JP2008110940A - Preservation method of borazine compound and container for preserving borazine compound - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ボラジン化合物に関する。ボラジン化合物は、例えば、半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層を形成するために用いられる。 The present invention relates to a borazine compound. The borazine compound is used, for example, to form an interlayer insulating film for semiconductor, a barrier metal layer, and an etch stopper layer.
情報機器の高性能化に伴い、ＬＳＩのデザインルールは、年々微細になっている。微細なデザインルールのＬＳＩ製造においては、ＬＳＩを構成する材料も高性能で、微細なＬＳＩ上でも機能を果たすものでなければならない。 As the performance of information equipment increases, LSI design rules become finer year by year. In the manufacture of LSIs with fine design rules, the materials that make up LSIs must also have high performance and function on fine LSIs.
例えば、ＬＳＩ中の層間絶縁膜に用いられる材料に関していえば、高い誘電率は信号遅延の原因となる。微細なＬＳＩにおいては、この信号遅延の影響が特に大きい。このため、層間絶縁膜として用いられ得る、新たな低誘電率材料の開発が所望されていた。また、層間絶縁膜として使用されるためには、誘電率が低いだけでなく、耐湿性、耐熱性、機械的強度などの特性にも優れている必要がある。 For example, regarding materials used for interlayer insulating films in LSIs, a high dielectric constant causes signal delay. In a fine LSI, the influence of this signal delay is particularly great. For this reason, development of a new low dielectric constant material that can be used as an interlayer insulating film has been desired. Further, in order to be used as an interlayer insulating film, it is necessary not only to have a low dielectric constant but also to be excellent in characteristics such as moisture resistance, heat resistance and mechanical strength.
かような要望に応えるものとして、分子内にボラジン環骨格を有するボラジン化合物が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。ボラジン化合物は分子分極率が小さいため、形成される被膜は低誘電率を示す。その上、形成される被膜は、耐熱性にも優れる。 As a response to such a demand, a borazine compound having a borazine ring skeleton in the molecule has been proposed (see, for example, Patent Document 1). Since the borazine compound has a low molecular polarizability, the formed film exhibits a low dielectric constant. In addition, the formed film is excellent in heat resistance.
ボラジン化合物としては、これまでに種々の化合物が提案されている。例えば、ホウ素原子上の水素原子がアルキル基で置換されたアルキルボラジン化合物は、低誘電率材料として非常に優れた特性を有する（例えば、特許文献２を参照）。
しかしながら、ボラジン化合物は水分に弱い。すなわちボラジン化合物（例えば、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジン）は、水分と接触するとＮ−Ｂ結合が加水分解され、分解物（例えば、メチルアミンおよびホウ酸）が生成してしまう。または、水分と接触することで水との反応が起こり、ボロンエーテル化合物が生成してしまう。 However, borazine compounds are vulnerable to moisture. That is, when a borazine compound (for example, N, N ′, N ″ -trimethylborazine) is brought into contact with moisture, the NB bond is hydrolyzed and a decomposition product (for example, methylamine and boric acid) is generated. In contact with moisture, a reaction with water occurs, and a boron ether compound is produced.
従来、ボラジン化合物は実験室レベルで少量のみ合成され、試薬瓶等に保存されるのが通常であった。一方、今後の大量生産を念頭に置くと、より大きな容器中で長期間に亘って保存する必要が生じてくるものと考えられる。 Conventionally, borazine compounds are usually synthesized only in a small amount at a laboratory level and stored in a reagent bottle or the like. On the other hand, if future mass production is taken into consideration, it will be necessary to store in a larger container for a long period of time.
一般に、保存容器は洗浄後、熱乾燥や窒素フローによる乾燥をしたものが用いられるが、このような乾燥手段では、容器内に吸着した水分を十分に除去することが難しい。上述のようにボラジン化合物、特にＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリアルキルボラジンは加水分解しやすいため、容器内に残留した水分と反応して純度が低下してしまうおそれがある。さらに、上述のような乾燥手段では、乾燥に必要な温度や加熱時間、窒素ガスの量やフロー時間は、容器の材質、大きさ、形状、および乾燥の際の雰囲気などの条件によって変化するため、容器内に残留する水分量を一定値以下に制御することは困難である。 Generally, the storage container is used after washing and drying by heat drying or nitrogen flow. However, with such a drying means, it is difficult to sufficiently remove the moisture adsorbed in the container. As described above, borazine compounds, in particular N, N ′, N ″ -trialkylborazine, are easily hydrolyzed, and may react with moisture remaining in the container to reduce the purity. In such a drying means, the temperature and heating time required for drying, the amount of nitrogen gas and the flow time vary depending on the conditions such as the material, size, shape and drying atmosphere of the container. It is difficult to control the amount of remaining water below a certain value.
そこで本発明は、ボラジン化合物を保存する際の保存容器中に含まれる水分を十分に除去し、保存中のボラジン化合物の分解および反応を防止する手段を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide means for sufficiently removing moisture contained in a storage container when storing a borazine compound and preventing decomposition and reaction of the borazine compound during storage.
本発明は、ボラジン化合物保存用容器の洗浄方法であって、ボラジン化合物保存用容器を純水で洗浄後、窒素ガスでフローしたときの窒素ガスの露点が−３０℃以下になるまで乾燥する段階を有する、ボラジン化合物保存用容器の洗浄方法である。 The present invention is a method for cleaning a borazine compound storage container, wherein the borazine compound storage container is washed with pure water and then dried until the dew point of the nitrogen gas when flowing with nitrogen gas is -30 ° C. or lower. A method for cleaning a container for storing a borazine compound.
また本発明は、上述の方法で洗浄されたボラジン化合物保存用容器である。 Moreover, this invention is the container for a borazine compound wash | cleaned by the above-mentioned method.
さらに本発明は、上述のボラジン化合物保存用容器を用いてボラジン化合物を保存する段階を有する、ボラジン化合物の保存方法である。 Furthermore, this invention is a preservation | save method of a borazine compound which has a step which preserve | saves a borazine compound using the above-mentioned container for borazine compound preservation | save.
