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JP2007194567A - 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 - Google Patents

光モジュールおよび光モジュールの製造方法 Download PDF

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JP2007194567A
JP2007194567A JP2006013858A JP2006013858A JP2007194567A JP 2007194567 A JP2007194567 A JP 2007194567A JP 2006013858 A JP2006013858 A JP 2006013858A JP 2006013858 A JP2006013858 A JP 2006013858A JP 2007194567 A JP2007194567 A JP 2007194567A
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lead frame
optical module
electro
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Kouno Inushima
孝能 犬島
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Fujifilm Corp
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Fujifilm Corp
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Abstract

【課題】光モジュールにおける放熱特性を向上させる。
【解決手段】電気−光変換素子14と、半導体集積回路12と、一方の面に電気−光変換素子14および半導体集積回路12が実装されてなるリードフレーム10と、リードフレームの他方10の面の少なくとも一部が露出して露出部22を形成するように、電気−光変換素子14、半導体集積回路12およびリードフレーム10を封止する透明樹脂パッケージ16とにより光モジュール1を構成する。
【選択図】図2

Description

本発明は、電気−光変換素子およびリードフレームが透明樹脂パッケージにより封止されてなる光モジュールおよび光モジュールの製造方法に関するものである。
インターネットの普及に代表されるネットワーク容量の飛躍的増大に対応して、小型、高速の光モジュールへの需要が高まっている。このような光モジュールの中でも、リードフレームおよび電気−光変換素子を透明樹脂パッケージにより封止した光モジュールは、高価な金属製キャンパッケージが不要なため、低コストな光モジュールとして期待されている。
このような透明樹脂パッケージを用いた光モジュールとしては、特許文献1に記載されたものが知られている。特許文献1に記載された光モジュールは、発光素子および受光素子(以後これらの少なくとも1つを電気−光変換素子とする)、並びに半導体集積回路がリードフレームに実装され、リードフレーム、電気−光変換素子および半導体集積回路が透明樹脂パッケージにより封止されることにより構成されている。
意匠登録第1154077号公報
上述した光モジュールにおいては、電気−光変換素子または半導体集積回路において発生した熱は、一部はリードフレームからリードピンを介して光モジュールが取り付けられている基板上に逃げ、一部はリードフレームから透明樹脂を介して空中に放熱される。ここで、光モジュールのリードピン数が少ない、もしくはリードピンが細い場合には、透明樹脂パッケージを介して空中に放熱される経路が支配的となる。
しかしながら、一般に透明樹脂パッケージの放熱特性は悪いため、充分な放熱特性が得られないという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、光モジュールにおける放熱特性を向上させることを目的とする。
本発明による光モジュールは、電気−光変換素子と、
半導体集積回路と、
一方の面に前記電気−光変換素子および前記半導体集積回路が実装されてなるリードフレームと、
前記リードフレームの他方の面の少なくとも一部が露出するように、前記電気−光変換素子、前記半導体集積回路および前記リードフレームを封止する透明樹脂パッケージとを備えたことを特徴とするものである。
なお、本発明による光モジュールにおいては、前記リードフレームの前記透明樹脂パッケージから露出する部分に放熱部材を取り付けるようにしてもよい。
また、本発明による光モジュールにおいては、前記透明樹脂パッケージにおける前記電気−光変換素子に対応する部分がレンズ構造をなすものとしてもよい。
また、本発明による光モジュールにおいては、前記電気−光変換素子を、発光素子および受光素子の少なくとも一方としてもよい。
この場合、前記発光素子を面発光レーザとしてもよい。
また、本発明による光モジュールにおいては、前記リードフレームと前記半導体集積回路とをワイヤまたはハンダにより電気的に接続してもよい。
また、本発明による光モジュールにおいては、前記電気−光変換素子が基板に実装されてなり、
前記基板に実装された前記電気−光変換素子が前記リードフレームに実装されてなるものとしてもよい。
この場合、前記リードフレームと前記基板との間をワイヤまたはハンダにより電気的に接続してもよい。
本発明による第1の光モジュールの製造方法は、リードフレームの一方の面に電気−光変換素子および半導体集積回路を実装し、
