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JP2008066374A - 放熱性基板およびその製造方法ならびにこれを用いたパワーモジュール - Google Patents

放熱性基板およびその製造方法ならびにこれを用いたパワーモジュール Download PDF

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JP2008066374A JP2006240199A JP2006240199A JP2008066374A JP 2008066374 A JP2008066374 A JP 2008066374A JP 2006240199 A JP2006240199 A JP 2006240199A JP 2006240199 A JP2006240199 A JP 2006240199A JP 2008066374 A JP2008066374 A JP 2008066374A
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敦子 藤野
Kei Yamamoto
圭 山本
Seiki Hiramatsu
星紀 平松
Tetsushi Tanda
哲史 反田
Hiroshi Yoshida
博 吉田
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Abstract

【課題】 熱伝導の高い薄体片が樹脂内に存在する熱伝導シートにおいて、薄体片が熱の広がる範囲から位置ずれすることなく配置された熱伝導シートを有する放熱性基板を得ることを目的とする。
【解決手段】 絶縁性の薄体片を樹脂組成体の内部に具備する熱伝導シートと、熱伝導シートの一方の面に接して設けられたヒートシンクと、熱伝導シートの他方の面に接して設けられたベース板とを備え、ヒートシンクの熱伝導シートに接する面およびベース板の熱伝導シートに接する面の少なくとも一方に薄体片の全体、一部、または、それぞれが収まるような薄体片の位置ずれを防止するため凹部を設ける。
【選択図】 図2

Description

本発明は、パワー半導体素子等の発熱体からの放熱を容易にする放熱性基板および放熱性基板の製造方法、ならびに、この放熱性基板を用いたパワーモジュールに関する。
パワー半導体素子を内部に有するパワーモジュールは、大電流が流れるパワー半導体素子の発熱の影響で温度が上昇しパワー半導体素子の動作が不安定になることがある。そこで、これを防ぐために放熱を容易にする構造を採用し、パワーモジュールの温度上昇を抑制している。
例えば、パワー半導体素子が実装されたリードフレームの、パワー半導体素子が実装された面の反対面に、Al、AlN、BeO等、絶縁性および熱伝導性に優れたセラミックス板を接着剤により接着させたものがある(特許文献1参照)。
熱伝導性に優れたセラミックス板は接着剤等によりヒートスプレッダまたはリードフレーム等に接着して用いられるが、セラミックス板は、パワー半導体素子等の発熱体からの発熱によりヒートスプレッダまたはリードフレームとの熱膨張率の差等による応力を受けて接着剤との界面で剥離し、発熱体からの熱の伝導が阻害されるという問題があった。
また、熱伝導性に加えて絶縁性および可とう性を合わせ持たせるため、高分子フィルム内に熱伝導性に優れたセラミックスの多面体を複数配置し、熱伝導性を高めた複合セラミックスシートがある(特許文献2参照)。
特開2001−156253号公報(第3頁) 特開平9−314747号公報(第6頁〜第7頁)
複合セラミックスシートは、ヒートスプレッダまたはリードフレームに接着した場合、セラミックスの多面体間の樹脂組成体によりヒートスプレッダまたはリードフレームとの接着性は向上するものの、ベース板またはヒートシンクと接着させる際に通常加熱しながらプレス処理を行なうため、複合セラミックスシート中のセラミックス多面体の位置ずれが生じる場合がある。セラミック多面体の位置がずれると、所望の放熱性が得られなくなるという課題があった。
本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、優れた熱伝導性を有する放熱性基板、および、これを用いたパワーモジュールを得ることを目的とする。
本発明に係る放熱性基板は、絶縁性の薄体片を樹脂組成体の内部に具備する熱伝導シートと、熱伝導シートの一方の面に接して設けられたヒートシンクと、熱伝導シートの他方の面に接して設けられたベース板とを備え、ヒートシンクの熱伝導シートに接する面およびベース板の熱伝導シートに接する面の少なくとも一方に、薄体片が収まる凹部を有するものである。
また、本発明に係る放熱性基板の製造方法は、絶縁性の薄体を粘着シートに貼付する工程と、粘着シートに貼付された状態で薄体を分割し薄体片とする工程と、凹部を有するベース板に第一の樹脂シートを配置し接着する工程と、粘着シートに貼付された薄体片をベース板の凹部の内側の所定の位置に配置し接着する工程と、粘着シートを粘着シートに貼付された薄体片から剥がす工程と、第二の樹脂シートとヒートシンクとを薄体片上に配置する工程と、第一および第二の樹脂シートを圧力をかけながら高温で硬化させる工程とを備えたものである。
また、本発明に係るパワーモジュールは、本発明の放熱性基板と、放熱性基板の一方の面のヒートシンク上に配置されたパワー半導体素子と、放熱性基板の他方の面のベース板上に配置されたヒートスプレッダとを備えたものである。
薄体片の位置ずれを防止して薄体片を所望の位置に配置することができ、優れた熱伝導性を有した放熱性基板を提供できる。
実施の形態1.
