JP2007329240A - Solar cell module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、太陽電池モジュールに関し、特に、太陽電池モジュール作製時の封止工程における太陽電池セルの破損を有効に防止することができる太陽電池モジュールに関する。 The present invention relates to a solar cell module, and more particularly, to a solar cell module that can effectively prevent damage to solar cells in a sealing process during solar cell module fabrication.
近年、資源の有効利用や環境汚染の防止等の面から、太陽光を直接電気エネルギーに変換する太陽電池が広く使用され、さらなる開発が進められている。 In recent years, solar cells that directly convert sunlight into electrical energy have been widely used and further developed in terms of effective use of resources and prevention of environmental pollution.
太陽電池モジュールでは、一枚あたりの太陽電池セルの電気出力が小さいため、複数の太陽電池セルを電気的に直列または並列に接続して電気出力の向上が図られている。 In the solar cell module, since the electrical output of the solar cells per sheet is small, the electrical output is improved by connecting a plurality of solar cells in series or in parallel.
太陽電池モジュールは、例えば、図1に示すように、複数の太陽電池セル14が、互いに銅箔等の導電材よりなる接続タブ18により電気的に接続され、ガラス基板などからなる表面側透明保護部材11と裏面側保護部材(バックカバー)12との間にエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルムの表面側封止膜13aおよび裏面側封止膜13bを介して封止した構成とされている。
For example, as shown in FIG. 1, the solar cell module has a plurality of
また、このような太陽電池モジュールに使用される太陽電池セル14は、一般的には、半導体基板15の表面側および裏面側に表面側電極16および裏面側電極17が形成された構成を有する。半導体基板15には、N型領域15aとP型領域15bが形成され、N型領域15aとP型領域15bとの界面部分に半導体接合部(PN接合部)15cが形成される。
In addition, the
太陽電池セル14の両面に設けられる表面側電極16および裏面側電極17は、図2に示すように、バスバー電極19aおよびフィンガー電極19bを有する。フィンガー電極19bは、光生成キャリアを収集するために太陽電池セルの一辺に平行に多数本形成される。また、バスバー電極19aは、収集されたキャリアを集電するためにフィンガー電極19bと垂直に交わるように数本形成される。
The front
従来の太陽電池モジュールに用いられる表面側透明保護部材11には、電池内に太陽光をなるべく効率よく入射させて太陽電池用セル14に集光するために、ガラス基板などの透明基板が用いられている。さらに、太陽電池用封止膜13aとの接着性の向上や、太陽光の反射率を低下させて防眩効果を付与するため、表面側透明保護部材11の太陽電池セル側表面および/または受光面側表面に、エンボス加工等を施すことにより、複数の微細な凹凸部が設けられる。
A transparent substrate such as a glass substrate is used for the surface-side transparent
このような太陽電池は、表面側透明保護部材、表面側封止膜、太陽電池用セル、裏面側封止膜及び裏面側保護部材をこの順で積層し、加熱加圧して、EVAを架橋硬化させて接着一体化させて封止することにより製造される。 In such a solar cell, the surface side transparent protective member, the surface side sealing film, the solar cell, the back surface side sealing film, and the back surface side protective member are laminated in this order, heated and pressurized, and EVA is crosslinked and cured. Then, it is manufactured by bonding and integrating and sealing.
このように太陽電池モジュールの作製にあっては、その封止工程の加熱加圧の際にEVAフィルムを太陽電池セルに押し付けるため、この押圧力で太陽電池セルが割れるという問題があった。また、封止時の脱気不良で空気を巻き込んだり、加熱加圧した際にEVAフィルムが流動して、前記積層体の端面に樹脂がはみ出したりすることで製品の歩留りが低下するという問題もあった。 Thus, in producing the solar cell module, the EVA film is pressed against the solar cell during the heating and pressurization in the sealing step, so that the solar cell is broken by this pressing force. In addition, there is also a problem that the yield of the product is reduced by entraining air due to poor deaeration at the time of sealing, or when the EVA film flows when heated and pressurized, and the resin protrudes from the end face of the laminate. there were.
そこで、上記不具合を解決するために、特許文献1および2では、太陽電池用封止膜としてエンボス加工を施すことにより、所定の形状の凹部が設けられたEVAフィルムを用いた太陽電池モジュールが開示されている。EVAフィルムに凹部を設けることにより、フィルムにクッション性を与えるとともに、脱気性を向上させることができる。これらの結果、高品質の太陽電池を歩留まりよく製造することが可能となる。 In order to solve the above problems, Patent Documents 1 and 2 disclose a solar cell module using an EVA film provided with a recess having a predetermined shape by embossing as a solar cell sealing film. Has been. By providing a recess in the EVA film, the film can be cushioned and the deaeration can be improved. As a result, high quality solar cells can be manufactured with high yield.
また、特許文献3には、太陽電池モジュールにおいて、太陽電池用封止膜として太陽電池セルを収容するための開口部を形成されてなるEVAフィルムを用いることが開示されている。さらに、特許文献4には、太陽電池用封止膜として、65℃における圧縮率が10%以上のものを用いることが開示されている。これらの太陽電池用封止膜によれば、封止工程の加熱加圧における太陽電池セルへのストレスを軽減することにより、太陽電池セルの割れを低減させることが可能となる。 Patent Document 3 discloses that, in a solar cell module, an EVA film formed with an opening for accommodating solar cells is used as a solar cell sealing film. Furthermore, Patent Document 4 discloses that a solar cell sealing film having a compression rate at 65 ° C. of 10% or more is used. According to these sealing films for solar cells, it becomes possible to reduce the cracking of the solar cells by reducing the stress on the solar cells in the heating and pressurization in the sealing step.
太陽電池モジュールには、幅広い研究開発が行われているが、普及を促進させるためには、特に、低コスト化の観点から太陽電池セルの薄型化が試みられている。すなわち、高い結晶品質を有する太陽電池セルを得るために、太陽電池セルの半導体基板の製造には、高価な高純度材料が用いられる。したがって、太陽電池モジュールの製造コストを低減させるためには、太陽電池セルにおける半導体基板を薄くして、高価な高純度材料の使用量を少なくすることが必要とされている。 Although a wide range of research and development has been conducted on solar cell modules, in order to promote the spread, attempts have been made to reduce the thickness of solar cells, particularly from the viewpoint of cost reduction. That is, in order to obtain a solar cell having high crystal quality, an expensive high-purity material is used for manufacturing a semiconductor substrate of the solar cell. Therefore, in order to reduce the manufacturing cost of the solar cell module, it is necessary to reduce the amount of expensive high-purity material used by thinning the semiconductor substrate in the solar cell.
しかしながら、従来の太陽電池モジュールでは、半導体基板の厚さを更に薄くすると、半導体基板は非常に脆いためクラックや割れが生じやすくなり、太陽電池セルの破損率が急速に高まる問題があった。上記特許文献1〜4の太陽電池モジュールでは、太陽電池セルの破損は防止されるが、EVA封止膜の製造が煩雑になり、また、セルが薄い場合など条件によっては太陽電池セルが破損する恐れがある。 However, in the conventional solar cell module, when the thickness of the semiconductor substrate is further reduced, the semiconductor substrate is very fragile, so that cracks and cracks are likely to occur, and the damage rate of the solar cells rapidly increases. In the solar cell modules of Patent Documents 1 to 4, the solar cell is prevented from being damaged, but the production of the EVA sealing film becomes complicated, and the solar cell is damaged depending on conditions such as when the cell is thin. There is a fear.
そこで、本発明は、封止工程における太陽電池セルの破損が確実に防止された太陽電池モジュールを提供することを目的とする。 Then, an object of this invention is to provide the solar cell module with which the damage of the photovoltaic cell in the sealing process was prevented reliably.
本発明者等は、太陽電池モジュールの封止工程における太陽電池セルの破損につき種々の検討を行った結果、太陽電池セルの破損の原因となる半導体基板のクラックや割れの発生は、半導体基板の両面に形成されるバスバー電極周辺で発生し易いことが判明した。したがって、太陽電池セルの破損をより確実に防止するためには、半導体基板におけるバスバー電極付近で発生し得るクラックや割れの発生を防止するのが効果的である。 As a result of various studies on the damage of the solar battery cells in the sealing step of the solar battery module, the present inventors have found that the generation of cracks and cracks in the semiconductor substrate that causes damage to the solar battery cells It has been found that it tends to occur around the bus bar electrodes formed on both sides. Therefore, in order to more reliably prevent damage to the solar battery cells, it is effective to prevent the occurrence of cracks and cracks that may occur in the vicinity of the bus bar electrodes on the semiconductor substrate.
そこで、本発明は、表面側透明保護部材と裏面側保護部材との間に、太陽電池用封止膜を介して、半導体基板と、その表面側および裏面側に設けられたバスバー電極とからなる複数の太陽電池セルを封止してなる太陽電池モジュールであって、
前記表面側透明保護部材は、少なくとも前記太陽電池セル側表面に、微細な凹凸部を有し、
前記太陽電池用封止膜の目付け厚さTCが、下記式(1):
Therefore, the present invention comprises a semiconductor substrate and bus bar electrodes provided on the front surface side and the back surface side via a solar cell sealing film between the front surface side transparent protection member and the back surface side protection member. A solar cell module formed by sealing a plurality of solar cells,
The surface-side transparent protective member has a fine uneven portion on at least the solar cell side surface,
Basis weight thickness T C of the sealing film wherein the solar cell, the following equation (1):
[式(1)において、TCは前記太陽電池用封止膜の目付け厚さ(単位:mm)を表し、TAは前記バスバー電極の厚さ(単位:mm)を表し、TBは前記微細な凹凸部の凹部の深さ(単位:mm)を表し、そして、aは0.2以上の整数である。]を満足することを特徴とする太陽電池モジュールにより上記課題を解決する。 [In Formula (1), T C represents the basis weight thickness (unit: mm) of the solar cell sealing film, T A represents the thickness (unit: mm) of the bus bar electrode, and T B represents the above It represents the depth (unit: mm) of the concave portion of the fine uneven portion, and a is an integer of 0.2 or more. The above problem is solved by a solar cell module characterized by satisfying the above.
