JP2008144083A

JP2008144083A - Adhesive composition, adhesive film and peeling method

Info

Publication number: JP2008144083A
Application number: JP2006335081A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Asai; 隆宏浅井; Koichi Misumi; 浩一三隅; Atsushi Miyanari; 淳宮成; Yoshihiro Inao; 吉浩稲尾; Akihiko Nakamura; 彰彦中村
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2006-12-12
Filing date: 2006-12-12
Publication date: 2008-06-26
Also published as: WO2008072437A1; TW200844198A

Abstract

【課題】加熱することによって接着力が低減し、これによって接着剤層を基板から容易に剥離することができる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係る接着剤組成物は、単量体組成物を重合してなる重合体を主成分とする接着剤組成物内にマイクロカプセルを含んでいることを特徴としている。上記マイクロカプセルは、接着剤組成物を被接着物から剥離するときに加えられる熱によって気化する芯物質と、芯物質を内包し、かつ上記接着剤組成物に対して不溶であり、刺激が加えられることによって破壊される皮膜とからなる。
【選択図】なしThe present invention provides an adhesive composition capable of reducing an adhesive force by heating and thereby easily peeling an adhesive layer from a substrate.
[MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] An adhesive composition according to the present invention is characterized in that microcapsules are contained in an adhesive composition mainly composed of a polymer obtained by polymerizing a monomer composition. The microcapsule contains a core substance that is vaporized by heat applied when the adhesive composition is peeled off from the adherend, and contains the core substance, and is insoluble in the adhesive composition, so that irritation is applied. It consists of a film that is destroyed by being applied.
[Selection figure] None

Description

本発明は、加熱することによって接着力を低減させることができる接着剤組成物、接着フィルム、およびそれらの剥離方法に関する。 The present invention relates to an adhesive composition, an adhesive film, and a peeling method thereof that can reduce the adhesive force by heating.

携帯電話、デジタルＡＶ機器およびＩＣカードなどの高機能化にともない、搭載される半導体シリコンチップ（以下、チップ）の小型化、薄型化および高集積化への要求が高まっている。また、ＣＳＰ（chip size package）およびＭＣＰ（multi-chip package）に代表されるような複数のチップをワンパッケージ化する集積回路についても、その薄型化が求められている。その中において、一つの半導体パッケージの中に複数の半導体チップを搭載するシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）は、搭載されるチップを小型化、薄型化および高集積化し、電子機器の高性能化、小型化かつ軽量化を実現する上で非常に重要な技術となっている。 As mobile phones, digital AV devices, IC cards, and the like become more sophisticated, there is an increasing demand for smaller, thinner, and higher integrated semiconductor silicon chips (hereinafter referred to as chips). Further, there is a demand for reducing the thickness of integrated circuits such as CSP (chip size package) and MCP (multi-chip package) that integrate a plurality of chips into one package. Among them, the system-in-package (SiP), in which multiple semiconductor chips are mounted in one semiconductor package, makes the mounted chips smaller, thinner, and highly integrated, improving the performance of electronic devices, It has become a very important technology for realizing miniaturization and weight reduction.

電子機器の高性能化、小型化かつ軽量化を実現するためには、チップの厚さを１５０μｍ以下にまで薄くする必要がある。さらに、ＣＳＰおよびＭＣＰにおいては１００μｍ以下、ＩＣカードにおいては５０μｍ以下にチップを研削し、薄板化するための研削工程を行う必要がある。しかし、チップのベースとなる半導体ウエハは、研削することにより肉薄となるため、その強度は弱くなり、半導体ウエハにクラックおよび反りが生じやすくなる。また、薄板化した半導体ウエハは、搬送を自動化することができないため、人手によって行わなければならず、その取り扱いが煩雑であった。 In order to realize high performance, miniaturization, and weight reduction of electronic equipment, it is necessary to reduce the thickness of the chip to 150 μm or less. Furthermore, it is necessary to perform a grinding process for grinding the chip to 100 μm or less in CSP and MCP, and to 50 μm or less in the IC card to make it thinner. However, since the semiconductor wafer that becomes the base of the chip is thinned by grinding, its strength is weakened, and cracks and warpage are likely to occur in the semiconductor wafer. Moreover, since the thinned semiconductor wafer cannot be automatically transported, it has to be performed manually, and its handling is complicated.

そのため、研削する半導体ウエハにサポートプレートと呼ばれるガラスまたは硬質プラスチックなどを貼り合せることによって、半導体ウエハの強度を保持し、クラックの発生および半導体ウエハに反りが生じることを防止するウエハサポートシステムが開発されている。また、ウエハサポートシステムにより、半導体ウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる（例えば、特許文献１参照）。 Therefore, a wafer support system has been developed that maintains the strength of the semiconductor wafer and prevents the generation of cracks and warpage of the semiconductor wafer by bonding glass or hard plastic called a support plate to the semiconductor wafer to be ground. ing. Moreover, since the strength of the semiconductor wafer can be maintained by the wafer support system, the transport of the thinned semiconductor wafer can be automated (see, for example, Patent Document 1).

ウエハサポートシステムにおいて、最終的に、サポートプレートは半導体ウエハから取り外される。したがって、半導体ウエハとサポートプレートとを一時的に貼り合せるための接着物質は、その接着強度が強いことだけでなく、薄い半導体ウエハから容易に、かつ半導体ウエハに残存することなく剥離できるものでなければならない。 In the wafer support system, the support plate is finally removed from the semiconductor wafer. Therefore, the adhesive material for temporarily bonding the semiconductor wafer and the support plate must not only have a strong adhesive strength but also can be easily peeled off from a thin semiconductor wafer without remaining on the semiconductor wafer. I must.

接着物質を剥離するためには、サポートプレートと半導体ウエハとの間に位置する接着物質の層（接着剤層）に剥離液を浸透させなければならないため、半導体ウエハからサポートプレートを剥離するまでに長時間を要する。そのため、短時間で半導体ウエハからサポートプレートを剥離するためには、剥離時に接着物質の接着力をある程度低減させる必要がある。 In order to peel off the adhesive substance, the stripping solution must penetrate into the adhesive substance layer (adhesive layer) located between the support plate and the semiconductor wafer. It takes a long time. Therefore, in order to peel the support plate from the semiconductor wafer in a short time, it is necessary to reduce the adhesive force of the adhesive substance to some extent at the time of peeling.

例えば、特許文献２および３には、あらかじめ接着物質の構成成分として光および／または熱によって発泡する成分を含有しておくことによって、剥離時に接着物質を発泡させ、該接着物質の接着力を低減させることが開示されている。 For example, Patent Documents 2 and 3 include a component that foams by light and / or heat as a constituent component of the adhesive material in advance, thereby foaming the adhesive material at the time of peeling and reducing the adhesive force of the adhesive material. Is disclosed.

