JP2008028247A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理むらの発生を防止しつつ効率良く基板の処理を進める。
【解決手段】現像処理室３において水平姿勢の基板に対して現像液を供給することにより現像処理を施した後、洗浄処理室４において傾斜姿勢の基板Ｓに対して洗浄液を供給することにより洗浄処理を行う。その際、現像処理後、基板Ｓを現像処理室３において水平姿勢から仮傾斜姿勢（洗浄処理に適した基板Ｓの傾斜姿勢よりも斜度の小さい姿勢）に変換し、この仮傾斜姿勢の状態で基板Ｓを現像処理室３から洗浄処理室４に搬送する。そして、洗浄処理室４において、基板Ｓの姿勢を仮傾斜姿勢から前記本傾斜姿勢に変換して洗浄処理を行うようにした。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示器等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用ガラス基板や半導体基板などの基板に対して現像液、エッチング液などの処理液、およびリンス液などの洗浄液を供給して処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関するものである。

従来から、基板の処理装置（方法）として、基板を搬送しながら、
（１）水平姿勢の基板に処理液を供給することにより当該基板上に液層を形成した状態で処理を行う工程（液層形成工程）と、
（２）基板の姿勢を傾斜姿勢に変換する工程（姿勢変換工程）と、
（３）傾斜姿勢の基板に対して洗浄液を供給して洗浄する工程（洗浄工程）と、
を連続的に実施するようにしたものが知られている（例えば特許文献１）。

このような装置は、例えば基板の現像処理を行う装置として広く適用されている。つまり、水平姿勢の基板上に現像液の液層を形成して現像処理を進め、その後、基板を傾斜姿勢に変換してリンス液を基板に沿って流下させながら洗浄することにより、現像液とリンス液との置換効率が向上し、効率的に洗浄処理が進められるようになっている。

ところで、この種の基板処理装置では、基板の生産コストの削減および資源の有効利用の観点から処理液を再使用することが行われており、現像処理を行う上記装置では、傾斜姿勢への基板の変換（姿勢変換工程）を予め現像部（室）で行うことにより、基板上の現像液を流下させて回収し、再使用することが行われている。
特開平１１−８７２１０公報

ところが、上記のように現像処理後、基板の姿勢を洗浄処理に適した姿勢に変換してから基板を現像部から洗浄部に搬入する場合には、現像液の流下により基板の上位側で乾燥が生じ易くなり、洗浄処理が開始されるまでの間に、基板の上位側と下位側との間に処理の進行度合いに差が生じる、いわゆる現像むらが発生することが考えられる。特に、上位側と下位側との高低差が大きくなる大型の基板ではよりその発生頻度が高くなると考えられる。

そこで、基板の姿勢変換後、速やかに基板を洗浄部に搬送して洗浄処理を開始することによって、基板の乾燥を防止することが考えられているが、この場合には、基板を受け入れる洗浄部側でも基板の搬送速度を高めることが必要となり、いきおい洗浄部での処理時間が短くなり現像液とリンス液との置換効率が損なわれるという弊害がある。また、搬送速度を高めることで基板に与えるダメージも増加する可能性があり、得策とは言えない。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、基板の搬送速度を特に高めることなく、いわゆる処理むらの発生を防止しつつ効率良く基板の処理を進めることを目的とするものである。

上記課題を解決するために、本発明は、基板を搬送しながら、第１処理部において水平姿勢の基板に対して処理液を供給する第１処理と、第２処理部において傾斜姿勢の基板に対して処理液を供給する第２処理とを順次行う基板処理方法であって、前記第１処理後、基板を水平姿勢から所定の傾斜姿勢であって、かつ前記第２処理に適した姿勢として予め定められた本傾斜姿勢よりも斜度の小さい仮傾斜姿勢に変換する第１姿勢変換工程と、この仮傾斜姿勢の基板を第１処理部から第２処理部に搬送する搬送工程と、第２処理部において基板の姿勢を前記仮傾斜姿勢から前記本傾斜姿勢に変換する第２姿勢変換工程と、第２姿勢変換工程の後、本傾斜姿勢の基板に対して前記第２処理を行う基板処理工程と、を有するものである（請求項１）。

このように、第１処理後、第２処理部へ搬入されるまでの基板の姿勢を第２処理に適した本傾斜姿勢よりも斜度が小さい傾斜姿勢（仮傾斜姿勢）とするようにすれば、基板上の処理液を流下させながらもその乾燥を抑えることが可能となる。つまり、仮傾斜姿勢の斜度を、現像液が流下し得る範囲で可及的に小さく設定しておくことで、基板表面の乾燥を抑えることが可能となる。そして、第２処理部では、基板を理想的な斜度に傾けた状態（本傾斜姿勢）で第２処理を行うため、当該処理を効率的に進めることもできる。