本発明の太陽電池の好ましい態様を以下に列記する。 Preferred embodiments of the solar cell of the present invention are listed below.
(1)前記式(1)におけるaは、0.3以上、特に0.4以上である。これにより、半導体基板の損傷を十分に防止することができる。
(2)前記式(1)におけるaは、1以下である。
(3)半導体基板の厚さが、0.01〜0.5mmである。このように半導体基板の厚さが薄くても、太陽電池セルの破損を高く防止することができる。
(4)バスバー電極の厚さTAが、0.02〜0.6mmである。これにより、光生成キャリアの収集を行いつつ、半導体基板の破損を高く防止することができる。
(5)前記表面側透明保護部材における微細な凹凸部は、エンボス加工により設けられたものである。
(6)前記微細な凹凸部の凹部の深さTBが、0.02〜0.5mmである。
(7)前記表面側透明保護部材は、ガラス基板である。
(8)前記裏面側保護部材が、プラスチックフィルムからなる。
(9)前記太陽電池用封止膜が、耐水性、透明度に優れることから、エチレン−酢酸ビニル共重合体を含む組成物を成膜することにより得られた膜である。
(1) a in the formula (1) is 0.3 or more, particularly 0.4 or more. Thereby, damage to the semiconductor substrate can be sufficiently prevented.
(2) a in the formula (1) is 1 or less.
(3) The thickness of the semiconductor substrate is 0.01 to 0.5 mm. Thus, even if the thickness of the semiconductor substrate is thin, it is possible to prevent damage to the solar battery cell.
(4) The thickness T A of the bus bar electrode is 0.02 to 0.6 mm. Thereby, it is possible to prevent damage to the semiconductor substrate while collecting photogenerated carriers.
(5) The fine uneven part in the said surface side transparent protection member is provided by embossing.
(6) the depth T B of the recess of the minute uneven portion, is of 0.02 to 0.5 mm.
(7) The said surface side transparent protection member is a glass substrate.
(8) The back surface side protection member is made of a plastic film.
(9) Since the solar cell sealing film is excellent in water resistance and transparency, it is a film obtained by depositing a composition containing an ethylene-vinyl acetate copolymer.
本発明によれば、太陽電池封止膜の目付け厚さを上記の通りに決定することによって、簡易な方法により、製造過程における半導体基板の破損を高く防止することができる。これにより、半導体基板の厚さが薄くても、半導体基板の破損がなく、信頼性の高い太陽電池モジュールを提供することが可能となる。 According to the present invention, by determining the basis weight of the solar cell sealing film as described above, the semiconductor substrate can be highly prevented from being damaged during the manufacturing process by a simple method. Thereby, even if the thickness of the semiconductor substrate is thin, the semiconductor substrate is not damaged, and a highly reliable solar cell module can be provided.
まず、本発明の太陽電池モジュールの構造を、図1〜図3を用いて説明する。図1は、本発明の太陽電池モジュールの断面の構造の一例を示す図である。図2および図3は、それぞれ、太陽電池セルの電極の形状の一例を示す図である。なお、本発明において、太陽電池セルに対して受光面側を「表面側」と称し、太陽電池セルの受光面とは反対面側を「裏面側」と称する。 First, the structure of the solar cell module of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram showing an example of a cross-sectional structure of a solar cell module of the present invention. 2 and 3 are diagrams showing examples of the shape of the electrode of the solar battery cell, respectively. In the present invention, the light receiving surface side with respect to the solar battery cell is referred to as “front surface side”, and the surface opposite to the light receiving surface of the solar battery cell is referred to as “back surface side”.
本発明の太陽電池モジュールの構造は、従来公知の太陽電池モジュールと同様のものが用いられ、特に制限されない。例えば、上述した図1に示すように、複数の太陽電池セル14が、互いに接続タブ18により電気的に接続され、表面側透明保護部材11および裏面側透明保護部材12の間に、表面側封止膜13aおよび裏面側封止膜13bを介して封止された構造が用いられる。
The structure of the solar cell module of the present invention is the same as that of a conventionally known solar cell module, and is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 1 described above, a plurality of
また、本発明の太陽電池ジュールでは、図1に示すように、表面側透明保護部材の少なくとも太陽電池セル側表面に、凹凸が形成されている。これにより、表面側透明保護部材と表面側封止膜との密着性の向上、防眩効果の付与などが可能である。 Moreover, in the solar cell joule of this invention, as shown in FIG. 1, the unevenness | corrugation is formed in the solar cell side surface at least of the surface side transparent protection member. Thereby, the improvement of the adhesiveness of a surface side transparent protection member and a surface side sealing film, provision of an anti-glare effect, etc. are possible.
本発明の太陽電池セル14は、基本的に、半導体基板15と、その表面側および裏面側にそれぞれ配置される表面側電極16と、裏面側電極17と、から形成される。表面側電極16および裏面側電極17は、図2に示すように、電気出力を取り出すためのバスバー電極19aおよびフィンガー電極19bを有する。
The
本発明の太陽電池モジュールでは、前記太陽電池用封止膜の目付け厚さをTC(単位:mm)とし、前記バスバー電極の厚さをTA(単位:mm)とし、前記太陽電池セル側表面の微細な凹凸部の凹部の深さをTB(単位:mm)としたときに、前記太陽電池用封止膜の目付け厚さTCが、下記式(1)を満足する。 In the solar cell module of the present invention, the basis thickness of the solar cell sealing film is T C (unit: mm), the thickness of the bus bar electrode is T A (unit: mm), and the solar cell side When the depth of the concave portion of the fine uneven portion on the surface is T B (unit: mm), the basis thickness T C of the solar cell sealing film satisfies the following formula (1).
前記式(1)において、aは、0.2以上の整数であるが、好ましくは、0.3以上の整数、より好ましくは0.4以上の整数である。 In the formula (1), a is an integer of 0.2 or more, preferably an integer of 0.3 or more, more preferably an integer of 0.4 or more.
上述の通り、本発明では、太陽電池セルの破損の原因となる半導体基板におけるクラックや割れの発生は、半導体基板の両面に形成されるバスバー電極周辺で発生し易いことを見出した。これは、半導体モジュールの製造時の封止工程において、加熱加圧により太陽電池セルに加わる圧力が均一ではなく、バスバー電極等が形成された部位周辺に圧力が集中し易く、さらに圧力の集中は比較的、高い硬さを有する表面側透明保護部材の前記太陽電池セル側表面に形成された微細な凹凸部によって高められ、半導体基板の損傷を生じさせると考えられる。したがって、上記式(1)を満たすように太陽電池用封止膜の厚さを決定することにより、バスバー電極の厚さおよび表面側透明保護部材の凹部の深さに応じて太陽電池用封止膜の高いクッション性を確保することができ、半導体基板におけるクラックや割れの発生に基づく太陽電池セルの破損を高く防止することが可能となる。 As described above, in the present invention, it has been found that the occurrence of cracks or cracks in the semiconductor substrate that causes damage to the solar cells is likely to occur around the bus bar electrodes formed on both sides of the semiconductor substrate. This is because the pressure applied to the solar cells by heat and pressure is not uniform in the sealing process at the time of manufacturing the semiconductor module, and the pressure tends to concentrate around the part where the bus bar electrode etc. are formed. It is considered that the surface-side transparent protective member having a relatively high hardness is enhanced by the fine irregularities formed on the surface of the solar battery cell, causing damage to the semiconductor substrate. Therefore, by determining the thickness of the solar cell sealing film so as to satisfy the above formula (1), the solar cell sealing is performed according to the thickness of the bus bar electrode and the depth of the concave portion of the surface side transparent protective member. A high cushioning property of the film can be ensured, and it is possible to prevent damage to the solar battery cell due to the occurrence of cracks or cracks in the semiconductor substrate.
前記式(1)において、aは、1以下とするのが好ましい。これにより、太陽電池セルの破損が高く防止され、かつ、薄型である太陽電池モジュールとすることができる。 In the formula (1), a is preferably 1 or less. Thereby, damage to the solar battery cell is highly prevented, and a thin solar battery module can be obtained.
前記式(1)において、前記太陽電池用封止膜の目付け厚さTC(単位:mm)は、次のように算出した値とする。すなわち、太陽電池用封止膜を10cm×10cmの大きさにカットしたものの重量W1(単位:g/100cm2)と、太陽電池用封止膜の形成に用いられた共重合体などの主成分材料の比重D1(単位:g/cm3)とを用いて、下記式(A)により算出された値とする。 In the formula (1), the solar cell sealing film having a basis weight thickness T C (unit: mm) is a calculated value as follows. That is, the weight W 1 (unit: g / 100 cm 2 ) of the solar cell sealing film cut to a size of 10 cm × 10 cm and the main components such as the copolymer used for forming the solar cell sealing film Using the specific gravity D 1 (unit: g / cm 3 ) of the component material, the value is calculated by the following formula (A).
