JP2008133264A - スチルベン誘導体、およびスチルベン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】新規なスチルベン誘導体を提供することを目的とする。また、短波長の発光が可能な新規なスチルベン誘導体を提供することを目的とする。また、発光効率の高い発光素子を提供することを目的とする。また、短波長の発光が可能な発光素子を提供することを目的とする。また、これらの発光素子を用いることにより、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供することを目的とする。また、色再現性に優れた発光装置および電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（Ｇ１）で表されるスチルベン誘導体を提供する。また、一般式（Ｇ１）で表されるスチルベン誘導体は発光効率が高いため、発光素子に用いることにより、発光効率の高い発光素子を得ることができる。また、一般式（Ｇ１）で表されるスチルベン誘導体を発光素子に用いることにより、短波長の発光が可能な発光素子を得ることができる。

【選択図】なし

Description

本発明は、スチルベン誘導体、およびスチルベン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器に関する。

有機化合物は無機化合物に比べて、材料が多様であり、分子設計により様々な機能を有する材料を合成できる可能性がある。これらの利点から、近年、機能性有機材料を用いたフォトエレクトロニクスやエレクトロニクスに注目が集まっている。

例えば、有機化合物を機能性有機材料として用いたエレクトロニクスデバイスの例として、太陽電池や発光素子、有機トランジスタ等が挙げられる。これらは有機化合物の電気物性および光物性を利用したデバイスであり、特に発光素子はめざましい発展を見せている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が発光層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際に、光としてエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。

このような発光素子に関しては、その素子特性を向上させる上で、材料に依存した問題が多く、これらを克服するために素子構造の改良や材料開発等が行われている。

発光素子に用いられる材料として、スチルベン誘導体が挙げられる。

例えば、特許文献１では、スチルベン誘導体を蛍光性のドーパントとして使用した有機ＥＬ素子について記載している。

特許文献１に記載されているようにスチルベン誘導体は、発光素子に多く用いられている。しかしながら、発光素子を実用化するためには、さらに特性の優れた材料の開発が求められている。
国際公開第２０００／０３９２４７号パンフレット

上記問題を鑑み、本発明は、新規なスチルベン誘導体を提供することを目的とする。短波長の発光が可能な新規なスチルベン誘導体を提供することを目的とする。

また、発光効率が高い発光素子を提供することを目的とする。また、短波長の発光が可能な発光素子を提供することを目的とする。また、これらの発光素子を用いることにより、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供することを目的とする。また、色再現性に優れた発光装置および電子機器を提供することを目的とする。

本発明の一は、一般式（Ｇ１）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ２）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ３）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ４）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ５）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ６）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ｒ^４〜Ｒ^６のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ｒ^７〜Ｒ^９のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ７）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ８）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ９）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ１０）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ１１）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ｒ^１０〜Ｒ^１２のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ｒ^１３〜Ｒ^１５のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ１２）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ１３）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ１４）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、本発明の一は、一般式（Ｇ１５）で表されるスチルベン誘導体である。

（式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

上記構成において、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、同一の構造を有する置換基であることが好ましい。同一の構造を有することにより、同じ置換基を２当量反応させることで合成することができ、より容易に本発明のスチルベン誘導体を合成することができる。

また、本発明の一は、上述したスチルベン誘導体を用いた発光素子である。具体的には、一対の電極間に上述したスチルベン誘導体を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の一は、一対の電極間に発光層を有し、発光層は上述したスチルベン誘導体を有することを特徴とする発光素子である。特に、上述したスチルベン誘導体を発光物質として用いることが好ましい。つまり、上述したスチルベン誘導体が発光する構成とすることが好ましい。

また、上述したスチルベン誘導体は、白色発光素子に好適に用いることができる。よって、本発明の一は、一対の電極間に第１の発光層と第２の発光層を有し、第１の発光層は上述したスチルベン誘導体を有し、第２の発光層は上述したスチルベン誘導体の発光色の補色を発光する物質を含み、一対の電極間に電圧を印加することにより、白色発光が得られることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の発光装置は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層に、上記のスチルベン誘導体を含む発光素子と、発光素子の発光を制御する制御手段とを有することを特徴とする。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置を含む）を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

また、本発明の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。したがって、本発明の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御手段とを備えていることを特徴とする。

本発明のスチルベン誘導体は、効率よく発光する。したがって、本発明のスチルベン誘導体を、発光素子に用いることにより、発光効率の高い発光素子を得ることができる。また、本発明のスチルベン誘導体は、短波長の発光が可能である。よって、本発明のスチルベン誘導体を発光素子に用いることにより、短波長の発光が可能な発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体を用いることにより、消費電力の低減された発光装置および電子機器を得ることができる。また、色再現性に優れた発光装置および電子機器を得ることができる。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明のスチルベン誘導体について説明する。

本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチル基を有する。ｔｅｒｔ−ブチル基を有する本発明のスチルベン誘導体としては、一般式（Ｇ１）で表されるスチルベン誘導体が挙げられる。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

一般式（Ｇ１）で表されるスチルベン誘導体としては、一般式（Ｇ２）で表されるスチルベン誘導体が挙げられる。

（式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

一般式（Ｇ２）で表されるスチルベン誘導体のうち、一般式（Ｇ３）で表されるスチルベン誘導体であることが好ましい。

（式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、一般式（Ｇ１）で表されるスチルベン誘導体としては、一般式（Ｇ４）で表されるスチルベン誘導体が挙げられる。

（式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

一般式（Ｇ４）で表されるスチルベン誘導体のうち、一般式（Ｇ５）で表されるスチルベン誘導体であることが好ましい。

（式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、ｔｅｒｔ−ブチル基を有する本発明のスチルベン誘導体としては、一般式（Ｇ６）で表されるスチルベン誘導体が挙げられる。

（式中、Ｒ^４〜Ｒ^６のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ｒ^７〜Ｒ^９のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

一般式（Ｇ６）で表されるスチルベン誘導体としては、一般式（Ｇ７）で表されるスチルベン誘導体が挙げられる。

（式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

一般式（Ｇ７）で表されるスチルベン誘導体のうち、一般式（Ｇ８）で表されるスチルベン誘導体であることが好ましい。

（式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、一般式（Ｇ６）で表されるスチルベン誘導体としては、一般式（Ｇ９）で表されるスチルベン誘導体が挙げられる。

（式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

一般式（Ｇ９）で表されるスチルベン誘導体のうち、一般式（Ｇ１０）で表されるスチルベン誘導体であることが好ましい。

（式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、ｔｅｒｔ−ブチル基を有する本発明のスチルベン誘導体としては、一般式（Ｇ１１）で表されるスチルベン誘導体が挙げられる。

（式中、Ｒ^１０〜Ｒ^１２のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ｒ^１３〜Ｒ^１５のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

一般式（Ｇ１１）で表されるスチルベン誘導体としては、一般式（Ｇ１２）で表されるスチルベン誘導体が挙げられる。

（式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

一般式（Ｇ１２）で表されるスチルベン誘導体のうち、一般式（Ｇ１３）で表されるスチルベン誘導体であることが好ましい。

（式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

また、一般式（Ｇ１１）で表されるスチルベン誘導体としては、一般式（Ｇ１４）で表されるスチルベン誘導体が挙げられる。

（式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

一般式（Ｇ１４）で表されるスチルベン誘導体のうち、一般式（Ｇ１５）で表されるスチルベン誘導体であることが好ましい。

（式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）

なお、一般式（Ｇ１１）〜一般式（Ｇ１５）において、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、同一の構造を有する置換基であることが好ましい。同一の構造を有する場合、同じ置換基を２当量反応させることで合成することができるため、より容易に本発明のスチルベン誘導体を合成することができる。

炭素数６〜２５のアリール基としては、例えば、構造式（２１−１）〜構造式（２１−９）で表される置換基が挙げられる。

一般式（Ｇ１）〜一般式（Ｇ１１）で表されるスチルベン誘導体の具体例としては、構造式（１）〜構造式（１４４）で表されるスチルベン誘導体を挙げることができる。但し、本発明はこれらに限定されない。

本発明のスチルベン誘導体の合成方法としては、種々の反応の適用が可能である。例えば、下記に示す合成反応を行うことによって合成することができる。

≪一般式（Ｇ１）の合成方法≫
以下では、下記一般式（Ｇ１）で表される本発明のスチルベン誘導体の合成方法の一例を開示する。

一般式（Ｇ１）において、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。

［ステップ１；ハロゲン化されたスチルベン誘導体（Ｓｔ１−１）の合成］
まず、下記合成スキーム（Ａ）に示すように、ハロゲン化されたベンジルのトリフェニルホスホニウム塩（α１）とベンズアルデヒド誘導体（β１）とを塩基存在下にて反応させる、いわゆるウィティッヒ（Ｗｉｔｔｉｇ）反応により、ハロゲン化されたスチルベン誘導体（Ｓｔ１−１）を得る。このスチルベン誘導体（Ｓｔ１−１）は、合成スキーム（Ａ’）に示すように、トリフェニルホスホニウム塩（α１）に換えてホスホン酸エステル（α２）を用いるホルナー−エモンズ（Ｈｏｒｎｅｒ−Ｅｍｍｏｎｓ）反応によっても得ることができる。なお、Ｘ^１、Ｘ^２はハロゲン元素を表し、臭素またはヨウ素が好ましく、臭素がなお好ましい。また、Ｒ^０はアルキル基を表す。

また、スチルベン誘導体（Ｓｔ１−１）は、下記合成スキーム（Ａ’’）に示すように、無置換または３，４，５位の少なくとも１つが置換されたベンジルのトリフェニルホスホニウム塩（α３）と４位がハロゲン化されたベンズアルデヒド（β２）とを塩基存在下にて反応させる、いわゆるウィティッヒ（Ｗｉｔｔｉｇ）反応により得ることもできる。あるいは、合成スキーム（Ａ’’’）に示すように、トリフェニルホスホニウム塩（α３）に換えてホスホン酸エステル（α４）を用いるホルナー−エモンズ（Ｈｏｒｎｅｒ−Ｅｍｍｏｎｓ）反応によっても得ることができる。

