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JP2007243146A - 半導体装置の製造方法、および、半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法、および、半導体装置の製造装置 Download PDF

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JP2007243146A JP2006317330A JP2006317330A JP2007243146A JP 2007243146 A JP2007243146 A JP 2007243146A JP 2006317330 A JP2006317330 A JP 2006317330A JP 2006317330 A JP2006317330 A JP 2006317330A JP 2007243146 A JP2007243146 A JP 2007243146A
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Hideya Takakura
英也 高倉
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Abstract

【課題】材料ロスの少ない品質の優れた半導体装置を安価に製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下金型１２のキャビティ１４および樹脂溜め孔１５に液状の樹脂１７を充填し、上記下金型１２と上金型１１とで半導体素子３０を挟持し、上記樹脂溜め孔１５の上記樹脂１７を上記キャビティ１４に注入して、上記半導体素子３０を上記樹脂１７にて封止する。
【選択図】図１Ｂ

Description

この発明は、半導体装置の製造方法、および、半導体装置の製造装置に関する。
一般的に、半導体装置を製造する方法としては、まず、図１５Ａに示すように、リードフレーム１０１に半導体チップ１０２を銀ペーストなどの接着剤にて接着し、図１５Ｂに示すように、上記半導体チップ１０２と上記リードフレーム１０１とを金線１０３にて接続して、半導体素子１０５を製造する。そして、図１５Ｃに示すように、上記半導体素子１０５を樹脂１０４にて封止して、半導体装置１０６を製造する。その後、この半導体装置１０６は、外装めっき、リードフォーミング（リードフレーム加工）、電気特性検査（電気的諸特性の測定）、マーキング、外観検査、梱包の工程を経て、製品となる。
上記樹脂１０４としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を使用するのが一般的であり、上記樹脂１０４にて封止する方法として、トランスファーモールド方式や注型モールド等での成型方法がある。
詳しく述べると、上記樹脂１０４としてエポキシ樹脂を用いた場合、このエポキシ樹脂にて封止する最も一般的な方法は、トランスファーモールド方式である。このトランスファーモールド方式とは、タブレット状に圧縮成型されたエポキシ樹脂、または、パウダー状のエポキシ樹脂を、高温に保持したポットとよばれる樹脂溜め部に挿入し溶解した後、このエポキシ樹脂を、ランナーを通じて、高温に保持された金型に形成されたキャビティに、圧力をかけて封入する。このエポキシ樹脂が封入された後、この樹脂が完全に固まるまで金型内に保持し、その後、金型を上下に開いて、半導体装置を取り出し、後工程へ運ばれる（特開２００４−３１１７４８号公報：特許文献１参照、特開２００２−９４１２４号公報：特許文献２参照）。
上記トランスファーモールドの金型として、例えば、図１６Ａに示す１ポットタイプの金型がある。この金型は、樹脂を挿入する一つの円形のポット部１１１と、このポット部１１１から延在するランナー部１１２とを有する。
また、上記トランスファーモールドの金型として、図１６Ｂに示すマルチポットタイプの金型がある。この金型は、樹脂を挿入する複数の円形のポット部１１１と、このポット部１１１から延在するランナー部１１２とを有する。
また、上記トランスファーモールドの金型として、図１６Ｃに示す棒状ポットタイプの金型がある。この金型は、樹脂を挿入する一つの棒状のポット部１１１と、このポット部１１１から延在するランナー部１１２とを有する。
図１６Ｂのマルチポットタイプの金型や図１６Ｃの棒状ポットタイプの金型では、図１６Ａの１ポットタイプの金型と比較して、溶融後の樹脂の経路が短くなるため、成型する際の注入時間等の条件の幅が広くなる等の利点がある。
しかし、図１６Ｂや図１６Ｃでは、樹脂をミニタブレットや棒状に圧縮成型する必要があるため、図１６Ａの通常タブレットと比較して、欠点がある。つまり、ミニタブレットでは、通常タブレットを圧縮成型する場合と比較して、重量のばらつきを少なくする必要がある。また、棒状のタブレットでは、圧縮成型した後、折れやすいため、搬送の際に、注意を要する。
また、上記樹脂１０４として液状エポキシ樹脂を用いた場合、この液状エポキシ樹脂にて封止する方法としては、図１７のキャスティング方式や図１８のポッティング方式がある。
図１７のキャスティング方式では、予め準備した枠１２１に半導体素子１２２をセットし、この枠１２１に液状樹脂１２３を注入した後、この液状樹脂１２３を加熱硬化する。
図１８のポッティング方式では、樹脂ケース１２４に半導体素子１２２をセットし、この樹脂ケース１２４に液状樹脂１２３を注入した後、この液状樹脂１２３を加熱硬化する。
上記樹脂１０４としてシリコーン樹脂を用いた場合、このシリコーン樹脂にて封止する方法としては、前述したエポキシ樹脂による封止方法のいずれも考えられるが、最も一般的なのはポッティング方式である。
近年、例えば自動車のエレクトロニクス化はデジタル情報機器、ＡＶ機器、車内ネットワーク、ハイブリッドエンジン、電気自動車、安全走行対応センサーなどますます進みつつある。こうした中、使用される半導体装置については車載環境に耐えうる信頼性を要求されており、例えば周囲温度−４０〜１２５℃に対応できる半導体装置が必要となってきている。
封止樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、このエポキシ樹脂は、耐湿性等の特性に関しては、十分要求に耐えうる特性をもっているが、高温放置等にて変色し易いという欠点がある。それに対して、封止樹脂としてシリコーン樹脂を用いた場合、このシリコーン樹脂は、高温放置でも変色しにくい。
したがって、光を送受信する機能を持つ光半導体装置において、車載用途のように高い周囲温度に対応するためには、樹脂封止としてシリコーン樹脂を用いる必要がある。
特開２００４−３１１７４８号公報 特開２００２−９４１２４号公報
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、キャスティング方式やポッティング方式では、パッケージの寸法精度が低く、また、製造に手間がかかって製造コストが高くなり、また、パッケージ内に空気が混入しやすくなってボイドが発生しやすくなる等の欠点があった。
