JP2007207665A - 導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料 - Google Patents

Abstract

【課題】導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料を提供する。
【解決手段】表面に突起２を有する導電性粒子１の製造方法であって、コア粒子の表面に、正又は負の電荷を帯電させたニッケルメッキ層を形成する工程１、前記ニッケルメッキ層の表面に、１分子中に官能基Ａと反応性官能基Ｂとを有するキレート剤を前記官能基Ａを介して付着させる工程２、前記ニッケルメッキ層の表面に、前記キレート剤の前記反応性官能基Ｂを介して、前記ニッケルメッキ層に帯電させた電荷と逆の電荷を帯電させた樹脂微粒子又は無機微粒子を結合させる工程３、及び、無電解メッキ法により前記樹脂微粒子又は無機微粒子と前記ニッケルメッキ層とを金属メッキで被覆する工程４を有する導電性粒子の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料に関する。

導電性粒子は、バインダー樹脂や粘接着剤等と混合、混練することにより、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤、異方性導電フィルム、異方性導電シート等の異方性導電材料として広く用いられている。

これらの異方性導電材料は、例えば、液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器において、回路基板同士を電気的に接続したり、半導体素子等の小型部品を回路基板に電気的に接続したりするために、相対向する回路基板や電極端子の間に挟み込んで使用されている。

このような異方性導電材料に用いられる導電性粒子としては、従来、粒子径が均一で、適度な強度を有する樹脂粒子等の非導電性粒子の表面に、導電層として金属メッキ層を形成させた導電性粒子が用いられている。しかしながら、このような異方性導電材料を用いて回路基板同士を電気的に接続すると、導電性粒子表面の導電層と回路基板等との間にバインダー樹脂等がはさまり、導電性粒子と回路基板等との間の接続抵抗が高くなることがあった。特に近年の電子機器の急激な進歩や発展に伴って、導電性粒子と回路基板等との間の接続抵抗の更なる低減が求められてきている。

接続抵抗を低減する目的で、表面に突起を有する導電性粒子が開示されている（例えば、特許文献１参照）。この導電性粒子は、導電性粒子表面の導電層と回路基板等との間に存在するバインダー樹脂等を突起が突き破ることで（樹脂排除性）、突起と回路基板等とを確実に接続させることで、導電性粒子と回路基板等との間の接続抵抗の低減を図っている。

しかしながら、この突起は、導電性粒子表面の導電層の異常析出により形成されたものであるため、突起の位置、高さ等を制御することが困難であり、相対向する回路基板等の間にこのような導電性粒子を挟み込んで圧着させた際に、突起の位置によっては回路基板等と突起とが接触しないことがあり、充分な接続抵抗の低減が図られているとは言えなかった。
特開２０００−２４３１３２号公報

本発明は、上記現状に鑑み、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料を提供することを目的とする。

本発明は、表面に突起を有する導電性粒子の製造方法であって、コア粒子の表面に、正又は負の電荷を帯電させたニッケルメッキ層を形成する工程１、前記ニッケルメッキ層の表面に、１分子中に官能基Ａと反応性官能基Ｂとを有するキレート剤を前記官能基Ａを介して付着させる工程２、前記ニッケルメッキ層の表面に、前記キレート剤の前記反応性官能基Ｂを介して、前記ニッケルメッキ層に帯電させた電荷と逆の電荷を帯電させた樹脂微粒子又は無機微粒子を結合させる工程３、及び、無電解メッキ法により前記樹脂微粒子又は無機微粒子と前記ニッケルメッキ層とを金属メッキで被覆する工程４を有する導電性粒子の製造方法である。
以下に本発明を詳述する。

本発明者らは、鋭意検討の結果、コア粒子の表面付近に、突起となる微粒子を静電的に凝集させ、コア粒子の表面に、突起となる微粒子を化学的な結合により付着させることにより、高さ、位置等がほぼ均一な突起を有する導電性粒子を製造することができるということを見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明の導電性粒子の製造方法は、コア粒子の表面に、正又は負の電荷を帯電させたニッケルメッキ層を形成する工程１を有する。

上記コア粒子としては特に限定されず、適度な弾性率、弾性変形性及び復元性を有するものであれば無機材料を用いてなるものでも有機材料を用いてなるものでもよい。なかでも、弾性変形性及び復元性に優れていることから、樹脂を用いてなる樹脂粒子であることが好ましい。また、ニッケル金属粒子を用いることもでき、この場合には後述するニッケル層を形成する工程を省略することができる。

