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JP2008078157A - Modular connector - Google Patents

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JP2008078157A
JP2008078157A JP2007306550A JP2007306550A JP2008078157A JP 2008078157 A JP2008078157 A JP 2008078157A JP 2007306550 A JP2007306550 A JP 2007306550A JP 2007306550 A JP2007306550 A JP 2007306550A JP 2008078157 A JP2008078157 A JP 2008078157A
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JP
Japan
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conductive paths
substrate
conductive
modular
crosstalk
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Pending
Application number
JP2007306550A
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Japanese (ja)
Inventor
Futoshi Nishimura
太 西村
Hirohisa Okuno
裕寿 奥野
Koji Yamashita
耕司 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-speed transmission modular connector which reduces crosstalk elements and reflection elements across a broad frequency band in combination with a modular plug. <P>SOLUTION: The modular connector 1 has conductive paths in the inside of a housing 3 having an open plug insertion inlet 2, and capacitance elements that are composed of conductive patterns connected to each conductive path and that create capacitive connection between the conductive paths. A configuration is determined using a gap between the conductive paths in a contact lead portion in which the conductive paths are arranged in parallel and close to each other and a length of the contact lead portion as setting elements, and another configuration is determined by properly setting the length of the conductive path between the connection position of one conductive path and that of the plurality of capacitance elements. These configurations are used independently or in combination to correlate the frequency characteristics in size and phase of a crosstalk element generated at the modular connector 1 to the frequency characteristics of a crosstalk element generated at a modular plug so that crosstalk is reduced when the modular connector 1 is combined with the modular plug. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、主として情報通信に使用されるモジュラコネクタに関するものである。   The present invention relates to a modular connector mainly used for information communication.

情報通信に使用されるモジュラコネクタとして、例えば図14に示すようなものがある。このモジュラコネクタ1はモジュラプラグが挿入されるプラグ挿入口2が設けられたハウジング3と、モジュラプラグの接触子に弾接する8本のコンタクトピン6とを備え、コンタクトピン6はハウジング3に収納された基板5に接続されている。ここで、コンタクトピンはプラグ挿入口2内部の奥の図14における下部に載置されたプリント基板から下向きに延び前方へ曲がってプラグ挿入口2の下部を通過して上向きにU字状に曲がりプラグ挿入口2内部の入り口付近からプラグ挿入口2の奥に向かって上向きに互いに平行に延びた構造である。   An example of a modular connector used for information communication is shown in FIG. The modular connector 1 includes a housing 3 provided with a plug insertion slot 2 into which a modular plug is inserted, and eight contact pins 6 that elastically contact a contact of the modular plug. The contact pins 6 are accommodated in the housing 3. Connected to the substrate 5. Here, the contact pin extends downward from the printed circuit board placed in the lower part in FIG. 14 in the back of the plug insertion slot 2, bends forward, passes through the lower part of the plug insertion slot 2, and bends upward in a U shape. The structure extends in parallel with each other upward from the vicinity of the entrance inside the plug insertion port 2 toward the back of the plug insertion port 2.

しかし、このようなモジュラコネクタ及びモジュラコネクタと組み合わせて使用されるモジュラプラグは複数の伝送線が互いに接近して平行に並べられているという構造上、回線間の静電容量不平衡(以下、容量性結合)及び相互誘導(以下、誘導性結合)によって回線を伝送する信号中に漏話成分が発生しやすい。ここで漏話成分は大きさと位相で定義される電気信号成分であり、その特性は周波数に依存する。漏話成分には信号の伝播方向に現れる遠端漏話成分と、その反対方向に現れる近端漏話成分とがある。   However, the modular plug used in combination with such a modular connector and the modular connector has a structure in which a plurality of transmission lines are arranged in parallel and close to each other, and therefore, capacitance unbalance (hereinafter referred to as capacitance) between the lines. ) And cross-induction (hereinafter referred to as inductive coupling), a crosstalk component is likely to occur in a signal transmitted through a line. Here, the crosstalk component is an electric signal component defined by magnitude and phase, and its characteristics depend on the frequency. The crosstalk component includes a far-end crosstalk component that appears in the signal propagation direction and a near-end crosstalk component that appears in the opposite direction.

さらなる大容量高速通信の実現のためには、信号中において伝送の障害となる漏話成分及び反射成分を低減させることが重要である。モジュラコネクタとモジュラプラグを組み合わせた状態においてトータルの漏話成分を低減するためには、モジュラプラグにおいて発生した漏話成分を打ち消す漏話成分をモジュラコネクタにおいて意図的に発生させることが考えられる。具体的には、伝送線間に容量性結合又は誘導性結合を発生させる構成をモジュラとケーブルの接続部に組み込むという手法が採用されている。例えば、先に示した図14のモジュラコネクタ1においては、図15に示すように基板5上の配線を互いに近接させることにより誘導性結合を発生させている。また、特開平6−243937や特開平06−84562には、伝送対間への静電容量の付加や導体の交差によって近端漏話成分を低減する方法が開示されている。この技術は、近端漏話成分の低減において一応の効果を奏している。
特開平6−243937号公報 特開平06−84562号公報
In order to realize further large-capacity high-speed communication, it is important to reduce crosstalk components and reflection components that hinder transmission in a signal. In order to reduce the total crosstalk component in a state where the modular connector and the modular plug are combined, it is conceivable to intentionally generate a crosstalk component in the modular connector that cancels the crosstalk component generated in the modular plug. Specifically, a method of incorporating a configuration for generating capacitive coupling or inductive coupling between transmission lines into a connecting portion between a modular and a cable is employed. For example, in the modular connector 1 shown in FIG. 14, the inductive coupling is generated by bringing the wirings on the substrate 5 close to each other as shown in FIG. Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 6-243937 and 06-84562 disclose methods for reducing near-end crosstalk components by adding capacitance between transmission pairs and crossing conductors. This technique has a temporary effect in reducing the near-end crosstalk component.
JP-A-6-243937 Japanese Patent Laid-Open No. 06-84562