前記リードフレームの他方の面の少なくとも一部が露出するように、前記電気−光変換素子、前記半導体集積回路および前記リードフレームを透明樹脂パッケージにより封止することを特徴とするものである。
本発明による第2の光モジュールの製造方法は、基板に電気−光変換素子および半導体集積回路を実装し、
リードフレームの一方の面に前記基板を実装し、
前記リードフレームの他方の面の少なくとも一部が露出するように、前記電気−光変換素子、前記半導体集積回路および前記リードフレームを透明樹脂パッケージにより封止することを特徴とするものである。
本発明の光モジュールにおいては、リードフレームの電気−光変換素子および半導体集積回路が実装されてなる面とは反対側の他方の面の少なくとも一部が露出するように、電気−光変換素子、半導体集積回路およびリードフレームが透明樹脂パッケージにより封止される。このため、電気−光変換素子または半導体集積回路において発生した熱は、リードフレームにおける透明樹脂パッケージから露出した部分から空気中に放熱されることとなる。したがって、上記特許文献1に記載された光モジュールと比較して放熱特性を向上させることができる。
また、リードフレームの透明樹脂パッケージから露出する部分に放熱部材を取り付けることにより、放熱特性をより向上させることができる。
また、透明樹脂パッケージにおける電気−光変換素子に対応する部分をレンズ構造をなすものとすることにより、本発明による光モジュールを実装する際に、別にレンズ部材を設ける必要がなくなる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は本発明の第1の実施形態による光モジュールの構成を示す概略正面図、図2は図1のI−I線概略断面図、図3は第1の実施形態による光モジュールの構成を示す概略背面図である。図1〜図3に示すように、第1の実施形態による光モジュール1は、リードフレーム10と、半導体集積回路12と、電気−光変換素子14と、透明樹脂パッケージ16とを有する。なお、図1においては、透明樹脂パッケージ16を仮想線で示している。また、電気−光変換素子14は、一方が発光素子、他方が受光素子からなる。また、発光素子は面発光レーザである。
半導体集積回路12および電気−光変換素子14は、基準電位となるリード10Aを有するリードフレーム10の上面に実装されている。基準電位は、リード10Aを介してリードフレーム10に供給される。半導体集積回路12および電気−光変換素子14への電力および信号は、リード18からワイヤ20を介して供給される。
リードフレーム10、半導体集積回路12および電気−光変換素子14は透明樹脂パッケージ16により封止されている。一方、リードフレーム10の半導体集積回路12および電気−光変換素子14が実装される面とは反対側の面においては、透明樹脂パッケージ16が凹形状に形成されており、リードフレーム10の一部がこの凹形状の部分から外部に露出して露出部22を形成している。なお、露出部22は、リードフレーム10の全幅方向に亘る長さを有している。
次いで、第1の実施形態による光モジュールの製造方法について説明する。図4は第1の実施形態による光モジュールの製造方法を説明するための図であり、図4(a)〜(g)のそれぞれが正面図および断面図を含む。なお、断面図は図1におけるI−I線の位置と同一の位置における断面図である。
まず、図4(a)に示すリードフレームの原版30に、図4(b)に示すようにエッチングを施してリードフレームパターン32を形成する。リードフレームパターン32は、リードフレーム10となるべき部分10′およびリード18となるべき部分18′からなる。なお、部分10′は、吊りリード34により原版30に接続されている。
次に、図4(c)に示すように、リードフレーム10となるべき部分10′上に半導体集積回路12および電気−光変換素子14を実装する。さらに、図4(d)に示すように、半導体集積回路12とリード18となるべき部分18′との間、および半導体集積回路12と電気−光変換素子14との間をワイヤ20により電気的に接続する。さらに、図4(e)に示すように、電気−光変換素子14にポッティング36を施す。そして、図4(f)に示すように、トランスファモールドにより、リードフレーム10となるべき部分10′、半導体集積回路12および電気−光変換素子14を、透明樹脂パッケージ16に封止する。最後に、図4(g)に示すように、破線に沿って部分10′、部分18′および吊りリード34を切断して、第1の実施形態による光モジュール1の製造を完了する。
このように、第1の実施形態においては、リードフレーム10の半導体集積回路12および電気−光変換素子14が実装されてなる面とは反対側の面の少なくとも一部に、透明樹脂パッケージ16から露出する露出部22を設けるようにしたものである。このため、半導体集積回路12または電気−光変換素子14において発生した熱は、露出部22から空気中に放熱されることとなり、その結果、光モジュール1の放熱特性を向上させることができる。
なお、上記第1の実施形態においては、図5に示すように、熱伝導率が良好な銅、アルミニウム等の金属からなる放熱部材40を露出部22に取り付けるようにしてもよい。ここで、図5に示す放熱部材40は、透明樹脂パッケージ16の凹形状に適合する凸部40Aが形成されており、凸部40Aが透明樹脂パッケージ16の凹形状の部分に嵌合して露出部22に接触するように、放熱部材40が光モジュール1に取り付けられる。このように放熱部材40を取り付けることにより、第1の実施形態による光モジュール1の放熱特性をより向上させることができる。