上記樹脂粒子を構成する樹脂としては特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂、ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂等のフェノール樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂等のメラミン樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂等のベンゾグアナミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、（不）飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン等からなるものが挙げられる。なかでも、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種又は２種以上重合させてなる樹脂を用いてなるものは、好適な硬さを得やすいことから好ましい。

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体は、非架橋性の単量体でも架橋性の単量体でもよい。
上記非架橋性の単量体としては特に限定されず、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−クロロスチレン、クロロメチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、エチレングリコール（メタ）アクリレート、トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロプロピル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、フッ化ビニル、塩化ビニル、プロピオン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、ブチレン、メチルペンテン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素等が挙げられる。

上記架橋性の単量体としては特に限定されず、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート；グリセロールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル等；γ―（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体；フタル酸等のジカルボン酸類；ジアミン類；ジアリルフタレート、ベンゾグアナミン、トリアリルイソシアネート等が挙げられる。

上記コア粒子の平均粒子径としては特に限定されないが、好ましい下限は１μｍ、好ましい上限は１００μｍである。１μｍ未満であると、例えば、無電解メッキをする際に凝集しやすく、単粒子としにくくなることがあり、１００μｍを超えると、異方性導電材料として回路基板等に用いられる範囲を超えることがある。
なお、上記コア粒子の平均粒子径は、無作為に選んだ５０個のコア粒子について粒子径を測定し、これらを算術平均したものとする。

上記コア粒子の表面に、正又は負の電荷を帯電させたニッケルメッキ層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、高濃度のニッケルメッキ液を添加してコア粒子の表面を無電解メッキする方法等が挙げられる。

本発明の導電性粒子の製造方法は、上記ニッケルメッキ層の表面に、１分子中に官能基Ａと反応性官能基Ｂとを有するキレート剤を上記官能基Ａを介して付着させる工程２を有する。

上記官能基Ａとしては、上記ニッケルメッキ層とイオン結合、共有結合、配位結合が可能な官能基であれば特に限定されず、例えば、シラン基、シラノール基、カルボキシル基、アミノ基、アンモニウム基、ニトロ基、水酸基、カルボニル基、チオール基、スルホン酸基、スルホニウム基、ホウ酸基、オキサゾリン基、ピロリドン基、リン酸基、ニトリル基等が挙げられる。なかでも、配位結合し得る官能基が好ましく、Ｓ、Ｎ、Ｐ原子を有する官能基が好適に用いられる。

上記反応性官能基Ｂとしては、後述する樹脂微粒子又は無機微粒子と反応しうる官能基であれば特に限定されず、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、シリル基、シラノール基、イソシアネート基等が挙げられる。

１分子中に上記官能基Ａと反応性官能基Ｂとを有するキレート剤としては特に限定されず、例えば、２−アミノエタンチオール、ｐ−アミノチオフェノール、４，４−ジアミノジフェニルジスルフィド等が挙げられる。また、樹脂微粒子又は無機微粒子と反応しうる官能基を有するポリスルフィド等も挙げられ、具体的には、例えば、アミノ基を有するトリスルフィド等が挙げられる。

上記キレート剤は、チオール基又はスルフィド基がニッケルに配位するので、キレート剤は上記官能基Ａを介してニッケルメッキ層の表面に付着する。
これにより、後述する樹脂微粒子又は無機微粒子をニッケルメッキされた樹脂微粒子の表面に静電凝集させることができ、樹脂微粒子又は無機微粒子と後述する反応性官能基Ｂとが効率よく反応し、均一な突起を形成することが可能となる。

本発明の導電性粒子の製造方法は、上記ニッケルメッキ層の表面に、上記キレート剤の上記反応性官能基Ｂを介して、上記ニッケルメッキ層に帯電させた電荷と逆の電荷を帯電させた樹脂微粒子又は無機微粒子を結合させる工程３を有する。

