JP2008153525A - Temperature sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、各種温度検出に用いられるサーミスタを有した温度センサに関する。 The present invention relates to a temperature sensor having a thermistor used for various temperature detections.
一般に、サーミスタ素子を用いた温度センサでは、サーミスタの信号処理(温度換算)方法として、抵抗と組み合わせた電圧出力の温度検出回路を構成し、サーミスタの温度による抵抗変化を電圧として取り出し、AD変換等により温度を検出する手法が採用されている。この温度検出回路としては、図7の等価回路に示すように、入力端子電極1、抵抗2、出力端子電極3、NTCサーミスタ(Negative Temperature Coefficient Thermistor)4及びアース端子電極5をこの順に直列に接続したものが知られている。
In general, in a temperature sensor using a thermistor element, as a signal processing (temperature conversion) method of the thermistor, a temperature detection circuit of a voltage output combined with a resistor is configured, a resistance change due to the temperature of the thermistor is taken out as a voltage, AD conversion, etc. A method for detecting the temperature is employed. As this temperature detection circuit, as shown in the equivalent circuit of FIG. 7, an input terminal electrode 1, a
この温度検出回路は、入力端子電極1とアース端子電極5との間に電圧を印加し、出力端子電極3とアース端子電極5との間の電圧を計測することにより、出力電圧を温度に換算して温度変化を検出することができるものである。
従来、例えば特許文献1には、絶縁基板の上面(表面)にサーミスタ厚膜と抵抗体厚膜とを形成し、上記温度検出回路を構成した厚膜サーミスタが提案されている。
This temperature detection circuit converts the output voltage to temperature by applying a voltage between the input terminal electrode 1 and the
Conventionally, for example, Patent Document 1 proposes a thick film thermistor in which a thermistor thick film and a resistor thick film are formed on an upper surface (front surface) of an insulating substrate to constitute the temperature detection circuit.
また、上記温度検出回路を構成するものではないが、特許文献2には、リード線で接続された単体のサーミスタ素子と抵抗素子とを共に樹脂封止した温度センサが提案されている。この温度センサでは、サーミスタ素子の抵抗調整用として抵抗素子を接続している。
Although not constituting the temperature detection circuit,
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、サーミスタを用いた温度センサでは、温度の検出精度の観点から、サーミスタの抵抗値精度及びB定数(抵抗温度係数)精度が重要であるが、温度検出回路を構成する場合には、抵抗の抵抗値精度(温度特性)及びサーミスタと抵抗との抵抗値マッチングがさらに重要である。上記特許文献1では、サーミスタ厚膜と抵抗体厚膜とをチップ表面に形成して温度検出回路を構成しているが、従来、単体のサーミスタ素子を用いて上記温度検出回路を構成する場合は、サーミスタ素子を有するセンサ部分とは別にリード線で接続された測定装置本体に内蔵された回路に抵抗素子を設けた構成が採用されている。しかしながら、単体のサーミスタ素子と抵抗素子とが別体に設けられて互いに異なる温度環境にあるため、温度差による両者の温度特性にずれが生じて高精度でリニアな温度検出を得ることが困難であった。このため、特許文献2のようにサーミスタ素子と抵抗素子とを共に樹脂封止してセンサ部を構成させることも考えられるが、リード線で接続されただけのサーミスタ素子と抵抗素子とを樹脂封止する際に、樹脂内で位置ずれが生じ易く、応答性にばらつきが生じる不都合があった。また、サーミスタ素子及び抵抗素子に径が大きな銅線等のリード線が直接直付けされて接続されているため、リード線を介した熱放散が大きく温度検出の精度が低下してしまう問題があった。
The following problems remain in the conventional technology.
That is, in a temperature sensor using a thermistor, the resistance value accuracy of the thermistor and the B constant (resistance temperature coefficient) accuracy are important from the viewpoint of temperature detection accuracy. Resistance value accuracy (temperature characteristics) and resistance value matching between the thermistor and resistance are more important. In Patent Document 1, the temperature detection circuit is configured by forming the thermistor thick film and the resistor thick film on the chip surface. Conventionally, when the temperature detection circuit is configured using a single thermistor element, In addition, a configuration is adopted in which a resistance element is provided in a circuit built in the measurement apparatus main body connected by a lead wire separately from the sensor portion having the thermistor element. However, since the single thermistor element and the resistive element are provided separately and are in different temperature environments, it is difficult to obtain a highly accurate linear temperature detection due to a difference in temperature characteristics due to the temperature difference. there were. For this reason, it is conceivable that the thermistor element and the resistive element are both resin-sealed as in
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、素子間の温度環境差による検出精度のばらつきを抑制すると共に、素子の位置ずれを防いで応答性のばらつきを低減し、さらにはリード線による熱放散を制限して検出精度の低下を抑制することができる温度センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and suppresses variations in detection accuracy due to differences in temperature environment between elements, prevents positional deviation of the elements, reduces variations in responsiveness, and further leads. An object of the present invention is to provide a temperature sensor capable of limiting the heat dissipation due to the above and suppressing the decrease in detection accuracy.
