JP2007233361A

JP2007233361A - 表示装置

Info

Publication number: JP2007233361A
Application number: JP2007016980A
Authority: JP
Inventors: Tetsuji Ishitani; 哲二石谷; Takeshi Nishi; 毅西; Yuji Egi; 勇司恵木
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2006-02-02
Filing date: 2007-01-26
Publication date: 2007-09-13

Abstract

【課題】簡便な方法によってコントラスト比を高めた表示装置を提供することを目的とする。またこのような高いコントラスト比を有する表示装置を、低コストで作製することを目的とする。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、前記第１の基板または第２の基板の外側に、積層された偏光子と、を有し、前記積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なる、あるいは消衰係数の波長分布が異なる表示装置に関するものである。
【選択図】図５

Description

本発明は、コントラスト比を高めるための表示装置の構成に関する。

従来のブラウン管と比べて、非常に薄型、軽量化を図った表示装置、いわゆるフラットパネルディスプレイの開発が進められている。フラットパネルディスプレイには、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置、自発光素子を有する表示装置、電子源を利用したＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）等が競合しており、付加価値を高め、他製品と差別化するために低消費電力化、高コントラスト化が求められている。

一般的な液晶表示装置は、互いの基板にそれぞれ１枚の偏光板が設けられており、コントラスト比を維持している。黒表示をより暗くする、すなわち黒輝度を高めることによりコントラスト比を高めることができ、ホームシアターのように暗室で映像を見る場合に、高い表示品質を提供することができる。

例えば、コントラスト比を高めるため、液晶セルの視認側にある基板の外側に第１の偏光板を設け、視認側と反対の基板の外側に第２の偏光板を設け、当基板側に設けられた補助光源からの光を第２の偏光板を通して偏光させて液晶セルを通過させる際、その偏光度を高めるために第３の偏光板を設ける構成が提案されている（特許文献１参照）。その結果、偏光板の偏光度不足および偏光度分布により発生する表示の不均一性とコントラスト比を改善することが可能である。

またコントラスト比は、視野角依存性が発生してしまうことが問題とされている。視野角依存が発生する要因は、液晶分子の長軸方向と短軸方向とで光学異方性があるためである。光学異方性により、液晶表示装置を正面から見たときの液晶分子の見え方と、斜め方向から見たときの見え方が異なってしまう。したがって、白色表示のときの輝度と黒色表示のときの輝度は、視野角によって変わってしまい、コントラスト比に視野角依存性が発生してしまう。

コントラスト比の視野角依存性を改善するために位相差フィルムを挿入する構成が提案されている。例えば垂直配向モード（ＶＡモード）においては、３方向での屈折率が異なる２軸性位相差フィルムを、液晶層を挟むように設置することで、視野角依存性の改善が行われている（非特許文献１参照）。

また、捩れネマティックモード（ＴＮモード）においては、ディスコティック液晶化合物をハイブリット配向させたワイドビュー（ＷＶ）フィルムを積層させたものを用いる構成が提案されている（特許文献５参照）。

また投写型液晶表示装置において、偏光板の劣化という問題を解決するために、２枚以上の直線偏光板をそれぞれの吸収軸が一致した状態で積層して表示品位の低下を少なくする構成が提案されている（特許文献６参照）。

液晶表示装置と同様なフラットパネルディスプレイとして、エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置がある。エレクトロルミネッセンス素子は自発光型の素子であり、バックライト等の光照射手段が不要となるので、表示装置の薄型化を図ることができる。さらにエレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置は、液晶表示装置と比較して、応答速度が速く、視野角依存も少ないといったメリットを有する。

このようなエレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置に対しても、偏光板や円偏光板を設けた構成が提案されている（特許文献２、３参照）。

またエレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置の構成として、透光性基板に挟持された発光素子から発光する光は、陽極基板側の光と、陰極基板側の光の両方を観測することが可能なものが提案されている（特許文献４参照）。

特許文献１のように偏光板を３枚用いることでコントラスト比を向上させる方法は安価な偏光板を利用することで実現できる方法であるが、より高いレベルのコントラスト比の実現は困難である。さらに偏光板を積層していくと、コントラスト比が向上するものの、ごくわずかな光もれを抑制できない。これは、吸収特性の波長依存性が一定ではなく、ある特定の波長領域における吸収特性が他の波長領域の吸収特性に比べて低い、すなわちその波長領域だけ吸収しにくい特性を有していることによる。偏光板を使用する場合は同一種のものを用いるのが一般的であるので、仮に重ねて使用してコントラストの向上を試みても、光を吸収しにくい波長領域がそのまま存在することになる。これがわずかな光漏れの原因となる。この光漏れがさらなるコントラスト比の向上を阻んでいた。
ＯｐｔｉｍｕｍＦｉｌｍＣｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎＭｏｄｅｓｆｏｒＴＮａｎｄＶＡＬＣＤｓＳＩＤ９８ＤＩＧＥＳＴＰ．３１５−３１８国際公開第００／３４８２１号パンフレット特許第２７６１４５３号特許第３１７４３６７号特開平１０−２５５９７６公報特許第３３１５４７６号特開２００３−１７２８１９号公報

しかしながら、コントラスト比を高める要求は留まることなく、表示装置においてコントラスト向上の研究がされている。

例えば、液晶表示装置の黒輝度は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）パネルのような発光素子の非発光状態での黒輝度と比べると高いため、結果的にコントラスト比が低いという問題があり、コントラスト比を向上させる要求は高い。

また、コントラスト比を高める要求は、液晶表示装置に限らず、エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置に対しても求められる。

そこで、本発明は表示装置のコントラスト比を向上することを課題とする。さらに、広視野角な表示装置を提供することを課題とする。

また、このような高性能な表示装置を、低コストで作製することを目的とする。

上記課題を鑑み本発明は、１つの基板上に、複数の直線偏光子を設けることを特徴とする。複数の偏光子は、１つの偏光膜を含む偏光板を積層して形成してもよいし、１つの偏光板の中に複数の偏光膜を積層させて形成してもよい。また複数の偏光膜を含む偏光板を積層させて形成してもよい。

そして１つの基板上に設けられる複数の直線偏光子のそれぞれは、吸収軸の消衰係数を異なることを特徴とする。あるいは、１つの基板上に設けられる複数の直線偏光子のそれぞれは、消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。これにより、各偏光子の吸収特性の波長依存性が一定でなくても、吸収軸の消衰係数が異なる偏光子を重ねることで、吸収する波長領域を広げることができる。すなわち、積層される偏光子の１つが、ある特定の波長領域の光だけ吸収しにくい特性を有していても、別の偏光子がその波長領域の光を吸収することができるので、全体として広範囲の波長領域の光を吸収することができるのである。

なお本明細書では、複数の偏光子を積層したものを積層された偏光子、複数の偏光膜を積層したものを積層された偏光膜、複数の偏光板を積層したものを積層された偏光板と呼ぶ。

上記複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルであるように配置されることを特徴とする。

パラレルニコルとは、偏光子の吸収軸同士のずれが０°となるような配置である。一方クロスニコルとは、偏光子の吸収軸同士が９０°ずれる配置である。なお偏光子の吸収軸と直交するように透過軸が設けられおり、クロスニコルやパラレルニコルは透過軸を用いても同様に規定される。

また積層された複数の直線偏光子は、それぞれ消衰係数が異なるものを用いることを特徴とする。あるいは、積層された複数の直線偏光子は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

また積層された偏光子と基板間には位相差板（位相差フィルム、波長板ともいう）を有してもよい。

なお、偏光板と位相差板とを有するもののうち位相差板に１／４波長板（λ／４板ともいう）を使用したものを円偏光板というので、１／４波長板に積層された偏光板を配置する構成として、円偏光板と偏光板を積層したものを用いてもよい。

１つの基板上に設けられた偏光子と、１／４波長板とは、４５°ずれるように配置する。具体的には、偏光子の吸収軸の角度が０°のとき（透過軸の角度が９０°のとき）、１／４波長板の遅相軸の角度は４５°又は１３５°となるように配置する。

本明細書では、１つの基板上に設けられた偏光子の吸収軸と、１／４波長板の遅相軸とは、４５°ずれるように配置することが好ましいが、同様な効果を発現できるのであれば、４５°から多少ずれていても良い。

本発明は以下の表示装置構成に関するものである。

本発明は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、前記第１の基板または第２の基板の外側に、積層された偏光子と、を有し、前記積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なることを特徴とする表示装置に関するものである。あるいは積層された複数の直線偏光子は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

本発明は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、を有し、前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置に関するものである。あるいは積層された偏光子は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

本発明は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、を有し、前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸とはパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置に関するものである。あるいは積層された偏光子は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

本発明は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、前記第１の基板または第２の基板の外側に、積層された偏光子と、前記第１の基板または第２の基板と、前記積層された偏光子との間に、位相差板と、を有し、前記積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なることを特徴とする表示装置に関するものである。あるいは積層された偏光子は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

本発明は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、前記第１の基板と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子との間に、第１の位相差板と、前記第２の基板と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子との間に、第２の位相差板と、を有し、前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置に関するものである。あるいは積層された偏光子は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

本発明は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、前記第１の基板と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子との間に、第１の位相差板と、前記第２の基板と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子との間に、第２の位相差板と、を有し、前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸とはパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置に関するものである。あるいは積層された偏光子は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

本発明において、前記表示素子は、液晶素子である。

本発明において、前記表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子である。

本発明の表示装置の一は、互いに対向配置された、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、第１の透光性基板、又は第２の透光性基板の外側に積層された偏光板とを有し、積層された偏光板は、互いの吸収軸に対する消衰係数が異なり、積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置される。あるいは積層された偏光板は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

本発明の表示装置の一は、互いに対向配置された、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、第１の透光性基板の外側に第１の積層された偏光板と、第２の透光性基板の外側に第２の積層された偏光板とを有し、第１の積層された偏光板及び第２の積層された偏光板は、それぞれ積層する偏光板同士において互いの吸収軸に対する消衰係数が異なり、第１の積層された偏光板及び第２の積層された偏光板は、それぞれ積層する偏光板同士の互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置される。あるいは積層された偏光板は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

本発明の表示装置の一は、互いに対向配置された、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、第１の透光性基板の外側に第１の位相差板と、第２の透光性基板の外側に第２の位相差板と、第１の位相差板の外側に第１の積層された偏光板と、第２の位相差板の外側に第２の積層された偏光板とを有し、第１の積層された偏光板及び第２の積層された偏光板は、それぞれ積層する偏光板同士において互いの吸収軸に対する消衰係数が異なり、第１の積層された偏光板及び第２の積層された偏光板は、それぞれ積層する偏光板同士において互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置される。あるいは積層された偏光子は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

本発明の一形態は、互いに対向配置された、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、第１の透光性基板、又は第２の透光性基板の外側に積層された偏光板とを有し、積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置である。

本発明の別形態は、互いに対向配置された、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、第１の透光性基板の外側、及び第２の透光性基板の外側に積層された偏光板とをそれぞれ有し、積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、且つ第１の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸と、第２の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置である。

本発明の別形態は、互いに対向配置された、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、第１の透光性基板、又は第２の透光性基板の内側に設けられたカラーフィルタと、第１の透光性基板の外側、及び第２の透光性基板の外側に積層された偏光板とをそれぞれ有し、積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、且つ第１の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸と、第２の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置である。

本発明の別形態は、互いに対向配置された、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、第１の透光性基板の外側、及び第２の透光性基板の外側に積層された偏光板とをそれぞれ有し、積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、且つ第１の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸と、第２の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置され、積層された偏光板同士をパラレルニコルに配置したときの透過率変化は、積層された偏光板同士をクロスニコルに配置したときの透過率変化よりも大きいことを特徴とする表示装置である。

本発明の別形態は、互いに対向配置された、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、第１の透光性基板の外側、及び第２の透光性基板の外側に積層された偏光板とをそれぞれ有し、積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、且つ第１の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸と、第２の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置され、積層された偏光板同士をパラレルニコルに配置したときの透過率と、積層された偏光板同士をクロスニコルに配置したときの透過率との比は、偏光板を単層としてパラレルニコルに配置したときの透過率と、偏光板を単層としてクロスニコルに配置したときの透過率との比よりも高いことを特徴とする表示装置である。

本発明において、積層された偏光板とは、第１の偏光板と、第２の偏光板とが接して設けられている。

本発明において、表示素子は液晶素子である。

本発明の一形態は、第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、当該第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、前記第１の透光性基板の外側、又は第２の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、を有し、前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置である。

本発明の別形態は、第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、当該第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、前記第１の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、前記第２の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、偏光板とを有し、前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置である。

本発明の別形態は、第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、当該第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、前記第１の透光性基板の外側、及び第２の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、をそれぞれ有し、前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、且つ前記第１の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸と、前記第２の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置である。

本発明の別形態は、第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、当該第１の透光性基板及び第２の透光性基板の間に挟持された表示素子と、前記第１の透光性基板、又は前記第２の透光性基板の内側に設けられたカラーフィルターと、前記第１の透光性基板の外側、及び前記第２の透光性基板の外側に順に配置された、位相差フィルムと、積層された偏光板と、をそれぞれ有し、前記積層された偏光板は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、且つ前記第１の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸と、前記第２の透光性基板に設けられた偏光板の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする液晶表示装置である。

本発明において、前記積層された偏光板は、２枚の偏光板からなると好ましい。

本発明において、前記位相差フィルムは、液晶をハイブリット配向させたフィルム、液晶を捻れ配向させたフィルム、１軸性位相差フィルム、又は２軸性位相差フィルムである。

本発明において、前記第１の透光性基板に第１の電極を有し、前記第２の透光性基板に第２の電極を有し、前記表示素子は、前記第１の電極及び前記第２の電極間に電圧が印加されるとき白色表示を行い、前記第１の電極及び前記第２の電極間に電圧が印加されないとき黒色表示を行う液晶素子である。

本発明において、前記第１の透光性基板に第１の電極を有し、前記第２の透光性基板に第２の電極を有し、前記表示素子は、前記第１の電極及び前記第２の電極間に電圧が印加されないとき白色表示を行い、前記第１の電極及び前記第２の電極間に電圧が印加されるとき黒色表示を行う液晶素子である。

本発明は、第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の基板と、前記第１と第２の基板間に設けられた液晶と、前記第１の基板と第２の一方に設けられた反射材料と、前記第１の基板と第２の基板の他方の外側に配置された、位相差板並びに積層された直線偏光板を有する円偏光板を有することを特徴とする反射型液晶表示装置に関するものである。

本発明において、前記積層された直線偏光板の透過軸は、すべてパラレルニコルとなるように配置されるものである。

本発明において、前記位相差板は、１軸性位相差板又は２軸性位相差板である。

本発明の表示装置の一は、第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、前記第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板と、を有する構成とする。

また別の本発明の表示装置の一は、第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、前記第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板と、を有し、前記積層された第１の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、前記積層された第２の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置された構成とする。

また、別の本発明の表示装置の一は、第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、前記第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板と、を有し、前記積層された第１の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、前記積層された第２の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、前記積層された第１の直線偏光板の透過軸と、前記積層された第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置された構成とする。

第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、前記第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、前記第２の透光性基板の外側に配置された、第２の直線偏光板と、を有し、前記積層された第１の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、前記積層された第１の直線偏光板の透過軸と、前記第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置された構成とする。

また本発明の構成においては、前記積層された偏光板とは、前記偏光板同士が接して設けられている構成であってもよい。

第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板を有する第１の円偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板を有する第２の円偏光板と、を有することを特徴とする表示装置である。

第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板を有する第１の円偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板を有する第２の円偏光板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第２の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、積層された第２の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置である。

第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板と、第１の透光性基板と、第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、第２の透光性基板と、第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第２の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、積層された第２の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第１の位相差板の遅相軸が４５°ずれるように配置され、第２の直線偏光板の透過軸に対し、第２の位相差板の遅相軸が４５°ずれるように配置されたことを特徴とする表示装置である。

第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、第２の直線偏光板と、第１の透光性基板と、第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、第２の透光性基板と、第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、第２の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第１の位相差板の遅相軸が４５°ずれるように配置され、第２の直線偏光板の透過軸に対し、第２の位相差板の遅相軸が４５°ずれるように配置されたことを特徴とする表示装置である。

第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板を有する第１の円偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板を有する第２の円偏光板と、積層された第１の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第２の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、積層された第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置である。

第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、積層された第２の直線偏光板と、第１の透光性基板と、第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、第２の透光性基板と、第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第２の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、積層された第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第１の位相差板の遅相軸とは４５°ずれるように配置され、第２の直線偏光板の透過軸に対し、第２の位相差板の遅相軸とは４５°ずれるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第２の直線偏光板の透過軸は９０°ずれるように配置されたことを特徴とする表示装置である。

第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、該対向配置された基板間に設けられ、第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光した光を放射可能な発光素子と、第１の透光性基板の外側に配置された、積層された第１の直線偏光板と、第２の透光性基板の外側に配置された、第２の直線偏光板と、第１の透光性基板と、第１の直線偏光板との間に設けられた第１の位相差板と、第２の透光性基板と、第２の直線偏光板との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、積層された第１の直線偏光板の透過軸はすべてパラレルニコルとなるように配置され、積層された第１の直線偏光板の透過軸と、第２の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第１の位相差板の遅相軸とは４５°ずれるように配置され、第２の直線偏光板の透過軸に対し、第２の位相差板の遅相軸とは４５°ずれるように配置され、第１の直線偏光板の透過軸に対し、第２の直線偏光板の透過軸は９０°ずれるように配置されたことを特徴とする表示装置である。

本発明は、第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の基板と、前記第１と第２の基板間に設けられた発光素子と、前記第１の基板と第２の基板の一方の外側に配置された、位相差板並びに積層された直線偏光板を有する円偏光板と、を有し、前記発光素子からの光は、前記第１の基板と第２の基板の一方から放射されることを特徴とする表示装置に関するものである。

本発明において、前記直線偏光板の透過軸に対し、前記位相差板の遅相軸が４５°ずれるように配置されるものである。

本発明において、前記発光素子は、一対の電極の電極の間に形成された電界発光層とを有し、前記一対の電極の一方は反射性を有し、前記一対の電極の他方は透光性を有するものである。

本発明において、前記位相差板並びに積層された直線偏光板は、透光性を有する電極側の基板の外側に配置されている。

なおクロスニコルとは、偏光板の透過軸同士が９０°ずれる配置である。パラレルニコルは、偏光板の透過軸同士のずれが０°となるような配置である。また偏光板の透過軸と直交するように吸収軸が設けられおり、パラレルニコルは吸収軸を用いても同様に規定される。

本明細書では、パラレルニコルでは、偏光子の吸収軸同士のずれが０°もしくは０°±１０°となるように配置されることが好ましいが、同様な効果を発現できるのであれば、その角度から多少ずれていても良い。またクロスニコルでは、偏光子の吸収軸同士が９０°もしくは±１０°ずれる配置であることが好ましいが、上記の角度を前提とするが、同様な効果を発現できるのであれば、その角度から多少ずれていても良い。

本発明において、表示素子は発光素子である。発光素子としてエレクトロルミネッセンスを利用した素子（エレクトロルミネッセンス素子）、プラズマを利用した素子や電界放出を利用した素子がある。エレクトロルミネッセンス素子（本明細書では「ＥＬ素子」ともいう）は適用する材料により、有機ＥＬ素子、又は無機ＥＬ素子と区別されうる。このような発光素子を有する表示装置を発光装置とも記す。

なお本発明において、積層された偏光子それぞれの消衰係数は異なる。あるいは積層された偏光子は、それぞれ消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

なお本発明は、スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置についても、スイッチング素子を形成しないパッシブマトリクス型表示装置についても応用が可能である。

複数の偏光子を設けるといった簡便な構造により、表示装置のコントラスト比を高めることができる。なお１つの基板に設けられた複数の偏光子のそれぞれの吸収軸の消衰係数が異なることにより、吸収特性の波長依存性を一定にでき、わずかな光漏れを抑制することにより、表示装置のコントラスト比をより高めることができる。

また複数の偏光子の吸収軸同士がパラレルニコルとなるように積層することにより、黒表示を暗くでき、すなわち黒輝度を高めることができ、表示装置のコントラスト比を高めることができる。

また本発明により、表示装置のコントラスト比を高めると同時に、位相差板によって、視野角を向上させることができ、広視野角な表示装置を提供することできる。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

［実施の形態１］
本実施の形態では、本発明の表示装置の概念について、図１（Ａ）〜図１（Ｂ）を用いて説明する。

図１（Ａ）には、積層された偏光子を設けた表示装置の断面図、図１（Ｂ）には表示装置の斜視図を示す。

図１（Ａ）に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板１０１及び第２の基板１０２に、表示素子１００が挟持されている。

第１の基板１０１及び第２の基板１０２として、透光性基板を用いることができる。このような透光性基板には、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また透光性基板には、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。

基板１０１の外側、つまり表示素子１００と接しない側には、積層された偏光子が設けられている。第１の基板１０１の外側には、第１の偏光子１０３、第２の偏光子１０４が設けられている。

次に図１（Ｂ）に示す斜視図をみると、第１の偏光子１０３の吸収軸１５１と、第２の偏光子１０４の吸収軸１５２とは平行となるように積層されている。この平行状態を、パラレルニコルと呼ぶ。

このように積層された偏光子は、パラレルニコルとなるように配置される。

なお、偏光子の特性上、吸収軸と直交方向には透過軸がある。そのため、透過軸同士が平行となる場合もパラレルニコルと呼ぶことができる。

また第１の偏光子１０３及び第２の偏光子１０４の消衰係数は異なるものである。ただし、本明細書において、偏光子の吸収軸の消衰係数の範囲は、３．０×１０^−４〜３．０×１０^−２であるものである。第１の偏光子１０３の消衰係数と、第２の偏光子１０４の消衰係数は、この範囲内で異なっていればよい。あるいは第１の偏光子１０３及び第２の偏光子１０４の消衰係数の消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。また以下の実施の形態及び実施例についても同様である。

また図１（Ａ）〜図１（Ｂ）では偏光子を２層積層した例を示しているが、３層以上積層しても構わない。

このように積層された偏光子同士の吸収軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、黒表示を暗くでき、すなわち黒輝度を高めることができ、このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。

なお、本実施の形態は、必要であれば本明細書中の他の実施の形態及び実施例と自由に組み合わせて実施することが可能である。

［実施の形態２］
本実施の形態では、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）を用いて、積層された偏光子の構造について説明する。

図２（Ａ）では、積層された偏光子の例として、１つの偏光膜を有する偏光板を積層する例を示している。

図２（Ａ）において、偏光板１１３及び偏光板１１４は、それぞれ直線偏光板であり、公知の材料を用いて以下の構成で形成することができる。例えば基板１１１側から接着層１３１と、保護膜１３２、偏光膜１３３、保護膜１３２が順に積層された構成を有する偏光板１１３と、接着層１３５と、偏光板１１３と同様に、保護膜１３６、偏光膜１３７、保護膜１３６を有する偏光板１１４を用いることができる（図２（Ａ）参照）。保護膜１３２及び１３６としては、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）等を用いることができる。また偏光膜１３３及び偏光膜１３７としては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）と二色性色素の混合層が形成される。二色性色素は、ヨウ素と二色性有機染料がある。また偏光板とは、その形状から偏光フィルムと呼ぶこともある。また偏光板１１３と偏光板１１４は上下の位置を逆にしてもよい。また保護膜１３６の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

また図２（Ｂ）には、積層された偏光子の例として、１つの偏光板に複数の偏光膜を積層する例を示す。図２（Ｂ）では、基板１１１側から接着層１４０と、保護膜１４２、偏光膜（Ａ）１４３、偏光膜（Ｂ）１４４、保護膜１４２を有する偏光板１４５が積層されている。また偏光膜１４３と偏光膜１４４は上下の位置を逆にしてもよい。また保護膜１４２の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

さらに図２（Ｃ）では、１つの偏光板に複数の偏光膜を積層する別の例を示す。図２（Ｃ）では、基板１１１側から接着層１４１と、保護膜１４６、偏光膜（Ａ）１４７、保護膜１４６、偏光膜（Ｂ）１４８、保護膜１４６を積層した偏光板１４９を示す。すなわち、図２（Ｃ）の構成は偏光膜と偏光膜との間に保護膜を設けた構成である。また偏光膜１４７と偏光膜１４８は上下の位置を逆にしてもよい。また保護膜１４６の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

保護膜１４２及び１４６は保護膜１３２と同様の材料を用いればよく、また偏光膜（Ａ）１４３、偏光膜（Ｂ）１４４、偏光膜（Ａ）１４７、偏光膜（Ｂ）１４８はそれぞれ、偏光膜１３３あるいは偏光膜１３７と同様の材料を用いて形成すればよい。

図２（Ａ）〜図２（Ｃ）において、２つの偏光子を積層する例を示したが、偏光子の数は２つに限定されないのはもちろんである。３つ以上の偏光子を積層する場合は、図２（Ａ）の構成であれば、偏光板を３枚以上積層すればよい。図２（Ｂ）の構成であれば、保護膜１４２の間に設けられる偏光膜の数を増やせばよい。また図２（Ｃ）であれば、保護膜１４６、偏光膜（Ａ）１４７、保護膜１４６、偏光膜（Ｂ）１４８、保護膜１４６、偏光膜（Ｃ）、保護膜１４６、…、というように、偏光膜とその上に設けられる保護膜を重ねてゆけばよい。

また、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示す積層構成を組み合わせてもよい。すなわち、例えば図２（Ａ）に示す偏光膜１３３を含む偏光板１１３と、図２（Ｂ）に示す偏光膜１４３及び偏光膜１４４を含む偏光板１４５を組み合わせて、偏光子を３つ積層した構成にしてもよい。このような積層された偏光子の構成は、必要に応じて適宜図２（Ａ）〜図２（Ｃ）を組み合わせて形成すればよい。

さらに、偏光子を積層するために、図２（Ｂ）における偏光板１４５をさらに複数積層してもよい。同様に、図２（Ｃ）における偏光板１４９を複数積層した構成にしてもよい。

偏光子の吸収軸がパラレルニコルに配置されているというのは、図２（Ａ）であれば、偏光板１１３と偏光板１１４の吸収軸が互いにパラレルニコルということであり、すなわち、偏光膜１３３と偏光膜１３７の吸収軸が互いにパラレルニコルであるということである。図２（Ｂ）においては、偏光膜１４３及び偏光膜１４４の吸収軸が互いにパラレルニコルに配置される。また図２（Ｃ）においては、偏光膜１４７と偏光膜１４８の吸収軸がパラレルニコルに配置されるということである。
なお偏光膜及び偏光板の数が増えても、それぞれの吸収軸を互いにパラレルニコルとなるように配置する。

