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JP2007265917A - X-ray tube and its control method - Google Patents

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JP2007265917A
JP2007265917A JP2006092371A JP2006092371A JP2007265917A JP 2007265917 A JP2007265917 A JP 2007265917A JP 2006092371 A JP2006092371 A JP 2006092371A JP 2006092371 A JP2006092371 A JP 2006092371A JP 2007265917 A JP2007265917 A JP 2007265917A
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electron beam
anode
control grid
cathode
ray tube
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JP2006092371A
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Japanese (ja)
Inventor
Susumu Hashimoto
進 橋本
Takashi Shimono
隆 下野
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Toshiba Corp
Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an X-ray tube with a stable minute beam dimension and to provide its control method. <P>SOLUTION: The X-ray tube includes; a cathode releasing an electron beam, an anode accelerating the electron by voltage applied between it and the cathode; a first control grid installed between the cathode and the anode and carrying out current-control of the electron beam; a second control grid installed between the first grid and the anode and carrying out focus-control of the electron beam; and a target connected electrically with the anode and generating X-ray by collision of the accelerated electron beams. Spacing between an end part on the anode side of the second control grid and the cathode is two times or more but three times or less than the spacing between the end part and the anode. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、X線管及びその制御方法に関する。   The present invention relates to an X-ray tube and a control method thereof.

X線管を搭載したX線検査装置は、医療用あるいは工業用に診断機器として広く利用されている。X線検査装置の解像度を決定するパラメータは、被検査物や用途に応じて異なるが、一般的には、電子光学系、X線光学系、加速電圧、電子ビーム電流量、画像処理制御などである。これらのなかで、解像度を向上させるには、電子ビーム寸法を小とすることが特に重要である。しかし、電子ビーム寸法は、加速電圧やビーム電流量に依存して変動するため、常に一定の微小ビーム寸法が得られないという問題が生じる。   An X-ray inspection apparatus equipped with an X-ray tube is widely used as a diagnostic instrument for medical or industrial purposes. The parameters that determine the resolution of an X-ray inspection apparatus vary depending on the object to be inspected and the application, but in general, the electron optical system, X-ray optical system, acceleration voltage, electron beam current amount, image processing control, etc. is there. Among these, it is particularly important to reduce the electron beam size in order to improve the resolution. However, since the electron beam size varies depending on the acceleration voltage and the amount of beam current, there is a problem that a constant minute beam size cannot always be obtained.

一方、電子ビームを発生するカソード電極と、電子ビームを制御するグリッド電極と、電子ビームを集光するフォーカス電極と、フォーカス電極で集光された電子ビームの衝突によりX線が発生する陽極ターゲットと、カソード電極とグリッド電極間に印加するバイアス電圧を生成させるバイアス電圧発生部と、陽極ターゲットに印加するための管電圧を生成させる管電圧発生部と、管電圧から分圧したフォーカス電圧を生成し、このフォーカス電圧をフォーカス電極に印加する分圧部と、を設けたX線発生装置が開示されている(特許文献1)。このX線発生装置は、電子ビームの焦点形成に対する電圧変動の影響を抑制することができる。
特開2003−163098号公報
On the other hand, a cathode electrode that generates an electron beam, a grid electrode that controls the electron beam, a focus electrode that collects the electron beam, an anode target that generates X-rays by collision of the electron beam collected by the focus electrode, A bias voltage generator for generating a bias voltage to be applied between the cathode electrode and the grid electrode, a tube voltage generator for generating a tube voltage to be applied to the anode target, and a focus voltage divided from the tube voltage. An X-ray generator provided with a voltage dividing unit that applies this focus voltage to a focus electrode is disclosed (Patent Document 1). This X-ray generator can suppress the influence of voltage fluctuations on the formation of the focus of the electron beam.
JP 2003-163098 A

本発明は、安定した微小ビーム寸法を有するX線管及びその制御方法を提供する。   The present invention provides an X-ray tube having a stable microbeam size and a control method thereof.

本発明の一態様によれば、電子ビームを放出するカソードと、前記カソードとの間に印加される電圧により前記電子を加速するアノードと、前記カソードと前記アノードとの間に設けられ、前記電子ビームを電流制御する第1制御グリッドと、前記第1制御グリッドと前記アノードとの間に設けられ、前記電子ビームを収束制御する第2制御グリッドと、前記アノードと電気的に接続され、加速された前記電子ビームの衝突によりX線を発生させるターゲットと、を備え、前記第2制御グリッドの前記アノード側の端部と前記カソードとの間隔は、前記端部と前記アノードとの間隔の2倍以上で3倍以下であることを特徴とするX線管が提供される。   According to an aspect of the present invention, the cathode is provided between the cathode that emits an electron beam, the anode that accelerates the electron by a voltage applied between the cathode, the cathode, and the anode. A first control grid that controls the current of the beam, a second control grid that is provided between the first control grid and the anode and that controls the convergence of the electron beam, and is electrically connected to the anode and accelerated. A target that generates X-rays by the collision of the electron beam, and an interval between the end on the anode side of the second control grid and the cathode is twice as large as an interval between the end and the anode. Thus, an X-ray tube characterized in that it is three times or less is provided.

また、本発明の他の一態様によれば、上記のX線管であって、前記第1制御グリッドと前記アノードとの間に、前記ターゲット上の前記電子ビームの最大収束半角が22ミリラジアン以上、28ミリラジアン以下であるように前記電子ビームを整形するための開口制限素子をさらに備えたことを特徴とするX線管を用い、前記第1制御グリッド及び前記第2制御グリッドの少なくともいずれかに印加する電圧を変化させて電流角密度を上昇させることにより、前記開口制限素子による電子ビーム電流の減少分を補って必要な電子ビーム電流を得ることを特徴とするX線管の制御方法が提供される。   Moreover, according to another aspect of the present invention, in the X-ray tube described above, a maximum convergence half angle of the electron beam on the target is 22 milliradians or more between the first control grid and the anode. And an X-ray tube further comprising an aperture limiting element for shaping the electron beam so as to be 28 milliradians or less, and at least one of the first control grid and the second control grid. Provided is a method for controlling an X-ray tube, wherein a necessary electron beam current is obtained by compensating for a decrease in the electron beam current due to the aperture limiting element by increasing a current angular density by changing an applied voltage. Is done.

