JP2007324232A - BGA type multilayer wiring board and BGA type semiconductor package - Google Patents
BGA type multilayer wiring board and BGA type semiconductor package Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007324232A JP2007324232A JP2006150432A JP2006150432A JP2007324232A JP 2007324232 A JP2007324232 A JP 2007324232A JP 2006150432 A JP2006150432 A JP 2006150432A JP 2006150432 A JP2006150432 A JP 2006150432A JP 2007324232 A JP2007324232 A JP 2007324232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting area
- chip mounting
- bga
- wiring board
- multilayer wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【課題】半導体チップの動作時の発熱による接続ビアの破断を効果的に防止したBGA型多層配線板及びBGA型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】絶縁層を介して交互に積層された複数の配線パターンを具備し、一方の面に半導体チップ3が搭載されるチップ搭載エリアと、このチップ搭載エリアを含みチップ搭載エリアよりも一回り大きいチップ実装エリア5とを有し、他方の面に、内部において前記配線パターンと接続されているとともに、外部においてシグナル線及び電源・グランド線が接続されるべき複数のBGAパッドが設けられたBGA型多層配線板1において、他方の面の前記チップ実装エリアに対応する領域に位置するBGAパッド7には、シグナル線が接続されず、電源・グランド線が接続され、他方の面の前記チップ実装エリアの外側のエリアに対応する領域に位置するBGAパッド6には、シグナル線が接続されていることを特徴とする。
【選択図】図2Provided are a BGA type multilayer wiring board and a BGA type semiconductor package in which breakage of connection vias due to heat generation during operation of a semiconductor chip is effectively prevented.
A chip mounting area including a plurality of wiring patterns alternately stacked via an insulating layer and having a semiconductor chip mounted on one surface thereof, and including the chip mounting area and one more than the chip mounting area. A large chip mounting area 5 is provided, and the other surface is internally connected to the wiring pattern, and is provided with a plurality of BGA pads to which signal lines and power / ground lines are to be connected externally. In the BGA type multilayer wiring board 1, the signal line is not connected to the BGA pad 7 located in the region corresponding to the chip mounting area on the other side, but the power / ground line is connected, and the chip on the other side is connected. A signal line is connected to the BGA pad 6 located in a region corresponding to an area outside the mounting area.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、電子機器等に使用されるBGA型多層配線板及びBGA型半導体パッケージに係り、特に、接続ビアの破断を防止したBGA型多層配線板及びBGA型半導体パッケージに関する。 The present invention relates to a BGA type multilayer wiring board and a BGA type semiconductor package used for electronic devices and the like, and more particularly to a BGA type multilayer wiring board and a BGA type semiconductor package in which breakage of connection vias is prevented.
多層配線板は、半導体集積回路素子を直接搭載・接続するタイプの回路基板や、半導体集積回路素子をリードフレームに搭載・接続した状態で半導体装置を接続する外部回路として、多用されている。 Multilayer wiring boards are widely used as circuit boards of a type in which semiconductor integrated circuit elements are directly mounted / connected, and as external circuits for connecting semiconductor devices in a state where the semiconductor integrated circuit elements are mounted / connected to a lead frame.
このような多層配線板として、近年、外部端子がはんだボールで形成されたBGA型多層配線板が使用されるようになっている。BGA型多層配線板では、チップとマザーボードとの接続信頼性及び実装信頼性を向上させることが重要であり、特に、フレキシブルな基板の場合には、基板の収縮自由度が高いため、スティフナーと呼ばれる金属板により基板を固定したり、バンプ接続部にアンダーフィル樹脂を流し込むことにより、実装信頼性を向上させている(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, BGA type multilayer wiring boards in which external terminals are formed of solder balls have been used as such multilayer wiring boards. In the BGA type multilayer wiring board, it is important to improve the connection reliability and mounting reliability between the chip and the mother board. In particular, in the case of a flexible substrate, since the degree of freedom of contraction of the substrate is high, it is called a stiffener. Mounting reliability is improved by fixing the substrate with a metal plate or pouring underfill resin into the bump connection portion (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、このような実装方式の改良だけでは、BGA型多層配線板の高い実装信頼性を確保することは困難である。特に、総厚500μm以下の基板に対しては、基板全体の熱容量が小さいため、ビアにかかる熱応力が大きくなり、ビア破断の確率が高くなる。加えて、バンプ接続部のアンダーフィル樹脂と基板の熱膨張差から、アンダーフィル樹脂領域で基板ビアが破断する確率が極めて高くなる。アンダーフィル樹脂領域は、チップから3mm程度広がった領域であり、チップ動作時の熱影響によりビアが破断することが多く、実装信頼性を低下させていた。
本発明は、以上の事情の下になされ、半導体チップの動作時の発熱による接続ビアの破断を効果的に防止したBGA型多層配線板及びBGA型半導体パッケージを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a BGA type multilayer wiring board and a BGA type semiconductor package which are made under the circumstances described above and which effectively prevent breakage of connection vias due to heat generation during operation of a semiconductor chip.
