JP2007180453A - ヒートシンク冷却装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】被冷却物で発生する熱を効率よくヒートシンクに伝達する。
【解決手段】
MPU3で発生した熱は、熱伝導材4を介してヒートシンク1の接合部131に伝達される。接合部131とMPU3の表面が形成する間隙には熱伝導材4が介在されている。熱伝導材4は接合面131つまり円錐面133に密着されており、接合面131をMPU3に対して加圧することによって熱伝導材4のY軸方向の圧みは薄くなり、頂点132がMPU3の表面と接触する。接合面13の面形状を中心部131aを頂点132とする円錐面133に形成すると、MPU3と接合面13の頂点132とが接触することにより間隙が0になる。熱伝導材4が円錐面133と接触している面のMPU表面に対して垂直方向の高さをAとする。理想的な接合面131の形状は、接合面131の中心部を頂点とする凸形状であって、Aの寸法が0μmから200μmの範囲である。
【選択図】 図1
【解決手段】
MPU3で発生した熱は、熱伝導材4を介してヒートシンク1の接合部131に伝達される。接合部131とMPU3の表面が形成する間隙には熱伝導材4が介在されている。熱伝導材4は接合面131つまり円錐面133に密着されており、接合面131をMPU3に対して加圧することによって熱伝導材4のY軸方向の圧みは薄くなり、頂点132がMPU3の表面と接触する。接合面13の面形状を中心部131aを頂点132とする円錐面133に形成すると、MPU3と接合面13の頂点132とが接触することにより間隙が0になる。熱伝導材4が円錐面133と接触している面のMPU表面に対して垂直方向の高さをAとする。理想的な接合面131の形状は、接合面131の中心部を頂点とする凸形状であって、Aの寸法が0μmから200μmの範囲である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、MPUを含む電子部品等の被冷却物を冷却するヒートシンク冷却装置に関するものである。
MPU(Micro Processing Unit)は、受け取ったデータに対して演算などの処理を加えて出力結果を得るコンピュータの中枢部分であり、高性能な電子機器に搭載される。近年はMPUの高クロック化が著しく、高クロック化に合わせてMPU自体の発熱も増大傾向の一途を辿っており、発熱によりMPUが誤動作する可能性があり、MPUの冷却問題は極めて重要になってきている。そのため、それら高性能な電子機器に搭載されているMPU等の発熱する電子部品には、金属製で表面積がなるべく広くなるような複数の放熱用フィンで構成されたヒートシンクと、そのヒートシンクに冷却風を供給する冷却ファンとを組み合わせたヒートシンクファンが装着されている。その際、ヒートシンク本体がMPUに接触するように装着され、ヒートシンクは、冷却ファンによって供給される冷却風によって強制的に冷却される。
ヒートシンクとMPUを接触させる際には、ヒートシンクとMPUの間にサーマルテープのような熱伝導材を介在し、ヒートシンク載置面とMPU表面つまりヒートスプレッダとの接触面積を多くする必要がある。またサーマルテープの厚みは薄ければ薄いほど熱伝導性が高く、冷却効率が高くなる。このため、ヒートシンクとMPUとを接触させる際には、加圧することによりサーマルテープを介してヒートシンクとMPUとを密着させる。特にヒートシンクとMPUを接触させる際にヒートシンクの表面が平面であることが好ましいことが特許文献1に開示されている。
近年、MPUの演算処理速度は、速くなる傾向にあり、MPUに装着されるヒートシンクファンの冷却効率の向上が求められ、MPUからヒートシンクへの熱伝達効率の向上が必要である。
ところが上記の従来の構成では、MPUからサーマルテープを介するヒートシンクへの熱抵抗の値にばらつきが発生するという問題がある。この課題を解決するために、以下のような実験を試み、熱抵抗値のばらつきはヒートシンクの載置面における平面度に起因していることが分かった。ヒートシンクの載置面の平面度は通常0.11mm(以下、平面度の単位は省略する)以下で管理されている。加工精度を考慮すれば、載置面の平面度を0.05以下で管理するのは極めて難しいとされる。しかし、載置面が50μm突出した凸形状であるのと、載置面が50μm窪んだ凹形状であるのでは、MPUからサーマルテープを介するヒートシンクへの熱抵抗の値に大きな差が見られる。例えば、載置面の中心部付近が50μm突出した略円錐形状に形成された場合の熱抵抗は、0.275℃/Wであるのに対して、載置面の中心部付近が40μm窪んだ擂鉢状に形成された場合の熱抵抗は、0.333℃/Wである。つまり加工精度の限界とされる平面度0.05以下で管理した場合でもMPUからサーマルテープを介するヒートシンクへの熱抵抗の値がばらつくということが言える。
載置面の平面度が0.05以下の平面度0.005で形成されたヒートシンクでMPUからサーマルテープを介するヒートシンクへの熱抵抗を測定したところ、0.302℃/Wという値が得られた。この結果より平面度を0に近づけるように管理するよりも、少なくとも載置面が凸形状になるように形成した方がMPUからサーマルテープを介するヒートシンクへの熱抵抗の値を低くすることが可能であるということが言える。
MPUからサーマルテープを介するヒートシンクへの熱抵抗の値を低減することが必要であり、MPUからサーマルテープを介するヒートシンクへの熱抵抗を低減するにはヒートシンクの載置面の形状を凸形状にする必要がある。