また、特許文献４には、光を照射することによって酸を発生させる成分をさらに含有し、発泡による作用だけでなく酸の作用によっても接着物質の接着力を低減させ、剥離を容易とする方法が開示されている。
特開２００５−１９１５５０号公報（平成１７年７月１４日公開）特開２００４−４３７３２号公報（平成１６年２月１２日公開）特開２００４−２５４７号公報（平成１６年１月８日公開）特開２００５−２９０１４６号公報（平成１７年１０月２０日公開） Patent Document 4 further includes a component that generates an acid by irradiating light, and reduces the adhesive force of the adhesive substance not only by the action of foaming but also by the action of acid to facilitate peeling. Is disclosed.
Japanese Patent Laying-Open No. 2005-191550 (published July 14, 2005) JP 2004-43732 A (published on February 12, 2004) Japanese Patent Laid-Open No. 2004-2547 (released on January 8, 2004) Japanese Patent Laying-Open No. 2005-290146 (published on October 20, 2005)

ガラス転移点（Ｔｇ）が１００℃以下である接着物質は、１００〜２００℃に加熱することによって、硬化していた接着物質がゲル化するために接着力が低減し、容易に剥離することができる。しかし、ガラス転移点（Ｔｇ）が高くなるにつれて接着物質はゲル化しにくくなり、１００〜２００℃程度の加熱では接着力が低減されず、剥離が困難となる。また、ガラス転移点（Ｔｇ）が１００℃以上の接着物質では、２００℃以上に加熱することにより剥離液に不溶な物質が形成されてしまい、剥離が困難になるという問題を有している。 An adhesive substance having a glass transition point (Tg) of 100 ° C. or lower can be easily peeled off by heating to 100 to 200 ° C., because the cured adhesive substance is gelled and the adhesive force is reduced. it can. However, as the glass transition point (Tg) increases, the adhesive substance becomes difficult to gel, and heating at about 100 to 200 ° C. does not reduce the adhesive force, making peeling difficult. In addition, an adhesive substance having a glass transition point (Tg) of 100 ° C. or higher has a problem that when it is heated to 200 ° C. or higher, a substance insoluble in the peeling liquid is formed, and peeling becomes difficult.

また、例えば、接着物質を半導体ウエハとサポートプレートとの接着に用いる場合には、上述した研削工程において、蛍光灯などの光照射下にて作業を行うため、光によって接着力が低減しない接着物質を用いる必要がある。 Further, for example, when an adhesive substance is used for bonding the semiconductor wafer and the support plate, since the work is performed under the light irradiation of a fluorescent lamp or the like in the above-described grinding process, the adhesive substance whose adhesive force is not reduced by light. Must be used.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、加熱によって接着力が低減し、接着剤組成物を被接着物から容易に剥離することができる接着剤組成物、接着フィルム、およびそれらの剥離方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and its main purpose is to reduce the adhesive force by heating and to easily peel the adhesive composition from the adherend. It is in providing an adhesive film and the peeling method thereof.

本発明の第１の態様は、単量体組成物を重合してなる重合体を主成分とする接着剤組成物であって、接着剤組成物を被接着物から剥離するときに加えられる熱によって気化する芯物質と、芯物質を内包し、かつ、上記接着剤組成物に対して不溶であり、刺激が加えられることによって破壊される皮膜とからなるマイクロカプセルを含むことを特徴とする接着剤組成物である。 A first aspect of the present invention is an adhesive composition mainly composed of a polymer obtained by polymerizing a monomer composition, and heat applied when the adhesive composition is peeled off from an adherend. An adhesive comprising: a microcapsule comprising: a core material that is vaporized by a gas; and a film that contains the core material and is insoluble in the adhesive composition and is destroyed by application of a stimulus. Agent composition.

また、本発明の第２の態様は、フィルム上に、第１の態様の接着剤組成物を含む接着剤層を備えていることを特徴とする接着フィルムである。 Moreover, the 2nd aspect of this invention is equipped with the adhesive bond layer containing the adhesive composition of a 1st aspect on a film, It is an adhesive film characterized by the above-mentioned.

また、本発明の第３の態様は、第１の態様の接着剤組成物を基板に塗布し、上記接着剤組成物を乾燥させるためにプリベークするか、もしくは、第２の態様の接着フィルムを基板に貼着することによって、基板上に接着剤層を形成した後、上記基板から上記接着剤層を剥離する剥離方法であって、上記基板および上記接着剤層を１５０〜２００℃の範囲で加熱する加熱工程の後、上記基板と上記接着剤層とを剥離液を用いて剥離する剥離工程を行うことを特徴とする剥離方法である。 Further, in the third aspect of the present invention, the adhesive composition of the first aspect is applied to a substrate and prebaked to dry the adhesive composition, or the adhesive film of the second aspect is used. A peeling method for peeling the adhesive layer from the substrate after forming the adhesive layer on the substrate by sticking to the substrate, wherein the substrate and the adhesive layer are within a range of 150 to 200 ° C. It is a peeling method characterized by performing the peeling process which peels the said board | substrate and the said adhesive bond layer using a peeling liquid after the heating process to heat.

本発明に係る接着剤組成物は、以上のように、接着剤組成物内に、接着剤組成物を被接着物から剥離するときに加えられる熱によって気化する芯物質と、芯物質を内包し、かつ上記接着剤組成物に対して不溶であり、刺激が加えられることによって破壊される皮膜とからなるマイクロカプセルを含んでいることを特徴としている。 As described above, the adhesive composition according to the present invention includes a core substance that is vaporized by heat applied when the adhesive composition is peeled off from the adherend, and the core substance. And it is insoluble with respect to the said adhesive composition, It is characterized by including the microcapsule which consists of a membrane | film | coat destroyed by applying irritation | stimulation.

上記構成によれば、刺激によって皮膜が破壊されることによって、芯物質がマイクロカプセルから放出される。放出された芯物質は、接着剤組成物を加熱する熱によって気化し、その体積を増加する。すなわち、芯物質は、接着剤組成物内で加熱されることによって気泡となり、接着剤組成物の接着力を低減させる。これによって、接着剤組成物を被接着物から容易に剥離することができるという効果を奏する。 According to the said structure, a core substance is discharge | released from a microcapsule by destroying a film | membrane by irritation | stimulation. The released core material is vaporized by heat that heats the adhesive composition, increasing its volume. That is, the core substance becomes bubbles when heated in the adhesive composition, and reduces the adhesive force of the adhesive composition. This produces an effect that the adhesive composition can be easily peeled from the adherend.

