[go: up one dir, main page]

JP2007335651A - Apparatus and tool for measuring optical device - Google Patents

Apparatus and tool for measuring optical device Download PDF

Info

Publication number
JP2007335651A
JP2007335651A JP2006166052A JP2006166052A JP2007335651A JP 2007335651 A JP2007335651 A JP 2007335651A JP 2006166052 A JP2006166052 A JP 2006166052A JP 2006166052 A JP2006166052 A JP 2006166052A JP 2007335651 A JP2007335651 A JP 2007335651A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting element
measurement
light emitting
monitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006166052A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kikufumi Kato
菊文 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2006166052A priority Critical patent/JP2007335651A/en
Publication of JP2007335651A publication Critical patent/JP2007335651A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To inexpensively measure characteristics of a device under test relatively accurately. <P>SOLUTION: There are provided a measuring tool 50 and a measuring section (various members for terminal connection, circuits or the like). The measuring tool 50 comprises a light emitting element 151 for emitting light with which the device under test (DUT10) is irradiated; a reflecting member 154 partly opened; and a light receiving device (monitor PD22) for receiving monitoring light emitted from the light emitting element 151 and passing through an opening 154A in the reflecting member 154, and generating an output in response to the amount of the received light. The measuring section implements measurement of characteristics of the DUT10, and at least one of correction of a measured result based on an output of the monitor PD22 and of power supply and control to the DUT10 at the time of the measurement. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、受光デバイス等の被検査デバイスに光を照射して、その特性を測定する光デバイス測定装置と光デバイス測定治具に関する。   The present invention relates to an optical device measuring apparatus and an optical device measuring jig for measuring characteristics of a device to be inspected such as a light receiving device by irradiating light.

受光デバイスは、組み立て後の最終製品の形態で、所定の光を照射したときの光学的特性(受光特性)を保証する必要がある。
ところが、半導体ウェハ状態の受光デバイスについて、その電気的特性(消費電流、暗電流等)を半導体ウェハ検査装置で測定し、電気的特性のみの良否を判定し、組立後の製品段階で受光特性(出力直流電圧、入射光電力等)を測定すると、電気的特性では良品と判定されたものが受光特性では不良品と判定されることがある。
このような、不良デバイスを組み立てることは、部材および工数のロスになるからコスト的に不利であり、また、開発段階の試作時には組立後に測定しなければ改善点が明確にならないことから、このことが開発期間を長くする要因となる。
The light receiving device needs to guarantee optical characteristics (light receiving characteristics) when irradiated with predetermined light in the form of the final product after assembly.
However, the electrical characteristics (consumption current, dark current, etc.) of the light-receiving device in the semiconductor wafer state are measured with a semiconductor wafer inspection device, the quality of the electrical characteristics alone is judged, and the light-receiving characteristics ( When measuring output DC voltage, incident optical power, etc.), what is determined as non-defective in the electrical characteristics may be determined as defective in the light-receiving characteristics.
Assembling such a defective device is disadvantageous in terms of cost because it results in loss of parts and man-hours, and this is because the improvement point cannot be clarified unless it is measured after assembly at the time of trial production in the development stage. Is a factor that lengthens the development period.

半導体ウェハ状態で受光デバイスに光を照射し、その受光特性を測定する装置が知られている(たとえば特許文献1参照)。   An apparatus that irradiates light to a light receiving device in a semiconductor wafer state and measures the light receiving characteristics is known (see, for example, Patent Document 1).

特許文献1に記載されているデバイス測定装置は、図1に示すように、ウェハ保持のためのステージ81に設置された半導体ウェハ83について、その1つの受光デバイス83Aの受光面に光ファイバー82を通して光を照射し、受光デバイス83Aの電極に金属接触針(プローブ)84を接触させて受光特性を測定するものである。
特公平1−17251号公報
As shown in FIG. 1, a device measuring apparatus described in Patent Document 1 uses a fiber optic 82 to transmit light to a light receiving surface of one light receiving device 83A of a semiconductor wafer 83 placed on a stage 81 for holding the wafer. , And a metal contact needle (probe) 84 is brought into contact with the electrode of the light receiving device 83A to measure the light receiving characteristics.
Japanese Patent Publication No. 1-17251

特許文献1に記載されているデバイス測定装置は、光ファイバー82を用いるために、そのファイバーを曲げる角度とレーザ波長によっては、光パワーの一部が光ファイバー82の外部にもれることがある。この場合、光ファイバー82内の屈折率はレーザ波長によって変化することから光学的損失(光パワーのロス)が発生し、光パワーを入射し素子の出力レベルを測定する受光感度特性などを正確に測定できない。
また、外来光を遮断しないため、使用場所の環境により暗電流など測定値が変化しやすい。
Since the device measuring apparatus described in Patent Document 1 uses the optical fiber 82, a part of the optical power may be outside the optical fiber 82 depending on the angle at which the fiber is bent and the laser wavelength. In this case, since the refractive index in the optical fiber 82 changes depending on the laser wavelength, an optical loss (loss of optical power) occurs, and the light receiving sensitivity characteristic for measuring the output level of the element by entering the optical power is measured accurately. Can not.
In addition, since extraneous light is not blocked, measured values such as dark current are likely to change depending on the environment of the place of use.

本発明が解決しようとする課題は、受光デバイスまたは受光部を有する被検査デバイスの光学特性(受光特性)の測定を比較的精度よく低コストで実現することである。   The problem to be solved by the present invention is to realize measurement of optical characteristics (light receiving characteristics) of a light receiving device or a device to be inspected having a light receiving section with relatively high accuracy and low cost.

本発明に係る光デバイス測定装置は、被検査デバイスに照射する光を出射する発光素子、前記発光素子の前記被検査デバイスと反対側に設けられ一部が開口する反射部材、および、前記発光素子から出力し前記反射部材の前記開口を通るモニタ光を受光し当該モニタ光の受光量に応じた出力を発生する受光デバイスが固定されている測定治具と、前記被検査デバイスの特性を測定し、前記受光デバイスからの出力に基づいて、当該測定結果を校正することと、前記測定時における前記被検査デバイスへの電源供給を制御することとの少なくとも一方を行う測定部と、を有する。
本発明では好適に、前記測定部は、前記発光素子に供給する駆動電流にAC信号を重畳する高周波重畳回路と、前記AC信号の周波数を変更して前記特性を測定するテスタと、を含む。
本発明では好適に、前記測定治具は、前記発光素子、前記反射部材および前記受光デバイスを覆う遮光カバーを有し、前記遮光カバーを前記測定治具から取り外すことに連動して前記発光素子への電流供給が停止可能になっている。
さらに好適に、前記発光素子に電流を供給するためのケーブルのコネクタが、前記遮光カバーが固定される前記測定治具の基板に設けられ、かつ、当該コネクタが前記遮光カバーの固定手段を兼用する。
An optical device measuring apparatus according to the present invention includes a light emitting element that emits light to be irradiated to a device to be inspected, a reflective member that is provided on the opposite side of the light emitting element from the device to be inspected, and that is partially open, and the light emitting element A measuring jig on which a light receiving device that receives monitor light passing through the opening of the reflecting member and generates an output corresponding to the amount of received light is fixed, and the characteristics of the device under test are measured. And a measurement unit that performs at least one of calibrating the measurement result based on the output from the light receiving device and controlling the power supply to the device to be inspected at the time of the measurement.
In the present invention, it is preferable that the measurement unit includes a high frequency superimposing circuit that superimposes an AC signal on a driving current supplied to the light emitting element, and a tester that measures the characteristic by changing the frequency of the AC signal.
In the present invention, preferably, the measurement jig includes a light shielding cover that covers the light emitting element, the reflecting member, and the light receiving device, and is moved to the light emitting element in conjunction with the removal of the light shielding cover from the measurement jig. The current supply can be stopped.
More preferably, a connector of a cable for supplying a current to the light emitting element is provided on a substrate of the measuring jig to which the light shielding cover is fixed, and the connector also serves as a fixing means for the light shielding cover. .

本発明に係る光デバイス測定治具は、被検査デバイスに照射する光を出射する発光素子と、前記発光素子の前記被検査デバイスと反対側に設けられ一部が開口する反射部材と、前記発光素子から出力し前記反射部材の前記開口を通るモニタ光を受光し当該モニタ光の受光量に応じた出力を発生する受光デバイスとをベース基板に固定して形成されている。   An optical device measuring jig according to the present invention includes a light emitting element that emits light to irradiate a device to be inspected, a reflective member that is provided on the opposite side of the light emitting element from the device to be inspected, and that has a part open, and the light emission A light receiving device that receives monitor light output from the element and passes through the opening of the reflecting member and generates an output corresponding to the amount of received monitor light is fixed to the base substrate.

本発明によれば、被検査デバイス(光デバイス)に光を照射する光源として発光デバイスが設けられ、その被検査デバイスと反対の側に反射部材が設けられている。反射部材は、発光デバイスからの光を反射するため、効率よく被検査デバイスに光が入射する。
また反射部材の一部が開口し、それに対応して受光デバイスが設けられている。受光デバイスは光のモニタ用であり、測定部は、この受光デバイスからの光により発光デバイスの被検査デバイスへの入射光量をモニタ可能である。このとき受光デバイスの出力が、測定結果の校正、被検査デバイスへの入力パワー制御に用いられる。
この場合、被検査デバイスへの光照射と光量モニタを単一の光源で行うことができるが、そのとき光を被検査対象に向う向き以外に曲げる必要が無い。
According to the present invention, the light emitting device is provided as a light source for irradiating the device under test (optical device) with light, and the reflecting member is provided on the side opposite to the device under test. Since the reflecting member reflects light from the light emitting device, the light efficiently enters the device to be inspected.
A part of the reflecting member is opened, and a light receiving device is provided correspondingly. The light receiving device is used for monitoring light, and the measurement unit can monitor the amount of light incident on the device under test of the light emitting device by the light from the light receiving device. At this time, the output of the light receiving device is used for calibration of the measurement result and input power control to the device to be inspected.
In this case, it is possible to irradiate the device to be inspected and monitor the amount of light with a single light source, but at that time, it is not necessary to bend the light in a direction other than toward the inspection target.