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものである。すなわち本発明はヒートシンクのMPU載置面の形状を凸形状とすることによって、MPUからサーマルテープを介するヒートシンクへの熱抵抗の値の低減を図るものである。
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載のヒートシンク冷却装置では、電子部品等の被冷却物をヒートシンクを用いて冷却するヒートシンク冷却装置であって、前記ヒートシンクは、被冷却物に少なくとも一部が熱伝導材を介して接合するヒートシンク本体と、該ヒートシンク本体に一体に設けられた複数の放熱用フィンと、を備えており、前記熱伝導材は、前記被冷却物で発生した熱を前記ヒートシンク本体に伝達するように、前記被冷却物表面と前記ヒートシンク本体の被冷却物用接合面とで挟圧固定されており、前記接合面は前記ヒートシンク本体に凸形状で形成されており、前記接合面の少なくともほぼ中央部付近に頂点もしくは頂面を有し、前記頂点もしくは頂面から放射方向に向けて傾斜する傾斜面を有することを特徴とする。
本発明の請求項2に記載のヒートシンク冷却装置では、請求項1に記載のヒートシンク冷却装置であって、前記ヒートシンク本体の前記接合面の凸形状が、前記頂点から放射方向に向けて傾斜する略円錐面もしくは円弧面によって形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項3に記載のヒートシンク冷却装置では、請求項1に記載のヒートシンク冷却装置であって、前記ヒートシンク本体の前記接合面の凸形状が、前記頂面から放射方向に向けて傾斜する略円錐面もしくは円弧面によって形成され、前記頂面は前記被冷却物表面と平行な面となっていることを特徴とする。
本発明の請求項4に記載のヒートシンク冷却装置では、請求項1乃至3のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置であって、前記被冷却物に少なくとも一部が前記熱伝導材を介して前記ヒートシンク本体の接合面と接合した際に、前記被冷却物表面に対して垂直な方向における前記傾斜面と前記熱伝導材との接触面の高さが200μm以下であることを特徴とする。
本発明の請求項5に記載のヒートシンク冷却装置では、請求項1及び2に記載のヒートシンク冷却装置であって、前記ヒートシンク本体の接合面は凸形状で形成されており、前記接合面の少なくともほぼ中心部付近に頂点を有し、前記頂点から放射方向に向けて傾斜する前記傾斜面を有し、前記頂点が被冷却物表面と接触することを特徴とする。
本発明の請求項6に記載のヒートシンク冷却装置では、請求項1乃至5のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置であって、前記ヒートシンク本体には、前記ヒートシンク本体に設けた凹部もしくは貫通孔に熱伝導性の高い材料で形成された被冷却物接合部が嵌合固定されおり、前記接合面は、該接合部材の表面に形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項7に記載のヒートシンク冷却装置では、請求項1乃至6のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置であって、前記ヒートシンクの前記接合面の前記凸形状を旋盤による切削加工によって前記凸形状に形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項8に記載のヒートシンク冷却装置では、請求項1乃至7のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置であって、前記被冷却物はベース上に設けられ、前記被冷却物表面と前記ヒートシンク本体の被冷却物用接合面とで前記熱伝導材を挟圧固定するように、前記ベースと前記ヒートシンク本体とが、前記頂点もしくは頂面を挟んだ少なくとも2箇所の位置において結合されていることを特徴とする。
本発明の請求項9に記載のヒートシンク冷却装置では、請求項1乃至8のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置であって、前記ヒートシンクの上面には、前記ヒートシンクに冷却風を供給するファンモータが備えられていることを特徴とする。
本発明の請求項10に記載のヒートシンク冷却装置では、請求項1乃至9のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置であって、前記ヒートシンクと前記ファンモータとを収容するケーシングを備えたことを特徴とする。
本発明にかかるヒートシンクによれば、MPUから熱伝導材(例えばサーマルテープ)を介してヒートシンクへの熱抵抗の値を低減することが可能である。熱抵抗値の低減によりMPUを効率よく冷却することが可能である。
また、ばらつきが少ない安定した放熱特性を得ることが可能である。
以下、本発明の各実施形態のヒートシンク及びヒートシンクファンについて、図1乃至図15を参照して説明する。なお、本発明の実施形態に説明では便宜上各図面の上下方向を「上下方向」とするが、実際の取り付け状態における方向を限定するものではない。
(実施形態1)
(1)ヒートシンク及び熱伝導材を介してMPUと接触するヒートシンク冷却装置
図1は本発明にかかる第1の実施形態のヒートシンクを示した平面図である。図2は本発明にかかる第1の実施形態のヒートシンクを示した斜視図である。図3は本発明にかかる第1の実施形態のヒートシンクに接合部を圧入する状態を示したヒートシンクの斜視図である。
(1)ヒートシンク及び熱伝導材を介してMPUと接触するヒートシンク冷却装置