例えば、EVAを用いて形成された太陽電池用封止膜を用いた場合、比重D1は、EVAの比重、すなわち、0.95g/cm3となる。 For example, when a solar cell sealing film formed using EVA is used, the specific gravity D 1 is the specific gravity of EVA, that is, 0.95 g / cm 3 .
前記式(1)において、バスバー電極の厚さTA(単位:mm)は、太陽電池セルの断面を、走査型電子顕微鏡などを用いて撮影し、バスバー電極の厚さを測定することにより求められる。 In the above formula (1), the thickness T A (unit: mm) of the bus bar electrode is obtained by photographing the cross section of the solar battery cell using a scanning electron microscope and measuring the thickness of the bus bar electrode. It is done.
前記式(1)において、表面側透明保護部材の太陽電池セル側表面の凹部の深さTB(単位:mm)は、次のように算出した値とする。まず、表面側透明保護部の目付け厚さTB1(単位:mm)を、上記と同様にして、表面側透明保護部を10cm×10cmの大きさにカットしたものの重量W2(単位:g/100cm2)と、表面側透明保護部の形成に用いられた主成分材料の比重D2(単位:g/cm3)とを用いて、下記式(B)により算出する。 In the formula (1), the depth of the concave portion of the solar cell side surface of the surface-side transparent protective member T B (unit: mm) is a calculated value as follows. First, the basis weight T B1 (unit: mm) of the surface-side transparent protective part was set in the same manner as described above, and the weight W 2 (unit: g / kg) of the surface-side transparent protective part cut to a size of 10 cm × 10 cm. and 100 cm 2), a specific gravity D 2 (units of the main component material used to form the transparent front side protection unit: g / cm 3) and is used to calculated by the following formula (B).
表面側透明保護部材料として酸化ケイ素などからなるガラス基材を用いた場合、比重D2は、ガラスの比重、すなわち、2.5g/cm3である。 When a glass substrate made of silicon oxide or the like is used as the surface side transparent protective part material, the specific gravity D 2 is the specific gravity of glass, that is, 2.5 g / cm 3 .
次に、表面側透明保護部材の見掛け厚さTB2(単位:mm)を、株式会社ミツトヨ製、ダイヤルゲージ2046SBなどの測定装置を用いて測定する。なお、「表面側透明保護部の見掛け厚さ」とは、表面側透明保護部材の凹凸の凸部の厚さを意味する。 Next, the apparent thickness T B2 (unit: mm) of the surface side transparent protective member is measured using a measuring device such as a dial gauge 2046SB manufactured by Mitutoyo Corporation. The “apparent thickness of the front surface side transparent protective member” means the thickness of the convex and concave portions of the front surface side transparent protective member.
そして、下記式(C)のように、表面側透明保護部材の見掛け厚さTB2から表面側透明保護部の目付け厚さTB1を引いた値を、表面側透明保護部材の太陽電池セル側表面の凹部の深さTB(単位:mm)とする。 Then, as in the following formula (C), a value obtained by subtracting the basis weight thickness T B1 of the surface-side transparent protective part from the apparent thickness T B2 of the surface-side transparent protective member, the solar cell side of the transparent front side protection member The depth of the concave portion on the surface is T B (unit: mm).
以下、本発明の太陽電池モジュールの構成について、好ましい一実施形態を挙げて説明する。 Hereinafter, the configuration of the solar cell module of the present invention will be described with reference to a preferred embodiment.
(半導体基板)
本発明の太陽電池セルに用いられる半導体基板は、PN接合部が形成された半導体基板など、従来公知のものを特に制限されずに用いることができる。半導体基板としては、単結晶、多結晶、あるいは非晶質によって構成された光半導体素子などが用いられる。具体的には、非晶質シリコンa−Si,水素化非晶質シリコンa−Si:H,水素化非晶質シリコンカーバイドa−SiC:H,非晶質シリコンナイトライドなどの他、シリコンと炭素、ゲルマニウム、スズなどの他の元素との合金から成る非晶質シリコン系半導体の非晶質あるいは微結晶をpin型、nip型、ni型、pn型、MIS型、ヘテロ接合型、ホモ接合型、ショットキーバリアー型あるいはこれらを組み合わせた型などに構成した半導体層が用いられる。その他、光半導体層はCdS系、GaAs系、InP系などであってもよい。
(Semiconductor substrate)
As the semiconductor substrate used in the solar battery cell of the present invention, a conventionally known substrate such as a semiconductor substrate on which a PN junction is formed can be used without particular limitation. As the semiconductor substrate, an optical semiconductor element composed of single crystal, polycrystal, or amorphous is used. Specifically, amorphous silicon a-Si, hydrogenated amorphous silicon a-Si: H, hydrogenated amorphous silicon carbide a-SiC: H, amorphous silicon nitride, etc. Amorphous or microcrystalline amorphous silicon semiconductors composed of alloys with other elements such as carbon, germanium, tin, etc. are pin type, nip type, ni type, pn type, MIS type, heterojunction type, homojunction A semiconductor layer configured as a mold, a Schottky barrier type, or a combination of these is used. In addition, the optical semiconductor layer may be CdS-based, GaAs-based, InP-based, or the like.
半導体基板の製造方法の一例として下記の方法が挙げられる。単結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶ガリウム砒素等からなるP型半導体のシリコン基板の表面に、リン原子などのN型の不純物を含む溶液を用いて、シリコン基板の表層に不純物拡散層からなるN型拡散層を形成し、半導体接合部とする。このようにして、半導体基板内に、N型領域とP型領域が形成され、N型領域とP型領域との界面部分に半導体接合部(PN接合部)が形成される。 The following method is mentioned as an example of the manufacturing method of a semiconductor substrate. Using a solution containing N-type impurities such as phosphorus atoms on the surface of a P-type semiconductor silicon substrate made of single crystal silicon, polycrystalline silicon, single crystal gallium arsenide, etc., an impurity diffusion layer is formed on the surface layer of the silicon substrate. An N-type diffusion layer is formed to form a semiconductor junction. In this way, an N-type region and a P-type region are formed in the semiconductor substrate, and a semiconductor junction (PN junction) is formed at the interface portion between the N-type region and the P-type region.
このような半導体基板は、太陽電池モジュールにおいて、N型領域を表面側とし、P型領域を裏面側となるようにして、配置される。また、半導体基板の表面側には、窒化シリコン膜からなる反射防止膜が形成されてもよい。このような反射防止膜は、例えばプラズマCVD法等で形成される。 Such a semiconductor substrate is arranged in the solar cell module such that the N-type region is on the front side and the P-type region is on the back side. An antireflection film made of a silicon nitride film may be formed on the surface side of the semiconductor substrate. Such an antireflection film is formed by, for example, a plasma CVD method or the like.
半導体基板の厚さは、一般的には、0.3〜0.5mm程度である。しかしながら、低コスト化、薄型化の観点から、半導体基板の厚さは、0.01〜0.5mm、特に0.01〜0.3mmであるのが好ましい。本発明の太陽電池モジュールでは、このように半導体基板の厚さが薄くても、太陽電池セルの破損を高く防止することができる。 The thickness of the semiconductor substrate is generally about 0.3 to 0.5 mm. However, from the viewpoint of cost reduction and thickness reduction, the thickness of the semiconductor substrate is preferably 0.01 to 0.5 mm, particularly 0.01 to 0.3 mm. In the solar cell module of the present invention, even if the thickness of the semiconductor substrate is thin, the solar cell can be highly prevented from being damaged.
なお、半導体基板の厚さTA(単位:mm)は、太陽電池セルの断面を、走査型電子顕微鏡などを用いて撮影し、半導体基板の厚さを測定することにより求められる。 Note that the thickness T A (unit: mm) of the semiconductor substrate is obtained by photographing the cross section of the solar battery cell using a scanning electron microscope or the like and measuring the thickness of the semiconductor substrate.
半導体基板の大きさは、特に制限されず、100〜155mm角程度の大きさであればよい。 The size of the semiconductor substrate is not particularly limited as long as it is about 100 to 155 mm square.
(表面側電極、裏面側電極)
半導体基板において、N型領域の表面上には表面側電極が形成され、P型領域の表面上には裏面側電極が形成される。表面側電極16および裏面側電極17は、図2に示すように、電気出力を取り出すためのバスバー電極19aおよびフィンガー電極19bを有する。しかしながら、裏面側電極の形態は、図2に示すものに限定されず、図3に示すように、裏面側バスバー電極20aおよび裏面側集電用電極20bからなる形態であってもよい。
(Front side electrode, Back side electrode)
In the semiconductor substrate, a front-side electrode is formed on the surface of the N-type region, and a back-side electrode is formed on the surface of the P-type region. As shown in FIG. 2, the front
バスバー電極、フィンガー電極、裏面側集電用電極などの電極は、銀またはアルミニウムなどの高導電材料が用いて形成されるのが好ましい。これらの各電極の形成手段としては、たとえば高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着、電極材料を含むペーストのスクリーン印刷または電極材料のメッキなどの手段を用いることができる。その後、半導体基板と各電極との良好なオーミック接触を得るために、400℃〜500℃の熱処理が行なわれることが好ましい。 The electrodes such as the bus bar electrode, the finger electrode, and the back side current collecting electrode are preferably formed using a highly conductive material such as silver or aluminum. As the means for forming each of these electrodes, for example, means such as vapor deposition of an electrode material by electron beam heating in high vacuum, screen printing of a paste containing the electrode material, or plating of the electrode material can be used. Thereafter, in order to obtain good ohmic contact between the semiconductor substrate and each electrode, it is preferable to perform a heat treatment at 400 ° C. to 500 ° C.