［ステップ２；一般式（Ｇ１）で表される本発明のスチルベン誘導体の合成］
次いで、下記合成スキーム（Ｂ）に示すように、ステップ１で得たスチルベン誘導体（Ｓｔ１−１）とジアリールアミンとを、塩基存在下にて、金属触媒、金属化合物、または金属などを用いてカップリングすることにより、一般式（Ｇ１）で表される本発明のスチルベン誘導体を得ることができる。なお、カップリング時の金属触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）などのパラジウム触媒を用いることができる。また、金属化合物としては一価の銅化合物などを用いることができる。また、金属としては銅などを用いることができる。塩基としては、炭酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基や、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドのような金属アルコキシドに代表される有機塩基などを用いることができる。

≪一般式（Ｇ６）の合成方法≫
以下では、下記一般式（Ｇ６）で表される本発明のスチルベン誘導体の合成方法の一例を開示する。

一般式（Ｇ６）において、Ｒ^４〜Ｒ^６のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ｒ^７〜Ｒ^９のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。

［ステップ１；スチリルアミン誘導体（Ｓａ１）の合成］
まず、下記合成スキーム（Ｃ）に示すように、上述のスキーム（Ａ）、（Ａ’）、（Ａ’’）または（Ａ’’’）に従って合成されるスチルベン誘導体（Ｓｔ１−２）と、アリールアミンとを、塩基存在下にて、金属触媒、金属化合物、または金属などを用いてカップリングすることにより、スチリルアミン誘導体（Ｓａ−１）を得る。カップリング時の金属触媒、金属化合物、金属、塩基としては、先に述べたものと同様のものを用いることができる。なお、Ｘ^１はハロゲン元素を表し、臭素またはヨウ素が好ましく、臭素がなお好ましい。

［ステップ２；一般式（Ｇ６）で表される本発明のスチルベン誘導体の合成］
次いで、下記合成スキーム（Ｄ）に示すように、ステップ１で得たスチリルアミン誘導体（Ｓａ−１）と、上述のスキーム（Ａ）、（Ａ’）、（Ａ’’）または（Ａ’’’）に従って合成されるスチルベン誘導体（Ｓｔ１−３）とを、塩基存在下にて、金属触媒、金属化合物、または金属などを用いてカップリングすることにより、一般式（Ｇ６）で表される本発明のスチルベン誘導体を得ることができる。カップリング時の金属触媒、金属化合物、金属、塩基としては、先に述べたものと同様のものを用いることができる。

≪一般式（Ｇ１１）の合成方法≫
以下では、下記一般式（Ｇ１１）で表される本発明のスチルベン誘導体の合成方法の一例を開示する。

一般式（Ｇ１１）において、Ｒ^１０〜Ｒ^１２のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ｒ^１３〜Ｒ^１５のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。

［ステップ１；ジハロゲン化されたスチルベン誘導体（Ｓｔ２）の合成］
まず、下記合成スキーム（Ｅ）に示すように、ハロゲン化されたベンジルのトリフェニルホスホニウム塩（α５）とハロゲン化されたベンズアルデヒド（β３）とを塩基存在下にて反応させる、いわゆるウィティッヒ（Ｗｉｔｔｉｇ）反応により、ジハロゲン化されたスチルベン誘導体（Ｓｔ２）を得る。あるいは、合成スキーム（Ｅ’）に示すように、トリフェニルホスホニウム塩（α５）に換えてホスホン酸エステル（α６）を用いるホルナー−エモンズ（Ｈｏｒｎｅｒ−Ｅｍｍｏｎｓ）反応によっても得ることができる。なお、Ｘ^１〜Ｘ^３はハロゲン元素を表し、臭素またはヨウ素が好ましく、臭素がなお好ましい。

［ステップ２；一般式（Ｇ１１）で表される本発明のスチルベン誘導体の合成］
次いで、下記合成スキーム（Ｆ）に示すように、ジハロゲン化されたスチルベン誘導体（Ｓｔ２）に、上述のスキーム（Ｃ）に従って合成されるスチリルアミン誘導体（Ｓａ−２）および（Ｓａ−３）を、塩基存在下にて、金属触媒、金属化合物、または金属などを用いて順次カップリングすることにより、一般式（Ｇ１１）で表される本発明のスチルベン誘導体を得ることができる。カップリング時の金属触媒、金属化合物、金属、塩基としては、先に述べたものと同様のものを用いることができる。

なお、スキーム（Ｆ）において、スチリルアミン誘導体（Ｓａ−２）と（Ｓａ−３）が同一の化合物である場合、スキーム（Ｆ）のように２段階のカップリング反応を行う必要はなく、そのスチリルアミン誘導体２当量とスチルベン誘導体（Ｓｔ２）とをカップリングさせることにより、一般式（Ｇ１１）で表される本発明のスチルベン誘導体を得ることができる。よって、より容易に本発明のスチルベン誘導体を合成することができる。

なお、本発明のスチルベン誘導体の合成方法は、上記の方法に限らず、種々の方法を用いて合成することが可能である。

本発明のスチルベン誘導体は、効率良く可視光を発光する。特に、短波長の青色〜水色について効率の良い発光が得られる。よって、発光素子に好適に用いることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、酸化還元反応を繰り返しても安定である。よって、本発明のスチルベン誘導体を発光素子に用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、効率良く可視光を発光する。よって、発光素子に用いることにより、高効率の発光が可能な発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、効率良く可視光を発光するため、消費電力の低減された発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチル基を有しているため、ｔｅｒｔ−ブチル基を有していないものよりも発光スペクトルのピークが短波長シフトしている。よって、ＣＩＥ色度座標において、ｙ座標の値が小さくなる。よって、本発明のスチルベン誘導体を用いた発光素子をディスプレイとして用いる場合、ＮＴＳＣ比を大きくすることが可能である。よって、色再現性に優れたディスプレイを提供することができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチル基を有しているため、薄膜状態での分子間の相互作用が小さい。よって、薄膜状態の発光スペクトルのピークと、溶液中での発光スペクトルのピークの差が小さい。つまり、長波長シフトが小さい。よって、溶液中での発光スペクトルから発光素子に用いた場合の発光色を予測しやすく、発光素子に好適に用いることができる。

（実施の形態２）
本発明のスチルベン誘導体を用いた発光素子の一態様について図１（Ａ）を用いて以下に説明する。

本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。

本形態において、発光素子は、第１の電極１０２と、第２の電極１０４と、第１の電極１０２と第２の電極との間に設けられたＥＬ層１０３とから構成されている。なお、本形態では第１の電極１０２は陽極として機能し、第２の電極１０４は陰極として機能するものとして、以下説明をする。つまり、第１の電極１０２の方が第２の電極１０４よりも電位が高くなるように、第１の電極１０２と第２の電極１０４に電圧を印加したときに、発光が得られるものとして、以下説明をする。

基板１０１は発光素子の支持体として用いられる。基板１０１としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

第１の電極１０２としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

ＥＬ層１０３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等から成る層と、本実施の形態で示す発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態では、ＥＬ層１０３は、第１の電極１０２の上に順に積層した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。

正孔注入層１１１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層１１１を形成することができる。

また、正孔注入層１１１として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第１の電極１０２として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることができる。アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。

例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

正孔輸送層１１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

発光層１１３は、発光性物質を含む層である。本実施の形態では、発光層１１３は実施の形態１で示した本発明のスチルベン誘導体を含む。本発明のスチルベン誘導体は、可視光の発光を示すため、発光性物質として発光素子に好適に用いることができる。
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を用いることができる。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

第２の電極１０４を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第２の電極１０４と電子輸送層との間に、電子注入を促す機能を有する層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第２の電極１０４として用いることができる。

なお、電子注入を促す機能を有する層としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。また、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第２の電極１０４からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。

また、ＥＬ層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。

以上のような構成を有する本発明の発光素子は、第１の電極１０２と第２の電極１０４との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層１１３において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層１１３に発光領域が形成されるような構成となっている。

発光は、第１の電極１０２または第２の電極１０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０２または第２の電極１０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第１の電極１０２のみが透光性を有する電極である場合、図１（Ａ）に示すように、発光は第１の電極１０２を通って基板側から取り出される。また、第２の電極１０４のみが透光性を有する電極である場合、図１（Ｂ）に示すように、発光は第２の電極１０４を通って基板と逆側から取り出される。第１の電極１０２および第２の電極１０４がいずれも透光性を有する電極である場合、図１（Ｃ）に示すように、発光は第１の電極１０２および第２の電極１０４を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。

なお第１の電極１０２と第２の電極１０４との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第１の電極１０２および第２の電極１０４から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば、上記以外のものでもよい。

つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質、正孔ブロック材料等から成る層を、本発明のスチルベン誘導体と自由に組み合わせて構成すればよい。

図２に示す発光素子は、基板３０１上に、陰極として機能する第１の電極３０２、第１の電極３０２上に、ＥＬ層３０３（電子輸送層３１１、発光層３１２、正孔輸送層３１３、正孔注入層３１４）、陽極として機能する第２の電極３０４とが順に積層された構成となっている。

本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、ＴＦＴと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、ＴＦＴによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。スタガ型のＴＦＴでもよいし逆スタガ型のＴＦＴでもよい。また、ＴＦＴに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、若しくはＮ型またはＰ型のいずれか一方からのみなるものであってもよい。

本発明のスチルベン誘導体は、可視光の発光を示すため、本実施の形態に示すように、他の発光性物質を含有させることなく発光層として用いることが可能である。

また、本発明のスチルベン誘導体は、効率良く可視光を発光する。よって、発光素子に用いることにより、高効率の発光が可能な発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、効率良く可視光を発光するため、消費電力の低減された発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、酸化還元反応を繰り返しても安定である。よって、本発明のスチルベン誘導体を発光素子に用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチル基を有しているため、薄膜状態での分子間の相互作用が小さい。よって、薄膜状態の発光スペクトルのピークと、溶液中での発光スペクトルのピークの差が小さい。つまり、長波長シフトが小さい。よって、溶液中での発光スペクトルから発光素子に用いた場合の発光色を予測しやすく、発光素子に好適に用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。