しかし、誘導性結合のみを利用して補正する方法は近端漏話成分または遠端漏話成分のいずれか一方を低減させるかわりもう一方を増大させるという問題があり、容量性結合のみを利用する方法は、1組の対間のみに適用するには有効であるが、それ以上の対の組み合わせを補償する場合に別の対間にも影響するという問題がある。また、伝送対を構成する導体間で長さが異なったり、伝送対を構成する導体間の距離が離れてしまうと反射成分を増大させることにもなる。   However, the correction method using only inductive coupling has a problem that either the near-end crosstalk component or the far-end crosstalk component is reduced instead of reducing either one, and the method using only capacitive coupling is This is effective when applied only to one pair of pairs, but there is a problem in that when another pair combination is compensated, it affects another pair. Further, if the lengths of the conductors constituting the transmission pair are different or the distance between the conductors constituting the transmission pair is increased, the reflection component is also increased.

すなわち、モジュラプラグにおいて発生する漏話成分の大きさと位相の周波数特性(以下、漏話特性)に対して、広周波数帯域にわたってモジュラコネクタの漏話特性を十分に対応させ、モジュラプラグとの組合せにおける漏話を有効に低減させることができない場合があった。   In other words, the crosstalk characteristics of the modular connector are sufficiently matched to the frequency characteristics of the crosstalk components generated in the modular plug and the frequency characteristics of the phase (hereinafter referred to as crosstalk characteristics) over a wide frequency band, and the crosstalk in combination with the modular plug is effective. In some cases, it could not be reduced.

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、モジュラコネクタ内部において伝送対間に発生する漏話成分の大きさと位相とがモジュラプラグ内部において伝送対間に発生する漏話成分の大きさと位相とに広周波数帯域にわたって対応し、モジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができるモジュラコネクタを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described reason, and the purpose of the present invention is to determine the magnitude and phase of the crosstalk component generated between the transmission pairs in the modular connector and the crosstalk component generated between the transmission pairs in the modular plug. An object of the present invention is to provide a modular connector that can cope with a size and a phase over a wide frequency band and can reduce crosstalk in combination with a modular plug.

請求項1の発明は、モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、前記ハウジングの内壁に取り付けられた基板と、前記プラグ挿入口の中に配設され複数の伝送対を構成し前記基板に接続されモジュラプラグの接触子に弾接する複数本のコンタクトピンと、前記ハウジングに設けた端子台に配設され各コンタクトピンに夫々対応する複数の端子板と、前記基板に配設され、前記コンタクトピンと対応する前記端子板とを夫々電気的に接続する導電路と、前記導電路に接続され少なくとも2つの前記導電路の間に誘導性結合を生じさせる誘導性結合手段と、少なくとも2つの前記導電路の間に容量性結合を生じさせる容量性結合手段とを備え、前記各導電路の一部には前記誘導性結合手段として他のいずれかの導電路と平行に近接したコンタクトリード部が設けられているモジュラコネクタにおいて、前記基板は、導体層が3層以上の多層基板より成り、前記コンタクトリード部は、同一導体層上に配設された導電路同士から構成されるとともに、任意の異なる導体層に配設された導電路同士から構成されており、前記容量性結合手段は、前記コンタクトピンと前記導電路との接続部分に設けられていることを特徴とする。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a housing in which a plug insertion port for inserting a modular plug is opened, a substrate attached to an inner wall of the housing, and a plurality of transmission pairs disposed in the plug insertion port. A plurality of contact pins connected to a substrate and elastically contacting a contact of a modular plug; a plurality of terminal plates disposed on a terminal block provided in the housing and corresponding to each contact pin; and disposed on the substrate; A conductive path that electrically connects each of the contact pins and the corresponding terminal plate; an inductive coupling means that is connected to the conductive path and generates inductive coupling between the at least two conductive paths; Capacitive coupling means for generating capacitive coupling between the conductive paths, and a part of each conductive path is parallel to any other conductive path as the inductive coupling means In a modular connector provided with adjacent contact lead portions, the substrate is composed of a multilayer substrate having three or more conductor layers, and the contact lead portions are composed of conductive paths arranged on the same conductor layer. In addition, the conductive paths are arranged in any different conductor layer, and the capacitive coupling means is provided at a connection portion between the contact pin and the conductive path. .

