[go: up one dir, main page]

JP2007517413A - 基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法 - Google Patents

基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007517413A
JP2007517413A JP2006547553A JP2006547553A JP2007517413A JP 2007517413 A JP2007517413 A JP 2007517413A JP 2006547553 A JP2006547553 A JP 2006547553A JP 2006547553 A JP2006547553 A JP 2006547553A JP 2007517413 A JP2007517413 A JP 2007517413A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mixture
particles
predetermined
concentration ratio
process chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006547553A
Other languages
English (en)
Inventor
イズメイル カシュコウシュ
ギムシャン チェン
リチャード ノヴァク
Original Assignee
アクリオン・エルエルシー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アクリオン・エルエルシー filed Critical アクリオン・エルエルシー
Publication of JP2007517413A publication Critical patent/JP2007517413A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105Etching inorganic layers
    • H01L21/31111Etching inorganic layers by chemical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

酸化ケイ素のエッチング速度を安定させつつ高い選択性を提供する、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素の選択エッチング装置(図5)及び方法。本発明は、プロセスチャンバ(10)、注入ライン(20、21、22)、供給ライン(30、31、32)、再循環ライン(40)、プロセス制御器(200)、濃度センサー(50)、粒子計数器(55)、排出ライン(90)、を含む。本発明は、少なくともひとつの基板の処理中に、使用されるエッチング液の構成要素の濃度比を動的制御し、および/または、エッチング液内の粒子数を動的制御する。結果として、エッチング液の液寿命は延び、エッチングプロセスパラメータは、よりしっかりと制御される。

Description

本出願は、2003年12月30日付けで出願された米国仮出願第60/533,097号を記載することによりこの利益を主張する。
マイクロ電子デバイスの大きさは減少し続け、現在では小さなナノメーターにまでなっているので、ウエハ表面処理手順はIC製造におけるますます重要な役割を果たす。処理化学薬品、順序、および多くの洗浄ステップは、必要な最終結果を出すことにおいて、非常に重要な意味を持つ。半導体製造が進歩し続けるのに従って、ますます小さいデバイスが、同じウエハ表面域でデザインされ、製造される。これらの微細構造は新しい一連の処理問題をマイクロチップ製作技術者と科学者に与えた。これらの問題の1つは、基礎をなす酸化ケイ素膜と比較した、窒化ケイ素(Si)の選択エッチングである。
Siのエッチングは、現在、プラズマドライエッチングまたは反応性イオン・エッチング(RIE)を含むさまざまな方法で達成される。しかしながら、SiのRIEは、基礎をなす酸化膜に高い選択性を提供できない。さらに、表面孔食の形式で、SiのRIEは基礎をなす膜またはシリコン基板を減らすことが出来る。他の既存のSiのエッチング方法は、リン酸(HPO)の塗布である。HPOの使用は、二酸化ケイ素(SiO)と比べて、Siのエッチングの高い選択性を有するため、これまで用いられている。HPOを使用する典型的なSiエッチング反応について、以下の通り説明することができる。
Figure 2007517413
この反応で、水はSiを加水分解し、含水シリカとアンモニアを形成する。アンモニアは、リン酸アンモニウムを形成するために溶液内に残る。この反応は、Siをエッチングするために水が化学反応の不可欠の部分であると示唆する。窒化物がエッチングされるとき、含水SiO(HOSiO)が溶液内で形成され、エッチングを妨げる。すなわち、高い選択性を生じさせる。図1,2に示すように、SiOのエッチングは、システム(リン酸液及びウエハ)が平衡となるまで(質量移動なく)減少し続け、その時に止まる。一度平衡になると、SiO膜は再び堆積する。基板構造がこの再堆積で許容することができる耐性に応じて、液寿命は決定する。この酸化物のエッチ速度の遅さは有益である(すなわち、高い選択性を有する)。しかし、この再堆積は、望ましくない、ウエハ上での高い粒子のカウントを生じさせる。この現象が非常に顕著であるので、それを予測することができる。図2に示したように、粒子レベルは、これらのカウントの大幅な増加が認められた後に、溶液中で処理された50枚のウエハバッチの21バッチまでが、約40粒子程度の増加である。
半導体製造中に、酸化ケイ素と比べてより選択的にSiをエッチングしようとする試みで多くの加工処理が開発されているが、既存のシステムは最適とは言えず、多くの欠点がある。たとえば、米国特許6,376,261(第261特許)で、ウエハの表面におけるエッチ速度を予測する制御機構を有するシステムが開示されている。該システムは、ウエハ上の薄膜の厚さを測定し、先の膜厚の測定に基づくシステム・パラメータを調整する。エッチング液は汚染され、および/または、時間がたつと成分の濃度比は変化するので、ウエハのバッチ間で調整が行われると、製造休止時間が生じ、ウエハの各バッチ間でのエッチングの選択性が減少する。加えて、第‘261特許で開示されたシステムはIC製作レベルで高度な工程管理システム(APC)を必要とする。
さらに、エッチングシステムは米国特許3,715,249(第‘249特許)、米国特許6,087,273(第‘273特許)、及び米国特許5,885,903(第‘903特許)で開示されている。これらのシステムは、硫黄とリン酸の混合液を使用して、選択エッチングの達成を試みているが、これらのシステムは、工程と混合液のパラメータを制御することによってエッチングの最大の選択性を確実にする制御システムを含まない。このように、エッチング液は汚染され、および/または、時間がたつと成分の濃度比は変化するので、これらのシステムは、ウエハの各バッチ間でのエッチング選択性を減少させる。
米国特許5,310,457では、酸化ケイ素への窒化物のエッチング選択性を増加させるため、リン酸へのHF(フッ酸)と硝酸の添加を利用するエッチングシステムが開示されている。しかしながら、リン酸へのHFと硝酸の添加は性能において最適ではないと立証されている。
結局、先行技術のエッチングシステムと方法は、二酸化ケイ素への窒化ケイ素のエッチングで高い選択性を達成することができるが、エッチング選択性の最大化は十分な唯一の目的ではない。窒化ケイ素のエッチングと酸化ケイ素のエッチングの両方のための、一貫して安定したエッチ速度もまた望まれる。以上のように、図1は、165℃でリン酸(85%wt)を使用する従来の窒化ケイ素のエッチングシステムから得られた結果を示す。見てわかるとおり、処理された多くのウエハによって酸化物のエッチ速度が減少している間、窒化物のエッチ速度は安定している。同様の作用は図2に示される。窒化物のエッチ速度と酸化物のエッチ速度は何時間もモニターされた。選択性(すなわち、窒化ケイ素のエッチ速度/酸化ケイ素のエッチ速度)は図3に描かれる。酸化ケイ素のエッチ速度の連続した低下によって、時間に伴い、選択性は明らかに増加する。酸化ケイ素の損失は最小となるので、この傾向は良いものであるが、それはまた加工処理することができるウエハのタイプを制限する。通常、ウエハはしばらく、エッチング酸に浸される。このように、窒化ケイ素のエッチ速度は固定されているが、取り除かれた酸化ケイ素の量はロット番号により異なる。そしてそれゆえに、装置の寸法は異なり、さまざまな性能をもたらす。みればわかるように、これは望ましくない。加えて、図4で示すように、この方法におけるウエハの連続した加工処理で、(エッチング副生成物からの)粒子は、溶液内、そしてゆくゆくはウエハ上の堆積物内で増加する。ウエハ上の粒子は、溶液内(1500Aは各ウエハから取り除かれた)で加工処理された20x50x200mmのウエハまで許容レベル(<40@0.16um)で残る。その時、溶液は、新しい加工処理サイクルを始めるために排出され、再び新鮮な酸で満たされる必要がある。このシナリオでは、溶液を排出する/満たす/過熱するのに約2時間かかり、溶液の利用が最も少なくなる。このように、エッチ速度の可変性は、既存の窒化ケイ素のエッチングシステムと方法における主な欠点である。
発明の要旨
したがって、本発明の目的は、結果的に酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択性を増加させる、少なくともひとつの基板から窒化ケイ素をエッチングするためのシステムと方法を提供することである。
