JP2007189216A - Method of manufacturing multilayer wiring board - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 56
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 56
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 47
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 39
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 37
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 36
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 31
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 claims description 26
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 10
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 34
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- -1 boronite Chemical compound 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 10
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 10
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 5
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 5
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical group C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical group C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- LYZFSSDDDMVLSX-UHFFFAOYSA-N 4-(2-aminoethyl)-6-(2-undecyl-1H-imidazol-5-yl)-1,3,5-triazin-2-amine Chemical compound NCCC1=NC(=NC(=N1)N)C=1N=C(NC1)CCCCCCCCCCC LYZFSSDDDMVLSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000005829 trimerization reaction Methods 0.000 description 2
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVCUKHQDEZNNOC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diazabicyclo[2.2.2]octane Chemical compound C1CC2CCN1NC2 QVCUKHQDEZNNOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVXKRSOUOAFXDZ-UHFFFAOYSA-N C1C(C=C)S1.C(C=C)#N Chemical compound C1C(C=C)S1.C(C=C)#N PVXKRSOUOAFXDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- GNKTZDSRQHMHLZ-UHFFFAOYSA-N [Si].[Si].[Si].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti] Chemical compound [Si].[Si].[Si].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti] GNKTZDSRQHMHLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000002152 alkylating effect Effects 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- SCUWTOMKAPTAND-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;2-methylprop-2-enenitrile Chemical compound C=CC=C.CC(=C)C#N SCUWTOMKAPTAND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000004966 cyanoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- ATDGTVJJHBUTRL-UHFFFAOYSA-N cyanogen bromide Chemical compound BrC#N ATDGTVJJHBUTRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N cyanogen chloride Chemical compound ClC#N QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009824 pressure lamination Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
本発明は、多層配線板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board.
近年、回路基板上へ絶縁層と導体層とを交互に積み重ねていくビルドアップ法による多層配線板が配線密度を向上できるために注目されており、回路基板上に絶縁層として粗化剤に可溶な球形無機フィラーを含んだエポキシ樹脂組成物を塗布し、加熱硬化後、粗化剤により絶縁層表面に凹凸を形成し、導体層をめっきにより形成する多層配線板の製造方法がある(例えば、特許文献1参照)。また、微細配線を形成する手法としてセミアディティブ法が広く知られている。セミアディティブ法は、絶縁基板に層間接続用のビアホールを形成した後、絶縁層表面の粗化処理に続き、下地となる無電解めっき処理を施し、めっきレジストにより非回路形成部を保護する。次いで、回路形成部へ電気めっきして回路を形成し、レジスト除去した後、ソフトエッチングにより非回路形成部の無電解めっき層を除去して、絶縁層上に導体回路を形成する方法である。セミアディティブ法は、非回路形成部の無電解めっき層をソフトエッチングすることにより導体回路を形成するため、絶縁層の表面粗さが小さいほど微細配線化に有利である。
現在、半導体チップをフェイスダウン実装するための多層配線板では、高周波特性向上、導体回路のさらなる微細配線化、絶縁層の低線膨張率化が求められている。さらに絶縁層には無機材料を混合することが必須となっている。しかし、絶縁層へ粗化剤に可溶な球形無機フィラーを混合した場合、絶縁層と導体回路の密着性は得られるものの、粗化剤により絶縁層表面の凹凸が局所的に大きくなる場所が生じる。この局所的に凹凸が大きくなった場所に微細配線の導体層が形成されることによりパターン間のショートや、また、その場所への局所的なエッチングの進行により、導体回路の欠損がおこる。
一方、粗化剤に不溶な球形無機フィラーを混合した場合では、微細配線形成時に粗化剤により絶縁層表面に露出した球形無機フィラー上へ導体回路を形成するため、十分なアンカー効果が得られず、絶縁層と導体回路の密着不良により、加工工程中の導体回路と絶縁層が剥離するといった問題があった。
Currently, multilayer wiring boards for face-down mounting of semiconductor chips are required to improve high-frequency characteristics, further miniaturize wiring of conductor circuits, and lower the linear expansion coefficient of insulating layers. Furthermore, it is essential to mix an inorganic material in the insulating layer. However, when a spherical inorganic filler soluble in the roughening agent is mixed into the insulating layer, the adhesion between the insulating layer and the conductor circuit can be obtained, but there are places where the roughening agent locally increases the irregularities on the surface of the insulating layer. Arise. By forming a conductor layer of fine wiring at a place where the unevenness is locally increased, a short circuit between patterns and a defect of the conductor circuit occur due to the progress of local etching to the place.
On the other hand, when a spherical inorganic filler insoluble in the roughening agent is mixed, a conductor circuit is formed on the spherical inorganic filler exposed on the surface of the insulating layer by the roughening agent during the formation of fine wiring, so that a sufficient anchor effect is obtained. However, there is a problem in that the conductor circuit and the insulating layer in the processing process are separated due to poor adhesion between the insulating layer and the conductor circuit.
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、半導体チップをフェイスダウン実装するための多層配線板の導体回路と絶縁層の密着性を向上させ、加工工程中の導体回路と絶縁層の剥離を低減し、微細配線を形成できる多層配線板の製造方法を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above problems, and improves the adhesion between the conductor circuit and the insulating layer of the multilayer wiring board for face-down mounting of the semiconductor chip, and the conductor circuit and the insulating layer during the processing step. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board that can reduce peeling and form fine wiring.
このような目的は、下記[1]〜[4]に記載の本発明により達成される。
[1]導体回路が形成された絶縁基板からなる回路基板の表面へ、多孔質無機フィラーを含む絶縁層を形成する工程、
該絶縁層を酸化性粗化液により絶縁層表面に前記多孔質無機フィラーを露出させる工程を有することを特徴とする多層配線板の製造方法。
[2]導体回路が形成された絶縁基板からなる回路基板の表面へ、多孔質無機フィラーを含む絶縁層を形成する工程、
絶縁層へビアホールを形成する工程、
酸化性粗化液により絶縁層表面およびビアホール内壁へ前記多孔質無機フィラーを露出さ
せる工程、
絶縁層表面およびビアホール内壁へ無電解銅めっき層を形成する工程、
無電解銅めっき層表面へめっきレジストを形成する工程、
非めっきレジスト形成面へ電解銅めっきにより銅厚付けする工程、
めっきレジストを除去し、めっきレジスト形成部の無電解銅めっき層を除去する工程、
をこの順に繰り返すことを特徴とする多層配線板の製造方法。
[3]前記酸化性粗化液により絶縁層表面およびビアホール内壁へ絶縁層の多孔質無機フィラーを露出させた表面の表面粗さ(Ra)が、0.4μm以下である上記[1]または[2]項に記載の多層配線板の製造方法。
[4]前記絶縁層が、シアネート樹脂および\またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、並びに実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂を含むことを特徴とする上記[1]乃至[3]のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
Such an object is achieved by the present invention described in the following [1] to [4].
[1] A step of forming an insulating layer containing a porous inorganic filler on the surface of a circuit board made of an insulating substrate on which a conductor circuit is formed,
A method for producing a multilayer wiring board, comprising the step of exposing the porous inorganic filler to the surface of the insulating layer with an oxidizing roughening solution.
[2] A step of forming an insulating layer containing a porous inorganic filler on the surface of a circuit board composed of an insulating substrate on which a conductor circuit is formed,
Forming a via hole in the insulating layer;
Exposing the porous inorganic filler to the surface of the insulating layer and the inner wall of the via hole with an oxidizing roughening solution;
Forming an electroless copper plating layer on the insulating layer surface and the inner wall of the via hole;
Forming a plating resist on the surface of the electroless copper plating layer;
A process of thickening copper on the non-plated resist-formed surface by electrolytic copper plating,
Removing the plating resist and removing the electroless copper plating layer in the plating resist forming portion;
A multilayer wiring board manufacturing method characterized by repeating the steps in this order.