また、トランスファーモールド方式では、寸法精度は向上するが、ランナー部などに余分な樹脂が発生するため、材料コストが高くなるという欠点がある。特に、車載用途の半導体装置を製造するために、封止樹脂としてシリコーン樹脂を用いた場合、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂と比較して、材料単価が高いため、できるだけ材料ロスを少なくする必要がある。
そこで、この発明の課題は、液状封止樹脂（特にシリコーン樹脂）の封止方法において、精度よく、ボイド等の発生がなく、材料ロスを少なくした半導体装置の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の半導体装置の製造方法は、
下金型に形成されたキャビティと、上記下金型に形成されると共に上記キャビティに直結された樹脂溜め孔とに、液状の樹脂を充填する第１の工程と、
上記下金型と上金型とで半導体素子を挟持する第２の工程と、
上記樹脂溜め孔の上記樹脂を上記キャビティに注入して、上記半導体素子を上記樹脂にて封止する第３の工程と
を備えることを特徴としている。
この発明の半導体装置の製造方法によれば、上記下金型の上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に上記液状の樹脂を充填し、上記下金型と上記上金型とで上記半導体素子を挟持し、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を上記キャビティに注入して、上記半導体素子を上記樹脂にて封止するので、ポッティング方式やトランスファーモールド方式と違って、材料ロスの少ない品質の優れた半導体装置を安価に製造できる。特に、車載用途の半導体装置を製造するために、上記樹脂としてシリコーン樹脂を使用したときに、材料ロスを一層低減できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、
上記第１の工程は、
充填治具に形成されると共に上記樹脂が充填された樹脂注入孔が、上記下金型の上記キャビティに重なるように、上記充填治具を上記下金型に設置し、
上記充填治具に形成されると共に上記樹脂注入孔を閉じているゲート部を開けて、上記樹脂注入孔から上記樹脂を上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填する。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記充填治具から上記液状の樹脂を上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填するので、上記液状の樹脂を簡単にかつ確実に上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、
上記第１の工程は、
上記樹脂が充填された樹脂供給装置から延在するチューブを、このチューブの開口孔が上記下金型の上記キャビティに重なるように、上記下金型に設置し、
上記樹脂供給装置から上記チューブを介して上記チューブの上記開口孔から上記樹脂を上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填する。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記樹脂供給装置から上記チューブを介して上記液状の樹脂を上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填するので、上記液状の樹脂を簡単にかつ確実に上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、
上記第３の工程は、
上記樹脂溜め孔を移動する注入部材によって、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を、上記キャビティへ押し出して上記キャビティに注入し、
上記樹脂が硬化した後に、上記注入部材によって、上記樹脂にて封止された上記半導体素子を、上記下金型から押し出す。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記注入部材によって、上記樹脂を上記キャビティへ押し出して上記キャビティに注入すると共に、上記樹脂にて封止された上記半導体素子を上記下金型から押し出すので、上記注入部材は、上記樹脂を上記樹脂溜め孔から押し出すプランジャと、上記半導体素子を上記下金型から押し出すイジェクタピンとを兼用して、上記半導体装置を迅速にかつ効率よく製造できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、
上記第３の工程は、
上記樹脂溜め孔を移動する注入部材によって、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を、上記キャビティへ押し出して上記キャビティに注入し、
この注入部材のレンズ状に形成された端面によって、上記樹脂を押圧して、上記樹脂を硬化しつつ、硬化された上記樹脂にレンズ部を形成する。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記注入部材のレンズ状に形成された上記端面によって、上記樹脂を押圧して、上記樹脂を硬化しつつ、硬化された上記樹脂に上記レンズ部を形成するので、上記樹脂に迅速にかつ簡単に上記レンズ部を形成できる。
また、この発明の半導体装置の製造装置は、
キャビティとこのキャビティに直結された樹脂溜め孔とを有する下金型と、
この下金型に相対的に接近または離隔し、上記下金型とともに半導体素子を挟持する上金型と、
上記下金型の上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に、液状の樹脂を充填する充填装置と、
上記樹脂溜め孔を往復移動するように上記樹脂溜め孔に配置され、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を上記キャビティへ押し出して上記キャビティに注入する注入部材と
を備えることを特徴としている。
この発明の半導体装置の製造装置によれば、上記キャビティと上記樹脂溜め孔とを有する上記下金型と、上記下金型とともに上記半導体素子を挟持する上記上金型と、上記下金型の上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に液状の樹脂を充填する充填装置と、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を上記キャビティに注入する注入部材とを備えるので、上記下金型の上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に上記液状の樹脂を充填し、上記下金型と上記上金型とで上記半導体素子を挟持し、上記注入部材によって上記樹脂溜め孔の上記樹脂を上記キャビティに注入して、上記半導体素子を上記樹脂にて封止する。
