JP2008124726A - ランプ波発生回路およびadコンバータ - Google Patents
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Abstract
【課題】信号対雑音比(S/N比)を向上でき、出力誤差を低減できるランプ波発生回路およびADコンバータを提供する。
【解決手段】ランプ波発生回路は、一定時間毎に一定の電荷を発生する電荷供給部21と、前記電荷供給部から発生した電荷を蓄積して電圧に変換する積分回路22と、前記積分回路の出力電圧のノイズ値を減衰した電圧を出力端子に出力する減衰部23とを具備する。
【選択図】 図3
【解決手段】ランプ波発生回路は、一定時間毎に一定の電荷を発生する電荷供給部21と、前記電荷供給部から発生した電荷を蓄積して電圧に変換する積分回路22と、前記積分回路の出力電圧のノイズ値を減衰した電圧を出力端子に出力する減衰部23とを具備する。
【選択図】 図3
Description
この発明は、ランプ波発生回路およびADコンバータに関し、例えば、特に、ランプ波発生回路から出力されるランプ波形の傾きが小さい場合のADコンバータ等に適用されるものである。
従来より、例えば、出力回路と、コンバータ回路等を備えたADコンバータがある。上記出力回路は、アナログ信号を発生しリファレンス信号としてコンバータ回路に出力する。コンバータ回路は、上記出力回路からのリファレンス信号を受けて、所望のデジタル信号を出力する(例えば、特許文献1参照)。
しかし、出力回路が出力するランプ波等のリファレンス信号には、周辺回路からのノイズや、出力回路自身の持つノイズなど、あらゆるノイズが含まれている。そのため、リファレンス信号の信号対雑音比(S/N比:signal-to-noise ratio)が劣化するという問題がある。特に、リファレンス信号のランプ波の傾きが変わった場合でも、ランプ波に含まれるノイズの大きさは変わらないことから、ランプ波形の傾きを小さくすればするほど、S/N比の劣化の問題がより大きくなる。
結果、これを入力信号として受けるコンバータ回路の出力誤差が増大し、ADコンバータの出力信号の出力誤差が増大する。
上記のように、従来のランプ波発生回路およびADコンバータは、S/N比が劣化し、出力誤差が増大するという問題があった。
特開2006−81203号公報
この発明は、信号対雑音比(S/N比)を向上でき、出力誤差を低減できるランプ波発生回路およびADコンバータを提供する。
この発明の一態様によれば、一定時間毎に一定の電荷を発生する電荷供給部と、前記電荷供給部から発生した電荷を蓄積して電圧に変換する積分回路と、前記積分回路の出力電圧のノイズ値を減衰した電圧を出力端子に出力する減衰部とを具備するランプ波発生回路を提供できる。
この発明の一態様によれば、一定時間毎に一定の電荷を発生する電荷供給部と、前記電荷供給部から発生した電荷を蓄積して電圧に変換する積分回路と、前記積分回路の出力電圧のノイズ値を減衰した電圧を出力端子に出力する減衰部とを備えたランプ波発生部と、前記ランプ波発生回路の出力電圧がリファレンス電圧として入力され、デジタル信号を出力するように構成されたコンバータ部とを具備するADコンバータを提供できる。
この発明によれば、信号対雑音比(S/N比)を向上でき、出力誤差を低減できるランプ波発生回路およびADコンバータが得られる。
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。尚、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
[第1の実施形態]
まず、図1乃至図4を用いて、この発明の第1の実施形態に係るADコンバータおよびランプ波発生回路の基本構成例について説明する。
まず、図1乃至図4を用いて、この発明の第1の実施形態に係るADコンバータおよびランプ波発生回路の基本構成例について説明する。
<1−1.ADコンバータの基本構成例>
図1は、この実施形態に係るADコンバータを示すブロック図である。図示するように、ADコンバータ10は、リファレンス信号Vrefを発生するランプ波発生回路11と、それぞれに上記リファレンス信号Vrefが入力されデジタル信号DSを出力する複数のコンバータ回路12により構成されている。
図1は、この実施形態に係るADコンバータを示すブロック図である。図示するように、ADコンバータ10は、リファレンス信号Vrefを発生するランプ波発生回路11と、それぞれに上記リファレンス信号Vrefが入力されデジタル信号DSを出力する複数のコンバータ回路12により構成されている。
