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JP2008004834A - Wiring forming apparatus, wiring forming method, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Wiring forming apparatus, wiring forming method, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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JP2008004834A
JP2008004834A JP2006174257A JP2006174257A JP2008004834A JP 2008004834 A JP2008004834 A JP 2008004834A JP 2006174257 A JP2006174257 A JP 2006174257A JP 2006174257 A JP2006174257 A JP 2006174257A JP 2008004834 A JP2008004834 A JP 2008004834A
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JP
Japan
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laser beam
wiring
processed
fine structure
wiring forming
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JP2006174257A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Amako
淳 尼子
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】液滴吐出技術により高スループットで配線を形成することができる配線形成装置および配線形成方法、並びに当該配線を備えた電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る配線形成装置は、被処理体10にレーザビームL1を照射して、溝が複数配列した微細構造を被処理体10に形成するレーザビーム照射手段2と、被処理体10の微細構造上に導電性材料を含む液滴を吐出する液滴吐出手段3と、を有する。
【選択図】図1
Provided are a wiring forming apparatus and a wiring forming method capable of forming wiring with high throughput by a droplet discharge technique, and an electro-optical device and an electronic apparatus provided with the wiring.
A wiring forming apparatus according to the present embodiment includes a laser beam irradiation unit 2 that irradiates an object to be processed 10 with a laser beam L1 and forms a microstructure having a plurality of grooves arranged on the object 10 to be processed. Droplet discharge means 3 for discharging droplets containing a conductive material on the microstructure of the processing body 10.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、例えばインクジェット技術により配線を形成する配線形成装置および配線形成方法、並びに当該配線を備えた電気光学装置および電子機器に関する。   The present invention relates to a wiring forming apparatus and a wiring forming method for forming wiring by, for example, an ink jet technique, and an electro-optical device and an electronic apparatus including the wiring.

配線を形成する方法として、インクジェット技術を用いる方法が知られている。インクジェット技術を用いて配線を形成する場合には、液滴同士が重なると、局所的な液滴の凝集が生じ、配線の幅や厚みが不均一になり、断線が生じる可能性もある。   As a method for forming the wiring, a method using an ink jet technique is known. When wiring is formed using an ink jet technique, when droplets overlap each other, local droplet aggregation occurs, and the width and thickness of the wiring become non-uniform, which may cause disconnection.

液滴の凝集に起因する不具合の発生を避けるため、基板上に間隔を空けて液滴を吐出し、液滴を乾燥させた後に、1回目に塗布された液滴の間隙に液滴を吐出し、当該液滴を乾燥させることにより、配線を形成している(特許文献1参照)。
特開2005−95849号公報 安丸尚樹他、「フェムト秒レーザーによる硬質薄膜表面のナノ構造形成と制御」、レーザ研究、第33巻、第8号、p.519-524 沢田博司、「フェムト秒レーザーにより形成した周期構造の応用」、レーザ研究、第33巻、第8号、p.525-529 飛鳥慶太他、第53回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集、2006, p.1209, 25p-L-14
In order to avoid the occurrence of problems due to droplet aggregation, droplets are ejected at intervals on the substrate, and after the droplets are dried, the droplets are ejected into the gap between the droplets applied for the first time. And the wiring is formed by drying the said droplet (refer patent document 1).
JP 2005-95849 A Naoki Yasumaru et al., "Nanostructure formation and control of hard thin film surface by femtosecond laser", Laser Research, Vol.33, No.8, p.519-524 Hiroshi Sawada, “Application of periodic structure formed by femtosecond laser”, Laser Research, Vol.33, No.8, p.525-529 Keita Asuka et al., 53rd Joint Conference on Applied Physics, 2006, p.1209, 25p-L-14

上記の配線形成プロセスでは、1つの配線パターンを形成するために、2度の液滴吐出工程および2度の乾燥工程を必要があるため、配線形成プロセスに多くの時間を要し、インクジェット技術の実用性を妨げる要因の一つとなっている。配線パターンを単に連続的に形成した場合には、上述した凝集に起因する問題が生じる。このように、一度の液滴吐出工程で均一なパターンを形成する要請が高い。   In the above wiring formation process, in order to form one wiring pattern, two droplet discharge steps and two drying steps are required. Therefore, a lot of time is required for the wiring formation process. This is one of the factors that impede practicality. When the wiring pattern is simply formed continuously, a problem due to the above-described aggregation occurs. As described above, there is a high demand for forming a uniform pattern in a single droplet discharge process.

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、液滴吐出技術により高スループットで配線を形成することができる配線形成装置および配線形成方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記配線形成装置を利用して形成された電気光学装置および電子機器を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a wiring forming apparatus and a wiring forming method capable of forming wiring with high throughput by a droplet discharge technique. Another object of the present invention is to provide an electro-optical device and an electronic apparatus which are formed by using the wiring forming device.

上記の目的を達成するため、本発明の配線形成装置は、被処理体にレーザビームを照射して、溝が複数配列した微細構造を前記被処理体に形成するレーザビーム照射手段と、前記被処理体の前記微細構造上に導電性材料を含む液滴を吐出する液滴吐出手段と、を有する。   In order to achieve the above object, a wiring forming apparatus according to the present invention includes a laser beam irradiation means for irradiating a target object with a laser beam to form a microstructure having a plurality of grooves arranged on the target object, and the target object. Droplet discharge means for discharging droplets containing a conductive material on the fine structure of the processing body.

上記の本発明では、レーザビーム照射手段により被処理体にレーザビームが照射されると、レーザビームの照射領域に溝が複数配列した微細構造が形成される。液滴吐出手段により、この微細構造上に導電性材料を含む液滴が吐出される。被処理体の表面が平滑な場合と比べて、微細構造により液滴は被処理体表面に固定される。この結果、液滴同士を繋げて描画することが可能となり、高いスループットで配線を形成することができる。   In the present invention described above, when the laser beam is irradiated onto the object to be processed by the laser beam irradiation means, a fine structure in which a plurality of grooves are arranged in the laser beam irradiation region is formed. A droplet containing a conductive material is discharged onto the fine structure by the droplet discharge means. Compared to the case where the surface of the object to be processed is smooth, the droplets are fixed to the surface of the object to be processed by the fine structure. As a result, it is possible to draw droplets by connecting droplets, and wiring can be formed with high throughput.

前記レーザビーム照射手段は、前記レーザビームとして直線偏光のレーザビームを照射する。これにより、微細構造中の溝の方向が、直線偏光に平行または直交する方向に制御される。従って、溝が配列する方向と、配線幅方向とを一致させることにより、配線幅方向の液滴の広がりが抑制され、幅の均一な配線が得られる。   The laser beam irradiation unit irradiates a linearly polarized laser beam as the laser beam. Thereby, the direction of the groove in the fine structure is controlled to be parallel or orthogonal to the linearly polarized light. Accordingly, by causing the direction in which the grooves are arranged to coincide with the wiring width direction, the spread of droplets in the wiring width direction is suppressed, and wiring with a uniform width can be obtained.

