JP2007533128A - 多重露光を用いた基板のパターニング方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、基板上に構造化画像を生成するために多重露光を使用する、調整可能な光学系の露光プロセスを用いた基板のパターニング方法に関する。本発明によれば、光学系の結像クオリティは、個別の測定工程を用いて、複数の露光プロセスのうちの少なくとも1回について求められ、結像クオリティに影響する光学系の少なくとも一つのパラメータはそれによって調整される。本発明は、例えば、マイクロリソグラフィ投影露光システムでの半導体ウェハーの構造化に使用される。

Description

本発明は、基板表面で個別の構造画像を生成するために多重露光を使用する、調整可能な光学系の露光プロセスを使用した基板のパターニング方法に関するものである。

露光プロセスを使用した基板のパターニング方法は、様々な実施態様が知られており、例えば、マイクロリソグラフィ投影露光装置を使用して半導体コンポーネントを製造する際のウェハーパターニングにおいて採用される。そのような装置は、照明系とその下流に配置される投影レンズを包含するのが代表的である。照明系では、例えば、コヒーレンス度可変の従来型照明、リングフィールド照明、ダイポール照明、四極子照明など、照明セッティングとも呼ばれる様々な照明設定を行うことができる。照明系から供された放射光は、投影レンズによって感光層上で結像され、そこにマスク構造に対応する構造画像を生成するために、好ましくは投影レンズの物面において、レチクル／マスク構造を持ち込むことのできる照明フィールドをできるだけ均一に照明する。

そこで、例えばマイクロリソグラフィ投影露光装置を用いたウェハーパターニングに関する米国特許公開第２００４／００５９４４４号明細書からは、光学系の結像収差を波面測定法を用いた個別の測定工程を通じて求め、これに応じて光学系の少なくとも１つの収差影響パラメータを設定することが知られている。

感光層の構造露光にとっては、多くの場合、層の深さ方向および横方向における露光強度プロファイルが重大な意味を持つ。そのプロファイルは露光パラメータに左右される。本質的な影響ファクターは、感光層に入射する放射光の公称開口角で、その角は、例えば照明系および／またはマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影レンズにおける可変開口絞りにより設定できる結像系の開口数によって主として定められる。更なる影響ファクターは、照明セッティングおよび結像系の収差である。例えば、ウェハー表面のフォトレジスト層の構造露光の場合、露光強度プロファイルは、露光され、現像されるレジスト層の達成可能なプロファイルに大きな影響を及ぼす。そこでは大抵、できるだけ急峻なレジストエッジが望まれているが、それには、構造エレメントの露光されるレジスト層の幅をできるだけ一定に保った上でレジスト層全体を深さ方向においてできるだけ均一に露光することが条件となる。

感光層において構造画像を生成することについては、光学近似補正または構造の解像度の向上についてのように、相異なる開口数および／または照明設定において、または、横方向にシフトしたマスク構造をもって、それぞれマスク構造の異なる複数回の露光を行うことが知られている。これについては、例えば雑誌論文M. Fritze他“Limits of Strong Phase Shift Patterning for Device Research”SPIE会報、通巻第5040号、327頁、および、T. Ebihara他“Beyond k₁=0.25 lithography: 70nm L/S pattering using KrF scanners”SPIE会報、通巻第5256号、985頁を参照されたい。走査型二重露光システムについては、米国特許公開第２００２／００１４６００号明細書に説明がある。

技術的課題として本発明の基礎にあるのは、感光層を深さ方向において均一に露光し、特定のケースでは、構造画像の生成に必要な露光工程の数を減らすなどして、相対的に僅かな手間で基板上においてハイクオリティの構造画像を獲得できるようにする冒頭に挙げた種類の方法を提供することである。

本発明は、この問題を、請求項１に記載の特徴を有する方法によって解決する。本発明による方法では、基板上に個別の構造画像を生成するために多重露光を使用し、その場合、複数回の露光のうち少なくとも１回、少なくとも２回、若しくは、必要であれば全部について、光学系の結像クオリティを測定工程で求め、それに応じて光学系の結像クオリティに影響する少なくとも１つのパラメータを設定する。これで、例えば、収差を最適化した異なる照明設定及び絞り設定のもとでの多重露光による構造露光が可能となる。ここで、結像クオリティを測定工程で求めることの中には、その基準となるパラメータを個別に実際に求める場合だけでなく、実施される露光についての測定工程の計測結果に基づいて結像クオリティを予想する場合も含まれる。