本発明の別の目的は、加工処理条件とパラメータの動的制御を提供する、少なくとも1つの基板から窒化ケイ素のエッチングをするためのシステムと方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、エッチング混合液の構成要素濃度比および/またはケイ酸塩濃度に基づく加工処理条件とパラメータの動的制御を提供する、少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングするためのシステムと方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、APCシステム(APC)をIC製造レベルで必要とせず、むしろ窒化物エッチングツールレベルで必要とする、少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングするシステムと方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、リン(または、リンの/硫黄の)の溶液内で、粒子汚染物質のリアルタイムの測定を許容する、少なくとも1つの基板から、窒化ケイ素をエッチングするためのシステムと方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、安定した窒化ケイ素のエッチ速度を提供し、酸化物のエッチ速度での変化量を減少させ、および/またはエッチング液内で増加する粒子汚染物質を減少させる、少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングするためのシステムと方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、液寿命全てにわたるエッチングの高くて安定した選択性、安定した窒化ケイ素と酸化ケイ素のエッチ速度、最小の酸化物の損失、より長い液寿命(そしてそれによる低い所有コスト)、基板上の許容できる粒子レベル、および/またはいくらかの加工処理ステップの減少、を提供する、少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングするためのシステムと方法を提供することである。
本発明によって、これらと他の目的は達成される。これは、1つの側面では、少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングする方法であり、以下のものを含む。プロセスチャンバと、プロセスチャンバに液体が流れるように連結している再循環ラインを有する閉ループ循環システムを提供すること;所定の濃度比と所定の量を有する混合液を形成するため、所定の量で硫酸、リン酸、水を閉ループ循環システムに供給すること。混合液はプロセスチャンバを満たし、再循環ライン内へ流出する;プロセスチャンバ内の混合液に少なくともひとつの基板を沈める;閉ループ循環システムを介して混合液を循環させること;濃度センサーを用いて混合液の濃度比を連続的に測定する;測定された濃度値が所定の濃度比の範囲内にあるかどうか判断するために、測定された濃度比と所定の濃度値を比較すること;測定された濃度比が所定の濃度比の範囲内にないと判断された場合、閉ループ循環システムから混合液を排出している間に、自動的に実質的に等容積の硫酸、リン酸、および/または水を閉ループ循環システムに供給すること。閉ループ循環システムは少なくとも1つの基板の処理中に、所定の範囲内に混合液の濃度比を戻す。
1つの実施例では、発明の方法の態様はさらに以下のものを含むことができる;粒子計数器で混合液内の粒子数を連続して測定すること;測定された粒子数が所定の粒子数より多いかどうか判断するため、測定された粒子数と所定の粒子数を比較すること;混合液に所定の粒子数より多い粒子数が検出された場合、自動的に閉ループ循環システムから混合液を排出し、実質的に等容積の硫酸、リン酸、および/または、水を閉ループ循環システムへ供給すること。閉ループ循環システムは少なくとも1つの基板の処理中に、所定の粒子数またはそれより少ない粒子数に混合液の粒子数を戻す。
他の態様では、本発明は少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングする方法であり、以下のものを含む;(a)所定の濃度比を有する所定の量の混合液を形成するために、所定の量で硫酸、リン酸、および水をプロセスチャンバへ供給すること;(b)閉ループ循環システム内でプロセスチャンバを介して混合液を循環させること;(c)プロセスチャンバ内で混合液の中に少なくとも1つの基板を沈めること;(d)循環する混合液内でエッチング副生成物の影響を減少させるため、閉ループシステムから混合液を排出すること;(e)閉ループから排出した混合液の量を元に戻すため、硫酸、リン酸、および/または水を供給すること;排出した量は、所定の濃度比の所定の範囲内まで混合液の濃度比を戻すか維持するために選択される。
この態様では、いくつかの実施例で本発明は実施することができるので、連続で、または一定の間隔をあけて、ステップ(d)と(e)の排出と供給が行われる。他の実施例では、本発明の態様は以下のステップを含む;(f)少なくとも1つの基板の処理をする間、濃度センサーを用いて混合液の濃度比を連続的に測定すること;(g)測定された濃度値が所定の濃度比の所定範囲内にあるかどうか判断するため、測定された濃度比と所定の濃度値を比較すること;(h)測定された濃度比が、所定の濃度比の所定範囲内にないと判断された場合、自動的にステップ(d)と(e)を実行すること。
さらに別の態様では、本発明は、少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングするためのシステムであり、以下のものを含む;プロセスチャンバと、プロセスチャンバに液体が流れるように連結している再循環ラインを有する閉ループ循環システム;所定の濃度比を有する所定量の混合液を形成するための、硫酸、リン酸、および水の供給手段;閉ループ循環システムを介して混合液を流れさせる手段;プロセスチャンバ内で少なくとも1つの基板を処理する間に、混合液の濃度比を連続的に測定し、測定された濃度比の信号表示をする濃度センサー;閉ループ循環システムへ、硫酸、リン酸、および水を供給する手段;閉ループ循環システムからの混合液の排出手段;濃度センサー、供給手段、および排出手段と操作可能に連結している処理装置;少なくとも1つの基板の処理中に、濃度センサーから、所定の濃度比の所定範囲内に濃度比がないという信号表示を受けたとき、自動的に、硫酸、リン酸、および/または、水を閉循環システムに加えるよう供給手段を動かし、閉ループ循環システムから実質的に等容積の混合液を抜き取るよう排出手段を動かすことによって、所定の濃度比の所定範囲内に混合液の濃度比を戻すように、処理装置はプログラムされる。
いくつかの実施例では、本発明のシステムはさらに以下のものを含んでいてもよい;プロセスチャンバ内で少なくとも1つの基板の処理中に混合液の粒子数を連続的に測定し、測定された粒子数の信号表示をする粒子計数器;処理装置は粒子計数器にも操作可能に連結している;また、少なくとも1つの基板の処理中に、所定の粒子数以上の測定された粒子数の信号表示を受けたとき、自動的に閉ループ循環システムへ硫酸、リン酸、および/または、水を加えるよう供給手段を動かし、閉ループ循環システムから実質的に等容積の混合液を抜き取るよう排出手段を動かすことによって、混合液の粒子数を所定の粒子数以下に戻すように、処理装置はプログラムされている。
さらに別の態様では、本発明は、少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングする方法であり、以下のものを含む;プロセスチャンバと、プロセスチャンバに液体が流れるように連結する再循環ラインを有する、閉ループ循環システムを提供すること;所定量のエッチング液を閉ループ循環システムへ供給し、エッチング液はプロセスチャンバを満たし、再循環ライン内へ流出すること;プロセスチャンバ内で、エッチング液の中へ少なくとも1つの基板を沈めること;閉ループ循環システムを介して混合液を循環させること;粒子計数器を用いてエッチング液の粒子数を連続的に測定すること;少なくとも1つの基板処理中に、エッチング液の測定された粒子数が所定の粒子数以上であると検知したら、自動的に、閉ループ循環システムからある量の汚染されたエッチング液を排出し、同時に、該量の新鮮なエッチング液を閉ループ循環システムへ供給することによって量を戻すこと。これにより、所定の粒子数にまたはそれ以下に閉ループ循環システム内のエッチング液の粒子数を戻す。
図1は、従来技術の単に混ぜただけのリン酸を用いて処理されたウエハの数を関数として、窒化物と酸化物のエッチ速度を比較するグラフである。 図2は、従来技術の単に混ぜただけのリン酸を利用する200mmのウエハ50枚のバッチを時間の関数として、窒化物と酸化物のエッチ速度を比較するグラフである。 図3は、従来技術の単に混ぜただけのリン酸を用いた、200mmのウエハ50枚のバッチを時間の関数として、酸化ケイ素のエッチ速度に対する窒化ケイ素のエッチ速度の選択性を示したグラフである。 図4は、従来技術の単に混ぜただけのリン酸を用いて処理されたウエハの数を関数として粒子数とエッチ速度を比較するグラフである。 図5は、本発明の一実施例による、選択エッチング装置の略図である。 図6は、本発明の一実施例による、図5の選択エッチング装置を運転する際の、システム制御装置により実行される高レベルフローチャートである。 図7は、本発明の一実施例による、粒子汚染レベルを測定する図5の窒化物エッチング装置の制御方式と代表的な操作を表したグラフである。 図8は、本発明の一実施例による、リン酸のみのエッチング液についての供給および排出アルゴリズムを用いた、窒化ケイ素および酸化ケイ素のエッチ速度の安定性を示したグラフである。 図9は、本発明の一実施例による、リン酸と硫酸の混合エッチング液についての供給、排出アルゴリズムを用いた、窒化ケイ素と酸化ケイ素のエッチ速度の安定性を示したグラフである。 図10は、本発明の一実施例によって処理された際の、ウエハの粒子汚染の安定性を示したグラフである。
図1は、本発明の一実施例による、基板エッチングシステム100の略図である。基板エッチングシステム100は、プロセスチャンバ10、硫酸(HSO)注入ライン21、リン酸(HPO)注入ライン22、水(HO)注入ライン20、HSO供給ライン30、HPO供給ライン31、HO供給ライン32、再循環ライン40、プロセス制御器200、濃度センサー50、粒子計数器55、ポンプ60、ヒーター70、フィルター80、排出ライン90、を含む。それらを介した各流動体の流れを制御するため、加減弁23−25は、注入ライン20−22に操作可能に連結している。同様に、各流動体の流れを制御するため、加減弁33−35は、供給ライン30−32に操作可能に連結している。