前記レーザビーム照射手段は、前記レーザビームとしてパルスレーザビームを照射する。これにより、パルスレーザを照射することにより、微細構造を形成することができる。   The laser beam irradiation unit irradiates a pulse laser beam as the laser beam. Thereby, a fine structure can be formed by irradiating a pulse laser.

前記被処理体を相対的に移動させる移動手段をさらに有し、前記レーザビーム照射手段は、前記被処理体の移動方向と平行または直交する偏光方位をもつ直線偏光の前記レーザビームを照射する。被処理体の移動方向は、最終的に配線方向(長手方向)となる。被処理体の移動方向に対してレーザビームの偏光方位を直交または平行させることにより、配線方向に適した微細構造が形成される。   The apparatus further includes moving means for relatively moving the object to be processed, and the laser beam irradiation means irradiates the linearly polarized laser beam having a polarization azimuth parallel or perpendicular to the moving direction of the object to be processed. The moving direction of the object to be processed finally becomes the wiring direction (longitudinal direction). By making the polarization direction of the laser beam perpendicular or parallel to the moving direction of the object to be processed, a fine structure suitable for the wiring direction is formed.

前記レーザビーム照射手段は、前記レーザビームを出射する光源と、前記レーザビームの偏向方位を調節する偏向方位調節素子と、を有する。これにより、被処理体の移動方向に追従させてレーザビームの偏光方位を調節することができる。   The laser beam irradiation means includes a light source that emits the laser beam and a deflection azimuth adjusting element that adjusts the deflection azimuth of the laser beam. Thus, the polarization direction of the laser beam can be adjusted by following the moving direction of the object to be processed.

上記の目的を達成するため、本発明の配線形成装置は、被処理体にレーザビームを照射して、溝が複数配列した微細構造を前記被処理体に形成するレーザビーム照射手段と、前記被処理体の前記微細構造上に導電性材料を含む液滴を吐出する液滴吐出手段と、前記被処理体上に付着した前記液滴に前記レーザビームとは異なるレーザビームを照射して、前記液滴を乾燥させ、前記導電性材料を焼結させる焼結手段と、を有する。   In order to achieve the above object, a wiring forming apparatus according to the present invention includes a laser beam irradiation means for irradiating a target object with a laser beam to form a microstructure having a plurality of grooves arranged on the target object, and the target object. A droplet discharge means for discharging a droplet containing a conductive material on the fine structure of a processing body; and irradiating the droplet attached on the object to be processed with a laser beam different from the laser beam, Sintering means for drying the droplets and sintering the conductive material.

上記の本発明では、レーザビーム照射手段により被処理体にレーザビームが照射されると、レーザビームの照射領域に溝が複数配列した微細構造が形成される。液滴吐出手段により、この微細構造上に導電性材料を含む液滴が吐出される。被処理体の表面が平滑な場合と比べて、微細構造により液滴は被処理体表面に固定される。液滴を吐出した直後に、焼結手段よりレーザビームが照射されて、液滴の乾燥および導電性材料の焼結が行われる。
この結果、液滴同士を繋げて描画することができること、かつ、液滴を吐出した直後に液滴の乾燥および焼結を行うことができることから、高いスループットで配線を形成することができる。
In the present invention described above, when the laser beam is irradiated onto the object to be processed by the laser beam irradiation means, a fine structure in which a plurality of grooves are arranged in the laser beam irradiation region is formed. A droplet containing a conductive material is discharged onto the fine structure by the droplet discharge means. Compared to the case where the surface of the object to be processed is smooth, the droplets are fixed to the surface of the object to be processed by the fine structure. Immediately after ejecting the droplets, a laser beam is irradiated from the sintering means to dry the droplets and sinter the conductive material.
As a result, the liquid droplets can be drawn and connected, and the liquid droplets can be dried and sintered immediately after the liquid droplets are discharged, so that wiring can be formed with high throughput.

上記の目的を達成するため、本発明の配線形成方法は、被処理体にレーザビームを照射して、前記被処理体に溝が複数配列した微細構造を形成する第1工程と、前記被処理体の前記微細構造上に前記液滴を吐出して、配線パターンを描画する第2工程と、液状の配線パターンを乾燥させ、前記導電性材料を焼結させる第3工程と、を有する。   In order to achieve the above object, the wiring forming method of the present invention includes a first step of irradiating a target object with a laser beam to form a fine structure in which a plurality of grooves are arranged in the target object, and the target object. A second step of discharging the droplets onto the fine structure of the body and drawing a wiring pattern; and a third step of drying the liquid wiring pattern and sintering the conductive material.

上記の本発明では、被処理体にレーザビームが照射されると、レーザビームの照射領域に溝が複数配列した微細構造が形成される。この微細構造上に導電性材料を含む液滴が吐出される。被処理体の表面が平滑な場合と比べて、微細構造により液滴は被処理体表面に固定される。この結果、液滴同士を繋げて配線パターンを描画することが可能となる。液状の配線パターンを乾燥させ、導電性材料同士を焼結させることにより、十分な導電性を有する配線が得られる。配線パターンの下地に微細構造を形成することにより、液滴同士を繋げて配線パターンを描画することが可能となることから、高いスループットで配線を形成することができる。   In the present invention, when a laser beam is irradiated on the object to be processed, a fine structure in which a plurality of grooves are arranged in the irradiation region of the laser beam is formed. A droplet containing a conductive material is discharged onto this fine structure. Compared to the case where the surface of the object to be processed is smooth, the droplets are fixed to the surface of the object to be processed by the fine structure. As a result, it is possible to draw a wiring pattern by connecting droplets. Wiring having sufficient conductivity can be obtained by drying the liquid wiring pattern and sintering the conductive materials. By forming a fine structure on the base of the wiring pattern, it is possible to connect the droplets and draw the wiring pattern, so that the wiring can be formed with high throughput.

前記被処理体を移動させながら、前記第1工程から前記第3工程を連続的に行うことにより、前記被処理体に配線を形成する。第1工程から第3工程を配線の軌跡に沿って連続的に行うことにより、配線形成のスループットを向上させることができる。   Wiring is formed on the target object by continuously performing the first to third steps while moving the target object. By performing the first process to the third process continuously along the trace of the wiring, the throughput of wiring formation can be improved.

前記第3工程において、前記被処理体に付着した液状の前記配線パターンに前記レーザビームとは異なるレーザビームを照射して、前記配線パターンを乾燥させ、前記導電性材料を焼結させる。これにより、液滴を吐出した直後に液滴の乾燥および導電性材料の焼結を行うことができ、高いスループットを実現することができる。   In the third step, the liquid wiring pattern attached to the object to be processed is irradiated with a laser beam different from the laser beam to dry the wiring pattern and sinter the conductive material. As a result, the droplets can be dried and the conductive material can be sintered immediately after the droplets are discharged, and a high throughput can be realized.

前記第1工程において、前記配線の幅方向に溝が複数配列した前記微細構造を形成する。これにより、配線の幅方向における液滴の広がりが抑制され、均一な幅を有する配線が得られる。   In the first step, the fine structure in which a plurality of grooves are arranged in the width direction of the wiring is formed. Thereby, the spread of droplets in the width direction of the wiring is suppressed, and a wiring having a uniform width can be obtained.