ランプ波発生回路11は、所望のカウンタ信号CSのタイミングと同期して、リファレンス信号Vrefを出力するように構成されている。
コンバータ回路12のそれぞれは、リファレンス信号Vrefを共通入力として受け、所定のデジタル信号DSを出力するように構成されており、入力信号保持部16、比較回路15、ラッチ回路17を備えている。例えば、コンバータ回路12は、一ADコンバータ10あたり数十個〜数千個程度のオーダーで設けられている。
入力信号保持部16は、入力信号Vinを受けて、この入力信号Vinを保持し、比較回路の負(−)側入力端子に入力信号Vinを出力するように構成されている。
比較回路15は、正(+)側入力端子に入力されたリファレンス信号Vrefと、負(−)側入力端子に入力された入力信号Vinを比較し、デジタル信号としてラッチ回路17に出力する。
ラッチ回路17は、上記デジタル信号の出力タイミングとカウンタ信号CSのタイミングにより、デジタル信号DSを保持し、その後出力するように構成されている。
<1−2.コンバータ回路の構成例>
次に、具体的に、コンバータ回路12の構成例について、図2を用いて説明する。図2は、コンバータ回路12の構成例を示す回路図である。
次に、具体的に、コンバータ回路12の構成例について、図2を用いて説明する。図2は、コンバータ回路12の構成例を示す回路図である。
図示するように、コンバータ回路12は、比較回路(この場合、チョッパ型コンパレータ)15、信号保持部16、ラッチ回路17を備えている。
比較回路(チョッパ型コンパレータ)15は、スイッチS1、S3、S4、インバータ19−1、19−2により構成されている。
スイッチS1は、制御信号により入力信号Vinのオン/オフを制御し、その一端は入力信号Vinが入力される入力端子18に接続され、他端はキャパシタC1、C3の共通ノードに接続されている。
スイッチS3の一端は、インバータ19−1の入力に接続され、他端はインバータ19−1の出力に接続されている。
スイッチS4の一端は、インバータ19−2の入力に接続され、他端はインバータ19−2の出力に接続されている。
インバータ19−1は、入力を反転するように構成され、入力はキャパシタC1の電極の他方に接続され、出力はキャパシタC2の電極の一方に接続されている。
インバータ19−2は、入力を反転するように構成され、入力はキャパシタC2の電極の他方に接続され、出力はラッチ回路17の入力に接続されている。
入力信号保持部16は、スイッチS2、キャパシタC1、C2、C3により構成されている。
スイッチS2は、ランプ波発生回路11からのリファレンス電圧Vrefのオン/オフを制御し、一端はランプ波発生回路11の出力に接続され、他端はキャパシタC3の電極の一方に接続されている。
キャパシタC3は、リファレンス電圧Vrefを保持し、電極の他方はキャパシタC1の電極の一方に接続されている。
キャパシタC1は、入力信号を保持し、電極の他方はインバータ19−1の入力に接続されている。
キャパシタC2は、入力信号を保持し、電極の一方はインバータ19−1の出力に接続され、電極の他方はインバータ19−2の入力に接続されている。
<1−3.ランプ波発生回路の基本構成例>
次に、ランプ波発生回路の基本構成例について、図3を用いて説明する。図3は、この実施形態に係るランプ波発生回路の基本構成例を示すブロック図である。
次に、ランプ波発生回路の基本構成例について、図3を用いて説明する。図3は、この実施形態に係るランプ波発生回路の基本構成例を示すブロック図である。
図示するように、ランプ波発生回路11は、電荷供給回路(電荷供給部)21、積分回路22、減衰回路(減衰部またはアッテネータ)23を備えている。
電荷供給回路(電荷供給部)21は、一定時間毎に一定の電荷を発生するように構成されている。本例の場合、電荷供給回路21は、一端が接地電源GNDに接続され、他端が積分回路22の入力に接続された可変電流源26を備えている。ここで、電荷発生回路21は、その電流値が可変であるように構成された可変電流源26を備えているため、積分回路22から出力されるランプ波(後述するランプ波31)は、可変電流源26の電流値を変化させることにより、所望の傾き(後述する傾きα33)を得ることも可能である。
尚、電荷供給回路21は、後述するようにこの構成には限られない。また、ここでは可変電流源26の一端を接地電源GNDに接続しているが、一端を基準電源Vddに接続することも可能である。
積分回路22は、前記電荷供給部から発生した電荷を蓄積して電圧に変換するように構成されている。本例の場合、積分回路22は、キャパシタC0、電圧源27、およびオペアンプ28を備えている。