本発明の導電性粒子の製造方法においては、上記ニッケルメッキ層に帯電させた電荷と逆の電荷を帯電させた樹脂微粒子又は無機微粒子を用いることにより、上記樹脂微粒子又は無機微粒子が上記ニッケルメッキ層の表面付近に静電凝集し、また、上記樹脂微粒子又は無機微粒子同士は同じ電荷をもつため、該樹脂微粒子又は無機微粒子同士は反発し合うため、上記反応性官能基Ｂを介して、上記樹脂微粒子又は無機微粒子が上記ニッケルメッキ層にほぼ均一に付着するため、得られる導電性粒子は、ほぼ均一な突起を有する導電性粒子となる。

上記樹脂微粒子としては特に限定されず、例えば、負に帯電するアクリル樹脂微粒子、スチレン樹脂微粒子、ジビニルベンゼン樹脂微粒子等や、正に帯電するアミド樹脂微粒子、ポリアクリルアミド微粒子等が挙げられる。

上記樹脂微粒子又は上記無機微粒子の大きさとしては特に限定されないが、好ましい下限は３０ｎｍ、好ましい上限は６００ｎｍである。３０ｎｍ未満であると、突起部分の強度が著しく劣り、本発明の導電性粒子をバインダー樹脂等と混練するとき等に突起が破損することがあり、６００ｎｍを超えると、突起が高くなりすぎ、回路基板等を圧着したときに突起がつぶれないことがある。

上記キレート剤の反応性官能基Ｂは、樹脂微粒子又は無機微粒子の表面に存在する官能基と反応して結合を形成するので、ニッケルメッキ層の表面に付着する。
なお、反応を促進したい場合は、反応液を加熱することが好ましい。

本発明の導電性粒子の製造方法は、無電解メッキ法により上記樹脂微粒子又は無機微粒子と上記ニッケルメッキ層とを金属メッキで被覆する工程４を有する。

被覆する金属としては特に限定されず、例えば、ニッケル、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム等が挙げられる。

上記金属メッキで被覆する方法としては特に限定されず、例えば、無電解メッキ法等が挙げられる。

上記金属メッキの厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は０．０２μｍ、好ましい上限は５μｍである。０．０２μｍ未満であると、導電性粒子が導電性を得られなくなることがあり、５μｍを超えると、導電性粒子が硬くなりすぎて電極端子間の間隔に追随して導電性粒子が変形しにくくなることがある。

上記導電性金属層の厚さは、例えば、本発明の導電性粒子の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察することにより測定することができる。倍率としては特に限定されず、観察しやすい倍率を選べばよいが、例えば、５万倍が用いられる。

本発明の導電性粒子の製造方法は、上述した工程に加え、上記金属メッキ層の表面に、更に金メッキ層を形成する工程５を有することが好ましい。

本発明の導電性粒子の最表面に金層を形成することにより、金属メッキ層の酸化防止、接続抵抗の低減化、表面の安定化等を図ることができる。

上記金層の形成方法としては特に限定されず、無電解メッキ、置換メッキ、電気メッキ、還元メッキ、スパッタリング等の従来公知の方法が挙げられる。

上記金層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は１ｎｍ、好ましい上限は１００ｎｍである。１ｎｍ未満であると、金属メッキ層の酸化を防止することが困難となることがあり、接続抵抗値が高くなることがあり、１００ｎｍを超えると、金層が金属メッキ層を侵食し、コア粒子と金属メッキ層との密着性を悪くすることがある。

上述した本発明の導電性粒子の製造方法により製造された導電性粒子は、表面に均一な突起を有する導電性粒子となる。
本発明の導電性粒子の製造方法により製造される導電性粒子であって、下記式（１）で表される突起の高さの変動係数をτとすると、τが１０％以下であり、かつ、任意の正投影面をとったときに、上記正投影面の直径の１／２である同心円内に上記突起が２個以上存在している導電性粒子もまた、本発明の１つである。

本発明の導電性粒子の平均粒子径としては特に限定されないが、好ましい下限は２．５μｍ、好ましい上限は１５μｍである。２．５μｍ未満であると、導電性金属層を形成する際に凝集しやすく、単粒子としにくくなることがあり、１５μｍを超えると、異方性導電材料として微細な配線を有する基板等の電極端子間で用いられる範囲を超えてしまうことがある。

上記突起の高さとしては特に限定されないが、好ましい下限は上記コア粒子の平均粒子径の０．５％、好ましい上限は上記コア粒子の平均粒子径の２５％である。上記コア粒子の平均粒子径の０．５％未満であると、充分な樹脂排除性が得られないことがあり、上記コア粒子の平均粒子径の２５％を超えると、突起が回路基板等に深くめり込み、回路基板等を破損させるおそれがある。

