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JP2007214336A - Retaining device, manufacturing method therefor retaining method, stage device, and exposure device - Google Patents

Retaining device, manufacturing method therefor retaining method, stage device, and exposure device Download PDF

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JP2007214336A
JP2007214336A JP2006032271A JP2006032271A JP2007214336A JP 2007214336 A JP2007214336 A JP 2007214336A JP 2006032271 A JP2006032271 A JP 2006032271A JP 2006032271 A JP2006032271 A JP 2006032271A JP 2007214336 A JP2007214336 A JP 2007214336A
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plate
holding
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wafer
holding surface
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JP2006032271A
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Kazuya Ono
一也 小野
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To propose a retaining device, a retaining method or the like capable of disposing on a retaining surface while suppressing warpage or the like even if the warpage or the like has been generated in a plate member. <P>SOLUTION: The retaining device WH is provided with a retaining member 1 having a retaining surface 2 for retaining the plate member W while being opposed to the first surface Wb of the plate member W; a movable member 77 for supporting the plate member W to move the plate member W into a direction intersecting with the retaining surface 2 of the plate member W, and to dispose the same on the retaining surface 2; and a gas supplying unit 10 for supplying gas A between the plate type member W supported by the movable member 77 and the retaining surface 2. In this case, the plate member W supported by the movable member 77 is flattened by employing the gas A supplied from the gas supplying unit 10 before the plate member W is retained on the retaining surface 2. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、保持装置、保持方法、ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to a holding apparatus, a holding method, a stage apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method.

半導体素子等を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)や、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置(いわゆるスキャニングステッパ)などの逐次移動型の投影露光装置が主流となっている。このような投影露光装置においては、2次元面内を移動可能な基板ステージが設けられており、この基板ステージ上に固定された基板ホルダにより、感光基板が真空吸着或いは静電吸着等により保持されている。   In a lithography process for manufacturing a semiconductor element or the like, a step-and-repeat type reduction projection exposure apparatus (so-called stepper) and a step-and-scan type scanning projection exposure apparatus (so-called scanning stepper) are used. Projection exposure apparatuses have become mainstream. In such a projection exposure apparatus, a substrate stage movable in a two-dimensional plane is provided, and a photosensitive substrate is held by vacuum suction or electrostatic suction by a substrate holder fixed on the substrate stage. ing.

また、露光装置においては、半導体メモリの大容量化やCPUプロセッサの高速化・大集積化の進展とともに感光基板上に形成されるパターンの微細化の要求が高まっており、高い露光精度が要求されている。
このため、基板ホルダとしては、感光基板との間に異物の挟み込みが生じると感光基板表面に凹凸が生じ、露光の際の焦点ずれ、ひいては露光精度の劣化が発生してしまうので、例えば特許文献1などに開示されるように、多数のピン状の支持部により感光基板を支持するピンチャック式の基板ホルダが提案されている。
特開平1−129438号公報
In the exposure apparatus, the demand for finer patterns formed on the photosensitive substrate is increasing with the increase in the capacity of the semiconductor memory and the increase in the speed and integration of the CPU processor, and high exposure accuracy is required. ing.
For this reason, as a substrate holder, when a foreign object is caught between the photosensitive substrate and the photosensitive substrate surface, irregularities are formed on the surface of the photosensitive substrate, resulting in defocusing during exposure, and hence deterioration in exposure accuracy. As disclosed in No. 1 and the like, a pin chuck type substrate holder that supports a photosensitive substrate by a large number of pin-shaped support portions has been proposed.
Japanese Patent Laid-Open No. 1-129438

基板ホルダ上に載置される感光基板は、例えばシリコン等からなり、直径が8インチ(200mm)や12インチ(300mm)で、厚みが0.5mmから1.0mm程度の薄形円板である。このため、感光基板自体が反ったり、波打ったりしている場合が少なくない。
このように反ったり、波打ったりした感光基板を基板ホルダで吸着保持すると、感光基板が基板ホルダ上で強制的に引き伸ばされて保持される。ところが、感光基板の引き伸ばされ方は均一でないため、感光基板が局所的に変形するという問題がある。更に、感光基板の引き伸ばされ方に再現性は殆どないため、例えば感光基板が基板ホルダ上に吸着保持される度に、感光基板上に形成したアライメントマークが位置ずれしてしまうという問題がある。このため、パターンの重ね合わせを高精度に行うことが困難となっている。
The photosensitive substrate placed on the substrate holder is made of, for example, silicon, and is a thin disk having a diameter of 8 inches (200 mm) or 12 inches (300 mm) and a thickness of about 0.5 mm to 1.0 mm. . For this reason, the photosensitive substrate itself is often warped or wavy.
When the photosensitive substrate warped or waved in this way is sucked and held by the substrate holder, the photosensitive substrate is forcibly stretched and held on the substrate holder. However, since the photosensitive substrate is not uniformly stretched, there is a problem that the photosensitive substrate is locally deformed. Further, since there is almost no reproducibility in how the photosensitive substrate is stretched, there is a problem that the alignment mark formed on the photosensitive substrate is displaced every time the photosensitive substrate is sucked and held on the substrate holder. For this reason, it is difficult to perform pattern superposition with high accuracy.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、板状部材に反り等が発生している場合であっても、この反り等を抑えつつ保持面に載置することができる保持装置、保持方法、ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法を提案することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and a holding device that can be placed on a holding surface while suppressing warpage or the like even when warpage or the like occurs in a plate-like member, It is an object of the present invention to propose a holding method, a stage apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method.

本発明に係る保持装置、保持方法、ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法では、上記課題を解決するために、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の手段を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。   In the holding apparatus, holding method, stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method according to the present invention, the following means corresponding to the respective drawings shown in the embodiments are employed in order to solve the above problems. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.

第一の発明は、板状部材(W)の第一面(Wb)と対向して該板状部材を保持する保持面(2)を有する保持部材(1)と、前記板状部材を支持して該板状部材を前記保持面と交差する方向に移動させて前記保持面上に戴置する可動部材(77)と、前記可動部材に支持された前記板状部材と前記保持面との間に気体(A)を供給する気体供給部(10)とを備えた保持装置(WH)であって、前記板状部材が前記保持面上に保持される前に、前記気体供給部から供給される気体を用いて前記可動部材に支持された前記板状部材を平坦化するようにした。   1st invention supports the said plate-shaped member and the holding member (1) which has the holding surface (2) which opposes the 1st surface (Wb) of a plate-shaped member (W), and hold | maintains this plate-shaped member. Then, the movable member (77) that moves the plate-like member in a direction intersecting the holding surface and places the plate-like member on the holding surface, and the plate-like member supported by the movable member and the holding surface A holding device (WH) having a gas supply unit (10) for supplying a gas (A) between the plate and the plate-like member supplied from the gas supply unit before being held on the holding surface The plate-like member supported by the movable member is flattened using a gas to be used.

また、保持装置(WH)は、板状部材(W)の第一面(Wb)と対向して該板状部材を保持する保持面(2)を有する保持部材(1)と、前記板状部材を支持して該板状部材を前記保持面と交差する方向に移動させて前記保持面上に戴置する可動部材(77)と、前記可動部材に支持された前記板状部材における前記第一面と前記保持面との間に気体(A)を供給する第一気体供給部(10)と、前記板状部材の前記第一面とは反対側の第二面(Wa)と対向する対向面(20b)を有し、該対向面と前記板状部材との間に気体(A)を供給する第二気体供給部(26)と、前記第一気体供給部及び前記第二気体供給部の少なくとも一方における前記気体の供給状態を調整する調整部(CONT)と、を含むようにした。   The holding device (WH) includes a holding member (1) having a holding surface (2) that holds the plate-like member facing the first surface (Wb) of the plate-like member (W), and the plate-like member. A movable member (77) that supports the member and moves the plate-like member in a direction intersecting the holding surface and places the plate-like member on the holding surface; and the first member in the plate-like member supported by the movable member. The first gas supply part (10) for supplying the gas (A) between the one surface and the holding surface is opposed to the second surface (Wa) opposite to the first surface of the plate member. A second gas supply unit (26) having an opposing surface (20b) and supplying gas (A) between the opposing surface and the plate-like member; the first gas supply unit; and the second gas supply. And an adjustment unit (CONT) for adjusting the supply state of the gas in at least one of the units.

また、保持装置(WH2)は、板状部材(W)を保持する保持面(32)を有する保持部材(31)と、前記板状部材を支持して該板状部材を前記保持面と交差する方向に移動させて前記保持面上に載置する可動部材(77)と、前記可動部材に支持された前記板状部材と前記保持面との間に気体(A)を供給する気体供給部(46)と、前記可動部材に支持された前記板状部材と前記保持面との間の気体を吸引する気体吸引部(40)と、前記気体供給部と前記気体吸引部を同時に稼働させた状態で、前記気体供給部における気体供給状態と前記気体吸引部における気体吸引状態とを調整する調整部(CONT)と、を含むようにした。   The holding device (WH2) includes a holding member (31) having a holding surface (32) for holding the plate-like member (W), and supports the plate-like member so that the plate-like member intersects the holding surface. A movable member (77) that is moved in the direction of movement and placed on the holding surface, and a gas supply unit that supplies gas (A) between the plate-like member supported by the movable member and the holding surface (46), the gas suction part (40) for sucking the gas between the plate-like member supported by the movable member and the holding surface, the gas supply part and the gas suction part were operated simultaneously. The adjustment part (CONT) which adjusts the gas supply state in the said gas supply part and the gas suction state in the said gas suction part in the state was included.