また、例えば、本発明に係る接着剤組成物を半導体ウエハとサポートプレートとの貼り合せに用いた場合には、接着力を低減させるとともに半導体ウエハとサポートプレートとの間に隙間を生じさせることができる。これによって、半導体ウエハとサポートプレートとの間に剥離液を容易に浸透させることができ、半導体ウエハをサポートプレートから容易に剥離することができるという効果を奏する。 Also, for example, when the adhesive composition according to the present invention is used for bonding a semiconductor wafer and a support plate, the adhesive force can be reduced and a gap can be generated between the semiconductor wafer and the support plate. it can. Thus, the peeling liquid can be easily permeated between the semiconductor wafer and the support plate, and the semiconductor wafer can be easily peeled from the support plate.

〔実施の形態１〕
本発明に係る接着剤組成物の一実施の形態について、以下に説明する。接着剤組成物は、接着剤としての用途に用いるのであれば、その具体的な用途は特に限定されるものではない。本実施の形態では、ウエハサポートシステムにおいて、半導体ウエハをサポートプレートに一時的に接着する用途に用いた場合を例に挙げて説明する。 [Embodiment 1]
One embodiment of the adhesive composition according to the present invention will be described below. If the adhesive composition is used for an application as an adhesive, its specific application is not particularly limited. In the present embodiment, a case where the wafer support system is used for temporarily bonding a semiconductor wafer to a support plate will be described as an example.

なお、本明細書等における「サポートプレート」とは、薄板化する半導体ウエハに貼り合せることによって、薄化した半導体ウエハにクラックおよび反りが生じないように保護するために用いられる基板のことである。 The “support plate” in this specification and the like is a substrate used to protect a thinned semiconductor wafer from being cracked and warped by being bonded to the thinned semiconductor wafer. .

（接着剤組成物の構成）
本発明に係る接着剤組成物は、単量体組成物を重合してなる重合体を主成分とする接着剤組成物内にマイクロカプセルが含まれている構成である。本実施の形態では、まず、本発明の特徴点に関わるマイクロカプセルについて説明し、次に単量体組成物について説明する。 (Composition of adhesive composition)
The adhesive composition according to the present invention has a configuration in which microcapsules are contained in an adhesive composition mainly composed of a polymer obtained by polymerizing a monomer composition. In the present embodiment, first, the microcapsules relating to the features of the present invention will be described, and then the monomer composition will be described.

なお、本明細書等における「主成分」とは、組成物に含まれる全成分のうち、５０質量％を越える成分であることを意味しており、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％であることがさらに好ましい。 In addition, the “main component” in the present specification and the like means a component exceeding 50% by mass among all components contained in the composition, and more preferably 70% by mass or more, More preferably, it is 80 mass%.

（マイクロカプセルの構成および粒径）
本発明における「マイクロカプセル」とは、芯物質をミクロン単位の小さな粒子とし、個々の粒子をそれぞれ薄い皮膜で包んだ複合体である。芯物質および皮膜については、後で詳述する。 (Configuration and particle size of microcapsules)
The “microcapsule” in the present invention is a composite in which the core material is made into small particles of a micron and each particle is wrapped with a thin film. The core substance and the coating will be described in detail later.

マイクロカプセルの粒径は、１〜３μｍの範囲であることが好ましく、１〜２．５μｍの範囲であることがより好ましい。マイクロカプセルの粒径を上記範囲内とすることによって、接着剤組成物を半導体ウエハまたはサポートプレートに塗布したとき、塗布膜の膜厚が不均一となることを抑制することができる。また、上記範囲内であれば、マイクロカプセルを容易に製造することができる。 The particle size of the microcapsules is preferably in the range of 1 to 3 μm, and more preferably in the range of 1 to 2.5 μm. By making the particle size of the microcapsules within the above range, it is possible to prevent the coating film from becoming uneven when the adhesive composition is applied to a semiconductor wafer or a support plate. Moreover, if it is in the said range, a microcapsule can be manufactured easily.

（芯物質の性質および種類）
本実施の形態に係るマイクロカプセルの芯物質は、接着剤組成物を被接着物から剥離するときに加えられる熱によって気化する物質であり、１００〜２００℃の範囲の温度で気化する物質であることが好ましく、１２０〜２００℃の範囲の温度で気化する物質であることがより好ましい。これは、芯物質の沸点が１００〜２００℃の範囲であることが好ましく、１２０〜２００℃の範囲であることがより好ましいと言い換えることができる。上記芯物質としては、疎水性の有機溶剤を挙げることができる。具体的には、キシレン、エチルベンゼン、トルエンであることが好ましい。 (Properties and types of core materials)
The core substance of the microcapsule according to the present embodiment is a substance that is vaporized by heat applied when the adhesive composition is peeled off from the adherend, and is a substance that vaporizes at a temperature in the range of 100 to 200 ° C. It is preferable that the substance vaporizes at a temperature in the range of 120 to 200 ° C. In other words, the boiling point of the core substance is preferably in the range of 100 to 200 ° C., and more preferably in the range of 120 to 200 ° C. Examples of the core material include hydrophobic organic solvents. Specifically, xylene, ethylbenzene, and toluene are preferable.

これによって、従来、２００℃を超える温度にまで加熱する必要があった接着剤組成物であっても、１００〜２００℃程度の加熱によって接着力を低減させ、容易に剥離することができる。また、ウエハサポートシステムによるチップの作製工程における１００℃程度の加熱によって、接着剤組成物の接着力が低減してしまうことを防ぐことができる。 Thus, even an adhesive composition that has conventionally been required to be heated to a temperature exceeding 200 ° C. can be easily peeled off by reducing the adhesive force by heating at about 100 to 200 ° C. Moreover, it can prevent that the adhesive force of an adhesive composition reduces by the heating of about 100 degreeC in the manufacturing process of the chip | tip by a wafer support system.

（皮膜の性質および種類）
本実施の形態に係るマイクロカプセルの皮膜は、接着剤組成物に対して不溶であり、何らかの刺激が加えられることによって破壊されるものであれば、特に限定されるものではない。皮膜を破壊する刺激としては、例えば、熱、光、または物理的衝撃などを挙げることができる。 (Characteristics and types of film)
The film of the microcapsule according to the present embodiment is not particularly limited as long as it is insoluble in the adhesive composition and can be destroyed by applying some stimulus. Examples of the stimulus that destroys the film include heat, light, or physical impact.

熱による皮膜の破壊は、熱により膨張した芯物質がマイクロカプセルの内圧を高め、皮膜がこの内圧に耐えられなくなることによって引き起こされる。したがって、皮膜は、芯物質の沸点付近の温度で破壊されることが好ましい。具体的には、皮膜が破壊される温度は、１００℃以上であることが好ましく、１００〜２００℃の範囲であることがより好ましい。 The destruction of the film by heat is caused by the core material expanded by heat increasing the internal pressure of the microcapsule, and the film cannot withstand this internal pressure. Therefore, the coating is preferably broken at a temperature near the boiling point of the core material. Specifically, the temperature at which the coating is destroyed is preferably 100 ° C. or higher, and more preferably in the range of 100 to 200 ° C.