図示しないが、HSO注入ライン21と、HSO供給ライン30は、補助ドラムまたは貯留槽のようなHSOの発生源と操作可能に連結している。HSO注入ライン21とHSO供給ライン30は、処理の必要性、および/または、空間の制限しだいで、それぞれ同じまたは異なったHSOの発生源と連結し得る。同様に、HPO注入ライン22とHPO供給ライン31は、それぞれHPOの発生源と操作可能に連結する。HPO注入ライン22とHPO供給ライン31は、処理の必要性、および/または、空間の制限しだいで、それぞれ同じまたは異なったHPOの発生源と連結し得る。HO注入ライン20とHO供給ライン32は、それぞれHOの発生源と操作可能に連結する。HO注入ライン20とHO供給ライン32は、処理の必要性、および/または、空間の制限しだいで、それぞれ同じまたは異なったHOの発生源と連結し得る。
プロセスチャンバ10は、再循環ダム(recirculation
weir)11と処理槽(processing volume)12を含む。一組の吸入マニフォールド13は、処理槽(processing volume)12へ流体を案内するため、プロセスチャンバ10の処理槽12の底部に備えられる。処理槽(processing volume)12は、そこに多数のウエハ14を支持することができる十分なサイズである。ウエハ14は垂直に支持されていると図示されているが、水平方向にも設置可能である。さらに、プロセスチャンバ10は、単一ウエハ処理のためにも作られ得る。
プロセスチャンバ10はまた、排出ライン90を含む。排出ライン90は、ウエハ処理中にプロセスチャンバ10の処理槽(processing volume)12から液体を排出することができるように、プロセスチャンバ10の排出口(図示せず)と液体が流れるように連結している。排出ライン90を介した、および閉ループ循環システムから外への、流体の流速(質量のまたは容積測定の)を制御し得るように、排出加減弁91は、排出ライン90と操作可能に連結している。
処理槽(processing volume)12から再循環ダム(recirculation weir)11へ流出するいくらかの液体を、必要に応じて再循環ライン40へ引き込むことができるように、再循環ライン40の一端は、再循環ダム(recirculation weir)11の底部の穴に、液体が流れるように連結している。再循環ライン40の他端は吸入マニフォールド13と液体が流れるように連結している。再循環ライン40は、再循環ダム(recirculation weir)11からプロセスチャンバ10の処理槽(processing volume)12へ液路を形成する。このように、プロセスチャンバ10と結合している再循環ライン40は閉ループ循環システムを形成する。
ポンプ60、ヒーター70、およびフィルター80は、全て再循環ライン40と操作可能に、液体が流れるように連結している。そのようなものとして、再循環ライン40を通る液体はヒーター70によって望まれる温度へ加熱され得る。フィルター80は、液体が再循環ライン40を通るときに、液体からイオンの、および/または、粒子状の汚染物質を取り除く事ができる。濃度センサー50、および粒子計測器55は、再循環ライン40に操作可能に連結しているので、再循環ライン40を通る液体の適切な測定をすることができる。濃度センサー50は、構成要素の濃度比を判断するため、NIR分光計または、FT−NIR分光計のような、混合液を分析することのできる機器であればどのようなものでもよい。粒子計測器55は、本技術分野で一般的である、たとえば液体微粒子カウンタのような、液体内の粒子を計測することができる機器であればどのようなものでもよい。
プロセス制御器200は、それらとの通信のために、加減弁33−35、濃度センサー50、粒子計測器55、および排出弁91と操作可能に連結している。これらの操作可能な連結は、適切な電気の、光ファイバーの、ケーブルの、又は他の適当な接続を介して容易となり得る。図5に、構成要素33−35、50、55、91とプロセス制御器200の操作可能な連結を破線で示す。プロセス制御器200は、プログラマブル論理制御装置、パーソナル・コンピュータ、またはプロセス制御のための同様のものを基礎とする適切なマイクロプロセッサであり、制御され、および/または連通される必要があるエッチングシステム100の多様な構成要素33−35、50、55、91へ連結するのに使用される多様な入力/出力口を含むことが好ましい。
また、プロセス制御器200は、処理手段、パラメータ、及び他のデータ、たとえば、所定の(すなわち目標の)濃度比、所定の粒子数、所定の範囲、流速、処理時間、作業条件、及び同様のものを記憶するために、十分なメモリを有することが好ましい。プロセス制御器200は、自動的に作業条件、たとえば、供給ライン30−32のどれか1つ単独または組み合わせを介した流れの活性化、排出ライン90を介した流れの活性化、ポンプ活性化、熱の利用、および濾過、に適合するように、操作可能に連結したエッチングシステム100のありとあらゆる構成要素と連通することができる。図示しないが、プロセス制御器200はまた、必要に応じて、ヒーター70、ポンプ60、吸入マニフォールド13、および加減弁23−25と接続し得る。
また、濃度センサー50および粒子計数器55からデータ信号を受け、入ってきたデータ信号を分析し、値と範囲を記憶するため、入ってきたデータ信号によって表示された値を比較し、エッチング液混合液内の所定の特性を得るために、ライン30−32を介して新たなエッチング液構成要素を循環内へ供給することによって、及び/または排出ライン90を介して汚染された/古いエッチング液を排出することによって、自動的にウエハの処理に使用されるエッチング液への適切な調節をするように、プロセス制御器200は適切なアルゴリズムでプログラムされている。たとえば、プロセス制御器200は、濃度比と粒子数のための所定の値と所定の許容できる動作範囲を記憶し得る。これについては、システム100の操作に関して以下で詳細に述べる。使用されるプロセス制御器の種類は、それが組み込まれたシステムの正確なニーズによって決まる。
本発明の一実施例によるエッチングシステムの操作について論じる。議論を簡略化するために、エッチング処理を行うために使用される他のバリエーション、改良、およびエッチングシステムについては簡単に説明するとともに、この方法を図5のエッチングシステム100に関して論じる。
エッチングを必要とする多数のウエハ14を用意する。ウエハ14はIC製造のためのシリコンウエハが好ましく、その上に窒化ケイ素(Si)と酸化ケイ素(SiO)の両方の層を含むことが好ましい。しかしながら、他の種類の基板、たとえばMEMS基板、フラットパネルディスプレー等も使用可能である。処理工程の始めには、全ての弁23−25、33−35、90は閉鎖位置にある。
はじめに、液体のHSO、HPO、およびHOを、プロセスチャンバ10の処理槽(processing volume)12へ、ライン20−22を介して注入するために、加減弁23−25を開放位置へ切り替える。HSO、HPO、およびHOが、プロセスチャンバ10の処理槽(processing volume)12へ供給されるとき、HSO、HPO、およびHOは混合液(すなわちエッチング溶液)を形成するために混合される。HSO:HPO:HOの所定の/望まれる濃度比を有するよう混合液を作成するために、加減弁23−25は注入ライン20−22を通るHSO、HPO、およびHOの流速を制御する。一実施例では、混合液は、HSO(96重量%) 2部、HPO(85重量%) 2部、HO 1部の濃度比を有することが好ましい。しかしながら、必要に応じて、どんな濃度比でも使用できる。さらに、必要に応じて、本発明のいくつかの実施例では、エッチング液としてHPOのみのエッチング液のような、一種類の化学薬品しか使用していない。
混合液が処理槽(processing
volume)12から再循環ダム11(recirculation weir)へ、および再循環ライン40へと流出するまで、HSO、HPO、およびHOはライン20−22を介して、処理槽(processing volume)12へと供給され続ける。いったん所定量のエッチング液の混合液が、閉ループ循環システム(すなわち、プロセスチャンバ10および再循環ライン40)内で供給され、形成されると、弁23−25は閉じられ、それによってプロセスチャンバへのHSO、HPO、およびHOの供給は止まる。
この時点で、ポンプ60は動かされ、再循環ライン40を通る、プロセスチャンバ10(ダム11を介して)からの混合液の循環的な流れを引き起こし、プロセスチャンバ10へ(吸入マニフォールド13を介して)戻す。混合液は、再循環ライン40を通るときにヒーター70とフィルター80を通る。ヒーター60は、混合液を約160から180℃の範囲内で加熱することが好ましく、最も好ましいのは165℃である。また混合液は、濃度センサー50と粒子計数器55を通る。濃度センサー50と粒子計数器55は共に再循環ライン40と操作可能に連結している。
混合液が再循環ライン40を通り過ぎるとき、濃度センサー50は混合液の濃度比(すなわち、HSO:HPO:HOの比)を連続的に測定する。所定のパターンに従って、基本的に連続的、または周期的となるように、濃度レベルの連続的な測定は1秒間に何回も行うことができる。濃度センサー50は、電気的な接続を介した処理のため、測定された混合液の濃度比のデータ信号表示を作成し、これらの信号をプロセス制御器200へ連続的に送信する。同様に、粒子計数器55は、混合液が再循環ライン40を通りすぎるときに、混合液内の粒子レベルを連続的に測定する。電気的な接続を介した処理のため、粒子計数器55は、混合液内で測定された粒子数/粒子レベルのデータ信号表示を作成し、これらの信号をプロセス制御器200に連続的に送信する。