バスバー電極は、半導体基板の一辺に平行にして、フィンガー電極と垂直に交わるように数本形成される。バスバー電極の幅は2mm程度でよく、フィンガー電極の幅は0.2mm程度でよい。 Several bus bar electrodes are formed in parallel with one side of the semiconductor substrate so as to intersect the finger electrodes perpendicularly. The width of the bus bar electrode may be about 2 mm, and the width of the finger electrode may be about 0.2 mm.
バスバー電極の厚さは、特に制限されないが、好ましくは0.02〜0.6mm、より好ましくは0.04〜0.6mmとするのがよい。バスバー電極の厚さが、0.02mm未満であると光生成キャリアの収集が十分に行えない恐れがある。 The thickness of the bus bar electrode is not particularly limited, but is preferably 0.02 to 0.6 mm, more preferably 0.04 to 0.6 mm. If the thickness of the bus bar electrode is less than 0.02 mm, the photogenerated carriers may not be sufficiently collected.
フィンガー電極の厚さは、特に制限されないが、好ましくは0.01〜0.1mm、より好ましくは0.02〜0.07mmとするのがよい。フィンガー電極の厚さが、0.01mm未満であると光生成キャリアの収集が十分に行えない恐れがある。 The thickness of the finger electrode is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 0.1 mm, more preferably 0.02 to 0.07 mm. If the thickness of the finger electrode is less than 0.01 mm, there is a possibility that photogenerated carriers cannot be collected sufficiently.
本発明において、半導体基板の表面側と裏面側とで、バスバー電極の厚さが異なる場合、表面側透明保護部材側のバスバー電極の厚さを用いて前記式(1)に従って太陽電池用封止膜の目付け厚さTCを決定するのが好ましい。これにより、半導体基板におけるクラックの発生をより確実に抑制することができる。 In the present invention, when the thickness of the bus bar electrode is different between the front surface side and the back surface side of the semiconductor substrate, the solar cell sealing is performed according to the formula (1) using the thickness of the bus bar electrode on the front surface side transparent protective member side. It is preferable to determine the basis weight thickness T C of the film. Thereby, generation | occurrence | production of the crack in a semiconductor substrate can be suppressed more reliably.
また、一般的に、表面側電極および裏面側電極の表面は、電極部の保護、接続タブを取り付け易くするために、半田が被覆される場合がある。半田の被覆方法としては、例えば、銀粉末、ガラスフリット、結合剤、および溶剤などからなるペーストをスクリーン印刷などで塗布した後に焼き付ける方法などが用いられる。 In general, the surface of the front surface side electrode and the back surface side electrode may be covered with solder in order to protect the electrode portion and make it easy to attach the connection tab. As a solder coating method, for example, a method of baking after applying a paste made of silver powder, glass frit, binder, solvent, etc. by screen printing or the like is used.
(接続タブ)
接続タブは、平角状の銅箔などからなるものが用いられる。接続タブの厚さは、0.15〜1.0mm程度であればよい。また、接続タブの表面全体には、20〜70μm程度の半田コートがなされているのがよい。また、接続タブの幅は、バスバー電極と同程度にすればよい。
(Connection tab)
As the connection tab, one made of a rectangular copper foil or the like is used. The thickness of the connection tab may be about 0.15 to 1.0 mm. The entire surface of the connection tab is preferably provided with a solder coat of about 20 to 70 μm. Further, the width of the connection tab may be approximately the same as that of the bus bar electrode.
接続タブは、裏面側バスバー電極および表面側バスバー電極の全長または複数個所をホットエア等で熱溶着されることにより、太陽電池セル同士を電気的に接続配線される。 The connection tab is electrically connected and wired between the solar cells by thermally welding the entire length or a plurality of locations of the back side bus bar electrode and the front side bus bar electrode with hot air or the like.
(表面側透明保護部材)
本発明の太陽電池モジュールでは、表面側透明保護部材の少なくとも太陽電池セル側表面には、光を散乱させて反射率を低下させるために、微細な凹凸部が形成されている。このように微細な凹凸部を設けることで、太陽電池モジュールに防眩効果を付与することができる。また、微細な凹凸部を表面側透明保護部材の太陽電池セル側表面に形成することで、その外部環境からの汚染物質が付着を抑制して、太陽電池モジュールの外観、光電変換効率の低下を抑制することができる。しかしながら、微細な凹凸部を形成するのは、表面側透明保護部材の太陽電池セル側表面のみに限定されず、表面側透明保護部材の受光面側にもさらに形成されてもよい。
(Front side transparent protective member)
In the solar cell module of the present invention, fine uneven portions are formed on at least the solar cell side surface of the surface side transparent protective member in order to scatter light and lower the reflectance. By providing such fine uneven portions, an antiglare effect can be imparted to the solar cell module. In addition, by forming fine irregularities on the surface of the surface side transparent protective member on the solar cell side, contaminants from the external environment are prevented from adhering, and the appearance of the solar cell module and the photoelectric conversion efficiency are reduced. Can be suppressed. However, the formation of the fine concavo-convex portion is not limited only to the solar cell side surface of the surface side transparent protective member, and may be further formed on the light receiving surface side of the surface side transparent protective member.
表面側透明保護部材の表面に微細な凹凸部を形成するには、従来公知の方法を用いて行えばよい。例えば、表面側透明保護部材に用いられるガラス基板の表面に、直接、物理的方法または化学的方法を用いて凹凸を付与する方法、表面側透明保護部材に用いられるガラス基板上に凹凸面を備えた乱反射層を形成する方法などが用いられる。 In order to form fine irregularities on the surface of the surface side transparent protective member, a conventionally known method may be used. For example, the surface of the glass substrate used for the surface side transparent protective member is directly provided with irregularities using a physical method or chemical method, and the glass substrate used for the surface side transparent protective member is provided with an irregular surface. A method of forming a diffuse reflection layer is used.
ガラス基板の表面に直接、微細な凹凸部を形成するには、特に制限されないが、エンボス加工、プレス加工、レーザパターニング加工などの方法を用いて作製することができる。この他にも、特開2001−358346号公報などを参照して作製することもできる。 Although it does not restrict | limit especially in order to form a fine uneven | corrugated | grooved part directly on the surface of a glass substrate, It can produce using methods, such as embossing, press work, and laser patterning. In addition, it can also be produced with reference to Japanese Patent Laid-Open No. 2001-358346.
また、ガラス基板上に凹凸面を備えた乱反射層の形成は、例えば、有機バインダと無機粒子とを含む組成物を、ガラス基板上に塗布する、または、他の基板上に塗布したものをガラス基板上に被着することにより行われる。 Moreover, the formation of the irregular reflection layer having an uneven surface on a glass substrate is made by, for example, applying a composition containing an organic binder and inorganic particles on a glass substrate, or applying a composition applied on another substrate to glass. This is done by depositing on a substrate.
前記有機バインダとしては、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、またはこれらの混合樹脂、またはこれらの樹脂あるいは混合樹脂を主成分とするものなどが用いられる。また、無機粒子としては、ガラスビーズなどシリカからなるものが用いられる。 As the organic binder, an acrylic resin, a fluorine resin, a mixed resin thereof, or a resin mainly containing these resins or a mixed resin is used. As the inorganic particles, those made of silica such as glass beads are used.
なお、本発明において、ガラス基板上に凹凸面を備えた乱反射層が形成されたものを用いた場合、表面側透明保護部材には、ガラス基板の他に乱反射層も含まれるものとする。また、このような場合、上述した方法に従って、ガラス基板および乱反射層のそれぞれの厚さを求めた後、これらの厚さの合計を表面側透明保護部材の厚さとする。 In addition, in this invention, when the thing in which the irregular reflection layer provided with the uneven surface on the glass substrate was used, the irregular reflection layer shall be contained in the surface side transparent protective member other than a glass substrate. Moreover, in such a case, after calculating | requiring the thickness of each of a glass substrate and a diffused reflection layer according to the method mentioned above, let the sum total of these thickness be the thickness of a surface side transparent protection member.
なお、表面側透明保護部材の表面に微細な凹凸部を形成するには、所望の形状を有する微細な凹凸部を容易に形成することが可能なことから、表面側透明保護部材をエンボス加工することにより形成するのが好ましい。 In addition, in order to form a fine uneven part on the surface of the surface side transparent protective member, it is possible to easily form a fine uneven part having a desired shape, and therefore, the surface side transparent protective member is embossed. Is preferably formed.
本発明の太陽電池モジュールに使用される前記表面側透明保護部材の目付け厚さは、好ましくは1〜5mm、より好ましくは2〜4mmとするのがよい。前記目付け厚さが、1mm未満であると風圧により割れて破損する恐れがある。 The basis thickness of the surface-side transparent protective member used in the solar cell module of the present invention is preferably 1 to 5 mm, more preferably 2 to 4 mm. If the weight per unit area is less than 1 mm, the wind pressure may cause breakage and damage.
前記表面側透明保護部材の太陽電池セル側表面の凹部の微細な凹凸部の深さTBは、好ましくは、0.02〜0.5mm、より好ましくは0.04〜0.5mmとするのがよい。前記深さTBが、0.02mm未満であると微細な凹凸部を設けたことによる十分な効果が得られない恐れがある。 The depth T B of the minute uneven portion of the concave portion of the solar battery cell side surface of the surface-side transparent protective member, to preferably, of 0.02 to 0.5 mm, more preferably a 0.04~0.5mm Is good. The depth T B is, there is a possibility that sufficient effect can not be obtained due to the provision of the minute uneven portion is less than 0.02 mm.