上記課題を解決するため、本発明の第1の態様は、絶縁層を介して交互に積層された複数の配線パターンを具備し、一方の面に半導体チップが搭載されるチップ搭載エリアと、このチップ搭載エリアを含みチップ搭載エリアよりも一回り大きいチップ実装エリアとを有し、他方の面に、内部において前記配線パターンと接続されているとともに、外部においてシグナル線及び電源・グランド線が接続されるべき複数のBGAパッドが設けられたBGA型多層配線板において、他方の面の前記チップ実装エリアに対応する領域に位置するBGAパッドには、シグナル線が接続されず、電源・グランド線が接続され、他方の面の前記チップ実装エリアの外側のエリアに対応する領域に位置するBGAパッドには、シグナル線が接続されていることを特徴とするBGA型多層配線板を提供する。 In order to solve the above-described problem, a first aspect of the present invention includes a chip mounting area including a plurality of wiring patterns alternately stacked via insulating layers and mounting a semiconductor chip on one surface thereof, It has a chip mounting area that includes the chip mounting area and is slightly larger than the chip mounting area. On the other side, the wiring pattern is connected internally, and the signal lines and power / ground lines are connected externally. In a BGA type multilayer wiring board provided with a plurality of BGA pads to be provided, a signal line is not connected to a BGA pad located in a region corresponding to the chip mounting area on the other side, and a power / ground line is connected The signal line is connected to the BGA pad located in the area corresponding to the area outside the chip mounting area on the other side. Providing BGA type multilayer wiring board characterized.
このBGA型多層配線板において、前記シグナル線が接続されたBGAパッドは、1つの接続ビアを介して前記配線パターンと接続され、前記電源・グランド線が接続されたBGAパッドは、複数の接続ビアを介して前記配線パターンと接続されている構成とすることができる。 In this BGA type multilayer wiring board, the BGA pad to which the signal line is connected is connected to the wiring pattern through one connection via, and the BGA pad to which the power / ground line is connected is a plurality of connection vias. It can be set as the structure connected with the said wiring pattern via this.
この場合、前記シグナル線が接続されたBGAパッドが1つの接続ビアを介して接続された前記配線パターンは、内側の配線パターンと、前記チップ実装エリアに対応する領域において接続されている構成とすることができる。 In this case, the wiring pattern in which the BGA pad to which the signal line is connected is connected through one connection via is connected to the inner wiring pattern in a region corresponding to the chip mounting area. be able to.
BGA型多層配線板は、500μm以下の厚みを有するものとすることができる。 The BGA type multilayer wiring board can have a thickness of 500 μm or less.