図２（Ａ）〜図２（Ｃ）において、２つの偏光子を積層する例を示したが、３つ偏光子を積層する例を図５９（Ａ）〜図５９（Ｂ）に示す。

図５９（Ａ）に、図２（Ａ）の偏光膜１３３を含む偏光板１１３と、図２（Ｂ）の偏光膜１４３及び偏光膜１４４を含む偏光板１４５を積層した例を示す。なお偏光板１１３と偏光板１４５は上下逆でもよい。また保護膜１４２の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図５９（Ｂ）に、図２（Ａ）の偏光膜１３３を含む偏光板１１３と、図２（Ｃ）の偏光膜１４７及び偏光膜１４８を含む偏光板１４９を積層した例を示す。なお偏光板１１３と偏光板１４９は上下逆でもよい。また保護膜１４６の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図６０（Ａ）〜図６０（Ｃ）、図６１（Ａ）〜図６１（Ｂ）、図６２（Ａ）〜図６２（Ｂ）には、４つの偏光子を積層する例を示す。

図６０（Ａ）は、図２（Ｃ）の偏光膜１４７及び偏光膜１４８を含む偏光板１４９と、図２（Ｂ）の偏光膜１４３と偏光膜１４４を含む偏光板１４５を積層した例である。なお偏光板１４９と偏光板１４５は上下逆でもよい。また保護膜１４２の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図６０（Ｂ）は、図２（Ａ）の偏光膜１３３を含む偏光板１１３及び偏光膜１３７を含む偏光板１１４と、図２（Ｂ）の偏光膜１４３と偏光膜１４４を含む偏光板１４５を積層した例である。なお、偏光板１１３、偏光板１１４、偏光板１４５の上下の順はこの通りでなくてもよい。また保護膜１４６の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図６０（Ｃ）は、図２（Ａ）の偏光膜１３３を含む偏光板１１３及び偏光膜１３７を含む偏光板１１４と、図２（Ｃ）の偏光膜１４７と偏光膜１４８を含む偏光板１４９を積層した例である。なお、偏光板１１３、偏光板１１４、偏光板１４９の上下の順はこの通りでなくてもよい。また保護膜１４６の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図６１（Ａ）は、図２（Ａ）の偏光膜１３３を含む偏光板１１３と、図２（Ｂ）の偏光膜を三層にした、偏光膜１４３、偏光膜１４４及び偏光膜１５８を有する偏光板１５９を積層した例である。なお偏光板１１３と偏光板１５９は上下逆でもよい。また保護膜１４２の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図６１（Ｂ）は、図２（Ａ）の偏光膜１３３を含む偏光板１１３と、図２（Ｃ）の偏光膜を三層にした、偏光膜１４７、偏光膜１４８及び偏光膜１６８を含む偏光板１６９を積層した例である。なお偏光板１１３と偏光板１６９は上下逆でもよい。また保護膜１４６の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図６２（Ａ）は、図２（Ｂ）の偏光膜１４３及び偏光膜１４４を含む偏光板１４５と、図２（Ｂ）と同じ構造である偏光膜２１５及び偏光膜２１６を有する偏光板２１７を積層した例である。また保護膜１４２の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図６２（Ｂ）は、図２（Ｃ）の偏光膜１４７及び偏光膜１４８を含む偏光板１４９と、図２（Ｃ）と同じ構造である偏光膜２２５及び偏光膜２２６を含む偏光板２２７を積層した例である。また保護膜１４２の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

なお、図５９〜図６２において、必要であれば基板１１１と偏光子との間に位相差板を設ける。

図６３（Ａ）〜図６３（Ｂ）及び図６４では、基板１１１及び基板１１２の間に表示素子を有する層１７６が挟持されており、表示素子を有する層１７６の上下で積層する偏光子の構成を異ならせた例を示す。なお図面の簡略化のために位相差板は図示しないが、必要であれば基板と偏光子との間に位相差板を設けてもよい。

また図６３（Ａ）〜図６３（Ｂ）及び図６４では、基板１１１及び基板１１２に設けられる偏光子の数は、それぞれ２つであるが、もちろん３つ以上でもよい。３つ以上の場合、図５９〜図６２に示す構成を援用してもよい。

図６３（Ａ）では、基板１１１側に、図２（Ａ）の偏光膜１３３を含む偏光板１１３、及び、偏光膜１３７を含む偏光板１１４を積層する。基板１１２側には、図２（Ｂ）の偏光膜１４３及び偏光膜１４４を含む偏光板１４５を設ける。なお、表示装置に上下の順がある場合、偏光板１１３及び偏光板１１４と偏光板１４５を上下逆に設けてもよい。また保護膜１３６及び１４２の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図６３（Ｂ）では、基板１１１側に、図２（Ａ）の偏光膜１３３を含む偏光板１１３、及び、偏光膜１３７を含む偏光板１１４を積層する。基板１１２側には、図２（Ｃ）の偏光膜１４７及び偏光膜１４８を含む偏光板１４９を設ける。なお、表示装置に上下の順がある場合、偏光板１１３及び偏光板１１４と偏光板１４９を上下逆に設けてもよい。また保護膜１３６及び１４６の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

図６４には、基板１１１側に、図２（Ｃ）の偏光膜１４７及び偏光膜１４８を含む偏光板１４９を設ける。また基板１１２側には、偏光膜１４３及び偏光膜１４４を含む偏光板１４５を設ける。なお、表示装置に上下の順がある場合、偏光板１４９と偏光板１４５を上下逆に設けてもよい。また保護膜１４６及び１４２の表面に、アンチグレア処理やアンチリフレクション処理を行ってもよい。

本実施の形態は、実施の形態１に援用できるのは言うまでもなく、本明細書の他の実施の形態、実施例についても、本実施の形態を応用することは可能である。

［実施の形態３］

本実施の形態では、本発明の表示装置の概念について、図３（Ａ）〜図３（Ｂ）を用いて説明する。

図３（Ａ）には、位相差板と積層された偏光子を設けた表示装置の断面図、図３（Ｂ）には表示装置の斜視図を示す。

図３（Ａ）に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板２０１及び第２の基板２０２に、表示素子２００が挟持されている。

第１の基板２０１及び第２の基板２０２として、透光性基板を用いることができる。このような透光性基板には、実施の形態１で述べた基板１０１と同様の材料を用いればよい。

第１の基板２０１の外側、つまり第１の基板２０１の表示素子２００と接しない側には、位相差板２１１、積層された偏光子である偏光子２０３及び偏光子２０４が設けられている。光は、偏光子により直線偏光され、位相差板（位相差フィルム、波長板ともいう）により円偏光される。すなわち、積層された偏光子は、積層された直線偏光子と記すことができる。積層された偏光子は、２つ以上の偏光子が積層された状態を指す。この偏光子の積層の構成は、実施の形態２を援用することができる。

また図３（Ａ）〜図３（Ｂ）では偏光子を２層積層した例を示しているが、３層以上積層しても構わない。

また第１の偏光子２０３及び第２の偏光子２０４の消衰係数は異なるものである。あるいは第１の偏光子２０３及び第２の偏光子２０４の消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

第１の基板２０１の外側には、順に位相差板２１１、第１の偏光子２０３、第２の偏光子２０４が設けられている。本実施の形態では、位相差板２１１として１／４波長板を用いてもよい。

本明細書では、このように位相差板と積層された偏光子とを合わせて、積層された偏光子（直線偏光子）を有する円偏光板とも記す。

第１の偏光子２０３の吸収軸２２１と、第２の偏光子２０４の吸収軸２２２とは平行になるように配置される。すなわち第１の偏光子２０３と、第２の偏光子２０４、つまり積層された偏光子はパラレルニコルとなるように配置される。

また位相差板２１１の遅相軸２２３は、第１の偏光子２０３の吸収軸２２１及び第２の偏光子２０４の吸収軸２２２と４５°ずれるように配置される。

図４には、吸収軸２２１と遅相軸２２３のずれ角を示す。遅相軸２２３が１３５°をなし、吸収軸２２１は９０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。

また位相差板の特性上、遅相軸と直交方向には進相軸がある。そのため、偏光板との配置は、遅相軸だけではなく進相軸を用いて決定することができる。本実施の形態では、吸収軸と遅相軸が４５°ずれるように配置するため、言い換えると、吸収軸と進相軸とが１３５°ずれるように配置することとなる。

本明細書では、吸収軸と遅相軸のずれに付いて述べるときは、上記の角度を前提とするが、同様な効果を発現できるのであれば、その角度から多少ずれていても良い。

位相差板２１１としては、液晶をハイブリット配向させたフィルム、液晶を捻れ配向させたフィルム、１軸性位相差フィルム、又は２軸性位相差フィルムが挙げられる。このような位相差板によって表示装置の広視野角化を図ることができる。

１軸性位相差フィルムは、樹脂を一方向に延伸させて形成される。また２軸性位相差フィルムは、樹脂を横方向に１軸延伸させた後、縦方向に弱く１軸延伸させて形成される。ここで用いられる樹脂にはシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等が挙げられる。

なお液晶をハイブリット配向させたフィルムは、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムを支持体としディスコティック液晶またはネマティック液晶をハイブリット配向させて形成させたフィルムである。位相差板は、偏光板と貼り合わせた状態で、基板に貼り付けることができる。

このように積層された偏光板同士の透過軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、偏光板が単数のときと比べて、外光からの反射光を低減することができる。このため黒表示を暗くでき、すなわち黒輝度を高めることができ、表示装置のコントラスト比を高めることができる。

さらに本実施の形態では、位相差板として１／４波長板を用いているため、反射光の写り込みを抑制できる。

［実施の形態４］
本実施の形態では、本発明の表示装置の概念について説明する。

図５（Ａ）には、積層構造を有する偏光子を設けた表示装置の断面図、図５（Ｂ）には表示装置の斜視図を示す。本実施の形態では、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置を例にして説明する。

図５（Ａ）に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板３０１及び第２の基板３０２に、液晶素子を有する層３００が挟持されている。基板３０１及び３０２は、透光性を有する絶縁基板（以下、透光性基板とも記す）とする。例えば、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。

基板３０１及び３０２それぞれの外側、つまり液晶素子を有する層３００と接しない側には、積層された偏光子が設けられている。なお本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）に示される１つの偏光膜を有する偏光板を積層する構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）や図２（Ｃ）に示される構成を用いてもよいのは言うまでもない。

第１の基板３０１側には、第１の偏光板３０３、第２の偏光板３０４が設けられ、第２の基板３０２側には、第３の偏光板３０５、第４の偏光板３０６が設けられている。

これら偏光板３０３〜３０６は、公知の材料から形成することができ、例えば基板側から接着面、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）と二色性色素の混合層、ＴＡＣが順に積層された構成を用いることができる。二色性色素は、ヨウ素と二色性有機染料がある。また偏光板とは、その形状から偏光フィルムと呼ぶこともある。

また第１の偏光板３０３と第２の偏光板３０４の消衰係数は異なるものであり、第３の偏光板３０５と第４の偏光板３０６は消衰係数は異なるものである。あるいは第１の偏光板３０３と第２の偏光板３０４の消衰係数の波長分布を異ならせてもよく、第３の偏光板３０５と第４の偏光板３０６の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図５（Ａ）〜図５（Ｂ）では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

図５（Ｂ）に示すように、第１の偏光板３０３の吸収軸３２１と、第２の偏光板３０４の吸収軸３２２とを平行となるように積層する。この平行状態を、パラレルニコルと呼ぶ。同様に、第３の偏光板３０５の吸収軸３２３と、第４の偏光板３０６の吸収軸３２４とを平行となるように、つまりパラレルニコルとなるように積層する。このような積層された偏光板同士は、吸収軸が直交をなすように配置する。この直交状態を、クロスニコルと呼ぶ。

なお、偏光板の特性上、吸収軸と直交方向には透過軸がある。そのため、透過軸同士が平行となる場合もパラレルニコルと呼ぶことができる。また、透過軸同士が直交となる場合もクロスニコルと呼ぶことができる。

このように偏光板同士の吸収軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。そして、積層された偏光板同士をクロスニコルとなるように配置することにより、偏光板単層同士のクロスニコルに配置した場合と比べて光漏れを低減できる。このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。

［実施の形態５］
本実施の形態では、実施の形態４で述べた液晶表示装置の具体的な構成について説明する。

図６には、積層構造を有する偏光板を設けた液晶表示装置の断面図を示す。

図６に示す液晶表示装置は、画素部４０５、及び駆動回路部４０８を有する。画素部４０５、及び駆動回路部４０８において、基板５０１上に、下地膜５０２が設けられている。基板５０１には、実施の形態１〜実施の形態４と同様の絶縁基板を適用することができる。また一般的に合成樹脂からなる基板は、他の基板と比較して耐熱温度が低いことが懸念されるが、耐熱性の高い基板を用いた作製工程の後、転置することによっても採用することが可能となる。

画素部４０５には、下地膜５０２を介してスイッチング素子となるトランジスタが設けられている。本実施の形態では、トランジスタに薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ））を用い、これをスイッチングＴＦＴ５０３と呼ぶ。

ＴＦＴは、多くの方法で作製することができる。例えば、活性層として、結晶性半導体膜を適用する。結晶性半導体膜上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられる。ゲート電極を用いて活性層へ不純物元素を添加することができる。このようにゲート電極を用いた不純物元素の添加により、不純物元素添加のためのマスクを形成する必要はない。ゲート電極は、単層構造、又は積層構造を有することができる。不純物領域は、その濃度を制御することにより高濃度不純物領域及び低濃度不純物領域とすることができる。このように低濃度不純物領域を有するＴＦＴを、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｄｏｐｅｄｄｒａｉｎ）構造と呼ぶ。また低濃度不純物領域は、ゲート電極と重なるように形成することができ、このようなＴＦＴを、ＧＯＬＤ（ＧａｔｅＯｖｅｒｌａｐｅｄＬＤＤ）構造と呼ぶ。

なおＴＦＴはトップゲート型ＴＦＴであってもボトムゲート型ＴＦＴであってもよく、必要に応じて作製すればよい。

図６においては、ＧＯＬＤ構造を有するスイッチングＴＦＴ５０３を示す。またスイッチングＴＦＴ５０３の極性は、不純物領域にリン（Ｐ）等を用いることによりｎ型とする。ｐ型とする場合は、ボロン（Ｂ）等を添加すればよい。その後、ゲート電極等を覆う保護膜を形成する。保護膜に混入された水素元素により、結晶性半導体膜のダングリングボンドを終端することができる。

さらに平坦性を高めるため、層間絶縁膜５０５を形成してもよい。層間絶縁膜５０５には、有機材料、又は無機材料、若しくはそれらの積層構造を用いることができる。そして、層間絶縁膜５０５、保護膜、ゲート絶縁膜に開口部を形成し、不純物領域と接続された配線を形成する。このようにして、スイッチングＴＦＴ５０３を形成することができる。なお本発明は、スイッチングＴＦＴ５０３の構成に限定されるものではない。

そして、配線に接続された画素電極５０６を形成する。

またスイッチングＴＦＴ５０３と同時に、容量素子５０４を形成することができる。本実施の形態では、ゲート電極と同時に形成された導電膜、保護膜及び層間絶縁膜５０５、画素電極５０６の積層体により、容量素子５０４を形成する。

また結晶性半導体膜を用いることにより、画素部４０５と駆動回路部４０８を同一基板上に一体形成することができる。その場合、画素部のトランジスタと、駆動回路部４０８のトランジスタとは同時に形成される。駆動回路部４０８に用いるトランジスタは、ＣＭＯＳ回路を構成するため、ＣＭＯＳ回路５５４と呼ぶ。ＣＭＯＳ回路５５４を構成するＴＦＴは、スイッチングＴＦＴ５０３と同様の構成とすることができる。またＧＯＬＤ構造に変えて、ＬＤＤ構造を用いることができ、必ずしも同様の構成とする必要はない。

画素電極５０６を覆うように配向膜５０８を形成する。配向膜５０８にはラビング処理を施す。このラビング処理は液晶のモード、例えばＶＡモードのときには処理を行わないときがある。

次に対向基板５２０を用意する。対向基板５２０の内側、つまり液晶に接する側には、カラーフィルタ５２２、及びブラックマトリクス（ＢＭ）５２４を設けることができる。これらは公知の方法で作製することができるが、所定の材料が滴下される液滴吐出法（代表的にはインクジェット法）により形成すると、材料の無駄をなくすことができる。カラーフィルタ等は、スイッチングＴＦＴ５０３が配置されない領域に設ける。すなわち、光の透過領域、つまり開口領域と対向するようにカラーフィルタを設ける。なお、カラーフィルタ等は、液晶表示装置をフルカラー表示とする場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を呈する材料から形成すればよく、モノカラー表示とする場合、少なくとも一つの色を呈する材料から形成すればよい。

なお、バックライトにＲＧＢのダイオード（ＬＥＤ）等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法（フィールドシーケンシャル法）を採用するときには、カラーフィルタを設けない場合がある。

ブラックマトリクス５２４は、スイッチングＴＦＴ５０３やＣＭＯＳ回路５５４の配線による外光の反射を低減するためにも設けられている。そのためスイッチングＴＦＴ５０３やＣＭＯＳ回路５５４と重なるように設ける。なお、ブラックマトリクス５２４は、容量素子５０４に重なるように形成してもよい。容量素子５０４を構成する金属膜による反射を防止することができるからである。

そして、対向電極５２３、配向膜５２６を設ける。配向膜５２６にはラビング処理を施す。このラビング処理は液晶のモード、例えばＶＡモードのときには処理を行わないときがある。

なおＴＦＴが有する配線、ゲート電極、画素電極５０６、対向電極５２３は、インジウム錫酸化物（（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ（ＩＺＯ））、酸化インジウムに酸化珪素（ＳｉＯ_２）を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物から選ぶことができる。

このような対向基板５２０を、封止材５２８を用いて、基板５０１に貼り合わせる。封止材５２８は、ディスペンサ等を用いて、基板５０１上または対向基板５２０上に描画することができる。また基板５０１と、対向基板５２０との間隔を保持するため、画素部４０５、駆動回路部４０８の一部にスペーサ５２５を設ける。スペーサ５２５は、柱状、又は球状といった形状を有する。

このように貼り合わされた基板５０１及び対向基板５２０間に、液晶５１１を注入する。液晶を注入する場合、真空中で行うとよい。また液晶５１１は、注入法以外の方法により形成することができる。例えば、液晶５１１を滴下し、その後対向基板５２０を貼り合わせてもよい。このような滴下法は、注入法を適用しづらい大型基板を扱うときに適用するとよい。

液晶５１１は、液晶分子を有しており、液晶分子の傾きを画素電極５０６、及び対向電極５２３により制御する。具体的には、画素電極５０６と、対向電極５２３とに印加される電圧により制御する。このような制御は、駆動回路部４０８に設けられた制御回路を用いる。なお制御回路は、必ずしも基板５０１上に形成される必要はなく、接続端子５１０を介して接続された回路を用いてもよい。このとき、接続端子５１０と接続するために、導電性微粒子を有する異方性導電膜を用いることができる。また接続端子５１０の一部には、対向電極５２３が導通しており、対向電極５２３の電位をコモン電位とすることができる。例えば、バンプ５３７を用いて導通をとることができる。

次いで、バックライトユニット５５２の構成について説明する。バックライトユニット５５２は、光を発する光源５３１として冷陰極管、熱陰極管、ダイオード、無機ＥＬ、有機ＥＬが、光を効率よく導光板５３５に導くためのランプリフレクタ５３２、光が全反射しながら全面に光を導くための導光板５３５、明度のムラを低減するための拡散板５３６、導光板５３５の下に漏れた光を再利用するための反射板５３４を有するように構成されている。

バックライトユニット５５２には、光源５３１の輝度を調整するための制御回路が接続されている。制御回路からの信号供給により、光源５３１の輝度を制御することができる。

また、本実施の形態では、偏光子として図２（Ａ）に示す偏光板を積層した構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示す積層された偏光子を用いてもよい。図６に示すように基板５０１とバックライトユニット５５２の間には積層された偏光板５１６が設けられ、対向基板５２０にも積層された偏光板５２１が設けられている。

すなわち、基板５０１には、基板側から順に、積層された偏光板５１６として偏光板５４３及び偏光板５４４を積層したものが設けられている。このとき積層された偏光板５４３及び５４４は、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。

また、対向基板５２０には、基板側から順に、積層された偏光板５２１として偏光板５４１及び偏光板５４２を積層したものが設けられている。このとき積層された偏光板５４１及び５４２は、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。

さらに積層された偏光板５１６及び５２１は、互いにクロスニコル状態になるように配置される。

また偏光板５４１と偏光板５４２の消衰係数は異なるものであり、偏光板５４３と偏光板５４４の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板５４１と偏光板５４２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい、偏光板５４３と偏光板５４４の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図６では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

このような液晶表示装置に対して、積層された偏光板を設けたことにより、コントラスト比を高めることができる。消衰係数が異なる偏光板を用いることにより、あるいは、消衰係数の波長分布が異なる偏光板を用いることにより、より広い範囲の波長範囲の光を吸収することができ、よりコントラスト比を高めることができる点で好ましい。

［実施の形態６］
本実施の形態では、積層構造を有する偏光子を有するが、実施の形態５と異なり、非晶質半導体膜を有するＴＦＴを用いた液晶表示装置について説明する。

なお実施の形態５と同じものは同じ符号で示し、特に記載のないものは実施の形態５を援用する。

図７には、スイッチング用素子に非晶質半導体膜を用いたトランジスタ（以下、非晶質ＴＦＴと呼ぶ）液晶表示装置の構成について説明する。画素部４０５には、非晶質ＴＦＴからなるスイッチングＴＦＴ５３３が設けられている。非晶質ＴＦＴは、公知の方法により形成することができるが、例えばチャネルエッチ型の場合、下地膜５０２上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜、ｎ型半導体膜、非晶質半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を形成する。ソース電極及びドレイン電極を用いて、ｎ型半導体膜に開口部を形成する。このとき、非晶質半導体膜の一部も除去されるため、チャネルエッチ型と呼ぶ。その後、保護膜５０７を形成して、非晶質ＴＦＴを形成することができる。また非晶質ＴＦＴは、チャネル保護型もあり、ソース電極及びドレイン電極を用いて、ｎ型半導体膜に開口部を形成するとき、非晶質半導体膜が除去されないように保護膜を設ける。その他の構成は、チャネルエッチ型と同様とすることができる。

そして、図６と同様に配向膜５０８を形成し、ラビング処理を施す。このラビング処理は液晶のモード、例えばＶＡモードのときには処理を行わないときがある。

また図６と同様に対向基板５２０を用意し、封止材５２８により貼り合わせる。これらの間に、液晶５１１を封入することにより液晶表示装置を形成することができる。

また図６と同様に、本実施の形態では、偏光子として図２（Ａ）に示す偏光板を積層した構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示す積層された偏光子を用いてもよい。図６に示すように基板５０１とバックライトユニット５５２の間には積層された偏光板５１６が設けられ、対向基板５２０にも積層された偏光板５２１が設けられている。

また偏光板５４１と偏光板５４２の消衰係数は異なるものであり、偏光板５４３と偏光板５４４の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板５４１と偏光板５４２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよく、偏光板５４３と偏光板５４４の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図７では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

このようにスイッチングＴＦＴ５３３として非晶質ＴＦＴを用いて、液晶表示装置を形成する場合、動作性能を考慮して、駆動回路部４０８には、シリコンウェハから形成されるＩＣ４２１をドライバとして実装することができる。例えば、ＩＣ４２１が有する配線と、スイッチングＴＦＴ５３３に接続される配線とを、導電性微粒子４２２を有する異方性導電体を用いて、接続することにより、スイッチングＴＦＴ５３３を制御する信号を供給することができる。なおＩＣ４２１の実装方法はこれに限定されず、ワイヤボンディング法により実装することもできる。

またさらに、接続端子５１０を介して、制御回路と接続することができる。このとき、接続端子５１０と接続するために、導電性微粒子４２２を有する異方性導電膜を用いることができる。

その他の構成は、図６と同様であるため、説明を省略する。

このような液晶表示装置に対して、積層された偏光板を設けたことにより、コントラスト比を高めることができる。また本発明において複数の偏光板は、積層構造を有する偏光板とすることができ、消衰係数が異なる偏光板を用いることにより、あるいは消衰係数の波長分布が異なる偏光板を用いることにより、より広い範囲の波長範囲の光を吸収することができ、よりコントラスト比を高めることができる点で好ましい。

［実施の形態７］
本実施の形態では、本発明の表示装置の概念について説明する。

図８（Ａ）には、積層構造を有する偏光子を設けた表示装置の断面図、図８（Ｂ）には表示装置の斜視図を示す。本実施の形態では、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置を例にして説明する。

図８（Ａ）に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板１６１及び第２の基板１６２に、液晶素子を有する層１６０が挟持されている。基板１６１及び１６２として透光性基板を用い、このような透光性基板には、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また透光性基板には、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。

基板１６１及び１６２それぞれの外側、つまり液晶素子を有する層１６０と接しない側には、積層された偏光子が設けられている。なお本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）に示される１つの偏光膜を有する偏光板を積層する構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）や図２（Ｃ）に示される構成を用いてもよいのは言うまでもない。

基板１６１及び１６２のそれぞれの外側、つまり液晶素子を有する層１６０と接しない側には、順に位相差板（位相差フィルム、波長板ともいう）、積層された偏光板が設けられている。第１の基板１６１側には、順に第１の位相差板１７１、第１の偏光板１６３、第２の偏光板１６４が設けられている。第２の基板１６２側には、順に第２の位相差板１７２、第３の偏光板１６５、第４の偏光板１６６が設けられている。位相差板は、広視野角化または反射防止効果を目的として用いられ、反射防止として使用する場合は、位相差板１７１及び１７２として１／４波長板が用いられる。

これら偏光板１６３〜１６６は、公知の材料から形成することができ、例えば基板側から接着面、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）と二色性色素の混合層、ＴＡＣが順に積層された構成を用いることができる。二色性色素は、ヨウ素と二色性有機染料がある。また偏光板とは、その形状から偏光フィルムと呼ぶこともある。