さらに本発明は、下記化学式１で表される化合物の含有量が５００ｐｐｍ以下である、下記化学式２で表されるボラジン化合物である。 Furthermore, this invention is a borazine compound represented by following Chemical formula 2 whose content of the compound represented by following Chemical formula 1 is 500 ppm or less.
（化学式１中、各Ｒ１および各Ｒ２は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、水素原子またはアルキル基である） (In Chemical Formula 1, each R 1 and each R 2 may be the same or different and each is a hydrogen atom or an alkyl group)
（化学式２中、各Ｒ１および各Ｒ３は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、水素原子またはアルキル基であり、少なくとも１つのＲ３が水素原子である）。 (In Chemical Formula 2, each R 1 and each R 3 may be the same or different and each is a hydrogen atom or an alkyl group, and at least one R 3 is a hydrogen atom).
本発明によれば、ボラジン化合物を保存する際に、保存容器内に残存する水分量が低減され、保存中のボラジン化合物の分解および反応が防止されうる。 According to the present invention, when the borazine compound is stored, the amount of water remaining in the storage container is reduced, and decomposition and reaction of the borazine compound during storage can be prevented.
本発明の第１は、保存時における水分との接触によるボラジン化合物の分解および反応を抑制するための技術に関する。具体的には、本発明の第１は、ボラジン化合物保存用容器の洗浄方法であって、ボラジン化合物保存用容器を純水で洗浄後、窒素ガスでフローしたときの窒素ガスの露点が−３０℃以下になるまで乾燥する、ボラジン化合物保存用容器の洗浄方法である。 The first of the present invention relates to a technique for suppressing decomposition and reaction of a borazine compound due to contact with moisture during storage. Specifically, the first of the present invention is a method of cleaning a borazine compound storage container, wherein the dew point of the nitrogen gas when the borazine compound storage container is washed with pure water and then flowed with nitrogen gas is -30. This is a method for cleaning a container for storing a borazine compound, which is dried to a temperature not higher than ° C.
本発明の洗浄方法によれば、保存容器内に残存する不純物や水を取り除くことができ、保存中のボラジン化合物の分解が防止されうる。その結果、保存されるボラジン化合物の純度低下が、長期間に亘って抑制されうる。 According to the cleaning method of the present invention, impurities and water remaining in the storage container can be removed, and decomposition of the borazine compound during storage can be prevented. As a result, a decrease in the purity of the stored borazine compound can be suppressed over a long period of time.
続いて、本発明の第１の洗浄方法について、詳細に説明する。 Next, the first cleaning method of the present invention will be described in detail.
本発明の保存方法において保存の対象とされるボラジン化合物の具体的な形態は特に制限されず、従来公知の知見が適宜参照されうる。ボラジン化合物は、例えば下記化学式３で表される。 The specific form of the borazine compound to be stored in the storage method of the present invention is not particularly limited, and conventionally known knowledge can be appropriately referred to. The borazine compound is represented by the following chemical formula 3, for example.
化学式３中、各Ｒ１および各Ｒ２は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、水素原子またはアルキル基である。ボラジン化合物の例としては、ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｎ−プロピル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（イソプロピル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｎ−ブチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｓｅｃ−ブチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（イソブチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（１−メチルブチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（２−メチルブチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ネオペンチル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（１，２−ジメチルプロピル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（１−エチルプロピル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（ｎ−ヘキシル）ボラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリシクロヘキシルボラジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ”−エチルボラジン、Ｎ，Ｎ’−ジエチル−Ｎ”−メチルボラジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ”−プロピルボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリメチルボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリエチルボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（ｎ−プロピル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（イソプロピル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（ｎ−ブチル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（イソブチル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（１−メチルブチル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（２−メチルブチル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（ネオペンチル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（１，２−ジメチルプロピル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（１−エチルプロピル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリ（ｎ−ヘキシル）ボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリシクロヘキシルボラジン、Ｂ，Ｂ’−ジメチル−Ｂ”−エチルボラジン、Ｂ，Ｂ’−ジエチル−Ｂ”−メチルボラジン、Ｂ，Ｂ’−ジメチル−Ｂ”−プロピルボラジンなどが挙げられる。なお、製造されるボラジン化合物の耐水性等の安定性や取扱い性を考慮すると、ボラジン化合物は、Ｎ−アルキルボラジンであることが好ましい。 In Chemical Formula 3, each R 1 and each R 2 may be the same or different and each is a hydrogen atom or an alkyl group. Examples of borazine compounds include borazine, N, N ′, N ″ -trimethylborazine, N, N ′, N ″ -triethylborazine, N, N ′, N ″ -tri (n-propyl) borazine, N, N ', N ″ -tri (isopropyl) borazine, N, N ′, N ″ -tri (n-butyl) borazine, N, N ′, N ″ -tri (sec-butyl) borazine, N, N ′, N ″ -Tri (isobutyl) borazine, N, N ', N "-tri (tert-butyl) borazine, N, N', N" -tri (1-methylbutyl) borazine, N, N ', N "-tri (2 -Methylbutyl) borazine, N, N ', N "-tri (neopentyl) borazine, N, N', N" -tri (1,2-dimethylpropyl) borazine, N, N ', N "-tri (1- Ethylpropyl) borazine, N, N ′, N ″ -tri (n-hexyl) bora N, N ′, N ″ -tricyclohexylborazine, N, N′-dimethyl-N ″ -ethylborazine, N, N′-diethyl-N ″ -methylborazine, N, N′-dimethyl-N ″- Propylborazine, B, B ′, B ″ -trimethylborazine, B, B ′, B ″ -triethylborazine, B, B ′, B ″ -tri (n-propyl) borazine, B, B ′, B ″ -tri (Isopropyl) borazine, B, B ′, B ″ -tri (n-butyl) borazine, B, B ′, B ″ -tri (isobutyl) borazine, B, B ′, B ″ -tri (tert-butyl) borazine , B, B ′, B ″ -tri (1-methylbutyl) borazine, B, B ′, B ″ -tri (2-methylbutyl) borazine, B, B ′, B ″ -tri (neopentyl) borazine, B, B ', B "-tri (1,2-dimethylpropyl) borazine, B, B ′, B ″ -tri (1-ethylpropyl) borazine, B, B ′, B ″ -tri (n-hexyl) borazine, B, B ′, B ″ -tricyclohexylborazine, B, B′-dimethyl- Examples thereof include B "-ethylborazine, B, B'-diethyl-B" -methylborazine, B, B'-dimethyl-B "-propylborazine, etc. The stability of the produced borazine compound such as water resistance. In view of handling and handling, the borazine compound is preferably N-alkylborazine.