本発明によれば、安定した微小ビーム寸法を有するX線管及びその制御方法が提供される。   According to the present invention, an X-ray tube having a stable micro beam size and a control method thereof are provided.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施例について説明する。
図1は、本発明の第1実施例であるX線管の要部を表す模式断面図である。
図2(a)は、図1の領域Xの電子ビームプロファイルを表す模式図であり、図2(b)は、図1の領域Yの電子ビームプロファイルを表す模式図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a main part of an X-ray tube according to a first embodiment of the present invention.
2A is a schematic diagram illustrating an electron beam profile in a region X in FIG. 1, and FIG. 2B is a schematic diagram illustrating an electron beam profile in a region Y in FIG.

本実施例のX線管5は、略円柱状の中空構造を有する真空容器30の両端面に、カソード10及びターゲット40がそれぞれ対向して設けられた構造を有する。   The X-ray tube 5 of the present embodiment has a structure in which the cathode 10 and the target 40 are provided opposite to each other on both end faces of a vacuum vessel 30 having a substantially cylindrical hollow structure.

カソード10の主面に対して対向して配置されたターゲット40に向かって第1制御グリッド15と、第2制御グリッド25と、アノード35と、がこの順に設けられている。第2制御グリッド25は、第1部品19、第2部品21、第3部品22を有する。   The first control grid 15, the second control grid 25, and the anode 35 are provided in this order toward the target 40 that is disposed to face the main surface of the cathode 10. The second control grid 25 includes a first component 19, a second component 21, and a third component 22.

本実施例のX線管5は、第2グリッド25の第3部品22とカソード10の距離L1が、第3部品22とアノード35の距離L2よりも小である(L2>L1)。第1制御グリッド15、第2制御グリッド25及びアノード35は、それぞれカソードの主面に対して略平行に設けられている。   In the X-ray tube 5 of the present embodiment, the distance L1 between the third component 22 of the second grid 25 and the cathode 10 is smaller than the distance L2 between the third component 22 and the anode 35 (L2> L1). The first control grid 15, the second control grid 25, and the anode 35 are provided substantially parallel to the main surface of the cathode, respectively.

これらの部材は、それぞれカソード10とターゲット40とを結ぶ光軸の周囲を取り囲む軸対称の穴(開口)構造を有する。   Each of these members has an axially symmetric hole (opening) structure surrounding the periphery of the optical axis connecting the cathode 10 and the target 40.

真空容器30の寸法は、例えば、100ミリメータである。カソード10及びターゲット40の寸法は、例えば、20ミリメータである。   The dimension of the vacuum vessel 30 is, for example, 100 millimeters. The dimensions of the cathode 10 and the target 40 are, for example, 20 millimeters.

また、カソード10の主面に対して略垂直方向の厚みは、第2部品21が最も大きく、アノード35、第1部品19及び第3部品22、第1制御グリッド15、の順に小となる。   The thickness in the direction substantially perpendicular to the main surface of the cathode 10 is the largest for the second component 21, and decreases in the order of the anode 35, the first component 19, the third component 22, and the first control grid 15.

すなわち、第2部品21の厚みが、例えば10ミリメータ、アノード35が例えば2ミリメータ、第1部品19及び第3部品22がそれぞれ、例えば、1ミリメータ、第1制御グリッド15が、例えば、0.2ミリメータである。また、第1制御グリッド15、第2制御グリッド25及びアノード35の主面には、それぞれ開口部が設けられている。   That is, the thickness of the second component 21 is, for example, 10 millimeters, the anode 35 is, for example, 2 millimeters, the first component 19 and the third component 22 are, for example, 1 millimeter, and the first control grid 15 is, for example, 0.2. It is a millimeter. In addition, openings are provided in the main surfaces of the first control grid 15, the second control grid 25, and the anode 35, respectively.

これらの開口部は、後述するように、カソード10からターゲット40に向けて放出される電子ビームを通過させつつ、ビーム寸法を制御する役割を果たす。開口部の開口径は、アノード35が最も大きく、第2部品21、第1部品19及び第3部品22と、第1制御グリッド15と、の順に小となる。すなわち、アノード35の開口径が、例えば、15ミリメータ、第2部品21が例えば、10ミリメータ、第1部品19及び第3部品22とがそれぞれ、例えば、8ミリメータ、第1制御グリッド15がそれぞれ、例えば、0.5ミリメータである。   As will be described later, these openings serve to control the beam dimensions while allowing the electron beam emitted from the cathode 10 toward the target 40 to pass therethrough. The opening diameter of the opening is the largest in the anode 35, and decreases in the order of the second component 21, the first component 19, the third component 22, and the first control grid 15. That is, the opening diameter of the anode 35 is, for example, 15 millimeters, the second component 21 is, for example, 10 millimeters, the first component 19 and the third component 22 are each, for example, 8 millimeters, and the first control grid 15 is, respectively. For example, 0.5 millimeter.

カソード10は、電子ビーム45を発生させる役割を有する。アノード35は、ターゲット40に電気的に接続され、カソードから放射された電子ビーム45をターゲット40に導く役割を有する。   The cathode 10 has a role of generating an electron beam 45. The anode 35 is electrically connected to the target 40 and serves to guide the electron beam 45 radiated from the cathode to the target 40.

カソード10の材料には、例えば、酸化バリウムが含浸された平面陰極を用いることができる。   As the material of the cathode 10, for example, a flat cathode impregnated with barium oxide can be used.