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の温度センサは、チップ状のサーミスタ素子と、該サーミスタ素子と電気的に接続されたチップ状の抵抗素子と、前記サーミスタ素子及び前記抵抗素子を表面の配線パターンに実装した回路基板と、前記回路基板の配線パターンに接続されたリード線と、前記サーミスタ素子及び前記抵抗素子を前記回路基板ごと封止する封止樹脂部とを備えていることを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the temperature sensor of the present invention includes a chip-like thermistor element, a chip-like resistor element electrically connected to the thermistor element, and a circuit board on which the thermistor element and the resistor element are mounted on a wiring pattern on the surface. And a lead wire connected to the wiring pattern of the circuit board, and a sealing resin portion for sealing the thermistor element and the resistance element together with the circuit board.
この温度センサでは、サーミスタ素子及び抵抗素子が固定された回路基板ごと封止樹脂部に封止されているので、サーミスタ素子及び抵抗素子が同一温度環境となり、検出精度の安定化を図ることができると共に、素子の位置ずれがなく、応答性のばらつきが低減される。また、リード線が回路基板を介して接続されているので、熱伝導性が高いリード線による熱放散量を制限することができ、応答性を改善すると共にばらつきを低減することができる。特に、回路基板上の配線パターンを狭い線幅に高精度に設定することが容易であり、熱容量及び熱放散の制御が容易である。さらに、回路基板サイズ及び回路基板上の配線パターンは任意に設計することができ、サーミスタ素子及び抵抗素子の固定位置及び配線設計の自由度が高い。 In this temperature sensor, since the circuit board on which the thermistor element and the resistance element are fixed is sealed in the sealing resin portion, the thermistor element and the resistance element are in the same temperature environment, and the detection accuracy can be stabilized. At the same time, there is no positional deviation of the elements, and variations in responsiveness are reduced. In addition, since the lead wires are connected via the circuit board, it is possible to limit the amount of heat dissipated by the lead wires having high thermal conductivity, thereby improving responsiveness and reducing variations. In particular, it is easy to set a wiring pattern on a circuit board to a narrow line width with high accuracy, and control of heat capacity and heat dissipation is easy. Furthermore, the circuit board size and the wiring pattern on the circuit board can be designed arbitrarily, and the fixing position of the thermistor element and the resistance element and the degree of freedom in wiring design are high.
また、本発明の温度センサは、前記回路基板と前記サーミスタ素子及び前記抵抗素子との間に空隙が形成されていることを特徴とする。すなわち、この温度センサでは、回路基板とサーミスタ素子及び抵抗素子との間に空隙が形成されているので、サーミスタ素子及び抵抗素子に帯電した静電気を空隙に放電することができ、静電気耐圧性を向上させることができる。 The temperature sensor of the present invention is characterized in that a gap is formed between the circuit board, the thermistor element, and the resistance element. That is, in this temperature sensor, since the air gap is formed between the circuit board, the thermistor element, and the resistance element, the static electricity charged in the thermistor element and the resistance element can be discharged into the air gap, and the electrostatic pressure resistance is improved. Can be made.
また、本発明の温度センサは、前記回路基板が、ガラスエポキシ基板又はポリイミド・フレキシブル基板であることを特徴とする。すなわち、この温度センサでは、ガラスエポキシ基板又はポリイミド・フレキシブル基板で回路基板が形成されているので、低コストで作製可能であると共に、配線パターンを高精度かつ容易に形成することができる。 In the temperature sensor of the present invention, the circuit board is a glass epoxy board or a polyimide flexible board. That is, in this temperature sensor, since the circuit board is formed of a glass epoxy board or a polyimide flexible board, it can be manufactured at low cost, and a wiring pattern can be easily formed with high accuracy.
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、サーミスタ素子及び抵抗素子が固定された回路基板ごと封止樹脂部に封止されているので、素子間の温度環境差による検出精度のばらつきを抑制することができる共に、素子の位置ずれがなく応答性のばらつきを低減され、さらにはリード線による熱放散が回路基板で制限されて検出精度の低下を抑制することができる。
The present invention has the following effects.