したがって、ポッティング方式やトランスファーモールド方式と違って、材料ロスの少ない品質の優れた半導体装置を安価に製造できる。特に、車載用途の半導体装置を製造するために、上記樹脂としてシリコーン樹脂を使用したときに、材料ロスを一層低減できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造装置では、上記注入部材の上記下金型の上記キャビティ側の端面は、レンズ状に形成されている。
この実施形態の半導体装置の製造装置によれば、上記注入部材の上記下金型の上記キャビティ側の端面は、レンズ状に形成されているので、上記金型の全体でなく、上記注入部材の上記端面のみを、磨き加工すればよく、上記金型のコストダウンにつながる。また、上記注入部材は、容易に取替えが可能であるため、レンズの寸法も簡単に変更できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、
上記第１の工程は、
充填治具に形成されると共に上記樹脂が充填された樹脂注入孔が、上記下金型の上記キャビティに重なるように、上記充填治具を上記下金型に設置し、
上記充填治具に形成されると共に上記樹脂注入孔を閉じているゲート部を開けて、上記上金型に配置されて上記充填治具の上記樹脂注入孔を移動する注入部材によって、上記樹脂注入孔から上記樹脂を上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填する。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記上金型に配置された注入部材によって、上記充填冶具から上記液状の樹脂を上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填するので、上記液状の樹脂を簡単にかつ確実に上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記上金型に設置された上記注入部材のレンズ状に形成された端面によって、上記樹脂を押圧して、上記樹脂を硬化しつつ、硬化された上記樹脂にレンズ部を形成する。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記上金型に設置された上記注入部材のレンズ状に形成された上記端面によって、上記樹脂を押圧して、上記樹脂を硬化しつつ、硬化された上記樹脂に上記レンズ部を形成するので、上記樹脂に迅速にかつ簡単に上記レンズ部を形成できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記樹脂が硬化した後に、上記上金型に設置された上記注入部材によって、上記樹脂にて封止された上記半導体素子を、上記上金型に形成されたキャビティから押し出す。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記上金型に設置された上記注入部材によって、上記樹脂にて封止された上記半導体素子を、上記上金型に形成されたキャビティから押し出すので、上記注入部材は、上記樹脂を上記充填治具から押し出すプランジャに加えて、上記半導体素子を上記上金型から押し出すイジェクタピンを兼用して、上記半導体装置を迅速にかつ効率よく製造できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記充填治具の上記樹脂注入孔から上記樹脂を上記下金型に充填する際に上記樹脂が通過する上記充填治具の上記ゲート部の孔部に、上記下金型側に次第に縮径するようなテーパー加工を施している。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記充填治具の上記ゲート部の孔部に、テーパー加工を施しているので、上記液状の樹脂をスムーズに上記下金型に充填できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、
上記第３の工程は、
上記樹脂溜め孔を移動する注入部材によって、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を、上記キャビティへ押し出して上記キャビティに注入し、
上記樹脂が硬化した後に、上記注入部材を上記キャビティ側から後退させ、上記樹脂溜め孔から上記キャビティに向けてエアーを吐出することによって、上記樹脂にて封止された上記半導体素子を、上記下金型から押し出す。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記樹脂溜め孔から上記キャビティに向けてエアーを吐出することによって、上記樹脂にて封止された上記半導体素子を、上記下金型から押し出すので、上記半導体装置を上記下金型から容易に取り出すことができる。
また、一実施形態の半導体装置の製造装置では、
上記キャビティの底を形成する内面の形状は、上記樹脂溜め孔の内面の形状に一致し、
上記注入部材の上記キャビティ側の端面の外面の形状は、上記樹脂溜め孔の内面の形状に一致している。
この実施形態の半導体装置の製造装置によれば、上記キャビティの底を形成する内面の形状は、上記樹脂溜め孔の内面の形状に一致し、上記注入部材の端面の外面の形状は、上記樹脂溜め孔の内面の形状に一致しているので、上記キャビティの底を形成する内面の形状は、上記注入部材の端面の外面の形状に一致している。つまり、上記キャビティの底は、上記注入部材の端面のみによって、形成される。
したがって、上記半導体装置の下端面は、上記注入部材の端面のみによって、形成されて、上記半導体装置の下端面を、凹凸のない滑らかな形状にすることができる。
また、一実施形態の半導体装置の製造装置では、
上記下金型は、複数の上記キャビティを有し、
上記上金型および上記下金型の互いの対向面には、上記上金型と上記下金型とが相対的に接近したときに、上記全てのキャビティを少なくとも直列状に連結する連通通路が、形成されている。
この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記上金型および上記下金型の互いの対向面には、上記上金型と上記下金型とが相対的に接近したときに、上記全てのキャビティを少なくとも直列状に連結する連通通路が、形成されているので、上記各キャビティに充填される上記樹脂の量にばらつきが生じても、上記各キャビティの上記樹脂が、上記連通通路を介して、移動して、上記各キャビティの上記樹脂の量のばらつきを抑えることができる。したがって、安定した形状の半導体装置を製造できる。
また、一実施形態の半導体装置の製造装置では、上記上金型および上記下金型の互いの対向面には、上記上金型と上記下金型とが相対的に接近したときに、上記下金型の上記各キャビティに連通するサブキャビティが、形成されている。
この実施形態の半導体装置の製造装置によれば、上記上金型および上記下金型の互いの対向面には、上記上金型と上記下金型とが相対的に接近したときに、上記下金型の上記各キャビティに連通するサブキャビティが、形成されているので、上記キャビティに上記樹脂が過剰に注入されても、その余分な樹脂は、上記サブキャビティへ流し込まれるので、安定した形状の半導体装置を製造できる。