実施の形態２で示した発光層１１３を、本発明のスチルベン誘導体を他の物質に分散させた構成とすることで、本発明のスチルベン誘導体からの発光を得ることができる。本発明のスチルベン誘導体は可視光の発光を示すため、可視光の発光を示す発光素子を得ることができる。

ここで、本発明のスチルベン誘導体を分散させる物質としては、種々の材料を用いることができ、例えば、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢｉ）等を用いることができる。

本発明のスチルベン誘導体は、効率良く可視光を発光する。よって、発光素子に用いることにより、高効率の発光が可能な発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、効率良く可視光を発光するため、消費電力の低減された発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、酸化還元反応を繰り返しても安定である。よって、本発明のスチルベン誘導体を発光素子に用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチル基を有しているため、薄膜状態での分子間の相互作用が小さい。よって、薄膜状態の発光スペクトルのピークと、溶液中での発光スペクトルのピークの差が小さい。つまり、長波長シフトが小さい。よって、溶液中での発光スペクトルから発光素子に用いた場合の発光色を予測しやすく、発光素子に好適に用いることができる。

なお、発光層１１３以外は、実施の形態２に示した構成を適宜用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態２および実施の形態３で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。

実施の形態２で示した発光層１１３を、本発明のスチルベン誘導体に発光性の物質を分散させた構成とすることで、発光性の物質からの発光を得ることができる。

本発明のスチルベン誘導体を他の発光性物質を分散させる材料として用いる場合、発光性物質に起因した発光色を得ることができる。また、本発明のスチルベン誘導体に起因した発光色と、スチルベン誘導体中に分散されている発光性物質に起因した発光色との混色の発光色を得ることもできる。

ここで、本発明のスチルベン誘導体に分散させる発光性物質としては、種々の材料を用いることができる。具体的には、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ジュロリジン−４−イル−ビニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、ルブレンなどの蛍光を発光する蛍光発光性物質を用いることができる。また、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）などの燐光を発光する燐光発光性物質を用いることができる。

なお、発光層１１３以外は、実施の形態２に示した構成を適宜用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態２〜実施の形態３で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。

本発明のスチルベン誘導体は、正孔輸送性に有する。よって、陽極と発光層との間に本発明のスチルベン誘導体を含む層を用いることができる。具体的には、実施の形態２で示した正孔注入層１１１や正孔輸送層１１２に用いることができる。

また、第１の層に本発明のスチルベン誘導体を用いる場合には、本発明のスチルベン誘導体と、本発明のスチルベン誘導体に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料として用いることが好ましい。複合材料とすることにより、キャリア密度が増大するため、正孔注入性、正孔輸送性が向上する。また、正孔注入層１１１として用いる場合、第１の電極１０２とオーム接触をすることが可能となり、仕事関数に関わらず第１の電極を形成する材料を選ぶことができる。

複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属の酸化物であることが好ましい。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態６）
本実施の形態では、複数の発光層を有する発光素子について、図３８を用いて説明する。複数の発光層を設け、それぞれの発光層からの発光を混合することで、例えば白色光を得ることができる。

図３８において、第１の電極１０２と第２の電極１０４との間には第１の発光層１２１と第２の発光層１２２とを有する。第１の発光層１２１と第２の発光層１２２との間には、間隔層１３１を設けることが好ましい。

第２の電極１０４の電位よりも第１の電極１０２の電位が高くなるように電圧を印加すると、第１の電極１０２と第２の電極１０４との間に電流が流れ、第１の発光層１２１、第２の発光層１２２または間隔層１３１において正孔と電子とが再結合する。なお、間隔層１３１での再結合によって生じた励起エネルギーは、間隔層１３１から第１の発光層１２１と第２の発光層１２２のそれぞれに移り、第１の発光層１２１に含まれた第１の発光物質と第２の発光層１２２に含まれた第２の発光物質を励起状態にする。そして、励起状態になった第１の発光物質と第２の発光物質とは、それぞれ基底状態に戻るときに発光する。このようにして得られる第１の発光層１２１からの発光色と第２の発光層１２２からの発光色は、第１の電極１０２と第２の電極１０４とのいずれか一もしくは両方を通って外部に射出される。

上記構成において、第１の発光層１２１から得られる発光色と第２の発光層１２２から得られる発光色が補色の関係にある場合、外部へ取り出される光は白色発光となる。

第１の発光層１２１もしくは第２の発光層１２２の一方には、本発明のスチルベン誘導体からなる層、もしくは本発明のスチルベン誘導体が該スチルベン誘導体のエネルギーギャップよりも大きなエネルギーギャップを有する物質に分散した状態で含まれている層を用いることができる。

また、他方の発光層には、本発明のスチルベン誘導体の発光色と補色の関係を有する発光色を示す発光物質を用いることができる。例えば、（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））のような橙色発光を示す物質を発光物質として用いることができる。発光物質としては、蛍光発光物質でもよいし、燐光性発光物質のどちらも用いることができる。なお、第２の発光層１２２においても、発光物質からなる層もしくは発光物質が該発光物質のエネルギーギャップよりも大きなエネルギーギャップを有する物質に分散した状態で含まれている層を用いて形成すれば良い。このような構成にすることで白色発光素子を得ることができる。

また、間隔層１３１は、第１の発光層１２１、第２の発光層１２２または間隔層１３１において再結合により発生したエネルギーが第１の発光層１２１と第２の発光層１２２の両方に移動できると共に、第１の発光層１２１と第２の発光層１２２のいずれか一方のみにエネルギーが移動しないように阻止するための機能を有するように形成されていることが好ましい。具体的には、間隔層１３１は、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）、ＮＰＢ、ＣＢＰ、ＴＣＴＡ、ＢＡｌｑ、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）等を用いて形成することができる。このように、間隔層１３１を設けることで、第１の発光層１２１と第２の発光層１２２のいずれか一方のみの発光強度が強くなってしまい、白色発光が得られなくなるという不具合を防ぐことができる。

また、図３８に示すように、第１の発光層１２１と第１の電極１０２との間には、正孔輸送層１１２や正孔注入層１１１が設けられていてもよい。また、第２の発光層１２２と第２の電極１０４との間には、電子輸送層１１４や電子注入層が設けられていてもよい。なお、これらの層を形成する物質は、実施の形態２に記載したものを用いることができる。

本形態では、図３８のように二層の発光層が設けられた発光素子について記載しているが、発光層の層数は二層に限定されるものではなく、例えば三層であってもよい。そして、それぞれの発光層からの発光を組み合わせて、白色として視認されるようにすればよい。

なお、本発明のスチルベン誘導体は、短波長の発光が可能であるため、補色の関係にある色の発光を一種の物質で実現可能である。例えば、緑色の補色は赤紫であり、青と赤の混色となるので、一種の物質で緑色の補色である赤紫色の発光色を実現することが困難である。一方、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチルを有するため、発光波長が短波長であり、補色の発光（例えば、黄色や橙色）を一種の物質で得ることができ、白色発光素子に好適に用いることができる。

なお、本実施形態では、発光層のみからの発光が得られる発光素子の構造を示したが、他の機能層（例えば電子輸送層や正孔輸送層）からの発光が得られるように設計しても良い。例えば電子輸送層や正孔輸送層にドーパントを添加することにより、輸送層からの発光も得ることができる。発光層と輸送層に用いる発光材料の発光波長が異なれば、それらの発光波長が重なり合ったスペクトルの発光が得られる。そのため、発光層の発光色と輸送層の発光色が互いに補色の関係であれば、白色の発光を得ることができる。

なお、本実施の形態は白色の場合に限らず、所望の発光色を得るための発光素子にも適用が可能である。

（実施の形態７）
本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子（以下、積層型素子という）の態様について、図３を参照して説明する。この発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、複数の発光ユニットを有する積層型発光素子である。各発光ユニットの構成としては、実施の形態２〜実施の形態６で示した構成と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態２〜実施の形態６で示した発光素子は、１つの発光ユニットを有する発光素子である。本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子について説明する。

図３において、第１の電極５０１と第２の電極５０２との間には、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２が積層されている。第１の電極５０１と第２の電極５０２は実施の形態２と同様なものを適用することができる。また、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態２〜実施の形態６と同様なものを適用することができる。

例えば、第１の発光ユニットに本発明のスチルベン誘導体を発光物質として用い、第２の発光ユニットに、本発明のスチルベン誘導体の発光色とは補色の発光色を示す発光物質を用いることで、白色発光素子を得ることができる。本発明のスチルベン誘導体は、短波長の発光が可能であるため、補色の関係にある色の発光を一種の物質で実現可能である。例えば、緑色の補色は赤紫であり、青と赤の混色となるので、一種の物質で緑色の補色である赤紫色の発光色を実現することが困難である。一方、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチルを有するため、発光波長が短波長であり、補色の発光（例えば、黄色や橙色）を一種の物質で得ることができ、白色発光素子に好適に用いることができる。

なお、本実施の形態は白色の場合に限らず、所望の発光色を得るための発光素子にも適用が可能である。

電荷発生層５１３には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態２または実施の形態５で示した複合材料であり、有機化合物とバナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。

なお、電荷発生層５１３は、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。

いずれにしても、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２に挟まれる電荷発生層５１３は、第１の電極５０１と第２の電極５０２に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。

本実施の形態では、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明のスチルベン誘導体を用いて作製された発光装置について説明する。

本実施の形態では、本発明のスチルベン誘導体を用いて作製された発光装置について図４を用いて説明する。なお、図４（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース側駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート側駆動回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。

なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図４（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。

なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、画素部を形成した基板と同一基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を同一基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。

また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。

第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、または珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。

また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６は、実施の形態１で示した本発明のスチルベン誘導体を含んでいる。また、ＥＬ層６１６を構成する他の材料としては、低分子化合物、オリゴマー、デンドリマー、または高分子化合物であっても良い。

さらに、ＥＬ層６１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＬｉＦ、ＣａＦ_２等）を用いることが好ましい。なお、ＥＬ層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される場合もある。

なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本発明のスチルベン誘導体を用いて作製された発光装置を得ることができる。

