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JP2007182601A - Winding-type composite vacuum surface treatment apparatus, and surface treatment method for film - Google Patents

Winding-type composite vacuum surface treatment apparatus, and surface treatment method for film Download PDF

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JP2007182601A
JP2007182601A JP2006001023A JP2006001023A JP2007182601A JP 2007182601 A JP2007182601 A JP 2007182601A JP 2006001023 A JP2006001023 A JP 2006001023A JP 2006001023 A JP2006001023 A JP 2006001023A JP 2007182601 A JP2007182601 A JP 2007182601A
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JP
Japan
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film
surface treatment
roll
vacuum
processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP2006001023A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiro Ishii
芳朗 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP2006001023A priority Critical patent/JP2007182601A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a winding-type composite vacuum surface treatment apparatus which simultaneously conducts a plurality of surface treatments in the same apparatus, and is small and inexpensive because of having multiple functions. <P>SOLUTION: This apparatus directs at surface-treating a film 13 which moves along a can roll 12 that rotates in a vacuum vessel 10, and comprises: a pair of first masking shields 17 for separating a treatment zone from rolls 12a and 12b for unwinding and winding the film; second masking shields 18 for sectioning the inside of the treatment zone including at least two surface treatment means into a plurality of treatment chambers A, B and C; and masking plates 19 which are movably arranged in each of the treatment chambers A, B and C and cover a portion of the film except a position to be surface-treated of the film, which faces to one surface treatment means. Then, the apparatus can select the surface treatment means which faces to the film treatment position and is arranged in every treatment chamber of the chambers A, B and C, by moving the masking plates 19. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、フィルムに乾燥、前処理、薄膜形成などの各種の表面処理を施すことができる巻取式複合表面処理装置、並びにこの装置を用いてフィルムの表面処理を行う方法に関する。   The present invention relates to a roll-up type composite surface treatment apparatus capable of performing various surface treatments such as drying, pretreatment, and thin film formation on a film, and a method for performing film surface treatment using this apparatus.

近年、プラスチック等のフィルムを基材とし、その表面に薄膜を形成した機能性フィルムの開発が盛んに行われている。例えば、パッケージ分野では、フィルム表面にSiOx、MgO、AlOx等から選ばれた少なくとも1種の金属酸化物からなる薄膜を形成することによって、透明で且つ酸素や水蒸気等の気体遮断性を有する食品保存性に優れたガスバリヤーフィルムが提供されている。   In recent years, a functional film having a thin film formed on the surface of a plastic film or the like as a base material has been actively developed. For example, in the packaging field, by forming a thin film made of at least one kind of metal oxide selected from SiOx, MgO, AlOx, etc. on the film surface, it is transparent and preserves food having gas barrier properties such as oxygen and water vapor. A gas barrier film having excellent properties is provided.

また、エレクトロニクス分野においては、ディスプレイ用途として、ディスプレイ表面の反射を防止し、視認性を向上した反射防止フィルム等が広く使用されている。このフィルムは、TiO、ZrO、Nb等の高屈折率層、Al等の中屈折率層、SiO等の低屈折率層を積層した、異なる屈折率からなる多層薄膜をフィルム上に形成したものである。 In the electronics field, antireflection films and the like that prevent reflection on the display surface and improve visibility are widely used as display applications. This film is a multilayer thin film having different refractive indexes in which a high refractive index layer such as TiO 2 , ZrO, and Nb 2 O 5 , a middle refractive index layer such as Al 2 O 3 , and a low refractive index layer such as SiO 2 are laminated. Is formed on a film.

また、液晶ディスプレイでは、画素の小型化が進むに伴って、それに接続されるフレキシブル回路基板は高精度のパターンが必須となり、同時に狭ピッチに伴う電気的な信頼性の確保が一層要望されている。そのため最近では、ポリイミドフィルム上にスパッタリングや蒸着等により下地としてニッケル、クロム等の異種の金属層を設け、その上に電解銅めっきを施すことによって、接着剤を用いずに高い接着力を有する銅ポリイミドフレキシブル基板が重要になってきている。   In addition, in liquid crystal displays, with the progress of pixel miniaturization, a flexible circuit board connected to the liquid crystal display requires a highly accurate pattern, and at the same time, there is a further demand for ensuring electrical reliability associated with a narrow pitch. . Therefore, recently, copper with high adhesive strength without using an adhesive can be obtained by providing a different metal layer such as nickel or chromium as a base on a polyimide film by sputtering or vapor deposition, and applying electrolytic copper plating on it. Polyimide flexible substrates are becoming important.

これらの機能性フィルムを製造する場合、基材となるフィルムに機能性を付与するため薄膜を形成する必要があるが、枚葉式では生産性や製造コストに劣るため、プラスチックフィルムを連続的に移動させながら薄膜を形成することが望ましい。そのための装置として、一般に、真空環境下でフィルムをロール間で移動させながら、連続的に薄膜形成を行う巻取式真空成膜装置が用いられている。   When manufacturing these functional films, it is necessary to form a thin film in order to impart functionality to the film that is the base material. It is desirable to form a thin film while moving it. As an apparatus for that purpose, a winding-type vacuum film forming apparatus for continuously forming a thin film while moving a film between rolls in a vacuum environment is generally used.

従来から使用されている最も基本的な巻取式真空成膜装置としては、特開2002−60931公報に記載された構造を有するものがある。即ち、図1に示すように、真空チャンバ1の内部にフィルム2の搬送手段と共に、薄膜形成手段(図示せず)を具備した薄膜形成部3が設置され、真空チャンバ1の内部は真空ポンプ等から構成される排気系4により高真空まで排気される。巻出ロール5から連続的に送り出されたフィルム2は、巻取ロール6で巻き取られる間に、1つの成膜ドラム7上において薄膜形成部2により成膜されるようになっている。   As the most basic winding-type vacuum film forming apparatus used conventionally, there is one having a structure described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-60931. That is, as shown in FIG. 1, a thin film forming section 3 having a thin film forming means (not shown) is installed in the vacuum chamber 1 together with a film 2 conveying means, and the inside of the vacuum chamber 1 is a vacuum pump or the like. It is exhausted to a high vacuum by an exhaust system 4 comprising: The film 2 continuously fed from the unwinding roll 5 is formed into a film by the thin film forming unit 2 on one film forming drum 7 while being wound by the winding roll 6.

上記の薄膜形成手段については、物理的成膜法として真空蒸着法、スパッタリング法等があり、化学的成膜法として化学的気相成長法(CVD)等が用いられている。真空蒸着法は、抵抗加熱や電子銃照射により成膜材料を加熱蒸発させ、基材上に薄膜を形成する方法である。蒸着の際に、薄膜の密着性、緻密化を目的として、蒸発源と基材の間にプラズマを形成させるプラズマアシスト蒸着法も知られている。尚、プラズマの形成は、真空成膜装置内に設置した放電用の電極に直流又は交流の電圧を印加したり、導波管を用いてマイクロ波を任意の場所に照射したりすることによって形成することができる。   As for the above thin film forming means, there are a vacuum deposition method and a sputtering method as a physical film formation method, and a chemical vapor deposition method (CVD) or the like is used as a chemical film formation method. The vacuum deposition method is a method of forming a thin film on a substrate by heating and evaporating a film forming material by resistance heating or electron gun irradiation. A plasma-assisted vapor deposition method is also known in which plasma is formed between an evaporation source and a substrate for the purpose of adhesion and densification of a thin film during vapor deposition. The plasma is formed by applying a DC or AC voltage to a discharge electrode installed in a vacuum film forming apparatus or irradiating a microwave with a microwave using a waveguide. can do.

また、スパッタリング法は、成膜材料をプレート状に成形したターゲットを用い、このターゲットを放電用電極として上記プラズマ発生方法を用いて基材とターゲットの間にプラズマを発生させ、電位勾配を用いてターゲット表面にイオンを照射衝突させることによって、ターゲット物質を叩き出して基材上にターゲット物質の薄膜を形成する方法である。更に、化学的気相成長法(CVD)は、基材近傍に無機又は有機若しくはこれらの混合物を原料ガスとして気化導入し、加熱やプラズマを用いて化学反応させることによって、基材上に薄膜を形成する方法である。プラズマを用いた場合、スパッタリングと同様の装置構成を用いることも可能である。   In addition, the sputtering method uses a target obtained by forming a film forming material into a plate shape, generates plasma between the substrate and the target using the plasma generation method using the target as a discharge electrode, and uses a potential gradient. In this method, a target material is knocked out by irradiating and colliding ions with a target surface to form a thin film of the target material on a substrate. Furthermore, chemical vapor deposition (CVD) is a method in which an inorganic or organic material or a mixture thereof is vaporized and introduced as a raw material gas in the vicinity of a substrate, and a thin film is formed on the substrate by a chemical reaction using heating or plasma. It is a method of forming. When plasma is used, an apparatus configuration similar to sputtering can be used.