この発明の半導体装置の製造方法によれば、上記下金型の上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に上記液状の樹脂を充填し、上記下金型と上記上金型とで上記半導体素子を挟持し、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を上記キャビティに注入して、上記半導体素子を上記樹脂にて封止するので、材料ロスの少ない品質の優れた半導体装置を安価に製造できる。
また、この発明の半導体装置の製造装置によれば、上記キャビティと上記樹脂溜め孔とを有する上記下金型と、上記下金型とともに上記半導体素子を挟持する上記上金型と、上記下金型の上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に液状の樹脂を充填する充填装置と、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を上記キャビティに注入する注入部材とを備えるので、材料ロスの少ない品質の優れた半導体装置を安価に製造できる。
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１Ａは、この発明の半導体装置の製造装置の一実施形態である縦断面図を示している。この製造装置は、上金型１１と、この上金型１１に相対的に接近または離隔する下金型１２と、上記上金型１１と上記下金型１２との間に液状の樹脂１７を充填する充填装置２０とを有する。
上記上金型１１は、複数のキャビティ１３を有する。上記下金型１２は、複数のキャビティ１４と、各キャビティ１４に直結された樹脂溜め孔１５とを有する。上記樹脂溜め孔１５には、この樹脂溜め孔１５を往復移動するように、注入部材１６が配置されている。
上記充填装置２０は、上記下金型１２の上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に、上記液状の樹脂１７を充填する。この樹脂１７は、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂である。
上記上金型１１および上記下金型１２は、共同して、図１Ｂに示す半導体素子３０を挟持する。この半導体素子３０は、リードフレーム３１と、このリードフレーム３１に接着された半導体チップ３２とを有する。
上記注入部材１６は、棒状であり、上記樹脂溜め孔１５の上記樹脂１７を上記キャビティ１４へ押し出して上記キャビティ１４に注入する。
つまり、この製造装置は、上記液状の樹脂１７によって上記半導体素子３０を封止して、図１Ｅに示す半導体装置３５を製造する。この半導体装置３５は、上記半導体素子３０と、この半導体素子３０の少なくとも一部を封止する硬化した樹脂１８とを有する。つまり、この硬化樹脂１８は、上記半導体素子３０のうちの少なくとも上記半導体チップ３２を封止する。
次に、上記構成の製造装置による半導体装置の製造方法を説明する。
まず、図１Ａに示すように、上記上金型１１と上記下金型１２とを相対的に離隔した状態で、上記下金型１２の上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に、上記充填装置２０から上記液状の樹脂１７を充填する。
そして、図１Ｂに示すように、上記上金型１１と上記下金型１２とで上記半導体素子３０を挟持する。このとき、上記半導体チップ３２を上記樹脂溜め孔１５側に向けて、上記上金型１１と上記下金型１２とで上記リードフレーム３１を固定する。
上記上金型１１および上記下金型１２の型締め後、図１Ｃに示すように、上記注入部材１６によって、上記樹脂溜め孔１５の上記樹脂１７を、上記キャビティ１３，１４へ押し出して上記キャビティ１３，１４に注入する。つまり、上記注入部材１６によって上記樹脂１７に圧力をかけて上記キャビティ１３，１４に封止する。なお、上記樹脂１７の量は、上記キャビティ１３，１４の容積から上記半導体素子３０の体積を引いた値に、略等しい。
そして、上記樹脂１７が硬化した後に、図１Ｄに示すように、上記上金型１１と上記下金型１２とを相対的に離隔し、図１Ｅに示すように、上記注入部材１６によって、上記半導体装置３５を上記下金型１２から押し出す。
上記構成の半導体装置の製造装置および製造方法では、上記下金型１２の上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に上記液状の樹脂１７を充填し、上記下金型１２と上記上金型１１とで上記半導体素子３０を挟持し、上記樹脂溜め孔１５の上記樹脂１７を上記キャビティ１３，１４に注入して、上記半導体素子３０を上記樹脂１７にて封止するので、ポッティング方式やトランスファーモールド方式と違って、材料ロスの少ない品質の優れた半導体装置を安価に製造できる。特に、車載用途の半導体装置を製造するために、上記樹脂１７としてシリコーン樹脂を使用したときに、材料ロスを一層低減できる。
また、上記注入部材１６によって、上記樹脂１７を上記キャビティ１３，１４へ押し出して上記キャビティ１３，１４に注入すると共に、上記樹脂１７にて封止された上記半導体素子３０を上記下金型１２から押し出すので、上記注入部材１６は、上記樹脂１７を上記樹脂溜め孔１５から押し出すプランジャと、上記半導体素子３０を上記下金型１２から押し出すイジェクタピンとを兼用して、半導体装置を迅速にかつ効率よく製造できる。
なお、図示しないが、上記構成の製造装置では、上記金型１１，１２に空気を逃がすためのエアベントが設けられている。また、上記製造方法では、真空成形を併用してもよく、製品の品質が向上する。
（第２の実施形態）
図２Ａは、この発明の半導体装置の製造装置の第２の実施形態を示している。上記第１の実施形態と相違する点を説明すると、この第２の実施形態では、充填装置の構成が相違する。
図２Ａに示すように、この第２の実施形態の充填装置２１は、充填治具２２および開閉装置２５を有する。上記充填治具２２は、樹脂注入孔２３ａが形成された治具本体２３と、上記樹脂注入孔２３ａを開閉自在に閉じているゲート部２４とを有する。上記樹脂注入孔２３ａには、上記液状の樹脂１７が充填されている。上記ゲート部２４には、孔部２４ａが形成されている。そして、上記開閉装置２５によって、上記治具本体２３の上記樹脂注入孔２３ａに上記ゲート部２４の上記孔部２４ａを重ねるように、上記ゲート部２４を移動して、上記樹脂注入孔２３ａを開ける。
次に、この充填装置２１によって上記樹脂１７を充填する方法を説明する。
図２Ｂに示すように、上記樹脂１７が充填された上記樹脂注入孔２３ａが、上記下金型１２の上記キャビティ１４に重なるように、上記充填治具２２を上記下金型１２に設置する。このとき、上記充填治具２２を上記上金型１１と上記下金型１２との間で挟んで固定する。