That is, according to the temperature sensor according to the present invention, since the circuit board to which the thermistor element and the resistance element are fixed is sealed in the sealing resin portion, variation in detection accuracy due to the temperature environment difference between the elements is suppressed. In addition, it is possible to reduce variations in responsiveness with no element displacement, and further, heat dissipation by the lead wire is limited by the circuit board, and a decrease in detection accuracy can be suppressed.
以下、本発明に係る温度センサの一実施形態を、図1から図6を参照しながら説明する。 Hereinafter, an embodiment of a temperature sensor according to the present invention will be described with reference to FIGS.
本実施形態の温度センサは、図1及び図2に示すように、チップ状のサーミスタ素子11と、該サーミスタ素子11と電気的に接続されたチップ状の抵抗素子12と、サーミスタ素子11及び抵抗素子12を表面の配線パターン13に実装した回路基板14と、回路基板14の配線パターン13に接続されたリード線15と、サーミスタ素子11及び抵抗素子12を回路基板14ごと封止する封止樹脂部16とを備えている電圧出力タイプの温度センサである。
As shown in FIGS. 1 and 2, the temperature sensor of the present embodiment includes a chip-like
すなわち、この温度センサは、サーミスタ素子11と抵抗素子12とからなる温度検出回路を内蔵した3線タイプの電圧出力構成により、印加電圧に比例した出力感度が得られ、高い出力感度及び一定温度範囲で高いリニアライズ化を実現するものである。
上記サーミスタ素子11は、NTC型、PTC型、CTR型等のサーミスタが挙げられるが、本実施形態ではNTC型サーミスタを採用している。このサーミスタ素子11は、チップ状サーミスタ材料の両端部に電極部が形成されており、上記抵抗素子12も、チップ状抵抗材料の両端部に電極部が形成されている。
That is, this temperature sensor has a three-wire type voltage output configuration incorporating a temperature detection circuit composed of a
Examples of the
上記回路基板14は、ガラスエポキシ基板、ポリイミド・フレキシブル基板又はアルミナ基板等が用いられ、特に本実施形態では、ガラスエポキシ基板又はポリイミド・フレキシブル基板が採用される。
この回路基板14上に形成される配線パターン13は、パターン形成された銅箔等であり、図3に示すように、サーミスタ素子11を固定するサーミスタ用電極パターン17と、抵抗素子12を固定する抵抗用電極パターン18と、リード線15の一端を固定する3つのリード線用電極パターン19a、19b、19cとを有している。なお、リード線用電極パターン19a、19b、19cは、それぞれ入力端子(Vin)、出力端子(Vout)及びアース端子(GND)となる。
As the
The
上記配線パターン13は、サーミスタ用電極パターン17、抵抗用電極パターン18及びリード線用電極パターン19a、19b、19c以外のパターン部分は、できるだけ線幅が狭く設定されている。
上記リード線15は、入力端子(Vin)、出力端子(Vout)及びアース端子(GND)の各リード線用電極パターン19a、19b、19cにそれぞれ接続されている。
The
The
本実施形態の温度センサにおける温度検出回路は、図7に示す等価回路となるように構成されている。なお、抵抗素子12及びサーミスタ素子11の抵抗値の調整により、多様な出力特性の実現が可能であり、必要とされる検知温度に対応した出力特性を得ることができる。そして、サーミスタ素子11と抵抗素子12との抵抗値をマッチング調整することで、高い温度精度を得ることができる。また、この温度センサでは、配線方法により、電圧−温度特性について正特性又は負特性の出力選択が可能である。
The temperature detection circuit in the temperature sensor of the present embodiment is configured to be an equivalent circuit shown in FIG. Various output characteristics can be realized by adjusting the resistance values of the
上記封止樹脂部16は、例えばエポキシ樹脂等で形成されており、図4に示すように、回路基板14とサーミスタ素子11及び抵抗素子12との間に一定の空隙20が形成されている。
すなわち、サーミスタ素子11及び抵抗素子12は、電極部をそれぞれサーミスタ用電極パターン17及び抵抗用電極パターン18上に配して、ハンダ材等の導電性接着材料21で接着固定されるが、この際、回路基板14とサーミスタ素子11及び抵抗素子12との間に空隙20が形成されるように、サーミスタ用電極パターン17、抵抗用電極パターン18及び導電性接着材料21によって回路基板14の表面から所定間隔を空けてサーミスタ素子11及び抵抗素子12が固定される。
The
In other words, the
なお、サーミスタ素子11は、回路基板14の先端側に配されたサーミスタ用電極パターン17に固定されると共に、リード線15は、回路基板14の他端側に配された電極パターン19a、19b、19cに接続される。
また、上記回路基板14は、良好な熱容量及び熱放散の観点から、0603サイズ等の小型のものが採用され、封止樹脂部16によりできるだけ小型に樹脂モールドされることが好ましい。
The
The
本実施形態の温度センサにおいて、実際に測定した出力電圧の温度特性及び温度に応じた検出の精度を、それぞれ図5及び図6に示す。なお、図5は、温度に対する出力電圧比(Vout/Vin)を示したグラフである。また、図6は、出力電圧から算出した実測値温度をプロットし、そのばらつき(精度)を示すグラフである。
これらの図5及び図6から分かるように、出力電圧のリニアな温度特性が得られていると共に、高精度な実測値温度が得られている。
In the temperature sensor of this embodiment, the temperature characteristics of the actually measured output voltage and the detection accuracy corresponding to the temperature are shown in FIGS. 5 and 6, respectively. FIG. 5 is a graph showing the output voltage ratio (Vout / Vin) with respect to temperature. FIG. 6 is a graph plotting the measured temperature calculated from the output voltage and showing the variation (accuracy).