図1は本発明にかかる第1の実施形態のヒートシンクを示した平面図である。図2は本発明にかかる第1の実施形態のヒートシンクを示した斜視図である。図3は本発明にかかる第1の実施形態のヒートシンクに接合部を圧入する状態を示したヒートシンクの斜視図である。
ヒートシンク1は、アルミニウム、銅、銅合金等の比較的熱伝導性の高い材料を押出し加工及び引抜き加工による成型等によって形成された放熱部材である。通常、ヒートシンク1は外気との接触面積つまりはヒートシンク1の表面積が大きくなるように複数の放熱用フィン12が円柱状のヒートシンク本体11の円柱外側面に一体で形成される。本実施形態においては図2に示されているようにヒートシンク本体11に対して放射状に延伸する放熱用フィン12がヒートシンク本体11の外周に環状に配列されている。特に表面積を大きくするために放熱用フィン12は配列方向に対して湾曲して形成される。湾曲させることによって放熱フィン12単体での表面積は増加する。ヒートシンク1の表面積を大きくする放熱フィン12の形状は、これに限定されず、適宜形状を変更することは可能である。
第1の実施形態においてはヒートシンク本体11及び放熱用フィン12はアルミニウムによって形成され、図3に示されているようにヒートシンク本体11の中心つまり円柱の底面側中心部付近に貫通孔111が形成される。前記貫通孔にはアルミニウムよりも熱伝導性が高い銅によって形成された接合部13が嵌合固定されている。接合部13を前記貫通孔111に挿入する際に接合部13の側面と貫通孔111との間の接触面に発生する接触熱抵抗の値を低くするために、接触圧力が高くなるように圧入固定されている。これにより、MPU3から接合部13に伝達された熱が効率よくヒートシンク本体11に伝達され放熱フィン12から外気に放熱される。貫通孔111ではなく、凹部を形成して接合部13を圧入固定しても良い。
第1の実施形態においては、接合部13をヒートシンク本体11に形成された貫通孔111に圧入固定する構成であるが、加工工数及び冷却効率を考慮して接合部13をヒートシンク本体11と一体で形成しても良い。
一般的に、アルミニウム製の材料を使用した押出し加工及び引抜き加工は成型に使用する金型の構造が単純であり、仕上がりの寸法精度が高い。銅製材料では複雑な形状の押出し加工及び引抜き加工による成型が非常に難しく、仕上がりの寸法精度が極めて悪い。事実上、銅製の複雑な形状のヒートシンクを押出し加工及び引抜き加工による成型によって形成するのは不可能である。このため、放熱用フィン12が一体形成されている複雑なヒートシンク1においては、銅製材料ではなくアルミニウム製材料が使用される。
接合部13は、MPU3が載置されているマザーボード31とヒートシンク1とを固定する取付部14と、MPU3と接合される接合面131と、が構成されている。本実施形態においては、取付部14は接合部13に固定されているが、取付部14を固定する場所はヒートシンク本体11でも良く、限定されない。または取付部14は別体で構成しても良い。接合面131はMPUと熱伝導材4を介して接合されている。
熱伝導材4は熱伝達性が高い材料が用いられる。本実施形態においては作業性を考慮してポリイミドフィルム(Polyimide Film)、ファイバグラスマット(Fiberglas Mat)、アルミニウム箔等の支持基材上に充填剤が含まれる感圧接着剤を塗布してコーティングしたサーマルテープ等のテープ状の部材を使用する。熱伝導材4はMPU3表面とヒートシンク1の接合面131との接触面積が高い方が良いため、シリコーンオイルを基油としてアルミナ等の熱伝導性の高い粉末を配合したグリース状の熱伝導性シリコーン樹脂等を使用しても良い。熱伝導性シリコーン樹脂はグリース状であるため、ほぼ隙間が無い状態で各部材表面と密着させることが可能である。熱伝導材4は熱伝導性が高い部材であれば、適宜変更可能である。
MPU3で発生した熱は、熱伝導材4を介してヒートシンク1の接合部131に伝達される。この伝達過程において、熱抵抗の値を低減することによって大幅に放熱効率を向上することが可能である。ここで重要になるのがMPU3と熱伝導材4、熱伝導材4と接合面131の間に発生する接触熱抵抗の値である。接触熱抵抗の値は、接触圧力、接触面積、接触面の表面粗さ、各材料の熱伝導率、熱伝導材4の熱伝導率、熱伝導材4の厚み、各材料表面の硬度に依存して決定される。MPU3の表面は一般にヒートスプレッダという熱伝導性の高い銅板にて構成されている。このため、MPU3側の接触面積、接触面の表面粗さ、材料(銅板)の熱伝導率、材料(銅板)の硬度は一定の値として接触熱抵抗の値を低減する方法を提案する必要がある。また、ヒートシンク1の接合面131は前述のとおり銅を使用しているため、接触面の表面粗さ、材料(銅)の熱伝導率、材料(銅)の硬度は一定の値として接触熱抵抗の値を低減する方法を提案する必要がある。接触圧力を増すことによって接触熱抵抗の値が低くなることは周知技術である。このため、以下では接合面131の形状を変更することによって、熱伝導材4の厚みを変更させ、接触熱抵抗の値を低減する方法について詳述する。
図4は、ヒートシンク本体に圧入される接合部の中心部を通る任意の断面を示した斜視図である。図5乃至図11は図4に示した接合部断面のX−Yに対する断面曲線を示すグラフである。ヒートシンク本体11に圧入固定される銅製の接合部13の接合面131は図4に示されるように円形の面を形成している。接合面131の円形面の中央部を通るように接合面131に垂直に切断した任意の断面において、前記中央部を通る接合面131上の直線をX軸とし、接合面131に垂直な方向で中央部131aを通る直線をY軸とする。接合面131の平面度が0の場合にYの座標が0μmとなるように接合面131の断面曲線を図5に示した。図5に示されているように、接合面131は中央部131aが60μmとなる凸形状になっている。また中央部を頂点132(Y軸において最上の点)とし頂点132から放射方向に向けて傾斜する傾斜面が形成されている。図5に示される断面曲線は接合面131の中央部131aを通る任意の断面の接合面131部であるため、傾斜面は中央部131aを中心とするY軸回りの対称形状である円錐面133として形成される。
