JP2008054051A - Rf circuit and radio device incorporating the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、サージ電圧による回路の誤動作または半導体素子の破壊を防ぐサージ電圧保護技術に係り、詳しくは、RF回路の部品点数の増加を抑えてサージ電圧対策を施したRF回路及びそれを組み込んだ無線機に関する。 The present invention relates to surge voltage protection technology for preventing malfunction of a circuit due to surge voltage or destruction of a semiconductor element. More specifically, the present invention incorporates an RF circuit with a countermeasure against surge voltage by suppressing an increase in the number of parts of the RF circuit and the same. It relates to radio equipment.
送信回路の終段を構成する電力増幅部の終段増幅器は送信回路の内で最も利得が高く、また利得が高いほど静電サージに弱いことから、通常、雷及び静電気に対するサージ電圧保護対策が施されている。従来このサージ電圧保護対策として、スパークギャップ用の部品やネオン管等の電子部品による保護、プリント基板やシャーシの形状、配線の引き回し、及び板金の追加による保護、等が行われていた。 The final stage amplifier of the power amplifier that constitutes the final stage of the transmission circuit has the highest gain in the transmission circuit, and the higher the gain, the weaker it is against electrostatic surges. It has been subjected. Conventionally, as a countermeasure for surge voltage protection, protection by electronic parts such as a spark gap part or a neon tube, the shape of a printed circuit board or chassis, wiring, and protection by adding a sheet metal have been performed.
図2は、特許文献1に記載のプリント基板の要部を示す線図である。図2において、パターン1、2と半田部1a、1bとを、写真法により、ギャップgが0.15mmとなるように山部tを互いに対接させて形成する。パターン1、2は絶縁材料のレジストが塗布され、半田部1a、1bはリフロー半田方法によって半田が融着され低インピーダンス化される。静電気は低インピーダンスのパターン及びギャップが狭いところへ逃げる特性を有するため、パターン1側に静電気が落ちると半田部1aの山部tに対接する接地されたパターン2側に放電し、パターン1側のブロックの誤動作または半導体の破壊を防止する。 FIG. 2 is a diagram showing a main part of the printed circuit board described in Patent Document 1. As shown in FIG. In FIG. 2, the patterns 1 and 2 and the solder portions 1a and 1b are formed by photolithography so that the crests t are in contact with each other so that the gap g is 0.15 mm. The patterns 1 and 2 are coated with an insulating material resist, and the solder portions 1a and 1b are soldered by a reflow soldering method to reduce impedance. Since static electricity has a low impedance pattern and a characteristic of escaping to a narrow gap, when static electricity falls to the pattern 1 side, it discharges to the grounded pattern 2 side that contacts the peak t of the solder part 1a, and the pattern 1 side Prevent block malfunction or semiconductor destruction.
ところで、プリント基板に静電気放電用の個別部品を実装すると、部品点数が増加し、プリント基板が大きくなり、価格が上昇する問題があった。プリント基板やシャーシの形状で対応する場合は、設計と加工工程の時間が増加することで、コストアップする不都合があった。また配線の引き回しまたは板金の追加による対策は、配線の配置や板金の形状の決定に複数回の試作実験を伴い、効果にバラツキが多く、量産への反映が難しいという問題があった。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、RF回路の部品点数の増加を抑えてサージ電圧対策を施したRF回路とそれを組み込んだ無線機を提供することにある。 The present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide an RF circuit in which an increase in the number of RF circuit components is suppressed and a surge voltage countermeasure is taken, and a radio apparatus incorporating the RF circuit. There is to do.
本発明のRF回路は、送信信号を電力増幅する電力増幅部と、送受信信号を切替える切替え部と、切替え部とアンテナ端子とを結ぶRFラインとを有するRF回路において、電力増幅部、切替え部、及びRFラインが、サージ電圧保護、及びインピーダンスマッチングを行うためのバリスタを具備することを特徴とする。 An RF circuit of the present invention is an RF circuit having a power amplifying unit that amplifies a transmission signal, a switching unit that switches transmission and reception signals, and an RF line that connects the switching unit and the antenna terminal. The RF line includes a varistor for surge voltage protection and impedance matching.