上記の薄膜形成手段のいずれにおいても、成膜の際にプラズマを用いることによって薄膜の密着性や緻密化に効果があることが確認されている。従って、プラズマを用いる薄膜形成手段は、ガスバリヤーフィルムでは気体遮断性の向上等に、反射防止フィルムでは光学特性の改善等に、また銅ポリイミドフレキシブル基板では銅層との密着性の向上等に対し、有効な方法として実用化されている。   In any of the above-described thin film forming means, it has been confirmed that the use of plasma during film formation has an effect on the adhesion and densification of the thin film. Therefore, the means for forming a thin film using plasma is to improve gas barrier properties for gas barrier films, improve optical properties for antireflection films, and improve adhesion to copper layers for copper polyimide flexible substrates. It has been put to practical use as an effective method.

しかし、図1に示すような巻取式真空成膜装置では、単層の薄膜の形成は簡単であるが、複数の薄膜を積層する場合には、フィルムの走行方向に沿って複数の薄膜形成手段を配置するか、若しくはフィルムを往復して走行可能にし、積層に必要な回数に応じて複数の薄膜形成手段を通過させることが必要となる。   However, in the winding type vacuum film forming apparatus as shown in FIG. 1, it is easy to form a single layer thin film. However, when laminating a plurality of thin films, a plurality of thin film formations are performed along the running direction of the film. It is necessary to arrange the means or to make the film reciprocate so that a plurality of thin film forming means can be passed depending on the number of times required for lamination.

このような薄膜の積層形成に用いる巻取式真空成膜装置として、特開2003−178436公報には、図2に示すように、真空チャンバ1の内部に複数の温度制御可能な成膜ドラム7a、7bを配置した成膜装置が記載されている。この成膜装置によれば、巻出ロール5から送り出されて巻取ロール6で巻き取られるフィルム2は、複数の成膜ドラム7a、7bを通過する間に、各成膜ドラム7a、7bの円周面に対向して設けた複数のカソード組立体8により、フィルム2上に異なる材質の薄膜を順次低温で成膜することができる。   As a wind-up type vacuum film forming apparatus used for forming such a thin film, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-178436 discloses a plurality of film forming drums 7a capable of temperature control inside a vacuum chamber 1, as shown in FIG. , 7b is described. According to this film forming apparatus, the film 2 fed from the unwinding roll 5 and taken up by the take-up roll 6 passes through the plurality of film forming drums 7a and 7b. Thin films of different materials can be sequentially formed on the film 2 at a low temperature by the plurality of cathode assemblies 8 provided to face the circumferential surface.

特開2002−60931号公報JP 2002-60931 A 特開2003−178436号公報JP 2003-178436 A

上記した従来の巻取式真空表面処理装置の場合、1つの装置で同時に複数の表面処理を行うことは難しかった。例えば、各種の表面処理手段を装置内の成膜ドラムの周辺各所に連続して接するように配置し、複数の処理を異なったフィルム処理位置において実施しようとすると、装置が大型化するだけでなく、フィルムにしわが発生したり、品質が低下したりする問題があった。そのため、フィルムに複数の表面処理を実施するためには、異なる処理装置を用いる必要があった。しかし、異なる処理装置を用いる方法では、処理工数やコストの増加を招くと同時に、装置間を移送する間にフィルムが大気に触れるため、形成した薄膜にピンホールが発生したり密着性が低下したりしやすいという問題があった。   In the case of the conventional winding type vacuum surface treatment apparatus described above, it has been difficult to perform a plurality of surface treatments simultaneously with one apparatus. For example, if various surface treatment means are arranged so as to be continuously in contact with the peripheral portions of the film formation drum in the apparatus and a plurality of processes are to be carried out at different film processing positions, the apparatus is not only enlarged. There are problems that the film is wrinkled and the quality is deteriorated. Therefore, in order to perform a plurality of surface treatments on the film, it is necessary to use different processing apparatuses. However, in the method using different processing apparatuses, the processing man-hours and costs are increased, and at the same time, the film is exposed to the air while being transferred between the apparatuses. There was a problem that it was easy.

本発明は、このような従来の事情に鑑み、同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができるうえ、形成された薄膜にピンホールの発生や密着性の低下などの欠陥が発生したり、フィルムにしわが発生したりすることがなく、しかも多機能化により小型で且つ低コストな巻取式複合真空表面処理装置を提供することを目的とする。   In view of such a conventional situation, the present invention can perform a plurality of surface treatments simultaneously with the same apparatus, and defects such as pinholes and reduced adhesion occur in the formed thin film. It is an object of the present invention to provide a roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus that is free from wrinkles or film and that is small in size and low in cost due to its multi-functionality.

上記目的を達成するため、本発明が提供する巻取式複合真空表面処理装置は、真空容器全体を真空引きする真空ポンプを備えた略円筒状の真空容器内に、一対のフィルム巻取巻出ロールと、真空容器と軸中心をほぼ一致させた回転可能なキャンロールとを備え、フィルム巻取巻出ロール間で巻き出し又は巻き取られてキャンロールに沿って移動するフィルムに表面処理手段により表面処理を施す表面処理装置であって、
真空容器周壁にキャンロールに対向して固定された複数の表面処理手段と、真空容器周壁とキャンロールの間をほぼ遮蔽するように真空容器底板に固定され、表面処理手段が配置された処理ゾーンを一対のフィルム巻取巻出ロールから分離する一対の第1遮蔽板と、真空容器周壁とキャンロールの間をほぼ遮蔽するように真空容器底板に固定され、処理ゾーン内を少なくとも2つの表面処理手段を含む複数の処理室に区画する複数の第2遮蔽板と、各処理室毎にキャンロールの前に移動可能に配置され、1つの表面処理手段に対向するフィルム表面処理位置以外を覆うマスク板とを備えると共に、
該マスク板を移動させて各処理室内のフィルム処理位置を変えることにより、各処理室毎にフィルム処理位置に対向する表面処理手段を選ぶことができることを特徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the take-up type composite vacuum surface treatment apparatus provided by the present invention includes a pair of film take-up and unwinding units in a substantially cylindrical vacuum vessel provided with a vacuum pump for evacuating the entire vacuum vessel. A roll and a rotatable can roll having an axial center substantially coincident with the vacuum vessel, and the film that is unwound or wound between the film take-up and take-off rolls and moves along the can roll by surface treatment means A surface treatment apparatus for performing surface treatment,
A plurality of surface treatment means fixed to the vacuum vessel peripheral wall facing the can roll, and a treatment zone in which the surface treatment means is arranged and fixed to the vacuum vessel bottom plate so as to substantially shield the space between the vacuum vessel peripheral wall and the can roll. Are fixed to the vacuum vessel bottom plate so as to substantially shield the space between the vacuum vessel peripheral wall and the can roll, and at least two surface treatments in the treatment zone A plurality of second shielding plates partitioned into a plurality of processing chambers including means, and a mask that covers each processing chamber so as to be movable in front of the can roll and covers other than the film surface processing position facing one surface processing means With a board,
By moving the mask plate to change the film processing position in each processing chamber, the surface processing means facing the film processing position can be selected for each processing chamber.

上記本発明の巻取式複合真空表面処理装置においては、前記複数の第2遮蔽板によって各処理室がほぼ気密状態に遮蔽されると共に、各処理室は真空容器周壁にそれぞれ設置された処理室用真空ポンプを有し、各々の処理室において互いに異なる圧力やガス種の表面処理を行うことができる。また、前記表面処理手段は、フィルム乾燥用のヒータ手段、フィルム前処理用のプラズマ発生手段、薄膜形成用のスパッタリング手段のいずれかであることが好ましい。   In the take-up type composite vacuum surface treatment apparatus of the present invention, each processing chamber is shielded in an almost airtight state by the plurality of second shielding plates, and each processing chamber is installed on the peripheral wall of the vacuum vessel. A vacuum pump can be used, and surface treatments of different pressures and gas types can be performed in each processing chamber. The surface treatment means is preferably any one of a film drying heater means, a film pretreatment plasma generating means, and a thin film forming sputtering means.

本発明は、また、上記した本発明の巻取式複合真空表面処理装置を用い、フィルムをキャンロールに沿って一方向に移動させながら、各処理室内でフィルム処理位置に対向する1つの表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うと共に、その表面処理の終了後に、マスク板を移動させることによって各処理室内のフィルム処理位置を変え、次にフィルムをキャンロールに沿って前記移動方向とは逆方向に移動させながら、各処理室内で変更後のフィルム処理位置に対向する1つの表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うことを特徴とするフィルムの表面処理方法を提供するものである。   The present invention also uses the above-described winding-type composite vacuum surface treatment apparatus of the present invention, and moves one film along a can roll in one direction while facing one film treatment position in each treatment chamber. The surface treatment of the film is performed by means, and after completion of the surface treatment, the film processing position in each processing chamber is changed by moving the mask plate, and then the film is moved in the direction opposite to the moving direction along the can roll. The film surface treatment method is characterized in that the surface treatment of the film is carried out by one surface treatment means facing the changed film treatment position in each treatment chamber while moving the film.