本発明の発光装置は、実施の形態１で示したスチルベン誘導体を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、高効率の発光が可能な発光装置を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、発光効率が高いため、低消費電力の発光装置を得ることができる。また、高輝度の発光が可能な発光装置を得ることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチル基を有しているため、ｔｅｒｔ−ブチル基を有していないものよりも発光スペクトルのピークが短波長シフトしている。よって、ＣＩＥ色度座標において、ｙ座標の値が小さくなる。よって、本発明のスチルベン誘導体を用いた発光素子をディスプレイとして用いる場合、ＮＴＳＣ比を大きくすることが可能である。よって、色再現性に優れたディスプレイを提供することができる。

以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図５には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図を示す。図５において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間にはＥＬ層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。パッシブマトリクス型の発光装置においても、本発明の発光素子を含むことによって、発光効率の高い発光装置を得ることができる。また、低消費電力の発光装置を得ることができる。また、色再現席に優れた発光装置を得ることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、実施の形態８に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、実施の形態１に示したスチルベン誘導体を含み、色再現性に優れた表示部を有する。また、消費電力の低減された表示部を有する。

本発明のスチルベン誘導体を用いて作製された発光素子を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図６に示す。

図６（Ａ）は本発明に係るテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置において、表示部９１０３は、実施の形態２〜実施の形態７で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、色再現性に優れているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９１０３も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は、高輝度の発光が可能であり、低消費電力化が図られている。本発明に係るテレビ装置は、低消費電力、高画質化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。

図６（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３は、実施の形態２〜実施の形態７で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、色再現性に優れているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９２０３も同様の特徴を有するため、高輝度の発光が可能であり、低消費電力化が図られている。本発明に係るコンピュータは、低消費電力、高画質化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。

図６（Ｃ）は本発明に係る携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７、アンテナ９４０８等を含む。この携帯電話において、表示部９４０３は、実施の形態２〜実施の形態７で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、色再現性に優れているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９４０３も同様の特徴を有するため、高輝度の発光が可能であり、低消費電力化が図られている。本発明に係る携帯電話は、低消費電力、高画質化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。

図６（Ｄ）は本発明の係るカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラにおいて、表示部９５０２は、実施の形態２〜実施の形態７で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、色再現性に優れているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９５０２も同様の特徴を有するため、高輝度の発光が可能であり、低消費電力化が図られている。本発明に係るカメラは、低消費電力、高画質化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。

以上の様に、本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明のスチルベン誘導体を用いることにより、発光効率が高く、消費電力の低減された表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。また、色再現性に優れた表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。

また、本発明の発光装置は、照明装置として用いることもできる。本発明のスチルベン誘導体は、短波長の発光が可能であるため、補色の関係にある色の発光を実現するためには、一種の物質で可能である。例えば、緑色の補色は赤紫であり、青と赤の混色となるので、一種の物質で赤紫色の発光色を実現することが困難である。一方、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチルを有するため、発光波長が短波長であり、補色の発光を一種の物質で得ることができ、白色発光素子に好適に用いることができる。よって、本発明のスチルベン誘導体は照明装置に好適に用いることができる。本発明の発光素子を照明装置として用いる一態様を、図７を用いて説明する。

図７は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図７に示した液晶表示装置は、筐体９０１、液晶層９０２、バックライト９０３、筐体９０４を有し、液晶層９０２は、ドライバＩＣ９０５と接続されている。また、バックライト９０３は、本発明の発光装置が用いられおり、端子９０６により、電流が供給されている。

本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、発光効率が高く、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。また、本発明の発光装置は高輝度の発光が可能であるため、本発明の発光装置を用いた液晶表示装置も高輝度の発光が可能である。

図８は、本発明を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図８に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２として、本発明の発光装置が用いられている。本発明の発光装置は、発光効率が高く、低消費電力であるため、電気スタンドも発光効率が高く、低消費電力である。

図９は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた例である。本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の発光装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた部屋に、図６（Ａ）で説明したような、本発明に係るテレビ装置３００２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は低消費電力であるので、電気料金を心配せずに、明るい部屋で迫力のある映像を鑑賞することができる。

本実施例では、下記構造式（１）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＢＰＡＴＢＳ）の合成法を具体的に例示する。

［ステップ１］４−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミドの合成
４−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミドの合成方法について説明する。４−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミドの合成スキームを（Ｂ−１）に示す。

４−ブロモベンジルブロミド２５．３６ｇ（１０１．５ｍｍｏｌ）、アセトン１００ｍＬを２００ｍＬ三角フラスコに入れ、トリフェニルホスフィン２９．２８ｇ（１１１．６ｍｍｏｌ）を加えて室温で一日撹拌した。反応後、析出物をろ過し、目的物である４−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミドの白色粉末を５０ｇ収率９６％で得た。

［ステップ２］（Ｅ）−４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベンの合成
（Ｅ）−４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベンの合成方法について説明する。（Ｅ）−４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベンの合成スキームを（Ｂ−２）に示す。

実施例１のステップ１で合成した４−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミド１５ｇ（２９．２８ｍｍｏｌ）、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアルデヒド７．１２ｇ（４３．９２ｍｍｏｌ）を５００ｍＬ三口フラスコに入れ窒素置換をし、ＴＨＦ１５０ｍＬを入れ、ＴＨＦ５０ｍＬに溶かしたｔｅｒｔ−ブトキシカリウム３．９４ｇ（３５．１４ｍｍｏｌ）を氷水で冷やしながら滴下して加えて室温で１晩撹拌した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層を酢酸エチルで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し、メタノールで洗浄後、析出物をろ過し、目的物である（Ｅ）−４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベンの白色固体を３．３０ｇ収率３５％で得た。

［ステップ３］（ビフェニル−４−イル）フェニルアミンの合成
（ビフェニル−４−イル）フェニルアミンの合成方法について説明する。（ビフェニル−４−イル）フェニルアミンの合成スキームを（Ｂ−３）に示す。

４−ブロモビフェニル４０ｇ（１７１．５９ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム１．００ｇ（１．７２ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム４１．２２ｇ（４２８．９８ｍｍｏｌ）を１Ｌ四口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにトルエン３００ｍＬ、アニリン１８．８ｍＬ（２０５．９１ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０％ヘキサン溶液）５．９ ｇ（２．９２ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で２時間加熱した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し得られた物をろ過、濃縮し得られた物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）により精製し、トルエン、ヘキサンにより再結晶したところ目的物である（ビフェニル−４−イル）フェニルアミンの白色固体を３３．４２ｇ収率７９％で得た

［ステップ４］（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベンの合成
（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベンの合成方法について説明する。（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベンの合成スキームを（Ｂ−４）に示す。

実施例１のステップ２で合成した（Ｅ）−４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン２．７５ｇ（８．７２ｍｍｏｌ）、実施例１のステップ３で合成した（ビフェニル−４−イル）フェニルアミン２．１４ｇ（８．７２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２０ｇ（０．０８７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．６２ｇ（２６．１７ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにキシレン４０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０％ヘキサン溶液）０．５３ｇ（０．１０８ｍｍｏｌ）を加えて１２０℃で１０時間加熱した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し得られた物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）により精製し、メタノールにより再結晶したところ目的物の淡黄色固体を２．４２ｇ収率５８％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＢＰＡＴＢＳ）であることを確認した。

ＢＰＡＴＢＳのプロトン核磁気共鳴分光法（^１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果は以下のとおりであった。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝１．３３（ｓ，９Ｈ），７．０１−７．１８（ｍ，８Ｈ），７．２８−７．３０（ｍ，２Ｈ），７．３３−７．５０（ｍ，１２Ｈ），７．５７−７．５９（ｍ，２Ｈ）。また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す。なお、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）における６．０ｐｐｍ〜８．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

ＢＰＡＴＢＳの熱重量測定−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を行った。測定には示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子工業株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）を用い、窒素雰囲気下、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で熱物性を評価した。その結果、重量と温度の関係（熱重量測定）から、常圧下で、測定開始時における重量に対し９５％以下の重量になる温度は、３２９℃であり、高い耐熱性を示した。

また、ＢＰＡＴＢＳのジクロロメタン溶液の吸収スペクトルおよびＢＰＡＴＢＳの薄膜の吸収スペクトルを図１１に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図１１に示した。図１１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。ジクロロメタン溶液の場合では３７４ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では３７６ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＢＰＡＴＢＳのジクロロメタン溶液（励起波長３７２ｎｍ）の発光スペクトルおよびＢＰＡＴＢＳの薄膜（励起波長３８０ｎｍ）の発光スペクトルを図１２に示す。図１２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はジクロロメタン溶液の場合では４５２ｎｍ（励起波長３７２ｎｍ）、薄膜の場合で４４０ｎｍ（励起波長３８０ｎｍ）であった。

また、ＢＰＡＴＢＳの薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルを大気中の光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、５．４６ｅＶであった。その結果、ＨＯＭＯ準位が−５．４６ｅＶであることがわかった。さらに、図１１のＢＰＡＴＢＳの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは２．９９ｅＶであった。得られたエネルギーギャップの値とＨＯＭＯ準位からＬＵＭＯ準位を求めたところ、−２．４７ｅＶであった。

また、ＢＰＡＴＢＳの電気化学的安定性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）により評価した。測定装置は、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）を１００ｍＭの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象であるＢＰＡＴＢＳを１ｍＭの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、基準電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。スキャン速度は０．１Ｖ／ｓｅｃとし、酸化側、還元側、それぞれ１００サイクルのＣＶ測定を行った。

図１３にＢＰＡＴＢＳの酸化側のＣＶ測定結果を、図１４にＢＰＡＴＢＳの還元側のＣＶ測定結果をそれぞれ示す。酸化側、還元側両方とも可逆的なピークを与えることが分かった。また、１００回の酸化あるいは還元を繰り返しても、ピーク位置にほとんど変化がないことがわかった。このことは、ＢＰＡＴＢＳが酸化および還元に対して安定であることを意味している。つまり、電気化学的に安定であることを意味している。

（比較例１）
本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＢＰＡＴＢＳ）と類似構造であり、ｔｅｒｔ−ブチル基を有さない（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベン（略称：ＢＰＡＳ）の発光スペクトルを測定した。（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベン（略称：ＢＰＡＳ）の構造式を以下に示す。

