the vacuum envelope While maintaining the inside of the chamber in a vacuum, the exhaust pipe is inserted into the exhaust pipe from the large inner diameter side. Inserting a metal material toward the small inner diameter portion and sealing the exhaust pipe with the metal material at a position where the small inner diameter portion and the large inner diameter portion are adjacent to each other. To do.
本発明によれば、真空装置の真空外囲器内を所望する真空度まで真空引きした後、真空外囲器に連通された排気管を加熱し溶融させることなく、排気管を封止することができる。従って、排気管を加熱し溶融させることにより排気管からガスが発生して真空外囲器内を高真空に保持することができないという従来の課題を解決することができる。かくして、真空外囲器内を高真空状態に保持することができ、陰極からの電子ビーム放出が妨げられることがなく、所望する動作を安定して行わせることができる真空装置を提供することができる。 According to the present invention, after the vacuum envelope of the vacuum device is evacuated to a desired degree of vacuum, the exhaust pipe is sealed without heating and melting the exhaust pipe connected to the vacuum envelope. Can do. Therefore, it is possible to solve the conventional problem that the exhaust pipe is heated and melted to generate gas from the exhaust pipe and the inside of the vacuum envelope cannot be maintained at a high vacuum. Thus, it is possible to provide a vacuum apparatus that can maintain the inside of the vacuum envelope in a high vacuum state and can stably perform a desired operation without hindering the emission of the electron beam from the cathode. it can.
上記の本発明の真空装置において、前記排気管の内径は、前記小内径部と前記大内径部との間で階段状に変化していることが好ましい。これにより、階段状の段差を利用して金属材料を塑性変形させることができるので、効率よく且つ確実に排気管を封止することができる。 In the vacuum apparatus of the present invention described above, it is preferable that an inner diameter of the exhaust pipe is changed stepwise between the small inner diameter portion and the large inner diameter portion. As a result, the metal material can be plastically deformed using the stepped step, and therefore the exhaust pipe can be sealed efficiently and reliably.
また、前記金属材料がインジウムからなることが好ましい。インジウムは常温で柔らかく、圧力を加えると容易に塑性変形するので、排気管を効率よく封止することが出来る。 The metal material is preferably made of indium. Indium is soft at room temperature and easily plastically deforms when pressure is applied, so that the exhaust pipe can be sealed efficiently.
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は、撮像管として動作する本発明の実施の形態1に係る真空装置を示した断面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a vacuum apparatus according to Embodiment 1 of the present invention that operates as an imaging tube.
この真空装置は、筒状の外囲器本体4と、外囲器本体4の一方の開口端に例えばインジウム等の封着用低融点金属40を介して封着された透光性基板3と、外囲器本体4の他方の開口端に溶着されたガラス製のステム部8とからなり、内部空間が高真空状態に保たれた真空外囲器2を備えている。透光性基板3の内面には、透光性導電膜22及び光電変換膜23が順に積層されてなる光電変換ターゲット7が形成されている。光電変換ターゲット7は、外部からの入射光1に応じて信号電荷を発生し蓄積する。真空外囲器2内には、光電変換ターゲット7に空間分布的に蓄積された信号電荷を時系列電気信号として読み出すための電子ビーム30を放出する陰極5と、陰極5から放出された電子ビームを光電変換ターゲット7上にほぼ集束させるための複数の電極群10とが封入されている。陰極5及び複数の電極群10はガラス製の一対のサポートロッド11により一体化され保持されている。陰極5及び複数の電極群10に所定の電圧を与えるための複数の金属製ステムピン9がステム部8を気密に貫通している。図示しない複数の棒状の金属部材により、陰極5及び複数の電極群10と複数のステムピン9とが電気的に接続されており、且つ、一対のサポートロッド11により一体化された陰極5及び複数の電極群10がステムピン9に支持されている。
The vacuum apparatus includes a
陰極5から放出された電子ビームを効果的に光電変換ターゲット7に到達させ、且つ真空外囲器4内に存在する迷走電子、余剰電子および残留ガスイオンなどによって陰極5が損傷するのを防ぐためのシールド−グリッド電極20が、陰極5と透光性基板3との間に、透光性基板3に対して対向し且つ所定の距離を隔てて配置されている。
In order to effectively cause the electron beam emitted from the
真空外囲器2内を高真空状態に保持するためのゲッター26が外囲器本体4の内壁近傍に配置されている。真空外囲器2内を真空引きした状態で、ゲッター26を加熱して外囲器本体4の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜27を形成する。蒸着膜27は、真空外囲器2内に残留しているガスを吸着し、真空外囲器2内を高真空状態に保持することができる。
A
透光性基板3としては、公知の基板材料を撮像する光の波長に応じて選択して用いれば良く、例えば可視光撮像の場合ガラス基板が用いられ、紫外光撮像の場合サファイヤや石英ガラスが用いられ、またX線撮像の場合にはBe,Al,Ti,BNなどが用いられる。 The translucent substrate 3 may be selected and used in accordance with the wavelength of light for imaging a known substrate material. For example, a glass substrate is used for visible light imaging, and sapphire or quartz glass is used for ultraviolet light imaging. In the case of X-ray imaging, Be, Al, Ti, BN or the like is used.