また第１の偏光板１６３と第２の偏光板１６４の消衰係数は異なるものであり、第３の偏光板１６５と第４の偏光板１６６の消衰係数は異なるものである。あるいは第１の偏光板１６３と第２の偏光板１６４の消衰係数の波長分布が異なっていてもよく、第３の偏光板１６５と第４の偏光板１６６の消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

また図８（Ａ）〜図８（Ｂ）では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

位相差フィルムは、液晶をハイブリット配向させたフィルム、液晶を捻れ配向させたフィルム、１軸性位相差フィルム、又は２軸性位相差フィルムが挙げられる。このような位相差フィルムは表示装置の広視野角化を図ることができる。

１軸性位相差フィルムは、樹脂を一方向に延伸させて形成される。また２軸性位相差フィルムは、樹脂を横方向に１軸延伸させた後、縦方向に弱く１軸延伸させて形成される。ここで用いられる樹脂にはシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリオフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等が挙げられる。

なお液晶をハイブリット配向させたフィルムは、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムを支持体としディスコティック液晶またはネマティック液晶をハイブリット配向させて形成させたフィルムである。位相差フィルムは、偏光板と貼り合わせた状態で、透光性基板に貼り付けることができる。

次に図８（Ｂ）に示す斜視図をみると、第１の偏光板１６３の吸収軸１８１と、第２の偏光板１６４の吸収軸１８２とは平行となるように積層されている。この平行状態を、パラレルニコルと呼ぶ。同様に、第３の偏光板１６５の吸収軸１８３と、第４の偏光板１６６の吸収軸１８４とを平行となるように、つまりパラレルニコルとなるように積層する。

このように積層された偏光板は、パラレルニコルとなるように配置される。

積層された偏光板同士、つまり対向する偏光板同士は、吸収軸は直交をなすように配置する。この直交状態を、クロスニコルと呼ぶ。

このように積層された偏光板同士の吸収軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。そして対向する偏光板同士をクロスニコルとなるように配置することにより、偏光板単層同士のクロスニコルと比べて光漏れを低減できる。このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。

さらに本発明は位相差板を有するため、反射防止効果のある表示装置または広視野角な表示装置を提供することができる。

［実施の形態８］
本実施の形態では、実施の形態７で述べた液晶表示装置の具体的な構成について説明する。

なお図９に示す液晶表示装置は、図６と同じものは同じ符号で示し、特に記載のないものは図６の説明を援用する。

図９には、積層された偏光板を設けた液晶表示装置の断面図を示す。

液晶表示装置は、画素部４０５、及び駆動回路部４０８を有する。画素部４０５、及び駆動回路部４０８において、基板５０１上に、下地膜５０２が設けられている。基板５０１には、実施の形態７と同様の絶縁基板を適用することができる。また一般的に合成樹脂からなる基板は、他の基板と比較して耐熱温度が低いことが懸念されるが、耐熱性の高い基板を用いた作製工程の後、転置することによっても採用することが可能となる。

画素部４０５には、下地膜５０２を介してスイッチング素子となるトランジスタが設けられている。本実施の形態では、トランジスタに薄膜トランジスタ（（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ））を用い、これをスイッチングＴＦＴ５０３とする。ＴＦＴは、多くの方法で作製することができる。例えば、活性層として、結晶性半導体膜を適用する。結晶性半導体膜上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられる。該ゲート電極を用いて該活性層へ不純物元素を添加することができる。このようにゲート電極を用いた不純物元素の添加により、不純物元素添加のためのマスクを形成する必要はない。ゲート電極は、単層構造、又は積層構造を有することができる。不純物領域は、その濃度を制御することにより高濃度不純物領域及び低濃度不純物領域とすることができる。このように低濃度不純物領域を有するＴＦＴを、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｄｏｐｅｄｄｒａｉｎ）構造と呼ぶ。また低濃度不純物領域は、ゲート電極と重なるように形成することができ、このようなＴＦＴを、ＧＯＬＤ（ＧａｔｅＯｖｅｒｌａｐｅｄＬＤＤ）構造と呼ぶ。

図９においては、ＧＯＬＤ構造を有するスイッチングＴＦＴ５０３を示す。またスイッチングＴＦＴ５０３の極性は、不純物領域にリン（Ｐ）等を用いることによりｎ型とする。ｐ型とする場合は、ボロン（Ｂ）等を添加すればよい。その後、ゲート電極等を覆う保護膜を形成する。保護膜に混入された水素元素により、結晶性半導体膜のダングリングボンドを終端することができる。

そして、配線に接続された画素電極５０６を形成する。

また結晶性半導体膜を用いることにより、画素部４０５と駆動回路部４０８を同一基板上に一体形成することができる。その場合、画素部４０５のトランジスタと、駆動回路部４０８のトランジスタとは同時に形成される。駆動回路部４０８に用いるトランジスタは、ＣＭＯＳ回路を構成するため、ＣＭＯＳ回路５５４と呼ぶ。ＣＭＯＳ回路５５４を構成するＴＦＴは、スイッチングＴＦＴ５０３と同様の構成とすることができる。またＧＯＬＤ構造に変えて、ＬＤＤ構造を用いることができ、必ずしも同様の構成とする必要はない。

なお、バックライトにＲＧＢのダイオード（ＬＥＤ）等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法（フィールドシーケンシャル法）を採用するときには、カラーフィルタを設けない場合がある。ブラックマトリクス５２４は、スイッチングＴＦＴ５０３やＣＭＯＳ回路５５４の配線による外光の反射を低減するためにも設けられている。そのためスイッチングＴＦＴ５０３やＣＭＯＳ回路５５４と重なるように設ける。なお、ブラックマトリクス５２４は、容量素子５０４に重なるように形成してもよい。容量素子５０４を構成する金属膜による反射を防止することができるからである。

なおＴＦＴが有する配線、ゲート電極、画素電極５０６、対向電極５２３は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ（ＩＺＯ））、酸化インジウムに酸化珪素（ＳｉＯ_２）を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物から選ぶことができる。

また、本実施の形態では、偏光子として図２（Ａ）に示す偏光板を積層した構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示す積層された偏光子を用いてもよい。図９に示すように基板５０１とバックライトユニット５５２の間には位相差板５４７及び積層された偏光板５１６が設けられ、対向基板５２０にも位相差板５４６及び積層された偏光板５２１が設けられている。積層された偏光板と、位相差フィルムとは貼り合わされた状態で、基板５０１と５２０のそれぞれに接着することができる。

すなわち、基板５０１には、基板側から順に、位相差板５４７と、積層された偏光板５１６として偏光板５４３及び偏光板５４４を積層したものが設けられている。このとき積層された偏光板５４３及び５４４は、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。

また、対向基板５２０には、基板側から順に、位相差板５４６と、積層された偏光板５２１として偏光板５４１及び偏光板５４２を積層したものが設けられている。このとき積層された偏光板５４１及び５４２は、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。

また偏光板５４１と偏光板５４２の消衰係数は異なるものであり、偏光板５４３と偏光板５４４の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板５４１と偏光板５４２の消衰係数の波長分布は異ならせてもよく、偏光板５４３と偏光板５４４の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図９では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

積層された偏光板を有することにより、コントラスト比を高めることができる。また、位相差板により、反射防止効果のある表示装置または広視野角な表示装置を提供することができる。

［実施の形態９］
本実施の形態では、積層された偏光板を有するが、実施の形態８と異なり、非晶質半導体膜を有するＴＦＴを用いた液晶表示装置について説明する。

図１０には、スイッチング用素子に非晶質半導体膜を用いたトランジスタ（以下、非晶質ＴＦＴと呼ぶ）液晶表示装置の構成について説明する。画素部４０５には、非晶質ＴＦＴからなるスイッチングＴＦＴ５３３が設けられている。非晶質ＴＦＴは、公知の方法により形成することができるが、例えばチャネルエッチ型の場合、下地膜５０２上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜、ｎ型半導体膜、非晶質半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を形成する。ソース電極及びドレイン電極を用いて、ｎ型半導体膜に開口部を形成する。このとき、非晶質半導体膜の一部も除去されるため、チャネルエッチ型と呼ぶ。その後、保護膜５０７を形成して、非晶質ＴＦＴを形成することができる。また非晶質ＴＦＴは、チャネル保護型もあり、ソース電極及びドレイン電極を用いて、ｎ型半導体膜に開口部を形成するとき、非晶質半導体膜が除去されないように保護膜を設ける。その他の構成は、チャネルエッチ型と同様とすることができる。

そして、図９と同様に配向膜５０８を形成し、ラビング処理を施す。このラビング処理は液晶のモードによって、処理を行わないときがある。

また図９と同様に対向基板５２０を用意し、封止材５２８により貼り合わせる。これらの間に、液晶５１１を封入することにより液晶表示装置を形成することができる。

また、本実施の形態では、偏光子として図２（Ａ）に示す偏光板を積層した構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示す積層された偏光子を用いてもよい。図１０に示すように、図９と同様に、基板５０１とバックライトユニット５５２の間には位相差板５４７及び積層された偏光板５１６が設けられ、対向基板５２０にも位相差板５４６及び積層された偏光板５２１が設けられている。積層された偏光板と、位相差フィルムとは貼り合わされた状態で、基板５０１と５２０のそれぞれに接着することができる。

すなわち、基板５０１には、基板側から順に、位相差板（位相差フィルム、波長板ともいう）５４７と、積層された偏光板５１６として偏光板５４３及び偏光板５４４を積層したものが設けられている。このとき積層された偏光板５４３及び５４４は、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。

また図１０では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

積層された偏光板を有することにより、コントラスト比を高めることができる。また位相差板により、広視野角の表示装置を提供することができる。

このようにスイッチングＴＦＴ５３３として非晶質ＴＦＴを用いて、液晶表示装置を形成する場合、動作性能を考慮して、駆動回路部４０８には、シリコンウェハから形成されるＩＣ４２１をドライバとして実装することができる。例えば、ＩＣ４２１が有する配線と、スイッチングＴＦＴ５３３に接続される配線とを、導電性微粒子４２２を有する異方性導電体を用いて、接続することにより、スイッチングＴＦＴ５３３を制御する信号を供給することができる。なおＩＣの実装方法はこれに限定されず、ワイヤボンディング法により実装することもできる。

その他の構成は、図９と同様であるため、説明を省略する。

［実施の形態１０］
本実施の形態では、バックライトの構成について説明する。バックライトは光源を有するバックライトユニットとして表示装置に設けられ、バックライトユニットは効率よく光を散乱させるため、光源は反射板により囲まれている。

本実施の形態のバックライトは、実施の形態５、実施の形態６、実施の形態８及び実施の形態９で述べられた、バックライトユニット５５２として用いられる。

図１１に示すように、バックライトユニット５５２は、光源として冷陰極管５７１を用いることができる。また、冷陰極管５７１からの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ５３２を設けることができる。冷陰極管５７１は、大型表示装置に用いることが多い。これは冷陰極管からの輝度の強度のためである。そのため、冷陰極管を有するバックライトユニットは、パーソナルコンピュータのディスプレイに用いることができる。

図１２に示すように、バックライトユニット５５２は、光源としてダイオード（ＬＥＤ）５７２を用いることができる。例えば、白色に発するダイオード（Ｗ）５７２を所定の間隔に配置する。また、ダイオード（Ｗ）５７２からの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ５３２を設けることができる。

また図１３（Ａ）に示すように、バックライトユニット５５２は、光源として各色ＲＧＢのダイオード（ＬＥＤ）、すなわち赤色に発するダイオード（Ｒ）５７３、緑色に発するダイオード（Ｇ）５７４、青色に発するダイオード（Ｂ）５７５を用いることができる。各色ＲＧＢのダイオード（ＬＥＤ）５７３、５７４、５７５を用いることにより、白色を発するダイオード（Ｗ）５７２のみと比較して、色再現性を高くすることができる。また、ダイオード（Ｒ）５７３、ダイオード（Ｇ）５７４及びダイオード（Ｂ）５７５からの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ５３２を設けることができる。

またさらに図１３（Ｂ）に示すように、光源として各色ＲＧＢのダイオード（ＬＥＤ）５７３、５７４、５７５を用いる場合、それらの数や配置を同じとする必要はない。例えば、発光強度の低い色（例えば緑）を複数配置してもよい。

さらに白色を発するダイオード（Ｗ）５７２と、各色ＲＧＢのダイオード（ＬＥＤ）５７３、５７４、５７５とを組み合わせて用いてもよい。

なおＲＧＢのダイオードを有する場合、フィールドシーケンシャルモードを適用すると、時間に応じてＲＧＢのダイオードを順次点灯させることによりカラー表示を行うことができる。

ダイオードを用いると、輝度が高いため、大型表示装置に適する。また、ＲＧＢ各色の色純度が良いため冷陰極管と比べて色再現性に優れており、配置面積を小さくすることができるため、小型表示装置に適用すると、狭額縁化を図ることができる。

また、光源を必ずしも図１１、図１２、図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ）に示すバックライトユニットとして配置する必要はない。例えば、大型表示装置にダイオードを有するバックライトを搭載する場合、ダイオードは該基板の背面に配置することができる。このときダイオードは、所定の間隔を維持し、各色のダイオードを順に配置させることができる。ダイオードの配置により、色再現性を高めることができる。

このようなバックライトを用いた表示装置に対し、積層された偏光子を設けることにより、コントラスト比の高い映像を提供することができる。特に、ダイオードを有するバックライトは、大型表示装置に適しており、大型表示装置のコントラスト比を高めることにより、暗所でも質の高い映像を提供することができる。

［実施の形態１１］
本実施の形態では、本発明の反射型液晶表示装置の概念について、図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）を用いて説明する。

図１４（Ａ）には、積層された偏光子を設けた液晶表示装置の断面図、図１４（Ｂ）には該表示装置の斜視図を示す。

図１４（Ａ）に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板６０１及び第２の基板６０２に、液晶素子を有する層６００が挟持されている。

第１の基板６０１及び第２の基板６０２として、透光性基板を用いることができる。このような透光性基板には、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また透光性基板には、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。

基板６０１の外側、つまり液晶素子を有する層６００と接しない側には、順に位相差板（「位相差フィルム」、「波長板」ともいう）、積層された偏光子が設けられている。本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）に示される偏光板を積層した構造を用いる。もちろん必要に応じて、図２（Ｂ）または図２（Ｃ）の構成を用いてもよい。

第１の基板６０１側には、順に位相差板６２１、第１の偏光板６０３、第２の偏光板６０４が設けられている。位相差板６２１の遅相軸は６５３で示される。外光は、第２の偏光板６０４、第１の偏光板６０３、位相差板６２１、基板６０１を通過し、液晶素子を有する層６００に入射する。そして第２の基板６０２に設けられている反射性材料により反射されることにより、表示が行われる。

偏光板６０３及び６０４は、それぞれ直線偏光板であり、図２（Ａ）の偏光板１１３及び１１４と同じものであるので、詳細な説明は省略する。

また偏光板６０３及び６０４の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板６０３及び６０４の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

位相差板（位相差フィルムともいう）６２１としては、１軸性位相差フィルム（例えば１／４波長板）が挙げられる。

１軸性位相差フィルムは、樹脂を一方向に延伸させて形成される。ここで用いられる樹脂にはシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリオフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等が挙げられる。

位相差フィルムは、偏光板と貼り合わせた状態で、基板に貼り付けることができる。

次に図１４（Ｂ）に示す斜視図をみると、第１の直線偏光板６０３の吸収軸６５１と、第２の直線偏光板６０４の吸収軸６５２とは平行となるように積層されている。この平行状態を、パラレルニコルと呼ぶ。

なお、偏光板の特性上、吸収軸と直交方向には透過軸がある。そのため、透過軸同士が平行となる場合もパラレルニコルと呼ぶことができる。

このように積層された偏光板同士の吸収軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、黒表示を暗くでき、すなわち黒輝度を高めることができ、このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。

さらに本発明は位相差板を有するため、反射光の写り込みを抑制できる。

［実施の形態１２］
本実施の形態では、実施の形態１１で述べた反射型液晶表示装置の具体的な構成について説明する。

図１５には、積層された偏光子を設けた反射型液晶表示装置の断面図を示す。

本実施の形態の反射型液晶表示装置は、画素部４０５、及び駆動回路部４０８を有する。画素部４０５、及び駆動回路部４０８において、基板７０１上に、下地膜７０２が設けられている。基板７０１には、実施の形態１１と同様の基板を適用することができる。また一般的に合成樹脂からなる基板は、他の基板と比較して耐熱温度が低いことが懸念されるが、耐熱性の高い基板を用いた作製工程の後、転置することによっても採用することが可能となる。

画素部４０５には、下地膜７０２を介してスイッチング素子となるトランジスタが設けられている。本実施の形態では、該トランジスタに薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ））を用い、これをスイッチングＴＦＴ７０３と呼ぶ。

スイッチングＴＦＴ７０３や駆動回路部４０８に用いるＴＦＴは、多くの方法で作製することができる。例えば、活性層として、結晶性半導体膜を適用する。結晶性半導体膜上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられる。ゲート電極を用いて活性層となる結晶性半導体膜へ不純物元素を添加して不純物領域を形成することができる。このようにゲート電極を用いた不純物元素の添加により、不純物元素添加のためのマスクを形成する必要はない。またゲート電極は、単層構造、又は積層構造を有することができる。

なおＴＦＴはトップゲート型ＴＦＴであってもボトムゲート型ＴＦＴであってもよく、必要に応じて作成すればよい。

不純物領域は、その濃度を制御することにより高濃度不純物領域及び低濃度不純物領域とすることができる。このように低濃度不純物領域を有するＴＦＴを、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｄｏｐｅｄｄｒａｉｎ）構造と呼ぶ。また低濃度不純物領域は、ゲート電極と重なるように形成することができ、このようなＴＦＴを、本明細書ではＧＯＬＤ（ＧａｔｅＯｖｅｒｌａｐｅｄＬＤＤ）構造と呼ぶ。

図１５においては、ＧＯＬＤ構造を有するスイッチングＴＦＴ７０３を示す。またスイッチングＴＦＴ７０３の極性は、不純物領域にリン（Ｐ）等を用いることによりｎ型とする。ｐ型とする場合は、ボロン（Ｂ）等を添加すればよい。

その後、ゲート電極等を覆う保護膜を形成する。保護膜に混入された水素元素により、結晶性半導体膜のダングリングボンドを終端することができる。

さらに平坦性を高めるため、層間絶縁膜７０５を形成してもよい。層間絶縁膜７０５には、有機材料、又は無機材料、若しくはそれらの積層構造を用いることができる。

そして、層間絶縁膜７０５、保護膜、ゲート絶縁膜に開口部を形成し、不純物領域と接続された配線を形成する。このようにして、スイッチングＴＦＴ７０３を形成することができる。なお本発明は、スイッチングＴＦＴ７０３の構成に限定されるものではない。

そして、配線に接続された画素電極７０６を形成する。

またスイッチングＴＦＴ７０３と同時に、容量素子７０４を形成することができる。本実施の形態では、ゲート電極と同時に形成された導電膜、保護膜及び層間絶縁膜７０５、画素電極７０６の積層体により、容量素子７０４を形成する。

また結晶性半導体膜を用いることにより、画素部と駆動回路部を同一基板上に一体形成することができる。その場合、画素部の薄膜トランジスタと、駆動回路部４０８の薄膜トランジスタとは同時に形成される。

駆動回路部４０８に用いる薄膜トランジスタは、ＣＭＯＳ回路を構成するため、ＣＭＯＳ回路７５４と呼ぶ。ＣＭＯＳ回路７５４を構成するＴＦＴは、スイッチングＴＦＴ７０３と同様の構成とすることができる。またＧＯＬＤ構造に変えて、ＬＤＤ構造を用いることができ、必ずしも同様の構成とする必要はない。

画素電極７０６を覆うように配向膜７０８を形成する。配向膜７０８にはラビング処理を施す。このラビング処理は液晶のモード、例えばＶＡモードのときには処理を行わないときがある。

次に対向基板７２０を用意する。対向基板７２０の内側、つまり液晶に接する側には、カラーフィルタ７２２、及びブラックマトリクス（ＢＭ）７２４を設けることができる。カラーフィルタ７２２及びブラックマトリクス７２４は公知の方法で作製することができるが、所定の材料が滴下される液滴吐出法（代表的にはインクジェット法）により形成すると、材料の無駄をなくすことができる。

カラーフィルタ７２２は、スイッチングＴＦＴ７０３が配置されない領域に設ける。すなわち、光の透過領域、つまり開口領域と対向するようにカラーフィルタ７２２を設ける。なお、カラーフィルタ７２２は、液晶表示装置をフルカラー表示とする場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を呈する材料から形成すればよく、モノカラー表示とする場合、少なくとも一つの色を呈する材料から形成すればよい。

なお、時分割によりカラー表示する継時加法混色法（フィールドシーケンシャル法）を採用するときには、カラーフィルタを設けない場合がある。

ブラックマトリクス７２４は、スイッチングＴＦＴ７０３やＣＭＯＳ回路７５４の配線による外光の反射を低減するためにも設けられている。そのためスイッチングＴＦＴ７０３やＣＭＯＳ回路７５４と重なるように設ける。なお、ブラックマトリクス７２４は、容量素子７０４に重なるように形成してもよい。容量素子７０４を構成する金属膜による反射を防止することができるからである。

そして、対向電極７２３、配向膜７２６を設ける。配向膜７２６にはラビング処理を施す。このラビング処理は液晶のモード、例えばＶＡモードのときには処理を行わないときがある。

なお画素電極７０６は、反射性導電材料で形成する。このような反射性導電材料として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物から選ぶことができる。反射電極である画素電極７０６により、外光はスイッチングＴＦＴ７０３やＣＭＯＳ回路７５４の上方であり対向基板７２０側に反射される。

またＴＦＴが有する配線やゲート電極は、画素電極７０６と同様の材料を用いて形成すればよい。

また対向電極７２３は、透光性導電材料により形成する。このような透光性導電材料として、インジウム錫酸化物（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した導電材料、酸化インジウムに酸化珪素（ＳｉＯ_２）を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ等を選ぶことができる。

このような対向基板７２０を、封止材７２８を用いて、基板７０１に貼り合わせる。封止材７２８は、ディスペンサ等を用いて、基板７０１上または対向基板７２０上に形成することができる。また基板７０１と、対向基板７２０との間隔を保持するため、画素部４０５、駆動回路部４０８の一部にスペーサ７２５を設ける。スペーサ７２５は、柱状、又は球状といった形状を有する。

このように貼り合わされた基板７０１及び対向基板７２０間に、液晶７１１を注入する。液晶を注入する場合、真空中で行うとよい。また液晶７１１は、注入法以外の方法により形成することができる。例えば、液晶７１１を滴下し、その後対向基板７２０を貼り合わせてもよい。このような滴下法は、注入法を適用しづらい大型基板を扱うときに適用するとよい。

液晶７１１は、液晶分子を有しており、液晶分子の傾きを画素電極７０６、及び対向電極７２３により制御する。具体的には、画素電極７０６と、対向電極７２３とに印加される電圧により制御する。このような制御は、駆動回路部４０８に設けられた制御回路を用いる。なお制御回路は、必ずしも基板７０１上に形成される必要はなく、接続端子７１０を介して接続された回路を用いてもよい。このとき、接続端子７１０と接続するために、導電性微粒子を有する異方性導電膜を用いることができる。また接続端子７１０の一部に、対向電極７２３を導通させ、対向電極７２３の電位をコモン電位としてもよい。

また、本実施の形態では、偏光子として図２（Ａ）に示す偏光板を積層した構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示す積層された偏光子を用いてもよい。

対向基板７２０には、基板側から順に、位相差板７４１、積層された偏光板である偏光板７４２及び偏光板７４３が設けられている。積層された偏光板と、位相差板７４１とは貼り合わされた状態で、対向基板７２０に接着することができる。このとき積層された偏光板７４２及び７４３は、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。

また偏光板７４２及び７４３の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板７４２及び７４３の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図１５では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

積層された偏光板を有することにより、コントラスト比を高めることができる。また位相差フィルムにより、より黒輝度が高い表示装置を提供することができる。

なお本実施の形態では、必要であれば実施の形態１１と組み合わせることが可能である。

また、本実施の形態は、必要であれば本明細書中の他の実施の形態及び実施例と自由に組み合わせて実施することが可能である。

［実施の形態１３］
本実施の形態では、積層された偏光板を有するが、実施の形態１２と異なり、非晶質半導体膜を有するＴＦＴを用いた液晶表示装置について説明する。

図１６には、スイッチング用素子に非晶質半導体膜を用いたトランジスタ（以下、非晶質ＴＦＴと呼ぶ）を有する反射型液晶表示装置の構成について説明する。

画素部４０５には、非晶質ＴＦＴからなるスイッチングＴＦＴ７３３が設けられている。非晶質ＴＦＴは、公知の方法により形成することができるが、例えばチャネルエッチ型の場合、下地膜７０２上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜、非晶質半導体膜、ｎ型半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を形成する。ソース電極及びドレイン電極を用いて、ｎ型半導体膜に開口部を形成する。このとき、非晶質半導体膜の一部も除去されるため、チャネルエッチ型と呼ぶ。その後、保護膜７０７を形成して、非晶質ＴＦＴを形成することができる。また非晶質ＴＦＴは、チャネル保護型もあり、ソース電極及びドレイン電極を用いて、ｎ型半導体膜に開口部を形成するとき、非晶質半導体膜が除去されないように保護膜を設ける。その他の構成は、チャネルエッチ型と同様とすることができる。

そして、図１５と同様に配向膜７０８を形成し、ラビング処理を施す。このラビング処理は液晶のモードによって、処理を行わないときがある。

また図１５と同様に対向基板７２０を用意し、封止材７２８により貼り合わせる。これらの間に、液晶７１１を封入することにより反射型液晶表示装置を形成することができる。

対向基板７２０側には、基板側から順に、位相差板７１６、積層された偏光板である偏光板７１７及び偏光板７１８が設けられている。積層された偏光板７１７及び７１８と、位相差板７１６とは貼り合わされた状態で、対向基板７２０に接着することができる。このとき積層された偏光板７１７及び７１８は、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。

また偏光板７１７及び７１８の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板７１７及び７１８の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図１６では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