本発明の電気光学装置は、請求項7に記載の配線形成方法によって形成された配線を備える。これにより、電気光学装置の配線信頼性の向上および製造コストの低減を図ることができる。ここで、電気光学装置とは、電気的作用によって発光するまたは外部からの光の状態を変化させる素子であり、自ら発光するものと外部からの光の通過を制御するものの双方を含む。例えば、電気光学装置として、液晶表示装置、電気泳動表示装置、有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置、プラズマディスプレイなどが挙げられる。   The electro-optical device of the present invention includes a wiring formed by the wiring forming method according to the seventh aspect. As a result, the wiring reliability of the electro-optical device can be improved and the manufacturing cost can be reduced. Here, the electro-optical device is an element that emits light by an electrical action or changes the state of light from the outside, and includes both a device that emits light by itself and a device that controls the passage of light from the outside. For example, examples of the electro-optical device include a liquid crystal display device, an electrophoretic display device, an organic EL (electroluminescence) display device, and a plasma display.

本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を含む。これにより、電子機器の配線信頼性の向上および製造コストの低減を図ることができる。ここで電子機器とは、上記の電気光学装置とその他の要素を備え、一定の機能を有する機器一般をいい、その構成に特に限定はない。かかる電子機器としては、例えば、ICカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクタ、テレビジョン(TV)、ロールアップ式TV、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。   The electronic apparatus of the present invention includes the above electro-optical device. Thereby, the improvement of the wiring reliability of an electronic device and the reduction of manufacturing cost can be aimed at. Here, the electronic device refers to a general device having the above-described electro-optical device and other elements and having a certain function, and the configuration thereof is not particularly limited. Examples of such electronic devices include an IC card, a mobile phone, a video camera, a personal computer, a head-mounted display, a rear or front projector, a television (TV), a roll-up TV, and a fax machine with a display function. Examples include digital camera finders, portable TVs, electronic notebooks, electronic bulletin boards, and advertising displays.

(第1実施形態)
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。図1は、第1実施形態に係る配線形成装置の概略断面図である。
(First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the wiring forming apparatus according to the first embodiment.

本実施形態に係る配線形成装置1は、被処理体10にレーザビームL1を照射するレーザビーム照射手段2と、被処理体10に導電性材料を含む液滴を吐出する液滴吐出手段3と、被処理体10を移動させるステージ4と、装置全体の動作を制御する制御部6とを有する。   The wiring forming apparatus 1 according to the present embodiment includes a laser beam irradiation unit 2 that irradiates a target object 10 with a laser beam L1, a droplet discharge unit 3 that discharges a droplet containing a conductive material to the target object 10, and The stage 4 for moving the object 10 to be processed and the control unit 6 for controlling the operation of the entire apparatus.

レーザビーム照射手段2は、被処理体10にレーザビームL1を照射することにより、被処理体10の表面に筋状の溝が複数配列した微細構造を形成する。被処理体に適当な条件でレーザビームを照射すると、その表面に微細構造が形成されることが知られており(非特許文献1参照)、この微細構造の様々な応用が検討されている(非特許文献2参照)。レーザビームは、パルスレーザであることが好ましい。また、微細構造を形成するには、パルスを一発照射するだけでは足りず、少なくとも2発以上のパルスを同じ場所へ照射する必要があることが報告されている(非特許文献3参照)。ただし、レーザのエネルギーや材料によって微細構造が形成されないとはいえず、微細構造が生成されうるレーザを用いる限り、本発明の範囲に属するといえる。本実施形態は、レーザ照射による微細構造の形成現象を配線形成に応用したものである。レーザビーム照射手段2は、レーザ光源21と、ミラー22と、偏光方位調節素子23と、レンズ24とを有する。   The laser beam irradiation means 2 irradiates the object to be processed 10 with the laser beam L1, thereby forming a fine structure in which a plurality of streak-like grooves are arranged on the surface of the object to be processed 10. It is known that when a laser beam is irradiated on a target object under appropriate conditions, a fine structure is formed on the surface (see Non-Patent Document 1), and various applications of this fine structure are being studied ( Non-patent document 2). The laser beam is preferably a pulsed laser. Further, it has been reported that in order to form a fine structure, it is not necessary to irradiate a single pulse, and it is necessary to irradiate at least two or more pulses to the same place (see Non-Patent Document 3). However, it cannot be said that the fine structure is not formed by the energy and material of the laser, and it can be said that it belongs to the scope of the present invention as long as a laser capable of generating a fine structure is used. In this embodiment, a fine structure formation phenomenon by laser irradiation is applied to wiring formation. The laser beam irradiation means 2 includes a laser light source 21, a mirror 22, a polarization direction adjusting element 23, and a lens 24.

レーザ光源21は、レーザビームL1として超短パルスレーザビームを出射する。パルスレーザビームの偏光は、直線偏光である。パルスレーザビームの照射強度は、被加工物の加工閾値よりも少し高い程度に設定される。超短パルスレーザビームは、例えば、パルス幅10fs(フェムト秒)以上10ps(ピコ秒)以下であり、波長800nm、直径(スポット径)10μm〜100μmである。   The laser light source 21 emits an ultrashort pulse laser beam as the laser beam L1. The polarization of the pulse laser beam is linearly polarized light. The irradiation intensity of the pulse laser beam is set to be slightly higher than the processing threshold of the workpiece. The ultrashort pulse laser beam has, for example, a pulse width of 10 fs (femtosecond) to 10 ps (picosecond), a wavelength of 800 nm, and a diameter (spot diameter) of 10 μm to 100 μm.

ミラー22は、レーザ光源21から出射されたレーザビームL1を被処理体10へ向けて反射する。   The mirror 22 reflects the laser beam L1 emitted from the laser light source 21 toward the object 10 to be processed.

偏光方位調節素子23は、ミラー22から反射されたレーザビームL1の偏光方位を調節する。偏光方位調節素子23は、例えば、回転可能な1/2波長板からなる。入射光の偏光方位に対して1/2波長板の光学軸が角度θであるとき、出射光は180°−2θだけ回転する。1/2波長板を角度αだけ回転させると、出射光の偏光方位を2αだけ回転させることができる。このように入射ビームの偏光方位に対する1/2波長板の光学軸の角度を調節することにより、出射ビームの偏光方位を調節できる。   The polarization direction adjusting element 23 adjusts the polarization direction of the laser beam L 1 reflected from the mirror 22. The polarization azimuth adjusting element 23 is made of a rotatable half-wave plate, for example. When the optical axis of the half-wave plate is an angle θ with respect to the polarization direction of the incident light, the emitted light rotates by 180 ° −2θ. When the half-wave plate is rotated by an angle α, the polarization direction of the emitted light can be rotated by 2α. Thus, by adjusting the angle of the optical axis of the half-wave plate with respect to the polarization direction of the incident beam, the polarization direction of the outgoing beam can be adjusted.

レンズ24は、偏光方位調節素子23を通過したレーザビームL1を被処理体10へ集光する。   The lens 24 condenses the laser beam L1 that has passed through the polarization direction adjusting element 23 onto the object 10 to be processed.

