JP2008065135A

JP2008065135A - Display device

Info

Publication number: JP2008065135A
Application number: JP2006244147A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Takenaka; 雄一竹中
Original assignee: Hitachi Displays Ltd
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2006-09-08
Filing date: 2006-09-08
Publication date: 2008-03-21

Abstract

【課題】ＴＦＴを使用した画像表示装置の、外部回路との接続のための端子部の接続の信頼性を上げる。
【解決手段】ＴＦＴ基板１上に端子用導電膜２が形成される。端子用導電膜２の上には突起２１が形成される。突起２１はゲート絶縁膜３および層間絶縁膜７によって形成される。突起２１および端子用導電膜２は酸化物導電膜２２によって覆われる。フレキシブル配線基板３０の端子にはバンプ３１が形成され、このバンプ３１がフレキシブル配線基板３０とＴＦＴ基板１の端子を接続する際、熱硬化性の絶縁性フィルム３５を押しのけて突起２１と接触し導通を取る。フレキシブル配線基板３０の端子とＴＦＴ基板の端子とは熱硬化性の絶縁性フィルム３５によって固定される。
【選択図】図１An object of the present invention is to improve the reliability of connection of a terminal portion for connection with an external circuit of an image display device using TFT.
A terminal conductive film is formed on a TFT substrate. A protrusion 21 is formed on the terminal conductive film 2. The protrusion 21 is formed by the gate insulating film 3 and the interlayer insulating film 7. The protrusions 21 and the terminal conductive film 2 are covered with an oxide conductive film 22. Bumps 31 are formed on the terminals of the flexible wiring board 30, and when the bumps 31 connect the terminals of the flexible wiring board 30 and the TFT substrate 1, the thermosetting insulating film 35 is pushed away to come into contact with the protrusions 21 and become conductive. I take the. The terminals of the flexible wiring substrate 30 and the terminals of the TFT substrate are fixed by a thermosetting insulating film 35.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は表示装置に係り、特に液晶パネル等の外部との電気的導通をとるための端子部の構造に関する。 The present invention relates to a display device, and more particularly to a structure of a terminal portion for establishing electrical continuity with an outside such as a liquid crystal panel.

液晶表示装置はコンピュータモニタ、携帯電話等からＴＶにまで用途が拡大している。また、有機ＥＬ表示装置の開発も進んでいる。これらの表示装置は画面の高精細化が進んでいる。画面の高精細化が進めば、各画素に信号を供給するための端子の数も多くなる。 Applications of liquid crystal display devices are expanding from computer monitors, mobile phones, etc. to TVs. Development of organic EL display devices is also progressing. These display devices have advanced screen definition. As the definition of the screen increases, the number of terminals for supplying signals to each pixel increases.

一般には、液晶等表示パネルの端子には、コントローラ、電源等が搭載されたフレキシブル配線基板の端子が接続される。従来は表示パネルの端子とフレキシブル配線基板の端子とは異方導電性コネクタ（ＡＣＦ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）が使用されてきた。異方導電性コネクタは厚さ１０μｍから２５μｍ程度の熱硬化接着材のシート中に導電性の粒子が分散されたもので、シートの厚さ方向に熱圧着すると、熱硬化接着材が軟化流動すると同時に、シート内部の導電性粒子が液晶パネルの端子と、フレキシブル配線基板端子の間で捕捉、圧縮され、硬化した接着材により変形が保持され、接続を取るものである。この導電性の粒子は一般には３μｍから１０μｍのプラスチック粒子にＮｉ、Ａｕ等の金属がコーテイングされたものである。表示装置とフレキシブル配線基板とを異方導電性コネクタを使用して接続する場合の表示装置側の端子部の構造にについて記載したものとしては「特許文献１」が上げられる。 In general, terminals of a flexible wiring board on which a controller, a power source, and the like are mounted are connected to terminals of a display panel such as a liquid crystal display. Conventionally, an anisotropic conductive connector (ACF) has been used for the terminals of the display panel and the terminals of the flexible wiring board. An anisotropic conductive connector has conductive particles dispersed in a sheet of thermosetting adhesive having a thickness of about 10 μm to 25 μm. When thermosetting adhesive is softened and flowed in the thickness direction of the sheet, At the same time, the conductive particles inside the sheet are captured and compressed between the terminals of the liquid crystal panel and the flexible wiring board terminals, and the deformation is held by the cured adhesive to establish a connection. The conductive particles are generally obtained by coating a metal particle such as Ni or Au on plastic particles of 3 to 10 μm. “Patent Document 1” is cited as a description of the structure of the terminal portion on the display device side when the display device and the flexible wiring board are connected using an anisotropic conductive connector.

異方導電性コネクタは上記のように樹脂シート中に導電性粒子を分散されたものであり、高価である。異方導電性コネクタを使用せずに、端子部の金属に突起を設けて表示パネルの端子とフレキシブル配線基板とを接続する構成が「特許文献２」に記載されている。 An anisotropic conductive connector is obtained by dispersing conductive particles in a resin sheet as described above, and is expensive. “Patent Document 2” describes a configuration in which protrusions are provided on a metal of a terminal portion to connect a terminal of a display panel and a flexible wiring board without using an anisotropic conductive connector.

特開２０００−２７５６５９号公報JP 2000-275659 A 特開平５−１４２５５５号公報JP-A-5-142555

異方導電性コネクタのもう一つの問題は端子ピッチが小さくなると、端子同士のショートの恐れが生ずるということである。表示装置は高精細化が進んでおり、端子ピッチが５０μｍ程度のものも少なくない。この場合の一般的な形状は、端子部の幅が３０μｍ、端子間スペースが２０μｍ程度である。一方、端子間には交流で２０Ｖ程度の電圧が印加される。 Another problem with anisotropically conductive connectors is that when the terminal pitch is reduced, there is a risk of shorting between the terminals. Display devices are becoming higher definition, and many display terminals have a terminal pitch of about 50 μm. The general shape in this case is such that the width of the terminal portion is about 30 μm and the space between the terminals is about 20 μm. On the other hand, a voltage of about 20 V is applied between the terminals.

異方導電性コネクタの内の導電性粒子は熱圧着時に流動するため、密集することもある。端子間スペースが密集した粒子より大きければ、このような密集箇所が存在しても端子間の導通は免れる。端子間スペースが小さくなると、この密集部分が端子間をつないでしまうという危険を生ずる。 Since the conductive particles in the anisotropic conductive connector flow at the time of thermocompression bonding, they may be densely packed. If the space between the terminals is larger than the dense particles, conduction between the terminals can be avoided even if such dense locations exist. When the space between the terminals becomes small, there is a risk that this dense portion connects between the terminals.

表示パネルの端子はフレキシブル配線基板の端子と接続されるが、フレキシブル配線基板の端子との接続時のズレが生ずるために、端子間ショートを考える場合は、端子間スペース２０μｍからこのズレ量を差し引くように考慮しなければならない。 The terminals of the display panel are connected to the terminals of the flexible wiring board. However, since a deviation occurs when connecting to the terminals of the flexible wiring board, when considering a short circuit between the terminals, the deviation amount is subtracted from the inter-terminal space of 20 μm. Should be taken into account.

以上のように、表示パネルとフレキシブル配線基板の接続に異方導電性コネクタを使用する場合は、異方導電性コネクタ自体が高価である、端子ピッチが小さくなると端子間ショートの危険が増大する等の問題点があった。 As described above, when an anisotropic conductive connector is used to connect the display panel and the flexible wiring board, the anisotropic conductive connector itself is expensive, and the risk of short circuit between terminals increases as the terminal pitch decreases. There was a problem.

本発明は以上説明したような異方導電性コネクタを用いなくとも、端子間の接続を高い信頼性をもって行う手段を与えるものである。また、本発明では異方導電性コネクタを必須としないため、端子間ピッチが小さくなった場合でも短絡を回避することができる。 The present invention provides a means for performing reliable connection between terminals without using the anisotropic conductive connector as described above. Moreover, since an anisotropic conductive connector is not essential in the present invention, a short circuit can be avoided even when the pitch between terminals is reduced.

（１）基板上に画像形成部と、外部回路と接続するための端子部を有する表示装置であって、前記端子部は前記画像形成部と導通した一定面積をもつ端子用導電膜が形成され、前記端子用導電膜上には絶縁物を含む突起が形成され、前記突起と前記端子用導電膜は酸化物導電膜によって覆われていることを特徴とする表示装置。
（２）前記酸化物導電膜はＩＴＯであることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（３）前記突起は複数の絶縁膜を含むことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（４）前記突起を形成する絶縁物はＳｉＮ_Ｘ膜を含むことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（５）前記突起を形成する絶縁物は有機樹脂膜を含むことを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（６）前記端子部には複数の突起が形成されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（７）前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする（１）に記載の表示装置。 (1) A display device having an image forming portion and a terminal portion for connecting to an external circuit on a substrate, wherein the terminal portion is formed with a terminal conductive film having a constant area that is electrically connected to the image forming portion. The display device is characterized in that a protrusion including an insulator is formed on the terminal conductive film, and the protrusion and the terminal conductive film are covered with an oxide conductive film.
(2) The display device according to (1), wherein the oxide conductive film is ITO.
(3) The display device according to (1), wherein the protrusion includes a plurality of insulating films.
(4) The display device according to (1), wherein the insulator forming the protrusion includes a SiN _X film.
(5) The display device according to (1), wherein the insulator forming the protrusion includes an organic resin film.
(6) The display device according to (1), wherein the terminal portion has a plurality of protrusions.
(7) The display device according to (1), wherein the display device is a liquid crystal display device.