また、図6に示すように放熱部材40を板状の部材とし、透明樹脂パッケージ16の凹形状の部分に嵌合する形状を有する板部材42を介して放熱部材40を光モジュール1の露出部22に取り付けるようにしてもよい。さらに、図7に示すように、放熱部材40の断面形状を透明樹脂パッケージ16の凹形状の部分に適合する凸形状をなすように折曲させ、放熱部材40の凸形状となる部分40Bが、透明樹脂パッケージ16の凹形状の部分に嵌合して露出部22に接触するように、放熱部材40を光モジュール1に取り付けるようにしてもよい。
また、図8に示すように、透明樹脂パッケージ16側の面とは反対側の面に放熱フィン44が形成された放熱部材40′を用いるようにしてもよい。これにより、放熱部材40の放熱効果をさらに向上させることができる。
また、上記第1の実施形態においては、透明樹脂パッケージ16における電気−光変換素子14に対応する部分を、図9に示すようにレンズ構造16Aをなすように成型してもよい。これにより、第1の実施形態による光モジュール1を実装する際に、別にレンズ部材を設ける必要がなくなる。なお、透明樹脂パッケージ16をレンズ構造16Aをなすように成型するのに代えて、透明樹脂パッケージ16表面における電気−光変換素子14に対応する部分にレンズを設けるようにしてもよい。
次いで、本発明の第2の実施形態について説明する。図10は本発明の第2の実施形態による光モジュールの構成を示す概略正面図、図11は図1のII−II線概略断面図である。なお、第2の実施形態において第1の実施形態と同一の構成については同一の参照番号を付与し、ここでは詳細な説明は省略する。第2の実施形態においては、半導体集積回路12および電気−光変換素子14を基板24に実装し、基板24をリードフレーム10に実装するようにした点が第1の実施形態と異なる。ここで、第2の実施形態による光モジュール1′の背面図は第1の実施形態による光モジュール1の背面図と同一となるため、ここでは省略する。
次いで、第2の実施形態による光モジュールの製造方法について説明する。図12は第1の実施形態による光モジュールの製造方法を説明するための図であり、図12(a)〜(h)のそれぞれが正面図および断面図を含む。なお、断面図は図10におけるII−II線の位置と同一の位置における断面図である。
まず、図12(a)に示すリードフレームの原版30に、図12(b)に示すようにエッチングを施してリードフレームパターン32を形成する。リードフレームパターン32は、リードフレーム10となるべき部分10′およびリード18となるべき部分18′からなる。なお、部分10′は、吊りリード34により原版30に接続されている。
次に、図12(c)に示すように、基板24上に半導体集積回路12および電気−光変換素子14を実装する。さらに、図12(d)に示すように、半導体集積回路12と基板24との間、および半導体集積回路12と電気−光変換素子14との間をワイヤ20により電気的に接続する。さらに、図12(e)に示すように、電気−光変換素子14にポッティング36を施す。
そして、図12(f)に示すように、リードフレーム10となるべき部分10′上に半導体集積回路12および電気−光変換素子14を実装した基板24を実装する。なお、基板24の実装はワイヤによるものであってもハンダによるものであってもよい。次いで、図12(g)に示すように、トランスファモールドにより、リードフレーム10となるべき部分10′、半導体集積回路12および電気−光変換素子14を、基板24とともに透明樹脂パッケージ16に封止する。最後に、図12(h)に示すように、破線に沿って部分10′、部分18′および吊りリード34を切断して、第2の実施形態による光モジュール1′の製造を完了する。
なお、上記第2の実施形態においては、図13に示すように、第1の実施形態と同様に、露出部22に放熱部材40を取り付けるようにしてもよい。このように放熱部材40を取り付けることにより、放熱特性をより向上させることができる。
また、上記第2の実施形態においては、上記第1の実施形態と同様に透明樹脂パッケージ16における電気−光変換素子14に対応する部分をレンズ構造16Aをなすように構成してもよい。
また、上記第1および第2の実施形態においては、露出部22はリードフレーム10の全幅方向に亘る長さを有しているが、光モジュール1,1′の背面側の少なくとも一部が露出していればいかなる態様であってもよいものである。例えば、図14に示すように、光モジュール1,1′の幅方向に亘って複数(ここでは4つ)の開口部を形成するように透明樹脂パッケージ16を成形し、ここを露出部22′としてもよいものである。
本発明の第1の実施形態による光モジュールの構成を示す概略正面図 図1のI−I線概略断面図 第1の実施形態による光モジュールの構成を示す概略背面図 第1の実施形態による光モジュールの製造方法を説明するための図 第1の実施形態において放熱部材を取り付けた状態を示す概略断面図(その1) 第1の実施形態において放熱部材を取り付けた状態を示す概略断面図(その2) 第1の実施形態において放熱部材を取り付けた状態を示す概略断面図(その3) 放熱部材の他の例を示す斜視図 透明樹脂パッケージのレンズ構造を説明するための図 本発明の第2の実施形態による光モジュールの構成を示す概略正面図 図10のII−II線概略断面図 第2の実施形態による光モジュールの製造方法を説明するための図 第2の実施形態において放熱部材を取り付けた状態を示す概略断面図 露出部の他の態様を示す概略背面図
符号の説明
1,1′ 光モジュール
10 リードフレーム
12 半導体集積回路
14 電気−光変換素子
16 透明樹脂パッケージ
18 リード
20 ワイヤ
22 露出部
24 基板
30 リードフレーム原版
32 リードフレームパターン
34 吊りリード
36 ポッティング
40 放熱部材