本発明の第2の態様は、絶縁層を介して交互に積層された複数の配線パターンを備え、一方の面に半導体チップが搭載されるチップ搭載エリアと、このチップ搭載エリアを含みチップ搭載エリアよりも一回り大きいチップ実装エリアとを有し、他方の面に、内部において前記配線パターンと接続されているとともに、外部においてシグナル線及び電源・グランド線が接続されるべき複数のBGAパッドが設けられたBGA型多層配線板と、このBGA型多層配線板の前記チップ搭載エリアに搭載された半導体チップとを具備するBGA型半導体パッケージにおいて、他方の面の前記チップ実装エリアに対応する領域に位置するBGAパッドには、シグナル線が接続されず、電源・グランド線が接続され、他方の面の前記チップ実装エリアの外側のエリアに対応する領域に位置するBGAパッドには、シグナル線が接続されていることを特徴とするBGA型半導体パッケージを提供する。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a chip mounting area including a plurality of wiring patterns alternately stacked via insulating layers, on which a semiconductor chip is mounted, and a chip mounting area including the chip mounting area. A chip mounting area that is one size larger than that, and on the other side, a plurality of BGA pads that are connected to the wiring pattern inside and to which signal lines and power / ground lines are to be connected outside are provided. In a BGA type semiconductor package comprising a BGA type multilayer wiring board and a semiconductor chip mounted on the chip mounting area of the BGA type multilayer wiring board, the BGA type multilayer wiring board is located in a region corresponding to the chip mounting area on the other surface. The signal line is not connected to the BGA pad to be connected, the power / ground line is connected, and the outside of the chip mounting area on the other side The BGA pads located in the region corresponding to the area, to provide a BGA type semiconductor package, wherein a signal line is connected.
本発明によると、多層配線板の他方の面のチップ実装エリアに対応する領域に位置するBGAパッドには、シグナル線が接続されず、電源・グランド線が接続され(電源・グランドパッド)、他方の面のチップ実装エリアの外側のエリアに対応する領域に位置するBGAパッドには、シグナル線が接続されている(シグナルパッド)ため、半導体チップの動作時の発熱による接続ビアの破断を効果的に防止することができる。 According to the present invention, the signal line is not connected to the BGA pad located in the region corresponding to the chip mounting area on the other side of the multilayer wiring board, but the power / ground line is connected (power / ground pad), and the other Since the signal line is connected to the BGA pad located in the area corresponding to the area outside the chip mounting area on the surface (signal pad), it is effective to break the connection via due to heat generated during operation of the semiconductor chip. Can be prevented.
即ち、1つの接続ビアにより接続されるシグナルパッドが、基板とアンダーフィル樹脂との熱膨張率の相違により大きな力が加わる領域には配置されず、その外側の領域に配置されているため、接続ビアが破断することはない。板とアンダーフィル樹脂との熱膨張率の相違により大きな力が加わる領域には電源・グランドパッドが配置されるが、電源・グランドパッドは複数の接続ビアにより接続されるため、力が分散され、接続ビアの破断が防止される。 That is, the signal pad connected by one connection via is not arranged in a region where a large force is applied due to a difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the underfill resin, but is arranged in an outer region. The via will not break. A power supply / ground pad is placed in the area where a large force is applied due to the difference in thermal expansion coefficient between the plate and the underfill resin, but the power / ground pad is connected by multiple connection vias, so the force is distributed, Breakage of the connection via is prevented.
以下、図面を参照して、発明を実施するための最良の形態について説明する。 The best mode for carrying out the invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態に係る、多層配線板及びこれに半導体チップを搭載した半導体パッケージを示す上面図、図2は、その断面図である。図1及び図2において、多層配線板1の上面のチップ搭載エリア2には、半導体チップ3が搭載されている。多層配線板1とチップ3との間には、アンダーフィル樹脂4が充填されている。このアンダーフィル樹脂4が充填されている領域5を、チップ実装エリアと呼ぶ。アンダーフィル樹脂4は、多層配線板1とチップ3との接続部分を被覆し、かつ多層配線板1側にやや広がる形状となるため、チップ実装エリア5は、チップ搭載エリア2を含み、チップ搭載エリア2よりも一回り大きい、ほぼ3mm程度外側に広げた領域である。