ＢＰＡＳのトルエン溶液（励起波長３７３ｎｍ）の発光スペクトルおよびＢＰＡＳの薄膜（励起波長３４３ｎｍ）の発光スペクトルを図３０に示す。図３０において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４４３ｎｍ（励起波長３７３ｎｍ）、薄膜の場合で５０２ｎｍ（励起波長３４３ｎｍ）であった。図３０からわかるように、ＢＰＡＳは、溶液中と薄膜状態での発光スペクトルのピークが大きく異なる。よって、薄膜にしたときの発光スペクトルの予測が行いにくく、発光素子に適用する際に注意が必要である。一方、本発明のスチルベン誘導体であるＢＰＡＴＢＳは、溶液中と薄膜状態での発光スペクトルのピークに大きな変化はない。よって、薄膜にしたときの発光スペクトルの予測が行いやすく、発光素子に好適に用いることができる。

以下に、比較例で用いた（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベン（略称：ＢＰＡＳ）の合成方法を具体的に示す。

［ステップ１］（Ｅ）−４−ブロモスチルベンの合成
（Ｅ）−４−ブロモスチルベンの合成方法について説明する。（Ｅ）−４−ブロモスチルベンの合成スキームを（Ｈ−１）に示す。

４−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミド２５．３３ｇ（４９．５ｍｍｏｌ）、ベンズアルデヒド５．２５ｇ（４９．５ｍｍｏｌ）を５００ｍＬ三口フラスコに入れ窒素置換をし、ＴＨＦ１５０ｍＬを入れ、ＴＨＦ５０ｍＬに溶かしたｔｅｒｔ−ブトキシカリウム６．１０ｇ（５４．４ｍｍｏｌ）を氷水で冷やしながら滴下して加えて室温で１晩撹拌した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層を酢酸エチルで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し、メタノールで洗浄後、析出物をろ過し、目的物の白色固体を３．７５ｇ収率２９％で得た。

［ステップ２］（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベンの合成
（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベンの合成方法について説明する。（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベンの合成スキームを（Ｈ−２）に示す。

（Ｅ）−４−ブロモスチルベン０．９３ｇ（３．５９ｍｍｏｌ）、実施例１のステップ２で得られる（ビフェニル−４−イル）フェニルアミン０．８８ｇ（３．５９ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．００８ｇ（０．０３４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１．４９ｇ（１０．７７ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにキシレン１５ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．２２ｇ（０．１０８ｍｍｏｌ）を加えて１１０℃で１０時間加熱した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し得られた物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）により精製し、メタノールにより再結晶したところ目的物である（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベン（略称：ＢＰＡＳ）の淡黄色固体を０．７３ｇ収率４８％で得た。

ＢＰＡＳの熱重量測定−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を行った。測定には示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子工業株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）を用い、窒素雰囲気下、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で熱物性を評価した。その結果、重量と温度の関係（熱重量測定）から、常圧下で、測定開始時における重量に対し９５％以下の重量になる温度は、３３３℃であった。

本実施例では、下記構造式（２）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ジフェニルアミノスチルベン（略称：ＤＰＡＴＢＳ）の合成法を具体的に例示する。

［ステップ１］（Ｅ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ジフェニルアミノスチルベンの合成
（Ｅ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ジフェニルアミノスチルベンの合成方法について説明する。（Ｅ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ジフェニルアミノスチルベンの合成スキームを（Ｃ−１）に示す。

実施例１のステップ２で合成した（Ｅ）−４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン１．３４ｇ（４．２５ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミン０．７９ｇ（４．６８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０１ｇ（０．０４３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１．７６ｇ（１２．７５ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにキシレン２０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０％ヘキサン溶液）０．２５ｇ（０．１２８ｍｍｏｌ）を加えて１２０℃で１０時間加熱した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し得られた物をトルエンに溶かしてからセライト、フロリジール、アルミナを通してろ過した。ろ液を濃縮し、メタノールにより再結晶したところ目的物の黄色固体を０．８２ｇ収率４８％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が（Ｅ）−４−ジフェニルアミノ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＤＰＡＴＢＳ）であることを確認した。

ＤＰＡＴＢＳのプロトン核磁気共鳴分光法（^１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果は以下のとおりであった。^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝１．３３（ｓ， ９Ｈ），７．００−７．０６（ｍ， ６Ｈ），７．０９−７．１２（ｍ， ４Ｈ），７．２３−７．２８（ｍ， ２Ｈ），７．３５−７．４５（ｍ， ８Ｈ）。また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）に示す。なお、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）における６．０ｐｐｍ〜８．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。

ＤＰＡＴＢＳの熱重量測定−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を行った。測定には示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子工業株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）を用い、窒素雰囲気下、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で熱物性を評価した。その結果、重量と温度の関係（熱重量測定）から、常圧下で、測定開始時における重量に対し９５％以下の重量になる温度は、１９５℃であった。

また、ＤＰＡＴＢＳのトルエン溶液の吸収スペクトルおよびＤＰＡＴＢＳの薄膜の吸収スペクトルを図１６に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図１６に示した。図１６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では３６８ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では３６８ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＤＰＡＴＢＳのトルエン溶液（励起波長３７４ｎｍ）の発光スペクトルおよびＤＰＡＴＢＳの薄膜（励起波長３７０ｎｍ）の発光スペクトルを図１７に示す。図１７において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では４２４ｎｍ（励起波長３７４ｎｍ）、薄膜の場合で４４２ｎｍ（励起波長３７０ｎｍ）であった。

また、図１６のＢＰＡＴＢＳの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは３．０５ｅＶであった。

また、ＤＰＡＴＢＳの電気化学的安定性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）により評価した。測定装置は、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）を１００ｍＭの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象であるＤＰＡＴＢＳを１ｍＭの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、基準電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。スキャン速度は０．１Ｖ／ｓｅｃとし、酸化側、還元側、それぞれ１００サイクルのＣＶ測定を行った。

図１８にＤＰＡＴＢＳの酸化側のＣＶ測定結果を、図１９にＤＰＡＴＢＳの還元側のＣＶ測定結果をそれぞれ示す。酸化側、還元側両方とも可逆的なピークを与えることが分かった。また、１００回の酸化あるいは還元を繰り返しても、ピーク位置にほとんど変化がないことがわかった。このことは、ＤＰＡＴＢＳが酸化および還元に対して安定であることを意味している。つまり、電気化学的に安定であることを意味している。

本実施例では、下記構造式（５）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチル−４−［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベン（略称：ＮＡＴＢＳ）の合成法を具体的に例示する。

［ステップ１］（Ｅ）−４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ジフェニルアミンの合成
（Ｅ）−４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ジフェニルアミンの合成方法について説明する。（Ｅ）−４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ジフェニルアミンの合成スキームを（Ｄ−１）に示す。

実施例１のステップ２で合成した（Ｅ）−４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン８．００ｇ（２５．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．０３７ｇ（０．２５０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１０．５２ｇ（７６．１３ｍｍｏｌ）を２００ｍＬ三口フラスコへ入れ系内を窒素置換した。この混合物へキシレン６０ｍＬ、アニリン４．７３ｇ（５０．８ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０％ヘキサン溶液）１．５４ｇ（０．７６１ｍｍｏｌ）を加えて、反応混合物を１１０℃で１０時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、水層をトルエンで抽出し、抽出溶液を硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後、混合物を吸引ろ過し、ろ液を濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、得られた溶液を濃縮した。得られた固体をメタノールにより再結晶したところ目的物である（Ｅ）−４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ジフェニルアミンの淡黄色粉末状固体を２．４２ｇ、収率５８％で得た。

［ステップ２］（Ｅ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチル−４−［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベンの合成
（Ｅ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチル−４−［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベンの合成方法について説明する。（Ｅ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチル−４−［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベンの合成スキームを（Ｄ−２）に示す。

実施例３のステップ１で合成した（Ｅ）−４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ジフェニルアミン１．００ｇ（３．０５ｍｍｏｌ）、２−ブロモナフタレン０．６３ｇ（３．１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．００７ｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１．２７ｇ（９．１６ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにキシレン１５ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．１９ｇ（０．０９２ｍｍｏｌ）を加えて１１０℃で１０時間加熱した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し得られた物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）により精製し、メタノールにより再結晶したところ目的物の淡黄色固体を０．１６ｇ収率３３％で得た。

ＮＡＴＢＳの熱重量測定−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を行った。測定には示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子工業株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）を用い、窒素雰囲気下、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で熱物性を評価した。その結果、重量と温度の関係（熱重量測定）から、常圧下で、測定開始時における重量に対し９５％以下の重量になる温度は、３２９℃であり、高い耐熱性を示した。

また、ＮＡＴＢＳのトルエン溶液の吸収スペクトルを図２０に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、サンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図２０に示した。図２０において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では３６９ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＮＡＴＢＳのトルエン溶液（励起波長３７０ｎｍ）の発光スペクトルを図２１に示す。図２１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はトルエンン溶液の場合では４５０ｎｍ（励起波長３７０ｎｍ）であった。

本実施例では、下記構造式（４９）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ）−４，４’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）トリフェニルアミン（略称：ＢＴＢＳＡ）の合成法を具体的に例示する。

［ステップ１］（Ｅ）−４，４’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）トリフェニルアミンの合成
（Ｅ）−４，４’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）トリフェニルアミンの合成方法について説明する。（Ｅ）−４，４’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）トリフェニルアミンの合成スキームを（Ｅ−１）に示す。

実施例３のステップ１で合成した（Ｅ）−４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ジフェニルアミン２ｇ（６．１１ｍｍｏｌ）、実施例１のステップ２で合成した４−ブロモ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン１．９３ｇ（６．１１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０１４ｇ（０．０６１１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．５３ｇ（１８．３２ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにキシレン２０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．３７ｇ（０．１８３ｍｍｏｌ）を加えて１２０℃で６時間加熱した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し得られた物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）により精製し、メタノールにより再結晶したところ目的物の淡黄色固体を２．７２ｇ収率７９％で得た。

ＢＴＢＳＡの熱重量測定−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を行った。測定には示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子工業株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）を用い、窒素雰囲気下、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で熱物性を評価した。その結果、重量と温度の関係（熱重量測定）から、常圧下で、測定開始時における重量に対し９５％以下の重量になる温度は、４５１℃であり、高い耐熱性を示した。