液滴吐出手段3は、導電性材料を含む溶液を用いて、当該溶液の液滴を吐出する。導電性材料としては、銀粒子、金粒子、ニッケル粒子が挙げられる。溶媒には限定はなく、例えばC1430からなる有機溶媒を用いる。液滴吐出手段3は、例えば静電駆動式、圧電駆動式または加熱噴射式の液滴吐出ヘッドである。図示はしないが、静電駆動式の場合には、液滴吐出手段3は、溶液が充填されたキャビティに接する振動板と、2つの電極を備える。2つの電極間に電圧を印加すると、振動板が変位してキャビティ内の液体が加圧されて、液滴がノズルから吐出される。なお、導電性材料を含む溶液であれば良く、溶液が導電性粒子を含む場合のほか、溶媒自体が導電性を有する場合も含む。 The droplet discharge means 3 discharges droplets of the solution using a solution containing a conductive material. Examples of the conductive material include silver particles, gold particles, and nickel particles. The solvent limitation is not, for example, an organic solvent consisting of C 14 H 30. The droplet discharge means 3 is, for example, an electrostatic drive type, piezoelectric drive type or heat ejection type droplet discharge head. Although not shown, in the case of an electrostatic drive type, the droplet discharge means 3 includes a diaphragm in contact with a cavity filled with a solution and two electrodes. When a voltage is applied between the two electrodes, the diaphragm is displaced, the liquid in the cavity is pressurized, and a droplet is ejected from the nozzle. Note that any solution containing a conductive material may be used. In addition to the case where the solution contains conductive particles, the case where the solvent itself has conductivity is also included.

ステージ4は、被処理体10を移動可能に構成されている。ステージ4は、レーザビーム照射手段2による照射領域および液滴吐出手段3による液滴の滴下領域を通過するように被処理体10を移動させる。これにより、レーザビームL1が照射された被処理体10の領域上に、液滴吐出手段3により導電性材料を含む液滴が吐出される。ステージ4は、本発明の移動手段の一実施例である。移動手段は、被処理体を移動させる以外にも、レーザビームを移動させる場合、ステージとレーザビームの双方を移動させる場合も含む。   The stage 4 is configured to be able to move the workpiece 10. The stage 4 moves the object to be processed 10 so as to pass through the irradiation region by the laser beam irradiation unit 2 and the droplet dropping region by the droplet discharge unit 3. As a result, droplets containing a conductive material are ejected by the droplet ejection means 3 onto the region of the object to be processed 10 irradiated with the laser beam L1. The stage 4 is an embodiment of the moving means of the present invention. The moving means includes moving the laser beam and moving both the stage and the laser beam in addition to moving the object to be processed.

制御部6は、レーザ光源21、偏光方位調節素子23、液滴吐出手段3、ステージ4に駆動信号を出力し、装置全体の動作を制御する。これにより、例えば、レーザ光源21から出射されるレーザビームL1のパルス繰り返し数、偏光方位調節素子23によるレーザビームL1の偏光方位D、液滴吐出手段3からの液滴吐出量、ステージ4の移動速度が制御される。   The control unit 6 outputs drive signals to the laser light source 21, the polarization direction adjusting element 23, the droplet discharge means 3, and the stage 4, and controls the operation of the entire apparatus. Thereby, for example, the number of pulse repetitions of the laser beam L1 emitted from the laser light source 21, the polarization direction D of the laser beam L1 by the polarization direction adjusting element 23, the droplet discharge amount from the droplet discharge means 3, and the movement of the stage 4 Speed is controlled.

被処理体10は、例えばプラスチックにより形成されたフレキシブル基板からなる。本実施形態では、レーザ照射により被処理体10に後述する微細構造が形成され、この微細構造上に配線が形成される。なお、被処理体10として、ガラス、金属、半導体等、様々な材料を使用することが可能である。レーザ照射条件を選ぶことにより、いずれの材料にも微細構造を形成することができるからである。   The object 10 is made of a flexible substrate made of plastic, for example. In the present embodiment, a fine structure, which will be described later, is formed on the workpiece 10 by laser irradiation, and wiring is formed on the fine structure. Note that various materials such as glass, metal, and semiconductor can be used for the object to be processed 10. This is because a fine structure can be formed on any material by selecting the laser irradiation conditions.

上記の配線形成装置1では、レーザ光源21から出射されたレーザビームL1は、ミラー22により反射され、偏光方位調節素子23により偏光方位が調節され、レンズ24により集光されて、被処理体10へ照射される。   In the wiring forming apparatus 1 described above, the laser beam L1 emitted from the laser light source 21 is reflected by the mirror 22, the polarization azimuth is adjusted by the polarization azimuth adjusting element 23, is condensed by the lens 24, and is processed. Is irradiated.

被処理体10に対して適当な条件下でレーザビームL1を照射すると、レーザビームL1の照射スポット内における被処理体10の表面に、微細構造11(ストライプ状の凹凸構造)が形成される。適当な条件として、レーザビームL1は直線偏光であること、被処理体10の同一箇所にパルスビームであるレーザビームL1を2発以上照射することが挙げられる。レーザビームL1の照射強度を上げていくと、ある値(加工閾値)を境に微細構造11が形成される。レーザビームL1の照射強度は、例えば、被処理体10の加工閾値より少し高い程度に設定する。   When the object 10 is irradiated with the laser beam L1 under appropriate conditions, a fine structure 11 (stripe-shaped uneven structure) is formed on the surface of the object 10 in the irradiation spot of the laser beam L1. Appropriate conditions include that the laser beam L1 is linearly polarized light, and that two or more laser beams L1 that are pulse beams are irradiated to the same portion of the workpiece 10. When the irradiation intensity of the laser beam L1 is increased, the fine structure 11 is formed with a certain value (processing threshold) as a boundary. For example, the irradiation intensity of the laser beam L1 is set to be slightly higher than the processing threshold value of the workpiece 10.

図2(a)および(b)は、電子顕微鏡を用いて撮影した微細構造11の画像である。図2(a)では、横方向に延びる筋状の溝が、縦方向に複数配列しているのがわかる。図2(b)では、縦方向に延びる筋状の溝が、横方向に複数配列しているのがわかる。なお、レーザを用いて形成した微細構造11の溝は完全な直線状ではなく、溝の幅も均一ではない。微細構造11における溝の幅は、100nm前後であり、溝の深さは数10nm前後である。   2A and 2B are images of the fine structure 11 taken using an electron microscope. In FIG. 2A, it can be seen that a plurality of stripe-like grooves extending in the horizontal direction are arranged in the vertical direction. In FIG. 2 (b), it can be seen that a plurality of streak-like grooves extending in the vertical direction are arranged in the horizontal direction. In addition, the groove | channel of the fine structure 11 formed using the laser is not perfect linear form, and the width | variety of a groove | channel is not uniform. The width of the groove in the fine structure 11 is about 100 nm, and the depth of the groove is about several tens of nm.