そして、図２Ｃに示すように、上記ゲート部２４をスライドして開けて、上記樹脂注入孔２３ａから上記樹脂１７を、上記孔部２４ａを通して、上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に充填する。
したがって、上記充填治具２２から上記液状の樹脂１７を上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に充填するので、上記液状の樹脂１７を簡単にかつ確実に上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に充填できる。
（第３の実施形態）
図３は、この発明の半導体装置の製造装置の第３の実施形態を示している。上記第１の実施形態と相違する点を説明すると、この第３の実施形態では、充填装置の構成が相違する。
図３に示すように、この第３の実施形態の充填装置２６は、シリンジ状の樹脂供給装置２７と、この樹脂供給装置２７から延在するチューブ２８とを有する。上記樹脂供給装置２７には、上記液状の樹脂１７が充填されている。上記チューブ２８には、開口孔２８ａが形成されている。
次に、この充填装置２６によって上記樹脂１７を充填する方法を説明する。
上記チューブ２８の上記開口孔２８ａが、上記下金型１２の上記キャビティ１４に重なるように、上記チューブ２８を上記下金型１２に設置する。このとき、上記チューブ２８を上記上金型１１と上記下金型１２との間で挟んで固定する。
そして、上記樹脂供給装置２７から上記チューブ２８を介して上記開口孔２８ａから上記樹脂１７を上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に充填する。
したがって、上記樹脂供給装置２７から上記チューブ２８を介して上記液状の樹脂１７を上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に充填するので、上記液状の樹脂１７を簡単にかつ確実に上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に充填できる。
（第４の実施形態）
図４Ａは、この発明の半導体装置の製造装置の第４の実施形態を示している。上記第１の実施形態と相違する点を説明すると、この第４の実施形態では、注入部材の構成が相違する。
図４Ａに示すように、この第４の実施形態の注入部材４０では、上記下金型１２の上記キャビティ１４側の端面４１が、レンズ状に形成されている。つまり、上記端面４１は、凹レンズ状に形成されている。
そして、上記注入部材４０によって半導体装置を製造する方法を説明すると、上記注入部材４０によって、上記樹脂溜め孔１５の上記樹脂１７を、上記キャビティ１４へ押し出して上記キャビティ１４に注入し、この注入部材４０の上記端面４１によって、上記樹脂１７を押圧して、上記樹脂１７を硬化しつつ、硬化された上記樹脂１８にレンズ部１９を形成する。
つまり、上記注入部材４０によって製造された半導体装置３５では、図４Ｂに示すように、上記半導体素子３０の上記半導体チップ３２に対向する上記硬化樹脂１８の外面に、凸レンズ状のレンズ部１９が形成されている。
したがって、上記注入部材４０の上記端面４１は、レンズ状に形成されているので、上記金型１１，１２の全体でなく、上記注入部材４０の上記端面４１のみを、磨き加工すればよく、上記金型１１，１２のコストダウンにつながる。また、上記注入部材４０は、容易に取替えが可能であるため、レンズの寸法も簡単に変更できる。
また、上記注入部材４０のレンズ状に形成された上記端面４１によって、上記樹脂１７を押圧して、上記樹脂１７を硬化しつつ、硬化された上記樹脂１８に上記レンズ部１９を形成するので、上記樹脂１７に迅速にかつ簡単に上記レンズ部１９を形成できる。
（第５の実施形態）
図５Ａは、この発明の半導体装置の製造装置の第５の実施形態を示している。上記第２の実施形態（図２Ｂ）と相違する点を説明すると、この第５の実施形態では、上金型の構成が相違する。なお、その他の構造は、上記第２の実施形態と同じであるため、その説明を省略する。
図５Ａに示すように、この第５の実施形態の上金型１１は、各キャビティ１３に直結されたガイド孔５５を有する。上記ガイド孔５５には、このガイド孔５５を往復移動するように、注入部材５６が配置されている。この注入部材５６は、上記下金型１２に配置された上記注入部材１６と同様の棒状である。
次に、この製造装置による半導体装置の製造方法を説明する。
図５Ａに示すように、上記樹脂１７が充填された上記樹脂注入孔２３ａが、上記下金型１２の上記キャビティ１４に重なるように、上記充填治具２２を上記下金型１２に設置する。このとき、上記充填治具２２を上記上金型１１と上記下金型１２との間で挟んで固定する。
そして、図５Ｂに示すように、上記ゲート部２４をスライドして開けて、上記上金型１１に配置された上記注入部材５６を、上記充填治具２２の上記樹脂注入孔２３ａを移動させて、上記樹脂注入孔２３ａから上記樹脂１７を、押し出して、図５Ｃに示すように、上記樹脂１７を、上記孔部２４ａを通して、上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に充填する。
したがって、上記上金型１１に配置された上記注入部材５６によって、上記充填冶具２２から上記液状の樹脂１７を上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に充填するので、上記液状の樹脂１７を簡単にかつ確実に上記キャビティ１４および上記樹脂溜め孔１５に充填できる。
（第６の実施形態）
図６Ａは、この発明の半導体装置の製造装置の第６の実施形態を示している。上記第５の実施形態（図５Ａ）と相違する点を説明すると、この第６の実施形態では、上金型に配置された注入部材の構成が相違する。
図６Ａに示すように、この第６の実施形態の注入部材６０では、上記上金型１１の上記キャビティ１３側の端面６１が、レンズ状に形成されている。つまり、上記端面６１は、凹レンズ状に形成されている。
そして、半導体装置を製造する方法を説明すると、上記下側の注入部材１６によって、上記樹脂溜め孔１５の上記樹脂１７を、上記キャビティ１４へ押し出して上記キャビティ１４に注入すると共に、上記上側の注入部材６０の上記端面６１によって、上記樹脂１７を押圧して、上記樹脂１７を硬化しつつ、硬化された上記樹脂１８にレンズ部１９を形成する。なお、上記半導体素子３０は、上記半導体チップ３２が上記上側の注入部材６０を向くように、配置されている。
つまり、この半導体装置３５では、図６Ｂに示すように、上記半導体素子３０の上記半導体チップ３２に対向する上記硬化樹脂１８の外面に、凸レンズ状のレンズ部１９が形成されている。
したがって、上記上側の注入部材６０の上記端面６１は、レンズ状に形成されているので、上記金型１１，１２の全体でなく、上記注入部材６０の上記端面６１のみを、磨き加工すればよく、上記金型１１，１２のコストダウンにつながる。また、上記上側の注入部材６０は、容易に取替えが可能であるため、レンズの寸法も簡単に変更できる。