構造露光については、例えば、露光ビームを照射されたレチクル／マスク構造によって形成される所定の構造を感光層の上に結像する。例えばマイクロリソグラフィ投影露光装置の場合、この構造は、その露光装置の投影レンズによって結像され、その際、結像される構造に対する露光放射光を適合させるために、上流に配置された照明系で照明設定を行うことができる。収差を最適化した様々な開口数および／または照明設定など、様々なパラメータ値で少なくとも２回の露光プロセス、多くの場合は全ての露光プロセスが実行される多重露光により、構造画像のクオリティを改善することができる。そして、例えば、焦点深度を高めた上で感光層のパターニングの前露光を行うことができる。必要に応じて、異なる露光について別々のマスク構造を使用することも、同じマスク構造を使用することもできる。加えて、異なる露光の間にエネルギー量および別の露光パラメータを変えることもできる。このように、全体として、本発明による方法では広い帯域幅の露光設定が可能である。

本発明による方法の一発展形態では、露光の少なくとも１回についての測定工程を露光の直前に実行する。これにより、光学結像系の収差挙動は露光の直前に設定されるので、瞬時に現れる影響も収差最適化の際に考慮されることになる。

本発明による方法の一改良形態では、露光の少なくとも１回についての測定工程を1回目の露光の前に実行し、少なくとも１つの収差影響パラメータの設定を記憶し、露光の実行にあたって呼出す。この改良方法では、当該回の露光が測定工程により中断されないので、収差を最適化した上での感光層の迅速な多重露光が可能である。

本発明による方法の一形態では、少なくとも１つの収差影響パラメータの設定は、レンズなどの1つ以上の調整可能な光学素子および／または光学結像系の入射側焦点距離の設定を含む。例えば対物レンズ系における調整可能レンズを、外から、例えばマニピュレータを用いて、その結像特性の点で、結像系の収差に対応する効果を伴って動かすことができる。また、いわゆる入射側焦点距離、すなわち、光路に平行な（ｚ）方向における、結像されるレチクル／マスク構造の位置を収差最適化のために調節することもできる。入射側焦点距離を変えると、焦点、すなわち、ｚ方向における像面位置はそれに応じて変更される。

本発明による方法の一形態では、測定工程を、点回折干渉計測、シェアリング干渉計測、フィゾー干渉計測、トワイマン・グリーン干渉計測またはシャック・ハルトマン干渉計測に基づく方法で実行する。上記の方法は、干渉計測による波面測定の代表的方法である。

本発明によって改良された方法は、調整可能な光学結像系としてマイクロリソグラフィ投影露光装置を用いて、ウェハー上のフォトレジスト露光について実行される。

本発明による方法の更に好適な一形態では、多重露光は、互いにセッティングの異なる少なくとも２回の露光プロセスを含み、必要に応じて、フィールドサイズ、フィールド位置、照明光の偏光方向、偏光度、照明光の照射方向若しくはコヒーレンス、投影レンズなどの光学系の開口数、および結像光の波長といったパラメータの一つ以上を変更する。

本発明の一形態では、多重露光の２回の露光プロセスの間で基板の部分パターニングを実行する。

本発明の他の形態では、用途に応じて、結像クオリティの指標となるパラメータの一つ以上を測定工程によって求める、すなわち、実測および／または予測する。それらのパラメータには、投影レンズなどの光学系の収差、また特に、収差の測定に偏光ビームを使用してもよい場合、使用される結像フィールド全体にわたっての照度の変化、設定された照射方向全体にわたっての照度の変化、使用される結像フィールド全体にわたっての照明光の偏光度の変化、使用される結像フィールド全体にわたっての照明光の偏光方向の変化、設定された照射方向全体にわたっての照明光の偏光度の変化、設定された照射方向全体にわたっての照明光の偏光方向の変化、結像の位置精度、結像の最良設定面、結像光の波長、および、結像光全体に占める外光若しくは散乱光の割合が含まれる。

本発明のさらに他の形態では、結像クオリティに影響する少なくとも１つのパラメータの設定は、少なくとも１つのフィールド面および／または瞳面における少なくとも１つの透過フィルタ素子の設定、および／または、少なくとも１つのフィールド面および／または瞳面における少なくとも１つの偏光影響フィルタ素子の設定を含む。