[3] The surface roughness (Ra) obtained by exposing the porous inorganic filler of the insulating layer to the surface of the insulating layer and the inner wall of the via hole with the oxidizing roughening solution is 0.4 μm or less [1] or [ [2] The method for producing a multilayer wiring board according to item [2].
[4] The above-mentioned [1], wherein the insulating layer contains a cyanate resin and / or a prepolymer thereof, an epoxy resin substantially free of halogen atoms, and a phenoxy resin substantially free of halogen atoms. The manufacturing method of the multilayer wiring board in any one of thru | or [3].
本発明の多層配線板の製造方法により、絶縁層表面の凹凸の大きさが従来よりも小さくでき、導体回路と絶縁層の密着強度に優れ、微細配線を形成できる多層配線板を提供できる。 According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, it is possible to provide a multilayer wiring board in which the size of the irregularities on the surface of the insulating layer can be made smaller than before, the adhesion strength between the conductor circuit and the insulating layer is excellent, and fine wiring can be formed.
以下図1を用いて本発明を実施するための最良の形態を説明する。
まず、絶縁基板100(図1(1))上に、導体回路101が形成された回路基板102上に絶縁層103を形成する(図1(2))。本発明で用いられる回路基板としては、プリント配線板の基板として使用できるものであればよく、特に制限はない。例えば、ガラスクロスなどの基材に熱硬化性樹脂を含浸させた銅張積層板の両面を公知のサブトラクティブ法により、導体回路を形成したものが挙げられる。
The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to FIG.
First, the insulating layer 103 is formed on the circuit substrate 102 on which the conductor circuit 101 is formed on the insulating substrate 100 (FIG. 1 (1)) (FIG. 1 (2)). The circuit board used in the present invention is not particularly limited as long as it can be used as a printed wiring board substrate. For example, what formed the conductor circuit by the well-known subtractive method on both surfaces of the copper clad laminated board which impregnated thermosetting resin to base materials, such as glass cloth, is mentioned.
前記絶縁層103は、樹脂、多孔質無機フィラーを含む樹脂組成物である。
樹脂脂組成物の多孔質無機フィラーとしては、無機微粒子を凝集させたもの、無機材料粉末を焼結したものを用いることができる。無機微粒子としては、シリカ(SiO2)、アルミナ(Al2O3)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、ゼオライト、酸化チタン(TiO2)、窒化アルミニウム(AlN)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ケイ素(Si3N4)、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、チタン酸カルシウム(CaTiO3)、ほう酸アルミニウム、ボロンナイト、炭酸カルシウム、酸化鉛、酸化すず、酸化セリウム、酸化カルシウム、四酸化三マンガン、酸化マグネシウム、セリウムジルコネイト、カルシウムシリケート、ジルコニウムシリケート、ITO、チタンシリケート、多孔質ガラスなどが挙げられ、無機材料粉末としては、シリカ(SiO2)、アルミナ(Al2O3)などが挙げられ、単独または組み合わせて使用できる。これらの中でも、電子デバイス分野におけるフィラーへの使用実績が豊富なシリカを用いたものが好ましい。また、上記多孔質無機フィラーは、酸化性粗化液に対して不溶である。
The insulating layer 103 is a resin composition containing a resin and a porous inorganic filler.
As the porous inorganic filler of the resin fat composition, agglomerated inorganic fine particles or a sintered inorganic material powder can be used. As inorganic fine particles, silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), zeolite, titanium oxide (TiO 2 ), aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), silicon nitride ( Si 3 N 4 ), barium titanate (BaTiO 3 ), strontium titanate (SrTiO 3 ), calcium titanate (CaTiO 3 ), aluminum borate, boronite, calcium carbonate, lead oxide, tin oxide, cerium oxide, calcium oxide , Trimanganese tetroxide, magnesium oxide, cerium zirconate, calcium silicate, zirconium silicate, ITO, titanium silicate, porous glass and the like, and inorganic material powders include silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3). ) Etc. , It can be used alone or in combination. Among these, silica using abundant use records for fillers in the field of electronic devices is preferable. The porous inorganic filler is insoluble in the oxidizing roughening solution.
また、多孔質無機フィラーが絶縁層表面に露出したときの絶縁層の表面粗さ(Ra)が0.4μm以下となるためには、多孔質無機フィラーは、無機微粒子の凝集体であり、平均粒径が100nm以上5μm以下であることが好ましい。平均粒径が100nm以下であると、多孔質無機フィラー表面の凹凸へ無電解銅めっきの侵入深度が浅く、無電解銅めっきとの密着性の向上が見られない。平均粒径が5μm以上であると、多孔質無機フィラーが絶縁層表面より脱落したときにRaは0.4μm以上となる。非回路形成部の無電解銅めっき層をソフトエッチングして導体回路を形成するセミアディティブ法では、表面粗さが粗いと、ソフトエッチング量が多くなり、無電解銅めっき層が導体回路よりもエッチ
ングされやすくなり、絶縁層との密着面積の低下が生じ、製造工程での配線の剥がれにつながるため、微細配線形成が困難となる。
多孔質無機フィラーの含有量は、絶縁層の線膨張率を低くするとともに弾性率を高くするために、絶縁層に用いる樹脂組成物に対して、好ましくは40重量%以上、より好ましくは60重量%以上である。
Moreover, in order for the surface roughness (Ra) of the insulating layer when the porous inorganic filler is exposed on the surface of the insulating layer to be 0.4 μm or less, the porous inorganic filler is an aggregate of inorganic fine particles, and the average The particle size is preferably 100 nm or more and 5 μm or less. When the average particle size is 100 nm or less, the depth of penetration of the electroless copper plating into the irregularities on the surface of the porous inorganic filler is shallow, and no improvement in adhesion with the electroless copper plating is observed. When the average particle size is 5 μm or more, Ra becomes 0.4 μm or more when the porous inorganic filler is removed from the surface of the insulating layer. In the semi-additive method in which a conductive circuit is formed by soft etching of the electroless copper plating layer in the non-circuit forming part, if the surface roughness is rough, the amount of soft etching increases and the electroless copper plating layer is etched more than the conductive circuit. Since the contact area with the insulating layer is reduced and the wiring is peeled off in the manufacturing process, it is difficult to form fine wiring.
The content of the porous inorganic filler is preferably 40% by weight or more, more preferably 60% by weight with respect to the resin composition used for the insulating layer in order to reduce the linear expansion coefficient of the insulating layer and increase the elastic modulus. % Or more.
シリカは、シランカップリング剤による表面処理がされたものを用いても良い。シランカップリング剤としては、エポキシシラン、アミノシラン、ビニルシランなど、種々のものを用いることができる。このような表面処理シリカを用いることで、多孔質無機フィラーと、樹脂マトリックスとの界面密着性を調整することが出来る。 Silica may be subjected to surface treatment with a silane coupling agent. As the silane coupling agent, various materials such as epoxy silane, amino silane, and vinyl silane can be used. By using such surface-treated silica, the interfacial adhesion between the porous inorganic filler and the resin matrix can be adjusted.
絶縁層103の形成方法としては、液状の樹脂組成物をロールコール、カーテンコートなどの方法で塗布する方法、フィルム化してラミネートで貼り合わせる方法や、鏡板に挟んで加圧積層プレスする方法などが挙げられる。絶縁層103に用いる樹脂組成物としては、耐めっき液性、耐熱性および絶縁性を備えている他、絶縁層表面に凹凸を形成するために多孔質無機フィラーを露出させる必要がある。 As a method for forming the insulating layer 103, there are a method in which a liquid resin composition is applied by a method such as roll coal or curtain coating, a method in which a liquid is formed and laminated together, a method in which pressure lamination pressing is performed by sandwiching between end plates. Can be mentioned. The resin composition used for the insulating layer 103 is not only provided with plating solution resistance, heat resistance and insulation, but also needs to expose a porous inorganic filler in order to form irregularities on the surface of the insulating layer.
