JP2007165791A - Light source device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、同面上に陽陰の両極を有する半導体発光素子チップを絶縁性基板上に設けた共通極性を電気的に接続する複数のパターンに複数載置し、これら半導体発光素子チップを配置する反対側にパターンから導通する電極を設けて高輝度の出射光を得ることができる光源装置に関する。 In the present invention, a plurality of semiconductor light emitting element chips having both positive and negative polarities on the same surface are placed in a plurality of patterns electrically connecting common polarities provided on an insulating substrate, and these semiconductor light emitting element chips are arranged. The present invention relates to a light source device capable of obtaining emitted light with high luminance by providing an electrode that conducts from a pattern on the opposite side.
従来の光源装置としては、例えばリードフレームをインサートモールド成形し、複数の半導体発光素子チップを線状に並列に載置して1つまたは複数の出光部(開口部)を有して一体化したものが知られている。
上述した従来の光源装置として、一体化モールド成形されたものでは、半導体発光素子チップからのジュール熱を放出することができず、光源装置内に熱が籠もってしまい、例えば蛍光材による白色発光させるものでは、熱による蛍光材の劣化を招いてしまう恐れがある。 As the above-described conventional light source device, the one formed by integral molding cannot release Joule heat from the semiconductor light emitting element chip, and heat is trapped in the light source device. For example, white light is emitted by a fluorescent material. In some cases, the phosphor may be deteriorated by heat.
(発明の目的)
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、同面上に陽陰の両極を有する複数の半導体発光素子チップをセラミック等から成る絶縁性基板上に設けた複数のパターンにパラレル(並列)やシリーズ(直列)に金バンプや共晶等によってボンディングワイヤ等を用いずに直接機械的および電気的に接続し、これらパターンに半導体発光素子チップを配置した反対側に設けた電極によって外部から電力の供給を得て光源装置全体として大出力の出射光を得ることができるとともに大電流を光源装置の裏面部側の電極から供給するために半導体発光素子チップからのジュール熱を外部に効率良く放出することができる光源装置を提供することにある。
(Object of invention)
The present invention has been made to solve the above-described problems, and a plurality of patterns in which a plurality of semiconductor light-emitting element chips having both positive and negative electrodes on the same surface are provided on an insulating substrate made of ceramic or the like. Directly mechanically and electrically connected to parallel (parallel) or series (serial) by using gold bumps, eutectic, etc. without using bonding wires, etc., and provided on the opposite side to the semiconductor light-emitting element chip arranged in these patterns The electrode can obtain power from the outside by supplying power from the outside to obtain a large output light as the whole light source device, and in order to supply a large current from the electrode on the back side of the light source device, Joule heat from the semiconductor light emitting element chip is used. An object of the present invention is to provide a light source device capable of efficiently emitting to the outside.
本発明の請求項1に係る光源装置は、絶縁性基板に対し、半導体発光素子チップの共通極性を電気的に接続する複数のパターンを設けるとともに半導体発光素子チップを配置する反対側にパターンから導通する電極を設けることを特徴とする。
In the light source device according to
請求項1に係る光源装置は、絶縁性基板に対し、半導体発光素子チップの共通極性を電気的に接続する複数のパターンを設けるとともに半導体発光素子チップを配置する反対側にパターンから導通する電極を設けるので、複数の半導体発光素子チップをパラレル(並列)やシリーズ(直列)に電気接続することができる。また、発光色の異なる半導体発光素子チップを1つの絶縁性基板上に設けることができる。そして、これら全ての半導体発光素子チップに供給する電力を絶縁性基板の裏面部側の電極から供給することができる。そのため、半導体発光素子チップから発生するジュール熱を外部に放出することができる。
The light source device according to
また、請求項2に係る光源装置は、絶縁性基板がセラミックから成ることを特徴とする。
The light source device according to
請求項2に係る光源装置は、絶縁性基板がセラミックから成るので、複数の半導体発光素子チップから発生するジュール熱を速やかに伝導することができ、機械的強度にも優れている。 In the light source device according to the second aspect, since the insulating substrate is made of ceramic, Joule heat generated from a plurality of semiconductor light emitting element chips can be quickly conducted, and the mechanical strength is excellent.