請求項1の発明は、モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、前記ハウジングの内壁に取り付けられた基板と、前記プラグ挿入口の中に配設され複数の伝送対を構成し前記基板に接続されモジュラプラグの接触子に弾接する複数本のコンタクトピンと、前記ハウジングに設けた端子台に配設され各コンタクトピンに夫々対応する複数の端子板と、前記基板に配設され、前記コンタクトピンと対応する前記端子板とを夫々電気的に接続する導電路と、前記導電路に接続され少なくとも2つの前記導電路の間に誘導性結合を生じさせる誘導性結合手段と、少なくとも2つの前記導電路の間に容量性結合を生じさせる容量性結合手段とを備え、前記各導電路の一部には前記誘導性結合手段として他のいずれかの導電路と平行に近接したコンタクトリード部が設けられているモジュラコネクタにおいて、前記基板は、導体層が3層以上の多層基板より成り、前記コンタクトリード部は、同一導体層上に配設された導電路同士から構成されるとともに、任意の異なる導体層に配設された導電路同士から構成されているので、モジュラコネクタ内部において各伝送対間に発生する漏話成分の大きさと位相とを両方とも設定することができ、モジュラプラグと組合せにおける漏話を低減できる。また、誘導性結合を多層基板の任意の層間で形成するため、基板の全体厚みとは独立して層間寸法を設定することによって、誘導性結合量の設定の自由度を増やしたり、設定範囲を広くすることができる。また、前記容量性結合手段は、前記コンタクトピンと前記導電路との接続部分に設けられているので、モジュラプラグと組合せにおける漏話を、より漏話が発生している箇所に近いところで効率よく低減できる。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a housing in which a plug insertion port for inserting a modular plug is opened, a substrate attached to an inner wall of the housing, and a plurality of transmission pairs disposed in the plug insertion port. A plurality of contact pins connected to a substrate and elastically contacting a contact of a modular plug; a plurality of terminal plates disposed on a terminal block provided in the housing and corresponding to each contact pin; and disposed on the substrate; A conductive path that electrically connects each of the contact pins and the corresponding terminal plate; an inductive coupling means that is connected to the conductive path and generates inductive coupling between the at least two conductive paths; Capacitive coupling means for generating capacitive coupling between the conductive paths, and a part of each conductive path is parallel to any other conductive path as the inductive coupling means In a modular connector provided with adjacent contact lead portions, the substrate is composed of a multilayer substrate having three or more conductor layers, and the contact lead portions are composed of conductive paths arranged on the same conductor layer. In addition, since it is composed of conductive paths arranged in any different conductor layers, both the magnitude and phase of crosstalk components generated between each transmission pair in the modular connector can be set. The crosstalk in combination with the modular plug can be reduced. In addition, since inductive coupling is formed between arbitrary layers of a multilayer substrate, by setting the interlayer dimensions independently of the overall thickness of the substrate, the degree of freedom of setting the inductive coupling amount can be increased, and the setting range can be increased. Can be wide. In addition, since the capacitive coupling means is provided at a connection portion between the contact pin and the conductive path, crosstalk in combination with the modular plug can be efficiently reduced near a place where crosstalk occurs.

(実施形態1)
本実施例のモジュラコネクタ1は8極8心用であって、図1乃至図2に示すようにモジュラプラグ(図示せず)を挿入するプラグ挿入口2が開口するハウジング3を備える。ハウジング3においてプラグ挿入口2の背面側上部には端子台4が設けられていて、端子台4の下部には基板5が配設されている。プラグ挿入口2の内部には、モジュラプラグの接触子(図示せず)に弾接する4対のコンタクトピン6を備えている。コンタクトピン6は、図2乃至図3に示すようにプラグ挿入口2の背面側の基板5上に設けられたコンタクトピン支持部7に支持されている。端子台4にはコンタクトピン6と1対1対応した8つの端子板8が立設されている。基板5には各コンタクトピン6と電気的に接続されたビアホール12と、各端子板8と電気的に接続されたビアホール13とが設けられている。また、基板5にはビアホール12と対応するビアホール13とを電気的に接続する導電路9が導体パターンによって形成されている。図5及び図6に示すように、望ましくない誘導性結合の発生を抑制するため導電路9は基板5の表面5Aと裏面5Bとに分けて形成されている。さらに、基板5には一部の導電路9にのみ接続されるビアホール14が設けられている。
(Embodiment 1)
The modular connector 1 of this embodiment is for 8 poles and 8 cores, and includes a housing 3 in which a plug insertion port 2 into which a modular plug (not shown) is inserted is opened as shown in FIGS. In the housing 3, a terminal block 4 is provided in the upper part on the back side of the plug insertion port 2, and a substrate 5 is disposed in the lower part of the terminal block 4. Inside the plug insertion slot 2 are provided four pairs of contact pins 6 that elastically contact a contact (not shown) of a modular plug. As shown in FIGS. 2 to 3, the contact pin 6 is supported by a contact pin support portion 7 provided on the substrate 5 on the back side of the plug insertion slot 2. On the terminal block 4, eight terminal plates 8 corresponding to the contact pins 6 are provided upright. The substrate 5 is provided with a via hole 12 electrically connected to each contact pin 6 and a via hole 13 electrically connected to each terminal board 8. In addition, a conductive path 9 that electrically connects the via hole 12 and the corresponding via hole 13 is formed in the substrate 5 by a conductor pattern. As shown in FIGS. 5 and 6, the conductive path 9 is formed separately on the front surface 5 </ b> A and the back surface 5 </ b> B of the substrate 5 in order to suppress the occurrence of undesirable inductive coupling. Furthermore, the substrate 5 is provided with a via hole 14 connected only to a part of the conductive paths 9.

以下において、コンタクトピン6、導電路9、ビアホール12、ビアホール13、ビアホール14の電気的に接続されたものについてはそれぞれ同じ符号a,b,c,d,e,f,g,hを番号の後に付すものとする。ここで、番号の後に付した符号においては、aとb、cとf、dとe、gとhが夫々伝送対を構成している。   In the following description, the same reference numbers a, b, c, d, e, f, g, h are assigned to the contact pins 6, the conductive paths 9, the via holes 12, the via holes 13, and the via holes 14, respectively. It shall be attached later. Here, in the code | symbol attached | subjected after the number, a and b, c and f, d and e, and g and h comprise the transmission pair, respectively.