また、ＢＴＢＳＡのジクロロメタン溶液の吸収スペクトルＢＴＢＳＡの薄膜の吸収スペクトルを図２２に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図２２に示した。図２２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。ジクロロメタン溶液の場合では３４４ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では３４４ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＢＴＢＳＡのジクロロメタン溶液（励起波長３６４ｎｍ）の発光スペクトルおよびＢＴＢＳＡの薄膜（励起波長３８０ｎｍ）の発光スペクトルを図２３に示す。図２３において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はジクロロメタン溶液の場合では５０３ｎｍ（励起波長３６４ｎｍ）、薄膜の場合で５０５ｎｍ（励起波長３８０ｎｍ）であった。

また、ＢＴＢＳＡの薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルを大気中の光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、５．２０ｅＶであった。その結果、ＨＯＭＯ準位が−５．２０ｅＶであることがわかった。さらに、図２２のＢＰＡＴＢＳの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは２．８７ｅＶであった。得られたエネルギーギャップの値とＨＯＭＯ準位からＬＵＭＯ準位を求めたところ、−２．３３ｅＶであった。

また、ＢＴＢＳＡの電気化学的安定性をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）により評価した。測定装置は、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）を１００ｍＭの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象であるＢＴＢＳＡを１ｍＭの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、基準電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。スキャン速度は０．１Ｖ／ｓｅｃとし、酸化側、還元側、それぞれ１００サイクルのＣＶ測定を行った。

図２４にＢＴＢＳＡの酸化側のＣＶ測定結果を、図２５にＢＴＢＳＡの還元側のＣＶ測定結果をそれぞれ示す。酸化側、還元側両方とも可逆的なピークを与えることが分かった。また、１００回の酸化あるいは還元を繰り返しても、ピーク位置にほとんど変化がないことがわかった。このことは、ＢＴＢＳＡが酸化および還元に対して安定であることを意味している。つまり、電気化学的に安定であることを意味している。

本実施例では、下記構造式（１１４）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ，Ｅ）−３，３’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベン（略称：ＢＴＢＳＡＳ）の合成法を具体的に例示する。

［ステップ１］３−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミドの合成
３−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミドの合成方法について説明する。３−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミドの合成スキームを（Ｆ−１）に示す。

３−ブロモベンジルブロミド２５．０ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、アセトン１００ｍＬを２００ｍＬ三角フラスコに入れ、トリフェニルホスフィン２７．５５ｇ（１０５．０ｍｍｏｌ）を加えて室温で一日撹拌した。反応後、析出物をろ過し、目的物である３−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミドの白色粉末を４５．５７ｇ収率８９％で得た。

［ステップ２］（Ｅ）−３，３’−ジブロモスチルベンの合成
（Ｅ）−３，３’−ジブロモスチルベンの合成方法について説明する。（Ｅ）−３，３’−ジブロモスチルベンの合成スキームを（Ｆ−２）に示す。

実施例５のステップ１で合成した３−ブロモベンジルトリフェニルホスフォニウムブロミド２２．５８ｇ（４４．０８ｍｍｏｌ）、３−ブロモベンズアルデヒド９．７９ｇ（５２．９０ｍｍｏｌ）を５００ｍＬ三口フラスコに入れ窒素置換をし、ＴＨＦ１５０ｍＬを入れ、ＴＨＦ５０ｍＬに溶かしたｔｅｒｔ−ブトキシカリウム５．９４ｇ（５２．９０ｍｍｏｌ）を氷水で冷やしながら滴下して加えて室温で１晩撹拌した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層を酢酸エチルで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し、メタノールで洗浄後、析出物をろ過し、目的物である（Ｅ）−３，３’−ジブロモスチルベンの白色固体を５．９０ｇ収率４０％で得た。

［ステップ３］（Ｅ，Ｅ）−３，３’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベンの合成
（Ｅ，Ｅ）−３，３’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベンの合成方法について説明する。（Ｅ，Ｅ）−３，３’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベンの合成スキームを（Ｆ−３）に示す。

実施例３のステップ１で合成した（Ｅ）−４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ジフェニルアミン３．１９ｇ（９．７３ｍｍｏｌ）、実施例５のステップ２で合成した（Ｅ）−３，３’−ジブロモスチルベン１．５０ｇ（４．４２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２０ｇ（０．０８８５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム４．０４ｇ（２９．２０ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにキシレン４０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．５４ｇ（０．２６５ｍｍｏｌ）を加えて１１０℃で１０時間加熱した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し得られた物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）により精製し、メタノールにより再結晶したところ目的物の淡黄色固体を１．７３ｇ収率４７％で得た。

ＢＴＢＳＡＳの熱重量測定−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を行った。測定には示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子工業株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）を用い、窒素雰囲気下、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で熱物性を評価した。その結果、重量と温度の関係（熱重量測定）から、常圧下で、測定開始時における重量に対し９５％以下の重量になる温度は、３５３℃であり、高い耐熱性を示した。

また、ＢＴＢＳＡＳのジクロロメタン溶液の吸収スペクトルおよびＢＴＢＳＡＳの薄膜の吸収スペクトルを図２６に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図２６に示した。図２６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。ジクロロメタン溶液の場合では３５３ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では３７２ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＢＴＢＳＡＳのジクロロメタン溶液（励起波長３８２ｎｍ）の発光スペクトルおよびＢＴＢＳＡＳの薄膜（励起波長３３０ｎｍ）の発光スペクトルを図２７に示す。図２７において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はジクロロメタン溶液の場合では４８４ｎｍ（励起波長３８２ｎｍ）、薄膜の場合で４９９ｎｍ（励起波長３３０ｎｍ）であった。

また、ＢＴＢＳＡＳの薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルを大気中の光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、５．３６ｅＶであった。その結果、ＨＯＭＯ準位が−５．３６ｅＶであることがわかった。さらに、図２６のＢＰＡＴＢＳの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは２．９９ｅＶであった。得られたエネルギーギャップの値とＨＯＭＯ準位からＬＵＭＯ準位を求めたところ、−２．３７ｅＶであった。

本実施例では、下記構造式（９０）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ，Ｅ）−４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベン（略称：ＢＴＢＳＡＳ２）の合成法を具体的に例示する。

［ステップ１］（Ｅ，Ｅ）−４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベンの合成
（Ｅ，Ｅ）−４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベンの合成方法について説明する。（Ｅ，Ｅ）−４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベンの合成スキームを（Ｇ−１）に示す。

実施例３のステップ１で合成した（Ｅ）−４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ジフェニルアミン３．３０ｇ（１０．０９ｍｍｏｌ）、（Ｅ）−４，４’−ジブロモスチルベン１．５５ｇ（４．５９ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０２１ｇ（０．０９１７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１．９０ｇ（１３．７６ｍｍｏｌ）を１００ｍＬ三口フラスコへ入れ窒素置換をし、さらにキシレン４０ｍＬ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．５６ｇ（０．２７５ｍｍｏｌ）を加えて１１０℃で１０時間加熱した。反応後、溶液を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過、濃縮し得られた物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）により精製し、メタノールにより再結晶したところ目的物の淡黄色固体を１．３８ｇ収率３６％で得た。核磁気共鳴法（ＮＭＲ）によって、この化合物が（Ｅ，Ｅ）−４，４’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン−４’−イル−フェニルアミノ）スチルベン（略称：ＢＴＢＳＡＳ２）であることを確認した。

ＢＴＢＳＡＳ２のプロトン核磁気共鳴分光法（^１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果は以下のとおりであった。^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ＝７．４５−７．３６（ｍ，１５Ｈ），７．３０−７．２５（ｍ，５Ｈ），７．１５−６．９７（ｍ，２０Ｈ），１．３３（ｓ，１８Ｈ）。

ＢＴＢＳＡＳ２の熱重量測定−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を行った。測定には示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子工業株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）を用い、窒素雰囲気下、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で熱物性を評価した。その結果、重量と温度の関係（熱重量測定）から、常圧下で、測定開始時における重量に対し９５％以下の重量になる温度は、３９０℃であり、高い耐熱性を示した。

また、ＢＴＢＳＡＳ２のトルエン溶液の吸収スペクトルおよびＢＴＢＳＡＳ２の薄膜の吸収スペクトルを図２８に示す。測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図２８に示した。図２８において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。ジクロロメタン溶液の場合では４００ｎｍ付近に吸収が見られ、薄膜の場合では３９９ｎｍ付近に吸収が見られた。また、ＢＴＢＳＡＳ２のジクロロメタン溶液（励起波長３９６ｎｍ）の発光スペクトルおよびＢＴＢＳＡＳ２の薄膜（励起波長３９９ｎｍ）の発光スペクトルを図２９に示す。図２９において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長はジクロロメタン溶液の場合では４５５ｎｍ（励起波長３９６ｎｍ）、薄膜の場合で５１２ｎｍ（励起波長３９９ｎｍ）であった。

また、ＢＴＢＳＡＳ２の薄膜状態におけるイオン化ポテンシャルを大気中の光電子分光法（理研計器社製、ＡＣ−２）で測定した結果、５．３２ｅＶであった。その結果、ＨＯＭＯ準位が−５．３２ｅＶであることがわかった。さらに、図２８のＢＰＡＴＢＳの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは２．７２ｅＶであった。得られたエネルギーギャップの値とＨＯＭＯ準位からＬＵＭＯ準位を求めたところ、−２．６０ｅＶであった。

本実施例では、本発明の発光素子について、図３１を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。

以下に、本実施例の発光素子の作製方法を示す。

（発光素子１）
まず、ガラス基板２１０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、第１の電極が形成された面が下方となるように、第１の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第１の電極２１０２上に、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔注入層２１０３を形成した。

次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、正孔注入層２１０３上にＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）ベンジジン（略称：ＢＳＰＢ）を４０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層２１０４を形成した。

さらに、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）と構造式（１）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＢＰＡＴＢＳ）とを共蒸着することにより、正孔輸送層２１０４上に３０ｎｍの膜厚の発光層２１０５を形成した。ＣＢＰとＢＰＡＴＢＳとの重量比は、１：０．２５（＝ＣＢＰ：ＢＰＡＴＢＳ）となるように調節した。