本発明によれば、装置の多機能化によって、同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができ、比較的小型で低コストの巻取式複合真空表面処理装置を提供することができる。また、同一装置内で複数の表面処理を完結でき、処理途中のフィルムを他の装置に付け替える必要がなくなるため、処理工程が短縮され且つ処理コストを低く抑えることが可能となるだけでなく、大気中に曝されることがなくなり、薄膜にピンホールの発生や密着性の低下などの欠陥が発生する等の品質の低下を招くことがない。   According to the present invention, it is possible to perform a plurality of surface treatments simultaneously with the same apparatus by providing multifunctional apparatuses, and it is possible to provide a relatively compact and low-cost roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus. . In addition, since a plurality of surface treatments can be completed in the same apparatus, it is not necessary to replace a film in the middle of processing with another apparatus, so that not only the processing steps can be shortened and the processing cost can be kept low, but also the atmosphere. It is not exposed to the inside, and there is no deterioration in quality such as the occurrence of pinholes and defects such as a decrease in adhesion in the thin film.

更に、区画された各処理室をほぼ気密状態に遮蔽し、それぞれの処理室に処理室用真空ポンプを設置すれば、各処理室を差動排気することが可能となり、各々の処理室において異なる圧力やガス種の処理条件を選択して、より一層多様な表面処理を行うことが可能である。   Furthermore, if each of the partitioned processing chambers is shielded in an almost airtight state and a processing chamber vacuum pump is installed in each processing chamber, each processing chamber can be differentially evacuated. It is possible to perform more various surface treatments by selecting the treatment conditions of pressure and gas type.

本発明の巻取式複合真空表面処理装置及びそれを用いたフィルムの処理法を、図面を用いて詳しく説明する。本発明の表面処理装置は、例えば、図3〜4に示すように、装置全体用の真空ポンプ(図示せず)を備えた略円筒状の真空容器10の内部に、一対のフィルム巻取巻出ロール11a、11bと、真空容器10と軸中心をほぼ一致させて回転可能に設けたフィルム搬送用のキャンロール12とを備えている。フィルム13は、例えば、キャンロール12の回転に合わせて片方のフィルム巻取巻出ロール11aから巻き出されて他方のフィルム巻取巻出ロール11bに巻き取られる間に、回転するキャンロール12に沿って移動しながら表面処理が施されるようになっている。また、キャンロール12は、その表面温度を制御できるように、内部にヒータや温水又は冷媒などによる加熱冷却手段を備えていることが好ましい。   The winding type composite vacuum surface treatment apparatus of the present invention and a film processing method using the same will be described in detail with reference to the drawings. As shown in FIGS. 3 to 4, for example, the surface treatment apparatus of the present invention has a pair of film winding and winding inside a substantially cylindrical vacuum vessel 10 equipped with a vacuum pump (not shown) for the entire apparatus. Out rolls 11a and 11b, and a vacuum roll 10 and a can roll 12 for transporting a film which are rotatably provided with their axial centers substantially coincident with each other. For example, the film 13 is wound on the rotating can roll 12 while being unwound from one film winding / unwinding roll 11a and wound on the other film winding / unwinding roll 11b in accordance with the rotation of the can roll 12. Surface treatment is performed while moving along. Moreover, it is preferable that the can roll 12 is provided with a heating / cooling means such as a heater, hot water, or a refrigerant so that the surface temperature can be controlled.

真空容器10は略円筒状であって、真空容器周壁10aと、真空容器底板10bと、真空容器天板(図示せず)とからなる。この真空容器10の真空容器周壁10aには、キャンロール12に対向して、複数の表面処理手段が固定して取り付けてある。表面処理手段としては、例えば、フィルム乾燥用のヒータ手段14a、フィルム前処理用のプラズマ発生手段15b、15c、薄膜形成用のスパッタリング手段16a、16b、16cなどがある。   The vacuum vessel 10 is substantially cylindrical and includes a vacuum vessel peripheral wall 10a, a vacuum vessel bottom plate 10b, and a vacuum vessel top plate (not shown). A plurality of surface treatment means are fixedly attached to the vacuum vessel peripheral wall 10 a of the vacuum vessel 10 so as to face the can roll 12. Examples of the surface treatment means include a heater means 14a for drying a film, plasma generation means 15b and 15c for film pretreatment, and sputtering means 16a, 16b and 16c for forming a thin film.

これら複数の表面処理手段が配置された処理ゾーンを一対のフィルム巻取巻出ロール11a、11bから分離するために、一対の第1遮蔽板17が真空容器底板10bに固定され、真空容器周壁10aとキャンロール12の間をほぼ気密状態に遮蔽している。更に、複数の表面処理手段が配置された処理ゾーン内には、真空容器底板10bに固定され、真空容器周壁10aとキャンロール12の間をほぼ気密状態に遮蔽している2つの第2遮蔽板18が配置されている。これら一対の第1遮蔽板17と2つの第2遮蔽板18により、処理ゾーンは3つの処理室A、B、Cに区画されている。上記の各処理室A、B、C内には、それぞれ2つの表面処理手段、例えば、処理室Aにはスパッタリング手段16aとヒータ手段14aが含まれている。   In order to separate the treatment zone in which the plurality of surface treatment means are disposed from the pair of film winding / unwinding rolls 11a and 11b, the pair of first shielding plates 17 are fixed to the vacuum vessel bottom plate 10b, and the vacuum vessel peripheral wall 10a. And the can roll 12 are shielded in an almost airtight state. Further, two second shielding plates that are fixed to the vacuum vessel bottom plate 10b and shield between the vacuum vessel peripheral wall 10a and the can roll 12 in a substantially airtight state in the treatment zone in which a plurality of surface treatment means are arranged. 18 is arranged. The pair of first shielding plates 17 and two second shielding plates 18 divide the processing zone into three processing chambers A, B, and C. Each of the processing chambers A, B, and C includes two surface processing means, for example, the processing chamber A includes a sputtering means 16a and a heater means 14a.

また、各処理室A、B、Cには、表面処理手段に対向するフィルム表面処理位置以外を覆うマスク板19が、それぞれキャンロール12の前に一つずつ配置されている。これらのマスク板19は、例えば、図3のX−X線に沿う断面図である図5に示すように、キャンロール12の底面側と対面する駆動板19bに接続され、この駆動板19bをキャンロール12の回転軸12aと同軸の軸部19aに連結して、軸部19aを駆動用動力機器で駆動することにより、キャンロール12に沿って移動可能に保持されている。また、マスク板19が真空状態を保持したまま移動できるように、キャンロール12の回転軸12aとマスク板19の軸部19aの間、及びマスク板19の軸部19aと真空容器10の底板10bの間は、それぞれシール部材で気密シールされている。尚、図5の10cは真空容器天板である。   In each of the processing chambers A, B, and C, a mask plate 19 that covers a portion other than the film surface processing position that faces the surface processing means is disposed in front of each can roll 12. These mask plates 19 are connected to a drive plate 19b facing the bottom side of the can roll 12, as shown in FIG. 5 which is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 3, for example. The can roll 12 is held so as to be movable along the can roll 12 by being connected to a shaft portion 19a coaxial with the rotating shaft 12a of the can roll 12 and driving the shaft portion 19a with a driving power device. Further, the mask plate 19 can be moved while maintaining a vacuum state, between the rotating shaft 12a of the can roll 12 and the shaft portion 19a of the mask plate 19, and the shaft portion 19a of the mask plate 19 and the bottom plate 10b of the vacuum vessel 10. Each of the gaps is hermetically sealed with a seal member. In addition, 10c of FIG. 5 is a vacuum vessel top plate.