透光性導電膜22としては、真空蒸着法やスパッタリング法などにより形成された、例えばSnO2膜やITO膜などの金属薄膜を用いることができる。
As the translucent
光電変換膜23は光を透過しない不透膜であり、従来から一般に知られているPbO,Sb2S3,Sc,Si,Cd,Zn,As,Teなどからなる半導体材料を真空蒸着法などで形成することができる。
The
透光性導電膜22に所定の電圧を供給するためにリードピン24が透光性基板3を貫通している。リードピン24は超音波はんだ加工法等により透光性導電膜22と電気的導通が確保されていると共に真空外囲器2の高真空気密状態を保っている。
In order to supply a predetermined voltage to the translucent
陰極5から放出された電子ビーム30は、所定の電圧が印加された複数の電極群10によって加速され、複数の電極群10に形成された電子ビーム通過孔を通って光電変換ターゲット7に向かって進行する。また、複数の電極群10が互いに対向して配置され、且つこれらに所定の電圧が印加されることで、隣り合う電極間に電子レンズが形成される。この電子レンズが、光電変換ターゲット7上で電子ビーム30をほぼ集束させる。
The
外囲器本体4の外側には偏向コイル50が設けられている。電子ビーム30は偏向コイル50によって偏向され、光電変換ターゲット7上を走査する。入射光量に応じて光電変換膜23の膜中に発生し蓄積された信号電荷は、電子ビーム30によってリードピン24を介して時系列的に真空装置外に読み出される。かくして、入射光量の空間的分布に対応した電気信号が得られる。
A
ステム部8のほぼ中央には、真空装置の製造過程において真空外囲器2内を真空引きするために、真空外囲器2内と連通された排気管60が設けられている。
An
排気管60の内径は一定ではなく、排気管60は、相対的に小さな内径Diを有する小内径部60aと、Diよりも大きな内径Doを有する大内径部60bとを備える。大内径部60bは小内径部60aに対して真空外囲器2から遠い側に配置されている。大内径部60bと小内径部60aとの間には、内径Doから内径Diへと内径が階段状に変化することにより生じた段差部61が排気管60の内壁面に形成されている。
The inner diameter of the
大内径部60bと小内径部60aとが隣接する位置、即ち段差部61の近傍にて、排気管60は例えばインジウム等の低融点金属62により気密に封止されている。
The
本実施の形態に係る真空装置の製造方法を図2及び図3を用いて説明する。 A method for manufacturing the vacuum apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
図2に示すように、透光性基板3が封着された外囲器本体4内に、一対のサポートロッド11により一体化された陰極5及び複数の電極群10を挿入し、外囲器本体4とステム部8とを溶着する。ステム部8に接続された排気管60を所定の容積を有するチャンバー71に接続する。チャンバー71は真空ポンプ70に接続されている。
As shown in FIG. 2, a
チャンバー71は、排気管60の中心軸の延長線上の下方に、低融点金属62を保持した棒状部材72と、チャンバー71内の真空雰囲気を維持したまま棒状部材72を前記延長線に沿って突き上げる駆動機構73とを備えている。低融点金属62の外径Dmは、排気管60の大内径部60bの内径Doよりも小さく、小内径部60aの内径Diよりも大きい。
The
この状態で真空ポンプ70を駆動し、チャンバー71及び真空外囲器2内を真空引きする。真空外囲器2内が目標とする真空度に達した後、ゲッター26を、例えば高周波誘導加熱等の方法により加熱し、外囲器本体4の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜27を形成する。ゲッター26を加熱する際にガスが発生するため、蒸着膜27の形成直後は一時的に真空外囲器24内の真空度が低下する。従って、蒸着膜27の形成後、再度、目標とする真空度に達するまで真空引きを継続する。
In this state, the
蒸着膜27の形成後に真空外囲器2内が目標とする真空度に達した後、図3に示すように、駆動機構73を駆動して棒状部材72を突き上げて低融点金属62を排気管60内に挿入する。
After the
低融点金属62は、排気管60の内壁面に形成された段差部61に当接し、更に上方に突き上げられることにより排気管60の段差部61周辺の内壁形状に沿って塑性変形して、排気管60を気密に封止する。低融点金属62は非常にやわらかいので、所定の圧力で排気管60の段差部61に押し付けられることにより容易に塑性変形して、段差部61近傍の排気管60の内壁面に密着する。従って、真空外囲器2内を良好な高真空状態に保持し続けることが可能となる。
The low
その後、排気管60内に低融点金属62を残したまま棒状部材72を排気管60から抜き取り、排気管60をチャンバー71から分離し、機械的手法等により排気管60を切断する。かくして、図1に示したような内部が高真空状態に保持された真空装置が得られる。
Thereafter, the rod-shaped
(実施の形態2)
図4を用いて本発明の実施の形態2を説明する。実施の形態1と機能及び構造が同一と見なせる部分については、実施の形態1と同一の符号を付与して、それらについての重複する説明を省略する。
(Embodiment 2)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Portions that can be regarded as having the same function and structure as those of the first embodiment are given the same reference numerals as those of the first embodiment, and redundant descriptions thereof are omitted.