さらに、請求項3に係る光源装置は、絶縁性基板が透明性を有するものから成ることを特徴とする。
Furthermore, the light source device according to
請求項3に係る光源装置は、絶縁性基板が透明性を有するものから成るので、光源装置の出射面を絶縁性基板の表面側と裏面部側とを(複数の半導体発光素子チップを載置する面と載置する反対面とを)選択することができる。また、絶縁性基板の両面から半導体発光素子チップからの出射光を得ることができる。 In the light source device according to the third aspect, since the insulating substrate is made of a transparent material, the light emitting device has a light emitting device on the front surface side and back surface side of the insulating substrate (with a plurality of semiconductor light emitting element chips mounted thereon). The surface to be mounted and the opposite surface to be mounted). Moreover, the emitted light from the semiconductor light emitting element chip can be obtained from both surfaces of the insulating substrate.
また、請求項4に係る光源装置は、絶縁性基板において、半導体発光素子チップを配置する表面とその反対側の裏面との間に導電性を有する通過穴または導電性体を有することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the light source device according to
請求項4に係る光源装置は、絶縁性基板において、半導体発光素子チップを配置する表面とその反対側の裏面との間に導電性を有する通過穴または導電性体を有するので、パターンから導通する電極以外にも裏面部側に通電させることができる。また、通過穴を利用して絶縁性基板自身を機械的に固定することができる。
The light source device according to
さらに、請求項5に係る光源装置は、半導体発光素子チップを配置する絶縁性基板上の反対側に少なくとも2つ以上の電極を設けることを特徴とする。
Further, the light source device according to
請求項5に係る光源装置は、半導体発光素子チップを配置する絶縁性基板上の反対側に少なくとも2つ以上の電極を設けるので、光源装置をそのまま電子基板等に直接マウントすることができる。また、絶縁性基板上の複数のパターンに対応させることによって複数の異なる発光色の半導体発光素子チップを載置することができる。さらに、各電極を有することによって各半導体発光素子チップに流す電流や電圧を調整することができる。 Since the light source device according to the fifth aspect is provided with at least two or more electrodes on the opposite side of the insulating substrate on which the semiconductor light emitting element chip is disposed, the light source device can be directly mounted on an electronic substrate or the like as it is. In addition, a plurality of semiconductor light emitting element chips having different emission colors can be mounted by corresponding to a plurality of patterns on the insulating substrate. Furthermore, by having each electrode, it is possible to adjust the current and voltage flowing through each semiconductor light emitting element chip.
また、請求項6に係る光源装置は、絶縁性基板上に載置する半導体発光素子チップが同面上に陽陰の両極を有することを特徴とする。
The light source device according to
請求項6に係る光源装置は、絶縁性基板上に載置する半導体発光素子チップが同面上に陽陰の両極を有するので、絶縁性基板等に設けた複数のパターンに複数の半導体発光素子チップを金バンプや共晶等によってボンディングワイヤ等を用いずに直接機械的および電気的に接続することができる。 In the light source device according to the sixth aspect, since the semiconductor light emitting element chip mounted on the insulating substrate has both positive and negative electrodes on the same surface, a plurality of semiconductor light emitting elements are provided in a plurality of patterns provided on the insulating substrate or the like. Chips can be directly mechanically and electrically connected by gold bumps, eutectics, etc. without using bonding wires or the like.
さらに、請求項7に係る光源装置は、半導体発光素子チップが、赤色発光、青色発光、緑色発光の三種あるいは赤色発光、青色発光、緑色発光の何れかまたは白色発光をすることを特徴とする。
Furthermore, the light source device according to
請求項7に係る光源装置は、半導体発光素子チップが、赤色発光、青色発光、緑色発光の三種あるいは赤色発光、青色発光、緑色発光の何れかまたは白色発光をするので、単色から各種の発光色や赤色発光、青色発光、緑色発光による白色、また単体での白色発光(蛍光材や波長変換材による擬似白色)を出射することができる。
In the light source device according to
以上のように、請求項1に係る光源装置は、絶縁性基板に対し、半導体発光素子チップの共通極性を電気的に接続する複数のパターンを設けるとともに半導体発光素子チップを配置する反対側にパターンから導通する電極を設けるので、複数の半導体発光素子チップをパラレル(並列)やシリーズ(直列)に電気接続することができる。また、発光色の異なる半導体発光素子チップを1つの絶縁性基板上に設けることができる。そして、これら全ての半導体発光素子チップに供給する電力を絶縁性基板の裏面部側の電極から供給することができる。そのため、半導体発光素子チップから発生するジュール熱を外部に放出することができる。
As described above, the light source device according to
よって、例えば赤色発光、緑色発光、青色発光の半導体発光素子チップの3原色発光によって白色光の出射光を得ることができ、光源装置全体として高輝度大発光の出射光を得ることができる。しかも、熱による半導体発光素子チップの劣化を防止し、長寿命で安定した波長の光を出射することができる。 Therefore, for example, the emitted light of the white light can be obtained by the light emission of the three primary colors of the semiconductor light emitting element chips for red light emission, green light emission, and blue light emission, and the light source device as a whole can obtain the emitted light of high luminance and large light emission. In addition, deterioration of the semiconductor light-emitting element chip due to heat can be prevented, and light having a long life and a stable wavelength can be emitted.