図12は接合面131とMPU3の表面とが熱伝導材4を介して接合されている状態の詳細を示す断面図である。尚、図12では接合面の断面が凸形状であることを強調するために接合面付近のみ上下方向の寸法を拡大して表示している。図12に示されているように接合部131とMPU3の表面が形成する間隙には熱伝導材4が介在されている。熱伝導材4と接合面131、熱伝導材4とMPU3の表面、それぞれの間には空気が介在されないように熱伝導材4はそれぞれの表面に密着されている。熱伝導材4は接合面131つまり円錐面133に密着されており、接合面131をMPU3に対して加圧することによって熱伝導材4のY軸方向の厚みは薄くなり、頂点132がMPU3の表面と接触する。ただし、加圧する圧力のバラツキにより頂点132とMPU3の表面とが接触しない場合もある。
MPU3は中心部が最も発熱量が高く、中心部で発生する熱を効率よく放熱することによってMPU3全体の放熱効率を高くすることができる。本発明においては、接合面131の中心部の頂点132が突出しているため、MPU3表面の中心部と接合面131の頂点が形成する間隙が狭くなり、場合によっては接触し、接触熱抵抗を低減することが可能である。
図13はヒートシンク1をマザーボード31に結合させた際のMPU表面形状の変化を示した平面図である。接合面131の凸形状及びMPU3とマザーボード31の湾曲を強調する為に上下方向の寸法を変更して示しております。接合部13に取り付けられた取付部14によってヒートシンク1はマザーボード31に取り付けられ、接合面131は、熱伝導材4を介してヒートシンク1に加圧される。取付部14は図2に示されているように接合面131の外方に接合面131を挟んでほぼ等間隔に4箇所備えられている。各取付部14によって熱伝導材4が接合面131とMPU3によって狭圧されるようにヒートシンク1とマザーボード31が結合される。これにより、図13(B)に示されているように接合面131ここでは頂点132を支点としてMPU3の表面にモーメントが発生し、図13(A)に示されているように接合面131を支点としてマザーボード31に固定されているMPU3の表面は擂鉢状に湾曲する。従来形状の平面度が0に近いフラットな接合面13を有するヒートシンクの場合では、MPU3の中心部と接合部13の中心部131との間隙が大きくなり、結果的に熱伝導材4の厚みが大きくなる。これにより接合面13とMPU3との接触熱抵抗の値が大きくなり、MPU3からヒートシンク1への熱伝達効率の低下につながる。しかし、接合面13の面形状を中心部131aを頂点132とする円錐面133に形成すると、MPU3と接合面13の頂点132とが接触することにより間隙が0になる。また湾曲したMPU3の表面と円錐面133とが近接することにより、熱伝導材4の厚みを全体的に薄くすることが可能である。擂鉢状の湾曲面と円錐面133とが対向するように円錐面133の形状を決定すれば、熱伝導材4の厚みをほぼ一様に薄くすることが可能である。熱伝導材4が円錐面133と接触している面のMPU表面に対して垂直方向の高さをAとしたとき、Aの高さを変更することによって円錐面133の頂点の高さを変更することができ、円錐面133の形状を変更することができる。
図14は横軸をMPU3からヒートシンク1に伝達する熱抵抗の値、縦軸を図12に示されているAの寸法としたグラフである。このとき、Aの値がマイナスを示しているのは接合面131が窪んだ凹部になっている場合である。図12に示されているとおり、接合面131がフラットな状態つまりは縦軸が0μmを付近のときの熱抵抗の値は0.300℃/Wを示しているのに対し、接合面131が凹部に形成された状態つまりは縦軸が−60μmから−30μm付近においては熱抵抗の値が0.319℃/Wから0.350℃/Wである。これは接合面131がフラットな状態よりも窪んだ凹部の状態の方が、熱伝達効率が低いということを示す。上述のとおり接合面131が窪んだ凹部形状の場合、MPU3の中心部付近の熱伝導材4の厚みが厚くなり、接触熱抵抗の値が大きくなるためである。
接合面131の形状をフラットな状態から凸形状にするとAの寸法が30μmのときには熱抵抗の値が0.282℃/Wとなり、Aの寸法が60μmのときには熱抵抗の値が0.271℃/Wとなる。更にAの寸法を大きくすると100μmのときには、熱抵抗の値が0.280℃/Wとなり、Aの寸法が150μmのときには、熱抵抗の値が0.290℃/Wとなる。更にAの寸法が200μmのときには、熱抵抗の値が0.30℃/Wとなり、接合面131の形状がフラットな状態とほぼ同等な熱抵抗の値になる。つまりAの寸法が200μm以上のときには、接合面131の形状が窪んだ凹部形状になる場合と同等に熱抵抗の値が増加するということである。これにより、理想的な接合面131の形状は、接合面131の中心部を頂点とする凸形状であって、Aの寸法が0μmから200μmの範囲であるということがいえる。