実施の形態1と同様に、排気管60の内径は一定ではなく、排気管60は、相対的に小さな内径Diを有する小内径部60aと、Diよりも大きな内径Doを有する大内径部60bとを備える。大内径部60bは小内径部60aに対して真空外囲器2から遠い側に配置されている。但し、実施の形態1と異なり、大内径部60bと小内径部60aとの間には、内径Doから内径Diへと内径がなだらかに変化することにより生じた漏斗状部63が排気管60の内壁面に形成されている。また、排気管60を気密に封止する低融点金属62の排気管60への挿入前の形状は、排気管60の漏斗状部63の形状に沿うようにその挿入方向先端は面取りされている(即ち、略円錐台形状に形成されている)。
As in the first embodiment, the inner diameter of the
本実施の形態2の真空装置の製造方法は、実施の形態1のそれと同様である。即ち、排気管60をチャンバー71に接続し、真空ポンプ70を駆動して、チャンバー71及び真空外囲器2内を真空引きする。真空外囲器2内が目標とする真空度に達した後、ゲッター26を加熱し、外囲器本体4の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜27を形成する。その後、再度、目標とする真空度に達するまで真空引きを継続する。
The manufacturing method of the vacuum apparatus of the second embodiment is the same as that of the first embodiment. That is, the
真空外囲器2内が目標とする真空度に達した後、駆動機構73を駆動して棒状部材72を突き上げて低融点金属62を排気管60内に挿入する。低融点金属62は、排気管60の内壁面に形成された漏斗状部63に当接し、更に上方に突き上げられることにより排気管60の漏斗状部63周辺の内壁形状に沿って塑性変形して、排気管60を気密に封止する。
After the inside of the
その後、排気管60内に低融点金属62を残したまま棒状部材72を排気管60から抜き取り、排気管60をチャンバー71から分離し、機械的手法等により排気管60を切断する。かくして、内部が高真空状態に保持された真空装置が得られる。
Thereafter, the rod-shaped
(実施の形態3)
図5を用いて本発明の実施の形態3を説明する。実施の形態1,2と機能及び構造が同一と見なせる部分については、実施の形態1,2と同一の符号を付与して、それらについての重複する説明を省略する。
(Embodiment 3)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Parts that can be regarded as having the same function and structure as those of the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals as those of the first and second embodiments, and redundant description thereof is omitted.
