JP2008016708A - Treatment coater - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、処理液として洗浄液又は現像液を用い、ノズルから吐出させた洗浄液又は現像液による処理液を、水平面内で回転する基板上に接液跡や液進路跡のスジや現像ムラが生じることなく塗布できる処理液塗布装置に関するものである。 In the present invention, a cleaning solution or a developing solution is used as a processing solution, and the processing solution by the cleaning solution or the developing solution discharged from the nozzle causes liquid contact traces, liquid path traces, and uneven development on a substrate rotating in a horizontal plane. The present invention relates to a treatment liquid coating apparatus that can be applied without any problem.
半導体素子,液晶表示素子,光ディスクなどを製造する工程では、処理液塗布装置を用いて洗浄液,現像液,フォトレジスト液,保護膜液などの処理液をノズルから吐出させて、水平面内で回転する基板上に塗布している。 In the process of manufacturing a semiconductor element, a liquid crystal display element, an optical disk, etc., a processing liquid coating apparatus is used to discharge a processing liquid such as a cleaning liquid, a developer, a photoresist liquid, and a protective film liquid from a nozzle and rotate in a horizontal plane. It is applied on the substrate.
ここで、一般的に用いられる処理液塗布装置では、モータにより水平面内を高速に回転可能に支持された基板の中心部且つ回転中心の上方に処理液を吐出させるノズルを固定設置し、ノズルから吐出させた処理液を高速に回転している基板の中心部に滴下して、遠心力により処理液を基板の中心部から外周部に向かって拡散させ、且つ、基板上の余剰な処理液を基板の外周端から飛散させている。 Here, in a generally used processing liquid coating apparatus, a nozzle that discharges the processing liquid is fixedly installed above the center of the substrate and above the center of rotation, which is supported by a motor so as to be rotatable at high speed in a horizontal plane. The discharged processing liquid is dropped on the central part of the substrate rotating at high speed, the processing liquid is diffused from the central part of the substrate toward the outer peripheral part by centrifugal force, and excess processing liquid on the substrate is removed. It is scattered from the outer peripheral edge of the substrate.
しかしながら、基板の中心部の上方に固定設置したノズルから処理液を基板の中心部に滴下しつづけることで、処理液が大量に必要になるので処理液のムダが発生すると共に、基板の中心部近傍は他の部位よりも過度の処理がなされてしまう。例えば、洗浄液であれば、中心部近傍の表面と他の表面に濡れ性の差が生じて、シミを残してしまう。また、現像液であれば、中心部近傍の線幅が他の部分と異なってしまう。このように、基板の中心部近傍に処理液によるシミや現像ムラなどが発生してしまい不具合を残すことが知られている。 However, since a large amount of processing liquid is required by continuing to drop the processing liquid onto the central portion of the substrate from a nozzle fixedly installed above the central portion of the substrate, waste of the processing liquid is generated and the central portion of the substrate The neighborhood is processed more excessively than other parts. For example, in the case of the cleaning liquid, a difference in wettability occurs between the surface in the vicinity of the central portion and the other surface, leaving a stain. In the case of a developer, the line width in the vicinity of the central portion is different from other portions. As described above, it is known that a stain or uneven development due to the processing liquid occurs in the vicinity of the center of the substrate, leaving a defect.
上記した問題点を解決するために、処理液を吐出させるノズルを基板の中心部の上方に固定設置せずに、このノズルを基板の外周部から中心部に向かって移動させながら処理液を基板の外周部から中心部に向かって塗布する処理液塗布方法がある(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。
図5(a),(b)は従来の処理液塗布方法に適用される処理液塗布装置を示した上面図,正面図である。 FIGS. 5A and 5B are a top view and a front view showing a processing liquid coating apparatus applied to a conventional processing liquid coating method.