図1は本発明の実施の形態1における放熱性基板の概略構成を示す上面からの透視図である。また、図2は本発明の実施の形態1における放熱性基板1の概略構成を示す断面図であり、図1のa−b線断面における放熱性基板1の断面図である。
図1および図2に示すように、本実施の形態における放熱性基板は薄体片31を樹脂組成体21の内部に具備する熱伝導シート2を備えており、熱伝導シート2がベース板4とヒートシンク5との間に設けられている。ベース板4には複数の薄体片31を収める凹部41が形成されており、凹部41の外周部は凸部40となっている。凸部40はべース板4表面の凹部41を除く全ての領域に及んでいる。熱伝導シート2には薄体片31の上面および下面にも樹脂組成体21が連続して設けられ樹脂層22を形成している。なお、樹脂層22は薄体片31の熱伝導性を損なわないために薄体片31に比べて非常に薄く設けるが説明をわかりやすくするために図2では厚く記載している。
ベース板4およびヒートシンク5は銅等の導電性金属材料で構成されており、ヒートシンク5は放熱の機能とともに電極としての電気伝導機能も備えている。
次に、本実施の形態に関わる放熱性基板の製造方法を図3を用いて順を追って説明する。まず、図3(a)に示すように、絶縁性の薄体30を粘着シート11に貼付する。次に、図3(b)に示すように図3(a)の薄体30を粘着シート11に貼付した状態で分割し薄体片31とする。続いて、あらかじめ凹部41に樹脂シート25を接着しておいたベース板4に粘着シート11に貼付された薄体片31を対向させ、薄体片31をベース板4の凹部41の内側の所定の位置に配置し接着する。薄体片31から粘着シート11を剥離後、図3(d)に示すように薄体片31の上部に別の樹脂シート26とヒートシンク5を配置する。図3(d)に示した構造をベース板4およびヒートシンク5間に圧力をかけながら加熱することにより樹脂シート25、26を溶融、硬化させ、図3(e)に示す放熱性基板を得る。
本実施の形態に係わる放熱性基板の熱伝導シート2は、図1及び図2に示すように複数の薄体片31を具備したものでもよいが、たとえば放熱性基板の面積が小さなものでは必ずしも薄体片31を複数とする必要はなく、薄体片31は単数でもよい。
また、本実施の形態に係わる放熱性基板の熱伝導シート2の中にある絶縁性の薄体片31としては、熱伝導性を有するセラミックスシートが用いられる。セラミックス材料としては、10W/mK以上の高い熱伝導率を有する材料であれば特に限定されるものではないが、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の30W/mK以上の熱伝導率を有する材料を用いることが好ましい。また、薄体片31としては、例えば窒化アルミニウムの表面に酸化膜であるアルミナがコーティングされたものなど、複数の材料からなるものでも良い。
本実施の形態に係わる放熱性基板の熱伝導シート2における薄体片31間の間隔は、0.1mm以上、3mm以下であることが好ましい。薄体片31と樹脂組成体21を比較すると薄体片31の方が熱伝導率が高いので、上面から見たときの薄体片31の面積比率が高いほど放熱性基板の熱伝導率が高くなる。したがって、薄体片31間の間隔が狭い方が放熱性基板の熱伝導率が高くなるため好ましいが、薄体片31間の間隔が狭すぎると薄体片31の間に樹脂組成体21が入り込むことが困難となり熱伝導シート2の中に空隙が残るので、絶縁耐圧が低下する。このため、薄体片31の間隔は0.1mm以上であることが好ましい。反対に、薄体片31間の間隔が3mmを越えると放熱性基板の熱抵抗が高くなる。
本実施の形態に係わる放熱性基板の熱伝導シート2の薄体片31の厚さは0.1mm〜2mm程度が良い。薄体片31が薄い方が放熱性基板の熱抵抗が小さくなるため、薄体片31の厚さは0.1mm〜0.8mm程度がより好ましい。また、薄体片31の面方向の大きさは、放熱性基板のクラック防止と絶縁耐圧および熱伝導性の確保の観点から、3mm角以上30mm角以下であることが望ましい。薄体片31が複数の場合、薄体片31の面方向の大きさが小さい方が応力を緩和することができクラック防止には有利であるが、薄体片31の面方向の大きさが3mm角以下の場合、熱伝導シート2中の樹脂組成体21の占める体積割合が多くなることにより放熱性基板1の熱抵抗が大きくなり、また、樹脂組成体21と薄体片31との界面の密度が増加することより絶縁破壊の発生確率が高まり絶縁耐圧が低下する。また、剛性の高いセラミックスシートである薄体片31の面方向の大きさが30mm角以上と大きくなると、製造工程中や使用時の衝撃や応力などによって薄体片31にクラックが生じる可能性が高くなる。