第1制御グリッド15には負の電圧が印加され、第2制御グリッド25の第3部品22には正の電圧が印加される。これらは、電子ビーム45のビーム寸法を縮小させる役割を有する。また、第2制御グリッド25の第1部品19及び第2部品21には、正の電圧が印加される。これらの電極は、電子ビーム45を収束させる役割を有する。これにより、第3部品22とアノード35の間は、静電レンズとして役割を果たす。ちなみに、第1制御グリッド15に印加される電圧は、例えばマイナス100ボルトであり、第1部品19及び第3部品22に印加される電圧は、例えばそれぞれ1キロボルトであり、アノード35に印加される電圧は、例えば50キロボルトである。   A negative voltage is applied to the first control grid 15, and a positive voltage is applied to the third component 22 of the second control grid 25. These have a role of reducing the beam size of the electron beam 45. A positive voltage is applied to the first component 19 and the second component 21 of the second control grid 25. These electrodes have a role of focusing the electron beam 45. Thereby, the space between the third component 22 and the anode 35 serves as an electrostatic lens. Incidentally, the voltage applied to the first control grid 15 is, for example, minus 100 volts, and the voltages applied to the first component 19 and the third component 22 are each 1 kilovolt, for example, and are applied to the anode 35. The voltage is, for example, 50 kilovolts.

また、ターゲット40は、カソードから放射された電子ビーム45を受けて、アノード35を挟んでカソード10とは反対方向にX線を発生させる役割を有する。このターゲット40には、例えば、タングステン(W)などを用いることができる。ターゲット40の材料は、所望のX線波長に応じて選択するとよい。   Further, the target 40 has a role of receiving an electron beam 45 emitted from the cathode and generating X-rays in the direction opposite to the cathode 10 with the anode 35 interposed therebetween. For this target 40, for example, tungsten (W) or the like can be used. The material of the target 40 may be selected according to a desired X-ray wavelength.

図3は、電子ビームのビーム電流に対する第2制御グリッドの印加電圧と第1制御グリッドの印加電圧の関係を表すグラフ図である。
ここで、横軸は、第2制御グリッドの印加電圧(ボルト)であり、縦軸は第1制御グリッド15の印加電圧(ボルト)である。また、電子ビーム45のビーム電流は、(a)10マイクロメータ、(b)20マイクロメータ及び(c)30マイクロメータである。このビーム電流は負印加電圧であるが、正電圧として表示する。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the applied voltage of the second control grid and the applied voltage of the first control grid with respect to the beam current of the electron beam.
Here, the horizontal axis is the applied voltage (volt) of the second control grid, and the vertical axis is the applied voltage (volt) of the first control grid 15. The beam current of the electron beam 45 is (a) 10 micrometers, (b) 20 micrometers, and (c) 30 micrometers. Although this beam current is a negative applied voltage, it is displayed as a positive voltage.

いずれのビーム電流においても、第2制御グリッド25と第1制御グリッド15の印加電圧は、第1制御電圧を大きくすると,ビーム電流が小さくなる関係にあることが分かる。このように、第2制御グリッド25あるいは第1制御グリッド15の印加電圧を制御することで、所望のビーム電流が得られる。   In any beam current, it can be seen that the voltage applied to the second control grid 25 and the first control grid 15 has a relationship that the beam current decreases as the first control voltage is increased. In this way, a desired beam current can be obtained by controlling the voltage applied to the second control grid 25 or the first control grid 15.

次に、本実施例のX線管5の動作について説明する。
カソード10を挟んでターゲット40とは反対側には、図示しないフィラメントが設けられている。このフィラメントに電流を流して発熱させる。すると、カソード10が加熱され、図2(a)に表すように、カソード10の表面からターゲット40方向に電子ビーム45が放射する。その後、放射された電子ビーム45は、方向aに進行し、第1制御グリッド15と、第1部品19、第2部品21及び第3部品22からなる第2制御グリッド25と、アノード35と、にそれぞれ設けられた開口部を順に通過してターゲット40に衝突する。すると、ターゲット40を挟んでカソード10と反対方向にX線が放射される。
Next, the operation of the X-ray tube 5 of this embodiment will be described.
A filament (not shown) is provided on the opposite side of the cathode 10 from the target 40. An electric current is passed through the filament to generate heat. Then, the cathode 10 is heated, and an electron beam 45 is emitted from the surface of the cathode 10 toward the target 40 as shown in FIG. Thereafter, the emitted electron beam 45 travels in the direction a, the first control grid 15, the second control grid 25 composed of the first component 19, the second component 21 and the third component 22, the anode 35, , Each of which passes through the openings provided in order and collides with the target 40. Then, X-rays are emitted in the direction opposite to the cathode 10 with the target 40 interposed therebetween.

この際、図2(a)に表すように、カソード10から放射された電子ビーム45を第1制御グリッド15の開口部で収束させる。そして、第2制御グリッド25の第1部品19及び第2部品21で電子ビーム45を発散させる。続いて、第2制御グリッド25の第3部品22の開口部で、電子ビーム45を収束させる。このようにして、図2(b)に表すように、電子ビーム45をターゲット40に結像させる。ここで、第2部品21には、電子ビーム45のビーム寸法が最大となる点P(図1参照)が形成される。   At this time, as shown in FIG. 2A, the electron beam 45 emitted from the cathode 10 is converged at the opening of the first control grid 15. Then, the electron beam 45 is diverged by the first component 19 and the second component 21 of the second control grid 25. Subsequently, the electron beam 45 is converged at the opening of the third component 22 of the second control grid 25. In this way, the electron beam 45 is imaged on the target 40 as shown in FIG. Here, a point P (see FIG. 1) where the beam dimension of the electron beam 45 is maximized is formed on the second component 21.

次に、このX線管5の動作概念を、光学系に置き換えて説明する。
図4は、第1実施例のX線管の動作概念を光学系に置き換えた模式図である。
エミッション光源46の主面に対向するように、ターゲット49が設けられている。また、エミッション光源46の主面に対して略垂直方向に、光軸44が形成される。そして、エミッション光源46と対向して配置されたターゲット49に向かって、第1レンズ47と第2レンズ48がこの順に設けられている。これらのレンズは、エミッション光源46の主面に対して略平行に設けられている。
Next, the operation concept of the X-ray tube 5 will be described by replacing it with an optical system.
FIG. 4 is a schematic diagram in which the operation concept of the X-ray tube of the first embodiment is replaced with an optical system.
A target 49 is provided so as to face the main surface of the emission light source 46. An optical axis 44 is formed in a direction substantially perpendicular to the main surface of the emission light source 46. Then, a first lens 47 and a second lens 48 are provided in this order toward a target 49 arranged to face the emission light source 46. These lenses are provided substantially parallel to the main surface of the emission light source 46.