接合面131の形状に関しては、図5に示す頂点132から放射方向に向けて傾斜する円錐面133を形成する凸形状に限定されず、図6乃至図11に示すような接合面131形状でも良い。図6では、接合面131は中心部131aに頂点132を有し、頂点132から放射方向に向けて傾斜する略円弧状傾斜面133aが形成されている。図7では、接合面131は中心部131aに頂点132を有し、頂点132から放射方向に向けて傾斜する略球状傾斜面133bが形成されている。図8では、接合面131は中心部131aに頂点132を有し、頂点132から放射方向に向けて傾斜する円錐面133が形成されており、頂点132はR形状に形成されている。図9では、接合面131が、ほぼMPU3表面と平行になるような頂面132aを有し、頂面132aの外周部から放射方向に向けて傾斜する円錐面133が形成されている。ここで頂面132aとは、頂点132を点ではなく面として形成された部位を指す。マクロ的には頂面132はフラットな面であるが、ミクロ的には頂面132aはフラットではなく凹凸が存在し、その少なくとも1つの凸部が頂点となる。図10では、接合面131が、ほぼMPU3表面と平行になるような頂面132aを有し、頂面132aの外周部から放射方向に向けて傾斜する略円弧状傾斜面133aが形成されている。図11では、接合面131が、ほぼMPU3表面と平行になるような頂面132aを有し、頂面132aの外周部から放射方向に向けて傾斜する円錐面133が形成されており、頂面132aの外周部にRが形成されている。代表的な接合面131形状を紹介したが、この形状に限らず、接合面131の形状は、接合面131の中心部131aに頂点132もしくは頂面132aを有し、放射方向に向けて傾斜する傾斜面が形成される凸形状であれば、どのような形状でも適宜変更可能である。
上記で示した傾斜面は、旋盤にて加工される。近年ではNC(Numerical Control)旋盤が主流である。これは数値制御装置を旋盤に取り付けバイトが設置される台の移動距離及び送り速度を数値で指示できるようにしたものである。特に最近では、数値制御装置をコンピュータで行うCNC(Computer Numerical Control)を用いているものが大半であり、接合面131の形状を容易に形成することが可能である。
(2)ヒートシンクにファンモータを取り付けて強制冷却するヒートシンク冷却装置
図15は(1)で説明したヒートシンク1冷却装置の上部に冷却用ファンモータを取り付けたヒートシンク冷却装置を示す斜視図である。
図15は(1)で説明したヒートシンク1冷却装置の上部に冷却用ファンモータを取り付けたヒートシンク冷却装置を示す斜視図である。
冷却ファン5は、回転することによって冷却風を発生するインペラ52と、インペラ52を回転駆動させる電動モータ(図略)と、インペラ52が回転することにより発生する冷却風を静圧エネルギに変換する風洞部511と、電動モータを固定するベース部51と、ベース部51と風洞部511とを連結接続する少なくとも3本以上のスポーク部512を備えている。
冷却ファン5は、図15に示されているようにヒートシンク本体11の中心軸と冷却ファン5のインペラ52の回転軸とがほぼ一致するようにヒートシンク1の上側に載置される。MPU3で発生した熱は、熱伝導材4を介してヒートシンク本体11から放熱フィン12へと伝達される。冷却ファン5が回転することによって図15において上方向から下方向に向けて冷却風が供給される。放熱フィン12はインペラ52の回転方向と同一の方向に配列されている。このため、冷却風は各放熱フィン12間に効率よく流入され、放熱フィン12に伝達された熱は強制的に放熱される。(1)で説明したヒートシンク1冷却装置と冷却ファン5を組み合わせることによって、ヒートシンク1冷却装置の冷却特性がより高まる。
(実施形態2)
(1)ヒートシンク及び熱伝導材を介してMPUと接触するヒートシンク冷却装置
図16は本発明にかかる第2の実施形態のヒートシンクを示した平面図である。図17は本発明にかかる第2の実施形態のヒートシンクを示した斜視図である。図16乃至図17において、図1乃至図8と同一符号のものは同一もしくはそれに相当する部位を示すものとする。
(1)ヒートシンク及び熱伝導材を介してMPUと接触するヒートシンク冷却装置
図16は本発明にかかる第2の実施形態のヒートシンクを示した平面図である。図17は本発明にかかる第2の実施形態のヒートシンクを示した斜視図である。図16乃至図17において、図1乃至図8と同一符号のものは同一もしくはそれに相当する部位を示すものとする。
ヒートシンク1Aは、アルミニウム、銅、銅合金等の比較的熱伝導性の高い材料を押出し加工及び引抜き加工による成型等によって形成された放熱部材である。通常、ヒートシンク1Aは外気との接触面積つまりはヒートシンク1Aの表面積が大きくなるように複数の放熱用フィン12Aがベース状のヒートシンク本体11Aの上面に一体で形成される。本実施形態においては図16に示されているようにヒートシンク本体11Aの上面側にほぼ等間隔に放熱用フィン12Aが配列されている。また表面積をさらに増加させるためにヒートシンク本体11Aの側面及び底面にも放熱フィン12Aが形成されている。
第2の実施形態においてはヒートシンク本体11A及び放熱用フィン12はアルミニウムによって形成され、第1の実施形態と同様にヒートシンク本体11Aに凹部(第1の実施形態においては貫通孔111)を形成し、前記凹部にはアルミニウムよりも熱伝導性が高い銅によって形成された接合部13が嵌合固定されている。接合部13を凹部に挿入する際に接合部13の側面と凹部との間の接触面に発生する接触熱抵抗の値を低くするために、接触圧力が高くなるように圧入固定されている。これにより、MPU3から接合部13に伝達された熱が効率よくヒートシンク本体11Aに伝達され放熱フィン12Aから外気に放熱される。