キャパシタC0は、電荷供給回路21から出力された電荷を保持するように構成され、電極の一方が電荷供給回路21の出力に接続され、電極の他方が減衰回路23の入力に接続されている。
電圧源27は、一端が接地電源GNDに接続され、他端がオペアンプ28の正(+)側入力端子に接続されている。
オペアンプ28は、負(−)側、正(+)側入力端子に入力される信号の差に応じた出力信号(後述するランプ波31)を減衰回路に出力するように構成され、出力が減衰回路23の入力に接続されている。
減衰回路(アッテネータ)23は、上記積分回路22の出力電圧のノイズ値を減衰した電圧を出力端子25に出力するように構成されている。
<2.ランプ波発生回路の基本動作例>
次に、ランプ波発生回路11の基本動作例について、図4を用いて説明する。図4は、この実施形態に係るランプ波発生回路の動作を説明するための図であり、時間[time]−出力電圧[V]との関係を示すものである。
次に、ランプ波発生回路11の基本動作例について、図4を用いて説明する。図4は、この実施形態に係るランプ波発生回路の動作を説明するための図であり、時間[time]−出力電圧[V]との関係を示すものである。
まず、電荷供給回路21に発生した電荷は、積分回路22に入力される。
続いて、図示するように、積分回路22は、入力された電荷によりランプ波形31を減衰回路23に出力する。この際、ランプ波形31は、傾きα31であって、周辺回路からのノイズや発生回路11自身の持つノイズなどを含んだノイズNS31を有している。
続いて、減衰回路23は、上記ランプ波形31のノイズ値および電圧値を減衰したランプ波形33をリファレンス電圧Vrefとして出力端子25に出力する。そのため、このランプ波形33が包含するノイズNS33は上記ノイズNS31よりも小さく(ノイズ:NS33<NS31)、傾きα33は上記傾きα31よりも小さい(傾き:α33<α31)。
上記のようにノイズを低減できるため、積分回路22の出力から同じ傾き(α33)のランプ波形を得るよりも、リファレンス信号Vrefの信号対雑音比(S/N比:signal-to-noise ratio)[dB]を向上することができる。ここで、上記信号対雑音比(S/N比)とは、基準信号レベル(signal level)を雑音信号レベル(noise level)で割ったものである。
結果、出力端子25から出力されるリファレンス電圧Vrefにより、所望のカウンタ信号CS1のタイミングで、入力信号Vinをデジタル信号DSに変換して出力することができる。
ここで、入力信号Vinのレンジが狭く、ランプ波形33の傾きを小さくする必要がある場合に、出力誤差に対するS/N比の劣化の影響が大きくなる。しかし、この場合であっても、減衰回路23により、そのノイズ値を低減(NS31→NS33)したリファレンス電圧Vrefを出力することができるため、ADコンバータ10の出力誤差を低減することができる。
<3.減衰回路の構成例>
次に、この実施形態に係る減衰回路の構成例について、図5を用いて説明する。図5は、この実施形態に係る減衰回路23の構成例を示す回路図である。
次に、この実施形態に係る減衰回路の構成例について、図5を用いて説明する。図5は、この実施形態に係る減衰回路23の構成例を示す回路図である。
図示するように、減衰回路23は、その抵抗値が可変であるように構成された可変抵抗R1、R2を備えている。
可変抵抗R1の一端は接地電源GNDに接続され、他端は出力端子25に接続されている。可変抵抗R2の一端は出力端子25に接続され、他端は積分回路22の出力に接続されている。
このように、この減衰回路23が2つ可変抵抗R1、R2を備え、これらを積分回路22の出力に配置することにより、積分回路22から出力されたランプ波形31のノイズ値および電圧値を減衰することができる。
この構成例の場合のノイズ値および電圧値の減衰率は、可変抵抗R1、R2の抵抗値をそれぞれR1、R2とした場合、R1/(R1+R2)、と表される。そのため、この値は常に1以下とすることができる。また、可変抵抗R1、R2の抵抗値を選択することと、電荷発生回路21の可変電流源26の電流値を選択することの組み合わせにより、ランプ波形33の傾きを入力信号Vinのレンジに合わせて選択することができる点で有利である。
<4.この実施形態に係る効果>
上記のように、この実施形態に係るランプ波発生回路11およびADコンバータ10によれば、下記(1)乃至(3)の効果が得られる。
上記のように、この実施形態に係るランプ波発生回路11およびADコンバータ10によれば、下記(1)乃至(3)の効果が得られる。