本発明のRF回路は、電力増幅部と切替え部との接続ノードと接地間に接続されるインピーダンスマッチング用のキャパシタに換えて接続され、電力増幅部と切替え部とのサージ電圧保護と、接続ノードのインピーダンスマッチングとを行う第1のバリスタと、アンテナ端子と接地間に接続され、RFラインと切替え部とのサージ電圧保護と、RFラインのインピーダンスマッチングとを行う第2のバリスタとを具備することを特徴とする。 The RF circuit of the present invention is connected in place of a capacitor for impedance matching connected between a connection node between the power amplification unit and the switching unit and the ground, surge voltage protection between the power amplification unit and the switching unit, and a connection node And a second varistor connected between the antenna terminal and the ground, for performing surge voltage protection between the RF line and the switching unit, and performing impedance matching of the RF line. It is characterized by.
本発明の無線機は、前記RF回路を組み込んだことを特徴とする。 The radio of the present invention is characterized by incorporating the RF circuit.
本発明によれば、RF回路の終段増幅器のインピーダンスマッチングにバリスタを用いることにより部品点数の増加をなくし、部品コスト及び実装コストの増加を抑えたサージ電圧対策を施すことが可能となる。またRFラインにも適用することにより、送受信切替えスイッチ及びRFラインをサージ電圧から保護することができる。さらにこれらを無線機に組み込むことにより、サージ電圧に強い無線機を提供することが可能となる。 According to the present invention, by using a varistor for impedance matching of a final amplifier of an RF circuit, an increase in the number of components can be eliminated, and a surge voltage countermeasure that suppresses an increase in component costs and mounting costs can be taken. Moreover, by applying to the RF line, the transmission / reception changeover switch and the RF line can be protected from the surge voltage. Furthermore, by incorporating these into a radio device, it is possible to provide a radio device that is resistant to surge voltage.
本発明によるRF回路の実施形態について、図を用いて説明する。図1は、本発明によるRF回路の回路ブロック図である。図1において、RF回路100は、送信信号を入力して電力増幅する電力増幅部10と、送受信信号を切替える切替え部20と、切替え部20とアンテナ端子40とを結ぶRFライン30とを有する。
Embodiments of an RF circuit according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit block diagram of an RF circuit according to the present invention. In FIG. 1, the
電力増幅部10は、終段増幅器11とキャパシタ12とバリスタ13とを有する。終段増幅器11は、送信信号を入力し、所定のレベルに電力増幅して、切替え部20の第1接点21−1へ出力する。従来、終段増幅器11の出力端と切替え部20の送受信切替えスイッチ21の第1接点21−1との接続ノードと接地間には、インピーダンスマッチングのため、容量の異なる複数のキャパシタが接続されていた。
The power amplifying
例えば、400〜520MHzの送信信号を取り扱う場合は、47pFと12pFの2つのキャパシタが用いられていた。この12pFのキャパシタをバリスタ15で置き換えることにより、インピーダンスマッチングとサージ電圧対策との両方を同時に満たすことができる。バリスタの静電容量は、概略3pF〜1000pFの範囲で任意の容量の素子を選択できるため、送信信号の周波数によるインピーダンスマッチングの要求とバリスタの部品コストに応じて、最適となるよう適宜選択することができる。 For example, when handling a transmission signal of 400 to 520 MHz, two capacitors of 47 pF and 12 pF were used. By replacing this 12 pF capacitor with a varistor 15, both impedance matching and surge voltage countermeasures can be satisfied simultaneously. Since the capacitance of the varistor can be selected from an element with an arbitrary capacitance in the range of approximately 3 pF to 1000 pF, the capacitance of the varistor should be appropriately selected according to the impedance matching requirement according to the frequency of the transmission signal and the component cost of the varistor Can do.