第二の発明は、保持面(2)上で板状部材(W)を保持する保持方法であって、前記保持面と交差する方向に移動可能な可動部材(77)によって前記板状部材を支持する工程と、前記可動部材によって前記板状部材を前記保持面に向けて移動させる工程と、前記可動部材に支持された前記板状部材と前記保持面との間に気体(A)を供給することで前記可動部材に支持された前記板状部材を平坦化する工程と、平坦化された前記板状部材を前記保持面上に載置する工程と、を含むようにした。   A second invention is a holding method for holding a plate-like member (W) on a holding surface (2), and the plate-like member is moved by a movable member (77) movable in a direction intersecting the holding surface. Gas (A) is supplied between the step of supporting, the step of moving the plate-like member toward the holding surface by the movable member, and the plate-like member supported by the movable member and the holding surface Thus, the step of flattening the plate-like member supported by the movable member and the step of placing the flattened plate-like member on the holding surface are included.

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また、保持面(2)上で板状部材(W)を保持する保持方法であって、前記保持面と交差する方向に移動可能な可動部材(77)によって前記板状部材の第一面(Wb)を前記保持面と対向させた状態で支持する工程と、前記板状部材の前記第一面とは反対側の第二面(Wa)と対向する対向面(20b)を有する部材(20)を配置して前記対向面と前記板状部材との間に気体(A)を供給すると共に、前記可動部材に支持された前記板状部材の前記第一面と前記保持面との間に気体を供給することで、前記可能部材に支持された前記板状部材を平坦化する工程と、平坦化された前記板状部材を前記保持面上に載置する工程と、を含むようにした。
13
Moreover, it is a holding method which hold | maintains a plate-shaped member (W) on a holding surface (2), Comprising: The movable member (77) which can move to the direction which cross | intersects the said holding surface WHEREIN: A member (20b) having a step of supporting Wb) in a state of facing the holding surface, and a facing surface (20b) facing the second surface (Wa) opposite to the first surface of the plate-like member. ) To supply gas (A) between the opposing surface and the plate member, and between the first surface and the holding surface of the plate member supported by the movable member The step of flattening the plate-like member supported by the possible member by supplying gas and the step of placing the flattened plate-like member on the holding surface are included. .

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また、保持面(32)上で板状部材(W)を保持する方法であって、前記保持面と交差する方向に移動可能な可動部材(77)によって前記板状部材を支持する工程と、前記可動部材に支持された前記板状部材の第一面(Wb)と前記保持面との間の空間で気体(A)の供給と気体の吸引とを行うことで前記可動部材に支持された前記板状部材を平坦化する工程と、平坦化された前記板状部材を前記保持面上に載置する工程と、を含むようにした。
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A method of holding the plate member (W) on the holding surface (32), the step of supporting the plate member by a movable member (77) movable in a direction intersecting the holding surface; Supported by the movable member by supplying the gas (A) and sucking the gas in the space between the first surface (Wb) of the plate-shaped member supported by the movable member and the holding surface. The step of flattening the plate-like member and the step of placing the flattened plate-like member on the holding surface are included.

第三の発明は、板状部材(W)を保持して移動可能なステージ装置(WST)が、第一の発明に係る保持装置(WH,WH2)を備えるようにした。   In the third invention, the stage device (WST) that holds and moves the plate-like member (W) includes the holding device (WH, WH2) according to the first invention.

第四の発明は、基板ステージ(WST)上に保持された基板(W)上に所定の像を形成する露光装置(EX)であって、前記基板ステージに第三の発明に係るステージ装置(WST)を用いるようにした。   A fourth invention is an exposure apparatus (EX) for forming a predetermined image on a substrate (W) held on a substrate stage (WST), wherein the stage apparatus (3) WST) was used.

第五の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程において第四の発明に係る露光装置(EX)を用いるようにした。   According to a fifth aspect of the present invention, in the device manufacturing method including the lithography step, the exposure apparatus (EX) according to the fourth aspect of the invention is used in the lithography step.

本発明によれば以下の効果を得ることができる。
基板を保持面に載置するに先立って、基板に発生している反り等を矯正することができるので、基板に変形等を残すことなく保持面上に吸着保持することができる。これにより、基板をステージ装置により正確に位置決めすることができるので、微細なパターンを高精度に露光することが可能となる。したがって、高品質、高性能なデバイスを効率よく得ることが可能となる。
According to the present invention, the following effects can be obtained.
Prior to placing the substrate on the holding surface, it is possible to correct the warp and the like generated on the substrate, so that the substrate can be sucked and held on the holding surface without leaving deformation or the like. As a result, the substrate can be accurately positioned by the stage device, so that a fine pattern can be exposed with high accuracy. Therefore, it is possible to efficiently obtain a high-quality and high-performance device.

以下、本発明に係る保持装置、保持方法、ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法の実施形態について、図を参照して説明する。
〔第一実施形態〕
図1は、本実施形態の露光装置EXの概略構成を示す図である。
露光装置EXは、レチクルRとウエハWとを一次元方向に同期移動しつつ、レチクルRに形成されたパターンPAを投影光学系PLを介してウエハW上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわち、いわゆるスキャニング・ステッパである。
露光装置EXは、露光光ELによりレチクルRを照明する照明光学系IL、レチクルRを保持して移動可能なレチクルステージRST、レチクルRから射出される露光光ELをウエハW上に投射する投影光学系PL、ウエハWをウエハホルダWHを介して支持する保持しつつ移動可能なウエハステージWST、露光装置EXを統括的に制御する制御装置CONT等を備える。
なお、以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でレチクルRとウエハWとの同期移動方向(走査方向)をX軸方向、Z軸方向及びY軸方向に垂直な方向(非走査方向)をY軸方向とする。また、X軸、Y軸及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY及びθZ方向とする。
Hereinafter, embodiments of a holding apparatus, a holding method, a stage apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[First embodiment]
FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of an exposure apparatus EX of the present embodiment.
The exposure apparatus EX transfers the pattern PA formed on the reticle R to each shot area on the wafer W via the projection optical system PL while moving the reticle R and the wafer W synchronously in the one-dimensional direction. A scanning type exposure apparatus, that is, a so-called scanning stepper.
The exposure apparatus EX includes an illumination optical system IL that illuminates the reticle R with exposure light EL, a reticle stage RST that can move while holding the reticle R, and projection optics that projects the exposure light EL emitted from the reticle R onto the wafer W. A system PL, a wafer stage WST that can move while supporting the wafer W via a wafer holder WH, a control device CONT that controls the exposure apparatus EX in an integrated manner, and the like are provided.
In the following description, the direction that coincides with the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction, and the synchronous movement direction (scanning direction) between the reticle R and the wafer W in the plane perpendicular to the Z-axis direction is the X-axis. The direction perpendicular to the direction, the Z-axis direction, and the Y-axis direction (non-scanning direction) is defined as the Y-axis direction. In addition, the rotation (inclination) directions around the X, Y, and Z axes are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

照明光学系ILは、レチクルステージRSTに支持されているレチクルRを露光光ELで照明するものであり、露光光ELを射出する露光用光源、露光用光源から射出された露光光ELの照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるレチクルR上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等(いずれも不図示)を備える。そして、レチクルR上の所定の照明領域は、照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。   The illumination optical system IL illuminates the reticle R supported by the reticle stage RST with the exposure light EL. The illumination light source emits the exposure light EL, and the illuminance of the exposure light EL emitted from the exposure light source. A uniform optical integrator, a condenser lens that collects the exposure light EL from the optical integrator, a relay lens system, a variable field stop that sets the illumination area on the reticle R by the exposure light EL in a slit shape, etc. (all not shown) Is provided. The predetermined illumination area on the reticle R is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL.

照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びFレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。 As the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL, for example, far ultraviolet light (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, DUV light), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used.

レチクルステージRSTは、レチクルRを保持して移動可能であって、例えばレチクルRを真空吸着(又は静電吸着)により固定している。レチクルステージRSTは、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわち、XY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。
レチクルステージRSTは、リニアモータ等のレチクルステージ駆動部RSTDにより駆動される。そして、レチクルステージ駆動部RSTDは、制御装置CONTにより制御される。
The reticle stage RST is movable while holding the reticle R, and, for example, the reticle R is fixed by vacuum suction (or electrostatic suction). Reticle stage RST can be moved two-dimensionally in a plane perpendicular to optical axis AX of projection optical system PL, that is, in the XY plane, and can be slightly rotated in the θZ direction.
The reticle stage RST is driven by a reticle stage drive unit RSTD such as a linear motor. Reticle stage driving unit RSTD is controlled by control unit CONT.

レチクルステージRST上には、移動鏡51が設けられている。また、移動鏡51に対向する位置には、レーザ干渉計52が設けられている。これにより、レチクルステージRST上のレチクルRの2次元方向(XY方向)の位置及びθZ方向の回転角(場合によってはθX、θY方向の回転角も含む)は、レーザ干渉計52によりリアルタイムで計測される。そして、レーザ干渉計52の計測結果は、制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計52の計測結果に基づいてレチクルステージ駆動部RSTDを駆動することでレチクルステージRSTに支持されているレチクルRの位置を制御する。   A movable mirror 51 is provided on the reticle stage RST. A laser interferometer 52 is provided at a position facing the movable mirror 51. Thus, the position of the reticle R on the reticle stage RST in the two-dimensional direction (XY direction) and the rotation angle in the θZ direction (including rotation angles in the θX and θY directions in some cases) are measured by the laser interferometer 52 in real time. Is done. And the measurement result of the laser interferometer 52 is output to the control apparatus CONT. The control device CONT controls the position of the reticle R supported by the reticle stage RST by driving the reticle stage drive unit RSTD based on the measurement result of the laser interferometer 52.