（８）基板上の画像形成部には横方向に延在して縦方向に配列した複数のゲート配線と、縦方向に延在して横方向に配列した複数のＳＤ配線が形成され、前記ゲート配線と前記ＳＤ配線とで囲まれた領域に画素電極とＴＦＴ部を含む画素部が形成され、前記画像形成部の周辺には外部回路と接続するための端子部が形成された表示装置であって、前記端子部には前記ＴＦＴ部のゲート電極と同一層で形成された端子用導電膜が形成され、前記端子用導電膜上には絶縁物を含む突起が形成され、前記突起と前記端子用導電膜は酸化物導電膜によって覆われていることを特徴とする表示装置。
（９）前記端子用導電膜はＴＦＴ部のゲート電極と導通していることを特徴とする（８）に記載の表示装置。
（１０）前記突起を形成する絶縁物はＴＦＴ部を構成するゲート絶縁膜と同一の膜を含むことを特徴とする（８）に記載の表示装置。
（１１）前記突起を形成する絶縁物はＴＦＴ部を構成するゲート絶縁膜と同一の膜および、層間絶縁膜と同一の膜を含むことを特徴とする（８）に記載の表示装置。
（１２）前記突起はＴＦＴ部を構成するゲート絶縁膜と同一の膜および、ＳＤ配線と同一の導電膜を含むことを特徴とする（８）に記載の表示装置。
（１３）前記突起を形成する絶縁物は、ＳｉＮ_Ｘ膜を含むことを特徴とする（８）に記載の表示装置。
（１４）前記突起を形成する絶縁物は、有機絶縁膜を含むことを特徴とする（８）に記載の表示装置。
（１６）前記端子部には複数の突起が形成されていることを特徴とする（８）に記載の表示装置。
（１７）前記画素電極はＩＴＯで形成され、前記突起と前記端子用導電膜を覆う前記酸化物導電膜はＩＴＯであることを特徴とする（８）に記載の表示装置。 (8) A plurality of gate wirings extending in the horizontal direction and arranged in the vertical direction and a plurality of SD wirings extending in the vertical direction and arranged in the horizontal direction are formed in the image forming unit on the substrate. A display device in which a pixel portion including a pixel electrode and a TFT portion is formed in a region surrounded by a gate wiring and the SD wiring, and a terminal portion for connecting to an external circuit is formed around the image forming portion. The terminal portion is formed with a terminal conductive film formed in the same layer as the gate electrode of the TFT portion, and the terminal conductive film is formed with a protrusion including an insulator. A display device, wherein the terminal conductive film is covered with an oxide conductive film.
(9) The display device according to (8), wherein the terminal conductive film is electrically connected to the gate electrode of the TFT portion.
(10) The display device according to (8), wherein the insulator forming the protrusion includes the same film as the gate insulating film constituting the TFT portion.
(11) The display device according to (8), wherein the insulator forming the protrusion includes the same film as the gate insulating film constituting the TFT portion and the same film as the interlayer insulating film.
(12) The display device according to (8), wherein the protrusion includes the same film as the gate insulating film constituting the TFT portion and the same conductive film as the SD wiring.
(13) The display device according to (8), wherein the insulator forming the protrusion includes a SiN _X film.
(14) The display device according to (8), wherein the insulator forming the protrusion includes an organic insulating film.
(16) The display device according to (8), wherein a plurality of protrusions are formed on the terminal portion.
(17) The display device according to (8), wherein the pixel electrode is made of ITO, and the oxide conductive film covering the protrusion and the terminal conductive film is ITO.

（１８）基板上の画像形成部には横方向に延在して縦方向に配列した複数のゲート配線と、縦方向に延在して横方向に配列した複数のＳＤ配線が形成され、前記ゲート配線と前記ＳＤ配線とで囲まれた領域に画素電極とＴＦＴ部を含む画素部が形成され、前記画像形成部の周辺には外部回路と接続するための端子部が形成された表示装置であって、前記端子部には前記ＴＦＴ部のＳＤ配線と同一層で形成された端子用導電膜が形成され、前記端子用導電膜上には絶縁物を含む突起が形成され、前記突起と前記端子用導電膜は酸化物導電膜によって覆われていることを特徴とする表示装置。
（１９）前記端子用導電膜はＴＦＴ部のＳＤ配線と導通していることを特徴とする（１８）に記載の表示装置。
（２０）前記突起を形成する絶縁物はＴＦＴ部を構成する層間絶縁膜と同一の膜を含むことを特徴とする（１８）に記載の表示装置。
（２１）前記突起を形成する絶縁物はＳｉＮ_Ｘ膜を含むことを特徴とする（１８）に記載の表示装置。
（２２）前記突起を形成する絶縁物は、有機絶縁膜を含むことを特徴とする（１８）に記載の表示装置。
（２３）前記端子部には複数の突起が形成されていることを特徴とする（１８）に記載の表示装置。 (18) A plurality of gate wirings extending in the horizontal direction and arranged in the vertical direction and a plurality of SD wirings extending in the vertical direction and arranged in the horizontal direction are formed in the image forming unit on the substrate. A display device in which a pixel portion including a pixel electrode and a TFT portion is formed in a region surrounded by a gate wiring and the SD wiring, and a terminal portion for connecting to an external circuit is formed around the image forming portion. The terminal portion is formed with a terminal conductive film formed in the same layer as the SD wiring of the TFT portion, and the terminal conductive film is formed with a protrusion including an insulator. A display device, wherein the terminal conductive film is covered with an oxide conductive film.
(19) The display device according to (18), wherein the terminal conductive film is electrically connected to the SD wiring of the TFT portion.
(20) The display device according to (18), wherein the insulator forming the protrusion includes the same film as the interlayer insulating film constituting the TFT portion.
(21) The display device according to (18), wherein the insulator forming the protrusion includes a SiN _X film.
(22) The display device according to (18), wherein the insulator forming the protrusion includes an organic insulating film.
(23) The display device according to (18), wherein a plurality of protrusions are formed on the terminal portion.

ここで、手段（８）等における同一層で形成されたとは、ゲート電極を形成する際、同時に形成されるという意味である。すなわち、ゲート電極用導電膜を、スパッタリングし、フォロリソグラフィ等でパターニングする際、端子用導電膜も同時に形成するという意味である。また、手段（１８）における同一層で形成されたとは、ＳＤ配線を形成する際、同時に形成されるという意味である。すなわち、ＳＤ配線を、スパッタリングし、フォロリソグラフィ等でパターニングする際、端子用導電膜も同時に形成するという意味である。 Here, the formation of the same layer in the means (8) or the like means that the gate electrode is formed at the same time. That is, when the gate electrode conductive film is sputtered and patterned by photolithography or the like, the terminal conductive film is also formed at the same time. Further, the fact that it is formed in the same layer in the means (18) means that it is simultaneously formed when the SD wiring is formed. That is, when the SD wiring is sputtered and patterned by photolithography or the like, a terminal conductive film is also formed at the same time.

手段（１）から（７）によれば、表示装置の端子部には絶縁物を含む突起が形成され、かつ、この突起と端子用導電膜とが化学的に安定な酸化物導電膜によって覆われているので、フレキシブル配線基板等の配線との接続には、この表示装置の端子部に形成された突起部が確実に接触する。したがって、外部回路との接続を高い信頼性を持って行うことができる。また、突起は絶縁物で形成されているために、突起が腐蝕する等の問題は回避することができる。 According to the means (1) to (7), a protrusion including an insulator is formed on the terminal portion of the display device, and the protrusion and the terminal conductive film are covered with a chemically stable oxide conductive film. Therefore, the protrusion formed on the terminal portion of the display device is surely in contact with the connection with the wiring such as the flexible wiring board. Therefore, the connection with the external circuit can be performed with high reliability. Further, since the protrusions are formed of an insulator, problems such as corrosion of the protrusions can be avoided.

手段（８）から（１７）によれば、端子部を形成する端子用導電膜はＴＦＴのゲート電極を形成するときに同時に形成される。端子部の突起を形成する絶縁物は、画像形成部のＴＦＴを形成する際の絶縁膜の形成と同時に出来るために、突起を形成するためのプロセスを新たに設けなくとも良い。そして、ＴＦＴ基板とフレキシブル配線基板をと接続する際にはフレキシブル配線基板に形成された配線とＴＦＴ基板の端子部に形成された突起が確実に接触するため、接続の信頼性を確保することができる。 According to the means (8) to (17), the terminal conductive film for forming the terminal portion is formed simultaneously with the formation of the TFT gate electrode. Since the insulator for forming the protrusions of the terminal portion can be formed simultaneously with the formation of the insulating film when forming the TFT of the image forming portion, it is not necessary to provide a new process for forming the protrusions. And, when connecting the TFT substrate and the flexible wiring substrate, the wiring formed on the flexible wiring substrate and the projection formed on the terminal portion of the TFT substrate are in reliable contact, so that the connection reliability can be ensured. it can.