実施の形態1,2に示した真空装置の製造方法では、真空ポンプ70が接続された所定の容積を有するチャンバー71に排気管60を接続して排気管60の封止を行った。これに対して、本実施の形態3では、真空ポンプ70に接続されたチャンバー75内に真空装置全体を収納した状態で排気管60を封止する。
In the manufacturing method of the vacuum apparatus shown in the first and second embodiments, the
即ち、透光性基板3が封着された外囲器本体4内に、一対のサポートロッド11により一体化された陰極5及び複数の電極群10を挿入し、外囲器本体4とステム部8とを溶着する。このようにして得た、排気管60が未封着の真空装置を、チャンバー75内に設けられた保持機構80を用いてチャンバー75内に保持する。チャンバー75は、排気管60の中心軸の延長線上の下方に、低融点金属62を保持した棒状部材72と、チャンバー75内の真空雰囲気を維持したまま棒状部材72を前記延長線に沿って突き上げる駆動機構73とを備えている。
That is, the
この状態で真空ポンプ70を駆動してチャンバー75内を真空引きすると、排気管60を介して真空外囲器2内もチャンバー75内と同圧に真空引きされる。真空外囲器2内が目標とする真空度に達した後、ゲッター26を加熱し、外囲器本体4の内壁に活性化されたゲッター物質からなる蒸着膜27を形成する。その後、再度、目標とする真空度に達するまで真空引きを継続する。
When the
真空外囲器2内が目標とする真空度に達した後、駆動機構73を駆動して棒状部材72を突き上げて低融点金属62を排気管60内に挿入する。低融点金属62は、排気管60の内壁面に形成された段差部61に当接し、更に上方に突き上げられることにより、実施の形態1と同様に排気管60を気密に封止することができる。その後、排気管60内に低融点金属62を残したまま棒状部材72を排気管60から抜き取り、チャンバー75内の圧力を大気圧に戻して、真空装置をチャンバー75から取り出す。最後に、機械的手法等により排気管60を切断することで真空装置を得る。
After the inside of the
実施の形態3では、排気管60の内壁形状及び低融点金属62が実施の形態1と同様である場合を説明したが、実施の形態2と同様である場合にも本実施の形態3を適用することができる。
In the third embodiment, the case where the inner wall shape of the
上記の実施の形態1〜3では、真空装置が撮像管である場合を説明したが、本発明はこれに限定されず、排気管を備える真空装置であれば、真空装置の動作、用途、形状、大きさなどにかかわらず適用することができ、上記と同様の効果を得ることが出来る。 In the first to third embodiments, the case where the vacuum device is an imaging tube has been described. However, the present invention is not limited to this, and the operation, application, and shape of the vacuum device can be used as long as the vacuum device includes an exhaust pipe. It can be applied regardless of the size and the like, and the same effect as described above can be obtained.
上記の実施の形態1〜3では、排気管60を封止する金属材料としてインジウムなどの低融点金属62を用いた場合を説明したが、本発明ではインジウム以外の低融点金属を用いることもできる。また、インジウムなどに比べて高融点を有する金属材料であっても使用可能である。例えば棒状部材72で保持された半田を軟化点まで加熱して排気管60内に挿入して突き上げることにより、上記と同様に排気管60を気密に封止することができ、上記と同様の効果を得ることが出来る。
In the first to third embodiments, the case where the low
本発明によれば、真空装置の真空外囲器内を所望する高真空状態に保持した状態で真空外囲器を気密に封止することができ、真空外囲器内の残留ガスが極めて少なく陰極からの電子ビーム放出が妨げられることがない。従って、安定して動作する真空装置として広範囲に利用することができる。 According to the present invention, the vacuum envelope can be hermetically sealed while the vacuum envelope of the vacuum apparatus is maintained in a desired high vacuum state, and the residual gas in the vacuum envelope is extremely small. The electron beam emission from the cathode is not hindered. Therefore, it can be widely used as a vacuum device that operates stably.
1 入射光
2 真空外囲器
3 透光性基板
4 外囲器本体
5 陰極
8 ステム部
7 光電変換ターゲット
9 ステムピン
10 複数の電極群
11 サポートロッド
20 シールド−グリッド電極
22 透光性導電膜
23 光電変換膜
24 リードピン
26 ゲッター
27 蒸着膜
30 電子ビーム
40 低融点金属
50 偏向コイル
60 排気管
61 段差部
60a 小内径部
60b 大内径部
62 低融点金属(金属材料)
63 漏斗状部
70 真空ポンプ
71 チャンバー
72 棒状部材
73 駆動機構
75 チャンバー
80 保持機構
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
63 funnel-shaped
Claims (5)
前記排気管は、小内径部と、前記小内径部に対して前記真空外囲器から遠い側に配置され且つ前記小内径部より大きな内径を有する大内径部とを備え、
前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて、前記排気管が金属材料により封止されていることを特徴とする真空装置。 To ensure a hermetically sealed vacuum envelope, at least one electrode disposed within the vacuum envelope, and electrical continuity between the at least one electrode and the outside of the vacuum envelope. A vacuum apparatus comprising: at least one electric conductor penetrating the vacuum envelope; and an exhaust pipe communicated with the inside of the vacuum envelope in order to suck the inside of the vacuum envelope to a vacuum,
The exhaust pipe includes a small inner diameter portion, and a large inner diameter portion disposed on a side farther from the vacuum envelope than the small inner diameter portion and having an inner diameter larger than the small inner diameter portion,
The vacuum apparatus, wherein the exhaust pipe is sealed with a metal material at a position where the small inner diameter portion and the large inner diameter portion are adjacent to each other.