また、請求項2に係る光源装置は、絶縁性基板がセラミックから成るので、複数の半導体発光素子チップから発生するジュール熱を速やかに伝導することができ、機械的強度にも優れている。
In the light source device according to
そのために、外部にジュール熱を伝導させて外部に放出することができ、半導体発光素子チップの劣化を防止し、長寿命で安定した波長の光を出射することができる。しかも、より多くの電流を流すことができるため、高輝度な出射光を得ることができる。 Therefore, Joule heat can be conducted to the outside and emitted to the outside, the semiconductor light emitting element chip can be prevented from being deteriorated, and light having a long life and a stable wavelength can be emitted. In addition, since a larger amount of current can be passed, high-luminance outgoing light can be obtained.
さらに、請求項3に係る光源装置は、絶縁性基板が透明性を有するものから成るので、光源装置の出射面を絶縁性基板の表面側と裏面部側とを(複数の半導体発光素子チップを載置する面と載置する反対面)選択することができる。また、絶縁性基板の両面から半導体発光素子チップからの出射光を得ることができる。 In the light source device according to the third aspect, since the insulating substrate is made of a transparent material, the light emitting device has an emission surface on the front surface side and the back surface side of the insulating substrate (with a plurality of semiconductor light emitting element chips). The surface to be placed and the opposite surface to be placed) can be selected. Moreover, the emitted light from the semiconductor light emitting element chip can be obtained from both surfaces of the insulating substrate.
そのため、双方向出射できる光源装置を得ることができる。さらに、例えば青色発光の半導体発光素子チップを絶縁性基板のパターン上に接続し、この青色発光の半導体発光素子チップによって励起し異なる波長を出射する黄色発光の蛍光材を設けることにより、蛍光材による黄色の発光色と半導体発光素子チップの青色の発光色との混合によって白色発光をさせることができる。 Therefore, a light source device capable of bidirectional emission can be obtained. Further, for example, by connecting a blue light emitting semiconductor light emitting element chip on the pattern of the insulating substrate, and providing a yellow light emitting fluorescent material that is excited by the blue light emitting semiconductor light emitting element chip and emits a different wavelength, a fluorescent material is used. White light can be emitted by mixing the yellow light emission color and the blue light emission color of the semiconductor light emitting element chip.
また、請求項4に係る光源装置は、絶縁性基板において、半導体発光素子チップを配置する表面とその反対側の裏面との間に導電性を有する通過穴または導電性体を有するので、パターンから導通する電極以外にも裏面部側に通電させることができる。また、通過穴を利用して絶縁性基板自身を機械的に固定することができる。
Further, the light source device according to
そのため、より多くの電流を流すことができ高輝度な出射光を得ることができる。しかも、絶縁性基板自身を機械的に固定することによって複数の半導体発光素子チップからのジュール熱を熱伝導性の良い金属等のネジ等によって効率良く外部に放出することができる。 Therefore, a larger amount of current can be flowed and high-luminance outgoing light can be obtained. In addition, by mechanically fixing the insulating substrate itself, Joule heat from the plurality of semiconductor light emitting element chips can be efficiently discharged to the outside by screws or the like of metal having good thermal conductivity.
さらに、請求項5に係る光源装置は、半導体発光素子チップを配置する絶縁性基板上の反対側に少なくとも2つ以上の電極を設けるので、光源装置をそのまま電子基板等に直接マウントすることができる。また、絶縁性基板上の複数のパターンに対応させることによって複数の異なる発光色の半導体発光素子チップを載置することができる。しかも、各電極を有することによって各半導体発光素子チップに流す電流や電圧を調整することができる。
Furthermore, since the light source device according to
そのため、高輝度な出射光を得ることができる。さらに、赤色発光、青色発光、緑色発光する半導体発光素子チップを載置することによって白色光を得ることができる。また、各発光色の半導体発光素子チップをコントロールすることによりあらゆる発光色(フルカラー)を得ることができる。 As a result, high-luminance outgoing light can be obtained. Furthermore, white light can be obtained by mounting semiconductor light emitting element chips that emit red light, blue light, and green light. Moreover, all emission colors (full color) can be obtained by controlling the semiconductor light emitting element chip of each emission color.