投影光学系PLは、レチクルRのパターンを所定の投影倍率βでウエハWに投影露光するものである。投影光学系PLは、ウエハW側の先端部に設けられた光学素子を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒PKで支持されている。投影光学系PLは、投影倍率βが、例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。
なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLの先端部の光学素子は鏡筒PKに対して着脱(交換)可能に設けられる。
The projection optical system PL projects and exposes the pattern of the reticle R onto the wafer W at a predetermined projection magnification β. The projection optical system PL is composed of a plurality of optical elements including optical elements provided at the front end portion on the wafer W side, and these optical elements are supported by a lens barrel PK. The projection optical system PL is a reduction system having a projection magnification β of, for example, 1/4, 1/5, or 1/8.
Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. Further, the optical element at the tip of the projection optical system PL is detachably (replaceable) with respect to the lens barrel PK.

ウエハステージWSTは、ウエハWを支持しつつ移動するものであって、ウエハWをウエハホルダWHを介して保持して、Z軸方向、θX方向及びθY方向の3自由度方向に微小駆動するZテーブル61、Zテーブル61を支持しつつ、Y軸方向に連続移動及びX軸方向にステップ移動するXYテーブル62、XYテーブル62をXY平面内で移動可能に支持するウエハ定盤63等を備えている。
ウエハステージWSTは、リニアモータ等のウエハステージ駆動部WSTDにより駆動される。ウエハステージ駆動部WSTDは、制御装置CONTにより制御される。そして、Zテーブル61を駆動することにより、Zテーブル61上のウエハホルダWHに保持されているウエハWのZ軸方向における位置(フォーカス位置)等が制御される。また、XYテーブル62を駆動することにより、ウエハWのXY方向における位置(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向の位置)が制御される。
なお、ウエハホルダWHの詳細な構成については、後述する。
Wafer stage WST moves while supporting wafer W, and holds wafer W via wafer holder WH so that it is micro-driven in three degrees of freedom in the Z-axis direction, θX direction, and θY direction. 61, an XY table 62 that continuously moves in the Y-axis direction and steps in the X-axis direction while supporting the Z table 61, a wafer surface plate 63 that supports the XY table 62 to be movable in the XY plane, and the like. .
Wafer stage WST is driven by a wafer stage drive unit WSTD such as a linear motor. Wafer stage drive unit WSTD is controlled by control unit CONT. Then, by driving the Z table 61, the position (focus position) in the Z-axis direction of the wafer W held by the wafer holder WH on the Z table 61 is controlled. Further, by driving the XY table 62, the position of the wafer W in the XY direction (position in a direction substantially parallel to the image plane of the projection optical system PL) is controlled.
The detailed configuration of the wafer holder WH will be described later.

ウエハステージWST(Zテーブル61)上には、移動鏡53が設けられている。また、移動鏡53に対向する位置には、レーザ干渉計54が設けられている。これにより、ウエハステージWST上のウエハWの2次元方向の位置及び回転角はレーザ干渉計54によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。そして、制御装置CONTは、レーザ干渉計54の計測結果に基づいてウエハステージ駆動部WSTDを介してウエハステージWSTを駆動することで、ウエハステージWSTに支持されているウエハWのX軸、Y軸方向及びθZ方向の位置決めを行う。   A movable mirror 53 is provided on wafer stage WST (Z table 61). A laser interferometer 54 is provided at a position facing the moving mirror 53. Thus, the position and rotation angle of wafer W on wafer stage WST in the two-dimensional direction are measured in real time by laser interferometer 54, and the measurement result is output to control unit CONT. Then, the control device CONT drives the wafer stage WST via the wafer stage drive unit WSTD based on the measurement result of the laser interferometer 54, so that the X axis and Y axis of the wafer W supported on the wafer stage WST. Positioning in the direction and θZ direction.

また、露光装置EXは、投影光学系PLの像面に対するウエハW表面の位置(フォーカス位置)を検出するフォーカス検出系56を備えている。フォーカス検出系56は、ウエハW表面に対して斜め方向より検出光を投射する投光部56Aと、ウエハW表面で反射した検出光(反射光)を受光する受光部56Bとを備えている。
受光部56Bの受光結果は、制御装置CONTに出力される。そして、制御装置CONTは、フォーカス検出系56の検出結果に基づいてウエハステージ駆動部WSTDを介してウエハステージWST(Zテーブル61)を駆動することで、ウエハW表面の位置を投影光学系PLの焦点深度内に収める。すなわち、Zテーブル61は、ウエハWのフォーカス位置及び傾斜角を制御してウエハWの表面をオートフォーカス方式及びオートレベリング方式で投影光学系PLの像面に合わせ込む。
Further, the exposure apparatus EX includes a focus detection system 56 that detects the position (focus position) of the surface of the wafer W with respect to the image plane of the projection optical system PL. The focus detection system 56 includes a light projecting unit 56A that projects detection light on the surface of the wafer W from an oblique direction, and a light receiving unit 56B that receives detection light (reflected light) reflected from the surface of the wafer W.
The light reception result of the light receiving unit 56B is output to the control device CONT. Then, the control device CONT drives the wafer stage WST (Z table 61) via the wafer stage drive unit WSTD based on the detection result of the focus detection system 56, thereby determining the position of the surface of the wafer W of the projection optical system PL. Keep within the depth of focus. In other words, the Z table 61 controls the focus position and the tilt angle of the wafer W to adjust the surface of the wafer W to the image plane of the projection optical system PL by the auto focus method and the auto leveling method.

次に、ウエハホルダWHの詳細な構成について説明する。
図2はウエハホルダWHの側断面図、図3はホルダ板1を上方から見た平面図である。
ウエハホルダWHは、所定形状を有するホルダ板1と給排気装置10等とを備えている。ホルダ板1はウエハWに応じた形状を有しており、例えば、平面視略円形状に形成されている。
ホルダ板1の上面2には、外周部近傍に所定幅を有する環状(無端状)に形成された凸状のシール部7と、シール部7の内側領域に所定間隔で複数に設けられた突起状のピン部8とが設けられる。そして、シール部7と複数のピン部8により、ウエハWの下面を複数箇所で支持するようになっている。
ホルダ板1の下面3は、平坦に形成されており、不図示の吸着機構によりZテーブル61上に装着される領域である。Zテーブル61上も平坦に形成されるので、ウエハホルダWHをZテーブル61上に装着しても、上面2が殆ど変形しないようになっている。
なお、ホルダ板1は、セラミック、例えば炭化珪素セラミックス(SiC:シリコンカーバイド)により形成される。炭化珪素セラミックスは、熱伝導性が高く、線膨張係数が低いので、熱変形することなく、温度を伝えることができる。また、加工性が良好であるため、上面2及び下面3を高い平坦度に形成することができる。
Next, a detailed configuration of the wafer holder WH will be described.
2 is a side sectional view of the wafer holder WH, and FIG. 3 is a plan view of the holder plate 1 as viewed from above.
The wafer holder WH includes a holder plate 1 having a predetermined shape, an air supply / exhaust device 10 and the like. The holder plate 1 has a shape corresponding to the wafer W, and is formed, for example, in a substantially circular shape in plan view.
On the upper surface 2 of the holder plate 1, a convex seal portion 7 formed in an annular shape (endless shape) having a predetermined width in the vicinity of the outer peripheral portion, and a plurality of protrusions provided at a predetermined interval in an inner region of the seal portion 7 A pin portion 8 is provided. The lower surface of the wafer W is supported at a plurality of locations by the seal portion 7 and the plurality of pin portions 8.
The lower surface 3 of the holder plate 1 is formed flat and is an area that is mounted on the Z table 61 by a suction mechanism (not shown). Since the Z table 61 is also formed flat, even when the wafer holder WH is mounted on the Z table 61, the upper surface 2 is hardly deformed.
The holder plate 1 is made of ceramic, for example, silicon carbide ceramics (SiC: silicon carbide). Since silicon carbide ceramics have high thermal conductivity and a low coefficient of linear expansion, the temperature can be transmitted without thermal deformation. Moreover, since workability is favorable, the upper surface 2 and the lower surface 3 can be formed with high flatness.

ホルダ板1の上面2に設けられた複数のピン部8の上端面及びシール部7の上端面は、それぞれ平坦かつ同一平面上に位置するように形成される。つまり、複数のピン部8とシール部7とにより、ウエハWを保持する保持面(上面2)が形成されている。このようにして、ウエハWは、ピン部8及びシール部7の上端に、平坦に保持可能となっている。
なお、シール部7は、この上に載置されるウエハWの外径より僅かに小さい外径を有するように形成される。
The upper end surfaces of the plurality of pin portions 8 and the upper end surfaces of the seal portions 7 provided on the upper surface 2 of the holder plate 1 are formed so as to be flat and on the same plane. That is, a holding surface (upper surface 2) that holds the wafer W is formed by the plurality of pin portions 8 and the seal portion 7. In this way, the wafer W can be held flat on the upper ends of the pin portion 8 and the seal portion 7.
The seal portion 7 is formed so as to have an outer diameter slightly smaller than the outer diameter of the wafer W placed thereon.