ここで、エミッション光源46は、光を放射する役割を有する。これは、図1においてカソード10に相当する。第1レンズ47は、光を集光させる役割を有する。これは、図1において第1制御グリッド15に相当する。第2レンズ48は、光を集光させる役割を有する。これは、図1の第2グリッド25の第3部品22に相当する。   Here, the emission light source 46 has a role of emitting light. This corresponds to the cathode 10 in FIG. The first lens 47 has a role of collecting light. This corresponds to the first control grid 15 in FIG. The second lens 48 has a role of collecting light. This corresponds to the third component 22 of the second grid 25 of FIG.

まず、エミッション光源46から放出された光は、第1レンズ47に入射する。この光は第1レンズ47により集光され、点Cでクロスオーバーする。そして、クロスオーバーした光は、発散光に変換され第2レンズ48に入射する。第2レンズ48により集光された光はターゲット49で結像する。   First, the light emitted from the emission light source 46 enters the first lens 47. This light is collected by the first lens 47 and crosses over at point C. The crossover light is converted into diverging light and enters the second lens 48. The light condensed by the second lens 48 forms an image on the target 49.

ここで、第2レンズ48とターゲット49の距離B2を第2レンズ48と第1レンズ47の距離A2で除した値を、光学系縮小倍率mで表す。また、光軸44と光の接線のなす角度を収束半角αとする。   Here, a value obtained by dividing the distance B2 between the second lens 48 and the target 49 by the distance A2 between the second lens 48 and the first lens 47 is represented by an optical system reduction magnification m. The angle formed by the optical axis 44 and the tangent line of light is defined as a convergence half angle α.

ターゲット49で結像した光の焦点径D2は、光学系縮小倍率mと収束半角αで決定される。すなわち、この焦点径D2は、第1レンズ47を介して集光させた焦点径D1と光学系縮小倍率mの積に相当する(D2=D1×m)。しかし、実際の光学系には、光学収差である「ぼけ収差」も含まれる。「ぼけ収差」は、例えば、球面収差Csや色収差Ccなどから構成される。焦点径D2にぼけ収差を含めたものを焦点径をD3とする。ぼけ収差を含む焦点径D3は、数1を用いて算出することができる。

D3={(D1×m)+(Cs×α/2)+(Cc×α×ΔV/V)0.5 (式1)

ここで、Vは電子ビーム45の加速電圧であり、ΔVは変動電圧である。
式1から、ぼけ収差を含む焦点径D3は、主に光学系縮小倍率mと収束半角αのバランスによって決定されることが分かる。また、この焦点径D3に与える影響は、大きいことが分かる。
The focal diameter D2 of the light imaged by the target 49 is determined by the optical system reduction magnification m and the convergence half angle α. That is, the focal diameter D2 corresponds to the product of the focal diameter D1 condensed through the first lens 47 and the optical system reduction magnification m (D2 = D1 × m). However, an actual optical system also includes “blur aberration” which is an optical aberration. The “blur aberration” includes, for example, spherical aberration Cs, chromatic aberration Cc, and the like. The focal diameter including the blur aberration in the focal diameter D2 is defined as D3. The focal diameter D3 including the blur aberration can be calculated using Equation 1.

D3 = {(D1 × m) 2 + (Cs × α 3/2) 2 + (Cc × α × ΔV / V) 2} 0.5 ( Equation 1)

Here, V is an acceleration voltage of the electron beam 45, and ΔV is a fluctuation voltage.
From Equation 1, it can be seen that the focal diameter D3 including the blur aberration is mainly determined by the balance between the optical system reduction magnification m and the convergence half angle α. It can also be seen that the influence on the focal diameter D3 is large.

すなわち、本実施例では、第3部品22とカソード10の距離L1が第3部品22とアノード35の距離L2よりも小さいので(L2>L1)、光学系縮小倍率mは大きくなる。しかし、光学収差が小さくなる効果のほうが優る。したがって、図2(b)に表すように、収束半角αが小さくすることができる。すなわち、微小なビーム寸法が得られる。   That is, in this embodiment, since the distance L1 between the third component 22 and the cathode 10 is smaller than the distance L2 between the third component 22 and the anode 35 (L2> L1), the optical system reduction magnification m is increased. However, the effect of reducing optical aberration is superior. Therefore, as shown in FIG. 2B, the convergence half angle α can be reduced. That is, a minute beam size can be obtained.

一方、第3部品22とカソード10の距離L1を第3部品22とアノード35の距離L2よりも小とした場合(L1>L2)においても、電子ビーム45上に開口制限素子を設け、第1制御グリッド15あるいは第2制御グリッド25によりビーム電流を制御することで、微細なビーム寸法が得られる。   On the other hand, even when the distance L1 between the third component 22 and the cathode 10 is smaller than the distance L2 between the third component 22 and the anode 35 (L1> L2), an aperture limiting element is provided on the electron beam 45, and the first By controlling the beam current with the control grid 15 or the second control grid 25, a fine beam size can be obtained.

図5(a)は、本発明の第2実施例であるX線管の要部を表す模式断面図であり、図5(b)は、(a)の領域Bの電子ビームプロファイルを表す模式図である。   FIG. 5A is a schematic cross-sectional view showing the main part of the X-ray tube according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a schematic view showing the electron beam profile in the region B of FIG. FIG.

また、図6(a)は、第1比較例を表す模式断面図であり、図6(b)は、(a)の領域Bの電子ビームプロファイルを表す模式図である。   FIG. 6A is a schematic cross-sectional view showing a first comparative example, and FIG. 6B is a schematic view showing an electron beam profile in the region B of FIG.