第2の実施形態においては、接合部13をヒートシンク本体11Aに形成された凹部に圧入固定する構成であるが、加工工数及び冷却効率を考慮して接合部13をヒートシンク本体11Aと一体で形成しても良い。
一般的に、アルミニウム製の材料を使用した押出し加工及び引抜き加工は成型に使用する金型の構造が単純であり、仕上がりの寸法精度が高い。銅製材料では複雑な形状の押出し加工及び引抜き加工による成型が非常に難しく、仕上がりの寸法精度が極めて悪い。事実上、銅製の複雑な形状のヒートシンク1Aを押出し加工及び引抜き加工による成型によって形成するのは不可能である。このため、放熱用フィン12Aが一体形成されている複雑なヒートシンク1Aにおいては、銅製材料ではなくアルミニウム製材料が使用される。
接合部13には、MPU3と接合される接合面131が構成されている。本実施形態においては、接合面131はMPUと熱伝導材4を介して接合されている。
熱伝導材4は熱伝達性が高い材料が用いられる。本実施形態においては作業性を考慮してポリイミドフィルム、ファイバグラスマット、アルミニウム箔等の支持基材上に充填剤が含まれる感圧接着剤を塗布してコーティングしたサーマルテープ等のテープ状の部材を使用する。熱伝導材4はMPU3表面とヒートシンク1の接合面131との接触面積が高い方が良いため、シリコーンオイルを基油としてアルミナ等の熱伝導性の高い粉末を配合したグリース状の熱伝導性シリコーン樹脂等を使用しても良い。熱伝導性シリコーン樹脂はグリース状であるため、ほぼ隙間が無い状態で各部材表面と密着させることが可能である。熱伝導材4は熱伝導性が高い部材であれば、適宜変更可能である。
MPU3で発生した熱は、熱伝導材4を介してヒートシンク1Aの接合部131に伝達される。この伝達過程において、熱抵抗の値を低減することによって大幅に放熱効率を向上することが可能である。ここで重要になるのがMPU3と熱伝導材4、熱伝導材4と接合面131の間に発生する接触熱抵抗の値である。接触熱抵抗の値は、接触圧力、接触面積、接触面の表面粗さ、各材料の熱伝導率、熱伝導材4の熱伝導率、熱伝導材4の厚み、各材料表面の硬度に依存して決定される。MPU3の表面は一般にヒートスプレッダという熱伝導性の高い銅板にて構成されている。このため、MPU3側の接触面積、接触面の表面粗さ、材料(銅板)の熱伝導率、材料(銅板)の硬度は一定の値として接触熱抵抗の値を低減する方法を提案する必要がある。また、ヒートシンク1Aの接合面131は前述のとおり銅を使用しているため、接触面の表面粗さ、材料(銅)の熱伝導率、材料(銅)の硬度は一定の値として接触熱抵抗の値を低減する方法を提案する必要がある。接触圧力を増すことによって接触熱抵抗の値が低くなることは周知技術である。このため、以下では接合面131の形状を変更することによって、熱伝導材4の厚みを変更させ、接触熱抵抗の値を低減する方法について詳述する。
ヒートシンク本体11Aに圧入固定される銅製の接合部13の接合面131は図4に示されるように円形の面を形成している。接合面131の円形面の中央部を通るように接合面131に垂直に切断した任意の断面において、前記中央部を通る接合面131上の直線をX軸とし、接合面131に垂直な方向で中央部131aを通る直線をY軸とする。接合面131の平面度が0の場合にYの座標が0μmとなるように接合面131の断面曲線を図5に示した。図5に示されているように、接合面131は中央部131aが60μmとなる凸形状になっている。また中央部を頂点132(Y軸において最上の点)とし頂点132から放射方向に向けて傾斜する傾斜面が形成されている。図5に示される断面曲線は接合面131の中央部131aを通る任意の断面の接合面131部であるため、傾斜面は中央部131aを中心とするY軸回りの対称形状である円錐面133として形成される。
図12は接合面131とMPU3の表面とが熱伝導材4を介して接合されている状態の詳細を示す断面図である。尚、図12では接合面の断面が凸形状であることを強調するために接合面付近のみ上下方向の寸法を拡大して表示している。図12に示されているように接合部131とMPU3の表面が形成する間隙には熱伝導材4が介在されている。熱伝導材4と接合面131、熱伝導材4とMPU3の表面、それぞれの間には空気が介在されないように熱伝導材4はそれぞれの表面に密着されている。熱伝導材4は接合面131つまり円錐面133に密着されており、接合面131をMPU3に対して加圧することによって熱伝導材4のY軸方向の厚みは薄くなり、頂点132がMPU3の表面と接触する。ただし、加圧する圧力のバラツキにより頂点132とMPU3の表面とが接触しない場合もある。
MPU3は中心部が最も発熱量が高く、中心部で発生する熱を効率よく放熱することによってMPU3全体の放熱効率を高くすることができる。本発明においては、接合面131の中心部の頂点132が突出しているため、MPU3表面の中心部と接合面131の頂点が形成する間隙が狭くなり、場合によっては接触し、接触熱抵抗を低減することが可能である。