この方法においては、仮傾斜姿勢で搬送される基板に対して前記第２処理を前記基板処理工程に先行して行う第１先行処理工程を有するのが好適である（請求項２）。

また、前記基板処理工程に先立ち、前記第２姿勢変換工程において姿勢変換中の基板に対して前記第２処理を行う第２先行処理工程を有するのも有効である（請求項３）。

これらの方法によると、本傾斜姿勢ではないものの傾斜姿勢の基板に対して先行して第２処理を施すことで一定の処理効果を得ることができ、また、早期に第２処理を開始するため基板表面の乾燥をより確実に抑えることが可能となる。

上記の方法においては、前記第１姿勢変換工程における基板の姿勢変換の際に、基板の姿勢を前記仮傾斜姿勢よりも斜度の小さい傾斜姿勢で一旦保持し、この後、前記仮傾斜姿勢に変換するのが好適である（請求項４）。

この方法によれば、基板を水平姿勢から傾斜姿勢へ変換する際の処理液の流動が緩やかになり、いわゆる流れむら（流路むら）の発生を抑制することが可能となる。

一方、本発明に係る基板処理装置は、基板の搬送方向に、水平姿勢の基板に処理液を供給して第１処理を実施する第１処理部と、傾斜姿勢の基板に処理液を供給して第２処理を実施する第２処理部とが並び、基板に対して前記第１処理および第２処理を順次行う基板処理装置において、前記第１処理部に配備され、第１処理後、基板を水平姿勢から所定の傾斜姿勢であって、かつ前記第２処理に適した姿勢として予め定められた本傾斜姿勢よりも斜度の小さい仮傾斜姿勢に変換する第１姿勢変換手段と、基板を前記仮傾斜姿勢のままで第１処理部から第２処理部に搬送する傾斜搬送手段と、前記第２処理部にそれぞれ配備され、基板の姿勢を前記仮傾斜姿勢から前記本傾斜姿勢に変換する第２姿勢変換手段、およびこの第２姿勢変換手段により本傾斜姿勢に変換された基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、を備えているものである（請求項５）。

この装置によると、水平姿勢の基板に処理液が供給されることにより第１処理が施され、この第１処理の終了後、第１姿勢変換手段により基板の姿勢が水平姿勢から仮傾斜姿勢に変換される。この第１処理および基板の姿勢変換は第１処理部において行われる。そして、基板が仮傾斜姿勢のまま傾斜搬送手段により第１処理部から第２処理部に搬送された後、第２姿勢変換手段により基板の姿勢が仮傾斜姿勢から本傾斜姿勢に変換され、この変換後、処理液供給手段により当該基板に処理液が供給されて第２処理が行われることとなる。そのため、請求項１に係る基板処理方法を好適に実施することが可能となる。

この装置おいては、前記第２処理部に、前記処理液供給手段による処理液の供給に先立ち、仮傾斜姿勢で搬送されてくる基板に対して前記第２処理用の処理液を供給する第１先行処理液供給手段が配備されているのが好適である（請求項６）。

また、前記第２処理部に、前記処理液供給手段による処理液の供給に先立ち、前記第２姿勢変換手段による姿勢変換中の基板に対して前記第２処理用の処理液を供給する第２先行処理液供給手段が配備されているのが好適である（請求項７）。

これらの装置によると、本傾斜姿勢ではないものの傾斜姿勢の基板、あるいは仮傾斜姿勢から本傾斜姿勢へ変換中の基板に対して先行して第２処理を施すことができる。そのため、請求項２，３に係る基板処理方法を好適に実施することが可能となる。

また、上記各装置において、前記第１姿勢変換手段は、基板の姿勢を前記仮傾斜姿勢よりも斜度の小さい傾斜姿勢に一旦保持し、その後、前記仮傾斜姿勢に変換するものであるのが好適である（請求項８）。

この装置によると、第１姿勢変換手段による基板の姿勢変換が二段階に段階的に行われる。そのため、請求項４に係る基板処理方法を好適に実施することが可能となる。

本発明は、第１処理部において水平姿勢の基板に対して処理液を供給する第１処理と、第２処理部において傾斜姿勢の基板に対して処理液を供給する第２処理とを連続して行う場合に、第１処理後、第２処理部へ搬入されるまでの基板の姿勢を第２処理に適した本傾斜姿勢よりも斜度が小さい傾斜姿勢（仮傾斜姿勢）とするようにしたので、第１処理後、基板を傾斜させて処理液を流下させるようにしながらも、第１処理部から第２処理部への基板搬送中の基板表面の乾燥を効果的に抑えることが可能となる。従って、基板の搬送速度を特に高めることなく、いわゆる処理むらの発生を防止しつつ効率良く基板の処理を進めることができるようになる。

本発明の実施形態について図面を用いて説明する。

図１は、本発明に係る基板処理装置（本発明に係る基板処理方法が使用される基板処理装置）の全体構成を示す側面図である。この基板処理装置１は、矩形のＬＣＤ用ガラス基板（以下、単に基板と称す）Ｓの表面に処理液である現像液を供給して現像処理した後、洗浄液を供給して洗浄処理するものである。なお、現像処理は本発明に係る第１処理に相当し、洗浄処理は本発明に係る第２処理に相当する。