前記排気管を介して前記真空外囲器内を真空に吸引する工程と、
前記真空外囲器内を真空に維持したまま、前記排気管内に前記大内径部側から前記小内径部側に向かって金属材料を挿入して、前記小内径部と前記大内径部とが隣接する位置にて前記排気管を前記金属材料により封止する工程と
を備えることを特徴とする真空装置の製造方法。 To ensure a hermetically sealed vacuum envelope, at least one electrode disposed within the vacuum envelope, and electrical continuity between the at least one electrode and the outside of the vacuum envelope. A vacuum apparatus comprising: at least one electric conductor penetrating the vacuum envelope; and an exhaust pipe communicated with the inside of the vacuum envelope in order to suck the inside of the vacuum envelope to a vacuum, The exhaust pipe includes a small inner diameter portion and a large inner diameter portion disposed on a side farther from the vacuum envelope with respect to the small inner diameter portion and having an inner diameter larger than the small inner diameter portion, and the exhaust pipe is made of metal. A method of manufacturing a vacuum device sealed with a material,
Sucking the inside of the vacuum envelope to a vacuum via the exhaust pipe;
With the vacuum envelope maintained at a vacuum, a metal material is inserted into the exhaust pipe from the large inner diameter portion side toward the small inner diameter portion side so that the small inner diameter portion and the large inner diameter portion are adjacent to each other. And a step of sealing the exhaust pipe with the metal material at a position to perform.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006343222A JP2008159276A (en) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | Vacuum equipment and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006343222A JP2008159276A (en) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | Vacuum equipment and its manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008159276A true JP2008159276A (en) | 2008-07-10 |
Family
ID=39659966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006343222A Withdrawn JP2008159276A (en) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | Vacuum equipment and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008159276A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102043677A (en) * | 2009-10-22 | 2011-05-04 | 系微股份有限公司 | A Method of Parallel Processing in Dual Operating Systems |
CN117595047A (en) * | 2023-12-08 | 2024-02-23 | 南通斯派特激光科技有限公司 | Gas laser with sealable charging and discharging structure |
-
2006
- 2006-12-20 JP JP2006343222A patent/JP2008159276A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102043677A (en) * | 2009-10-22 | 2011-05-04 | 系微股份有限公司 | A Method of Parallel Processing in Dual Operating Systems |
CN117595047A (en) * | 2023-12-08 | 2024-02-23 | 南通斯派特激光科技有限公司 | Gas laser with sealable charging and discharging structure |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5896649B2 (en) | Target structure and X-ray generator | |
US20140203183A1 (en) | Radiation generating tube, and radiation generating device and apparatus including the tube | |
JP2007280958A (en) | A carbon nanotube substrate-separated radiation tube system for electron beam generation at micro-focusing level | |
EP1983548A1 (en) | Emitter chamber, charged particle apparatus and method for operating same | |
US10032597B2 (en) | X-ray generating tube, X-ray generating apparatus, X-ray imaging system, and anode used therefor | |
JP2010186694A (en) | X-ray source, x-ray generation method, and method for manufacturing x-ray source | |
CN102237242A (en) | X-ray generating device | |
WO2012176378A1 (en) | X-ray tube | |
KR101857242B1 (en) | Field emission x-ray tube apparatus for facilitating cathode replacement | |
KR101737399B1 (en) | Method for welding the stem onto the ceramic X-ray tube | |
JP2008159276A (en) | Vacuum equipment and its manufacturing method | |
US10453644B2 (en) | Field-emission X-ray source | |
JP4767646B2 (en) | X-ray tube | |
JP2005228696A (en) | Fixed anode x-ray tube | |
JP2015005337A (en) | Radiation generation target, radiation generation tube using the same, radiation generation device, and radiation imaging system | |
US7152433B2 (en) | Method of manufacturing image display apparatus and apparatus for manufacturing the same | |
US20240274392A1 (en) | X-ray tube | |
US20250140507A1 (en) | Method for producing an anode for a cold cathode x-ray source | |
JP2023142088A (en) | vacuum equipment | |
JP6602121B2 (en) | Current introduction terminal, electron gun provided with the current introduction terminal, X-ray generator tube provided with the electron gun, and X-ray imaging apparatus provided with the X-ray generator tube | |
CN120164765A (en) | Encapsulated electron source | |
JP2025006453A (en) | X-ray tube and method for manufacturing the same | |
JP2013182865A (en) | X-ray tube | |
CN1263081C (en) | Photomultiplier tube and production method therefor | |
JP2011044385A (en) | Image tube |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100302 |