図5(a),(b)に示した従来の処理液塗布方法に適用される処理液塗布装置10Cは、上記した特許文献1及び特許文献2に開示されているものであり、ここでは特許文献1及び特許文献2を参照して説明する。
A processing liquid coating apparatus 10C applied to the conventional processing liquid coating method shown in FIGS. 5A and 5B is disclosed in the above-mentioned Patent Document 1 and
図5(a),(b)に示した如く、従来の処理液塗布方法に適用される処理液塗布装置10Cでは、モータ駆動回路部11によって矢印A方向に回転自在なモータ12の軸12aにスピンチャック13が取り付けられており、このスピンチャック13上にウェハやガラス原盤などを用いた基板Kの下面Kaが真空吸着されている。そして、スピンチャック13上に真空吸着された基板Kは、モータ11の駆動によって水平面内を回転自在になっている。
As shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b), in the processing liquid coating apparatus 10C applied to the conventional processing liquid coating method, the motor
また、基板Kの外側に走行レール14が設けられており、この走行レール14に沿って移動機構を内蔵した走行部材15が基板Kの外周部から中心部に向かって直線移動自在に設けられている。
A traveling
また、走行部材15にアーム16の一端が連結されていると共に、アーム16の他端にノズル17が基板Kの上面Kbの上方に位置するように取り付けられている。
One end of the
更に、ノズル17から処理液18{図5(b)のみ図示}が基板Kの上面Kbに向かって吐出されるようになっている。この際、上記した特許文献1及び特許文献2では、処理液18としていずれもフォトレジスト液が用いられている。
Further, the treatment liquid 18 (shown only in FIG. 5B) is ejected from the
上記構成により、走行レール14に沿って案内される走行部材15にアーム16を介して取り付けられたノズル17が、基板Kの外周部から中心部に向かって矢印B方向に直線的に移動されるので、ノズル17から吐出させた処理液18としてのフォトレジスト液が基板Kの上面Kb上で外周部から中心部に向かって塗布されるために、多量のフォトレジスト液を必要とすることなく、且つ、フォトレジスト液の塗布ムラを防止しながらフォトレジスト液を基板Kの上面Kbの全域に塗布できる旨が開示されている。
With the above configuration, the
ところで、上記した従来の処理液塗布方法に適用される処理液塗布装置10Cを用いて、ノズル17から吐出させた処理液18としてのフォトレジスト液を基板Kの外周部から中心部に向かって塗布した時に、フォトレジスト液の塗布ムラを防止できるものの、フォトレジスト液は塗布表面の化学的及び物理的な改質を生じさせる機能を有さないために、ノズル17から吐出させた処理液18としてのフォトレジスト液により基板K上に生じる接液跡は問題にする必要はなく、また、基板K上に生じる液進路跡のスジも問題にする必要はない。
By the way, using the processing liquid coating apparatus 10C applied to the above-described conventional processing liquid coating method, a photoresist liquid as the
尚、上記した「接液跡」は、ノズルから吐出した処理液が基板上に接触した時に生じる跡であり、また、上記した「液進路跡のスジ」は、処理液の進路に沿って生じる跡である。 The above-mentioned “liquid contact trace” is a trace generated when the processing liquid discharged from the nozzle comes into contact with the substrate, and the above “liquid path trace” is generated along the path of the processing liquid. It is a trace.
上記に対して、基板K上に薄い膜厚で塗布する洗浄液又は現像液を用いた場合には、基板K上に洗浄液又は現像液による接液跡や液進路跡のスジが発生してしまうと、この後に基板Kを処理する工程に支障をきたして良好な製品を完成できないために問題になってしまう。 On the other hand, when a cleaning solution or a developing solution applied on the substrate K with a thin film thickness is used, a trace of contact with the cleaning solution or a developing solution or a trace of a liquid path is generated on the substrate K. Thereafter, the process of processing the substrate K is hindered, and a good product cannot be completed, which causes a problem.