表面側透明保護部材は、珪酸塩ガラス、青板ガラス、白板ガラス等のソーダライムガラスの他、パイレックス(登録商標)、低アルカリガラス等の少し高級なボロシリケート系ガラスなどのガラス基板等を用いるのがよい。このようなガラス基板を用いた場合、酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化カルシウムなどが表面側透明保護部の形成に用いられた主成分材料となる。また、ガラス基板は、一般に、化学的に、或いは熱的に強化させたものであってもよい。 The surface-side transparent protective member uses a glass substrate such as a slightly higher grade borosilicate glass such as Pyrex (registered trademark) or low alkali glass in addition to soda lime glass such as silicate glass, blue plate glass and white plate glass. Is good. When such a glass substrate is used, silicon oxide, sodium oxide, calcium oxide, or the like is a main component material used for forming the surface-side transparent protective part. Further, the glass substrate may generally be chemically or thermally strengthened.
(裏面側保護部材)
裏面側保護部材としては、軽量であり、薄型化および柔軟性などの観点から、PETなどのプラスチックフィルムなどが用いられるのが好ましい。耐熱性を考慮すると、裏面側保護部材は、フッ化ポリエチレフィルムが好ましい。
(Back side protection member)
As the back surface side protection member, it is preferable to use a plastic film such as PET from the viewpoint of light weight and thinness and flexibility. Considering heat resistance, the back side protective member is preferably a fluorinated polyethylene film.
(太陽電池用封止膜)
本発明において、表面側および裏面側に用いられる封止膜は、公知のものであれば特に制限されない。例えば、エチレン−極性モノマー共重合体を含む組成物を成膜することにより得られた膜が好ましく用いられる。
(Seal film for solar cell)
In this invention, if the sealing film used for the surface side and a back surface side is a well-known thing, it will not restrict | limit in particular. For example, a film obtained by depositing a composition containing an ethylene-polar monomer copolymer is preferably used.
エチレン−極性モノマー共重合体としては、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体のようなエチレン−不飽和カルボン酸共重合体、前記エチレン−不飽和カルボン酸共重合体のカルボキシル基の一部又は全部が上記金属で中和されたアイオノマー、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−メタクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸イソブチル共重合体、エチレン−アクリル酸nブチル共重合体のようなエチレン−不飽和カルボン酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸イソブチル−メタクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸nブチル−メタクリル酸共重合体のようなエチレン−不飽和カルボン酸エステル−不飽和カルボン酸共重合体及びそのカルボキシル基の一部又は全部が上記金属で中和されたアイオノマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体のようなエチレン−ビニルエステル共重合体などが挙げられる。 Examples of the ethylene-polar monomer copolymer include ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-unsaturated carboxylic acid copolymer such as ethylene-methacrylic acid copolymer, and carboxyl of the ethylene-unsaturated carboxylic acid copolymer. Ionomer partially or completely neutralized with the above metal, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ethylene-isobutyl acrylate copolymer Of ethylene-unsaturated carboxylic acid ester copolymer such as ethylene-n-butyl acrylate copolymer, ethylene-isobutyl acrylate-methacrylic acid copolymer, ethylene-n-butyl acrylate-methacrylic acid copolymer Ethylene-unsaturated carboxylic acid ester-unsaturated carboxylic acid copolymer and its Ionomer in which part or all of the carboxyl groups have been neutralized with the metal, ethylene - vinyl ester copolymer, and the like - ethylene such as vinyl acetate copolymer.
なかでも、エチレン−極性モノマー共重合体として、最も好ましくは、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)が挙げられる。これにより、透明度、耐水性に優れる太陽電池用封止膜を形成することができる。 Among these, the ethylene-polar monomer copolymer is most preferably an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA). Thereby, the sealing film for solar cells which is excellent in transparency and water resistance can be formed.
表面側および裏面側に用いられる封止膜では、前記エチレン−酢酸ビニル共重合体における酢酸ビニルの含有量が、前記エチレン−酢酸ビニル共重合体100質量部に対して5〜50質量部、特に10〜40質量部とするのが好ましい。酢酸ビニルの含有量が、5質量部未満であると、高温で架橋硬化させる場合に得られる樹脂膜の透明度が充分でない恐れがあり、50質量部を超えると、酢酸等が発生しやすくなる恐れがある。 In the sealing film used on the front side and the back side, the content of vinyl acetate in the ethylene-vinyl acetate copolymer is 5 to 50 parts by mass, particularly 100 parts by mass of the ethylene-vinyl acetate copolymer, It is preferable to set it as 10-40 mass parts. If the vinyl acetate content is less than 5 parts by mass, the transparency of the resin film obtained when crosslinked and cured at high temperatures may not be sufficient, and if it exceeds 50 parts by mass, acetic acid or the like may be easily generated. There is.
前記封止膜には、エチレン−極性モノマー共重合体の他に必要に応じて、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール(PVB樹脂)、変性PVBなどのポリビニルアセタール系樹脂、塩化ビニル樹脂を、併用しても良いが、エチレン−極性モノマー共重合体、特にエチレン−酢酸ビニル共重合体のみを用いることが好ましい。 In addition to the ethylene-polar monomer copolymer, polyvinyl acetal resins such as polyvinyl formal, polyvinyl butyral (PVB resin), and modified PVB, and a vinyl chloride resin may be used in combination as the sealing film. Although good, it is preferred to use only ethylene-polar monomer copolymers, especially ethylene-vinyl acetate copolymers.
太陽電池用封止膜は、エチレン−極性モノマー共重合体、好ましくはエチレン−酢酸ビニル共重合体を含む組成物を、公知の方法に準じて成膜することにより得られる。前記組成物は、エチレン−酢酸ビニル共重合体の他に、必要に応じて、架橋剤、および、その他の各種添加剤を含んでいる。 The sealing film for solar cells is obtained by forming a composition containing an ethylene-polar monomer copolymer, preferably an ethylene-vinyl acetate copolymer, according to a known method. In addition to the ethylene-vinyl acetate copolymer, the composition contains a crosslinking agent and various other additives as necessary.
前記組成物に用いられる架橋剤としては、有機過酸化物又は光重合開始剤を用いることが好ましい。なかでも、接着力、透明性、耐湿性、耐貫通性の温度依存性が改善された封止膜が得られることから、有機過酸化物を用いるのが好ましい。 As the crosslinking agent used in the composition, an organic peroxide or a photopolymerization initiator is preferably used. Among them, it is preferable to use an organic peroxide because a sealing film having improved temperature dependency of adhesive strength, transparency, moisture resistance, and penetration resistance can be obtained.
前記有機過酸化物としては、100℃以上の温度で分解してラジカルを発生するものであれば、どのようなものでも使用することができる。有機過酸化物は、一般に、成膜温度、組成物の調整条件、硬化温度、被着体の耐熱性、貯蔵安定性を考慮して選択される。特に、半減期10時間の分解温度が70℃以上のものが好ましい。 Any organic peroxide may be used as long as it decomposes at a temperature of 100 ° C. or higher and generates radicals. The organic peroxide is generally selected in consideration of the film formation temperature, the adjustment conditions of the composition, the curing temperature, the heat resistance of the adherend, and the storage stability. In particular, those having a decomposition temperature of 70 hours or more with a half-life of 10 hours are preferred.
前記有機過酸化物としては、樹脂の加工温度・貯蔵安定性の観点から例えば、ベンゾイルパーオキサイド系硬化剤、tert−ヘキシルパーオキシピバレート、tert−ブチルパーオキシピバレート、3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ジ−n−オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、スクシニックアシドパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、tert−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、4−メチルベンゾイルパーオキサイド、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、m−トルオイル+ベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、1,1−ビス(tert−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサネート、1,1−ビス(tert−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサネート、1,1−ビス(tert−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサネート、1,1−ビス(tert−ブチルパーオキサシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサネート、1,1−ビス(tert−ブチルパーオキシ)シクロヘキサネート、2,2−ビス(4,4−ジ−tert−ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、1,1−ビス(tert−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、tert−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、tert−ブチルパーオキシマレイックアシド、tert−ブチルパーオキシ−3,3,5−トリメチルヘキサノエート、tert−ブチルパーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(メチルベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、tert−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、tert−ヘキシルパーオキシベンゾエート、2,5−ジ−メチル−2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、等が挙げられる。 Examples of the organic peroxide include, from the viewpoint of resin processing temperature and storage stability, for example, benzoyl peroxide curing agent, tert-hexyl peroxypivalate, tert-butyl peroxypivalate, 3, 5, 5- Trimethylhexanoyl peroxide, di-n-octanoyl peroxide, lauroyl peroxide, stearoyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, succinic acid peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanoate, tert-hexylperoxy-2-ethylhexa Noate, 4-methylbenzoyl peroxide tert-butylperoxy-2-ethylhexanoate, m-toluoyl + benzoyl peroxide, benzoyl peroxide, 1,1-bis (tert-butylperoxy) -2-methylcyclohexanate, 1,1-bis (Tert-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexanate, 1,1-bis (tert-hexylperoxy) cyclohexanate, 1,1-bis (tert-butylperoxy) -3 , 3,5-trimethylcyclohexanate, 1,1-bis (tert-butylperoxy) cyclohexanate, 2,2-bis (4,4-di-tert-butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1 -Bis (tert-butylperoxy) cyclododecane, tert-hexylperoxy Propyl monocarbonate, tert-butylperoxymaleic acid, tert-butylperoxy-3,3,5-trimethylhexanoate, tert-butylperoxylaurate, 2,5-dimethyl-2,5-di ( Methylbenzoylperoxy) hexane, tert-butylperoxyisopropyl monocarbonate, tert-butylperoxy-2-ethylhexyl monocarbonate, tert-hexylperoxybenzoate, 2,5-di-methyl-2,5-di (benzoyl) Peroxy) hexane, and the like.