また、上記上側の注入部材６０のレンズ状に形成された上記端面６１によって、上記樹脂１７を押圧して、上記樹脂１７を硬化しつつ、硬化された上記樹脂１８に上記レンズ部１９を形成するので、上記樹脂１７に迅速にかつ簡単に上記レンズ部１９を形成できる。
（第７の実施形態）
図７Ａは、この発明の半導体装置の製造装置の第７の実施形態を示している。上記第５の実施形態（図５Ａ）と相違する点を説明すると、この第７の実施形態では、上記上金型１１に配置された上記注入部材５６を、上記上金型１１のキャビティ１３から、上記半導体装置３５を押し出すことに用いている。
具体的に述べると、図７Ａに示すように、上記上金型１１および上記下金型１２の型締め後、上記下側の注入部材１６によって、上記樹脂溜め孔１５の上記樹脂１７を、上記キャビティ１３，１４へ押し出して上記キャビティ１３，１４に注入する。そして、上記上側の注入部材５６および上記下側の注入部材１６によって、上記樹脂１７に圧力をかけて上記キャビティ１３，１４に封止する。
そして、上記樹脂１７が硬化した後に、図７Ｂに示すように、上記上金型１１と上記下金型１２とを相対的に離隔する際に、上記上側の注入部材５６によって、上記半導体装置３５を上記上金型１１に形成されたキャビティ１３から押し出す。
したがって、上記上側の注入部材５６は、（上記第５の実施形態のように）上記樹脂１７を上記充填冶具２２から押し出すプランジャに加えて、上記半導体装置３５を上記上金型１１から押し出すイジェクタピンを兼用して、上記半導体装置３５を迅速にかつ効率よく製造できる。
（第８の実施形態）
図８Ａは、この発明の半導体装置の製造装置の第８の実施形態を示している。上記第２の実施形態（図２Ａ）と相違する点を説明すると、この第８の実施形態では、上記充填治具２２の上記ゲート部２４の孔部２４ｂの形状が相違する。
つまり、上記充填治具２２の上記樹脂注入孔２３ａから上記樹脂１７を上記下金型１２に充填する際に上記樹脂１７が通過する上記充填治具２２の上記ゲート部２４の孔部２４ｂに、上記下金型１２側に次第に縮径するようなテーパー加工を施している。
したがって、図８Ｂに示すように、上記樹脂注入孔２３ａにある上記樹脂１７を、上記ゲート部２４の孔部２４ｂによって、スムーズに上記下金型１２に充填できる。
（第９の実施形態）
図９は、この発明の半導体装置の製造装置の第９の実施形態を示している。上記第１の実施形態（図１Ｅ）と相違する点を説明すると、この第９の実施形態では、上記下金型１２の上記樹脂溜め孔１５からのエアーによって、上記半導体装置３５を上記下金型１２から押し出す。
つまり、上記第１の実施形態（図１Ｃ）と同様に、上記注入部材１６によって、上記樹脂溜め孔１５の上記樹脂１７を、上記キャビティ１３，１４へ押し出して上記キャビティ１３，１４に注入する。
その後、上記樹脂１７が硬化した後に、図９に示すように、上記注入部材１６を上記キャビティ１４側から後退させ、上記樹脂溜め孔１５から上記キャビティ１４に向けて（矢印Ａに示すように）エアーを吐出することによって、上記半導体装置３５を、上記下金型１２から押し出す。
したがって、上記樹脂溜め孔１５からのエアーによって、上記半導体装置３５を、上記下金型１２から押し出すので、上記半導体装置３５を上記下金型１２から容易に取り出すことができる。
（第１０の実施形態）
図１０Ａは、この発明の半導体装置の製造装置の第１０の実施形態を示している。上記第１の実施形態（図１Ｃ）と相違する点を説明すると、この第１０の実施形態では、下金型１２のキャビティ１４の底は、下側の注入部材６５の端面６６のみによって、形成される。
具体的に述べると、上記キャビティ１４の底を形成する内面の形状は、樹脂溜め孔７５の内面の形状に一致している。上記注入部材６５の上記キャビティ１４側の端面６６の外面の形状は、上記樹脂溜め孔７５の内面の形状に一致している。
したがって、図１０Ｂに示すように、半導体装置３５の下端面３６は、上記注入部材６５の端面６６のみによって、形成されて、上記半導体装置３５の下端面３６を、凹凸のない滑らかな形状にすることができる。
これに対し、比較例として、図１１Ａに示すように、キャビティ１４の底を形成する内面の形状が、樹脂溜め孔１５の内面の形状に一致しないで大きい場合、上記注入部材６７の上記キャビティ１４側の端面６８は、上記キャビティ１４の底の一部を形成することになる。
この場合、上記キャビティ１３，１４に充填する樹脂１７の量が多いと、上記注入部材６７の端面６８は、上記キャビティ１４の底の他部よりも、低い位置になって、図１１Ｂに示すように、半導体装置３５の下端面３６には、上記注入部材６７の端面６８によって、凸部３７が形成されることになる。
（第１１の実施形態）
図１２Ａと図１２Ｂは、この発明の半導体装置の製造装置の第１１の実施形態を示している。上記第１の実施形態（図１Ｂ）と相違する点を説明すると、この第１１の実施形態では、上記上金型１１および上記下金型１２には、複数のキャビティ１３，１４を連通する連通通路が設けられている。なお、図１２Ａと図１２Ｂでは、図１Ｂの半導体素子３０を省略して描いている。
具体的に述べると、上記上金型１１および上記下金型１２は、複数の上記キャビティ１３，１４を有し、上記上金型１１および上記下金型１２の互いの対向面には、上記上金型１１と上記下金型１２とが相対的に接近したときに、上記全てのキャビティ１３，１４を少なくとも直列状に連結する連通通路７０が、形成されている。なお、この連通通路７０を、上記全てのキャビティ１３，１４を互いに連通するように、形成してもよい。
そして、図１２Ａに示すように、上記中央のキャビティ１４に充填される上記樹脂１７の量が、上記両端のキャビティ１４に充填される上記樹脂１７の量よりも少なく、上記各キャビティ１４に充填される上記樹脂１７の量にばらつきが生じた場合、図１２Ｂに示すように、上記上金型１１および上記下金型１２の型締め後、上記両端のキャビティ１４の上記樹脂１７が、矢印Ｂに示すように、上記中央のキャビティ１４に、上記連通通路７０を介して、移動して、上記各キャビティ１３，１４の上記樹脂１７の量のばらつきを抑えることができる。したがって、安定した形状の半導体装置３５を製造できる。
（第１２の実施形態）
図１３は、この発明の半導体装置の製造装置の第１２の実施形態を示している。上記第１の実施形態（図１Ｂ）と相違する点を説明すると、この第１２の実施形態では、上記上金型１１および上記下金型１２には、上記キャビティ１３，１４に連通するサブキャビティ８０が、形成されている。なお、図１３では、図１Ｂの半導体素子３０を省略して描いている。
具体的に述べると、上記上金型１１および上記下金型１２の互いの対向面には、上記上金型１１と上記下金型１２とが相対的に接近したときに、上記各キャビティ１３，１４に連通するサブキャビティ８０が、形成されている。上記キャビティ１３，１４と、上記サブキャビティ８０とは、上記上金型１１および上記下金型１２の互いの対向面に形成された連通通路８１によって、連通されている。
そして、上記キャビティ１４に上記樹脂１７が過剰に注入されても、その余分な樹脂１７は、上記各キャビティ１４から上記サブキャビティ８０へ流し込まれるので、安定した形状の半導体装置３５を製造できる。また、上記各キャビティ１３，１４内の余分なエアーを上記サブキャビティ８０に送り込むことができる。