FIG. 1 is a top view showing a multilayer wiring board and a semiconductor package having a semiconductor chip mounted thereon according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view thereof. 1 and 2, a semiconductor chip 3 is mounted in the chip mounting area 2 on the upper surface of the
図2に示すように、半導体チップ3は、ハンダボール実装されている。半導体チップ3の動作により多層配線板1全体に熱応力がかかり、多層配線板1の熱伸縮が生じ、その結果、ビアが破断することが問題となるが、このチップ実装エリア5では、熱伸縮の影響を大きく受け、ビア破断の発生率がチップ実装エリア5の外側よりも多い。
As shown in FIG. 2, the semiconductor chip 3 is mounted with solder balls. Thermal stress is applied to the entire
特に、基板厚500μm以下の薄型多層配線板においては、多層配線板1全体の熱容量が小さいため、熱伸縮によるビア破断の発生率が高くなる。そのため、本発明では、基板厚500μm以下の薄型多層配線板において、チップ実装エリア5の直下のBGAパッドには、シグナル線が接続されず、電源・グランド線が接続されており、即ち、電源・グランドパッド7が配置されている。また、チップ実装エリア5の外側のエリアの下のBGAパッドにはシグナル線が接続され、即ち、シグナルパッド6が配置されている。
In particular, in a thin multilayer wiring board having a substrate thickness of 500 μm or less, since the heat capacity of the entire
図3(a),(b)は、それぞれ図2のA部、B部の拡大図である。図3(a)はシグナルパッド6の部分を、図3(b)は、電源・グランドパッド7の部分を示している。
3 (a) and 3 (b) are enlarged views of part A and part B in FIG. 2, respectively. 3A shows the
図3(a)に示すように、シグナルパッド6は、1つの接続ビア8aを介して配線パターン9aと接続され、図3(b)に示すように、電源・グランドパッド7は、複数の(4つの)接続ビア8bを介して配線パターン9bと接続されている。なお、10a及び10bは、はんだボールを示す。
As shown in FIG. 3A, the
シグナルパッド6が1つの接続ビア8aを介して配線パターン9aと接続されているのは、接続ビアが多数であると、電流・電場の流れが不均一となり、インピーダンスの不整合を引き起こしてしまうからである。特性インピーダンスの整合は、シグナル線に関しては重要であり、接続ビアは1つでなければならない。
The reason why the
一方、電源・グランドパッド7の場合は、接続ビア8bが多数でも、電気特性的に問題がなく、接続信頼性の向上のためには多数の接続ビア8bを介して配線パターン9bと接続されるのが望ましい。
On the other hand, in the case of the power supply /
図2に示すように、チップ実装エリア5は、アンダーフィル樹脂4が充填されている領域であり、チップ動作時の熱影響により、アンダーフィル樹脂4と基板1の熱膨張差から、基板1に応力が加わって、チップ実装エリア5の直下のパッド側にある接続ビアが破断し易くなってしまう。しかし、接続ビアが多数ある場合には、接続ビアに加わる力は分散され、接続ビアの破断を免れることができる。
As shown in FIG. 2, the chip mounting area 5 is an area filled with the underfill resin 4. Due to the thermal influence during chip operation, the chip mounting area 5 is formed on the
本発明では、チップ実装エリア5の直下には、多数の接続ビアを介して接続される電源・グランドパッド7を配置し、1つの接続ビアを介して接続されるシグナルパッド6を配置しないことにより、接続ビアの破断を防止している。
In the present invention, the power supply /
図4は、本発明の一実施形態に係る多層配線板を下(BGAパッド形成側)からみた図である。多層配線板1のチップ実装エリア5の下には、電源・グランドパッド7のみを配置し、チップ実装エリア5の外側のエリアの下には、シグナルパッド6及び電源・グランドパッド7を配置している。即ち、チップ実装エリア5の外側のエリアの下には、シグナルパッド6だけに限らず、電源・グランドパッド7を配置してもよい。
FIG. 4 is a view of a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention as viewed from below (BGA pad forming side). Under the chip mounting area 5 of the
シグナルパッド6と電源・グランドパッド7をこのように配置することにより、接続ビアの破断が防止され、実装信頼性を大幅に向上させることが可能である。
By disposing the
なお、本発明に係る多層回路配線板の製造は、枚葉基板を用いて行われることに限定されるものではなく、テープ状のフレキシブル基板を用いたロール・ツー・ロールの連続生産方法にも適用することが可能である。 The production of the multilayer circuit wiring board according to the present invention is not limited to being performed using a single-wafer substrate, but also in a roll-to-roll continuous production method using a tape-like flexible substrate. It is possible to apply.
実施例
以下に、本発明の実施例について、図5及び図6を参照して説明する。図5及び図6は、本実施例に係る、半導体チップが搭載された多層配線板からなる半導体パッケージの製造方法を工程順に示す基板幅方向の断面図である。
Examples Hereinafter, examples of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. 5 and 6 are cross-sectional views in the substrate width direction showing a method of manufacturing a semiconductor package made of a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted according to this embodiment in the order of steps.