(1)信号対雑音比(S/N比)を向上でき、出力誤差を低減できる。
この実施形態に係るランプ波発生回路11は、積分回路22の出力電圧のノイズ値を減衰した出力電圧を出力端子25に出力するように構成された減衰回路(アッテネータ)23を備えている。
このように、減衰回路23が、ノイズ成分を含んだ出力電圧を減衰することにより、図4に示すように、積分回路22の出力波形であるランプ波形31のノイズ値を減衰したランプ波形33を出力端子25にリファレンス電圧Vrefとして出力することができる。そのため、このランプ波形33が包含するノイズ値NS33は、上記ノイズ値NS31よりも小さい(ノイズ値:NS33<NS31)。
例えば、図5に示す構成例の場合の減衰率は、R1/(R1+R2)、で表され、その値を常に1以下とすることができる。
このように、積分回路22の出力から同じ傾き(α33)のランプ波形を得るよりも、出力波形33のノイズを低減できるため、リファレンス信号Vrefの信号対雑音比(S/N比:signal-to-noise ratio)を向上することができる。
結果、出力端子25から出力されるリファレンス電圧Vrefにより、所望のカウンタ信号CS1のタイミングで、入力信号Vinをデジタル信号DSに変換して出力することができ、ADコンバータ10の出力誤差を低減することができる。
さらに、可変抵抗R1、R2の抵抗値を選択することと、電荷発生回路21の可変電流源26の電流値を選択することの組み合わせにより、ランプ波形33の傾きを入力信号Vinのレンジに合わせて選択することができる。
そのため、例えば、図4に示すように、ランプ波形33の傾きα33を、ランプ波形31の傾きα31よりも小さく(傾き:α33<α31)することができる。
(2)ランプ波発生回路11の出力波形の傾きが小さい場合であっても、出力誤差を低減することができる。
ここで、ランプ波発生回路11のランプ波形33の傾きが小さい場合には、出力誤差に対するS/N比の劣化の影響が大きくなる。しかし、本例では、このような場合であっても、減衰回路23により、そのノイズ値を低減(NS31→NS33)したリファレンス電圧Vrefを出力することができる。
そのため、ランプ波発生回路11の出力波形の傾きが小さい場合であっても、ADコンバータ10の出力誤差を低減することができる。
(3)マルチチャンネル化に対して有利である。
ADコンバータ10は、リファレンス信号Vrefを発生するランプ波発生回路11と、それぞれに上記リファレンス信号Vrefが入力されデジタル信号DSを出力する複数のコンバータ回路12により構成されている。例えば、コンバータ回路12は、一ADコンバータ10あたり数十個〜数千個程度のオーダーで設けられるものである。
上記のように、本例に係るランプ波発生回路11からコンバータ回路12に入力されるリファレンス信号Vrefは、そのノイズ値が低減され、信号対雑音比(S/N比)が向上されたものである。そのため、コンバータ回路12から出力誤差を低減したデジタル信号DSをそれぞれ出力できる点で、マルチチャンネル化に対して有利である。
このように、例えば、コンバータ回路12が一ADコンバータあたり数十個〜数千個程度設けられるような多数のチャネルを有するADコンバータに適用する場合に、より有利である。
ここで、マルチチャネル化に対して有利であるためには、以下の2つ条件を満たすことが望ましい。
第1に、リファレンス信号Vref発生回路11の大きさに比べ、1つ1つのコンバータ回路12が非常に小さいことである。
第2に、リファレンス信号Vrefが全コンバータ回路12で共有できることである。
<5.電荷供給回路21のその他の構成例>
次に、電荷供給回路21のその他の構成例について、図6乃至図12を用いて説明する。
次に、電荷供給回路21のその他の構成例について、図6乃至図12を用いて説明する。
<5−1.電荷供給回路21の一構成例>
図6に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb、NMOSトランジスタN1を備えている。
図6に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb、NMOSトランジスタN1を備えている。
可変電圧源Vbは、その電圧値が可変であるように構成され、一端が接地電源GNDに接続され、他端がNMOSトランジスタN1のゲートに接続されている。NMOSトランジスタN1のソースは接地電源GNDに接続され、ドレインは積分回路22の入力に接続されている。