図3に示すように、ホルダ板1の上面2における複数の所定位置には、給排気孔5が形成されている。例えば、給排気孔5は、上面2の中心部から放射方向に全部で12箇所に形成されている。給排気孔5は、ホルダ板1を上下方向に貫く孔であり、ホルダ板1が載置されるZテーブル61に形成された流路12を介して給排気装置10に連結されている。例えば、排気孔5は、上面2の中心部から放射方向に12箇所に形成されている。
このような構成により、給排気装置10が排気動作(吸引動作)を行うことにより、給排気孔5から流路12を介して、ウエハWとホルダ板1の上面2との間の空気Aが吸引されるようになっている。これにより、ウエハW及びシール部7で囲まれた空間が負圧になり、ウエハWがホルダ板1の上面2に対して吸着されるようになっている。
一方、給排気装置10が給気動作(吹出動作)を行うことにより、ウエハWとホルダ板1の上面2との間に、給排気孔5から空気Aが供給されるようになっている。
As shown in FIG. 3, air supply / exhaust holes 5 are formed at a plurality of predetermined positions on the upper surface 2 of the holder plate 1. For example, the air supply / exhaust holes 5 are formed at 12 locations in the radial direction from the center of the upper surface 2. The air supply / exhaust hole 5 is a hole that penetrates the holder plate 1 in the vertical direction, and is connected to the air supply / exhaust device 10 via a flow path 12 formed in the Z table 61 on which the holder plate 1 is placed. For example, the exhaust holes 5 are formed at 12 locations in the radial direction from the center of the upper surface 2.
With this configuration, when the air supply / exhaust device 10 performs an exhaust operation (suction operation), the air A between the wafer W and the upper surface 2 of the holder plate 1 passes through the flow path 12 from the air supply / exhaust hole 5. It comes to be sucked. As a result, the space surrounded by the wafer W and the seal portion 7 becomes negative pressure, and the wafer W is attracted to the upper surface 2 of the holder plate 1.
On the other hand, when the air supply / exhaust device 10 performs an air supply operation (blowout operation), air A is supplied from the air supply / exhaust hole 5 between the wafer W and the upper surface 2 of the holder plate 1.

また、ホルダ板1には、ウエハWを保持して昇降可能なリフトピン77が配置されるリフトピン用穴9aが形成されている。リフトピン77及びこれに対応するリフトピン用穴9aは、上面2の中央部近傍において、正三角形の頂点に対応する位置にそれぞれ設けられている。なお、リフトピン用穴9aの周囲にも、環状(無端状)に形成され、ピン部8とほぼ同じ高さを有するシール部9が設けられている。
3本のリフトピン77は、上下方向(Z軸方向)に同時に同一量だけ昇降自在となっている。ウエハホルダWHに対するウエハWのロード及びアンロード時において、リフトピン77が駆動機構70により昇降することで、ウエハWを下方から支持したり、ウエハWを下方から支持した状態で上下動したりすることができるようになっている。
なお、各リフトピン77には、先端上面に開口する吸引路77aが形成されており、各吸引路77aは、不図示の真空吸引源に接続されている。これにより、3本のリフトピン77上にウエハWを載置した際に、吸引路77aを介して吸引(排気)することで、ウエハWが吸着保持されて位置ずれしないようになっている。
The holder plate 1 is formed with lift pin holes 9a in which lift pins 77 that hold the wafer W and can be moved up and down are arranged. The lift pins 77 and the lift pin holes 9a corresponding to the lift pins 77 are provided at positions corresponding to the apexes of the equilateral triangle in the vicinity of the center portion of the upper surface 2. A seal portion 9 that is formed in an annular shape (endless shape) and has substantially the same height as the pin portion 8 is also provided around the lift pin hole 9a.
The three lift pins 77 can move up and down by the same amount in the vertical direction (Z-axis direction) simultaneously. During loading and unloading of the wafer W with respect to the wafer holder WH, the lift pins 77 are moved up and down by the drive mechanism 70, so that the wafer W can be supported from below or moved up and down with the wafer W supported from below. It can be done.
Each lift pin 77 is formed with a suction path 77a that opens to the top surface of the tip, and each suction path 77a is connected to a vacuum suction source (not shown). Thus, when the wafer W is placed on the three lift pins 77, the wafer W is sucked (exhausted) through the suction path 77a, so that the wafer W is sucked and held so as not to be displaced.

図2に戻り、XYテーブル62とZテーブル61との間には、投影光学系PLの結像面に対するZテーブル61(ウエハW)の位置を調整するアクチュエータ80と、ウエハWをZ方向に昇降させる駆動機構70とが設けられている。
アクチュエータ80は、ボイスコイルモータで構成されており、XYテーブル62に設けられた固定子80Aと、Zテーブル61に設けられてZ方向に移動可能な可動子80Bとからなる。アクチュエータ80は、三箇所に設けられ、各アクチュエータ80をそれぞれ駆動することにより、Zテーブル61がZ軸方向、θX方向及びθY方向の3自由度方向に微小駆動するようになっている。
Returning to FIG. 2, between the XY table 62 and the Z table 61, an actuator 80 for adjusting the position of the Z table 61 (wafer W) with respect to the imaging plane of the projection optical system PL, and the wafer W are moved up and down in the Z direction. A driving mechanism 70 is provided.
The actuator 80 includes a voice coil motor, and includes a stator 80A provided on the XY table 62 and a mover 80B provided on the Z table 61 and movable in the Z direction. The actuator 80 is provided at three locations, and the Z table 61 is finely driven in three degrees of freedom in the Z-axis direction, θX direction, and θY direction by driving the actuators 80 respectively.

駆動機構70は、矩形ブロック状のベース部71、ベース部71をZ方向に移動自在にガイドするガイド装置72、ベース部71の一側面に設けられたZ方向に複数のギア73aが直線的に並ぶラック73、ラック73のギア73aと互いに噛合すると共に紙面と直交する軸周りに回転するピニオン74、ベース部71の近傍に設けられて制御装置CONTの制御下でピニオン74を回転駆動する回転モータ75、ベース部71のZ軸方向の位置を検出し制御装置CONTに出力するリニアスケール76と、を主体に構成されている。
そして、矩形ブロック状のベース部71の上面に、Z軸に沿って3つのリフトピン77が配置される。
The drive mechanism 70 includes a rectangular block-shaped base portion 71, a guide device 72 that guides the base portion 71 so as to be movable in the Z direction, and a plurality of gears 73a linearly provided in one side surface of the base portion 71. Aligned rack 73, pinion 74 that meshes with gear 73a of rack 73 and rotates about an axis orthogonal to the plane of the paper, and rotary motor that is provided in the vicinity of base portion 71 and rotates pinion 74 under the control of control device CONT 75, and a linear scale 76 that detects the position of the base portion 71 in the Z-axis direction and outputs it to the control device CONT.
Then, three lift pins 77 are disposed on the upper surface of the rectangular block-shaped base portion 71 along the Z-axis.

また、ウエハホルダWHの上方には、ホルダ板1と略同一形状の板状部材20が対向配置される(図1,図4参照)。
板状部材20の下面20bは、平坦に形成されており、更にこの下面20bにおける複数の所定位置には、給気孔22が形成されている。例えば、12個の給気孔22が、ホルダ板1の上面2に形成された給排気孔5のそれぞれと対向する位置に形成される。また、各給気孔22は、板状部材20を上下方向に貫く孔であって、流路24を介して給気装置26に連結されている。
このような構成により、給気装置26が給気動作(吹出動作)を行うことにより、ウエハWと板状部材20の下面20bとの間に、給気孔22から空気Aが供給されるようになっている。
なお、板状部材20は、ウエハステージWSTの可動範囲のうちのウエハロード/アンロード位置に設けられている。また、板状部材20は、モータ等の上下駆動部81により、Z方向に移動可能となっている。
In addition, a plate-like member 20 having substantially the same shape as the holder plate 1 is disposed above the wafer holder WH (see FIGS. 1 and 4).
The lower surface 20b of the plate-like member 20 is formed flat, and air supply holes 22 are formed at a plurality of predetermined positions on the lower surface 20b. For example, twelve air supply holes 22 are formed at positions facing each of the air supply / exhaust holes 5 formed in the upper surface 2 of the holder plate 1. Each air supply hole 22 is a hole that penetrates the plate-like member 20 in the vertical direction, and is connected to an air supply device 26 via a flow path 24.
With such a configuration, when the air supply device 26 performs an air supply operation (blowout operation), air A is supplied from the air supply holes 22 between the wafer W and the lower surface 20b of the plate-like member 20. It has become.
Plate member 20 is provided at a wafer load / unload position within the movable range of wafer stage WST. The plate-like member 20 can be moved in the Z direction by a vertical drive unit 81 such as a motor.

次に、ウエハホルダWH(ホルダ板1)上にウエハWを載置する際の動作について説明する。
図4は、ウエハWをウエハホルダWH(ホルダ板1)上に載置する際の動作を示す図である。
まず、ウエハステージWST(Zテーブル61及びXYテーブル62)が、ウエハWをロードするために、ウエハロード/アンロード位置に移動する。そして、駆動機構70を駆動して、3本のリフトピン77を上昇させ、ホルダ板1の上面2から突出させる。
次に、さらにリフトピン77を上昇させ、XY平面方向に移動可能なウエハ搬送アーム82によってウエハホルダWH(ホルダ板1)の上方に搬送されたウエハWを、リフトピン77上に載置し、リフトピン77に形成された吸引路77aを介してウエハWを吸引、保持する。
Next, an operation when placing the wafer W on the wafer holder WH (holder plate 1) will be described.
FIG. 4 is a diagram illustrating an operation when the wafer W is placed on the wafer holder WH (holder plate 1).
First, wafer stage WST (Z table 61 and XY table 62) moves to a wafer load / unload position in order to load wafer W. Then, the driving mechanism 70 is driven to raise the three lift pins 77 and project from the upper surface 2 of the holder plate 1.
Next, the lift pins 77 are further lifted, and the wafer W transported above the wafer holder WH (holder plate 1) by the wafer transport arm 82 movable in the XY plane direction is placed on the lift pins 77, and then lifted to the lift pins 77. The wafer W is sucked and held through the formed suction path 77a.