この基板処理装置１は、基板Ｓを受け入れるローダ室２と、基板Ｓに現像処理を行う現像処理室３（本発明に係る第１処理部に相当する）と、現像処理後の基板Ｓを洗浄する洗浄処理室４（本発明に係る第２処理部に相当する）と、洗浄後の基板Ｓを乾燥させる乾燥室５と、基板を次工程に搬出するためのアンローダ室６とを備えている。

ローダ室２には、搬送ローラ２１が設けられ、基板Ｓをこの搬送ローラ２１上に受け入れて水平姿勢で搬送するようになっている。

現像処理室３は、水平姿勢で搬送される基板Ｓの表面に現像液を供給して現像液の表面張力により基板Ｓ表面に現像液の液層を形成する液層形成室３Ａと、現像液の液層が形成された基板Ｓを保持して液層の現像液による処理を進行させるとともに、処理終了後の基板Ｓの姿勢を水平姿勢から傾斜姿勢に変換する現像立替室３Ｂとに区画されている。

液層形成室３Ａには、ローダ室２から搬送されてくる基板Ｓを受け入れて水平姿勢で搬送する搬送ローラ３１と、この搬送ローラ３１により水平姿勢で搬送される基板Ｓの表面に現像液を供給してその表面（上面）に現像液の液層を形成する現像液供給ノズル３２とが設けられている。現像液供給ノズル３２には、現像液タンク１１に貯留された現像液がポンプ１２により供給されるようになっている。

図２は現像処理室３の斜視概略図である。現像立替室３Ｂには、液層形成室３Ａから現像液の液層が形成された状態で搬送ローラ３１により搬送されてくる基板Ｓを受け入れて保持する搬送ローラ３３が設けられる。また、基板Ｓを水平姿勢で保持する状態と、基板搬送方向に向かって左右の一方、当例では右下がりの傾斜姿勢で保持する状態とに、搬送ローラ３３の姿勢を切り替えることができる傾斜機構３４（本発明に係る第１姿勢変換手段に相当する）が設けられている。この傾斜機構３４は、搬送ローラ３３の左右を回転自在に支持するローラ枠３５と、基板の搬送進行方向（基板搬送方向）に向かって右側においてローラ枠３５を回転自在に軸支する、基板搬送方向と平行に設けられた軸３６と、基板搬送方向に向かって左側において、ローラ枠３５と結合されてかかるローラ枠３５の左側を上昇させるシリンダ３７とからなっている。つまり、この傾斜機構３４により、現像立替室３Ｂでは、同図に示すように搬送ローラ３３を水平姿勢にしておいて液層形成室３Ａから搬送ローラ３１により水平姿勢で搬送されてくる基板Ｓを受け入れた後、図３に示すように、シリンダ３７を伸張させて搬送ローラ３３を傾け、基板Ｓを基板搬送方向に向かって右下がりに傾斜した状態、詳しくは後述するような斜度に保った状態で基板Ｓを搬送可能となっている。

なお、液層形成室３Ａおよび現像立替室３Ｂの室の下方には、図１に示すように、現像液を回収する受け皿Ｔ１，Ｔ２が設けられ、これら受け皿Ｔ１，Ｔ２によって回収された現像液は現像液タンク１１へ回収されて再利用されるようになっている。

洗浄処理室４は、現像処理室３（現像立替室３Ｂ）から傾斜姿勢で搬送されてくる基板Ｓを受け入れ、この基板Ｓに洗浄液を供給することにより当該基板Ｓを洗浄するとともに基板Ｓの姿勢をさらに斜度の大きい傾斜姿勢に変換する洗浄立替室４Ａと、姿勢変換後の基板Ｓを受け入れ、この基板Ｓを傾斜姿勢で搬送しながら当該基板Ｓに処理液を供給することにより基板Ｓをさらに洗浄する本洗浄室４Ｂとに区画されている。

洗浄立替室４Ａには、現像立替室３Ｂから傾斜姿勢で搬送されてくる基板Ｓを受け入れて保持する搬送ローラ４１と、基板Ｓの上面および下面に洗浄液を供給するシャワー型の洗浄液供給ノズル４３，４４（本発明に係る第１および第２先行処理液供給手段）とが設けられている。各洗浄液供給ノズル４３，４４は、超純水供給源４５に接続されている。

さらに洗浄立替室４Ａには、搬送ローラ４１の姿勢を、現像立替室３Ｂから基板Ｓを受け入れ可能な傾斜姿勢と、その姿勢よりも更に斜度の大きい傾斜姿勢とに切り換える図外の傾斜機構（本発明に係る第２姿勢変換手段に相当する）が設けられている。この傾斜機構は、前記現像立替室３Ｂの傾斜機構３４と同じ機構からなっているため詳細は省略する。なお、この実施形態では、前記搬送ローラ３３，４１および傾斜機構３４等により本発明に係る傾斜搬送機構が構成されている。