ヒートシンク1Aは、別体で構成されるヒートシンク1Aをマザーボード31に取り付ける取付部材によってマザーボード31に取り付けられる。接合面131は、図12に示されているように熱伝導材4を介してヒートシンク1に加圧される。取付部材は接合面131の外方に接合面131を挟んでほぼ等間隔に少なくとも2箇所以上備えられている。各取付部材によって熱伝導材4が接合面131とMPU3によって狭圧されるようにヒートシンク1とマザーボード31が結合される。これにより、接合面131ここでは頂点132を支点としてMPU3の表面にモーメントが発生し、図13(A)に示されているように接合面131を支点としてマザーボード31に固定されているMPU3の表面は擂鉢状に湾曲する。従来形状の平面度が0に近いフラットな接合面13を有するヒートシンクの場合では、MPU3の中心部と接合部13の中心部131との間隙が大きくなり、結果的に熱伝導材4の厚みが大きくなる。これにより接合面13とMPU3との接触熱抵抗の値が大きくなり、MPU3からヒートシンク1への熱伝達効率の低下につながる。しかし、接合面13の面形状を中心部131aを頂点132とする円錐面133に形成すると、MPU3と接合面13の頂点132とが接触することにより間隙が0になる。また湾曲したMPU3の表面と円錐面133とが近接することにより、熱伝導材4の厚みを全体的に薄くすることが可能である。擂鉢状の湾曲面と円錐面133とが対向するように円錐面133の形状を決定すれば、熱伝導材4の厚みをほぼ一様に薄くすることが可能である。熱伝導材4が円錐面133と接触している面のMPU表面に対して垂直方向の高さをAとしたとき、Aの高さを変更することによって円錐面133の頂点の高さを変更することができ、円錐面133の形状を変更することができる。
図14は横軸をMPU3からヒートシンク1Aに伝達する熱抵抗の値、縦軸を図12に示されているAの寸法としたグラフである。このとき、Aの値がマイナスを示しているのは接合面131が窪んだ凹部になっている場合である。図12に示されているとおり、接合面131がフラットな状態つまりは縦軸が0μmを付近のときの熱抵抗の値は0.300℃/Wを示しているのに対し、接合面131が凹部に形成された状態つまりは縦軸が−60μmから−30μm付近においては熱抵抗の値が0.319℃/Wから0.350℃/Wである。これは接合面131がフラットな状態よりも窪んだ凹部の状態の方が、熱伝達効率が低いということを示す。上述のとおり接合面131が窪んだ凹部形状の場合、MPU3の中心部付近の熱伝導材4の厚みが厚くなり、接触熱抵抗の値が大きくなるためである。
接合面131の形状をフラットな状態から凸形状にするとAの寸法が30μmのときには熱抵抗の値が0.282℃/Wとなり、Aの寸法が60μmのときには熱抵抗の値が0.271℃/Wとなる。更にAの寸法を大きくすると100μmのときには、熱抵抗の値が0.280℃/Wとなり、Aの寸法が150μmのときには、熱抵抗の値が0.290℃/Wとなる。更にAの寸法が200μmのときには、熱抵抗の値が0.30℃/Wとなり、接合面131の形状がフラットな状態とほぼ同等な熱抵抗の値になる。つまりAの寸法が200μm以上のときには、接合面131の形状が窪んだ凹部形状になる場合と同等に熱抵抗の値が増加するということである。これにより、理想的な接合面131の形状は、接合面131の中心部を頂点とする凸形状であって、Aの寸法が0μmから200μmの範囲であるということがいえる。
接合面131の形状に関しては、図5に示す頂点132から放射方向に向けて傾斜する円錐面133を形成する凸形状に限定されず、図6乃至図11に示すような接合面131形状でも良い。図6では、接合面131は中心部131aに頂点132を有し、頂点132から放射方向に向けて傾斜する略円弧状傾斜面133aが形成されている。図7では、接合面131は中心部131aに頂点132を有し、頂点132から放射方向に向けて傾斜する略球状傾斜面133bが形成されている。図8では、接合面131は中心部131aに頂点132を有し、頂点132から放射方向に向けて傾斜する円錐面133が形成されており、頂点132はR形状に形成されている。図9では、接合面131が、ほぼMPU3表面と平行になるような頂面132aを有し、頂面132aの外周部から放射方向に向けて傾斜する円錐面133が形成されている。ここで頂面132aとは、頂点132を点ではなく面として形成された部位を指す。マクロ的には頂面132はフラットな面であるが、ミクロ的には頂面132aはフラットではなく凹凸が存在し、その少なくとも1つの凸部が頂点となる。図10では、接合面131が、ほぼMPU3表面と平行になるような頂面132aを有し、頂面132aの外周部から放射方向に向けて傾斜する略円弧状傾斜面133aが形成されている。図11では、接合面131が、ほぼMPU3表面と平行になるような頂面132aを有し、頂面132aの外周部から放射方向に向けて傾斜する円錐面133が形成されており、頂面132aの外周部にRが形成されている。代表的な接合面131形状を紹介したが、この形状に限らず、接合面131の形状は、接合面131の中心部131aに頂点132もしくは頂面132aを有し、放射方向に向けて傾斜する傾斜面が形成される凸形状であれば、どのような形状でも適宜変更可能である。
上記で示した傾斜面は、旋盤にて加工される。近年ではNC旋盤が主流である。これは数値制御装置を旋盤に取り付けバイトが設置される台の移動距離及び送り速度を数値で指示できるようにしたものである。特に最近では、数値制御装置をコンピュータで行うCNCを用いているものが大半であり、接合面131の形状を容易に形成することが可能である。
(2)ヒートシンクにファンモータを取り付けて強制冷却するヒートシンク冷却装置
図18は(1)で説明したヒートシンク1A冷却装置の上部に冷却用ファンモータを取り付けたヒートシンク1A冷却装置を示す斜視図である。
図18は(1)で説明したヒートシンク1A冷却装置の上部に冷却用ファンモータを取り付けたヒートシンク1A冷却装置を示す斜視図である。
冷却ファン5Aは、回転することによって冷却風を発生するインペラ52Aと、インペラ52Aを回転駆動させる電動モータ(図略)と、インペラ52Aが回転することにより発生する冷却風を静圧エネルギに変換する風洞部511Aと、電動モータを固定するベース部51Aと、ベース部51Aと風洞部511Aとを連結接続する少なくとも3本以上のスポーク部512Aを備えている。風洞部511Aの外側面は略四角形が形成されており、略四角形の四隅には冷却ファン5Aを筐体に取り付ける取付穴が構成されている。