本発明のさらに他の形態では、結像クオリティに影響する１つ以上のパラメータの設定は、使用可能な結像領域全体の中の結像フィールドの位置および／または結像フィールドのサイズを用いて、使用される結像フィールドにおける結像クオリティを最適化すること（ここでは、走査露光法の場合、走査方向に沿って結像フィールドのサイズを制限することができる）、露光する基板を光学系の光軸に垂直および／または平行に位置決めすることによって結像クオリティを最適化すること、および／または、光学系の光学的に有効な素子の交換によって結像クオリティを最適化することを含む。

本出願について、ドイツ特許出願第１０２００４０２０９８３．９号および米国特許出願第６０／５６０，６２３号の優先権を主張する。その内容を繰返す無駄を避けるため、その全文は、ここに参照として組み込まれる。

以下、本発明の有利な実施例を図面に則して詳細に説明する。図面の示すところは次の通りである。

本発明による多重露光法は、調整可能な任意の光学結像系を用いて感光層を構造露光するのに適しており、図１には、その例として、投影部として動作する通常の設計の投影レンズ２０を備えたウェハー露光用のマイクロリソグラフィー投影露光装置が示される。投影レンズ２０の上流には通常の設計の照明系が配置される。図１には、その代表としてフィールドレンズ１のみが示されている。照明系は、露光プロセスにも波面測定プロセスにも利用される照明光を提供する。投影レンズ２０の３つのレンズ４、７、１１が、多数の結像に作用する光学コンポーネントを代表するものとして示される。割当てられたレンズマニピュレータ５、８、１２を用いて、例えば投影レンズ２０の収差挙動を改善するためにレンズ４、７、１１の位置決めを操作することができる。投影レンズ２０には、その入射側開口数を照明系１の設定された出射側開口数に合わせるために開口絞り９が設けられている。

投影レンズ２０の波面測定を実行するために、露光装置にはマルチチャンネルシェアリング干渉計タイプの波面測定装置が内蔵されている。この測定装置は、図１に示すように、投影レンズ２０の対物側で物面１６内または付近に配置される計測構造ユニット２と、投影レンズ２０の像側で像面１７内または付近に配置される回折格子１３を有する。計測構造ユニット２は、複数の波面を生成する複数の計測構造３を具備し、そのため、投影レンズ２０の多数のフィールド領域において同時的な波面測定を行うことができる。回折格子１３により生成された干渉パターンが、下流の検出ユニット１４、例えばＣＣＤカメラで検出される。計測構造ユニット２、回折格子１３および検出ユニット１４は、露光操作において使用されるユニット、例えばレチクル若しくはレチクルホルダおよびウェハー若しくはウェハーホルダと交換で投影レンズ２０の光路内に持ち込まれたり、光路外へ外したりできるように構成されるか、これらに内蔵されている。これにより、投影レンズ２０の波面測定を現場で、すなわち、マイクロリソグラフィ投影露光装置に組込まれた状態で行うことが可能となる。

図２は、異なる露光パラメータを用いた多重露光、および、収差最適化のために個別の露光の間に実行されるそれぞれの波面測定プロセスを用いて、例えば半導体ウェハー上のフォトレジスト層を露光する方法について、図１の露光装置を使用して実現できる方法をフローチャートで表す。設定工程１０１では、照明系においてこの目的のための最初の照明設定を行い、照明系の出射側開口数（ＮＡ）を低い値、例えばＮＡ＝０．５に設定する。投影レンズ２０の入射側開口数は、その開口絞り９の設定により照明系の開口数に適合させる。

続く工程１０２では、計測コンポーネント、特に計測構造ユニット２、回折格子１３および検出ユニット１４を投影レンズ２０の光路の中に入れる。その後、次の工程１０３において波面測定を実行し、投影レンズの収差挙動を求める。そのため、図１に示した光路に示されるように、それぞれの計測構造３若しくはそれぞれのフィールド領域により生成された波面を物面１６の中に放射し、投影レンズ２０を通して、像面１７に配置された回折格子１３の対応する点で収束させる。これにより生成された干渉パターンが、下流の検出ユニット１４で検出される。２光束シェアリング干渉計測の技術に従い、計測構造ユニット２と回折格子１３を、回折格子１３の周期的方向に沿って横向きに相対的に段階的にシフトさせ、関連する干渉パターンがそれぞれ検出される。その干渉パターンから波面勾配を求めることができ、そこから、例えば瞳面における投影レンズ２０の収差挙動を説明する所望の空間解像度で波面を再構成することができる。