ここで、洗浄立替室４Ａにおける変換後の基板Ｓの斜度（水平面と基板上面とがなす角度）は、洗浄液の液種および基板Ｓの種類との関係に基づき洗浄処理に最適な斜度、つまり現像液と洗浄液との置換が最も効率良く行われる斜度であって予め試験等に基づき求められた斜度（当実施形態では３°〜９°）に設定されている。これに対して、前記した現像立替室３Ｂにおける変換後の基板Ｓの斜度は、基板Ｓ上に形成された現像液が流下するものの基板表面が濡れて乾燥することがない程度の斜度であって予め試験等に基づき求められた斜度（当実施形態では０°〜５°）に設定されている。つまり、現像処理後、基板Ｓを傾斜させて処理液を流下させる一方で、現像処理室３から洗浄処理室４への基板搬送中の基板表面の乾燥を効果的に抑えるようにし、そして、洗浄処理室４では、基板Ｓの姿勢を洗浄処理に最適な斜度とすることにより現像液と洗浄液との置換性が良好に発揮され得るようになっている。なお、以下の説明では、必要に応じて、現像立替室３Ｂにおける変換後の基板Ｓの姿勢を「仮傾斜姿勢」と呼び、洗浄立替室４Ａにおける変換後の基板Ｓの姿勢を「本傾斜姿勢」と呼ぶことにする。

本洗浄室４Ｂは、姿勢変換後、洗浄立替室４Ａから搬送ローラ４１により搬送されてくる基板Ｓを受け入れて同じ姿勢で搬送する搬送ローラ４７と、搬送ローラ４７により傾斜姿勢で搬送される基板Ｓの上面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル４８と、基板Ｓの下面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル４９とを有している。これら洗浄液供給ノズル４８、４９（本発明に係る処理液供給手段）は上記超純水供給源４５に接続されている。

乾燥室５は、洗浄処理室４５から搬送されてくる基板Ｓを受け入れて同じ傾斜姿勢で搬送する搬送ローラ５１と、搬送ローラ５１により傾斜姿勢で搬送される基板Ｓの上面に対してエアを吹き付けて洗浄液を吹き飛ばし乾燥させるエアナイフ５２と、基板Ｓの下面に対してエアを吹き付けて洗浄液を吹き飛ばし乾燥させるエアナイフ５３とを有している。これらエアナイフ５２，５３はエア供給源５５に接続されている。

アンローダ室６には、乾燥室５から搬送ローラ５１により搬送されてくる基板Ｓを受け入れて保持する搬送ローラ６１が設けられる。また、アンローダ室６には、基板Ｓを水平姿勢で保持する状態と、基板搬送方向に向かって右下がりの傾斜姿勢で保持する状態とに、搬送ローラ６１の姿勢を切り替えることができる図外の傾斜機構が設けられている。つまり、乾燥室５から受け入れた傾斜姿勢の基板Ｓを、この傾斜機構により水平姿勢に変換し、次工程へと搬出するようになっている。この傾斜機構の構成は、現像立替室３Ｂに設けられる傾斜機構３４と同様であるため詳細は省略する。

なお、図１には示していないが、各室は処理液のミストが互いに浸入したりしないように区画する仕切によって仕切られている。また、この基板処理装置１には、その動作を統括的に制御するコントローラが設けられており、各搬送ローラ２１、３１、３３、４１、４７、５１、６１の駆動、傾斜機構３４等の作動、および現像液等の供給停止を含めた基板処理装置１全体の動作が図外のコントローラにより制御されるようになっている。

次に、このコントローラの制御に基づく基板処理装置１の動作（基板処理方法）について図１、図４を参照しつつその作用と共に説明する。

図示しない基板供給装置からローダ室２に供給される基板Ｓは、搬送ローラ２１により水平姿勢で搬送され、液層形成室３Ａの搬送ローラ３１に受け渡されて現像処理室３に搬入される。そして、液層形成室３Ａ内を一定速度で通過し、その間に基板Ｓの表面に現像液供給ノズル３２から現像液が供給され、現像液の表面張力によって基板Ｓ表面に現像液の液層が形成される。

液層形成室３Ａにおいて現像液の液層が形成された状態の基板Ｓは、搬送ローラ３１から搬送ローラ３３へと渡されて現像立替室３Ｂへと搬送される。現像立替室３Ｂに搬入された基板Ｓは搬送ローラ３３の停止により一時的に静止状態とされる。その間、その上面に形成されている液層の現像液により処理が進行する、いわゆるパドル現像が行われる。

このパドル現像が所定時間だけ行われると、次に傾斜機構３４のシリンダ３７が伸張して搬送ローラ３３が傾斜する。これにより基板Ｓが水平姿勢から基板搬送方向右側へ傾斜した仮傾斜姿勢へと姿勢変換される（本発明に係る第１姿勢変換工程に相当する）。

この基板Ｓの姿勢変換により、基板Ｓの上面の液層の現像液のほとんど全てが流下し、下方の受け皿Ｔ２に回収される。つまり、現像液が後工程へ殆ど持ち出されることなく現像処理室３において再利用されることとなる。