手段（１８）から（２３）によれば、端子部を形成する端子用導電膜はＴＦＴのＳＤ配線を形成するときに同時に形成される。端子部の突起を形成する絶縁物は、画像形成部のＴＦＴを形成する際の絶縁膜の形成と同時に出来るために、突起を形成するためのプロセスを新たに設けなくとも良い。そして、ＴＦＴ基板とフレキシブル配線基板とを接続する際にはフレキシブル配線基板に形成された配線とＴＦＴ基板の端子部に形成された突起が確実に接触するため、接続の信頼性を確保することができる。 According to the means (18) to (23), the terminal conductive film forming the terminal portion is formed simultaneously with the formation of the SD wiring of the TFT. Since the insulator for forming the protrusions of the terminal portion can be formed simultaneously with the formation of the insulating film when forming the TFT of the image forming portion, it is not necessary to provide a new process for forming the protrusions. And when connecting the TFT substrate and the flexible wiring substrate, the wiring formed on the flexible wiring substrate and the protrusion formed on the terminal portion of the TFT substrate are in reliable contact, so that the reliability of the connection can be ensured. it can.

以上のように本発明によれば、端子部に表面が酸化物導電膜で覆われた絶縁物を含む突起が形成されるので、外部回路との接続を高い信頼性をもって行うことができる。そして、本発明によれば、この端子を形成するために新たなプロセスを加える必要がなく、表示装置の画像形成領域のＴＦＴを形成する際に、同時に形成することができる。したがって、本発明はコスト的にも優れている。 As described above, according to the present invention, since the protrusion including the insulator whose surface is covered with the oxide conductive film is formed on the terminal portion, the connection with the external circuit can be performed with high reliability. According to the present invention, it is not necessary to add a new process to form the terminal, and the terminal can be formed at the same time when forming the TFT in the image forming region of the display device. Therefore, the present invention is excellent in cost.

以下の実施例は液晶表示装置について記載するが、有機ＥＬ等、薄膜トランジスタを用いた表示装置についても同様に実施することができる。 The following examples describe a liquid crystal display device, but the same can be applied to a display device using a thin film transistor such as an organic EL.

液晶表示パネルは薄膜トランジスタ、画素電極等の形成されたＴＦＴ基板１と、コモン電極とカラーフィルタ等が形成されたカラーフィルタ基板との間に液晶を挟持し、この液晶に対する電界を制御することにより画像を形成する。この液晶に対する電界の制御は外部から供給される信号によって行われる。 In the liquid crystal display panel, liquid crystal is sandwiched between a TFT substrate 1 on which a thin film transistor, a pixel electrode, and the like are formed, and a color filter substrate on which a common electrode and a color filter are formed, and an image is controlled by controlling an electric field with respect to the liquid crystal. Form. The control of the electric field for the liquid crystal is performed by a signal supplied from the outside.

外部からの信号は、タイミング制御回路等を搭載したフレキシブル配線基板の端子部とＴＦＴ基板に形成された端子部を接続して供給する。したがって、この接続部分の信頼性は重要である。 An external signal is supplied by connecting a terminal portion of a flexible wiring board on which a timing control circuit or the like is mounted and a terminal portion formed on the TFT substrate. Therefore, the reliability of this connection part is important.

ＴＦＴの有効画面内には、横方向に延在し、縦方向に配列したゲート配線と、縦方向に延在し、横方向に配列したデータ信号線が層間絶縁膜を介して交差して形成されている。２本の走査線と２本のデータ信号線に囲まれた部分に透明電極で形成された画素電極とＴＦＴが形成される。画素電極への信号はＴＦＴを介して供給される。 In the effective screen of TFT, gate wirings extending in the horizontal direction and arranged in the vertical direction and data signal lines extending in the vertical direction and arranged in the horizontal direction intersect with each other via an interlayer insulating film. Has been. A pixel electrode and a TFT formed of a transparent electrode are formed in a portion surrounded by two scanning lines and two data signal lines. A signal to the pixel electrode is supplied via the TFT.

ＴＦＴの構造は大きく分けてゲート電極がａ−Ｓｉ層よりも下にあるボトムゲート型と、ゲート電極がａ−Ｓｉ層よりも上にあるトップゲート型とに分かれる。本発明はいずれのＴＦＴ構造の場合にも適用できるものであるが、便宜上、ボトムゲートの場合とトップゲートの場合とに分けて説明する。 The structure of the TFT is roughly divided into a bottom gate type in which the gate electrode is below the a-Si layer and a top gate type in which the gate electrode is above the a-Si layer. Although the present invention can be applied to any TFT structure, for the sake of convenience, the case of the bottom gate and the case of the top gate will be described separately.

図２はボトムゲート型ＴＦＴの断面図である。図２において、ガラス基板１上にゲート電極２（ゲート配線と同層で形成されるので、以後ゲート配線２という）が形成さる。このゲート配線２は端子部まで延びて端子部から走査信号がＴＦＴに送られる。ゲート配線２を覆ってゲート絶縁膜３が形成される。ゲート配線２は一般にはＣｒで形成されるが、電気抵抗を小さくしたい場合はＡｌ、またはＡｌ合金で形成される。 FIG. 2 is a cross-sectional view of a bottom gate TFT. In FIG. 2, a gate electrode 2 (which is formed in the same layer as the gate wiring, hereinafter referred to as the gate wiring 2) is formed on the glass substrate 1. The gate wiring 2 extends to the terminal portion, and a scanning signal is sent from the terminal portion to the TFT. A gate insulating film 3 is formed to cover the gate wiring 2. The gate wiring 2 is generally formed of Cr, but is formed of Al or an Al alloy when it is desired to reduce the electrical resistance.

ゲート配線２を覆ってゲート絶縁膜３が形成される。ゲート絶縁膜３はＳｉＮ_Ｘで形成され、膜厚は４００ｎｍである。ここで、ＳｉＮ_Ｘに示すＸは１を含む実数である（以下同様）。ゲート絶縁膜上にはａ−Ｓｉ層４が形成される。ａ−Ｓｉ層４はＣＶＤ等で形成され、膜厚は２００ｎｍである。ａ−Ｓｉ層４の両側にはソース部とドレイン部が形成されるが、金属であるドレイン配線およびソース配線とのオーミックコンタクトをとるために、ｎ＋ａ−Ｓｉ層５が形成される。 A gate insulating film 3 is formed to cover the gate wiring 2. The gate insulating film 3 is made of SiN _X and has a thickness of 400 nm. Here, _X shown in SiN _X is a real number including 1 (the same applies hereinafter). An a-Si layer 4 is formed on the gate insulating film. The a-Si layer 4 is formed by CVD or the like and has a film thickness of 200 nm. A source part and a drain part are formed on both sides of the a-Si layer 4, but an n + a-Si layer 5 is formed in order to make an ohmic contact with a drain wiring and a source wiring which are metals.

ｎ＋ａ−Ｓｉ層５の上にはドレイン配線およびソース配線が形成される。このドレイン配線およびソース配線（以後ＳＤ配線６という）はデータ信号線と同層で形成される。以後データ信号線もＳＤ配線６と、統一して呼称する。ＳＤ配線６の上には層間絶縁膜７が形成される。この場合の層間絶縁膜７は画素電極９とＳＤ配線６とを電気的に分離する役割と同時に、ＴＦＴを外部不純物から保護するパッシベーション膜としての役割も有する。層間絶縁膜７はＳｉＮ_Ｘで形成され、膜厚は４００ｎｍである。 A drain wiring and a source wiring are formed on the n + a-Si layer 5. The drain wiring and source wiring (hereinafter referred to as SD wiring 6) are formed in the same layer as the data signal line. Hereinafter, the data signal line is also referred to as SD wiring 6 in a unified manner. An interlayer insulating film 7 is formed on the SD wiring 6. In this case, the interlayer insulating film 7 serves not only to electrically isolate the pixel electrode 9 and the SD wiring 6 but also to serve as a passivation film for protecting the TFT from external impurities. The interlayer insulating film 7 is made of SiN _X and has a film thickness of 400 nm.

層間絶縁膜７の上には透明電極であるＩＴＯから成る画素電極９が形成される。画素電極９とＳＤ配線６とは層間絶縁膜７に形成されたスルーホール８によって電気的導通がとられる。画素電極９の膜厚は１５０ｎｍである。 A pixel electrode 9 made of ITO, which is a transparent electrode, is formed on the interlayer insulating film 7. The pixel electrode 9 and the SD wiring 6 are electrically connected by a through hole 8 formed in the interlayer insulating film 7. The film thickness of the pixel electrode 9 is 150 nm.