また、準備されるボラジン化合物は、ホウ素原子上の水素原子がアルキル基で置換された、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリメチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリメチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリエチルボラジン、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリエチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンなどのアルキルボラジン化合物であってもよい。 Further, the prepared borazine compounds are B, B ′, B ″ -trimethyl-N, N ′, N ″ -trimethylborazine, B, B ′, B, in which a hydrogen atom on a boron atom is substituted with an alkyl group. Alkyl borazine compounds such as “-trimethyl-N, N ′, N” -triethylborazine, B, B ′, B ”-triethyl-N, N ′, N” -trimethylborazine may also be used.
準備するボラジン化合物の入手経路は、特に制限されない。ボラジン化合物の商品が市販されている場合には当該商品を購入したものを用いてもよいし、自ら調製したボラジン化合物を用いてもよい。 The route for obtaining the borazine compound to be prepared is not particularly limited. When a borazine compound product is commercially available, a product purchased from the product may be used, or a borazine compound prepared by itself may be used.
ボラジン化合物を自ら調製する手法についても特に制限されない。上記の化学式１で表されるボラジン化合物の調製方法の一例を挙げると、ＡＢＨ４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリと、（ＲＮＨ３）ｎＸ（Ｒは水素原子またはアルキル基であり、Ｘは硫酸基またはハロゲン原子であり、ｎは１または２である）で表されるアミン塩とを、溶媒中で反応させる手法が例示される。 The method for preparing the borazine compound by itself is not particularly limited. An example of a method for preparing a borazine compound represented by the above chemical formula 1 is an alkali borohydride represented by ABH 4 (A is a lithium atom, a sodium atom or a potassium atom), and (RNH 3 ). An example is a method in which an amine salt represented by n X (R is a hydrogen atom or an alkyl group, X is a sulfate group or a halogen atom, and n is 1 or 2) is reacted in a solvent. .
水素化ホウ素アルカリ（ＡＢＨ４）の例としては、水素化ホウ素ナトリウムおよび水素化ホウ素リチウムが挙げられる。 Examples of alkali borohydrides (ABH 4 ) include sodium borohydride and lithium borohydride.
アミン塩（（ＲＮＨ３）ｎＸ）において、Ｘが硫酸基である場合にはｎは２であり、Ｘがハロゲン原子である場合にはｎは１である。ｎが２である場合に、Ｒは、同一であっても異なっていてもよい。合成反応の収率や取り扱いの容易性を考慮すると、Ｒは好ましくは同一のアルキル基である。アルキル基は、直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよい。アルキル基の有する炭素数は、特に限定されないが、好ましくは１〜１０個、より好ましくは１〜４個、さらに好ましくは１個である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。これら以外のアルキル基が用いられてもよい。アミン塩の例としては、塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）、モノメチルアミン塩酸塩（ＣＨ３ＮＨ３Ｃｌ）、モノエチルアミン塩酸塩（ＣＨ３ＣＨ２ＮＨ３Ｃｌ）、モノメチルアミン臭化水素酸塩（ＣＨ３ＮＨ３Ｂｒ）、モノエチルアミンフッ化水素酸塩（ＣＨ３ＣＨ２ＮＨ３Ｆ）、硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳＯ４）、モノメチルアミン硫酸塩（（ＣＨ３ＮＨ３）２ＳＯ４）などが挙げられる。 In the amine salt ((RNH 3 ) n X), n is 2 when X is a sulfate group, and n is 1 when X is a halogen atom. When n is 2, R may be the same or different. In consideration of the yield of the synthesis reaction and the ease of handling, R is preferably the same alkyl group. The alkyl group may be linear, branched or cyclic. Although carbon number which an alkyl group has is not specifically limited, Preferably it is 1-10, More preferably, it is 1-4, More preferably, it is one. Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group. Octyl group, nonyl group, decyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, and the like. Alkyl groups other than these may be used. Examples of amine salts include ammonium chloride (NH 4 Cl), monomethylamine hydrochloride (CH 3 NH 3 Cl), monoethylamine hydrochloride (CH 3 CH 2 NH 3 Cl), monomethylamine hydrobromide (CH 3 NH 3 Br), monoethylamine hydrofluoride (CH 3 CH 2 NH 3 F), ammonium sulfate ((NH 4 ) 2 SO 4 ), monomethylamine sulfate ((CH 3 NH 3 ) 2 SO 4 ), etc. Is mentioned.
使用する水素化ホウ素アルカリおよびアミン塩は、合成するボラジン化合物の構造に応じて選択すればよい。例えば、ボラジン環を構成する窒素原子にメチル基が結合しているＮ−メチルボラジンを製造する場合には、アミン塩として、モノメチルアミン塩酸塩などの、Ｒがメチル基であるアミン塩を用いればよい。 What is necessary is just to select the alkali borohydride and amine salt to be used according to the structure of the borazine compound to synthesize | combine. For example, when producing N-methylborazine in which a methyl group is bonded to the nitrogen atom constituting the borazine ring, an amine salt such as monomethylamine hydrochloride, where R is a methyl group, is used as the amine salt. Good.
水素化ホウ素アルカリとアミン塩との混合比は、特に限定されないが、アミン塩の使用量を１モルとした場合に、水素化ホウ素アルカリの使用量を１〜１．５モルとすることが好ましい。 The mixing ratio of alkali borohydride and amine salt is not particularly limited, but when the amount of amine salt used is 1 mol, the amount of alkali borohydride used is preferably 1 to 1.5 mol. .