このような絶縁層103を形成できる樹脂としてポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリメチルペンテン、ポリアセタール、ポリカーボネート、アクリロニトリルブタジエンサルファイド、スチレンブタジエン共重合体、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルケトン、エポキシ樹脂、シアネート樹脂および\またはそのプレポリマー、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、など用いることができ、硬化触媒を配合してもよい。硬化触媒としては、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルトなどの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタンなどの3級アミン類、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドルキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−〔2’−メチルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−(2’−ウンデシルイミダゾリル)−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−〔2’−エチル−4−メチルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、フェノール樹脂および有機酸などが挙げられる。これらを単独またはこれらの混合物として用いることができる。 Polypropylene, polyethylene, polyethylene terephthalate, polymethylpentene, polyacetal, polycarbonate, acrylonitrile butadiene sulfide, styrene butadiene copolymer, polyimide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether ketone, epoxy as resins that can form such an insulating layer 103 Resin, cyanate resin and / or prepolymer thereof, phenol resin, phenoxy resin, and the like may be used, and a curing catalyst may be blended. Examples of the curing catalyst include organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate and cobalt octylate, tertiary amines such as triethylamine, tributylamine, diazabicyclo [2,2,2] octane, 2 -Phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl] -(1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- (2'-undecylimidazolyl) -ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl- 4-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2- Imidazole compounds such as til-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, phenolic compounds such as phenol, bisphenol A and nonylphenol, phenolic resin And organic acids. These can be used alone or as a mixture thereof.
前記樹脂組成物の中でもシアネート樹脂および\またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、および多孔質無機フィラーを含むものが好ましい。
シアネート樹脂および\またはそのプレポリマーを含有することにより、難燃性を向上させることができる。シアネート樹脂および\またはそのプレポリマーの入手方法としては特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
シアネート樹脂の種類としては特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でも、ノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度の増加により耐熱性を向上させることができるとともに、難燃性をさらに
向上させることができる。ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。なお、ノボラック型シアネート樹脂は、例えばノボラック型フェノール樹脂と、塩化シアン、臭化シアンなどの化合物とを反応させることにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
ここでノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式(1)で示されるものを用いることができる。
Among the resin compositions, those containing a cyanate resin and / or a prepolymer thereof, an epoxy resin substantially free of halogen atoms, a phenoxy resin substantially free of halogen atoms, and a porous inorganic filler are preferable.
By containing a cyanate resin and / or a prepolymer thereof, flame retardancy can be improved. The method for obtaining the cyanate resin and / or its prepolymer is not particularly limited. For example, it can be obtained by reacting a halogenated cyanide compound with a phenol and prepolymerizing it by a method such as heating as necessary. it can. Moreover, the commercial item prepared in this way can also be used.
Although it does not specifically limit as a kind of cyanate resin, For example, bisphenol type cyanate resin, such as a novolak-type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin, tetramethylbisphenol F type cyanate resin, etc. can be mentioned. Among these, a novolak type cyanate resin is preferable. Thereby, while being able to improve heat resistance by the increase in a crosslinking density, a flame retardance can further be improved. The novolak-type cyanate resin is considered to have a high proportion of benzene rings due to its structure and easily carbonize. The novolak type cyanate resin can be obtained, for example, by reacting a novolak type phenol resin with a compound such as cyanogen chloride or cyanogen bromide. Moreover, the commercial item prepared in this way can also be used.
Here, as the novolac-type cyanate resin, for example, those represented by the following general formula (1) can be used.
上記一般式(1)で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位nは、特に限定されないが、1〜10が好ましく、特に2〜7が好ましい。平均繰り返し単位nが上記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低量体が脱離、揮発する場合がある。また、平均繰り返し単位nが上記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、成形性が低下する場合がある。 The average repeating unit n of the novolak cyanate resin represented by the general formula (1) is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, and particularly preferably 2 to 7. When the average repeating unit n is less than the lower limit, the novolak cyanate resin has low heat resistance, and the low-mer may be desorbed and volatilized during heating. Moreover, when average repeating unit n exceeds the said upper limit, melt viscosity will become high too much and a moldability may fall.
上記一般式(1)で示されるノボラック型シアネート樹脂の重量平均分子量としては、特に限定されないが、500〜4,500とすることができ、好ましくは600〜3,000である。重量平均分子量が、小さすぎると得られる樹脂の機械的強度が低下する場合がある一方で、大きすぎると樹脂組成物の硬化速度が大きくなるため保存性が低下する場合あるところ、重量平均分子量を上記の範囲とすることで、得られる樹脂組成物は両者のバランスに優れたものとなる。 Although it does not specifically limit as a weight average molecular weight of the novolak-type cyanate resin shown by the said General formula (1), It can be set to 500-4,500, Preferably it is 600-3,000. If the weight average molecular weight is too small, the mechanical strength of the resulting resin may decrease, while if it is too large, the curing rate of the resin composition may increase and the storage stability may decrease. By setting it as said range, the resin composition obtained becomes the thing excellent in both balance.
なお、上記シアネート樹脂としては、これをプレポリマー化したものも用いることができる。すなわち、シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。ここでプレポリマーとは、通常、上記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば3量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。ここでプレポリマーとしては特に限定されないが、例えば、3量化率が20〜50重量%であるものを用いることができる。この3量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて求めることができる。 In addition, as said cyanate resin, what prepolymerized this can also be used. That is, a cyanate resin may be used alone, a cyanate resin having a different weight average molecular weight may be used in combination, or a cyanate resin and a prepolymer thereof may be used in combination. Here, the prepolymer is usually obtained by, for example, trimerizing the cyanate resin by a heat reaction or the like, and is preferably used for adjusting the moldability and fluidity of the resin composition. is there. Although it does not specifically limit as a prepolymer here, For example, what a trimerization rate is 20 to 50 weight% can be used. This trimerization rate can be determined using, for example, an infrared spectroscopic analyzer.
上記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、シアネート樹脂が有する上記特性を効果的に発現させるという観点からは、樹脂組成物全体の5〜50重量%とすることができ、好ましくは10〜40重量%である。ここで、シアネート樹脂の含有量が小さすぎるとシアネート樹脂による高耐熱性化する効果が低下する場合がある一方で、大きすぎると架橋密度が高くなり自由体積が増えるため、耐湿性が低下する場合があるところ、シアネート樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、シアネート樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
さらに、本発明で用いられる樹脂組成物では、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂を含有することにより、ガラス転移温度以上の高温化であってもハロゲン原子による回路腐食がなく、信頼性が向上する。
Although content of the said cyanate resin is not specifically limited, From a viewpoint of making the said characteristic which cyanate resin has express effectively, it can be set as 5 to 50 weight% of the whole resin composition, Preferably 10 to 40% by weight. Here, if the content of the cyanate resin is too small, the effect of increasing the heat resistance by the cyanate resin may be reduced. On the other hand, if the content is too large, the crosslinking density is increased and the free volume is increased. However, by setting the content of the cyanate resin in the above range, the effect of using the cyanate resin is excellent in the balance between the two.
Furthermore, the resin composition used in the present invention contains an epoxy resin that does not substantially contain a halogen atom, so that there is no circuit corrosion due to a halogen atom even when the temperature is higher than the glass transition temperature, and the reliability is high. improves.
前記実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂としては特に限定されないが、例え
ば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、難燃性、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。ここで、アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂を指し、例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば下記一般式(2)で示されるものを用いることができる。
Although it does not specifically limit as said epoxy resin which does not contain a halogen atom substantially, For example, a phenol novolak type epoxy resin, a bisphenol type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, an aryl alkylene type epoxy resin etc. are mentioned. Among these, aryl alkylene type epoxy resins are preferable. Thereby, a flame retardance and moisture absorption solder heat resistance can be improved. Here, the aryl alkylene type epoxy resin refers to an epoxy resin having one or more aryl alkylene groups in the repeating unit, and examples thereof include a xylylene type epoxy resin and a biphenyl dimethylene type epoxy resin. Among these, a biphenyl dimethylene type epoxy resin is preferable. As the biphenyldimethylene type epoxy resin, for example, one represented by the following general formula (2) can be used.