図１は本実施例を示す、フレキシブル配線基板３０とＴＦＴ基板１を接続する端子部の断面模式図である。図１において、ガラスで形成されるＴＦＴ基板上にＴＦＴのゲート電極と同一層で形成されたゲート配線２が端子部の下まで伸びて、端子用導電膜を形成する。ゲート配線２は一般にはＣｒが使用されるが、電気抵抗を小さくしたい場合はＡｌまたはＡｌ合金が使用される。Ｃｒを大気に曝すと表面が酸化して導通がとれなくなる。また、ＡｌまたはＡｌ合金等を大気に曝すと腐蝕する。したがって、ゲート配線２を直接大気に曝すと信頼性を確保することができないので、端子の表面を化学的に安定なＩＴＯ２２で覆う。このＩＴＯ２２は画素電極９と同層で形成される。もちろん、化学的に安定な導電膜であればＩＴＯに限る必要は無く、例えば、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等も使用することができる。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a terminal portion connecting the flexible wiring board 30 and the TFT substrate 1 according to the present embodiment. In FIG. 1, a gate wiring 2 formed in the same layer as a TFT gate electrode on a TFT substrate formed of glass extends to below the terminal portion to form a terminal conductive film. Generally, Cr is used for the gate wiring 2, but Al or Al alloy is used when it is desired to reduce the electric resistance. When Cr is exposed to the atmosphere, the surface is oxidized and conduction is lost. Further, when Al or an Al alloy is exposed to the atmosphere, it corrodes. Therefore, if the gate wiring 2 is directly exposed to the atmosphere, reliability cannot be ensured, and the surface of the terminal is covered with chemically stable ITO 22. The ITO 22 is formed in the same layer as the pixel electrode 9. Of course, the conductive film is not limited to ITO as long as it is a chemically stable conductive film. For example, IZO, ITZO, and the like can also be used.

端子部におけるゲート配線２の幅は３０μｍであり、端子のピッチは５０μｍである。端子部の長径は１ｍｍであり、端子部の平面形状は長方形となっている。 The width of the gate wiring 2 in the terminal portion is 30 μm, and the terminal pitch is 50 μm. The long diameter of the terminal portion is 1 mm, and the planar shape of the terminal portion is rectangular.

端子部の具体的な形成方法は次の通りである。ゲート配線２をパンターニングした後、ゲート絶縁膜３で覆う。その後、ａ−Ｓｉ膜、ＳＤ配線等が被着されるが、これらは、パターニング時に端子部からは除去される。その後、層間絶縁膜が端子部に被着される。ゲート絶縁膜３および層間絶縁膜７にスルーホール２３を形成してゲート配線２を露出させる。その後ＩＴＯ２２がスパッタリングで被着され、これをパターニングして端子部を形成する。以上のプロセスは端子部だけに適用するのではなく、ＴＦＴを形成するプロセスで同時に行うことが出来る。 A specific method for forming the terminal portion is as follows. After the gate wiring 2 is panned, it is covered with a gate insulating film 3. Thereafter, an a-Si film, SD wiring, and the like are deposited, but these are removed from the terminal portion during patterning. Thereafter, an interlayer insulating film is deposited on the terminal portion. Through holes 23 are formed in the gate insulating film 3 and the interlayer insulating film 7 to expose the gate wiring 2. Thereafter, ITO 22 is deposited by sputtering and patterned to form a terminal portion. The above process is not applied only to the terminal portion, but can be performed simultaneously in the process of forming the TFT.

本実施例の特徴は端子部のスルーホール２３を形成する際、端子部スルーホール部２３内からゲート絶縁膜３、層間絶縁膜７をすべて除去するのでなく、これらの膜を一部残しておき、突起２１を形成するようにする。ＩＴＯ２２はこの突起２１の上にも被着される。この突起部分はフレキシブル配線基板３０の端子部に形成された配線３１と強くコンタクトすることになり、電気的導通を安定してとることが出来る。 The feature of this embodiment is that when the through hole 23 of the terminal portion is formed, the gate insulating film 3 and the interlayer insulating film 7 are not completely removed from the terminal portion through hole portion 23 but a part of these films is left. The protrusion 21 is formed. The ITO 22 is also deposited on the protrusion 21. This protruding portion is in strong contact with the wiring 31 formed on the terminal portion of the flexible wiring board 30, and electrical conduction can be stably achieved.

フレキシブル配線基板３０の端子部には配線３１が形成されている。この配線３１は銅で形成されるが、安定化するために表面には金メッキ３２が０．０５μｍから１μｍ程度施される。表面の保護メッキ３２は金の替わりにＳｎも使用することができるが、電気抵抗は高くなる。配線３１の高さは８μｍから１８μｍである。配線３１の幅はフレキシブル配線基板上では２０μｍ、先端では１７μｍである。配線３１の平面形状は端子部と同様に長方形である。 A wiring 31 is formed on the terminal portion of the flexible wiring board 30. The wiring 31 is formed of copper, but a gold plating 32 is applied to the surface by about 0.05 μm to 1 μm for stabilization. The protective plating 32 on the surface can use Sn instead of gold, but the electrical resistance is increased. The height of the wiring 31 is 8 μm to 18 μm. The width of the wiring 31 is 20 μm on the flexible wiring board and 17 μm at the tip. The planar shape of the wiring 31 is rectangular like the terminal portion.

ＴＦＴ基板１の端子部とフレキシブル配線基板３０の端子部の間には熱硬化性の絶縁性フィルム３５が設置される。絶縁性フィルム３５はアクリル系またはエポキシ系樹脂で形成される。フレキシブル配線基板３０の端子はＴＦＴ基板１の端子にヒータ４１を内部に有するサーマルヘッド４０によって押し付けられる。フレキシブル配線基板３０の配線３１はサーマルヘッドによって絶縁性フィルム３５を押しのけながらＴＦＴ基板１の端子部に形成された突起部２１と接触する。その後、絶縁性フィルム３５は熱硬化するので、フレキシブル配線基板３０の配線３１とＴＦＴ基板１の端子部に形成された突起部２１とは確実に接触を保つことが出来る。 A thermosetting insulating film 35 is installed between the terminal portion of the TFT substrate 1 and the terminal portion of the flexible wiring substrate 30. The insulating film 35 is made of an acrylic or epoxy resin. The terminals of the flexible wiring board 30 are pressed against the terminals of the TFT substrate 1 by a thermal head 40 having a heater 41 inside. The wiring 31 of the flexible wiring substrate 30 comes into contact with the protrusions 21 formed on the terminal portions of the TFT substrate 1 while pushing the insulating film 35 by the thermal head. Thereafter, since the insulating film 35 is thermally cured, the wiring 31 of the flexible wiring substrate 30 and the protrusions 21 formed on the terminal portions of the TFT substrate 1 can be reliably kept in contact with each other.

端子部の突起２１は絶縁物であるゲート絶縁膜３と層間絶縁膜７で形成される。突起２１は絶縁物であっても突起表面はＩＴＯ２２によって覆われているので、電気的導通は十分にとることができる。ＩＴＯ膜厚は画素電極９と同じ１５０ｎｍであるから、突起部２１で段切れを起こさぬよう注意が必要である。突起部２１のテーパーは３０度以下とするのが良い。 The protrusion 21 of the terminal portion is formed by the gate insulating film 3 and the interlayer insulating film 7 which are insulators. Even if the protrusion 21 is an insulator, the surface of the protrusion is covered with the ITO 22, so that sufficient electrical conduction can be obtained. Since the ITO film thickness is 150 nm which is the same as that of the pixel electrode 9, care must be taken not to cause step breakage at the protrusion 21. The taper of the protrusion 21 is preferably 30 degrees or less.

図１は突起２１を形成する２層の絶縁膜のうち、上層の層間絶縁膜７はオーバーエッチングにより膜厚が薄くなるよう形成されている。その結果突起部２１の頂上部は面積が小さくなっている。頂上部の面積が小さいことは接触圧力を十分にとることが出来る反面、ＩＴＯ膜２２が破壊しやすいという不利点も有する。 In FIG. 1, of the two insulating films forming the protrusions 21, the upper interlayer insulating film 7 is formed to be thin by over-etching. As a result, the area of the top of the protrusion 21 is small. The small area at the top allows a sufficient contact pressure, but has the disadvantage that the ITO film 22 is easily broken.

図３は本実施例において、突起部２１を形成する第２層目の絶縁膜である層間絶縁膜７を十分に残した場合である。この場合、断面形状は台形となるが、この台形の底径ｂは１０μｍで、上径ｔは５μｍである。このように頂上部に十分な面積を残せば、突起部２１の導電膜の破壊の危険を減らすことが出来る。 FIG. 3 shows a case where the interlayer insulating film 7 which is the second-layer insulating film for forming the protrusion 21 is sufficiently left in this embodiment. In this case, the cross-sectional shape is trapezoidal, and the trapezoid has a bottom diameter b of 10 μm and an upper diameter t of 5 μm. In this way, if a sufficient area is left at the top, the risk of destruction of the conductive film of the protrusion 21 can be reduced.