この例の電荷供給回路21によれば、可変電圧源Vbの出力バイアスにより電流値を変化することにより、NMOSトランジスタN1の出力を制御することができ、積分回路22から出力されるランプ波形31の傾きα31およびランプ波形33の傾きα33を制御することができる点で有利である。
<5−2.電荷供給回路21の一構成例>
図7に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb、PMOSトランジスタP1を備えている。この例は、上記<5−1.>の場合の電圧関係を逆電位とした構成例である。
図7に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb、PMOSトランジスタP1を備えている。この例は、上記<5−1.>の場合の電圧関係を逆電位とした構成例である。
可変電圧源Vbは、その電圧値が可変であるように構成され、一端が接地電源GNDに接続され、他端がPMOSトランジスタP1のゲートに接続されている。PMOSトランジスタP1のソースは基準電源Vddに接続され、ドレインは積分回路22の入力に接続されている。
この例の電荷供給回路21によれば、上記<5−1.>の場合と同様の効果を得ることができる。さらに、電圧関係を逆電位とする場合には、必要に応じて、本例の構成とすることが可能である。
<5−3.電荷供給回路21の一構成例>
図8に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb1、Vb2、NMOSトランジスタN2、N3を備えている。
図8に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb1、Vb2、NMOSトランジスタN2、N3を備えている。
可変電圧源Vb1は、その電圧値が可変であるように構成され、一端が接地電源GNDに接続され、他端がNMOSトランジスタN2のゲートに接続されている。可変電圧源Vb2は、その電圧値が可変であるように構成され、一端が接地電源GNDに接続され、他端がNMOSトランジスタN3のゲートに接続されている。
NMOSトランジスタN2のソースは接地電源GNDに接続され、ドレインはNMOSトランジスタN3のソースに接続されている。NMOSトランジスタN3のドレインは積分回路22の入力に接続されている。
この例の電荷供給回路21によれば、NMOSトランジスタN2、N3が縦続接続(いわゆるカスコード接続)されているため、上記<5−1.>、<5−2.>の場合と比較して、NMOSトランジスタN2、N3に流れる電流が、積分回路22からの信号の影響を受けにくく、電荷を安定して供給できる点で有効である。
この際、NMOSトランジスタN2、N3のゲートにかかる電圧の関係がVb2>Vb1であることが動作上で望ましい。また、このバイアスVb1、Vb2により電流値を変化でき、積分回路22から出力されるランプ波形31の傾きα31およびランプ波形33の傾きα33を制御できる。
<5−4.電荷供給回路21の一構成例>
図9に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb1、Vb2、PMOSトランジスタP2、P3を備えている。この例は、上記<5−3.>の場合の電圧関係を逆電位とした構成例である。
図9に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb1、Vb2、PMOSトランジスタP2、P3を備えている。この例は、上記<5−3.>の場合の電圧関係を逆電位とした構成例である。
可変電圧源Vb1は、その電圧値が可変であるように構成され、一端が接地電源GNDに接続され、他端がPMOSトランジスタP2のゲートに接続されている。可変電圧源Vb2は、その電圧値が可変であるように構成され、一端が接地電源GNDに接続され、他端がPMOSトランジスタP3のゲートに接続されている。
PMOSトランジスタP2のソースはPMOSトランジスタP3のドレインに接続され、ドレインは積分回路22の入力に接続されている。PMOSトランジスタN3のソースは基準電源Vddに接続されている。
この例の電荷供給回路21によれば、上記<5−3.>の場合と同様の効果を得ることができる。さらに、電圧関係を逆電位とする場合には、必要に応じて、本例の構成とすることが可能である。
<5−5.電荷供給回路21の一構成例>
図10に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb、および抵抗R0を備えている。
図10に示すように、この例の電荷供給回路21は、可変電圧源Vb、および抵抗R0を備えている。