このような皮膜として、例えば、メラミン樹脂、ゼラチン、尿素樹脂、ウレタン樹脂、およびポリウレア樹脂などを挙げることができる。これらの中でも、メラミン樹脂であることがより好ましい。 Examples of such a film include melamine resin, gelatin, urea resin, urethane resin, and polyurea resin. Among these, melamine resin is more preferable.

また、光による皮膜の破壊は、ポジ型の感光性樹脂からなる皮膜が光の照射により分解し、接着剤組成物の溶剤に溶解することによって引き起こされる。 Moreover, the destruction of the film by light is caused by the film made of a positive photosensitive resin being decomposed by light irradiation and dissolved in the solvent of the adhesive composition.

また、皮膜の破壊に用いる光の波長は、特に限定されるものではないが、紫外線であることが好ましく、ｇ線、ｈ線およびｉ線であることがより好ましい。 Further, the wavelength of light used for breaking the film is not particularly limited, but is preferably ultraviolet light, and more preferably g-line, h-line, and i-line.

また、物理的衝撃による皮膜の破壊は、外部から衝撃により皮膜が物理的に破壊されることによって引き起こされる。物理的衝撃としては、例えば、半導体ウエハとサポートプレートとを貼り付けるときの衝撃などを挙げることができる。 Further, the destruction of the film due to physical impact is caused by the physical destruction of the film due to impact from the outside. Examples of the physical impact include an impact when a semiconductor wafer and a support plate are attached.

なお、皮膜の厚さは、皮膜を構成する樹脂の種類や、皮膜を破壊する上記刺激に応じて適切な厚さとなるように、適宜設定すればよい。 In addition, what is necessary is just to set the thickness of a film | membrane suitably so that it may become suitable thickness according to the kind of resin which comprises a film | membrane, and the said irritation | stimulation which destroys a film | membrane.

（マイクロカプセルの添加量）
マイクロカプセルの添加量は、単量体組成物を重合してなる重合体に対して１〜３０質量％の範囲であることが好ましく、１０〜２５質量％であることがより好ましい。 (Amount of microcapsules added)
The addition amount of the microcapsules is preferably in the range of 1 to 30% by mass and more preferably 10 to 25% by mass with respect to the polymer obtained by polymerizing the monomer composition.

マイクロカプセルの添加量を３０重量％以下とすることによって、接着剤組成物の透明性が低下することを防ぐことができる。これによって、半導体ウエハとサポートプレートとの貼り合せにおいて、レーザによるサポートプレートの位置合せを行う際に、サポートプレートが検出できなくなることを防ぐことができる。また、マイクロカプセルの添加量を１重量％以上とすることによって、本願発明の効果を十分に得ることができる。 By making the addition amount of the microcapsules 30% by weight or less, it is possible to prevent the transparency of the adhesive composition from being lowered. As a result, it is possible to prevent the support plate from becoming undetectable when the support plate is aligned with the laser in bonding the semiconductor wafer and the support plate. Moreover, the effect of this invention can fully be acquired by making the addition amount of a microcapsule into 1 weight% or more.

（マイクロカプセルの製造方法）
マイクロカプセルの製造方法は、従来公知の方法を用いることができる。マイクロカプセルの製造方法として、具体的には、特開平５−２１２２６８号公開公報に開示された方法で製造することができる。 (Method for producing microcapsules)
A conventionally well-known method can be used for the manufacturing method of a microcapsule. Specifically, the microcapsule can be produced by the method disclosed in JP-A-5-212268.

（単量体組成物の種類）
単量体組成物の種類は、特に限定されるものではないが、スチレンと、環式構造を有する（メタ）アクリル酸エステルと、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとを含むことが好ましい。以下、本明細書における環式構造を有する（メタ）アクリル酸エステルを、（メタ）アクリル酸エステルと称し、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルを、（メタ）アクリル酸アルキルエステルと称する。 (Type of monomer composition)
The type of the monomer composition is not particularly limited, but includes styrene, (meth) acrylic acid ester having a cyclic structure, and (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure. Is preferred. Hereinafter, (meth) acrylic acid ester having a cyclic structure in this specification is referred to as (meth) acrylic acid ester, and (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure is referred to as (meth) acrylic acid alkyl ester. Called.

（メタ）アクリル酸エステルは、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシメチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレートなどであることが好ましく、フェノキシエチル（メタ）アクリレートであることがより好ましい。 (Meth) acrylic acid esters include phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxymethyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, norbornyl (meth) acrylate, isobornyl ( A meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, tetracyclododecanyl (meth) acrylate and the like are preferable, and phenoxyethyl (meth) acrylate is more preferable.

また、（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、アルキル基の炭素数が１〜２０の（メタ）アクリル系アルキルエステルであることが好ましい。 The (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably a (meth) acrylic alkyl ester having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group.

具体的には、アルキル基がメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、およびｎ−エイコサデシル基などからなるアクリル酸ないしはメタクリル酸のアルキルエステルを挙げることができる。 Specifically, the alkyl group is methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, 2-ethylhexyl group, isooctyl group, isononyl group, isodecyl group, dodecyl group, tridecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, Examples thereof include alkyl esters of acrylic acid or methacrylic acid composed of n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosadecyl group and the like.

なお、これらのアルキル基は、直鎖状であってもよいし、また分岐鎖を有していてもよい。また、これらの鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。 In addition, these alkyl groups may be linear or may have a branched chain. Moreover, the (meth) acrylic-acid alkylester which consists of these chain structures may be used independently, and may mix and use 2 or more types.

（単量体組成物の配合量）
接着剤組成物の主成分である重合体を構成する単量体組成物において、その配合量は特に限定されるものではない。本実施の形態においては、スチレン、（メタ）アクリル酸エステルおよび（メタ）アクリル酸アルキルエステルの総量を１００質量部としたとき、スチレンが１０〜７０質量部、（メタ）アクリル酸エステルが２０〜５０質量部、（メタ）アクリル酸アルキルエステルが１０〜５０質量部の範囲で配合されていることが好ましい。各単量体組成物を上記範囲で配合することによって、ウエハサポートシステムにおける半導体ウエハとサポートプレートとの接着に対して、好適に用いることができる接着剤組成物とすることができる。 (Amount of monomer composition)
In the monomer composition constituting the polymer that is the main component of the adhesive composition, the blending amount is not particularly limited. In this embodiment, when the total amount of styrene, (meth) acrylic acid ester and (meth) acrylic acid alkyl ester is 100 parts by mass, styrene is 10 to 70 parts by mass, and (meth) acrylic acid ester is 20 to 20 parts. It is preferable that 50 mass parts and (meth) acrylic-acid alkylester are mix | blended in the range of 10-50 mass parts. By mix | blending each monomer composition in the said range, it can be set as the adhesive composition which can be used suitably with respect to adhesion | attachment of the semiconductor wafer and support plate in a wafer support system.