図４は図３に対応する端子部の断面斜視図である。図４において、端子部を形成するゲート配線２の幅ｗは３０μｍである。端子部の奥行きｄは１ｍｍである。端子間のピッチは図示してないが、５０μｍである。図４のＡ−Ａ断面が図３に対応する。図４において、突起２１は四角錐となっている。四角錐の奥行き方向の断面形状も、図３と同じ台形であり、この台形の底径ｂは１０μｍで、上径ｂは５μｍである。 4 is a cross-sectional perspective view of the terminal portion corresponding to FIG. In FIG. 4, the width w of the gate wiring 2 forming the terminal portion is 30 μm. The depth d of the terminal portion is 1 mm. Although the pitch between the terminals is not shown, it is 50 μm. The AA cross section of FIG. 4 corresponds to FIG. In FIG. 4, the protrusion 21 is a quadrangular pyramid. The cross-sectional shape of the quadrangular pyramid in the depth direction is also the same trapezoid as in FIG. 3, and the trapezoid has a bottom diameter b of 10 μm and an upper diameter b of 5 μm.

図４における突起２１の形は四角錐であるが、四角錐に限る必要が無いことは言うまでもない。突起２１の製作のし易さを考慮すると突起２１の形状を四角錐とする場合よりも円錐とする場合のほうが優れている場合もある。円錐のばあいは、底径が１０μｍ、上径が５ミクロンである。突起２１の形状は四角錐、円錐に限らず、端子部の形状に合わせて種々のものを選ぶことができる。例えば、突起２１の形状を楕円錐とすることもできる。 Although the shape of the protrusion 21 in FIG. 4 is a quadrangular pyramid, it is needless to say that the projection need not be limited to a quadrangular pyramid. In consideration of the ease of manufacturing the protrusion 21, there are cases where the shape of the protrusion 21 is better than the case of a quadrangular pyramid. In the case of a cone, the bottom diameter is 10 μm and the top diameter is 5 microns. The shape of the protrusion 21 is not limited to a quadrangular pyramid and a cone, and various shapes can be selected according to the shape of the terminal portion. For example, the shape of the protrusion 21 can be an elliptical cone.

図４においては、突起２１は２個形成されているが、突起２１の数は必要に応じて多数形成することができる。特に、端子の奥行き方向ｄは１ｍｍあるので、この方向には多数の突起２１を形成することが可能である。また、図３等では、突起２１の底辺を１０μｍ、上辺を５μｍとしたが、この大きさに限定されるものではない。例えば、底径を小さくすることによって、端子の幅方向にも複数の突起２１を形成することができる。突起２１の高さ等との兼ね合いで突起２１の底径を決めればよい。例えば、突起２１の高さが低ければ、ＩＴＯ２２によるステップカバレッジを考慮しても小さな突起２１を多数形成することが可能である。 Although two protrusions 21 are formed in FIG. 4, the number of protrusions 21 can be formed as many as necessary. In particular, since the depth direction d of the terminal is 1 mm, a large number of protrusions 21 can be formed in this direction. 3 and the like, the bottom side of the protrusion 21 is 10 μm and the top side is 5 μm. However, the size is not limited to this. For example, a plurality of protrusions 21 can be formed in the width direction of the terminal by reducing the bottom diameter. What is necessary is just to determine the bottom diameter of the protrusion 21 in view of the height of the protrusion 21 and the like. For example, if the height of the protrusion 21 is low, it is possible to form a large number of small protrusions 21 even considering the step coverage by the ITO 22.

図５は、突起部２１を形成する絶縁膜としてゲート絶縁膜３のみを使用した場合である。この場合、突起２１の高さはゲート絶縁膜３の膜厚となる。突起２１が低くなる分、ＩＴＯ２２が破壊される危険は小さくなる。また、液晶表示装置の端子とフレキシブル配線基板３０の配線３１の位置合わせが適正な場合、フレキシブル配線基板３０の櫛歯状端子は液晶表示装置の端子部のスルーホール内に収容できるので、配線３１と端子部の突起２１との接触は適正に行なうことができる。 FIG. 5 shows a case where only the gate insulating film 3 is used as the insulating film for forming the protrusion 21. In this case, the height of the protrusion 21 is the film thickness of the gate insulating film 3. Since the protrusion 21 is lowered, the risk of the ITO 22 being destroyed is reduced. Further, when the terminals of the liquid crystal display device and the wiring 31 of the flexible wiring substrate 30 are properly aligned, the comb-like terminals of the flexible wiring substrate 30 can be accommodated in the through holes of the terminal portion of the liquid crystal display device. And the protrusion 21 of the terminal portion can be properly contacted.

図６は端子部の突起２１を形成する手段として、ゲート絶縁膜３とＳＤ配線６を用いた例である。この場合、突起２１を形成する膜は下層が絶縁膜、上層が導電膜という構成となる。上層が導電膜なので、ＩＴＯ膜２２によるフレキシブル配線基板３０との接続は高い信頼性を確保することができる。 FIG. 6 shows an example in which the gate insulating film 3 and the SD wiring 6 are used as means for forming the protrusion 21 of the terminal portion. In this case, the film forming the protrusion 21 has a structure in which the lower layer is an insulating film and the upper layer is a conductive film. Since the upper layer is a conductive film, the connection with the flexible wiring board 30 by the ITO film 22 can ensure high reliability.

図７は端子部の突起２１を形成する手段として、ＳＤ配線６と層間絶縁膜７を用いた例である。この場合、突起２１を形成する膜は下層が導電膜、上層が絶縁膜という構成となる。上層が安定な絶縁膜ＳｉＮ_Ｘで、この絶縁膜によってＡｌ等によって形成される導電膜が覆われるので、導電膜が外部雰囲気によって腐蝕されることに対しては安全である。一方、突起下部においては、ゲート配線２とＩＴＯ２２の接触を導電膜であるＳＤ配線６が補助することが出来る。 FIG. 7 shows an example in which the SD wiring 6 and the interlayer insulating film 7 are used as means for forming the protrusion 21 of the terminal portion. In this case, the film forming the protrusion 21 has a structure in which the lower layer is a conductive film and the upper layer is an insulating film. Since the upper layer is a stable insulating film SiN _X and the conductive film formed of Al or the like is covered by this insulating film, it is safe against the conductive film being corroded by the external atmosphere. On the other hand, at the lower part of the protrusion, the SD wiring 6 which is a conductive film can assist the contact between the gate wiring 2 and the ITO 22.

図８は端子部の突起２１をゲート絶縁膜３、ＳＤ配線６、および層間絶縁膜７によって形成した例である。本実施例においては、周辺保護膜よりも端子部スルーホール２３内の突起２１のほうが高い。突起２１が高いということは本発明の効果をより確実なものにすることができる。一方、フレキシブル配線基板３０の端子部の配線３１とＴＦＴ基板端子との機械的結合は熱硬化性の絶縁性樹脂で行うので、機械的な不安定性を招くということもない。 FIG. 8 shows an example in which the protrusion 21 of the terminal portion is formed by the gate insulating film 3, the SD wiring 6, and the interlayer insulating film 7. In this embodiment, the protrusion 21 in the terminal through hole 23 is higher than the peripheral protective film. The fact that the protrusion 21 is high can ensure the effect of the present invention. On the other hand, since the mechanical connection between the wiring 31 of the terminal portion of the flexible wiring substrate 30 and the TFT substrate terminal is performed with a thermosetting insulating resin, mechanical instability is not caused.

実施例１は端子部にゲート配線２を使用した例である。この他に、端子部に信号線と同層で形成されたＳＤ配線６を使用する場合もある。実施例２は端子部にＳＤ配線６を使用した例である。図９は本発明の第２の実施例である。図９において、ＴＦＴ基板上にはゲート絶縁膜３が形成されている。ゲート絶縁膜上にＳＤ配線６が延在して形成されて、端子用導電膜を形成している。ＳＤ配線６は層間絶縁膜７で覆われているが、端子部においてエッチングにより、端子部スルーホール２３が形成され、ＳＤ配線６が露出する。 The first embodiment is an example in which the gate wiring 2 is used for the terminal portion. In addition, the SD wiring 6 formed in the same layer as the signal line may be used for the terminal portion. The second embodiment is an example in which the SD wiring 6 is used for the terminal portion. FIG. 9 shows a second embodiment of the present invention. In FIG. 9, a gate insulating film 3 is formed on the TFT substrate. The SD wiring 6 is formed extending on the gate insulating film to form a terminal conductive film. Although the SD wiring 6 is covered with the interlayer insulating film 7, the terminal portion through hole 23 is formed by etching in the terminal portion, and the SD wiring 6 is exposed.