図1乃至図4に示すようにコンタクトピン6はプラグ挿入口2の入り口付近に一端を固定され、挿入口2の内側に向かって平行に延びる。その後コンタクトピン6のうちチップ線に接続される4本であるコンタクトピン6a,6c,6e,6gは1回曲がってコンタクトピン支持部7に支持されコンタクトピン支持部7から2mm程度後方において90度下向きに曲げられてそれぞれ対応するビアホール12a,12c,12e,12gに通され、コンタクトピン6のうちリング線に接続される4本であるコンタクトピン6b,6d,6f,6hは2回曲がってコンタクトピン6a,6c,6e,6gより低い位置でコンタクトピン支持部7に支持されコンタクトピン支持部7近傍において90度下向きに曲げられてそれぞれ対応するビアホール12b,12d,12f,12hに通されている。したがってビアホール12は側面から見て千鳥状の配置になっており、チップ線に対応するビアホール12a,12c,12e,12gとリング線に対応するビアホール12b,12d,12f,12hとが前後に離されている。   As shown in FIGS. 1 to 4, one end of the contact pin 6 is fixed near the entrance of the plug insertion port 2, and extends in parallel toward the inside of the insertion port 2. Thereafter, the four contact pins 6a, 6c, 6e, 6g connected to the chip line among the contact pins 6 are bent once and supported by the contact pin support portion 7 and 90 degrees behind the contact pin support portion 7 by about 2 mm. Four contact pins 6b, 6d, 6f, and 6h that are bent downward and passed through the corresponding via holes 12a, 12c, 12e, and 12g and connected to the ring line among the contact pins 6 are bent and contacted twice. It is supported by the contact pin support 7 at a position lower than the pins 6a, 6c, 6e, 6g, bent 90 degrees downward in the vicinity of the contact pin support 7, and passed through the corresponding via holes 12b, 12d, 12f, 12h. . Therefore, the via holes 12 are arranged in a staggered manner when viewed from the side, and the via holes 12a, 12c, 12e, and 12g corresponding to the chip lines and the via holes 12b, 12d, 12f, and 12h corresponding to the ring lines are separated from each other in the front-rear direction. ing.

図5及び図6に示すように、導電路9は2本以上の導電路9同士が平行に近接していることにより誘導性結合を生じているコンタクトリード部10を有する。図5及び図6において斜線で示されている部分がコンタクトリード部10である。   As shown in FIGS. 5 and 6, the conductive path 9 has a contact lead portion 10 in which inductive coupling is caused by two or more conductive paths 9 being close to each other in parallel. 5 and 6, the hatched portion is the contact lead portion 10.

コンタクトリード部10の存在によって、表面5Aにおいては導電路9a,9c間及び導電路9f,9h間に、裏面5Bにおいては導電路9b,9e間及び導電路9d,9g間に誘導性結合が生じている。これが、いわゆる同一導体層上に配設された導電路同士から構成されるコンタクトリード部である。また、導電路9c,9fの対と導電路9d,9eの対では、対をなす2本の導電路9が異なる上下の平面に配置されており、伝送対のうちのチップ線に対応したチップ導体同士である導電路9c,9e及びリング線に対応したリング導体同士である導電路9d,9fが基板5を挟んで平行に近接していることでそれら導電路9の組の間にも誘導性結合が生じている。これが、いわゆる異なる導体層に配設された導電路同士から構成されてコンタクトリード部である。   Due to the presence of the contact lead portion 10, inductive coupling occurs between the conductive paths 9a and 9c and between the conductive paths 9f and 9h on the front surface 5A, and between the conductive paths 9b and 9e and between the conductive paths 9d and 9g on the back surface 5B. ing. This is a contact lead portion composed of conductive paths arranged on the same conductor layer. Further, in the pair of conductive paths 9c and 9f and the pair of conductive paths 9d and 9e, the two conductive paths 9 forming a pair are arranged on different upper and lower planes, and the chip corresponding to the chip line of the transmission pair. Conductive paths 9c and 9e which are conductors and conductive paths 9d and 9f which are ring conductors corresponding to the ring lines are guided in parallel between the pair of conductive paths 9 with the substrate 5 interposed therebetween. Sexual bond is occurring. This is a contact lead portion composed of conductive paths arranged in so-called different conductor layers.

また基板5は多層基板であって内層面5Cを有する。内層面5Cにおいては図7に示すようにビアホール12cに接続された導電パターンと、ビアホール12eに接続された導電パターンとがキャパシタンス要素11Aを形成し、ビアホール12aに接続された導電パターンとビアホール12cに接続された導電パターンとがキャパシタンス要素11Cを形成している。また、ビアホール14cに接続された導電パターンと、ビアホール14dに接続された導電パターンとがキャパシタンス要素11Bを形成している。すなわち、キャパシタンス要素11A,11B,11Cによって導電路9c,9e間、導電路9c,9d間、導電路9a,9c間にそれぞれ容量性結合が生じる。このとき、キャパシタンス要素11Aは、コンタクトピン6と導電路9との接続部分であるビアホール12c及びビアホール12eから直接導体パターンによって形成されている。また、キャパシタンス要素11Cは、ビアホール12c及びビアホール12aから直接導体パターンによって形成されている。こうすることによって、モジュラコネクタにおけるよりモジュラプラグに近い部分で、プラグで発生した漏話成分を打ち消す漏話成分を意図的に発生させることができ、強いてはプラグで発生した漏話成分とこれを打ち消す漏話成分との位相のずれを低減できるので、モジュラプラグと組合せにおける漏話を効率よく低減できる。   The substrate 5 is a multilayer substrate and has an inner layer surface 5C. On the inner surface 5C, as shown in FIG. 7, the conductive pattern connected to the via hole 12c and the conductive pattern connected to the via hole 12e form a capacitance element 11A, and the conductive pattern connected to the via hole 12a and the via hole 12c The connected conductive pattern forms a capacitance element 11C. The conductive pattern connected to the via hole 14c and the conductive pattern connected to the via hole 14d form a capacitance element 11B. That is, capacitive coupling occurs between the conductive paths 9c, 9e, between the conductive paths 9c, 9d, and between the conductive paths 9a, 9c by the capacitance elements 11A, 11B, 11C. At this time, the capacitance element 11 </ b> A is formed by a conductor pattern directly from the via hole 12 c and the via hole 12 e which are connection portions between the contact pin 6 and the conductive path 9. The capacitance element 11C is formed by a conductor pattern directly from the via hole 12c and the via hole 12a. By doing so, it is possible to intentionally generate a crosstalk component that cancels out the crosstalk component generated by the plug at a portion closer to the modular plug in the modular connector, and the crosstalk component generated by the plug and the crosstalk component that cancels this out. Therefore, the crosstalk in combination with the modular plug can be efficiently reduced.

