JP2007308557A - Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same - Google Patents
Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007308557A JP2007308557A JP2006137792A JP2006137792A JP2007308557A JP 2007308557 A JP2007308557 A JP 2007308557A JP 2006137792 A JP2006137792 A JP 2006137792A JP 2006137792 A JP2006137792 A JP 2006137792A JP 2007308557 A JP2007308557 A JP 2007308557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- compound
- organic electroluminescent
- layer
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 185
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 114
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 58
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 186
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 14
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 10
- 150000001787 chalcogens Chemical group 0.000 claims description 10
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 64
- -1 poly (p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 83
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 68
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 68
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 56
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 24
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 11
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 11
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 10
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 10
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 4
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- DPZNOMCNRMUKPS-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1 DPZNOMCNRMUKPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N butyl benzoate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N flavonol Natural products O1C2=CC=CC=C2C(=O)C(O)=C1C1=CC=CC=C1 HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000003406 indolizinyl group Chemical class C=1(C=CN2C=CC=CC12)* 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000005956 isoquinolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 125000005004 perfluoroethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dioctyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)=C3CC2=C1 PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000355 1,3-benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- NKEWBOPVULFSFJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroperimidin-2-one Chemical class C1=CC(NC(O)=N2)=C3C2=CC=CC3=C1 NKEWBOPVULFSFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJAAWBHHXIWAHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(2-phenylethenyl)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 IJAAWBHHXIWAHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-3-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1 OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2,3-dimethylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1C BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004343 1-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 12h-benzo[a]thioxanthene Chemical class C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4SC3=CC=C21 YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-10-one Chemical compound C1=CNC2=C3C(=O)C=CC=C3C=CC2=C1 ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJCFZCTTZWHRNL-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dimethylanisole Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1C UJCFZCTTZWHRNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylanisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1C DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDIUBIBXMPVEX-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(-c2ccccc2)c(ccc(c2cc(C)c3)c3-c3ccccc3)c2c1 Chemical compound Cc1cc(-c2ccccc2)c(ccc(c2cc(C)c3)c3-c3ccccc3)c2c1 MSDIUBIBXMPVEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical class ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical group [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISZWRZGKEWQACU-UHFFFAOYSA-N Primuletin Natural products OC1=CC=CC(C=2OC3=CC=CC=C3C(=O)C=2)=C1 ISZWRZGKEWQACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N acetic acid phenyl ester Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1 IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012935 ammoniumperoxodisulfate Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005427 anthranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004618 benzofuryl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- UDEWPOVQBGFNGE-UHFFFAOYSA-N benzoic acid n-propyl ester Natural products CCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 UDEWPOVQBGFNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001562 benzopyrans Chemical class 0.000 description 1
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N benzopyrazine Natural products N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHADSMKORVFYOS-UHFFFAOYSA-N cyclooctanol Chemical compound OC1CCCCCCC1 FHADSMKORVFYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004672 ethylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- OLXYLDUSSBULGU-UHFFFAOYSA-N methyl pyridine-4-carboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=NC=C1 OLXYLDUSSBULGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000001148 pentyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005459 perfluorocyclohexyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005385 peroxodisulfate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYUMLJSJISTVPV-UHFFFAOYSA-N phenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC1=CC=CC=C1 DYUMLJSJISTVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049953 phenylacetate Drugs 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N phenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000004673 propylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005412 pyrazyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OPSWAWSNPREEFQ-UHFFFAOYSA-K triphenoxyalumane Chemical compound [Al+3].[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1 OPSWAWSNPREEFQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N tris(pentafluorophenyl)borane Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1B(C=1C(=C(F)C(F)=C(F)C=1F)F)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N veratrole Chemical compound COC1=CC=CC=C1OC ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機電界発光素子用組成物等に関する。より詳しくは、湿式成膜法に適した有機電界発光素子用組成物等に関する。 The present invention relates to a composition for an organic electroluminescence device and the like. More specifically, the present invention relates to a composition for an organic electroluminescent element suitable for a wet film forming method.
近年、有機薄膜を用いた電界発光素子(有機電界発光素子)の開発が行われている。有機電界発光素子の材料は、主に低分子材料と高分子材料(重合型有機化合物)に分類することができる。 In recent years, an electroluminescent element (organic electroluminescent element) using an organic thin film has been developed. Materials for organic electroluminescent elements can be classified mainly into low molecular weight materials and high molecular weight materials (polymerization type organic compounds).
低分子材料を用いたものでは、例えば、芳香族ジアミンを含有する正孔輸送層と8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体を含有する発光層とを設けた有機電界発光素子や、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープ材料として含有する有機電界発光素子が開発されている。また、白金錯体やイリジウム錯体などの低分子材料も、発光層の材料として使用されている。 In the case of using a low molecular weight material, for example, an organic electroluminescent element provided with a hole transport layer containing an aromatic diamine and a light emitting layer containing an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline, or aluminum of 8-hydroxyquinoline An organic electroluminescent element containing a complex as a host material and a fluorescent dye for laser such as coumarin as a doping material has been developed. In addition, low molecular weight materials such as platinum complexes and iridium complexes are also used as materials for the light emitting layer.
一方、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリ[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン]、ポリ(3−アルキルチオフェン)等の高分子材料を用いた有機電界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子材料に低分子の発光材料と電子輸送材料を混合した素子の開発も行われている。 On the other hand, an organic electric field using a polymer material such as poly (p-phenylene vinylene), poly [2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylene vinylene], poly (3-alkylthiophene), etc. Development of a light emitting element and an element in which a low molecular light emitting material and an electron transporting material are mixed with a polymer material such as polyvinyl carbazole are also underway.
薄膜の形成方法に着目すると、これまで、低分子材料は真空蒸着法、高分子材料は湿式成膜法が殆どであった。真空蒸着法は良質な膜を基板に対して均一に成膜できること、積層化が容易で優れた特性のデバイスが得やすいこと、作製プロセス由来の不純物の混入が極めて少ないこと、等の利点がある。現在実用化されている有機電界発光素子の大部分は、低分子材料を用いた真空蒸着法によるものである。 Focusing on the method of forming a thin film, until now, most of the low molecular materials were vacuum deposition methods, and the high molecular materials were wet film forming methods. The vacuum deposition method has advantages such as being able to form a high-quality film uniformly on the substrate, easy to obtain a device with excellent characteristics and easy lamination, and very little contamination from the manufacturing process. . Most of the organic electroluminescent devices currently in practical use are based on vacuum deposition using low molecular weight materials.
一方、高分子材料を使用した湿式成膜法は、真空プロセスが要らず大面積化が容易で、1つの層(塗布液)に様々な機能を持った複数の材料を含有させることが可能である、等の利点がある。しかしながら、高分子材料(重合型有機化合物)は重合度や分子量分布を制御することが困難であること、連続駆動時に末端残基による劣化が起こること、高分子材料自体の高純度化が困難で不純物を含むこと等の問題を有する場合がある。一部の高分子材料を用いた素子以外は実用レベルに至っていないのが現状である。 On the other hand, a wet film-forming method using a polymer material can easily increase the area without requiring a vacuum process, and a single layer (coating liquid) can contain a plurality of materials having various functions. There are advantages, such as being. However, it is difficult to control the degree of polymerization and molecular weight distribution of polymer materials (polymerized organic compounds), deterioration due to terminal residues during continuous driving, and high purity of the polymer materials themselves are difficult. There may be a problem of including impurities. The present condition is that it has not reached the practical level other than the element using some polymer materials.
以上のような問題を解決する試みとして、特許文献1及び特許文献2では、低分子の蛍光物質、正孔輸送材料、及び電子輸送材料等(非重合型有機化合物)を用いて、湿式成膜法により有機層を形成する方法が記載されている。また、特許文献3及び特許文献4には、蛍光発光材料に代わり、燐光発光材料を用いたものが提案されている。 As an attempt to solve the above problems, Patent Document 1 and Patent Document 2 describe that wet film formation is performed using a low-molecular fluorescent substance, a hole transport material, an electron transport material, and the like (non-polymerization type organic compound). A method for forming an organic layer by a method is described. Patent Documents 3 and 4 propose a phosphor material that uses a phosphorescent material instead of a fluorescent material.
しかしながら、これらの素子は発光効率や寿命の観点で不十分であり、実用性に乏しかった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものである。即ち、本発明の主たる目的は、有機層が低分子材料を用いて湿式成膜法により形成される有機電界発光素子において、良好な発光特性を有する素子を実現する有機電界発光素子用組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、良好な発光特性を有する有機電界発光素子を提供することにある。
However, these elements are insufficient in terms of luminous efficiency and lifetime, and are not practical.
The present invention has been made in view of such circumstances. That is, the main object of the present invention is to provide a composition for an organic electroluminescent element that realizes an element having good light emission characteristics in an organic electroluminescent element in which an organic layer is formed by a wet film forming method using a low molecular material. It is to provide. Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having good light emission characteristics.
上記目的に鑑みて本発明者が鋭意検討した結果、発光層となる有機層が低分子材料を用いて湿式成膜法により形成される有機電界発光素子においては、該有機層を形成するための組成物中のドーパント材料とホスト材料との相溶性が、発光効率及び寿命等に大きく影響を及ぼすことを見出し、本発明に到達した。 As a result of intensive studies by the present inventors in view of the above object, in an organic electroluminescent device in which an organic layer to be a light emitting layer is formed by a wet film forming method using a low molecular material, The inventors have found that the compatibility between the dopant material and the host material in the composition greatly affects the light emission efficiency, the lifetime, and the like, and reached the present invention.
かくして本発明によれば、ドーパント材料と、ホスト材料と、溶剤とを含有する有機電界発光素子の有機層を形成するための組成物であって、ドーパント材料及びホスト材料はそれぞれ非重合性化合物であり、ドーパント材料及びホスト材料はそれぞれ炭素数1〜30のアルキル基を部分構造として有する化合物であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物が提供される。 Thus, according to the present invention, a composition for forming an organic layer of an organic electroluminescent device containing a dopant material, a host material, and a solvent, wherein the dopant material and the host material are each a non-polymerizable compound. A dopant material and a host material are each a compound having an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms as a partial structure, and a composition for an organic electroluminescence device is provided.
ここで、アルキル基の炭素数は、2〜20であることを特徴とすることができる。
また、ドーパント材料は、芳香族炭化水素環、芳香族複素環、或いはカルコゲン原子を有する化合物であり、アルキル基は、芳香族炭化水素環、芳香族複素環、或いはカルコゲン原子に結合していることを特徴とすることができる。
更に、ホスト材料は、芳香族炭化水素環、芳香族複素環、或いはカルコゲン原子を有する化合物であり、アルキル基は、芳香族炭化水素環、芳香族複素環、或いはカルコゲン原子に結合していることを特徴とすることができる。
また更に、ドーパント材料は、燐光性発光色素であることを特徴とすることができ、ホスト材料は、カルバゾール系化合物であることを特徴とすることができる。
Here, the alkyl group may have 2 to 20 carbon atoms.
The dopant material is a compound having an aromatic hydrocarbon ring, an aromatic heterocyclic ring, or a chalcogen atom, and the alkyl group is bonded to the aromatic hydrocarbon ring, the aromatic heterocyclic ring, or the chalcogen atom. Can be characterized.
Further, the host material is a compound having an aromatic hydrocarbon ring, aromatic heterocycle or chalcogen atom, and the alkyl group is bonded to the aromatic hydrocarbon ring, aromatic heterocycle or chalcogen atom. Can be characterized.
Still further, the dopant material can be characterized by being a phosphorescent luminescent dye, and the host material can be characterized by being a carbazole-based compound.
一方、本発明を有機電界発光素子と捉え、本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極と、陰極と、これら両極間に設けられた有機層とを備える有機電界発光素子であって、有機層が上述した有機電界発光素子用組成物のいずれかを用いて形成された層であることを特徴としている。 On the other hand, the present invention is regarded as an organic electroluminescent device, and the organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device comprising an anode, a cathode, and an organic layer provided between both electrodes on a substrate. The organic layer is a layer formed using any one of the above-described compositions for organic electroluminescent elements.
即ち、ドーパント材料とホスト材料の両方が、互いを溶解させる置換基を持たない場合、これら両材料を含む組成物から塗布法により有機層を形成すると、有機層中でドーパント材料、ホスト材料のそれぞれがクラスターを形成する傾向が強く、ドーパント材料の分散性は悪いものと考えられる(図2)。
そして、ドーパント材料がクラスターを形成した場合、ドーパント材料からの発光を近隣の別のドーパント材料が吸収する事による「発光の再吸収」現象や、近くのドーパント材料同士が相互作用を行って励起錯体を形成することにより発光効率や色純度が悪化する「エキシプレックス発光」現象等が生じ、従って、発光輝度、寿命、発光効率等が悪化する傾向となるものと考えられる。しかも、そのような傾向は、蒸着成膜法よりも湿式成膜法において顕著であると考えられる。
That is, when both the dopant material and the host material do not have a substituent that dissolves each other, when an organic layer is formed from a composition containing both the materials by a coating method, each of the dopant material and the host material in the organic layer. Has a strong tendency to form clusters, and the dispersibility of the dopant material is considered to be poor (FIG. 2).