まず、比較例から先に説明する。
図6(a)に表すように、本比較例の基本構造は、図1に前述した第1実施例と同様である。ただし、第3部品54とカソード10の距離L1は第3部品54とアノード35の距離L2の2倍以上、3倍以下である(L1=(2〜3)×L2)。そのため、アノード35と点Pの距離Bをカソード10と点Pの距離Aで除した光学系縮小倍率mを小さくすることができる。
First, the comparative example will be described first.
As shown in FIG. 6A, the basic structure of this comparative example is the same as that of the first embodiment described above with reference to FIG. However, the distance L1 between the third component 54 and the cathode 10 is not less than two times and not more than three times the distance L2 between the third component 54 and the anode 35 (L1 = (2-3) × L2). Therefore, the optical system reduction magnification m obtained by dividing the distance B between the anode 35 and the point P by the distance A between the cathode 10 and the point P can be reduced.

ここで、第3部品54とカソード10の距離L1が、第3部品54とアノード35の距離L2の2倍以上、3倍以下であるとD2=D1×mが最も小さくなる。   Here, when the distance L1 between the third component 54 and the cathode 10 is not less than 2 times and not more than 3 times the distance L2 between the third component 54 and the anode 35, D2 = D1 × m is the smallest.

しかし、前述したように、ぼけ収差の影響が強くなるため、図6(b)に表すように、ビーム寸法Sが、図1に前述した第1実施例よりも大きくなる。   However, as described above, since the influence of the blur aberration becomes strong, as shown in FIG. 6B, the beam size S becomes larger than that of the first embodiment described above with reference to FIG.

これに対して、図5(a)に表すように、本実施例の基本構造は、図6(a)に前述した第1比較例と同様である。しかし、第2制御グリッド25の第2部品51に開口制限素子50が設けられている。このように、開口制限素子50を設けることで、ぼけ収差の影響を極めて小さくすることが可能となる。したがって、図5(b)に表すように、例えば、2マイクロメータ程度の微小なビーム寸法が得られる。   In contrast, as shown in FIG. 5A, the basic structure of the present embodiment is the same as that of the first comparative example described above with reference to FIG. However, the opening limiting element 50 is provided in the second component 51 of the second control grid 25. Thus, by providing the aperture limiting element 50, the influence of the blur aberration can be extremely reduced. Therefore, as shown in FIG. 5B, for example, a minute beam dimension of about 2 micrometers can be obtained.

この際、最大収束半角αmaxは、22ミリラジアン以上、28ミリラジアン以下にすることが好ましい。最大収束半角αmaxをこの値に収めることで、ビーム寸法Sを小さくすることができる。また、最大収束半角αが22ミリラジアンより大で,28ミリラジアンよりも小であると、数式1の(Cs×α/2)及び(Cc×α×ΔV/V)が最も小さくなる。 At this time, it is preferable that the maximum convergence half angle α max is not less than 22 milliradians and not more than 28 milliradians. By setting the maximum convergence half angle α max to this value, the beam size S can be reduced. Further, a large than the maximum convergence half alpha is 22 milliradians, 28 If it is smaller than mrad, Equation 1 (Cs × α 3/2 ) and (Cc × α × ΔV / V ) is the smallest.

ここで、開口制限素子50の開口径を、例えば、φ1mmとすることができる。また、本実施例の電子ビーム45の放射条件は、例えば、ビーム電流が30マイクロアンペアであり、加速電圧が40キロボルトである。   Here, the opening diameter of the opening limiting element 50 can be set to, for example, φ1 mm. Further, the radiation conditions of the electron beam 45 of the present embodiment are, for example, a beam current of 30 microamperes and an acceleration voltage of 40 kilovolts.

また、本実施例では、このように開口制限素子によりビーム電流が減少する場合がある。しかし、図3に関して前述したように、第1制御グリッドあるいは第2制御グリッドにより電圧を変化させてビーム電流を制御することで、ビーム電流の劣化を防止できる。   In this embodiment, the beam current may be reduced by the aperture limiting element. However, as described above with reference to FIG. 3, the beam current can be prevented from being deteriorated by controlling the beam current by changing the voltage using the first control grid or the second control grid.

図7は、ターゲットに電子ビームを照射したときの収束角度と電流角密度の関係を表すグラフ図である。
ここで、横軸は収束半角α(ミリラジアン)であり、縦軸は電流角密度(アンペア/ステラジアン)である。(a)線は第1実施例、(b)線は第2実施例、(c)線は第1比較例をそれぞれ表す。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the convergence angle and the current angular density when the target is irradiated with an electron beam.
Here, the horizontal axis is the convergence half angle α (milliradian), and the vertical axis is the current angular density (ampere / steradian). Line (a) represents the first example, line (b) represents the second example, and line (c) represents the first comparative example.

電流角密度のF線は、電子ビーム45をX線に変換するのに要する「しきい値」である。電流角密度のF線と(a)線の交点を点Gとし、(c)線の交点を点Iとする。第2実施例から得られるターゲット上の電子ビーム特性を点Hとする。ここで、実施例2において、開口制限素子を行ってもビーム電流を制御しない場合を点H’’で表す。また、各点における収束半角αは、X線に変換した後の最大ビーム寸法に相当する。   The F-line of current angular density is a “threshold value” required to convert the electron beam 45 into X-rays. The intersection of the current angular density F line and the (a) line is a point G, and the intersection of the (c) line is a point I. The electron beam characteristic on the target obtained from the second embodiment is a point H. Here, in the second embodiment, the case where the beam current is not controlled even if the aperture limiting element is used is represented by a point H ″. Moreover, the convergence half angle α at each point corresponds to the maximum beam size after conversion to X-rays.

いずれの実施例及び比較例においても、収束半角αの増加に伴い、電流角密度は低下することが分かる。すなわち、第1比較例の(c)線とF線が交わる点Iでは、収束半角の影響でぼけ収差が大きいことが分かる。   In any of the examples and comparative examples, it can be seen that the current angular density decreases as the convergence half angle α increases. That is, it can be seen that the blur aberration is large due to the influence of the convergence half angle at the point I where the line (c) and the line F in the first comparative example intersect.