微細構造11とレーザビームL1の偏光方位Dとの関係について、図3を参照して説明する。微細構造11の溝の方向は、図3(a)に示すように偏光方位Dと平行であるか、図3(b)に示すように偏光方位Dと直交のどちらかである。どちらの場合が生じるかは、微細構造11の材料とレーザ照射強度から決まる。   The relationship between the fine structure 11 and the polarization direction D of the laser beam L1 will be described with reference to FIG. The direction of the groove of the fine structure 11 is either parallel to the polarization direction D as shown in FIG. 3A or orthogonal to the polarization direction D as shown in FIG. Which case occurs depends on the material of the fine structure 11 and the laser irradiation intensity.

このため、図3(a)に示すように、偏光方位Dと平行に溝が形成される場合には、ステージの移動方向に対して、レーザビームL1の偏光方位Dが平行になるように、偏光方位調節素子23により偏光方位Dを調節する。さらに、微細構造11が互いに連なるように、レーザビームL1のパルス繰り返し数、被処理体10の移動速度が設定される。   Therefore, as shown in FIG. 3A, when the groove is formed in parallel with the polarization direction D, the polarization direction D of the laser beam L1 is parallel to the moving direction of the stage. The polarization direction D is adjusted by the polarization direction adjusting element 23. Further, the number of pulse repetitions of the laser beam L1 and the moving speed of the workpiece 10 are set so that the fine structures 11 are connected to each other.

または、図3(b)に示すように、偏光方位Dに直交して溝が形成される場合には、ステージの移動方向に対して、レーザビームL1の偏光方位Dが直交するように、偏光方位調節素子23により偏光方位Dを調節する。さらに、微細構造11が互いに連なるように、レーザビームL1のパルス繰り返し数、被処理体10の移動速度が設定される。   Alternatively, as shown in FIG. 3B, when the grooves are formed orthogonal to the polarization direction D, the polarization is performed so that the polarization direction D of the laser beam L1 is orthogonal to the moving direction of the stage. The polarization direction D is adjusted by the direction adjustment element 23. Further, the number of pulse repetitions of the laser beam L1 and the moving speed of the workpiece 10 are set so that the fine structures 11 are connected to each other.

次に、図4を参照して、上記の本実施形態に係る配線形成装置を用いた配線形成方法について説明する。   Next, a wiring forming method using the wiring forming apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

被処理体10に対してレーザビームL1が照射されると、図2に示した微細構造11が被処理体10上に形成される。このとき、被処理体10の移動方向に沿って微細構造11の溝が形成されるように、レーザビームL1の偏光方位Dが調節される。これにより、図5に示すように、配線パターンの形成領域に微細構造11が連なって形成される。微細構造11中の溝の長手方向は、配線パターンの長手方向と一致させ、微細構造11中の溝の配列方向は配線パターンの幅方向と一致させる。   When the object 10 is irradiated with the laser beam L1, the fine structure 11 shown in FIG. 2 is formed on the object 10 to be processed. At this time, the polarization direction D of the laser beam L1 is adjusted so that the groove of the fine structure 11 is formed along the moving direction of the workpiece 10. Thereby, as shown in FIG. 5, the fine structure 11 is formed continuously in the wiring pattern forming region. The longitudinal direction of the grooves in the fine structure 11 coincides with the longitudinal direction of the wiring pattern, and the arrangement direction of the grooves in the fine structure 11 coincides with the width direction of the wiring pattern.

図4に示すように、レーザビームL1の照射により形成された微細構造11上に、液滴吐出手段3により導電性材料を含む液滴12aが吐出される。微細構造11の溝の配列方向と、配線パターン12bの幅方向とを一致させた場合、微細構造11の周期的な凹凸形状が作用して、配線幅方向への液滴12aの広がりが抑えられる。さらに、液滴12aを繋げて配線パターン12bを描画した場合でも、液敵間の凝集を抑制することができる。この結果、図5に示すように、細くかつほぼ真っ直ぐな配線パターン12bを形成することができる。   As shown in FIG. 4, a droplet 12a containing a conductive material is ejected by the droplet ejection means 3 onto the microstructure 11 formed by irradiation with the laser beam L1. When the arrangement direction of the grooves of the fine structure 11 and the width direction of the wiring pattern 12b are matched, the periodic uneven shape of the fine structure 11 acts to suppress the spread of the droplets 12a in the wiring width direction. . Further, even when the wiring pattern 12b is drawn by connecting the droplets 12a, aggregation between the liquid enemies can be suppressed. As a result, as shown in FIG. 5, a thin and almost straight wiring pattern 12b can be formed.

また、図6に示すように、屈曲した配線パターン12bを形成することも可能である。この場合には、配線パターン12bの描画方向に合わせて、微細構造11の溝の方向を設定する必要がある。そのためには、図1に示す偏光方位調節素子23により、ステージの移動方向に対して、偏光方位Dを直交または平行に維持すればよい。   Further, as shown in FIG. 6, it is possible to form a bent wiring pattern 12b. In this case, it is necessary to set the direction of the grooves of the fine structure 11 in accordance with the drawing direction of the wiring pattern 12b. For this purpose, the polarization azimuth adjusting element 23 shown in FIG. 1 may be used to maintain the polarization azimuth D orthogonal or parallel to the moving direction of the stage.

配線パターン12bが形成された被処理体10を、例えば、炉の中で焼成(焼結)することにより、液滴に含まれる溶媒を気化(乾燥)させて、導電性材料同士を焼結する。これにより、配線パターン12b内の導電性材料同士が十分に融着し、抵抗率の低い配線が得られる。焼成温度は、例えば200℃〜400℃である。   For example, by firing (sintering) the object 10 on which the wiring pattern 12b is formed in a furnace, the solvent contained in the droplets is vaporized (dried), and the conductive materials are sintered together. . Thereby, the conductive materials in the wiring pattern 12b are sufficiently fused together, and a wiring having a low resistivity is obtained. The firing temperature is, for example, 200 ° C to 400 ° C.

次に、微細構造11を設けることによる効果について説明する。図7は、基板上に導電性材料含有液滴を滴下した場合において、液滴12aの広がりの様子を撮影したものである。図7(a)は、基板上に微細構造11が存在しない場合の様子を示し、図7(b)は、基板上に微細構造11が存在する場合の様子を示す。   Next, the effect of providing the fine structure 11 will be described. FIG. 7 shows an image of the spread of the droplet 12a when the conductive material-containing droplet is dropped on the substrate. FIG. 7A shows a state where the fine structure 11 is not present on the substrate, and FIG. 7B shows a state where the fine structure 11 is present on the substrate.