本実施の形態に係わる放熱性基板の熱伝導シート2の樹脂組成体21は主に樹脂組成物で構成され、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーンゴム等の熱硬化性樹脂や、ポリエチレン、ポリイミド、アクリル系の熱可塑性樹脂等が用いられる。また、前記樹脂組成物に、さらに、熱伝導性の良いアルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の無機フィラーを充填したものであっても良い。無機フィラーを充填した樹脂組成体21は、その熱伝導性が向上し、セラミックス材料の薄体片31との熱応力も低減できるため好ましい。上記フィラーの径は1〜100μmであることが好ましく、樹脂層22となる樹脂の最終的な厚さ以下の径のものを用いる。
また、薄体片31の上面および下面に形成される樹脂層22の厚さは、熱伝導シート2の熱伝導性増加のためには薄い方が良いが、接着性の向上のためには厚い方が良い。そのため、樹脂層22の厚さは、薄体片31の上下合わせて薄体片31の厚さの1/7〜1/20程度が良い。
本実施の形態に係わる放熱性基板のベース板4の凹部41の深さは、薄体片31の厚さの20%〜80%であることが望ましい。凹部41の深さが薄体片31の厚さの20%以下の場合、プレス処理中の樹脂のながれを抑制できず薄体片31の位置ずれが生じる。反対に、凹部41の深さが薄体片31の厚さの80%以上の場合、製造時に樹脂組成体21に空隙が残り絶縁耐圧の低下が懸念される。
本実施の形態に係わる放熱性基板のベース板4の凹部41の面積は薄体片31の総面積の104%以上、144%以下であることが望ましい。凹部41の面積が薄体片31の総面積の104%以下の場合、凹部41の側面と薄体片31の間隔、及び、薄体片31が複数の場合は隣接する薄体片31間の間隔が狭くなるため、樹脂が入り込み難くなるので樹脂組成体21に空隙が発生しやすく、熱伝導性確保の点で望ましくない。また、凹部41の面積が薄体片31の総面積の144%を超える場合、隣接する薄体片31の間隔、及び、ベース板4の凹部41の側面と薄体片31の間隔が広くなるため、樹脂が流れてしまい位置ずれが生じやすくなる。このため、凹部41の面積は薄体片31の総面積の104%から144%であることが望ましい。
本実施の形態に係わる放熱性基板のベース板4に設ける凹部41は、機械加工を行なって得るのが寸法面内均一性の点から望ましいが、その他にも研磨、エッチングによって形成することも可能である。
本実施の形態に係わる放熱性基板の製造方法において薄体30を分割し配置する方法としては、あらかじめ薄体30を薄体片31に分割しておき、一旦所望の間隔を有するパレットに薄体片31を並べ、パレット上に並んだ薄体片31を吸引して樹脂シート25上に移しかえる方法をとることもできる。また、薄体30であるセラミックシートを粘着シート11であるダイシングシートに接着して所望の大きさにカットし、ダイシングシートを拡張して薄体片31の間隔を所望の間隔まで広げた状態で樹脂シート25上に薄体片31を貼り付ける方法をとることもできる。
本発明の実施の形態1によれば、ベース板4に設けられた凹部41の効果により、熱伝導シート2の中の絶縁性の薄体片31を所定の位置に配置する際に、加熱プレス工程中に薄体片31が樹脂と共に流動し薄体片31の位置ずれが発生することを防止でき、また、樹脂組成体21中の空隙の発生を抑制できる。従って、熱伝導性、可とう性、および絶縁性に優れた放熱性基板を得ることができる。
なお、本実施の形態において、放熱性基板1のベース板4の表面に設けられた凹部41は、図1のように複数の薄体片31全てを収められるものを示したが、図4および図5に示すように、ベース板4の表面に設けられた凹部41は、複数の薄体片31全てではなく複数の薄体片31のグループを収められるものとしても良い。また、図6に示すように、凹部41は個々の薄体片31を独立して収められるものとしても良い。
また、図7に示すように、薄体片31を収める凹部51は、ヒートシンク5の表面に設けても良く、また、ベース板4およびヒートシンク5の両方の表面に設けてもよい。
実施の形態2.