本発明の導電性粒子は、上記式（１）で表される突起の高さの変動係数をτとすると、τが１０％以下である。１０％を超えると、導電性粒子を用いて相対向する電極間隔を制御することが困難になる。

本発明の導電性粒子は、任意の正投影面をとったときに、上記正投影面の直径の１／２である同心円内に上記突起が２個以上存在している。２個未満であると、導電性粒子と回路基板等との高い接続安定性を発揮できない。
上記正投影面は、例えば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）等により観察することができる。

また、本発明の導電性粒子の突起の存在比としては特に限定されないが、表面全体に対して好ましい下限が２０％、好ましい上限が８０％である。２０％未満であると、導電性粒子の向きによっては突起と回路基板等とが接触しないことがあり、８０％を超えると、突起同士が重なり合い、導電接続時に導電性粒子と回路基板等とを圧着した際に突起がつぶれにくいことがある。
なお、上記導電性粒子の突起の存在比は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による画像解析により、導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する突起の被覆面積（すなわち、突起の粒子径の投影面積）を算出することにより求めることができる。

本発明の導電性粒子をバインダー樹脂に分散させることにより異方性導電材料を製造することができる。このような異方性導電材料もまた、本発明の１つである。

本発明の異方性導電材料の具体的な例としては、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘着剤層、異方性導電フィルム、異方性導電シート等が挙げられる。

上記樹脂バインダーとしては特に限定されないが、絶縁性の樹脂が用いられ、例えば、酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂等のビニル系樹脂；ポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド系樹脂等の熱可塑性樹脂；エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂及びこれらの硬化剤からなる硬化性樹脂；スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、これらの水素添加物等の熱可塑性ブロック共重合体；スチレン−ブタジエン共重合ゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等のエラストマー類（ゴム類）等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
また、上記硬化性樹脂は、常温硬化型、熱硬化型、光硬化型、湿気硬化型のいずれの硬化型であってもよい。

本発明の異方性導電材料には、本発明の導電性粒子、及び、上記樹脂バインダーの他に、本発明の課題達成を阻害しない範囲で必要に応じて、例えば、増量剤、軟化剤（可塑剤）、粘接着性向上剤、酸化防止剤（老化防止剤）、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、着色剤、難燃剤、有機溶媒等の各種添加剤を添加してもよい。

本発明の異方性導電材料の製造方法としては特に限定されず、例えば、絶縁性の樹脂バインダー中に本発明の導電性粒子を添加し、均一に混合して分散させ、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤等とする方法や、絶縁性の樹脂バインダー中に本発明の導電性粒子を添加し、均一に溶解（分散）させるか、又は、加熱溶解させて、離型紙や離型フィルム等の離型材の離型処理面に所定のフィルム厚さとなる用に塗工し、必要に応じて乾燥や冷却等を行って、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電シート等とする方法等が挙げられ、製造しようとする異方性導電材料の種類に対応して、適宜の製造方法をとればよい。
また、絶縁性の樹脂バインダーと、本発明の導電性粒子とを混合することなく、別々に用いて異方性導電材料としてもよい。

本発明によれば、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料を提供することができる。

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。

（実施例１）
水１００ｇにコア粒子として４μｍのジビニルベンゼン樹脂微粒子５ｇを分散させた分散液を調製した。
得られた分散液にニッケルメッキ液を加え無電解メッキを行い、ニッケルメッキされた粒子を得た。ニッケルメッキの膜厚は７０ｎｍであった。
更に、キレート剤として、２−アミノエタンチオール０．０５ｇを加え、８０℃、３０分間加熱し、表面のニッケルメッキ層にキレート剤を結合させ、樹脂微粒子としてポリアクリルアミド０．０５ｇを加え、５０℃、３０分間加熱し、キレート剤を介してニッケルメッキ層の表面に樹脂微粒子を結合させた粒子を得た。得られた粒子に対し無電解金メッキを行うことにより、表面に５０ｎｍの金メッキ層が形成された導電性粒子を作製した。

（実施例２）
キレート剤として、４、４−ジアミノジフェニルスルフィド０．０５ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を作製した。