２光束シェアリング干渉計測技術の代わりに、他の波面測定法、例えば点回折干渉計測、フィゾー干渉計測、トワイマン・グリーン干渉計測またはシャック・ハルトマン干渉計測も投影レンズ２０の収差挙動を求めるのに好適である。

求められた投影レンズ２０の収差挙動は、次に、レンズマニピュレータ５、８、１２を用いて調整可能なレンズ４、７、１１を然るべく調節することにより、所望の方法で補正若しくは最適化される。その代わりとして、あるいはそれに加えて、同じ目的のために投影レンズ２０の入射側焦点距離を調整してもよく、その場合は同時に、ｚ方向、すなわち、光軸若しくは光路に平行な方向における焦点位置を、投影レンズ２０が像面１７上に結像されたままとなるように調整する。

上述した工程１０３における収差挙動の最適化が感光層の露光に及ぼす影響を、図３および図４に示す。図３ａは、開口数を例えばＮＡ＝０．５の低い値に設定した場合の感光層３０を透過する、収差最適化がなされていない光線のプロファイル４０ａの概略側面図である。図４ａは、同じ開口数における収差最適化がなされた光線プロファイル４０ｂを示す。図３ｂは、最適化がなされなかったプロファイル４０ａにおいて計測された収差曲線５０ａを位置の関数として概略的に示す。図４ｂは、収差補正を行った後に得られた対応する収差曲線５０ｂを、図３ｂと同じ縮尺で示す。補正がなされなかった収差曲線５０ａは、収差がないことを表す基準線５１を中心として、補正がなされた収差曲線５０ｂよりはるかに大きく揺らいでいることが、はっきりと分かる。波面は、図示した例では、特に球面ゼルニケ係数に関して、若しくは最小ＲＭＳ値に関して最適化されている。無論、投影レンズ２０の収差挙動は、必要に応じて、収差に関連する他のファクター若しくは他のゼルニケ係数に関しても補正することができる。

収差補正の効果は、収差補正がなされなかったプロファイル４０ａを補正がなされたビームプロファイル４０ｂと比べても明白となる。前者ではビーム横断面最小の場所が感光層３０の手前にあるが、後者ではそれが感光層３０の中にある。これにより、補正がなされたビームプロファイル４０ｂの照度は、補正がなされなかった場合より感光層３０の小さい部分領域に集中している。これは、深さ方向における感光層３０のより均一な露光を可能にし、それにより、例えばレジスト層の場合、現像後に留まるレジスト材料においてより急峻なエッジの生成を可能にする。

収差挙動の最適化の後、図２の次の工程１０４において、後続の露光準備のために、マスクユニット２、回折格子１３および検出ユニット１４を、結像される構造（露光マスク若しくはレチクル／マスク構造）および感光層（ウェハー上のフォトレジスト）を持つ基板に交換する。その次の工程１０５において、投影レンズ２０を使用してマスク構造をフォトレジスト上に結像することにより、１回目の感光層露光を行う。その後、工程１０６において、フォトレジスト表面に所望のクオリティの構造画像を生成するために必要な露光回数が、代表的にプロセス開始前に予め決められた回数に達したか否かチェックする。

露光回数が所定回数に達した場合、プロセスは終了する。そうでない場合は、露光回数が所定回数に達するまで、工程１０１〜１０５を繰り返す。工程１０１を繰り返すときは、新たな露光セッティングおよび／または新たな開口数を設定し、工程１０２を繰り返すときは、計測コンポーネントを中に入れる前に先ずレチクルおよびウェハーを光路から外す。繰り返す露光工程は、用途に応じて異なるマスク構造または同じマスク構造を使用して実行される。