つまり、図１４Ａに示すように、上記上下の金型１１，１２から取り出された半導体装置３５には、上記サブキャビティ８０内の余分な樹脂によって形成された余剰部３８が、取り付いているので、後工程によって、上記半導体装置３５から上記余剰部３８を取り除く。なお、図１４Ａと図１４Ｂでは、図１Ｂの半導体素子３０を省略して描いている。
本発明の半導体装置の製造装置の第１実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法の第１工程を示す簡略断面図である。 上記第１実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第２工程を示す簡略断面図である。 上記第１実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第３工程を示す簡略断面図である。 上記第１実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第４工程を示す簡略断面図である。 上記第１実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第５工程を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第２実施形態を示す簡略断面図である。 上記第２実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第１工程を示す簡略断面図である。 上記第２実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第２工程を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第３実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第４実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法を示す簡略断面図である。 上記第４実施形態の上記製造装置および上記製造方法によって製造された半導体装置を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第５実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法の第１工程を示す簡略断面図である。 上記第５実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第２工程を示す簡略断面図である。 上記第５実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第３工程を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第６実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法を示す簡略断面図である。 上記第６実施形態の上記製造装置および上記製造方法によって製造された半導体装置を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第７実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法の第１工程を示す簡略断面図である。 上記第７実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第２工程を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第８実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法の第１工程を示す簡略断面図である。 上記第８実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第２工程を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第９実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第１０実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法を示す簡略断面図である。 上記第１０実施形態の上記製造装置および上記製造方法によって製造された半導体装置を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の比較例を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法を示す簡略断面図である。 上記比較例の上記製造装置および上記製造方法によって製造された半導体装置を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第１１実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法の第１工程を示す簡略断面図である。 上記第１１実施形態の製造装置による半導体装置の製造方法の第２工程を示す簡略断面図である。 半導体装置の製造装置の第１２実施形態を示すと共に、この製造装置による半導体装置の製造方法を示す簡略断面図である。 上記第１２実施形態の上記製造装置および上記製造方法によって製造された半導体装置を示す簡略断面図である。 上記第１２実施形態の上記製造装置および上記製造方法によって製造された半導体装置を示す簡略断面図である。 半導体装置の一般的な製造方法の第１工程を示す簡略断面図である。 半導体装置の一般的な製造方法の第２工程を示す簡略断面図である。 半導体装置の一般的な製造方法の第３工程を示す簡略断面図である。 １ポットタイプのトランスファーモールドの金型を示す簡略断面図である。 マルチポットタイプのトランスファーモールドの金型を示す簡略断面図である。 棒状ポットタイプのトランスファーモールドの金型を示す簡略断面図である。 キャスティング方式を示す説明図。 ポッティング方式を示す説明図。
符号の説明
１１ 上金型
１２ 下金型
１３ キャビティ
１４ キャビティ
１５ 樹脂溜め孔
１６ 注入部材
１７ 液状の樹脂
１８ 硬化した樹脂
１９ レンズ部
２０ 充填装置
２１ 充填装置
２２ 充填治具
２３ 治具本体
２３ａ 樹脂注入孔
２４ ゲート部
２４ａ，２４ｂ 孔部
２５ 開閉装置
２６ 充填装置
２７ 樹脂供給装置
２８ チューブ
２８ａ 開口孔
３０ 半導体素子
３１ リードフレーム
３２ 半導体チップ
３５ 半導体装置
３６ 下端面
３７ 凸部
３８ 余剰部
４０ 注入部材
４１ 端面
５５ ガイド孔
５６ 注入部材
６０ 注入部材
６１ 端面
６５ 注入部材
６６ 端面
６７ 注入部材
６８ 端面
７０ 連通通路
７５ 樹脂溜め孔
８０ サブキャビティ
８１ 連通通路

Claims (15)