本発明によれば、被検査デバイスの光学特性(受光特性)の測定を比較的精度よく低コストで実現できるという利点がある。また、装置の小型化が可能である。   According to the present invention, there is an advantage that measurement of optical characteristics (light receiving characteristics) of a device to be inspected can be realized with relatively high accuracy and low cost. Further, the apparatus can be reduced in size.

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

[第1実施形態]
図2に、半導体ウェハ状態で受光デバイスを測定する光デバイス測定装置の構成概略を示す。
図解した光デバイス測定装置は、LSIテスタ1とプローバ装置5を有する。プローバ装置5内に、プローブを装備したプローブカード基板4、プローブカード基板4の多数のピンと電気的に接続されている測定回路が形成されているウェハ測定ボード2、ウェハ測定ボード2とプローブカード基板4とを接続するためのコンタクトリング8、および、ウェハ保持のためのステージ7を備える。ステージ7に、被検査デバイス(以下、「DUT(Device Under Test)」と称する)を有する半導体ウェハ6が載置されている。LSIテスタ1とウェハ測定ボード2とは、インターフェースとしてのケーブル3aおよびコネクタ3bを介して電気的に接続されている。
[First Embodiment]
FIG. 2 shows a schematic configuration of an optical device measuring apparatus that measures a light receiving device in a semiconductor wafer state.
The illustrated optical device measurement apparatus includes an LSI tester 1 and a prober apparatus 5. A probe card board 4 equipped with a probe, a wafer measurement board 2 in which a measurement circuit electrically connected to a number of pins of the probe card board 4 is formed in the prober device 5, the wafer measurement board 2 and the probe card board 4 is provided with a contact ring 8 for connecting to a stage 4 and a stage 7 for holding a wafer. A semiconductor wafer 6 having a device to be inspected (hereinafter referred to as “DUT (Device Under Test)”) is placed on the stage 7. The LSI tester 1 and the wafer measurement board 2 are electrically connected via a cable 3a and a connector 3b as interfaces.

図3に、ウェハ測定ボード2とプローブカード基板4との組み立て図を示す。
ウェハ測定ボード2とプローブカード基板4間は、コンタクトリング8に形成されている複数のソケット(不図示)とピン4Aにて電気的に接続され、それらの固定はネジ4Bによって行われる。プローブカード基板4がウェハ測定ボード2と一体となっていない理由は、プローブの寿命を考慮し、プローブカード基板4を交換する必要があるからである。
なお、ウェハ測定ボード2には、DUTを測定するための測定回路を構成する部品として、リレー、コンデンサ、抵抗など様々な電気部品が実装されている。ウェハ測定ボード2の先端部のカードエッジ2Bは、LSIテスタ1と電気的に接続するために、コネクタ3b(図1参照)に差し込まれる部分である。
FIG. 3 shows an assembly diagram of the wafer measurement board 2 and the probe card substrate 4.
The wafer measurement board 2 and the probe card substrate 4 are electrically connected to a plurality of sockets (not shown) formed on the contact ring 8 by pins 4A, and the fixing is performed by screws 4B. The reason why the probe card substrate 4 is not integrated with the wafer measurement board 2 is that the probe card substrate 4 needs to be replaced in consideration of the lifetime of the probe.
Note that various electrical components such as a relay, a capacitor, and a resistor are mounted on the wafer measurement board 2 as components constituting a measurement circuit for measuring the DUT. The card edge 2B at the tip of the wafer measurement board 2 is a portion that is inserted into the connector 3b (see FIG. 1) in order to be electrically connected to the LSI tester 1.

図4は、光デバイス測定装置のプローブカード基板4を中心とした部分を示す断面図である。半導体ウェハ6の1ペレットがDUT10であり、図4は、そのDUT10にプローブカード基板4のプローブを接触させている状態を示している。
図4において、プローブカード基板4は、DUT10の電極パッド(不図示)に各々接触しているプローブ11と、プローブ11を保持し、これをプローブカード基板4に固定するためのプローブ保持台12とを備える。なお、図4において、図2および図3に示すウェハ測定ボード2、および、ウェハ測定ボード2とプローブカード基板4とを多数のピン4Aにより電気的に接続するためのコンタクトリング8は図示を省略している。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a portion around the probe card substrate 4 of the optical device measuring apparatus. One pellet of the semiconductor wafer 6 is the DUT 10, and FIG. 4 shows a state in which the probe of the probe card substrate 4 is in contact with the DUT 10.
In FIG. 4, the probe card substrate 4 includes a probe 11 that is in contact with an electrode pad (not shown) of the DUT 10, a probe holder 12 that holds the probe 11 and fixes the probe 11 to the probe card substrate 4. Is provided. In FIG. 4, the wafer measurement board 2 shown in FIGS. 2 and 3 and the contact ring 8 for electrically connecting the wafer measurement board 2 and the probe card substrate 4 with a large number of pins 4A are not shown. is doing.

プローブカード基板4のプローブ11が固定された面と反対側に、後述する測定治具50のベースとなる補助基板13が設けられている。補助基板13は、位置決めピン14aおよび14bによってプローブカード基板4の所定の位置に対して位置決めされている。なお、実際には、プローブカード基板4と補助基板13との間に、コンタクトリング8およびウェハ測定ボード2が介在する。
コンタクトリング8およびウェハ測定ボード2を介して行われる補助基板13とプローブカード基板4との固定は、図4では省略しているネジなどによって行われる。つまり、まず、図3に示し既に説明したように、ウェハ測定ボード2に固定されているコンタクトリング8に対して、ネジによりプローブカード基板4を固定する。つぎに、ウェハ測定ボード2に対して、別のネジ(不図示)によって補助基板13を固定する。このため、補助基板13とプローブカード基板4は何れも、ウェハ測定ボード2に対して取り外し可能となっている。
On the opposite side of the surface of the probe card substrate 4 to which the probe 11 is fixed, an auxiliary substrate 13 serving as a base of a measurement jig 50 described later is provided. The auxiliary board 13 is positioned with respect to a predetermined position of the probe card board 4 by positioning pins 14a and 14b. In practice, the contact ring 8 and the wafer measurement board 2 are interposed between the probe card substrate 4 and the auxiliary substrate 13.
The auxiliary substrate 13 and the probe card substrate 4 fixed via the contact ring 8 and the wafer measurement board 2 are fixed by screws or the like which are omitted in FIG. That is, first, as shown in FIG. 3 and already described, the probe card substrate 4 is fixed to the contact ring 8 fixed to the wafer measurement board 2 with screws. Next, the auxiliary substrate 13 is fixed to the wafer measurement board 2 with another screw (not shown). For this reason, both the auxiliary substrate 13 and the probe card substrate 4 are removable from the wafer measurement board 2.

プローブカード基板4上に測定治具50が固定されている。
測定治具50は、DUT10の光源としてのLED15、および、LED15の光パワーをモニタする受光デバイス、たとえばフォトディテクタ(以下、「モニタPD」という)22を保持するためのものである。測定治具50は、補助基板13に多くの部材を固定することによって組み立てられている。
詳細は後述するが、測定治具50はプローブカード基板4等に対して着脱でき、これによって受光デバイス測定機能を、一般的なプローブカードに付加することを可能にしている。
A measurement jig 50 is fixed on the probe card substrate 4.
The measurement jig 50 is for holding an LED 15 as a light source of the DUT 10 and a light receiving device for monitoring the optical power of the LED 15, for example, a photodetector (hereinafter referred to as “monitor PD”) 22. The measuring jig 50 is assembled by fixing many members to the auxiliary substrate 13.
Although details will be described later, the measuring jig 50 can be attached to and detached from the probe card substrate 4 and the like, thereby enabling the light receiving device measurement function to be added to a general probe card.

図5に、本実施形態で好適な反射型のLED15を示す。
反射型LEDとは、発光素子から放射された殆どの光を一旦後方にある反射面で受け、その反射面にて反射された後、その光を外部へ放射することが出来る構造を持つため、高い外部放射効率を得ることができるLEDである。
本実施形態では、反射面を備える反射型のLED15を用いることが望ましいが、弾丸型のLEDと反射部材を組み合わせて用いることも可能である。砲弾型LEDは、発光素子から放射された光の内、直接前方にある樹脂レンズに到達した光のみを外部へ放射するので、実質、発光素子から放射された光の1/3程度しか利用できないので効率が悪い。ただし、発光素子からの光の一部を側面や後方にも放射可能なLED構造とし、そこに反射部材を設けてモニタ光量を高めることができる。
FIG. 5 shows a reflective LED 15 suitable for the present embodiment.
The reflective LED has a structure that can receive most of the light emitted from the light emitting element once at the reflective surface behind it and then radiate the light to the outside after being reflected by the reflective surface. It is an LED that can obtain high external radiation efficiency.
In this embodiment, it is desirable to use a reflective LED 15 having a reflective surface, but it is also possible to use a combination of a bullet-type LED and a reflective member. Since the bullet-type LED emits only the light radiated from the light-emitting element to the outside, only the light directly reaching the resin lens in front is emitted to the outside. So efficiency is bad. However, it is possible to increase the amount of monitor light by providing an LED structure that can radiate part of the light from the light emitting element also to the side and rear, and providing a reflective member there.