上記本発明の表面処理装置では、フィルム処理位置以外を覆うマスク板を移動させることで、各処理室毎にフィルム処理位置を変え、そのフィルム処理位置に対向する表面処理手段を選ぶことができる。例えば、図3の状態の処理室Aでは、キャンロール12のスパッタリング手段16aに対向する位置はマスク板19で覆われているが、ヒータ手段14aに対向する位置はマスク板19で覆われていないので、そのマスク板19で覆われていないフィルム処理位置においてヒータ手段14aによるフィルム13の乾燥処理のみを行うことができる。同様に、図3の状態の処理室Bでは、キャンロール12のスパッタリング手段16bに対向する位置はマスク板19で覆われているが、プラズマ発生手段15bに対向する位置はマスク板19で覆われていないので、そのフィルム処理位置においてプラズマ発生手段15bによるフィルム10のプラズマ表面処理のみが行われる。   In the surface treatment apparatus of the present invention, the film treatment position can be changed for each treatment chamber by moving the mask plate covering other than the film treatment position, and the surface treatment means facing the film treatment position can be selected. For example, in the processing chamber A in the state of FIG. 3, the position facing the sputtering means 16 a of the can roll 12 is covered with the mask plate 19, but the position facing the heater means 14 a is not covered with the mask plate 19. Therefore, only the drying process of the film 13 by the heater means 14a can be performed at the film processing position not covered with the mask plate 19. Similarly, in the processing chamber B in the state of FIG. 3, the position of the can roll 12 facing the sputtering means 16 b is covered with the mask plate 19, but the position facing the plasma generating means 15 b is covered with the mask plate 19. Therefore, only the plasma surface treatment of the film 10 by the plasma generating means 15b is performed at the film processing position.

上記本発明の表面処理装置において、フィルム処理位置以外を覆うマスク板を移動させる他の方法を、図6〜7により説明する。この装置において、各処理室A、B、Cには、上記図3と同様に、表面処理手段に対向するフィルム表面処理位置以外を覆うためのマスク板19が、それぞれキャンロール12の前に配置されている。これらのマスク板19はキャンロール12の各処理室内における部分に沿った板状であって、フィルム表面処理位置に合わせたマスク開口部24が一部に形成されると共に、図6のY−Y線に沿う断面図である図7に示すように、マスク板19の両側端部にそれぞれ帯状ギア部23が設けてある。一方、ギア歯車部21は、上記マスク板19の帯状ギア部23に噛み合って駆動するものであり、少なくとも一対の第1遮蔽板17並びに2つの第2遮蔽板18の付近に配置されている。また、各ギア歯車部21は、それぞれ真空容器底板10bに支持された回転可能なギア駆動軸22に固定され、且つマスク板19の幅に合わせてギア駆動軸22の両側端部2箇所に配置されている。尚、ギア駆動軸22は真空容器底板10bに真空状態を保持したまま駆動可能に支持されている。   In the surface treatment apparatus of the present invention, another method for moving the mask plate covering other than the film processing position will be described with reference to FIGS. In this apparatus, in each of the processing chambers A, B, and C, a mask plate 19 for covering other than the film surface processing position facing the surface processing means is disposed in front of the can roll 12 as in FIG. Has been. These mask plates 19 are plate-shaped along portions of each processing chamber of the can roll 12, and a mask opening 24 corresponding to the film surface processing position is formed in part, and YY in FIG. As shown in FIG. 7, which is a cross-sectional view taken along the line, a belt-like gear portion 23 is provided at each of both end portions of the mask plate 19. On the other hand, the gear gear portion 21 is engaged with and driven by the belt-like gear portion 23 of the mask plate 19, and is disposed in the vicinity of at least the pair of first shielding plates 17 and the two second shielding plates 18. Each gear gear portion 21 is fixed to a rotatable gear drive shaft 22 supported by the vacuum vessel bottom plate 10b, and is arranged at two positions on both ends of the gear drive shaft 22 according to the width of the mask plate 19. Has been. The gear drive shaft 22 is supported by the vacuum vessel bottom plate 10b so that it can be driven while maintaining a vacuum state.

上記図6〜7の装置において、各処理室A、B、Cのマスク板19は、その帯状ギア部23に噛み合った複数のギア歯車部21で支持されている。尚、一般に表面処理装置は、少なくとも図6〜7の場合は必ず、キャンロール12の中心軸を水平方向に配置して設置される。マスク板19は各処理室A、B、Cごとに独立していても、各処理室全体で連続した形状でもよいが、連続形状の一つのマスク板とすれば支持が容易である。また、上記マスク板19は、ギア歯車部21の回転駆動により、その回転が帯状ギア部23に伝達され、キャンロール12に沿って移動することができる。従って、マスク板19を移動させることでマスク開口部24の位置を変え、各処理室毎にカスク開口部24の位置にフィルム処理位置を変えることができる。この場合、第1遮蔽板17及び第2遮蔽板18とキャンロール12の間に、マスク板19が通過する隙間を設ける必要がある。尚、ギア駆動軸22は、図7に示すように真空容器10の外に引き出して駆動用動力機器に接続される。しかし、マスク板19が上記のごとく一つの連続形状の場合や、例えば図5に示すように駆動板19bで連結されている場合には、駆動用動力機器に接続するギア駆動軸22は1つであってもよい。   6 to 7, the mask plates 19 of the processing chambers A, B, and C are supported by a plurality of gear gear portions 21 that mesh with the belt-like gear portions 23. In general, the surface treatment apparatus is always installed with the central axis of the can roll 12 in the horizontal direction at least in the case of FIGS. The mask plate 19 may be independent for each of the processing chambers A, B, and C, or may have a continuous shape throughout the processing chambers. However, if the mask plate 19 is a continuous mask plate, the mask plate 19 can be easily supported. Further, the rotation of the mask plate 19 is transmitted to the belt-like gear portion 23 by the rotation driving of the gear gear portion 21, and can move along the can roll 12. Accordingly, the position of the mask opening 24 can be changed by moving the mask plate 19, and the film processing position can be changed to the position of the cask opening 24 for each processing chamber. In this case, it is necessary to provide a gap through which the mask plate 19 passes between the first shielding plate 17 and the second shielding plate 18 and the can roll 12. The gear drive shaft 22 is pulled out of the vacuum vessel 10 and connected to the driving power device as shown in FIG. However, when the mask plate 19 has one continuous shape as described above, or is connected by the drive plate 19b as shown in FIG. 5, for example, one gear drive shaft 22 is connected to the drive power device. It may be.

上記した本発明の表面処理装置を用いることによって、同一ガス種及び同一圧力下で可能な処理であれば、真空容器内を1方向にフィルムを連続的に搬送させながら、処理ゾーン内の各処理室においてマスク板を移動させると共に複数の表面処理手段の1つを用いることによって、複数の処理室で異なる処理を同時に実施したり、複数の処理室で同じ処理を同時に実施したりすることができる。   By using the surface treatment apparatus of the present invention described above, each treatment in the treatment zone can be carried out continuously in one direction in the vacuum vessel if the treatment is possible under the same gas type and the same pressure. By moving the mask plate in the chamber and using one of the plurality of surface treatment means, different treatments can be simultaneously performed in the plurality of treatment chambers, or the same treatment can be simultaneously performed in the plurality of treatment chambers. .

例えば、図3の状態において、処理ゾーン内の各処理室でのフィルム処理位置には、処理室Aではヒータ手段14aが、処理室Bではプラズマ発生手段15bが、及び処理室Cではプラズマ発生手段15cが、それぞれ対向している。従って、真空容器10内又はその処理ゾーン内を同一ガス種及び同一圧力とし、片方のフィルム巻取巻出ロール11aから巻き出されたフィルム13を他方のフィルム巻取巻出ロール11bに巻き取る間に、キャンロール12に沿って移動するフィルム13に対して、処理室Aではヒータ手段14aによる乾燥処理を行い、処理室BとCではプラズマ発生手段15b、15cによりプラズマでフィルム表面を前処理することができる。その際、真空容器10内は、例えば真空容器底板10bに接続された全体用真空ポンプによって排気し、更にプラズマ処理用のガスを供給して所定の圧力に保持することができる。   For example, in the state shown in FIG. 3, the heater 14a in the processing chamber A, the plasma generating means 15b in the processing chamber B, and the plasma generating means in the processing chamber C are located at the film processing positions in the processing chambers. 15c are opposed to each other. Therefore, the inside of the vacuum vessel 10 or its processing zone is set to the same gas type and the same pressure, and the film 13 unwound from one film winding / unwinding roll 11a is wound around the other film winding / unwinding roll 11b. In the processing chamber A, the film 13 moving along the can roll 12 is dried by the heater means 14a, and in the processing chambers B and C, the plasma generating means 15b and 15c pre-treat the film surface with plasma. be able to. At that time, the inside of the vacuum vessel 10 can be evacuated by, for example, an overall vacuum pump connected to the vacuum vessel bottom plate 10b, and further supplied with a plasma processing gas to be kept at a predetermined pressure.