まず、図5(a)に示すように、幅105mmのテープ状である、ポリイミド層11の両面に銅箔12a,12bを貼付けてなる両面銅箔付ポリイミド基板13を準備し、化学研磨により銅箔12a,12bの膜厚を12μm程度に制御した。次いで、図5(b)に示すように、両面銅箔付ポリイミド基板13に脱脂処理を施した後、レーザ加工により、基板13の上面から銅箔12a及びポリイミド層11を貫通し、ポリイミド層11と下面側の銅箔12bの境界面に達するビアホール14を形成した。
First, as shown in FIG. 5 (a), a
次に、図5(c)に示すように、上記両面銅箔付ポリイミド基板13に形成したビアホール14の内部にデスミア処理を施した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施して、めっき層を形成して基板両面の銅箔層を電気接続する導通ビア15を形成し、後、硫酸と過酸化水素水の混合液により化学研磨を行い、銅箔12a,12bの厚さを約10μm程度にした。
Next, as shown in FIG.5 (c), after giving a desmear process inside the via
その後、図5(d)に示すように、両面銅箔付ポリイミド基板13の両面にレジスト層16a,16bを形成した。レジストとしては液状レジストを使用した。 次いで、図5(e)に示すように、基板とフオトマスクの位置合わせを行った後、露光・現像を行い、レジストパターン17a,17bを形成した。現像は、レジスト専用現像液にディップすることにより行った。
Then, as shown in FIG.5 (d), resist
次に、両面銅箔付ポリイミド基板13の両面の銅箔12a,12bに、レジストパターン17a,17bを介してエッチング液をスプレー噴霧し、レジストパターン17a,17bの開口部に露出する銅箔12a,12bをエッチング処理により除去した後、レジストパターン17a,17bを剥離して、図6(a)に示すように、配線パターン18a,18bを形成した。
Next, the copper foils 12a, 12b on both sides of the
次いで、図6(b)に示すように、両面に配線パターン18a,18bを形成した両面銅箔付ポリイミド基板13をコア基板として、その両面にそれぞれテープ状の片面銅箔付ポリイミド基板20a,20bを、銅箔21a,21bの側が外側になるようにして接着剤19a,19bを介してラミネートした。接着剤の厚みは、30μmとした。
Next, as shown in FIG. 6B, a
次に、図6(c)に示すように、両面に積層した片面銅箔付ポリイミド基板20a,20bに対し、ビア形成、配線形成をそれぞれ行い、多層配線板として、上下2層プリント配線板を完成した。
Next, as shown in FIG. 6C, via formation and wiring formation are respectively performed on the single-sided copper foil-coated
この場合、シグナル線はチップ実装エリア直下のBGAパッド22には接続せず、チップ実装エリア外直下のBGAパッド23に接続した。加えて、チップ実装エリア直下のBGAパッド22の接続ビアには多数ビア24を使用し、ビア接続信頼性を向上させた。
In this case, the signal line was not connected to the
図6(d)は、チップ実装後の半導体パッケージの完成図である。ソルダーレジスト25a,25bをスピンナーによりレジスト膜厚30μmとし、露光現像処理を行うことによりソルダーレジスト25a,25bに開口を形成した。その後、はんだ印刷を実施し、FCパッド部にはんだボール26を、BGAパッド部にはんだボール27をそれぞれ形成し、はんだボール26を介してチップ28を実装し、半導体パッケージを完成した。
FIG. 6D is a completed view of the semiconductor package after chip mounting. The solder resists 25a and 25b were made to have a resist film thickness of 30 μm by a spinner, and openings were formed in the solder resists 25a and 25b by performing exposure and development processing. Thereafter, solder printing was performed,
以上のように製造された半導体パッケージのチップ実装エリアにアンダーフィル樹脂を充填して動作させたところ、チップ28の発熱による接続ビアの破断は認められなかった。
When the chip mounting area of the semiconductor package manufactured as described above was filled with an underfill resin and operated, no breakage of the connection via due to heat generation of the
本発明は、上述し、かつ図面に示した実施例に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変形実施が可能である。上記実施例の多層配線板は、配線パターンが上下2層の場合について説明したが、その他、回路パターンが上下3層4層等の多層配線板及び半導体パッケージにも広く適用することができる。 The present invention is not limited to the embodiments described above and shown in the drawings, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. The multilayer wiring board of the above embodiment has been described with respect to the case where the wiring pattern has two upper and lower layers. However, it can be widely applied to multilayer wiring boards and semiconductor packages having three or four upper and lower circuit patterns.