ＳＤ配線６はＡｌまたはＡｌ合金等で形成されているために、腐蝕し易い。ＳＤ配線６の腐蝕を防止するためにＳＤ配線層は化学的に安定なＩＴＯ２２で覆われている。端子部スルーホール２３の周辺は層間絶縁膜７で覆われている。端子部スルーホール２３内には突起２１が形成されている。この突起２１は層間絶縁膜７によって形成されている。この場合、端子部スルーホール周辺の層間絶縁膜７と突起２１の高さは等しい。 Since the SD wiring 6 is made of Al or Al alloy, it is easily corroded. In order to prevent corrosion of the SD wiring 6, the SD wiring layer is covered with chemically stable ITO 22. The periphery of the terminal portion through hole 23 is covered with an interlayer insulating film 7. A protrusion 21 is formed in the terminal portion through hole 23. The protrusion 21 is formed by the interlayer insulating film 7. In this case, the height of the interlayer insulating film 7 and the protrusion 21 around the terminal portion through hole is equal.

突起２１の形成は、端子部スルーホール２３を形成する際、スルーホール２３内の一部にレジストを形成してエッチングすることにより、層間絶縁膜７による突起２１を形成することができる。 When forming the terminal portion through hole 23, the protrusion 21 can be formed by forming a resist in a part of the through hole 23 and etching, thereby forming the protrusion 21 by the interlayer insulating film 7.

実施例１および実施例２は、ＴＦＴがボトムゲート型の場合に対応する本発明の端子部の構成である。本実施例はＴＦＴがトップゲート型の場合における本発明の端子構造である。 Example 1 and Example 2 are configurations of the terminal portion of the present invention corresponding to the case where the TFT is a bottom gate type. This embodiment is the terminal structure of the present invention when the TFT is a top gate type.

図１０はトップゲート型のＴＦＴの概略断面構造である。ＴＦＴ基板上に下地膜１０が形成される。下地膜１０の役割はガラス基板中の不純物が表面に拡散してきてａ-Ｓｉ層４が汚染されるのを防止することである。本実施例の下地膜１０はＳｉＮ_Ｘで形成される。下地膜１０は２層で形成されることもあり、この場合はＳｉＮ_Ｘ層とＳｉＯ_２層が用いられる。 FIG. 10 is a schematic cross-sectional structure of a top gate type TFT. A base film 10 is formed on the TFT substrate. The role of the base film 10 is to prevent impurities in the glass substrate from diffusing to the surface and contaminating the a-Si layer 4. The base film 10 of this embodiment is formed of SiN _X. The base film 10 may be formed of two layers. In this case, a SiN _X layer and a SiO ₂ layer are used.

下地膜１０の上にａ-Ｓｉ層４が形成される。ａ-Ｓｉ層４の両側はイオン打ち込みによってｎ＋層が形成され、これがソース部およびドレイン部となる。ａ-Ｓｉ層４を覆って、ゲート絶縁膜３が形成され、ゲート絶縁膜上にゲート電極２が形成される。ゲート電極はゲート配線２と同層で形成される。以後ゲート電極もゲート配線２と呼ぶ。ゲート絶縁膜３はＳｉＯ_２膜で形成される。 An a-Si layer 4 is formed on the base film 10. N + layers are formed on both sides of the a-Si layer 4 by ion implantation, which become a source portion and a drain portion. A gate insulating film 3 is formed so as to cover the a-Si layer 4, and a gate electrode 2 is formed on the gate insulating film. The gate electrode is formed in the same layer as the gate wiring 2. Hereinafter, the gate electrode is also referred to as a gate wiring 2. The gate insulating film 3 is formed of a SiO ₂ film.

ゲート配線２を覆って層間絶縁膜７が形成される。層間絶縁膜７はＳｉＮ_Ｘで形成される。ａ-Ｓｉ層４のソース部およびドレイン部と導通を取るため、ゲート絶縁膜３および層間絶縁膜７に対してスルーホール８１が形成され、その後、データ信号線と同層でＳＤ配線６がスパッタリングによって形成される。 An interlayer insulating film 7 is formed to cover the gate wiring 2. The interlayer insulating film 7 is made of SiN _X. A through hole 81 is formed in the gate insulating film 3 and the interlayer insulating film 7 in order to establish conduction with the source part and the drain part of the a-Si layer 4, and then the SD wiring 6 is sputtered in the same layer as the data signal line. Formed by.

ＳＤ配線６をパターニング後、無機パッシベーション膜１１がＳｉＮ_Ｘによって形成される。無機パッシベーション膜１１の主な役割はＴＦＴを外部からの不純物から保護することである。 After patterning the SD wiring 6, an inorganic passivation film 11 is formed of SiN _X. The main role of the inorganic passivation film 11 is to protect the TFT from impurities from the outside.

無機パッシベーション膜１１を覆って有機パッシベーション膜１２が形成される。有機パッシベーション膜１２はアクリル樹脂で形成さる。有機パッシベーション膜１２としてはこの他にポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂等が用いられる。有機パッシベーション膜１２の役割は、ＴＦＴ部の保護と、画素電極９に対して平坦な下地を与えることである。 An organic passivation film 12 is formed to cover the inorganic passivation film 11. The organic passivation film 12 is formed of an acrylic resin. In addition, polyimide resin, siloxane resin, or the like is used as the organic passivation film 12. The role of the organic passivation film 12 is to protect the TFT portion and to provide a flat base for the pixel electrode 9.

無機パッシベーション膜１１および有機パッシベーション膜１２に対し、ＳＤ配線６と導通を取るためのスルーホール８を形成する。画素電極９としてのＩＴＯ２２をスパッタリングによって形成し、ＩＴＯをパターニングすることによって画素部が形成される。 A through-hole 8 is formed in the inorganic passivation film 11 and the organic passivation film 12 for electrical connection with the SD wiring 6. A pixel portion is formed by forming ITO 22 as the pixel electrode 9 by sputtering and patterning the ITO.

図１１は本実施例による端子部の断面構造である。ＴＦＴ基板上に下地膜１０およびゲート絶縁膜３が形成されている。ゲート絶縁膜上にゲート配線２が形成されている。このゲート配線２はＴＦＴのゲート電極と同層で直接つながっている。 FIG. 11 shows a cross-sectional structure of the terminal portion according to this embodiment. A base film 10 and a gate insulating film 3 are formed on the TFT substrate. A gate wiring 2 is formed on the gate insulating film. This gate wiring 2 is directly connected to the gate electrode of the TFT in the same layer.

ゲート配線２を覆って、層間絶縁膜７、無機パッシベーション膜１１、有機パッシベーション膜１２が形成されている。外部との導通をとるために、端子部において、層間絶縁膜７、無機パッシベーション膜１１、有機パッシベーション膜１２に端子部スルーホール２３を形成してゲート配線２を露出させる。ゲート配線層はＣｒ、Ａｌ、またはＡｌ合金等の金属で形成されているので腐蝕等の問題を防止するために化学的に安定なＩＴＯ２２で端子部を覆うことは実施例１と同じである。 An interlayer insulating film 7, an inorganic passivation film 11, and an organic passivation film 12 are formed so as to cover the gate wiring 2. In order to establish electrical continuity with the outside, a terminal part through hole 23 is formed in the interlayer insulating film 7, the inorganic passivation film 11, and the organic passivation film 12 in the terminal part to expose the gate wiring 2. Since the gate wiring layer is formed of a metal such as Cr, Al, or an Al alloy, the terminal portion is covered with chemically stable ITO 22 in order to prevent problems such as corrosion as in the first embodiment.

本実施例においてもフレキシブル配線基板３０の端子部との接続を確実にするために、端子部スルーホール２３内に突起２１を形成する。本実施例の突起２１は、層間絶縁膜７、無機パッシベーション膜１１、有機パッシベーション膜１２の３層膜によって形成されている。 Also in the present embodiment, the protrusion 21 is formed in the terminal portion through hole 23 in order to ensure the connection with the terminal portion of the flexible wiring board 30. The protrusion 21 of this embodiment is formed by a three-layer film of an interlayer insulating film 7, an inorganic passivation film 11, and an organic passivation film 12.

本実施例では突起２１に有機樹脂が用いられている。注意が必要なのは、フレキシブル配線基板３０の端子と接続する際に、熱硬化性の樹脂を用いるので、接続時に端子部を加熱するということである。加熱温度は有機パッシベーション膜１２として使用しているアクリル樹脂が変質して破壊するような温度ではない。ポリイミド系の樹脂であれば、この程度の温度では全く問題ない。本実施例では突起２１の高さが周辺より高いため、本発明の効果を十分に得ることができる。 In this embodiment, an organic resin is used for the protrusion 21. It should be noted that when connecting to the terminals of the flexible wiring board 30, a thermosetting resin is used, and thus the terminal portion is heated at the time of connection. The heating temperature is not a temperature at which the acrylic resin used as the organic passivation film 12 is altered and destroyed. If it is a polyimide resin, there is no problem at this temperature. In the present embodiment, since the height of the protrusion 21 is higher than that of the periphery, the effect of the present invention can be sufficiently obtained.

図１２は本実施例において、突起２１の構成を変えたものである。図１２においては、突起２１は層間絶縁膜７および無機パッシベーション膜１１によって形成されている。本実施例においては、突起２１の高さは周囲の保護膜の合計厚さよりも低い。 FIG. 12 shows a modification of the structure of the protrusion 21 in this embodiment. In FIG. 12, the protrusion 21 is formed by the interlayer insulating film 7 and the inorganic passivation film 11. In the present embodiment, the height of the protrusion 21 is lower than the total thickness of the surrounding protective film.