図7(a)に示すように、微細構造11が存在しない場合には、液滴12aは周囲に均一に広がっていることがわかる。これに対して、図7(b)に示すように、微細構造11が形成されている場合には、溝の長手方向Bには液滴12aが広がるが、溝の配列方向A(周期的に凹凸が形成されている方向)には、液滴12aの広がりが抑制されることがわかる。このため、形成すべき配線パターンの幅方向に、微細構造11の溝の配列方向Aを合わせることにより、液滴12aを繋げて配線パターン12bを描画した場合でも、液敵間の凝集に起因する線幅が不均一になることを抑制することができる。この結果、図5に示すように、配線パターン12bの幅をほぼ均一にすることができ、細くかつほぼ真っ直ぐな配線パターン12bを形成することができる。   As shown in FIG. 7A, when the fine structure 11 is not present, it can be seen that the droplet 12a spreads uniformly around the periphery. On the other hand, as shown in FIG. 7B, when the fine structure 11 is formed, the droplet 12a spreads in the longitudinal direction B of the groove, but the groove arrangement direction A (periodically). It can be seen that the spread of the droplets 12a is suppressed in the direction in which the irregularities are formed. For this reason, even when the wiring pattern 12b is drawn by connecting the droplets 12a by aligning the arrangement direction A of the grooves of the fine structure 11 with the width direction of the wiring pattern to be formed, it is caused by aggregation between liquid enemies. It is possible to prevent the line width from becoming uneven. As a result, as shown in FIG. 5, the width of the wiring pattern 12b can be made substantially uniform, and a thin and substantially straight wiring pattern 12b can be formed.

以上説明したように、本実施形態に係る配線形成装置および配線形成方法によれば、レーザビームL1を照射することにより被処理体10に微細構造11を形成し、この微細構造11上に液滴12aを吐出することにより、液滴12a同士を繋げても配線幅の安定した配線パターン12bを得ることができる。この液状の配線パターン12bを乾燥させることにより、配線が得られる。   As described above, according to the wiring forming apparatus and the wiring forming method according to the present embodiment, the fine structure 11 is formed on the workpiece 10 by irradiating the laser beam L1, and the droplets are formed on the fine structure 11. By discharging 12a, a wiring pattern 12b having a stable wiring width can be obtained even when the droplets 12a are connected. Wiring is obtained by drying the liquid wiring pattern 12b.

1回で配線パターンを描画することができることから、高いスループットで、信頼性のある配線を形成することができる。また、微細構造11を形成するためのレーザビーム照射手段2の構成はシンプルであるため、配線形成のためのコストを低減することができる。   Since a wiring pattern can be drawn at a time, a reliable wiring can be formed with high throughput. Further, since the configuration of the laser beam irradiation means 2 for forming the fine structure 11 is simple, the cost for forming the wiring can be reduced.

(第2実施形態)
図8は、第2実施形態に係る配線形成装置の構成を示す図である。なお、第1実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付してあり、その説明は省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the wiring forming apparatus according to the second embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to 1st Embodiment, The description is abbreviate | omitted.

本実施形態では、液状の配線パターン12bを乾燥および焼成(焼結)する焼結手段5は、レーザビームL2を出射するレーザ光源51と、ミラー52とを有する。   In the present embodiment, the sintering means 5 for drying and firing (sintering) the liquid wiring pattern 12b includes a laser light source 51 that emits a laser beam L2 and a mirror 52.

レーザ光源51は、液状の配線パターン12bを乾燥および焼結させるためレーザビームL2を出射する。レーザ光源51の波長帯域は、導電性材料の種類によって決まり、特に限定するものではないが、例えば銀粒子の場合であれば、300nm〜600nmに波長帯域を有する連続発振レーザビームを用いることが好ましい。より具体的には、Nd:YAGレーザの第2高調波(波長532nm)、第3高調波(355nm)、サファイアレーザ(波長488nm)等を用いることができる。レーザビームL2の他の照射条件としては、配線として有効な導電率(低い抵抗率)が得られる範囲であれば特に限定されるものではない。ただし、レーザビームL2の照射スポット径は、配線パターン12bの幅よりも大きいことが好ましい。これにより、一回の照射で配線パターン12bの幅方向全体を照射することが可能となり、乾燥・焼結時間を短縮できるからである。レーザ光源51の動作は、制御部6により制御される。   The laser light source 51 emits a laser beam L2 for drying and sintering the liquid wiring pattern 12b. The wavelength band of the laser light source 51 is determined by the type of conductive material and is not particularly limited. For example, in the case of silver particles, it is preferable to use a continuous wave laser beam having a wavelength band of 300 nm to 600 nm. . More specifically, a second harmonic (wavelength 532 nm), a third harmonic (355 nm), a sapphire laser (wavelength 488 nm), or the like of an Nd: YAG laser can be used. Other irradiation conditions of the laser beam L2 are not particularly limited as long as the conductivity (low resistivity) effective as wiring is obtained. However, the irradiation spot diameter of the laser beam L2 is preferably larger than the width of the wiring pattern 12b. This is because it is possible to irradiate the entire width direction of the wiring pattern 12b by one irradiation, and the drying / sintering time can be shortened. The operation of the laser light source 51 is controlled by the control unit 6.

次に、図9を参照して、上記の本実施形態に係る配線形成装置を用いた配線形成方法について説明する。   Next, a wiring forming method using the wiring forming apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

被処理体10に対してレーザビームL1が照射されると、図2に示した微細構造11が被処理体10上に形成される。このとき、被処理体10の移動方向に沿って微細構造11の溝が形成されるように、レーザビームL1の偏光方位Dが調節される。これにより、図5、図6に示すように、配線パターンの形成領域に微細構造11が連なって形成される。微細構造11中の溝の長手方向は、配線パターンの長手方向と一致させ、微細構造11中の溝の配列方向は配線パターンの幅方向と一致させる。   When the object 10 is irradiated with the laser beam L1, the fine structure 11 shown in FIG. 2 is formed on the object 10 to be processed. At this time, the polarization direction D of the laser beam L1 is adjusted so that the groove of the fine structure 11 is formed along the moving direction of the workpiece 10. As a result, as shown in FIGS. 5 and 6, the fine structure 11 is formed continuously in the wiring pattern formation region. The longitudinal direction of the grooves in the fine structure 11 coincides with the longitudinal direction of the wiring pattern, and the arrangement direction of the grooves in the fine structure 11 coincides with the width direction of the wiring pattern.

図9に示すように、レーザビームL1の照射により形成された微細構造11上に、液滴吐出手段3により導電性材料を含む液滴12aが吐出される。微細構造11の溝の配列方向と、配線パターン12bの幅方向とを一致させた場合、微細構造11の周期的な凹凸形状が作用して、配線幅方向への液滴12aの広がりが抑えられる。さらに、液滴12aを繋げて配線パターン12bを描画した場合でも、液敵間の凝集を抑制することができる。この結果、図5、図6に示すように、配線幅のほぼ均一な配線パターン12bを形成することができる。   As shown in FIG. 9, a droplet 12a containing a conductive material is discharged by the droplet discharge means 3 onto the fine structure 11 formed by irradiation with the laser beam L1. When the arrangement direction of the grooves of the fine structure 11 and the width direction of the wiring pattern 12b are matched, the periodic uneven shape of the fine structure 11 acts to suppress the spread of the droplets 12a in the wiring width direction. . Further, even when the wiring pattern 12b is drawn by connecting the droplets 12a, aggregation between the liquid enemies can be suppressed. As a result, as shown in FIGS. 5 and 6, a wiring pattern 12b having a substantially uniform wiring width can be formed.