キャパシタンス要素11Aと導電路9cとの接続位置からキャパシタンス要素11Bと導電路9cとの接続位置までの導電路9cにおいて発生する位相遅れを利用し、前記接続位置間の導電路9cの長さを選ぶことによってモジュラコネクタ1において発生する漏話成分の位相の周波数特性を設定することができ、したがってモジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することが可能となる。   The length of the conductive path 9c between the connection positions is selected using the phase delay generated in the conductive path 9c from the connection position between the capacitance element 11A and the conductive path 9c to the connection position between the capacitance element 11B and the conductive path 9c. As a result, the frequency characteristics of the phase of the crosstalk component generated in the modular connector 1 can be set, so that the crosstalk in combination with the modular plug can be reduced.

また、コンタクトリード部10の長さと、コンタクトリード部10における導電路9の間隔とを設計時のパラメータとして適切に選ぶことにより、モジュラコネクタ1における漏話成分の大きさと位相とをモジュラプラグにおいて発生する漏話成分に対応させることが可能となり従ってモジュラプラグと組み合わせた状態における漏話を低減することができる。   Further, the size and phase of the crosstalk component in the modular connector 1 are generated in the modular plug by appropriately selecting the length of the contact lead portion 10 and the distance between the conductive paths 9 in the contact lead portion 10 as design parameters. It is possible to cope with the crosstalk component, and therefore, the crosstalk in the state combined with the modular plug can be reduced.

さらに、上で述べたキャパシタンス要素11A,11B,11Cの設計による容量性結合の調整とコンタクトリード部10の設計による誘導性結合の調整とを組み合わせて利用することにより、モジュラコネクタ1において発生する漏話成分の大きさと位相とを広周波数帯域に亘ってモジュラプラグにおいて発生する漏話成分に対応させることが可能となり従ってモジュラプラグと組み合わせた状態における漏話を低減することができる。   Further, the crosstalk generated in the modular connector 1 is obtained by using the combination of the capacitive coupling adjustment by the design of the capacitance elements 11A, 11B, and 11C described above and the adjustment of the inductive coupling by the design of the contact lead portion 10 in combination. The magnitude and phase of the component can be made to correspond to the crosstalk component generated in the modular plug over a wide frequency band, and thus the crosstalk in the state combined with the modular plug can be reduced.

容量性結合又は誘導性結合を発生する導電路9a〜9fの組合せについて、漏話成分又は反射成分の低減に効果があれば特に制限はない。キャパシタンス要素11A,11B,11Cは同様の作用を持つ他の素子に置き換えてもよい。   The combination of the conductive paths 9a to 9f that generate capacitive coupling or inductive coupling is not particularly limited as long as it is effective in reducing the crosstalk component or the reflection component. Capacitance elements 11A, 11B, and 11C may be replaced with other elements having the same function.

(実施形態2)
本実施形態においては、実施形態1と同様の構成の他、基板5に第2の内層面5Dを有する。図8に示すように、内層面5Dにおいてはビアホール12dに接続された導電パターンと、ビアホール12fに接続された導電パターンとがキャパシタンス要素11Dを形成し、ビアホール12eに接続された導電パターンとビアホール12fに接続された導電パターンとがキャパシタンス要素11Eを形成している。また、ビアホール14fに接続された導電パターンと、ビアホール14hに接続された導電パターンとがキャパシタンス要素11Fを形成している。すなわち、キャパシタンス要素11D,11E,11Fによって導電路9d,9fの間、導電路9e,9fの間、導電路9f,9hの間に夫々容量性結合が生じる。
(Embodiment 2)
In the present embodiment, in addition to the same configuration as that of the first embodiment, the substrate 5 has a second inner layer surface 5D. As shown in FIG. 8, on the inner layer surface 5D, the conductive pattern connected to the via hole 12d and the conductive pattern connected to the via hole 12f form a capacitance element 11D, and the conductive pattern connected to the via hole 12e and the via hole 12f. And the conductive pattern connected to each other form a capacitance element 11E. The conductive pattern connected to the via hole 14f and the conductive pattern connected to the via hole 14h form a capacitance element 11F. That is, capacitive coupling is generated between the conductive paths 9d, 9f, the conductive paths 9e, 9f, and the conductive paths 9f, 9h by the capacitance elements 11D, 11E, and 11F.