（付記事項）
また、接着剤組成物には、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、所望により混和性のある添加物、例えば接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されている添加剤をさらに添加含有することができる。 (Additional notes)
In addition, the adhesive composition may contain, as desired, miscible additives such as additional resins, plasticizers, adhesive plastics for improving the performance of the adhesive, as long as the essential characteristics of the present invention are not impaired. Conventional additives such as an agent, a stabilizer, a colorant, and a surfactant can be further added and contained.

さらに、接着剤組成物は、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、粘度調整のために有機溶剤を用いて希釈してもよい。 Furthermore, the adhesive composition may be diluted with an organic solvent for viscosity adjustment as long as the essential characteristics of the present invention are not impaired.

上記有機溶剤として、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールまたはジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類およびその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；および乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。特にエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテートあるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類およびその誘導体が好ましい。また、接着剤層の膜厚の均一性を向上させるためにこれらに活性剤を添加してもよい。有機溶剤の使用量は、接着剤組成物を塗布する膜厚に応じて適宜設定されるものであり、接着剤組成物が半導体ウエハなどに塗布可能な濃度であれば特に限定されるものではない。一般的には、接着剤組成物の固形分濃度が２０〜７０質量％、好ましくは２５〜６０質量％の範囲内となるように用いられる。 Specific examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, and 2-heptanone; ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, Polyhydric alcohols such as dipropylene glycol or dipropylene glycol monoacetate monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether and derivatives thereof; cyclic ethers such as dioxane; and methyl lactate, Ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methoxypropyl Methyl phosphate, esters such as ethyl ethoxypropionate can be exemplified. These may be used singly or in combination of two or more. Particularly preferred are polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate or their monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether and their derivatives. . Moreover, in order to improve the uniformity of the film thickness of the adhesive layer, an activator may be added thereto. The amount of the organic solvent used is appropriately set according to the film thickness to which the adhesive composition is applied, and is not particularly limited as long as the adhesive composition can be applied to a semiconductor wafer or the like. . Generally, it is used so that the solid content concentration of the adhesive composition is in the range of 20 to 70% by mass, preferably 25 to 60% by mass.

（接着剤組成物の用途）
本発明に係る接着剤組成物は、特に半導体ウエハをサポートプレートに接着するために用いられる接着剤組成物として使用することによって、優れた効果を発揮する。しかし、一方において、保護テープ等の接着フィルムの接着剤層として用いることも可能であり、その場合にも優れた特性を発揮することができる。 (Use of adhesive composition)
The adhesive composition according to the present invention exhibits an excellent effect, particularly when used as an adhesive composition used for bonding a semiconductor wafer to a support plate. However, on the other hand, it can also be used as an adhesive layer of an adhesive film such as a protective tape, and in that case, excellent characteristics can be exhibited.

また、上記接着剤組成物は、用途に応じて、例えば、液状のままサポートプレートまたは半導体ウエハの上に塗布して接着剤層を形成する方法、素材のたわみや変形に対応することができる可撓性を有するフィルム上に前もって接着剤層を形成、乾燥しておき、このフィルム（ドライフィルム）をサポートプレートに貼り付けて使用する方法（接着フィルム法）のいずれの方法にも用いることができる。 In addition, the adhesive composition can cope with, for example, a method of forming an adhesive layer by applying it on a support plate or a semiconductor wafer in a liquid state, and bending or deformation of the material depending on the application. It can be used for any method (adhesive film method) in which an adhesive layer is formed in advance on a flexible film and dried, and this film (dry film) is attached to a support plate for use (adhesive film method). .

〔実施の形態２〕
実施の形態１に係る接着剤組成物を用いた接着フィルムについて、実施の形態２として以下に説明する。接着フィルムとは、フィルム（支持フィルム）上に少なくとも接着剤組成物からなる接着剤層を備えているものである。 [Embodiment 2]
An adhesive film using the adhesive composition according to Embodiment 1 will be described below as Embodiment 2. The adhesive film is one having an adhesive layer made of at least an adhesive composition on a film (support film).

本実施の形態に係る接着フィルムは、接着フィルムとしての接着用途に用いるのであれば、特に限定されるものではない。本実施の形態では、ウエハサポートシステムにおいて、半導体ウエハをサポートプレートに一時的に接着する用途に用いた場合を例に挙げて説明する。 The adhesive film according to the present embodiment is not particularly limited as long as it is used for bonding as an adhesive film. In the present embodiment, a case where the wafer support system is used for temporarily bonding a semiconductor wafer to a support plate will be described as an example.

接着フィルムを用いることにより、サポートプレートまたは半導体ウエハ上に接着剤層を容易に設けることができる。具体的には、露出した接着剤層をサポートプレートまたは半導体ウエハに重ねた後、接着剤層から支持フィルムを剥離することによって、接着剤層を設けることができる。また、接着剤層上にさらにフィルム（保護フィルム）が被膜されている場合には、重ねる前に、接着剤層から保護フィルムを剥離することによって、接着剤層を露出させればよい。 By using the adhesive film, the adhesive layer can be easily provided on the support plate or the semiconductor wafer. Specifically, the adhesive layer can be provided by peeling the support film from the adhesive layer after the exposed adhesive layer is overlaid on the support plate or the semiconductor wafer. Moreover, when the film (protective film) is further coat | covered on the adhesive bond layer, what is necessary is just to expose an adhesive bond layer by peeling a protective film from an adhesive bond layer before overlapping.

接着フィルムを使用することにより、サポートプレートまたは半導体ウエハの上に直接接着剤組成物を塗布して接着剤層を形成する場合と比較して、膜厚均一性および表面平滑性の良好な接着剤層を形成することができる。 Adhesive with better film thickness uniformity and surface smoothness compared to the case where an adhesive composition is formed by directly applying an adhesive composition on a support plate or a semiconductor wafer by using an adhesive film A layer can be formed.

接着フィルムの製造に使用する支持フィルムとしては、支持フィルム上に成膜された接着剤層を支持フィルムから容易に剥離することができ、サポートプレートまたは半導体ウエハなどの被処理面上に上記接着剤層を転写することができる離型フィルムであれば、特に限定されるものではない。 As the support film used for the production of the adhesive film, the adhesive layer formed on the support film can be easily peeled off from the support film, and the above-mentioned adhesive can be applied to the treated surface such as a support plate or a semiconductor wafer. The release film is not particularly limited as long as it can transfer the layer.