図8は本発明の実施の形態2における放熱性基板の概略構成を示す上面からの透視図である。本実施の形態における放熱性基板は薄体片31を樹脂組成体の内部に具備する熱伝導シート2を備えており、熱伝導シート2がベース板4とヒートシンク5との間に設けられている。図8に示すように、ベース板4には複数の薄体片31を収める凹部41が形成されており、凹部41の外周部は離散的に形成された複数の凸部40となっている。これ以外の構成および製造方法は、実施の形態1に示したものと同様であるので、説明を省略する。
本発明の実施の形態2によれば、ベース板4に離散的に設けられた凸部40の効果により、熱伝導シート2の中の絶縁性の薄体片31を所定の位置に配置する際に薄体片31の位置ずれを防止でき、更に、プレス処理時の圧力を逃がす効果が生じるため、樹脂組成体21中の空隙の発生をより有効に抑制できる。従って、熱伝導性、可とう性、および絶縁性に優れた放熱性基板を得ることができる。
なお、本実施の形態において、放熱性基板1のベース板4の表面に設けられた凸部40は薄体片31全体の外周部に設けたものを示したが、凸部40は各々の薄体片31の外周部に対応して設けてもよい。また、凸部40は複数の薄体片31のグループの外周部に設けても良い。
実施の形態3.
図9は、本発明の実施の形態3における放熱性基板の概略構成を示す断面図である。
図9に示すように、本実施の形態の放熱性基板は、熱伝導性を有する薄体片31が樹脂組成体21により接着された熱伝導シート2を備えており、熱伝導シート2がベース板4とヒートシンク5の間に設けられている。ベース板4には薄体片31が収まるように凹部41が形成されており、凹部41の底面の周辺部に凹部41の底面よりもう一段深さが大きい溝42が設けられていることの他は実施の形態1に示したものと同様であるので説明を省略する。
本実施の形態においても、熱伝導シート2の中の絶縁性の薄体片31を所定の位置に配置する際に加熱プレス工程中に薄体片31が樹脂と共に流動し薄体片31の位置ずれが発生することを防止でき、更に、ベース板4の凹部41の底部に設けられた溝42によりプレス処理時の圧力を逃がす効果が生じるため、樹脂組成体21中の空隙の発生をより有効に抑制できる。したがって、熱伝導性、可とう性、および絶縁性に優れた放熱性基板を得ることができる。
実施の形態4.
図10は、本発明の実施の形態4における放熱性基板1の概略構成を示す断面図である。
図10に示すように、本実施の形態の放熱性基板は、熱伝導性を有する薄体片31が樹脂組成体21により接着された熱伝導シート2を備えており、熱伝導シート2がベース板4とヒートシンク5の間に設けられている。ベース板4には薄体片31が収まるように凹部41が形成されており、凹部41の底面に凹部41の周辺ほど凹部41の深さが増加する傾斜面を形成することの他は実施の形態1に示したものと同様であるので説明を省略する。
本実施の形態においても、熱伝導シート2の中の絶縁性の薄体片31を所定の位置に配置する際に加熱プレス工程中に薄体片31が樹脂と共に流動し薄体片31の位置ずれが発生することを防止でき、更に、ベース板4の凹部41の底部に設けられた傾斜面により、プレス処理時の圧力を逃がす効果が生じるため、樹脂組成体21中の空隙の発生をより有効に抑制できる。従って、熱伝導性、可とう性、および絶縁性に優れた放熱性基板を得ることができる。
なお、実施の形態3および実施の形態4において放熱性基板1中の薄体片31が単数である例を図示したが、放熱性基板中の薄体片31は複数であっても良い。
実施の形態5.
図11は、本発明の実施の形態5における放熱性基板の概略構成を示す断面図である。また、図12は、本発明の実施の形態5の放熱性基板の、薄体片31とヒートシンク5の重なりの関係の一部を、放熱性基板の上面から透視したものである。
図11に示すように、本実施の形態の放熱性基板は熱伝導性を有する複数の薄体片31が樹脂組成体21により接着された熱伝導シート2を備えており、熱伝導シート2がベース板4と複数のヒートシンク5の間に設けられている。ベース板4には薄体片31が収まるように凹部41が形成されている。薄体片31は、ヒートシンク5と完全に重畳しているか、あるいは、複数のヒートシンク5と重畳しており、上面から見た図12(a)、(b)に示す通り、薄体片31の表面上の重心311を通る同平面上の任意の直線を引いた全ての場合に、この直線で分けられた両側においてその薄体片31の少なくとも一部がヒートシンク5と重畳されるように薄体片31とヒートシンク5が配設されている。
本実施の形態によると、プレス加工時に薄体片31にかかる圧力に大きく偏りが発生しないため、プレス加工時に薄体片31の浮き上がりを防止でき薄体片31の位置ずれを防止できる。
図13は、本発明の実施の形態と比較するための、薄体片31とヒートシンク5の重なりの関係を放熱性基板の上面から見た透視図である。図13(a)、(b)に示すように、薄体片31の表面上の重心311を通る同平面上にある直線を引き、この直線で分けられた少なくとも片側において前記ヒートシンク5と薄体片31が重畳していないように薄体片31とヒートシンク5が配設される場合は、プレス加工時に薄体片31にかかる圧力に大きく偏りが発生するため、放熱性基板の製造工程におけるプレス加工時に薄体片31の位置ずれが発生する可能性がある。
実施の形態6.