濃度センサー50と粒子計数器55からデータ信号を受け取ると、プロセス制御器200はデータ信号を分析し、測定された値と、メモリ内に記憶されている所定の/望ましい値とを比較する。具体的には、測定された濃度比が、所定の濃度比の、所定の/許容できる範囲内にあるかどうか判断するために、測定された濃度比は、記憶されている所定の/望ましい濃度比と比較される。測定された粒子数が所定の粒子数より多いかどうか判断するために、測定された粒子数は、記憶された所定の/望ましい粒子数と比較される。測定された濃度比は、リン酸85重量%から50重量%、硫酸0重量%から30重量%、水15重量%から20重量%、の範囲内にあることが好ましい。濃度比の所定の/許容できる範囲は、+/−5重量%が好ましい。所定の粒子数は、1ml(ミリリットル)あたり10から1000カウントが好ましく、0.2μmで約100カウント/mlが最も好ましい。
再循環ライン40を介して流れる混合液の測定された濃度比と、所定の/望ましい濃度比を比較すると、プロセス制御器200は、測定された濃度比が、所定の濃度比の所定の範囲内にあるかどうか判断する。同様に、プロセス制御器は、混合液の測定された粒子数が所定の粒子数より多いかどうか判断する。
プロセス制御器200が、(1)測定された濃度比が所定の濃度比の所定の範囲内にあり、(2)測定された粒子数が所定の粒子数と等しいもしくはそれより少ない、と判断したなら、何も作動せず、ウエハ14の処理の準備が整う。しかしながら、(1)測定された濃度比が所定の濃度比の所定の範囲内に無い、または(2)測定された粒子数が所定の粒子数と等しくなく、それより多い場合には、プロセス制御器は、混合液内で許容できる濃度比と許容できる粒子数にするため、適切な供給と排出を行う。供給と排出の動きについては後に詳細に述べる。
(1)測定された濃度比が所定の濃度比の所定範囲内にあり、(2)測定された粒子数が所定の粒子数と同等またはそれより少ない、とすれば、プロセス制御器は、溶液がウエハエッチング/処理の準備ができたと表す信号をユーザーインターフェースへ送る。この時、ウエハ14のバッチは、完全に混合液内に沈むまで、処理槽(processing volume)12へ入れられる。ポンプ60は、ローディングと処理時間の間ずっと、閉ループ循環システムを介して混合液を流れさせ続ける。濃度センサー50と粒子計数器55は両方とも、ウエハ処理とローディングの間、それぞれの測定機能を実行し続ける。
ウエハ14が混合液(すなわちエッチング液)にさらされるとき、窒化ケイ素は、酸化ケイ素に対して選択的にエッチングされる。標準状態(165℃)の窒化ケイ素の処理は、窒化物のエッチ速度が55±5A/分である。新たに準備されたタンクの典型的な選択性はおよそ40:1である。この選択性は現在の浅溝素子分離(STI)処理には不十分である。多くの機構は、酸化物の損失を数オングストロームにとどめることを欲する。混合液が使用されると、ホスホシリケート(phosphosilicates)が混合液内で増加し、酸化物のエッチングで逆反応を起こす、すなわち、酸化物のエッチ速度が減少し、選択性が増加する。これは、ホスホシリケート(phosphosilicates)が飽和状態になるまで続く。この時、酸化物の堆積が生じ、飽和効果によってウエハ14上に、光ドープされた酸化物の層が配置される。このように、80:1以上の選択性、および100:1以上の選択性の可能性をもってウエハを処理するために、飽和状態および“十分に注入された”溶液の間には、処理するのにタイミングのいい機会がある。しかしながら、混合液は、生産性を低下させる擬似窒化物を緩和する必要性があり、生産性を損なう飽和した混合液の液寿命は更に短いために、問題が生じる。
エッチングシステム100は、溶液内のケイ酸塩のレベルを管理/制御し、ケイ酸塩を安定したレベルに保つことによって、生産性の損失を取り戻すよう設計されている。エッチングシステム100は、(1)濃度センサー50および粒子計数器55を用いて混合液の濃度比、および/または粒子レベルを厳密にモニターすること、および/または(2)自動的な供給、排出により、濃度比および/または混合液濃度比の粒子レベルをしっかりと制御すること、によってこれを行う。標準的な供給、排出工程では、多量の新鮮な混合液(またはその構成要素)は、同量の古い混合液が除去される間に溶液に加えられる。結果として、ホスホシリケート(phosphosilicates)の飽和率はほぼ一定である。混合液の溶液を“調整”する必要性を減少させるのに加えて、保持すべき飽和液の既知の容積に対して新鮮な溶液が加えられるので、初期の選択性さえ比較的高い。
本発明の一実施例に従った供給、排出の制御概念の一例について論じる。ウエハ14が混合液にさらされ、窒化ケイ素と酸化ケイ素の層が選択的にエッチングされるとき、粒子を含む、エッチング副生成物は混合液の中で増加し、混合液の濃度比は変化する。この処理時間中、濃度センサー50と粒子計数器55はそれぞれの測定機能を実行しつづけ、プロセス制御器200は、上述したようなデータ分析機能を実行する。プロセス制御器200が(1)測定された濃度比が所定の濃度比の所定範囲内に無い、または(2)測定された粒子数が所定の粒子数と同等ではなく、それより多い、と判断するまで、混合液は閉ループ循環システムを通って流れ続け、少しの変更も無くウエハ14を処理し続ける。
最初に粒子レベル制御について、プロセス制御器200が測定された粒子数をモニターし、測定された粒子数が所定の粒子数より多いと検出したと仮定する。この時点で、プロセス制御器200は、弁33−35と排出弁91へ同時に適切な制御信号を送る。制御信号を受け取ると、弁33−35と排出弁91は、開位置へ切り替わる。弁91が開くと、排出ライン90を介して閉ループ循環システムから、古い/汚染された混合液が排出される(すなわち抜き取られる)。弁33−35が開くと、新しいHSO、HPO、およびHOが、望ましい比で、供給/スパイクライン30−32を介して、閉ループ循環システムへ供給される(すなわち加えられる)。各ライン90、30−32上で、供給、排出の流速を正確に制御するように、プロセス制御器200は、弁33−35と排出弁91を開ける。
排出弁91は、閉ループ循環システムから、古い混合液を必要な量取り除くまで、開位置で維持される。弁33−35はまた、閉ループ循環システムへ混合液(またはその構成要素)が加えられるまで、開位置で維持される。排出ライン90を介して閉ループ循環システムから排出された古い混合液の量と、供給ライン30−32を介して閉ループ循環システムへ加えられた混合液(またはその構成要素)の量は実質的に等しい。ウエハ14の処理が続いている間、望ましい量の混合液が排出され、取り替えられるまで供給と排出は続き、所定の粒子数以下に、閉ループ循環システム内の混合液の粒子数/レベルが戻る。最初にプロセスチャンバ10へ供給された所定量の混合液全体の量と測定された粒子レベルに基づく多様な状態に適した量を排出し、供給するようにユーザはプログラムする。このように、(ケイ酸塩レベルを表す)混合液内の粒子レベルは、ウエハ処理中に動的に制御され得る。
濃度制御について、プロセス制御器200が再循環ライン40を通って流れる混合液の測定された濃度比をモニターし、測定された濃度比が所定の濃度比の所定範囲内に無いと判断したと仮定する。この時点で、プロセス制御器200は弁33、34、および/または35、および排出弁91へ同時に適切な制御信号を送る。制御信号を受け取ると、適切な弁33、34および/または35、および排出弁91は開位置へ切り替わる。排出弁91が開くと、排出ライン90を介して閉ループ循環システムから古い混合液が排出される(すなわち抜かれる)。減少している比率の混合液の構成要素しだいで、HSO、HPO、HOのすべてまたはどれかが、適切な弁33、34および/または35を作動させることによって、供給/スパイクラインを介して閉ループ循環システム内の混合液へ供給される(すなわち加えられる)。各ライン90、30−32上で供給、および排出の流速を正確に制御するように、プロセス制御器200は、弁33、34および/または35、および排出弁91を開ける。
SO、HPO、および/またはHOの量が、閉ループ循環システム内に残っている混合液の濃度比を、所定の濃度比からの所定の範囲内に戻すために必要とされる量となるまで、適切な弁33、34および/または35は開位置で維持される。加えられたHSO、HPOおよび/またはHOの量と実質的に等しい量の古い混合液が閉ループ循環システムから取り除かれるまで、排出弁91は開位置で保持される。ウエハ14の処理が続いている間、供給と排出は続けられる。測定された濃度比の所定範囲からの偏差、および最初にプロセスチャンバ10に供給された所定量の混合液全体に基づく多様な状況に適した量を排出、供給するように、ユーザはプログラムする。このように、混合液内の濃度比は、ウエハ処理中に動的に制御され得る。
図6は、本発明によるエッチングシステム200のプロセス制御器200によって実施されるプログラム機能を表した高水準のフローチャートである。図7は、どのようにプロセス制御器200がモニターし、測定された粒子数と、所定の粒子数、範囲、及び許容値とを比較するかについての例である。
処理の必要性に従って、粒子レベルと濃度比のための、上述した供給と排出の制御は、エッチングシステムで別々または組み合わせて使用される。さらに、粒子レベルの供給と排出の制御は、HPOのみのような単一の化学薬品のエッチング液を用いたエッチングシステムおよび方法を用いた装置にも適用が可能である。本発明は、水濃度と同様にホスホシリケート(phosphosilicates)の飽和水準を維持するのに必要なソフトウェア及びハードウェアの制御の仕組みを開発したものであり、これは、温度と共に、窒化物、エッチング速度の主要な要素である。
要旨において、本発明は、前述の制御構造を使用することによって、先行技術のエッチングシステムおよび方法の問題を打開すると述べた。混合液の溶液を一部排出し、新しい混合液を供給すると、溶液内のケイ酸塩濃度は一定のままであり、結果として酸化物のエッチ速度もまた一定になる。述べたように、液体微粒子カウンタはケイ酸塩をモニターすることができる。粒子数が必要な値以上にまで増加すると、システムは混合液の溶液を一部排出し、新しい混合液を供給する。ユーザは、ロードされたシステムに基づいて、これらの周期及び継続時間を入力しなければならず、その結果としての汚染物質は粒子センサー(PS)によって検知される。酸化物のエッチ速度が減少している間、結果として生じる窒化物のエッチ速度は安定したままである。いったん酸化物のエッチ速度が許容エッチ速度レベル(または粒子数)の下限に達すると、混合液の溶液は部分的に排出され、粒子数(およびその後許容レベルに達する酸化物のエッチ速度)をもたらす、既知量の新鮮な酸で再び満たされる。この工程は理論的には無限に連続し、ユーザは新しいサイクルを開始することを決定する。