リフトピン77上に載置されたウエハWは、例えばシリコン等からなり、直径が300mm、厚みが1.0mm以下の薄形円板である。このため、ウエハW自体が反ったり、波打ったりしている場合が少なくない。このように反ったり、波打ったりしたウエハWを、このままウエハホルダWH(ホルダ板1)上に載置して吸着すると、ウエハWがホルダ板1上で強制的に引き伸ばされて(ホルダ板1の一部のピン部8とウエハWとの間で滑りが発生して)保持される。
ところが、ウエハWの引き伸ばされ方は均一ではなく、しかも再現性が殆どない。このため、ウエハWをホルダ板1上に吸着保持する度にウエハWが局所的に変形してしまう。これにより、露光精度が悪化してしまう虞がある。
The wafer W placed on the lift pins 77 is a thin disk made of, for example, silicon and having a diameter of 300 mm and a thickness of 1.0 mm or less. For this reason, the wafer W itself is often warped or wavy. When the wafer W thus warped or waved is placed on the wafer holder WH (holder plate 1) and sucked as it is, the wafer W is forcibly stretched on the holder plate 1 (on the holder plate 1). Slip occurs between some of the pin portions 8 and the wafer W and is held.
However, the way the wafer W is stretched is not uniform, and there is almost no reproducibility. For this reason, every time the wafer W is sucked and held on the holder plate 1, the wafer W is locally deformed. Thereby, there exists a possibility that exposure accuracy may deteriorate.

そこで、ウエハWをリフトピン77上に載置した状態で、ウエハWに発生している反り等を矯正する。具体的には、リフトピン77上にウエハWを吸引保持した状態で、ウエハWの上面Wa及び下面Wbに空気Aを均等に吹き付け、その圧力(形成される空気層の剛性)により、ウエハWに発生している反り等を矯正する。
まず、駆動機構70を駆動して3本のリフトピン77を下降させて、ウエハWをホルダ板1に近接させて、ホルダ板1の上面2とウエハWの下面Wbとの距離が1mm以下、好ましくは数μm程度となるようにする。3本のリフトピン77を下降させる場合に代えて、アクチュエータ80を駆動してZテーブル61(ホルダ板1)を上昇させることで、ホルダ板1の上面2とウエハWの下面Wbとの距離が上述した程度となるようにしてもよい。
また、ウエハWとホルダ板1とを近接させると同時に、板状部材20をウエハWに近接させる。そして、板状部材20の下面20bとウエハWの上面Waとの距離が1mm以下、好ましくは数μm程度となるようにする。つまり、ホルダ板1の上面2とウエハWの下面Wbとの距離と、板状部材20の下面20bとウエハWの上面Waとの距離を同一にする。
Therefore, the warp or the like generated on the wafer W is corrected while the wafer W is placed on the lift pins 77. Specifically, in a state where the wafer W is sucked and held on the lift pins 77, air A is uniformly blown onto the upper surface Wa and the lower surface Wb of the wafer W, and the pressure (stiffness of the formed air layer) is applied to the wafer W. Correct any warping that occurs.
First, the drive mechanism 70 is driven to lower the three lift pins 77 to bring the wafer W close to the holder plate 1 so that the distance between the upper surface 2 of the holder plate 1 and the lower surface Wb of the wafer W is 1 mm or less, preferably Is about several μm. Instead of lowering the three lift pins 77, the actuator 80 is driven to raise the Z table 61 (holder plate 1), so that the distance between the upper surface 2 of the holder plate 1 and the lower surface Wb of the wafer W is as described above. You may make it become the grade which carried out.
Further, the plate member 20 is brought close to the wafer W at the same time when the wafer W and the holder plate 1 are brought close to each other. The distance between the lower surface 20b of the plate member 20 and the upper surface Wa of the wafer W is set to 1 mm or less, preferably about several μm. That is, the distance between the upper surface 2 of the holder plate 1 and the lower surface Wb of the wafer W and the distance between the lower surface 20b of the plate member 20 and the upper surface Wa of the wafer W are made the same.

次いで、給排気装置10及び給気装置26を作動させ、ホルダ板1の給排気孔5及び板状部材20の給気孔22から、空気AをウエハWに向けて吹き付ける。この際、給排気孔5及び給気孔22からウエハWに向けて吹き付ける空気Aの状態(主に圧力及び流量)は、略均一とする。これにより、図4に示すように、ホルダ板1の上面2とウエハWの下面Wbとの間に形成される空気層AB1と、板状部材20の下面20bとウエハWの上面Waとの間に形成される空気層AB2とが、同一の剛性を有するように形成される。
そして、ウエハWの上面Waと下面Wbに均一な力が加えられることで、空気層AB1,AB2よりも剛性の低いウエハWに発生した反り等が矯正されて、ウエハWが平坦化する。
Next, the air supply / exhaust device 10 and the air supply device 26 are operated to blow air A toward the wafer W from the air supply / exhaust holes 5 of the holder plate 1 and the air supply holes 22 of the plate-like member 20. At this time, the state of air A (mainly pressure and flow rate) blown toward the wafer W from the air supply / exhaust hole 5 and the air supply hole 22 is substantially uniform. As a result, as shown in FIG. 4, the air layer AB1 formed between the upper surface 2 of the holder plate 1 and the lower surface Wb of the wafer W, and the space between the lower surface 20b of the plate-like member 20 and the upper surface Wa of the wafer W. The air layer AB2 is formed so as to have the same rigidity.
Then, by applying a uniform force to the upper surface Wa and the lower surface Wb of the wafer W, the warp and the like generated in the wafer W having a lower rigidity than the air layers AB1 and AB2 are corrected, and the wafer W is flattened.

次に、ウエハWを平坦化した状態で、ホルダ板1に向けて移動させる。ウエハWの移動は、駆動機構70を駆動してウエハWを吸着保持したリフトピン77を下降させることで行ってもよいし、アクチュエータ80を駆動してZテーブル61(ホルダ板1)を上昇させることで行ってもよい。いずれの場合であっても、ウエハWがホルダ板1に近接するに従って、ホルダ板1の給排気孔5から吹き出る空気Aの状態(流量或いは圧力)を変化(流量或いは圧力の低下)させる。ホルダ板1の上面2とウエハWの下面Wbとの距離に応じて、給排気孔5から吹き出る空気Aの状態(圧力及び流量)を変化させることで、ホルダ板1の上面2とウエハWの下面Wbとの間に形成される空気層AB1の剛性が一定に維持される。
ウエハWホルダ板1に向けて移動させる際には、板状部材20とウエハWとの距離、及び板状部材20の給気孔22からウエハWに向けて吹き付ける空気Aの状態を常に一定の維持する。これにより、板状部材20の下面20bとウエハWの上面Waとの間に形成される空気層AB2の剛性も一定に維持される。
このようにして、ウエハWをホルダ板1に向けて移動させた場合であっても、ウエハWを平坦化した状態が維持される。
Next, the wafer W is moved toward the holder plate 1 in a flattened state. The movement of the wafer W may be performed by driving the driving mechanism 70 to lower the lift pins 77 that attract and hold the wafer W, or driving the actuator 80 to raise the Z table 61 (holder plate 1). You may go on. In any case, as the wafer W approaches the holder plate 1, the state (flow rate or pressure) of the air A blown from the air supply / exhaust hole 5 of the holder plate 1 is changed (decrease in the flow rate or pressure). By changing the state (pressure and flow rate) of the air A blown from the air supply / exhaust hole 5 according to the distance between the upper surface 2 of the holder plate 1 and the lower surface Wb of the wafer W, the upper surface 2 of the holder plate 1 and the wafer W The rigidity of the air layer AB1 formed between the lower surface Wb is maintained constant.
When moving toward the wafer W holder plate 1, the distance between the plate member 20 and the wafer W and the state of the air A blown toward the wafer W from the air supply holes 22 of the plate member 20 are always maintained constant. To do. Thereby, the rigidity of the air layer AB2 formed between the lower surface 20b of the plate-like member 20 and the upper surface Wa of the wafer W is also maintained constant.
In this way, even when the wafer W is moved toward the holder plate 1, the state in which the wafer W is flattened is maintained.

次に、ウエハWが移動してホルダ板1の上面2に密着したら、ホルダ板1の給排気孔5からの空気Aの吹き出しを止めて、給排気装置10を吸引(排気)動作に切り換える。同時に、給気装置26を停止して、板状部材20の給気孔22からの空気Aの吹き付けを止める。
これにより、ウエハWに発生していた反り等が矯正された状態で、ウエハWがホルダ板1上に吸着保持される。
次いで、リフトピン77によるウエハWの吸着を停止すると共に、リフトピン77を下降させる。また、板状部材20を不図示の上下駆動部により上昇、退避させることで、ウエハWのロード作業が終了する。そして、ウエハWに対する露光処理が開始される。
Next, when the wafer W moves and comes into close contact with the upper surface 2 of the holder plate 1, the blowing of the air A from the air supply / exhaust hole 5 of the holder plate 1 is stopped and the air supply / exhaust device 10 is switched to the suction (exhaust) operation. At the same time, the air supply device 26 is stopped, and the blowing of the air A from the air supply holes 22 of the plate-like member 20 is stopped.
Thereby, the wafer W is sucked and held on the holder plate 1 in a state where the warpage or the like occurring on the wafer W is corrected.
Next, the suction of the wafer W by the lift pins 77 is stopped and the lift pins 77 are lowered. Further, the loading operation of the wafer W is completed by lifting and retracting the plate-like member 20 by a vertical drive unit (not shown). Then, the exposure process for the wafer W is started.