具体的に図5に示す反射型のLED15は、内部の発光素子151に電力を供給する1対のリード152a,152bのうち、一方のリード152bの面に導電性接着剤を介して発光素子151をマウントし、他方のリード152aと発光素子2とをワイヤ153でボンディングして電気的接続を行っている。また、LED15は、例えばアルミ板をプレス加工して形成される凹面状の反射部材154を、発光素子151の一方の側を半球状にほぼ覆うように取り付けている。そして、発光素子151、リード152a,152b、ワイヤ153および反射部材154を、透明エポキシ樹脂155で封止している。同時に、発光素子151の背面側(反射部材154が取り付けられた側と反対側)において透明エポキシ樹脂155の一部が平板形状になっており、これにより放射部材156が形成されている。   Specifically, the reflective LED 15 shown in FIG. 5 includes a light-emitting element 151 via a conductive adhesive on the surface of one of the leads 152a and 152b that supplies power to the internal light-emitting element 151. Is mounted, and the other lead 152a and the light emitting element 2 are bonded by a wire 153 for electrical connection. In addition, the LED 15 is attached with a concave reflecting member 154 formed by, for example, pressing an aluminum plate so as to substantially cover one side of the light emitting element 151 in a hemispherical shape. The light emitting element 151, the leads 152a and 152b, the wire 153, and the reflecting member 154 are sealed with a transparent epoxy resin 155. At the same time, a part of the transparent epoxy resin 155 has a flat plate shape on the back side of the light emitting element 151 (the side opposite to the side on which the reflecting member 154 is attached), thereby forming the radiation member 156.

なおLED15は、本発明の趣旨に逸脱しないかぎりどのような仕様(構造、形状、材質等)でも良い。
図5に示す反射型のLED15に組み入れている反射部材154に開口部154Aが形成されている。開口部154Aは発光素子151からの光の一部をモニタ光として外部に出射するためのもので、その役割が果たせる位置、大きさを有する。例えばリード152bにマウントされている発光素子151のほぼ真上に開口部154Aが形成されている。このことは砲弾型LEDの場合でも同様であり、そのLEDに対して固定される反射部材に、同じ役割を果たす開口部を形成する必要がある。
開口部154Aの数は、受光デバイス(モニタPD22)の数、その受光部の数、位置関係に合わせて複数としてもよい。ただし、本実施形態ではモニタPD22の受光部は単一であるため開口部154Aも1つ形成している。
The LED 15 may have any specifications (structure, shape, material, etc.) without departing from the spirit of the present invention.
An opening 154A is formed in the reflecting member 154 incorporated in the reflective LED 15 shown in FIG. The opening 154A is for emitting a part of the light from the light emitting element 151 to the outside as monitor light, and has a position and a size that can fulfill its role. For example, an opening 154A is formed almost directly above the light emitting element 151 mounted on the lead 152b. The same applies to the case of a bullet-type LED, and it is necessary to form an opening that plays the same role in a reflecting member fixed to the LED.
The number of openings 154A may be plural in accordance with the number of light receiving devices (monitor PD22), the number of light receiving portions, and the positional relationship. However, in the present embodiment, since the light receiving part of the monitor PD 22 is single, one opening 154A is also formed.

図4に示すように、LED15は補助基板13の開口部13Aの周辺に、その放射部材156を開口部に位置させて固定されている。なお、実際にはLED15は不図示のハウジングを介して補助基板13に固定されている。
また、補助基板13に形成されている一方の電源供給配線(不図示)に対しリード152aがワイヤ24aによって電気的に接続され、他方の電源供給配線(不図示)に対しリード152bがワイヤ24bによって電気的に接続されている。ただし、これも電気的接続関係を示すもので、実際には不図示のハウジングの接続リード等を介して電気的接続が行われる。
ここで、補助基板13はLED15から放射された光が、開口部154A以外から回り込みによりモニタPD22に入らないように遮光機能も兼ねている。
As shown in FIG. 4, the LED 15 is fixed around the opening 13 </ b> A of the auxiliary substrate 13 with the radiation member 156 positioned at the opening. In practice, the LED 15 is fixed to the auxiliary substrate 13 via a housing (not shown).
Further, the lead 152a is electrically connected to the one power supply wiring (not shown) formed on the auxiliary substrate 13 by the wire 24a, and the lead 152b is connected to the other power supply wiring (not shown) by the wire 24b. Electrically connected. However, this also shows an electrical connection relationship, and in actuality, electrical connection is performed via a connection lead or the like of a housing (not shown).
Here, the auxiliary substrate 13 also has a light shielding function so that light emitted from the LED 15 does not enter the monitor PD 22 due to wraparound from other than the opening 154A.

LED15の取り付け位置周囲に、補助基板13から立設した立設部20が設けられ、立設部20に受光デバイスとしてのモニタPD22を保持するPD配線基板23が固定されている。
モニタPD22は、ウェハ状態のDUT10と同じ品種等の受光デバイスを透明樹脂(もしくはガラス)によってパッケージングしたものであり、LED15の光パワーをモニタするためにPD配線基板23の下面に実装されている。PD配線基板23は、モニタPD22の端子に接続する内部配線(不図示)を有し、当該内部配線からケーブル24cが引き出されて、これがコネクタ(不図示)を介して補助基板13に接続されている。
Around the mounting position of the LED 15, a standing part 20 standing from the auxiliary board 13 is provided, and a PD wiring board 23 holding a monitor PD 22 as a light receiving device is fixed to the standing part 20.
The monitor PD 22 is obtained by packaging a light receiving device of the same type as the DUT 10 in a wafer state with a transparent resin (or glass), and is mounted on the lower surface of the PD wiring board 23 in order to monitor the optical power of the LED 15. . The PD wiring board 23 has an internal wiring (not shown) connected to the terminal of the monitor PD 22, and a cable 24 c is drawn from the internal wiring, and this is connected to the auxiliary board 13 via a connector (not shown). Yes.

モニタPD22は、LED15から開口部154Aを介して透過するする光のパワーをモニタするために、その受光部22Aの位置精度に多少の許容度を得るため、受光部22Aの受光面は透過窓の大きさに対し十分広いことが望ましい。
具体的には、開口部154Aが小さすぎると通過する光パワーが小さく、このためにモニタ出力電圧が小さく測定精度が低下する可能性がある。また開口部154Aが大きすぎるとDUT10へ照射する光パワーがそれだけ小さくなり好ましくないことから、開口部154Aの大きさは、開口部154Aを通過する光パワーが、発光素子151が放射する全光パワーの凡そ10分の1から5分の1程度になるように設定するとよい。
The monitor PD 22 monitors the power of the light transmitted from the LED 15 through the opening 154A, so that the light receiving surface of the light receiving unit 22A has a transmission window to obtain a certain degree of tolerance in the positional accuracy of the light receiving unit 22A. It is desirable that it is wide enough for the size.
Specifically, if the opening 154A is too small, the light power passing therethrough is small, and therefore the monitor output voltage is small and the measurement accuracy may be lowered. Further, if the opening 154A is too large, the optical power applied to the DUT 10 is undesirably reduced. Therefore, the size of the opening 154A is the total optical power emitted from the light emitting element 151 by the light power passing through the opening 154A. It is good to set it to about 1/10 to 1/5.

ここで、全放射光パワーはいったん凹面状の反射面の面で受けてその後反射するので、パワーの面内分布強度がLED15の放射(光パワー)レベルに対して変化しないと仮定すると、全放射光パワーに対し、開口部154Aの面積に応じた光パワーの相対比は一定となる。
従って、モニタ用受光デバイスの出力を測定することにより、DUTへ照射される光パワーを算出することができる。
Here, since the total radiated light power is received once by the concave reflecting surface and then reflected, assuming that the in-plane distribution intensity of the power does not change with respect to the radiation (light power) level of the LED 15, The relative ratio of the optical power corresponding to the area of the opening 154A to the optical power is constant.
Therefore, the optical power irradiated to the DUT can be calculated by measuring the output of the light receiving device for monitoring.

PD配線基板23の実装面に符号“29”により示す部品が実装されている。この部品29は、モニタPD22は電流出力なので電圧出力とするための電流電圧変換回路を含む。
補助基板13の実装面に符号“R2”により示す部品が実装されている。この部品R2は、インピーダンスマッチングのための部品(抵抗)である。
A component indicated by reference numeral “29” is mounted on the mounting surface of the PD wiring board 23. The component 29 includes a current-voltage conversion circuit for generating a voltage output since the monitor PD 22 is a current output.
A component indicated by a symbol “R2” is mounted on the mounting surface of the auxiliary substrate 13. This component R2 is a component (resistance) for impedance matching.