前記ベンゾイルパーオキサイド系硬化剤としては、70℃以上の温度で分解してラジカルを発生するものであればいずれも使用可能であるが、半減期10時間の分解温度が50℃以上のものが好ましく、調製条件、成膜温度、硬化(貼り合わせ)温度、被着体の耐熱性、貯蔵安定性を考慮して適宜選択できる。使用可能なベンゾイルパーオキサイド系硬化剤としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、2,5−ジメチルヘキシル−2,5−ビスパーオキシベンゾエート、p−クロロベンゾイルパーオキサイド、m−トルオイルパーオキサイド、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシベンゾエート等が挙げられる。ベンゾイルパーオキサイド系硬化剤は1種でも2種以上を組み合わせて使用してもよい。 As the benzoyl peroxide-based curing agent, any one can be used as long as it decomposes at a temperature of 70 ° C. or higher to generate a radical, but preferably has a decomposition temperature of 50 ° C. or higher with a half-life of 10 hours. The temperature can be appropriately selected in consideration of the preparation conditions, the film formation temperature, the curing (bonding) temperature, the heat resistance of the adherend, and the storage stability. Usable benzoyl peroxide curing agents include, for example, benzoyl peroxide, 2,5-dimethylhexyl-2,5-bisperoxybenzoate, p-chlorobenzoyl peroxide, m-toluoyl peroxide, 2, Examples include 4-dichlorobenzoyl peroxide and t-butyl peroxybenzoate. The benzoyl peroxide curing agent may be used alone or in combination of two or more.
前記組成物において、前記有機過酸化物の含有量は、エチレン−酢酸ビニル共重合体100質量部に対して、好ましくは0.1〜2質量部、より好ましくは0.2〜1.5質量部であることが好ましい。前記有機過酸化物の含有量は、少ないと得られる封止膜の透明性が低下する恐れがあり、多くなると共重合体との相溶性が悪くなる恐れがある。 In the composition, the content of the organic peroxide is preferably 0.1 to 2 parts by mass, more preferably 0.2 to 1.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the ethylene-vinyl acetate copolymer. Part. If the content of the organic peroxide is small, the transparency of the resulting sealing film may be lowered, and if it is increased, the compatibility with the copolymer may be deteriorated.
また、光重合開始剤としては、公知のどのような光重合開始剤でも使用することができるが、配合後の貯蔵安定性の良いものが望ましい。このような光重合開始剤としては、例えば、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル)−2−モルホリノプロパン−1などのアセトフェノン系、ベンジルジメチルケタ−ルなどのベンゾイン系、ベンゾフェノン、4−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系、イソプロピルチオキサントン、2−4−ジエチルチオキサントンなどのチオキサントン系、その他特殊なものとしては、メチルフェニルグリオキシレ−トなどが使用できる。特に好ましくは、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル)−2−モルホリノプロパン−1、ベンゾフェノン等が挙げられる。これら光重合開始剤は、必要に応じて、4−ジメチルアミノ安息香酸のごとき安息香酸系又は、第3級アミン系などの公知慣用の光重合促進剤の1種または2種以上を任意の割合で混合して使用することができる。また、光重合開始剤のみの1種単独または2種以上の混合で使用することができる。 As the photopolymerization initiator, any known photopolymerization initiator can be used, but a photopolymerization initiator having good storage stability after blending is desirable. Examples of such a photopolymerization initiator include 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, and 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl). Acetophenones such as 2-morpholinopropane-1, benzoins such as benzyldimethylketal, benzophenones such as benzophenone, 4-phenylbenzophenone and hydroxybenzophenone, thioxanthones such as isopropylthioxanthone and 2-4-diethylthioxanthone, As other special ones, methylphenylglyoxylate can be used. Particularly preferably, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropane-1, Examples include benzophenone. These photopolymerization initiators may contain one or two or more kinds of known and commonly used photopolymerization accelerators such as benzoic acid-based or tertiary amine-based compounds such as 4-dimethylaminobenzoic acid as required. Can be mixed and used. Moreover, it can be used individually by 1 type of only a photoinitiator, or 2 or more types of mixture.
前記組成物において、前記光重合開始剤の含有量は、エチレン−酢酸ビニル共重合体100質量部に対して0.5〜5.0質量部であることが好ましい。 In the composition, the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.5 to 5.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the ethylene-vinyl acetate copolymer.
前記組成物は、膜の種々の物性(機械的強度、接着性、透明性等の光学的特性、耐熱性、耐光性、架橋速度等)の改良あるいは調整、特に機械的強度の改良のため、必要に応じて、架橋助剤、受酸剤、可塑剤、接着向上剤等の各種添加剤をさらに含んでいてもよい。 The composition is used for improving or adjusting various physical properties of the film (optical properties such as mechanical strength, adhesiveness, transparency, heat resistance, light resistance, crosslinking speed, etc.), particularly for improving mechanical strength. If necessary, various additives such as a crosslinking aid, an acid acceptor, a plasticizer, and an adhesion improver may be further included.
前記架橋助剤は、EVAのゲル分率を向上させ、耐久性を向上するために組成物に添加することができる。この目的に供される架橋助剤(官能基としてラジカル重合性基を有する化合物)としては、公知のものとしてトリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート等の3官能の架橋助剤の他、(メタ)アクリルエステル(例、NKエステル等)の単官能又は2官能の架橋助剤等も挙げることができる。なかでも、トリアリルシアヌレートおよびトリアリルイソシアヌレートが好ましく、特にトリアリルイソシアヌレートが好ましい。これらの架橋助剤は、エチレン−酢酸ビニル共重合体100質量部に対して、一般に10質量部以下、好ましくは0.1〜5質量部で使用される。 The crosslinking aid can be added to the composition in order to improve the gel fraction of EVA and improve durability. As a crosslinking aid (compound having a radical polymerizable group as a functional group) used for this purpose, as well-known trifunctional crosslinking aids such as triallyl cyanurate and triallyl isocyanurate, ) Monofunctional or bifunctional crosslinking aids of acrylic esters (eg, NK esters, etc.) can also be mentioned. Of these, triallyl cyanurate and triallyl isocyanurate are preferable, and triallyl isocyanurate is particularly preferable. These crosslinking aids are generally used in an amount of 10 parts by mass or less, preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the ethylene-vinyl acetate copolymer.
前記受酸剤としては、金属酸化物、金属水酸化物、金属炭酸化物又は複合金属水酸化物が用いられ、発生する酢酸の量、及び用途に応じ適宜選択することができる。前記受酸剤として、具体的には、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、硼酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、フタル酸カルシウム、亜燐酸カルシウム、酸化亜鉛、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、ホウ酸マグネシウム、メタホウ酸マグネシウム、メタホウ酸カルシウム、メタホウ酸バリウムなどの周期律表第2族金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩、カルボン酸塩、珪酸塩、硼酸塩、亜燐酸塩、メタホウ酸塩など;酸化錫、塩基性炭酸錫、ステアリン酸錫、塩基性亜燐酸錫、塩基性亜硫酸錫、四酸化三鉛、酸化ケイ素、ステアリン酸ケイ素などの周期律表第14族金属の酸化物、塩基性炭酸塩、塩基性カルボン酸塩、塩基性亜燐酸塩、塩基性亜硫酸塩など;酸化亜鉛、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、水酸化鉄;ハイドロタルサイト類等の複合金属水酸化物;水酸化アルミニウムゲル化合物;などが挙げられる。これらは一種単独で用いられてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
As the acid acceptor, a metal oxide, a metal hydroxide, a metal carbonate or a composite metal hydroxide is used, and can be appropriately selected according to the amount of acetic acid generated and the application. Specific examples of the acid acceptor include magnesium oxide, calcium oxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, barium hydroxide, magnesium carbonate, barium carbonate, calcium carbonate, calcium borate, zinc stearate, calcium phthalate, Periodic table Group 2 metal oxides such as calcium phosphate, zinc oxide, calcium silicate, magnesium silicate, magnesium borate, magnesium metaborate, calcium metaborate, barium metaborate, hydroxide, carbonate, carvone Acid salts, silicates, borates, phosphites, metaborate, etc .; tin oxide, basic tin carbonate, tin stearate, basic tin phosphite, basic tin sulfite, trilead tetraoxide, silicon oxide,
前記組成物において、受酸剤の含有量は、前記エチレン酢酸ビニル共重合体100質量部に対して、好ましくは0.01〜0.15質量部とするのがよい。 In the composition, the content of the acid acceptor is preferably 0.01 to 0.15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the ethylene vinyl acetate copolymer.
前記可塑剤としては、特に限定されるものではないが、一般に多塩基酸のエステル、多価アルコールのエステルが使用される。その例としては、ジオクチルフタレート、ジヘキシルアジペート、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルブチレート、ブチルセバケート、テトラエチレングリコールジヘプタノエート、トリエチレングリコールジペラルゴネートを挙げることができる。可塑剤は一種用いてもよく、二種以上組み合わせて使用しても良い。可塑剤の含有量は、EVA100質量部に対して5質量部以下の範囲が好ましい。 The plasticizer is not particularly limited, but polybasic acid esters and polyhydric alcohol esters are generally used. Examples thereof include dioctyl phthalate, dihexyl adipate, triethylene glycol-di-2-ethylbutyrate, butyl sebacate, tetraethylene glycol diheptanoate, and triethylene glycol dipelargonate. One type of plasticizer may be used, or two or more types may be used in combination. The content of the plasticizer is preferably in the range of 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of EVA.