When the dopant material forms a cluster, the light emission from the dopant material is absorbed by another neighboring dopant material, and the recombination phenomenon of light emission, or nearby dopant materials interact with each other to form an exciplex. It is considered that the “exciplex light emission” phenomenon in which the light emission efficiency and the color purity deteriorate due to the formation of the light emission, and therefore, the light emission luminance, the lifetime, the light emission efficiency and the like tend to deteriorate. Moreover, such a tendency is considered to be more remarkable in the wet film forming method than in the vapor deposition film forming method.
しかしながら、ドーパント材料とホスト材料の双方に共通した置換基、より具体的には、アルキル基を少なくとも部分構造として有する置換基を分子中に導入することにより、そのような望ましくない現象を低減させ得ると考えられた。つまり、ドーパント材料の置換基に対してホスト材料の置換基が相互作用を起こすことができれば、ドーパント材料が均一に分散するものと考えられる(図1)。
本発明者は、そのようなドーパント材料とホスト材料を用いることで、ドーパント材料とホスト材料との相溶性を高めた。そして、ドーパント材料にクラスターを形成させず、ドーパント材料の良好な微分散状態を実現させることにより、湿式成膜法を採用する場合であっても発光効率や寿命、輝度等の点で改良された有機電界発光素子の形成を実現したものである。
However, by introducing a substituent common to both the dopant material and the host material, more specifically, a substituent having at least a partial structure of an alkyl group into the molecule, such an undesirable phenomenon can be reduced. It was considered. That is, if the substituent of the host material can interact with the substituent of the dopant material, it is considered that the dopant material is uniformly dispersed (FIG. 1).
The present inventor has improved the compatibility between the dopant material and the host material by using such a dopant material and the host material. And by forming a good fine dispersion state of the dopant material without forming a cluster in the dopant material, even in the case of adopting a wet film forming method, it was improved in terms of luminous efficiency, lifetime, luminance, etc. The formation of an organic electroluminescent element is realized.
本発明によれば、湿式成膜法により、良好な発光特性を有する低分子材料系の有機電界発光素子が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the low molecular material type organic electroluminescent element which has a favorable light emission characteristic is provided by the wet film-forming method.
以下、本発明を実施するための最良の形態(以下、発明の実施の形態)について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は本実施の形態を説明するためのものであり、実際の大きさを表すものではない。 The best mode for carrying out the present invention (hereinafter, an embodiment of the present invention) will be described in detail below. The present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention. The drawings used are for explaining the present embodiment and do not represent the actual size.
(1)有機電界発光素子用組成物
本実施の形態において、有機電界発光素子用組成物は、ドーパント材料と、ホスト材料と、溶剤とを含有するものである。
(1) Composition for organic electroluminescent element In this Embodiment, the composition for organic electroluminescent elements contains a dopant material, host material, and a solvent.
(ドーパント材料、ホスト材料の共通事項)
本実施の形態において用いられるドーパント材料、及びホスト材料としては、本発明の目的を損なわない範囲において、任意の公知材料、又は新規材料を用いることができる。
また、本実施の形態において、ドーパント材料及びホスト材料は、共に非重合性化合物である。ここで、「非重合性化合物」とは、一般にポリマー(重合性化合物)と呼ばれる化合物以外のものを指す。即ち、低分子化合物が同じ反応又は類似の反応を連鎖的にくり返すことにより生じた高分子量の重合体又は縮合体の分子からなる物質以外のものをいう。つまり、所謂、単一又は複数の重合性モノマー、オリゴマーあるいはポリマーを任意の方法で規則的又は不規則的に重合させて作成される高分子量の有機化合物とは異なるものであって、分子量が実質的に単一であり、分子構造を化学式で一義的かつ定量的に定義可能な化合物である。
(Common matters for dopant materials and host materials)
As the dopant material and the host material used in the present embodiment, any known material or new material can be used as long as the object of the present invention is not impaired.
In this embodiment, both the dopant material and the host material are non-polymerizable compounds. Here, the “non-polymerizable compound” refers to a compound other than a compound generally called a polymer (polymerizable compound). That is, it refers to a substance other than a substance composed of a high molecular weight polymer or a condensate molecule produced by repeating the same reaction or a similar reaction in a low molecular weight compound. That is, it is different from a high molecular weight organic compound produced by regularly or irregularly polymerizing a single or plural polymerizable monomers, oligomers or polymers by any method, and has a substantial molecular weight. It is a single compound, and its molecular structure can be uniquely and quantitatively defined by a chemical formula.
本実施の形態において、ドーパント材料、及びホスト材料は、共に炭素数1〜30のアルキル基を部分構造として有する化合物である。
ここで、「アルキル基を部分構造として有する」とは、化学構造式中のいずれかにアルキル基を含むことを意味する。そのようなアルキル基は、側鎖として化合物の母体となる分子骨格に直接結合するアルキル基であっても良いし、何らかの連結部を介して化合物の母体となる分子骨格に結合するアルキル基であってもよい(置換基の一部として含まれるものであっても良い)。
なお、連結部としては、特に限定されるものではないが、例えばエーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、エステル結合、カルボニル結合、フェニレン基、アミノ基等による連結部を挙げることができる。
In this embodiment, both the dopant material and the host material are compounds having an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms as a partial structure.
Here, “having an alkyl group as a partial structure” means that an alkyl group is included in any of the chemical structural formulas. Such an alkyl group may be an alkyl group that is directly bonded to the molecular skeleton serving as the base of the compound as a side chain, or an alkyl group that is bonded to the molecular skeleton serving as the parent of the compound via some connecting portion. (It may be included as a part of the substituent).
In addition, as a connection part, although it does not specifically limit, For example, the connection part by an ether bond, a thioether bond, an amide bond, an ester bond, a carbonyl bond, a phenylene group, an amino group etc. can be mentioned.
また、本実施の形態における「アルキル基」には、置換又は非置換のアルキル基が含まれる。
置換アルキル基としては、例えば、一部又は全ての水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原子に置換されたものが挙げられる。化学的に不活性なために化合物の安定性が向上する点から、中でも、フッ素原子の置換体が好ましい。
このようなハロゲン原子の置換体(以下、「ハロアルキル基」と略記することがある。)として具体的には、例えば、パーフルオロエチル基、1−パーフルオロプロピル基、2−パーフルオロプロピル基、1−パーフルオロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基を挙げることができる。化合物の熱的安定性の観点から、中でもパーフルオロエチル基が好適である。
In addition, the “alkyl group” in the present embodiment includes a substituted or unsubstituted alkyl group.
Examples of the substituted alkyl group include those in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with halogen atoms such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. From the viewpoint of improving the stability of the compound because it is chemically inert, a fluorine atom-substituted product is particularly preferable.
Specific examples of such a substituted halogen atom (hereinafter sometimes abbreviated as “haloalkyl group”) include, for example, a perfluoroethyl group, a 1-perfluoropropyl group, a 2-perfluoropropyl group, A 1-perfluorobutyl group and a perfluorocyclohexyl group can be exemplified. From the viewpoint of the thermal stability of the compound, a perfluoroethyl group is particularly preferable.
そして、本実施の形態において用いられるドーパント材料、及びホスト材料は、互いを溶解させる置換基(以下、「置換基S」と略記することがある)を有するものである。このような置換基としては、特に限定されるものではないが、下記(i)〜(viii)に示すような置換基が挙げられる。
なお、これらは1種を単独で、又は2種以上を併用することができる。また、ドーパント材料、及びホスト材料が夫々有する置換基Sは、同一であっても異なってもよい。
The dopant material and the host material used in the present embodiment have a substituent that dissolves each other (hereinafter, may be abbreviated as “substituent S”). Although it does not specifically limit as such a substituent, Substituents as shown to following (i)-(viii) are mentioned.
In addition, these can be used individually by 1 type or can use 2 or more types together. Moreover, the substituent S which a dopant material and a host material each have may be the same, or may differ.
(i)炭素数1〜30(好ましくは2〜20、より好ましくは2〜12、更に好ましくは2〜5)のアルキル基。
このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、エイコサニル基等が挙げられる。
これらは、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基のような直鎖状アルキル基;2−プロピル基、2−ブチル基、2−ペンチル基の様な枝分かれ鎖状アルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基の様な環状アルキル基;のいずれであっても良い。
(I) an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms (preferably 2 to 20, more preferably 2 to 12 and still more preferably 2 to 5).
Examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, and an eicosanyl group.
These are linear alkyl groups such as ethyl group, n-propyl group, n-butyl group and n-pentyl group; branched chain alkyl groups such as 2-propyl group, 2-butyl group and 2-pentyl group. Any of a group; a cyclic alkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group may be used.
(ii)炭素数1〜30(好ましくは2〜20、より好ましくは2〜12、更に好ましくは2〜5)のアルキルオキシ基。なお、上記(i)に示すアルキル基を部分的に有するアルキルオキシ基は、いずれも使用することができる。
このようなアルキルオキシ基としては、例えば、エトキシ基、1−プロポキシ基、2−プロポキシ基、1−ブトキシ基、1−ペンチルオキシ基、1−オクチルオキシ基、1−エイコサニルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。好ましくは、エトキシ基、1−プロポキシ基であり、最も好ましくはエトキシ基である。
(Ii) an alkyloxy group having 1 to 30 carbon atoms (preferably 2 to 20, more preferably 2 to 12 and still more preferably 2 to 5). Any alkyloxy group partially having the alkyl group shown in the above (i) can be used.
Examples of such an alkyloxy group include an ethoxy group, a 1-propoxy group, a 2-propoxy group, a 1-butoxy group, a 1-pentyloxy group, a 1-octyloxy group, a 1-eicosanyloxy group, and cyclohexyl. An oxy group is mentioned. Preferred are an ethoxy group and a 1-propoxy group, and most preferred is an ethoxy group.
(iii)炭素数2〜31(好ましくは、3〜21、より好ましくは3〜13、更に好ましくは3〜6)のアルキルカルボニル基。なお、上記(i)に示すアルキル基を部分的に有するアルキルカルボニル基は、いずれも使用することができる。
このようなアルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、オクチルカルボニル基であり、好ましくは、アセチル基である。
(Iii) An alkylcarbonyl group having 2 to 31 carbon atoms (preferably 3 to 21, more preferably 3 to 13, and still more preferably 3 to 6). Any alkylcarbonyl group partially having the alkyl group shown in the above (i) can be used.
Examples of such an alkylcarbonyl group include an acetyl group, an ethylcarbonyl group, a propylcarbonyl group, and an octylcarbonyl group, and preferably an acetyl group.
(iv)炭素数2〜31(好ましくは、3〜21、より好ましくは3〜13、更に好ましくは3〜6)のアルキルオキシカルボニル基。なお、上記(i)に示すアルキル基を部分的に有するアルキルオキシカルボニル基は、いずれも使用することができる。
このようなアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基であり、好ましくは、エトキシカルボニル基である。
(Iv) an alkyloxycarbonyl group having 2 to 31 carbon atoms (preferably 3 to 21, more preferably 3 to 13 and still more preferably 3 to 6). Any alkyloxycarbonyl group partially having the alkyl group shown in the above (i) can be used.
Examples of such an alkyloxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a pentyloxycarbonyl group, and an octyloxycarbonyl group, and preferably an ethoxycarbonyl group.
(v)炭素数8〜40(好ましくは、8〜12)のアリールアルキル基。なお、上記(i)に示すアルキル基を部分的に有するアリールアルキル基は、いずれも使用することができる。
このようなアリールアルキル基としては、例えば、2−フェニルエチル基、1−フェニルエチル基、8−フェニル−1−オクチル基、4−フェニルシクロヘキシル基であり、好ましくは、2−フェニルエチル基である。
(V) an arylalkyl group having 8 to 40 (preferably 8 to 12) carbon atoms. Any arylalkyl group partially having the alkyl group shown in the above (i) can be used.
Examples of such an arylalkyl group include a 2-phenylethyl group, a 1-phenylethyl group, an 8-phenyl-1-octyl group, and a 4-phenylcyclohexyl group, and preferably a 2-phenylethyl group. .
(vi)炭素数3〜30(好ましくは、3〜12)のアルケニル基。なお、上記(i)に示すアルキル基を部分的に有するアルケニル基は、いずれも使用することができる。
このようなアルケニル基としては、例えば、1−プロペン−1−イル基、1−ブテン−2−イル基であり、好ましくは、1−プロペン−1−イル基である。
(Vi) an alkenyl group having 3 to 30 (preferably 3 to 12) carbon atoms. Any alkenyl group partially having an alkyl group shown in (i) above can be used.
Examples of such an alkenyl group include a 1-propen-1-yl group and a 1-buten-2-yl group, and a 1-propen-1-yl group is preferable.