可変電圧源Vbは、一端が接地電源GNDに接続されている。抵抗R0は、一端が可変電圧源Vbの他端に接続され、他端が積分回路22の入力に接続されている。
必要に応じて、本例のような構成を適用することが可能である。
<5−6.電荷供給回路21の一構成例>
図11に示すように、この例の電荷供給回路21は、スイッチS6、S7、およびキャパシタC5からなるスイッチトキャパシタと、可変電圧源Vb、およびキャパシタC5を備えている。
図11に示すように、この例の電荷供給回路21は、スイッチS6、S7、およびキャパシタC5からなるスイッチトキャパシタと、可変電圧源Vb、およびキャパシタC5を備えている。
可変電圧源Vbは、一端が接地電源GNDに接続されている。スイッチS6の一端は課可変電圧源Vbの他端に接続され、他端はスイッチS7の一端に接続されている。スイッチS7の他端は、積分回路22の入力に接続されている。キャパシタC5の電極の一方は接地電源GNDに接続され、電極の他方はスイッチS7の一方に接続されている。
必要に応じて、本例のような構成を適用することが可能である。
<5−7.電荷供給回路21の一構成例>
図12に示すように、この例の電荷供給回路21は、NMOSトランジスタN5、N6、スイッチS8、S9を備えることにより、電流を調整できる構成例である。
図12に示すように、この例の電荷供給回路21は、NMOSトランジスタN5、N6、スイッチS8、S9を備えることにより、電流を調整できる構成例である。
NMOSトランジスタN5のソースは接地電源GNDに接続され、ドレインはスイッチS8の一端に接続されている。NMOSトランジスタN6のソースは接地電源GNDに接続され、ドレインはスイッチS9の一端に接続されている。スイッチS8、S9の他端は、積分回路22の入力に接続されている。
必要に応じて、この例の電荷供給回路21のような構成を適用することが可能である。
尚、ここでは、NMOSトランジスタN5、N6、スイッチS8、S9と、トランジスタとスイッチのセットを2セット備える電源供給回路21を一例として示した。しかし、これに限られず、トランジスタとスイッチのセットが複数セット(Nセット)ある場合であっても同様に適用することができる。
[第2の実施形態(減衰回路のその他の構成例)]
次に、第2の実施形態に係るランプ波発生回路およびADコンバータについて、図13を用いて説明する。この実施形態は、減衰回路のその他の構成例に関するものである。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
次に、第2の実施形態に係るランプ波発生回路およびADコンバータについて、図13を用いて説明する。この実施形態は、減衰回路のその他の構成例に関するものである。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
図示するように、この実施形態に係る減衰回路23は、可変抵抗R5、R6、可変電圧源Va、オペアンプ29を備えている点で、上記第1の実施形態と相違している。
可変抵抗R5の一端は積分回路22の出力に接続され、他端はオペアンプ29の負(−)側入力端子に接続されている。可変抵抗R6の一端は可変抵抗R5の他端に接続され、他端はオペアンプ29の出力端子に接続されている。可変電圧源Vaの一端は、接地電源GNDに接続され、他端はオペアンプ29の正(+)側入力端子に接続されている。
この実施形態に係る減衰回路23が上記構成であることにより、積分回路22から出力されたランプ波形31を減衰させたランプ波形33を出力することができる。
この実施形態に係る減衰回路23の出力電圧のノイズ値および電圧値の減衰率は、−R6/R5で表される。本例の場合、減衰率は負となり、入力と出力の位相が逆になるため、積分回路22からは所望のランプ波形と逆の位相で出力を得る必要がある。
上記のように、この実施形態に係るランプ波発生回路およびADコンバータによれば、上記(1)乃至(3)と同様の効果が得られる。
さらに、この実施形態に係る減衰回路23は、可変抵抗R5、R6、可変電圧源Vaを備えている。
可変抵抗R5、R6の抵抗値、および可変電圧源Vaの電圧値を選択することにより、前段の可変電流源26と組み合わせて、ランプ波形33の傾きα33を入力レンジに合わせて変化させることができる点で有利である。尚、この際、可変抵抗R5、R6の抵抗値を、−R6/R5が−1よりも小さくなるように選択することにより、積分回路22から出力されるランプ31の傾きα31よりも、ランプ波形33の傾きα33を増幅(減衰ではなく)することも可能である。
[第3の実施形態(減衰回路のその他の構成例)]