積層された偏光板を有することにより、コントラスト比を高めることができる。また位相差板により、より黒輝度の高い表示装置を提供することができる。

このようにスイッチングＴＦＴ７３３として非晶質ＴＦＴを用いて、液晶表示装置を形成する場合、動作性能を考慮して、駆動回路部４０８には、シリコンウェハから形成されるＩＣ４２１をドライバとして実装することができる。例えば、ＩＣ４２１が有する配線と、スイッチングＴＦＴ７３３に接続される配線とを、導電性微粒子４２２を有する異方性導電体を用いて、接続することにより、スイッチングＴＦＴ７３３を制御する信号を供給することができる。なおＩＣの実装方法はこれに限定されず、ワイヤボンディング法により実装することもできる。

またさらに、接続端子７１０を介して、制御回路と接続することができる。このとき、接続端子７１０と接続するために、導電性微粒子４２２を有する異方性導電膜を用いることができる。

その他の構成は、図１５と同様であるため、説明を省略する。

なお本実施の形態では、必要であれば実施の形態１１〜実施の形態１２と組み合わせることが可能である。

［実施の形態１４］
本実施の形態では、実施の形態１１〜実施の形態１３とは別の構成を有する反射型液晶表示装置を、図１７（Ａ）〜図１７（Ｂ）、図１８、図１９を用いて説明する。

ただし、図１４（Ａ）〜図１４（Ｂ）、図１５及び図１６と同じ符号のものは同じものを示しており、異なるものについてのみ説明する。

図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）の反射型液晶表示装置には、互いに対向するように配置された第１の基板８０１及び第２の基板８０２に、液晶素子を有する層８００が挟持されている。

基板８０１の外側、つまり液晶素子を有する層８００と接しない側には、順に位相差板及び積層された偏光板が設けられている。第１の基板８０１側には、順に位相差板８２１、第１の偏光板８０３、第２の偏光板８０４が設けられている。第１の偏光板８０３の吸収軸８５１と、第２の偏光板８０４の吸収軸８５２とは平行となるように積層されている。位相差板８２１の遅相軸は８５３で示される。外光は、第２の偏光板８０４、第２の偏光板８０３、位相差板８２１、基板８０１を通過し、液晶素子を有する層８００に入射する。そして第２の基板８０２に設けられている反射性材料により反射されることにより、表示が行われる。

また第１の偏光板８０３と第２の偏光板８０４の消衰係数は異なるものである。あるいは第１の偏光板８０３と第２の偏光板８０４の消衰係数の波長分分布を異ならせてもよい。

本実施の形態の反射型液晶表示装置の具体的な構成を図１８及び図１９に示す。なお、図１８においては図１５、図１９においては図１６についての説明を援用し、同じものは同じ符号で示すものである。

図１８はスイッチング素子として結晶性半導体膜を有するＴＦＴを用いた反射型液晶表示装置、図１９はスイッチング素子として非晶質半導体膜を有するＴＦＴを用いた反射型液晶表示装置を表す。

図１８において、スイッチングＴＦＴ７０３に接続された画素電極８１１は、透光性導電材料で形成されている。このような透光性導電材料としては、実施の形態１２の対向電極５２３と同様の材料を用いることができる。

また対向電極８１２は、反射性導電材料で形成する。このような反射性導電材料として、実施の形態２の画素電極７０６と同様の材料を用いることができる。

またカラーフィルタ７２２及びブラックマトリクス７２４は、基板７０１のＴＦＴが形成される表面と反対の表面に設けられる。さらに、位相差板８２５、第１の偏光板８２６及び第２の偏光板８２７が積層される。

また第１の偏光板８２６と第２の偏光板８２７の消衰係数は異なるものである。あるいは第１の偏光板８２６と第２の偏光板８２７の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

図１９において、スイッチングＴＦＴ７３３に接続された画素電極８３１は、透光性導電材料で形成されている。このような透光性導電材料としては、実施の形態１２の対向電極７２３と同様の材料を用いることができる。

また対向電極８３２は、反射性導電材料で形成する。このような反射性導電材料として、実施の形態１２の画素電極７０６と同様の材料を用いることができる。

またカラーフィルタ７２２及びブラックマトリクス７２４は、基板７０１のＴＦＴが形成される表面と反対の表面に設けられる。さらに、位相差板８４１、第１の偏光板８４２及び第２の偏光板８４３が積層される。

また偏光板８４２及び８４３の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板８４２及び８４３の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図１７（Ａ）〜図１７（Ｂ）、図１８及び図１９では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

なお本実施の形態では、積層された偏光子として積層された偏光板を用いる構成（図２（Ａ）参照）としたが、図２（Ｂ）〜図２（Ｃ）に示す構成を用いてもよい。

なお本実施の形態では、必要であれば実施の形態１１〜実施の形態１３と組み合わせることが可能である。

［実施の形態１５］
本実施の形態では、実施の形態４〜実施の形態１４の液晶表示装置が有する各回路等の動作について説明する。

図２０（Ａ）〜図２０（Ｃ）及び図２１には、液晶表示装置の画素部４０５及び駆動回路部４０８のシステムブロック図を示す。

画素部４０５は、複数の画素を有し、各画素となる信号線４１２と、走査線４１０との交差領域には、スイッチング素子が設けられている。スイッチング素子により液晶分子の傾きを制御するための電圧の印加を制御することができる。このように各交差領域にスイッチング素子が設けられた構造をアクティブ型と呼ぶ。本発明の画素部は、このようなアクティブ型に限定されず、パッシブ型の構成を有してもよい。パッシブ型は、各画素にスイッチング素子がないため、工程が簡便である。

駆動回路部４０８は、制御回路４０２、信号線駆動回路４０３、走査線駆動回路４０４を有する。制御回路４０２は、画素部４０５の表示内容に応じて、階調制御を行う機能を有する。そのため、制御回路４０２は、生成された信号を信号線駆動回路４０３、及び走査線駆動回路４０４に入力する。そして、走査線駆動回路４０４に基づき、走査線４１０を介してスイッチング素子が選択されると、選択された交差領域の画素電極に電圧が印加される。この電圧の値は、信号線駆動回路４０３から信号線を介して入力される信号に基づき決定される。

さらに、図６、図７、図９、図１０に示す透過型液晶表示装置について、図２０（Ａ）に示す制御回路４０２では、照明手段４０６へ供給する電力を制御する信号が生成され、該信号は、照明手段４０６の電源４０７に入力される。照明手段には、図１１〜図１３に示すバックライトユニットを用いることができる。なお照明手段はバックライト以外にフロントライトもある。フロントライトとは、画素部の前面側に取りつけ、全体を照らす発光体および導光体で構成された板状のライトユニットである。このような照明手段により、低消費電力で、均等に画素部を照らすことができる。

一方、図１５、図１６、図１８、図１９に示す反射型液晶表示装置では、照明手段及び電源は必要ないので、図２１に示す構成を用いればよい。

図２０（Ｂ）に示すように走査線駆動回路４０４は、シフトレジスタ４４１、レベルシフタ４４２、バッファ４４３として機能する回路を有する。シフトレジスタ４４１にはゲートスタートパルス（ＧＳＰ）、ゲートクロック信号（ＧＣＫ）等の信号が入力される。なお、本発明の走査線駆動回路は、図２０（Ｂ）に示す構成に限定されない。

また図２０（Ｃ）に示すように信号線駆動回路４０３は、シフトレジスタ４３１、第１のラッチ４３２、第２のラッチ４３３、レベルシフタ４３４、バッファ４３５として機能する回路を有する。バッファ４３５として機能する回路とは、弱い信号を増幅させる機能を有する回路であり、オペアンプ等を有する。レベルシフタ４３４には、スタートパルス（ＳＳＰ）等の信号が、第１のラッチ４３２には映像信号４０１に基づいて生成されたビデオ信号等のデータ（ＤＡＴＡ）が入力される。第２のラッチ４３３にはラッチ（ＬＡＴ）信号を一時保持することができ、一斉に画素部４０５へ入力させる。これを線順次駆動と呼ぶ。そのため、線順次駆動ではなく、点順次駆動を行う画素であれば、第２のラッチは不要とすることができる。このように、本発明の信号線駆動回路は図２０（Ｃ）に示す構成に限定されない。

このような信号線駆動回路４０３、走査線駆動回路４０４、画素部４０５は、同一基板状に設けられた半導体素子によって形成することができる。半導体素子は、ガラス基板に設けられた薄膜トランジスタを用いて形成することができる。この場合、半導体素子には結晶性半導体膜を適用するとよい。結晶性半導体膜は、電気特性、特に移動度が高いため、駆動回路部が有する回路を構成することができる。また、信号線駆動回路４０３や走査線駆動回路４０４は、ＩＣ（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）チップを用いて、基板上に実装することもできる。この場合、画素部の半導体素子には非晶質半導体膜を適用することができる（上記実施の形態参照）。

このような液晶表示装置において、積層された偏光子を設けることにより、コントラスト比を高めることができる。すなわち、積層された偏光子により、制御回路により制御される照明手段からの光及び反射光のコントラスト比を高めることができる。

［実施の形態１６］
本実施の形態では、本発明の発光素子を有する表示装置の概念について説明する。

本発明の構成においては、発光素子としてエレクトロルミネッセンスを利用した素子（エレクトロルミネッセンス素子）、プラズマを利用した素子や電界放出を利用した素子がある。エレクトロルミネッセンス素子は適用する材料により、有機ＥＬ素子、又は無機ＥＬ素子と区別されうる。このような発光素子を有する表示装置を発光装置とも記す。本実施の形態では、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を用いてる。

図２２に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板１１０１及び第２の基板１１０２に、エレクトロルミネッセンス素子を有する層１１００が挟持されている。なお、図２２（Ａ）は、本実施の形態の表示装置の断面図であり、図２２（Ｂ）は本実施の形態の表示装置の斜視図である。

図２２（Ｂ）において、エレクトロルミネッセンス素子からの光は、第１の基板１１０１側及び第２の基板１１０２側（点線矢印方向）に発光した光を放射することが可能である。第１の基板１１０１及び第２の基板１１０２として透光性基板を用いる。透光性基板には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。

第１の基板１１０１及び第２の基板１１０２のそれぞれの外側、つまりエレクトロルミネッセンス素子を有する層１１００と接しない側には、積層された偏光子が設けられている。エレクトロルミネッセンス素子より射出される光は、偏光子により直線偏光にされる。すなわち、積層された偏光子は、積層された直線偏光子と記すことができる。積層された偏光子は、２つ以上の偏光子が積層された状態を指す。本実施の形態においては２つの偏光子が積層された表示装置について例示し、積層される２つの偏光子については図２２（Ａ）に示すように接して積層されているものとする。

この偏光子の積層の構成は、実施の形態２を援用することができる。本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）の構成を用いるが、図２（Ｂ）または図２（Ｃ）の構成を用いても構わない。

また図２２（Ａ）〜図２２（Ｂ）では偏光子を２つ積層した例を示しているが、３つ以上積層しても構わない。

第１の基板１１０１の外側には、積層された偏光板１１３１として、順に第１の偏光板１１１１、第２の偏光板１１１２が設けられている。第１の偏光板１１１１の吸収軸１１５１と、第２の偏光板１１１２の吸収軸１１５２とは平行になるように配置される。すなわち第１の偏光板１１１１と、第２の偏光板１１１２、つまり積層された偏光板１１３１はパラレルニコルとなるように配置される。

また第２の基板１１０２の外側には、積層された偏光板１１３２として、順に第３の偏光板１１２１、第４の偏光板１１２２が設けられている。第３の偏光板１１２１の吸収軸１１５３と、第４の偏光板１１２２の吸収軸１１５４とは平行になるように配置される。すなわち第３の偏光板１１２１と、第４の偏光板１１２２、つまり積層された偏光板１１３２はパラレルニコルとなるように配置される。

そして、第１の基板１１０１に設けられた、積層された偏光板１１３１の吸収軸１１５１（及び１１５２）と、第２の基板１１０２に設けられた、積層された偏光板１１３２の吸収軸１１５３（及び１１５４）とは直交することを特徴とする。すなわち、積層された偏光板１１３１と積層された偏光板１１３２、つまり対向する積層された偏光板はクロスニコルをなすように配置する。

これら偏光板１１１１、１１１２、１１２１、１１２２は、公知の材料から形成することができ、例えば基板側から接着面、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）と二色性色素の混合層、ＴＡＣが順に積層された構成を用いることができる。二色性色素は、ヨウ素と二色性有機染料がある。また偏光板とは、その形状から偏光フィルムと呼ぶこともある。

このように積層された偏光板同士の透過軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。そして、対向する偏光板同士をクロスニコルとなるように配置する。このような積層された偏光板を有することにより、単に偏光板単層同士がクロスニコルとなるように配置された構成と比べて光漏れを低減できる。このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。

また偏光板１１１１と偏光板１１１２の消衰係数は異なるものであり、偏光板１１２１と偏光板１１２２の消衰係数が異なるものである。あるいは偏光板１１１１と偏光板１１１２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよく、偏光板１１２１と偏光板１１２２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

［実施の形態１７］
本実施の形態では、図２３を用いて、本発明の表示装置の断面図を例示する。

絶縁表面を有する基板（以下、絶縁基板と記す）１２０１上に絶縁層を介して薄膜トランジスタが形成される。薄膜トランジスタ（（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ＴＦＴとも記す）は、所定の形状に加工された半導体層、半導体層を覆うゲート絶縁層、ゲート絶縁層を介して半導体層上に設けられたゲート電極、半導体膜中の不純物層に接続されるソース電極、又はドレイン電極を有する。

半導体層に用いられる材料は珪素を有する半導体材料であり、結晶状態は非晶質状態、微結晶状態、結晶状態のいずれであってもよい。ゲート絶縁膜を代表とする絶縁層は、好ましくは無機材料を用いるとよく、窒化珪素、又は酸化珪素を用いることができる。ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極は導電性材料から形成すればよく、タングステン、タンタル、アルミニウム、チタン、銀、金、モリブデン、銅等を有する。

本実施の形態の表示装置は、画素部１２１５、駆動回路部１２１８に大きく分けることができ、画素部１２１５に設けられた薄膜トランジスタ１２０３はスイッチング素子として、駆動回路部１２１８に設けられた薄膜トランジスタ１２０４はＣＭＯＳ回路として用いられる。ＣＭＯＳ回路として用いるためには、Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとから構成される。駆動回路部１２１８に設けられたＣＭＯＳ回路により、薄膜トランジスタ１２０３を制御することができる。

なお図２３では薄膜トランジスタとしてトップゲート型ＴＦＴを示しているが、ボトムゲート型ＴＦＴを用いてもよい。

薄膜トランジスタ１２０３及び１２０４を覆うように、積層構造、又は単層構造からなる絶縁層１２０５が形成される。絶縁層１２０５は、無機材料又は有機材料から形成することができる。

無機材料として、窒化珪素、酸化珪素を用いることができる。有機材料として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を含む液体材料を出発原料として形成される。無機材料を用いて形成すると、下方の凹凸に沿うような表面状態となり、有機材料を用いて形成すると、表面は平坦化される。例えば、絶縁層１２０５において平坦性が要求される場合、有機材料を用いて形成するとよい。なお、無機材料であっても厚膜化することによって、平坦性を備えることができる。

ソース電極又はドレイン電極は、絶縁層１２０５等に設けられた開口部に導電層を形成して作製される。このとき、絶縁層１２０５上の配線として機能するような導電層を形成することができる。またゲート電極の導電層と、絶縁層１２０５と、ソース電極又はドレイン電極の導電層によって、容量素子１２１４を形成することができる。

そして、ソース電極又はドレイン電極のいずれか一と接続される第１の電極１２０６を形成する。第１の電極１２０６は透光性を有する材料を用いて形成する。透光性を有する材料とは、酸化インジウムスズ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ（ＩＺＯ））、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）等が挙げられる。またＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（弗化カルシウム、窒化カルシウム）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属等の非透光性材料であっても、非常に薄い膜厚とすることにより、透光性を有することができるため、非透光性材料を第１の電極１２０６に用いてもよい。

第１の電極１２０６の端部を覆うように、絶縁層１２１０を形成する。絶縁層１２１０は絶縁層１２０５と同様に形成することができる。第１の電極１２０６の端部を覆うため、絶縁層１２１０に対して開口部を設ける。開口部の端面は、テーパ形状を有するとよく、その後形成される層の段切れを防止することができる。例えば、絶縁層１２１０に非感光性樹脂、又は感光性樹脂を用いる場合、露光条件により、開口部の側面にテーパを設けることができる。

その後、絶縁層１２１０の開口部に電界発光層１２０７を形成する。電界発光層は、各機能を有する層、具体的には正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を有する。また各層の境界は必ずしも明確となっておらず、その一部が混在している場合もある。

具体的な発光層を形成する材料を例示すると、赤色系の発光を得たいときには、発光層に、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＩ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）やペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス［２−（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］ベンゼン、ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナイト］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ［Ｆｄｐｑ］_２ａｃａｃ）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、６００ｎｍから７００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。

緑色系の発光を得たいときは、発光層に、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、５００ｎｍから６００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。

また青色系の発光を得たいときは、発光層に、９，１０−ビス（２−ナフチル）−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、４００ｎｍから５００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。

また白色系の発光を得たいときは、ＴＰＤ（芳香族ジアミン）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、赤色発光色素であるナイルレッドをドープしたＡｌｑ_３、Ａｌｑ_３を蒸着法等により積層した構成を用いることができる。

その後、第２の電極１２０８を形成する。第２の電極１２０８は、第１の電極１２０６と同様に形成することができる。第１の電極１２０６、電界発光層１２０７、第２の電極１２０８を有する発光素子１２０９を形成することができる。

このとき、第１の電極１２０６、及び第２の電極１２０８が透光性を有するため、電界発光層１２０７から光を両方向へ発光させることができる。このような両方向へ発光させることができる表示装置を両面発光型の表示装置と呼ぶことができる。

その後、封止材１２２８により、絶縁基板１２０１と、対向基板１２２０とを貼り合わせる。本実施の形態では、封止材１２２８は駆動回路部１２１８の一部上に設けられているため、狭額縁化を図ることができる。勿論、封止材１２２８の配置はこれに限定されるものではなく、駆動回路部１２１８の外側に設けてもよい。

貼り合わせたことにより形成される空間には、窒素等の不活性気体が封入されたり、透光性を有し、吸湿性の高い樹脂材料で充填する。その結果、発光素子１２０９の劣化の一要因となる水分や酸素の侵入を防止することができる。また、絶縁基板１２０１と、対向基板１２２０との間隔を保持するため、スペーサを設けてもよく、スペーサに吸湿性を持たせてもよい。スペーサは、球状又は柱状の形状を有する。

また対向基板１２２０には、カラーフィルタやブラックマトリクスを設けることができる。カラーフィルタにより、単色発光層、例えば白色発光層を用いる場合であっても、フルカラー表示が可能となる。また各ＲＧＢの発光層を用いる場合であっても、カラーフィルタを設けることにより、射出される光の波長を制御することができ、綺麗な表示を提供することができる。またブラックマトリクスにより、配線等による外光の反射を低減することができる。

その後、絶縁基板１２０１の外側に、積層された偏光板１２１９として順に第１の偏光板１２１６及び第２の偏光板１２１７、並びに、対向基板１２２０の外側に、積層された偏光板１２２９として順に第３の偏光板１２２６及び第４の偏光板１２２７を設ける。すなわち、絶縁基板１２０１及び対向基板１２２０のそれぞれ外側に、積層された偏光板１２１９及び１２２９を設ける。

このとき偏光板１２１６及び１２１７は、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。また偏光板１２２６及び１２２７についても、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。

さらに積層された偏光板１２１９及び１２２９は、互いにクロスニコル状態になるように配置される。

その結果、黒色表示を暗くすることができ、すなわち黒輝度を高めることができ、コントラスト比を高めることができる。

本実施の形態では、偏光子として図２（Ａ）に示す偏光板を積層した構成を用いるが、もちろん図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示す積層された偏光子を用いてもよい。

また偏光板１２１６と偏光板１２１７の消衰係数は異なるものであり、偏光板１２２６と偏光板１２２７の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１２１６と偏光板１２１７の消衰係数の波長分布を異ならせてもよく、偏光板１２２６と偏光板１２２７の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図２３では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

本実施の形態では、駆動回路部も絶縁基板１２０１上に一体形成する形態を示したが、駆動回路部はシリコンウェハから形成されたＩＣ回路を用いてもよい。その場合、ＩＣ回路からの映像信号等は、接続端子等を介して、スイッチング用の薄膜トランジスタ１２０３に入力することができる。

なお本実施の形態では、アクティブ型の表示装置を用いて説明したが、パッシブ型の表示装置であっても、積層された偏光板を設けることができる。その結果、コントラスト比を高めることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書中の他の実施の形態及び実施例と自由に組み合わせて実施することが可能である。

［実施の形態１８］
本実施の形態では、本発明の表示装置の概念について説明する。本実施の形態では、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を用いて説明する。

図２４に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板１３０１及び第２の基板１３０２に、エレクトロルミネッセンス素子を有する層１３００が挟持されている。エレクトロルミネッセンス素子からの光は、第１の基板１３０１側及び第２の基板１３０２側（点線矢印方向）に発光した光を放射することが可能である。

第１の基板１３０１及び第２の基板１３０２として透光性基板を用いる。透光性基板としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。

第１の基板１３０１及び第２の基板１３０２の外側、つまりエレクトロルミネッセンス素子を有する層１３００と接しない側には、位相差板及び積層された偏光子が設けられている。なお本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）に示される１つの偏光膜を有する偏光板を積層する構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）や図２（Ｃ）に示される構成を用いてもよいのは言うまでもない。光は、位相差板により円偏光され、偏光板により直線偏光される。すなわち、積層された偏光子は、積層された直線偏光子と記すことができる。積層された偏光子は、２つ以上の偏光子が積層された状態を指す。

第１の基板１３０１の外側には、順に第１の位相差板１３１３、積層された偏光板１３１５である第１の偏光板１３１１、第２の偏光板１３１２が設けられている。本実施の形態では、位相差板１３１３及び後述する位相差板１３２３としては１／４波長板を用いる。

このように位相差板、積層された偏光板とを合わせて、積層された偏光板（直線偏光板）を有する円偏光板とも記す。第１の偏光板１３１１の吸収軸１３３５と、第２の偏光板１３１２の吸収軸１３３６とは平行になるように配置される。すなわち第１の偏光板１３１１と、第２の偏光板１３１２、つまり積層された偏光板１３１５はパラレルニコルとなるように配置される。

また位相差板１３１３の遅相軸１３３１は、第１の偏光板１３１１の吸収軸１３３５及び第２の偏光板１３１２の吸収軸１３３６と４５°ずれるように配置される。

図２５（Ａ）には、吸収軸１３３５（及び１３３６）と遅相軸１３３１のずれ角を示す。遅相軸１３３１が１３５°をなし、吸収軸１３３５（及び１３３６）は９０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。

また第２の基板１３０２の外側には、順に第２の位相差板１３２３、積層された偏光板１３２５として第３の偏光板１３２１、第４の偏光板１３２２が設けられている。このように位相差板と積層された偏光板とを、積層された偏光板を有する円偏光板とも記す。第３の偏光板１３２１の吸収軸１３３７と、第４の偏光板１３２２の吸収軸１３３８とは平行になるように配置される。すなわち第３の偏光板１３２１と、第４の偏光板１３２２、つまり積層された偏光板１３２５はパラレルニコルとなるように配置される。

また位相差板１３２３の遅相軸１３３２は、第３の偏光板１３２１の吸収軸１３３７及び第４の偏光板１３２２の吸収軸１３３８と４５°ずれるように配置される。

図２５（Ｂ）には、吸収軸１３３７（及び１３３８）と遅相軸１３３２のずれ角を示す。遅相軸１３３２が４５°をなし、吸収軸１３３７（及び１３３８）は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。すなわち第１の直線偏光板１３１１の吸収軸１３３５（及び第２の直線偏光板１３１２の吸収軸１３３６）に対し、第１の位相差板１３１３の遅相軸１３３１が４５°ずれるように配置され、第３の直線偏光板１３２１の吸収軸１３３７（及び第４の直線偏光板１３２２の吸収軸１３３８）に対し、第２の位相差板１３２３の遅相軸１３３２が４５°ずれるように配置される。

そして、第１の基板１３０１に設けられた、積層された偏光板１３１５の吸収軸１３３５（及び１３３６）と、第２の基板１３０２に設けられた、積層された偏光板１３２５の吸収軸１３３７（及び１３３８）とは直交することを特徴とする。すなわち、積層された偏光板１３１５と、積層された偏光板１３２５、つまり対向する偏光板はクロスニコルをなすように配置する。

また図２５（Ｃ）には、吸収軸１３３５及び遅相軸１３３１を実線で示し、吸収軸１３３７及び遅相軸１３３２を点線で示し、これらを重ねた状態を示す。図２（Ｃ）より、吸収軸１３３５と吸収軸１３３７はクロスニコル状態を有し、且つ遅相軸１３３１と遅相軸１３３２ともクロスニコル状態を有することがわかる。

本明細書では、吸収軸と遅相軸のずれ、吸収軸同士のずれ、遅相軸同士のずれを述べるときは上記の角度を前提とするが、同様な効果を発現できるのであれば、その角度から多少ずれていても良い。

これら偏光板１３１１、１３１２、１３２１、１３２２は、公知の材料から形成することができ、例えば基板側から接着面、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）と二色性色素の混合層、ＴＡＣが順に積層された構成を用いることができる。二色性色素は、ヨウ素と二色性有機染料がある。また偏光板とは、その形状から偏光フィルムと呼ぶこともある。

また偏光板１３１１と偏光板１３１２の消衰係数は異なるものであり、偏光板１３２１と偏光板１３２２の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１３１１と偏光板１３１２の消衰係数の波長分布が異なっていてもよく、偏光板１３２１と偏光板１３２２の消衰係数の波長分布が異なっていてもよい。

また図２４では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

そして、円偏光板には位相差板を数枚重ね合わせることによって位相差が９０度の波長範囲を広げることができる広帯域化された円偏光板があるが、この場合においても第１の基板１３０１の外側に配置する各位相差板の遅相軸と第２の基板１３０２の外側に配置する各位相差板とで同じ位相差板の遅相軸同士は９０度に配置され、かつ対向する偏光板の吸収軸同士はクロスニコル配置であればよい。