図14は、本発明の実施の形態6におけるパワーモジュール7の概略構成を示す断面図であり、実施の形態1の放熱性基板1を用いたものである。
本実施の形態のパワーモジュール7は、発熱体となるパワー半導体素子6が放熱性基板1のヒートシンク5上に搭載され、パワー半導体素子6上部の電極12と放熱性基板1のヒートシンク5はリードフレーム8と接続されており、上記構成部材がモールド樹脂9で封止されている。また、放熱性基板1のベース板4はヒートスプレッダ10に接着されている。ここで、ヒートスプレッダ10とは金属製の放熱構造を有するものである。放熱性基板1はベース板4とヒートシンク5の間に熱伝導シート2を備えたものであり、放熱性基板2は薄体片31を樹脂組成体21の内部に備えている。また、ベース板4の熱伝導シート2に接する面には凹部41が設けられている。
本実施の形態において、使用中に動作が不安定になることを抑制したパワーモジュール7を得ることができる。
なお、本実施の形態におけるパワーモジュールでは、放熱性基板1に実施の形態1のものを示したが、放熱性基板1としては実施の形態2ないし5のいずれかのものを用いても良い。
以上、本発明の実施の形態について薄体片31の形状は正方形であることを前提に説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく、薄体片31の形状は、長方形、三角形、六角形、または、不定形であっても良い。
次に、本発明における放熱性基板の製造方法と、それによって得られる放熱性基板について具体的に説明する。
実施例1〜5.
実施の形態1に関わる放熱性基板の一例として、薄体片が複数の放熱性基板およびその作製方法について述べる。放熱性基板を構成するベース板、薄体片、ヒートシンクは表面処理を行ったものを用いた。ベース板、ヒートシンクには銅を用いた。ベース板、ヒートシンク表面は酸処理を行い、その後シランカップリング処理および110℃、5分の加熱処理を行なった。ベース板に形成された30×33.3mmの凹部に厚さ約100μmの樹脂シートを置き、その上に、薄体片として3mm角、厚さ0.350mmの窒化アルミニウム板を0.3mmの間隔で縦9列、横10列ずつ並べた。薄体片と凹部端の間隔は0.3mmとした。薄体片の表面処理としてはベース板と同様にシランカップリング処理を行なった。
薄体片を並べる方法としては、一旦所望の間隔を有するパレットに薄体片を並べ、パレット上に並んだ薄体片を吸引して樹脂シート上に移しかえる方法を用いた。樹脂組成体はエポキシ樹脂を用い、フィラーとしてアルミナを含有したものを用いた。
所望の間隔に並べた薄体片の上に、さらに厚さ100μmの樹脂シートとヒートシンクを配置し、100kg/cmの圧力、100℃,5分および180℃,30分の条件で真空プレスすることによって放熱性基板を得た。真空プレス後の樹脂層の厚さは上下それぞれ15μmであった。このとき、ベース板の凹部の面積は薄体片の総面積の123%であった。
ここで、実施例1における放熱性基板のベース板の凹部の深さは0.075mm、薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合は21%とした。以下、実施例2〜5における凹部の深さ(薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合)は、それぞれ0.1mm(29%)、0.15mm(43%)、0.2mm(57%)、0.25mm(71%)とした。
実施例1〜5による放熱性基板の場合、薄体片の位置ずれ、および、樹脂組成体の空隙が発生しなかった。凹部の効果により、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれを防止でき、凹部の内部に絶縁性の薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。なお、実施例1〜5の放熱性基板の熱伝導率については、高分子材料にセラミックス多面体を配置した複合セラミックスシートの約1.3倍と高いものが得られた。
実施例6.
実施の形態1に関わる放熱性基板の一例として、放熱性基板は、薄体片間の間隔および薄体片と凹部端の間隔を0.5mm、薄体片の総面積に対するベース板の凹部の面積を140%とした。上記以外の条件は実施例2と同じとした。
実施例6による放熱性基板の場合、薄体片の位置ずれ、および、樹脂組成体の空隙が発生しなかった。凹部の効果により、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれを防止でき、凹部の内部に絶縁性の薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。
実施例7〜8.