本発明の2つの実施例の有効性をテストするために実験が行われた。実験を行う際に、窒化ケイ素ウエハをエッチングするために酸の溶液を使用した。溶液は濾過され、加熱され、そして濾過される。処理順序は、化学エッチングステップ、続いて純水での洗浄処理、そしてその後の乾燥である。化学的ステップは以下のものから成る:硫酸96%:リン酸(85%wt):水又はリン酸(85%wt):水。化学的ステップは、硫酸(96%wt)、リン酸(85%wt)および水の混合、または、リン酸(85%wt)および15%wtの水の混合、から成る。以下のパラメータおよび状態が存在し、及び/又はセットされた。
−溶液中の混合比を維持するための濃度制御
−供給及び排出アルゴリズムが活用される
−熱窒化及び酸化膜を有する200mmのウエハ
−再循環およびろ過によって構成されたシステム
−浴温=165℃
−テストの前に、ウエハは表面正常化のために洗浄する、希薄なHFまたはSCIを通過する
エッチング速度の計測は、5mmの端部除く49点計測のラドルフ(Rudolph)S300を使用して行った。長時間にわたって、窒化物のウエハのフルロットを処理することにより、窒化物の負荷効果がテストされる。
以下の制御方法が使用される:
−供給および排出:エッチング副生成物の影響を減少させること。既知量の溶液が排出され、既知量の化学薬品の供給が行われる。ユーザは、注入された化学物質および/または水の頻度と量をプログラムする。
−液体微粒子計測器:エッチング処理で生じる液体微粒子をモニターする。
−濃度センサー、例えば、NIR、FT−NIR:該システムは、硫酸、リン酸、および水の濃度をモニターする。ユーザは、設定値を選択し、システムは、調整のため正しい成分を注入することによって設定値を維持する。たとえば、特定された値より低くなると、システムは硫酸を注入する。
−調整された酸の供給(リン酸、および/または硫酸)
−調整された純水の供給
−化学物質の濃度センサー
−液体微粒子カウンタ
−制御アルゴリズム
上述の方法に続いて、ウエハは2つの異なるエッチング液を用いて処理される。1つの実験では、リン酸のみのエッチング液のための供給および排出アルゴリズムを用いてウエハは処理される。他の実験ではリン酸と硫酸の混合エッチング液のための供給および排出アルゴリズムを用いてウエハは処理される。
リン酸のみのエッチング例
図8は、本発明の一実施例に従った、リン酸のみのエッチング液のための供給および排出アルゴリズムを用いた、窒化ケイ素及び酸化ケイ素のエッチ速度の安定性を示したグラフである。図8に示すように、窒化物のエッチ速度は50A/分である。酸化物のエッチ速度が2.47Aである間、400:1の選択性をもたらす。これは、従来の新鮮な硫酸溶液で通常得られるものより極めて高い。図8に示すように、いくつかのウエハが処理されるのとともに、酸化物のエッチ速度は減少し始める。いったん酸化物が許容範囲の下限に到達すると、供給/排出システムは溶液内に既知量のリン酸を注入するために動かされ、エッチ速度を必要なゼロ値にする。システムは供給/排出を続け、エッチ速度を平均〜−0.08A/分に維持する(または、理論上の無限の選択性)(マイナスのエッチ速度は仮想の膜堆積を示す)。
リン酸および硫酸の混合液のエッチング例
図9は、本発明の実施例に従った、リン酸及び硫酸の混合エッチング液のための供給および排出アルゴリズムを用いた、窒化ケイ素及び酸化ケイ素のエッチ速度の安定性を示したグラフである。図8で示したように、(ライン中の粒子計数によって示される)ケイ酸塩の既知濃度は、望ましい選択性を得るために維持される。これは、溶液(未使用の溶液)が最初に使用される時に“旬”であることを必要とする。ケイ酸塩を望ましい選択性を保証するレベルへ至らせるために、溶液内で擬似窒化物のウエハのバッチが処理された場合に、この問題を打開することができる。この処理は、これらのウエハを処理する時間を必要とし、従って、より実用性が低い。
この問題(旬)の他の打開策は、酸化物のエッチ速度を抑える化学物質をリン酸に注入することであり、それにより望ましい選択性がもたらされる。強力な酸化剤として硫酸はリン酸に加えられ、その結果は図9に示す。図9に示すように、酸化物のエッチ速度は、最初から最小である。加えて、酸化物のエッチ速度は、(窒化物のエッチングは常に一定であるが)減少傾向になく、最初から高い選択性をもたらす。供給、排出システムは、値を安定させるよう、ケイ酸塩の濃度(または粒子数)を維持するために既知量のリン(または硫黄)が加えられるのを可能とする。
一般的に、粒子洗浄システムは、全ての処理ステップの一部として導入される。この粒子除去ステップは、水酸化アンモニウム、過酸化水素、および水の混合物内でのウエハの処理から成るSC1(Standard Clean 1)であり、メガソニックによって補助される。このステップは、これらの汚染物質を除去するのにとても効果的であるが、汚染レベルが非常に高いと、粒子除去効果は減少する。
上述した両方の例において、溶液内の粒子レベルが最小レベルで維持されると、ウエハ上の粒子添加はまた、可能な低い値に維持される。結果は図10に示す。図10では、平均的な粒子添加はゼロ値に近い状態で維持される。これらの結果は図4で示されるものより良い。図4では、平均的な粒子増加は40よりも大きい。加えて、リン酸(またはリン酸と硫酸の混合液)を用いた溶液の補給によって粒子数は安定した状態に維持されるので、粒子数の急増はない。
以上の議論は、単に本発明の典型的な実施例を開示し、説明するものにすぎない。当業者には理解されていることだが、本発明の精神および本質的な特徴から離れることなく、他の特定の形態で具体化されてもよい。特に、化学的構成および、または濃度比にかかわらず、使用されるエッチング液はどんな化学的構成であっても制限されず、いくつかのエッチング液の組み合わせで使用されることも可能である。加えて、本発明はさらに濃度制御だけ、粒子数制御だけ、または両方の組み合わせを実行するのに必要な能力を有するシステムと装置を含むことができる。それに応じて、本発明の開示は、制限されないが、本発明の範囲の例証を意図し、以下の特許請求の範囲に記述する。

Claims (23)

  1. 少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングする方法であって、
    プロセスチャンバおよび該プロセスチャンバに液体が流れるように連結された再循環ラインを有する閉ループ循環装置を設け、
    該閉ループ循環装置へ所定量の硫酸、リン酸、および水を注入して、所定の濃度比、および所定量の混合液を形成し、
    前記混合液は、プロセスチャンバを満たし、前記再循環ラインへオーバーフローさせ、
    少なくとも一つの基板を前記プロセスチャンバ内の前記混合液に浸漬させ、
    前記閉ループ循環装置を介して混合液を循環させ、
    濃度センサーを用いて前記混合液の濃度比を連続的に測定し、
    測定された濃度比と所定の濃度値を比較して、測定された濃度値が、所定の濃度比の所定範囲内にあるかどうかを判定し、
    前記測定された濃度比が前記所定の濃度比の範囲内にないと判断された場合、前記閉ループ循環装置から前記混合液を排出する一方で、実質的に等容積の硫酸、リン酸、および/または水を前記閉ループ循環装置に自動的に供給し、前記少なくとも1つの基板の処理中に、所定の範囲内に前記混合液の濃度比を戻す、
    ことを特徴とする、エッチング方法。
  2. 硫酸、リン酸、および水が、初めに注入ラインを介して前記プロセスチャンバに注入されることを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. 前記供給ステップが、スパイクラインを介して提供されている間、硫酸、リン酸、および/または、水が前記混合液に加えられることを特徴とする請求項1記載の方法。
  4. 前記少なくとも1つのウエハを浸漬させる前に前記混合液を加熱することを特徴とする請求項1記載の方法。
  5. 前記混合液は160℃―180℃程度まで加熱されることを特徴とする請求項4記載の方法。
  6. 前記混合液が165℃程度に加熱されることを特徴とする請求項5記載の方法。
  7. 前記所定の濃度比が、およそ硫酸2部、リン酸2部、水1部であることを特徴とする請求項1記載の方法。
  8. 前記オーバーフローした混合液を濾過することを特徴とする請求項1記載の方法。
  9. 粒子計数器を用いて前記混合液内の粒子数を連続的に測定し、
    測定された粒子数と所定の粒子数を比較して、前記測定された粒子数が前記所定の粒子数より多いかどうか判定し、
    前記混合液に前記所定の粒子数より多い粒子数が検出された場合、自動的に前記閉ループ循環装置から前記混合液を排出し、実質的に等容積の硫酸、リン酸、および/または、水を前記閉ループ循環装置へ供給して、前記少なくとも1つの基板の処理中に、前記所定の粒子数またはそれより少なく、前記混合液の粒子数を戻す、
    ことを特徴とする請求項1記載の方法。
  10. 少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングする方法であって、
    (a)硫酸、リン酸、および水を所定量プロセスチャンバへ注入して、所定の濃度比を有する所定量の混合液を形成し、
    (b)閉ループ循環装置内の前記プロセスチャンバを介して前記混合液を循環させ、
    (c)前記プロセスチャンバ内の前記混合液に少なくとも1つの基板を浸漬させ、
    (d)閉ループ循環装置から混合液を排出させ、前記循環する混合液内のエッチング副生成物の影響を減らし、
    (e)硫酸、リン酸、および/又は水を供給して、前記閉ループから排出された混合液の量を戻し、
    前記所定の濃度比の所定範囲内に前記混合液の濃度比を維持するか、戻すために前記排出される量を選択すること、
    を特徴とするエッチング方法。