合成用の溶媒としては、特に制限されないが、例えば、テトラヒドロフラン、モノエチレングリコールジメチルエーテル（モノグライム）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（テトラグライム）等が挙げられる。 The solvent for synthesis is not particularly limited, and examples thereof include tetrahydrofuran, monoethylene glycol dimethyl ether (monoglyme), diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), triethylene glycol dimethyl ether (triglyme), and tetraethylene glycol dimethyl ether (tetraglyme). .
水素化ホウ素アルカリとアミン塩との反応条件は、特に限定されない。反応温度は、好ましくは２０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２４０℃、さらに好ましくは１００〜２２０℃である。上記範囲で反応させると、水素発生量の制御が容易である。反応温度は、Ｋ熱電対などの温度センサーを用いて測定されうる。 The reaction conditions between the alkali borohydride and the amine salt are not particularly limited. Reaction temperature becomes like this. Preferably it is 20-250 degreeC, More preferably, it is 50-240 degreeC, More preferably, it is 100-220 degreeC. When the reaction is performed within the above range, the amount of hydrogen generation can be easily controlled. The reaction temperature can be measured using a temperature sensor such as a K thermocouple.
一方、アルキルボラジン化合物は、出発物質としてＢ，Ｂ’，Ｂ”−トリクロロ−Ｎ，Ｎ’−Ｎ”−トリアルキルボラジンなどのハロゲン化ボラジン化合物を原料として、グリニャール試薬を用いて当該化合物の塩素原子をアルキル基で置換することによって合成されうる（Ｄ．Ｔ．ＨＯＷＯＲＴＨ ａｎｄ Ｌ．Ｆ．ＨＯＨＮＳＴＥＤＴ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８２，３８６０（１９６０）を参照）。 On the other hand, an alkyl borazine compound is obtained by using a halogenated borazine compound such as B, B ′, B ″ -trichloro-N, N′-N ″ -trialkylborazine as a starting material, and using the Grignard reagent as a chlorine. It can be synthesized by substituting an atom with an alkyl group (see DT HOWORTH and LF HOHNSTEDT, J. Am. Chem. Soc., 82, 3860 (1960)).
本発明の第１の洗浄方法は、ボラジン化合物保存用容器を純水で洗浄後、窒素ガスでフローしたときの窒素ガスの露点が−３０℃以下になるまで乾燥することに特徴を有する。 The first cleaning method of the present invention is characterized in that after the borazine compound storage container is cleaned with pure water, the container is dried until the dew point of nitrogen gas when flowing with nitrogen gas is -30 ° C or lower.
ボラジン化合物保存用容器は、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．２ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．３ＭＰａ以上の耐圧圧力を有する。「耐圧圧力」とは、密閉された容器をある一定の初期圧力を有する雰囲気下に置いて当該雰囲気の圧力を上昇させた場合に、当該雰囲気が当該容器の内部に流入しうる時点の雰囲気圧力から、初期圧力を減じた圧力を意味する。容器の耐圧圧力が０．１ＭＰａ未満であると、ボラジン化合物の保存時の雰囲気が容器内部に流入し、雰囲気中に含まれる水分との接触によりボラジン化合物が分解または反応するおそれがある。ここで、ボラジン化合物保存用容器の耐圧圧力は、当該容器にリークバルブを設置し、２３℃にて当該容器に窒素ガスを充填して、当該容器からリークバルブを介して窒素ガスがリークを開始する際の充填圧力を圧力計を用いて測定し、測定値から雰囲気圧力を減じることによって算出される値を採用するものとする。 The container for storing a borazine compound preferably has a pressure resistance of 0.1 MPa or more, more preferably 0.2 MPa or more, and further preferably 0.3 MPa or more. “Pressure pressure” means the atmospheric pressure at which the atmosphere can flow into the container when the pressure of the atmosphere is increased by placing the sealed container in an atmosphere having a certain initial pressure. Means the pressure obtained by subtracting the initial pressure. If the pressure resistance of the container is less than 0.1 MPa, the atmosphere during storage of the borazine compound flows into the container, and the borazine compound may be decomposed or reacted by contact with moisture contained in the atmosphere. Here, the pressure resistance of the borazine compound storage container is such that a leak valve is installed in the container, the container is filled with nitrogen gas at 23 ° C., and nitrogen gas starts to leak from the container through the leak valve. Measure the filling pressure using a pressure gauge, and adopt a value calculated by subtracting the atmospheric pressure from the measured value.
ここで、保存用容器の内部への保存雰囲気の流入防止という観点からは、保存用容器の耐圧圧力の上限値は特に制限されない。ただし、容器の質量等の取扱い易さという観点からは、保存用容器の耐圧圧力は、好ましくは２．０ＭＰａ以下であり、より好ましくは０．５ＭＰａ以下である。ただし、これらの範囲を外れる形態もまた、採用されうる。 Here, the upper limit value of the pressure resistance of the storage container is not particularly limited from the viewpoint of preventing the storage atmosphere from flowing into the storage container. However, from the viewpoint of ease of handling such as the mass of the container, the pressure resistance of the storage container is preferably 2.0 MPa or less, more preferably 0.5 MPa or less. However, forms outside these ranges can also be employed.
保存用容器のサイズや材質等の具体的な形態については特に制限はない。実験室レベルで合成された少量のボラジン化合物を保存するためには、小さい保存用容器を用いればよい。また、工業レベルで合成された大量のボラジン化合物を保存するためには、大きい保存用容器を用いればよい。 There are no particular restrictions on specific forms such as the size and material of the storage container. In order to store a small amount of borazine compound synthesized at the laboratory level, a small storage container may be used. Moreover, what is necessary is just to use a big storage container in order to preserve | save the large amount of borazine compounds synthesize | combined on the industrial level.