ここで、導電路9c,9eの間に容量性結合を生じさせるキャパシタンス要素11Aと導電路9d,9fの間に容量性結合を生じさせるキャパシタンス要素11Dとにおいては、ビアホール12cに接続された導体パターンとビアホール12fに接続された導体パターンとがプリント基板を挟んで対応した位置にあり、またビアホール12eに接続された導体パターンとビアホール12dに接続された導体パターンとがプリント基板を挟んで対応した位置にある。キャパシタンス要素11B,11Eでも同様に、ビアホール14cに接続された導体パターンとビアホール14fに接続された導体パターンとがプリント基板を挟んで対応した位置にあり、またビアホール14eに接続された導体パターンとビアホール14dに接続された導体パターンとが基板を挟んで対応した位置にある。   Here, in the capacitance element 11A that generates capacitive coupling between the conductive paths 9c and 9e and the capacitance element 11D that generates capacitive coupling between the conductive paths 9d and 9f, the conductor pattern connected to the via hole 12c. And the conductor pattern connected to the via hole 12f at a position corresponding to the printed circuit board, and the conductor pattern connected to the via hole 12e and the conductor pattern connected to the via hole 12d corresponding to the printed circuit board. It is in. Similarly, in the capacitance elements 11B and 11E, the conductor pattern connected to the via hole 14c and the conductor pattern connected to the via hole 14f are in positions corresponding to each other with the printed circuit board interposed therebetween, and the conductor pattern and the via hole connected to the via hole 14e. The conductor pattern connected to 14d is at a position corresponding to the substrate.

伝送対をなす導電路9c,9fの間及び導電路9e,9dの間に並列に容量性結合が生じ、導電路9c,9fを含む伝送対と導電路9e,9dを含む伝送対との特性インピーダンスを整合させる効果が生じるので広周波数帯域に亘って反射を低減することができる。   Capacitive coupling occurs in parallel between the conductive paths 9c and 9f forming the transmission pair and between the conductive paths 9e and 9d, and the characteristics of the transmission pair including the conductive paths 9c and 9f and the transmission pair including the conductive paths 9e and 9d Since the impedance matching effect is produced, reflection can be reduced over a wide frequency band.

また、キャパシタンス要素11Aと導電路9cとの接続位置であるビアホール12cからキャパシタンス要素11Bに接続されたビアホール14cと導電路9cとの接続位置までの導電路9cにおいて発生する位相遅れと、キャパシタンス要素11Dと導電路9fとの接続位置であるビアホール12fからキャパシタンス要素11Eに接続されたビアホール14fと導電路9fとの接続位置までの導電路9fにおいて発生する位相遅れとを利用し、前記接続位置間の導電路9c,9fの長さまたは導電路9c,9fと対応するビアホール14c,14fとの接続位置を設定することによってモジュラコネクタ1において発生する漏話成分の位相の周波数特性を設定することができ、したがってモジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することが可能となる。   Further, the phase delay generated in the conductive path 9c from the via hole 12c, which is a connection position between the capacitance element 11A and the conductive path 9c, to the connection position between the via hole 14c connected to the capacitance element 11B and the conductive path 9c, and the capacitance element 11D And the phase delay generated in the conductive path 9f from the via hole 12f that is the connection position of the conductive path 9f to the connection position of the via hole 14f connected to the capacitance element 11E and the conductive path 9f, By setting the length of the conductive paths 9c and 9f or the connection positions of the corresponding via holes 14c and 14f with the conductive paths 9c and 9f, the frequency characteristic of the phase of the crosstalk component generated in the modular connector 1 can be set. Thus reducing crosstalk in combination with modular plugs It becomes possible.

容量性結合手段または誘導性結合手段を付加する導電路9a〜9fの組合せについて、漏話成分又は反射成分の低減に効果があれば特に制限はない。   The combination of the conductive paths 9a to 9f to which the capacitive coupling means or the inductive coupling means is added is not particularly limited as long as it is effective in reducing the crosstalk component or the reflection component.

(実施形態3)
本実施形態において、基板5は多層基板ではなく内層面を有さない通常のプリント基板であり、ビアホール14は設けられていない。本実施例に用いる基板5の厚さは実施形態1における基板5よりも薄く、誘導性結合によって生じる漏話の大きさが実施形態1と同じになるように導電路9a〜9fの配置を調整してある。図9は、本実施例における基板5の2層に形成された導電路9a〜9fの配置を1つの図に合成して示している。この他の構成は実施形態1と同様である。
(Embodiment 3)
In the present embodiment, the substrate 5 is not a multilayer substrate but a normal printed circuit board having no inner layer surface, and no via hole 14 is provided. The thickness of the substrate 5 used in this example is thinner than that of the substrate 5 in the first embodiment, and the arrangement of the conductive paths 9a to 9f is adjusted so that the crosstalk generated by the inductive coupling is the same as that in the first embodiment. It is. FIG. 9 shows the arrangement of the conductive paths 9a to 9f formed in the two layers of the substrate 5 in this embodiment in a single view. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

図9を図5及び図6と比較すると、2つの平面間の距離が短くなったかわりにコンタクトリード部10の平行配線長を短くしてある。これにより、コンタクトリード部10における誘導性結合によって生じる漏話成分の大きさが同じであるにも関わらず、コンタクトリード部10における誘導性結合によって生じる漏話成分の位相は変化する。   Comparing FIG. 9 with FIG. 5 and FIG. 6, the parallel wiring length of the contact lead portion 10 is shortened instead of the distance between the two planes being shortened. As a result, the phase of the crosstalk component generated by the inductive coupling in the contact lead portion 10 changes even though the magnitude of the crosstalk component generated by the inductive coupling in the contact lead portion 10 is the same.