  11. 前記排出、および供給ステップ(d)、および(e)を連続的または一定の間隔をあけて実行すること、
    を特徴とする請求項10記載の方法。
  12. (f)前記少なくとも1つの基板の処理中に濃度センサーを用いて前記混合液の前記濃度比を連続的に測定し、
    (g)前記測定された濃度比と前記所定の濃度値を比較して、測定された濃度値が前記所定の濃度比の所定範囲内にあるかどうか判定し、
    (h)前記測定された濃度比が前記所定の濃度比の前記所定範囲内に無いと判定された場合、自動的にステップ(d)および(e)を実行すること、
    を特徴とする請求項10記載の方法。
  13. 少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングするための装置であって、
    プロセスチャンバおよび該プロセスチャンバに液体が流れるように連結された再循環ラインを有する、閉ループ循環装置、
    所定の濃度比を有する所定量の混合液を形成するために、硫酸、リン酸、および水を前記閉ループ循環装置へ注入する手段、
    閉ループ循環装置を介して前記混合液を流れさせる手段、
    前記プロセスチャンバ内での少なくとも1つの基板の処理中に、前記混合液の前記濃度比を連続的に測定し、該測定された濃度比を示す信号を生成する濃度センサー、
    前記閉ループ循環装置へ硫酸、リン酸、および水を供給する手段、
    前記閉ループ循環装置から前記混合液を排出する手段、及び、
    前記濃度センサー、前記供給手段、および前記排出手段へ操作可能に連結された処理装置、
    を有し、
    少なくとも1つの基板の処理中に、前記濃度センサーから、所定の濃度比の所定範囲内に濃度比がないことを示す信号を受けたとき、自動的に前記供給手段を動かして、硫酸、リン酸、および/または、水を前記閉循環装置に加え、また、前記排出手段を動かして、前記閉ループ循環装置から実質的に等容積の前記混合液を抜き取り、前記所定の濃度比の所定範囲内に前記混合液の前記濃度比を戻すように、前記処理装置がプログラムされている、
    ことを特徴とする装置。
  14. 前記プロセスチャンバは、複数の基板を受け入れることが出来るように形成されている、ことを特徴とする請求項13記載の装置。
  15. 前記再循環ラインに操作可能に連結されたフィルターを有する、ことを特徴とする請求項13記載のシステム。
  16. 前記再循環ラインに連結され、前記混合液を加熱するためのヒーターを有する、ことを特徴とする請求項13記載の装置。
  17. 前記プロセスチャンバへ硫酸、リン酸、および水を注入する手段が、弁を有する複数の注入ラインである、ことを特徴とする請求項13記載の装置。
  18. 前記混合液へ硫酸、リン酸、および水を供給する手段が、弁を有する複数のスパイクライン(spike lines)である、ことを特徴とする請求項17記載の装置。
  19. 前記プロセスチャンバへ硫酸、リン酸、および水を注入する手段と、前記混合液へ硫酸、リン酸、および水を供給する手段が同一である、ことを特徴とする請求項13記載の装置。
  20. 前記排出手段は、排出ラインに操作可能に連結され排出弁を有する、ことを特徴とする請求項13記載の装置。
  21. 前記プロセスチャンバ内で少なくとも1つの基板の処理中に、前記混合液の粒子数を連続的に測定し、該測定された粒子数を示す信号を生成する粒子計数器を有し、
    前記処理装置は前記粒子計数器にも操作可能に連結されており、
    少なくとも1つの基板の処理中に、所定の粒子数以上の測定された粒子数を示す信号を受けたとき、自動的に前記供給手段を動かして、前記閉ループ循環装置へ硫酸、リン酸、および/または、水を加え、また前記排出手段を動かして、前記閉ループ循環装置から実質的に等容積の前記混合液を抜き取り、前記混合液の前記粒子数を前記所定の粒子数以下に戻すように、前記処理装置が更にプログラムされている、ことを特徴とする請求項13記載の装置。
  22. 少なくともひとつの基板から窒化ケイ素をエッチングする方法であって、
    プロセスチャンバおよび該プロセスチャンバと液体が流れるように連結している再循環ラインを有する閉ループ循環装置を設け、
    前記閉ループ循環装置へ所定量のエッチング液を注入し、該エッチング液で前記プロセスチャンバを満たし、前記再循環ラインへオーバーフローさせ、
    前記プロセスチャンバ内の前記エッチング液に少なくとも1つの基板を浸漬させ、
    前記閉ループ循環装置を介して前記混合液を循環させ、
    粒子計数器によって前記エッチング液の粒子数を連続的に測定し、
    少なくとも1つの基板処理中に、エッチング液の測定された粒子数が所定の粒子数以上であると検知したら、自動的に、前記閉ループ循環装置から汚染されたエッチング液を排出し、同時に、新鮮なエッチング液を前記閉ループ循環装置へ供給して容積を戻し、これにより、所定の粒子数にまたはそれ以下に前記閉ループ循環装置内のエッチング液の粒子数を戻すこと、
    を特徴とするエッチング方法。
  23. 少なくとも1つの基板から窒化ケイ素をエッチングする装置であって、
    プロセスチャンバおよび該プロセスチャンバと液体が流れるように連結されている再循環ラインを有する閉ループ循環装置、
    該閉ループ循環装置へ所定量のエッチング液を注入する手段、
    前記閉ループ循環装置を介して前記混合液を流れさせる手段、
    前記プロセスチャンバ内で少なくとも1つの基板の処理中に、エッチング液内の粒子数を連続的に測定し、測定された粒子数を表示する信号を生成する粒子計数器、
    前記閉ループ循環装置へエッチング液を供給する手段、
    前記閉ループ循環装置から前記エッチング液を排出する手段、
    前記粒子計数器、前記供給手段、および前記排出手段に操作可能に連結した処理装置を有し、
    少なくとも1つの基板の処理中に、測定された粒子数が所定の粒子数より多いことを示す信号を受けると、前記処理装置は自動的に供給手段を動かして、前記閉ループ循環装置へ新鮮なエッチング液を加え、また前記排出手段を動かして、前記閉ループ循環装置から実質的に同量の前記エッチング液を排出させ、前記混合液の粒子数を前記所定の粒子数以下に戻すように、前記処理装置がプログラムされている、ことを特徴とする装置。
JP2006547553A 2003-12-30 2004-12-30 基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法 Pending JP2007517413A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US53309703P 2003-12-30 2003-12-30
PCT/US2004/043887 WO2005067019A1 (en) 2003-12-30 2004-12-30 System and method for selective etching of silicon nitride during substrate processing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007517413A true JP2007517413A (ja) 2007-06-28

Family

ID=34748854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006547553A Pending JP2007517413A (ja) 2003-12-30 2004-12-30 基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7976718B2 (ja)
EP (1) EP1704586A1 (ja)
JP (1) JP2007517413A (ja)
KR (1) KR20070004609A (ja)
CN (1) CN1914710A (ja)
WO (1) WO2005067019A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074601A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2013093478A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
WO2013164942A1 (ja) * 2012-05-01 2013-11-07 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
JP2013545319A (ja) * 2010-12-10 2013-12-19 ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド 基板から窒化物を選択的に除去する方法
JP2014120533A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Kurita Water Ind Ltd 基板洗浄液および基板洗浄方法
JP2015144221A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2017199943A (ja) * 2017-08-09 2017-11-02 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
KR20190016091A (ko) 2017-03-15 2019-02-15 가부시끼가이샤 도시바 에칭액, 에칭 방법, 및 전자 부품의 제조 방법
JP2020031182A (ja) * 2018-08-24 2020-02-27 株式会社東芝 測定器、エッチングシステム、シリコン濃度測定方法、及びシリコン濃度測定プログラム
WO2021131832A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2021166290A (ja) * 2020-04-07 2021-10-14 セメス株式会社Semes Co., Ltd. 基板処理方法及び基板処理装置