保存用容器の材質については、例えば、ステンレス、ハステロイなどの金属材料、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などのプラスチック材料等が採用されうる。なかでも、耐圧圧力が高いという観点からは、容器はステンレスから構成されることが好ましい。また、保存用容器の耐蝕性をより一層向上させる目的で、上記の金属等の材料から構成される容器の内面を樹脂でコーティングするとよい。この際、コーティングに用いられる樹脂は特に制限されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリプロピレンなどが例示される。なかでも、耐蝕性の向上効果が優れるという観点からは、ＰＴＦＥを用いてコーティングすることが好ましい。ここで、樹脂コーティングのコーティング厚さについては特に制限はないが、好ましくは１０〜３０００μｍであり、より好ましくは５００〜１０００μｍである。 As a material for the storage container, for example, a metal material such as stainless steel or Hastelloy, a plastic material such as polytetrafluoroethylene (PTFE), or the like may be employed. Among these, from the viewpoint of high pressure resistance, the container is preferably made of stainless steel. In order to further improve the corrosion resistance of the storage container, the inner surface of the container made of a material such as the metal may be coated with a resin. At this time, the resin used for the coating is not particularly limited, and examples thereof include polytetrafluoroethylene (PTFE) and polypropylene. Especially, it is preferable to coat using PTFE from a viewpoint that the improvement effect of corrosion resistance is excellent. Here, although there is no restriction | limiting in particular about the coating thickness of a resin coating, Preferably it is 10-3000 micrometers, More preferably, it is 500-1000 micrometers.
本発明のボラジン化合物保存用容器の洗浄方法では、はじめに、上述のボラジン化合物保存用容器を、純水で洗浄する。本発明において、純水とは、２５℃での電気伝導率が１ｍＳ／ｍ以下である水を意味する。純水は、通常の純水製造装置を用いて製造することができる。本発明の洗浄方法で用いられる純水は、好ましくは、２５℃での電気伝導率が０．５ｍＳ／ｍ以下、より好ましくは０．１ｍＳ／ｍ以下、さらに好ましくは０．０５ｍＳ／ｍ以下である。また、不純物として含まれるシリカの量が、好ましくは５０μｇ／Ｌ以下、より好ましくは５μｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは０．５μｇ／Ｌ以下である。 In the method for cleaning a borazine compound storage container of the present invention, first, the above-described borazine compound storage container is cleaned with pure water. In the present invention, pure water means water having an electrical conductivity of 1 mS / m or less at 25 ° C. Pure water can be produced using a normal pure water production apparatus. The pure water used in the cleaning method of the present invention preferably has an electrical conductivity at 25 ° C. of 0.5 mS / m or less, more preferably 0.1 mS / m or less, and even more preferably 0.05 mS / m or less. is there. The amount of silica contained as an impurity is preferably 50 μg / L or less, more preferably 5 μg / L or less, and still more preferably 0.5 μg / L or less.
好ましくは、ボラジン化合物保存用容器を純水で洗浄する前に、あらかじめ容器をイソプロピルアルコール、ヘキサン、トルエンなどの有機溶剤で１〜３回洗浄し、容器内に付着した有機物を除去する。 Preferably, before the borazine compound storage container is washed with pure water, the container is previously washed with an organic solvent such as isopropyl alcohol, hexane, toluene, etc. 1-3 times to remove organic substances adhering to the container.
純水で洗浄した後、上述のボラジン化合物保存用容器を、例えば、前記ボラジン化合物保存用容器の両端を開放し、内部を不活性ガスでフローすることによって乾燥させる。不活性ガスのフローの行われる雰囲気の具体的な形態については特に制限されないが、好ましくは、温度１０〜３０℃、より好ましくは２０〜２５℃の条件下で行う。また、クリーン度が、好ましくは１０００以下、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは１０以下、特に好ましくは１以下の雰囲気条件下で行う。ここで、クリーン度は、１立方フィートあたりに存在する０．５μｍ以上のサイズを有する異物の個数である。ここで、雰囲気のクリーン度の値は、パーティクルカウンターを用いて測定した値を採用するものとする。 After washing with pure water, the above-described borazine compound storage container is dried by, for example, opening both ends of the borazine compound storage container and flowing the interior with an inert gas. Although the specific form of the atmosphere in which the flow of the inert gas is performed is not particularly limited, it is preferably performed at a temperature of 10 to 30 ° C, more preferably 20 to 25 ° C. Further, the cleanliness is performed under atmospheric conditions of preferably 1000 or less, more preferably 100 or less, further preferably 10 or less, and particularly preferably 1 or less. Here, the cleanness is the number of foreign matters having a size of 0.5 μm or more existing per cubic foot. Here, the value measured using a particle counter is adopted as the value of the cleanness of the atmosphere.
乾燥に用いる不活性ガスは、特に制限されないが、好ましくは、窒素、アルゴン、ヘリウムなどが用いられうる。好ましくは、ボラジン化合物保存用容器の入り口側における前記不活性ガスの露点は−５０℃以下、より好ましくは−７０℃以下である。なお、露点の値としては、後述する実施例において採用される手法により測定される値を採用するものとする。また、乾燥に用いる不活性ガス中の酸素の含有量は、好ましくは１ｐｐｍ以下である。好ましくは、前記不活性ガスは、フィルターを通して粒子状の不純物を取り除いたものを用いる。前記不活性ガスは、シリカゲルなどの乾燥剤を通して乾燥させたものを用いることが好ましい。 The inert gas used for drying is not particularly limited, but preferably nitrogen, argon, helium, or the like can be used. Preferably, the dew point of the inert gas on the inlet side of the borazine compound storage container is −50 ° C. or lower, more preferably −70 ° C. or lower. In addition, as a value of a dew point, the value measured by the method employ | adopted in the Example mentioned later shall be employ | adopted. The oxygen content in the inert gas used for drying is preferably 1 ppm or less. Preferably, the inert gas is used after removing particulate impurities through a filter. The inert gas is preferably used after being dried through a desiccant such as silica gel.
不活性ガスの流量は、好ましくは、０．００１〜１０ｍ３／ｈ、より好ましくは０．０１〜５ｍ３／ｈ、特に好ましくは０．１〜１ｍ３／ｈである。不活性ガスのフローによる乾燥時間は、好ましくは０．０５〜１時間、より好ましくは０．１〜０．５時間である。 Flow rate of the inert gas is preferably, 0.001~10m 3 / h, more preferably 0.01~5m 3 / h, particularly preferably 0.1 to 1 m 3 / h. The drying time by the flow of the inert gas is preferably 0.05 to 1 hour, more preferably 0.1 to 0.5 hour.