現像立替室３Ｂで仮傾斜姿勢とされて搬送ローラ３３により搬送されてくる基板Ｓは、同じ傾斜姿勢のままで洗浄立替室４Ａの搬送ローラ４１へ渡されて洗浄処理室４へと搬入される（本発明に係る搬送工程に相当する）。なお、基板Ｓは、現像処理室３から洗浄処理室４に仮傾斜姿勢のままで搬送されてくるが、この際の基板Ｓの斜度は、上述した通り基板Ｓの表面が乾燥することがない程度の斜度（０°〜５°）に設定されている、そのため、現像処理室３から洗浄処理室４への搬送が特に高速で行われることはなく、他の搬送動作とほぼ同程度の速度で行われる。

基板Ｓが完全に洗浄立替室４Ａに搬入されると、搬送ローラ４１が停止し、次に傾斜機構のシリンダ（図示せず）が伸張して搬送ローラ４１がさらに傾斜し、これにより仮傾斜姿勢（０°〜５°）から本傾斜姿勢（３°〜９°）へと基板Ｓの姿勢が変換される（本発明に係る第２姿勢変換工程に相当する）。また、この傾斜機構の作動とほぼ同時に洗浄液供給ノズル４３，４４から基板Ｓの上面及び下面に対して洗浄液が供給され、これにより姿勢変換中、基板Ｓが洗浄される（本発明に係る第２先行処理工程に相当する）。

本傾斜姿勢への基板Ｓの姿勢変換が完了すると、基板Ｓは、搬送ローラ４１から本洗浄室４Ｂの搬送ローラ４７へ渡され、本傾斜姿勢のまま定速で搬送される。本洗浄室４Ｂにおいては、基板Ｓの上面及び下面に対して洗浄液供給ノズル４８，４９から洗浄液が供給されて洗浄される（本発明に係る基板処理工程に相当する）。この際、洗浄液は傾斜した基板Ｓに沿って速やかに下側に流れ落ちることになり、基板Ｓの中央部付近に洗浄液が滞留することはなく短時間で充分に洗浄される。特に、このときの基板Ｓの斜度は、上述の通り現像液と洗浄液との置換が最も効率良く行われる斜度（本傾斜姿勢）に設定されているので効率的な洗浄が行われる。

洗浄処理室４から傾斜姿勢で搬送ローラ４７により搬送されてくる基板Ｓは同じ傾斜姿勢のままで搬送ローラ５１へ渡されて乾燥室５へ搬送される。乾燥室５においては、傾斜姿勢で搬送される基板Ｓの上面及び下面にエアナイフ５２，５３からエアが吹き付けられ、これにより洗浄液が吹き飛ばされて乾燥が進められる。

乾燥室５から搬送ローラ５１により搬送されてくる基板Ｓは同じ傾斜姿勢のままで搬送ローラ６１へ渡されてアンローダ室６へ搬送される。そして、アンローダ室６内に完全に搬入されると、傾斜機構により基板Ｓが傾斜姿勢から水平姿勢へと変換される。そして、かかる姿勢変換動作後に、搬送ローラ６１の駆動により基板Ｓが図示しない次工程へと搬出されることとなる。なお、基板Ｓの位置は、搬送ローラ等の駆動時間で認識してもよいし、各処理室の出入口に基板Ｓの通過を検知するセンサを設けて認識するようにしてもよい。

以上のように、この基板処理装置１（基板処理方法）では、現像処理後、基板Ｓの姿勢を直ちに洗浄処理に適した姿勢（本傾斜姿勢）に変換するのではなく、一旦、この本傾斜姿勢よりも斜度の小さい仮傾斜姿勢、つまり現像液を流下させながらも基板Ｓの乾燥が防止されるような緩斜度の姿勢に変換し、この状態のまま現像処理室３から洗浄処理室４に基板Ｓを搬送するようにしている。そのため、上記の通り、現像処理室３から洗浄処理室４の搬送を高速で行うことなく当該搬送中の基板Ｓの乾燥を有効に防止することができる。

従って、傾斜姿勢の基板Ｓに洗浄液を供給しながら効率的に基板Ｓの洗浄処理を進めるという利益を享受する一方で、現像処理後、洗浄処理を開始するまでの基板Ｓ表面の乾燥に伴う現像むらの発生を、基板搬送の高速化するといったリスクを伴うことなく有効に防止することができる。

特に、この基板処理装置１では、洗浄立替室４Ａにおいて基板Ｓを仮傾斜姿勢から本傾斜姿勢に姿勢変換される間、洗浄液供給ノズル４３，４４により洗浄液を供給することにより本洗浄室４Ｂでの洗浄処理に先行して洗浄処理を行うようにしているので、現像処理後、本傾斜姿勢での洗浄処理が開始されるまでの間に基板表面が乾燥するのをより確実に防止することができ、また、基板Ｓの洗浄処理をより早期に開始してより高い洗浄効果を得ることができるという利点もある。

なお、以上説明した基板処理装置１（基板処理方法）は、本発明に係る基板処理装置（基板処理方法）の具体的な実施の形態の例示であって、基板処理装置の具体的な構成、あるいは基板処理方法は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、次のような構成（方法）を採用したものでもよい。