冷却ファン5Aは、図18に示されているように接合面131と垂直な方向から各放熱フィン12A間に冷却風が供給されるように取り付けられる。冷却ファン5Aは、ヒートシンク1Aと冷却ファン5Aとを収容するケーシング6によってヒートシンク1Aに冷却風が供給されるように位置決めされる。ケーシング6内部には図18に示されるようにヒートシンク1Aと冷却ファン5Aとが固定される。冷却ファン5Aは冷却風を放熱フィン12に供給する方向に取り付けられる。またケーシング6には外部から冷却ファンが吸気できるように開口61が設けられる。ケーシング6は開口61と対向する方向にも同様に開口が設けられ、前記開口から各放熱フィン12Aの間を通過した冷却風がケーシング6外部へ排出される。ケーシング6にはマザーボード31に取り付けることができる取付部62が形成されており、取付部62をマザーボードに結合させることによって接合面131とMPU3の間に熱伝導材4を狭圧することができる。(1)で説明したヒートシンク1冷却装置と冷却ファン5を組み合わせることによって、ヒートシンク1冷却装置の冷却特性がより高まる。
(その他の実施形態)
以上のように実施形態について説明したが、ヒートシンク本体及び放熱フィンの構成、ヒートシンクとファンとの組合せに関しては上記で説明した構成に限定されず、状況に応じて適宜その他の形状への変更は可能である。
以上のように実施形態について説明したが、ヒートシンク本体及び放熱フィンの構成、ヒートシンクとファンとの組合せに関しては上記で説明した構成に限定されず、状況に応じて適宜その他の形状への変更は可能である。
1 ヒートシンク
11 ヒートシンク本体
111 貫通孔
12 放熱フィン
13 接合部
131 接合面
132 頂点
133 円錐面
14 取付部
3 MPU
4 熱伝導材
5 冷却ファン
6 ケーシング
11 ヒートシンク本体
111 貫通孔
12 放熱フィン
13 接合部
131 接合面
132 頂点
133 円錐面
14 取付部
3 MPU
4 熱伝導材
5 冷却ファン
6 ケーシング
Claims (10)
- 電子部品等の被冷却物をヒートシンクを用いて冷却するヒートシンク冷却装置であって、
前記ヒートシンクは、被冷却物に少なくとも一部が熱伝導材を介して接合するヒートシンク本体と、該ヒートシンク本体に一体に設けられた複数の放熱用フィンと、を備えており、
前記熱伝導材は、前記被冷却物で発生した熱を前記ヒートシンク本体に伝達するように、前記被冷却物表面と前記ヒートシンク本体の被冷却物用接合面とで挟圧固定されており、
前記接合面は前記ヒートシンク本体に凸形状で形成されており、前記接合面の少なくともほぼ中央部付近に頂点もしくは頂面を有し、前記頂点もしくは頂面から放射方向に向けて傾斜する傾斜面を有することを特徴とするヒートシンク冷却装置。 - 前記ヒートシンク本体の前記接合面の凸形状が、前記頂点から放射方向に向けて傾斜する略円錐面もしくは円弧面によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク冷却装置。
- 前記ヒートシンク本体の前記接合面の凸形状が、前記頂面から放射方向に向けて傾斜する略円錐面もしくは円弧面によって形成され、前記頂面は前記被冷却物表面と平行な面となっていることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク冷却装置。
- 前記被冷却物に少なくとも一部が前記熱伝導材を介して前記ヒートシンク本体の接合面と接合した際に、前記被冷却物表面に対して垂直な方向における前記傾斜面と前記熱伝導材との接触面の高さが200μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置。
- 前記ヒートシンク本体の接合面は凸形状で形成されており、前記接合面の少なくともほぼ中心部付近に頂点を有し、前記頂点から放射方向に向けて傾斜する前記傾斜面を有し、
前記頂点が被冷却物表面と接触することを特徴とする請求項1及び2に記載のヒートシンク冷却装置。 - 前記ヒートシンク本体には、前記ヒートシンク本体に設けた凹部もしくは貫通孔に熱伝導性の高い材料で形成された被冷却物接合部が嵌合固定されおり、前記接合面は、該接合部材の表面に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置。
- 前記ヒートシンクの前記接合面の前記凸形状を旋盤による切削加工によって前記凸形状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置。
- 前記被冷却物はベース上に設けられ、前記被冷却物表面と前記ヒートシンク本体の被冷却物用接合面とで前記熱伝導材を挟圧固定するように、前記ベースと前記ヒートシンク本体とが、前記頂点もしくは頂面を挟んだ少なくとも2箇所の位置において結合されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置。
- 前記ヒートシンクの上面には、前記ヒートシンクに冷却風を供給するファンモータが備えられていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載のヒートシンク冷却装置。
- 前記ヒートシンクと前記ファンモータとを収容するケーシングを備えたことを特徴とする請求項9に記載のヒートシンク冷却装置。
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