上記の表面処理が1巻のフィルムロールに対して終了した後、各マスク板19を時計回りに移動させて、図4の状態にする。マスク板19の移動により、各処理室でのフィルム処理位置が変化し、処理室A、B、Cのフィルム処理位置はそれぞれスパッタリング手段16a、16b、16cに対向するようになる。従って、上記表面処理の済んだフィルム13を逆方向に、即ちフィルム巻取巻出ロール11bからフィルム巻取巻出ロール11aに向かって移動させながら、処理室A、B、Cのスパッタリング手段16a、16b、16cにより、フィルム13に薄膜を形成することができる。その際、真空容器10内は全体用真空ポンプによって排気し、更にスパッタリング用のアルゴンガスなどを供給して所定の圧力に保持することができる。   After the above surface treatment is completed for one roll of film roll, each mask plate 19 is moved clockwise to the state shown in FIG. The movement of the mask plate 19 changes the film processing position in each processing chamber, so that the film processing positions in the processing chambers A, B, and C face the sputtering means 16a, 16b, and 16c, respectively. Accordingly, while the surface-treated film 13 is moved in the reverse direction, that is, while moving from the film winding / unwinding roll 11b toward the film winding / unwinding roll 11a, the sputtering means 16a in the processing chambers A, B, and C, A thin film can be formed on the film 13 by 16b and 16c. At that time, the inside of the vacuum vessel 10 can be evacuated by a vacuum pump for the whole, and further, argon gas for sputtering or the like can be supplied to keep it at a predetermined pressure.

このように、本発明によれば、複数の異なる表面処理手段を備えた1つの表面処理装置を用いて、フィルムに同時に複数の箇所で同一の又は異なる表面処理を施すことができる。従って、複雑なプロセスの複合処理が可能であり、また同一種の薄膜形成を行う場合であっても、1つのカソードのターゲットが消耗しても別のターゲットを用いて成膜することができるなど、長時間処理あるいは厚膜化処理を実施することができる。   As described above, according to the present invention, the same or different surface treatment can be applied to a film at a plurality of locations at the same time by using one surface treatment apparatus provided with a plurality of different surface treatment means. Therefore, complex processing of complex processes is possible, and even when the same kind of thin film is formed, even if one cathode target is consumed, a film can be formed using another target. , A long-time treatment or a thickening treatment can be performed.

また、本発明の他の表面処理装置は、例えば図8〜9に示すように、2枚の第2遮蔽板18によって各処理室A、B、Cを区画すると同時にほぼ気密状態に遮蔽し、且つ真空容器周壁10aの各処理室A、B、Cの部分には処理室用真空ポンプ20a、20b、20cをそれぞれ設置してある。また、真空容器10内の各処理室A、B、C以外の部分を真空排気するため、全体用真空ポンプ(図示せず)が真空容器底板10bに設置してある。尚、図8〜9の表面処理装置は、特に言及しない部分は図3〜4の装置と同じであり、同一部分には図3〜4と同一の符号を付してある。また、マスク板の移動についても、図3〜5の方法を図示してあるが、図6〜7による方法を用いることもできる。   Further, another surface treatment apparatus of the present invention partitions each treatment chamber A, B, and C by two second shielding plates 18 and shields them in an almost airtight state, for example, as shown in FIGS. In addition, processing chamber vacuum pumps 20a, 20b, and 20c are respectively installed in the processing chambers A, B, and C of the vacuum vessel peripheral wall 10a. Further, in order to evacuate portions other than the processing chambers A, B, and C in the vacuum vessel 10, an overall vacuum pump (not shown) is installed on the vacuum vessel bottom plate 10b. 8 to 9 are the same as those in FIGS. 3 to 4 unless otherwise specified, and the same parts are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. Moreover, although the method of FIGS. 3-5 is illustrated also about the movement of a mask board, the method by FIGS. 6-7 can also be used.

この図8〜9の表面処理装置によれば、第2遮蔽板18によりほぼ気密状態に区画された各処理室A、B、Cごとに、処理室用真空ポンプ20a、20b、20cをそれぞれ有しているので、これらの処理室用真空ポンプ20a、20b、20cにより差動排気を行い、各々の処理室A、B、Cにおいて異なる圧力や異なるガス種を選択して更に複雑な表面処理を行うことが可能である。また、例えば真空容器底板10bに設置してある全体用真空ポンプを用いて、真空容器10内の各処理室A、B、C以外の部分、即ち一対の第1遮蔽板17で区画された処理ゾーン以外を真空排気すると同時に、各処理室A、B、C内の異なるガス種が混合しないようにすることができる。   8 to 9, the processing chamber vacuum pumps 20a, 20b, and 20c are provided for each of the processing chambers A, B, and C partitioned by the second shielding plate 18 in an almost airtight state. Therefore, differential evacuation is performed by the vacuum pumps 20a, 20b, and 20c for the processing chambers, and different pressures and different gas types are selected in the processing chambers A, B, and C to perform more complicated surface treatment. Is possible. Further, for example, by using an overall vacuum pump installed on the vacuum vessel bottom plate 10 b, a process other than the processing chambers A, B, and C in the vacuum vessel 10, that is, a process partitioned by the pair of first shielding plates 17. At the same time as evacuation except for the zone, different gas species in the processing chambers A, B, and C can be prevented from being mixed.

例えば、図8の状態においては、片方のフィルム巻取巻出ロール11aから他方のフィルム巻取巻出ロール11bに向かうフィルム13がキャンロール12に沿って移動する間に、処理室Aでは真空雰囲気中でヒータ手段14aによる乾燥処理を行い、処理室BとCではプラズマ処理用のガス雰囲気中でプラズマ発生手段15b、15cにより、プラズマでのフィルム表面の前処理を行うことができる。また、上記処理の後に、各処理室A、B、Cのマスク板19を移動させた図9の状態では、例えば各処理室A、B、Cごとにアルゴンなどの雰囲気をそれぞれ一定圧力に保持して、フィルム13を図8の場合と逆方向に移動させながら、処理室A、B、Cでスパッタリング手段16a、16b、16cにより薄膜形成を行うことができる。   For example, in the state of FIG. 8, while the film 13 moving from one film winding / unwinding roll 11 a to the other film winding / unwinding roll 11 b moves along the can roll 12, the processing chamber A has a vacuum atmosphere. In the processing chambers B and C, the film surface can be pretreated with plasma by the plasma generating means 15b and 15c in a plasma processing gas atmosphere. In the state shown in FIG. 9 in which the mask plates 19 of the processing chambers A, B, and C are moved after the above processing, for example, an atmosphere such as argon is maintained at a constant pressure for each of the processing chambers A, B, and C. Then, the thin film can be formed by the sputtering means 16a, 16b, and 16c in the processing chambers A, B, and C while moving the film 13 in the direction opposite to that in FIG.

このようにして、図8〜9に示す複数の異なる表面処理手段と複数の処理室用真空ポンプを備えた本発明の表面処理装置によれば、同一の装置でフィルムに同時に複数の箇所で同一又は異なる表面処理を施すことができるだけでなく、各処理室ごとに別々のガス種あるいは別々の圧力下で表面処理を行うことができるため、例えば図3〜4の装置に比べて更に各種の表面処理を重ね合わせて処理することが可能となる。   In this way, according to the surface treatment apparatus of the present invention provided with a plurality of different surface treatment means and a plurality of treatment chamber vacuum pumps shown in FIGS. In addition, not only can different surface treatments be applied, but the surface treatment can be performed for each treatment chamber under different gas types or under different pressures. It is possible to process by overlapping the processes.

[実施例1]
図3〜4の巻取式複合真空表面処理装置において、内部に加熱冷却手段を備えたキャンロール12に対向する各処理室A、B、Cごとに、処理室Aにはスパッタリング手段16aとヒータ手段14aを、処理室Bにはスパッタリング手段16bとプラズマ発生手段15bを、及び処理室Cにはスパッタリング手段16cとプラズマ発生手段15cを、それぞれ取り付けた。また、スパッタリング手段16aと16bには共にCuのスパッタリングターゲットを、スパッタリング手段16cにはCrのスパッタリングターゲットを装着した。
[Example 1]
3-4, in each processing chamber A, B, C facing the can roll 12 provided with heating / cooling means therein, the processing chamber A has a sputtering means 16a and a heater. Sputtering means 16b and plasma generating means 15b were attached to processing chamber B, and sputtering means 16c and plasma generating means 15c were attached to processing chamber C, respectively. The sputtering means 16a and 16b were both equipped with a Cu sputtering target, and the sputtering means 16c was equipped with a Cr sputtering target.

まず、図3の状態において、真空容器10の片方の巻取巻出ロール11aに長さ1000m、厚み25μmのポリイミドフィルムを装着し、真空容器10の内部を真空容器底板10bに設置した全体用真空ポンプ(図示せず)により真空排気した後、Oガスを導入して真空容器10の内部を6.7Pa(50mTorr)に保持した。次に、キャンロール12の回転に合わせて片方の巻取巻出ロール11aから毎分10mの速さで巻き出したフィルム13を他方の巻取巻出ロール11bに巻き取りながら、キャンロール12に沿って移動するフィルム13に各処理室A、B、Cでそれぞれ表面処理を施した。尚、キャンロール12の表面温度は50℃に制御した。 First, in the state of FIG. 3, a vacuum for the whole is installed in which a polyimide film having a length of 1000 m and a thickness of 25 μm is attached to one winding / unwinding roll 11 a of the vacuum vessel 10, and the inside of the vacuum vessel 10 is installed on the vacuum vessel bottom plate 10 b. After evacuating with a pump (not shown), O 2 gas was introduced to maintain the inside of the vacuum vessel 10 at 6.7 Pa (50 mTorr). Next, the film 13 unwound at a speed of 10 m / min from the one winding / unwinding roll 11a in accordance with the rotation of the can roll 12 is wound on the other winding / unwinding roll 11b. Surface treatment was performed on each of the processing chambers A, B, and C on the film 13 that moved along. The surface temperature of the can roll 12 was controlled at 50 ° C.