(vii)炭素数2〜30(好ましくは、2〜12)のN,N−ジアルキルアミノ基。なお、上記(i)に示すアルキル基を部分的に有するN,N−ジアルキルアミノ基は、いずれも使用することができる。
このようなN,N−ジアルキルアミノ基としては、例えば、N−エチル−N−メチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基、N,N−ジプロピルアミノ基、N−プロピル−N−メチルアミノ基、N−オクチル−N−メチルアミノ基であり、好ましくは、N,N−ジエチルアミノ基である。
(Vii) an N, N-dialkylamino group having 2 to 30 (preferably 2 to 12) carbon atoms. Any of the N, N-dialkylamino groups partially having an alkyl group shown in (i) above can be used.
Examples of such N, N-dialkylamino group include N-ethyl-N-methylamino group, N, N-diethylamino group, N, N-dipropylamino group, and N-propyl-N-methylamino group. N-octyl-N-methylamino group, preferably N, N-diethylamino group.
(viii)炭素数8〜40(好ましくは、8〜20)のN−アルキル−N−アリールアミノ基。なお、上記(i)に示すアルキル基を部分的に有するN−アルキル−N−アリールアミノ基は、いずれも使用することができる。
このようなN−アルキル−N−アリールアミノ基としては、例えば、N−エチル−N−フェニルアミノ基、N−オクチル−N−フェニルアミノ基であり、好ましくは、N−エチルN−フェニルアミノ基である。
(Viii) an N-alkyl-N-arylamino group having 8 to 40 (preferably 8 to 20) carbon atoms. Any N-alkyl-N-arylamino group partially having the alkyl group shown in the above (i) can be used.
Examples of such an N-alkyl-N-arylamino group include an N-ethyl-N-phenylamino group and an N-octyl-N-phenylamino group, preferably an N-ethyl N-phenylamino group. It is.
中でも、化合物の安定性の観点から、好ましくは、アルキル基およびアルキルオキシ基であり、最も好ましくは、アルキル基である。
また、アルキル鎖が枝分かれ鎖状や環状になっている場合、分岐している炭素が電気的な酸化や還元を受け易いために、好ましいアルキル差は直鎖状である。
Among these, from the viewpoint of stability of the compound, an alkyl group and an alkyloxy group are preferable, and an alkyl group is most preferable.
In addition, when the alkyl chain is branched or cyclic, the branched carbon is easily subjected to electrical oxidation or reduction, so that the preferable alkyl difference is linear.
本実施の形態におけるアルキル基としては、鎖長の長いアルキル基であることが好ましい。つまり、メチル基よりも、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、エイコサニル基の様なアルキル基が好適である。これは、鎖長の長いアルキル基を用いる方が、ホスト材料とドーパント材料との相互作用が生じ易くなり、その結果、よりドーパント材料を均一に分散させやすいためである。
一方、アルキル基の鎖長が短い場合、アルキル基の周辺置換基の陰になり、アルキル基が他の分子と相互作用を起こしにくいと考えられる。しかし、アルキル基の鎖長が過度に長い場合、材料自体のガラス転移点の低下を引き起こしやすく、耐熱性に劣る場合がある。このような観点から、本実施の形態において好適に用いられるアルキル基としては、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基であり、特に好ましいのは、エチル基、プロピル基、ブチル基であり、最も好ましくはエチル基、プロピル基である。
The alkyl group in this embodiment is preferably an alkyl group having a long chain length. That is, an alkyl group such as an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, and an eicosanyl group is preferable to a methyl group. This is because the use of an alkyl group having a long chain length facilitates the interaction between the host material and the dopant material, and as a result, the dopant material is more easily dispersed.
On the other hand, when the chain length of the alkyl group is short, it is considered to be behind the substituents around the alkyl group, and the alkyl group is unlikely to interact with other molecules. However, when the chain length of the alkyl group is excessively long, the glass transition point of the material itself is likely to be lowered and the heat resistance may be poor. From such a viewpoint, the alkyl group suitably used in the present embodiment is an ethyl group, a propyl group, a butyl group, or a pentyl group, particularly preferably an ethyl group, a propyl group, or a butyl group, Most preferred are ethyl group and propyl group.
また、ホスト材料或いはドーパント材料の分子構造において、アルキル基は分子構造のどの部分に置換されていても良いが、分子の安定性の面から、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピリジン環、フラン環、カルバゾール環等の芳香族炭化水素環(中でも、ベンゼン環、ピリジン環がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい)、又は芳香族複素環に置換基として結合されていることが好ましい。
更に、ホスト材料或いはドーパント材料が酸素原子、硫黄原子、セレン原子等のカルコゲン原子を有する化合物である場合には、上記と同様の観点から、そのようなカルコゲン原子にアルキル基が結合していることが好ましい。
In the molecular structure of the host material or dopant material, the alkyl group may be substituted with any part of the molecular structure, but from the viewpoint of molecular stability, preferably a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring. , A pyridine ring, a furan ring, an aromatic hydrocarbon ring such as a carbazole ring (in particular, a benzene ring or a pyridine ring is more preferable, and a benzene ring is particularly preferable) or an aromatic heterocyclic ring. preferable.
Furthermore, when the host material or dopant material is a compound having a chalcogen atom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a selenium atom, an alkyl group is bonded to such a chalcogen atom from the same viewpoint as described above. Is preferred.
本実施の形態において、置換基Sの数としては特に制限がないが、1分子内の置換基数として好ましくは1〜20、より好ましくは1〜10、最も好ましくは2〜8である。置換基Sの数が20を越えると、化合物のガラス転移温度が減少したり、常温でオイル状になったりするため、好ましくない。 In the present embodiment, the number of substituents S is not particularly limited, but the number of substituents in one molecule is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, and most preferably 2 to 8. When the number of the substituents S exceeds 20, the glass transition temperature of the compound decreases or becomes oily at room temperature, which is not preferable.
本実施の形態においては、ドーパント材料及びホスト材料がいずれも炭素数1〜30のアルキル基を部分構造として有するものである。上述の通り、低分子材料を用いて有機電界発光素子の有機層を形成する際には、従来、蒸着法が一般に採用されていた。ここで、置換基を導入して化合物の分子量が増大すると、化合物は蒸発し難くなる傾向となる。即ち、蒸着がより困難になる傾向となるため、従来公知の低分子材料に、置換基としてアルキル基(特に、長鎖アルキル基)を当業者が敢えて導入しようとすることはなかった。
また、ドーパント材料やホスト材料の発光特性を調節する方法として、いわゆる発色団を導入したり、何らかの置換基を導入して化合物中の単結合について結合角を変化させたりする方法で、バンドギャップを変化させる方法が知られている。しかし、アルキル基は一般に、発色団に属さない。しかも、単結合について結合角を変化させるためには小さな置換基で十分である。これらのことからも、従来公知の低分子材料に、置換基としてアルキル基(特に、長鎖アルキル基)を当業者が敢えて導入しようとはしなかったものである。
本実施の形態においては、ドーパント材料とホスト材料との相溶性が有機電界発光素子の発光特性を左右すること、かかる傾向は湿式成膜法において大きくなるという課題を見出したことに基づき、上記のようなアルキル基をドーパント材料及びホスト材料の双方に導入するものである。
In this embodiment, both the dopant material and the host material have an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms as a partial structure. As described above, when forming an organic layer of an organic electroluminescent element using a low molecular material, a vapor deposition method has been generally employed. Here, when a substituent is introduced and the molecular weight of the compound increases, the compound tends to hardly evaporate. That is, since vapor deposition tends to be more difficult, those skilled in the art have never intentionally introduced an alkyl group (particularly, a long-chain alkyl group) as a substituent into a conventionally known low-molecular material.
In addition, as a method for adjusting the emission characteristics of the dopant material or the host material, a so-called chromophore is introduced, or a method of changing the bond angle of a single bond in a compound by introducing some substituent, Methods of changing are known. However, alkyl groups generally do not belong to chromophores. Moreover, small substituents are sufficient to change the bond angle for a single bond. Also from these facts, those skilled in the art did not intentionally introduce an alkyl group (particularly, a long-chain alkyl group) as a substituent into a conventionally known low molecular weight material.
In the present embodiment, the compatibility between the dopant material and the host material affects the light emission characteristics of the organic electroluminescent element, and the above-described tendency has been found to increase in the wet film forming method. Such an alkyl group is introduced into both the dopant material and the host material.
なお、本実施の形態において、ホスト材料或いはドーパント材料として用いる化合物の分子量としては、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、更に好ましくは3000以下であり、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、更に好ましくは400以上、特に好ましくは500以上である。分子量が100未満であると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、あるいはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりするため、好ましくない。分子量が10000を超えると、有機化合物の精製が困難になることが考えられ、また、溶剤に溶解させる際に時間を要する可能性が高いため、好ましくない。 In the present embodiment, the molecular weight of the compound used as the host material or dopant material is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, still more preferably 3000 or less, usually 100 or more, preferably 200 or more, more preferably 300 or more, still more preferably 400 or more, particularly preferably 500 or more. When the molecular weight is less than 100, the heat resistance is remarkably reduced, gas is generated, the film quality is deteriorated when the film is formed, or the morphology of the organic electroluminescent element is changed due to migration or the like. This is not preferable. If the molecular weight exceeds 10,000, it may be difficult to purify the organic compound, and it is likely that time is required for dissolution in the solvent, which is not preferable.
また、本実施の形態において、ホスト材料或いはドーパント材料として用いる化合物のガラス転移点としては、通常70℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上、さらに好ましくは130℃以上、最も好ましくは150℃以上である。ガラス転移点が低すぎると、有機電界発光素子としての耐熱性が低下する虞があるほか、駆動寿命が短くなる可能性がある。 In this embodiment, the glass transition point of the compound used as the host material or dopant material is usually 70 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, more preferably 130 ° C. or higher, most preferably Is 150 ° C. or higher. If the glass transition point is too low, the heat resistance of the organic electroluminescent device may be lowered, and the driving life may be shortened.
以下、ドーパント材料、ホスト材料の各々について個別に詳述する。
(ドーパント材料)
本実施の形態におけるドーパント材料としては、例えば、蛍光発光材料、燐光発光材料を挙げることができる。中でも、内部量子効率の観点から、燐光発光材料が好ましく用いられる。
蛍光発光材料のうち、青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
Hereinafter, each of the dopant material and the host material will be described in detail.
(Dopant material)
Examples of the dopant material in this embodiment can include a fluorescent material and a phosphorescent material. Among these, phosphorescent materials are preferably used from the viewpoint of internal quantum efficiency.
Among fluorescent materials, examples of fluorescent dyes that give blue light emission include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent dyes include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.
また、燐光発光材料としては、好ましくは例えば周期表7ないし11族(元素周期表:IUPAC Periodic Table of the Elements,2004)から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記式(I)で表される化合物が挙げられる。
The phosphorescent material preferably includes, for example, an organometallic complex containing a metal selected from Group 7 to Group 11 (periodic table: IUPAC Periodic Table of the Elements, 2004).
Preferred examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following formula (I).
以下、式(I)で表わされる化合物について詳細に説明する。
式(I)中、Mは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。また、式(I)中の二座配位子G及びXは、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。ここで、以下の「部分構造を有する配位子」とは、配位子の化学構造式中に、以下の構造式と実質的に重複する構造が含まれていることを意味する。なお、以下に例示した構造式中に適宜記載された略号について、Phはフェニル基、Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、を表す。以下、同様である。
Hereinafter, the compound represented by the formula (I) will be described in detail.
In the formula (I), M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as metals selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Moreover, the bidentate ligands G and X in the formula (I) each represent a ligand having the following partial structure. Here, the following “ligand having a partial structure” means that the chemical structural formula of the ligand includes a structure that substantially overlaps the following structural formula. In addition, regarding the abbreviations appropriately described in the structural formulas exemplified below, Ph represents a phenyl group, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, and Bu represents a butyl group. The same applies hereinafter.
二座配位子Xの部分構造として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは以下の部分構造である。
上記G,Xの部分構造において、環Q1は、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、これらは置換基Sを有していても良い。また、環Q2は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基Sを有していても良い。なお、これら環Q1,Q2は、置換基S以外の置換基を有していても良い。また、置換基Sは環Q1、環Q2のいずれかに、少なくとも1つ置換されていることが好ましい。
置換基S以外の環Q1,Q2の好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子、或いは、メチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等のうち、置換基Sとは異なるものが挙げられる。
In the partial structures of G and X, the ring Q1 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent S. Ring Q2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent S. In addition, these rings Q1 and Q2 may have a substituent other than the substituent S. In addition, it is preferable that at least one substituent S is substituted on either ring Q1 or ring Q2.
Preferred substituents for the rings Q1 and Q2 other than the substituent S include a halogen atom such as a fluorine atom or an alkyl group such as a methyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; an alkoxycarbonyl group such as a methoxycarbonyl group; a methoxy group Alkoxy groups such as phenoxy groups, benzyloxy groups, etc .; Dialkylamino groups such as dimethylamino groups; Diarylamino groups such as diphenylamino groups; Carbazolyl groups; Acyl groups such as acetyl groups; Trifluoromethyl groups, etc. Among the aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group, naphthyl group and phenanthyl group, those different from the substituent S can be mentioned.