また、請求項6に係る光源装置は、絶縁性基板上に載置する半導体発光素子チップが同面上に陽陰の両極を有するので、絶縁性基板等に設けた複数のパターンに複数の半導体発光素子チップを金バンプや共晶等によってボンディングワイヤ等を用いずに直接機械的および電気的に接続することができる。そのため、機械的な振動等に対して安定に発光することができる。
In the light source device according to
さらに、請求項7に係る光源装置は、半導体発光素子チップが、赤色発光、青色発光、緑色発光の三種あるいは赤色発光、青色発光、緑色発光の何れかまたは白色発光をするので、単色から各種の発光色や赤色発光、青色発光、緑色発光による白色、また単体での白色発光(蛍光材や波長変換材による擬似白色)を出射することができる。そのために、各種の装置の光源に対応することができる。
Furthermore, in the light source device according to
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
なお、本発明は、セラミック等の絶縁性の基板上に複数の導電性パターンを設け、この複数のパターンを絶縁性基板の裏面部まで延ばして電極とする。そして、陽陰の両極を有した複数の半導体発光素子チップを複数の導電性パターン上の同面上にパラレル(並列)やシリーズ(直列)に金バンプや共晶等によってボンディングワイヤ等を用いずに直接機械的および電気的に接続し、これらパターンに半導体発光素子チップを配置した反対側の裏面部まで延ばして電極を設けて外部から電力の供給を得る。これにより、光源装置全体として大出力の出射光を得ることができ、大電流を光源装置の電極から供給するために半導体発光素子チップからのジュール熱を外部に効率良く放出することができる光源装置を提供している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
In the present invention, a plurality of conductive patterns are provided on an insulating substrate such as ceramic, and the plurality of patterns are extended to the back surface of the insulating substrate to form an electrode. A plurality of semiconductor light emitting device chips having both positive and negative electrodes are not used by bonding wires or the like by gold bumps or eutectic in parallel or in series on the same surface on a plurality of conductive patterns. Directly mechanically and electrically connected to each other, and extended to the back surface on the opposite side where the semiconductor light emitting element chip is arranged in these patterns, an electrode is provided to obtain power supply from the outside. As a result, the light source device can obtain a large output of emitted light as a whole light source device, and can efficiently emit Joule heat from the semiconductor light emitting element chip to the outside in order to supply a large current from the electrode of the light source device. Is provided.
図1は本発明に係る光源装置の略斜視図、図2は本発明に係る光源装置の裏面部側からの略斜視図、図3、図5〜図7は本発明に係る光源装置の略平面パターン図、図4、図8および図9は本発明に係る光源装置の略側面断面図である。 1 is a schematic perspective view of a light source device according to the present invention, FIG. 2 is a schematic perspective view from the back side of the light source device according to the present invention, and FIGS. 3, 5 to 7 are schematic diagrams of the light source device according to the present invention. FIG. 4, FIG. 8, FIG. 9 are schematic side sectional views of the light source device according to the present invention.
光源装置1は、図1に示すように、セラミック等の絶縁性の基板2の表面3上に複数の導電性パターン6(6a)を設けてある。また、この複数のパターン6(6a)は、絶縁性基板2の側面部5から裏面部4まで延ばして電極66(66a)を形成する。
As shown in FIG. 1, the
そして、本例の光源装置1は、導電性パターン6(6a)と同面上に陽極および陰極の両極を有したLEDベアーチップを反転させた複数の半導体発光素子チップ7をパラレル(並列)やシリーズ(直列)に複数の導電性パターン6(6a)の上に載置し、金バンプ9や共晶9等によってフリップチップボンドを行ってボンディングワイヤ等を用いずに直接機械的および電気的に接続した構成である。
The