即ち、処理室Aでは、ヒータ手段14aに電力を供給して150℃の温度に保持することにより、フィルム13を加熱して乾燥処理した。また、処理室BとCでは、プラズマ発生手段15b、15cの各プラズマ電極に高周波電源から3kWの電力を供給してプラズマ放電を発生させることにより、フィルム13の表面を活性化ないし粗面化する前処理を行った。これらの表面処理を連続して約100分間実施して、1巻のポリイミドフィルムの処理を終えた。   That is, in the processing chamber A, the film 13 was heated and dried by supplying electric power to the heater means 14a and maintaining the temperature at 150 ° C. In the processing chambers B and C, the surface of the film 13 is activated or roughened by generating a plasma discharge by supplying 3 kW power from a high frequency power source to the plasma electrodes of the plasma generating means 15b and 15c. Pretreatment was performed. These surface treatments were continuously carried out for about 100 minutes to finish the treatment of one roll of polyimide film.

その後、真空容器10の真空状態を破ることなく各マスク板19を移動させることにより、各処理室A、B、C内のフィルム処理位置を変えて、図4の状態とした。図4の状態で、真空容器10の内部を全体用真空ポンプで真空排気した後、アルゴンガスを導入して真空容器10の内部を2.7Pa(20mTorr)の圧力に保持した。尚、キャンロール12の表面温度は−10℃に制御した。この状態で、巻取巻出ロール11bに巻き取られている上記処理済みのポリイミドフィルムを、キャンロール12の回転に合わせて巻取巻出ロール12aに毎分5mの速さで搬送しながら、キャンロール12に沿って移動するフィルム13に各処理室A、B、Cで薄膜を形成した。   After that, by moving each mask plate 19 without breaking the vacuum state of the vacuum vessel 10, the film processing positions in the processing chambers A, B, and C were changed to the state shown in FIG. In the state of FIG. 4, the inside of the vacuum vessel 10 was evacuated with an overall vacuum pump, and then argon gas was introduced to maintain the inside of the vacuum vessel 10 at a pressure of 2.7 Pa (20 mTorr). The surface temperature of the can roll 12 was controlled at -10 ° C. In this state, while transporting the treated polyimide film wound around the winding / unwinding roll 11b to the winding / unwinding roll 12a at a speed of 5 m / min in accordance with the rotation of the can roll 12, A thin film was formed in each of the processing chambers A, B, and C on the film 13 that moved along the can roll 12.

即ち、処理室A、B、Cの各スパッタリング手段16a、16b、16cに電力を供給し、スパッタリングターゲットからターゲット物質を叩き出して、フィルム13上にターゲット物質の薄膜を形成した。具体的には、約200分間の成膜処理により、処理室Cではスパッタリング手段16cにより厚さ約20nmのCrの薄膜を、処理室BとAではスパッタリング手段16bと16aにより合計厚さ約200nmのCuの薄膜を、この順に積層して形成した。   That is, power was supplied to the sputtering means 16 a, 16 b, and 16 c in the processing chambers A, B, and C, and the target material was knocked out from the sputtering target to form a thin film of the target material on the film 13. Specifically, by a film forming process for about 200 minutes, a Cr thin film having a thickness of about 20 nm is formed in the processing chamber C by the sputtering unit 16c, and a total thickness of about 200 nm is formed in the processing chambers B and A by the sputtering units 16b and 16a. Cu thin films were stacked in this order.

尚、上記の表面処理を終了したポリイミドフィルムは、真空容器10から取り出し、CrとCuの積層薄膜上に更に湿式めっき法によりCu層を8μmの厚さに形成することによって、銅ポリイミドフレキシブル基板とした。得られた銅ポリイミドフレキシブル基板は、表面処理の途中でフィルムが大気中に曝されることながいため、ピンホールの発生が少なく、金属層のポリイミドフィルムへの密着力も良好であった。   The polyimide film having been subjected to the above surface treatment is taken out from the vacuum vessel 10 and further formed on a laminated thin film of Cr and Cu by forming a Cu layer with a thickness of 8 μm by wet plating, did. In the obtained copper polyimide flexible substrate, since the film was not exposed to the air during the surface treatment, the occurrence of pinholes was small, and the adhesion of the metal layer to the polyimide film was also good.

[実施例2]
図8〜9の巻取式複合真空表面処理装置において、内部に加熱冷却手段を備えたキャンロール12に対向している各処理室A、B、Cごとに、処理室用真空ポンプ20aを備えた処理室Aにはスパッタリング手段16aとヒータ手段14aを、処理室用真空ポンプ20bを備えた処理室Bにはスパッタリング手段16bとプラズマ発生手段15bを、及び処理室用真空ポンプ20cを備えた処理室Cにはスパッタリング手段16cとプラズマ発生手段15cを、それぞれ取り付けた。また、スパッタリング手段16aと16bには共にCuのスパッタリングターゲットを、スパッタリング手段16cにはCrのスパッタリングターゲットを装着した。
[Example 2]
8-9, the processing chamber vacuum pump 20a is provided for each of the processing chambers A, B, and C facing the can roll 12 having heating and cooling means inside. The processing chamber A is provided with a sputtering means 16a and a heater means 14a, the processing chamber B provided with a processing chamber vacuum pump 20b is provided with a sputtering means 16b and a plasma generating means 15b, and a processing chamber provided with a processing chamber vacuum pump 20c. Sputtering means 16c and plasma generating means 15c were attached to chamber C, respectively. The sputtering means 16a and 16b were both equipped with a Cu sputtering target, and the sputtering means 16c was equipped with a Cr sputtering target.

まず、図8の状態において、真空容器10内の片方の巻取巻出ロール11aに長さ1000m、厚み25μmのポリイミドフィルムを装着し、真空容器底板10bに設置した全体用真空ポンプ(図示せず)を用いて、真空容器10内の各処理室A、B、C以外の部分を真空排気し、更に各処理室用真空ポンプ20a、20b、20cを用いて、真空容器10内の各処理室A、B、Cを真空排気した。その後、ヒータ手段14aを用いる処理室Aは真空排気したままの状態とし、他の処理室BとCにはOガスを導入して内部を6.7Pa(50mTorr)に保持した。キャンロール12の回転に合わせて巻取巻出ロール11aから毎分10mの速さで巻き出したフィルム13を他方の巻取巻出ロール11bに巻き取りながら、回転するキャンロール12に沿って移動するフィルム13に各処理室A、B、Cで表面処理を施した。尚、キャンロール13の表面温度は30℃に制御した。 First, in the state of FIG. 8, a vacuum pump for the whole (not shown) mounted on a vacuum vessel bottom plate 10b with a polyimide film having a length of 1000 m and a thickness of 25 μm attached to one winding / unwinding roll 11a in the vacuum vessel 10. ), The portions other than the processing chambers A, B, and C in the vacuum vessel 10 are evacuated, and the processing chambers in the vacuum vessel 10 are further evacuated using the vacuum pumps 20a, 20b, and 20c for the processing chambers. A, B and C were evacuated. Thereafter, the processing chamber A using the heater means 14a was kept evacuated, and O 2 gas was introduced into the other processing chambers B and C to keep the inside at 6.7 Pa (50 mTorr). Along with the rotation of the can roll 12, the film 13 unwound from the winding / unwinding roll 11a at a speed of 10 m / min is moved along the rotating can roll 12 while being wound around the other winding / unwinding roll 11b. The film 13 to be processed was subjected to surface treatment in each of the processing chambers A, B, and C. The surface temperature of the can roll 13 was controlled at 30 ° C.

即ち、処理室Aでは、ヒータ手段14aに電力を供給して150℃の温度に保持することにより、フィルム13を加熱して乾燥処理した。処理室Bではプラズマ発生手段15bのプラズマ電極に高周波電源から2kWの電力を供給し、及び処理室Cではプラズマ発生手段15cのプラズマ電極に高周波電源から3kWの電力を供給して、それぞれプラズマ放電を発生させることにより、フィルム13の表面を活性化ないし粗面化する前処理を行った。これらの表面処理を連続して約100分間実施して、1巻のポリイミドフィルムを表面処理した。   That is, in the processing chamber A, the film 13 was heated and dried by supplying electric power to the heater means 14a and maintaining the temperature at 150 ° C. In the processing chamber B, 2 kW electric power is supplied from the high frequency power source to the plasma electrode of the plasma generating means 15b, and in the processing chamber C, 3 kW electric power is supplied from the high frequency power source to the plasma electrode of the plasma generating means 15c. By generating, a pretreatment for activating or roughening the surface of the film 13 was performed. These surface treatments were continuously carried out for about 100 minutes to surface-treat one roll of polyimide film.