また、式(I)中の単座配位子Yは、(CH3)3C(CN),CN−,P(n−C4H9)3,Cl−,SCN−のいずれかの部分構造を有する配位子を示す。 In addition, the monodentate ligand Y in the formula (I) is any partial structure of (CH 3 ) 3 C (CN), CN − , P (n—C 4 H 9 ) 3 , Cl − , SCN —. The ligand which has is shown.
更に、式(I)中の対アニオンZは、ハロゲン化物イオン、CF3SO2 −、HCO3 −、HSO3 −、SO4 2−、NO3 −、PO4 3−、HPO4 2−、BF4 −、PF6 −、ClO4 −、SbCl5 −のいずれかを示す。 Further, the counter anion Z in the formula (I) is a halide ion, CF 3 SO 2 − , HCO 3 − , HSO 3 − , SO 4 2− , NO 3 − , PO 4 3− , HPO 4 2− , One of BF 4 − , PF 6 − , ClO 4 − and SbCl 5 − is shown.
上記式(I)で示される化合物として、より好ましくは、下記式(Ia)〜(Ic)で表される化合物が挙げられる。 More preferable examples of the compound represented by the formula (I) include compounds represented by the following formulas (Ia) to (Ic).
上記式(Ia)、(Ib)、(Ic)において、環Q1及び環Q1’としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
また、環Q2、環Q2’としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
In the above formulas (Ia), (Ib) and (Ic), the ring Q1 and the ring Q1 ′ are preferably, for example, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a thienyl group, a furyl group, a benzothienyl group, A benzofuryl group, a pyridyl group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, a carbazolyl group, and the like can be given.
The ring Q2 and ring Q2 ′ are preferably, for example, pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, phenane. A tridyl group etc. are mentioned.
上記式(Ib)において、R31,R32としては、置換基を有していても良いアルキル基、芳香環基を表し、より具体的にアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。好ましくはメチル基、エチル基である。 In the formula (Ib), R 31 and R 32 represent an alkyl group or an aromatic ring group which may have a substituent. More specifically, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, Examples include propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group and the like. A methyl group and an ethyl group are preferred.
上記芳香環基の例としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスレニル基、チエニル基、フリル基、ピリジル基、ピラゾリル基、カルバゾリル基を表し、好ましくはフェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基であり、特に好ましくはフェニル基、ピリジル基であり、特に好ましくはフェニル基である。 Examples of the aromatic ring group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthranyl group, a phenanthrenyl group, a thienyl group, a furyl group, a pyridyl group, a pyrazolyl group, and a carbazolyl group, preferably a phenyl group, a pyridyl group, and a carbazolyl group. Particularly preferred are a phenyl group and a pyridyl group, and particularly preferred is a phenyl group.
これらR31,R32が有していても良い置換基としては、ハロゲン原子などが挙げられ、より具体的には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、化学的に不活性な点から好ましくは塩素原子、フッ素原子であり、特に好ましくは、フッ素原子である。 Examples of the substituent that R 31 and R 32 may have include a halogen atom, and more specifically, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. From an active point, a chlorine atom and a fluorine atom are preferable, and a fluorine atom is particularly preferable.
式(Ia)、(Ib)、(Ic)で表される化合物が有していても良い置換基S以外の置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子、或いは、メチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基等のうち、置換基Sとは異なるものが挙げられる。 Examples of the substituent other than the substituent S that the compound represented by the formula (Ia), (Ib), or (Ic) may have include a halogen atom such as a fluorine atom or an alkyl group such as a methyl group; Alkenyl groups such as vinyl groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkylamino groups such as dimethylamino groups; diaryls such as diphenylamino groups Among the amino groups; carbazolyl groups; acyl groups such as acetyl groups; haloalkyl groups such as trifluoromethyl groups;
尚、これらの置換基は互いに連結して環を形成しても良い。具体例としては、環Q1が有する置換基と環Q2が有する置換基とが結合するか、又は、環Q1’が有する置換基と環Q2’が有する置換基とが結合して、一つの縮合環を形成しても良い。このような縮合環としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環Q1、環Q1’、環Q2及び環Q2’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, the substituent of ring Q1 and the substituent of ring Q2 are bonded, or the substituent of ring Q1 ′ and the substituent of ring Q2 ′ are bonded to form one condensed group. A ring may be formed. Examples of such a condensed ring include a 7,8-benzoquinoline group.
Among them, as a substituent of ring Q1, ring Q1 ′, ring Q2 and ring Q2 ′, an alkyl group, alkoxy group, aromatic hydrocarbon group, cyano group, halogen atom, haloalkyl group, diarylamino group, carbazolyl group are more preferable. Is mentioned.
また、式(Ia)、(Ib)、(Ic)におけるMa,Mb,Mcとしてルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、好ましくは、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくはイリジウム、オスミウム、白金が挙げられ、最も好ましくはイリジウムが挙げられる。 In addition, examples of M a , M b , and M c in the formulas (Ia), (Ib), and (Ic) include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, or gold, preferably palladium, Examples include osmium, iridium, platinum, and gold, particularly preferably iridium, osmium, and platinum, and most preferably iridium.
上記式(I)、(Ia)、(Ib)又は(Ic)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、何ら下記の化合物に限定されるものではない。また、これらは単独で、又は2種以上を併用することができる。 Specific examples of the organometallic complex represented by the above formula (I), (Ia), (Ib) or (Ic) are shown below, but are not limited to the following compounds. These may be used alone or in combination of two or more.
さらに、上記式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)で表される有機金属錯体の中でも、錯体の安定性の観点から、特に、配位子G及び/又はG’として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。 Further, among the organometallic complexes represented by the above formulas (I), (Ia), (Ib), and (Ic), from the viewpoint of the stability of the complex, in particular, 2 as ligand G and / or G ′. -Arylpyridine-based ligands, that is, compounds having 2-arylpyridine, those having an arbitrary substituent bonded thereto, and those obtained by condensing an arbitrary group thereto are preferable.
(ホスト材料)
本実施の形態におけるホスト材料としては、例えば、カルバゾール系化合物(トリアリールアミン系化合物を含む);縮環アリーレンのスターバースト型化合物といったフェニルアントラセン誘導体;縮環型トリアゾール系化合物、プロペラ型アリーレン系化合物、モノトリアリールアミン型化合物、アリールベンジジン系化合物、トリアリール硼素化合物、インドール系化合物、インドリジン系化合物、ピレン系化合物、ジベンゾオキサゾール(又はジベンゾチアゾール)系化合物、ビピリジル系化合物、ピリジン系化合物、縮環型イミダゾール系化合物、アゼピン系化合物;等を挙げることができる。
(Host material)
Examples of the host material in the present embodiment include carbazole compounds (including triarylamine compounds); phenylanthracene derivatives such as a starburst compound of a condensed ring arylene; a condensed triazole compound, and a propeller arylene compound. Monotriarylamine compounds, arylbenzidine compounds, triarylboron compounds, indole compounds, indolizine compounds, pyrene compounds, dibenzoxazole (or dibenzothiazole) compounds, bipyridyl compounds, pyridine compounds, A cyclic imidazole compound, an azepine compound; and the like.
これらの中でも、有機電界発光素子を用いた場合の優れた発光特性の点から、カルバゾール系化合物(トリアリールアミン系化合物を含む)、縮環アリーレンのスターバースト型化合物、縮環型イミダゾール系化合物、プロペラ型アリーレン系化合物、モノトリアリールアミン型化合物、インドール系化合物、インドリジン系化合物、ビピリジル系化合物、ピリジン系化合物等が好ましい。 Among these, carbazole compounds (including triarylamine compounds), condensed arylene starburst compounds, condensed imidazole compounds, from the viewpoint of excellent emission characteristics when using an organic electroluminescent device, Propeller type arylene compounds, monotriarylamine type compounds, indole compounds, indolizine compounds, bipyridyl compounds, pyridine compounds and the like are preferable.
さらに、有機電界発光素子を用いた場合の駆動寿命の点から、カルバゾール系化合物、ビピリジル系化合物、およびピリジン系化合物がより好ましく、カルバゾール系化合物とビピリジル系化合物を混合して、又はカルバゾール系化合物かつピリジン系化合物を混合して用いるのが、最も好ましい。 Furthermore, from the viewpoint of driving life when using an organic electroluminescent device, a carbazole compound, a bipyridyl compound, and a pyridine compound are more preferable, a mixture of a carbazole compound and a bipyridyl compound, or a carbazole compound and It is most preferable to use a mixture of pyridine compounds.
また、カルバゾリル基とピリジル基とを併せ持つ化合物を採用するのも、同様に好ましい。なお、溶媒への溶解性を向上させる目的で、分子の対称性や剛性を低下させたり、あるいはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも重要である。ホスト材料として、とりわけ好ましい化合物の具体例を以下に例示する。なお、これらは単独で、又は2種以上を併用することができる。 It is also preferable to employ a compound having both a carbazolyl group and a pyridyl group. For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to reduce the symmetry and rigidity of the molecule or to introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group. Specific examples of particularly preferable compounds as the host material are shown below. In addition, these are independent or can use 2 or more types together.
なお、ホスト材料として用いる化合物は、そのバンドギャップが、通常3.0V以上、好ましくは3.2V以上、より好ましくは3.5V以上のものが望ましい。青色蛍光発光材料、あるいは燐光発光材料、とりわけ緑〜青色発光材料は、バンドギャップが大きく、この燐光発光材料を用いて有機電界発光素子を作製する場合には、燐光発光材料をとりまくホスト材料は、通常この燐光発光材料のバンドギャップ以上のバンドギャップを有していることが、有機電界発光素子としての発光効率や寿命の点で好ましいためである。 Note that the compound used as the host material preferably has a band gap of usually 3.0 V or higher, preferably 3.2 V or higher, more preferably 3.5 V or higher. Blue fluorescent light-emitting materials or phosphorescent light-emitting materials, especially green to blue light-emitting materials have a large band gap. When an organic electroluminescent element is produced using this phosphorescent light-emitting material, the host material surrounding the phosphorescent light-emitting material is: This is because, in general, it is preferable that the phosphorescent material has a bandgap that is equal to or larger than that of the phosphorescent material in terms of luminous efficiency and life as an organic electroluminescent element.
(溶剤)
本実施の形態において用いられる溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン;メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。これらは1種を単独で、又は2種以上を併用することができる。
(solvent)
Examples of the solvent used in the present embodiment include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, and tetralin; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene; 1,2- Aromatic ethers such as dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole; phenyl acetate , Aromatic esters such as phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate and n-butyl benzoate; ketones having an alicyclic ring such as cyclohexanone and cyclooctanone; fats such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone Ketone; Alcohol having an alicyclic ring such as methyl ethyl ketone, cyclohexanol and cyclooctanol; Aliphatic alcohol such as butanol and hexanol; Fat such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA) Aliphatic ethers; aliphatic esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate, and n-butyl lactate can be used. Of these, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetralin and the like are preferable in that they have low water solubility and are not easily altered. These can be used alone or in combination of two or more.
ここで、有機電界発光素子には、水分により著しく劣化する材料(例えば、陰極材料等)が多く使用されている。有機電界発光素子用組成物中に水分が存在すると、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられるため好ましくない。本実施の形態において用いられる溶剤としては、水の溶解度が低い溶剤であることが好適である。
また、組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシールをおこなう方法、乾燥剤を使用する方法、溶剤を予め脱水する方法、水の溶解度が低い溶剤を使用する方法、等が挙げられる。中でも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合には、湿式製膜工程中に溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。
Here, many materials (for example, a cathode material) that are remarkably deteriorated by moisture are used in the organic electroluminescent element. The presence of moisture in the composition for organic electroluminescence devices is not preferable because moisture may remain in the dried film and may deteriorate the characteristics of the device. The solvent used in this embodiment is preferably a solvent having low water solubility.
Examples of a method for reducing the amount of water in the composition include a method of performing nitrogen gas sealing, a method of using a desiccant, a method of dehydrating a solvent in advance, a method of using a solvent having low water solubility, and the like. Is mentioned. In particular, when a solvent having low water solubility is used, the solution film can prevent the phenomenon of whitening due to absorption of moisture in the air during the wet film-forming process.
溶剤の水分溶解度としては、25℃における水の溶解度として通常、1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下であることが好ましい。また、このような溶剤が電荷輸送材料組成物中に占める割合としては、通常10重量%以上である。 As the water solubility of the solvent, the solubility of water at 25 ° C. is usually 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less. The proportion of such a solvent in the charge transport material composition is usually 10% by weight or more.
湿式製膜時における組成物からの溶剤蒸発による、製膜安定性の低下を低減するためには、上記の溶剤として、沸点が100℃以上、好ましくは沸点が150℃以上、より好ましくは沸点が200℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、製膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要である。このためには溶剤の沸点として、通常80℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上で、通常270℃未満、好ましくは250℃未満、より好ましくは230℃未満である溶剤を用いることが効果的である。 In order to reduce the decrease in film formation stability due to solvent evaporation from the composition during wet film formation, the solvent has a boiling point of 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or higher, more preferably boiling point. It is effective to use a solvent of 200 ° C. or higher. In order to obtain a more uniform film, it is necessary that the solvent evaporates from the liquid film immediately after film formation at an appropriate rate. For this purpose, a solvent having a boiling point of usually 80 ° C. or more, preferably 100 ° C. or more, more preferably 120 ° C. or more, and usually less than 270 ° C., preferably less than 250 ° C., more preferably less than 230 ° C. is used. It is effective.