そこで、洗浄液又は現像液は塗布表面を改質させる高い機能を有するため、これらを用いた場合に、処理液としての洗浄液又は現像液によって基板上に生じる接液跡や液進路跡のスジや現像ムラを低減できる処理液塗布装置が望まれている。 Therefore, since the cleaning liquid or developer has a high function of modifying the coating surface, when these are used, the traces of liquid contact or liquid path traces and development generated on the substrate by the cleaning liquid or developer as the processing liquid are developed. A processing liquid coating apparatus that can reduce unevenness is desired.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、請求項1記載の発明は、ノズルから吐出させた処理液を、水平面内で回転する基板上に塗布する処理液塗布装置において、
前記処理液として洗浄液又は現像液を前記ノズルから吐出させながら前記ノズルを前記基板の外周部から中心部に向かって移動させるノズル移動手段と、
前記ノズルの移動速度が前記基板の外周部から中心部に向かって直線的に増加するように前記ノズル移動手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする処理液塗布装置である。
The present invention has been made in view of the above problems, and the invention according to claim 1 is a processing liquid coating apparatus for coating a processing liquid discharged from a nozzle on a substrate rotating in a horizontal plane.
Nozzle moving means for moving the nozzle from the outer peripheral portion toward the central portion of the substrate while discharging a cleaning liquid or a developer from the nozzle as the processing liquid;
Control means for controlling the nozzle moving means so that the moving speed of the nozzle increases linearly from the outer peripheral part of the substrate toward the central part;
Is a treatment liquid coating apparatus.
請求項1記載の処理液塗布装置によると、とくに、処理液として薄い膜厚で塗布する洗浄液又は現像液をノズルから吐出させながらこのノズルを基板の外周部から中心部に向かって移動させる際に、ノズルの移動速度を基板の外周部から中心部に向かって直線的に増加するように制御しているので、処理液としての洗浄液又は現像液によって基板上に生じる接液跡や液進路跡のスジや現像ムラが全く発生しなくなるので、処理液として洗浄液又は現像液を基板上に良好に塗布でき、信頼性の良い処理液塗布装置を提供できる。勿論、本発明に係る処理液塗布装置で処理液として厚みを厚く塗布するフォトレジスト液又は保護膜液を用いた場合でも、基板上にフォトレジスト液又は保護膜液の塗布ムラが発生しないものである。 According to the processing liquid coating apparatus of claim 1, in particular, when the nozzle is moved from the outer peripheral portion of the substrate toward the central portion while discharging the cleaning liquid or the developing solution to be applied with a thin film thickness as the processing liquid from the nozzle. Since the movement speed of the nozzle is controlled so as to increase linearly from the outer peripheral portion of the substrate toward the central portion, the traces of liquid contact and liquid traces generated on the substrate by the cleaning liquid or developer as the processing liquid are controlled. Since streaks and development unevenness do not occur at all, a cleaning solution or a developing solution can be satisfactorily applied as a processing solution on a substrate, and a highly reliable processing solution coating apparatus can be provided. Of course, even when a photoresist liquid or a protective film liquid to be applied thickly is used as the processing liquid in the processing liquid coating apparatus according to the present invention, uneven application of the photoresist liquid or the protective film liquid does not occur on the substrate. is there.
以下に本発明に係る処理液塗布装置の一実施例について図1〜図4を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of a treatment liquid coating apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
図1(a),(b)は本発明に係る処理液塗布装置を示した上面図,正面図、
図2(a),(b)は本発明に係る処理液塗布装置において、ノズルの移動位置に対するノズルの移動速度を制御部で制御する状態をそれぞれ模式的に示した関係図である。
1 (a) and 1 (b) are a top view and a front view showing a processing liquid coating apparatus according to the present invention,
2A and 2B are relationship diagrams schematically showing states in which the control unit controls the nozzle moving speed with respect to the nozzle moving position in the processing liquid coating apparatus according to the present invention.