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7743783B2 (en) * 2006-04-04 2010-06-29 Air Liquide Electronics U.S. Lp Method and apparatus for recycling process fluids
JP4799332B2 (ja) 2006-09-12 2011-10-26 株式会社東芝 エッチング液、エッチング方法および電子部品の製造方法
US8409997B2 (en) * 2007-01-25 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Maufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for controlling silicon nitride etching tank
US8460478B2 (en) 2007-05-29 2013-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet processing apparatuses
JP4358259B2 (ja) * 2007-06-05 2009-11-04 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体製造方法
SG148960A1 (en) * 2007-06-15 2009-01-29 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
KR100947482B1 (ko) * 2007-10-12 2010-03-17 세메스 주식회사 처리액 감지기를 갖는 밸브, 이를 이용한 기판 처리 장치및 기판 처리 방법
US8298435B2 (en) * 2007-10-19 2012-10-30 International Business Machines Corporation Selective etching bath methods
US8282766B2 (en) * 2008-11-19 2012-10-09 Austriamicrosystems Ag Etch apparatus and method of etching silicon nitride
US8863763B1 (en) * 2009-05-27 2014-10-21 WD Media, LLC Sonication cleaning with a particle counter
US8404056B1 (en) 2009-05-27 2013-03-26 WD Media, LLC Process control for a sonication cleaning tank
US20110014726A1 (en) * 2009-07-20 2011-01-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming shallow trench isolation structure
US9257292B2 (en) 2011-03-30 2016-02-09 Tokyo Electron Limited Etch system and method for single substrate processing
US20120248061A1 (en) 2011-03-30 2012-10-04 Tokyo Electron Limited Increasing masking layer etch rate and selectivity
TW201243030A (en) * 2011-04-20 2012-11-01 Applied Materials Inc Selective silicon nitride etch
US9355874B2 (en) * 2011-09-24 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Silicon nitride etching in a single wafer apparatus
CN103367229A (zh) * 2012-04-07 2013-10-23 中国科学院微电子研究所 酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置和方法
US20150118785A1 (en) * 2012-05-04 2015-04-30 Akrion Systems, Llc Method for consistently texturizing silicon wafers during solar cell wet chemical processing
JP2015070080A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
US10192747B2 (en) * 2014-01-07 2019-01-29 Cypress Semiconductor Corporation Multi-layer inter-gate dielectric structure and method of manufacturing thereof
TWI630652B (zh) 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
US10170350B2 (en) 2014-05-02 2019-01-01 Naura Akrion Inc. Correlation between conductivity and pH measurements for KOH texturing solutions and additives
US11322361B2 (en) * 2014-06-10 2022-05-03 International Business Machines Corporation Selective etching of silicon wafer
JP6499414B2 (ja) 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN105575762B (zh) * 2014-10-14 2018-07-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法
JP6370233B2 (ja) * 2015-01-30 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6434367B2 (ja) * 2015-05-14 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6456792B2 (ja) * 2015-08-07 2019-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
TWI629720B (zh) * 2015-09-30 2018-07-11 東京威力科創股份有限公司 用於濕蝕刻製程之溫度的動態控制之方法及設備
TW201713751A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 聯華電子股份有限公司 酸槽補酸系統與方法
US10818564B2 (en) * 2016-03-11 2020-10-27 Applied Materials, Inc. Wafer processing tool having a micro sensor
JP6645900B2 (ja) * 2016-04-22 2020-02-14 キオクシア株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6940232B2 (ja) * 2016-09-23 2021-09-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
US11280717B2 (en) 2016-11-07 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for detection and analysis of nanoparticles from semiconductor chamber parts
JP6909620B2 (ja) * 2017-04-20 2021-07-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
KR101951778B1 (ko) * 2017-07-25 2019-02-25 무진전자 주식회사 웨이퍼 에칭 장치
JP7072453B2 (ja) * 2018-06-29 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
CN112368835B (zh) * 2018-07-20 2024-09-10 东京毅力科创株式会社 3d nand结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制
CN109065475A (zh) * 2018-07-23 2018-12-21 德淮半导体有限公司 晶圆清洗装置及其晶圆清洗方法
KR102692467B1 (ko) 2018-08-29 2024-08-07 엠케이에스 인스트루먼츠 인코포레이티드 오존수 전달 시스템 및 사용 방법
KR102641089B1 (ko) * 2018-11-08 2024-02-26 엘지전자 주식회사 용기 감지 정확도 개선을 위한 단일 펄스 예비 테스트 방법
US11318431B2 (en) 2019-11-27 2022-05-03 Diversified Fluid Solutions, Llc On-demand in-line-blending and supply of chemicals
US11586230B2 (en) 2019-12-27 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for automatic concentration control