図2は光源装置1の裏側からの略斜視図を示し、図4は光源装置1の略側面断面図を示している。図2および図4に示すように、絶縁性基板2の裏面部4には、絶縁性基板2の表面3上に設けた複数の導電性パターン6(6a)で側面部5を覆い、さらに裏面部4まで延ばして裏面部4に電極66(66a)を設けている。
2 shows a schematic perspective view from the back side of the
基板2は、絶縁性を有して機械的強度を持ち、熱伝導性の良い材質から成る。この基板2は、例えば窒化アルミニウム、アルミナやサファイア等の酸化アルミニウム、炭化珪素、ガリウム燐などから成るセラミック基板で構成できる。また、液晶ポリマー樹脂やガラス布エポキシ樹脂等により基板2を構成しても良い。
The
そして、基板2を絶縁性のセラミック等で構成すれば、複数の半導体発光素子チップ7から発生するジューム熱を速やかに伝達することができる。このため、より多くの電流を半導体発光素子7に流すことができ、半導体発光素子チップ7から高輝度な出射光を得ることができる。
And if the board |
また、基板2をサファイア等で構成すれば、絶縁性を有し、熱伝導性が良いとともに透明性を有している。このため、光源装置1の出射面を絶縁性基板2の表面3側と裏面部4側とを(複数の半導体発光素子チップ7を載置する面と載置する反対面とを)選択することができる。しかも、絶縁性基板2の両面から半導体発光素子チップ7からの出射光を得ることができる。これにより、双方向出射できる光源装置1を得ることができる。
Moreover, if the board |
また、図8に示すように、基板2は、半導体発光素子チップ7を配置する表面3の導電性パターン6(6a)と半導体発光素子チップ7を配置面の反対側の裏面部4の電極66(66a)との間に導電性を有する通過穴10を設ける構成としても良い。
As shown in FIG. 8, the
導電性を有する通過穴10は、半田等によって表面3の導電性パターン6(6a)と裏面部4の電極66(66a)との間をスルーホール化することによりパターン6(6a)を通して裏面部4側の電極66(66a)に直接導通でき、より多くの電流を効率良く通電することができる。そのため、より多くの電流を流すことができ、高輝度な出射光を得ることができる。
The through
また、図9に示すように、通過穴10を利用して絶縁性基板2自身をネジ等の導電性体11によって実装基盤12等に機械的に固定するようにしても良い。これにより、複数の半導体発光素子チップ7からのジュール熱を熱電導性の良い金属等のネジ等の導電性体11によって効率良く外部の放出することができる。
In addition, as shown in FIG. 9, the insulating
導電性パターン6(6a)は、セラミック基板2等の表面3上に真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、CVD(化学蒸着)、エッチング(ウェット、ドライ)等により電気的接続を可能にするパターン形状をなしており、さらに金属鍍金を施す。
The conductive pattern 6 (6a) has a pattern shape that enables electrical connection on the
また、導電性パターン6(6a)は、セラミック基板2等に複数の導電性パターン6や導電性パターン6aを設けて同色発光や異色発光の半導体発光素子チップ7をパラレル(並列)やシリーズ(直列)に複数電気接続することにより目的とする発光色や輝度を得ることができる。
Also, the conductive pattern 6 (6a) is provided with a plurality of
電極66(66a)は、導電性パターン6(6a)と同様に形成した後に、側面部5部分や裏面部4部分をさらに金や銀等の貴金属鍍金を施して機械的強度が増すようにするのが好ましい。
After the electrode 66 (66a) is formed in the same manner as the conductive pattern 6 (6a), the
また、電極66(66a)は、複数の導電性パターン6や6aと対応して複数の電極66や66a等を設ける。
The electrode 66 (66a) is provided with a plurality of
このように、複数の電極66や66a等を設けることによって各パターン6(6a)に載置した半導体発光素子チップ7に流す電流や電圧を調整することができる。
Thus, by providing a plurality of
さらに、赤色発光、青色発光、緑色発光する半導体発光素子チップ7を載置することによって白色光を得ることができる。また、各色発光の半導体発光素子チップ7の電流や電圧をコントロールすれば、あらゆる発光色(フルカラー)を得ることができる。
Furthermore, white light can be obtained by mounting the semiconductor light emitting
また、半導体発光素子チップ7の輝度をコントロールして出射光を調整することができるとともに、光源装置1をそのまま図示しない電子基板等に直接マウントすることもできる。
In addition, the emitted light can be adjusted by controlling the luminance of the semiconductor light emitting
半導体発光素子チップ7は、同面上に陽極および陰極(+、−)の両極を有するもので、これを反転させて両極が下方向に向けて処理を行う。
The semiconductor light-emitting
また、半導体発光素子チップ7は、4元素化合物やInGaAlP系、InGaAlN系、InGaN系等の化合物の半導体チップ等からなる赤色発光(R)、青色発光(B)、緑色発光(G)等の高輝度発光素子である。白色光の場合には、赤色発光(R)、青色発光(B)、緑色発光(G)の3原色の半導体発光素子チップ7を極めて近接して設ける。さらに、これら単色(R,G,B)の出射光からRGBそれぞれを組み合わせて各種の発光色を出射することができる。
Further, the semiconductor light emitting