２回目の露光は、１回目の露光のときの異なる開口数、例えば０．８の最大開口数をもって実行することができる。図５ａは、図３ａおよび４ａと比べて大幅に開口角を大きくしたときに対応するビームプロファイル４０ｃを示す。図５ｂは、収差最適化がなされた図５ａのビームプロファイルに対応する収差曲線５０ｃを示す。あるいは、この回の露光または他の回の何れかの露光を、収差最適化がなされていないビームプロファイルで実行することが好ましい場合もあり得る。また、一連の露光を、小さい開口数から大きい開口数へと順に大きくしながら行う必要はない。従って、例えば広幅の前露光を得るために、ＮＡ＝０．８の露光をＮＡ＝０．５の露光の前に行ってもよい。

相異なる開口数を用いた多重露光の場合は、上述した通り、例えば光学的な近軸補正を達成するために、従来公知の方法で複数の相異なるレチクル／マスク構造を使用することができる。これは、１回目の露光の際、小さな開口数と大きな焦点深度で基板又はレジストを前パターン露光してから、２回目の露光をより大きな開口数とより小さな焦点深度で行うということになる。そうすることで、深さ方向においてレジスト層の均一な露光が達成できる。上述した方法を用いて露光の全部または一部において投影レンズの収差挙動を最適化することによって、所望の構造画像の生成に必要な露光の回数および／または相異なるマスクの数を適宜減らすことができる。

上述した方法の代わりとして、１回目の露光の前に関連する露光についての測定工程を前もって実行し、それに応じて最適な収差挙動を得るために用いられる結像系における設定を記憶し、この設定を当該露光の実行時に呼出し、そのため迅速に、収差最適化がなされた多重露光を実行できるようにするバリエーションも可能である。本発明の単純化された実施態様では、測定工程は、複数回の露光の全部について実行されるのでなく、一部についてだけ実行され、極端な場合、１回分についてしか実行しない。

本発明の上述した実施例及び他の実施例において、結像クオリティの最適化のために、多重露光の少なくとも２回の露光プロセスの間で、フィールドサイズ、偏光度および波長といったパラメータの一つ以上を特に変更することができる。つまり、有効なフィールド領域の絞り込みおよび／または位置替えにより、すなわち、フィールドサイズおよび／またはフィールド位置の変更により、十分な補正が不可能な望ましくない収差が求められたフィールド領域をマスクすることができる。加えて、この方法で、散乱光が露光プロセスに及ぼす影響を補正若しくは加減することができる。結像光の偏光度および／または偏光方向を変えることにより、均一性損失の意味での追加的な画像歪みおよび伝達変化を是正することができる。結像光の波長および特に帯域幅を変えることにより、それに伴って生じ得るコントラスト低減が許容範囲内である限り、多くの場合、焦点深度を大きくすることができる。場合によっては、色収差、すなわちＣＨＶ比（CHV-Anteile）を最小化するためにフィールドサイズを制限することが、同時に好都合であることもある。

多重露光における２回の露光工程の間に、必要であれば、露光された基板の部分パターニングを行うこともできる。そうすれば、例えば、いわゆるスプリット・ピッチ技術による二重露光法の場合、１回目の露光の後にレジストを現像し、最初の構造情報をその下にある基板の中に伝達し、続いて基板を新たにレジストで被覆し、再度露光することによって分解能は高められ、その後、２番目の構造情報を基板の同じ層に伝達することが可能となる。

一般に、本発明によれば、特に均一度、楕円率、偏光度、フォーカス、オーバレイおよび散乱光もパラメータとして計測可能および／または加減可能である。均一度は、結像のために使用される領域を一様に照らし出す上での尺度である。楕円率は、照射瞳を一様に照らし出す上での尺度を表す。偏光度および偏光方向および使用される結像フィールド全体にわたってのその変化も、周知の通り、結像クオリティに影響する。フォーカスは、使用される光学系の光軸に沿った最良の設定面の位置を表す。パラメータとしてのオーバレイは、別々のセッティングの間でも露光すべき別々の構造の間でも変化し得る位置決め精度を表す。結像に貢献しない散乱光は、一方でコントラスト損失を生じさせることもあるが、他方で使用されるフィールド全体にわたっての構造幅の変化の原因にもなり得る。