（１） 図１に示す基板処理装置１の洗浄処理室４として、図５のような洗浄処理室４を採用してもよい。この洗浄処理室４は、洗浄立替室４Ａ，本洗浄室４Ｂに加えて、洗浄立替室４Ａの上流側に先行処理室４Ａ′を備えた構成となっている。この先行処理室４Ａ′には、現像立替室３Ｂから傾斜姿勢で搬送されてくる基板Ｓを受け入れて保持する搬送ローラ４０と、この搬送ローラ４０により搬送されてくる基板Ｓの表面に対して搬送方向上流側から下流側に向かって洗浄液を大量供給、あるいは高圧供給可能な例えばスリット型の洗浄液供給ノズル４２（本発明に係る第１先行処理液供給手段に相当する）とが設けられている。つまり、この基板処理装置１では、さらに洗浄立替室４Ａ，本洗浄室４Ｂでの洗浄処理に先行して基板Ｓの洗浄処理を行うように構成されている（本発明に係る第２先行処理工程に相当する）。このような装置によると、現像立替室３Ｂから搬出されている基板Ｓに直ちに洗浄処理を行うことができるので、基板表面の乾燥防止、洗浄時間の確保という点で図１の装置に比してより有利となる。この場合、同図では特に記載していないが、上記の洗浄液供給ノズル４２の下流側に、搬送方向下流側から上流側に向かって基板Ｓに洗浄液を供給するスリット型の洗浄液供給ノズルを前記ノズル４２に対向して配置し、さらにこれらノズルの間の部分であって基板Ｓに対してその傾斜上位側の位置に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルを備えたものであるのがより好ましい。この構成によると汚染の再付着を防止しつつ基板Ｓを洗浄することができる。

なお、図５のように洗浄処理室４に先行処理室４Ａ′を別途設ける代わりに、例えば、図１の洗浄立替室４Ａに、洗浄液供給ノズル４３，４４とは別に、基板受け入れ口の近傍にスリット型の洗浄液供給ノズルを設け、現像処理室３から洗浄立替室４Ａに搬送されてくる基板Ｓにこの洗浄液供給ノズルにより洗浄液を供給するようにしてもよい。このような構成によれば図５と同様の効果を得ることができる。

（２） 実施形態では、洗浄立替室４Ａにおいて、仮傾斜姿勢から本傾斜姿勢への姿勢変換中の基板Ｓに対して洗浄液供給ノズル４３，４４により洗浄液を供給するようにしているが、これを省略して装置の簡略化を図るようにしてもよい。つまり洗浄立替室４Ａでは、基板Ｓの姿勢変換のみを行うようにしてもよい。

（３） 現像立替室３Ｂにおいて、基板Ｓを水平姿勢から仮傾斜姿勢（斜度２°）に姿勢変換する過程で一旦基板Ｓを静止させて（例えば斜度１．５°の姿勢）その姿勢を保持し、その後、仮傾斜姿勢まで基板Ｓを傾けるようにしてもよい。このようにすれば、基板Ｓを水平姿勢から仮傾斜姿勢へ変換する際の現像液の流れが緩やかになり、いわゆる流れむら（流路むら）の発生を抑制することが可能になるという利点がある。

（４） また、図１の基板処理装置１では、基板Ｓの傾斜姿勢は、基板搬送方向に向かって左右一方側（つまり基板Ｓの幅方向）に傾ける姿勢としているが、基板搬送方向に傾く姿勢であってもよい。図６および図７は、その場合の現像処理室３および洗浄処理室４の構成を模式的に示している。

まず図６の構成について説明する。同図（ａ）に示すように、現像立替室３Ｂには、基板Ｓを水平姿勢で搬送する状態と、基板搬送方向に向かって先上がりの傾斜姿勢で搬送する状態とに、搬送ローラ３３の姿勢（各搬送ローラ３３の並びの方向）を切り替えることができる傾斜機構が設けられている。この傾斜機構は、詳しく図示していないが、搬送ローラ３３の左右を回転自在に支持するローラ枠と、基板搬送方向の後端においてローラ枠を回転自在に軸支する、基板搬送方向と直交して設けられた軸と、基板搬送方向の先端部においてローラ枠と結合されてかかるローラ枠の先端を昇降させるシリンダ７１とからなっており、同図に示すように搬送ローラ３３を水平姿勢にしておいて液層形成室３Ａから水平姿勢で搬送されてくる基板Ｓを受け入れた後、シリンダ３７を伸張させてローラ枠を傾け、基板Ｓを基板搬送方向に向かって先上がりに傾斜した状態、つまり仮傾斜姿勢（斜度０°〜５°）に変換した状態で搬送可能となっている。