また、窒化アルミニウムやアルミナ等の反射性を有するセラミック基板に無色透明の接着剤に黄色発光の波長変換材料である蛍光材を混入させた接着剤を設け、さらにその上部に青色発光の半導体発光素子チップ7を設ける構成としてもよい。これにより、青色発光の半導体発光素子チップ7自身からの青色の光を直接出射方向に出射させ、青色発光の半導体発光素子チップ7からセラミック基板2方向に出射した光が波長変換材料に達して半導体発光素子チップ7の青色光によって励起し、黄色発光の蛍光材による黄色の発光した光がセラミック基板で反射して再度半導体発光素子チップ7を通過して出射方向に出射する時に、黄色の発光色と青色の発光色との混合によって白色の光を出射させることができる。
In addition, a ceramic substrate having reflectivity such as aluminum nitride or alumina is provided with an adhesive in which a fluorescent material which is a wavelength conversion material for yellow light emission is mixed with a colorless and transparent adhesive, and further, a blue light emitting semiconductor light emitting element is provided thereon. The
さらに、サファイア等の透明セラミック基板等2に無色透明の接着剤に黄色発光の波長変換材料である蛍光材を混入させた接着剤を設け、さらにその上部に青色発光の半導体発光素子チップ7を設ける構成としてもよい。これにより、青色発光の半導体発光素子チップ7自身からの青色の光を直接出射方向に出射させ、青色発光の半導体発光素子チップ7からセラミック基板2方向に出射した光が波長変換材料に達して半導体発光素子チップ7の青色光によって励起し、黄色発光の蛍光材による黄色の発光した光がセラミック基板2を透過し半導体発光素子チップ7からの青色の発光色と蛍光材による黄色の発光色とが混合し白色光を透明セラミック基板2の裏面部から出射することができる。
Further, a transparent
また、各半導体発光素子チップ7の同面上の陽陰の両極と導電性パターン6,6aとは、金バンプ9や共晶9等によって電気的および機械的に接続することができる。
In addition, the positive and negative electrodes on the same surface of each semiconductor light emitting
金バンプ9を用いる場合は、微小の金の粒子を振動や加圧さらに加熱しながら各半導体発光素子チップ7の同面上の陽陰の両極と導電性パターン6,6aとを溶着させる。
When the
また、共晶9を用いる場合は、半導体発光素子チップ7の同面上の陽陰の両極と導電性パターン6,6aとが互いに共晶しやすい金属材料(導電性の優れた)を用いて加熱等によって溶着させる。
When eutectic 9 is used, a metal material (excellent in conductivity) is used in which both the positive and negative electrodes on the same surface of the semiconductor light emitting
このように、セラミック等の絶縁性の基板2上に複数の導電性パターン6等を設け、この複数の導電性パターン6等を絶縁性基板2の裏面部4まで延ばして電極66等とする。そして、複数の導電性パターン6等上に同面上に陽陰の両極を有した複数の半導体発光素子チップ7をパラレル(並列)やシリーズ(直列)に金バンプや共晶9等によって直接機械的および電気的に接続し、これらパターンに半導体発光素子チップ7を配置した反対側に設けた電極66等によって外部から電力の供給を得ている。これにより、光源装置全体として大出力の出射光を得ることができる。そして、大電流を光源装置の電極66等から供給するため、半導体発光素子チップからのジュール熱を外部に効率良く放出することができる。
In this manner, a plurality of
その結果、外部にジュール熱を伝導させて外部に放出することができるため、半導体発光素子チップ7の劣化を防止し長寿命の安定した波長の光を出射することができる。さらに、より多くの電流を流すことができるために高輝度な出射光を得ることができる。
As a result, since Joule heat can be conducted to the outside and emitted to the outside, it is possible to prevent deterioration of the semiconductor light emitting
尚、ここでは図示しないが、電子基板等に直接図1のような光源装置1をマウントせずに光源装置1単体として用いる場合には、変成ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ナイロン46や芳香族系ポリエルテル等からなる液晶ポリマなどの絶縁性の有る材料に、光の反射性を良くするとともに遮光性を得るために酸化チタン等の白色粉体を混入させたものを加熱射出成形したケース内に光源装置1を収納する。
Although not shown here, when the
また、その際のケースは、光源装置1の出射方向に出光部(開口部)を有し、出光部の反対側の底部に向かって内側が傾斜部で接続された4側面を有している。
Moreover, the case in that case has a light-emitting part (opening part) in the emission direction of the
そして、この4つの傾斜部と底部との空間を無色透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の透明樹脂等で充填し、より強く半導体発光素子チップ7を固定するとともに半導体発光素子チップ7からの出射光を空気層に露出せずに光を減衰することなく出光部(開口部)から出射する。
Then, the space between the four inclined portions and the bottom portion is filled with a transparent resin such as a colorless transparent epoxy resin or silicone resin, and the semiconductor light emitting