CN113053781B (zh) 2019-12-27 2025-01-07 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体制程的系统和方法
CN110931400A (zh) * 2019-12-30 2020-03-27 麦斯克电子材料有限公司 一种硅片酸腐蚀系统及方法
CN112908845B (zh) * 2021-02-24 2023-10-10 上海华虹宏力半导体制造有限公司 氧化物薄膜初始蚀刻率的优化控制方法及系统

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3715249A (en) * 1971-09-03 1973-02-06 Bell Telephone Labor Inc Etching si3n4
US5310457A (en) * 1992-09-30 1994-05-10 At&T Bell Laboratories Method of integrated circuit fabrication including selective etching of silicon and silicon compounds
US6284721B1 (en) * 1997-01-21 2001-09-04 Ki Won Lee Cleaning and etching compositions
US5885903A (en) * 1997-01-22 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Process for selectively etching silicon nitride in the presence of silicon oxide
US6399517B2 (en) * 1999-03-30 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
US6378261B1 (en) * 1999-07-13 2002-04-30 Carl F. Agsten Wall system involving panels
US6376261B1 (en) 2000-01-03 2002-04-23 Advanced Micro Devices Inc. Method for varying nitride strip makeup process based on field oxide loss and defect count
US20030011774A1 (en) * 2001-06-05 2003-01-16 Dibello Gerald N. Methods and systems for monitoring process fluids
US20030045098A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074601A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2013545319A (ja) * 2010-12-10 2013-12-19 ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド 基板から窒化物を選択的に除去する方法
JP2013093478A (ja) * 2011-10-27 2013-05-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
WO2013164942A1 (ja) * 2012-05-01 2013-11-07 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
JP2013232593A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
JP2014120533A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Kurita Water Ind Ltd 基板洗浄液および基板洗浄方法
JP2015144221A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR20190016091A (ko) 2017-03-15 2019-02-15 가부시끼가이샤 도시바 에칭액, 에칭 방법, 및 전자 부품의 제조 방법
US10957553B2 (en) 2017-03-15 2021-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Etching solution, etching method, and method for manufacturing an electronic component
JP2017199943A (ja) * 2017-08-09 2017-11-02 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
JP2020031182A (ja) * 2018-08-24 2020-02-27 株式会社東芝 測定器、エッチングシステム、シリコン濃度測定方法、及びシリコン濃度測定プログラム
WO2021131832A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JPWO2021131832A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01
JP7229394B2 (ja) 2019-12-27 2023-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2021166290A (ja) * 2020-04-07 2021-10-14 セメス株式会社Semes Co., Ltd. 基板処理方法及び基板処理装置
JP7236490B2 (ja) 2020-04-07 2023-03-09 セメス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1704586A1 (en) 2006-09-27
US7976718B2 (en) 2011-07-12
WO2005067019A1 (en) 2005-07-21
CN1914710A (zh) 2007-02-14
US20080035609A1 (en) 2008-02-14
KR20070004609A (ko) 2007-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007517413A (ja) 基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法
WO2013164942A1 (ja) エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
TWI739355B (zh) 濕式蝕刻裝置
CN105339183B (zh) 用于提供加热的蚀刻溶液的系统
US6780277B2 (en) Etching method and etching apparatus
TWI553888B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US6001215A (en) Semiconductor nitride film etching system
TWI546878B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US10685855B2 (en) Substrate treating device and substrate treating method
KR20020035779A (ko) 기판의 습식 세정 방법 및 장치
US10242889B2 (en) Substrate liquid processing method and substrate liquid processing apparatus
JP7113952B2 (ja) 基板処理方法、および基板処理装置
US20200312682A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20090246968A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2015120143A (ja) 混合装置、基板処理装置および混合方法
JP2007049022A (ja) 基板処理方法及びその装置
JP2006186065A (ja) 電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの製造方法
KR20200083292A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운전 방법
TW201713751A (zh) 酸槽補酸系統與方法
WO2018180054A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US12257595B2 (en) Processing liquid supply device, substrate processing apparatus, and processing liquid supply method
US20230286013A1 (en) Processing liquid supply device, substrate processing apparatus, and processing liquid supply method
JP2023018703A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20220110054A (ko) 기판 처리 장치, 및, 기판 처리 방법
JP2007207786A (ja) 基板処理方法及び基板処理システム