なお本明細書では、吸収軸同士のずれ、吸収軸と遅相軸のずれ、遅相軸同士のずれを述べるときは、上記の角度を前提とするが、同様な効果を発現できるのであれば、その角度から多少ずれていても良い。

このように積層された偏光板同士の吸収軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。そして、対向する偏光板同士をクロスニコルとなるように配置する。このような偏光板を有する円偏光板を設けることにより、偏光板単層同士がクロスニコルとなるように配置された円偏光板と比べて光漏れを低減できる。このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。

［実施の形態１９］
本実施の形態では、図２６を用いて、本発明の表示装置の断面図を例示する。

なお図２６に示す表示装置は、図２３と同じものは同じ符号で示し、特に記載のないものは図２３の説明を援用する。

絶縁表面を有する基板（以下、絶縁基板と記す）１２０１上に絶縁層を介して薄膜トランジスタが形成される。薄膜トランジスタ（（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ＴＦＴとも記す）は、所定の形状に加工された半導体層、半導体層を覆うゲート絶縁層、ゲート絶縁層を介して半導体層上に設けられたゲート電極、半導体膜中の不純物層に接続されるソース電極、又はドレイン電極を有する。半導体層に用いられる材料は珪素を有する半導体材料であり、結晶状態は非晶質状態、微結晶状態、結晶状態のいずれであってもよい。ゲート絶縁膜を代表とする絶縁層は、好ましくは無機材料を用いるとよく、窒化珪素、又は酸化珪素を用いることができる。ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極は導電性材料から形成すればよく、タングステン、タンタル、アルミニウム、チタン、銀、金、モリブデン、銅等を有する。

表示装置は、画素部１２１５、駆動回路部１２１８に大きく分けることができ、画素部１２１５に設けられた薄膜トランジスタ１２０３はスイッチング素子として、駆動回路部に設けられた薄膜トランジスタ１２０４はＣＭＯＳ回路として用いられる。ＣＭＯＳ回路として用いるためには、Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとから構成される。駆動回路部１２１８に設けられたＣＭＯＳ回路により、薄膜トランジスタ１２０３を制御することができる。

なお図２６では薄膜トランジスタとしてトップゲート型ＴＦＴを示しているが、ボトムゲート型ＴＦＴを用いてもよい。

薄膜トランジスタ１２０３及び１２０４を覆うように、積層構造、又は単層構造からなる絶縁層１２０５が形成される。絶縁層１２０５は、無機材料又は有機材料から形成することができる。無機材料として、窒化珪素、酸化珪素を用いることができる。有機材料として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を含む液体材料を出発原料として形成される。無機材料を用いて形成すると、下方の凹凸に沿うような表面状態となり、有機材料を用いて形成すると、表面は平坦化される。例えば、絶縁層１２０５において平坦性が要求される場合、有機材料を用いて形成するとよい。なお、無機材料であっても厚膜化することによって、平坦性を備えることができる。

そして、ソース電極又はドレイン電極のいずれか一と接続される第１の電極１２０６を形成する。第１の電極１２０６は透光性を有する材料を用いて形成する。透光性を有する材料とは、酸化インジウムスズ（（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ（ＩＺＯ））、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）等が挙げられる。またＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ_２、窒化カルシウム）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属等の非透光性材料であっても、非常に薄い膜厚とすることにより、透光性を有することができるため、非透光性材料を第１の電極１２０６に用いてもよい。

その後、絶縁層１２１０の開口部に電界発光層１２０７を形成する。電界発光層１２０７は、各機能を有する層、具体的には正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を有する。また各層の境界は必ずしも明確となっておらず、その一部が混在している場合もある。

このとき、第１の電極１２０６及び第２の電極１２０８が透光性を有するため、電界発光層１２０７から光を両方向へ発光させることができる。このような両方向へ発光させることができる表示装置を両面射出型の表示装置と呼ぶことができる。

その後、封止材１２２８により、絶縁基板１２０１と対向基板１２２０とを貼り合わせる。本実施の形態では、封止材１２２８は駆動回路部１２１８の一部上に設けられているため、狭額縁化を図ることができる。勿論、封止材１２２８の配置はこれに限定されるものではなく、駆動回路部１２１８の外側に設けてもよい。

貼り合わせたことにより形成される空間には、窒素等の不活性気体が封入されたり、透光性を有し、吸湿性の高い樹脂材料で充填する。その結果、発光素子１２０９の劣化の一要因となる水分や酸素の侵入を防止することができる。また、絶縁基板１２０１と対向基板１２２０との間隔を保持するため、スペーサを設けてもよく、スペーサに吸湿性を持たせてもよい。スペーサは、球状又は柱状の形状を有する。

また対向基板１２２０には、カラーフィルタやブラックマトリクスを設けることができる。カラーフィルタにより、単色発光層、例えば白色発光層を用いる場合であっても、フルカラー表示が可能となる。また各ＲＧＢの発光層を用いる場合であっても、カラーフィルタを設けることにより、放射される光の波長を制御することができ、綺麗な表示を提供することができる。またブラックマトリクスにより、配線等による外光の反射を低減することができる。

その後、絶縁基板１２０１の外側に、第１の位相差板１２３５、積層された偏光板１２１９として順に第１の偏光板１２１６、第２の偏光板１２１７、並びに、対向基板１２２０の外側に、第２の位相差板１２２５、積層された偏光板１２２９として順に第３の偏光板１２２６、第４の偏光板１２２７を設ける。すなわち、絶縁基板１２０１及び対向基板１２２０のそれぞれ外側に、積層された偏光板を有する円偏光板を設ける。

また位相差板１２３５及び１２２５を設けることにより、表示装置に対する外光からの反射光を抑制することができる。

また偏光板１２１６と偏光板１２１７の消衰係数は異なるものであり、偏光板１２２６と偏光板１２２７の消衰係数は異なるものである。あるいは、偏光板１２１６と偏光板１２１７の消衰係数の波長分布を異ならせてもよく、偏光板１２２６と偏光板１２２７の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図２６では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

本実施の形態では、駆動回路部も絶縁基板１２０１上に一体形成する形態を示したが、駆動回路部はシリコンウェハから形成されたＩＣ回路を用いてもよい。その場合、ＩＣ回路からの映像信号等は、接続端子等を介して、スイッチング用ＴＦＴ１２０３に入力することができる。

なお本実施の形態では、アクティブ型の表示装置を用いて説明したが、パッシブ型の表示装置であっても、積層された偏光板を有する円偏光板を設けることができる。その結果、コントラスト比を高めることができる。

本実施の形態は、必要であれば、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

［実施の形態２０］
本実施の形態では、本発明の表示装置の概念について説明する。本実施の形態では、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を用いて説明する。

図２７（Ａ）及び図２７（Ｂ）に発光素子からの光が基板の上方に放射される表示装置を示す。図２７（Ａ）及び図２７（Ｂ）に示されるように、互いに対向するように配置された第１の基板１４０１及び第２の基板１４０２に、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を有する層１４００が挟持されている。エレクトロルミネッセンス素子からの光は、第１の基板１４０１側（点線矢印方向）に発光した光を放射することが可能である。

第１の基板１４０１として、透光性基板が用いられ、このような透光性基板には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。

また第２の基板１４０２は透光性基板を用いてもよいが、エレクトロルミネッセンス素子を有する層１４００からの光は放射されない。これは、後述するようにエレクトロルミネッセンス素子を有する層１４００に形成される電極を反射性を有する導電膜を用いて形成するか、もしくは第２の基板１４０２の全面に反射性を有する材料を形成することにより、エレクトロルミネッセンス素子を有する層１４００からの光を、第１の基板１４０１側に反射させればよい。

第１の基板１４０１の光が放射される面の外側には、位相差板（波長板ともいう）、積層された偏光子が設けられている。積層された偏光子は、積層された直線偏光子と記すことができる。積層された偏光子は、２つ以上の偏光子が積層された状態を指す。なお本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）に示される１つの偏光膜を有する偏光板を積層する構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）や図２（Ｃ）に示される構成を用いてもよいのは言うまでもない。

また図２７（Ａ）及び図２７（Ｂ）では、偏光板は２枚設けた例しか示していないが、３枚以上設けてもよい。

このように位相差板、（本実施の形態では１／４波長板）積層された偏光板とを合わせて、積層された偏光板（直線偏光板）を有する円偏光板とも記す。

第１の偏光板１４０３の吸収軸１４５１と、第２の偏光板１４０４の吸収軸１４５２とは平行になるように配置される。すなわち第１の偏光板１４０３と、第２の偏光板１４０４、つまり積層された偏光板はパラレルニコルとなるように配置される。また位相差板１４２１の遅相軸１４５３は、第１の偏光板１４０３の吸収軸１４５１及び第２の偏光板１４０４の吸収軸１４５２と４５°ずれるように配置される。

図２８には、吸収軸１４５１、遅相軸１４５３のずれ角を示す。遅相軸１４５３が４５°をなし、吸収軸１４５１は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。なお吸収軸１４５２は吸収軸１４５１と同じ方向なので省略する。すなわち第１の直線偏光板１４０３の吸収軸１４５１に対し、位相差板１４２１の遅相軸１４５３が４５°ずれるように配置される。

これら偏光板１４０３及び１４０４は、公知の材料から形成することができ、例えば基板側から接着面、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）と二色性色素の混合層、ＴＡＣが順に積層された構成を用いることができる。二色性色素は、ヨウ素と二色性有機染料がある。また偏光板とは、その形状から偏光フィルムと呼ぶこともある。

また偏光板１４０３及び１４０４の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１４０３及び１４０４の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図２７では、１枚の基板に対して偏光板を２枚積層した例を示しているが、３枚以上積層しても構わない。

また位相差板の特性上、遅相軸と直交する方向には進相軸がある。そのため、偏光板との配置は、遅相軸だけではなく進相軸を用いて決定することができる。本実施の形態では、吸収軸と遅相軸が４５°ずれるように配置するため、言い換えると、吸収軸と進相軸とが１３５°ずれるように配置することとなる。

なお本明細書では、吸収軸同士のずれ、吸収軸と遅相軸のずれを述べるときは、上記の角度を前提とするが、同様な効果を発現できるのであれば、その角度から多少ずれていても良い。

このように積層された偏光板同士の吸収軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、偏光板が単数のときと比べて、外光からの反射光を低減することができる。このため黒表示を暗くでき、すなわち黒輝度を高めることができ、表示装置のコントラスト比を高めることができる。

［実施の形態２１］
本実施の形態では、図２９を用いて、本発明の表示装置の断面図を示す。

なお図２９に示す表示装置は、図２６と同じものは同じ符号で示し、特に記載のないものは図２６の説明を援用する。

絶縁表面を有する基板（以下、絶縁基板ともいう）１２０１上に絶縁層を介して薄膜トランジスタが形成される。薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴとも記す））は、所定の形状に加工された半導体層、半導体層を覆うゲート絶縁層、ゲート絶縁層を介して半導体層上に設けられたゲート電極、半導体膜中の不純物層に接続されるソース電極、又はドレイン電極を有する。

半導体層に用いられる材料は珪素を有する半導体材料であり、結晶状態は非晶質状態、微結晶状態、結晶状態のいずれであってもよい。

ゲート絶縁膜を代表とする絶縁層は、好ましくは無機材料を用いるとよく、窒化珪素、又は酸化珪素を用いることができる。ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極は導電性材料から形成すればよく、タングステン、タンタル、アルミニウム、チタン、銀、金、モリブデン、銅等を有する。

表示装置は、画素部１２１５、駆動回路部１２１８に大きく分けることができ、画素部１２１５に設けられた薄膜トランジスタ１２０３は発光素子のスイッチング素子として、駆動回路部１２１８に設けられた薄膜トランジスタ１２０４はＣＭＯＳ回路として用いられる。ＣＭＯＳ回路として用いるためには、Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとから構成される。駆動回路部１２１８に設けられたＣＭＯＳ回路により、画素部１２１５の薄膜トランジスタ１２０３を制御することができる。

なお図２９において、薄膜トランジスタ１２０３及び１２０４はトップゲート型ＴＦＴを示しているが、ボトムゲート型ＴＦＴを用いても構わない。

画素部１２１５及び駆動回路部１２１８の薄膜トランジスタを覆うように、積層構造、又は単層構造からなる絶縁層１２０５が形成される。絶縁層１２０５は、無機材料又は有機材料から形成することができる。無機材料として、窒化珪素、酸化珪素を用いることができる。有機材料として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。

シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を含む液体材料を出発原料として形成される。

無機材料を用いて絶縁層１２０５を形成すると、下方の凹凸に沿うような表面状態となり、有機材料を用いて形成すると、表面は平坦化される。例えば、絶縁層１２０５において平坦性が要求される場合、有機材料を用いて形成するとよい。なお、無機材料であっても厚膜化することによって、平坦性を備えることができる。

そして、ソース電極又はドレイン電極のいずれかと接続される第１の電極１２４１を形成する。第１の電極１２４１は、反射性を有する導電膜を用いて形成する。このような反射性を有する導電膜としては、白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）といった仕事関数の高い導電膜を用いる。また、これらの金属は、高価であるため、アルミニウム膜やタングステン膜といった適当な導電膜上に積層し、少なくとも最表面に白金もしくは金が露出するような画素電極としても良い。

第１の電極１２４１の端部を覆うように、絶縁層１２１０を形成する。絶縁層１２１０は絶縁層１２０５と同様に形成することができる。第１の電極１２０６の端部を覆うため、絶縁層１２１０に対して開口部を設ける。開口部の端面は、テーパ形状を有するとよく、その後形成される層の段切れを防止することができる。例えば、絶縁層１２１０に非感光性樹脂、又は感光性樹脂を用いる場合、露光条件により、開口部の側面にテーパを設けることができる。

その後、第２の電極１２４２を形成する。第２の電極１２４２は、膜厚の薄い（好ましくは１０〜５０ｎｍ）仕事関数の小さい導電膜に、透光性を有する導電膜を積層して形成する。仕事関数の小さい導電膜は、周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む材料（例えば、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、又はこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＡｇＡｌ、ＭｇＩｎ、ＬｉＡｌ、ＬｉＦＡｌ、ＣａＦ_２、又はＣａ_３Ｎ_２など）を用いる。透光性を有する導電膜として、酸化インジウムスズ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）等が挙げられる。

またＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ_２、窒化カルシウム）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属等の非透光性材料であっても、非常に薄い膜厚とすることにより、透光性を有することができるため、非透光性材料を第２の電極１２４２に用いてもよい。

以上のようにして一対の電極である、第１の電極１２４１及び第２の電極１２４２、電極間に設けられた電界発光層１２０７を有する発光素子１２０９を形成することができる。

このとき、第２の電極１２４２が透光性を有するため、電界発光層１２０７から光を上方へ発光させることができる。

その後、発光素子からの光が放射される対向基板１２２０の外側に、位相差板１２２５、第１の偏光板１２２６、第２の偏光板１２２７を設ける。すなわち、対向基板１２２０の外側に、積層された偏光板を有する円偏光板を設ける。

このとき偏光板１２２６及び１２２７についても、パラレルニコル状態となるように貼り合わされる。

その結果、外光からの光漏れを防ぐことで黒色を暗くことができ、すなわたい黒輝度を高めることができ、コントラスト比を高めることができる。

また位相差板１２２５を設けることにより、外光からの表示装置に対する反射光を抑制することができる。

位相差板１２２５は、実施の形態２０で述べた位相差板１４２１と同様に設ければよく、第１の偏光板１２２６及び第２の偏光板１２２７についても、偏光板１４０３及び１４０４と同様に設ければよい。なお本実施の形態では、偏光板は２枚しか設けていないが、３枚以上設けてもよい。

また偏光板１２２６及び１２２７の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１２２６及び１２２７の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

本実施の形態は、必要であれば上記実施の形態と自由に組み合わせることができる。

［実施の形態２２］
本実施の形態では、本発明の表示装置の概念について説明する。本実施の形態では、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を用いて説明する。

図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）に発光素子からの光が基板の下方に放射される表示装置を示す。図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）に示されるように、互いに対向するように配置された第１の基板１５０１及び第２の基板１５０２に、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を有する層１５００が挟持されている。エレクトロルミネッセンス素子からの光は、第１の基板１５０１側（点線矢印方向）に発光した光を放射することが可能である。

第１の基板１５０１として、透光性基板が用いられ、このような透光性基板には、実施の形態２０の基板１４０１と同様の材料を用いればよい。

また第２の基板１５０２は透光性基板を用いてもよいが、エレクトロルミネッセンス素子を有する層１５００からの光は放射されない。これは、後述するようにエレクトロルミネッセンス素子を有する層１５００に形成される電極を反射性を有する導電膜を用いて形成するか、もしくは第２の基板１５０２の全面に反射性を有する材料を形成することにより、エレクトロルミネッセンス素子を有する層１５００からの光を、第１の基板１５０１側に反射させればよい。

第１の基板１５０１の光が放射される面の外側には、位相差板（波長板ともいう）、積層された偏光子が設けられている。

このように位相差板、（本実施の形態ではλ／４板）積層された偏光板とを合わせて、積層された偏光板（直線偏光板）を有する円偏光板とも記す。なお本実施の形態では、偏光板は２枚しか設けていないが、３枚以上設けてもよい。

第１の偏光板１５０３の吸収軸１５５１と、第２の偏光板１５０４の吸収軸１５５２とは平行になるように配置される。すなわち第１の偏光板１５０３と、第２の偏光板１５０４、つまり積層された偏光板はパラレルニコルとなるように配置される。また位相差板１５２１の遅相軸１５５３は、第１の偏光板１５０３の吸収軸１５５１及び第２の偏光板１５０４の吸収軸１５５２と４５°ずれるように配置される。

これら偏光板１５０３及び１５０４は、実施の形態２０の偏光板１４０３及び１４０４と同様の材料で形成すればよい。

また偏光板１５０３及び１５０４の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１５０３及び１５０４の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また偏光板１５０３の吸収軸１５５１、偏光板１５０４の吸収軸１５５２、位相差板１５２１の遅相軸１５５３の位置関係については、実施の形態２０と同様である（図２８参照）。

本実施の形態に示す基板の下方に光を放射する表示装置についても、積層された偏光板同士の透過軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、偏光板が単数のときと比べて、外光からの反射光を低減することができる。このため黒表示をより暗くすることにより、すなわち黒輝度を高めることにおり、表示装置のコントラスト比を高めることができる。

なお本実施の形態は、必要であれば上記実施の形態と組み合わせることが可能である。

［実施の形態２３］
本実施の形態では、図３１を用いて、実施の形態２１とは別の表示装置の断面図を示す。

図２９では、薄膜トランジスタが形成された基板の上方に光が放射される表示装置を示したが、図３１では、薄膜トランジスタが形成された基板の下方に光が放射される表示装置を示す。

図３１において、図２９と同じものは同じ符号で表している。図３１の表示装置は、第１の電極１２５１、電界発光層１２０７、第２の電極１２５２を有している。第１の電極１２５１は、図２９の第２の電極１２４２と同じ材料で形成すればよく、第２の電極１２５２は、図２９の第１の電極１２４１と同じ材料で形成すればよい。また電界発光層１２０７は、実施の形態３の電界発光層１２０７と同様の材料を用いて形成すればよい。第１の電極１２５１が透光性を有するので、電界発光層１２０７から光を下方へ発光させることができる。

また、発光素子からの光が放射される基板１２０１の外側に、位相差板１２３５、第１の偏光板１２１６、第２の偏光板１２１７を設ける。すなわち、基板１２０１の外側に、積層された偏光板を有する円偏光板を設ける。これによりコントラスト比の高い表示装置を得ることが可能となる。位相差板１２３５は、実施の形態２２で述べた位相差板１５２１と同様に設ければよく、第１の偏光板１２１６及び第２の偏光板１２１７についても、偏光板１５０３及び１５０４と同様に設ければよい。なお本実施の形態では、偏光板は２枚しか設けていないが、３枚以上設けてもよい。

また偏光板１２１６及び１２１７の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１２１６及び１２１７の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

本実施の形態は、必要であれば上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

［実施の形態２４］
本実施の形態では、実施の形態１６〜実施の形態２３の画素部、駆動回路を有する表示装置の構成について説明する。

図３２には、駆動回路部１２１８である走査線駆動回路部１２１８ｂ及び信号線駆動回路部１２１８ａを、画素部１２１５の周辺に設けた状態のブロック図を示す。

画素部１２１５は、複数の画素を有し、画素には発光素子及びスイッチング素子が設けられている。

走査線駆動回路部１２１８ｂは、シフトレジスタ１３５１、レベルシフタ１３５４、バッファ１３５５を有する。シフトレジスタ１３５１に入力されたスタートパルス（ＧＳＰ）、クロックパルス（ＧＣＫ）に基づき、信号が生成され、レベルシフタ１３５４を介して、バッファ１３５５へ入力される。バッファ１３５５では、信号が増幅されて、増幅された信号は走査線１３７１を介して画素部１２１５へ入力される。画素部１２１５には、発光素子と、発光素子を選択するスイッチング素子が設けられており、スイッチング素子が有するゲート線に、バッファ１３５５からの信号が入力される。すると、所定の画素のスイッチング素子が選択される。

信号線駆動回路部１２１８ａは、シフトレジスタ１３６１、第１のラッチ回路１３６２、第２のラッチ回路１３６３、レベルシフタ１３６４、バッファ１３６５を有する。シフトレジスタ１３６１には、スタートパルス（ＳＳＰ）及びクロックパルス（ＳＣＫ）が入力され、第１のラッチ回路１３６２にはデータ信号（ＤＡＴＡ）が入力され、第２のラッチ回路１３６３にはラッチパルス（ＬＡＴ）が入力される。ＤＡＴＡは、ＳＳＰ及びＳＣＫに基づき、第２のラッチ回路１３６３へ入力され、第２のラッチ回路１３６３では一行分のＤＡＴＡが保持され、信号線１３７２を介して一斉に画素部１２１５へ入力される。

信号線駆動回路部１２１８ａ、走査線駆動回路部１２１８ｂ、画素部１２１５は、同一基板上に設けられた半導体素子によって形成することができる。例えば、上記実施の形態で示した絶縁基板に設けられた薄膜トランジスタを用いて形成することができる。

また、本実施の形態の表示装置が有する画素の等価回路図について、図３７（Ａ）〜図３７（Ｃ）を用いて説明する。

図３７（Ａ）は、画素の等価回路図の一例を示したものであり、信号線１３８４、電源線１３８５、走査線１３８６、それらの交点領域に発光素子１３８３、トランジスタ１３８０及び１３８１、容量素子１３８２を有する。信号線１３８４には信号線駆動回路によって映像信号（ビデオ信号とも記す）が入力される。トランジスタ１３８０は、走査線１３８６に入力される選択信号に従って、トランジスタ１３８１のゲートへの、映像信号の電位の供給を制御することができる。トランジスタ１３８１は、映像信号の電位に従って、発光素子１３８３への電流の供給を制御することができる。容量素子１３８２は、トランジスタ１３８１のゲートとソースとの間の電圧（ゲート・ソース間電圧と記す）を保持することができる。なお、図３７（Ａ）では、容量素子１３８２を図示したが、トランジスタ１３８１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。

図３７（Ｂ）は、図３７（Ａ）に示した画素に、トランジスタ１３８８と走査線１３８９を新たに設けた画素の等価回路図である。トランジスタ１３８８により、トランジスタ１３８１のゲートとソースを同電位とし、強制的に発光素子１３８３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素に映像信号が入力される期間よりも、サブフレーム期間の長さを短くすることができる。

図３７（Ｃ）は、図３７（Ｂ）に示した画素に、新たにトランジスタ１３９５と、配線１３９６を設けた画素の等価回路図である。トランジスタ１３９５は、そのゲートの電位が、配線１３９６によって固定されている。そして、トランジスタ１３８１とトランジスタ１３９５は、電源線１３８５と発光素子１３８３との間に直列に接続されている。よって図３７（Ｃ）では、トランジスタ１３９５により発光素子１３８３に供給される電流の値が制御され、トランジスタ１３８１により発光素子１３８３への該電流の供給の有無が制御できる。

なお、本発明の表示装置が有する画素回路は、本実施の形態で示した構成に限定されない。例えば、カレントミラーを有する画素回路であって、アナログ階調表示を行う構成であってもよい。

なお本実施の形態は、必要であれば上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

［実施の形態２５］
本実施の形態では、積層された偏光子の同士の吸収軸がパラレルニコル状態、つまり対向する偏光子同士がパラレルニコル状態を有する表示装置の概念について説明する。

本実施の形態は、及び両面射出型発光表示装置（実施の形態１８〜実施の形態１９）に応用することが可能である。

図３３に示すように、第１の基板１４６１及び第２の基板１４６２に、表示素子を有する層１４６０が挟持されている。表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子であればよい。

第１の基板１４６１及び第２の基板１４６２として透光性基板を用いる。透光性基板としては、実施の形態１の基板１０１と同様の材料を用いればよい。

基板１４６１及び１４６２それぞれの外側、つまり表示素子を有する層１４６０と接しない側には、積層された偏光子が設けられている。なお本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）に示される１つの偏光膜を有する偏光板を積層する構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）や図２（Ｃ）に示される構成を用いてもよいのは言うまでもない。

また発光表示装置では、エレクトロルミネッセンス素子からの光が、第１の基板１４６１側及び第２の基板１４６２側に発光する。

第１の基板１４６１の外側には、順に第１の位相差板１４７３、第１の偏光板１４７１、第２の偏光板１４７２が設けられている。第１の偏光板１４７１の吸収軸１４９５と第２の偏光板１４７２の吸収軸１４９６は平行になっており、つまり積層された偏光板１４７５はパラレルニコルとなるように配置される。また第１の位相差板１４７３の遅相軸１４９１は、第１の偏光板１４７１の吸収軸１４９５及び第２の偏光板１４７２の吸収軸１４９６と４５°ずれるように配置される。

図３４（Ａ）には、吸収軸１４９５（及び１４９６）、遅相軸１４９１のずれ角を示す。遅相軸１４９１が４５°をなし、吸収軸１４９５（及び１４９６）は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。

また第２の基板１４６２の外側には、順に位相差板１４８３、第３の偏光板１４８１、第４の偏光板１４８２が設けられている。第３の偏光板１４８１の吸収軸１４９７と第４の偏光板１４８２の吸収軸１４９８は平行になっており、つまり積層された偏光板１４８５はパラレルニコルとなるように配置される。また位相差板１４８３の遅相軸１４９２は、第３の偏光板１４８１の吸収軸１４９７及び第４の偏光板１４８２の吸収軸１４９８と４５°ずれるように配置される。