これに対して、第1実施例の(a)線とF線が交わる点Gでは、第1比較例よりも収束半角が小さくなることが確認できる。また、第2実施例によれば、開口制限素子50を用いつつ、これによる電流変化分を第1制御グリッド15あるいは第2制御グリッド25により制御する。これにより、高い電流密度を維持したまま、例えば、22ミリラジアン以上、28ミリラジアン以下の収束半角が得られる。
しかし、点H’’に表すように、開口制限素子を設けても電流制御を行わないと、収束半角αが大きくなることが分かる。
On the other hand, at the point G where the line (a) of the first example and the F line intersect, it can be confirmed that the convergence half angle is smaller than that of the first comparative example. Further, according to the second embodiment, while using the aperture limiting element 50, the current change due to this is controlled by the first control grid 15 or the second control grid 25. Thereby, for example, a convergence half angle of 22 milliradians or more and 28 milliradians or less can be obtained while maintaining a high current density.
However, as shown by the point H ″, it can be seen that the convergence half angle α becomes large if current control is not performed even if the aperture limiting element is provided.

次に、電子ビーム45の放射条件とビーム寸法の関係について説明する。
図8(a)は、本発明の第3実施例であるX線管の要部を表す模式断面図であり、図8(b)は、(a)の領域Bの電子ビームプロファイルを表す模式図である。
Next, the relationship between the radiation condition of the electron beam 45 and the beam size will be described.
FIG. 8A is a schematic cross-sectional view showing the main part of the X-ray tube according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a schematic view showing the electron beam profile in the region B of FIG. FIG.

図8(a)に表すように、本実施例の基本構造は、図5(a)に前述した第2実施例と同様である。しかし、本実施例の電子ビーム45の放射条件は、例えば、ビーム電流が30マイクロアンペアであり、加速電圧が125キロボルトである。すなわち、本実施例の加速電圧は図5に前述した第2実施例よりも大である。   As shown in FIG. 8A, the basic structure of this embodiment is the same as that of the second embodiment described above with reference to FIG. However, the radiation conditions of the electron beam 45 of this embodiment are, for example, a beam current of 30 microamperes and an acceleration voltage of 125 kilovolts. That is, the acceleration voltage in this embodiment is larger than that in the second embodiment described above with reference to FIG.

しかし、図8(b)に表すように、本実施例によれば、例えば、2マイクロメータ程度の微小なビーム寸法が得られることが分かる。これは、加速電圧の増加により電子ビーム45のビーム寸法が小さくなるためであると推察される。   However, as shown in FIG. 8B, according to the present embodiment, it can be seen that a minute beam size of about 2 micrometers can be obtained. This is presumably because the beam size of the electron beam 45 becomes smaller due to the increase in acceleration voltage.

図9は、図5の第2実施例において、加速電圧とビーム寸法の関係を表すグラフ図である。
ここで、横軸は、加速電圧(キロボルト)であり、縦軸は、ビーム寸法(マイクロメータ)である。(a)線の条件は、開口制限素子50を設け、ビーム電流を30マイクロアンペアとして電子ビーム45を放射した。(b)線は、開口制限素子50を設け、ビーム電流を10マイクロアンペアとした。(c)線は、開口制限素子50を設けずに、ビーム電流を30マイクロアンペアとし、(d)線は、開口制限素子50を設けずに、ビーム電流を10マイクロアンペアとした。また、開口制限素子50を設けた場合は、前述したように電流制御を行った。
FIG. 9 is a graph showing the relationship between the acceleration voltage and the beam size in the second embodiment of FIG.
Here, the horizontal axis is the acceleration voltage (kilovolt), and the vertical axis is the beam size (micrometer). (A) As for the line condition, an aperture limiting element 50 was provided, and an electron beam 45 was emitted with a beam current of 30 microamperes. The line (b) was provided with an aperture limiting element 50 and the beam current was 10 microamperes. The line (c) has a beam current of 30 microamperes without the aperture limiting element 50, and the line (d) has a beam current of 10 microamperes without the aperture limiting element 50. When the aperture limiting element 50 is provided, the current control is performed as described above.

(c)線及び(d)線に表すように、開口制限素子50を設けない場合のビーム寸法は、(a)線及び(b)線の開口制限素子50を設けた場合よりも、大きくなることが分かる。また、(c)線及び(d)線から開口制限素子50を設けない場合、ビーム寸法は、ビーム電流や加速電圧の影響を受けやすくなることが確認できる。   As shown in the lines (c) and (d), the beam size when the aperture limiting element 50 is not provided is larger than when the aperture limiting element 50 for the (a) line and the (b) line is provided. I understand that. In addition, when the aperture limiting element 50 is not provided from the lines (c) and (d), it can be confirmed that the beam size is easily affected by the beam current and the acceleration voltage.

これに対して、(a)線及び(b)線に表すように、開口制限素子50を設けた場合、ビーム電流や加速電圧の影響を受けにくくなることが確認できる。したがって、このように開口制限素子50を設け、且つビーム電流を制御することで、安定した微小ビーム寸法が得られる。   On the other hand, as shown in the lines (a) and (b), it can be confirmed that the aperture limiting element 50 is less affected by the beam current and the acceleration voltage. Therefore, by providing the aperture limiting element 50 and controlling the beam current in this manner, a stable minute beam size can be obtained.

次に、本実施例に用いることができる開口制限素子50について説明する。
図10は、第2実施例に用いることができる開口制限素子の第1具体例を表す模式図である。
Next, the aperture limiting element 50 that can be used in this embodiment will be described.
FIG. 10 is a schematic diagram showing a first specific example of an aperture limiting element that can be used in the second embodiment.