このような溶剤に対する条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、2種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。 A solvent that satisfies the conditions for such a solvent, that is, the solubility of the solute, the evaporation rate, and the solubility of water may be used alone, but if a solvent that satisfies all the conditions cannot be selected, two or more types of solvents may be used. It is also possible to use a mixture of solvents.
(その他の配合物)
本実施の形態における有機電界発光素子用組成物には、上述した各種材料以外にも、必要に応じて、各種分散剤や他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
更に、2層以上の層を湿式製膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、製膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。
(Other compounds)
In addition to the various materials described above, the composition for organic electroluminescent elements in the present embodiment may contain various dispersants and other solvents as necessary. Examples of such other solvents include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide.
Moreover, various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, may be included.
Further, when two or more layers are laminated by a wet film forming method, in order to prevent these layers from being compatible with each other, a photo-curing resin or a thermosetting resin is used for the purpose of curing and insolubilizing after the film formation. Can also be contained.
(組成物としての好適な態様)
本実施の形態における有機電界発光素子用組成物において、ドーパント材料、ホスト材料といった固形物の配合濃度としては、通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、更に好ましくは0.5重量%以上、最も好ましくは1重量%以上であり、通常80重量%以下、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下、更に好ましくは30重量%以下、最も好ましくは20重量%以下である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合に厚膜を形成するのが困難となる場合がある。一方、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となるおそれがある。
(Preferred embodiment as a composition)
In the composition for organic electroluminescent elements in the present embodiment, the blending concentration of solid materials such as a dopant material and a host material is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.8%. 1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, most preferably 1% by weight or more, usually 80% by weight or less, preferably 50% by weight or less, more preferably 40% by weight or less, still more preferably 30%. % By weight or less, most preferably 20% by weight or less. If this concentration is below the lower limit, it may be difficult to form a thick film when forming a thin film. On the other hand, if the upper limit is exceeded, it may be difficult to form a thin film.
また、本実施の形態における有機電界発光素子用組成物において、ドーパント材料とホスト材料との配合比としては、ドーパント材料/ホスト材料(重量比)として、通常0.1/99.9〜50/50であり、好ましくは0.5/99.5〜40/60であり、更に好ましくは1/99〜30/70であり、最も好ましくは2/98〜20/80である。この比が上記範囲を逸脱すると、著しく発光効率が低下する恐れがある。 Moreover, in the composition for organic electroluminescent elements in this Embodiment, as a compounding ratio of dopant material and host material, it is 0.1 / 99.9-50 / as dopant material / host material (weight ratio) normally. 50, preferably 0.5 / 99.5 to 40/60, more preferably 1/99 to 30/70, and most preferably 2/98 to 20/80. If this ratio is outside the above range, the luminous efficiency may be significantly reduced.
(有機電界発光素子用組成物の調製方法)
本実施の形態における有機電界発光素子用組成物は、ドーパント材料、ホスト材料、及び必要に応じて添加可能なレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤よりなる溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、及び組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。
(Method for preparing composition for organic electroluminescent device)
The composition for an organic electroluminescent device in the present embodiment dissolves a solute composed of a dopant material, a host material, and various additives such as a leveling agent and an antifoaming agent that can be added as necessary in an appropriate solvent. It is prepared by. In order to shorten the time required for the dissolution step and to keep the solute concentration in the composition uniform, the solute is usually dissolved while stirring the liquid. The dissolution step may be performed at room temperature, but when the dissolution rate is slow, it can be heated and dissolved. After completion of the dissolution step, a filtration step such as filtering may be performed as necessary.
(2)有機電界発光素子用組成物の性状、物性等
(水分濃度)
有機電界発光素子を、本実施の形態における有機電界発光素子用組成物を用いた湿式製膜法により層形成して製造する場合、用いる有機電界発光素子用組成物に水分が存在すると、形成された膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれる。従って、有機電界発光素子用組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。また一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、電荷輸送材料組成物中に水分が存在した場合、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
有機電界発光素子用組成物中に含まれる水分量としては、通常1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下、より好ましくは0.01重量%以下である。
なお、本実施の形態において、水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」(JIS K0068:2001)に記載の方法が好ましい。例えば、カールフィッシャー試薬法(JIS K0211−1348)等により分析することができる。
(2) Properties, physical properties, etc. (moisture concentration) of the composition for organic electroluminescent elements
When the organic electroluminescence device is produced by forming a layer by a wet film forming method using the composition for organic electroluminescence device in the present embodiment, the organic electroluminescence device is formed when water is present in the composition for organic electroluminescence device to be used. Water is mixed into the film, and the uniformity of the film is impaired. Therefore, it is preferable that the water content in the composition for organic electroluminescent elements is as low as possible. In general, since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, when moisture is present in the charge transport material composition, moisture remains in the dried film. There is a possibility of deteriorating the characteristics of the element, which is not preferable.
The amount of water contained in the composition for organic electroluminescent elements is usually 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less, more preferably 0.01% by weight or less.
In the present embodiment, the method described in Japanese Industrial Standard “Method for Measuring Water of Chemical Products” (JIS K0068: 2001) is preferable as the method for measuring the moisture concentration. For example, it can be analyzed by the Karl Fischer reagent method (JIS K0211-1348) or the like.
(均一性)
本実施の形態における有機電界発光素子用組成物の態様としては、湿式製膜プロセスでの安定性、例えば、インクジェット製膜法におけるノズルからの吐出安定性を高めるため、常温で均一な液状であることが好ましい。常温で均一な液状とは、組成物が均一相からなる液体であり、かつ組成物中に粒径0.1μm以上の粒子成分を含有しないことをいう。
(Uniformity)
As an aspect of the composition for organic electroluminescent elements in the present embodiment, it is a uniform liquid at room temperature in order to enhance stability in a wet film forming process, for example, ejection stability from a nozzle in an ink jet film forming method. It is preferable. The uniform liquid at normal temperature means that the composition is a liquid composed of a uniform phase and does not contain a particle component having a particle size of 0.1 μm or more in the composition.
(粘度)
本実施の形態における有機電界発光素子用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば製膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット製膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなる。一方、極端に高粘度の場合は、インクジェット製膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。このため、本実施の形態における組成物の25℃における粘度としては、通常2mPa・s以上、好ましくは3mPa・s以上、より好ましくは5mPa・s以上であり、通常1000mPa・s以下、好ましくは100mPa・s以下、より好ましくは50mPa・s以下である。
(viscosity)
As for the viscosity of the composition for organic electroluminescent elements in the present embodiment, in the case of extremely low viscosity, for example, uneven coating surface due to excessive liquid film flow in the film forming process, nozzle discharge failure in ink jet film forming, etc. It tends to happen. On the other hand, when the viscosity is extremely high, nozzle clogging or the like in ink-jet film formation tends to occur. Therefore, the viscosity at 25 ° C. of the composition in the present embodiment is usually 2 mPa · s or more, preferably 3 mPa · s or more, more preferably 5 mPa · s or more, and usually 1000 mPa · s or less, preferably 100 mPa · s. · S or less, more preferably 50 mPa · s or less.
(表面張力)
また、本実施の形態における有機電界発光素子用組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する製膜用液の濡れ性が低下するという問題や、液膜のレベリング性が悪く、乾燥時の製膜面乱れが起こりやすくなる等の問題が発生する場合がある。このため、20℃における表面張力としては、通常50mN/m未満、好ましくは40mN/m未満である。
(surface tension)
In addition, when the surface tension of the composition for organic electroluminescent elements in the present embodiment is high, there is a problem that the wettability of the liquid for film formation with respect to the substrate is low, and the leveling property of the liquid film is poor, and the production at the time of drying is not good. Problems such as film surface disturbances may occur. For this reason, the surface tension at 20 ° C. is usually less than 50 mN / m, preferably less than 40 mN / m.
(蒸気圧)
更に、本実施の形態における有機電界発光素子用組成物の蒸気圧が高い場合は、溶剤の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる。このため、25℃における蒸気圧としては、通常50mmHg以下、好ましくは10mmHg以下、より好ましくは1mmHg以下である。
(Vapor pressure)
Furthermore, when the vapor pressure of the composition for organic electroluminescent elements in the present embodiment is high, problems such as changes in solute concentration due to evaporation of the solvent are likely to occur. For this reason, the vapor pressure at 25 ° C. is usually 50 mmHg or less, preferably 10 mmHg or less, more preferably 1 mmHg or less.
(保存方法)
本実施の形態における有機電界発光素子用組成物は、紫外線の透過を防ぐことのできる容器、例えば、褐色ガラス瓶等に充填し、密栓して保管することが好ましい。保管温度は、通常−30℃以上、好ましくは0℃以上で、通常35℃以下、好ましくは25℃以下である。
(Preservation method)
The composition for organic electroluminescent elements in the present embodiment is preferably filled in a container capable of preventing the transmission of ultraviolet rays, such as a brown glass bottle, and sealed and stored. The storage temperature is usually −30 ° C. or higher, preferably 0 ° C. or higher, and usually 35 ° C. or lower, preferably 25 ° C. or lower.
(3)有機電界発光素子
本実施の形態の有機電界発光素子は、基板上に、陽極と、陰極と、これら両極間に設けられた発光層とを有し、上述の有機電界発光素子用組成物にて当該発光層が形成されたものである。
(3) Organic electroluminescent element The organic electroluminescent element of this Embodiment has an anode, a cathode, and the light emitting layer provided between these both electrodes on a board | substrate, The above-mentioned composition for organic electroluminescent elements The light emitting layer is formed of an object.
(構成)
図3〜9は、本実施の形態の有機電界発光素子として好適な構造例を示す断面模式図である。例えば、図3に示される有機電界発光素子は、基板1上に陽極2、正孔注入層3、発光層4、電子注入層5、陰極6が順に積層されて形成されたものである。
(Constitution)
3 to 9 are schematic cross-sectional views showing structural examples suitable for the organic electroluminescent element of the present embodiment. For example, the organic electroluminescent element shown in FIG. 3 is formed by laminating an anode 2, a hole injection layer 3, a light emitting layer 4, an electron injection layer 5, and a cathode 6 in this order on a substrate 1.
(基板1)
基板1は、有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどを用いて形成される。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
(Substrate 1)
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and is formed using a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film or a sheet. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.
(陽極2)
陽極2は発光層側の層(正孔注入層3または発光層4など)への正孔注入の役割を果たすものである。
陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより形成される。
(Anode 2)
The anode 2 plays a role of hole injection into a layer on the light emitting layer side (such as the hole injection layer 3 or the light emitting layer 4).
The anode 2 is usually made of metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, metal oxide such as oxide of indium and / or tin, metal halide such as copper iodide, carbon black, or poly It is formed of conductive polymers such as (3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline.
陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成したりすることもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。
なお、図3において陽極2は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
In general, the anode 2 is often formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. In addition, when forming an anode using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution is used. The anode 2 can also be formed by dispersing and coating the substrate 1. Furthermore, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys). Lett., 60, 2711, 1992).
In FIG. 3, the anode 2 has a single-layer structure, but it may be a laminated structure made of a plurality of materials as desired.
陽極2の厚みとしては、必要とする透明性により適宜選定される。透明性が必要とされる場合には、可視光の透過率を通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でも良い。また、上記の陽極2の上に異なる導電材料を更に積層することも可能である。
なお、陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることが好ましい。
The thickness of the anode 2 is appropriately selected depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. It is also possible to further stack different conductive materials on the anode 2.
For the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve the hole injection property, the anode surface is treated with ultraviolet (UV) / ozone, or with oxygen plasma or argon plasma. It is preferable to do.
(正孔注入層3)
正孔注入層3は、陽極2から発光層4へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層3には正孔輸送性化合物を含むことが好ましい。
また、正孔注入層3は、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがさらに好ましい。更に、正孔注入層3は、カチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に好ましい。
(Hole injection layer 3)
Since the hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 4, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound.
The hole injection layer 3 further preferably contains a hole transporting compound and an electron accepting compound. Furthermore, the hole injection layer 3 preferably contains a cation radical compound, and particularly preferably contains a cation radical compound and a hole transporting compound.
正孔注入層3は、必要に応じて、電荷のトラップとして作用し難いバインダー樹脂や、塗布性改良剤を含んでも良い。
なお、正孔注入層3は、電子受容性化合物のみを湿式製膜法によって陽極2上に製膜し、その上から直接、電荷輸送材料組成物を塗布、積層することも可能である。この場合、電荷輸送材料組成物の一部が電子受容性化合物と相互作用することによって、正孔注入性に優れた層が形成される。
The hole injection layer 3 may contain a binder resin that does not easily act as a charge trap or a coating property improving agent, if necessary.