次に、配線パターン12bにレーザビームL2を照射することにより、液滴に含まれる溶媒を気化させて、導電性材料同士を焼結する。これにより、配線パターン12b内の導電性材料同士が十分に融着し、抵抗率の低い配線が得られる。   Next, by irradiating the wiring pattern 12b with the laser beam L2, the solvent contained in the droplets is vaporized to sinter the conductive materials. Thereby, the conductive materials in the wiring pattern 12b are sufficiently fused together, and a wiring having a low resistivity is obtained.

以上説明したように、本実施形態に係る配線形成装置および配線形成方法によれば、被処理体10の微細構造11上に液滴12aを滴下した直後に、レーザビームL2を照射させて、液滴の乾燥および導電性材料の焼結を行うため、第1実施形態よりも高いスループットを実現することができる。また、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。   As described above, according to the wiring forming apparatus and the wiring forming method according to the present embodiment, immediately after the droplet 12a is dropped on the microstructure 11 of the object to be processed 10, the laser beam L2 is irradiated and the liquid is formed. Since the drying of the droplets and the sintering of the conductive material are performed, a higher throughput than in the first embodiment can be realized. Moreover, the same effect as 1st Embodiment can be show | played.

(電気光学装置)
本実施形態に係る配線形成方法を用いて、各種の電気光学装置の駆動回路等が形成される。電気光学装置とは、電気的作用によって発光するまたは外部からの光の状態を変化させる素子であり、自ら発光するものと外部からの光の通過を制御するものの双方を含む。例えば、電気光学装置として、液晶表示装置、電気泳動表示装置、有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置、プラズマディスプレイなどが挙げられる。
(Electro-optical device)
Using the wiring forming method according to the present embodiment, drive circuits and the like for various electro-optical devices are formed. An electro-optical device is an element that emits light by an electric action or changes the state of light from the outside, and includes both a device that emits light and a device that controls the passage of light from the outside. For example, examples of the electro-optical device include a liquid crystal display device, an electrophoretic display device, an organic EL (electroluminescence) display device, and a plasma display.

図10は、本実施形態に係る電気光学装置の一例として、有機EL表示装置を示す概略平面図である。
有機EL表示装置は、ガラス等からなる透明基板101上に、複数の電源線(行方向線)102および複数の走査線(列方向線)103が交差してなる交差配線と、マトリクス状に配置された表示素子である有機EL素子104とが形成されている。フレキシブル配線基板109には、信号および電源の供給を行う駆動回路105が形成され、この駆動回路105が外側配線108を介して透明基板101上の電源線102および走査線103に接続されている。透明基板101とフレキシブル配線基板109とは、互いに接着剤等により固定されている。
FIG. 10 is a schematic plan view showing an organic EL display device as an example of the electro-optical device according to this embodiment.
The organic EL display device is arranged on a transparent substrate 101 made of glass or the like in a matrix form with cross wirings in which a plurality of power supply lines (row direction lines) 102 and a plurality of scanning lines (column direction lines) 103 intersect. The organic EL element 104 which is a display element thus formed is formed. A driving circuit 105 for supplying signals and power is formed on the flexible wiring substrate 109, and the driving circuit 105 is connected to the power supply line 102 and the scanning line 103 on the transparent substrate 101 via the outer wiring 108. The transparent substrate 101 and the flexible wiring substrate 109 are fixed to each other with an adhesive or the like.

有機EL素子104は、電源線102と走査線103の交差部毎に設けられており、有機EL素子104は、各交差部において、図示しない薄膜トランジスタや保持容量などを介して電源線102と走査線103と接続されている。ここでは、20画素分しか図示していないが、例えば100万画素以上が配置される。   The organic EL element 104 is provided at each intersection of the power supply line 102 and the scanning line 103. The organic EL element 104 is connected to the power supply line 102 and the scanning line via a thin film transistor or a storage capacitor (not shown) at each intersection. 103 is connected. Although only 20 pixels are shown here, for example, 1 million pixels or more are arranged.

上記の電源線102、走査線103、外側配線108は、本実施形態に係る配線形成方法を用いて形成される。なお、電源線102と走査線103との間には、絶縁層が介在しており、両者は絶縁されている。   The power supply line 102, the scanning line 103, and the outer wiring 108 are formed by using the wiring forming method according to the present embodiment. Note that an insulating layer is interposed between the power supply line 102 and the scanning line 103, and both are insulated.

本実施形態に係る配線形成装置を用いて電気光学装置を製造することにより、電気光学装置の配線信頼性の向上および製造コストの低減を図ることができる。   By manufacturing the electro-optical device using the wiring forming apparatus according to the present embodiment, it is possible to improve the wiring reliability of the electro-optical device and reduce the manufacturing cost.

(電子機器)
上記の電気光学装置を使用した各種電子機器の例について説明する。
図11(a)は携帯電話への適用例である。携帯電話230は、アンテナ部231、音声出力部232、音声入力部233、操作部234、および本実施形態に係る電気光学装置100を備えている。
(Electronics)
Examples of various electronic devices using the electro-optical device will be described.
FIG. 11A shows an application example to a mobile phone. The mobile phone 230 includes an antenna unit 231, an audio output unit 232, an audio input unit 233, an operation unit 234, and the electro-optical device 100 according to the present embodiment.

図11(b)は、ビデオカメラへの適用例である。ビデオカメラ240は、受像部241、操作部242、音声入力部243、および本実施形態に係る電気光学装置100を備えている。   FIG. 11B shows an application example to a video camera. The video camera 240 includes an image receiving unit 241, an operation unit 242, an audio input unit 243, and the electro-optical device 100 according to the present embodiment.

図11(c)は、携帯型パーソナルコンピュータ(いわゆるPDA)への適用例である。当該コンピュータ250は、カメラ部251、操作部252、および本実施形態に係る電気光学装置100を備えている。   FIG. 11C shows an application example to a portable personal computer (so-called PDA). The computer 250 includes a camera unit 251, an operation unit 252, and the electro-optical device 100 according to the present embodiment.

図11(d)は、ヘッドマウントディスプレイへの適用例である。ヘッドマウントディスプレイ260は、バンド261、光学系収納部262および本実施形態に係る電気光学装置100を備えている。   FIG. 11D shows an application example to a head mounted display. The head mounted display 260 includes a band 261, an optical system storage unit 262, and the electro-optical device 100 according to the present embodiment.

図12(a)は、テレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン300は、電気光学装置100を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本実施形態に係る電気光学装置を適用し得る。   FIG. 12A shows an application example to a television, and the television 300 includes the electro-optical device 100. The electro-optical device according to the present embodiment can be similarly applied to a monitor device used in a personal computer or the like.

図12(b)は、ロールアップ式テレビジョンへの適用例である。当該ロールアップ式テレビジョン310は、本実施形態に係る電気光学装置100を備えている。   FIG. 12B shows an application example to a roll-up type television. The roll-up television 310 includes the electro-optical device 100 according to the present embodiment.

本実施形態に係る電子機器は、上述した例に限られない。例えば、電子機器として、これらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイが挙げられる。   The electronic device according to the present embodiment is not limited to the example described above. For example, electronic devices include a fax machine with a display function, a digital camera finder, a portable TV, an electronic notebook, an electric bulletin board, and a display for advertisement.