このようにコンタクトリード部10における導電路9間の距離とコンタクトリード部10の長さとを調整することによって誘導性結合によって生じる漏話信号の大きさを変化させずに位相のみを変化させることができる。即ち、設計上で対応させることが可能なモジュラプラグの漏話特性の自由度が高い。   Thus, by adjusting the distance between the conductive paths 9 in the contact lead portion 10 and the length of the contact lead portion 10, only the phase can be changed without changing the magnitude of the crosstalk signal generated by inductive coupling. . That is, the degree of freedom in crosstalk characteristics of the modular plug that can be accommodated in the design is high.

なお、導電路9a〜9f間に容量性結合手段を備えていてもよい。さらに、コンタクトリード部10を形成する導電路9a〜9fの組合せについて、漏話成分又は反射成分の低減に効果があれば特に制限はない。   Capacitive coupling means may be provided between the conductive paths 9a to 9f. Further, the combination of the conductive paths 9a to 9f forming the contact lead portion 10 is not particularly limited as long as it is effective in reducing the crosstalk component or the reflection component.

(実施形態4)
本実施形態は、基板5が3層以上の導体層からなる多層基板であり、コンタクトリード部が、同一導体層上及び任意の異なる導体層に配設された導電路同士から構成されている一例を示すものである。実施形態1では、基板5の表面5A及び裏面5Bにおいて基板の厚み方向に、いわゆる異なる導体層からなるコンタクトリード部が設けられていたが、本実施形態では、図10から図13に示すように、4層の導体層面50A、50B、50C、50Dからなる多層基板50の導体層面50Bと50Cにおいて基板の厚み方向に異なる導体層からなるコンタクトリード部を設けている。ここで、4層の導体層面を50Aから順に第1層面、…とする。なお、図10から図13は、キャパシタンス要素として、実施形態1及び実施形態2のキャパシタンス要素11A…と同様の作用を持つプレート状の導体パターンを用いている。また、斜線で示されている部分がコンタクトリード部10である。
(Embodiment 4)
The present embodiment is an example in which the substrate 5 is a multilayer substrate composed of three or more conductor layers, and the contact lead portions are composed of conductive paths arranged on the same conductor layer and in any different conductor layers. Is shown. In the first embodiment, contact lead portions made of so-called different conductor layers are provided in the thickness direction of the substrate on the front surface 5A and the back surface 5B of the substrate 5, but in this embodiment, as shown in FIGS. Contact lead portions made of different conductor layers are provided in the thickness direction of the substrate on the conductor layer surfaces 50B and 50C of the multilayer substrate 50 composed of four conductor layer surfaces 50A, 50B, 50C and 50D. Here, the four conductor layer surfaces are designated as the first layer surface in order from 50A. 10 to 13 use plate-like conductor patterns having the same action as the capacitance elements 11A of the first and second embodiments as capacitance elements. Further, a portion indicated by hatching is the contact lead portion 10.

コンタクトリード部10の存在によって、導体層面50Bにおいては導電路9a,9c間及び導電路9f,9h間に、導体層面50Cにおいては導電路9b,9e間及び導電路9d,9g間に誘導性結合が生じている。これが、いわゆる同一導体層上に配設された導電路同士から構成されるコンタクトリード部である。また、導電路9c,9fの対と導電路9d,9eの対では、対をなす2本の導電路9が異なる上下の導体層面に配置されており、伝送対のうちのチップ線に対応したチップ導体同士である導電路9c,9e及びリング線に対応したリング導体同士である導電路9d,9fが導体層を挟んで平行に近接していることでそれら導電路9の組の間にも誘導性結合が生じている。これが、いわゆる異なる導体層に配設された導電路同士から構成されてコンタクトリード部である。ここで、この異なる導体層からなるコンタクトリード部10は、同一導体層上に設けられたコンタクトリード部10よりも長く近接している。すなわち、チップ導体同士である導電路9c,9eを例にあげて説明すると、異なる導体層からなるコンタクトリード部10は、導電路において、ビアホール12c,12eの近辺から対応する各端子板8と電気的に接続するためのビアホール13c,13eに向かう屈曲部に至るまで略全長に亘るように設けられている。これは、異なる導体層に空間的にコンタクトリード部を設けることによって、同一基板上のコンタクトリード部よりも長さを自由に設定することができ、強いては誘導性結合量の設定の自由度を増やすことができる。また、誘導性結合を多層基板の任意の層間で形成するため、基板の全体厚みとは独立して層間寸法を設定することによって、誘導性結合量の設定の自由度を増やしたり、設定範囲を広くすることができる。   Due to the presence of the contact lead portion 10, inductive coupling between the conductive paths 9a and 9c and between the conductive paths 9f and 9h on the conductor layer surface 50B, and between the conductive paths 9b and 9e and between the conductive paths 9d and 9g on the conductor layer surface 50C. Has occurred. This is a contact lead portion composed of conductive paths arranged on the same conductor layer. Further, in the pair of conductive paths 9c and 9f and the pair of conductive paths 9d and 9e, the two conductive paths 9 forming a pair are arranged on different upper and lower conductor layer surfaces, and correspond to the chip line of the transmission pair. The conductive paths 9c and 9e that are the chip conductors and the conductive paths 9d and 9f that are the ring conductors corresponding to the ring lines are close to each other in parallel with the conductor layer interposed therebetween, so Inductive binding has occurred. This is a contact lead portion composed of conductive paths arranged in so-called different conductor layers. Here, the contact lead portions 10 made of the different conductor layers are closer to each other than the contact lead portions 10 provided on the same conductor layer. That is, the conductive paths 9c and 9e that are chip conductors will be described as an example. The contact lead portions 10 made of different conductive layers are electrically connected to the corresponding terminal plates 8 from the vicinity of the via holes 12c and 12e in the conductive paths. It is provided so that it may extend over the substantially full length until it reaches the bending part which goes to the via holes 13c and 13e for connecting. This is because, by providing contact lead portions on different conductor layers spatially, the length can be set more freely than the contact lead portions on the same substrate, and thus the degree of freedom in setting the inductive coupling amount is increased. Can be increased. In addition, since inductive coupling is formed between arbitrary layers of a multilayer substrate, by setting the interlayer dimensions independently of the overall thickness of the substrate, the degree of freedom of setting the inductive coupling amount can be increased, and the setting range can be increased. Can be wide.