その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層２１０５上にバソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子輸送層２１０６を形成した。

さらに、電子輸送層２１０６上に、フッ化カルシウムを蒸着することにより、２ｎｍの膜厚で電子注入層２１０７を形成した。

最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層２１０７上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜することにより、第２の電極２１０８を形成することで、発光素子１を作製した。

（比較発光素子１）
ＣＢＰと比較例１で合成した（Ｅ）−４−［Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチルベン（略称：ＢＰＡＳ）とを共蒸着することにより、３０ｎｍの膜厚の発光層を形成した。ＣＢＰとＢＰＡＳとの重量比は、１：０．２５（＝ＣＢＰ：ＢＰＡＳ）となるように調節した。その他の構成は発光素子１と同様である。

発光素子１に１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルおよび比較発光素子１に１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図３２に示す。

発光素子１は、輝度４３３ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．１５、ｙ＝０．１１）であり、ｙ座標が小さく色度の良い青色の発光であった。また、輝度４３３ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は１．４５ｃｄ／Ａであり、電圧は１０．６Ｖ、電流密度は３０．０ｍＡ／ｃｍ^２であった。また、図３２に示すように、１ｍＡの電流を流したときの最大発光波長は４３７ｎｍであった。

一方、比較発光素子１は、輝度４７２ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．１７、ｙ＝０．２８）であり、ｙ座標が大きく色度の悪い青色の発光であった。また、輝度４７２ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は４．５７ｃｄ／Ａであり、電圧は９．２Ｖ、電流密度は１０．３ｍＡ／ｃｍ^２であった。また、図３２に示すように、１ｍＡの電流を流したときの最大発光波長は４８５ｎｍであった。

以上のことから、ｔｅｒｔ−ブチルを有する本発明のスチルベン誘導体を用いることにより、短波長の発光が可能な発光素子を得ることができることがわかる。また、本発明のスチルベン誘導体を用いることにより、色度の良い青色発光が可能な発光素子を得ることができる。

本実施例では、本発明の発光素子について、図３３を用いて説明する。実施例８および実施例９で用いた材料の化学式を以下に示す。

以下に、本実施例の発光素子の作製方法を示す。

（発光素子２）
まず、ガラス基板２２０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、第１の電極が形成された面が下方となるように、第１の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第１の電極２２０２上に、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔注入層２２０３を形成した。

次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、正孔注入層２２０３上に４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を３０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層２２０４を形成した。

さらに、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と構造式（４９）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ）−４，４’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）トリフェニルアミン（略称：ＢＴＢＳＡ）とを共蒸着することにより、正孔輸送層２２０４上に２０ｎｍの膜厚の第１の発光層２２０５を形成した。ＮＰＢとＢＴＢＳＡとの重量比は、１：０．０５（＝ＮＰＢ：ＢＴＢＳＡ）となるように調節した。

その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、第１の発光層２２０５上にビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、間隔層２２０６を形成した。

さらに、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）と（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））とを共蒸着することにより、間隔層２２０６上に２０ｎｍの膜厚の第２の発光層２２０７を形成した。ＢＡｌｑとＩｒ（ｄｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）との重量比は、１：０．０５（＝ＢＡｌｑ：Ｉｒ（ｄｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。

その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、第２の発光層２２０７上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）を３０ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子輸送層２２０８を形成した。

さらに、電子輸送層２２０８上に、フッ化カルシウムを蒸着することにより、２ｎｍの膜厚で電子注入層２２０９を形成した。

最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層２２０９上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜することにより、第２の電極２２１０を形成することで、発光素子２を作製した。

発光素子２に１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図３４に示す。

発光素子２は、輝度９３８ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．３８、ｙ＝０．４１）であり、白色の発光であった。また、輝度９３８ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は８．７０ｃｄ／Ａであり、電圧は１１．２Ｖ、電流密度は１０．８ｍＡ／ｃｍ^２であった。

以上のことから、本発明のスチルベン誘導体を用いることにより、白色発光素子を得ることができる。つまり、本発明のスチルベン誘導体の発光色と補色の関係にある色を発光する有機化合物を用いることにより、白色発光素子を得ることができる。

本発明のスチルベン誘導体は、短波長の発光が可能であるため、補色の関係にある色の発光を一種の物質で実現可能である。例えば、緑色の補色は赤紫であり、青と赤の混色となるので、一種の物質で緑色の補色である赤紫色の発光色を実現することが困難である。一方、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチルを有するため、発光波長が短波長であり、補色の発光（例えば、黄色や橙色）を一種の物質で得ることができ、白色発光素子に好適に用いることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は白色発光素子に好適に用いることができるため、本発明のスチルベン誘導体は照明装置に好適に用いることができる。

本実施例では、本発明の発光素子について、図３３を用いて説明する。以下に、本実施例の発光素子の作製方法を示す。

（発光素子３）
まず、ガラス基板２２０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、第１の電極が形成された面が下方となるように、第１の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第１の電極２２０２上に、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔注入層２２０３を形成した。

次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、正孔注入層２２０３上に４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を３０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層２２０４を形成した。

さらに、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と構造式（１１４）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ，Ｅ）−３，３’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベン（略称：ＢＴＢＳＡＳ）とを共蒸着することにより、正孔輸送層２２０４上に２０ｎｍの膜厚の第１の発光層２２０５を形成した。ＮＰＢとＢＴＢＳＡＳとの重量比は、１：０．０５（＝ＮＰＢ：ＢＴＢＳＡＳ）となるように調節した。

その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、第１の発光層２２０５上にビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）を１０ｎｍの膜厚となるように成膜し、間隔層２２０６を形成した。

さらに、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）と（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））とを共蒸着することにより、間隔層２２０６上に２０ｎｍの膜厚の第２の発光層２２０７を形成した。ＢＡｌｑとＩｒ（ｄｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）との重量比は、１：０．０５（＝ＢＡｌｑ：Ｉｒ（ｄｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。

その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、第２の発光層２２０７上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）を３０ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子輸送層２２０８を形成した。

さらに、電子輸送層２２０８上に、フッ化カルシウムを蒸着することにより、２ｎｍの膜厚で電子注入層２２０９を形成した。

最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層２２０９上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜することにより、第２の電極２２１０を形成することで、発光素子３を作製した。

発光素子３に１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図３５に示す。

発光素子３は、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．３８、ｙ＝０．３８）であり、黄白色の発光であった。また、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は２．８５ｃｄ／Ａであり、電圧は１２．２Ｖ、電流密度は３４．８ｍＡ／ｃｍ^２であった。

以上のことから、本発明のスチルベン誘導体を用いることにより、白色発光素子を得ることができる。つまり、本発明のスチルベン誘導体の発光色と補色の関係にある色を発光する有機化合物を用いることにより、白色発光素子を得ることができる。

本発明のスチルベン誘導体は、短波長の発光が可能であるため、補色の関係にある色の発光を一種の物質で実現可能である。例えば、緑色の補色は赤紫であり、青と赤の混色となるので、一種の物質で緑色の補色である赤紫色の発光色を実現することが困難である。一方、本発明のスチルベン誘導体は、ｔｅｒｔ−ブチルを有するため、発光波長が短波長であり、補色の発光（例えば、黄色や橙色）を一種の物質で得ることができ、白色発光素子に好適に用いることができる。

また、本発明のスチルベン誘導体は白色発光素子に好適に用いることができるため、本発明のスチルベン誘導体は照明装置に好適に用いることができる。

本実施例では、本発明の発光素子について、図３１を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。

以下に、本実施例の発光素子の作製方法を示す。

（発光素子４）
まず、ガラス基板２１０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極２１０２を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、第１の電極が形成された面が下方となるように、第１の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第１の電極２１０２上に、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−ジ（ｍ−トリル）アミノ］フェニル−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）を４０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔注入層２１０３を形成した。

次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、正孔注入層２１０３上にＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）ベンジジン（略称：ＢＳＰＢ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層２１０４を形成した。

さらに、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）と構造式（９０）で表される本発明のスチルベン誘導体である（Ｅ，Ｅ）−４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）フェニル］Ｎ−フェニルアミノ｝スチルベン（略称：ＢＴＢＳＡＳ２）とを共蒸着することにより、正孔輸送層２１０４上に４０ｎｍの膜厚の発光層２１０５を形成した。ｔ−ＢｕＤＮＡとＢＴＢＳＡＳ２との重量比は、１：０．０７（＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＢＴＢＳＡＳ２）となるように調節した。

その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層２１０５上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）を３０ｎｍの膜厚となるように成膜し、電子輸送層２１０６を形成した。

さらに、電子輸送層２１０６上に、フッ化カルシウムを蒸着することにより、２ｎｍの膜厚で電子注入層２１０７を形成した。

最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層２１０７上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように成膜することにより、第２の電極２１０８を形成することで、発光素子４を作製した。

（比較発光素子２）
ｔ−ＢｕＤＮＡと、代表的な青色発光材料である２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）とを共蒸着することにより、４０ｎｍの膜厚の発光層を形成した。ｔ−ＢｕＤＮＡとＴＢＰとの重量比は、１：０．０１（＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＴＢＰ）となるように調節した。その他の構成は発光素子１と同様である。ＴＢＰは青色発光材料としてよく用いられている有機化合物である。

発光素子４および比較発光素子２の輝度−電流効率特性を図３６に示す。また、発光素子４に１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルおよび比較発光素子２に１ｍＡの電流を流したときの発光スペクトルを図３７に示す。

発光素子４は、輝度５０７ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．１８、ｙ＝０．２４）であり、青色の発光であった。また、輝度５０７ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は４．９６ｃｄ／Ａであり、電圧は８．４Ｖ、電流密度は１０．２ｍＡ／ｃｍ^２であった。

一方、比較発光素子２は、輝度５０３ｃｄ／ｍ^２のときのＣＩＥ色度座標は（ｘ＝０．１７、ｙ＝０．２６）であり、青色の発光であった。また、輝度５０３ｃｄ／ｍ^２のときの電流効率は３．３６ｃｄ／Ａであり、電圧は７．８Ｖ、電流密度は１５．０ｍＡ／ｃｍ^２であった。