一方、洗浄処理室４の洗浄立替室４Ａには、基板Ｓを仮傾斜姿勢で搬送する状態と、基板搬送方向に向かってさらに斜度の大きい先上がりの傾斜姿勢、つまり本傾斜姿勢（斜度３°〜９°）で搬送する状態とに、搬送ローラ４１の姿勢（各搬送ローラ４１の並びの方向）を切り替えることができる傾斜機構が設けられている。また、本洗浄室４Ｂには、基板Ｓを基板搬送方向に向かって先上がりの本傾斜姿勢で搬送する状態と、水平姿勢で搬送する状態とに、搬送ローラ４７の姿勢（各搬送ローラ４７の並びの方向）を切り換えることができる傾斜機構が設けられている。なお、洗浄立替室４Ａおよび本洗浄室４Ｂの各傾斜機構は、基本的には現像立替室３Ｂのものと同様であり、それぞれシリンダ７２，７３により作動するようになっている。

この図６に示す基板処理装置１によると、液層形成室３Ａにおいて現像液の液層が形成された状態の基板Ｓは、同図（ａ）に示すように搬送ローラ３１から搬送ローラ３３へ渡されて現像立替室３Ｂへと搬送されてパドル現像に供される。そして、傾斜機構のシリンダ７１の伸張により水平姿勢から基板搬送方向先上がりに傾斜した仮傾斜姿勢へと姿勢変換された後（図６（ｂ））、搬送ローラ３３により搬送されて、傾斜姿勢のままで洗浄立替室４Ａの搬送ローラ４１へ渡されて洗浄処理室４へと搬入される。

基板Ｓが完全に洗浄立替室４Ａに搬入されると、搬送ローラ４１が停止し、傾斜機構のシリンダ７２の伸張により仮傾斜姿勢から本傾斜姿勢へと基板Ｓの姿勢が変換され（図６（ｃ））、さらに、搬送ローラ４１により搬送されて、本傾斜姿勢のままで搬送ローラ４７へ渡されて本洗浄室４Ｂへと搬入される。そして、本洗浄室４Ｂにおいて本傾斜姿勢の状態で洗浄処理が行われた後、傾斜機構のシリンダ７３の収縮により本傾斜姿勢から水平姿勢へと基板Ｓの姿勢が変換され（図６（ｄ））、搬送ローラ４７から搬送ローラ５１に受け渡されることにより乾燥室５へと搬送されることとなる。

次に、図７の構成について説明する。

同図（ａ）に示すように、現像処理室３の構成は図６のものと共通している。

洗浄処理室４の洗浄立替室４Ａには、基板Ｓを搬送方向先上がりの仮傾斜姿勢で搬送する状態と、基板搬送方向に向かって先下がりの本傾斜姿勢（斜度３°〜９°）で搬送する状態とに、搬送ローラ４１の姿勢（各搬送ローラ４１の並びの方向）を切り替えることができる傾斜機構が設けられている。また、本洗浄室４Ｂには、基板Ｓを基板搬送方向に向かって先下がりの本傾斜姿勢で搬送する状態と、水平姿勢で搬送する状態とに、搬送ローラ４７の姿勢（各搬送ローラ４７の並びの方向）を切り換えることができる傾斜機構が設けられている。

なお、本洗浄室４Ｂおよび本洗浄室４Ｂの各傾斜機構は、基本的には図６で説明したものと同様であるが、本洗浄室４Ｂのものについては、同図に示すように、基板搬送方向の前端においてローラ枠が回転自在に軸支され、基板搬送方向の後端部においてローラ枠とシリンダ７３とが結合されている点で構成が相違している。

この図７に示す基板処理装置１によると、現像液の液層が形成された状態の基板Ｓは、同図（ａ）（ｂ）に示すように水平姿勢から基板搬送方向先上がりに傾斜した仮傾斜姿勢へと姿勢変換された後、搬送ローラ３３により搬送されて、傾斜姿勢のままで現像立替室３Ｂから洗浄立替室４Ａの搬送ローラ４１へ渡されて洗浄処理室４へと搬入される。

基板Ｓが完全に洗浄立替室４Ａに搬入されると、搬送ローラ４１が停止し、傾斜機構のシリンダ７２の収縮により先上がりの仮傾斜姿勢から先下がりの本傾斜姿勢へと基板Ｓの姿勢が変換され（図７（ｃ））、さらに搬送ローラ４１により搬送されて、本傾斜姿勢のままで搬送ローラ４７へ渡されて本洗浄室４Ｂへと搬入される。そして、本洗浄室４Ｂにおいて本傾斜姿勢の状態で洗浄処理が行われた後、傾斜機構のシリンダ７３の収縮により本傾斜姿勢から水平姿勢へと基板Ｓの姿勢が変換され（図７（ｄ））、搬送ローラ４７から搬送ローラ５１に受け渡されることにより乾燥室５へと基板Ｓが搬送されることとなる。