本発明の実施形態1を示す一部破断した平面図である。It is the partially broken top view which shows Embodiment 1 of this invention. 同上の側面断面図である。It is side surface sectional drawing same as the above. 同上の要部の側面図である。It is a side view of the principal part same as the above. 同上の要部の平面図である。It is a top view of the principal part same as the above. 本発明の実施形態1に用いる基板の表面の平面図である。It is a top view of the surface of the board | substrate used for Embodiment 1 of this invention. 同上に用いる基板の裏面を表面側から透視した平面図である。It is the top view which saw through the back surface of the board | substrate used for the same from the surface side. 同上に用いる基板の内層面図を表面側から透視した平面図である。It is the top view which saw through the inner layer figure of the board | substrate used for the same from the surface side. 本発明の実施形態2に用いる基板の内層面図を表面側から透視した平面図である。It is the top view which saw through the inner layer figure of the board | substrate used for Embodiment 2 of this invention from the surface side. 本発明の実施形態3に用いる基板の裏面と表面とに用いる導電路を合成した平面図である。It is the top view which synthesize | combined the conductive path used for the back surface and surface of a board | substrate used for Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態4に用いる基板の第1層面の平面図である。It is a top view of the 1st layer surface of the board | substrate used for Embodiment 4 of this invention. 同上に用いる基板の第2層面を表面側から透視した平面図である。It is the top view which saw through from the surface side the 2nd layer surface of the board | substrate used for the same as the above. 同上に用いる基板の第3層面を表面側から透視した平面図である。It is the top view which saw through the 3rd layer surface of the board | substrate used for the same from the surface side. 同上に用いる基板の第4層面を表面側から透視した平面図である。It is the top view which saw through the 4th layer surface of the board | substrate used for the same from the surface side. 従来例の側面断面図である。It is side surface sectional drawing of a prior art example. 同上の要部の平面図である。It is a top view of the principal part same as the above.

符号の説明Explanation of symbols

1 モジュラコネクタ
2 プラグ挿入口
3 ハウジング
5 基板
6,6a〜6h コンタクトピン
8 端子板
9,9a〜9h 導電路
10 コンタクトリード部
11A〜11F キャパシタンス要素
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Modular connector 2 Plug insertion port 3 Housing 5 Board | substrate 6, 6a-6h Contact pin 8 Terminal board 9, 9a-9h Conductive path 10 Contact lead part 11A-11F Capacitance element

Claims (1)

モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、前記ハウジングの内壁に取り付けられた基板と、前記プラグ挿入口の中に配設され複数の伝送対を構成し前記基板に接続されモジュラプラグの接触子に弾接する複数本のコンタクトピンと、前記ハウジングに設けた端子台に配設され各コンタクトピンに夫々対応する複数の端子板と、前記基板に配設され、前記コンタクトピンと対応する前記端子板とを夫々電気的に接続する導電路と、前記導電路に接続され少なくとも2つの前記導電路の間に誘導性結合を生じさせる誘導性結合手段と、少なくとも2つの前記導電路の間に容量性結合を生じさせる容量性結合手段とを備え、前記各導電路の一部には前記誘導性結合手段として他のいずれかの導電路と平行に近接したコンタクトリード部が設けられているモジュラコネクタにおいて、前記基板は、導体層が3層以上の多層基板より成り、前記コンタクトリード部は、同一導体層上に配設された導電路同士から構成されるとともに、任意の異なる導体層に配設された導電路同士から構成されており、前記容量性結合手段は、前記コンタクトピンと前記導電路との接続部分に設けられていることを特徴とするモジュラコネクタ。   A housing in which a plug insertion port for inserting a modular plug is opened, a substrate attached to the inner wall of the housing, a plurality of transmission pairs arranged in the plug insertion port, connected to the substrate, and connected to the substrate. A plurality of contact pins elastically contacting the contacts, a plurality of terminal plates disposed on a terminal block provided in the housing and corresponding to the contact pins, respectively, and the terminal plates disposed on the substrate and corresponding to the contact pins A conductive path electrically connected to each other, inductive coupling means connected to the conductive path to generate inductive coupling between the at least two conductive paths, and capacitive between the at least two conductive paths A capacitive coupling means for generating coupling, and a part of each of the conductive paths is contacted in parallel with one of the other conductive paths as the inductive coupling means. In the modular connector provided with the lead portion, the substrate is composed of a multilayer substrate having three or more conductor layers, and the contact lead portion is composed of conductive paths arranged on the same conductor layer. A modular connector comprising conductive paths arranged in any different conductor layer, wherein the capacitive coupling means is provided at a connection portion between the contact pin and the conductive path.
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