以上のように、本実施形態によれば、ウエハWをウエハホルダWH(ホルダ板1)の上面2に載置するに先立って、ウエハWの上面Wa側と下面Wb側に同一な剛性を有する空気層AB1,AB2を形成することで、ウエハWの上面Waと下面Wbに均一な力が加わる。これにより、剛性の低いウエハWに発生した反り等が矯正されて、ウエハWが平坦化される。
そして、平坦化したウエハWをウエハホルダWH上に吸着保持するので、微細なパターンをウエハW上に高精度に露光することが可能となる。
As described above, according to the present embodiment, air having the same rigidity on the upper surface Wa side and the lower surface Wb side of the wafer W prior to placing the wafer W on the upper surface 2 of the wafer holder WH (holder plate 1). By forming the layers AB1 and AB2, a uniform force is applied to the upper surface Wa and the lower surface Wb of the wafer W. Thereby, the warp etc. which generate | occur | produced in the low-rigidity wafer W are corrected, and the wafer W is planarized.
Since the flattened wafer W is sucked and held on the wafer holder WH, a fine pattern can be exposed on the wafer W with high accuracy.

〔第二実施形態〕
図5はウエハホルダWH2の側断面図、図6はホルダ板31を上方から見た平面図である。以下の説明では、主に第一実施形態とは異なる部分について説明し、同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
ウエハホルダWH2は、ホルダ板31、排気装置40、給気装置46等とを備えている。ホルダ板31は、環状に形成された凸状のシール部37と、所定間隔で複数に設けられた突起状のピン部38とが形成され、複数のピン部38とシール部37とにより、ウエハWを保持する保持面(上面32)が形成されている。また、ホルダ板31には、リフトピン用穴39a、凸状のシール部39が形成されている。
[Second Embodiment]
FIG. 5 is a side sectional view of the wafer holder WH2, and FIG. 6 is a plan view of the holder plate 31 as viewed from above. In the following description, parts different from those of the first embodiment will be mainly described, and the same components are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
The wafer holder WH2 includes a holder plate 31, an exhaust device 40, an air supply device 46, and the like. The holder plate 31 is formed with a ring-shaped convex seal portion 37 and a plurality of projecting pin portions 38 provided at a predetermined interval, and the plurality of pin portions 38 and the seal portion 37 form a wafer. A holding surface (upper surface 32) for holding W is formed. Further, the holder plate 31 is formed with a lift pin hole 39 a and a convex seal portion 39.

図6に示すように、ホルダ板31の上面32における複数の所定位置には、排気孔35及び給気孔36が形成されている。例えば、排気孔35及び給気孔36は、上面32の中心部から放射方向に、それぞれ12箇所に形成されている。排気孔35は、ホルダ板31を上下方向に貫く孔であり、ホルダ板31が載置されるZテーブル61に形成された流路42を介して排気装置40に連結されている。同様に、給気孔36もZテーブル61に形成された流路48を介して給気装置46に連結されている。
このような構成により、排気装置40が排気動作(吸引動作)を行うことにより、排気孔35から流路42を介して、ウエハWとホルダ板31の上面32との間の空気Aが吸引されるようになっている。一方、給気装置46が給気動作(吹出動作)を行うことにより、ウエハWとホルダ板31の上面32との間に、給気孔36から空気Aが供給されるようになっている。
なお、排気孔35と給気孔36は同数である必要はない。ウエハWとホルダ板31の上面32との間に、給気孔36から空気Aを供給すると共に排気孔35から空気Aを吸引した場合に、ウエハWとホルダ板31との間に形成される空気層AB3が略均一な状態(圧力分布が発生しない状態)となるように、排気孔35と給気孔36の数、大きさ、配置が決定される。
As shown in FIG. 6, exhaust holes 35 and air supply holes 36 are formed at a plurality of predetermined positions on the upper surface 32 of the holder plate 31. For example, the exhaust holes 35 and the air supply holes 36 are respectively formed at 12 locations in the radial direction from the center of the upper surface 32. The exhaust hole 35 is a hole penetrating the holder plate 31 in the vertical direction, and is connected to the exhaust device 40 via a flow path 42 formed in the Z table 61 on which the holder plate 31 is placed. Similarly, the air supply hole 36 is also connected to the air supply device 46 via a flow path 48 formed in the Z table 61.
With this configuration, when the exhaust device 40 performs an exhaust operation (suction operation), the air A between the wafer W and the upper surface 32 of the holder plate 31 is sucked from the exhaust hole 35 through the flow path 42. It has become so. On the other hand, when the air supply device 46 performs an air supply operation (blowout operation), air A is supplied from the air supply hole 36 between the wafer W and the upper surface 32 of the holder plate 31.
The exhaust holes 35 and the air supply holes 36 do not have to be the same number. The air formed between the wafer W and the holder plate 31 when the air A is supplied from the air supply hole 36 and the air A is sucked from the exhaust hole 35 between the wafer W and the upper surface 32 of the holder plate 31. The number, size, and arrangement of the exhaust holes 35 and the air supply holes 36 are determined so that the layer AB3 is in a substantially uniform state (a state in which no pressure distribution is generated).

次に、ウエハホルダWH上にウエハWを載置する際の動作について説明する。
図7は、ウエハWをウエハホルダWH上に載置する際の動作を示す図である。
まず、ウエハステージWST(Zテーブル61及びXYテーブル62)が、ウエハWをロードするために、ウエハロード/アンロード位置に移動する。そして、駆動機構70を駆動して、3本のリフトピン77を上昇させ、ホルダ板31の上面32から突出させる。
次に、不図示のウエハ搬送アームにより、ウエハWをリフトピン77上に載置し、更にリフトピン77に形成された吸引路77aを介してウエハWを吸引、保持する。
次いで、駆動機構70を駆動して3本のリフトピン77を下降させて(或いはアクチュエータ80を駆動してZテーブル61(ホルダ板1)を上昇させて)、ウエハWをホルダ板31に近接させる。そして、ホルダ板31の上面32とウエハWの下面Wbとの距離が1mm以下、好ましくは数μm程度となるようにする。
Next, an operation when placing the wafer W on the wafer holder WH will be described.
FIG. 7 is a diagram illustrating an operation when the wafer W is placed on the wafer holder WH.
First, wafer stage WST (Z table 61 and XY table 62) moves to a wafer load / unload position in order to load wafer W. Then, the drive mechanism 70 is driven to raise the three lift pins 77 so as to protrude from the upper surface 32 of the holder plate 31.
Next, the wafer W is placed on the lift pins 77 by a wafer transfer arm (not shown), and the wafers W are sucked and held via suction paths 77 a formed in the lift pins 77.
Next, the drive mechanism 70 is driven to lower the three lift pins 77 (or the actuator 80 is driven to raise the Z table 61 (holder plate 1)), and the wafer W is brought close to the holder plate 31. The distance between the upper surface 32 of the holder plate 31 and the lower surface Wb of the wafer W is set to 1 mm or less, preferably about several μm.

次いで、排気装置40を作動させ、ホルダ板31の排気孔35から空気AをウエハWに向けて吹き付ける。同時に給気装置46を作動させて、ホルダ板31の給気孔36からウエハWとの間の空間から空気Aを吸引する。
この際、排気孔35から吹き付ける空気A、給気孔36から吸引される空気Aの状態(主に圧力及び流量)を調整することで、ホルダ板31とウエハWとの間に形成される空気層AB3の剛性を任意に設定することができる。これにより、図7に示すように、空気層AB3の剛性を調整することで、ウエハWに発生した反り等を矯正し、ウエハWを平坦化することが可能となる。
Next, the exhaust device 40 is operated, and air A is blown toward the wafer W from the exhaust hole 35 of the holder plate 31. At the same time, the air supply device 46 is operated to suck air A from the space between the air supply hole 36 of the holder plate 31 and the wafer W.
At this time, an air layer formed between the holder plate 31 and the wafer W by adjusting the state (mainly pressure and flow rate) of the air A blown from the exhaust hole 35 and the air A sucked from the air supply hole 36. The rigidity of AB3 can be set arbitrarily. Thus, as shown in FIG. 7, by adjusting the rigidity of the air layer AB3, it is possible to correct the warp generated in the wafer W and to flatten the wafer W.

