JP2007143069A - 電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の電力増幅器は、入力信号を複数の信号に分配して出力する電力分配回路と、電力分配回路から出力されたそれぞれの信号を増幅する複数の増幅回路と、複数の増幅回路から出力されたそれぞれの信号を合成して出力する電力合成回路と、電力分配回路の入力線路に接続された安定化回路とを有する。安定化回路は、並列に接続された容量及び抵抗を有する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力増幅器を示す回路図である。この電力増幅器10は、入力信号を4つの信号に分配して出力する電力分配回路11と、電力分配回路11から出力されたそれぞれの信号を増幅するFETやHBTなどの4つの増幅回路12と、4つの増幅回路12から出力されたそれぞれの信号を合成して出力する電力合成回路13とを有する。また、入力端子と電力分配回路11の間と、出力端子と電力合成回路13の間に、整合回路14,15がそれぞれ設けられている。そして、本実施の形態に係る電力増幅器では、従来とは異なり、直列の安定化回路16が電力分配回路11の入力線路に接続されている。
MMICにおいては容量18として通常MMキャパシタを用いるのが一般的である。これに対し、本発明の実施の形態2に係る安定化回路では、図4に示すように、容量18としてトランジスタを用いる。具体的には、トランジスタのドレイン及びソース電極を入出カとし、ゲート電極にピンチオフ電圧以下のバイアスを印加して動作させる。これにより、MIMプロセスを省略してウェハプロセスを簡略化することができる。なお、トランジスタのゲート幅Wgを5mmとすると容量は約1pfとなる。
準ミリ波、ミリ波帯で動作する電力増幅器では、トランジスタ1個で比較的大きな容量を得ようとすると、トランジスタ内の寄生成分等の影響で自己共振を起こし、回路特性に悪影響を及ぼす。そこで、実施の形態3に係る安定化回路では、図5に示すように、容量18として並列に接続された複数のトランジスタを用いる。これにより、各トランジスタのゲート幅Wgを小さくすることができるため、増幅回路の自己共振を回避し、所望の周波数で容量として用いることが可能となる。
安定化回路16内の抵抗17の抵抗値は、電力増幅器の動作バイアス条件、動作温度によって変わる。例えば、動作バイアス条件では安定動作となるものの、動作バイアス条件に至る過程で動作が不安定となる場合、抵抗値が固定された抵抗17では、最も不安定となる領域が安定になるように抵抗値を決定しなければならなかった。ところが、このような抵抗値はプロセスバッチ毎に変化する可能性がある。また、全体回路の動作周囲温度が広範囲である場合、通常低温時で安定になるように設計するが、常温時に対しては過剰な安定化を施すことになり、所望の帯域での利得も落としてしまう場合がある。
安定化回路中の抵抗は周波数や、増幅回路として用いるトランジスタのゲート幅等によって値は異なるが、トランジスタ1個で100Ω前後の抵抗値を得ようとすると、抵抗として用いるトランジスタのゲート幅Wgが20μm以下となる場合があり、抵抗値に対するゲート幅依存性が大きく、設計が難しくなる。
図8は、本発明の実施の形態6に係る安定化回路を示す回路図である。この安定化回路では、容量及び抵抗がトランジスタからなる。これにより、実施の形態2の効果と実施の形態4の効果を同時に得ることができる。
本発明の実施の形態7に係る安定化回路では、図9に示すように、容量18として並列に接続された複数のトランジスタを用い、抵抗17として直列に接続された複数のトランジスタ用いる。これにより、実施の形態3の効果と実施の形態5の効果を同時に得ることができる。
直列の安定化回路を1個としても、電力増幅器の入出力方向のサイズは縮小できない。そこで、本発明の実施の形態8に係る安定化回路では、図10に示すように、容量18及び抵抗17は、電力分配回路11の入力線路21とこの入力線路21から分岐される2本の線路22のクロス部分に一体化して配置されている。具体的には、クロス部分に容量18としてMIMキャパシタが配置され、2本の線路22がMIMの上地電極に接続され、入力線路21がMIMの下地電極に接続されている。そして、2本の線路22の下部のMIM近傍に抵抗17が配置され、抵抗17の一端がMIMの上地電極に接続され、他端がMIMの下地電極に接続されている。これにより、電力増幅器の入出力方向のサイズを縮小することができる。
図11は、本発明の実施の形態9に係る電力増幅器を示す回路図である。この電力増幅器は、図1に示す電力増幅器10を複数個用意し、これらを直列に接続したものである。これにより、ループ発振を抑制するための回路設計を容易にすることができ、実施の形態1のメリットを生かしつつ更に大電力の増幅器を実現することが可能となる。
図12は、本発明の実施の形態10に係る電力増幅器を示す回路図である。この電力増幅器は、図1に示す電力増幅器10を複数個用意し、これらを並列に接続したものである。これにより実施の形態9と同様の効果を奏する。
11 電力分配回路
12 増幅回路
13 電力合成回路
16 安定化回路
17 抵抗
18 容量
Claims (8)
- 入力信号を複数の信号に分配して出力する電力分配回路と、
前記電力分配回路から出力されたそれぞれの信号を増幅する複数の増幅回路と、
前記複数の増幅回路から出力されたそれぞれの信号を合成して出力する電力合成回路と、
前記電力分配回路の入力線路に接続された安定化回路とを有することを特徴とする電力増幅器。 - 前記安定化回路は、並列に接続された容量及び抵抗を有することを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。
- 前記容量は、トランジスタからなることを特徴とする請求項2に記載の電力増幅器。
- 前記容量は、並列に接続された複数のトランジスタからなることを特徴とする請求項2に記載の電力増幅器。
- 前記抵抗は、トランジスタからなることを特徴とする請求項2〜4の何れか1項に記載の電力増幅器。
- 前記抵抗は、直列に接続された複数のトランジスタからなることを特徴とする請求項2〜4の何れか1項に記載の電力増幅器。
- 前記安定化回路の前記容量及び前記抵抗は、前記電力分配回路の入力線路と前記入力線路から分岐される線路のクロス部分に一体化して配置されていることを特徴とする請求項2に記載の電力増幅器。
- 請求項1に記載の電力増幅器を複数個用意し、これらを直列又は並列に接続したことを特徴とする電力増幅器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005337498A JP2007143069A (ja) | 2005-11-22 | 2005-11-22 | 電力増幅器 |
US11/558,585 US7953997B2 (en) | 2005-11-22 | 2006-11-10 | Power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005337498A JP2007143069A (ja) | 2005-11-22 | 2005-11-22 | 電力増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007143069A true JP2007143069A (ja) | 2007-06-07 |
Family
ID=38054859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005337498A Pending JP2007143069A (ja) | 2005-11-22 | 2005-11-22 | 電力増幅器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7953997B2 (ja) |
JP (1) | JP2007143069A (ja) |
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- 2006-11-10 US US11/558,585 patent/US7953997B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7953997B2 (en) | 2011-05-31 |
US20070118776A1 (en) | 2007-05-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081112 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100803 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A02 | Decision of refusal |
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