図３４（Ｂ）には、吸収軸１４９７（及び１４９８）、遅相軸１４９２のずれ角を示す。遅相軸１４９２が４５°をなし、吸収軸１４９７（及び１４９８）は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。

すなわち第１及び第２の直線偏光板１４７１及び１４７２の吸収軸に対し、第１の位相差板１４７３の遅相軸１４９１が４５°ずれるように配置され、第３及び第４の直線偏光板１４８１及び１４８２の吸収軸１４９７及び１４９８に対し、第２の位相差板１４８３の遅相軸１４９２が４５°ずれるように配置され、第１及び第２の直線偏光板１４７１及び１４７２の吸収軸１４９５及び１４９６に対し、第３及び第４の直線偏光板１４８１及び１４８２の吸収軸１４９７及び１４９８は平行になるように配置される。

そして、第１の基板１４６１に設けられた、積層された偏光板１４７５の吸収軸１４９５（及び１４９６）と、第２の基板１４６２に設けられた、積層された偏光板１４８５の吸収軸１４９７（及び１４９８）とは平行とすることを特徴とする。すなわち、積層された偏光板１４７５と、積層された偏光板１４８５、つまり対向する偏光板同士はパラレルニコルをなすように配置する。

また図３４（Ｃ）には、吸収軸１４９５及び遅相軸１４９１と、吸収軸１４９７及び遅相軸１４９２とを重ねた状態を示しているが、パラレルニコルであることがわかる。

なお本明細書では、パラレルニコル、吸収軸と遅相軸のずれを述べるときは、上記の角度を前提とするが、同様な効果を発現できるのであれば、その角度から多少ずれていても良い。

また偏光板１４７１と偏光板１４７２の消衰係数は異なるものであり、偏光板１４８１と偏光板１４８２の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１４７１と偏光板１４７２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよく、偏光板１４８１と偏光板１４８２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

なお、円偏光板には位相差板を数枚重ね合わせることによって位相差が９０度の波長範囲を広げることができる広帯域化された円偏光板があるが、この場合においても第１の基板１４６１の外側に配置する各位相差板の遅相軸と第２の基板１４６２の外側に配置する各位相差板とで同じ位相差板の遅相軸同士は平行に配置され、かつ対向する偏光板の吸収軸同士はパラレルニコル配置であればよい。

このように積層された偏光板同士の吸収軸がパラレルニコルとなるように積層することにより、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。そして、対向する偏光板同士をパラレルニコルとなるように配置する。このような円偏光板を設けることにより、偏光板単層同士がパラレルニコルとなるように配置された円偏光板と比べて光漏れを低減できる。このため表示装置のコントラスト比を高めることができる。

［実施の形態２６］
本実施の形態では、表示素子を有する層の上下で、偏光子の数を変えた構成を有する表示装置について説明する。

本実施の形態は、透過型液晶表示装置（実施の形態４〜実施の形態６）、及び両面射出型発光表示装置（実施の形態１６〜実施の形態１７）に応用することが可能である。

図３５（Ａ）〜図３５（Ｂ）に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板１６０１及び第２の基板１６０２に、表示素子を有する層１６００が挟持されている。なお、図３５において図３５（Ａ）は、本実施の形態の表示装置の断面図であり、図３５（Ｂ）は本実施の形態の表示装置の斜視図である。

表示素子は、液晶表示装置の場合は液晶素子であり、発光表示装置の場合はエレクトロルミネッセンス素子であればよい。

第１の基板１６０１及び第２の基板１６０２としては透光性基板を用いる。透光性基板には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。

基板１６０１及び１６０２それぞれの外側、つまり表示素子を有する層１６００と接しない側には、積層された偏光子、単層構造の偏光子が設けられている。なお本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）に示される１つの偏光膜を有する偏光板を積層する構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）や図２（Ｃ）に示される構成を用いてもよいのは言うまでもない。

液晶表示装置では、バックライト（図示せず）からの光が、液晶素子を有する層、基板、偏光子を通って外に取り出される。また発光表示装置では、エレクトロルミネッセンス素子からの光が、第１の基板１６０１側及び第２の基板１６０２側に発光する。

液晶素子を有する層を通る光、または、エレクトロルミネッセンス素子より射出される光は、偏光板により直線偏光にされる。すなわち、積層された偏光板、単層構造の偏光板は、積層された直線偏光板と記すことができる。積層された偏光板は、２つ以上の偏光板が積層された状態を指す。単層構造の偏光板は、１枚の偏光板が設けられた状態を指す。

本実施の形態においては表示素子を有する層１６００に対して、一方の側に２枚の偏光板が積層され、他方の側に単層構造の偏光板が設けられた表示装置について例示し、積層される２枚の偏光板については図３５（Ａ）に示すように接して積層されているものとする。

第１の基板１６０１の外側には、順に第１の偏光板１６１１、第２の偏光板１６１２が設けられている。第１の偏光板１６１１の吸収軸１６３１と、第２の偏光板１６１２の吸収軸１６３２とは平行になるように配置される。すなわち第１の偏光板１６１１と、第２の偏光板１６１２、つまり積層された偏光板１６１３はパラレルニコルとなるように配置される。

また第２の基板１６０２の外側には、第３の偏光板１６２１が設けられている。

そして、第１の基板１６０１に設けられた、積層された偏光板１６１３の吸収軸１６３１及び１６３２と、第２の基板１６０２に設けられた、単層構造の偏光板１６２１の吸収軸１６３３とは直交することを特徴とする。すなわち、積層された偏光板１６１３と、単層構造の偏光板１６２１、つまり対向する偏光板はクロスニコルをなすように配置する。

これら偏光板１６１１、１６１２、１６２１は、公知の材料から形成することができ、例えば基板側から接着面、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）と二色性色素の混合層、ＴＡＣが順に積層された構成を用いることができる。二色性色素は、ヨウ素と二色性有機染料がある。また偏光板とは、その形状から偏光フィルムと呼ぶこともある。

また偏光板１６１１と偏光板１６１２の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１６１１と偏光板１６１２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図３６（Ａ）〜図３６（Ｂ）に示すように、第１の基板１６０１側には、基板側から順に、第１の偏光板１６１１を配置する。すなわち、第１の基板１６０１側では、第１の偏光板１６１１により、単層構造の偏光板が構成される。また第２の基板１６０２側には、基板側から順に、第２の偏光板１６２１、第３の偏光板１６２２を配置する。すなわち、第２の基板１６０２側では、第２の偏光板１６２１及び第３の偏光板１６２２により、積層された偏光板１６２３が構成される。その他の構成は図３５と同様であるため、説明を省略する。

第２の偏光板１６２１の吸収軸１６３３と、第３の偏光板１６２２の吸収軸１６３４とは平行になるように配置される。すなわち第２の偏光板１６２１と、第３の偏光板１６２２、つまり積層された偏光板１６２３はパラレルニコルとなるように配置される。

そして、第１の基板１６０１に設けられた、単層構造の偏光板１６１１の吸収軸１６３１と、第２の基板１６０２に設けられた、積層された偏光板１６２３の吸収軸１６３３及び１６３４とは直交することを特徴とする。すなわち、単層構造の偏光板１６１１と積層された偏光板１６２３、つまり対向する偏光板はクロスニコルをなすように配置する。

また偏光板１６２１と偏光板１６２２の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１６２１と偏光板１６２２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

このように、互いに対向するように配置された偏光板のうち、一方の方向又は他方の方向に設けられる偏光板を積層された偏光板とし、対向する偏光板同士の吸収軸がクロスニコルとなるように配置することによっても、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。その結果、表示装置のコントラスト比を高めることができる。

なお、本実施の形態では、積層された偏光子の例として積層した偏光板を用い、一方の基板側に１枚の偏光板、他方の基板側に２枚の偏光板を設けた例について説明したが、積層する偏光子の数は２つでなくてもよく、３つ以上であってもよい。

［実施の形態２７］
本実施の形態では、表示素子を有する層の上下で、積層された偏光子を有する円偏光板と、１つの偏光子を有する円偏光板を用いた表示装置について説明する。

本実施の形態は、透過型液晶表示装置（実施の形態７〜実施の形態９）、及び両面射出型発光表示装置（実施の形態１８〜実施の形態１９）に応用することが可能である。

図３８に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板１５６１及び第２の基板１５６２に、表示素子を有する層１５６０が挟持されている。

図３８に示すように、第１の基板１５６１側には、基板側から順に位相差板１５７５、第１の偏光板１５７１、第２の偏光板１５７２を配置する。すなわち、第１の基板１５６１側では、第１の偏光板１５７１及び第２の偏光板１５７２により積層された偏光板１５７３が構成される。また第２の基板１５６２側には、基板側から順に、位相差板１５７６、第３の偏光板１５８１を配置する。すなわち、第２の基板１５６２側では、第３の偏光板１５８１により、単層構造の偏光板が構成される。

第１の基板１５６１及び第２の基板１５６２としては透光性基板を用いる。透光性基板には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。また、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を適用することができる。

基板１５６１及び１５６２それぞれの外側、つまり表示素子を有する層１５６０と接しない側には、位相差板と積層された偏光子、位相差板と単層構造の偏光子が設けられている。なお本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）に示される１つの偏光膜を有する偏光板を積層する構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）や図２（Ｃ）に示される構成を用いてもよいのは言うまでもない。

液晶表示装置では、バックライト（図示せず）からの光が、液晶素子を有する層、基板、位相差板、偏光子を通って外に取り出される。また発光表示装置では、エレクトロルミネッセンス素子からの光が、第１の基板１５６１側及び第２の基板１５６２側に発光する。

エレクトロルミネッセンス素子より射出される光は、位相差板により円偏光され、偏光板により直線偏光にされる。すなわち、積層された偏光板、単層構造の偏光板は、積層された直線偏光板と記すことができる。積層された偏光板は、２つ以上の偏光板が積層された状態を指す。単層構造の偏光板は、１枚の偏光板が設けられた状態を指す。

また液晶表示装置の場合は、位相差板は広視野角を得るために設けられ、液晶の駆動モードによりどの位相差板を用いるかは適宜決めればよい。

第１の偏光板１５７１の吸収軸１５９５と、第２の偏光板１５７２の吸収軸１５９６とは平行となるように積層されている。この平行状態を、パラレルニコルと呼ぶ。

このように積層された偏光板１５７３は、パラレルニコルとなるように配置される。

積層された偏光板１５７３の吸収軸１５９５（及び１５９６）と単層構造の偏光板１５８１の吸収軸１５９７の直交している。つまり対向する偏光板同士は、吸収軸は直交をなすように配置する。この直交状態を、クロスニコルと呼ぶ。

また偏光板１５７１と偏光板１５７２の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１５７１と偏光板１５７２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

また図３８及び図４０を用いて、エレクトロルミネセンス素子を有する発光表示装置における、位相差板の遅相軸１５９１及び１５９２のずれについて説明する。図３８において、矢印１５９１は位相差板１５７５の遅相軸を表しており、矢印１５９２は位相差板１５７６の遅相軸を表している。

位相差板１５７５の遅相軸１５９１は、第１の偏光板１５７１の吸収軸１５９５及び第２の偏光板１５７２の吸収軸１５９６と４５°ずれるように配置される。

図４０（Ａ）には、第１の偏光板１５７１の吸収軸１５９５と位相差板１５７５の遅相軸１５９１のずれ角を示す。位相差板１５７５の遅相軸１５９１が１３５°をなし、第１の偏光板１５７１の吸収軸１５９５は９０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。

また位相差板１５７６の遅相軸１５９２は、第３の偏光板１５８１の吸収軸１５９７と４５°ずれるように配置される。

図４０（Ｂ）には、第３の偏光板１５８１の吸収軸１５９７のずれ角を示す。位相差板１５７６の遅相軸１５９２が４５°をなし、第３の偏光板１５８１の吸収軸１５９７は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。すなわち第１の直線偏光板１５７１の吸収軸１５９５及び第２の直線偏光板１５７２の吸収軸１５９６に対し、位相差板１５７５の遅相軸１５９１が４５°ずれるように配置され、第３の直線偏光板１５８１の吸収軸１５９７に対し位相差板１５７６の遅相軸１５９２が４５°ずれるように配置される。

そして、第１の基板１５６１に設けられた、積層された偏光板１５７３の吸収軸１５９５（及び１５９６）と、第２の基板１５６２に設けられた、単層構造の偏光板１５８１の吸収軸１５９７とは直交することを特徴とする。すなわち、対向する偏光板はクロスニコルをなすように配置する。

また図４０（Ｃ）には、吸収軸１５９５及び遅相軸１５９１を実線で示し、吸収軸１５９７及び遅相軸１５９２を点線で示し、これらを重ねた状態を示す。図４０（Ｃ）より、吸収軸１５９５と吸収軸１５９７はクロスニコル状態を有し、且つ遅相軸１５９１と遅相軸１５９２ともクロスニコル状態を有することがわかる。

また図３９に図３８と異なる積層構成を示す。図３９では、第１の基板１５６１側には、基板側から順に位相差板１５７５、第１の偏光板１５７１を配置する。すなわち、第１の基板１５６１側では、第１の偏光板１５７１により、単層構造の偏光板が構成される。また第２の基板１５６２側には、基板側から順に、位相差板１５７６、積層された第２の偏光板１５８１、第３の偏光板１５８２を配置する。すなわち、第２の基板１５６２側では、第２の偏光板１５８１及び第３の偏光板１５８２により、積層された偏光板１５８３が構成される。

第３の偏光板１５８２の吸収軸１５９８は、第２の偏光板１５８１の吸収軸１５９７と平行である。よって吸収軸及び遅相軸のずれは図３８の構成のものと同じであるので、説明は省略する。

また偏光板１５８１と偏光板１５８２の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１５８１と偏光板１５８２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

このように一方の円偏光板に積層された偏光板を有し、対向する偏光板同士の吸収軸がクロスニコルとなるように配置することによっても、吸収軸方向の光漏れを低減することができる。その結果、表示装置のコントラスト比を高めることができる。

［実施の形態２８］
本実施の形態では、積層された偏光子を有する円偏光板と、１つの偏光子を有する円偏光板とを用いた表示装置の概念について説明する。

本実施の形態は、両面射出型発光表示装置（実施の形態２５）に応用することが可能である。

図４１に示すように、互いに対向するように配置された第１の基板１６６１及び第２の基板１６６２に、表示素子を有する層１６６０が挟持されている。

表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子であればよい。

第１の基板１６６１及び第２の基板１６６２としては透光性基板を用いる。透光性基板としては、実施の形態２７で述べた基板１５６１及び１５６２と同様の材料を用いればよい。

基板１６６１及び１６６２それぞれの外側、つまり表示素子を有する層１６６０と接しない側には、積層された偏光子、単層構造の偏光子が設けられている。なお本実施の形態では、積層された偏光子として、図２（Ａ）に示される１つの偏光膜を有する偏光板を積層する構成を用いる。もちろん図２（Ｂ）や図２（Ｃ）に示される構成を用いてもよいのは言うまでもない。

発光表示装置では、エレクトロルミネッセンス素子からの光が、第１の基板１６６１側及び第２の基板１６６２側に発光する。

エレクトロルミネッセンス素子より射出される光は、偏光板により直線偏光にされる。すなわち、積層された偏光板、単層構造の偏光板は、積層された直線偏光板と記すことができる。積層された偏光板は、２つ以上の偏光板が積層された状態を指す。単層構造の偏光板は、１枚の偏光板が設けられた状態を指す。

そして図４１に示すように、第１の基板１６６１側には、基板側から順に位相差板１６７５、第１の偏光板１６７１及び第２の偏光板１６７２を配置する。すなわち、第１の基板１６６１側では、第１の偏光板１６７１及び第２の偏光板１６７２により積層された偏光板１６７３が構成される。また第２の基板１６６２側には、基板側から順に、位相差板１６７６、第３の偏光板１６８１を配置する。すなわち、第２の基板１６６２側では、第３の偏光板１６８１により、単層構造の偏光板が構成される。

第１の偏光板１６７１の吸収軸１６９５と第２の偏光板１６７２の吸収軸１６９６は平行になっており、つまり積層された偏光板１６７３はパラレルニコルとなるように配置される。また第１の位相差板１６７５の遅相軸１６９１は、第１の偏光板１６７１の吸収軸１６９５及び第２の偏光板１６７２の吸収軸１６９６と４５°ずれるように配置される。

図４３（Ａ）には、吸収軸１６９５（及び１６９６）、遅相軸１６９１のずれ角を示す。遅相軸１６９１が４５°をなし、吸収軸１６９５（及び１６９６）は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。

また第２の基板１６６２の外側には、順に位相差板１６７６、第３の偏光板１６８１が設けられている。位相差板１６７６の遅相軸１６９２は、第３の偏光板１６８１の吸収軸１６９７と４５°ずれるように配置される。

図４３（Ｂ）には、吸収軸１６９７、遅相軸１６９２のずれ角を示す。遅相軸１６９２が４５°をなし、吸収軸１６９７は０°をなし、これらは４５°ずれた状態となる。

すなわち第１及び第２の直線偏光板１６７１及び１６７２の吸収軸１６９５及び１６９６に対し、位相差板１６７５の遅相軸１６９１が４５°ずれるように配置され、第３の直線偏光板１６８１の吸収軸１６９７に対し、位相差板１６７６の遅相軸１６９２が４５°ずれるように配置され、第１及び第２の直線偏光板１６７１及び１６７２の吸収軸１６９５及び１６９６に対し、第３の直線偏光板１６８１の吸収軸１６９７は平行になるように配置される。

そして、第１の基板１６６１に設けられた、積層された偏光板１６７３の吸収軸１６９５（及び１６９６）と、第２の基板１６６２に設けられた、積偏光板１６８１の吸収軸１６９７とは平行とすることを特徴とする。すなわち、積層された偏光板１６７３と、単層構造の偏光板１６８１、つまり対向する偏光板同士はパラレルニコルをなすように配置する。

また図４３（Ｃ）には、吸収軸１６９５及び遅相軸１６９１と、吸収軸１６９７及び遅相軸１６９２とを重ねた状態を示しているが、パラレルニコルであることがわかる。

また偏光板１６７１と偏光板１６７２の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１６７１と偏光板１６７２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

なお、円偏光板には位相差板を数枚重ね合わせることによって位相差が９０度の波長範囲を広げることができる広帯域化された円偏光板があるが、この場合においても第１の基板１６６１の外側に配置する各位相差板の遅相軸と第２の基板１６６２の外側に配置する各位相差板とで同じ位相差板の遅相軸同士は平行に配置され、かつ対向する偏光板の吸収軸同士はパラレルニコル配置であればよい。

また図４２に示すように、第１の基板１６６１側には、基板側から順に位相差板１６７５、第１の偏光板１６７１を配置する。すなわち、第１の基板１６６１側では、第１の偏光板１６７１により単層構造の偏光板が構成される。また第２の基板１６６２側には、基板側から順に、位相差板１６７６、第２の偏光板１６８１、第３の偏光板１６８２を配置する。すなわち、第２の基板１６６２側では、第２の偏光板１６８１及び第３の偏光板１６８２により、積層された偏光板１６８３が構成される。

第３の偏光板１６８２の吸収軸１６９８は、第２の偏光板１６８１の吸収軸１６９７と平行である。よって吸収軸及び遅相軸のずれは図４３の構成のものと同じであるので、説明は省略する。

また偏光板１６８１と偏光板１６８２の消衰係数は異なるものである。あるいは偏光板１６８１と偏光板１６８２の消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

このように一方の円偏光板に積層された偏光板を有し、対向する偏光板同士の透過軸がパラレルニコルとなるように配置することによっても、透過軸方向の光漏れを低減することができる。その結果、表示装置のコントラスト比を高めることができる。

［実施の形態２９］

液晶表示装置には、液晶の駆動方法に、基板に対して直交に電圧を印加する縦電界方式、基板に対して平行に電圧を印加する横電界方式がある。本発明の複数の偏光板を設ける構成は、縦電界方式であっても、横電界方式であっても適用することができる。そこで、本実施の形態では、本発明の液晶表示装置を各種液晶モードに適用した形態について説明する。

本実施の形態は、液晶表示装置（実施の形態４〜実施の形態１５、実施の形態２６〜実施の形態２７）に応用することが可能である。

なお本実施の形態において、同じものは同じ符号で表している。

まず図４４（Ａ）〜図４４（Ｂ）にはＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）モードの液晶表示装置の模式図を示す。

互いに対向するように配置された第１の基板１２１及び第２の基板１２２に、液晶素子を有する層１２０が挟持されている。そして第１の基板１２１側には、偏光子を有する層１２５が形成され、第２の基板１２２側には、偏光子を有する層１２６が形成される。偏光子を有する層１２５及び１２６は、実施の形態４〜実施の形態１５及び実施の形態２６〜実施の形態２７に基づいた構成にすればよい。すなわち、積層された偏光子を含む円偏光板を設けてもよいし、積層された偏光子のみで位相差板を設けない構成にしてもよい。また表示素子を有する層の上下に設けられる偏光子の数は同じであってもよいし、異なっていてもよい。さらに積層された偏光子の吸収軸は基板の上下でクロスニコルである。また反射型液晶表示装置を作製する場合は、偏光子を有する層１２５及び１２６のいずれか一方を形成しなくてもよい。ただし反射型液晶表示装置の場合は、黒表示を行うために位相差板と偏光子を両方設ける構造にする。

本実施の形態では、１つの基板上に積層された偏光子それぞれの消衰係数は異なるものである。あるいは１つの基板上に積層された偏光子それぞれの消衰係数の波長分布を異ならせてもよい。

第１の基板１２１、及び第２の基板１２２上には、それぞれ第１の電極１２７、第２の電極１２８が設けられている。そして透過型液晶表示装置の場合は、少なくとも片方の基板には透光性を有するように形成する。また反射型液晶表示装置の場合は、第１の電極１２７または第２の電極１２８のいずれか一方を反射性を有するようにし、他方を透光性を有するようにする。

このような構成を有する液晶表示装置において、ノーマリーホワイトモードの場合、第１の電極１２７及び第２の電極１２８に電圧が印加（縦電界方式と呼ぶ）されると、図４４（Ａ）に示すように黒色表示が行われる。このとき液晶分子１１６は縦に並んだ状態となる。すると透過型液晶表示装置の場合、バックライトからの光は、基板を通過することができず黒色表示となる。また反射型液晶表示装置の場合は、位相差板が設けられており、外光からの光は偏光子の透過軸方向に振動する光の成分だけ透過し直線偏光となり、この光が位相差板を通過すると円偏光となる（例えば右円偏光）。この右円偏光が反射板（もしくは反射電極）で反射されると左円偏光となるが、左円偏光が位相差板を通過すると偏光子の透過軸に対して垂直（吸収軸に対して平行）に振動する直線偏光となる。したがって、偏光子の吸収軸で光は吸収されてしまうために黒表示となる。

そして図４４（Ｂ）に示すように、第１の電極１２７及び第２の電極１２８の間に電圧が印加されていないときは白色表示となる。このとき、液晶分子１１６は横に並び、平面内で回転している状態となる。その結果、透過型液晶表示装置の場合は、バックライトからの光は、偏光子を有する層１２５及び１２６が設けられた基板を通過することができ、所定の映像表示が行われる。また反射液晶表示装置の場合は、反射光が、偏光子を有する層が設けられた基板を通過することで、所定の映像表示が行われる。このとき、カラーフィルタを設けることにより、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板１２１側、又は第２の基板１２２側のいずれかに設けることができる。

ＴＮモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図４５（Ａ）〜図４５（Ｂ）にはＶＡ（ＶｅｒｔｉｃａｌｌｙＡｌｉｇｎｅｄ）モードの液晶表示装置の模式図を示す。ＶＡモードは、無電界の時に液晶分子が基板に垂直となるように配向されているモードである。

図４５（Ａ）〜図４５（Ｂ）の液晶表示装置は、図４４（Ａ）〜図４４（Ｂ）と同様であり、第１の基板１２１、及び第２の基板１２２上には、それぞれ第１の電極１２７、第２の電極１２８が設けられている。そして透過型液晶表示装置の場合、少なくとも片方の電極は透光性を有するように形成する。また反射型液晶表示装置の場合は、第１の電極１２７または第２の電極１２８のいずれか一方を反射性を有するようにし、他方を透光性を有するようにする。

このような構成を有する液晶表示装置において、第１の電極１２７及び第２の電極１２８に電圧が印加される（縦電界方式）と、図４５（Ａ）に示すように白色表示が行われるオン状態となる。このとき液晶分子１１６は横に並んだ状態となる。すると透過型液晶表示装置の場合、バックライトからの光は、偏光子を有する層１２５及び１２６が設けられた基板を通過することができ、所定の映像表示が行われる。また反射液晶表示装置の場合は、反射光が、偏光子を有する層が設けられた基板を通過することで、所定の映像表示が行われる。このとき、カラーフィルタを設けることにより、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板１２１側、又は第２の基板１２２側のいずれかに設けることができる。

そして図４５（Ｂ）に示すように、第１の電極１２７及び第２の電極１２８の間に電圧が印加されていないときは黒色表示、つまりオフ状態とする。このとき、液晶分子１１６は縦に並んだ状態となる。その結果透過型液晶表示装置の場合は、バックライトからの光は基板を通過することができず、黒色表示となる。また反射型液晶表示装置の場合は、位相差板が設けられており、外光からの光は偏光子の透過軸方向に振動する光の成分だけ透過し直線偏光となり、この光が位相差板を通過すると円偏光となる（例えば右円偏光）。この右円偏光が反射板（もしくは反射電極）で反射されると左円偏光となるが、左円偏光が位相差板を通過すると偏光子の透過軸に対して垂直（吸収軸に対して平行）に振動する直線偏光となる。したがって、偏光子の吸収軸で光は吸収されてしまうために黒表示となる。

このようにオフ状態では、液晶分子１１６が基板に対して垂直に立ち上がって、黒表示となり、オン状態では液晶分子１１６が基板に対して水平に倒れて白表示となる。オフ状態では液晶分子１１６が立ち上がっているため、透過型液晶表示装置の場合では、偏光されたバックライトからの光は、液晶分子１１６の影響を受けることなくセル内を通過し、対向基板側の偏光子で完全に遮断することができる。反射型液晶表示装置の場合は上記の通りである。そのため、偏光子を有する層を設けることにより、さらなるコントラストの向上が見込まれる。

ＶＡモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

また液晶の配向が分割されたＭＶＡモードに、本発明を適用することもできる。

図４６（Ａ）〜図４６（Ｂ）にＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎＶｅｒｔｉｃａｌｌｙＡｌｉｇｎｅｄ）モードの液晶表示装置の模式図を示す。

図４６（Ａ）〜図４６（Ｂ）の液晶表示装置は、図４４（Ａ）〜図４４（Ｂ）と同様であり、第１の基板１２１、及び第２の基板１２２上には、それぞれ第１の電極１２７、第２の電極１２８が設けられている。そして透過型液晶表示装置の場合、バックライトと反対側、つまり表示面側の電極、例えば第２の電極１２８は、少なくとも透光性を有するように形成する。また反射型液晶表示装置の場合は、第１の電極１２７または第２の電極１２８のいずれか一方を反射性を有するようにし、他方を透光性を有するようにする。

第１の電極１２７及び第２の電極１２８上にはそれぞれ、複数の突起（リブともいう）１１８が形成されている。突起１１８は、アクリル等の樹脂で形成すればよい。突起１１８は左右対称、望ましくは四面体であればよい。

ＭＶＡ方式では、突起１１８に対して、液晶分子１１６が左右対称に傾くように駆動される。これにより左右方向から見た色の差をおさえられる。画素内で液晶分子１１６の傾く方向を変えるとどの目線からも色のムラがでない。

図４６（Ａ）は印加電圧が印加された状態、すなわちオン状態の図を示している。オン状態のとき、傾斜電界がかかることより液晶分子１１６は突起１１８の傾斜方向に倒れる。これにより液晶分子１１６の長軸が偏光子の吸収軸に交わるので、光が出力側である、偏光子を有する層１２５及び１２６の一方を透過することから、明状態（白表示）となる。

図４６（Ｂ）は印加電圧が印加されない状態、すなわちオフ状態であるときの図を示している。オフ状態のとき、液晶分子１１６は基板１２１及び１２２に対して垂直に配向している。このため基板１２１又は基板１２２に設けられた偏光子を有する層１２５及び１２６のいずれか一方から入った入射光はそのまま液晶分子１１６を透過するため、出力側である、偏光子を有する層１２５及び１２６の他方と直交する。よって光は出力されないことから暗状態（黒表示）となる。

突起１１８を設けることにより、液晶分子１１６が突起１１８の傾斜方向に倒れるように駆動され、対称性があり視角特性のよい表示を得ることができる。

図４７（Ａ）〜図４７（Ｂ）には、ＭＶＡモードの別の例を示す。第１の電極１２７または第２の電極１２８のいずれか一方、本実施の形態では第１の電極１２７に突起１１８を設け、第１の電極１２７または第２の電極１２８の他方、本実施の形態では第２の電極１２８の一部を除去して、スリット１１９を形成する。

図４７（Ａ）は印加電圧が印加された状態、すなわちオン状態の図を示している。オン状態のとき、印加電圧が印加されると、突起１１８を設けていなくてもスリット１１９近傍に斜め電界が発生する。傾斜電界がかかることより液晶分子１１６は突起１１８の傾斜方向に倒れる。これにより液晶分子１１６の長軸が偏光子の吸収軸に交わるので、光が出力側である、偏光子を有する層１２５及び１２６の一方を透過することから、明状態（白表示）となる。

図４７（Ｂ）は印加電圧が印加されない状態、すなわちオフ状態であるときの図を示している。オフ状態のとき、液晶分子１１６は基板１２１及び１２２に対して垂直に配向している。このため基板１２１又は基板１２２に設けられた偏光子を有する層１２５及び１２６のいずれか一方から入った入射光はそのまま液晶分子１１６を透過するため、出力側である、偏光子を有する層１２５及び１２６の他方と直交する。よって光は出力されないことから暗状態（黒表示）となる。

なおＭＶＡモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図４８は、図４７（Ａ）〜図４７（Ｂ）のＭＶＡモードの液晶表示装置において、任意の一画素の上面図の例である。

画素のスイッチング素子となるＴＦＴ２５１は、ゲート配線２５２、ゲート絶縁膜、島状半導体膜２５３、ソース電極２５７及びドレイン電極２５６を有している。

なお、画素電極２５９は、ドレイン電極２５６と電気的に接続されている。

画素電極２５９には、複数の溝２６３が形成されている。

またゲート配線２５２と画素電極２５９が重なる領域には、ゲート絶縁膜を誘電体として、補助容量２６７が形成される。

対向基板に設けられる対向電極（図示せず）側には、複数の突起（リブともいう）２６５が形成されている。突起２６５は、アクリル等の樹脂で形成すればよい。突起２６５は左右対称、望ましくは四面体であればよい。

図５３（Ａ）〜図５３（Ｂ）にはＰＶＡ（ＰａｔｔｅｒｎｅｄＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置の模式図を示す。

図５３（Ａ）〜図５３（Ｂ）は、液晶分子１１６の動きを表した図である。

ＰＶＡモードでは、電極１２７の溝１７３と電極１２８の溝１７４がずらして配置されており、液晶分子１１６が、お互いにずれた溝１７３及び１７４に向かって配向することで、光が透過する。

図５３（Ａ）は印加電圧が印加された状態、すなわちオン状態の図を示している。オン状態では、斜めに電界がかかることより液晶分子１１６は斜めに傾くこととなる。これにより液晶分子１１６の長軸が偏光子の吸収軸に交わるので、光が出力側である、偏光子を有する層１２５及び１２６の一方を透過することから、明状態（白表示）となる。

図５３（Ｂ）は印加電圧が印加されない状態、すなわちオフ状態であるときの図を示している。オフ状態のとき、液晶分子１１６は基板１２１及び１２２に対して垂直に配向しているため、基板１２１又は基板１２２に設けられた偏光子を有する層１２５及び１２６から入った入射光はそのまま液晶分子１１６を透過するため、出力側の偏光板と直交する。よって光は出力されないことから暗状態（黒表示）となる。

電極１２７に溝１７３、及び、電極１２８に溝１７４を設けることにより、溝１７３及び１７４に向かう斜めの電界によって、液晶分子１１６が斜めに駆動され、上下方向や左右方向だけでなく斜め方向にも対称性があり視角特性のよい表示を得ることができる。

図５４は、図５３（Ａ）〜図５３（Ｂ）のＰＶＡモードの液晶表示装置において、任意の一画素の上面図の例である。

画素のスイッチング素子となるＴＦＴ１９１は、ゲート配線１９２、ゲート絶縁膜、島状半導体膜１９３、ソース電極１９７及びドレイン電極１９６を有している。

ソース電極１９７とソース配線１９８は便宜上分けているが、同一の導電膜から形成され互いに接続されている。またドレイン電極１９６も、ソース電極１９７とソース配線１９８と同一の材料及び同じ工程で形成される。

ドレイン電極１９６と電気的に接続されている画素電極１９９には、複数の溝２０７が形成されている。

また画素電極１９９とゲート配線１９２が重なる領域には、ゲート絶縁膜を挟んで、補助容量２０８が形成される。

また、対向基板に形成される対向電極（図示せず）には、複数の溝２０６が形成されている。対向電極の溝２０６は、画素電極１９９の溝２０７と互い違いになるように配置されている。

ＰＶＡ方式の液晶表示装置では、対称性があり視角特性のよい表示を得ることができる。

図４９（Ａ）〜図４９（Ｂ）にはＯＣＢモードの液晶表示装置の模式図を示す。ＯＣＢモードは、液晶層内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しており、これはベンド配向と呼ばれる。

図４９（Ａ）〜図４９（Ｂ）の液晶表示装置は、図４４（Ａ）〜図４４（Ｂ）と同様であり、第１の基板１２１、及び第２の基板１２２上には、それぞれ第１の電極１２７、第２の電極１２８が設けられている。そして透過型液晶表示装置の場合、バックライトと反対側、つまり表示面側の電極、例えば第２の電極１２８は、少なくとも片方が透光性を有するように形成する。また反射型液晶表示装置の場合は、第１の電極１２７または第２の電極１２８のいずれか一方を反射性を有するようにし、他方を透光性を有するようにする。

このような構成を有する液晶表示装置において、第１の電極１２７及び第２の電極１２８に電圧が印加される（縦電界方式）と、図４９（Ａ）に示すように黒色表示が行われる。このとき液晶分子１１６は縦に並んだ状態となる。その結果透過型液晶表示装置の場合は、バックライトからの光は基板を通過することができず、黒色表示となる。また反射型液晶表示装置の場合は、位相差板が設けられており、外光からの光は偏光子の透過軸方向に振動する光の成分だけ透過し直線偏光となり、この光が位相差板を通過すると円偏光となる（例えば右円偏光）。この右円偏光が反射板（もしくは反射電極）で反射されると左円偏光となるが、左円偏光が位相差板を通過すると偏光子の透過軸に対して垂直（吸収軸に対して平行）に振動する直線偏光となる。したがって、偏光子の吸収軸で光は吸収されてしまうために黒表示となる。

そして図４９（Ｂ）に示すように、第１の電極１２７及び第２の電極１２８の間に電圧が印加されていないときは白色表示となる。このとき、液晶分子１１６は斜めに並んだ状態となる。すると透過型液晶表示装置の場合、バックライトからの光は、偏光子を有する層１２５及び１２６が設けられた基板を通過することができ、所定の映像表示が行われる。また反射液晶表示装置の場合は、反射光が、偏光子を有する層が設けられた基板を通過することで、所定の映像表示が行われる。このとき、カラーフィルタを設けることにより、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板１２１側、又は第２の基板１２２側のいずれかに設けることができる。

このようなＯＣＢモードでは、他モードで生じる液晶層での複屈折を液晶層のみで補償することにより広視野角を実現することができ、さらに本発明の偏光子を有する層によりコントラスト比を高めることができる。

図５０（Ａ）〜図５０（Ｂ）にはＩＰＳ（Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置の模式図を示す。ＩＰＳモードは、液晶分子を基板に対して常に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側のみに設けた横電界方式をとる。

ＩＰＳモードは一方の基板に設けられた一対の電極により液晶を制御することを特徴とする。そのため、第２の基板１２２上に一対の電極１５５、１５６が設けられている。一対の電極１５５、１５６は、それぞれ透光性を有するとよい。

このような構成を有する液晶表示装置において、一対の電極１５５，１５６に電圧が印加されると、図５０（Ａ）に示すように白色表示が行われるオン状態となる。すると透過型液晶表示装置の場合、バックライトからの光は、偏光子を有する層１２５及び１２６が設けられた基板を通過することができ、所定の映像表示が行われる。また反射液晶表示装置の場合は、反射光が、偏光子を有する層が設けられた基板を通過することで、所定の映像表示が行われる。このとき、カラーフィルタを設けることにより、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板１２１側、又は第２の基板１２２側のいずれかに設けることができる。

そして図５０（Ｂ）に示すように、一対の電極１５５、１５６の間に電圧が印加されていないとき黒表示、つまりオフ状態とする。このとき、液晶分子１１６は、横に並び、且つ平面内で回転した状態となる。その結果透過型液晶表示装置の場合は、バックライトからの光は基板を通過することができず、黒色表示となる。また反射型液晶表示装置の場合は、必要に応じて位相差板が設けられており、液晶層を含めて位相を９０°ずらすことにより黒表示となる。

ＩＰＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図５１（Ａ）〜図５１（Ｄ）に、一対の電極１５５及び１５６の例を示す。図５１（Ａ）では、一対の電極１５５及び１５６は波状の形状をしている。また図５１（Ｂ）では、一対の電極１５５及び１５６は、一部円状の形状を有している。また図５１（Ｃ）では、格子状の電極１５５と櫛状の電極１５６が形成されている。また図５１（Ｄ）では、一対の電極１５５及び１５６それぞれが櫛状の電極である。

図５２は、図５０（Ａ）〜図５０（Ｂ）のＩＰＳモードの液晶表示装置において、任意の一画素の上面図の例である。

基板上に、ゲート配線２３２及びコモン配線２３３が形成されている。ゲート配線２３２及びコモン配線２３３は、同一の材料、同一の層及び同一の工程で形成されている。

画素のスイッチング素子となるＴＦＴ２３１は、ゲート配線２３２、ゲート絶縁膜、島状半導体膜２３７、ソース電極２３８及びドレイン電極２３６を有している。

ソース電極２３８とソース配線２３５は便宜上分けているが、同一の導電膜から形成され互いに接続されている。またドレイン電極２３６も、ソース電極２３８とソース配線２３５と同一の材料及び同じ工程で形成される。

ドレイン電極２３６と画素電極２４１は、電気的にも接続されている。

画素電極２４１と、複数のコモン電極２４２のそれぞれは、同一の材料及び同じ工程で形成される。コモン電極２４２は、ゲート絶縁膜中のコンタクトホール２３４を介して、コモン配線２３３と電気的に接続されている。

画素電極２４１とコモン電極２４２との間で、基板に平行な横方向電界が発生し、液晶を制御する。

ＩＰＳモードの液晶表示装置は、液晶分子１１６が斜めに立ち上がることがないため、見る角度による光学特性の変化が少なく、広視野特性を得ることができる。

本発明の偏光子を有する層を横電界方式の液晶表示装置に適用すると、広視野角に加えて、高コントラスト比の表示とすることができる。このような横電界方式は、携帯用の表示装置に好適である。

図５５（Ａ）〜図５５（Ｂ）には、ＦＬＣ（強誘電液晶、Ｆｅｒｒｏ−ＥｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）モード及びＡＦＬＣ（反強誘電液晶、Ａｎｔｉｆｅｒｒｏ−ＥｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）モードの液晶表示装置の模式図を示す。

図５５（Ａ）〜図５５（Ｂ）の液晶表示装置は、図４４（Ａ）〜図４４（Ｂ）と同様であり、第１の基板１２１、及び第２の基板１２２上には、それぞれ第１の電極１２７、第２の電極１２８が設けられている。そして透過型液晶表示装置の場合、バックライトと反対側、つまり表示面側の電極、例えば第２の電極１２８は、少なくとも透光性を有するように形成する。また反射型液晶表示装置の場合は、第１の電極１２７または第２の電極１２８のいずれか一方を反射性を有するようにし、他方を透光性を有するようにする。

このような構成を有する液晶表示装置において、第１の電極１２７及び第２の電極１２８に電圧が印加（縦電界方式と呼ぶ）されると、図５５（Ａ）に示すように白色表示となる。このとき、液晶分子１１６は横に並び、平面内で回転している状態となる。すると透過型液晶表示装置の場合、バックライトからの光は、偏光子を有する層１２５及び１２６が設けられた基板を通過することができ、所定の映像表示が行われる。また反射液晶表示装置の場合は、反射光が、偏光子を有する層が設けられた基板を通過することで、所定の映像表示が行われる。このとき、カラーフィルタを設けることにより、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板１２１側、又は第２の基板１２２側のいずれかに設けることができる。

そして図５５（Ｂ）に示すように、第１の電極１２７及び第２の電極１２８の間に電圧が印加されていないときは黒色表示が行われる。このとき液晶分子１１６は横に並んだ状態になる。その結果透過型液晶表示装置の場合は、バックライトからの光は基板を通過することができず、黒色表示となる。また反射型液晶表示装置の場合は、必要に応じて位相差板が設けられており、液晶層を含めて位相を９０°ずらすことにより黒表示となる。

ＦＬＣモード及びＡＦＬＣモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

次に本発明をＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード及びＡＦＦＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置に応用した例について説明する。

図５６（Ａ）〜図５６（Ｂ）にＡＦＦＳモードの液晶表示装置の模式図を示す。

図５６（Ａ）〜図５６（Ｂ）の液晶表示装置において、図４４（Ａ）〜図４４（Ｂ）と同様のものは同じ符号で示す。第２の基板１２２上には、第１の電極２７１、絶縁層２７３、第２の電極２７２が設けられている。第１の電極２７１及び第２の電極２７２は透光性を有している。

図５６（Ａ）に示すように、第１の電極２７１と第２の電極２７２に印加電圧が印加されると、水平方向の電界２７５が発生させる。液晶分子１１６は水平方向に回転し、ねじれた格好になることで光を通す。液晶分子の回転角は様々なので、斜めに入射してきた光も通るものである。すると透過型液晶表示装置の場合、バックライトからの光は、偏光子を有する層１２５及び１２６が設けられた基板を通過することができ、所定の映像表示が行われる。また反射液晶表示装置の場合は、反射光が、偏光子を有する層が設けられた基板を通過することで、所定の映像表示が行われる。このとき、カラーフィルタを設けることにより、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板１２１側、又は第２の基板１２２側のいずれかに設けることができる。

そして図５０（Ｂ）に示すように、第１の電極２７１と第２の電極２７２の間に電圧が印加されていないとき黒表示、つまりオフ状態とする。このとき、液晶分子１１６は、横に並び、且つ平面内で回転した状態となる。その結果透過型液晶表示装置の場合は、バックライトからの光は基板を通過することができず、黒色表示となる。また反射型液晶表示装置の場合は、必要に応じて位相差板が設けられており、外光からの光は偏光子の透過軸方向に振動する光の成分だけ透過し直線偏光となり、この光が位相差板を通過すると円偏光となる（例えば右円偏光）。この右円偏光が反射板（もしくは反射電極）で反射されると左円偏光となるが、左円偏光が位相差板を通過すると偏光子の透過軸に対して垂直（吸収軸に対して平行）に振動する直線偏光となる。したがって、偏光子の吸収軸で光は吸収されてしまうために黒表示となる。

ＦＦＳモード及びＡＦＦＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図５７（Ａ）〜図５７（Ｄ）に、第１の電極２７１及び第２の電極２７２の例を示す。図５７（Ａ）〜図５７（Ｄ）において、第１の電極２７１は全面に形成されており、第２の電極２７２が様々な形状を有している。図５７（Ａ）では、第２の電極２７２は短冊状の電極が斜めに並ぶ構成になっている。また図５７（Ｂ）では、第２の電極２７２は、一部円状の形状を有している。また図５７（Ｃ）では、第２の電極２７２は、ジグザグ状に形成されている。また図５７（Ｄ）では、第２の電極２７２が櫛状である。

その他、本発明は旋光モード、散乱モード、複屈折モードの液晶表示装置において適用できる。

［実施の形態３０］
本実施の形態では、上述した実施の形態４〜実施の形態１５、実施の形態２５〜実施の形態２８の液晶表示装置を、２Ｄ／３Ｄ切替型（２次元／３次元切替型）液晶表示パネルに応用した例を示す。

本実施の形態の２Ｄ／３Ｄ切替型液晶表示パネルの構成を図５８に示す。

図５８に示すように、２Ｄ／３Ｄ切替型液晶表示パネルは、表示用液晶パネル３５０、位相差板３６０、スイッチング液晶パネル３７０を貼り合わせた構成となっている。

表示用液晶パネル３５０は、ＴＦＴ液晶表示パネルとして具備されており、第１の偏光板３５１、対向基板３５２、液晶層３５３、アクティブマトリクス基板３５４、および第２の偏光板３５５が積層されてなり、アクティブマトリクス基板３５４には、表示を行うべき画像に対応した画像データがＦＰＣ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）等の配線３８１を介して入力される。

すなわち、表示用液晶パネル３５０は、上記２Ｄ／３Ｄ切替型液晶表示パネルに対し、画像データに応じた表示画面を生成する機能を与えるために備えられている。尚、表示画面を生成する機能を有するものであれば、表示用液晶パネル３５０における表示方式（ＴＮ方式やＳＴＮ方式）や駆動方式（アクティブマトリクス駆動やパッシブマトリクス駆動）は特に限定されるものではない。

位相差板３６０は、視差バリアの一部として機能するものであり、透光性基板に配向膜を形成し、さらにその上に液晶層を積層してなる構成である。

スイッチング液晶パネル３７０は、駆動側基板３７１、液晶層３７２、対向基板３７３、および第３の偏光板３７４が積層されてなり、駆動側基板３７１には液晶層３７２のオン時に駆動電圧を印加するための配線３８２が接続されている。

スイッチング液晶パネル３７０は、液晶層３７２のオン／オフに応じて、スイッチング液晶パネル３７０を透過する光の偏光状態を切り替えるために配置されている。尚、スイッチング液晶パネル３７０は表示用液晶パネル３５０のようにマトリクス駆動される必要は無く、駆動側基板３７１および対向基板３７３に備えられる駆動電極はスイッチング液晶パネル３７０のアクティブエリア全面に形成されればよい。

次に、上記構成の２Ｄ／３Ｄ切替型液晶表示パネルの表示動作について説明する。

光源から射出された入射光は、最初に、スイッチング液晶パネル３７０の第３の偏光板３７４によって偏光される。また、スイッチング液晶パネル３７０は、３Ｄ表示時はオフの状態で位相差板（ここでは１／２波長板）として作用する。

また、スイッチング液晶パネル３７０を通過した光は、次に位相差板３６０に入射される。位相差板３６０は第１の領域と第２の領域を有しており、第１の領域と第２の領域のラビング方向が異なっている。ラビング方向が異なるということは、すなわち遅相軸の方向が異なるため、第１の領域を通過した光と第２の領域を通過した光とでは、その偏光状態が異なる。例えば、第１の領域を通過した光と第２の領域を通過した光との偏光軸は９０°異なっている。また、位相差板３６０は、位相差板３６０に含まれる液晶層の複屈折率異方性と膜厚により、１／２波長板として作用するように設定されている。

位相差板３６０を通過した光は、表示用液晶パネル３５０の第２の偏光板３５５に入射される。３Ｄ表示時には、位相差板３６０の第１の領域を通過した光の偏光軸は第２の偏光板３５５の透過軸と平行であり、第１の領域を通過した光は偏光板３５５を透過する。一方で、第２の領域を通過した光の偏光軸は第２の偏光板３５５の透過軸と９０°の角度をなし、第２の領域を通過した光は偏光板３５５を透過しない。

すなわち、位相差板３６０との第２の偏光板３５５との関連した光学作用によって視差バリアの機能が達成され、位相差板３６０における第１の領域が透過領域、第２の領域が遮断領域となる。

第２の偏光板３５５を通過した光は、表示用液晶パネル３５０の液晶層３５３において黒表示を行う画素と白表示を行う画素とで異なる光学変調を受け、白表示を行う画素によって光学変調を受けた光のみが第１の偏光板３５１を透過することで画像表示が行われる。

この時、上記視差バリアの透過領域を通過することや特定の視野角が与えられた光が、表示用液晶パネル３５０において右目用画像および左目用画像のそれぞれに対応する画素を通過することで右目用画像と左目用画像とが異なる視野角に分離され、３Ｄ表示が行われる。

また、２Ｄ表示が行われる場合には、スイッチング液晶パネル３７０がオンされ、スイッチング液晶パネル３７０を通過する光に対して光学変調が与えられない。スイッチング液晶パネル３７０を通過した光は、次に位相差板３６０を通過することで、第１の領域を通過した光と第２の領域を通過した光とで異なる偏光状態が与えられる。

しかしながら、２Ｄ表示の場合では、３Ｄ表示の場合とは異なり、スイッチング液晶パネル３７０での光学変調作用が無いため、位相差板３６０を通過した光の偏光軸は、第２の偏光板３５５の透過軸に対して、左右対称の角度のずれが生じることとなる。このため、位相差板３６０の第１の領域を通過した光、第２の領域を通過した光ともに、第２の偏光板３５５を同じ透過率で透過し、位相差板３６０と第２の偏光板３５５との関連した光学作用による視差バリアの機能が達成されず（特定の視野角が与えられない）、２Ｄ表示となる。

［実施の形態３１］
本発明の表示装置を応用した電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図６５（Ａ）〜図６５（Ｆ）を参照して説明する。

図６５（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体１７０１、表示部１７０２等を含んでいる。表示部１７０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高い携帯情報端末機器を提供することができる。

図６５（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部１７１１、表示部１７１２等を含んでいる。表示部１７１１は本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高いデジタルビデオカメラを提供することができる。

図６５（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体１７２１、表示部１７２２等を含んでいる。表示部１７２２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高い携帯電話機を提供することができる。

図６５（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体１７３１、表示部１７３２等を含んでいる。表示部１７３２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高い携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の表示装置を適用することができる。

図６５（Ｅ）に示す携帯型のコンピュータは、本体１７４１、表示部１７４２等を含んでいる。表示部１７４２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高い携帯型のコンピュータを提供することができる。

図６５（Ｆ）に示すテレビジョン装置は、本体１７５１、表示部１７５２等を含んでいる。表示部１７５２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、コントラスト比の高いテレビジョン装置を提供することができる。

図６５（Ｆ）のテレビジョン装置の詳しい構成を図６６〜図６８に示す。

図６６は表示パネル１８０１と、回路基板１８０２を組み合わせた液晶モジュールまたは発光表示モジュール（ＥＬモジュール）を示している。回路基板１８０２には、例えば、コントロール回路１８０３や信号分割回路１８０４などが形成されている。表示パネル１８０１と回路基板１８０２は、接続配線１８０８により電気的に接続されている。

この表示パネル１８０１は、画素部１８０５と、走査線駆動回路１８０６、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路１８０７を備えており、この構成は図２０、図２１、図３２と同様である。

この液晶モジュールまたは発光表示モジュールにより液晶テレビジョン装置あるいは発光表示テレビジョン装置を完成させることができる。図６７は、液晶テレビジョン装置あるいは発光表示テレビジョン装置の主要な構成を示すブロック図である。チューナ１８１１は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像波増幅回路１８１２と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路１８１３と、その映像信号をドライバＩＣの入力仕様に変換するためのコントロール回路１８０３により処理される。コントロール回路１８０３は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路１８０４を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。

チューナ１８１１で受信した信号のうち、音声信号は音声波増幅回路１８１４に送られ、その出力は音声信号処理回路１８１５を経てスピーカ１８１６に供給される。制御回路１８１７は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部１８１８から受け、チューナ１８１１や音声信号処理回路１８１５に信号を送出する。

図６８に示すように、液晶モジュールあるいは発光表示モジュールを本体１７５１に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。液晶モジュールあるいは発光表示モジュールにより、表示部１７５２が形成される。また、スピーカ１８１６、操作スイッチ１８１９などが適宜備えられている。