実施の形態1に関わる放熱性基板の一例として、薄体片が1個の場合の放熱性基板について述べる。
放熱性基板を構成するベース板、薄体片、ヒートシンクに表面処理を行い、凹部を形成したベース板に樹脂シートを置き、その上に薄体片として30mm角、厚さ0.350mmの窒化アルミニウム板を1枚置いた。その上に100μm厚さの樹脂シートを乗せて、凹部を有するヒートシンクを所定の位置に置き、真空プレスを行い放熱性基板を得た。凹部の深さは0.1mmで形成したので、この時薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合は29%であった。樹脂組成体はエポキシ樹脂を用い、フィラーとしてアルミナを含有したものを用いた。実施例7の場合、薄体片と凹部端までの距離を0.3mmとし、ベース板の凹部の面積は薄体片31の面積の104%であった。実施例8の場合、薄体片と凹部端までの距離を0.5mmとし、ベース板の凹部の面積は薄体片の面積の107%であった。
実施例7〜8による放熱性基板の場合、薄体片の位置ずれ、および、樹脂組成体の空隙が発生しなかった。凹部の効果により、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれを防止でき、凹部の内部に絶縁性の薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。
実施例9〜12.
実施の形態1に関わる放熱性基板の一例として、本実施例に係わる放熱性基板においては、薄体片の厚さおよび凹部の深さ以外の構成は実施例1と同様としたので、これらの説明は省略する。実施例9〜12の放熱性基板では薄体片の厚さを0.635mmとした。凹部41の深さについては、実施例9の場合は凹部の深さを0.15mmとしたので薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合は24%であった。実施例10の場合は凹部の深さを0.20mmとしたので薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合は31%であった。実施例11の場合は凹部の深さを0.30mmとしたので薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合は47%であった。実施例12の場合は凹部の深さを0.35mmとしたので薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合は55%であった。
実施例9〜12による放熱性基板の場合、薄体片の位置ずれ、および、樹脂組成体の空隙が発生しなかった。凹部の効果により、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれを防止でき、凹部の内部に絶縁性の薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。
実施例13.
実施の形態3に関わる放熱性基板の一例として、薄体片が1個の場合の実施例について述べる。放熱性基板を構成するベース板、薄体片、ヒートシンクの表面処理を行い、周辺部に溝を備えた凹部を形成したベース板に厚さ100μmの樹脂シートを置き、その上に薄体片として30mm角、厚さ0.350mmの窒化アルミニウムを1枚置いた。その上に厚さ100μmの樹脂シートを乗せて、ヒートシンクを所定の位置に置き、真空プレスを行い放熱性基板を得た。ベース板の凹部の面積は薄体片の総面積の104%、凹部の深さは0.1mmとし、凹部の周辺に設けた溝の深さは0.2mmとした。その他の構成は実施例1の放熱性基板と同様とした。
凹部の深さを場所によって変えることで樹脂とベース板との接着力を向上でき、凹部の効果で樹脂量をコントロールし、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれと樹脂組成体の空隙発生とを防止でき、凹部の内部に薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。
実施例14.
実施の形態4に関わる放熱性基板の一例として、薄体片が1個の場合の実施例について述べる。放熱性基板を構成するベース板、薄体片、ヒートシンクの表面処理を行い、凹部の底面部に凹部の中央から周辺に向けて凹部の深さが増加する傾斜有する凹部を形成したベース板に厚さ100μmの樹脂シートを置き、その上に薄体片として30mm角、厚さ0.350mmの窒化アルミニウムを1枚置いた。その上に厚さ100μmの樹脂シートを乗せて、ヒートシンクを所定の位置に置き、真空プレスを行い放熱性基板を得た。ベース板の凹部の面積は薄体片の総面積の104%、凹部の深さは浅い箇所で0.1mmとした。その他の構成は実施例1の放熱性基板と同様とした。
ベース板の凹部底面に傾斜をつけることにより、凹部の効果で樹脂量をコントロールし圧力を逃がすことができたので、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれを防止でき、ベース板の凹部の内部の所定の位置に薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。
実施例15.
実施の形態1に関わる放熱性基板の一例として、凹部がヒートシンクに設けられた場合の実施例について述べる。実施例1と同様に、放熱性基板を構成するベース板、薄体片、ヒートシンクの表面処理を行い、凹部のないベース板に厚さ100μmの樹脂シートを置き、その上に10×30mm角で、厚さ0.350mmの窒化アルミニウムを2枚置いた。その上に厚さ100μmの樹脂シートを乗せて、10.6×30.6mmの凹部を有するヒートシンクを所定の位置に置き、真空プレスを行い放熱性基板を得た。ヒートシンクの凹部の面積は薄体片の総面積の108%、凹部の深さは0.1mmで形成した。樹脂組成体はエポキシ樹脂を用い、フィラーとしてアルミナを含有したものを用いた。
実施例15による放熱性基板の場合、薄体片の位置ずれ、および、樹脂組成体の空隙が発生しなかった。凹部の効果により、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれを防止でき、凹部の内部に絶縁性の薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。
実施例16.