次に、第3の実施形態に係るランプ波発生回路およびADコンバータについて、図14を用いて説明する。この実施形態は、減衰回路のその他の構成例に関するものである。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
次に、第3の実施形態に係るランプ波発生回路およびADコンバータについて、図14を用いて説明する。この実施形態は、減衰回路のその他の構成例に関するものである。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
図示するように、この実施形態に係る減衰回路23は、可変キャパシタC5、C6、可変電圧源Va、オペアンプ29を備えている点で、上記第1の実施形態と相違している。
可変キャパシタC5の電極の一方は、積分回路22の出力に接続され、電極の他方はオペアンプ29の負(−)側入力端子に接続されている。可変キャパシタC6の電極の一方は可変キャパシタC5の電極の他方に接続され、電極の他方はオペアンプ29の出力端子に接続されている。可変電圧源Vaの一端は、接地電源GNDに接続され、他端はオペアンプ29の正(+)側入力端子に接続されている。
この実施形態に係る減衰回路23が上記構成であることにより、積分回路22から出力されたランプ波形31を減衰させたランプ波形33を出力することができる。
この実施形態に係る減衰回路23の減衰率は、−C5/C6で表される。本例の場合、減衰率は負となり、入力と出力の位相が逆になるため、積分回路22からは所望のランプ波形と逆の位相で出力を得る必要がある。
上記のように、この実施形態に係るランプ波発生回路およびADコンバータによれば、上記(1)乃至(3)と同様の効果が得られる。
さらに、この実施形態に係る減衰回路23は、可変キャパシタC5、C6、可変電圧源Vaを備えている。
可変キャパシタC5、C6の容量値、および可変電圧源Vaの電圧値を選択することにより、前段の可変電流源26と組み合わせて、ランプ波形33の傾きα33を入力レンジに合わせて変化させることができる点で有利である。尚、この際、可変キャパシタC5、C6の容量値を、−C5/C6が−1よりも小さくなるように選択することにより、積分回路22から出力されるランプ31の傾きα31よりも、ランプ波形33の傾きα33を増幅(減衰ではなく)することも可能である。
[比較例(減衰回路を備えない場合の一例)]
次に、上記第1乃至第3の実施形態に係るランプ波発生回路およびADコンバータと比較するために、比較例の係るランプ波発生回路について、図15乃至図17を用いて説明する。図15、図16は、比較例の係るランプ波発生回路の構成例を示す回路図である。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
次に、上記第1乃至第3の実施形態に係るランプ波発生回路およびADコンバータと比較するために、比較例の係るランプ波発生回路について、図15乃至図17を用いて説明する。図15、図16は、比較例の係るランプ波発生回路の構成例を示す回路図である。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の詳細な説明を省略する。
<構成例>
図示するように、この比較例に係るランプ波発生回路111はいずれも、ランプ波形出力回路111の最終段には積分回路122もしくはボルテージフォロア回路130が設けられているが、減衰回路23が設けられていない点で上記第1の実施形態と相違している。
図示するように、この比較例に係るランプ波発生回路111はいずれも、ランプ波形出力回路111の最終段には積分回路122もしくはボルテージフォロア回路130が設けられているが、減衰回路23が設けられていない点で上記第1の実施形態と相違している。
そのため、前段の回路や周辺のデジタル回路からのノイズや、自身111のもつノイズなど、あらゆるノイズを含んだランプ波形がリファレンス信号Vref´として出力される点で上記第1の実施形態と相違する。
<ランプ波発生回路111の動作例>
次に、この比較例に係るランプ波発生回路111の動作例について、図17を用いて説明する。図17は、この比較例に係るランプ波発生回路111の動作波形を示す図であり、時間[time]−出力電圧[V]との関係を示すものである。
次に、この比較例に係るランプ波発生回路111の動作例について、図17を用いて説明する。図17は、この比較例に係るランプ波発生回路111の動作波形を示す図であり、時間[time]−出力電圧[V]との関係を示すものである。