The hole injection layer 3 may be formed by depositing only the electron-accepting compound on the anode 2 by a wet film-forming method, and directly applying and laminating the charge transport material composition thereon. In this case, a part of the charge transport material composition interacts with the electron-accepting compound, so that a layer excellent in hole injecting property is formed.
(正孔輸送性化合物)
上記正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。
正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。
(Hole transporting compound)
As the hole transporting compound, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable.
Examples of the hole transporting compound include aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, and the like. Of these, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance.
また、芳香族アミン化合物の中でも、特に、芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型炭化水素化合物)がさらに好ましい。
Of the aromatic amine compounds, an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
The kind of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (polymerized hydrocarbon compound in which repeating units are linked) is more preferable from the viewpoint of the surface smoothing effect.
そして、芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(II)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。 And as a preferable example of an aromatic tertiary amine high molecular compound, the high molecular compound which has a repeating unit represented by the following general formula (II) is mentioned.
Ar21〜Ar25およびAr31〜Ar41としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の、1価または2価の基が適用可能である。これらは各々同一であっても、互いに異なっていても良い。また、任意の置換基を有していても良い。 As Ar 21 to Ar 25 and Ar 31 to Ar 41 , any monovalent or divalent group derived from any aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is applicable. These may be the same or different from each other. Moreover, you may have arbitrary substituents.
Ar21〜Ar41の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の基は、さらに置換基を有していても良い。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。 The group derived from the aromatic hydrocarbon ring and / or aromatic heterocycle of Ar 21 to Ar 41 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less.
Ar21、Ar22としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。
また、Ar23〜Ar25としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。
Ar 21 and Ar 22 are preferably monovalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, or a pyridine ring from the viewpoint of the solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. More preferred are a phenyl group and a naphthyl group.
Ar 23 to Ar 25 are preferably divalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a phenanthrene ring from the viewpoint of heat resistance and hole injection / transport properties including redox potential. A group, a biphenylene group, and a naphthylene group are more preferable.
一般式(II)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられる。 Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (II) include those described in WO2005 / 089024.
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していても良い。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用するのが好ましい。 The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two other hole transporting compounds are used. It is preferable to use the above together.
(電子受容性化合物)
上記電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
As the electron-accepting compound, a compound having an oxidizing power and an ability to accept one electron from the hole-transporting compound described above is preferable. Specifically, a compound with an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and a compound with a compound of 5 eV or more is more preferable.
電子受容性化合物の例としては、例えば、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特開平11−251067)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。 Examples of the electron-accepting compound include onium salts substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067). , Inorganic compounds having high valence such as ammonium peroxodisulfate, cyano compounds such as tetracyanoethylene, aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365), fullerene derivatives, iodine and the like. .
上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶で湿式塗布に適用可能である点で有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様である。例えば、下記構造式で表される化合物(A−2)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。
Of the above compounds, onium salts substituted with organic groups and high valent inorganic compounds are preferred because of their strong oxidizing power, and organic groups are substituted because they are soluble in various solvents and applicable to wet coating. Preferred are onium salts, cyano compounds, and aromatic boron compounds.
Specific examples of the onium salt substituted with an organic group, a cyano compound, and an aromatic boron compound suitable as an electron-accepting compound include those described in WO2005 / 089024, and preferred examples thereof are also the same. For example, although the compound (A-2) represented by the following structural formula is mentioned, it is not limited to them at all.
(カチオンラジカル化合物)
上記カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
カチオンラジカルとしては、正孔輸送性化合物として前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましい。正孔輸送性化合物として好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが、非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、溶解性などの点から公的である。
(Cation radical compound)
As the cation radical compound, an ionic compound composed of a cation radical which is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound and a counter anion is preferable. However, when the cation radical is derived from a hole transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from the repeating unit of the polymer compound.
The cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the compound described above as the hole transporting compound. A chemical species obtained by removing one electron from a compound preferable as a hole transporting compound is public in view of amorphousness, visible light transmittance, heat resistance, solubility, and the like.
ここで、カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンからなるカチオンイオン化合物が生成する。 Here, the cation radical compound can be generated by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound. That is, by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound, electron transfer occurs from the hole transporting compound to the electron accepting compound, and the cation radical and the counter anion of the hole transporting compound are included. A cation ion compound is formed.
PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12巻,481頁)やエメラルジン塩酸塩(J.Phys.Chem.,1990年,94巻,7716頁)等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合(脱水素重合)することによっても生成する。ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、または、電気化学的に酸化するものである。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマーが酸化されることにより高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。 Cation radical compounds derived from polymer compounds such as PEDOT / PSS (Adv. Mater., 2000, 12, 481) and emeraldine hydrochloride (J. Phys. Chem., 1990, 94, 7716) It is also produced by oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization). The oxidative polymerization referred to here is a method in which a monomer is chemically or electrochemically oxidized using peroxodisulfate or the like in an acidic solution. In the case of this oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), the monomer is polymerized by oxidation, and a cation radical that is removed from the polymer repeating unit by using an anion derived from an acidic solution as a counter anion is removed. Generate.
正孔注入層3は、例えば、湿式製膜法または真空蒸着法により陽極2上に形成される。
湿式製膜法による層形成の場合、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上の所定量を、必要により電荷のトラップとして作用し難いバインダー樹脂や塗布性改良剤と共に溶剤に溶解させて、まず塗布溶液を調製する。次いで、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式製膜法により陽極上に塗布し、乾燥して、正孔注入層3を形成させることができる。
The hole injection layer 3 is formed on the anode 2 by, for example, a wet film forming method or a vacuum deposition method.
In the case of layer formation by the wet film forming method, one or two or more predetermined amounts of each of the aforementioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) act as a charge trap if necessary. First, a coating solution is prepared by dissolving it in a solvent together with a difficult binder resin and coating property improver. Subsequently, the positive hole injection layer 3 can be formed by applying on the anode by a wet film forming method such as spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, and inkjet method, and drying.
湿式製膜法による層形成のために用いられる溶剤としては、前述の各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を溶解することが可能な溶剤であれば、その種類は特に限定されない。なお、正孔注入層に用いられる各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を失活させる恐れのある失活物質または失活物質を発生させる物質を含まないことが好ましい。好ましくは、エーテル系溶剤またはエステル系溶剤である。 As the solvent used for the layer formation by the wet film forming method, any solvent can be used as long as it can dissolve the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound). Is not particularly limited. In addition, the material used for the hole injection layer (a hole transporting compound, an electron accepting compound, a cation radical compound) may not contain a deactivating substance or a substance that generates a deactivating substance. preferable. An ether solvent or an ester solvent is preferable.
上記塗布溶液中における溶剤の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50%重量以上である。また、上限としては通常、99.999重量%以下、好ましくは99.99重量%以下、さらに好ましくは99.9重量%以下である。なお、2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにすればよい。 The concentration of the solvent in the coating solution is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more. Moreover, as an upper limit, it is 99.999 weight% or less normally, Preferably it is 99.99 weight% or less, More preferably, it is 99.9 weight% or less. In addition, when using 2 or more types of solvents in mixture, the total of these solvents should just satisfy this range.
真空蒸着法による層形成の場合には、まず、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、次いで、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気する。その後、るつぼを加熱し(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱し)、蒸発量を制御して蒸発させて(2種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させることができる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層形成に用いることもできる。 In the case of layer formation by vacuum deposition, first, one or more of the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) are placed in a crucible placed in a vacuum vessel. Put (into each crucible when two or more materials are used), and then evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump. After that, the crucible is heated (each crucible is heated when two or more materials are used), and the amount of evaporation is controlled and evaporated (when two or more materials are used, the amount of evaporation is controlled independently). Evaporation) and a hole injection layer can be formed on the anode of the substrate placed facing the crucible. In addition, when using 2 or more types of materials, they can also be put into a crucible, can be heated and evaporated, and can be used for hole injection layer formation.
このようにして形成される正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。なお、正孔注入層3は、図8に示す如く、これを省略しても良い。 The film thickness of the hole injection layer 3 thus formed is usually in the range of 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. The hole injection layer 3 may be omitted as shown in FIG.
(発光層4)
正孔注入層3の上には通常、発光層4が設けられる。発光層4は、本実施の形態の有機電界発光素子用組成物を用いて形成される層であり、電界を与えられた電極間において、陽極2から正孔注入層3を通じて注入された正孔と、陰極6から電子注入層5を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
(Light emitting layer 4)
A light emitting layer 4 is usually provided on the hole injection layer 3. The light emitting layer 4 is a layer formed by using the composition for organic electroluminescent elements of the present embodiment, and holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 between electrodes to which an electric field is applied. And a layer that is excited by recombination with electrons injected from the cathode 6 through the electron injection layer 5 and serves as a main light emitting source.
一般に有機電界発光素子においては、同じ材料で比較した場合、電極間の膜厚の薄い方が、実効電界が大きくなって注入される電流が多くなるので、駆動電圧が低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方がよいが、あまりに薄いとITO等の電極に起因する突起により短絡が発生する。従って、ある程度の膜厚が必要となる。 In general, in an organic electroluminescent device, when compared with the same material, the thinner the film thickness between the electrodes, the larger the effective electric field and the larger the injected current, so the driving voltage decreases. Therefore, it is preferable that the total film thickness between the electrodes is thin, but if it is too thin, a short circuit occurs due to a protrusion caused by an electrode such as ITO. Therefore, a certain film thickness is required.
本実施の形態において、発光層4以外に正孔注入層3や後述の電子注入層5等の有機層を有する場合、発光層4と正孔注入層3や電子注入層5等の他の有機層とを合わせた総膜厚としては、通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、さらに好ましくは100nm以上である。一方、上限としては通常、1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、さらに好ましくは300nm以下である。なお、発光層4以外の正孔注入層3や電子注入層5の導電性が高い場合、発光層4に注入される電荷量が増加する。従って、例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層4の膜厚を薄くする等により、総膜厚としてある程度の膜厚を維持しながら駆動電圧を下げることも可能である。 In the present embodiment, when the organic layer such as the hole injection layer 3 or the electron injection layer 5 described later is provided in addition to the light emitting layer 4, the light emitting layer 4 and other organic materials such as the hole injection layer 3 and the electron injection layer 5 are used. The total film thickness combined with the layers is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, and more preferably 100 nm or more. On the other hand, the upper limit is usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, and more preferably 300 nm or less. In addition, when the conductivity of the hole injection layer 3 and the electron injection layer 5 other than the light emitting layer 4 is high, the amount of charge injected into the light emitting layer 4 increases. Therefore, for example, by increasing the film thickness of the hole injection layer 3 and decreasing the film thickness of the light emitting layer 4, it is possible to reduce the drive voltage while maintaining a certain film thickness as the total film thickness.
発光層4の膜厚としては、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。なお、本実施の形態の有機電界発光素子が、陽極および陰極の両極間に、発光層4のみを有する場合の発光層4の膜厚としては、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。 The film thickness of the light emitting layer 4 is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 200 nm or less. When the organic electroluminescent element of the present embodiment has only the light emitting layer 4 between the anode and the cathode, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, and usually 500 nm or less. Preferably, it is 300 nm or less.
(電子注入層5)
電子注入層5は、陰極6から注入された電子を効率よく発光層4へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層5を形成する材料として、仕事関数の低い金属が好ましい。具体的には、例えば、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。電子注入層5の膜厚は0.1〜5nmが好ましい。
(Electron injection layer 5)
The electron injection layer 5 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 6 into the light emitting layer 4. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 5 is preferably a metal having a low work function. Specifically, for example, alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium are used. The film thickness of the electron injection layer 5 is preferably 0.1 to 5 nm.
また、陰極6と発光層4との界面、又は、陰極6と後述の電子輸送層7との界面に、LiF、MgF2、Li2O、Cs2CO3等の極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEETrans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest,154頁)。 Further, at the interface between the cathode 6 and the light emitting layer 4 or at the interface between the cathode 6 and the electron transport layer 7 described later, an ultrathin insulating film (0... LiF, MgF 2 , Li 2 O, Cs 2 CO 3, etc.). 1-5 nm) is also an effective method for improving the efficiency of the device (Appl. Phys. Lett., 70, 152, 1997; JP-A-10-74586; IEEE Etran. Electron. Devices, 44, 1245, 1997; SID 04 Digest, 154).
さらに、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)方法も、電子注入・輸送性の向上と、優れた膜質とを両立させる観点から好ましい。このようなドープ材料の膜厚としては、通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。 Furthermore, an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium is added to an organic electron transport material typified by a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline described later or a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline. The method of doping (described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.) also provides a viewpoint of achieving both improved electron injection / transport properties and excellent film quality. To preferred. The thickness of such a dope material is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
電子注入層5は、発光層4と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層して形成することができる。真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気する。その後、るつぼ又は金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成することができる。 The electron injection layer 5 can be formed by being laminated on the light emitting layer 4 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the light emitting layer 4. In the case of the vacuum vapor deposition method, the vapor deposition source is put in a crucible or a metal boat installed in the vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump. The crucible or metal boat can then be heated and evaporated to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible or metal boat.
アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気する。その後、各々のるつぼ及びディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成することができる。このとき、電子注入層5の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。なお、電子注入層5は、図7,8,9に示す如く、これを省略しても良い。 The alkali metal is deposited using an alkali metal dispenser in which nichrome is filled with an alkali metal chromate and a reducing agent. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced and the alkali metal is evaporated. In the case of co-evaporating the organic electron transport material and the alkali metal, the organic electron transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa by an appropriate vacuum pump. Each crucible and dispenser can then be heated and evaporated simultaneously to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible and dispenser. At this time, co-evaporation is uniformly performed in the film thickness direction of the electron injection layer 5, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction. The electron injection layer 5 may be omitted as shown in FIGS.
(陰極6)
陰極6は、発光層側の層(電子注入層5または発光層4など)に電子を注入する役割を果たす。陰極6の形成には、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能である。効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。低仕事関数合金電極を形成する素材の具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等が挙げられる。
(Cathode 6)
The cathode 6 plays a role of injecting electrons into a layer (such as the electron injection layer 5 or the light emitting layer 4) on the light emitting layer side. The material used for the anode 2 can be used for forming the cathode 6. In order to perform electron injection efficiently, it is preferable to use a metal having a low work function, and an appropriate metal such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof is used. Specific examples of the material forming the low work function alloy electrode include a magnesium-silver alloy, a magnesium-indium alloy, and an aluminum-lithium alloy.
陰極6の膜厚は、通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属からなる陰極を保護する(素子の安定性を増す)目的で、陰極6の上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することができる。この目的に適した金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。 The film thickness of the cathode 6 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal (increasing the stability of the device), a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere can be further laminated on the cathode 6. Examples of metals suitable for this purpose include metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, and platinum.
(その他の構成層)
以上、図3に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本実施の形態の有機電界発光素子における陽極2及び陰極6と、発光層4との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよい。また、発光層4以外の任意の層を省略してもよい。
本実施の形態の有機電界発光素子が有しても良い他の層としては、例えば、電子輸送層7が挙げられる。素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、図4に示す如く、発光層4と電子注入層5との間に、電子輸送層7を設けることができる。
(Other component layers)
As described above, the element having the layer configuration shown in FIG. 3 has been mainly described. However, the performance between the anode 2 and the cathode 6 and the light emitting layer 4 in the organic electroluminescent element of the present embodiment is not impaired. In addition to the layers described above, an arbitrary layer may be provided. Further, any layer other than the light emitting layer 4 may be omitted.
As another layer which the organic electroluminescent element of this Embodiment may have, the electron carrying layer 7 is mentioned, for example. For the purpose of further improving the luminous efficiency of the device, an electron transport layer 7 can be provided between the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 as shown in FIG.
電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極6から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物により形成される。電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極6または電子注入層5からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが好適である。
このような条件を満たす材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−または5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。
The electron transport layer 7 is formed of a compound that can efficiently transport electrons injected from the cathode 6 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 4. As an electron transport compound used for the electron transport layer 7, the electron injection efficiency from the cathode 6 or the electron injection layer 5 is high, and the injected electrons can be efficiently transported with high electron mobility. A compound is preferred.
Materials satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, Styryl biphenyl derivative, silole derivative, 3- or 5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound No. 207169), phenanthroline derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type sulfide Examples include zinc and n-type zinc selenide.
電子輸送層7の膜厚としては、下限として通常、1nm以上、好ましくは5nm以上であり、上限として通常、300nm以下、好ましくは100nm以下である。電子輸送層7は、正孔注入層3と同様にして、湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層して形成することができる。通常は、真空蒸着法が用いられる。 The thickness of the electron transport layer 7 is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more as the lower limit, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less as the upper limit. The electron transport layer 7 can be formed by being laminated on the light emitting layer 4 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the hole injection layer 3. Usually, a vacuum deposition method is used.
また、特に、発光物質として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合には、図5,6,9に示す如く、正孔阻止層8を設けることも効果的である。正孔阻止層8は、正孔と電子を発光層4内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。即ち、正孔阻止層8には、発光層4から移動してくる正孔が電子輸送層7に到達するのを阻止することで、発光層4内で電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、電子輸送層7から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送する役割とがある。 In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting substance, it is effective to provide the hole blocking layer 8 as shown in FIGS. The hole blocking layer 8 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer 4 and improving luminous efficiency. That is, the hole blocking layer 8 increases the probability of recombination with electrons in the light emitting layer 4 by blocking the holes moving from the light emitting layer 4 from reaching the electron transport layer 7. There are a role of confining the excitons in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting electrons injected from the electron transport layer 7 in the direction of the light emitting layer 4.
正孔阻止層8は、陽極2から移動してくる正孔を陰極6に到達するのを阻止することができ、且つ陰極6から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物により形成することができる。なお、正孔阻止層8は、発光層4の陰極6側の面に接するように積層形成することができる。
なお、正孔阻止層8を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いこと等が挙げられる。
The hole blocking layer 8 can block the holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 6, and efficiently transport the electrons injected from the cathode 6 toward the light emitting layer 4. It can be formed by a compound that can The hole blocking layer 8 can be laminated so as to be in contact with the surface of the light emitting layer 4 on the cathode 6 side.
The physical properties required of the material constituting the hole blocking layer 8 include high electron mobility and low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet levels ( For example, T1) is high.
このような条件を満たす正孔阻止層用の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。
さらに、WO2005/022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。
Examples of the material for the hole blocking layer satisfying such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum. Mixed ligand complexes such as, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc. Of triazole derivatives (JP-A-11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole, etc. 41759) and phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297).
Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in WO2005 / 022962 is also preferable as the hole blocking material.
正孔阻止層8の膜厚としては、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
正孔阻止層8も正孔注入層3と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
The thickness of the hole blocking layer 8 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.
The hole blocking layer 8 can also be formed by the same method as the hole injection layer 3, but a vacuum deposition method is usually used.
電子輸送層7および正孔阻止層8は必要に応じて適宜設ければよい。1)電子輸送層のみ、2)正孔阻止層のみ、3)正孔阻止層/電子輸送層を共に積層する、4)両層とも用いない、のいずれでもよい。 The electron transport layer 7 and the hole blocking layer 8 may be appropriately provided as necessary. 1) only the electron transport layer, 2) only the hole blocking layer, 3) laminating the hole blocking layer / electron transport layer together, and 4) not using both layers.
また、正孔阻止層8と同様の目的で、図6に示す如く、正孔注入層3と発光層4との間に電子阻止層9を設けることも効果的である。電子阻止層9は、発光層4から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層4内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層4の方向に輸送する役割とがある。 For the same purpose as the hole blocking layer 8, it is also effective to provide an electron blocking layer 9 between the hole injection layer 3 and the light emitting layer 4 as shown in FIG. The electron blocking layer 9 increases the probability of recombination with holes in the light emitting layer 4 by blocking the electrons moving from the light emitting layer 4 from reaching the hole injection layer 3, thereby generating excitons generated. Have a role of confining the light in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting holes injected from the hole injection layer 3 in the direction of the light emitting layer 4.
電子阻止層9に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。また、発光層4を湿式製膜法で形成する場合、電子阻止層9も湿式製膜法で形成することが、素子製造が容易となるため好ましい。
そして、電子阻止層9も湿式製膜適合性を有することが好ましい。このような電子阻止層9に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(WO2004/084260号公報記載)等が挙げられる。
The characteristics required for the electron blocking layer 9 include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Further, when the light emitting layer 4 is formed by a wet film forming method, it is preferable that the electron blocking layer 9 is also formed by a wet film forming method because the device manufacturing becomes easy.
And it is preferable that the electron blocking layer 9 also has wet film forming compatibility. Examples of the material used for the electron blocking layer 9 include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (described in WO 2004/084260).
なお、図3とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極6、電子注入層5、発光層4、正孔注入層3、陽極2の順に積層することも可能である。また、既述したように、少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図4〜図9に示した各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。 Note that the structure opposite to that in FIG. 3, that is, the cathode 6, the electron injection layer 5, the light emitting layer 4, the hole injection layer 3, and the anode 2 can be laminated on the substrate 1 in this order. Further, as described above, an organic electroluminescent element can be provided between two substrates, at least one of which is highly transparent. Similarly, it is also possible to laminate in a structure opposite to each layer configuration shown in FIGS.
更には、図3に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。この場合、段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV2O5等を電荷発生層(CGL)として用いると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 Furthermore, it is possible to adopt a structure in which a plurality of layers shown in FIG. 3 are stacked (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked). In this case, if V 2 O 5 or the like is used as the charge generation layer (CGL) instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (two layers when the anode is ITO and the cathode is Al), the step This is more preferable from the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.
本実施の形態における有機電界発光素子は、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
また、本実施の形態における有機電界発光素子は、透明陰極を用いて上方より(基板1とは反対側の面より)発光を取り出す、トップエミッション型の素子として形成することも可能である。
The organic electroluminescent element in the present embodiment can be applied to any of a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure in which an anode and a cathode are arranged in an XY matrix. .
In addition, the organic electroluminescent element in the present embodiment can be formed as a top emission type element that extracts light emission from above (from the surface opposite to the substrate 1) using a transparent cathode.
以下、実施例に基づき本実施の形態をさらに具体的に説明する。尚、本実施の形態は、その要旨を逸脱しない限り、以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present embodiment will be described more specifically based on examples. In addition, this Embodiment is not limited to a following example, unless it deviates from the summary.
(実施例1)
図4に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
[基板1、陽極2の作製]
まず、ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングし、陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
Example 1
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 4 was produced by the following method.
[Production of Substrate 1 and Anode 2]
First, an indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 with a thickness of 150 nm (sputtered film product; sheet resistance 15 Ω) is 2 mm wide using ordinary photolithography technology and hydrochloric acid etching. The anode 2 was formed by patterning into stripes. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.
[正孔注入層3の作製]
次に、正孔注入層3を以下のように湿式塗布法によって形成した。正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する高分子化合物(PB−1(重量平均分子量:26500,数平均分子量:12000))と、下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−1)とを用い、下記の条件でスピンコートした。その結果、膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
[Preparation of hole injection layer 3]
Next, the hole injection layer 3 was formed by a wet coating method as follows. As a material of the hole injection layer 3, a polymer compound having an aromatic amino group having the following structural formula (PB-1 (weight average molecular weight: 26500, number average molecular weight: 12000)), and a structural formula shown below Using the electron-accepting compound (A-1), spin coating was performed under the following conditions. As a result, a uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed.
(スピンコート条件)
溶媒 アニソール
塗布液濃度 PB−1 2.0重量%
A−1 0.4重量%
スピナ回転数 2000rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 230℃×5.5時間
(Spin coating conditions)
Solvent Anisole Coating concentration PB-1 2.0% by weight
A-1 0.4% by weight
Spinner speed 2000rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 230 ° C x 5.5 hours
[発光層4の作製]
続いて、発光層4を以下のように湿式塗布法によって形成した。発光層4の材料として、下記に示す構造式の有機化合物(I−1)を、下記に示す構造式のイリジウム錯体(D−1)と共に用い、下記の条件でスピンコートした。その結果、膜厚45nmの均一な薄膜が形成された。
[Preparation of Light-Emitting Layer 4]
Subsequently, the light emitting layer 4 was formed by a wet coating method as follows. As a material for the light emitting layer 4, an organic compound (I-1) having the structural formula shown below was used together with an iridium complex (D-1) having the structural formula shown below, and spin-coated under the following conditions. As a result, a uniform thin film having a thickness of 45 nm was formed.
(スピンコート条件)
溶媒 キシレン
塗布液濃度 I−1 2.5重量%
D−1 0.13重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 130℃×60分(減圧下)
(Spin coating conditions)
Solvent Xylene Coating concentration I-1 2.5% by weight
D-1 0.13 wt%
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 130 ° C x 60 minutes (under reduced pressure)
[電子輸送層7の作製]
次に、電子輸送層7として下記に示す、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)を蒸着した。この時の、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は321〜311℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.3〜1.5×10−4Pa(約1.1〜1.0×10−6Torr)、蒸着速度は0.08〜0.16nm/秒で膜厚は30nmとした。なお、電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
[Preparation of Electron Transport Layer 7]
Next, an aluminum 8-hydroxyquinoline complex (ET-1) shown below was deposited as the electron transport layer 7. At this time, the crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex is controlled in the range of 321 to 311 ° C., and the degree of vacuum during the deposition is 1.3 to 1.5 × 10 −4 Pa (about 1.1 to 1). 0.0 × 10 −6 Torr), the deposition rate was 0.08 to 0.16 nm / sec, and the film thickness was 30 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vacuum-depositing the electron carrying layer 7 was kept at room temperature.