切替え部20は、送受信切替えスイッチ21を有し、第1接点21−1には、終段増幅器11の出力端が接続されて、電力増幅された送信信号が入力される。第2接点21−2は、受信回路(図示されず)の入力端へ接続されて、アンテナ端子40に接続されるアンテナが受信する受信信号を入力する。第3接点21−3は、RFライン30を介してアンテナ端子40に接続されている。このため送受信切替えスイッチ21は、制御信号により制御されて、アンテナ端子40に接続されるアンテナへ送信信号を送るか、アンテナが受信した受信信号を受信回路へ送るかのスイッチ切替えを行う。
The
RFライン30は、ローパスフィルタ(LPF)31とバリスタ32とを有する。ローパスフィルタ(LPF)31は、送信信号の高調波をカットし、所定の周波数の送信信号をアンテナ端子40に接続されるアンテナへ送る。ところで、RFライン30には、常に従来の方法によるサージ電圧保護対策が施されているとは限らなかった。しかし、送受信切替えスイッチ21にGaAs基板による半導体スイッチを使用する場合、静電気に弱いという性質から保護されることが望ましい。このため外部のサージ電圧を受けやすいRFライン30のアンテナ端子40側へアンテナ端子でのインピーダンスマッチングを兼ねたバリスタ32が設置されている。これにより、送受信切替えスイッチ21とローパスフィルタ(LPF)31とをサージ電圧から保護することが可能となる。
The
以上説明したように本発明によると、RF回路の終段増幅器のインピーダンスマッチングにバリスタを用いることにより部品点数の増加をなくし、部品コスト及び実装コストの増加を抑えたサージ電圧対策を施すことが可能となる。またRFラインにも同様に適用することにより、送受信切替えスイッチとLPFの両方をサージ電圧から保護することができる。さらにこれらを無線機に組み込むことにより、サージ電圧に強い無線機を提供することが可能となる。 As described above, according to the present invention, by using a varistor for impedance matching of a final amplifier of an RF circuit, it is possible to eliminate the increase in the number of components and to take a countermeasure against surge voltage while suppressing an increase in component costs and mounting costs. It becomes. In addition, by similarly applying to the RF line, both the transmission / reception changeover switch and the LPF can be protected from the surge voltage. Furthermore, by incorporating these into a radio device, it is possible to provide a radio device that is resistant to surge voltage.
10 電力増幅部
11 終段増幅器
12 キャパシタ
13 バリスタ
20 切替え部
21 送受信切替えスイッチ
21−1 第1接点
21−2 第2接点
21−3 第3接点
30 RFライン
31 ローパスフィルタ(LPF)
32 バリスタ
40 アンテナ端子
100 RF回路
DESCRIPTION OF
32
Claims (3)
前記電力増幅部、前記切替え部、及び前記RFラインが、サージ電圧保護、及びインピーダンスマッチングを行うためのバリスタを具備することを特徴とするRF回路。 In an RF circuit having a power amplifying unit for amplifying a transmission signal, a switching unit for switching a transmission / reception signal, and an RF line connecting the switching unit and an antenna terminal,
The RF circuit, wherein the power amplification unit, the switching unit, and the RF line include a varistor for performing surge voltage protection and impedance matching.
前記アンテナ端子と接地間に接続され、前記RFラインと前記切替え部とのサージ電圧保護と、前記RFラインのインピーダンスマッチングとを行う第2のバリスタとを具備することを特徴とするRF回路。 The power amplifying unit and the switching unit are connected in place of a capacitor for impedance matching connected between a connection node and the ground, surge voltage protection between the power amplifying unit and the switching unit, and impedance of the connection node A first varistor that performs matching;
An RF circuit comprising a second varistor connected between the antenna terminal and the ground and performing surge voltage protection between the RF line and the switching unit and impedance matching of the RF line.
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| JP2006228136A JP2008054051A (en) | 2006-08-24 | 2006-08-24 | Rf circuit and radio device incorporating the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011146836A (en) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Alps Electric Co Ltd | Input device with antenna and electronic device having the same |
| US9205057B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-12-08 | Lipocine Inc. | High-strength testosterone undecanoate compositions |
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2006
- 2006-08-24 JP JP2006228136A patent/JP2008054051A/en active Pending
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