本発明の洗浄方法において、上述のボラジン化合物保存用容器を乾燥させる方法は、不活性ガスのフローに限定されず、加熱乾燥、減圧乾燥などの任意の方法を用いることができる。また、複数の乾燥方法を組み合わせて用いてもよい。 In the cleaning method of the present invention, the method for drying the borazine compound storage container is not limited to the flow of an inert gas, and any method such as heat drying or reduced pressure drying can be used. A plurality of drying methods may be used in combination.
水分が吸着したボラジン化合物保存用容器の両端を開放し、内部を窒素ガスでフローすると、出口側における窒素ガスは、保存用容器内の水分を含むため、入口側に比べて露点が高くなる。本発明の洗浄方法では、前記保存用容器を窒素ガスでフローした場合に、出口側において、窒素ガスの露点が−３０℃以下、より好ましくは−４０℃以下、特に好ましくは−５０℃以下になるまで乾燥する。窒素ガスの露点が−３０℃以下になるまで乾燥すると、容器内に吸着した水分によるボラジン化合物の分解および反応を抑制できるため、長期保存した場合でもボラジン化合物の純度が保たれる。ここで、入り口側における前記窒素ガスの露点は好ましくは−５０℃以下、より好ましくは−７０℃以下である。また、前記窒素ガス中の酸素の含有量は、好ましくは１ｐｐｍ以下である。好ましくは、前記窒素ガスは、フィルターを通して粒子状の不純物を取り除いたものを用いる。 When both ends of the borazine compound storage container on which moisture is adsorbed are opened and the interior is flowed with nitrogen gas, the dew point is higher than the inlet side because the nitrogen gas on the outlet side contains moisture in the storage container. In the cleaning method of the present invention, when the storage container is flowed with nitrogen gas, the dew point of the nitrogen gas is −30 ° C. or lower, more preferably −40 ° C. or lower, and particularly preferably −50 ° C. or lower on the outlet side. Dry until When drying until the dew point of nitrogen gas is −30 ° C. or lower, decomposition and reaction of the borazine compound due to moisture adsorbed in the container can be suppressed, so that the purity of the borazine compound is maintained even when stored for a long time. Here, the dew point of the nitrogen gas on the inlet side is preferably −50 ° C. or lower, more preferably −70 ° C. or lower. The content of oxygen in the nitrogen gas is preferably 1 ppm or less. Preferably, the nitrogen gas is used after removing particulate impurities through a filter.
本発明の第２は、上述の方法で洗浄されたボラジン化合物保存用容器を提供する。さらに、本発明の第３は、前記ボラジン化合物保存用容器を用いたボラジン化合物の保存方法を提供する。 The second aspect of the present invention provides a container for storing a borazine compound that has been washed by the above-described method. Furthermore, a third aspect of the present invention provides a method for storing a borazine compound using the borazine compound storage container.
ボラジン化合物の「保存」とは、ボラジン化合物の合成後に保存用容器に当該化合物が充填された時点から、ある特定の用途に使用される時点までのいずれの時点をも包含する概念である。従って、例えばボラジン化合物が容器中に充填された状態で倉庫内に保管されている場合のみならず、出荷に伴ってトラックなどにより輸送されている場合もまた、本発明でいう「保存」の概念に含まれる。また、ボラジン化合物は、単独で保存用容器中に保存されてもよいが、場合によっては、適当な溶媒等に溶解させた状態で、保存用容器中に保存されてもよい。 “Preservation” of a borazine compound is a concept that encompasses any point from the time when a compound is stored in a storage container after the synthesis of the borazine compound to the time when the compound is used for a specific application. Therefore, for example, not only when a borazine compound is filled in a container and stored in a warehouse, but also when it is transported by a truck or the like when shipped, the concept of “preservation” as used in the present invention. include. In addition, the borazine compound may be stored alone in a storage container. However, in some cases, the borazine compound may be stored in a storage container in a state of being dissolved in an appropriate solvent or the like.
本発明の第１のボラジン化合物保存用容器の洗浄方法または本発明の第２のボラジン化合物保存用容器、または本発明の第３の保存方法によれば、保存時のボラジン化合物の分解が抑制され、ボラジン化合物の純度低下が極めて低い割合に防止されうる。すなわち、本発明は、３０日間保存した場合の純度低下が０．１質量％以下のボラジン化合物をも提供する。３０日間保存した場合の純度低下は、好ましくは０．０５質量％以下であり、さらに好ましくは０．０１質量％以下である。なお、「ボラジン化合物の純度低下が０．１質量％以下である」とは、例えば保存開始時のボラジン化合物の純度が９９．９質量％である場合には、３０日間保存後のボラジン化合物の純度が９９．８質量％以上であることを意味する。つまり、「純度低下」とは、保存前後の相対値ではなく、ボラジン化合物の絶対純度の低下を意味する。なお、ボラジン化合物の純度の値としては、後述する実施例において採用される手法により測定される値を採用するものとする。 According to the cleaning method of the first borazine compound storage container of the present invention, the second borazine compound storage container of the present invention, or the third storage method of the present invention, decomposition of the borazine compound during storage is suppressed. Therefore, a decrease in the purity of the borazine compound can be prevented at a very low rate. That is, the present invention also provides a borazine compound having a purity decrease of 0.1% by mass or less when stored for 30 days. The decrease in purity when stored for 30 days is preferably 0.05% by mass or less, and more preferably 0.01% by mass or less. Note that “the decrease in purity of the borazine compound is 0.1% by mass or less” means that, for example, when the purity of the borazine compound at the start of storage is 99.9% by mass, the borazine compound after storage for 30 days It means that the purity is 99.8% by mass or more. That is, “decrease in purity” means a decrease in absolute purity of the borazine compound, not a relative value before and after storage. In addition, as a purity value of a borazine compound, the value measured by the method employ | adopted in the Example mentioned later shall be employ | adopted.