本具体例の開口制限素子50は、電子ビームの中心軸52に対して略垂直方向に1枚のプレートが設けられている。このプレートの厚みは、例えば、0.5ミリメータである。このプレートには開口部51が設けられている。この開口部51は、光軸を挟んで対向する断面を有する。すなわち、これらの断面は光軸に対して略平行に設けられている。   The aperture limiting element 50 of this specific example is provided with one plate in a direction substantially perpendicular to the central axis 52 of the electron beam. The thickness of this plate is 0.5 millimeters, for example. An opening 51 is provided in this plate. The opening 51 has a cross section facing the optical axis. That is, these cross sections are provided substantially parallel to the optical axis.

開口制限素子50を通過する電子ビーム45は、方向aに進行しながら発散している。開口制限素子50の開口径より小さい電子ビーム45は、ターゲットに到達する。開口部51を通過した電子ビームの一部が、断面68のターゲット側の端部に衝突して、散乱ビーム65が発生する場合がある。しかし、この散乱ビーム65は微量であるので、ビーム寸法には影響しない場合が多い。   The electron beam 45 passing through the aperture limiting element 50 diverges while traveling in the direction a. The electron beam 45 smaller than the aperture diameter of the aperture limiting element 50 reaches the target. A part of the electron beam that has passed through the opening 51 may collide with the end of the cross section 68 on the target side, and a scattered beam 65 may be generated. However, since the scattered beam 65 is very small, it often does not affect the beam size.

図11は、第2実施例に用いることができる開口制限素子の第2具体例を表す模式図である。
本実施例の開口制限素子50は、電子ビームの中心軸52に対して略垂直方向に複数個が積層されている。それぞれの開口制限素子50は、アノード35方向に向かうに従い、開口部51の開口径が大となるように配置されている。したがって、開口制限素子50の開口端は、それぞれナイフエッジ形状を有する。ここで、開口制限素子50は、等間隔で設けられている。この間隔ΔZは、例えば、1ミリメータである。
FIG. 11 is a schematic diagram showing a second specific example of the aperture limiting element that can be used in the second embodiment.
A plurality of aperture limiting elements 50 of the present embodiment are stacked in a direction substantially perpendicular to the central axis 52 of the electron beam. Each opening limiting element 50 is arranged so that the opening diameter of the opening 51 becomes larger toward the anode 35. Therefore, the opening ends of the opening limiting element 50 each have a knife edge shape. Here, the aperture limiting elements 50 are provided at equal intervals. This interval ΔZ is, for example, 1 millimeter.

また、開口部51の開口径は、等間隔に大きくなる。この間隔ΔRは、例えば、30マイクロメータである。したがって、本実施例の開口制限素子50によれば、散乱ビーム65を抑制しつつ、安定した微細なビーム径が得られる。   Moreover, the opening diameter of the opening part 51 becomes large at equal intervals. This interval ΔR is, for example, 30 micrometers. Therefore, according to the aperture limiting element 50 of the present embodiment, a stable fine beam diameter can be obtained while suppressing the scattered beam 65.

以上、本実施例によれば、第3部品53とカソード10の距離L1を、第3部品54とアノード35の距離L2の2倍以上、3倍以下とし、開口制限素子50を第2部品に設け、開口制限素子50による電流変化分を、第1制御グリッド、または第2制御グリッドによりビーム電流を制御する。これにより、最大収束半角αmaxが22ミリラジアン以上、28ミリラジアン以下からなる安定した微小なビーム寸法を有するX線管が得られる。 As described above, according to the present embodiment, the distance L1 between the third component 53 and the cathode 10 is set to be not less than twice and not more than three times the distance L2 between the third component 54 and the anode 35, and the aperture limiting element 50 is used as the second component. The beam current is controlled by the first control grid or the second control grid for the current change by the aperture limiting element 50. As a result, an X-ray tube having a stable minute beam size in which the maximum convergence half angle α max is 22 milliradians or more and 28 milliradians or less is obtained.

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。例えば、本実施例のX線管から放出されたX線70は、図12に表すように、電子ビーム45と略同一方向aに放射するが、これには限定されない。例えば、図13に表すように、電子ビーム45と同一方向aに放射されたX線70を、例えば、X線ミラー75で反射させて、方向bに反射させてもよい。   The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, the X-rays 70 emitted from the X-ray tube of the present embodiment emit in substantially the same direction a as the electron beam 45 as shown in FIG. 12, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 13, X-rays 70 radiated in the same direction a as the electron beam 45 may be reflected by, for example, an X-ray mirror 75 and reflected in the direction b.

また、本実施例によれば、図5に表すように、電子ビーム上には1つの開口制限素子を設けたが、これに限定せず、電子ビーム上に複数の開口制限素子を設けても、同様の効果が得られる。   Further, according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, one aperture limiting element is provided on the electron beam. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of aperture limiting elements may be provided on the electron beam. A similar effect can be obtained.

また、本発明のX線管において、第3部品の配置や、開口制限素子の形状やその開口径などの各要素については、当業者が適宜変更を加えたものであっても、本発明の要旨を包含する限りにおいて本発明の範囲に包含される。   Further, in the X-ray tube of the present invention, the elements such as the arrangement of the third component, the shape of the aperture limiting element, and the aperture diameter thereof may be appropriately modified by those skilled in the art. Insofar as the gist is included, it is included in the scope of the present invention.