このように配置されているLED15およびモニタPD22と、ウェハ測定ボード2(不図示)とは、ケーブル25および31によって接続される。DUT10は、プローブ11等を介してケーブル32によりウェハ測定ボード2と電気的に接続される。
本例では、これらケーブルのコネクタとしてはSMA(Subminiature A)コネクタを用いている。より詳細には、補助基板13にSMAオス側のコネクタ26と27が実装され、プローブカード基板4にSMAオス側のコネクタ41が実装されている。そして、コネクタ26に同軸ケーブル25が、コネクタ27に同軸ケーブル31が、コネクタ41に同軸ケーブル32が、各ケーブルの一端に設けられているSMAメス側のコネクタ25A,31A,32Aを介して接続されている。同軸ケーブル25,31,32の図示していない他端も同様に、それぞれSMAコネクタ対によってウェハ測定ボード2(不図示)に接続されている。
このうち同軸ケーブル25は、LED15を駆動する電流を供給するためのラインである。同軸ケーブル31は、モニタPD22の出力のためのラインである。また、同軸ケーブル32は、DUT10の出力のためのラインである。
The LED 15 and the monitor PD 22 arranged in this way and the wafer measurement board 2 (not shown) are connected by cables 25 and 31. The DUT 10 is electrically connected to the wafer measurement board 2 by the cable 32 via the probe 11 or the like.
In this example, SMA (Subminiature A) connectors are used as connectors for these cables. More specifically, the SMA male side connectors 26 and 27 are mounted on the auxiliary substrate 13, and the SMA male side connector 41 is mounted on the probe card substrate 4. Then, the coaxial cable 25 is connected to the connector 26, the coaxial cable 31 is connected to the connector 27, the coaxial cable 32 is connected to the connector 41, and the connectors 25A, 31A, and 32A on the SMA female side provided at one end of each cable. ing. Similarly, the other ends (not shown) of the coaxial cables 25, 31, and 32 are connected to the wafer measurement board 2 (not shown) by SMA connector pairs.
Among these, the coaxial cable 25 is a line for supplying a current for driving the LED 15. The coaxial cable 31 is a line for the output of the monitor PD 22. The coaxial cable 32 is a line for outputting the DUT 10.

補助基板13からは、さらに電源電圧Vcc、基準電圧Veeおよび接地電圧GNDを供給する電源供給ケーブル28が引き出されている。電源供給ケーブル28の先端にコネクタ(オス側)28Aが設けられている。なお、ウェハ測定ボード2にコネクタ(メス側)を設け、電源供給ケーブル28を補助基板13から取り外せるようにしてもよい。   A power supply cable 28 for supplying a power supply voltage Vcc, a reference voltage Vee, and a ground voltage GND is further drawn from the auxiliary board 13. A connector (male side) 28 </ b> A is provided at the tip of the power supply cable 28. The wafer measurement board 2 may be provided with a connector (female side) so that the power supply cable 28 can be detached from the auxiliary substrate 13.

図6に遮光カバー30の上面図を、図7に遮光カバー30の組み付け図を示す。
図6に示すように、遮光カバー30の開放面(下面)端部に、その側面に対して外側に突出するフランジ部フランジ部30Aを備えている。フランジ部30Aの対抗する2箇所に耳部40aおよび40bが設けられている。耳部40aおよび40bは、それぞれSMAコネクタ(オス側)を通すための円形の穴を備える。
FIG. 6 shows a top view of the light shielding cover 30 and FIG. 7 shows an assembly view of the light shielding cover 30.
As shown in FIG. 6, a flange portion flange portion 30 </ b> A that protrudes outward with respect to the side surface is provided at the open surface (lower surface) end portion of the light shielding cover 30. Ear portions 40a and 40b are provided at two locations opposed to the flange portion 30A. The ears 40a and 40b are each provided with a circular hole for passing an SMA connector (male side).

図7に示すように、耳部40aおよび40bは、それぞれ同軸ケーブル25,31に対応したSMAオス側のコネクタ26,27に通され、その上から、同軸ケーブル25,31のSMAメス側のコネクタ25A,31Aで締め付けられる。これにより、遮光カバー30および同軸ケーブル25,31を同時に、補助基板13に固定することができる。   As shown in FIG. 7, the ears 40a and 40b are passed through the SMA male-side connectors 26 and 27 corresponding to the coaxial cables 25 and 31, respectively, and from there, the SMA female-side connectors of the coaxial cables 25 and 31 are connected. Tightened with 25A and 31A. Thereby, the light shielding cover 30 and the coaxial cables 25 and 31 can be simultaneously fixed to the auxiliary substrate 13.

同軸ケーブル25,31の先端に設けられているSMAメス側のコネクタ25A,31Aを締め付け時とは逆に回すことによって、同軸ケーブル25,31を補助基板13から外すことができる。これによって、遮光カバー30の固定(圧着)が解除され、遮光カバー30を補助基板13から外すことができる。
この遮光カバー30の取り付け構造によって、遮光カバー30を外すと必ず同軸ケーブル25が補助基板13から離れて駆動電流がLED15に流れなくなり、発光が止まる。このため遮光カバー30を外した時、LED15の発光が停止することから、安全上好ましい。
The coaxial cables 25 and 31 can be detached from the auxiliary board 13 by turning the connectors 25A and 31A on the SMA female side provided at the ends of the coaxial cables 25 and 31 in the opposite direction to the tightening. As a result, fixing (crimping) of the light shielding cover 30 is released, and the light shielding cover 30 can be removed from the auxiliary substrate 13.
Due to the mounting structure of the light shielding cover 30, when the light shielding cover 30 is removed, the coaxial cable 25 is always separated from the auxiliary substrate 13, so that the drive current does not flow to the LED 15 and light emission stops. For this reason, when the light shielding cover 30 is removed, the light emission of the LED 15 stops, which is preferable for safety.

なお、本実施の形態では、この遮光カバー30と同軸ケーブル25との同時着脱のための取り付け構造は望ましいが、必須ではない。この場合、別途安全上遮光カバー30を外した時、LEDが発光を停止するような対策を施すことが好ましい。
また、補助基板13とウェハ測定ボード2(不図示)の接続に各種同軸ケーブル25,31,32を用い、また、電源供給ケーブル28にもコネクタを使用したが、そのことも必須ではない。たとえば、補助基板13とウェハ測定ボード2との接続を、両者を連結するコネクタとピンにより実現してもよい。
In the present embodiment, an attachment structure for simultaneous attachment / detachment of the light shielding cover 30 and the coaxial cable 25 is desirable, but is not essential. In this case, for safety reasons, it is preferable to take measures to stop the light emission of the LED when the light shielding cover 30 is removed.
Further, various coaxial cables 25, 31, 32 are used for connection between the auxiliary substrate 13 and the wafer measurement board 2 (not shown), and a connector is also used for the power supply cable 28, but this is not essential. For example, the connection between the auxiliary substrate 13 and the wafer measurement board 2 may be realized by a connector and a pin that connect the two.

図8に、検査状態における光デバイス測定装置の電気的回路図を示す。
LSIテスタ1内に、定電流源51、AC信号源52およびその等価出力抵抗R1(たとえば50オーム)、出力リレースイッチS1、電圧源53,54,55,56、ならびに、AC/DCレベル測定のための電圧計(AC/DC電圧計)57,58が装備されている。定電流源51と電圧源53,54,55,56の電圧値、および、AC信号源52の周波数と出力振幅レベルは、LSIテスタ1の仕様の範囲内において任意に設定できる。
FIG. 8 shows an electrical circuit diagram of the optical device measuring apparatus in the inspection state.
In the LSI tester 1, a constant current source 51, an AC signal source 52 and its equivalent output resistance R1 (for example, 50 ohms), an output relay switch S1, voltage sources 53, 54, 55, 56, and AC / DC level measurement Voltmeters (AC / DC voltmeters) 57 and 58 are provided. The voltage values of the constant current source 51 and the voltage sources 53, 54, 55, and 56, and the frequency and output amplitude level of the AC signal source 52 can be arbitrarily set within the specification range of the LSI tester 1.

ウェハ測定ボード2と接続されているプローブカード基板4に、測定治具50およびプローブ11が装備されている。プローブ11は、DUT10の電極パッド(図示せず)とコンタクトしている。   A probe card substrate 4 connected to the wafer measurement board 2 is equipped with a measurement jig 50 and a probe 11. The probe 11 is in contact with an electrode pad (not shown) of the DUT 10.

本例におけるDUT10は、入射された光のパワーレベルに比例した電流が流れるフォトダイオード70と、その電流を適切な電圧に変換する電流電圧変換回路71とをチャンネル数分(本例では1チャンネル)内蔵している。
このフォトダイオード70とその電流電圧変換回路71からなる回路ブロックのチャンネル数は、ここでは1チャンネルとしているが、光の放射角度が比較的広いタイプ(広指向性)のLEDを使用すれば複数チャンネル内蔵の受光デバイスにも対応できる。またフォトダイオード70単体の構成でも測定が可能で、その場合、電流電圧変換回路71は省略される。
The DUT 10 in this example includes a photodiode 70 through which a current proportional to the power level of incident light flows, and a current-voltage conversion circuit 71 that converts the current into an appropriate voltage for the number of channels (in this example, one channel). Built-in.
The number of channels of the circuit block comprising the photodiode 70 and its current-voltage conversion circuit 71 is one channel here, but if a LED with a relatively wide light emission angle (wide directivity) is used, a plurality of channels are used. It can also be used with built-in light receiving devices. In addition, measurement can be performed with the configuration of the photodiode 70 alone, in which case the current-voltage conversion circuit 71 is omitted.

本例における電流電圧変換回路71は、差動アンプ72と帰還抵抗R3を有する。差動アンプ72の反転入力「−」と接地電圧との間にフォトダイオード70が接続され、差動アンプ72の反転入力「−」と出力との間に帰還抵抗R3が接続されている。差動アンプ72に電源電圧Vccと基準電圧Veeが供給され、その非反転入力「+」は接地されている。
差動アンプ72の出力はプローブ11からDUT10の外部に取り出され、さらに同軸ケーブル32および62を介してLSIテスタ1のAC/DC電圧計57に接続されている。電源電圧Vccおよび基準電圧Veeは、それぞれプローブ11を介し、LSIテスタ1内の可変電圧源55,56から供給される。フォトダイオード70への入射光パワーは測定治具50内のLED15から付与される。
The current-voltage conversion circuit 71 in this example includes a differential amplifier 72 and a feedback resistor R3. A photodiode 70 is connected between the inverting input “−” of the differential amplifier 72 and the ground voltage, and a feedback resistor R3 is connected between the inverting input “−” of the differential amplifier 72 and the output. The power supply voltage Vcc and the reference voltage Vee are supplied to the differential amplifier 72, and the non-inverting input “+” is grounded.
The output of the differential amplifier 72 is taken out from the probe 11 to the outside of the DUT 10 and further connected to the AC / DC voltmeter 57 of the LSI tester 1 via coaxial cables 32 and 62. The power supply voltage Vcc and the reference voltage Vee are supplied from the variable voltage sources 55 and 56 in the LSI tester 1 via the probe 11, respectively. The incident light power to the photodiode 70 is applied from the LED 15 in the measurement jig 50.