次に、真空容器10の真空状態を破ることなくマスク板19を移動させることにより、各処理室A、B、C内のフィルム処理位置を変えて図9の状態とした。この図9の状態で、上記と同様に真空容器10の内部を再度真空排気した後、真空容器10内の各処理室A、B、Cにアルゴンガスを導入して、処理室AとBは圧力を2.7Pa(20mTorr)に保持し、処理室Cでは圧力を2.0Pa(15mTorr)に保持した。尚、キャンロール12の表面温度は−10℃に制御した。キャンロール12の回転に合わせて巻取巻出ロール11bに巻き取られている上記処理済みのフィルム13を巻取巻出ロール11aに毎分5mの速さで搬送しながら、キャンロール12に沿って移動するフィルム13に各処理室A、B、Cにおいて成膜処理を施した。   Next, by moving the mask plate 19 without breaking the vacuum state of the vacuum vessel 10, the film processing positions in the processing chambers A, B, and C were changed to the state shown in FIG. 9, after the inside of the vacuum vessel 10 is evacuated again in the same manner as described above, argon gas is introduced into the processing chambers A, B, and C in the vacuum vessel 10, and the processing chambers A and B are The pressure was maintained at 2.7 Pa (20 mTorr), and in the processing chamber C, the pressure was maintained at 2.0 Pa (15 mTorr). The surface temperature of the can roll 12 was controlled at -10 ° C. Along the can roll 12, the processed film 13 wound on the winding / unwinding roll 11 b in accordance with the rotation of the can roll 12 is conveyed to the winding / unwinding roll 11 a at a speed of 5 m / min. The film 13 moving in this manner was subjected to film formation in each of the processing chambers A, B, and C.

即ち、各スパッタリング手段16a、16b、16cに電力を供給し、スパッタリングターゲットからターゲット物質を叩き出して、フィルム13上にターゲット物質の薄膜を形成した。具体的には、約200分間の処理により、まず処理室Cではスパッタリング手段16cにより厚さ約20nmのCrの薄膜を、次の処理室BとAではスパッタリング手段16bと16aにより合計厚さ約200nmのCuの薄膜を、この順に積層して形成した。   That is, power was supplied to each of the sputtering means 16 a, 16 b and 16 c, and the target material was knocked out from the sputtering target to form a thin film of the target material on the film 13. Specifically, by processing for about 200 minutes, first, in the processing chamber C, a thin film of Cr having a thickness of about 20 nm is formed by the sputtering means 16c, and in the next processing chambers B and A, the total thickness is about 200 nm by the sputtering means 16b and 16a. Cu thin films were laminated in this order.

尚、上記の表面処理を終了したポリイミドフィルムは、真空容器10から取り出した後、上記実施例1と同様に、CrとCuの積層薄膜上に更に湿式めっき法によりCu層を8μmの厚さに形成することにより、銅ポリイミドフレキシブル基板とした。得られた銅ポリイミドフレキシブル基板は、表面処理の途中でフィルムが大気中に曝されることながいため、ピンホールの発生数が少なかった。   After the surface treatment, the polyimide film was taken out from the vacuum vessel 10 and then the Cu layer was further formed to a thickness of 8 μm by wet plating on the laminated thin film of Cr and Cu in the same manner as in Example 1 above. By forming, it was set as the copper polyimide flexible substrate. In the obtained copper polyimide flexible substrate, since the film was not exposed to the air during the surface treatment, the number of pinholes generated was small.

[比較例]
途中で真空状態を破らなければ複数の表面処理を行うことができない従来一般の巻取式真空表面処理装置での処理例として、上記実施例1と同じ構造を有する図3〜4の表面処理装置を利用して、下記のごとく表面処理を実施した。
[Comparative example]
3 to 4 having the same structure as the first embodiment as a processing example in a conventional general winding type vacuum surface processing apparatus that cannot perform a plurality of surface treatments unless the vacuum state is broken in the middle. The surface treatment was carried out as follows.

即ち、まず、図3の状態において、真空容器10内の表面処理手段として、処理室Aにはヒータ手段14aを、処理室Bにはプラズマ発生手段15bを、処理室Cにはプラズマ発生手段15cを、それぞれ取り付けた。尚、この比較例では、図3に図示されているスパッタリング手段16a、16b、16cは取り付けていない。片方の巻取巻出ロール11aに長さ1000m、厚み25μmのポリイミドフィルムを装着し、真空容器10の内部を真空排気した後、Oガスを導入して真空容器10の内部を6.7Pa(50mTorr)に保持した。尚、キャンロール13の表面温度は30℃に制御した。 That is, first, in the state of FIG. 3, as surface treatment means in the vacuum chamber 10, the heater 14a is provided in the processing chamber A, the plasma generating means 15b is provided in the processing chamber B, and the plasma generating means 15c is provided in the processing chamber C. Were attached respectively. In this comparative example, the sputtering means 16a, 16b and 16c shown in FIG. 3 are not attached. A polyimide film having a length of 1000 m and a thickness of 25 μm is attached to one winding / unwinding roll 11 a, and the inside of the vacuum container 10 is evacuated, and then O 2 gas is introduced to make the inside of the vacuum container 10 6.7 Pa ( 50 mTorr). The surface temperature of the can roll 13 was controlled at 30 ° C.

次に、キャンロール12の回転に合わせて巻取巻出ロール11aからで巻き出したポリイミドフィルムを、キャンロール12に沿わせて毎分10mの速さで移動させながら、処理室Aではヒータ手段14aを150℃の温度に保持してフィルム13を乾燥処理し、処理室BとCではプラズマ発生手段15b、15cの各プラズマ電極に高周波電源から3kWの電力を供給し、プラズマ放電を発生させることにより、フィルム13の表面を活性化ないし粗面化する前処理を行った。これらの表面処理を連続して約100分間実施して、1巻のポリイミドフィルムの処理を終了した。   Next, while the polyimide film unwound from the winding / unwinding roll 11a in accordance with the rotation of the can roll 12 is moved along the can roll 12 at a speed of 10 m / min, a heater means is used in the processing chamber A. 14a is maintained at a temperature of 150 ° C., and the film 13 is dried. In the processing chambers B and C, 3 kW power is supplied from the high frequency power source to each plasma electrode of the plasma generating means 15b and 15c to generate plasma discharge. Thus, a pretreatment for activating or roughening the surface of the film 13 was performed. These surface treatments were continuously carried out for about 100 minutes to complete the treatment of one roll of polyimide film.

その後、真空容器10を真空リークして大気圧に戻し、上記の乾燥及びプラズマ処理されたポリイミドフィルムを取り出した。取り出したポリイミドフィルムを図4の状態の装置に移して、巻取巻出ロール11bに挿着した。また、真空容器10内の表面処理手段として、処理室AとBにはCuのスパッタリングターゲットを備えたスパッタリング手段16a、16bを、処理室CにはCrのスパッタリングターゲットを備えたスパッタリング手段16cを、それぞれ取り付けた。尚、この比較例では、図4に図示されているヒータ手段14a、プラズマ発生手段15b、15cは取り付けていない。   Thereafter, the vacuum vessel 10 was vacuum leaked to return to atmospheric pressure, and the dried and plasma treated polyimide film was taken out. The taken-out polyimide film was moved to the apparatus of the state of FIG. 4, and was inserted in the winding / unwinding roll 11b. Further, as surface treatment means in the vacuum vessel 10, the treatment chambers A and B include sputtering means 16a and 16b having a Cu sputtering target, and the treatment chamber C has a sputtering means 16c having a Cr sputtering target. Each was attached. In this comparative example, the heater means 14a and the plasma generating means 15b and 15c shown in FIG. 4 are not attached.