このような図６，図７に示す基板処理装置１の構成によっても、上記実施形態の基板処理装置１と同様の作用効果を奏することができる。

なお、上述した実施形態では、仮傾斜姿勢における基板Ｓの斜度を０°〜５°、本傾斜姿勢における基板Ｓの斜度を３°〜９°の範囲内で設定しているが、勿論、この斜度は一例であって、基板Ｓの種類、サイズ、および処理液の種類に応じて適宜設定すればよい。但し、実施形態のように矩形のＬＣＤ用ガラス基板Ｓに現像処理および洗浄処理を順次施す場合には、仮傾斜姿勢の斜度は０°〜５°、本傾斜姿勢の斜度は３°〜９°の範囲内でそれぞれ設定することで概ね良好な結果を得ることが期待できる。また、変形例（３）の如く、現像立替室３Ｂの姿勢変換途中に基板Ｓを一旦静止させる際の斜度は、仮傾斜姿勢の斜度が０°〜５°の場合には、１°〜３°（仮傾斜姿勢の略半分）に設定することで概ね良好な結果を得ることが期待できる。

本発明に係る基板処理装置（本発明の基板処理方法が使用される基板処理装置）の全体構成を示す模式的側面図である。 現像処理室の構成を示す斜視図である。 現像処理室の構成を示す斜視図である。 処理の進行状態と基板の姿勢との関係を示す斜視略図である。 本発明に係る他の基板処理装置（本発明の基板処理方法が使用される基板処理装置）の全体構成を示す模式的側面図である。 本発明に係る他の基板処理装置（本発明の基板処理方法が使用される基板処理装置）の全体構成を示す模式的側面図である。 本発明に係る他の基板処理装置（本発明の基板処理方法が使用される基板処理装置）の全体構成を示す模式的側面図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
２ ローダ室
３ 現像処理室
３Ａ 液層形成室
３Ｂ 現像立替室
４ 洗浄処理室
４Ａ 洗浄立替室
４Ｂ 本洗浄室
５ 乾燥室
６ アンローダ室

Claims (8)

1. 基板を搬送しながら、第１処理部において水平姿勢の基板に対して処理液を供給する第１処理と、第２処理部において傾斜姿勢の基板に対して処理液を供給する第２処理とを順次行う基板処理方法において、
   前記第１処理後、基板を水平姿勢から所定の傾斜姿勢であって、かつ前記第２処理に適した姿勢として予め定められた本傾斜姿勢よりも斜度の小さい仮傾斜姿勢に変換する第１姿勢変換工程と、
   この仮傾斜姿勢の基板を第１処理部から第２処理部に搬送する搬送工程と、
   第２処理部において基板の姿勢を前記仮傾斜姿勢から前記本傾斜姿勢に変換する第２姿勢変換工程と、
   第２姿勢変換工程の後、本傾斜姿勢の基板に対して前記第２処理を行う基板処理工程と、を有する
   ことを特徴とする基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記第２姿勢変換工程前に、仮傾斜姿勢で搬送される基板に対して前記第２処理を前記基板処理工程に先行して行う第１先行処理工程を有する
   ことを特徴とする基板処理方法。
3. 請求項１又は２に記載の基板処理方法において、
   前記基板処理工程に先立ち、前記第２姿勢変換工程において姿勢変換中の基板に対して前記第２処理を行う第２先行処理工程を有する
   ことを特徴とする基板処理方法。
4. 請求項１乃至３の何れかに記載の基板処理方法において、
   前記第１姿勢変換工程における基板の姿勢変換の際に、基板の姿勢を前記仮傾斜姿勢よりも斜度の小さい傾斜姿勢で一旦保持し、その後、前記仮傾斜姿勢に変換する
   ことを特徴とする基板処理方法。
5. 基板の搬送方向に、水平姿勢の基板に処理液を供給して第１処理を実施する第１処理部と、傾斜姿勢の基板に処理液を供給して第２処理を実施する第２処理部とが並び、基板に対して前記第１処理および第２処理を順次行う基板処理装置において、
   前記第１処理部に配備され、第１処理後、基板を水平姿勢から所定の傾斜姿勢であって、かつ前記第２処理に適した姿勢として予め定められた本傾斜姿勢よりも斜度の小さい仮傾斜姿勢に変換する第１姿勢変換手段と、
   基板を前記仮傾斜姿勢のままで第１処理部から第２処理部に搬送する傾斜搬送手段と、
   前記第２処理部にそれぞれ配備され、基板の姿勢を前記仮傾斜姿勢から前記本傾斜姿勢に変換する第２姿勢変換手段、およびこの第２姿勢変換手段により本傾斜姿勢に変換された基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、を備えている
   ことを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置において、
   前記第２処理部に、前記処理液供給手段による処理液の供給に先立ち、仮傾斜姿勢で搬送されてくる基板に対して前記第２処理用の処理液を供給する第１先行処理液供給手段が配備されている
   ことを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項５又は６に記載の基板処理装置において、
   前記第２処理部に、前記処理液供給手段による処理液の供給に先立ち、前記第２姿勢変換手段による姿勢変換中の基板に対して前記第２処理用の処理液を供給する第２先行処理液供給手段が配備されている
   ことを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項５乃至７の何れかに記載の基板処理装置において、
   前記第１姿勢変換手段は、基板の姿勢を前記仮傾斜姿勢よりも斜度の小さい傾斜姿勢に一旦保持し、その後、前記仮傾斜姿勢に変換する
   ことを特徴とする基板処理装置。

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