測定治具50内に、光パワーを供給するLED15と、インピーダンスマッチングのための抵抗R2とが内蔵されている。なお、図8において参照符号「S2」により示すスイッチは、測定治具50の遮光カバー30を外すと(図5参照)、駆動電流を供給している同軸ケーブル25が治具から離れて駆動電流の供給が停止し発光が止まることから、この作用を等価的なスイッチで表現したものである。
これら等価スイッチS2、抵抗R2およびLED15は、同軸ケーブル25のコネクタ対26,25Aと接地電圧との間に縦続接続されている。
In the measurement jig 50, an LED 15 for supplying optical power and a resistor R2 for impedance matching are incorporated. Note that the switch indicated by the reference sign “S2” in FIG. 8 is such that when the light shielding cover 30 of the measurement jig 50 is removed (see FIG. 5), the coaxial cable 25 supplying the drive current is separated from the jig and the drive current. This action is expressed by an equivalent switch since the supply of light stops and the light emission stops.
The equivalent switch S2, the resistor R2, and the LED 15 are connected in cascade between the connector pair 26, 25A of the coaxial cable 25 and the ground voltage.

モニタPD22は、ここではDUT10と同様の品種を使用していることから回路構成がDUT10と同一であり、フォトダイオード70、差動アンプ72および帰還抵抗R3を含む。
差動アンプ72の出力はコネクタ対27,31Aを通って同軸ケーブル31および63を介してLSIテスタ1のAC/DCレベル測定のための電圧計58に接続されている。電源電圧Vccおよび基準電圧Veeは電源供給ケーブル28、コネクタ28A、ケーブル64を介し、LSIテスタ1内の可変電圧源53,54から供給される。
Since the monitor PD 22 uses the same type as the DUT 10 here, the monitor PD 22 has the same circuit configuration as the DUT 10 and includes a photodiode 70, a differential amplifier 72, and a feedback resistor R 3.
The output of the differential amplifier 72 is connected to the voltmeter 58 for measuring the AC / DC level of the LSI tester 1 through the connector pairs 27 and 31A and the coaxial cables 31 and 63. The power supply voltage Vcc and the reference voltage Vee are supplied from the variable voltage sources 53 and 54 in the LSI tester 1 through the power supply cable 28, the connector 28A, and the cable 64.

ウェハ測定ボード2内でLEDの電源供給のための同軸ケーブル25に高周波重畳回路61が接続されている。高周波重畳回路61は、LSIテスタ1からのLED駆動のための定電流にAC信号を重畳させる回路である。
高周波重畳回路61のDC入力と、LSIテスタ1内の源電圧Vddの供給線との間に定電流源51が接続されている。高周波重畳回路61のAC入力と、LSIテスタ1内の接地電圧の供給線との間に、出力リレースイッチS1、等価出力抵抗R1およびAC信号源52が接続されている。
A high frequency superimposing circuit 61 is connected to the coaxial cable 25 for supplying power to the LEDs in the wafer measurement board 2. The high frequency superimposing circuit 61 is a circuit that superimposes an AC signal on a constant current for LED driving from the LSI tester 1.
A constant current source 51 is connected between the DC input of the high frequency superimposing circuit 61 and the supply line of the source voltage Vdd in the LSI tester 1. An output relay switch S1, an equivalent output resistor R1, and an AC signal source 52 are connected between the AC input of the high-frequency superimposing circuit 61 and a ground voltage supply line in the LSI tester 1.

図9に、高周波重畳回路61のDC入力ノードNa、AC入力ノードNb、出力ノードNcのライン構成を示す。これらの全てのノードに接続されるケーブルとして、信号線の周囲を接地電圧のラインでシールドした同軸ケーブルが用いられている。   FIG. 9 shows a line configuration of the DC input node Na, AC input node Nb, and output node Nc of the high-frequency superimposing circuit 61. As a cable connected to all these nodes, a coaxial cable in which the periphery of the signal line is shielded with a ground voltage line is used.

図10に、高周波重畳回路61の回路例を示す。
高周波重畳回路61は、ノイズ除去のためのコンデンサC1、DCカットのためのカップリングコンデンサC2およびチョークコイルL1を有する。チョークコイルL1がDC入力ノードNaと出力ノードNcとの間に接続され、コンデンサC1がDC入力ノードNaと接地電圧との間に接続され、カップリングコンデンサC2がAC入力ノードNbと出力ノードNcとの間に接続されている。
FIG. 10 shows a circuit example of the high frequency superimposing circuit 61.
The high frequency superimposing circuit 61 includes a capacitor C1 for removing noise, a coupling capacitor C2 for cutting DC, and a choke coil L1. Choke coil L1 is connected between DC input node Na and output node Nc, capacitor C1 is connected between DC input node Na and ground voltage, and coupling capacitor C2 is connected to AC input node Nb and output node Nc. Connected between.

出力リレースイッチS1がオフのときは、LSIテスタ1内の定電流源51からの定電流がDC入力ノードNaから高周波重畳回路61内に供給され、チョークコイルL1をスルーしてそのまま出力ノードNcから出力される。このDC的な動作では、チョークコイルL1のインピーダンス(DC抵抗)は、ほぼゼロであることから、LSIテスタ1からのLED駆動電流のための定電流はそのまま(すなわち、殆ど損失することなく)チョークコイルL1をスルーし、LED15に供給される。   When the output relay switch S1 is off, a constant current from the constant current source 51 in the LSI tester 1 is supplied from the DC input node Na into the high frequency superimposing circuit 61, passes through the choke coil L1, and directly from the output node Nc. Is output. In this DC operation, since the impedance (DC resistance) of the choke coil L1 is substantially zero, the constant current for the LED drive current from the LSI tester 1 remains as it is (that is, with almost no loss). It passes through the coil L1 and is supplied to the LED 15.

出力リレースイッチS1がオンすると、AC信号はLSIテスタ1内のAC信号源52から、等価出力抵抗R1、オン状態の出力リレースイッチS1を通ってAC入力ノードNbに供給される。そして、DC入力ノードNa点から供給されている定電流に、カップリングコンデンサC2を介してAC信号が重畳される。このAC動作では、チョークコイルL1のインピーダンスがほぼ無限大となることから、LED15の動作電圧値を一定と仮定した場合、AC信号源52からのAC信号(AC電流)は、等価出力抵抗R1および抵抗R2、およびLED15を通って、接地電圧のラインに流れる。よって高周波重畳されるAC電流は、AC信号源52の振幅を、等価出力抵抗R1と抵抗R2の抵抗値の和で割った値となる。つまり、AC電流の重畳レベルは、これらの抵抗値とAC信号の振幅に応じて決められる。なお、抵抗R2はインピーダンスマッチング用で、LEDの駆動電流ラインのインピーダンスを同軸ケーブル25のインピーダンスに合わせるために設けられている。   When the output relay switch S1 is turned on, the AC signal is supplied from the AC signal source 52 in the LSI tester 1 to the AC input node Nb through the equivalent output resistor R1 and the output relay switch S1 in the on state. The AC signal is superimposed on the constant current supplied from the DC input node Na via the coupling capacitor C2. In this AC operation, the impedance of the choke coil L1 becomes almost infinite. Therefore, assuming that the operating voltage value of the LED 15 is constant, the AC signal (AC current) from the AC signal source 52 is equivalent to the equivalent output resistance R1 and It flows through the resistor R2 and the LED 15 to the ground voltage line. Therefore, the AC current superimposed at a high frequency is a value obtained by dividing the amplitude of the AC signal source 52 by the sum of the resistance values of the equivalent output resistance R1 and the resistance R2. That is, the superimposed level of the AC current is determined according to these resistance values and the amplitude of the AC signal. The resistor R2 is for impedance matching and is provided to match the impedance of the LED drive current line with the impedance of the coaxial cable 25.

以上のように構成されている光デバイス測定装置を用いて具体的テスト方法を、主に図8を用いて説明する。
モニタPD22を測定治具50に装着する前の事前準備として、モニタPD22に予め基準光パワーを入力し、この光パワーレベルも必要に応じ複数のレベルで変化しながら、モニタPD22のDC出力データを繰り返し測定する。この測定結果から、モニタPD22のDC受光感度特性、すなわち出力DC電圧と入射光パワーとの関係を求め、これを校正用として記録する。
同様に、高周波重畳された基準用光パワーを照射し、このときの周波数も必要に応じ複数の値で変化しながら、そのAC出力データを繰り返し測定し、同様にモニタPD22のAC受光感度特性を求め、これを校正用として記録する。
A specific test method using the optical device measuring apparatus configured as described above will be described mainly with reference to FIG.
As a pre-preparation before mounting the monitor PD 22 on the measuring jig 50, the reference optical power is inputted to the monitor PD 22 in advance, and the DC output data of the monitor PD 22 is changed while changing the optical power level at a plurality of levels as required. Repeat measurement. From this measurement result, the DC light receiving sensitivity characteristic of the monitor PD 22, that is, the relationship between the output DC voltage and the incident light power is obtained and recorded for calibration.
Similarly, the reference optical power superimposed with the high frequency is irradiated, and the AC output data is repeatedly measured while changing the frequency at a plurality of values as necessary, and the AC light receiving sensitivity characteristic of the monitor PD 22 is similarly measured. Find this and record it for calibration.