また、空間に半導体発光素子チップ7の出射光と同色に調整した色の透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の透明樹脂等で充填してより鮮明な発光色を出射させる。
Further, a clearer emission color is emitted by filling the space with a transparent resin such as a transparent epoxy resin or silicone resin adjusted to the same color as the emission light of the semiconductor light emitting
さらに、無色透明の樹脂に無機系の蛍光顔料や有機系の蛍光染料等からなる波長変換材料を混入させた樹脂を充填して半導体発光素子チップ7自身の発光色と半導体発光素子チップ7により励起し発光した半導体発光素子チップ7と異なる波長の光とを混合させた光を出射させても良い。
Further, a resin in which a wavelength conversion material made of an inorganic fluorescent pigment, an organic fluorescent dye, or the like is mixed in a colorless and transparent resin is filled and excited by the emission color of the semiconductor light emitting
ここで、光源装置1に設けた導電性パターン6(6a)を図3および図5〜図7に示す。図3の例では、セラミック基板2等の表面3上に2つの導電性パターン6と1つの導電性パターン6aを設け、導電性パターン6aを共通回路として半導体発光素子チップ7の陽極または陰極を共用する。例えば半導体発光素子チップ7の左右の陽極側を互いに向き合うように導電性パタンー6aに接続し、各半導体発光素子チップ7の陰極側を両端の導電性パターン6に接続する。そして、導電性パターン6側の電極66から供給する電流等をコントロールすることにより輝度等を調整することができる。
Here, the conductive pattern 6 (6a) provided in the
また、図4に図3の断面を示す。図4(a)は図3のA−A’線断面図であり、導電性パターン6aを中心で切断した状態である。
FIG. 4 shows a cross section of FIG. FIG. 4A is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 3 and shows a state where the
図4(a)に示すように、絶縁性基板2の表面3部分と側面部5および裏面部4の両端まで導電性パターン6aで囲み、特に裏面部4の両端には金や銀等の貴金属鍍金を施して機械的強度を増した電極66aとしている。そして、導電性パターン6aと図示しないが手前側や奥側に導電性パターン6aと同様な導電性パターン6を有し、これら導電性パターン6aと導電性パターン6とを跨ぐ様に半導体発光素子チップ7を金バンプ9や共晶9等によって電気的及び機械的に接続する。
As shown in FIG. 4 (a), the
さらに、図4(b)は図3のB−B’線断面図であり、導電性パターン6や導電性パターン6aを横切った状態である。
FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of FIG. 3, and shows a state crossing the
図4(b)に示すように、絶縁性基板2の表面3部分および側面部5手前や図示しないが奥側と裏面部4の手前や図示しないが奥側の両端まで導電性パターン6や導電性パターン6aで囲み、特に裏面部4の両端には金や銀等の貴金属鍍金を施して機械的強度を増した電極66や電極66aとしている。そして、これら導電性パターン6aと導電性パターン6とを跨ぐ様に半導体発光素子チップ7を金バンプ9や共晶9等によって電気的及び機械的に接続する。
As shown in FIG. 4B, the
次に、図5の例では、一部が表面3上で分離された導電性パターン6を含んだ3つの導電性パターン6と1つの導電性パターン6aをセラミック基板2等の表面3上に設け、導電性パターン6aを共通回路として半導体発光素子チップ7の陽極または陰極を共用する。例えば半導体発光素子チップ7の左右の陽極側を互いに向き合うように導電性パターン6aに接続し、各半導体発光素子チップ7の陰極側を両端の導電性パターン6に接続する。そして、導電性パターン6側の電極66から供給する電流等をコントロールすることにより輝度等を調整することができる。
Next, in the example of FIG. 5, three
さらに、3つの導電性パターン6と導電性パターン6aとに載置する半導体発光素子チップ7を赤色発光、緑色発光、青色発光の3種類の半導体発光素子チップ7を用いる。これにより、白色発光色はもちろんのこと、フルカラーの色彩を再現することができる。
Further, three types of semiconductor light emitting
次に、図6の例では、3つの導電性パターン6と2つの導電性パターン6aをセラミック基板2等の表面3上に設け、1組の導電性パターン6と導電性パターン6aおよび2つの導電性パターン6と1つの導電性パターン6aを共通回路として半導体発光素子チップ7の陽極または陰極を共用する。例えば共通回路を用いた半導体発光素子チップ7の左右の陽極側を互いが向き合うように導電性パターン6aに接続し、各半導体発光素子チップ7の陰極側を2つの導電性パターン6に接続する。導電性パターン6側の電極66から供給する電流等をコントロールすることにより輝度等を調整することができる。尚、図6において、1組の導電性パターン6と導電性パターン6aには、複数の半導体発光素子チップ7の陽極と陰極とが接続される。
Next, in the example of FIG. 6, three
さらに、1つの導電性パターン6と1つの導電性パターン6aおよび2つの導電性パターン6と1つの導電性パターン6aとに載置する半導体発光素子チップ7を赤色発光、緑色発光、青色発光の3種類の半導体発光素子チップ7を用いる。これにより、白色発光色はもちろんのこと、フルカラーの色彩を再現することができる。