図1(a),(b)に示した本発明に係る処理液塗布装置10Aは、先に図5を用いて説明した従来の処理液塗布方法に適用される処理液塗布装置10Cの構成と一部を除いて同様の構成であり、ここでは説明の便宜上、先に示した構成部材に対しては同一の符号を付し、且つ、従来と異なる構成部材に新たな符号を付して説明する。
The processing
図1(a),(b)に示した如く、本発明に係る処理液塗布装置10Aでも、モータ駆動回路部11によって矢印A方向に回転自在なモータ12の軸12aにスピンチャック13が取り付けられており、このスピンチャック13上にウェハやガラス原盤などを用いた基板Kの下面Kaが真空吸着されている。そして、スピンチャック13上に真空吸着された基板Kは、後述するように例えば5rpm〜20rpmの範囲内の低回転数で回転するモータ11の駆動によって水平面内を回転自在になっている。
As shown in FIGS. 1A and 1B, also in the treatment
この際、モータ駆動回路部11,モータ12,スピンチャック13が、基板Kを水平面内で回転させる基板回転手段となっている。
At this time, the motor
また、基板Kの外側に走行レール14が設けられており、この走行レール14に沿って移動機構を内蔵した走行部材15が基板Kの外周部から中心部に向かって直線移動自在に設けられている。
A traveling
また、走行部材15にアーム16の一端が連結されていると共に、アーム16の他端にノズル17が基板Kの上面Kbの上方に位置するように取り付けられている。
One end of the
この際、走行レール14,走行部材15,アーム16が、ノズル17を基板Kの外周部から中心部に向かって移動させるノズル移動手段となっている。
At this time, the traveling
更に、ノズル17から処理液18{図1(b)のみ図示}が基板Kの上面Kbに向かって吐出されるようになっている。この実施例では、処理液18として膜厚を薄く塗布する洗浄液又は現像液が用いられている。
Further, the treatment liquid 18 {shown only in FIG. 1B} is discharged from the
上記構成により、従来例と同様に、走行レール14に沿って案内される走行部材15にアーム16を介して取り付けられたノズル17が、基板Kの外周部から中心部に向かって矢印B方向に直線的に移動されるので、ノズル17から吐出させた処理液18としての洗浄液又は現像液が基板Kの上面Kb上で外周部から中心部に向かって塗布される。
With the above configuration, the
ここで、従来例に対して異なる点を説明すると、本発明者は、ノズル17から処理液18としての洗浄液又は現像液を吐出させながらこの処理液18を基板Kの上面Kb上で外周部から中心部に向かって塗布する際に、基板Kの上面Kb上に処理液18としての洗浄液又は現像液による接液跡や液進路跡のスジや現像ムラが生じないように種々の実験を行ったところ、ノズル17の移動速度を外周部から中心部に向かって略直線的に増加させるように制御する方法を見出した。
Here, the difference from the conventional example will be described. The inventor discharges the
そこで、走行部材15の移動速度を制御する制御部19を追加することにより、走行部材15及びアーム16と一体となって基板Kの外周部から中心部に向かって移動するノズル17の移動速度も制御部19により制御されることになる。
Therefore, by adding a
この際、図2(a),(b)に示した如く、基板Kの半径をRとし且つこのRの寸法を処理液吐出終了位置(基板の中心部)とすると共に、処理液吐出開始位置(基板の外周部)をR0(R0=0)、処理液吐出途中位置をRn、処理液吐出開始位置(基板の外周部)R0から処理液吐出途中位置Rnまでの距離をXn、処理液吐出開始位置(基板の外周部)R0でのノズルの移動速度をV0(V0=0)、処理液吐出途中位置Rnでのノズルの移動速度をVn、処理液吐出終了位置(基板の中心部)Rでのノズルの移動速度をV、とした時に、下記の(式1)が略成立するように制御部19で走行部材15の移動速度を制御している。
At this time, as shown in FIGS. 2A and 2B, the radius of the substrate K is set to R, and the dimension of R is set as the processing liquid discharge end position (the central portion of the substrate) and the processing liquid discharge start position. R 0 (R 0 = 0) (outer peripheral portion of the substrate), R n in the middle of processing liquid discharge, and the distance from the processing liquid discharge start position (outer peripheral portion of substrate) R 0 to the processing