上記一般式(2)で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂のnは、1〜10とすることができ、好ましくは2〜5である。nが小さすぎると、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。一方で、大きすぎると樹脂の流動性が低下し、成形不良などの原因となる場合がある。nを上記の範囲とすることで、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の使用による効果は、両者のバランスに優れるものとなる。 In the biphenyldimethylene type epoxy resin represented by the general formula (2), n can be 1 to 10, and preferably 2 to 5. When n is too small, the biphenyl dimethylene type epoxy resin is easily crystallized, and the solubility in a general-purpose solvent is relatively lowered, which may make handling difficult. On the other hand, if it is too large, the fluidity of the resin is lowered, which may cause molding defects. By making n into the above range, the effect of using the biphenyl dimethylene type epoxy resin is excellent in the balance between the two.
上記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、4,000以下であることが好ましい。さらに好ましくは500〜4,000であり、特に好ましくは800〜3,000である。エポキシ樹脂の重量平均分子量が小さすぎると、得られる樹脂組成物を用いて形成される樹脂付き金属箔や基材付き絶縁シートにタック性が生じる場合がある。一方で、大きすぎると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を上記の範囲とすることで、エポキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。 The weight average molecular weight of the epoxy resin is not particularly limited, but is preferably 4,000 or less. More preferably, it is 500-4,000, Most preferably, it is 800-3,000. If the weight average molecular weight of the epoxy resin is too small, tackiness may occur in the metal foil with resin and the insulating sheet with base material formed using the resulting resin composition. On the other hand, if it is too large, the solder heat resistance may decrease. By making a weight average molecular weight into said range, the effect by use of an epoxy resin will be excellent in both balance.
上記エポキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の5〜50重量%であることが好ましい。さらに好ましくは10〜40重量%である。エポキシ樹脂の含有量が小さすぎると、エポキシ樹脂による吸湿半田耐熱性、密着性を向上させる効果が低下する場合がある。一方で、大きすぎると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、得られる樹脂組成物の低熱膨張性が低下する場合がある。エポキシ樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、エポキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。 Although it does not specifically limit as content of the said epoxy resin, It is preferable that it is 5 to 50 weight% of the whole resin composition. More preferably, it is 10 to 40% by weight. If the content of the epoxy resin is too small, the effect of improving moisture-absorbing solder heat resistance and adhesion by the epoxy resin may be reduced. On the other hand, if the amount is too large, the content of the cyanate resin is relatively reduced, and thus the low thermal expansion property of the resulting resin composition may be lowered. By making content of an epoxy resin into said range, the effect by use of an epoxy resin will be excellent in both balance.
さらに、本発明で用いられる樹脂組成物では、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂を含有することにより、当該ソルダー樹脂組成物を導体回路が設けられた絶縁層に加熱圧着した際に密着性が向上し、前記絶縁層の層間接続用のビアホールを設ける際にレーザにより開口し、樹脂残渣(スミア)を除去するがその際に、フェノキシ樹脂を含有することで樹脂残渣を除去しやすくなる。 Furthermore, the resin composition used in the present invention contains a phenoxy resin that does not substantially contain a halogen atom, so that the solder resin composition has adhesiveness when it is thermocompression bonded to an insulating layer provided with a conductor circuit. When the via hole for interlayer connection of the insulating layer is provided, it is opened by a laser to remove the resin residue (smear), but at that time, the resin residue can be easily removed by containing the phenoxy resin.
上記実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂
などが挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造を有するフェノキシ樹脂を用いることもできる。これらの中でも、ビフェニル骨格と、ビスフェノールS骨格とを有するものを用いることができる。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができる。
また、ビスフェノールA骨格とビスフェノールF骨格とを有するものを用いることができる。これにより、多層配線板の製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。また、上記ビフェニル骨格とビスフェノールS骨格とを有するものと、ビスフェノールA骨格とビスフェノールF骨格とを有するものとを、併用することができる。これにより、これらの特性をバランスよく発現させることができる。上記ビスフェノールA骨格とビスフェノールF骨格とを有するもの(a)と、上記ビフェニル骨格とビスフェノールS骨格とを有するもの(b)とを併用する場合、その併用比率としては特に限定されないが、例えば、(a):(b)=2:8〜9:1とすることができる。
The phenoxy resin substantially not containing a halogen atom is not particularly limited, and examples thereof include a phenoxy resin having a bisphenol skeleton, a phenoxy resin having a novolac skeleton, a phenoxy resin having a naphthalene skeleton, and a phenoxy resin having a biphenyl skeleton. It is done. A phenoxy resin having a structure having a plurality of these skeletons can also be used. Among these, those having a biphenyl skeleton and a bisphenol S skeleton can be used. Thereby, the glass transition temperature can be increased due to the rigidity of the biphenyl skeleton.
Further, those having a bisphenol A skeleton and a bisphenol F skeleton can be used. Thereby, the adhesiveness to an inner-layer circuit board can be improved at the time of manufacture of a multilayer wiring board. Moreover, what has the said biphenyl skeleton and the bisphenol S skeleton, and what has the bisphenol A skeleton and the bisphenol F skeleton can be used together. Thereby, these characteristics can be expressed with good balance. In the case where the compound having the bisphenol A skeleton and the bisphenol F skeleton (a) and the compound having the biphenyl skeleton and the bisphenol S skeleton (b) are used in combination, the combination ratio is not particularly limited. a) :( b) = 2: 8 to 9: 1.
フェノキシ樹脂の分子量としては特に限定されないが、重量平均分子量が5000〜70000であるものを用いることができ、5000〜50000であることが好ましい。さらに好ましくは10000〜40000である。フェノキシ樹脂の重量平均分子量が小さすぎると、フェノキシ樹脂による製膜性を向上させる効果が低下する場合がある。一方で、大きすぎると、フェノキシ樹脂の溶解性が低下する場合がある。フェノキシ樹脂の重量平均分子量を上記の範囲とすることで、フェノキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。 Although it does not specifically limit as molecular weight of a phenoxy resin, The thing whose weight average molecular weight is 5000-70000 can be used, and it is preferable that it is 5000-50000. More preferably, it is 10,000 to 40,000. If the weight average molecular weight of the phenoxy resin is too small, the effect of improving the film forming property by the phenoxy resin may be reduced. On the other hand, when too large, the solubility of a phenoxy resin may fall. By setting the weight average molecular weight of the phenoxy resin within the above range, the effect of using the phenoxy resin is excellent in the balance between the two.
フェノキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の1〜40重量%であることが好ましい。さらに好ましくは5〜30重量%である。フェノキシ樹脂の含有量が小さすぎると、フェノキシ樹脂による製膜性を向上させる効果が低下する場合がある。一方で、大きすぎると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、低熱膨張性を付与する効果が低下する場合がある。フェノキシ樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、フェノキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。 Although it does not specifically limit as content of a phenoxy resin, It is preferable that it is 1 to 40 weight% of the whole resin composition. More preferably, it is 5 to 30% by weight. If the content of the phenoxy resin is too small, the effect of improving the film forming property by the phenoxy resin may be lowered. On the other hand, if the amount is too large, the content of the cyanate resin is relatively reduced, and thus the effect of imparting low thermal expansibility may be reduced. By making content of a phenoxy resin into the said range, the effect by use of a phenoxy resin will be excellent in both balance.