Further, the semiconductor light-emitting
図7は、上記の回路の変形パターンであり、セラミック基板2等の表面3上に3つの導電性パターン6と1つの導電性パターン6aを設け、各々の導電性パターン6,6aは4つの各側面部5から表面3の一部分に設け、各々側面部5から裏面部4に電極66や電極66aを設けてある。
FIG. 7 shows a modified pattern of the above-described circuit. Three
そして、3つの側面部5から延びた3つの導電性パターン6と1つの側面部5から延びた1つの導電性パターン6aを共通回路として半導体発光素子チップ7の陽極または陰極を共用する。例えば半導体発光素子チップ7の陽極側を導電性パターン6aに接続し、各半導体発光素子チップ7の陰極側を両端の導電性パターン6に接続する。そして、導電性パターン6側の電極66から供給する電流等をコントロールすることにより輝度等を調整することができる。
The anode or cathode of the semiconductor light-emitting
さらに、3つの導電性パターン6と1つの導電性パターン6aとに載置する半導体発光素子チップ7を赤色発光、緑色発光、青色発光の3種類の半導体発光素子チップ7を用いる。これにより、白色発光色はもちろんのこと、フルカラーの色彩を再現することができる。
Further, three types of semiconductor light emitting
このように、絶縁性および熱伝導性に優れたセラミック基板2等に複数の導電性パターン6や6aを設け、複数の半導体発光素子チップ7を金バンプ9や共晶9等によって直接機械的および電気的に接続し、高輝度光を出射するとともに半導体発光素子チップ7からのジュール熱を外部に効率良く放出することができる。
As described above, a plurality of
これにより、高輝度の出射光を得ることができるとともに半導体発光素子チップ7の劣化を防止することができ、熱による半導体発光素子チップ7の劣化を防ぐことができ、安定した波長の光を出射することができる光源装置1を提供することができる。
As a result, it is possible to obtain high-intensity emitted light and prevent the semiconductor light-emitting
さらに、例えば青色発光の半導体発光素子チップ7と、この青色発光の半導体発光素子チップ7によって励起し異なる波長を出射する黄色発光の蛍光材による黄色の発光色と半導体発光素子チップ7の青色の発光色との混合によって白色発光させたものでは、熱による蛍光材の劣化を防ぐことができ、安定した波長の光を出射することができる光源装置1を提供することができる。
Further, for example, a blue light emitting semiconductor light emitting
小型なモバイル製品のバックライト用光源から大型の液晶表示装置等のバックライト用光源などに適している。特に半導体発光素子であるため動作温度範囲が広く例えばカーナビ等の使用環境に対しても十分対応することができる。
また、高輝度光源として車両搭載光源や照明装置、さらに多数並べて全体としてマトリックス状にすることでフルカラーのディスプレイを提供することができる。
It is suitable for light sources for backlights of small mobile products to light sources for backlights of large liquid crystal display devices. In particular, since it is a semiconductor light emitting device, it has a wide operating temperature range and can sufficiently cope with the use environment such as a car navigation system.
In addition, a full-color display can be provided by arranging a large number of on-vehicle light sources and lighting devices as high-intensity light sources and arranging them in a matrix as a whole.
1 光源装置
2 絶縁性基板
3 表面
4 裏面部
5 側面部
6,6a 導電性パターン
7 半導体発光素子チップ
9 金バンプ、共晶
10 通過穴
11 ネジ(導電性体)
12 実装基盤
12’ 実装基盤の導電性配線パターン
66,66a 電極
DESCRIPTION OF
12 Mounting substrate 12 'Mounting substrate
Claims (7)
前記絶縁性基板は、前記半導体発光素子チップの共通極性を電気的に接続する複数のパターンを設けるとともに前記半導体発光素子チップを配置する反対側に前記パターンから導通する電極を設けることを特徴とする光源装置。 In a light source device in which a plurality of semiconductor light emitting element chips are arranged on an insulating substrate,
The insulating substrate is provided with a plurality of patterns that electrically connect common polarities of the semiconductor light emitting element chips, and an electrode that conducts from the patterns is provided on the opposite side of the semiconductor light emitting element chips. Light source device.
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