純度の点から好ましいボラジン化合物を規定すると、蒸留精製および濾過によって得られるボラジン化合物は、好ましくは、純度が９９．９質量％以上であり、より好ましくは９９．９９質量％以上である。高純度のボラジン化合物を用いることにより、半導体素子などの製品の品質を向上させることが可能である。 When a preferable borazine compound is defined in terms of purity, the borazine compound obtained by distillation purification and filtration preferably has a purity of 99.9% by mass or more, more preferably 99.99% by mass or more. By using a high-purity borazine compound, it is possible to improve the quality of products such as semiconductor elements.
本発明において提供される下記化学式２で表されるボラジン化合物は、下記化学式１で表されるボロンエーテル化合物の含有量が、好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは２００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００ｐｐｍ以下である。 In the borazine compound represented by the following chemical formula 2 provided in the present invention, the content of the boron ether compound represented by the following chemical formula 1 is preferably 500 ppm or less, more preferably 200 ppm or less, still more preferably 100 ppm or less. It is.
化学式１中、各Ｒ１および各Ｒ２は、化学式３のボラジン化合物について記載した通りである。 In Chemical Formula 1, each R 1 and each R 2 are as described for the borazine compound of Chemical Formula 3.
化学式２中、各Ｒ１は、化学式３のボラジン化合物について記載した通りである。各Ｒ３は、少なくとも１つのＲ３が水素原子であることを除いては、化学式３のボラジン化合物について記載したＲ２と同様である。
ボロンエーテル化合物は、ホウ素原子に結合した水素原子を有するボラジン化合物が水と反応することによって生成すると考えられる。例えば、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，−トリエチルボラジンを例に挙げると、ボロンエーテル化合物は下記反応式によって生成すると考えられる。
In Chemical Formula 2, each R 1 is as described for the borazine compound of Chemical Formula 3. Each R 3 is the same as R 2 described for the borazine compound of Formula 3 except that at least one R 3 is a hydrogen atom.
Boron ether compounds are thought to be produced by the reaction of borazine compounds having hydrogen atoms bonded to boron atoms with water. For example, when N, N ′, N ″,-triethylborazine is taken as an example, a boron ether compound is considered to be produced by the following reaction formula.
ボロンエーテル化合物の含有量が少ないほど、半導体用層間絶縁膜などの高純度が要求される用途に適しているといえる。 It can be said that the smaller the content of the boron ether compound, the more suitable it is for applications requiring high purity such as an interlayer insulating film for semiconductors.
ボラジン化合物中のボロンエーテル化合物の含有量は、ガスクロマトグラフィなどの公知の分析装置を用いて算出することができる。上述したように、蒸留精製と濾過を組み合わせることによって、ボロンエーテル化合物の含有量が極めて低いボラジン化合物を得ることができる。 The content of the boron ether compound in the borazine compound can be calculated using a known analyzer such as gas chromatography. As described above, a borazine compound having a very low content of boron ether compound can be obtained by combining distillation purification and filtration.
本発明のボラジン化合物は、特に限定されないが、半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層などの形成に用いられうる。その際には、ボラジン化合物がそのまま用いられてもよいし、ボラジン化合物に改変を加えた化合物が用いられてもよい。ボラジン化合物またはボラジン化合物の誘導体を重合させた重合体を、半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層などの原料として用いてもよい。以下、「ボラジン化合物」、「ボラジン化合物の誘導体」および「これらに起因する重合体」をまとめて、「ボラジン環含有化合物」と称する。 The borazine compound of the present invention is not particularly limited, but can be used for forming an interlayer insulating film for semiconductor, a barrier metal layer, an etch stopper layer, and the like. In that case, the borazine compound may be used as it is, or a compound obtained by modifying the borazine compound may be used. A polymer obtained by polymerizing a borazine compound or a borazine compound derivative may be used as a raw material for an interlayer insulating film for a semiconductor, a barrier metal layer, an etch stopper layer, or the like. Hereinafter, the “borazine compound”, “derivative of borazine compound”, and “polymer derived therefrom” are collectively referred to as “borazine ring-containing compound”.
ボラジン環含有化合物を用いて、半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層などを形成する手法としては、例えば、ボラジン環含有化合物を含む溶液状またはスラリー状の組成物を調製し、これを所望の部位に塗布することによって、塗膜を形成する手法が用いられうる。 As a method of forming an interlayer insulating film for semiconductor, a barrier metal layer, an etch stopper layer, etc. using a borazine ring-containing compound, for example, a solution or slurry composition containing a borazine ring-containing compound is prepared. A method of forming a coating film by applying to a desired site can be used.
以下、実施例および比較例を用いて本発明の実施の形態をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲は下記の形態のみには制限されない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail using examples and comparative examples. However, the technical scope of the present invention is not limited to the following embodiments.
＜実施例１＞
冷却器を備えた反応容器に、露点−７０℃以下に管理された窒素ガスで置換しながら、脱水処理したアミン塩であるメチルアミン塩酸塩（３３．５ｇ）、および溶媒であるトリグライム（９８．６ｇ）を仕込み、反応系を１００℃まで昇温した。
<Example 1>
In a reaction vessel equipped with a condenser, methylamine hydrochloride (33.5 g), which is a dehydrated amine salt while being replaced with nitrogen gas controlled at a dew point of −70 ° C. or lower, and triglyme (98. 6 g) was charged, and the temperature of the reaction system was raised to 100 ° C.
一方、水素化ホウ素アルカリである水素化ホウ素ナトリウム（２１．０ｇ）を準備し、これを別途準備したトリグライム（８８．７ｇ）中に添加して、スラリーを調製した。 On the other hand, sodium borohydride (21.0 g), which is an alkali borohydride, was prepared and added to separately prepared triglyme (88.7 g) to prepare a slurry.
上記で調製した水素化ホウ素ナトリウムのスラリーを、上記で１００℃に昇温した反応系に１時間かけてゆっくりと添加した。 The sodium borohydride slurry prepared above was slowly added to the reaction system heated to 100 ° C. over 1 hour.