この状態で真空容器10の内部を真空排気した後、Arガスを導入して真空容器10の内部を2.7Pa(20mTorr)の圧力に保持した。尚、キャンロール12の表面温度は−10℃に制御した。キャンロール12の回転に合わせて巻取巻出ロール11bから上記処理済みのフィルム13を巻取巻出ロール11aに毎分5mの速さで搬送しながら、各処理室A、B、Cにおいてキャンロール12に沿って移動するフィルム13に薄膜を形成した。具体的には、約200分間の処理により、処理室Cで厚さ約20nmのCrの薄膜を、処理室BとAでは合計厚さ約200nmのCuの薄膜を、この順に積層して形成した。   After evacuating the inside of the vacuum vessel 10 in this state, Ar gas was introduced to maintain the inside of the vacuum vessel 10 at a pressure of 2.7 Pa (20 mTorr). The surface temperature of the can roll 12 was controlled at -10 ° C. In accordance with the rotation of the can roll 12, the processed film 13 is conveyed from the winding / unwinding roll 11b to the winding / unwinding roll 11a at a speed of 5 m / min in each processing chamber A, B, C. A thin film was formed on the film 13 moving along the roll 12. Specifically, a thin film of Cr having a thickness of about 20 nm was formed in the processing chamber C by processing for about 200 minutes, and a thin film of Cu having a total thickness of about 200 nm was formed in the processing chambers B and A in this order. .

上記の表面処理を終了したポリイミドフィルムは、上記実施例1と同様に、CrとCuの積層薄膜上に更に湿式めっき法によりCu層を8μmの厚さに形成して、銅ポリイミドフレキシブル基板とした。得られた銅ポリイミドフレキシブル基板は、一旦処理されたフィルムを途中で大気中に曝していることから、上記実施例1の場合に比べて、ピンホールの発生が多く、且つ金属層のポリイミドフィルムへの密着力も若干劣っていた。   The polyimide film having been subjected to the above surface treatment was formed into a copper polyimide flexible substrate by further forming a Cu layer with a thickness of 8 μm on the laminated thin film of Cr and Cu by a wet plating method, as in Example 1. . Since the obtained copper polyimide flexible substrate exposes the film once processed to the air in the middle, the occurrence of pinholes is larger than in the case of Example 1, and the polyimide film has a metal layer. The adhesion was slightly inferior.

従来の巻取式真空成膜装置の最も基本的な構成を示す概略の断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the most basic structure of the conventional winding type vacuum film-forming apparatus. 従来の巻取式真空成膜装置の他の構成を示す概略の断面図である。It is general | schematic sectional drawing which shows the other structure of the conventional winding type vacuum film-forming apparatus. 本発明による巻取式複合真空表面処理装置の一具体例を示す概略の断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows one specific example of the winding type composite vacuum surface treatment apparatus by this invention. 図3の装置のマスク板を移動した状態を示す概略の断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the state which moved the mask board of the apparatus of FIG. 図3のX−X線に沿った概略の断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line XX in FIG. 3. マスク板の別の移動方法を示す装置の概略の断面図である。It is general | schematic sectional drawing of the apparatus which shows another moving method of a mask board. 図6のY−Y線に沿った概略の断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view taken along line YY in FIG. 6. 本発明による巻取式複合真空表面処理装置の他の具体例を示す概略の断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other specific example of the winding type composite vacuum surface treatment apparatus by this invention. 図8の装置のマスク板を移動した状態を示す概略の断面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a state where a mask plate of the apparatus of FIG. 8 is moved.

符号の説明Explanation of symbols

1 真空チャンバ
3 薄膜形成部
7、7a、7b 成膜ドラム
8 カソード組立体
10 真空容器
10a 真空容器周壁
10b 真空容器底板
10c 真空容器天板
11a、11b 巻取巻出ロール
12 キャンロール
12a 回転軸
13 フィルム
14a ヒータ手段
15a、15b、15c プラズマ発生手段
16a、16b スパッタリング手段
17 第1遮蔽板
18 第2遮蔽板
19 マスク板
19a 軸部
19b 駆動板
20a、20b、20c 処理室用真空ポンプ
21 ギア歯車部
22 ギア駆動軸
23 帯状ギア部
24 マスク開口部

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 3 Thin film formation part 7, 7a, 7b Film-forming drum 8 Cathode assembly 10 Vacuum container 10a Vacuum container surrounding wall 10b Vacuum container bottom plate 10c Vacuum container top plate 11a, 11b Winding unwinding roll 12 Can roll 12a Rotating shaft 13 Film 14a Heating means 15a, 15b, 15c Plasma generating means 16a, 16b Sputtering means 17 First shielding plate 18 Second shielding plate 19 Mask plate 19a Shaft portion 19b Driving plate 20a, 20b, 20c Vacuum pump for processing chamber 21 Gear gear portion 22 Gear drive shaft 23 Band-shaped gear portion 24 Mask opening

Claims (4)

真空容器全体を真空引きする真空ポンプを備えた略円筒状の真空容器内に、一対のフィルム巻取巻出ロールと、真空容器と軸中心をほぼ一致させた回転可能なキャンロールとを備え、フィルム巻取巻出ロール間で巻き出し又は巻き取られてキャンロールに沿って移動するフィルムに表面処理手段により表面処理を施す表面処理装置であって、
真空容器周壁にキャンロールに対向して固定された複数の表面処理手段と、真空容器周壁とキャンロールの間をほぼ遮蔽するように真空容器底板に固定され、表面処理手段が配置された処理ゾーンを一対のフィルム巻取巻出ロールから分離する一対の第1遮蔽板と、真空容器周壁とキャンロールの間をほぼ遮蔽するように真空容器底板に固定され、処理ゾーン内を少なくとも2つの表面処理手段を含む複数の処理室に区画する複数の第2遮蔽板と、各処理室毎にキャンロールの前に移動可能に配置され、1つの表面処理手段に対向するフィルム表面処理位置以外を覆うマスク板とを備えると共に、
該マスク板を移動させて各処理室内のフィルム処理位置を変えることにより、各処理室毎にフィルム処理位置に対向する表面処理手段を選ぶことができる巻取式複合真空表面処理装置。
In a substantially cylindrical vacuum vessel equipped with a vacuum pump that evacuates the entire vacuum vessel, a pair of film winding and unwinding rolls, and a rotatable can roll having a shaft center substantially coincided with the vacuum vessel, A surface treatment apparatus that performs surface treatment by a surface treatment means on a film that is unwound or wound between film winding and unwinding rolls and moves along a can roll,
A plurality of surface treatment means fixed to the vacuum vessel peripheral wall facing the can roll, and a treatment zone in which the surface treatment means is arranged and fixed to the vacuum vessel bottom plate so as to substantially shield the space between the vacuum vessel peripheral wall and the can roll. Are fixed to the vacuum vessel bottom plate so as to substantially shield the space between the vacuum vessel peripheral wall and the can roll, and at least two surface treatments in the treatment zone A plurality of second shielding plates partitioned into a plurality of processing chambers including means, and a mask that covers each processing chamber so as to be movable in front of the can roll and covers other than the film surface processing position facing one surface processing means With a board,
A roll-up type composite vacuum surface treatment apparatus capable of selecting a surface treatment means facing the film processing position for each processing chamber by moving the mask plate to change the film processing position in each processing chamber.
前記複数の第2遮蔽板によって各処理室がほぼ気密状態に遮蔽されると共に、各処理室は真空容器周壁にそれぞれ設置された処理室用真空ポンプを有し、各々の処理室において互いに異なる圧力やガス種の表面処理を行うことができることを特徴とする、請求項1に記載の巻取式複合真空表面処理装置。   Each processing chamber is shielded in an almost airtight state by the plurality of second shielding plates, and each processing chamber has a processing chamber vacuum pump installed on the peripheral wall of the vacuum vessel, and each processing chamber has a different pressure. The wind-up type composite vacuum surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the surface treatment can be performed with a gas or a gas species. 前記表面処理手段が、フィルム乾燥用のヒータ手段、フィルム前処理用のプラズマ発生手段、薄膜形成用のスパッタリング手段のいずれかであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の巻取式複合真空表面処理装置。   The winding type according to claim 1 or 2, wherein the surface treatment means is any one of a heater means for film drying, a plasma generation means for film pretreatment, and a sputtering means for thin film formation. Compound vacuum surface treatment equipment. 請求項1〜3に記載のいずれかの巻取式複合真空表面処理装置を用い、フィルムをキャンロールに沿って一方向に移動させながら、各処理室内でフィルム処理位置に対向する1つの表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うと共に、その表面処理の終了後に、マスク板を移動させることによって各処理室内のフィルム処理位置を変え、次にフィルムをキャンロールに沿って前記移動方向とは逆方向に移動させながら、各処理室内で変更後のフィルム処理位置に対向する1つの表面処理手段によりフィルムの表面処理を行うことを特徴とするフィルムの表面処理方法。


One surface treatment that faces the film processing position in each processing chamber while moving the film in one direction along the can roll using the roll-up type composite vacuum surface processing apparatus according to claim 1. The surface treatment of the film is performed by means, and after completion of the surface treatment, the film processing position in each processing chamber is changed by moving the mask plate, and then the film is moved in the direction opposite to the moving direction along the can roll. A surface treatment method for a film, characterized in that the surface treatment of the film is performed by one surface treatment means facing the changed film treatment position in each treatment chamber while being moved to each other.


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