実施の形態1に関わる放熱性基板の一例として、凹部が各薄体片に対応して設けられた場合の実施例について述べる。放熱性基板を構成するベース板、薄体片、ヒートシンクの表面処理を行い、0.3mm間隔で3.6mm角の凹部(縦9列、横10列)を形成したベース板に厚さ100μmの樹脂シートを置き、それぞれの凹部に薄体片として3mm角、厚さ0.35mmの窒化アルミニウムを置いた。その上に厚さ100μmの樹脂シートを乗せて、ヒートシンクを所定の位置に置き、真空プレスを行ない放熱性基板を得た。各凹部の面積はそれぞれの薄体片の面積の144%、凹部の深さは0.1mmとした。樹脂組成体は、エポキシ樹脂を用い、フィラーとしてアルミナを含有したものを用いた。
実施例16による放熱性基板の場合、薄体片の位置ずれ、および、樹脂組成体の空隙が発生しなかった。各薄体片に対応して設けられた凹部の効果により、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれを防止でき、凹部の内部に絶縁性の薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。
実施例17.
実施の形態5に関わる放熱性基板の一例として、薄体片が複数のヒートシンクと重畳している放熱性基板の実施例について述べる。
実施例2と同様に、放熱性基板を構成するベース板、薄体片、ヒートシンクの表面処理を行い、ベース板に形成された凹部に約100μmの厚さの樹脂シートを置き、その上に薄体片として3mm角、厚さ0.350mmの窒化アルミニウム板を0.3mmの間隔で縦9列、横10列に並べた。その上に100μm厚さの樹脂シートをのせて、ヒートシンクを所定の位置に置き、真空プレスを行い放熱性基板を得た。この際、ヒートシンクとヒートシンクの間に必ず1枚の薄体片があるようにヒートシンクの位置を決めた。ヒートシンク間に必ず1枚の薄体片を存在させることにより、均等に真空プレスの圧力がかかり、薄体片が傾斜するのを防止することができる。樹脂組成体はエポキシ樹脂を用い、フィラーとしてアルミナを含有したものを用いた。
実施例17による放熱性基板の場合、薄体片の位置ずれ、および、樹脂組成体の空隙が発生しなかった。凹部およびヒートシンクと薄体片の配置の効果により、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれを防止でき、凹部の内部に絶縁性の薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。
実施例18.
実施の形態6に関わるパワーモジュールの一例として、実施例1の放熱性基板を用いて作製したパワーモジュールの実施例について述べる。実施例2の放熱性基板のヒートシンク上にパワー半導体素子を設置し、放熱性基板のヒートシンクとパワー半導体素子上部の電極にリードフレームを接続後に樹脂でモールドし、また、放熱性基板のベース板にヒートスプレッダを接着し、パワーモジュールを得た。
実施例2の放熱性基板を用いて作製した本実施の形態のパワーモジュールに対して、「−40℃での30分間保持と125℃での30分間保持」を1サイクルとして、300サイクルを施したヒートサイクル試験を施したところ、放熱性基板におけるベース板と樹脂層、ヒートシンクと樹脂層、熱伝導シート内の薄体片と樹脂層の剥離は認められず放熱性を維持することができ、高容量化が可能となった。
比較例1〜4.
実施の形態1に係る放熱性基板の比較例として、薄体片の厚さを0.635mmとし、ヒートシンク表面に設けられた凹部の深さが0.05mm、薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合が14%である比較例1の放熱性基板を作製した。また、比較例2として、凹部の深さが0.05mm、薄体片の厚さが0.635mm、薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合が8%の放熱性基板を、比較例3として、凹部の深さが0.075mm、薄体片の厚さが0.635mm、薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合が12%の放熱性基板を、比較例4として、凹部の深さが0.10mm、薄体片の厚さが0.635mm、薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合が16%の放熱性基板を、それぞれ作製した。上記以外は実施例1と同じとした。
比較例1〜4による放熱性基板の場合、樹脂組成体の空隙は発生しなかったが、薄体片の位置ずれが発生した。
比較例5.