前記接着向上剤は、シランカップリング剤を用いることができる。前記シランカップリング剤の例として、γ−クロロプロピルメトキシシラン、ビニルエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシランを挙げることができる。これらシランカップリング剤は、単独で使用しても、又は2種以上組み合わせて使用しても良い。また前記接着向上剤の含有量は、EVA100質量部に対して5質量部以下であることが好ましい。 As the adhesion improver, a silane coupling agent can be used. Examples of the silane coupling agent include γ-chloropropylmethoxysilane, vinylethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-glycidoxypropyltri Methoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, vinyltrichlorosilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N- Mention may be made of β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane. These silane coupling agents may be used alone or in combination of two or more. Moreover, it is preferable that content of the said adhesive improvement agent is 5 mass parts or less with respect to 100 mass parts of EVA.
さらに、前記組成物は、紫外線吸収剤、光安定剤および老化防止剤を含んでいてもよい。 Further, the composition may contain an ultraviolet absorber, a light stabilizer and an anti-aging agent.
前記紫外線吸収剤としては、特に制限されないが、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−n−ドデシロキシベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2'−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−n−オクトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系紫外線吸収剤が好ましく挙げられる。なお、上記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の配合量は、エチレン−酢酸ビニル共重合体100質量部に対して0.01〜5質量部であることが好ましい。 The ultraviolet absorber is not particularly limited, but 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-n-dodecyloxybenzophenone, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4- Preferred examples include benzophenone-based ultraviolet absorbers such as methoxybenzophenone and 2-hydroxy-4-n-octoxybenzophenone. In addition, it is preferable that the compounding quantity of the said benzophenone series ultraviolet absorber is 0.01-5 mass parts with respect to 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymers.
前記光安定剤としてはヒンダードアミン系と呼ばれる光安定剤を用いることが好ましく、例えば、LA−52、LA−57、LA−62、LA−63LA−63p、LA−67、LA−68(いずれも旭電化(株)製)、Tinuvin744、Tinuvin 770、Tinuvin 765、Tinuvin144、Tinuvin 622LD、CHIMASSORB 944LD(いずれもチバ・ガイギー社製)、UV−3034(B.F.グッドリッチ社製)等を挙げることができる。なお、上記光安定剤は、単独で使用しても、2種以上組み合わせて用いてもよく、その配合量は、エチレン−酢酸ビニル共重合体100質量部に対して0.01〜5質量部であることが好ましい。 As the light stabilizer, a light stabilizer called a hindered amine type is preferably used. For example, LA-52, LA-57, LA-62, LA-63LA-63p, LA-67, LA-68 (all Asahi Denchu Co., Ltd.), Tinuvin 744, Tinuvin 770, Tinuvin 765, Tinuvin 144, Tinuvin 622LD, CHIMASSORB 944LD (all manufactured by Ciba-Geigy), UV-3034 (manufactured by BF Goodrich), and the like. it can. In addition, the said light stabilizer may be used individually or may be used in combination of 2 or more types, and the compounding quantity is 0.01-5 mass parts with respect to 100 mass parts of ethylene-vinyl acetate copolymers. It is preferable that
前記老化防止剤としては、例えばN,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオナミド〕等のヒンダードフェノール系酸化防止剤、リン系熱安定剤、ラクトン系熱安定剤、ビタミンE系熱安定剤、イオウ系熱安定剤等が挙げられる。 Examples of the antioxidant include hindered phenol antioxidants such as N, N′-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionamide]. , Phosphorus heat stabilizers, lactone heat stabilizers, vitamin E heat stabilizers, sulfur heat stabilizers, and the like.
上述した組成物は、例えば、押出成形、又はカレンダ成形等を用いて加熱圧延することによって成膜するなど、常法に従い本発明の太陽電池用封止膜を製造することができる。加熱は一般に50〜90℃の範囲である。 The above-mentioned composition can produce the sealing film for solar cells of this invention according to a conventional method, for example, forming into a film by heat-rolling using extrusion molding or calendar molding. Heating is generally in the range of 50-90 ° C.
太陽電池用封止膜の表面には、エンボス加工などの従来公知の方法を用いて、微細な凹凸部を設けることにより、クッション性を付与したものを用いてもよい。しかしながら、本発明の方法では、エンボス加工など他の処理工程を経なくとも、半導体基板におけるクラックの発生を高く抑制することができる。 The surface of the solar cell sealing film may be provided with cushioning properties by providing fine irregularities using a conventionally known method such as embossing. However, in the method of the present invention, the occurrence of cracks in the semiconductor substrate can be highly suppressed without going through other processing steps such as embossing.
本発明の太陽電池モジュールは、表面側透明保護部材と裏面側保護部材との間に、太陽電池用封止膜を介して太陽電池用セルを封止することにより得られる。太陽電池用セルを十分に封止するには、図1に示すように表面側透明保護部材1、表面側封止膜3A、太陽電池用セル4、裏面側封止膜3B及び裏面側保護部材2を積層し、積層体を常法に従って、真空ラミネータで加熱圧着すればよい。前記加熱圧着時の温度は、135〜180℃、さらに140〜180℃、特に155〜180℃とするのがよい。また、脱気時間は、0.1〜5分程度であればよい。また、プレス圧力は0.1〜1.5kg/cm2程度とし、プレス時間は5〜15分程度とするのが好ましい。 The solar cell module of this invention is obtained by sealing the cell for solar cells through the sealing film for solar cells between the surface side transparent protection member and the back surface side protection member. In order to sufficiently seal the solar cell, as shown in FIG. 1, the front surface side transparent protective member 1, the front surface side sealing film 3A, the solar cell cell 4, the back surface side sealing film 3B, and the back surface side protective member. 2 may be laminated, and the laminated body may be heat-pressed with a vacuum laminator in accordance with a conventional method. The temperature during the thermocompression bonding is preferably 135 to 180 ° C, more preferably 140 to 180 ° C, and particularly preferably 155 to 180 ° C. The deaeration time may be about 0.1 to 5 minutes. The pressing pressure is preferably about 0.1 to 1.5 kg / cm 2 and the pressing time is preferably about 5 to 15 minutes.
加熱加圧時に、表面側封止膜および裏面側封止膜に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体を架橋させることにより、表面側封止膜および裏面側封止膜を介して、表面側透明保護部材、裏面側透明部材、および太陽電池用セルを一体化させて、太陽電池用セルを封止することができる。 By heating and pressurizing, the ethylene-vinyl acetate copolymer contained in the front surface side sealing film and the rear surface side sealing film is cross-linked so that the surface side transparent film is passed through the front surface side sealing film and the rear surface side sealing film. The protective member, the back surface side transparent member, and the solar cell can be integrated to seal the solar cell.
なお、本発明の太陽電池は、上述した通り、上記式(1)を満たすように太陽電池用封止膜の厚さを決定することを特徴とするものである。したがって、表面側透明保護部材、裏面側保護部材、太陽電池用封止膜、および太陽電池用セルなどについては、上記では好ましい一実施形態を挙げて説明したが、従来公知の太陽電池モジュールと同様の構成を有していればよく、特に制限されない。 In addition, the solar cell of this invention determines the thickness of the sealing film for solar cells so that the said Formula (1) may be satisfy | filled as above-mentioned. Accordingly, the front-side transparent protective member, the back-side protective member, the solar cell sealing film, the solar cell, and the like have been described above with a preferred embodiment, but are the same as those of conventionally known solar cell modules. There is no particular limitation as long as it has the following configuration.
以下、本発明を実施例により説明する。本発明は、以下の実施例により制限されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples. The present invention is not limited by the following examples.
(実施例1)
1.太陽電池セルの作製
半導体基板としてシリコン発電素子(大きさ125mm×125mm、厚さ0.18mm)の表面側および裏面側に、銀粉末と有機ビヒクルとガラスフリットを、銀100重量部に対してそれぞれ20重量部、3重量部を添加してペースト状にした銀ペーストを、スクリーン印刷法で塗布して乾燥させた後、750℃で15分間焼き付けた。これにより、シリコン発電素子の表面側および裏面側に、図2に示すように、バスバー電極(厚さ0.40mm、幅2mm)およびフィンガー電極(厚さ0.05mm、幅0.1mm)を作製した。
Example 1
1. Production of solar battery cell A silicon power generation element (size: 125 mm × 125 mm, thickness: 0.18 mm) as a semiconductor substrate is coated with silver powder, an organic vehicle, and a glass frit on each of 100 parts by weight of silver. The silver paste added to 20 parts by weight and 3 parts by weight to form a paste was applied by screen printing and dried, and then baked at 750 ° C. for 15 minutes. As a result, as shown in FIG. 2, bus bar electrodes (thickness 0.40 mm, width 2 mm) and finger electrodes (thickness 0.05 mm, width 0.1 mm) are produced on the front and back sides of the silicon power generation element. did.