liquid discharging middle position R n X n , the moving speed of the nozzle at the processing liquid discharge start position (outer peripheral portion of the substrate) R 0 is V 0 (V 0 = 0), the moving speed of the nozzle at the processing liquid discharge halfway position R n is V n , the processing When the moving speed of the nozzle at the liquid discharge end position (center portion of the substrate) R is V, the
[数1]
Vn≒V×(Xn/R) ………(式1)
[Equation 1]
V n ≈V × (X n / R) (Equation 1)
この際、上記した処理液吐出終了位置(基板の中心部)Rは、(式1)を求める時の計算上での位置であり、実際に処理液18を塗布する場合にはこの処理液吐出終了位置(基板の中心部)Rよりも僅かに外側の位置でノズル17を停止させて処理液18の塗布を終了させている。
At this time, the processing liquid discharge end position (the center portion of the substrate) R described above is a position in calculation when obtaining (Equation 1), and when the
更に、ノズル17から処理液18を吐出する開始位置としては、基板K上でこの後に作製される素子として使用する場所、すなわち素子の有効エリア内を含まない基板Kの外周部から行えば良いものである。
Further, the starting position for discharging the
そして、ノズル17の移動速度を(式1)に基づいて基板Kの外周部から中心部に向かって略直線的に増加させるように制御した時に、下記する実施例1,2において基板Kの上面Kb上に処理液18としての浄液又は現像液による接液跡や液進路跡のスジや現像ムラが生じることなく、処理液18として浄液又は現像液を良好に塗布できることが判明した。
Then, when the movement speed of the
勿論、上記した本発明に係る処理液塗布装置10Aで処理液18として厚みを厚く塗布するフォトレジスト液又は保護膜液を用いた場合でも、基板K上にフォトレジスト液又は保護膜液の塗布ムラが発生しないことを確認できた。
Of course, even when a photoresist liquid or a protective film liquid to be applied thickly is used as the
図1(a),(b)に示した本発明に係る処理液塗布装置10Aを用いて、半径Rが例えば200mmである基板Kの上方で外周部から中心部に向かって移動するノズル17から処理液18として純水(洗浄液)を0.3l/minで吐出させた。ここでは基板Kはガラス原盤を用いた。また、ノズル17と基板Kとの間の距離を15mmとした。
Using the processing
この際、図2(a),(b)に示したように、処理液吐出開始位置(基板の外周部)R0でのノズル17の移動速度V0を0mm/sec、処理液吐出終了位置(基板の中心部)Rでのノズル17の移動速度Vを例えば10mm/secに設定し、処理液吐出途中位置Rnでのノズル17の移動速度Vnを先に示した(式1)に基づいて外周部から中心部に向かって略直線的に増加させるように制御部19により制御した。
At this time, as shown in FIGS. 2A and 2B, the moving speed V 0 of the
更に、基板Kの回転数を、5rpm,10rpm,20rpm,50rpm,100rpmと選択的に切り換えて、処理液18としての純水(洗浄液)によって基板K上に生じる接液跡や液進路跡のスジがどの程度低減するかを目視により調べた結果、下記の表1に示した結果が得られた。この際、ノズル17を外周部から中心部に向かって移動しているので、従来例で説明したと同様に処理液18の塗布ムラは全く発生していない。
上記表1に示した結果から明らかなように、ノズル17を外周部から中心部に向かって略直線的に増加させた時に、基板Kの回転数にかかわりなく基板K上での接液跡が全く生じないことが判明した。一方、基板K上での液進路跡のスジは基板Kの回転数が低回転数である5rpm〜20rpmの範囲内であれば全く発生しないことを確認できた。これにより性能の良い処理液塗布装置10Aを提供できる。
As is clear from the results shown in Table 1 above, when the
図1(a),(b)に示した本発明に係る処理液塗布装置10Aを用いて、半径Rが例えば200mmである基板Kの上方で外周部から中心部に向かって移動するノズル17から処理液18として純水(洗浄液)を吐出させる際に、吐出量を0.2l/min, 0.3l/min, 0.5l/min, 1.0l/min, 1.5l/min, 2.