本発明で用いられる樹脂組成物では、硬化剤としてイミダゾール化合物を含有しても良い。これにより、樹脂組成物の絶縁性を低下させることなく、シアネート樹脂やエポキシ樹脂の反応を促進することができる。イミダゾール化合物としては特に限定されないが、例えば、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドルキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−〔2’−メチルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−(2’−ウンデシルイミダゾリル)−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−〔2’−エチル−4−メチルイミダゾリル−(1’)〕−エチル−s−トリアジン、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾールなどを挙げることができる。これらの中でも、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基、および、シアノアルキル基の中から選ばれる官能基を2個以上有しているイミダゾール化合物が好ましく、特に2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。このようなイミダゾール化合物の使用により、樹脂組成物の耐熱性を向上させることができるとともに、この樹脂組成物で形成される樹脂層に低熱膨張性、低吸水性を付与することができる。
上記イミダゾール化合物の含有量としては特に限定されないが、上記シアネート樹脂とエポキシ樹脂との合計に対して、0.05〜5重量%とすることができ、好ましくは0.1〜5重量%、さらに好ましくは0.1〜3重量%である。これにより、特に樹脂組成物の耐熱性を向上させることができる。
The resin composition used in the present invention may contain an imidazole compound as a curing agent. Thereby, reaction of cyanate resin or an epoxy resin can be accelerated | stimulated, without reducing the insulation of a resin composition. The imidazole compound is not particularly limited, and examples thereof include 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2, 4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- (2'-undecylimidazolyl) -ethyl-s-triazine, 2, 4-Diamino-6- [2′-ethyl-4-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 1-benzyl-2-phenylimidazole and the like can be mentioned. Among these, an imidazole compound having two or more functional groups selected from an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a hydroxyalkyl group, and a cyanoalkyl group is preferable, and 2-phenyl- 4,5-dihydroxymethylimidazole is preferred. By using such an imidazole compound, the heat resistance of the resin composition can be improved, and low thermal expansion and low water absorption can be imparted to the resin layer formed from the resin composition.
Although it does not specifically limit as content of the said imidazole compound, It can be 0.05-5 weight% with respect to the sum total of the said cyanate resin and an epoxy resin, Preferably it is 0.1-5 weight%, Furthermore, Preferably it is 0.1 to 3 weight%. Thereby, especially the heat resistance of a resin composition can be improved.
さらに前記樹脂組成物に、ゴム成分、アミノ樹脂などを加えることも可能である。ゴム成分としては、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性ポリブタジエンゴム、カルボキシ基を
有するアクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシ基を有するメタクリロニトリルブタジエンゴム、アクリルゴム分散型エポキシ樹脂などが挙げられ、アミノ樹脂としては、メラミン樹脂、グアナミン樹脂、尿素樹脂などのアミノ樹脂またはこれらアミノ樹脂をアルキルエーテル化したものなどが挙げられる。また、ゴム成分とアミノ樹脂は、酸化性粗化液に対して分解または溶解可能であるものが好ましい。
Furthermore, it is also possible to add a rubber component, an amino resin or the like to the resin composition. Examples of the rubber component include polybutadiene rubber, epoxy-modified polybutadiene rubber, acrylonitrile butadiene rubber having a carboxy group, methacrylonitrile butadiene rubber having a carboxy group, an acrylic rubber dispersed epoxy resin, and the amino resin includes a melamine resin, Examples thereof include amino resins such as guanamine resin and urea resin, or those obtained by alkylating these amino resins. The rubber component and the amino resin are preferably those that can be decomposed or dissolved in the oxidizing roughening solution.
次に、絶縁層103へビアホール105を形成し、さらに絶縁層とその表面に形成する導体回路との密着性を向上させるために、酸化性粗化液により、絶縁層103の表面および、ビアホール105内壁に多孔質無機フィラーを露出させ、多層配線板製造途中の回路基板106を形成する(図1(3))。ビアホール105の形成方法としては、UV−YAGレーザ加工、CO2レーザ加工などが挙げられる。前記酸化性粗化液とは、酸化剤を含有した粗化剤であればよく、特に限定されるものではない。例えば、過マンガン酸塩、重クロム酸塩、過酸化水素・硫酸混合液、硝酸などの酸化剤を含有した混合液などが挙げられる。 Next, a via hole 105 is formed in the insulating layer 103, and in order to improve adhesion between the insulating layer and a conductor circuit formed on the surface, an oxidizing roughening solution is used to form the surface of the insulating layer 103 and the via hole 105. The porous inorganic filler is exposed on the inner wall to form the circuit board 106 in the middle of manufacturing the multilayer wiring board (FIG. 1 (3)). Examples of the method for forming the via hole 105 include UV-YAG laser processing and CO 2 laser processing. The oxidizing roughening solution may be a roughening agent containing an oxidizing agent, and is not particularly limited. For example, a permanganate, a dichromate, a hydrogen peroxide / sulfuric acid mixed solution, a mixed solution containing an oxidizing agent such as nitric acid, and the like can be given.
ここで、多孔質無機フィラーを絶縁層表面へ露出させるための方法は、多層配線板製造途中の回路基板106を酸化性粗化液へ浸漬し、処理条件(浸漬時間、処理温度)を調整することで可能である。
また、絶縁層表面およびビアホール内壁の表面粗さを0.4μm以下とするためには、酸化性粗化液により、硬化した樹脂成分が分解または溶解可能であれば、絶縁層103の硬化度を硬化温度により調整することで、目的の表面粗さにすることができる。
絶縁層の表面粗さを0.4μm以下とすることで、絶縁層とその上の回路との密着強度が優れるため、微細配線の形成が可能であり、絶縁層と表面の回路層との密着強度に優れた多層配線板を得ることが出来る。
Here, as a method for exposing the porous inorganic filler to the surface of the insulating layer, the circuit board 106 in the middle of the production of the multilayer wiring board is immersed in an oxidizing roughening solution, and the processing conditions (immersion time, processing temperature) are adjusted. Is possible.
Further, in order to make the surface roughness of the insulating layer surface and the inner wall of the via hole 0.4 μm or less, if the cured resin component can be decomposed or dissolved by the oxidizing roughening liquid, the degree of curing of the insulating layer 103 is increased. By adjusting by the curing temperature, the target surface roughness can be obtained.
By setting the surface roughness of the insulating layer to 0.4 μm or less, the adhesion strength between the insulating layer and the circuit on it is excellent, so fine wiring can be formed, and the insulating layer and the surface circuit layer are in close contact with each other. A multilayer wiring board having excellent strength can be obtained.
次に、絶縁層103の表面および、ビアホール105内壁に無電解銅めっき層107を形成し、多層配線板製造途中の回路基板108を得る(図1(4))。無電解銅めっき層107の厚みは、0.3〜2μm程度である。 Next, the electroless copper plating layer 107 is formed on the surface of the insulating layer 103 and the inner wall of the via hole 105 to obtain the circuit board 108 in the middle of manufacturing the multilayer wiring board (FIG. 1 (4)). The thickness of the electroless copper plating layer 107 is about 0.3 to 2 μm.
次に、無電解銅めっき層107上へ、めっきレジスト109を選択的に形成し、多層配線板製造途中の回路基板110を得る(図2(5))。めっきレジストの形成方法は、感光性樹脂を多層配線板製造途中の回路基板108へ形成し、露光、現像することで、パターンニングしためっきレジストを得ることが出来る。感光性樹脂としては、ドライフィルムタイプのものが挙げられ、形成方法としては、ラミネートが挙げられる。 Next, a plating resist 109 is selectively formed on the electroless copper plating layer 107 to obtain a circuit board 110 in the middle of manufacturing the multilayer wiring board (FIG. 2 (5)). As a method for forming a plating resist, a patterned plating resist can be obtained by forming a photosensitive resin on the circuit board 108 in the middle of manufacturing a multilayer wiring board, exposing and developing the photosensitive resin. Examples of the photosensitive resin include dry film types, and examples of the forming method include lamination.
次に、電解銅めっき層111をめっきレジスト109の非形成部である無電解銅めっき層107上に電解銅めっきにより所望の厚さになるまで析出させ多層配線板製造途中の回路基板112を得る(図2(6))。
次に多層配線板製造途中の回路基板112からめっきレジスト109をアルカリ性溶液により、剥離し、多層配線板製造途中の回路基板113を得(図2(7))、次いで、めっきレジスト109剥離により露出している部分の無電解銅めっき層をソフトエッチングにより除去し、多層配線板114を得る(図2(8))。
多層配線板114へ前述の絶縁層を形成する工程以下を繰り返すことで、導体回路の絶縁層との密着性に優れ、微細配線形成が可能な多層配線板を得ることが出来る。
Next, the electrolytic copper plating layer 111 is deposited on the electroless copper plating layer 107 where the plating resist 109 is not formed to a desired thickness by electrolytic copper plating to obtain a circuit board 112 in the middle of manufacturing the multilayer wiring board. (FIG. 2 (6)).