次に、予め別の手段で評価され、校正の取れているチップを有している基準ウェハをセットし、そのチップをDUTとする。
LED15に駆動電流を流し、上記DUTの受光面に光を照射する。そして、その受光面に照射されている光パワーがあるパワーレベル(例えば100[μW])となるように、DUTのDC出力電圧(電圧計57の測定値)を測定しながら、駆動電流を調整する。より詳細には、上記で予め求めておいたモニタPD22のDC受光感度特性から、その受光面に入射される光パワーの絶対量を、モニタPD22の出力から知ることができ、この光パワーが上記パワーレベルになる出力が得られるように、駆動電流を調整する。
所定のパワーレベルとなった時、モニタ用受光デバイス22の出力電圧を、AC/DC電圧計58を介して測定する。これを校正用データとして記録する。
必要に応じ、光パワーを何点か変え、同様にして校正用データとして記録する。
Next, a reference wafer having a chip that has been evaluated in advance by another means and has been calibrated is set, and the chip is used as a DUT.
A drive current is passed through the LED 15 to irradiate the light receiving surface of the DUT with light. Then, the drive current is adjusted while measuring the DC output voltage (measured value of the voltmeter 57) of the DUT so that the light power applied to the light receiving surface becomes a certain power level (for example, 100 [μW]). To do. More specifically, the absolute amount of light power incident on the light receiving surface can be known from the output of the monitor PD 22 from the DC light receiving sensitivity characteristic of the monitor PD 22 previously obtained above. The drive current is adjusted so that an output that achieves a power level is obtained.
When the power level reaches a predetermined level, the output voltage of the monitoring light receiving device 22 is measured via the AC / DC voltmeter 58. This is recorded as calibration data.
If necessary, the optical power is changed at several points and recorded as calibration data in the same manner.

次に高周波重畳された光を照射し、同時に周波数も必要に応じ何点か変え、そのAC出力データを測定し、周波数特性を求めこれを校正用データとして記録する。このとき同様にして、予め求めておいたモニタPD22のAC受光感度特性から光パワーの絶対量を知ることができ、その絶対量が所定の値となるように周波数や電流量を調整し校正を行う。
以上の校正後、DUT10を含む測定対象のウェハをセットし、以下の項目を順次測定する。
Next, light superimposed with a high frequency is irradiated, and at the same time, the frequency is changed at several points as necessary, the AC output data is measured, the frequency characteristic is obtained, and this is recorded as calibration data. Similarly, the absolute amount of optical power can be obtained from the AC light receiving sensitivity characteristic of the monitor PD 22 obtained in advance, and the frequency and current amount are adjusted and calibrated so that the absolute amount becomes a predetermined value. Do.
After the above calibration, the wafer to be measured including the DUT 10 is set, and the following items are measured sequentially.

<受光感度特性の測定>
ステップ1:DUT10にプローブ11を接触させる。この状態で、所定の駆動電流を、LSIテスタ1からウェハ測定ボード2の同軸ケーブル25を介してLED15に流す。
このとき出力リレースイッチS1はオフとしておく。このためAC信号源52からのAC信号は高周波重畳回路61に入力されず、駆動電流に対し高周波重畳が行われない。
所定の駆動電流が流れるとLED15が発光し、DUT10とモニタPD22とにそれぞれ所定の割合(例えばDUT10の受光パワーはモニタPD22のそれの数倍〜十数倍)で光が入射する。
このDUT10の出力をLSIテスタ1内のAC/DC電圧計57で測定し、記録する。
<Measurement of photosensitivity characteristics>
Step 1: The probe 11 is brought into contact with the DUT 10. In this state, a predetermined drive current is passed from the LSI tester 1 to the LED 15 via the coaxial cable 25 of the wafer measurement board 2.
At this time, the output relay switch S1 is turned off. For this reason, the AC signal from the AC signal source 52 is not input to the high frequency superimposing circuit 61, and high frequency superposition is not performed on the drive current.
When a predetermined drive current flows, the LED 15 emits light, and light enters the DUT 10 and the monitor PD 22 at a predetermined ratio (for example, the light reception power of the DUT 10 is several times to several tens of times that of the monitor PD 22).
The output of the DUT 10 is measured by an AC / DC voltmeter 57 in the LSI tester 1 and recorded.

ステップ2:モニタPD22の出力をLSIテスタ1内のAC/DC電圧計58で測定し、記録する。   Step 2: The output of the monitor PD 22 is measured by the AC / DC voltmeter 58 in the LSI tester 1 and recorded.

必要に応じ上記ステップ1と2を、光パワーを何点か変えながら繰り返す。
以上の測定の結果を、記録されている校正用データと照合して校正することによって、正確なDC受光感度特性を求める。
Repeat steps 1 and 2 as necessary, changing the optical power at several points.
By calibrating the above measurement results against the recorded calibration data, an accurate DC light receiving sensitivity characteristic is obtained.

<周波数特性の測定>
ステップ1:所定の駆動電流をLSIテスタ1の定電流源51から高周波重畳回路61に流す。また、記録されている校正用データと照合して校正することによって、正確なDC出力リレースイッチS1をオンし、AC信号源52からAC信号を高周波重畳回路61に与え、そのAC信号を定電流源51から駆動電流に重畳させる。そして、AC信号が重畳された駆動電流を、ウェハ測定ボード2の同軸ケーブル25を介して、測定治具50内のLED15に流す。
所定の駆動電流が流れるとLED15が発光し、DUT10とモニタPD22とにそれぞれ所定の割合(例えばDUT10の受光パワーはモニタPD22のそれの数倍〜十数倍)で光が入射する。
このDUT10の出力をLSIテスタ1内のAC/DC電圧計57で測定し、記録する。
<Measurement of frequency characteristics>
Step 1: A predetermined drive current is supplied from the constant current source 51 of the LSI tester 1 to the high frequency superimposing circuit 61. Further, the correct DC output relay switch S1 is turned on by collating with the recorded calibration data, and the AC signal is supplied from the AC signal source 52 to the high frequency superposition circuit 61, and the AC signal is supplied to the constant current. A driving current is superimposed from the source 51. Then, the drive current on which the AC signal is superimposed is passed through the LED 15 in the measurement jig 50 via the coaxial cable 25 of the wafer measurement board 2.
When a predetermined drive current flows, the LED 15 emits light, and light enters the DUT 10 and the monitor PD 22 at a predetermined ratio (for example, the light reception power of the DUT 10 is several times to several tens of times that of the monitor PD 22).
The output of the DUT 10 is measured by an AC / DC voltmeter 57 in the LSI tester 1 and recorded.

ステップ2:モニタPD22の出力をLSIテスタ1内のAC/DC電圧計58で測定し、記録する。   Step 2: The output of the monitor PD 22 is measured by the AC / DC voltmeter 58 in the LSI tester 1 and recorded.

必要に応じ上記ステップ1と2を、周波数及び/又は光パワーを何点か変えながら繰り返す。
以上の測定の結果を、記録されている校正用データと照合して校正することによって、正確なAC受光感度特性を求める。
Steps 1 and 2 are repeated as necessary, changing the frequency and / or optical power at several points.
By calibrating the result of the above measurement against the recorded calibration data, an accurate AC light receiving sensitivity characteristic is obtained.

本実施の形態では、AC重畳時の受光感度特性を測定可能な構成と、その測定方法を説明したが、なお周波数特性を測定する必要がない場合、高周波重畳回路61は不要となる。
また光源としてLEDの代わりに半導体レーザを使用することもできる。その場合、半導体レーザに供給する駆動電流を閾値以下に設定すれば、LED光となるので、上記測定方法がそのまま適用できる。
In the present embodiment, the configuration and method for measuring the light receiving sensitivity characteristic at the time of AC superimposition have been described. However, when it is not necessary to measure the frequency characteristic, the high frequency superimposing circuit 61 is not necessary.
A semiconductor laser can also be used as the light source instead of the LED. In that case, if the drive current supplied to the semiconductor laser is set to be equal to or less than the threshold value, the LED light is obtained, and thus the above measurement method can be applied as it is.

[第2実施形態]
本実施形態が上記第1実施形態と異なる点は、検査対象を半導体ウェハではなく組立て品(チップをパッケージに収納した光デバイス)としたことである。
[Second Embodiment]
The present embodiment is different from the first embodiment in that the inspection target is not a semiconductor wafer but an assembly (an optical device in which a chip is housed in a package).

図11は、第2実施形態における光デバイス測定装置の要部を示す断面図である。
図11を図4と比較すると明らかなように、この光デバイス測定装置は、パッケージに収容された組み立て品(DUT10)を保持する検査治具90と、検査治具90上に補助基板13および測定治具50を保持するための保持台91とを備えている。この検査治具90は、図3および図4に示すプローブカード基板4を含むウェハ測定ボード2の機能を全て併せ持つものである。検査治具90と測定治具50との接続は、同軸ケーブル25,31および電源供給ケーブル28により達成されている。なお、図4に示す同軸ケーブル32の役割、すなわちDUT10と検査治具90との接続は、検査治具90内の内部配線(不図示)により達成されている。
図11と図4の比較において、上記以外の構成は前述した図4の場合と同じであり、同一符号を付して、その構成の説明を省略する。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a main part of the optical device measurement apparatus according to the second embodiment.
As is clear from comparison of FIG. 11 with FIG. 4, this optical device measurement apparatus includes an inspection jig 90 that holds an assembly (DUT 10) housed in a package, the auxiliary substrate 13 and the measurement on the inspection jig 90. A holding base 91 for holding the jig 50 is provided. This inspection jig 90 has all the functions of the wafer measurement board 2 including the probe card substrate 4 shown in FIGS. 3 and 4. The connection between the inspection jig 90 and the measurement jig 50 is achieved by the coaxial cables 25 and 31 and the power supply cable 28. Note that the role of the coaxial cable 32 shown in FIG. 4, that is, the connection between the DUT 10 and the inspection jig 90 is achieved by internal wiring (not shown) in the inspection jig 90.
In the comparison between FIG. 11 and FIG. 4, the configuration other than the above is the same as that in FIG. 4 described above, and the same reference numerals are given and description of the configuration is omitted.