l/minと選択的に切り換えて吐出させると共に、基板Kの回転数を上記した許容範囲(5rpm〜20rpm)内のうちで上限値である20rpmに設定した。勿論、この実施例2でも実施例1と同様の速度設定に基づいてノズル17を外周部から中心部に向かって略直線的に増加させるように制御して、処理液18としての純水(洗浄液)による基板K上での接液跡が発生する状況を目視により調べた結果、下記の表2に示した結果が得られた。
In addition to selectively switching between 1 / min and discharging, the number of rotations of the substrate K was set to the upper limit value of 20 rpm within the allowable range (5 rpm to 20 rpm). Of course, in the second embodiment, the
上記表2に示した結果から明らかなように、ノズル17から吐出させた純水の吐出量が0.2l/min〜0.5l/minの範囲内であれば、ノズル17を外周部から中心部に向かって略直線的に増加させることで、処理液18としての純水(洗浄液)による基板K上での接液跡が全く発生しないことを確認できた。これにより性能の良い処理液塗布装置10Aを提供できる。
As is clear from the results shown in Table 2 above, if the discharge amount of pure water discharged from the
次に、本発明に係る処理液塗布装置10Aを一部変形させた変形例について図3を用いて簡略に説明する。
Next, a modified example in which the treatment
図3(a),(b)は本発明に係る処理液塗布装置を一部変形させた変形例を示した上面図,正面図である。 FIGS. 3A and 3B are a top view and a front view showing a modified example in which the treatment liquid coating apparatus according to the present invention is partially modified.
図3(a),(b)に示した如く、変形例の処理液塗布装置10Bは、先に図1を用いて説明した処理液塗布装置10Aに対して、処理液18として洗浄液又は現像液を吐出させるノズル17を、基板Kの外周部から中心部に向かって移動させるノズル移動手段が異なっているだけである。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the processing liquid coating apparatus 10B according to the modified example is different from the processing
即ち、この変形例では、基板Kの外側に回動機構を内蔵した回動部材20が矢印B’方向に回動自在に設けられており、この回動部材20にアーム16の一端が連結されていると共に、アーム16の他端にノズル17が基板Kの上面Kbの上方に位置するように取り付けられている。
In other words, in this modification, a turning
従って、回動部材20を矢印B’方向に回動させると、この回動部材20に連結したアーム16を介してノズル17が基板Kの外周部から中心部に向かって移動できるようになっている。この際、ノズル17の移動軌跡は、アーム16の長さを調整することで略直線的に移動させることができる。
Accordingly, when the rotating
この変形例では、アーム16,回動部材20が、ノズル17を基板Kの外周部から中心部に向かって移動させるノズル移動手段となっている。
In this modification, the
更に、制御部19により、処理液18を吐出させるノズル17の移動速度を、先に示した(式1)に基づいて基板Kの外周部から中心部に向かって略直線的に増加させるように制御部19でノズル移動手段16,20を制御しているので、この変形例においても基板Kの上面Kb上に処理液18としての洗浄液又は現像液による接液跡や液進路跡のスジや現像ムラが生じることなく、処理液18として洗浄液又は現像液を良好に塗布でき、これにより性能の良い処理液塗布装置10Bを提供できる。
Further, the
尚、上記した処理液塗布装置10A,10Bでは、基板Kを回転させる時に、基板Kの裏面Kaをスピンチャック13により真空吸着させたが、これに限ることなく、図4に示したように、基板Kの外周端面Kcを支持して回転させても良い。
In the processing
具体的には、図4に示した如く、モータ12の軸12aに固着させたターンテーブ12は、この上面側に円径状凹部21aが凹状に形成されており、且つ、円径状凹部21aの外周に基板外周端面支持部21bが基板Kの外周端面Kcと略同径で段付きリング状に形成されている。そして、ターンテーブ12の基板外周端面支持部21bに基板Kの外周端面Kcを支持した状態でモータ12の駆動により基板Kを矢印A方向に回転させている。
Specifically, as shown in FIG. 4, the
この場合でも、ノズル17の移動速度を基板Kの外周部から中心部に向かって略直線的に増加するように制御しながらノズル17から吐出させた処理液18を基板K上に塗布している。
Even in this case, the
10A…本発明に係る処理液塗布装置、
10B…変形例の処理液塗布装置、