Next, the plating resist 109 is peeled off from the circuit board 112 in the middle of manufacturing the multilayer wiring board with an alkaline solution to obtain a circuit board 113 in the middle of manufacturing the multilayer wiring board (FIG. 2 (7)), and then exposed by peeling off the plating resist 109. The portion of the electroless copper plating layer that has been removed is removed by soft etching to obtain a multilayer wiring board 114 (FIG. 2 (8)).
By repeating the above-described steps for forming the insulating layer on the multilayer wiring board 114, a multilayer wiring board having excellent adhesion to the insulating layer of the conductor circuit and capable of forming fine wiring can be obtained.
以下、本発明を実施例および比較例を用いて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本実施例では、多孔質無機フィラーの作製および多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの形成をまず説明し、その後でそれらを用いた多層配線板の製造方法を説明する。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example and a comparative example, this invention is not limited to these. In this example, the production of a porous inorganic filler and the formation of an insulating layer film containing the porous inorganic filler are first described, and then a method for producing a multilayer wiring board using them is described.
[実施例1]
<多孔質無機フィラーの作製および多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの作製>
まず、無機微粒子として、平均粒径12nmのシリカ粒子を水溶液に分散させたシリカゾル(日産化学工業(株)製 スノーテック30)を使用し、ビーカーに水を50cc、シリカゾルを11g、孔形成剤として、KBrを10g、シリカゾルのゲル化防止のために硝酸をPH4.0程度になるように順に加え攪拌した。次に攪拌した試料をシャーレに移し、ホットプレートを用いて100〜120℃で乾燥した。乾燥した試料を粉砕し、70〜300メッシュの粒度に分級を行った。分級後の試料を焼成皿に載せ、全自動開閉式管状路(ISUZU製 EKRO−23)にて20℃から600℃まで、3℃/minの速さで昇温し、600℃で2時間保持したあと、5℃/minで冷却した。焼成した試料を80℃の熱水中で湯洗し、焼成体中のKBrを溶解除去した。その後、真空乾燥し、平均粒径100μmのSiO2骨格の多孔質無機フィラーを得た。
次に、絶縁層を作製するための樹脂組成物の調製として、ノボラック型シアネート樹脂PT−60(ロンザ(株)製、数平均分子量560)33重量部、ノボラック型シアネート樹脂PT−30(ロンザ(株)製、数平均分子量380)10重量部、ビスフェノールF型フェノキシ樹脂エピコート4010P(JER(株)製、数平均分子量6,000)15重量部、ノボラック型フェノール樹脂HF−3(住友ベークライト(株)製)2重量部をメチルエチルケトンに溶解し10分間攪拌した。
攪拌後、更に、前記SiO2骨格の多孔質無機フィラーを40重量部および界面活性剤としてエポキシシランカップリング剤A−187(日本ユニカー(株)製)を前記SiO2骨格の多孔質無機フィラーに対して0.5重量部添加して、樹脂組成物を調合した。
この樹脂組成物を3本ロールで、ギャップ50μm、ついで10μmにて粉砕、混練し、平均粒径5μmの多孔質無機フィラーを含む樹脂組成物を得た。この樹脂組成物をPETフィルム上に乾燥後の厚みが60μmとなるようにコンマコーターで塗工し、多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを作製した。
[Example 1]
<Preparation of porous inorganic filler and preparation of insulating layer film containing porous inorganic filler>
First, as inorganic fine particles, silica sol (Snowtech 30 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) in which silica particles having an average particle diameter of 12 nm are dispersed in an aqueous solution is used, and 50 cc of water and 11 g of silica sol are used as a pore-forming agent in a beaker. In order to prevent gelation of silica sol, 10 g of KBr and nitric acid were sequentially added to a pH of about 4.0 and stirred. Next, the stirred sample was transferred to a petri dish and dried at 100 to 120 ° C. using a hot plate. The dried sample was pulverized and classified to a particle size of 70 to 300 mesh. The sample after classification is placed on a baking dish, and the temperature is raised from 20 ° C. to 600 ° C. at a rate of 3 ° C./min in a fully automatic opening and closing type tubular path (EKRO-23 manufactured by ISUZU) and held at 600 ° C. for 2 hours. And then cooled at 5 ° C./min. The fired sample was washed with hot water at 80 ° C. to dissolve and remove KBr in the fired body. Then vacuum dried to obtain a porous inorganic filler SiO 2 skeleton of an average particle diameter of 100 [mu] m.
Next, as preparation of the resin composition for producing an insulating layer, 33 parts by weight of a novolak cyanate resin PT-60 (manufactured by Lonza Co., Ltd., number average molecular weight 560), novolak cyanate resin PT-30 (Lonza ( Co., Ltd., number average molecular weight 380) 10 parts by weight, bisphenol F type phenoxy resin Epicoat 4010P (manufactured by JER, number average molecular weight 6,000) 15 parts by weight, novolac type phenol resin HF-3 (Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) 2) parts by weight were dissolved in methyl ethyl ketone and stirred for 10 minutes.
After stirring, 40 parts by weight of the porous inorganic filler having the SiO 2 skeleton and surfactant as an epoxy silane coupling agent A-187 (manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd.) were used as the porous inorganic filler having the SiO 2 skeleton. On the other hand, a resin composition was prepared by adding 0.5 parts by weight.
This resin composition was pulverized and kneaded with three rolls with a gap of 50 μm and then 10 μm to obtain a resin composition containing a porous inorganic filler having an average particle diameter of 5 μm. This resin composition was coated on a PET film with a comma coater so that the thickness after drying was 60 μm, and an insulating layer film containing a porous inorganic filler was produced.
<多層配線板および密着強度評価用基板の製造>
厚さ12μmの銅箔を両面に有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(住友ベークライト(株)製、ELC−4785GS)にサブトラクティブ法により回路基板を形成した。この回路基板の上に、多孔質無機フィラーが含有した前記絶縁層フィルムを真空プレス((株)名機製作所製 MVLP−500/600−IIA)にて、1回目が、温度80℃、圧力0.5MPa、2回目が100℃、1.0MPaの条件で、絶縁層を両面に形成し、PETフィルムを剥がしたのち、170℃45分間加熱した。
次に、UV−YAGレーザ加工機(三菱電機(株)製)でビアホールを形成し、絶縁層表面に多孔質フィラーを露出させるために、絶縁層の表面洗浄、活性化のため、主成分がモノエチルブチルアルコールの溶液((株)ロームアンドハース電子材料製、MLBコンディショナー)に液温80℃、10分間浸漬し、ついで、酸化性粗化液である過マンガン酸カリウムを主成分とする溶液((株)ロームアンドハース電子材料製、MLBプロモーター)に液温80℃、20分間浸漬し、ついで、マンガン残渣洗浄のため、硫酸溶液((株)ロームアンドハース電子材料製、MLBニュートライザー)で、液温40℃、5分間浸漬し、さらに水洗および湯洗を行った。
続いて、無電解銅めっき液((株)アトテック製 プリントガントMSK−DKシリーズ)を用いて、厚さ1.0μmの無電解銅めっき層を両面に形成し、感光性ドライフィルム(東京応化工業(株)製 AR−320)を無電解めっき層上に両面にラミネータで形成し、露光、現像して、めっきレジストを形成し、めっきレジストの非形成部へ電解銅めっきにより、厚み14μmの電解銅めっき層を両面に形成した。
その後、めっきレジストを剥離し露出した無電解銅めっき層を、ソフトエッチング液((株)荏原電産製 SAC)で除去して、最小のL/Sが10μm/10μmである微細
配線100本を有する導体回路を両面に形成し、多層配線板とした。
次に、密着強度の評価用基板の作製として、厚さ12μmの銅箔を両面に有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(住友ベークライト(株)製、ELC−4785GS)の片面に、多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを前述と同様に形成し、絶縁層の表面へ、無電解銅めっき層を1.0μm、電解銅めっき層を34μmの計35μmの導体層を形成した。
以下の方法により、評価を行い、評価結果を表1に示す。
<Manufacture of multilayer wiring boards and substrates for adhesion strength evaluation>
A circuit board was formed on a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (ELC-4785GS, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) having a 12 μm thick copper foil on both sides by a subtractive method. On the circuit board, the insulating layer film containing the porous inorganic filler was vacuum-pressed (MVLP-500 / 600-IIA, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) for the first time at a temperature of 80 ° C. and a pressure of 0 An insulating layer was formed on both surfaces under the conditions of 0.5 MPa, 100 ° C. and 1.0 MPa for the second time, and the PET film was peeled off, followed by heating at 170 ° C. for 45 minutes.