図11においては、光デバイス測定装置を構成するハンドラ、テストヘッド、DUTと検査治具と電気的に接続するコンタクトプローブ、および、機械的に固定するソケット、LEDのハウジングなどは図示していない。
図1に示す光デバイス測定装置を本実施形態に適用する場合、ウェハ測定ボード2、プローブカード基板4、半導体ウェハ6、ステージ7およびコンタクトリング8は省略され、図11に示す検査治具90がコネクタ3bに差し込まれて用いられる。このため、プローバ装置5の構成を簡素化し、小型化することができる。
なお、具体的テスト方法の例については、第1実施形態と共通であることから、その説明は省略する。
In FIG. 11, the handler, the test head, the contact probe that is electrically connected to the DUT and the inspection jig, the socket that is mechanically fixed, the LED housing, and the like are not shown.
When the optical device measurement apparatus shown in FIG. 1 is applied to this embodiment, the wafer measurement board 2, the probe card substrate 4, the semiconductor wafer 6, the stage 7 and the contact ring 8 are omitted, and the inspection jig 90 shown in FIG. Used by being inserted into the connector 3b. For this reason, the structure of the prober apparatus 5 can be simplified and reduced in size.
An example of a specific test method is the same as that of the first embodiment, and thus description thereof is omitted.

なお、本発明の実施形態における測定治具50の構成、とくに光源である反射型LEDは、放射(照明)性能低下の検出付きLED照明装置として、例えばLEDパネル向けのバックライトや一般用照明灯、さらには、高輝度白色LEDを内蔵させて自動車のヘッドライトなどにも使用できる。   Note that the configuration of the measurement jig 50 in the embodiment of the present invention, particularly the reflective LED as the light source, is an LED illumination device with detection of radiation (illumination) performance degradation, for example, a backlight for LED panels or a general illumination lamp. Furthermore, it can be used for automobile headlights by incorporating a high-intensity white LED.

本実施形態の光デバイス測定装置および測定方法は、以下の利点がある。
第1に、モニタPD22により常時光パワーをモニタしているので、DUT10について精度の良い測定ができる。
第2に、レンズなど光学系部材を必要としないので、測定システムのローコスト化、小型化が可能である。
第3に、光源にLEDを使用しているので、測定システムのローコスト化が可能である。また、LEDの交換も容易であり、メンテナンス性も高い。
The optical device measurement apparatus and measurement method of this embodiment have the following advantages.
First, since the optical power is constantly monitored by the monitor PD 22, the DUT 10 can be measured with high accuracy.
Second, since no optical system member such as a lens is required, the measurement system can be reduced in cost and size.
Third, since an LED is used as the light source, the cost of the measurement system can be reduced. Moreover, replacement | exchange of LED is easy and maintenance property is also high.

更に、以下の利点もある。
遮光カバー30を外した時、LEDが発光停止することから安全である。
遮光カバー30および補助基板13により、モニタPD22に入射する光において、LED15からの光以外の外来光を遮断することから、使用場所の環境により測定値が変化するのを防ぐことができる。
なお、本実施形態の光デバイス測定装置および測定方法は、半導体ウェハの測定システムだけでなく、組み立て品の測定システムにも適用できる。また、LED15に代えて、半導体レーザでも使用できる。
また、光源は照明性能低下の検出付きLED照明装置として、例えばLEDパネル用バックライトや一般用照明灯、さらには自動車用ヘッドライトなどにも使用できる。
Furthermore, there are the following advantages.
When the light shielding cover 30 is removed, it is safe because the LED stops emitting light.
Since the light incident on the monitor PD 22 is blocked by the light shielding cover 30 and the auxiliary substrate 13, the extraneous light other than the light from the LED 15 is blocked, so that the measurement value can be prevented from changing depending on the environment of the place of use.
Note that the optical device measurement apparatus and measurement method of this embodiment can be applied not only to a semiconductor wafer measurement system but also to an assembly measurement system. Further, a semiconductor laser can be used instead of the LED 15.
Further, the light source can be used as an LED lighting device with detection of deterioration in lighting performance, for example, for a backlight for an LED panel, a general illumination lamp, and a headlight for an automobile.

とくにLEDの場合、発光素子(チップ)自体の放射特性は長期使用しても殆ど低下しないが、チップを封止している樹脂などの材料が温度や光の放射エネルギーによって劣化する。よって所定の駆動電流を流しているにもかかわらず、光の透過率が低下し、光放射(照明)性能の低下が生じやすい。
従って本実施形態では、モニタPD22によって光パワーそのものをモニタすることから、劣化の度合いを把握できるため、上記性能低下による不利益、すなわち測定精度の低下がない。
In particular, in the case of an LED, the radiation characteristics of the light emitting element (chip) itself are hardly deteriorated even after long-term use, but the material such as a resin sealing the chip is deteriorated by temperature and radiation energy of light. Therefore, although a predetermined drive current is applied, the light transmittance is lowered, and the light emission (illumination) performance is likely to be lowered.
Therefore, in the present embodiment, since the optical power itself is monitored by the monitor PD 22, the degree of deterioration can be grasped, so that there is no disadvantage due to the above performance reduction, that is, there is no reduction in measurement accuracy.

特許文献1に記載されている光デバイス測定装置の構成図である。1 is a configuration diagram of an optical device measurement apparatus described in Patent Document 1. FIG. 第1実施形態の光デバイス測定装置の構成図である。It is a block diagram of the optical device measuring apparatus of 1st Embodiment. ウェハ測定ボードとプローブカード基板との組み立て図である。It is an assembly drawing of a wafer measurement board and a probe card board. 第1実施形態の光デバイス測定装置の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the optical device measuring apparatus of 1st Embodiment. 反射型LED部分の拡大図である。It is an enlarged view of a reflection type LED part. 遮光カバーの上面図である。It is a top view of a light shielding cover. 測定治具における遮光カバーの組み付け図である。It is an assembly drawing of the light shielding cover in the measurement jig. 検査状態における光デバイス測定装置の電気的回路図である。It is an electrical circuit diagram of the optical device measuring apparatus in an inspection state. 高周波重畳回路の入出力ラインの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the input-output line of a high frequency superposition circuit. 高周波重畳回路の回路図である。It is a circuit diagram of a high frequency superposition circuit. 第2実施形態の光デバイス測定装置の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the optical device measuring apparatus of 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…LSIテスタ、2…ウェハ測定ボード、4…プローブカード基板、5…プローバ装置、6…半導体ウェハ、7…ステージ、8…コンタクトリング、10…DUT、11…プローブ、12…プローブ保持台、13…補助基板、15…LED、151…発光素子、152a,152b…リード、153…ワイヤ、154…反射部材、154A…開口部、155…透明エポキシ樹脂、156…放射部材、22…モニタPD、22A…受光部、23…PD配線基板、24a,24b…ワイヤ、24c…ケーブル、25,31,32…同軸ケーブル、26,27,41…SMAオス側のコネクタ、28…電源供給ケーブル、30…遮光カバー、51…定電流源、52…AC信号源、53〜56…電圧源、57,58…AC/DC電圧計、61…高周波重畳回路、70…フォトダイオード、71…電流電圧変換回路、72…差動アンプ、R2…インピーダンスマッチング用の抵抗、R3…帰還抵抗、S1…出力リレースイッチ、S2…等価スイッチ、A…アノード、K…カソード、Vcc…電源電圧、Vee…基準電圧
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... LSI tester, 2 ... Wafer measurement board, 4 ... Probe card board, 5 ... Prober apparatus, 6 ... Semiconductor wafer, 7 ... Stage, 8 ... Contact ring, 10 ... DUT, 11 ... Probe, 12 ... Probe holder, DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 ... Auxiliary board | substrate, 15 ... LED, 151 ... Light emitting element, 152a, 152b ... Lead, 153 ... Wire, 154 ... Reflective member, 154A ... Opening part, 155 ... Transparent epoxy resin, 156 ... Radiation member, 22 ... Monitor PD, 22A ... light receiving unit, 23 ... PD wiring board, 24a, 24b ... wire, 24c ... cable, 25, 31, 32 ... coaxial cable, 26,27,41 ... SMA male connector, 28 ... power supply cable, 30 ... Shading cover, 51 ... constant current source, 52 ... AC signal source, 53-56 ... voltage source, 57, 58 ... AC / DC voltmeter, 61 ... high frequency superposition circuit , 70: Photodiode, 71: Current / voltage conversion circuit, 72: Differential amplifier, R2: Resistance for impedance matching, R3: Feedback resistor, S1: Output relay switch, S2: Equivalent switch, A ... Anode, K ... Cathode , Vcc ... power supply voltage, Vee ... reference voltage

Claims (5)