次に、ウエハWを平坦化した状態で、ホルダ板31に向けて移動させる。ウエハWの移動は、駆動機構70を駆動してウエハWを吸着保持したリフトピン77を下降させることで行ってもよいし、アクチュエータ80を駆動してZテーブル61(ホルダ板31)を上昇させることで行ってもよい。いずれの場合であっても、ウエハWがホルダ板31に近接するに従って、排気孔35から吹き付ける空気A、給気孔36から吸引される空気Aの状態(流量或いは圧力)を変化(流量或いは圧力の低下)させる。これにより、ホルダ板31の上面32とウエハWの下面Wbとの間に形成される空気層AB3の剛性が一定に維持されるので、ウエハWに発生した反り等を矯正(平坦化)しつつ、ウエハWを移動させることが可能となる。なお、ウエハWを移動させる際には、駆動機構70(回転モータ75)或いはアクチュエータ80のサーボ剛性を低下させておくことが好ましい。空気層AB3の剛性に応じてウエハWとホルダ板31との距離を柔軟に調整可能となるからである。
次いで、ウエハWが移動してホルダ板31の上面32に密着したら、給気装置46を停止して、ホルダ板31の給気孔36からの空気Aの吹き出しを止める。一方、排気孔35を介した排気装置40の吸引動作を継続することで、ウエハWに発生していた反り等が矯正された状態で、ウエハWがホルダ板31上に吸着保持される。
次いで、リフトピン77によるウエハWの吸着を停止すると共に、リフトピン77を下降させることで、ウエハWのロード作業が終了する。そして、ウエハWに対する露光処理が開始される。
Next, the wafer W is moved toward the holder plate 31 in a flattened state. The wafer W may be moved by driving the drive mechanism 70 to lower the lift pins 77 that attract and hold the wafer W, or driving the actuator 80 to raise the Z table 61 (holder plate 31). You may go on. In any case, as the wafer W approaches the holder plate 31, the state (flow rate or pressure) of the air A blown from the exhaust hole 35 and the air A sucked from the air supply hole 36 is changed (flow rate or pressure). Lower). As a result, the rigidity of the air layer AB3 formed between the upper surface 32 of the holder plate 31 and the lower surface Wb of the wafer W is maintained constant, so that the warp generated on the wafer W is corrected (flattened). The wafer W can be moved. When moving the wafer W, it is preferable to reduce the servo rigidity of the drive mechanism 70 (rotary motor 75) or the actuator 80. This is because the distance between the wafer W and the holder plate 31 can be adjusted flexibly according to the rigidity of the air layer AB3.
Next, when the wafer W moves and comes into close contact with the upper surface 32 of the holder plate 31, the air supply device 46 is stopped, and the blowing of the air A from the air supply holes 36 of the holder plate 31 is stopped. On the other hand, by continuing the suction operation of the exhaust device 40 through the exhaust hole 35, the wafer W is attracted and held on the holder plate 31 in a state in which the warp or the like generated on the wafer W is corrected.
Next, the wafer W loading operation is completed by stopping the suction of the wafer W by the lift pins 77 and lowering the lift pins 77. Then, the exposure process for the wafer W is started.

以上のように、本実施形態によれば、ウエハWをウエハホルダWH(ホルダ板31)の上面32に載置するに先立って、ウエハWの下面Wb側に任意の剛性を有する空気層AB3を形成することで、ウエハWに発生した反り等が矯正されて、ウエハWが平坦化される。
そして、平坦化したウエハWをウエハホルダWH上に吸着保持するので、微細なパターンをウエハW上に高精度に露光することが可能となる。
As described above, according to the present embodiment, before the wafer W is placed on the upper surface 32 of the wafer holder WH (holder plate 31), the air layer AB3 having arbitrary rigidity is formed on the lower surface Wb side of the wafer W. As a result, the warp or the like generated in the wafer W is corrected, and the wafer W is flattened.
Since the flattened wafer W is sucked and held on the wafer holder WH, a fine pattern can be exposed on the wafer W with high accuracy.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。
本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the operation procedure shown in the above-described embodiment, or the shapes and combinations of the constituent members are examples, and the process is within the scope not departing from the gist of the present invention. Various changes can be made based on conditions and design requirements.
For example, the present invention includes the following modifications.

上記実施形態では、ウエハホルダWH,WH2がウエハWを吸着保持する場合について説明したが、これに限らず、ウエハWを静電吸着する場合であっても構わない。この場合においても、ウエハWをウエハホルダWH,WH2のホルダ板1,31上にウエハWを載置するまでは、上述した手順に従い、ウエハWの吸着だけを静電吸着とすればよい。   In the above-described embodiment, the case where the wafer holders WH and WH2 attract and hold the wafer W has been described. However, the present invention is not limited to this, and the wafer W may be electrostatically attracted. Even in this case, until the wafer W is placed on the holder plates 1 and 31 of the wafer holders WH and WH2, only the wafer W is adsorbed according to the above-described procedure.

また、上記実施形態では、本発明に係る基板保持装置が、ウエハWを保持するウエハホルダWHに適用された例について説明したが、例えば反射型レチクルではその裏面側をレチクルホルダ(マスクホルダ)で保持するので、このようなレチクルホルダに対して本発明を適用することもできる。   Further, in the above-described embodiment, the example in which the substrate holding device according to the present invention is applied to the wafer holder WH that holds the wafer W has been described. For example, in a reflective reticle, the back side is held by a reticle holder (mask holder). Therefore, the present invention can also be applied to such a reticle holder.

また、ホルダ板1に搬送アーム82が入り込む切り欠き部を設け、搬送アーム82を上下動することにより、ウエハWをホルダ板1上に載置するようにしてもよい。この場合、搬送アーム82にウエハWを吸引保持した状態で、上記実施形態と同様に、下面Wbのみに空気Aを吹き付けるようにしてもよい。   Further, a notch portion into which the transfer arm 82 enters the holder plate 1 may be provided, and the wafer W may be placed on the holder plate 1 by moving the transfer arm 82 up and down. In this case, the air A may be blown only on the lower surface Wb in the state where the wafer W is sucked and held on the transfer arm 82, as in the above embodiment.

上記実施形態の露光装置EXとしては、レチクルRとウエハWとを同期移動してレチクルRのパターンを露光する走査型の露光装置にも適用することができるし、レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRのパターンを露光し、ウエハWを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置にも適用することができる。
また、露光装置EXとしては、投影光学系PLとウエハWとの間に液体を配置しつつ、この液体を解してウエハWの露光を行う液浸型露光装置であってもよい。
The exposure apparatus EX of the above embodiment can be applied to a scanning type exposure apparatus that exposes the pattern of the reticle R by synchronously moving the reticle R and the wafer W, and the reticle R and the wafer W are stationary. In this state, the pattern of the reticle R is exposed, and it can be applied to a step-and-repeat type exposure apparatus that sequentially moves the wafer W stepwise.
The exposure apparatus EX may be an immersion type exposure apparatus that exposes the wafer W by disposing the liquid between the projection optical system PL and the wafer W and solving the liquid.

露光装置EXの用途としては、半導体製造用の露光装置や、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。   The use of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor or an exposure apparatus for liquid crystal that exposes a liquid crystal display element pattern on a square glass plate, but exposure for manufacturing a thin film magnetic head. Widely applicable to devices.

本実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。
なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Is done. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy.
The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus.
The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

そして、半導体デバイスは、図8に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板(ウエハ、ガラスプレート)を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置によりレチクルRのパターンをウエハWに露光する基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。   Then, as shown in FIG. 8, the semiconductor device has a step 201 for designing the function / performance of the device, a step 202 for producing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate (wafer, Glass plate) step 203, substrate processing step 204 for exposing the pattern of the reticle R onto the wafer W by the exposure apparatus of the above-described embodiment, device assembly step (including dicing process, bonding process, and packaging process) 205, inspection It is manufactured through step 206 and the like.

本発明の実施形態に係る露光装置EXの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the exposure apparatus EX which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るウエハホルダWHの側断面図である。It is a sectional side view of the wafer holder WH which concerns on embodiment of this invention. ホルダ板1を上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the holder board 1 from upper direction. ウエハWをウエハホルダWH上に載置する際の動作を示す図である。It is a figure which shows the operation | movement at the time of mounting the wafer W on the wafer holder WH. 本発明の実施形態に係るウエハホルダWH2の側断面図である。It is a sectional side view of wafer holder WH2 concerning the embodiment of the present invention. ホルダ板31を上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the holder board 31 from upper direction. ウエハWをウエハホルダWH上に載置する際の動作を示す図である。It is a figure which shows the operation | movement at the time of mounting the wafer W on the wafer holder WH. 本発明の実施形態に係るマイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of the microdevice which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…ホルダ板(保持部材)
2…上面(保持面)
5…給排気孔
10…給排気装置(気体供給部)
20…板状部材(部材)
20b…下面(対向面)
22…給気孔
26…給気装置(第二気体供給部)
31…ホルダ板(保持部材)
32…上面(保持面)
35…排気孔
36…給気孔
40…排気装置(気体吸引部)
46…給気装置(気体供給部)
77…リフトピン(可動部材)
EX…露光装置
CONT…制御装置(調整部)
WST…ウエハステージ(ステージ装置、基板ステージ)
WH,WH2…ウエハホルダ(基板保持装置)
W…ウエハ(板状部材、基板)
A…空気(気体)
AB1,AB2,AB3…空気層

1 ... Holder plate (holding member)
2. Top surface (holding surface)
5 ... Air supply / exhaust hole 10 ... Air supply / exhaust device (gas supply unit)
20 ... Plate-shaped member (member)
20b ... lower surface (opposite surface)
22 ... Air supply hole 26 ... Air supply device (second gas supply unit)
31 ... Holder plate (holding member)
32 ... Upper surface (holding surface)
35 ... Exhaust hole 36 ... Air supply hole 40 ... Exhaust device (gas suction part)
46 ... Air supply device (gas supply unit)
77 ... Lift pin (movable member)
EX ... Exposure device CONT ... Control device (adjustment unit)
WST ... Wafer stage (stage device, substrate stage)
WH, WH2 ... Wafer holder (substrate holding device)
W: Wafer (plate member, substrate)
A ... Air (gas)
AB1, AB2, AB3 ... Air layer