Next, in order to form a via hole with a UV-YAG laser processing machine (manufactured by Mitsubishi Electric Corporation) and expose the porous filler on the surface of the insulating layer, the main component is used for cleaning and activating the surface of the insulating layer. Immerse in a solution of monoethylbutyl alcohol (MLB conditioner, manufactured by Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) at a liquid temperature of 80 ° C. for 10 minutes, and then a solution mainly composed of an oxidizing roughening solution, potassium permanganate. (Solution: Rohm and Haas Electronic Materials, MLB Promoter) Soaked in sulfuric acid solution (MLB Neutizer, Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.) for 20 minutes at a liquid temperature of 80 ° C. Then, it was immersed in a liquid temperature of 40 ° C. for 5 minutes, and further washed with water and hot water.
Subsequently, using an electroless copper plating solution (print Gantt MSK-DK series manufactured by Atotech Co., Ltd.), an electroless copper plating layer having a thickness of 1.0 μm is formed on both sides, and a photosensitive dry film (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). AR-320 manufactured by Co., Ltd. is formed on both surfaces of the electroless plating layer with a laminator, exposed and developed to form a plating resist, and electrolytic plating with a thickness of 14 μm is performed by electrolytic copper plating on the portion where the plating resist is not formed. Copper plating layers were formed on both sides.
Thereafter, the electroless copper plating layer exposed by peeling the plating resist is removed with a soft etching solution (SAC manufactured by Ebara Densan Co., Ltd.), and 100 fine wirings having a minimum L / S of 10 μm / 10 μm are obtained. The conductor circuit which has it was formed in both surfaces, and it was set as the multilayer wiring board.
Next, as a substrate for evaluation of adhesion strength, on one side of a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (Sumitomo Bakelite Co., Ltd., ELC-4785GS) having a 12 μm thick copper foil on both sides, An insulating layer film containing a porous inorganic filler was formed in the same manner as described above, and a conductor layer of 35 μm in total was formed on the surface of the insulating layer, with an electroless copper plating layer of 1.0 μm and an electrolytic copper plating layer of 34 μm.
Evaluation is performed by the following method, and the evaluation results are shown in Table 1.
<評価方法>
1.微細配線形成検査:上記多層配線板の両面に形成された微細配線(計200本)を測長顕微鏡により観察し、剥離や形成不良部分があった本数を数えた。
2.表面粗さの測定:上記多層配線板の絶縁層の表面に多孔質無機フィラーを露出させた後に絶縁層の表面をレーザ顕微鏡((株)キーエンス製 VK−8000)で表面粗さRaを測定した(単位:μm)。
3.密着強度の測定:密着強度の試験方法は、前記密着強度評価用基板を用いて、JIS
C 6481「プリント配線板用銅張積層板試験方法」に準拠して行った。
<Evaluation method>
1. Fine wiring formation inspection: The fine wiring (total 200 lines) formed on both surfaces of the multilayer wiring board was observed with a length measuring microscope, and the number of peeled or poorly formed parts was counted.
2. Measurement of surface roughness: After exposing the porous inorganic filler to the surface of the insulating layer of the multilayer wiring board, the surface roughness Ra of the surface of the insulating layer was measured with a laser microscope (VK-8000, manufactured by Keyence Corporation). (Unit: μm).
3. Measurement of adhesion strength: The adhesion strength test method uses the above-mentioned adhesion strength evaluation substrate, and JIS
C 6481 “Test method for copper-clad laminate for printed wiring board”
[実施例2]
<多孔質無機フィラーおよび多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの作製、並びに多層配線板および密着強度評価用基板の製造> 絶縁層に用いる多孔質無機フィラーの含有量を60重量部にした以外、実施例1と同様に絶縁層フィルム、多層配線板、および密着強度評価用基板を作製し、評価した。
[Example 2]
<Preparation of Porous Inorganic Filler and Insulating Layer Film Containing Porous Inorganic Filler, and Production of Multilayer Wiring Board and Adhesion Strength Evaluation Substrate> Except that the content of the porous inorganic filler used in the insulating layer is 60 parts by weight In the same manner as in Example 1, an insulating layer film, a multilayer wiring board, and an adhesion strength evaluation substrate were prepared and evaluated.
[実施例3]
<多孔質無機フィラーおよび多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの作製、並びに多層配線板および密着強度評価用基板の製造>
絶縁層を作製するための樹脂組成物の調製として、ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン(株)製、プリマセットPT−30、重量平均分子量約700)25重量部、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、NC−3000、エポキシ当量275、重量平均分子量2000)24.7重量部、フェノキシ樹脂/ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールSエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−8100H30、重量平均分子量30000)10重量部、イミダゾール化合物(四国化成工業(株)製、キュアゾール1B2PZ(1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール))0.1重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させ、実施例1と同様に作製した多孔質無機フィラー40重量部とカップリング剤としてエポキシシランカップリング剤(GE東芝シリコーン(株)製、A−187)0.2重量部を添加して、10分間攪拌して、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を3本ロールで、ギャップ50μm、ついで10μmにて粉砕、混練し、平均粒径5μmの多孔質無機フィラーを含む樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を用いて実施例1と同様に多孔質無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを作製した。
以下、実施例1と同様に多層配線板および密着強度評価用基板を作製し、評価した。
[Example 3]
<Production of porous inorganic filler and insulating layer film containing porous inorganic filler, and production of multilayer wiring board and adhesion strength evaluation substrate>
As the preparation of the resin composition for producing the insulating layer, 25 parts by weight of a novolac-type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30, weight average molecular weight of about 700), biphenyldimethylene type epoxy resin (Japan) Kayaku Co., Ltd., NC-3000, epoxy equivalent 275, weight average molecular weight 2000) 24.7 parts by weight, a copolymer of phenoxy resin / biphenyl epoxy resin and bisphenol S epoxy resin, the terminal part being an epoxy group 10 parts by weight (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., YX-8100H30, weight average molecular weight 30000), imidazole compound (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd., Curesol 1B2PZ (1-benzyl-2-phenylimidazole)) Example 1) 0.1 part by weight was dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone. Similarly, 40 parts by weight of the porous inorganic filler prepared and 0.2 part by weight of an epoxy silane coupling agent (GE Toshiba Silicone Co., Ltd., A-187) as a coupling agent were added and stirred for 10 minutes. A resin composition was obtained. This resin composition was pulverized and kneaded with three rolls with a gap of 50 μm and then 10 μm to obtain a resin composition containing a porous inorganic filler having an average particle diameter of 5 μm. Using this resin composition, an insulating layer film containing a porous inorganic filler was produced in the same manner as in Example 1.
Hereinafter, a multilayer wiring board and a substrate for adhesion strength evaluation were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1.