本発明の第1実施例であるX線管の要部を表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the principal part of the X-ray tube which is 1st Example of this invention. 図2(a)は、図1の領域Xの電子ビームプロファイルを表す模式図であり、図2(b)は、図1の領域Yの電子ビームプロファイルを表す模式図である。2A is a schematic diagram illustrating an electron beam profile in a region X in FIG. 1, and FIG. 2B is a schematic diagram illustrating an electron beam profile in a region Y in FIG. 電子ビームのビーム電流に対する第2制御グリッドの印加電圧と第1制御グリッドの印加電圧の関係を表すグラフ図である。It is a graph showing the relationship between the applied voltage of the 2nd control grid with respect to the beam current of an electron beam, and the applied voltage of a 1st control grid. 第1実施例のX線管の動作概念を光学系に置き換えた模式図である。It is the schematic diagram which replaced the operation | movement concept of the X-ray tube of 1st Example with the optical system. 図5(a)は、本発明の第2実施例であるX線管の要部を表す模式断面図であり、図5(b)は、(a)の領域Bの電子ビームプロファイルを表す模式図である。FIG. 5A is a schematic cross-sectional view showing the main part of the X-ray tube according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a schematic view showing the electron beam profile in the region B of FIG. FIG. 図6(a)は、第1比較例を表す模式断面図であり、図6(b)は、(a)の領域Bの電子ビームプロファイルを表す模式図である。FIG. 6A is a schematic cross-sectional view showing a first comparative example, and FIG. 6B is a schematic view showing an electron beam profile in the region B of FIG. ターゲットに電子ビームを照射したときの収束角度と電流角密度の関係を表すグラフ図である。It is a graph showing the relationship between a convergence angle when a target is irradiated with an electron beam and current angular density. 図8(a)は、本発明の第3実施例であるX線管の要部を表す模式断面図であり、図8(b)は、(a)の領域Bの電子ビームプロファイルを表す模式図である。FIG. 8A is a schematic cross-sectional view showing the main part of the X-ray tube according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a schematic view showing the electron beam profile in the region B of FIG. FIG. 図5の第2実施例において、加速電圧とビーム寸法の関係を表すグラフ図である。FIG. 6 is a graph showing the relationship between acceleration voltage and beam size in the second embodiment of FIG. 5. 第2実施例に用いることができる開口制限素子の第1具体例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the 1st specific example of the aperture limiting element which can be used for 2nd Example. 第2実施例に用いることができる開口制限素子の第2具体例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the 2nd specific example of the aperture limiting element which can be used for 2nd Example. 図1の第1本実施例から得られるX線の進行方向を表す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram showing the advancing direction of the X-ray obtained from the 1st Example of FIG. 図1の第1本実施例から得られるX線の他の進行方向を表す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram showing the other advancing direction of the X-ray obtained from the 1st present Example of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

5 X線管、10 カソード、15 第1制御グリッド、19 第1部品、21、51、53 第2部品、22、52、54 第3部品、25 第2制御グリッド、30 真空容器、35 アノード、40、49 ターゲット、44 光軸、45 電子ビーム、46 エミッション光源、47 第1レンズ、48 第2レンズ、50 開口制限素子、51 開口部、52 電子ビームの中心軸、65 散乱ビーム、68 断面、70 X線、75 X線ミラー  5 X-ray tube, 10 cathode, 15 first control grid, 19 first part, 21, 51, 53 second part, 22, 52, 54 third part, 25 second control grid, 30 vacuum vessel, 35 anode, 40, 49 target, 44 optical axis, 45 electron beam, 46 emission light source, 47 first lens, 48 second lens, 50 aperture limiting element, 51 aperture, 52 central axis of electron beam, 65 scattered beam, 68 cross section, 70 X-ray, 75 X-ray mirror

Claims (5)

電子ビームを放出するカソードと、
前記カソードとの間に印加される電圧により前記電子を加速するアノードと、
前記カソードと前記アノードとの間に設けられ、前記電子ビームを電流制御する第1制御グリッドと、
前記第1制御グリッドと前記アノードとの間に設けられ、前記電子ビームを収束制御する第2制御グリッドと、
前記アノードと電気的に接続され、加速された前記電子ビームの衝突によりX線を発生させるターゲットと、
を備え、
前記第2制御グリッドの前記アノード側の端部と前記カソードとの間隔は、前記端部と前記アノードとの間隔の2倍以上で3倍以下であることを特徴とするX線管。
A cathode that emits an electron beam;
An anode that accelerates the electrons by a voltage applied to the cathode;
A first control grid provided between the cathode and the anode and current-controlling the electron beam;
A second control grid that is provided between the first control grid and the anode and controls convergence of the electron beam;
A target electrically connected to the anode and generating X-rays by collision of the accelerated electron beam;
With
The X-ray tube according to claim 1, wherein an interval between the end on the anode side of the second control grid and the cathode is not less than 2 times and not more than 3 times an interval between the end and the anode.
前記第1制御グリッドと前記アノードとの間に、前記ターゲット上の前記電子ビームの最大収束半角が22ミリラジアン以上、28ミリラジアン以下であるように前記電子ビームを整形するための開口制限素子をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のX線管。   An aperture limiting element is further provided between the first control grid and the anode to shape the electron beam so that the maximum convergence half-angle of the electron beam on the target is not less than 22 milliradians and not more than 28 milliradians. The X-ray tube according to claim 1, wherein: 前記開口制限素子は、それぞれの先端がナイフエッジ状の複数のアパーチャを有し、
前記複数のアパーチャは、前記アノードに近いものほど開口径が大となるように配置されたことを特徴とする請求項2記載のX線管。
The aperture limiting element has a plurality of apertures each having a knife edge at the tip,
The X-ray tube according to claim 2, wherein the plurality of apertures are arranged such that an opening diameter thereof becomes larger as it is closer to the anode.
前記開口制限素子は、前記第2制御グリッドの前記ターゲット側の端部と前記第2制御グリッドの前記アノード側の前記端部との間に設けられたことを特徴とする請求項2または3に記載のX線管。   The said opening limiting element is provided between the said edge part by the side of the said target of the said 2nd control grid, and the said edge part by the side of the said anode of the said 2nd control grid, The Claim 2 or 3 characterized by the above-mentioned. X-ray tube as described. 請求項2〜4のいずれか1つに記載のX線管を用い、
前記第1制御グリッド及び前記第2制御グリッドの少なくともいずれかに印加する電圧を変化させて電流角密度を上昇させることにより、前記開口制限素子による電子ビーム電流の減少分を補って必要な電子ビーム電流を得ることを特徴とするX線管の制御方法。

Using the X-ray tube according to any one of claims 2 to 4,
By changing the voltage applied to at least one of the first control grid and the second control grid to increase the current angular density, the necessary electron beam is compensated for the decrease in the electron beam current by the aperture limiting element. A method for controlling an X-ray tube, comprising obtaining an electric current.

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