このような支持フィルムとしては、素材のたわみや変形に対応することができる可撓性を有するフィルムを挙げることができる。具体的には、膜厚１５〜１２５μｍのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂フィルムからなるフィルムが好ましい。 An example of such a support film is a flexible film that can cope with the deflection and deformation of the material. Specifically, a film made of a synthetic resin film such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl chloride having a film thickness of 15 to 125 μm is preferable.

また、上記支持フィルムは、必要に応じて接着剤層をサポートプレートまたは半導体ウエハなどの被処理面上に転写することが容易となるように離型処理されていることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said support film is mold-release-processed so that it may become easy to transfer an adhesive bond layer on to-be-processed surfaces, such as a support plate or a semiconductor wafer, as needed.

支持フィルム上に接着剤層を形成するに際しては、接着剤組成物を調製し、アプリケーター、バーコーダー、ワイヤーバーコーダー、ロールコーター、カーテンフローコーターなどを用いて、支持フィルム上に乾燥後の膜厚が５〜１００μｍとなるように本発明の接着剤組成物を塗布する。これらの中でも、特にロールコーターが、膜厚の均一性に優れ、かつ厚さの厚い膜を効率良く形成することができるため、好ましい。 When forming the adhesive layer on the support film, prepare an adhesive composition and use an applicator, bar coder, wire bar coder, roll coater, curtain flow coater, etc., and dry the film thickness on the support film. The adhesive composition of the present invention is applied so as to be 5 to 100 μm. Among these, a roll coater is particularly preferable because it is excellent in film thickness uniformity and can efficiently form a thick film.

保護フィルムとしては、フッ素樹脂をコーティングまたは焼き付けした厚さ１５〜１２５μｍ程度のポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルムおよびポリエチレンフィルムなどが好ましい。 As the protective film, a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, a polyethylene film and the like having a thickness of about 15 to 125 μm coated or baked with a fluororesin are preferable.

（接着フィルムの使用方法）
接着フィルムから保護フィルムを剥離し、露出した接着剤層をサポートプレートまたは半導体ウエハに重ねて、支持フィルム上から例えば加熱ローラを移動させることによって、接着剤層をサポートプレートまたは半導体ウエハの表面に熱圧着させる。 (How to use adhesive film)
The protective film is peeled off from the adhesive film, the exposed adhesive layer is overlaid on the support plate or semiconductor wafer, and the adhesive layer is heated on the surface of the support plate or semiconductor wafer by moving, for example, a heating roller from the support film. Crimp.

なお、接着フィルムから剥離した保護フィルムは、例えば、順次巻き取りローラによってロール状に巻き取って保存することによって再利用することが可能である。 In addition, the protective film peeled off from the adhesive film can be reused by, for example, sequentially winding and storing in a roll shape with a winding roller.

〔実施の形態３〕
実施の形態１に係る接着剤組成物からなる接着剤層を剥離する方法について、実施の形態３として以下に説明する。 [Embodiment 3]
A method for peeling the adhesive layer made of the adhesive composition according to Embodiment 1 will be described below as Embodiment 3.

上記接着剤組成物は、接着剤としての用途に用いるのであれば、その具体的な用途は特に限定されるものではない。本実施の形態では、ウエハサポートシステムにおいて、半導体ウエハをサポートプレートに一時的に接着する用途に用いた場合を例に挙げて説明する。また、本実施の形態では、熱によって皮膜を破壊することができるマイクロカプセルを用いた場合を例に挙げて説明する。 If the said adhesive composition is used for the use as an adhesive agent, the specific use will not be specifically limited. In the present embodiment, a case where the wafer support system is used for temporarily bonding a semiconductor wafer to a support plate will be described as an example. In this embodiment, a case where a microcapsule capable of breaking a film with heat is used will be described as an example.

本実施の形態では、まず、後で剥離する接着剤層を半導体ウエハ上に形成する方法を説明し、その後、該半導体ウエハから該接着剤層を剥離する方法について説明する。 In this embodiment, first, a method for forming an adhesive layer to be peeled later on a semiconductor wafer will be described, and then a method for peeling the adhesive layer from the semiconductor wafer will be described.

半導体ウエハ上に接着剤層を形成する方法は、以下の２つの工程を含んでいる；（１）接着剤組成物を塗布する工程；（２）塗布した接着剤組成物を乾燥させるためにプリベークする工程。 A method for forming an adhesive layer on a semiconductor wafer includes the following two steps: (1) a step of applying an adhesive composition; (2) pre-baking to dry the applied adhesive composition Process.

なお、半導体ウエハ上に接着剤層を形成する工程は、半導体ウエハに実施の形態２に記載の接着フィルムを貼着する工程であってもよい。 Note that the step of forming the adhesive layer on the semiconductor wafer may be a step of attaching the adhesive film described in Embodiment 2 to the semiconductor wafer.

また、半導体ウエハから接着剤層を剥離する方法は、以下の２つの工程を含んでいる；（ａ）半導体ウエハおよび接着剤層を１５０〜２００℃以上に加熱する工程；（ｂ）半導体ウエハと接着剤層との間に剥離液を浸透させる工程。 In addition, the method of peeling the adhesive layer from the semiconductor wafer includes the following two steps; (a) a step of heating the semiconductor wafer and the adhesive layer to 150 to 200 ° C. or higher; (b) a semiconductor wafer and A step of infiltrating the peeling solution between the adhesive layer.

（接着剤組成物を塗布する工程）
接着剤組成物を半導体ウエハの被処理面に塗布する方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法およびアプリケーター法などの方法を用いることができる。接着剤組成物を塗布するときに、上記の方法を用いると半導体ウエハの周縁部に一段高くなったビート部が形成される場合がある。ビート部が形成された場合には、接着剤組成物を乾燥させる工程に先立ってビート部を溶剤によって除去することが好ましい。 (Process of applying the adhesive composition)
As a method of applying the adhesive composition to the surface to be processed of the semiconductor wafer, methods such as a spin coating method, a slit coating method, a roll coating method, a screen printing method, and an applicator method can be used. When the adhesive composition is applied, if the above method is used, a beat portion that is raised by one step may be formed at the peripheral portion of the semiconductor wafer. When the beet portion is formed, it is preferable to remove the beet portion with a solvent prior to the step of drying the adhesive composition.