Claims (10)

  1. 電気−光変換素子と、
    半導体集積回路と、
    一方の面に前記電気−光変換素子および前記半導体集積回路が実装されてなるリードフレームと、
    前記リードフレームの他方の面の少なくとも一部が露出するように、前記電気−光変換素子、前記半導体集積回路および前記リードフレームを封止する透明樹脂パッケージとを備えたことを特徴とする光モジュール。
  2. 前記リードフレームの前記透明樹脂パッケージから露出する部分に放熱部材が取り付けられてなることを特徴とする請求項1記載の光モジュール。
  3. 前記透明樹脂パッケージにおける前記電気−光変換素子に対応する部分がレンズ構造をなしていることを特徴とする請求項1または2記載の光モジュール。
  4. 前記電気−光変換素子が、発光素子および受光素子の少なくとも一方であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の光モジュール。
  5. 前記発光素子が面発光レーザであることを特徴とする請求項4記載の光モジュール。
  6. 前記リードフレームと前記半導体集積回路とがワイヤまたはハンダにより電気的に接続されてなることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の光モジュール。
  7. 前記電気−光変換素子が基板に実装されてなり、
    前記基板に実装された前記電気−光変換素子が前記リードフレームに実装されてなることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の光モジュール。
  8. 前記リードフレームと前記基板との間がワイヤまたはハンダにより電気的に接続されてなることを特徴とする請求項7記載の光モジュール。
  9. リードフレームの一方の面に電気−光変換素子および半導体集積回路を実装し、
    前記リードフレームの他方の面の少なくとも一部が露出するように、前記電気−光変換素子、前記半導体集積回路および前記リードフレームを透明樹脂パッケージにより封止することを特徴とする光モジュールの製造方法。
  10. 基板に電気−光変換素子および半導体集積回路を実装し、
    リードフレームの一方の面に前記基板を実装し、
    前記リードフレームの他方の面の少なくとも一部が露出するように、前記電気−光変換素子、前記半導体集積回路および前記リードフレームを透明樹脂パッケージにより封止することを特徴とする光モジュールの製造方法。
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