Sn−3Ag−0.5CuのPbフリー半田を用いて、バスバー電極の端部に被覆体として半田レジストを印刷して乾燥させたものに、ディップ法でバスバー電極およびフィンガー電極の表面全体に半田を被覆し、太陽電池セルを作製した。 Using Sn-3Ag-0.5Cu Pb-free solder, solder resist is printed on the end of the bus bar electrode as a coating and dried, and then solder is applied to the entire surface of the bus bar electrode and finger electrode by the dipping method. It coat | covered and the photovoltaic cell was produced.
2.太陽電池用封止膜の作製
次に、EVA(EVA100質量部に対して酢酸ビニルの含有量が28質量部)100質量部、架橋剤2質量部、架橋助剤2質量部、および添加剤0.5質量部を、ロールミルに供給し、80℃で、混練して組成物を調製した。得られた組成物を、100℃で、カレンダ成形し、放冷後、封止膜(大きさ300mm×300mm、目付け厚さ1.0mm)を得た。なお、架橋剤、架橋助剤、および添加剤としては、以下のものを用いた。
2. Next, 100 parts by weight of EVA (vinyl acetate content is 28 parts by weight with respect to 100 parts by weight of EVA), 2 parts by weight of a crosslinking agent, 2 parts by weight of a crosslinking aid, and additive 0 0.5 parts by mass was supplied to a roll mill and kneaded at 80 ° C. to prepare a composition. The obtained composition was calendered at 100 ° C., allowed to cool, and then a sealing film (size 300 mm × 300 mm, basis weight 1.0 mm) was obtained. In addition, the following were used as a crosslinking agent, a crosslinking assistant, and an additive.
架橋剤 :1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)トリメチルシクロヘキザン
架橋助剤:トリアリルイソシアヌレート
添加剤 :γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
Crosslinking agent: 1,1-bis (t-butylperoxy) trimethylcyclohexane Crosslinking assistant: triallyl isocyanurate Additive: γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane
3.表面側透明保護部材の作製
ガラス板(大きさ300mm×300mm、厚さ3mm)をエンボス加工することにより、太陽電池セル側表面に微細な凹凸部が形成されたガラス板(TB0.05mm)を得た。
3. Production of surface-side transparent protective member Glass plate (T B 0.05 mm) in which fine irregularities are formed on the solar cell side surface by embossing a glass plate (size 300 mm × 300 mm, thickness 3 mm) Got.
4.太陽電池モジュールの作製
半田層(厚さ50μm)を設けた幅3mm、厚さ300μmの銅箔製の接続タブを、表面側および裏面側の各バスバー電極の全長にわたってホットエアの熱溶着により貼り付けて、図1に示すように、上述の太陽電池セル同士を接続配線した。
4). Fabrication of solar cell module A connection tab made of copper foil having a width of 3 mm and a thickness of 300 μm provided with a solder layer (thickness of 50 μm) is attached by hot air thermal welding over the entire length of each bus bar electrode on the front side and the back side. As shown in FIG. 1, the above-mentioned solar cells were connected and wired.
その後、太陽電池セル同士を接続配線したものが、図1に示すように、先に作製した表面側透明保護部材と、フッ化ポリエチレンフィルム(大きさ300mm×300mm)よりなる裏面側保護材との間に入るように積層した後、封止することで太陽電池モジュールを製造した。 After that, as shown in FIG. 1, the solar cell connected and wired between the front surface side transparent protective member and the back side protective material made of a fluorinated polyethylene film (size 300 mm × 300 mm). After laminating so as to enter, a solar cell module was manufactured by sealing.
前記封止は、上記の通りにして作製した積層体を、熱板温度130℃の真空ラミネータに投入し、5分間、脱気した後に、1kgf/cm2の圧力で、5分間、プレスし、EVAを架橋することにより行った。 For the sealing, the laminate produced as described above was put into a vacuum laminator having a hot plate temperature of 130 ° C., degassed for 5 minutes, and then pressed at a pressure of 1 kgf / cm 2 for 5 minutes. This was done by crosslinking EVA.
上記の通りにして、100個の太陽電池セルを作製したが、半導体基板のクラックの発生などの損傷は全く見られなかった。結果をまとめて表1に示す。 100 solar cells were produced as described above, but no damage such as generation of cracks in the semiconductor substrate was observed. The results are summarized in Table 1.
(実施例2、比較例1および2)
バスバー電極の厚さ、表面側透明保護部材のガラス基板における凹部の深さ、および太陽電池用封止膜の目付け厚さを、表1に示す通りにした以外は、実施例1と同様にして太陽電池モジュールを作製し、半導体基板の損傷を調べた。結果をまとめて表1に示す。
(Example 2, Comparative Examples 1 and 2)
Except having made the thickness of a bus-bar electrode, the depth of the recessed part in the glass substrate of a surface side transparent protective member, and the fabric weight of the sealing film for solar cells as shown in Table 1, it carried out similarly to Example 1, and having carried out. A solar cell module was fabricated and examined for damage to the semiconductor substrate. The results are summarized in Table 1.
なお、上記実施例において、各部材の厚さなどの測定方法は下記方法に準じて行った。 In the above examples, the thickness of each member was measured according to the following method.
(測定方法)
1.太陽電池用封止膜の目付け厚さTC
太陽電池用封止膜を10cm×10cmの大きさにカットしたものの重量W1を1/100g精度の精密天秤を用いて測定し、W1およびEVAの比重D1(0.95g/cm3)を用いて、上記式(A)から太陽電池用封止膜の目付け厚さTC(mm)を算出した。
(Measuring method)
1. Solar cell sealing film thickness T C
The weight W 1 of the solar cell sealing film cut to a size of 10 cm × 10 cm was measured using a precision balance with an accuracy of 1/100 g, and the specific gravity D 1 of W 1 and EVA (0.95 g / cm 3 ) Was used to calculate the basis weight thickness T C (mm) of the solar cell sealing film from the above formula (A).
2.バスバー電極の厚さTA、および、半導体基板の厚さ
バスバー電極の厚さは、表面測定装置(株式会社東京精密製 サーフコム300B)を用いて測定した。また、半導体基板の厚さは、表面測定装置(株式会社ミツトヨ製、ダイヤルゲージ2046SB)を用いて測定した。
2. The thickness T A of the bus bar electrode and the thickness of the semiconductor substrate The thickness of the bus bar electrode was measured using a surface measuring device (Surfcom 300B manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.). Moreover, the thickness of the semiconductor substrate was measured using a surface measuring device (manufactured by Mitutoyo Corporation, dial gauge 2046SB).
3.表面側透明保護部材の太陽電池セル側表面の微細な凹凸部の凹部の深さTB
まず、表面側透明保護部材を10cm×10cmの大きさにカットしたものの重量W2を1/100g精度の精密天秤を用いて測定し、W2およびガラス板の比重D2(2.5g/cm3)を用いて、上記式(B)から表面側透明保護部材の目付け厚さTB1(mm)を算出した。
3. The depth T B of the recess of the minute uneven portion of the solar cell side surface of the surface-side transparent protective member
First, the weight W 2 of the surface-side transparent protective member cut to a size of 10 cm × 10 cm was measured using a precision balance with an accuracy of 1/100 g, and W 2 and the specific gravity D 2 of the glass plate (2.5 g / cm 3 ) was used to calculate the basis weight thickness T B1 (mm) of the surface side transparent protective member from the above formula (B).
次に、表面側透明保護部材の見掛け厚さTB2(単位:mm)を、表面測定装置(株式会社ミツトヨ製、ダイヤルゲージ2046SB)を用いて測定した。そして、表面側透明保護部の目付け厚さTB1、および、表面側透明保護部材の見掛け厚さTB2を用いて、上記式(C)に従って、表面側透明保護部材の太陽電池セル側表面の凹部の深さTB(単位:mm)を求めた。 Then, the apparent surface side transparent protective member thickness T B2 (unit: mm) and surface measuring apparatus (manufactured by Mitutoyo dial gauge 2046SB) was used for the measurement. Then, using the basis thickness T B1 of the surface-side transparent protective part and the apparent thickness T B2 of the surface-side transparent protective member, according to the above formula (C), the surface of the surface-side transparent protective member on the solar cell side surface The depth T B (unit: mm) of the recess was determined.
表1から、本発明によれば、太陽電池セルにおいて厚さが薄い半導体基板を用いても、封止工程における半導体基板のクラック、割れ等による損傷を高く防止できることがわかる。また、太陽電池用封止膜にエンボス加工を施すなどの工程を別途、行わなくとも、半導体基板の損傷の高い防止効果が得られている。 From Table 1, it can be seen that according to the present invention, even if a semiconductor substrate having a small thickness is used in the solar battery cell, damage due to cracks, cracks, etc. of the semiconductor substrate in the sealing process can be prevented to a high degree. In addition, a high effect of preventing damage to the semiconductor substrate can be obtained without performing a separate process such as embossing the solar cell sealing film.
11…表面側透明保護部材、12…裏面側透明保護部材、13a…表面側封止膜、13b…裏面側封止膜、14…太陽電池セル、15…半導体基板、16…表面側電極、17…裏面側電極、18…接続タブ、19a…バスバー電極、19b…フィンガー電極、20a…裏面側バスバー電極、20b…裏面側集電用電極。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記表面側透明保護部材は、少なくとも前記太陽電池セル側表面に、微細な凹凸部を有し、
前記太陽電池用封止膜の目付け厚さTCが、下記式(1):
The surface-side transparent protective member has a fine uneven portion on at least the solar cell side surface,
Basis weight thickness T C of the sealing film wherein the solar cell, the following equation (1):
The solar cell module according to claim 10, wherein a content of vinyl acetate in the ethylene-vinyl acetate copolymer is 5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the ethylene-vinyl acetate copolymer.
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