図１２の特徴は、突起２１の形成に、有機パッシベーション膜１２を使用していないことである。したがって、絶縁性フィルム３５を熱硬化する場合にも、突起部２１の変形等については考慮する必要が無いことである。 The feature of FIG. 12 is that the organic passivation film 12 is not used to form the protrusions 21. Therefore, even when the insulating film 35 is thermoset, there is no need to consider the deformation of the protrusions 21.

図１３は、本実施例において、さらに突起２１の構成を変えたものである。図１３における突起２１は層間絶縁膜７および、ＳＤ配線６によって形成されている。図１３の特徴はＳＤ配線６がＩＴＯ２２のすぐ下に形成されていることである。ＳＤ配線６はＡｌまたはＡｌ合金で形成されている。比較的軟らかい金属であるＡｌあるいはＡｌ合金がＩＴＯ２２のすぐ下に形成されていることとで、ＩＴＯ２２にフレキシブル配線基板側の配線３１が押し付けられてもＩＴＯ２２が破壊されることはない。また、導電膜がＩＴＯ膜２２のすぐ下に形成されていることによって、導通も確実になる。 FIG. 13 shows a structure in which the structure of the protrusion 21 is further changed in this embodiment. The protrusions 21 in FIG. 13 are formed by the interlayer insulating film 7 and the SD wiring 6. The feature of FIG. 13 is that the SD wiring 6 is formed immediately below the ITO 22. The SD wiring 6 is made of Al or Al alloy. Since Al or Al alloy, which is a relatively soft metal, is formed immediately below the ITO 22, the ITO 22 is not destroyed even when the wiring 31 on the flexible wiring board side is pressed against the ITO 22. Further, since the conductive film is formed immediately below the ITO film 22, conduction is also ensured.

図１４は、本実施例において、さらに突起２１の構成を変えたものである。図１４における突起２１は層間絶縁膜７および、ＳＤ配線６、および無機パッシベーションによって形成されている。図１４の特徴は突起２１を有機材料を除く３層で形成しているために比較的高く形成できることであり、本発明の効果を十分にだすことができる。また、金属であるＳＤ配線６がＳｉＮ_Ｘで形成された層間絶縁膜７および無機パッシベーションでサンドイッチされているために、突起２１を形成しているＳＤ層が腐蝕しづらいという利点もある。 FIG. 14 shows a configuration in which the projection 21 is further changed in this embodiment. The protrusion 21 in FIG. 14 is formed by the interlayer insulating film 7, the SD wiring 6, and inorganic passivation. The feature of FIG. 14 is that the protrusion 21 is formed of three layers excluding the organic material and can be formed relatively high, and the effects of the present invention can be sufficiently obtained. In addition, since the SD wiring 6 made of metal is sandwiched between the interlayer insulating film 7 made of SiN _X and the inorganic passivation, there is an advantage that the SD layer forming the protrusions 21 is hardly corroded.

図１５は、本実施例において、突起２１を層間絶縁膜７だけで形成した場合である。この場合、端子部のスルーホール部２３は層間絶縁膜７を形成するとき以外はレジストをかけずに除去する。無機パッシベーション膜１１と層間絶縁膜７はいずれもＳｉＮ_Ｘで形成されているので、無機パッシベーションをエッチングしているときに、突起２１を形成する層間絶縁膜７もエッチングする恐れがあるので、エッチング条件の制御が必要である。逆に言えば、エッチング時間をコントロールすることによって、突起２１の高さをコントロールすることができる。本実施例は、突起２１の高さを低く形成したいような場合に有効である。 FIG. 15 shows a case where the protrusion 21 is formed only by the interlayer insulating film 7 in this embodiment. In this case, the through-hole portion 23 of the terminal portion is removed without applying a resist except when the interlayer insulating film 7 is formed. Since both the inorganic passivation film 11 and the interlayer insulating film 7 are formed of SiN _X , there is a possibility that the interlayer insulating film 7 that forms the protrusions 21 may be etched when the inorganic passivation is etched. Control is required. In other words, the height of the protrusion 21 can be controlled by controlling the etching time. This embodiment is effective when it is desired to form the protrusion 21 at a low height.

図１６は本発明の第４の実施例の概略断面図である。本実施例は端子部にゲート配線２を用いることは実施例３と同じである。ゲート配線上には層間絶縁膜７、無機パッシベーション膜１１、および、有機パッシベーション膜１２が被着される。有機パッシベーション膜１２は端子部スルーホール２３形成時に、端子部周辺から除去され、端子部周辺には層間絶縁膜７および無機パッシベーション膜１１のみがのこされている。しかし、有機パッシベーション膜１２は、端子部スルーホール２３内には除去されずに残されて突起２１を形成する。 FIG. 16 is a schematic sectional view of a fourth embodiment of the present invention. This embodiment is the same as the third embodiment in that the gate wiring 2 is used for the terminal portion. An interlayer insulating film 7, an inorganic passivation film 11, and an organic passivation film 12 are deposited on the gate wiring. The organic passivation film 12 is removed from the periphery of the terminal portion when the terminal portion through-hole 23 is formed, and only the interlayer insulating film 7 and the inorganic passivation film 11 are left around the terminal portion. However, the organic passivation film 12 is left without being removed in the terminal portion through hole 23 to form the protrusion 21.

本実施例の突起２１は層間絶縁膜７、無機パッシベーション膜１１および有機パッシベーション膜１２で形成されている。これに対して端子部周辺の保護膜は層間絶縁膜７および無機パッシベーション膜１１のみで形成されている。したがって、突起２１の高さは端子部周辺保護膜の２倍以上となっている。本実施例によれば、フレキシブル配線基板３０の端子部に形成された配線先端に凹凸があったとしても、ＴＦＴ基板１の端子部の突起２１が高いために、配線３１は確実に突起２１に当接することになり、接続の信頼性を上げることができる。 The protrusion 21 in this embodiment is formed of the interlayer insulating film 7, the inorganic passivation film 11, and the organic passivation film 12. On the other hand, the protective film around the terminal portion is formed only of the interlayer insulating film 7 and the inorganic passivation film 11. Therefore, the height of the protrusion 21 is twice or more that of the terminal portion peripheral protective film. According to the present embodiment, even if the wiring tip formed on the terminal portion of the flexible wiring board 30 is uneven, the wiring 31 is surely formed on the protrusion 21 because the protrusion 21 of the terminal portion of the TFT substrate 1 is high. It will contact | abut, and the reliability of a connection can be raised.

図１７は本発明の第５の実施例を示す概略断面図である。図１７において、ＴＦＴ基板の上には下地膜１０、ゲート絶縁膜３、層間絶縁膜７が形成されている。各膜の材料、膜厚等は実施例３と同様である。層間絶縁膜７の上にデータ信号線と同層で形成されたＳＤ配線６が延在して端子用導電膜を形成している。 FIG. 17 is a schematic sectional view showing a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 17, a base film 10, a gate insulating film 3, and an interlayer insulating film 7 are formed on the TFT substrate. The material and film thickness of each film are the same as in Example 3. An SD wiring 6 formed in the same layer as the data signal line extends on the interlayer insulating film 7 to form a terminal conductive film.

ＳＤ配線６を覆って、無機パッシベーション膜１１および有機パッシベーション膜１２が形成される。導通をとるために、ＳＤ配線６で形成された端子部上で、無機パッシベーション膜１１および有機パッシベーション膜１２に端子部スルーホール２３が形成される。このスルーホール２３内の一部に無機パッシベーションおよび有機パッシベーションを残し、突起２１を形成する。この突起２１の形成は、スルーホール２３をエッチングする際、必要部分にレジストをかけておき、その後、レジストを除去すればよい。また、端子部のＳＤ配線周辺の保護膜も、無機パッシベーション膜１１および有機パッシベーション膜１２で形成されている。本実施例においても、突起２１は、本発明の効果を発揮するために十分な高さを確保することができる。 An inorganic passivation film 11 and an organic passivation film 12 are formed so as to cover the SD wiring 6. In order to conduct, a terminal portion through hole 23 is formed in the inorganic passivation film 11 and the organic passivation film 12 on the terminal portion formed by the SD wiring 6. A protrusion 21 is formed by leaving inorganic and organic passivation in a part of the through hole 23. The protrusions 21 can be formed by applying a resist to necessary portions when the through hole 23 is etched, and then removing the resist. Further, the protective film around the SD wiring in the terminal portion is also formed of the inorganic passivation film 11 and the organic passivation film 12. Also in the present embodiment, the protrusion 21 can secure a sufficient height to exhibit the effects of the present invention.