（半導体ウエハ上に接着剤層を形成する工程）
次に、接着剤組成物を乾燥させるためにプリベークし、塗布した接着剤組成物の流動性を低減させ、接着剤層を形成する。プリベークの温度は接着剤組成物中の各成分の種類、配合割合および接着剤層の膜厚によって異なるが、通常は、７０〜２００℃の範囲であることが好ましく、９０〜２００℃の範囲であることがより好ましい。また、プリベークの時間は３〜３０分程度であることが好ましい。 (Process for forming an adhesive layer on a semiconductor wafer)
Next, the adhesive composition is pre-baked to dry, the fluidity of the applied adhesive composition is reduced, and an adhesive layer is formed. The prebaking temperature varies depending on the type of each component in the adhesive composition, the blending ratio, and the film thickness of the adhesive layer, but is usually preferably in the range of 70 to 200 ° C, and in the range of 90 to 200 ° C. More preferably. The pre-bake time is preferably about 3 to 30 minutes.

接着剤層の厚さは半導体ウエハの表面に形成した回路の凹凸に応じて決定する。なお、接着剤層を厚くするために、接着剤組成物の塗布と乾燥とを複数回繰り返してもよい。また、プリベークすることによって接着剤層の膜厚の制御を容易にすることができる。 The thickness of the adhesive layer is determined according to the unevenness of the circuit formed on the surface of the semiconductor wafer. In addition, in order to thicken an adhesive bond layer, you may repeat application | coating and drying of an adhesive composition in multiple times. Moreover, the film thickness of the adhesive layer can be easily controlled by pre-baking.

なお、接着フィルムの貼着方法については、実施の形態２にて詳述したため、ここでは省略する。 In addition, since it stuck in detail in Embodiment 2 about the sticking method of an adhesive film, it abbreviate | omits here.

形成された接着剤層にサポートプレートを押し付けることによって、半導体ウエハをサポートプレートに接着することができる。 The semiconductor wafer can be bonded to the support plate by pressing the support plate against the formed adhesive layer.

（半導体ウエハおよび接着剤層を１５０〜２００℃に加熱する工程）
半導体ウエハを薄板化する研削工程を行った後、半導体ウエハをサポートプレートから剥離するために、半導体ウエハおよび接着剤層を１５０〜２００℃に加熱する。加熱するための方法としては、ホットプレートを用いることが好ましい。 (Step of heating the semiconductor wafer and the adhesive layer to 150 to 200 ° C.)
After performing the grinding process for thinning the semiconductor wafer, the semiconductor wafer and the adhesive layer are heated to 150 to 200 ° C. in order to peel the semiconductor wafer from the support plate. As a method for heating, it is preferable to use a hot plate.

１５０〜２００℃に加熱することによって、皮膜が破壊されるとともに接着剤層内においてマイクロカプセルから放出された芯物質が気化される。これによって、接着剤層の接着力を低減させるとともに半導体ウエハとサポートプレートとの間に隙間を生じさせることができる。 By heating to 150 to 200 ° C., the coating is destroyed and the core substance released from the microcapsules is vaporized in the adhesive layer. As a result, the adhesive force of the adhesive layer can be reduced and a gap can be generated between the semiconductor wafer and the support plate.

（剥離液を浸透させる工程）
接着剤層内において芯物質を気化させることにより生じた半導体ウエハとサポートプレートとの隙間に剥離液を浸透させることによって、容易に、かつ短時間に半導体ウエハからサポートプレートを剥離することができる。 (Process to penetrate the stripping solution)
The support plate can be peeled from the semiconductor wafer easily and in a short time by allowing the stripping solution to penetrate into the gap between the semiconductor wafer and the support plate generated by vaporizing the core substance in the adhesive layer.

半導体ウエハからサポートプレートを剥離するために用いる剥離液としては、上記接着剤組成物を希釈するのに用いられる有機溶剤、あるいは、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノールおよびブタノールなどの一価アルコール類、γ−ブチロラクトンなどの環状ラクトン類、ジエチルエーテルおよびアニソールなどのエーテル類、ならびにジメチルホルムアルデヒド、ジメチルアセトアルデヒドなどのアルデヒド類を使用することができる。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートおよびエチルラクテートを主成分とする剥離液が、環境負荷および剥離性の点において特に好ましい。 As a stripping solution used for stripping the support plate from the semiconductor wafer, an organic solvent used for diluting the adhesive composition, or monohydric alcohols such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol and butanol, γ -Cyclic lactones such as butyrolactone, ethers such as diethyl ether and anisole, and aldehydes such as dimethylformaldehyde and dimethylacetaldehyde can be used. A stripper mainly composed of propylene glycol monomethyl ether acetate and ethyl lactate is particularly preferable in terms of environmental load and strippability.

本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲にて種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims, and the technical means disclosed in different embodiments can be appropriately combined. Such embodiments are also included in the technical scope of the present invention.

以下に、本発明に係る接着剤組成物の実施例を示す。なお、以下に示す実施例は、本発明を好適に説明する例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではない。 Examples of the adhesive composition according to the present invention are shown below. In addition, the Example shown below is only the illustration which illustrates this invention suitably, and does not limit this invention at all.

（実施例１〜３）
還流冷却器、撹拌機、温度計、窒素導入管を備えた容量３００ｍｌの４つ口フラスコに、溶剤としてＰＧＭＥＡ９０ｇ、及び、下記表１に示すように、モノマー単量体としてフェノキシエチルアクリレート２０ｇ、メタクリル酸メチル１５ｇ、アクリル酸ｎ−ブチル１３ｇ、スチレン１２ｇを仕込み、Ｎ_２の吹き込みを開始した。攪拌をはじめることで重合を開始させ、攪拌しながら９０℃まで昇温した後、ＰＧＭＥＡ１３．３３ｇおよびスチレン４０ｇからなる混合溶と、ＰＧＭＥＡ１３．３３及び重合開始剤としてｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート０．６ｇからなる混合液とを滴下ノズルより、２時間かけて連続的に滴下した。滴下を通じて滴下速度は一定とした。 (Examples 1-3)
In a 300 ml four-necked flask equipped with a reflux condenser, a stirrer, a thermometer, and a nitrogen inlet tube, 90 g of PGMEA as a solvent, and 20 g of phenoxyethyl acrylate as a monomer monomer, as shown in Table 1 below, 15 g of methyl acid, 13 g of n-butyl acrylate, and 12 g of styrene were charged, and N ₂ blowing was started. The polymerization was started by starting the stirring, and the temperature was raised to 90 ° C. while stirring. Then, a mixed solution composed of 13.33 g of PGMEA and 40 g of styrene, 13.33 g of PGMEA and t-butylperoxy 2-ethyl as a polymerization initiator. A mixed solution composed of 0.6 g of hexanoate was continuously dropped from a dropping nozzle over 2 hours. The dropping speed was constant throughout the dropping.