[電子注入層5、陰極6の作製]
電子輸送層7までの蒸着を行った素子を、真空蒸着装置内より大気中に取り出した。電子輸送層7上に、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交する方向で密着させ、別の真空蒸着装置内に設置した。
まず、電子輸送層7と同様にして、装置内の真空度が1.8×10−6Torr(約2.4×10−4Pa)以下になるまで排気した。次いで、電子注入層5の材料となるフッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.01〜0.06nm/秒、真空度2.0×10−6Torr(約2.6×10−4Pa)で蒸着した。電子輸送層7の上に成膜された電子注入層5の膜厚は0.5nmであった。
次に、アルミニウムを蒸着して陰極6を形成した。蒸着は上記と同様にして行なった。モリブデンボートによりアルミニウムを加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒、真空度3.0〜6.8×10−6Torr(約4.0〜9.0×10−4Pa)の成膜条件とした。得られた陰極6の膜厚は80nmであった。なお、蒸着時の基板温度は室温に保持した。
[Production of Electron Injection Layer 5 and Cathode 6]
The element which performed vapor deposition to the electron carrying layer 7 was taken out in the air from the inside of a vacuum vapor deposition apparatus. On the electron transport layer 7, a 2 mm wide striped shadow mask as a mask for cathode vapor deposition was brought into close contact with the ITO stripe of the anode 2 and placed in another vacuum vapor deposition apparatus.
First, in the same manner as the electron transport layer 7, evacuation was performed until the degree of vacuum in the apparatus became 1.8 × 10 −6 Torr (about 2.4 × 10 −4 Pa) or less. Next, lithium fluoride (LiF), which is a material of the electron injection layer 5, is deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.06 nm / second and a degree of vacuum of 2.0 × 10 −6 Torr (about 2.10) using a molybdenum boat. 6 × 10 −4 Pa). The film thickness of the electron injection layer 5 formed on the electron transport layer 7 was 0.5 nm.
Next, aluminum was vapor-deposited to form the cathode 6. Vapor deposition was performed as described above. Aluminum is heated by a molybdenum boat, the deposition rate is 0.1 to 0.3 nm / second, and the degree of vacuum is 3.0 to 6.8 × 10 −6 Torr (about 4.0 to 9.0 × 10 −4 Pa). Film forming conditions were used. The film thickness of the obtained cathode 6 was 80 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was kept at room temperature.
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。素子の発光スペクトルの極大波長は513nmであり、イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.307,0.625)であった。この素子の発光特性を表1に示す。 As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 513 nm, which was identified as from the iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.307, 0.625). The light emission characteristics of this device are shown in Table 1.
(実施例2)
実施例1の有機化合物(I−1)を、下記に示す構造式の有機化合物(I−2)に変更した以外は、全く同じ条件下で素子を作成した。素子の発光スペクトルの極大波長は513nmであり、イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.321,0.615)であった。この素子の発光特性を表1に示す。
(Example 2)
A device was produced under exactly the same conditions except that the organic compound (I-1) of Example 1 was changed to the organic compound (I-2) having the structural formula shown below. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 513 nm, which was identified as from the iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.321, 0.615). The light emission characteristics of this device are shown in Table 1.
(実施例3)
実施例1の有機化合物(I−1)を、下記に示す構造式の有機化合物(I−3)に変更した以外は、全く同じ条件下で素子を作成した。素子の発光スペクトルの極大波長は512nmであり、イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.312,0.618)であった。この素子の発光特性を表1に示す。
(Example 3)
A device was produced under exactly the same conditions except that the organic compound (I-1) of Example 1 was changed to the organic compound (I-3) having the structural formula shown below. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 512 nm, which was identified as that from the iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.312, 0.618). The light emission characteristics of this device are shown in Table 1.
(比較例1)
図4に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
[基板1、陽極2の作製]
実施例1と同様にして作製した。
(Comparative Example 1)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 4 was produced by the following method.
[Production of Substrate 1 and Anode 2]
It was produced in the same manner as in Example 1.
[正孔注入層3の作製]
次に、正孔注入層3を以下のように湿式塗布法によって形成した。正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する高分子化合物(PB−2(重量平均分子量:29400,数平均分子量:12600))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−2)とを用い、下記の条件でスピンコートした。その結果、膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
[Preparation of hole injection layer 3]
Next, the hole injection layer 3 was formed by a wet coating method as follows. As a material for the hole injection layer 3, a polymer compound having an aromatic amino group having the following structural formula (PB-2 (weight average molecular weight: 29400, number average molecular weight: 12600)) and an electron having the structural formula shown below. Using the receptor compound (A-2), spin coating was performed under the following conditions. As a result, a uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed.
(スピンコート条件)
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 PB−2 2.0重量%
A−2 0.4重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 230℃×3時間
(Spin coating conditions)
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration PB-2 2.0% by weight
A-2 0.4% by weight
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 230 ° C x 3 hours
[発光層4の作製]
続いて、発光層4を以下のように湿式塗布法によって形成した。発光層4の材料として、下記に示す構造式の有機化合物(T−1)と(T−2)を、下記に示す構造式のイリジウム錯体(D−2)と共に用い、下記の条件でスピンコートした。その結果、膜厚100nmの均一な薄膜が形成された。
[Preparation of Light-Emitting Layer 4]
Subsequently, the light emitting layer 4 was formed by a wet coating method as follows. As a material of the light emitting layer 4, organic compounds (T-1) and (T-2) having the structural formula shown below are used together with an iridium complex (D-2) having the structural formula shown below, and spin coating is performed under the following conditions. did. As a result, a uniform thin film having a thickness of 100 nm was formed.
(スピンコート条件)
溶媒 クロロホルム
塗布液濃度 T−1 1.0重量%
T−2 1.0重量%
D−2 0.1重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 80℃×60分(減圧下)
(Spin coating conditions)
Solvent Chloroform Coating solution concentration T-1 1.0% by weight
T-2 1.0% by weight
D-2 0.1% by weight
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 80 ° C x 60 minutes (under reduced pressure)
[電子輸送層7の作製]
次に、電子輸送層7として下記に示す構造式の有機化合物(ET−2)を蒸着した。この時、蒸着時の真空度は1.79〜1.71×10−4Pa(約1.3×10−6Torr)、蒸着速度は0.09〜0.1nm/秒で、膜厚は20nmとした。
[Preparation of Electron Transport Layer 7]
Next, an organic compound (ET-2) having the following structural formula was deposited as the electron transport layer 7. At this time, the degree of vacuum during vapor deposition is 1.79 to 1.71 × 10 −4 Pa (about 1.3 × 10 −6 Torr), the vapor deposition rate is 0.09 to 0.1 nm / second, and the film thickness is It was 20 nm.
[電子注入層5、陰極6の作製]
次に,電子注入層5として、フッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.009〜0.013nm/秒、真空度1.3×10−6Torr(約1.76×10−4Pa)で、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。
次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.06〜0.19nm/秒、真空度2.1×10−6Torr(約3.15〜10.0×10−4Pa)で、膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極6を完成させた。以上の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
[Production of Electron Injection Layer 5 and Cathode 6]
Next, lithium fluoride (LiF) is used as the electron injection layer 5 by using a molybdenum boat, a deposition rate of 0.009 to 0.013 nm / second, and a degree of vacuum of 1.3 × 10 −6 Torr (about 1.76). The film was formed on the electron transport layer 7 with a film thickness of 0.5 nm at × 10 −4 Pa).
Next, aluminum was similarly heated by a molybdenum boat, and the deposition rate was 0.06 to 0.19 nm / second, and the degree of vacuum was 2.1 × 10 −6 Torr (about 3.15 to 10.0 × 10 −4 Pa). ), An aluminum layer having a thickness of 80 nm was formed to complete the cathode 6. The substrate temperature during the above evaporation was kept at room temperature.
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。素子の発光スペクトルの極大波長は514nmであり、イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.308,0.621)であった。この素子の発光特性を表1に示す。 As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 514 nm, which was identified as from the iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.308, 0.621). The light emission characteristics of this device are shown in Table 1.
(輝度/電流、電圧)
輝度100cd/m2での値を示す。
(半減寿命)
1000cd/Aでの値を示す。
(Luminance / current, voltage)
A value at a luminance of 100 cd / m 2 is shown.
(Half life)
The value at 1000 cd / A is shown.
表1の結果から明らかなように、本実施の形態の方法に基づいて、ホスト材料及びドーパント材料の夫々に、お互いを溶解させる置換基を導入して素子を作成した場合、良好な発光特性を有する有機電界発光素子が得られた。これは、ドーパント材料がホスト材料中に均一に分散されて均一な発光が得られ、発光効率が高くなったためであると考えられる。 As is apparent from the results in Table 1, when a device is produced by introducing substituents that dissolve each other into each of the host material and the dopant material based on the method of the present embodiment, good emission characteristics are obtained. The organic electroluminescent element which has was obtained. This is presumably because the dopant material was uniformly dispersed in the host material to obtain uniform light emission, and the light emission efficiency was increased.
1…基板、2…陽極、3…正孔注入層、4…発光層、5…電子注入層、6…陰極、7…電子輸送層、8…正孔阻止層、9…電子阻止層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Anode, 3 ... Hole injection layer, 4 ... Light emitting layer, 5 ... Electron injection layer, 6 ... Cathode, 7 ... Electron transport layer, 8 ... Hole blocking layer, 9 ... Electron blocking layer
Claims (7)
前記ドーパント材料及び前記ホスト材料はそれぞれ非重合性化合物であり、
前記ドーパント材料及び前記ホスト材料はそれぞれ炭素数1〜30のアルキル基を部分構造として有する化合物であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。 A composition for forming an organic layer of an organic electroluminescent device containing a dopant material, a host material, and a solvent,
The dopant material and the host material are each non-polymerizable compounds,
The dopant material and the host material are compounds each having an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms as a partial structure.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006137792A JP2007308557A (en) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006137792A JP2007308557A (en) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007308557A true JP2007308557A (en) | 2007-11-29 |
Family
ID=38841720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006137792A Pending JP2007308557A (en) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007308557A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010189453A (en) * | 2009-02-13 | 2010-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | Organometallic complex composition, composition containing organometallic complex, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el illumination |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006256979A (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same |
| JP2006257409A (en) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | Composition for organic electroluminescent element, thin film for organic electroluminescent element, thin film transfer member for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element and method for producing organic electroluminescent element |
| JP2007067383A (en) * | 2005-08-04 | 2007-03-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | Charge transport material, composition for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device |
| JP2007262219A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Mitsubishi Chemicals Corp | Polymer compound, composition for organic electroluminescence device, thin film for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device |
| JP2007294720A (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescence element, display device and lighting device |
-
2006
- 2006-05-17 JP JP2006137792A patent/JP2007308557A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006257409A (en) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | Composition for organic electroluminescent element, thin film for organic electroluminescent element, thin film transfer member for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element and method for producing organic electroluminescent element |
| JP2006256979A (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same |
| JP2007067383A (en) * | 2005-08-04 | 2007-03-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | Charge transport material, composition for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device |
| JP2007262219A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Mitsubishi Chemicals Corp | Polymer compound, composition for organic electroluminescence device, thin film for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device |
| JP2007294720A (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescence element, display device and lighting device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010189453A (en) * | 2009-02-13 | 2010-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | Organometallic complex composition, composition containing organometallic complex, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el illumination |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5417702B2 (en) | Organic electroluminescent device, organic electroluminescent layer coating solution, color display device | |
| JP4893173B2 (en) | Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device | |
| JP5560592B2 (en) | Nitrogen-containing heterocyclic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display and organic EL lighting | |
| JP5577685B2 (en) | Organic electroluminescent device manufacturing method, organic electroluminescent device, organic EL display device, and organic EL illumination | |
| JP5742092B2 (en) | Organic compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting | |
| JP5672858B2 (en) | Charge transport material, composition for charge transport film, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting | |
| JP5499487B2 (en) | Quinoline compounds, materials for organic electroluminescent elements, compositions for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent elements, organic EL displays, and organic EL lighting | |
| CN102113147A (en) | Composition for organic electroluminescent element, organic thin film, organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el lighting | |
| KR101842290B1 (en) | Method of producing composition for use in organic electroluminescent element, composition for use in organic electroluminescent element, method of producing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el lighting | |
| JP5707704B2 (en) | Organometallic complex, organometallic complex-containing composition, luminescent material, organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, organic EL display and organic EL lighting | |
| JP5162891B2 (en) | Organic compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device | |
| JP2011105676A (en) | Organometallic complex, luminescent material, material of organic electroluminescent element, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display and organic el illumination | |
| JP2012006878A (en) | Organometallic complex, luminescent material, organic electroluminescent element material, organometallic complex-containing composition, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el illumination | |
| JP5617202B2 (en) | Organic compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting | |
| JP5708426B2 (en) | Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device | |
| JP5555972B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| JP5332690B2 (en) | Organometallic complex composition, organometallic complex-containing composition, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting | |
| JP2010229121A (en) | Organometallic complex, composition for organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device | |
| JP2007100083A (en) | Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device | |
| JP2008294401A (en) | Composition for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and method for producing organic electroluminescent device | |
| JP5098199B2 (en) | Polymer compound, composition for organic electroluminescence device, thin film for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device | |
| JP2010209317A (en) | Metal complex, composition for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element | |
| JP2010184876A (en) | Organometallic complex, composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device | |
| JP2008024698A (en) | Organic compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device | |
| JP2012119471A (en) | Composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el illumination |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090116 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111018 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120821 |