Claims (17)

板状部材の第一面と対向して該板状部材を保持する保持面を有する保持部材と、
前記板状部材を支持して該板状部材を前記保持面と交差する方向に移動させて前記保持面上に戴置する可動部材と、
前記可動部材に支持された前記板状部材と前記保持面との間に気体を供給する気体供給部とを備えた保持装置であって、
前記板状部材が前記保持面上に保持される前に、前記気体供給部から供給される気体を用いて前記可動部材に支持された前記板状部材を平坦化することを特徴とする保持装置。
A holding member having a holding surface for holding the plate-like member facing the first surface of the plate-like member;
A movable member that supports the plate-like member and moves the plate-like member in a direction intersecting the holding surface to be placed on the holding surface;
A holding device including a gas supply unit configured to supply gas between the plate-like member supported by the movable member and the holding surface;
Before the plate-like member is held on the holding surface, the holding member flattening the plate-like member supported by the movable member using the gas supplied from the gas supply unit .
板状部材の第一面と対向して該板状部材を保持する保持面を有する保持部材と、
前記板状部材を支持して該板状部材を前記保持面と交差する方向に移動させて前記保持面上に戴置する可動部材と、
前記可動部材に支持された前記板状部材における前記第一面と前記保持面との間に気体を供給する第一気体供給部と、
前記板状部材の前記第一面とは反対側の第二面と対向する対向面を有し、該対向面と前記板状部材との間に気体を供給する第二気体供給部と、
前記第一気体供給部及び前記第二気体供給部の少なくとも一方における前記気体の供給状態を調整する調整部と、
を含むことを特徴とする保持装置。
A holding member having a holding surface for holding the plate-like member facing the first surface of the plate-like member;
A movable member that supports the plate-like member and moves the plate-like member in a direction intersecting the holding surface to be placed on the holding surface;
A first gas supply unit for supplying gas between the first surface and the holding surface in the plate-like member supported by the movable member;
A second gas supply unit that has a facing surface facing the second surface opposite to the first surface of the plate-shaped member, and supplies gas between the facing surface and the plate-shaped member;
An adjusting unit for adjusting the supply state of the gas in at least one of the first gas supply unit and the second gas supply unit;
A holding device comprising:
前記調整部は、前記板状部材と前記保持面との距離に応じて前記第一気体供給部における前記気体の供給状態を調整することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の保持装置。   The said adjustment part adjusts the supply state of the said gas in said 1st gas supply part according to the distance of the said plate-shaped member and the said holding surface, The holding | maintenance of Claim 1 or Claim 2 characterized by the above-mentioned. apparatus. 前記調整部は、前記可動部材に支持された前記板状部材が前記保持面に向かって移動する際に、前記気体の供給状態を調整することを特徴とする請求項3に記載の保持装置。   The holding device according to claim 3, wherein the adjustment unit adjusts a supply state of the gas when the plate-like member supported by the movable member moves toward the holding surface. 前記第二気体供給部は、前記対向面と前記板状部材との間の距離を一定に維持するように前記対向面を移動させることができることを特徴とする請求項2から請求項4のうちいずれか一項に記載の保持装置。   The said 2nd gas supply part can move the said opposing surface so that the distance between the said opposing surface and the said plate-shaped member may be maintained constant, The Claim 2 to Claim 4 characterized by the above-mentioned. The holding device according to any one of claims. 前記板状部材を前記保持面で吸着保持するための吸着部をさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の保持装置。   The holding device according to any one of claims 1 to 5, further comprising a suction portion for sucking and holding the plate-like member on the holding surface. 前記第一気体供給部における前記気体が供給される流路と、前記吸着部が前記板状部材を吸着する際に気体が吸引される流路の少なくとも一部が共有され、気体の供給と吸引とが互いに切り換え可能であることを特徴とする請求項6に記載の保持装置。   Supply and suction of the gas are shared by at least a part of the flow path through which the gas is supplied in the first gas supply unit and the flow path through which the gas is sucked when the adsorption unit adsorbs the plate member. The holding device according to claim 6, wherein the two can be switched to each other. 板状部材を保持する保持面を有する保持部材と、
前記板状部材を支持して該板状部材を前記保持面と交差する方向に移動させて前記保持面上に載置する可動部材と、
前記可動部材に支持された前記板状部材と前記保持面との間に気体を供給する気体供給部と、
前記可動部材に支持された前記板状部材と前記保持面との間の気体を吸引する気体吸引部と、
前記気体供給部と前記気体吸引部を同時に稼働させた状態で、前記気体供給部における気体供給状態と前記気体吸引部における気体吸引状態とを調整する調整部と、
を含むことを特徴とする保持装置。
A holding member having a holding surface for holding a plate-like member;
A movable member that supports the plate-like member and moves the plate-like member in a direction intersecting the holding surface to be placed on the holding surface;
A gas supply unit for supplying gas between the plate-like member supported by the movable member and the holding surface;
A gas suction part for sucking a gas between the plate-like member supported by the movable member and the holding surface;
An adjustment unit that adjusts the gas supply state in the gas supply unit and the gas suction state in the gas suction unit while the gas supply unit and the gas suction unit are operated simultaneously,
A holding device comprising:
前記調整部は、前記板状部材と前記保持面との間の距離に応じて前記気体供給部における前記気体の供給状態を調整することを特徴とする請求項8に記載の保持装置。   The holding device according to claim 8, wherein the adjustment unit adjusts a supply state of the gas in the gas supply unit according to a distance between the plate-like member and the holding surface. 前記調整部は、前記板状部材と前記保持面との間の距離に応じて前記気体吸引部における前記気体の吸引状態を調整することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の保持装置。   The holding according to claim 8 or 9, wherein the adjustment unit adjusts the suction state of the gas in the gas suction unit according to a distance between the plate-like member and the holding surface. apparatus. 前記保持面が前記板状部材を静電吸着することを特徴とする請求項1から請求項10のうちいずれか一項に記載の保持装置。   The holding device according to any one of claims 1 to 10, wherein the holding surface electrostatically attracts the plate-like member. 保持面上で板状部材を保持する保持方法であって、
前記保持面と交差する方向に移動可能な可動部材によって前記板状部材を支持する工程と、
前記可動部材によって前記板状部材を前記保持面に向けて移動させる工程と、
前記可動部材に支持された前記板状部材と前記保持面との間に気体を供給することで前記可動部材に支持された前記板状部材を平坦化する工程と、
平坦化された前記板状部材を前記保持面上に載置する工程と、
を含むことを特徴とする保持方法。
A holding method for holding a plate-like member on a holding surface,
Supporting the plate-like member by a movable member movable in a direction intersecting the holding surface;
Moving the plate-shaped member toward the holding surface by the movable member;
Flattening the plate-like member supported by the movable member by supplying gas between the plate-like member supported by the movable member and the holding surface;
Placing the flattened plate-like member on the holding surface;
The holding method characterized by including.
保持面上で板状部材を保持する保持方法であって、
前記保持面と交差する方向に移動可能な可動部材によって前記板状部材の第一面を前記保持面と対向させた状態で支持する工程と、
前記板状部材の前記第一面とは反対側の第二面と対向する対向面を有する部材を配置して前記対向面と前記板状部材との間に気体を供給すると共に、前記可動部材に支持された前記板状部材の前記第一面と前記保持面との間に気体を供給することで、前記可能部材に支持された前記板状部材を平坦化する工程と、
平坦化された前記板状部材を前記保持面上に載置する工程と、
を含むことを特徴とする保持方法。
A holding method for holding a plate-like member on a holding surface,
Supporting the first surface of the plate-like member in a state of facing the holding surface by a movable member movable in a direction intersecting the holding surface;
A member having a facing surface opposite to the second surface opposite to the first surface of the plate-like member is arranged to supply gas between the facing surface and the plate-like member, and the movable member Flattening the plate member supported by the possible member by supplying gas between the first surface and the holding surface of the plate member supported by
Placing the flattened plate-like member on the holding surface;
The holding method characterized by including.
保持面上で板状部材を保持する方法であって、
前記保持面と交差する方向に移動可能な可動部材によって前記板状部材を支持する工程と、
前記可動部材に支持された前記板状部材の第一面と前記保持面との間の空間で気体の供給と気体の吸引とを行うことで前記可動部材に支持された前記板状部材を平坦化する工程と、
平坦化された前記板状部材を前記保持面上に載置する工程と、
を含むことを特徴とする保持方法。
A method of holding a plate-like member on a holding surface,
Supporting the plate-like member by a movable member movable in a direction intersecting the holding surface;
The plate-like member supported by the movable member is flattened by supplying gas and sucking gas in a space between the first surface of the plate-like member supported by the movable member and the holding surface. The process of
Placing the flattened plate-like member on the holding surface;
The holding method characterized by including.
板状部材を保持して移動可能なステージ装置であって、
請求項1から請求項11のうちいずれか一項に記載の保持装置を備えることを特徴とするステージ装置。
A stage device that is movable while holding a plate-shaped member,
A stage device comprising the holding device according to any one of claims 1 to 11.
基板ステージ上に保持された基板上に所定の像を形成する露光装置であって、
前記基板ステージに請求項15に記載されたステージ装置を用いることを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that forms a predetermined image on a substrate held on a substrate stage,
An exposure apparatus using the stage apparatus according to claim 15 as the substrate stage.
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程において請求項16に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。   A device manufacturing method including a lithography process, wherein the exposure apparatus according to claim 16 is used in the lithography process.
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