本発明のスチルベン誘導体を用いた発光素子４とＴＢＰを用いた比較発光素子２のＣＩＥ色度座標はほぼ同じ値を示し、図３７からわかるように発光スペクトルもほぼ同じような形状を示している。また、図３６からわかるように、発光素子４は比較発光素子２よりも高い電流効率を示している。よって、色が同じであっても高い発光効率を示す発光素子を得ることができた。つまり、本発明のスチルベン誘導体を用いることにより、高い発光効率を示す発光素子を得ることができた。

本発明の発光素子を説明する図。 本発明の発光素子を説明する図。 本発明の発光素子を説明する図。 本発明の発光装置を説明する図。 本発明の発光装置を説明する図。 本発明の電子機器を説明する図。 本発明の電子機器を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 本発明の照明装置を説明する図。 （Ｅ）−４−（ビフェニル−４−イル−フェニルアミノ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＢＰＡＴＢＳ）の^１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 （Ｅ）−４−（ビフェニル−４−イル−フェニルアミノ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＢＰＡＴＢＳ）の溶液および薄膜の吸収スペクトルを示す図。 （Ｅ）−４−（ビフェニル−４−イル−フェニルアミノ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＢＰＡＴＢＳ）の溶液および薄膜の発光スペクトルを示す図。 （Ｅ）−４−（ビフェニル−４−イル−フェニルアミノ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＢＰＡＴＢＳ）の酸化側のＣＶ測定結果を示す図。 （Ｅ）−４−（ビフェニル−４−イル−フェニルアミノ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＢＰＡＴＢＳ）の還元側のＣＶ測定結果を示す図。 （Ｅ）−４−ジフェニルアミノ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＤＰＡＴＢＳ）の^１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 （Ｅ）−４−ジフェニルアミノ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＤＰＡＴＢＳ）の溶液および薄膜の吸収スペクトルを示す図。 （Ｅ）−４−ジフェニルアミノ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＤＰＡＴＢＳ）の溶液および薄膜の発光スペクトルを示す図。 （Ｅ）−４−ジフェニルアミノ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＤＰＡＴＢＳ）の酸化側のＣＶ測定結果を示す図。 （Ｅ）−４−ジフェニルアミノ−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＤＰＡＴＢＳ）の還元側のＣＶ測定結果を示す図。 （Ｅ）−４−（フェニルナフチル−２−イル−アミノ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＮＡＴＢＳ）の溶液および薄膜の吸収スペクトルを示す図。 （Ｅ）−４−（フェニルナフチル−２−イル−アミノ）−４’−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン（略称：ＮＡＴＢＳ）の溶液および薄膜の発光スペクトルを示す図。 （Ｅ）−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン−４’−イル）−フェニルアミン（略称：ＢＴＢＳＡ）の溶液および薄膜の吸収スペクトルを示す図。 （Ｅ）−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン−４’−イル）−フェニルアミン（略称：ＢＴＢＳＡ）の溶液および薄膜の発光スペクトルを示す図。 （Ｅ）−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン−４’−イル）−フェニルアミン（略称：ＢＴＢＳＡ）の酸化側のＣＶ測定結果を示す図。 （Ｅ）−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン−４’−イル）−フェニルアミン（略称：ＢＴＢＳＡ）の還元側のＣＶ測定結果を示す図。 （Ｅ，Ｅ）−３，３’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン−４’−イル−フェニルアミノ）スチルベン（略称：ＢＴＢＳＡＳ）の溶液および薄膜の吸収スペクトルを示す図。 （Ｅ，Ｅ）−３，３’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン−４’−イル−フェニルアミノ）スチルベン（略称：ＢＴＢＳＡＳ）の溶液および薄膜の発光スペクトルを示す図。 （Ｅ，Ｅ）−４，４’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン−４’−イル−フェニルアミノ）スチルベン（略称：ＢＴＢＳＡＳ２）の溶液および薄膜の吸収スペクトルを示す図。 （Ｅ，Ｅ）−４，４’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチルベン−４’−イル−フェニルアミノ）スチルベン（略称：ＢＴＢＳＡＳ２）の溶液および薄膜の発光スペクトルを示す図。 （Ｅ）−４−（ビフェニル−４−イル−フェニルアミノ）−スチルベン（略称：ＢＰＡＳ）の溶液および薄膜の発光スペクトルを示す図。 実施例の発光素子を説明する図。 発光素子１および比較発光素子１の発光スペクトルを示す図。 実施例の発光素子を説明する図。 発光素子２の発光スペクトルを示す図。 発光素子３の発光スペクトルを示す図。 発光素子４および比較発光素子２の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子４および比較発光素子２の発光スペクトルを示す図。 本発明の発光素子を説明する図。

符号の説明

１０１ 基板
１０２ 第１の電極
１０３ ＥＬ層
１０４ 第２の電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１２１ 第１の発光層
１２２ 第２の発光層
１３１ 間隔層
３０１ 基板
３０２ 第１の電極
３０３ ＥＬ層
３０４ 第２の電極
３１１ 電子輸送層
３１２ 発光層
３１３ 正孔輸送層
３１４ 正孔注入層
５０１ 第１の電極
５０２ 第２の電極
５１１ 第１の発光ユニット
５１２ 第２の発光ユニット
５１３ 電荷発生層
６０１ 駆動回路部（ソース側駆動回路）
６０２ 画素部
６０３ 駆動回路部（ゲート側駆動回路）
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 空間
６０８ 配線
６０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０ 素子基板
６１１ スイッチング用ＴＦＴ
６１２ 電流制御用ＴＦＴ
６１３ 第１の電極
６１４ 絶縁物
６１６ ＥＬ層
６１７ 第２の電極
６１８ 発光素子
６２３ ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４ ｐチャネル型ＴＦＴ
９０１ 筐体
９０２ 液晶層
９０３ バックライト
９０４ 筐体
９０５ ドライバＩＣ
９０６ 端子
９５１ 基板
９５２ 電極
９５３ 絶縁層
９５４ 隔壁層
９５５ ＥＬ層
９５６ 電極
２００１ 筐体
２００２ 光源
２１０１ ガラス基板
２１０２ 第１の電極
２１０３ 正孔注入層
２１０４ 正孔輸送層
２１０５ 発光層
２１０６ 電子輸送層
２１０７ 電子注入層
２１０８ 第２の電極
２２０１ ガラス基板
２２０２ 第１の電極
２２０３ 正孔注入層
２２０４ 正孔輸送層
２２０５ 第１の発光層
２２０６ 間隔層
２２０７ 第２の発光層
２２０８ 電子輸送層
２２０９ 電子注入層
２２１０ 第２の電極
３００１ 照明装置
３００２ テレビ装置
９１０１ 筐体
９１０２ 支持台
９１０３ 表示部
９１０４ スピーカー部
９１０５ ビデオ入力端子
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングデバイス
９４０１ 本体
９４０２ 筐体
９４０３ 表示部
９４０４ 音声入力部
９４０５ 音声出力部
９４０６ 操作キー
９４０７ 外部接続ポート
９４０８ アンテナ
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９５０３ 筐体
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ リモコン受信部
９５０６ 受像部
９５０７ バッテリー
９５０８ 音声入力部
９５０９ 操作キー
９５１０ 接眼部

Claims (22)

1. 一般式（Ｇ１）で表されるスチルベン誘導体。
   

   

   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
2. 一般式（Ｇ２）で表されるスチルベン誘導体。
   

   

   （式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
3. 一般式（Ｇ３）で表されるスチルベン誘導体。
   

   

   （式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
4. 一般式（Ｇ４）で表されるスチルベン誘導体。
   

   

   （式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
5. 一般式（Ｇ５）で表されるスチルベン誘導体。
   

   

   （式中、Ａ_ｒ ^１〜Ａ_ｒ ^２は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
6. 一般式（Ｇ６）で表されるスチルベン誘導体。
   

   

   （式中、Ｒ^４〜Ｒ^６のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ｒ^７〜Ｒ^９のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
7. 一般式（Ｇ７）で表されるスチルベン誘導体。
   

   

   （式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
8. 一般式（Ｇ８）で表されるスチルベン誘導体。
   

   

   （式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
9. 一般式（Ｇ９）で表されるスチルベン誘導体。
   

   

   （式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
10. 一般式（Ｇ１０）で表されるスチルベン誘導体。
    

    

    （式中、Ａ_ｒ ^３は、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
11. 一般式（Ｇ１１）で表されるスチルベン誘導体。
    

    

    （式中、Ｒ^１０〜Ｒ^１２のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ｒ^１３〜Ｒ^１５のうち、少なくとも１つはｔｅｒｔ−ブチル基であり、残りは水素原子であり、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
12. 一般式（Ｇ１２）で表されるスチルベン誘導体。
    

    

    （式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
13. 一般式（Ｇ１３）で表されるスチルベン誘導体。
    

    

    （式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
14. 一般式（Ｇ１４）で表されるスチルベン誘導体。
    

    

    （式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
15. 一般式（Ｇ１５）で表されるスチルベン誘導体。
    

    

    （式中、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、それぞれ、炭素数６〜２５のアリール基を表す。）
16. 請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項において、Ａ_ｒ ^４〜Ａ_ｒ ^５は、同一の構造を有する置換基であることを特徴とするスチルベン誘導体。
17. 一対の電極間に、
    請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載のスチルベン誘導体を有することを特徴とする発光素子。
18. 一対の電極間に発光層を有し、
    前記発光層は請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載のスチルベン誘導体を有することを特徴とする発光素子。
19. 一対の電極間に発光層を有し、
    前記発光層は請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載のスチルベン誘導体を有し、
    前記スチルベン誘導体が発光することを特徴とする発光素子。
20. 一対の電極間に第１の発光層と第２の発光層を有し、
    前記第１の発光層は請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載のスチルベン誘導体を有し、
    前記第２の発光層は前記スチルベン誘導体の発光色の補色を発光する物質を含み、
    前記一対の電極間に電圧を印加することにより、白色発光が得られることを特徴とする発光素子。
21. 請求項１７乃至請求項２０のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
22. 表示部を有し、
    前記表示部は、請求項１７乃至請求項２０のいずれか一項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。

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