（比較例１）
キレート剤を加えなかったこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を作製した。

＜評価＞
実施例及び比較例で得られた導電性粒子について以下の評価を行った。結果を表１に示した。

（１）表面観察
実施例及び比較例で得られた導電性粒子の表面を走査型電子顕微鏡によりＳＥＭ写真を観察し、以下の基準に従い、目視により突起の均一性を評価した。
○ 突起が高さ、位置ともにほぼ均一に存在していた。
△ 突起の高さ、位置のいずれかが均一であった。
× 突起が高さ、位置ともに不均一であった。

（２）変動係数及び突起の個数測定
実施例及び比較例で得られた導電性粒子に対して、ＳＥＭ写真の観察像をもとに突起の高さを測定し、上記式（１）に従い変動係数τを測定した。
また、（１）の測定において、導電性粒子の正投影面の直径の１／２である同心円内に存在する突起の個数を測定した。

（３）接続抵抗値の測定
樹脂バインダーの樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、「エピコート８２８」）１００重量部、トリスジメチルアミノエチルフェノール２重量部、及び、トルエン１００重量部を、遊星式攪拌機を用いて充分に混合した後、離型フィルム上に乾燥後の厚さが１０μｍとなるように塗布し、トルエンを蒸発させて接着性フィルムを得た。
次いで、樹脂バインダーの樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、「エピコート８２８」）１００重量部、トリスジメチルアミノエチルフェノール２重量部、及びトルエン１００重量部に、得られた導電性微粒子を添加し、遊星式攪拌機を用いて充分に混合した後、離型フィルム上に乾燥後の厚さが７μｍとなるように塗布し、トルエンを蒸発させて導電性微粒子を含有する接着性フィルムを得た。なお、導電性微粒子の配合量は、フィルム中の含有量が５万個／ｃｍ^２となるようにした。
得られた接着性フィルムと導電性微粒子を含有する接着性フィルムとを常温でラミネートすることにより、２層構造を有する厚さ１７μｍの異方性導電フィルムを得た。
得られた異方性導電フィルムを５×５ｍｍの大きさに切断した。これを、一方に抵抗測定用の引き回し線を有した幅２００μｍ、長さ１ｍｍ、高さ０．２μｍ、Ｌ／Ｓ２０μｍのＩＴＯ電極のほぼ中央に貼り付けた後、同じＩＴＯ電極を有するガラス基板を、電極同士が重なるように位置あわせをしてから貼り合わせた。
このガラス基板の接合部を、４０ＭＰａ、２００℃の圧着条件で熱圧着した後、電極間の抵抗値を測定した。

本発明によれば、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料を提供することができる。

本発明の導電性粒子の正投影面の模式図である。

符号の説明

１ 導電性粒子
２ 突起
３ 金層
Ｒ 導電性粒子の直径
ｒ 直径が導電性粒子の直径の１／２である同心円の直径

Claims (5)

1. 表面に突起を有する導電性粒子の製造方法であって、
   コア粒子の表面に、正又は負の電荷を帯電させたニッケルメッキ層を形成する工程１、
   前記ニッケルメッキ層の表面に、１分子中に官能基Ａと反応性官能基Ｂとを有するキレート剤を前記官能基Ａを介して付着させる工程２、
   前記ニッケルメッキ層の表面に、前記キレート剤の前記反応性官能基Ｂを介して、前記ニッケルメッキ層に帯電させた電荷と逆の電荷を帯電させた樹脂微粒子又は無機微粒子を結合させる工程３、及び、
   無電解メッキ法により前記樹脂微粒子又は無機微粒子と前記ニッケルメッキ層とを金属メッキで被覆する工程４を有する
   ことを特徴とする導電性粒子の製造方法。
2. 金属メッキ層の表面に、更に金メッキ層を形成する工程５を有することを特徴とする請求項１記載の導電性粒子の製造方法。
3. 請求項１又は２記載の導電性粒子の製造方法により製造される導電性粒子であって、
   下記式（１）で表される突起の高さの変動係数をτとすると、τが１０％以下であり、かつ、
   任意の正投影面をとったときに、前記正投影面の直径の１／２である同心円内に前記突起が２個以上存在している
   ことを特徴とする導電性粒子。
   

   
4. 突起の存在比が、表面全体に対して２０〜８０％であることを特徴とする請求項２記載の導電性粒子。
5. 請求項３又は４記載の導電性粒子が樹脂バインダーに分散されてなることを特徴とする異方性導電材料。

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