1,29…多層配線板、2…チップ搭載エリア、3,28…半導体チップ、4…アンダーフィル樹脂、5…チップ実装エリア、6…シグナルパッド、7…電源・グランドパッド、8a,8b…接続ビア、9a,9b…配線パターン、10a,10b,26,27…はんだボール、11…ポリイミド層、12a,12b,21a,21b…銅箔、13…両面銅箔付ポリイミド基板、14…ビアホール、15…導通ビア、16a,16b…レジスト層、17a,17b…レジストパターン、18a,18b…配線パターン、19a,19b…接着剤、20a,20b…片面銅箔付ポリイミド基板、22,23…BGAパッド、24…多数ビア、25a,25b…ソルダーレジスト、30…半導体パッケージ。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006150432A JP2007324232A (en) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | BGA type multilayer wiring board and BGA type semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006150432A JP2007324232A (en) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | BGA type multilayer wiring board and BGA type semiconductor package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007324232A true JP2007324232A (en) | 2007-12-13 |
Family
ID=38856785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006150432A Pending JP2007324232A (en) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | BGA type multilayer wiring board and BGA type semiconductor package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007324232A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045134A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Multilayer wiring board, semiconductor package and method of manufacturing the same |
JP2010114372A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Fujitsu Ltd | Printed wiring board, and electronic device |
-
2006
- 2006-05-30 JP JP2006150432A patent/JP2007324232A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045134A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Multilayer wiring board, semiconductor package and method of manufacturing the same |
JP2010114372A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Fujitsu Ltd | Printed wiring board, and electronic device |
US8354600B2 (en) | 2008-11-10 | 2013-01-15 | Fujitsu Limited | Printed wiring board and electronic device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5010737B2 (en) | Printed wiring board | |
US8181342B2 (en) | Method for manufacturing a coreless packaging substrate | |
US8959760B2 (en) | Printed wiring board and method for manufacturing same | |
JP5339928B2 (en) | Wiring board and manufacturing method thereof | |
US8445790B2 (en) | Coreless substrate having filled via pad and method of manufacturing the same | |
US9899235B2 (en) | Fabrication method of packaging substrate | |
KR20090056824A (en) | Wiring Boards and Electronic Component Devices | |
US20090095508A1 (en) | Printed circuit board and method for manufacturing the same | |
US9706663B2 (en) | Printed wiring board, method for manufacturing the same and semiconductor device | |
JP2016063130A (en) | Printed wiring board and semiconductor package | |
US20140332253A1 (en) | Carrier substrate and manufacturing method thereof | |
US10211119B2 (en) | Electronic component built-in substrate and electronic device | |
JP2008147498A (en) | Multilayer wiring board and semiconductor device package | |
TWI758756B (en) | Package carrier and manufacturing method thereof | |
JP2011187912A (en) | Electro device-embedded printed circuit board and manufacturing method thereof | |
JP5363377B2 (en) | Wiring board and manufacturing method thereof | |
JP2007324232A (en) | BGA type multilayer wiring board and BGA type semiconductor package | |
US9484276B2 (en) | Semiconductor mounting device and method for manufacturing semiconductor mounting device | |
JP2004221618A (en) | Semiconductor device mounting substrate and its manufacturing method, as well as semiconductor package | |
JP4219266B2 (en) | Wiring board manufacturing method | |
KR100704911B1 (en) | Electronic printed circuit board and its manufacturing method | |
KR100694668B1 (en) | Package board manufacturing method without plating lead wire | |
JP2008124260A (en) | Multilayer wiring board and manufacturing method thereof | |
JP2023005239A (en) | Wiring board, wiring board manufacturing method, and intermediate product | |
TW201812929A (en) | Package substrate, method for making the same, and package structure having the same |