図１８は本実施例において、突起２１を無機パッシベーション膜１１のみで構成した場合である。図１８の突起２１の形成方法は次のとおりである。ＳＤ配線６をパターニング後、無機パッシベーションを被着する。無機パッシベーションをパターニングして端子部スルーホール２３を形成する際、端子部スルーホール２３内の一部にレジストを残し、突起部分に無機パッシベーションを形成する。そして、有機パッシベーション膜１２は端子部スルーホール２３内からはすべて除去する。 FIG. 18 shows a case where the protrusion 21 is composed only of the inorganic passivation film 11 in this embodiment. The formation method of the protrusion 21 of FIG. 18 is as follows. After patterning the SD wiring 6, inorganic passivation is applied. When the terminal portion through hole 23 is formed by patterning the inorganic passivation, the resist is left in a part of the terminal portion through hole 23 and the inorganic passivation is formed on the protruding portion. Then, all of the organic passivation film 12 is removed from the terminal part through hole 23.

本実施例の突起２１は無機パッシベーション材料であるＳｉＮ_Ｘのみで形成されるので、突起部２１は化学的に非常に安定である。本実施例は、突起２１の高さをあまり大きくできない場合に好適である。 Since the protrusion 21 of the present embodiment is formed only of SiN _X which is an inorganic passivation material, the protrusion 21 is chemically very stable. This embodiment is suitable when the height of the protrusion 21 cannot be increased too much.

実施例３、実施例４、および、実施例５ではパッシベーション膜として無機と有機の両方の膜を使用している。しかし、用途によっては無機パッシベーション膜１１のみ、あるいは、有機パッシベーション膜１２のみを使用する場合がある。この場合、上記説明した各実施例およびその種々の形態から使用されているパッシベーション膜に対応するものを選定すればよいことは言うまでもない。 In Example 3, Example 4, and Example 5, both inorganic and organic films are used as the passivation film. However, depending on the application, only the inorganic passivation film 11 or only the organic passivation film 12 may be used. In this case, it is needless to say that a film corresponding to the passivation film used from each of the embodiments described above and various forms thereof may be selected.

また、上記実施例のうち、実施例１、実施例３、実施例４は、端子用導電膜としてゲート配線と同層で形成された金属を用いている。実施例２および実施例５は端子用導電膜としてＳＤ配線と同じ層で形成された金属を用いている。ゲート配線と同層の膜を端子部に用いている場合であっても、必ずしもゲート電極だけと接続するとは限らない。ゲート配線と同層の金属を端子用導電膜として用いてＳＤ配線と接続することは可能である。この場合は層間絶縁膜にスルーホールを形成して、ＳＤ配線と、ゲート配線と同層で形成された端子用導電膜とを導通させればよい。ＳＤ配線と同層の金属を端子用導電膜として用いてゲート配線と接続することも同様にして可能である。 Of the above-described embodiments, the first, third, and fourth embodiments use a metal formed in the same layer as the gate wiring as the terminal conductive film. In Example 2 and Example 5, a metal formed in the same layer as the SD wiring is used as the terminal conductive film. Even in the case where a film in the same layer as the gate wiring is used for the terminal portion, the film is not necessarily connected only to the gate electrode. It is possible to connect to the SD wiring by using a metal in the same layer as the gate wiring as a conductive film for a terminal. In this case, a through hole is formed in the interlayer insulating film, and the SD wiring and the terminal conductive film formed in the same layer as the gate wiring are made conductive. It is also possible to connect to the gate wiring using the same layer metal as the SD wiring as the terminal conductive film.

本発明を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows this invention. ボトムゲート型ＴＦＴの断面図である。It is sectional drawing of bottom gate type TFT. 第１の実施例の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of a 1st Example. 第１の実施例の端子部の斜視図である。It is a perspective view of the terminal part of a 1st Example. 第１の実施例の他の形態の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of the other form of 1st Example. 第１の実施例のさらに他の形態の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of the further another form of a 1st Example. 第１の実施例のさらに他の形態の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of the further another form of a 1st Example. 第１の実施例のさらに他の形態の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of the further another form of a 1st Example. 第２の実施例の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of a 2nd Example. トップゲート型ＴＦＴの断面図である。It is sectional drawing of a top gate type TFT. 第３の実施例の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of a 3rd Example. 第３の実施例の他の形態の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of the other form of a 3rd Example. 第３の実施例のさらに他の形態の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of the further another form of 3rd Example. 第３の実施例のさらに他の形態の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of the further another form of 3rd Example. 第３の実施例のさらに他の形態の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of the further another form of 3rd Example. 第４の実施例の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of a 4th Example. 第５の実施例の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of a 5th Example. 第５の実施例の他の形態の端子部の断面図である。It is sectional drawing of the terminal part of the other form of a 5th Example.

Explanation of symbols

１…ＴＦＴ基板、２…ゲート配線、３…ゲート絶縁膜、４…ａ−Ｓｉ層、５…ｎ＋ａ−Ｓｉ層、６…ＳＤ配線、７…層間絶縁膜、８…スルーホール、９…画素電極、１０…下地膜、１１…無機パシベーション膜、１２…有機パッシベーション膜、２１…突起、２２…端子部ＩＴＯ、２３…端子部スルーホール、３０…フレキシブル配線基板、３１…配線、３２…メッキ、３５…絶縁性フィルム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... TFT substrate, 2 ... Gate wiring, 3 ... Gate insulating film, 4 ... a-Si layer, 5 ... n + a-Si layer, 6 ... SD wiring, 7 ... Interlayer insulating film, 8 ... Through hole, 9 ... Pixel electrode , 10 ... Underlayer film, 11 ... Inorganic passivation film, 12 ... Organic passivation film, 21 ... Projection, 22 ... Terminal part ITO, 23 ... Terminal part through hole, 30 ... Flexible wiring board, 31 ... Wiring, 32 ... Plating, 35 ... Insulating film

Claims

A display device having an image forming unit on a substrate and a terminal unit for connecting to an external circuit,
The terminal portion is formed with a terminal conductive film having a constant area that is electrically connected to the image forming portion, a protrusion including an insulator is formed on the terminal conductive film, and the protrusion and the terminal conductive film are oxidized. A display device covered with a physical conductive film.

The display device according to claim 1, wherein the oxide conductive film is any one of ITO, IZO, and ITZO.

The display device according to claim 1, wherein the protrusion includes a plurality of insulating films.

The display device according to claim 1, wherein the insulator forming the protrusion includes a SiN _X film.

The display device according to claim 1, wherein the insulator forming the protrusion includes an organic resin film.

The display device according to claim 1, wherein a plurality of protrusions are formed on the terminal portion.

The display device according to claim 1, wherein the display device is a liquid crystal display device.

A plurality of gate wirings extending in the horizontal direction and arranged in the vertical direction and a plurality of SD wirings extending in the vertical direction and arranged in the horizontal direction are formed in the image forming unit on the substrate. A display device in which a pixel portion including a pixel electrode and a TFT portion is formed in a region surrounded by the SD wiring, and a terminal portion for connecting to an external circuit is formed around the image forming portion,
The terminal part is formed with a terminal conductive film formed in the same layer as the gate electrode of the TFT part, and a protrusion including an insulator is formed on the terminal conductive film, and the protrusion and the terminal conductive part are formed. A display device, wherein the film is covered with an oxide conductive film.

The display device according to claim 8, wherein the terminal conductive film is electrically connected to the gate electrode of the TFT portion.

9. The display device according to claim 8, wherein the insulator forming the protrusion includes the same film as the gate insulating film constituting the TFT portion.

9. The display device according to claim 8, wherein the insulator forming the protrusion includes the same film as the gate insulating film constituting the TFT portion and the same film as the interlayer insulating film.

9. The display device according to claim 8, wherein the protrusion includes the same film as the gate insulating film constituting the TFT portion and the same conductive film as the SD wiring.

The display device according to claim 8, wherein the insulator forming the protrusion includes a SiN _X film.

The display device according to claim 8, wherein the insulator forming the protrusion includes an organic insulating film.

The display device according to claim 8, wherein a plurality of protrusions are formed on the terminal portion.

The display device according to claim 8, wherein the pixel electrode is made of ITO, and the oxide conductive film covering the protrusion and the terminal conductive film is ITO.

A plurality of gate wirings extending in the horizontal direction and arranged in the vertical direction and a plurality of SD wirings extending in the vertical direction and arranged in the horizontal direction are formed in the image forming unit on the substrate. A display device in which a pixel portion including a pixel electrode and a TFT portion is formed in a region surrounded by the SD wiring, and a terminal portion for connecting to an external circuit is formed around the image forming portion,
The terminal portion is formed with a terminal conductive film formed in the same layer as the SD wiring of the TFT portion. A protrusion including an insulator is formed on the terminal conductive film, and the protrusion and the terminal conductive layer are formed. A display device, wherein the film is covered with an oxide conductive film.

The display device according to claim 17, wherein the terminal conductive film is electrically connected to the SD wiring of the TFT portion.

18. The display device according to claim 17, wherein the insulator forming the protrusion includes the same film as an interlayer insulating film constituting the TFT portion.

The display device according to claim 17, wherein the insulator forming the protrusion includes a SiN _X film.

The display device according to claim 17, wherein the insulator forming the protrusion includes an organic insulating film.

The display device according to claim 17, wherein a plurality of protrusions are formed on the terminal portion.