被検査デバイスに照射する光を出射する発光素子、前記発光素子の前記被検査デバイスと反対側に設けられ一部が開口する反射部材、および、前記発光素子から出力し前記反射部材の前記開口を通るモニタ光を受光し当該モニタ光の受光量に応じた出力を発生する受光デバイスが固定されている測定治具と、
前記被検査デバイスの特性を測定し、前記受光デバイスからの出力に基づいて、当該測定結果を校正することと、前記測定時における前記被検査デバイスへの電源供給を制御することとの少なくとも一方を行う測定部と、
を有する光デバイス測定装置。
A light emitting element that emits light to irradiate the device to be inspected, a reflective member that is provided on the opposite side of the light emitting element from the device to be inspected, and a part of which is open; A measuring jig to which a light receiving device that receives the monitor light passing therethrough and generates an output corresponding to the amount of light received by the monitor light is fixed;
Measuring at least one of the characteristics of the device under test and calibrating the measurement result based on the output from the light receiving device; and controlling power supply to the device under test during the measurement. A measuring unit to perform,
An optical device measuring apparatus.
前記測定部は、
前記発光素子に供給する駆動電流にAC信号を重畳する高周波重畳回路と、
前記AC信号の周波数を変更して前記特性を測定するテスタと、
を含む
請求項1に記載の光デバイス測定装置。
The measuring unit is
A high frequency superimposing circuit for superimposing an AC signal on a driving current supplied to the light emitting element;
A tester for measuring the characteristics by changing the frequency of the AC signal;
The optical device measurement apparatus according to claim 1.
前記測定治具は、前記発光素子、前記反射部材および前記受光デバイスを覆う遮光カバーを有し、
前記遮光カバーを前記測定治具から取り外すことに連動して前記発光素子への電流供給が停止可能になっている
請求項1に記載の光デバイス測定装置。
The measurement jig has a light shielding cover that covers the light emitting element, the reflecting member, and the light receiving device,
The optical device measurement apparatus according to claim 1, wherein the current supply to the light emitting element can be stopped in conjunction with the removal of the light shielding cover from the measurement jig.
前記発光素子に電流を供給するためのケーブルのコネクタが、前記遮光カバーが固定される前記測定治具の基板に設けられ、かつ、当該コネクタが前記遮光カバーの固定手段を兼用する
請求項3に記載の光デバイス測定装置。
The connector of the cable for supplying an electric current to the light emitting element is provided on a substrate of the measurement jig to which the light shielding cover is fixed, and the connector also serves as a fixing means for the light shielding cover. The optical device measuring apparatus as described.
被検査デバイスに照射する光を出射する発光素子と、
前記発光素子の前記被検査デバイスと反対側に設けられ一部が開口する反射部材と、
前記発光素子から出力し前記反射部材の前記開口を通るモニタ光を受光し当該モニタ光の受光量に応じた出力を発生する受光デバイスと
をベース基板に固定して形成されている
光デバイス測定治具。
A light emitting element that emits light to irradiate the device under test;
A reflective member that is provided on the opposite side of the device to be inspected of the light-emitting element and has a part opened;
An optical device measuring jig that is formed by fixing a light receiving device, which outputs from the light emitting element and passes through the opening of the reflecting member, and generates an output corresponding to the amount of received monitor light to a base substrate. Ingredients.
JP2006166052A 2006-06-15 2006-06-15 Apparatus and tool for measuring optical device Pending JP2007335651A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006166052A JP2007335651A (en) 2006-06-15 2006-06-15 Apparatus and tool for measuring optical device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006166052A JP2007335651A (en) 2006-06-15 2006-06-15 Apparatus and tool for measuring optical device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007335651A true JP2007335651A (en) 2007-12-27

Family

ID=38934825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006166052A Pending JP2007335651A (en) 2006-06-15 2006-06-15 Apparatus and tool for measuring optical device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007335651A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100975836B1 (en) 2008-07-21 2010-08-16 (주)정연시스템 Characteristic measuring device of high brightness LED
CN101782598B (en) * 2009-01-15 2011-11-09 京元电子股份有限公司 Vertical probe card adjustment platform
JP2016058370A (en) * 2014-09-04 2016-04-21 株式会社小糸製作所 Vehicle lamp and light source abnormality detector
KR20170006127A (en) * 2015-07-07 2017-01-17 삼성전자주식회사 Probe card, thermal insulation cover assembly for probe card, and apparatus of testing semiconducotr device including the probe card
JP2017198640A (en) * 2016-04-29 2017-11-02 日本電子材料株式会社 Probe card
CN108738354A (en) * 2016-02-11 2018-11-02 Zkw集团有限责任公司 Method and ICT devices for the module comprising at least two LED for checking lighting device
WO2019230410A1 (en) * 2018-06-01 2019-12-05 株式会社日本マイクロニクス Connection device and method for manufacturing connection device
JP2020020659A (en) * 2018-07-31 2020-02-06 東京特殊電線株式会社 Semiconductor device inspection jig and inspection method
CN112113744A (en) * 2019-06-21 2020-12-22 北醒(北京)光子科技有限公司 Laser radar optical assembly part detects frock
JP7128403B1 (en) 2021-04-15 2022-08-31 株式会社インターアクション Pupil module and inspection device

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100975836B1 (en) 2008-07-21 2010-08-16 (주)정연시스템 Characteristic measuring device of high brightness LED
CN101782598B (en) * 2009-01-15 2011-11-09 京元电子股份有限公司 Vertical probe card adjustment platform
JP2016058370A (en) * 2014-09-04 2016-04-21 株式会社小糸製作所 Vehicle lamp and light source abnormality detector
KR20170006127A (en) * 2015-07-07 2017-01-17 삼성전자주식회사 Probe card, thermal insulation cover assembly for probe card, and apparatus of testing semiconducotr device including the probe card
KR102328101B1 (en) 2015-07-07 2021-11-17 삼성전자주식회사 Probe card, thermal insulation cover assembly for probe card, and apparatus of testing semiconducotr device including the probe card
CN108738354A (en) * 2016-02-11 2018-11-02 Zkw集团有限责任公司 Method and ICT devices for the module comprising at least two LED for checking lighting device
JP2017198640A (en) * 2016-04-29 2017-11-02 日本電子材料株式会社 Probe card
JP2023033607A (en) * 2018-06-01 2023-03-10 株式会社日本マイクロニクス connection device
JP2019211265A (en) * 2018-06-01 2019-12-12 株式会社日本マイクロニクス Connection device and method for manufacturing the same
WO2019230410A1 (en) * 2018-06-01 2019-12-05 株式会社日本マイクロニクス Connection device and method for manufacturing connection device
JP7441478B2 (en) 2018-06-01 2024-03-01 株式会社日本マイクロニクス connection device
JP7261404B2 (en) 2018-06-01 2023-04-20 株式会社日本マイクロニクス Manufacturing method of connecting device
JP2020020659A (en) * 2018-07-31 2020-02-06 東京特殊電線株式会社 Semiconductor device inspection jig and inspection method
JP7068088B2 (en) 2018-07-31 2022-05-16 東京特殊電線株式会社 Inspection jig and inspection method for semiconductor devices
CN112113744A (en) * 2019-06-21 2020-12-22 北醒(北京)光子科技有限公司 Laser radar optical assembly part detects frock
CN112113744B (en) * 2019-06-21 2025-06-06 北醒(北京)光子科技有限公司 A laser radar optical assembly detection tool
JP7128403B1 (en) 2021-04-15 2022-08-31 株式会社インターアクション Pupil module and inspection device
JP2022164665A (en) * 2021-04-15 2022-10-27 株式会社インターアクション Pupil module and inspection device
JP7388766B2 (en) 2021-04-15 2023-11-29 株式会社インターアクション Pupil module and inspection device
JP2022164061A (en) * 2021-04-15 2022-10-27 株式会社インターアクション Pupil module and inspection device
WO2022220069A1 (en) * 2021-04-15 2022-10-20 株式会社インターアクション Pupil module and inspection device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007335651A (en) Apparatus and tool for measuring optical device
KR101091791B1 (en) Integrating sphere photometer and measureing method of the same
CN110261755B (en) Probe card, detection device and wafer detection method
CN109632130B (en) Integrated fluorescence temperature measurement light path module device
US11024777B2 (en) Light source device
CN112098049A (en) Test apparatus, test method, and computer-readable medium
CN110954771A (en) Aging method for COC (chip on chip) of optical module
WO2009107671A1 (en) Photoelectric conversion device
CN108738354B (en) Method and ICT device for inspecting a module of a lighting device comprising at least two LEDs
JP4650084B2 (en) Light receiving device measuring apparatus and method
US8170077B2 (en) Internal memory for transistor outline packages
JP2022540189A (en) Automotive light module electrical connection assembly and method
CN211012847U (en) Multi-channel spectrum confocal measuring system
CN111121633B (en) A multi-channel spectral confocal measurement system and measurement method thereof
CN108983064B (en) Method and device for testing high-speed direct-tuning dynamic spectrum of semiconductor laser diode chip
US20020126963A1 (en) Twin VCSEL array for separate monitoring and coupling of optical power into fiber in an optical subassembly
CN102023085B (en) Light-emitting element testing device and sensing module thereof
US20020106154A1 (en) Apparatus for and method of jointing probes
CN113702813B (en) Mixed light generating system for chip test
CN220774804U (en) Packaging structure of semiconductor chip and computing device
JP2010016110A (en) Inspection device and inspection method for array type light-emitting device
CN221507195U (en) Packaging structure of photon integrated circuit chip and computing device
CN110346065A (en) A kind of anti-interference and high stability temperature measuring equipment and multiple-path temperature measurement
JP6417723B2 (en) Inspection device
KR102827081B1 (en) Test apparatus, test method and program