波面測定装置を内蔵した調整可能なマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影部の概略側面図である。 図１の露光装置を用いた感光層の構造露光方法のフローチャートである。 例えば図１の露光装置を用いて露光された感光層を通る光路の概略側面図である。 図３ａに示した側面図に対応する、収差の最適化を行わずに結像系の開口数を第１の低い値に設定したときの波面収差プロファイルのグラフである。 図３ａに対応する、収差最適化がなされたときの光路の概略側面図である。 図３ｂに対応する、収差最適化がなされたときの波面収差プロファイルのグラフである。 図３ａに対応する、開口数をより高い第２の値に設定したときの光路の概略側面図である。 図３ｂに対応する、開口数をより高い第２の値に設定したときの波面収差プロファイルのグラフである。

Claims (13)

1. 調整可能な光学系（２０）の露光プロセスを用いた基板のパターニング方法であって、
   前記基板上で構造画像を生成するために使用される多重露光が、
   複数回の露光のうち少なくとも１回について、前記光学系の結像クオリティを個別の測定工程で求め、それに応じて結像クオリティに影響する前記光学系の少なくとも１つのパラメータを設定することを特徴とする方法。
2. 前記露光の少なくとも１回についての測定工程を前記露光の直前に実行することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記露光の少なくとも１回についての測定工程を１回目の露光の前に実行し、前記結像クオリティに影響する前記少なくとも１つのパラメータに関する設定を呼出し可能な形で記憶し、当該回の露光の実行時に呼出すことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
4. 収差に関する前記結像クオリティに影響する前記少なくとも１つのパラメータの設定が、1つ以上の調整可能な光学素子（４、７、１１）および／または光学系の入射側焦点距離の設定を含むことを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
5. 前記個別の測定工程を、点回折干渉計測、シェアリング干渉計測、フィゾー干渉計測、トワイマン・グリーン干渉計測またはシャック・ハルトマン干渉計測に基づく方法で実行することを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
6. 半導体ウェハー上のフォトレジスト層の構造露光について、前記調整可能な光学結像系としてマイクロリソグラフィ投影露光装置を用いて実行することを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
7. 前記結像クオリティに影響する前記少なくとも１つのパラメータの設定が、多重露光の少なくとも１回の露光プロセスの後に、露光に利用される照明の偏光度、前記照明の偏光方向、前記光学系の少なくとも１つのコンポーネントの開口数、結像光の照射方向および波長をパラメータとして含むグループの中から少なくとも１つの可変パラメータを設定することを含むことを特徴とする、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
8. 多重露光の少なくとも２回の露光プロセスの間に前記基板の部分パターニングを実行することを特徴とする、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
9. 前記光学系の少なくとも１つの光学コンポーネントの収差、使用される結像フィールド全体にわたっての照度の変化、設定された照射方向全体にわたっての照度の変化、使用される結像フィールド全体にわたっての照明偏光度の変化、使用される結像フィールド全体にわたっての照明偏光方向の変化、設定された照射方向全体にわたっての照明偏光度の変化、設定された照射方向全体にわたっての照明偏光方向の変化、結像の位置精度、結像の最良設定面、結像光の波長、および、結像光全体に占める散乱光の割合をパラメータとして含むパラメータグループの中から、光学系の結像クオリティの指標となる1つ以上のパラメータを前記測定工程によって求めることを特徴とする、請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
10. 収差を求めるために偏光ビームを使用することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
11. 前記結像クオリティに影響する前記少なくとも１つのパラメータの設定が、前記光学系の少なくとも１つのフィールド平面および／または瞳平面における少なくとも１つの透過フィルタ素子の設定、および／または、前記光学系の少なくとも１つのフィールド平面および／または瞳平面における少なくとも１つの偏光影響フィルタ素子の設定を含むことを特徴とする、請求項１〜１０の何れか一項に記載の方法。
12. 前記結像クオリティに影響する前記少なくとも１つのパラメータの設定が、使用可能な結像領域中の結像フィールドの位置および／または結像フィールドのサイズを用いて、使用される結像フィールドにおける結像クオリティを最適化すること、および／または、露光する基板を前記光学系の光軸に垂直および／または平行に位置決めすることによって結像クオリティを最適化すること、および／または、前記光学系の光学的に有効な１以上の素子の交換によって結像クオリティを最適化することを含むことを特徴とする、請求項１〜１１の何れか一項に記載の方法。
13. 前記結像フィールドのサイズを用いて結像クオリティを最適化することが、走査露光型光学系の走査方向に沿って結像フィールドのサイズを制限することを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。

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