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
上記の実施形態では、レーザビームL1として波長800nmの超短パルスレーザを用いたが、その高調波を用いることも可能である。また、波長が200nm前後のエキシマレーザ、例えば、KrF、ArFを用いることも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
The present invention is not limited to the description of the above embodiment.
In the above embodiment, an ultrashort pulse laser with a wavelength of 800 nm is used as the laser beam L1, but its harmonics can also be used. It is also possible to use an excimer laser having a wavelength of around 200 nm, for example, KrF or ArF.
In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

第1実施形態に係る配線形成装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the wiring formation apparatus which concerns on 1st Embodiment. 微細構造の画像である。It is an image of a fine structure. ステージの移動方向と偏光方位との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the moving direction of a stage, and a polarization direction. 第1実施形態に係る配線形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the wiring formation method which concerns on 1st Embodiment. 直線状の配線を形成する例を示す平面図である。It is a top view which shows the example which forms a linear wiring. 屈曲した配線を形成する例を示す平面図である。It is a top view which shows the example which forms the wiring which bent. 微細構造による液滴の形状固定効果を実証する画像である。It is an image demonstrating the shape fixing effect of the droplet by a fine structure. 第2実施形態に係る配線形成装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the wiring formation apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る配線形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the wiring formation method which concerns on 2nd Embodiment. 本実施形態に係る電気光学装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the electro-optical apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子機器の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子機器の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the electronic device which concerns on this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…配線形成装置、2…レーザビーム照射手段、3…液滴吐出手段、4…ステージ、5…焼結手段、6…制御部、10…被処理体、11…微細構造、12a…液滴、12b…配線パターン、12c…配線、21…レーザ光源、2…ミラー、23…偏光方位調節素子、24…レンズ、51…レーザ光源、52…ミラー、L1…レーザビーム、L2…レーザビーム、D…偏光方位   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring formation apparatus, 2 ... Laser beam irradiation means, 3 ... Droplet discharge means, 4 ... Stage, 5 ... Sintering means, 6 ... Control part, 10 ... To-be-processed object, 11 ... Fine structure, 12a ... Droplet , 12b ... wiring pattern, 12c ... wiring, 21 ... laser light source, 2 ... mirror, 23 ... polarization orientation adjusting element, 24 ... lens, 51 ... laser light source, 52 ... mirror, L1 ... laser beam, L2 ... laser beam, D ... polarization orientation

Claims (12)

被処理体にレーザビームを照射して、溝が複数配列した微細構造を前記被処理体に形成するレーザビーム照射手段と、
前記被処理体の前記微細構造上に導電性材料を含む液滴を吐出する液滴吐出手段と、
を有する配線形成装置。
A laser beam irradiating means for irradiating the object to be processed with a laser beam to form a fine structure in which a plurality of grooves are arranged on the object to be processed;
Droplet discharge means for discharging droplets containing a conductive material on the microstructure of the object to be processed;
A wiring forming apparatus having:
前記レーザビーム照射手段は、前記レーザビームとして直線偏光のレーザビームを照射する、
請求項1記載の配線形成装置。
The laser beam irradiation means irradiates a linearly polarized laser beam as the laser beam.
The wiring forming apparatus according to claim 1.
前記レーザビーム照射手段は、前記レーザビームとしてパルスレーザビームを照射する、
請求項1記載の配線形成装置。
The laser beam irradiation means irradiates a pulse laser beam as the laser beam.
The wiring forming apparatus according to claim 1.
前記被処理体を相対的に移動させる移動手段をさらに有し、
前記レーザビーム照射手段は、前記被処理体の移動方向と平行または直交する偏光方位をもつ直線偏光の前記レーザビームを照射する、
請求項1記載の配線形成装置。
A moving means for relatively moving the object to be processed;
The laser beam irradiation means irradiates the linearly polarized laser beam having a polarization direction parallel or orthogonal to the moving direction of the object to be processed.
The wiring forming apparatus according to claim 1.
前記レーザビーム照射手段は、
前記レーザビームを出射する光源と、
前記レーザビームの偏向方位を調節する偏向方位調節素子と、
を有する請求項4記載の配線形成装置。
The laser beam irradiation means includes
A light source for emitting the laser beam;
A deflection azimuth adjusting element for adjusting the deflection azimuth of the laser beam;
The wiring formation apparatus of Claim 4 which has these.
被処理体にレーザビームを照射して、溝が複数配列した微細構造を前記被処理体に形成するレーザビーム照射手段と、
前記被処理体の前記微細構造上に導電性材料を含む液滴を吐出する液滴吐出手段と、
前記被処理体上に付着した前記液滴に前記レーザビームとは異なるレーザビームを照射して、前記液滴を乾燥させ、前記導電性材料を焼結させる焼結手段と、
を有する配線形成装置。
A laser beam irradiating means for irradiating the object to be processed with a laser beam to form a fine structure in which a plurality of grooves are arranged on the object to be processed;
Droplet discharge means for discharging droplets containing a conductive material on the microstructure of the object to be processed;
Sintering means for irradiating the droplets deposited on the object to be processed with a laser beam different from the laser beam, drying the droplets, and sintering the conductive material;
A wiring forming apparatus having:
被処理体にレーザビームを照射して、前記被処理体に溝が複数配列した微細構造を形成する第1工程と、
前記被処理体の前記微細構造上に前記液滴を吐出して、配線パターンを描画する第2工程と、
液状の配線パターンを乾燥させ、前記導電性材料を焼結させる第3工程と、
を有する配線形成方法。
A first step of irradiating the object to be processed with a laser beam to form a microstructure in which a plurality of grooves are arranged in the object to be processed;
A second step of drawing a wiring pattern by discharging the droplet onto the microstructure of the object to be processed;
A third step of drying the liquid wiring pattern and sintering the conductive material;
A method for forming a wiring.
前記被処理体を移動させながら、前記第1工程から前記第3工程を連続的に行うことにより、前記被処理体に配線を形成する
請求項7記載の配線形成方法。
The wiring forming method according to claim 7, wherein wiring is formed on the object to be processed by continuously performing the first to third processes while moving the object to be processed.
前記第3工程において、前記被処理体に付着した液状の前記配線パターンに前記レーザビームとは異なるレーザビームを照射して、前記配線パターンを乾燥させ、前記導電性材料を焼結させる、
請求項7記載の配線形成方法。
In the third step, the liquid wiring pattern attached to the object is irradiated with a laser beam different from the laser beam, the wiring pattern is dried, and the conductive material is sintered.
The wiring formation method according to claim 7.
前記第1工程において、前記配線の幅方向に溝が複数配列した前記微細構造を形成する、
請求項7記載の配線形成方法。
Forming the fine structure in which a plurality of grooves are arranged in the width direction of the wiring in the first step;
The wiring formation method according to claim 7.
請求項7に記載の配線形成方法によって形成された配線を備える、
電気光学装置。
A wiring formed by the wiring forming method according to claim 7 is provided.
Electro-optic device.
請求項11に記載の電気光学装置を含む、
電子機器。
The electro-optical device according to claim 11,
Electronics.
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