本発明により、表示パネル１８０１を含んで構成されることにより、コントラスト比の高いテレビジョン装置を得ることが可能になる。

勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。

このように、本発明の表示装置により、コントラスト比の高い電子機器を提供することができる。

本実施の形態は、必要であれば実施の形態及び実施例と自由に組み合わせることができる。

本実施例では、両面発光させたエレクトロルミネッセンス素子を想定したときに互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させたときの光学計算の結果について説明する。また、比較として１種類の偏光板を１枚ずつ使用したときの光学計算と１種類の偏光板を２枚ずつ使用したときの光学計算も行った。なお、コントラスト比を白透過率と黒透過率の比（白透過率／黒透過率）とし、黒透過率と白透過率をそれぞれ計算し、コントラスト比を算出した。

本実施例においての計算は、液晶用光学計算シミュレータＬＣＤＭＡＳＴＥＲ（シンテック株式会社製）を用いている。波長に対する透過率の計算をＬＣＤＭＡＳＴＥＲで光学計算を行う際、要素間の多重干渉を考慮していない２×２マトリックスの光学計算アルゴリズムで行い、光源波長は３８０ｎｍから７８０ｎｍの１０ｎｍ間隔で設定して求めた。

本実施例では、消衰係数が異なる偏光板Ａと偏光板Ｂを用いた。偏光板Ａとしては、日東電工株式会社製のＥＧ１４２５ＤＵ用いた。また偏光板Ｂとしてはポラテクノ社製ＳＨＣ−ＰＧＷ３０１を使用した。それぞれの偏光板の吸収軸の消衰係数の波長依存性を図６９に示す。それぞれの偏光板の消衰係数が異なることが分かる。また、それぞれの偏光板の厚さは両偏光板ともに１８０μｍとした。そして、バックライトにはＤ６５光源を使用し、偏光状態はＭｉｘｅｄｃｉｒｃｕｌａｒｌｙｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎとした。

また偏光板Ａの、透過軸及び吸収軸の屈折率、透過軸及び吸収軸消衰係数の波長依存性を表１に示す。

また偏光板Ｂの、透過軸及び吸収軸の屈折率、透過軸及び吸収軸の消衰係数の波長依存性を表２に示す。

本実施例は、以上のように、特に透過軸及び吸収軸の消衰係数の波長依存性が異なる２種類の偏光板を用いて、偏光板を積層したときのコントラスト比の向上についての検証を行う。

なおバックライトの波長とエネルギー密度についても、表３に示す。

黒透過率の光学系を表４に示す。エレクトロルミネッセンス素子の発光層は、偏光板吸収軸の角度が０°と９０°となっているクロスニコルの間に設けられなければいけないが、黒表示時はエレクトロルミネッセンス素子は非発光状態であるため発光層は設けていない。また、外光下での表示を想定しているため、外光の代わりにバックライトを配置している。偏光板の吸収軸の配置は、表４に示す対向する偏光板の吸収軸同士をクロスニコル配置にし、積層する偏光板はパラレルニコルとした。

このように配置された光学系において、バックライトと反対側である視認側の、バックライトに対する透過率の計算を行った。偏光板は偏光板Ａ１枚ずつを使用した構造１と偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用した構造２と偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた２組を使用した構造３について計算を行った。

白透過率の光学系を表５に示す。エレクトロルミネッセンス素子からの発光層の代わりにバックライトを用いた。そのため、発光層であるバックライト上に偏光板を配置し、積層する偏光板はパラレルニコルとした。このように配置された光学系において、バックライトと反対側である視認側のバックライトに対する透過率の計算を行った。なお、白透過率の光学系においては外光となる光源を配置していない。これは、後述する黒透過率の結果が白透過率の結果より低くかったため、白透過率の結果は外光の影響はないとみなしているためである。

偏光板は偏光板Ａを１枚使用した構造４と偏光板Ａ２枚を積層させた構造５と偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた構造６について計算を行った。

表４の配置のときの黒透過率の計算結果を図７０に示す。これより、偏光板Ａを１枚ずつ使用したとき（偏光板Ａ１枚×１枚）よりも偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用したとき（偏光板Ａ２枚×２枚）の方が３８０ｎｍから７８０ｎｍの全波長域において透過率が低い。さらに、偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用したとき（偏光板Ａ２枚×２枚）よりも偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた２組を使用したとき（偏光板Ａ及びＢ各１枚×２枚）の方が全波長域において透過率が低いことが分かる。これは、偏光板Ａよりも偏光板Ｂの方が吸収軸の消衰係数が大きいためであり、互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させることにより光漏れを低減することができていることを意味する。

またさらに、表５に示す配置の白透過率と、表４に示す配置の黒透過率との比（白透過率／黒透過率）の計算を行った。偏光板Ａを１枚ずつ使用したときのコントラスト比は構造４の透過率と構造１透過率との比であり、偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用したときのコントラスト比は構造５の透過率と構造２の透過率との比であり、偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた２組を使用したときのコントラスト比は構造６の透過率と構造３の透過率との比となる。

コントラスト比の計算結果を図７１に示す。これより、偏光板Ａ１枚×１枚よりも偏光板Ａ２枚×２枚の方が３８０ｎｍから７８０ｎｍの全波長域においてコントラスト比が高い。さらに、偏光板Ａ２枚×２枚よりも偏光板Ａ及びＢ各１枚×２枚の方が全波長域においてコントラスト比が高いことが分かる。これは、互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させることにより黒透過率が低くなったためである。

なお、偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた２組については、黒透過率の光学系では、構造３以外に表６に示すような組み合わせ（構造７、８、９）が考えられる。また、白透過率の光学系では、構造６以外に表７に示す構造１０が考えられる。これらの構造における黒透過率、白透過率は構造３、構造６の結果と同じであり、どの組み合わせでも高コントラスト化が可能である。

以上の結果より、互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させることにより光漏れを低減することができるためコントラスト比を向上することができる。

本実施例では、両面発光させたエレクトロルミネッセンス素子を想定したときに位相差板（本実施例では１／４波長板を用い、以下「λ／４板」と呼ぶ）を含む構造で、互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させたときの光学計算の結果について説明する。また、比較として１種類の偏光板を１枚ずつ使用したときの光学計算と１種類の偏光板を２枚ずつ使用したときの光学計算も行った。なお、コントラスト比を白透過率と黒透過率の比（白透過率／黒透過率）とし、黒透過率と白透過率をそれぞれ計算し、コントラスト比を算出した。

偏光板Ａ及び偏光板Ｂは、実施例１と同様のものを使用した。それぞれの偏光板の吸収軸の消衰係数の波長依存性を図７２に示す。それぞれの偏光板の消衰係数が異なることが分かる。また、それぞれの偏光板の厚さは両偏光板ともに１８０μｍとした。そして、バックライトにはＤ６５光源を使用し、偏光状態はＭｉｘｅｄｃｉｒｃｕｌａｒｌｙｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎとした。λ／４板は、波長３８０ｎｍから７８０ｎｍの領域すべてにおいて、リタデーションが１３７．５ｎｍである位相差板を使用した。なおλ／４板の厚さは１００μｍとした。

表８にλ／４板のｘ、ｙ、ｚ方向への屈折率に対する波長依存性を示す。以下本実施例では表８に示される特性を有する位相差板を用いて計算を行った。

黒透過率の光学系を表９に示す。エレクトロルミネッセンス素子における黒表示は非発光状態であるため、λ／４板の間にエレクトロルミネッセンス素子の発光層は設けていない。また、外光下での表示を想定しているため、外光の代わりにバックライトを配置している。λ／４板の遅相軸と偏光板の吸収軸の配置は、表９（Ａ）に示すλ／４板の遅相軸同士を９０度ずらし、対向する偏光板の吸収軸同士をクロスニコル配置にし、積層する偏光板はパラレルニコルとした場合と、表９（Ｂ）に示すλ／４板の遅相軸同士を平行にし、対向する偏光板の吸収軸をパラレルニコル配置にし、積層する偏光板をパラレルニコルとした。

このように配置された光学系において、バックライトと反対側である視認側の、バックライトに対する透過率の計算を行った。偏光板は偏光板Ａ１枚ずつを使用した構造１と構造４、偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用した構造２と構造５、偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた２組を使用した構造３と構造６について計算を行った。

白透過率の光学系を表１０に示す。エレクトロルミネッセンス素子からの発光の代わりにバックライトを用いた。そのため、表９に示すような一対のλ／４板等は配置せず、バックライト上にλ／４板を配置し、λ／４板上に偏光板を配置した。

このときλ／４板の遅相軸に対して偏光板の吸収軸が４５度ずれるように配置している。また、積層する偏光板はパラレルニコルとした。このように配置された光学系において、バックライトと反対側である視認側のバックライトに対する透過率の計算を行った。なお、白透過率の光学系においては外光となる光源を配置していない。これは、後述する黒透過率の結果が白透過率の結果より低くかったため、白透過率の結果は外光の影響はないとみなしているためである。

偏光板は偏光板Ａを１枚使用した構造７と偏光板Ａ２枚を積層させた構造８と偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた構造９について計算を行った。なお、表１０に示す白透過率の光学配置はλ／４板の遅相軸に対して偏光板の吸収軸を４５度ずらして配置しているため、表９（Ａ）及び表９（Ｂ）両方の場合の白透過率を計算していることとなる。

表９（Ａ）の配置のときの黒透過率の計算結果を図７３に示す。これより、偏光板Ａを１枚ずつ使用したとき（偏光板Ａ１枚×１枚）よりも偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用したとき（偏光板Ａ２枚×２枚）の方が３８０ｎｍから７８０ｎｍの全波長域において透過率が低い。さらに、偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用したとき（偏光板Ａ２枚×２枚）よりも偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた２組を使用したとき（偏光板Ａ及びＢ各１枚×２枚）の方が全波長域において透過率が低いことが分かる。これは、偏光板Ａよりも偏光板Ｂの方が吸収軸の消衰係数が大きいためであり、互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させることにより光漏れを低減することができていることを意味する。

表９（Ｂ）の配置のときの黒透過率の計算結果を図７４に示す。これより、偏光板Ａを１枚ずつ使用したとき（偏光板Ａ１枚×１枚）よりも偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用したとき（偏光板Ａ２枚×２枚）の方が３８０ｎｍから７８０ｎｍの全波長域において透過率が低い。さらに、偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用したとき（偏光板Ａ２枚×２枚）よりも偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた２組を使用したとき（偏光板Ａ及びＢ各１枚×２枚）の方が短波長域において透過率が低いことが分かる。これは、偏光板Ａよりも偏光板Ｂの方が吸収軸の消衰係数が大きいためであり、互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させることにより光漏れを低減することができていることを意味する。

図７３と図７４を比較すると、対向する偏光板同士をクロスニコルに配置した場合の方が広い波長領域において黒透過率が低い。これ対し、対向する偏光板同士をパラレルニコルに配置した場合では波長３８０ｎｍ付近および波長５５０ｎｍ付近のみ黒透過率が低くなっている。

またさらに、表１０に示す配置の白透過率と、表９に示す配置の黒透過率との比（白透過率／黒透過率）の計算を行った。偏光板Ａを１枚ずつを使用したときのコントラスト比は構造７の透過率と構造１または構造４の透過率との比であり、偏光板Ａ２枚を積層させた２組を使用したときのコントラスト比は構造８の透過率と構造２または構造５の透過率との比であり、偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた２組を使用したときのコントラスト比は構造９の透過率と構造３または構造６の透過率との比となる。

黒透過率が表９（Ａ）のときのコントラスト比の計算結果を図７５に示す。これより、偏光板Ａ１枚×１枚よりも偏光板Ａ２枚×２枚の方が３８０ｎｍから７８０ｎｍの全波長域においてコントラスト比が高い。さらに、偏光板Ａ２枚×２枚よりも偏光板Ａ及びＢ各１枚×２枚の方が全波長域においてコントラスト比が高いことが分かる。これは、互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させることにより黒透過率が低くなったためである。

黒透過率が表９（Ｂ）のときのコントラスト比の計算結果を図７６に示す。これより、偏光板Ａ１枚×１枚よりも偏光板Ａ２枚×２枚の方が３８０ｎｍから７８０ｎｍの全波長域においてコントラスト比が高い。さらに、偏光板Ａ２枚×２枚よりも偏光板Ａ及びＢ各１枚×２枚の方が全波長域においてコントラスト比が高いことが分かる。これは、互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させることにより黒透過率が低くなったためである。

図７５と図７６を比較すると、対向する偏光板同士をクロスニコルに配置した場合の方が広い波長領域においてコントラスト比が高い。これ対し、対向する偏光板同士をパラレルニコルに配置した場合では波長３８０ｎｍ付近および波長５５０ｎｍ付近のみコントラスト比が高くなっている。

これは、白透過率が対向する偏光板同士がクロスニコル配置においてもパラレルニコル配置においても同じであることから、黒透過率の違いがコントラスト比に表れていると言える。

なお、偏光板Ａと偏光板Ｂを１枚ずつ積層させた２組については、黒透過率の光学系では、構造３以外に表１１に示すような組み合わせ（構造１０、１１、１２）が考えられる。また、白透過率の光学系では、構造９以外に表１２に示す構造１３が考えられる。これらの構造における黒透過率、白透過率は構造３、構造９の結果と同じであり、どの組み合わせでも高コントラスト化が可能である。

以上の結果より、互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光板を積層させることにより光漏れを低減することができるためコントラスト比を向上することができる。なお、対向する偏光板はクロスニコル配置が好ましく、広帯域に渡って高いコントラスト比を得ることができる。

本発明の表示装置を示す図。本発明の積層された偏光子の構成を示す図。本発明の表示装置を示す図。本発明の偏光子のなす角を示す図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置が有する照明手段を示した図。本発明の表示装置が有する照明手段を示した図。本発明の表示装置が有する照明手段を示した図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置を示したブロック図。本発明の表示装置を示したブロック図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置を示す図。本発明の偏光子のなす角を示す図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置を示す図。本発明の偏光子のなす角を示す図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置の断面図。本発明の表示装置を示したブロック図。本発明の表示装置を示す図。本発明の偏光子のなす角を示す図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置が有する画素回路を示す図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置を示す図。本発明の偏光子のなす角を示す図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置を示す図。本発明の偏光子のなす角を示す図。本発明の液晶素子のモードを示した図。本発明の液晶素子のモードを示した図。本発明の液晶素子のモードを示した図。本発明の液晶素子のモードを示した図。本発明の表示装置の一画素を示した上面図。本発明の液晶素子のモードを示した図。本発明の液晶素子のモードを示した図。本発明の表示装置の液晶分子を駆動する電極を示す図。本発明の表示装置の一画素を示した上面図。本発明の液晶素子のモードを示した図。本発明の表示装置の一画素を示した上面図。本発明の液晶素子のモードを示した図。本発明の液晶素子のモードを示した図。本発明の表示装置の液晶分子を駆動する電極を示す図。本発明の表示装置を有する２Ｄ／３Ｄ切替型液晶表示パネルを示す図。本発明の積層された偏光子の構成を示す図。本発明の積層された偏光子の構成を示す図。本発明の積層された偏光子の構成を示す図。本発明の積層された偏光子の構成を示す図。本発明の積層された偏光子の構成を示す図。本発明の積層された偏光子の構成を示す図。本発明の表示装置を有する電子機器を示す図。本発明の表示装置を有する電子機器を示す図。本発明の表示装置を有する電子機器を示す図。本発明の表示装置を有する電子機器を示す図。実施例１の偏光板の消衰係数を示した図。実施例１の計算結果を示した図。実施例１の計算結果を示した図。実施例２の偏光板の消衰係数を示した図。実施例２の計算結果を示した図。実施例２の計算結果を示した図。実施例２の計算結果を示した図。実施例２の計算結果を示した図。

符号の説明

１００表示素子
１０１基板
１０２基板
１０３偏光子
１０４偏光子
１１１基板
１１２基板
１１３偏光板
１１４偏光板
１１６液晶分子
１１８突起
１１９スリット
１２０液晶素子を有する層
１２１基板
１２２基板
１２５偏光子を有する層
１２６偏光子を有する層
１２７電極
１２８電極
１３１接着層
１３２保護膜
１３３偏光膜
１３５接着層
１３６保護膜
１３７偏光膜
１４０接着層
１４１接着層
１４２保護膜
１４３偏光膜
１４４偏光膜
１４５偏光板
１４６保護膜
１４７偏光膜
１４８偏光膜
１４９偏光板
１５１吸収軸
１５２吸収軸
１５５電極
１５６電極
１５８偏光膜
１５９偏光板
１６０液晶素子を有する層
１６１基板
１６２基板
１６３偏光板
１６４偏光板
１６５偏光板
１６６偏光板
１６８偏光膜
１６９偏光板
１７１位相差板
１７２位相差板
１７３溝
１７４溝
１７６表示素子を有する層
１８１吸収軸
１８２吸収軸
１８３吸収軸
１８４吸収軸
１８６遅相軸
１８７遅相軸
１９１ＴＦＴ
１９２ゲート配線
１９３島状半導体膜
１９６ドレイン電極
１９７ソース電極
１９８ソース配線
１９９画素電極
２００表示素子
２０１基板
２０２基板
２０３偏光子
２０４偏光子
２０６溝
２０７溝
２０８補助容量
２１１位相差板
２１５偏光膜
２１６偏光膜
２１７偏光板
２２１吸収軸
２２２吸収軸
２２３遅相軸
２２５偏光膜
２２６偏光膜
２２７偏光板
２３１ＴＦＴ
２３２ゲート配線
２３３コモン配線
２３４コンタクトホール
２３５ソース配線
２３６ドレイン電極
２３７島状半導体膜
２３８ソース電極
２４１画素電極
２４２コモン電極
２５１ＴＦＴ
２５２ゲート配線
２５３島状半導体膜
２５６ドレイン電極
２５７ソース電極
２５９画素電極
２６３溝
２６５突起
２６７補助容量
２７１電極
２７２電極
２７３絶縁層
２７５電界
３００液晶素子を有する層
３０１基板
３０２基板
３０３偏光板
３０４偏光板
３０５偏光板
３０６偏光板
３２１吸収軸
３２２吸収軸
３２３吸収軸
３２４吸収軸
３５０表示用液晶パネル
３５１偏光板
３５２対向基板
３５３液晶層
３５４アクティブマトリクス基板
３５５偏光板
３６０位相差板
３７０スイッチング液晶パネル
３７１駆動側基板
３７２液晶層
３７３対向基板
３７４偏光板
３８１配線
３８２配線
４０１映像信号
４０２制御回路
４０３信号線駆動回路
４０４走査線駆動回路
４０５画素部
４０６照明手段
４０８駆動回路部
４１０走査線
４１２信号線
４２１ＩＣ
４２２導電性微粒子
４３１シフトレジスタ
４３２ラッチ
４３３ラッチ
４３４レベルシフタ
４３５バッファ
４４１シフトレジスタ
４４２レベルシフタ
４４３バッファ
５０１基板
５０２下地膜
５０３スイッチングＴＦＴ
５０４容量素子
５０５層間絶縁膜
５０６画素電極
５０７保護膜
５０８配向膜
５１０接続端子
５１１液晶
５１６積層された偏光板
５２０対向基板
５２１積層された偏光板
５２２カラーフィルタ
５２３対向電極
５２４ブラックマトリクス
５２５スペーサ
５２６配向膜
５２８封止材
５３１光源
５３２ランプリフレクタ
５３３スイッチングＴＦＴ
５３４反射板
５３５導光板
５３６拡散板
５３７バンプ
５４１偏光板
５４２偏光板
５４３偏光板
５４４偏光板
５４６位相差板
５４７位相差板
５５２バックライトユニット
５５４ＣＭＯＳ回路
５７１冷陰極管
５７２ダイオード（Ｗ）
５７３ダイオード（Ｒ）
５７４ダイオード（Ｇ）
５７５ダイオード（Ｂ）
６００液晶素子を有する層
６０１基板
６０２基板
６０３偏光板
６０４偏光板
６２１位相差板
６５１吸収軸
６５２吸収軸
６５３遅相軸
７０１基板
７０２下地膜
７０３スイッチングＴＦＴ
７０４容量素子
７０５層間絶縁膜
７０６画素電極
７０７保護膜
７０８配向膜
７１０接続端子
７１１液晶
７１６位相差板
７１７偏光板
７１８偏光板
７２０対向基板
７２２カラーフィルタ
７２３対向電極
７２４ブラックマトリクス
７２５スペーサ
７２６配向膜
７２８封止材
７３３スイッチングＴＦＴ
７４１位相差板
７４２偏光板
７４３偏光板
７５４ＣＭＯＳ回路
８００液晶素子を有する層
８０１基板
８０２基板
８０３偏光板
８０４偏光板
８１１画素電極
８１２対向電極
８２１位相差板
８２５位相差板
８２６偏光板
８２７偏光板
８３１画素電極
８３２対向電極
８４１位相差板
８４２偏光板
８４３偏光板
８５１吸収軸
８５２吸収軸
８５３遅相軸
１１００エレクトロルミネッセンス素子を有する層
１１０１基板
１１０２基板
１１１１偏光板
１１１２偏光板
１１２１偏光板
１１２２偏光板
１１３１積層された偏光板
１１３２積層された偏光板
１１５１吸収軸
１１５２吸収軸
１１５３吸収軸
１１５４吸収軸
１２０１基板
１２０３薄膜トランジスタ
１２０４薄膜トランジスタ
１２０５絶縁層
１２０６電極
１２０７電界発光層
１２０８電極
１２０９発光素子
１２１０絶縁層
１２１４容量素子
１２１５画素部
１２１６偏光板
１２１７偏光板
１２１８駆動回路部
１２１８ａ信号線駆動回路部
１２１８ｂ走査線駆動回路部
１２１９積層された偏光板
１２２０対向基板
１２２５位相差板
１２２６偏光板
１２２７偏光板
１２２８封止材
１２２９積層された偏光板
１２３５位相差板
１２４１電極
１２４２電極
１２５１電極
１２５２電極
１３００エレクトロルミネッセンス素子を有する層
１３０１基板
１３０２基板
１３１１偏光板
１３１２偏光板
１３１３位相差板
１３１５積層された偏光板
１３２１偏光板
１３２２偏光板
１３２３位相差板
１３２５積層された偏光板
１３３１遅相軸
１３３２遅相軸
１３３５吸収軸
１３３６吸収軸
１３３７吸収軸
１３３８吸収軸
１３５１シフトレジスタ
１３５４レベルシフタ
１３５５バッファ
１３６１シフトレジスタ
１３６２ラッチ回路
１３６３ラッチ回路
１３６４レベルシフタ
１３６５バッファ
１３７１走査線
１３７２信号線
１３８０トランジスタ
１３８１トランジスタ
１３８２容量素子
１３８３発光素子
１３８４信号線
１３８５電源線
１３８６走査線
１３８８トランジスタ
１３８９走査線
１３９５トランジスタ
１３９６配線
１４００エレクトロルミネッセンス素子を有する層
１４０１基板
１４０２基板
１４０３偏光板
１４０４偏光板
１４２１位相差板
１４５１吸収軸
１４５２吸収軸
１４５３遅相軸
１４６０表示素子を有する層
１４６１基板
１４６２基板
１４７１偏光板
１４７２偏光板
１４７３位相差板
１４７５積層された偏光板
１４８１偏光板
１４８２偏光板
１４８３位相差板
１４８５積層された偏光板
１４９１遅相軸
１４９２遅相軸
１４９５吸収軸
１４９６吸収軸
１４９７吸収軸
１４９８吸収軸
１５００エレクトロルミネッセンス素子を有する層
１５０１基板
１５０２基板
１５０３偏光板
１５０４偏光板
１５２１位相差板
１５５１吸収軸
１５５２吸収軸
１５５３遅相軸
１５６０表示素子を有する層
１５６１基板
１５６２基板
１５７５位相差板
１５７１偏光板
１５７２偏光板
１５７３積層された偏光板
１５７６位相差板
１５８１偏光板
１５８２偏光板
１５８３積層された偏光板
１５９１遅相軸
１５９２遅相軸
１５９５吸収軸
１５９６吸収軸
１５９７吸収軸
１５９８吸収軸
１６００表示素子を有する層
１６０１基板
１６０２基板
１６１１偏光板
１６１２偏光板
１６１３積層された偏光板
１６２１偏光板
１６２２偏光板
１６２３積層された偏光板
１６３１吸収軸
１６３２吸収軸
１６３３吸収軸
１６３４吸収軸
１６６０表示素子を有する層
１６６１基板
１６６２基板
１６７５位相差板
１６７１偏光板
１６７２偏光板
１６７３積層された偏光板
１６７６位相差板
１６８１偏光板
１６８２偏光板
１６８３積層された偏光板
１６９１遅相軸
１６９２遅相軸
１６９５吸収軸
１６９６吸収軸
１６９７吸収軸
１６９８吸収軸
１７０１本体
１７０２表示部
１７１１表示部
１７１２表示部
１７２１本体
１７２２表示部
１７３１本体
１７３２表示部
１７４１本体
１７４２表示部
１７５１本体
１７５２表示部
１８０１表示パネル
１８０２回路基板
１８０３コントロール回路
１８０４信号分割回路
１８０５画素部
１８０６走査線駆動回路
１８０７信号線駆動回路
１８０８接続配線
１８１１チューナ
１８１２映像波増幅回路
１８１３映像信号処理回路
１８１４音声波増幅回路
１８１５音声信号処理回路
１８１６スピーカ
１８１７制御回路
１８１８入力部
１８１９操作スイッチ

Claims

第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板または第２の基板の外側に、積層された偏光子と、
を有し、
前記積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸とはパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板または第２の基板の外側に、積層された偏光子と、
前記第１の基板または第２の基板と、前記積層された偏光子との間に、位相差板と、
を有し、
前記積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第１の基板と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子との間に、第１の位相差板と、
前記第２の基板と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子との間に、第２の位相差板と、
を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第１の基板と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子との間に、第１の位相差板と、
前記第２の基板と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子との間に、第２の位相差板と、
を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、かつ、それぞれ消衰係数が異なり、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸とはパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置。
請求項４において、
前記積層された偏光子の吸収軸と、前記位相差板の遅相軸は、４５°ずれるように配置されることを特徴とする表示装置。
請求項５または請求項６において、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第１の位相差板の遅相軸は、４５°ずれるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の位相差板の遅相軸は、４５°ずれるように配置されることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記表示素子は、液晶素子であることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。