11…モータ駆動回路部、12…モータ、12a…軸、13…スピンチャック、
14…走行レール、15…走行部材、16…アーム、17…ノズル、
18…処理液、19…制御部、20…回動部材、
21…ターンテーブル、21a…円径状凹部21、21b…基板外周端面支持部、
K…基板、Ka…下面、Kb…上面、Kc…外周端面、
R…基板の半径、且つ、処理液吐出終了位置(基板の中心部)、
R0…処理液吐出開始位置(基板の外周部)、
Rn…処理液吐出途中位置、
Xn…処理液吐出開始位置(基板の外周部)R0から処理液吐出途中位置Rnまでの距離、
V0…処理液吐出開始位置R0でのノズルの移動速度、
Vn…処理液吐出途中位置Rnでのノズルの移動速度、
V…処理液吐出終了位置(基板の中心部)Rでのノズルの移動速度。
10A ... Treatment liquid coating apparatus according to the present invention,
10B ... Treatment liquid coating apparatus of a modification,
DESCRIPTION OF
14 ... running rail, 15 ... running member, 16 ... arm, 17 ... nozzle,
18 ... treatment liquid, 19 ... control unit, 20 ... rotating member,
21 ... Turntable, 21a ... Circular
K ... substrate, Ka ... lower surface, Kb ... upper surface, Kc ... outer peripheral end surface,
R: Radius of substrate and processing liquid discharge end position (center of substrate),
R 0 ... processing liquid discharge start position (outer peripheral portion of substrate),
R n ... processing liquid discharge halfway position,
X n ... distance from the processing liquid discharge start position (outer peripheral portion of the substrate) R 0 to the processing liquid discharge intermediate position R n ,
V 0 ... the moving speed of the nozzle at the processing liquid discharge start position R 0 ,
V n ... the moving speed of the nozzle at the processing liquid discharge midway position R n ,
V: The moving speed of the nozzle at the processing liquid discharge end position (center portion of the substrate) R.
Claims (1)
前記処理液として洗浄液又は現像液を前記ノズルから吐出させながら前記ノズルを前記基板の外周部から中心部に向かって移動させるノズル移動手段と、
前記ノズルの移動速度が前記基板の外周部から中心部に向かって直線的に増加するように前記ノズル移動手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする処理液塗布装置。
In a processing liquid coating apparatus for coating a processing liquid discharged from a nozzle on a substrate rotating in a horizontal plane,
Nozzle moving means for moving the nozzle from the outer peripheral portion toward the central portion of the substrate while discharging a cleaning liquid or a developer from the nozzle as the processing liquid;
Control means for controlling the nozzle moving means so that the moving speed of the nozzle increases linearly from the outer peripheral part of the substrate toward the central part;
A treatment liquid coating apparatus comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006187867A JP2008016708A (en) | 2006-07-07 | 2006-07-07 | Treatment coater |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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