比較例として、放熱性基板の凹部の深さを0.3mmとする以外は実施例1と同じ放熱性基板を作製した。このとき薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合は86%であった。
比較例5による放熱性基板の場合、薄体片の位置ずれは発生しなかったが、樹脂組成体に空隙が発生した。
表1に実施例1ないし実施例12および比較例1ないし比較例5の結果をまとめた。表1に示されるように、薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合が20%以下の場合には薄体片の位置ずれが発生し、80%以上の場合には樹脂組成体に空隙が発生したが、薄体片の厚さに対する凹部の深さの割合が20〜80%のものでは、プレス時の樹脂流れによる薄体片の位置ずれを防止でき、凹部の内部に絶縁性の薄体片を配置した放熱性基板を得ることができた。
本発明の実施の形態1における放熱性基板の概略構成を示す上面からの透視図である。 本発明の実施の形態1における放熱性基板の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態1における放熱性基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施の形態1における放熱性基板の概略構成を示す上面からの透視図である。 本発明の実施の形態1における放熱性基板の概略構成を示す上面からの透視図である。 本発明の実施の形態1における放熱性基板の概略構成を示す上面からの透視図である。 本発明の実施の形態1における放熱性基板の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態2における放熱性基板の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態3における放熱性基板の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態4における放熱性基板の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態5における放熱性基板の一部の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態5における放熱性基板の一部の概略構成を示す上面からの透視図である。 本発明の実施の形態5との比較のための放熱性基板の一部の概略構成を示す上面からの透視図である。 本発明の実施の形態6におけるパワーモジュールの概略構成を示す断面図である。
符号の説明
1 放熱性基板、2 熱伝導シート、21 樹脂組成体、22 樹脂層、25,26 樹脂シート、30 薄体、31 薄体片、311 薄体片表面の重心点、4 ベース板、40 凸部、41 凹部、42 溝、5ヒートシンク 、51 凹部、6 パワー半導体素子、7 パワーモジュール、8 リードフレーム、9 モールド樹脂、10 ヒートスプレッダ、11 粘着シート、12 電極

Claims (12)

  1. 絶縁性の薄体片を樹脂組成体の内部に具備する熱伝導シートと、
    前記熱伝導シートの一方の面に接して設けられたヒートシンクと、
    前記熱伝導シートの他方の面に接して設けられたベース板とを備え、
    前記ヒートシンクの前記熱伝導シートに接する面および前記ベース板の前記熱伝導シートに接する面の少なくとも一方に前記薄体片が収まる凹部を有することを特徴とする放熱性基板。
  2. 熱伝導シートに複数の薄体片を有し、ヒートシンクまたはベース板の前記熱伝導シートに接する面に、前記薄体片が複数集まったグループが収まる凹部を有することを特徴とする請求項1に記載の放熱性基板。
  3. 熱伝導シートに複数の薄体片を有し、ヒートシンクまたはベース板の前記熱伝導シートに接する面に、各々の前記薄体片に対応した独立した凹部を備えたことを特徴とする請求項1に記載の放熱性基板。
  4. ヒートシンクまたはベース板の熱伝導シートに接する面に設けられた凹部の外周部に位置する凸部は少なくとも一部が切り離されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の放熱性基板。
  5. ヒートシンクまたはベース板の熱伝導シートに接する面に設けられた凹部の周辺部に前記凹部より深さが大きい溝を備えたことを特徴とする請求項1に記載の放熱性基板。
  6. ヒートシンクまたはベース板の熱伝導シートに接する面に設けられた凹部の底面に前記凹部の中央から周辺に向けて前記凹部の深さが増加する傾斜を有することを特徴とする請求項1に記載の放熱性基板。
  7. ヒートシンクまたはベース板の熱伝導シートに接する面に設けられた凹部の深さが前記薄体片の厚さの20%以上80%以下であることを特徴とする請求項1に記載の放熱性基板。
  8. ヒートシンクまたはベース板の熱伝導シートに接する面に設けられた凹部の面積が前記薄体片の総面積の104%以上144%以下であることを特徴とする請求項1に記載の放熱性基板。
  9. 熱伝導シートの複数の薄体片は0.1mm以上、2mm以下の厚さのセラミックス板からなることを特徴とする請求項1に記載の放熱性基板。
  10. 熱伝導シートの薄体片の表面上の重心を通る同平面上の任意の全ての直線で分けられた両側において、前記薄体片の少なくとも一部はヒートシンクと重畳されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の放熱性基板。
  11. 絶縁性の薄体を粘着シートに貼付する工程と、
    前記粘着シートに貼付された状態で前記薄体を分割し薄体片とする工程と、
    凹部を有するベース板に第一の樹脂シートを配置し接着する工程と、
    前記粘着シートに貼付された前記薄体片を前記ベース板の前記凹部の内側の所定の位置に配置し接着する工程と、
    前記粘着シートを前記粘着シートに貼付された前記薄体片から剥がす工程と、
    第二の樹脂シートとヒートシンクとを前記薄体片上に配置する工程と、
    前記第一および第二の樹脂シートを圧力をかけながら高温で硬化させる工程とを備えたことを特徴とする放熱性基板の製造方法。
  12. 請求項1ないし請求項10のいずれかに記載の放熱性基板と、前記放熱性基板の一方の面のヒートシンク上に配置されたパワー半導体素子と、前記放熱性基板の他方の面のベース板上に配置されたヒートスプレッダとを備えたことを特徴とするパワーモジュール。
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