図示するように、出力端子125からリファレンス信号Vref´として出力されるランプ波形は、波形W0および波形W1として表されている。波形W0は傾きが大きい場合のランプ波形であり、波形W1は傾きが小さい場合のランプ波形である。
この比較例では、減衰回路23が設けられていないため、いずれの波形W0、波形W1にもノイズが減衰されていない状態で、リファレンス信号Vref´として出力されている。
例えば、波形W0の信号値をS0、ノイズ値の大きさをN0とし、波形W1の信号値をS1、ノイズ値の大きさをN1とする場合を考える(但し、ノイズ値:N0=N1、信号値:S1=S0×0.5)。この場合、波形W0の信号対雑音比(S/N比)がS0/N0である。一方、波形W1の信号対雑音比(S/N比)は、S1/N1=S0/N0×0.5である。そのため、波形W1のS/N比は、波形W0のS/Nと比べ、50%程度劣化する。
このように、ランプ波形の傾きが変わってもノイズ値の大きさは変わらない(ノイズ値:N0=N1)ことから、ランプ波形の傾きを小さくすればするほどS/N比が劣化することが分かる。
そのため、例えば、図示するように、ランプ波形W1の場合の出力端子125から出力されるリファレンス電圧Vref´は、所望のカウンタ信号CS1のより早いカウンタ信号CS0のタイミングで、出力誤差ΔCSを有するデジタル信号DS´として出力されてしまう。
その結果、ランプ波形の傾きが小さい場合(W1)に、S/N比の劣化の影響がより大きくなり、ADコンバータの出力誤差が増大する。
尚、上記説明においては、(可変)電圧源及び(可変)電流源の一端は、全て接地電源GNDに接続している場合を一例として説明した。しかし、これに限らず、(可変)電圧源及び(可変)電流源の一端が固定電源に接続される限り同様に適用することができる。そのため、(可変)電圧源及び(可変)電流源の接地電源GNDに接続されている一端を基準電源Vddに接続することも可能である。
以上、第1乃至第3の実施形態および比較例を用いて本発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態および比較例に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態および比較例には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態、変形例、および比較例に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
10…ADコンバータ、11…ランプ波発生回路、12…コンバータ回路、15…比較回路、16…入力信号保持部、17…ラッチ回路。
Claims (5)
- 一定時間毎に一定の電荷を発生する電荷供給部と、
前記電荷供給部から発生した電荷を蓄積して電圧に変換する積分回路と、
前記積分回路の出力電圧のノイズ値を減衰した電圧を出力端子に出力する減衰部とを具備すること
を特徴とするランプ波発生回路。 - 前記減衰部は、出力電圧の減衰率または出力電圧の電圧値が可変であること
を特徴とする請求項1に記載のランプ波発生回路。 - 前記減衰部は、一端が電源に接続された第1可変電圧源と、一端が前記積分回路の出力に接続された第1可変抵抗と、第1入力が前記第1可変電圧源の他端に接続され第2入力が前記第1可変抵抗に他端に接続され出力が前記出力端子に接続された比較部と、一端が前記第1可変抵抗の他端に接続され他端が前記出力端子に接続された第2可変抵抗とを備えること
を特徴とする請求項1または2に記載のランプ波発生回路。 - 前記電荷供給部は、一端が電源に接続された第2可変電圧源と、一端が前記第2可変電圧源の他端に接続された第1スイッチと、一端が前記第1スイッチの他端に接続され他端が前記積分回路の入力に接続された第2スイッチと、電極の一方が前記電源に接続され電極の他方が前記第2スイッチの一端に接続されたキャパシタとを備えること
を特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のランプ波発生回路。 - 一定時間毎に一定の電荷を発生する電荷供給部と、前記電荷供給部から発生した電荷を蓄積して電圧に変換する積分回路と、前記積分回路の出力電圧のノイズ値を減衰した電圧を出力端子に出力する減衰部とを備えたランプ波発生部と、
前記ランプ波発生回路の出力電圧がリファレンス電圧として入力され、デジタル信号を出力するように構成されたコンバータ部とを具備すること
を特徴とするADコンバータ。
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