As can be seen from FIGS. 5 and 6, a linear temperature characteristic of the output voltage is obtained, and a highly accurate measured value temperature is obtained.
本実施形態の温度センサによれば、サーミスタ素子11及び抵抗素子12が固定された回路基板14ごと封止樹脂部16に封止されているので、サーミスタ素子11及び抵抗素子12が同一温度環境となり、検出精度の安定化を図ることができると共に、素子の位置ずれがなく、応答性のばらつきが低減される。また、リード線15が回路基板14を介して接続されているので、熱伝導性が高いリード線15による熱放散量を制限することができ、応答性を改善すると共にばらつきを低減することができる。特に、回路基板14上の配線パターン13を狭い線幅に高精度に設定することが容易であり、熱容量及び熱放散の制御が容易である。さらに、回路基板サイズ及び回路基板14上の配線パターン13は任意に設計することができ、サーミスタ素子11及び抵抗素子12の固定位置及び配線設計の自由度が高い。
According to the temperature sensor of the present embodiment, the
また、回路基板14とサーミスタ素子11及び抵抗素子12との間に空隙20が形成されているので、サーミスタ素子11及び抵抗素子12に帯電した静電気を空隙に放電することができ、静電気耐圧性を向上させることができる。
さらに、ガラスエポキシ基板又はポリイミド・フレキシブル基板で回路基板14が形成されているので、低コストで作製可能であると共に、配線パターン13を高精度かつ容易に形成することができる。
Further, since the
Further, since the
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
例えば、上記実施形態では、1つのサーミスタ素子11及び抵抗素子12を用いているが、複数のサーミスタ素子11又は抵抗素子12を組み合わせて回路を構成し、同一の回路基板14上に実装しても構わない。この場合、より広い温度範囲でのリニアライズ化が可能になる。また、回路基板14上に他の電子部品を実装して回路を構成しても構わない。
For example, although the
11…サーミスタ素子、12…抵抗素子、13…配線パターン、14…回路基板、15…リード線、16…封止樹脂部、20…空隙
DESCRIPTION OF
Claims (3)
該サーミスタ素子と電気的に接続されたチップ状の抵抗素子と、
前記サーミスタ素子及び前記抵抗素子を表面の配線パターンに実装した回路基板と、
前記回路基板の配線パターンに接続されたリード線と、
前記サーミスタ素子及び前記抵抗素子を前記回路基板ごと封止する封止樹脂部とを備えていることを特徴とする温度センサ。 A chip-like thermistor element;
A chip-like resistance element electrically connected to the thermistor element;
A circuit board in which the thermistor element and the resistance element are mounted on a wiring pattern on the surface;
A lead wire connected to the wiring pattern of the circuit board;
A temperature sensor comprising: a sealing resin portion that seals the thermistor element and the resistance element together with the circuit board.
前記回路基板と前記サーミスタ素子及び前記抵抗素子との間に空隙が形成されていることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1,
A temperature sensor, wherein a gap is formed between the circuit board, the thermistor element, and the resistance element.
前記回路基板が、ガラスエポキシ基板又はポリイミド・フレキシブル基板であることを特徴とする温度センサ。 The temperature sensor according to claim 1 or 2,
The temperature sensor, wherein the circuit board is a glass epoxy board or a polyimide flexible board.
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