滴下終了後に得られた重合反応液を、そのまま１時間、９０℃で熟成した後、ＰＧＭＥＡ８３．３４及びｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート０．３ｇからなる混合液を１時間かけて滴下した。その後、重合反応液を、さらにそのまま１時間、９０℃で熟成した後、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート１．０ｇを一括投入した。 The polymerization reaction liquid obtained after completion of the dropping was aged at 90 ° C. for 1 hour as it was, and then a liquid mixture consisting of 83.34 PGMEA and 0.3 g of t-butylperoxy 2-ethylhexanoate was added over 1 hour. It was dripped. Thereafter, the polymerization reaction solution was further aged for 1 hour at 90 ° C., and then 1.0 g of 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy 2-ethylhexanoate was added all at once.

次に、重合反応液を、そのまま３時間、９０℃で熟成した後、溶剤の還流が認められるまで重合反応液を昇温した後、１時間熟成し、重合を終了させた。 Next, the polymerization reaction solution was aged at 90 ° C. for 3 hours as it was, and then the polymerization reaction solution was heated until reflux of the solvent was observed, and then aged for 1 hour to complete the polymerization.

次に、表２に示すマイクロカプセル（株式会社日本カプセルプロダクツ社製）を、それぞれ得られたアクリル系ポリマーに対して２０重量％添加した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、接着剤組成物の固形分濃度が４０質量％となるように調整した。 Next, 20% by weight of microcapsules (manufactured by Nippon Capsule Products Co., Ltd.) shown in Table 2 was added to the obtained acrylic polymer. Then, it melt | dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate and adjusted so that solid content concentration of an adhesive composition might be 40 mass%.

（比較例１）
比較例１に係る接着剤組成物は、マイクロカプセルを添加しないこと以外は、実施例１と同様の方法で得た。 (Comparative Example 1)
The adhesive composition according to Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the microcapsules were not added.

（質量平均分子量の測定）
各接着剤組成物の質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準で求めた。 (Measurement of mass average molecular weight)
The mass average molecular weight of each adhesive composition was determined on a polystyrene conversion basis by gel permeation chromatography (GPC).

（接着強度の測定方法）
実施例１〜３および比較例１の各接着剤組成物を用いて、各接着剤組成物の剥離性を評価した。剥離性評価は、接着強度を測定することによって行った。接着強度の測定方法について以下に説明する。 (Measurement method of adhesive strength)
Using each adhesive composition of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, the peelability of each adhesive composition was evaluated. The peelability evaluation was performed by measuring the adhesive strength. A method for measuring the adhesive strength will be described below.

シリコンウエハ上に、実施例１〜３及び比較例１に係る接着剤組成物を塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させた。次に、サポートプレートを１５０℃で２分間、１ｋｇの加重で接着させた後、各温度環境下において当該サポートプレートを引っ張り、シリコンウエハから剥がれた時の接着強度を縦型電動計測スタンド「ＭＸ−５００Ｎ」（株式会社イマダ社製）を用いて算出した（単位「ｋｇ／ｃｍ^２」）。 After apply | coating the adhesive composition which concerns on Examples 1-3 and Comparative Example 1 on a silicon wafer, it was dried at 150 degreeC for 3 minutes. Next, after the support plate was bonded at 150 ° C. for 2 minutes under a load of 1 kg, the support plate was pulled under each temperature environment, and the adhesive strength when peeled off from the silicon wafer was measured for the vertical electric measurement stand “MX-”. 500N "(manufactured by Imada Co., Ltd.) (unit" kg / cm ² ").

（接着強度の測定および剥離性評価結果）
実施例１〜３および比較例１に係る接着剤組成物を２３℃、および１４０℃においての接着強度、および１４０℃においての剥離性評価の結果を表３に示した。また、本実施例における剥離性評価は、上述の方法を用いて算出した接着強度が、１ｋｇ／ｃｍ^２以下である場合を「○」、１ｋｇ／ｃｍ^２よりも大きい場合を「×」とした。 (Measurement of adhesive strength and peelability evaluation results)
Table 3 shows the adhesive strengths of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 at 23 ° C. and 140 ° C., and the results of peelability evaluation at 140 ° C. Further, in the peelability evaluation in this example, the case where the adhesive strength calculated using the above-mentioned method is 1 kg / cm ² or less is “◯”, and the case where it is larger than 1 kg / cm ² is “x”. .

表３に示すように、マイクロカプセル内の芯物質が気化することによって、高温時における接着剤組成物の接着強度を十分に低減することができることが示された。 As shown in Table 3, it was shown that the adhesive strength of the adhesive composition at a high temperature can be sufficiently reduced by vaporizing the core substance in the microcapsule.

本発明に係る接着剤組成物、接着フィルムおよび剥離方法を用いることによって、例えば、ウエハサポートシステムを用いたシリコン貫通電極付チップの製作を容易にすることができ、高性能ＳｉＰの実現を可能にすることができる。また今後、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）チップなどの幅広い分野にウエハサポートシステムが応用されるにおいて、併せて本発明の応用も期待することができる。 By using the adhesive composition, the adhesive film, and the peeling method according to the present invention, for example, it is possible to easily manufacture a chip with a silicon through electrode using a wafer support system, and to realize a high-performance SiP. can do. In the future, the wafer support system will be applied to a wide range of fields such as MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) chips, and the application of the present invention can also be expected.

Claims

An adhesive composition mainly composed of a polymer obtained by polymerizing a monomer composition,
A core substance that is vaporized by heat applied when the adhesive composition is peeled off from the adherend;
An adhesive composition comprising a microcapsule containing a core substance and comprising a film that is insoluble in the adhesive composition and is destroyed when a stimulus is applied.

The adhesive composition material according to claim 1, wherein the core material is a material that vaporizes in a range of 100 to 200 ° C.

The adhesive composition according to claim 1, wherein the film is destroyed by being heated to 100 ° C. or higher.

The adhesive composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the film is made of a melamine resin.

The monomer composition includes styrene, (meth) acrylic acid ester having a cyclic structure, and (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure. The adhesive composition according to any one of the above.

The adhesive composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the particle size of the microcapsule is in the range of 1 to 3 µm.

The adhesive composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the microcapsule is contained in an amount of 1 to 30% by mass with respect to the polymer.

An adhesive film comprising an adhesive layer containing the adhesive composition according to any one of claims 1 to 7 on the film.

The adhesive composition according to any one of claims 1 to 7 is applied to a substrate and pre-baked to dry the adhesive composition, or the adhesive film according to claim 8 is applied to a substrate. After forming the adhesive layer on the substrate by sticking, it is a peeling method for peeling the adhesive layer from the substrate,
The peeling method characterized by performing the peeling process which peels the said board | substrate and the said adhesive bond layer using a peeling liquid after the heating process which heats the said board | substrate and the said adhesive bond layer in the range of 150-200 degreeC.