  1. 下金型に形成されたキャビティと、上記下金型に形成されると共に上記キャビティに直結された樹脂溜め孔とに、液状の樹脂を充填する第１の工程と、
    上記下金型と上金型とで半導体素子を挟持する第２の工程と、
    上記樹脂溜め孔の上記樹脂を上記キャビティに注入して、上記半導体素子を上記樹脂にて封止する第３の工程と
    を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
    上記第１の工程は、
    充填治具に形成されると共に上記樹脂が充填された樹脂注入孔が、上記下金型の上記キャビティに重なるように、上記充填治具を上記下金型に設置し、
    上記充填治具に形成されると共に上記樹脂注入孔を閉じているゲート部を開けて、上記樹脂注入孔から上記樹脂を上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
    上記第１の工程は、
    上記樹脂が充填された樹脂供給装置から延在するチューブを、このチューブの開口孔が上記下金型の上記キャビティに重なるように、上記下金型に設置し、
    上記樹脂供給装置から上記チューブを介して上記チューブの上記開口孔から上記樹脂を上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
    上記第３の工程は、
    上記樹脂溜め孔を移動する注入部材によって、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を、上記キャビティへ押し出して上記キャビティに注入し、
    上記樹脂が硬化した後に、上記注入部材によって、上記樹脂にて封止された上記半導体素子を、上記下金型から押し出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
    上記第３の工程は、
    上記樹脂溜め孔を移動する注入部材によって、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を、上記キャビティへ押し出して上記キャビティに注入し、
    この注入部材のレンズ状に形成された端面によって、上記樹脂を押圧して、上記樹脂を硬化しつつ、硬化された上記樹脂にレンズ部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. キャビティとこのキャビティに直結された樹脂溜め孔とを有する下金型と、
    この下金型に相対的に接近または離隔し、上記下金型とともに半導体素子を挟持する上金型と、
    上記下金型の上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に、液状の樹脂を充填する充填装置と、
    上記樹脂溜め孔を往復移動するように上記樹脂溜め孔に配置され、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を上記キャビティへ押し出して上記キャビティに注入する注入部材と
    を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  7. 請求項６に記載の半導体装置の製造装置において、
    上記注入部材の上記下金型の上記キャビティ側の端面は、レンズ状に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  8. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
    上記第１の工程は、
    充填治具に形成されると共に上記樹脂が充填された樹脂注入孔が、上記下金型の上記キャビティに重なるように、上記充填治具を上記下金型に設置し、
    上記充填治具に形成されると共に上記樹脂注入孔を閉じているゲート部を開けて、上記上金型に配置されて上記充填治具の上記樹脂注入孔を移動する注入部材によって、上記樹脂注入孔から上記樹脂を上記キャビティおよび上記樹脂溜め孔に充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
    上記上金型に設置された上記注入部材のレンズ状に形成された端面によって、上記樹脂を押圧して、上記樹脂を硬化しつつ、硬化された上記樹脂にレンズ部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
    上記樹脂が硬化した後に、上記上金型に設置された上記注入部材によって、上記樹脂にて封止された上記半導体素子を、上記上金型に形成されたキャビティから押し出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 請求項２または８に記載の半導体装置の製造方法において、
    上記充填治具の上記樹脂注入孔から上記樹脂を上記下金型に充填する際に上記樹脂が通過する上記充填治具の上記ゲート部の孔部に、上記下金型側に次第に縮径するようなテーパー加工を施していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
    上記第３の工程は、
    上記樹脂溜め孔を移動する注入部材によって、上記樹脂溜め孔の上記樹脂を、上記キャビティへ押し出して上記キャビティに注入し、
    上記樹脂が硬化した後に、上記注入部材を上記キャビティ側から後退させ、上記樹脂溜め孔から上記キャビティに向けてエアーを吐出することによって、上記樹脂にて封止された上記半導体素子を、上記下金型から押し出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  13. 請求項６に記載の半導体装置の製造装置において、
    上記キャビティの底を形成する内面の形状は、上記樹脂溜め孔の内面の形状に一致し、
    上記注入部材の上記キャビティ側の端面の外面の形状は、上記樹脂溜め孔の内面の形状に一致していることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  14. 請求項６に記載の半導体装置の製造装置において、
    上記下金型は、複数の上記キャビティを有し、
    上記上金型および上記下金型の互いの対向面には、上記上金型と上記下金型とが相対的に接近したときに、上記全てのキャビティを少なくとも直列状に連結する連通通路が、形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  15. 請求項６に記載の半導体装置の製造装置において、
    上記上金型および上記下金型の互いの対向面には、上記上金型と上記下金型とが相対的に接近したときに、上記下金型の上記各キャビティに連通するサブキャビティが、形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
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