[比較例1]
実施例1で使用した多孔質無機フィラーの代わりに球形無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを作製した。
<球形無機フィラーを含有した絶縁層フィルムの作製>
ノボラック型シアネート樹脂PT−60(ロンザ(株)製、数平均分子量560)33重量部、ノボラック型シアネート樹脂PT−30(ロンザ(株)製、数平均分子量380)10重量部、ビスフェノールF型フェノキシ樹脂エピコート4010P(JER(株)製、数平均分子量6,000)15重量部、ノボラック型フェノール樹脂HF−3(住友
ベークライト(株)製)2重量部をメチルエチルケトンに溶解した。球形無機フィラーとして球状溶融シリカSO−25H(アドマテックス(株)製、平均粒径0.5μm)40重量部および界面活性剤としてエポキシシランカップリング剤A−187(日本ユニカー(株)製)を、球形無機フィラーに対して0.5重量部添加して、高速攪拌機を用いて10分間攪拌して固形分60重量%の樹脂組成物を得た。この樹脂組成物をPETフィルム上に乾燥後の厚みが60μmとなるようにコンマコーターで塗工し、球形無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを作製した。
[Comparative Example 1]
An insulating layer film containing a spherical inorganic filler instead of the porous inorganic filler used in Example 1 was produced.
<Preparation of insulating layer film containing spherical inorganic filler>
33 parts by weight of novolak-type cyanate resin PT-60 (manufactured by Lonza, Inc., number average molecular weight 560), 10 parts by weight of novolac-type cyanate resin PT-30 (manufactured by Lonza, Inc., number average molecular weight 380), bisphenol F-type phenoxy Resin Epicoat 4010P (manufactured by JER Corporation, number average molecular weight 6,000) 15 parts by weight and novolac type phenolic resin HF-3 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) 2 parts by weight were dissolved in methyl ethyl ketone. Spherical fused silica SO-25H (manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle size 0.5 μm) 40 parts by weight as a spherical inorganic filler and an epoxy silane coupling agent A-187 (manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) as a surfactant Then, 0.5 part by weight was added to the spherical inorganic filler and stirred for 10 minutes using a high-speed stirrer to obtain a resin composition having a solid content of 60% by weight. This resin composition was coated on a PET film with a comma coater so that the thickness after drying was 60 μm, and an insulating layer film containing a spherical inorganic filler was produced.
<多層配線板および密着強度評価用基板の製造>
多孔質無機フィラーの代わりに球形無機フィラーを含有した絶縁層フィルムを使用した以外、実施例1と同様に多層配線板および密着強度評価用基板を作製し、実施例1と同様に評価した。
<Manufacture of multilayer wiring boards and substrates for adhesion strength evaluation>
A multilayer wiring board and a substrate for adhesion strength evaluation were prepared in the same manner as in Example 1 except that an insulating layer film containing a spherical inorganic filler was used instead of the porous inorganic filler, and evaluated in the same manner as in Example 1.
[比較例2]
実施例1において、絶縁層の表面に多孔質フィラーを露出させる工程を省き、多孔質無機フィラーが露出しない構造とした以外は、実施例1と同様に多層配線板および密着強度評価用基板を作製し、実施例1と同様に評価した。
[Comparative Example 2]
In Example 1, the step of exposing the porous filler to the surface of the insulating layer was omitted, and a multilayer wiring board and a substrate for evaluating adhesion strength were produced in the same manner as in Example 1 except that the porous inorganic filler was not exposed. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1.
本発明の多層配線板の製造方法により、絶縁層表面の凹凸の大きさが従来よりも小さくでき、導体回路と絶縁層の密着強度に優れ、微細配線を形成できる多層配線板を提供できる。 According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, it is possible to provide a multilayer wiring board in which the size of the irregularities on the surface of the insulating layer can be made smaller than before, the adhesion strength between the conductor circuit and the insulating layer is excellent, and fine wiring can be formed.
100 絶縁基板
101 導体回路
102 回路基板
103 絶縁層
104、106、108、110、112、113、多層配線板製造途中の回路基板
105 ビアホール
107 無電解銅めっき層
109 めっきレジスト
111 電解銅めっき層
114 多層配線板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Insulating board 101 Conductor circuit 102 Circuit board 103 Insulating layer 104,106,108,110,112,113 Circuit board 105 in the middle of multilayer wiring board manufacture Via hole 107 Electroless copper plating layer 109 Plating resist 111 Electrolytic copper plating layer 114 Multilayer Wiring board
Claims (4)
該絶縁層を酸化性粗化液により絶縁層表面に前記多孔質無機フィラーを露出させる工程を有することを特徴とする多層配線板の製造方法。 Forming an insulating layer containing a porous inorganic filler on the surface of a circuit board made of an insulating substrate on which a conductor circuit is formed;
A method for producing a multilayer wiring board, comprising the step of exposing the porous inorganic filler to the surface of the insulating layer with an oxidizing roughening solution.
絶縁層へビアホールを形成する工程、
酸化性粗化液により絶縁層表面およびビアホール内壁へ前記多孔質無機フィラーを露出させる工程、
絶縁層表面およびビアホール内壁へ無電解銅めっき層を形成する工程、
無電解銅めっき層表面へめっきレジストを形成する工程、
非めっきレジスト形成面へ電解銅めっきにより銅厚付けする工程、
めっきレジストを除去し、めっきレジスト形成部の無電解銅めっき層を除去する工程、
をこの順に繰り返すことを特徴とする多層配線板の製造方法。 Forming an insulating layer containing a porous inorganic filler on the surface of a circuit board made of an insulating substrate on which a conductor circuit is formed;
Forming a via hole in the insulating layer;
Exposing the porous inorganic filler to the surface of the insulating layer and the inner wall of the via hole with an oxidizing roughening solution;
Forming an electroless copper plating layer on the insulating layer surface and the inner wall of the via hole;
Forming a plating resist on the surface of the electroless copper plating layer;
A process of thickening copper on the non-plated resist-formed surface by electrolytic copper plating,
Removing the plating resist and removing the electroless copper plating layer in the plating resist forming portion;
A multilayer wiring board manufacturing method characterized by repeating the steps in this order.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006337450A JP2007189216A (en) | 2005-12-16 | 2006-12-14 | Method of manufacturing multilayer wiring board |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005363642 | 2005-12-16 | ||
JP2006337450A JP2007189216A (en) | 2005-12-16 | 2006-12-14 | Method of manufacturing multilayer wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007189216A true JP2007189216A (en) | 2007-07-26 |
Family
ID=38344130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006337450A Pending JP2007189216A (en) | 2005-12-16 | 2006-12-14 | Method of manufacturing multilayer wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007189216A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009022461A1 (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device, circuit device manufacturing method and portable device |
JP2009044092A (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Sanyo Electric Co Ltd | Circuit device, its manufacturing method and portable device |
WO2009028738A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Luminescent module, and its manufacturing method |
JP2009088169A (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Element mounting substrate, semiconductor module, and method of manufacturing element mounting substrate |
CN105493278A (en) * | 2013-08-29 | 2016-04-13 | 高通股份有限公司 | Ultra fine pitch and spacing interconnects for substrate |
JP2019083303A (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-30 | 京セラ株式会社 | Wiring board |
-
2006
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009022461A1 (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device, circuit device manufacturing method and portable device |
JP2009044092A (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Sanyo Electric Co Ltd | Circuit device, its manufacturing method and portable device |
US8258620B2 (en) | 2007-08-10 | 2012-09-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device, method of manufacturing the circuit device, device mounting board and semiconductor module |
WO2009028738A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Luminescent module, and its manufacturing method |
JP2009059870A (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting module and manufacturing method thereof |
KR101129117B1 (en) | 2007-08-31 | 2012-03-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | Luminescent module, and its manufacturing method |
JP2009088169A (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Element mounting substrate, semiconductor module, and method of manufacturing element mounting substrate |
CN105493278A (en) * | 2013-08-29 | 2016-04-13 | 高通股份有限公司 | Ultra fine pitch and spacing interconnects for substrate |
JP2016530698A (en) * | 2013-08-29 | 2016-09-29 | クアルコム,インコーポレイテッド | Ultra fine pitch and spacing interconnects for substrates |
CN105493278B (en) * | 2013-08-29 | 2019-06-07 | 高通股份有限公司 | Ultra-fine spacing and interval interconnection for substrate |
JP2019083303A (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-30 | 京セラ株式会社 | Wiring board |
JP7011946B2 (en) | 2017-10-27 | 2022-01-27 | 京セラ株式会社 | Wiring board |
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