スラリー添加終了後、反応系を２００℃まで２時間かけて昇温し、さらに２００℃にて２時間熟成して、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンを合成した。 After the addition of the slurry, the reaction system was heated to 200 ° C. over 2 hours and further aged at 200 ° C. for 2 hours to synthesize N, N ′, N ″ -trimethylborazine.
得られたＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンを１５０〜２２０℃にて蒸留して、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンを精製した。得られた精製Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンの純度を測定したところ、９９．９質量％であった。なお、ボラジン化合物の純度は、ガスクロマトグラフィを用いて測定した。測定条件は以下の通りである。 The obtained N, N ′, N ″ -trimethylborazine was distilled at 150 to 220 ° C. to purify N, N ′, N ″ -trimethylborazine. The purity of the obtained purified N, N ′, N ″ -trimethylborazine was measured and found to be 99.9% by mass. The purity of the borazine compound was measured using gas chromatography. It is as follows.
ボラジン化合物保存用容器として、密閉可能な入口用および出口用のバルブを有するステンレス容器を準備し、２５℃での電気伝導率が０．０５ｍＳ／ｍである純水で洗浄した。その後、保存用容器を６０℃で１時間乾燥した後、バルブを開けた状態で、露点−７０℃の窒素ガスを入口から送り込み、出口側の窒素ガスの露点が−４０℃になるまでフローした。この際、窒素ガスの露点は、オンライン露点計（永野電機産業社製）で測定した。 As a borazine compound storage container, a stainless steel container having a sealable inlet and outlet valve was prepared and washed with pure water having an electric conductivity of 0.05 mS / m at 25 ° C. Thereafter, the storage container was dried at 60 ° C. for 1 hour, and with the valve opened, nitrogen gas having a dew point of −70 ° C. was fed from the inlet and flowed until the dew point of the nitrogen gas on the outlet side became −40 ° C. . At this time, the dew point of nitrogen gas was measured with an online dew point meter (manufactured by Nagano Denki Sangyo Co., Ltd.).
上記で得られた精製Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンを、上述の保存用容器中に充填して、バルブを密封して、３０日間保存した。保存後のＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンの純度をガスクロマトグラフィを用いて測定したところ、９９．９質量％であり、ボラジン化合物の純度低下は観察されなかった。Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンに含まれるボロンエーテルの含有量は、２００ｐｐｍであった。 The purified N, N ′, N ″ -trimethylborazine obtained above was filled in the above storage container, the valve was sealed, and stored for 30 days. N, N ′, N ″ after storage -The purity of trimethylborazine was measured using gas chromatography and found to be 99.9% by mass, and no decrease in the purity of the borazine compound was observed. The content of boron ether contained in N, N ′, N ″ -trimethylborazine was 200 ppm.
＜比較例＞
上記の実施例１と同様の手法によりＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンを合成し、蒸留により精製した。
<Comparative example>
N, N ′, N ″ -trimethylborazine was synthesized by the same method as in Example 1 and purified by distillation.
ボラジン化合物保存用容器として、密閉可能な入口用および出口用のバルブを有するステンレス容器を準備し、２５℃での電気伝導率が０．０５ｍＳ／ｍである純水で洗浄した。その後、保存用容器を６０℃で１時間乾燥した後、バルブを開けた状態で、露点−７０℃の窒素ガスを入口から送り込み、出口側の窒素ガスの露点が−１０℃になるまでフローした。この際、窒素ガスの露点は、オンライン露点計（永野電機産業社製）で測定した。 As a borazine compound storage container, a stainless steel container having a sealable inlet and outlet valve was prepared and washed with pure water having an electric conductivity of 0.05 mS / m at 25 ° C. Thereafter, the storage container was dried at 60 ° C. for 1 hour, and with the valve opened, nitrogen gas having a dew point of −70 ° C. was fed from the inlet and flowed until the dew point of the nitrogen gas on the outlet side was −10 ° C. . At this time, the dew point of nitrogen gas was measured with an online dew point meter (manufactured by Nagano Denki Sangyo Co., Ltd.).
上記で得られた精製Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンを、上述の保存用容器中に充填して、バルブを密封して３０日間保存した。保存後のＮ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンの純度を測定したところ、９９．７質量％であり、０．２質量％のボラジン化合物の純度低下が観察された。Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンに含まれるボロンエーテルの含有量は、９００ｐｐｍであった。 The purified N, N ′, N ″ -trimethylborazine obtained above was filled in the above storage container, and the valve was sealed and stored for 30 days. After storage, N, N ′, N ″ − When the purity of trimethylborazine was measured, it was 99.7% by mass, and a decrease in the purity of 0.2% by mass of the borazine compound was observed. The content of boron ether contained in N, N ′, N ″ -trimethylborazine was 900 ppm.
以上の実施例および比較例に示す結果から、ボラジン化合物を所定の温度条件下にて、所定の耐圧圧力を有する保存用容器中で保存することで、ボラジン化合物の分解および反応が効果的に抑制されうることが示される。 From the results shown in the above Examples and Comparative Examples, the decomposition and reaction of the borazine compound is effectively suppressed by storing the borazine compound in a storage container having a predetermined pressure and pressure under a predetermined temperature condition. It can be shown that
従って、本発明によれば、ボラジン化合物が用いられる用途（例えば、半導体用層間絶縁膜）の品質のより一層の向上が図られる。 Therefore, according to this invention, the quality of the use (for example, interlayer insulation film for semiconductors) for which a borazine compound is used can be further improved.
Claims (4)
ボラジン化合物保存用容器を純水で洗浄後、窒素ガスでフローしたときの窒素ガスの露点が−３０℃以下になるまで乾燥する段階を有する、ボラジン化合物保存用容器の洗浄方法。 A method for cleaning a borazine compound storage container,
A method for cleaning a borazine compound storage container, comprising: washing a borazine compound storage container with pure water, and then drying the borazine compound storage container until the dew point of the nitrogen gas when flowing with nitrogen gas is -30 ° C or lower.
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